JP2002158095A - 回折構造体を備えた自発光型表示素子 - Google Patents
回折構造体を備えた自発光型表示素子Info
- Publication number
- JP2002158095A JP2002158095A JP2000391382A JP2000391382A JP2002158095A JP 2002158095 A JP2002158095 A JP 2002158095A JP 2000391382 A JP2000391382 A JP 2000391382A JP 2000391382 A JP2000391382 A JP 2000391382A JP 2002158095 A JP2002158095 A JP 2002158095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting layer
- display element
- self
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 自発光型表示素子の発光効率を向上させるこ
と。 【解決手段】 自発光型表示素子1は、発光層4と、該
発光層を挟むよう設けられて該発光層に電界を印加する
ための一対の電極2、3とを備える。一対の電極2、3
の一方に、周期構造を有する回折構造体10が設けら
れ、任意の場所での前記周期構造の形状は、発光層4か
ら発せられるほぼ全ての方向の光線に対して略同一の周
期を有する。
と。 【解決手段】 自発光型表示素子1は、発光層4と、該
発光層を挟むよう設けられて該発光層に電界を印加する
ための一対の電極2、3とを備える。一対の電極2、3
の一方に、周期構造を有する回折構造体10が設けら
れ、任意の場所での前記周期構造の形状は、発光層4か
ら発せられるほぼ全ての方向の光線に対して略同一の周
期を有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス(EL)素子のような自発光型表示装置に好適
な表示素子に関する。
ッセンス(EL)素子のような自発光型表示装置に好適
な表示素子に関する。
【0002】
【従来の技術】電子的表示装置は、光線の利用方法によ
って大きく2つの種類に分類される。その1つは、表示
装置を形成する制御素子自身は発光せず、外光を透過、
遮断するための、いわゆるシャッターとして動作して表
示装置を構成する受光型表示装置であり、他は、制御素
子自身が発光して輝度として使用者に認識させる自発光
型表示装置である。
って大きく2つの種類に分類される。その1つは、表示
装置を形成する制御素子自身は発光せず、外光を透過、
遮断するための、いわゆるシャッターとして動作して表
示装置を構成する受光型表示装置であり、他は、制御素
子自身が発光して輝度として使用者に認識させる自発光
型表示装置である。
【0003】受光型表示装置としては、液晶表示装置
(LCD)が良く知られており、現在広く普及してい
る。自発光型表示装置としては、現在最も普及している
冷陰極管(CRT)をはじめとして、有機EL(エレク
トロルミネッセンス)、無機EL、プラズマ・ディスプ
レイ・パネル(PDP)、発光ダイオード表示装置(L
ED)、蛍光表示管表示装置(VFD)、フィールド・
エミッション・ディスプレイ(FED)などがある。自
発光型表示装置の中には既に実用化が始まったものがあ
り、他のものについても活発に開発が行われている。
(LCD)が良く知られており、現在広く普及してい
る。自発光型表示装置としては、現在最も普及している
冷陰極管(CRT)をはじめとして、有機EL(エレク
トロルミネッセンス)、無機EL、プラズマ・ディスプ
レイ・パネル(PDP)、発光ダイオード表示装置(L
ED)、蛍光表示管表示装置(VFD)、フィールド・
エミッション・ディスプレイ(FED)などがある。自
発光型表示装置の中には既に実用化が始まったものがあ
り、他のものについても活発に開発が行われている。
【0004】LCDに代表される受光型表示装置は、光
源を必要とするため、バックライトを備えるのが普通で
あり、表示情報の様態に拘わらず常にバックライトが点
灯しているので、全表示状態とほぼ変わらない電力を消
費することになる。これに対して、自発光型表示装置
は、表示情報に応じて、点灯する必要のある箇所だけが
電力を消費するので、受光型表示装置に比較して電力消
費が少ないという利点が原理的にある。
源を必要とするため、バックライトを備えるのが普通で
あり、表示情報の様態に拘わらず常にバックライトが点
灯しているので、全表示状態とほぼ変わらない電力を消
費することになる。これに対して、自発光型表示装置
は、表示情報に応じて、点灯する必要のある箇所だけが
電力を消費するので、受光型表示装置に比較して電力消
費が少ないという利点が原理的にある。
【0005】また、受光型表示装置の代表であるLCD
は、液晶の複屈折による偏光制御を利用しているため、
観察する方向によって表示状態が大きく変わる、いわゆ
る視野角依存性が強いのに対して、自発光型表示装置に
はこの問題がほとんど無いという利点もある。
は、液晶の複屈折による偏光制御を利用しているため、
観察する方向によって表示状態が大きく変わる、いわゆ
る視野角依存性が強いのに対して、自発光型表示装置に
はこの問題がほとんど無いという利点もある。
【0006】さらに、LCDは有機弾性物質である液晶
の誘電異方性に由来する分子配向変化を利用するため、
原理的に、電気信号に対する応答時間は1ミリ秒以上で
あり、このため、こうした応答の遅さに由来する動画残
像の問題が生じる。これに対して、上記のように開発が
進められている自発光型表示装置は、電子及び正孔とい
うキャリアの遷移、電子放出、プラズマ放電などを利用
しているため、応答時間はナノ秒のオーダーであって、
液晶とは比較にならないほど高速であり、応答の遅さに
由来する動画残像が問題になることはない。
の誘電異方性に由来する分子配向変化を利用するため、
原理的に、電気信号に対する応答時間は1ミリ秒以上で
あり、このため、こうした応答の遅さに由来する動画残
像の問題が生じる。これに対して、上記のように開発が
進められている自発光型表示装置は、電子及び正孔とい
うキャリアの遷移、電子放出、プラズマ放電などを利用
しているため、応答時間はナノ秒のオーダーであって、
液晶とは比較にならないほど高速であり、応答の遅さに
由来する動画残像が問題になることはない。
【0007】このように多くの利点を持った自発光型表
示装置であるが、現在のところ、完全に実用化されてい
るのはCRTのみであり、今後ますます需要が伸びると
予測される平面表示装置としては未だにLCDが主流で
ある。自発光型表示装置が実用化されない大きな原因の
一つは、その発光効率の低さである。LCDは、常に照
明のためにバックライトを点灯させなければならないの
で電力消費量が大きいが、その発光効率、輝度、寿命な
ど、どの特性においても完成された技術であり、長時間
安定に効率良く発光し続けるという点においては実用上
ほぼ問題がない。これに対して、自発光型表示装置にお
いては、長時間安定に効率良く発光し続けるという基本
的な特性が実用的なレベルにまで達していないのが実状
である。
示装置であるが、現在のところ、完全に実用化されてい
るのはCRTのみであり、今後ますます需要が伸びると
予測される平面表示装置としては未だにLCDが主流で
ある。自発光型表示装置が実用化されない大きな原因の
一つは、その発光効率の低さである。LCDは、常に照
明のためにバックライトを点灯させなければならないの
で電力消費量が大きいが、その発光効率、輝度、寿命な
ど、どの特性においても完成された技術であり、長時間
安定に効率良く発光し続けるという点においては実用上
ほぼ問題がない。これに対して、自発光型表示装置にお
いては、長時間安定に効率良く発光し続けるという基本
的な特性が実用的なレベルにまで達していないのが実状
である。
【0008】自発光型表示装置の安定性や発光効率を向
上させるために、発光材料の開発が進められているが、
フルカラー表示を行なうためには、赤、青、緑を発光す
る材料のそれぞれについて、こうした技術的課題を解決
する必要がある。このため、フルカラー表示の可能な自
発光型表示装置のための発光材料を開発することは容易
ではない。
上させるために、発光材料の開発が進められているが、
フルカラー表示を行なうためには、赤、青、緑を発光す
る材料のそれぞれについて、こうした技術的課題を解決
する必要がある。このため、フルカラー表示の可能な自
発光型表示装置のための発光材料を開発することは容易
ではない。
【0009】このため、発光材料に依存しないで安定性
や発光効率を向上させる技術が必要となってくる。特に
EL表示装置において大きな問題は、発光層から発せら
れた光のうち、表示装置を構成する基板や大気との界面
で全反射されてしまって表示装置の外部に到達すること
のない光が存在するということである。これは、主に、
発光材料の屈折率の方が基板や大気の屈折率よりも大き
いために生じるものである。
や発光効率を向上させる技術が必要となってくる。特に
EL表示装置において大きな問題は、発光層から発せら
れた光のうち、表示装置を構成する基板や大気との界面
で全反射されてしまって表示装置の外部に到達すること
のない光が存在するということである。これは、主に、
発光材料の屈折率の方が基板や大気の屈折率よりも大き
いために生じるものである。
【0010】EL表示装置におけるこうした全反射の問
題を解決する方法の一つは、図14の(a)及び(b)
に示すように、EL表示装置を構成するEL表示素子の
各々に直線状の回折格子を設けることである。回折格子
により光の進行が変化するため、界面への進入角度も変
わり、全反射を減らすことができる。図14において、
EL表示素子1は、反射性の背面電極2、発光層4、透
明電極3及び回折格子5をこの順に積層した構造を有す
る。なお、6は発光層4から発せられた光、7は発光層
4の発光中心を示している。こうした構造を採用したこ
とにより、発光層4から発せられた光6のうち界面で全
反射されて外部に到達できなかった光の一部は、回折格
子5によって回折され進行方向を変えられ、全反射条件
を回避して外部に到達することになるので、結果的にE
L表示素子1から外部へ到達する光線の量が増すことに
なり、回折格子5が無い場合よりも発光効率は向上す
る。しかしながら、回折格子5として、いわゆる単純な
回折格子を使用したのでは、図14から明らかなよう
に、発光中心7から放射される光線のうち、回折格子5
に垂直な光は上記の如く回折されて外部に到達するが、
他の殆どの光は回折の影響を受けないため、発光効率は
それほど向上しないのが実状である。
題を解決する方法の一つは、図14の(a)及び(b)
に示すように、EL表示装置を構成するEL表示素子の
各々に直線状の回折格子を設けることである。回折格子
により光の進行が変化するため、界面への進入角度も変
わり、全反射を減らすことができる。図14において、
EL表示素子1は、反射性の背面電極2、発光層4、透
明電極3及び回折格子5をこの順に積層した構造を有す
る。なお、6は発光層4から発せられた光、7は発光層
4の発光中心を示している。こうした構造を採用したこ
とにより、発光層4から発せられた光6のうち界面で全
反射されて外部に到達できなかった光の一部は、回折格
子5によって回折され進行方向を変えられ、全反射条件
を回避して外部に到達することになるので、結果的にE
L表示素子1から外部へ到達する光線の量が増すことに
なり、回折格子5が無い場合よりも発光効率は向上す
る。しかしながら、回折格子5として、いわゆる単純な
回折格子を使用したのでは、図14から明らかなよう
に、発光中心7から放射される光線のうち、回折格子5
に垂直な光は上記の如く回折されて外部に到達するが、
他の殆どの光は回折の影響を受けないため、発光効率は
それほど向上しないのが実状である。
【0011】EL表示素子における全反射の問題を解決
するために、図15の(a)及び(b)に示すように、
千鳥状の格子を設けた2次元回折格子5’を使用する提
案がなされた。しかし、この場合も、回折格子5’に対
して斜め方向に入射される大部分の光線は回折の影響を
受けないため、界面で全反射される光量の低減には余り
役立たない。同じ目的で、図16の(a)及び(b)に
示すようなゾーンプレート5”も提案されている。しか
し、この場合も、ゾーンプレート5”の中心で発光した
光線の全てが理想的に回折されるにすぎず、ゾーンプレ
ート5”の中心以外で発光される他の大部分の光線は回
折の影響を受けないため、図14及び図15に示す回折
格子と同様に、図16のゾーンプレート5”も全反射問
題を有効に解決するものではない。
するために、図15の(a)及び(b)に示すように、
千鳥状の格子を設けた2次元回折格子5’を使用する提
案がなされた。しかし、この場合も、回折格子5’に対
して斜め方向に入射される大部分の光線は回折の影響を
受けないため、界面で全反射される光量の低減には余り
役立たない。同じ目的で、図16の(a)及び(b)に
示すようなゾーンプレート5”も提案されている。しか
し、この場合も、ゾーンプレート5”の中心で発光した
光線の全てが理想的に回折されるにすぎず、ゾーンプレ
ート5”の中心以外で発光される他の大部分の光線は回
折の影響を受けないため、図14及び図15に示す回折
格子と同様に、図16のゾーンプレート5”も全反射問
題を有効に解決するものではない。
【0012】このように、図14〜図16に示す回折格
子は、原理的には、発光層の材料に対する依存性が無く
且つ自発光型表示素子の発光効率を向上させるものと考
えられるが、実際には、自発光型表示素子において界面
で全反射される光を低減して発光効率を向上させるのに
十分な効果を発揮するものではなかった。
子は、原理的には、発光層の材料に対する依存性が無く
且つ自発光型表示素子の発光効率を向上させるものと考
えられるが、実際には、自発光型表示素子において界面
で全反射される光を低減して発光効率を向上させるのに
十分な効果を発揮するものではなかった。
【0013】更に、有機EL表示素子から取り出し得る
光量を増すため、有機EL発光層を挟む一対の電極のう
ち一方の電極に突起を形成し、他方の電極に凹部を設け
るようにした表示素子も提案されている。しかし、この
表示素子は回折現象を利用するものではなく、凹部を有
する方の電極での光線の反射を利用して光線の取り出し
効率を上げるようにしているが、他方の電極に形成され
た突起によって有機EL発光層の発光面積が減少するた
め、突起がない場合に比べて輝度が低下することにな
る。
光量を増すため、有機EL発光層を挟む一対の電極のう
ち一方の電極に突起を形成し、他方の電極に凹部を設け
るようにした表示素子も提案されている。しかし、この
表示素子は回折現象を利用するものではなく、凹部を有
する方の電極での光線の反射を利用して光線の取り出し
効率を上げるようにしているが、他方の電極に形成され
た突起によって有機EL発光層の発光面積が減少するた
め、突起がない場合に比べて輝度が低下することにな
る。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記の課
題に鑑みて提案されたものであり、発光層内から発せら
れた光のうち界面で全反射される光の割合を低減した自
発光型表示素子を提供することを目的とする。
題に鑑みて提案されたものであり、発光層内から発せら
れた光のうち界面で全反射される光の割合を低減した自
発光型表示素子を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1の発明は、発光層と、該発光層を挟むよ
う設けられて該発光層に電界を印加するための一対の電
極とを備えた自発光型表示素子であって、前記電極の少
なくとも一方に、周期構造を有する回折構造体が設けら
れ、任意の場所での前記周期構造の形状が、前記発光層
から発せられるほぼ全ての方向の光線に対して略同一の
周期を有することを特徴とする自発光型表示素子、を提
供する。
めに、請求項1の発明は、発光層と、該発光層を挟むよ
う設けられて該発光層に電界を印加するための一対の電
極とを備えた自発光型表示素子であって、前記電極の少
なくとも一方に、周期構造を有する回折構造体が設けら
れ、任意の場所での前記周期構造の形状が、前記発光層
から発せられるほぼ全ての方向の光線に対して略同一の
周期を有することを特徴とする自発光型表示素子、を提
供する。
【0016】請求項2の発明は、前記回折構造体が、最
密充填配置から再配置された微小構造物を備えるように
したものである。請求項3の発明は、発光層と、該発光
層を挟むよう設けられて該発光層に電界を印加するため
の一対の電極と、該電極の少なくとも一方に設けられ且
つ周期構造を有するた回折構造体とを備えた自発光型表
示素子であって、前記発光層から発せられる光が直線偏
光或いは略直線偏光であり、前記回折構造体における前
記周期構造の繰り返し方向と前記光の偏光方向とが一致
或いは略一致することを特徴とする自発光型表示素子、
を提供する。
密充填配置から再配置された微小構造物を備えるように
したものである。請求項3の発明は、発光層と、該発光
層を挟むよう設けられて該発光層に電界を印加するため
の一対の電極と、該電極の少なくとも一方に設けられ且
つ周期構造を有するた回折構造体とを備えた自発光型表
示素子であって、前記発光層から発せられる光が直線偏
光或いは略直線偏光であり、前記回折構造体における前
記周期構造の繰り返し方向と前記光の偏光方向とが一致
或いは略一致することを特徴とする自発光型表示素子、
を提供する。
【0017】また、請求項4の発明は、発光層と、該発
光層を挟むよう設けられて該発光層に電界を印加するた
めの一対の電極と、該電極の少なくとも一方に設けられ
且つ周期構造を有するた回折構造体とを備えた自発光型
表示素子であって、前記発光層から発せられる光が直線
偏光或いは略直線偏光であり、前記回折構造体における
前記周期構造の繰り返し方向と前記光の偏光方向とが直
交或いは略直交することを特徴とする自発光型表示素
子、を提供する。
光層を挟むよう設けられて該発光層に電界を印加するた
めの一対の電極と、該電極の少なくとも一方に設けられ
且つ周期構造を有するた回折構造体とを備えた自発光型
表示素子であって、前記発光層から発せられる光が直線
偏光或いは略直線偏光であり、前記回折構造体における
前記周期構造の繰り返し方向と前記光の偏光方向とが直
交或いは略直交することを特徴とする自発光型表示素
子、を提供する。
【0018】請求項5の発明は、前記回折構造体を直線
状の格子を有する回折格子としたものである。請求項6
の発明は、少なくとも基板と発光部とを備えた表示素子
であって、前記基板に周期構造が設けられ、該基板の光
り取出し面側に偏光層を、その偏光方向と前記周期構造
の繰り返し方向とが一致或いは略一致する様に設置した
ことを特徴とする自発光型表示素子、を提供する。
状の格子を有する回折格子としたものである。請求項6
の発明は、少なくとも基板と発光部とを備えた表示素子
であって、前記基板に周期構造が設けられ、該基板の光
り取出し面側に偏光層を、その偏光方向と前記周期構造
の繰り返し方向とが一致或いは略一致する様に設置した
ことを特徴とする自発光型表示素子、を提供する。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
に係る自発光型表示素子の若干の実施の形態について説
明する。なお、以下の説明において、図14〜図16に
示す従来の自発光型表示素子におけると同じ又は同様の
構成要素には同一の参照数字を付すことにする。
に係る自発光型表示素子の若干の実施の形態について説
明する。なお、以下の説明において、図14〜図16に
示す従来の自発光型表示素子におけると同じ又は同様の
構成要素には同一の参照数字を付すことにする。
【0020】図1は、この発明に係る自発光型表示素子
の第1の実施の形態を示している。同図において、自発
光型表示素子はEL発光素子1であり、図14〜図16
に示す従来の自発光型表示素子と同様に、発光層4と、
該発光層4を挟持して発光層4に電界を印加することに
より発光層4を発光させるための一対の電極2、3とを
有する。実用的には、観察者側の輝度を向上させるた
め、観察者に近い側の電極を透明電極3とし、それに対
向する電極を反射電極2とするのがよい。EL発光素子
1において、更に、透明電極3の発光層4とは反対側の
面に、発光層4内で発せられた光が装置界面で全反射さ
れるのを抑制するための回折構造体10が設けられる。
回折構造体10は、発光層4内の任意の場所での全ての
発光方向の光線に対して略同一の周期を有する構成とな
るよう多数の微小構造物11を配列した構造を有する。
の第1の実施の形態を示している。同図において、自発
光型表示素子はEL発光素子1であり、図14〜図16
に示す従来の自発光型表示素子と同様に、発光層4と、
該発光層4を挟持して発光層4に電界を印加することに
より発光層4を発光させるための一対の電極2、3とを
有する。実用的には、観察者側の輝度を向上させるた
め、観察者に近い側の電極を透明電極3とし、それに対
向する電極を反射電極2とするのがよい。EL発光素子
1において、更に、透明電極3の発光層4とは反対側の
面に、発光層4内で発せられた光が装置界面で全反射さ
れるのを抑制するための回折構造体10が設けられる。
回折構造体10は、発光層4内の任意の場所での全ての
発光方向の光線に対して略同一の周期を有する構成とな
るよう多数の微小構造物11を配列した構造を有する。
【0021】回折構造体10は、図1に示すように透明
電極3側に設置する代わりに、図2の(a)及び(b)
に示すように反射電極2と発光層4との間に配置するよ
うにしても良い。図2において、回折構造体10は、発
光層4の透明電極3とは反対側の面に多数の微小構造物
11を形成することにより設けられ、回折構造体10の
上に反射電極2が形成される。微小構造物11は、例え
ば、円形の断面を有する孔(ピット)や突起体である。
電極3側に設置する代わりに、図2の(a)及び(b)
に示すように反射電極2と発光層4との間に配置するよ
うにしても良い。図2において、回折構造体10は、発
光層4の透明電極3とは反対側の面に多数の微小構造物
11を形成することにより設けられ、回折構造体10の
上に反射電極2が形成される。微小構造物11は、例え
ば、円形の断面を有する孔(ピット)や突起体である。
【0022】図3は、回折構造体10における微小構造
物11の配置を説明するための図であって、微小構造物
11はEL発光素子1における任意の位置を中心に略同
一の周期を有するよう配置した回折構造を示す。即ち、
任意の4個の微小構造物11の中心を中心とする同心円
を描いて該中心から放射方向を見たとき、いずれの放射
方向においても微小構造物11が略同一の周期で配置さ
れている。微小構造物11のこうした配置により、EL
発光素子1の回折構造体10に入射する全ての発光方向
の光線に対して略同一の周期を有する回折構造を提供す
ることができるので、従来の回折格子やゾーンプレート
を用いた自発光型表示装置に比べて、EL発光素子1の
発光効率を大幅に向上させることができる。
物11の配置を説明するための図であって、微小構造物
11はEL発光素子1における任意の位置を中心に略同
一の周期を有するよう配置した回折構造を示す。即ち、
任意の4個の微小構造物11の中心を中心とする同心円
を描いて該中心から放射方向を見たとき、いずれの放射
方向においても微小構造物11が略同一の周期で配置さ
れている。微小構造物11のこうした配置により、EL
発光素子1の回折構造体10に入射する全ての発光方向
の光線に対して略同一の周期を有する回折構造を提供す
ることができるので、従来の回折格子やゾーンプレート
を用いた自発光型表示装置に比べて、EL発光素子1の
発光効率を大幅に向上させることができる。
【0023】図4の(a)及び(b)は、微小構造物1
1が同径のピットである場合に、回折構造体10の面に
入射する全ての発光方向の光線に対して略同一の周期を
有するよう微小構造物11を配置する一つの方法を説明
する図である。まず、図4の(a)に示すように、微小
構造物11を最密充填配置した状態を想定する。この状
態においては、任意の隣り合う2つの微小構造物の中心
間の距離dは微小構造物の直径に等しく、いずれの隣り
合う2個の微小構造物についても同じ値である。次に、
距離dに所定の一定数を乗じた値Dを求め、多数の微小
構造物11を、図4の(b)に示すように、任意の隣り
合う2個の微小構造物11の中心間の距離がDになるよ
うに再配置する。これにより、回折構造体10の面に入
射する全ての発光方向の光線に対して略同一の周期を有
するように微小構造物11を配置することができる。実
際には、微小構造物11の周期は1μmから20μmが
望ましい。また、カラー表示装置の場合には、画素毎
に、色の波長に応じて周期を変えることが望ましい。
1が同径のピットである場合に、回折構造体10の面に
入射する全ての発光方向の光線に対して略同一の周期を
有するよう微小構造物11を配置する一つの方法を説明
する図である。まず、図4の(a)に示すように、微小
構造物11を最密充填配置した状態を想定する。この状
態においては、任意の隣り合う2つの微小構造物の中心
間の距離dは微小構造物の直径に等しく、いずれの隣り
合う2個の微小構造物についても同じ値である。次に、
距離dに所定の一定数を乗じた値Dを求め、多数の微小
構造物11を、図4の(b)に示すように、任意の隣り
合う2個の微小構造物11の中心間の距離がDになるよ
うに再配置する。これにより、回折構造体10の面に入
射する全ての発光方向の光線に対して略同一の周期を有
するように微小構造物11を配置することができる。実
際には、微小構造物11の周期は1μmから20μmが
望ましい。また、カラー表示装置の場合には、画素毎
に、色の波長に応じて周期を変えることが望ましい。
【0024】図5は、この発明に係る自発光型表示素子
の第2の実施の形態を示している。この第2の実施の形
態においても、自発光型表示素子はEL発光素子1であ
り、発光層4と、該発光層4を挟持する一対の電極の一
方である反射性の背面電極2と、他方の電極である透明
電極3と、表示素子界面での光の全反射を抑制するため
の回折構造体12とを備えている。発光層4において発
せられた光線は矢印Xの方向に偏光した直線偏光あるい
は略直線偏光であり、回折構造体12は直線状の格子を
平行に配列した回折格子を有する。この場合、回折構造
体12の格子の方向は、発光層4から発光された直線偏
光または略直線偏光の光の偏光方向と一致または略一致
する。回折構造体12の有する回折格子の周期は、1μ
mから20μmであることが望ましいが、カラー表示素
子の場合には、画素毎に色の波長に応じて周期を変える
ことが望ましい。
の第2の実施の形態を示している。この第2の実施の形
態においても、自発光型表示素子はEL発光素子1であ
り、発光層4と、該発光層4を挟持する一対の電極の一
方である反射性の背面電極2と、他方の電極である透明
電極3と、表示素子界面での光の全反射を抑制するため
の回折構造体12とを備えている。発光層4において発
せられた光線は矢印Xの方向に偏光した直線偏光あるい
は略直線偏光であり、回折構造体12は直線状の格子を
平行に配列した回折格子を有する。この場合、回折構造
体12の格子の方向は、発光層4から発光された直線偏
光または略直線偏光の光の偏光方向と一致または略一致
する。回折構造体12の有する回折格子の周期は、1μ
mから20μmであることが望ましいが、カラー表示素
子の場合には、画素毎に色の波長に応じて周期を変える
ことが望ましい。
【0025】EL表示素子において発光層から直線偏光
を発光し得ることに関しては、例えば、雑誌Appl.
Phys.Lett.Vol.67、No.11、2
3.October1995、p.2436−243
8、”Polarized electrolumin
escence from oriented p−s
exiphenyl vacuum-deposite
d film”に記載されており、有機ELにおいては
ラビング等によって方向付けされた発光層がその方向の
直線偏光発光を生じることが知られている。この論文の
Fig.5は、トータルの発光輝度が偏光発光の場合に
も従来の偏光していない発光の場合と変わらないこと、
即ち、発光層の方向付けによって発光分子が配向して発
光が直線偏光状に揃うだけであって発光能力が損なわれ
ることは無いことを示している。
を発光し得ることに関しては、例えば、雑誌Appl.
Phys.Lett.Vol.67、No.11、2
3.October1995、p.2436−243
8、”Polarized electrolumin
escence from oriented p−s
exiphenyl vacuum-deposite
d film”に記載されており、有機ELにおいては
ラビング等によって方向付けされた発光層がその方向の
直線偏光発光を生じることが知られている。この論文の
Fig.5は、トータルの発光輝度が偏光発光の場合に
も従来の偏光していない発光の場合と変わらないこと、
即ち、発光層の方向付けによって発光分子が配向して発
光が直線偏光状に揃うだけであって発光能力が損なわれ
ることは無いことを示している。
【0026】同様に、雑誌Appl.Phys.Let
t.Vol.73、No.11、14Septembe
r 1998、p.1595−1597”Polari
zed light emission from a
calamitic liquid crystal
line semiconductor dopedw
ith dyes”は、液晶性半導体に直流バイアスを
印加したときに直線偏光が発光されたことを報告してい
る。EL表示素子1における発光層として、これらの論
文に記載された発光材料を用いることができる。
t.Vol.73、No.11、14Septembe
r 1998、p.1595−1597”Polari
zed light emission from a
calamitic liquid crystal
line semiconductor dopedw
ith dyes”は、液晶性半導体に直流バイアスを
印加したときに直線偏光が発光されたことを報告してい
る。EL表示素子1における発光層として、これらの論
文に記載された発光材料を用いることができる。
【0027】なお、図5においては回折構造体12は透
明電極3の発光層4とは反対側の面に設置されている
が、図6の(a)及び(b)に示すように、回折構造体
12を反射電極2と発光層4との間に形成するようにし
てもよい。
明電極3の発光層4とは反対側の面に設置されている
が、図6の(a)及び(b)に示すように、回折構造体
12を反射電極2と発光層4との間に形成するようにし
てもよい。
【0028】図5及び図6に示すように、回折構造体1
2の格子の繰り返し構造の方向と発光層4から発せられ
る直線偏光または略直線偏光の偏光方向とを一致または
略一致させることにより、ほとんど全ての光は回折構造
体12の回折効果により進行方向を変化されて全反射条
件を回避することになるので、素子の外部に到達する光
線の量を従来の無偏光発光に比較して大幅に向上させる
ことができ、従来の素子よりも大幅に発光効率を向上さ
せることができる。
2の格子の繰り返し構造の方向と発光層4から発せられ
る直線偏光または略直線偏光の偏光方向とを一致または
略一致させることにより、ほとんど全ての光は回折構造
体12の回折効果により進行方向を変化されて全反射条
件を回避することになるので、素子の外部に到達する光
線の量を従来の無偏光発光に比較して大幅に向上させる
ことができ、従来の素子よりも大幅に発光効率を向上さ
せることができる。
【0029】図7は、この発明に係る自発光型表示素子
の第3の実施の形態を示している。この第3の実施の形
態においても、自発光型表示素子はEL発光素子1であ
り、発光層4と、該発光層4を挟持する一対の電極の一
方である反射性の背面電極2と、他方の電極である透明
電極3と、表示素子界面での光の全反射を抑制するため
の回折構造体12とを備えている。発光層4において発
せられた光6は矢印Yの方向に偏光した直線偏光あるい
は略直線偏光であり、回折構造体12は直線状の格子を
平行に配列した回折格子を有する。この場合、回折構造
体12の格子の方向は、発光層4から発せられた直線偏
光または略直線偏光の光6の偏光方向に垂直または略垂
直の関係にある。回折構造体12の有する回折格子の周
期は、1μmから20μmであることが望ましいが、カ
ラー表示素子の場合には、画素毎に色の波長に応じて周
期を変えることが望ましい。
の第3の実施の形態を示している。この第3の実施の形
態においても、自発光型表示素子はEL発光素子1であ
り、発光層4と、該発光層4を挟持する一対の電極の一
方である反射性の背面電極2と、他方の電極である透明
電極3と、表示素子界面での光の全反射を抑制するため
の回折構造体12とを備えている。発光層4において発
せられた光6は矢印Yの方向に偏光した直線偏光あるい
は略直線偏光であり、回折構造体12は直線状の格子を
平行に配列した回折格子を有する。この場合、回折構造
体12の格子の方向は、発光層4から発せられた直線偏
光または略直線偏光の光6の偏光方向に垂直または略垂
直の関係にある。回折構造体12の有する回折格子の周
期は、1μmから20μmであることが望ましいが、カ
ラー表示素子の場合には、画素毎に色の波長に応じて周
期を変えることが望ましい。
【0030】図7に示すEL表示素子1の動作を図8に
より説明すると、発光層4の発光中心7から出た光6
は、発光中心7から全方向に放射される。ただし、光6
は直線偏光であるため、その放射面は2次元である。即
ち、発光中心7から出る光の直線偏光の方向Yは光6の
放射進行方向Zに対して垂直である。このため、回折構
造体12の回折格子の有する繰り返し構造の方向と発光
層4からの光6の偏光方向とは垂直または略垂直である
ようにすることにより、ほとんど全ての光が回折構造体
12の作用により進行方向を変えられて全反射条件を回
避するので、素子の外部に到達する光線の量は従来の無
偏光発光に比較して大幅に向上するので、従来の表示素
子よりも大幅に発光効率を向上させることができる。
より説明すると、発光層4の発光中心7から出た光6
は、発光中心7から全方向に放射される。ただし、光6
は直線偏光であるため、その放射面は2次元である。即
ち、発光中心7から出る光の直線偏光の方向Yは光6の
放射進行方向Zに対して垂直である。このため、回折構
造体12の回折格子の有する繰り返し構造の方向と発光
層4からの光6の偏光方向とは垂直または略垂直である
ようにすることにより、ほとんど全ての光が回折構造体
12の作用により進行方向を変えられて全反射条件を回
避するので、素子の外部に到達する光線の量は従来の無
偏光発光に比較して大幅に向上するので、従来の表示素
子よりも大幅に発光効率を向上させることができる。
【0031】なお、図7においては回折構造体12は透
明電極3の発光層4とは反対側の面に設置されている
が、図9に示すように、回折構造体12を反射電極2と
発光層4との間に形成するようにしてもよい。また、こ
の第3の実施の形態においてEL表示素子1の発光層4
に使用し得る材料は、第2の実施の形態において発光層
4に使用し得る材料と同じであり、前掲の論文に記載さ
れた材料がその一例である。
明電極3の発光層4とは反対側の面に設置されている
が、図9に示すように、回折構造体12を反射電極2と
発光層4との間に形成するようにしてもよい。また、こ
の第3の実施の形態においてEL表示素子1の発光層4
に使用し得る材料は、第2の実施の形態において発光層
4に使用し得る材料と同じであり、前掲の論文に記載さ
れた材料がその一例である。
【0032】
【実施例】以下、この発明に係る自発光型表示素子の第
1の実施の形態〜第3の実施の形態のそれぞれについ
て、その実施例を説明する。
1の実施の形態〜第3の実施の形態のそれぞれについ
て、その実施例を説明する。
【0033】第1の実施の形態に関する2つの実施例 この発明に係る自発光型表示素子の第1実施例として、
図1に示す構成のEL表示素子を作製した。この第1実
施例は、透明電極3としてITO、反射電極2としてA
lを用い、発光層4は発光有機材料Alq3と正孔輸送
層α−NPDとを、正孔輸送層α−NPDとITOとが
接する順で積層したものである。まず、直径1μmで深
さ50Åのピットを周期10μmとなるよう最密充填構
造から再配置し、ピットをガラス基板上にフォトリソグ
ラフィー法とフッ酸を用いたエッチングにより形成する
ことで回折構造体10を作成した。続いて、ガラス基板
のピットが形成された面にITOを蒸着により形成して
透明電極3とし、その上に発光層4、反射電極2として
のAlを順に形成してEL表示素子を作製した。発光層
4において、Alq3の厚みは2000Å、α−NPD
の厚みは1000Åとした。
図1に示す構成のEL表示素子を作製した。この第1実
施例は、透明電極3としてITO、反射電極2としてA
lを用い、発光層4は発光有機材料Alq3と正孔輸送
層α−NPDとを、正孔輸送層α−NPDとITOとが
接する順で積層したものである。まず、直径1μmで深
さ50Åのピットを周期10μmとなるよう最密充填構
造から再配置し、ピットをガラス基板上にフォトリソグ
ラフィー法とフッ酸を用いたエッチングにより形成する
ことで回折構造体10を作成した。続いて、ガラス基板
のピットが形成された面にITOを蒸着により形成して
透明電極3とし、その上に発光層4、反射電極2として
のAlを順に形成してEL表示素子を作製した。発光層
4において、Alq3の厚みは2000Å、α−NPD
の厚みは1000Åとした。
【0034】Alを負極性、ITOを正極性として7V
の直流電界を発光層4に印加したところ、電流密度0.
2mA/mm2で輝度500cd/m2の発光を確認するこ
とができた。
の直流電界を発光層4に印加したところ、電流密度0.
2mA/mm2で輝度500cd/m2の発光を確認するこ
とができた。
【0035】この発明に係る自発光型表示素子の第2実
施例として、図2に示すEL表示素子を作製した。この
第2実施例は透明電極3としてITOを、反射電極2と
してAlを用い、発光層4は発光有機材料Alq3と正
孔輸送層α−NPDを、正孔輸送層α−NPDとITO
とが接する順で積層した。まず、直径1μmで深さ50
Åのピットを周期10μmで最密充填構造から再配置
し、ピットをガラス基板の一方の面にフォトリソグラフ
ィー法とフッ酸を用いたエッチングにより形成して回折
構造体10を作成した。続いて、ガラス基板のピットが
形成された面にAlを蒸着により形成して反射電極2を
形成し、次いで、その上に発光層4とITOをこの順に
形成してEL表示素子1を作製した。発光層4のAlq
3の厚みは2000Å、α−NPDの厚みは1000Å
とした。
施例として、図2に示すEL表示素子を作製した。この
第2実施例は透明電極3としてITOを、反射電極2と
してAlを用い、発光層4は発光有機材料Alq3と正
孔輸送層α−NPDを、正孔輸送層α−NPDとITO
とが接する順で積層した。まず、直径1μmで深さ50
Åのピットを周期10μmで最密充填構造から再配置
し、ピットをガラス基板の一方の面にフォトリソグラフ
ィー法とフッ酸を用いたエッチングにより形成して回折
構造体10を作成した。続いて、ガラス基板のピットが
形成された面にAlを蒸着により形成して反射電極2を
形成し、次いで、その上に発光層4とITOをこの順に
形成してEL表示素子1を作製した。発光層4のAlq
3の厚みは2000Å、α−NPDの厚みは1000Å
とした。
【0036】Alを負極性、ITOを正極性として7V
の直流電界を発光層4に印加したところ、第1実施例と
同様に、電流密度0.2mA/mm2で輝度500cd/
m2の発光を確認することができた。
の直流電界を発光層4に印加したところ、第1実施例と
同様に、電流密度0.2mA/mm2で輝度500cd/
m2の発光を確認することができた。
【0037】比較例として、第1実施例に回折構造体1
0を設けない通常のEL表示素子を同様の方法で作製
し、Alを負極性、ITOを正極性として7Vの直流電
界を発光層に印加したところ、電流密度0.2mA/m
m2で輝度は120cd/m2の発光しか確認することが
できなかった。これは、この発明の自発光型表示素子の
方が同一の電力で3倍以上も高輝度の表示素子を作製す
ることができることを示している。この比較例における
発光材料、電極材料等の各種材料は第1実施例と全く同
一であるから、第1実施例は、発光材料が本来持つ発光
能力、即ち、表示素子として必要な光を外部に取出す効
率を向上させただけであると言うことができ、寿命等の
信頼性は全く低下することがない。
0を設けない通常のEL表示素子を同様の方法で作製
し、Alを負極性、ITOを正極性として7Vの直流電
界を発光層に印加したところ、電流密度0.2mA/m
m2で輝度は120cd/m2の発光しか確認することが
できなかった。これは、この発明の自発光型表示素子の
方が同一の電力で3倍以上も高輝度の表示素子を作製す
ることができることを示している。この比較例における
発光材料、電極材料等の各種材料は第1実施例と全く同
一であるから、第1実施例は、発光材料が本来持つ発光
能力、即ち、表示素子として必要な光を外部に取出す効
率を向上させただけであると言うことができ、寿命等の
信頼性は全く低下することがない。
【0038】第2の実施の形態に関する2つの実施例 本発明に係る自発光型表示素子の第3実施例として、図
5に示すEL表示素子を作製した。この第3実施例は、
透明電極3としてITOを、反射電極2としてAlを用
い、発光層4は発光有機材料Alq3と正孔輸送層α−
NPDを、正孔輸送層α−NPDとITOとが接する順
で積層したものである。まず、ガラス基板の一方の面
に、フォトリソグラフィー法とフッ酸を用いたエッチン
グにより、幅1μm、周期1μmの回折格子である回折
構造体12を形成し、ガラス基板の回折格子が形成され
た面にITOを蒸着により形成して透明電極3とした。
次いで、ITOの上にα−NPDを厚み1000Åだ
け、更にAlq3を厚み300Åだけ蒸着形成して発光
層4を形成した。その後、回折格子の繰り返し方向と同
じ方向にAlq3をラビングし、再びAlq3をトータ
ル膜厚2000Åとなるように蒸着形成した。最後に、
発光層4の上にAlを形成して反射電極2を形成し、素
子1を作製した。
5に示すEL表示素子を作製した。この第3実施例は、
透明電極3としてITOを、反射電極2としてAlを用
い、発光層4は発光有機材料Alq3と正孔輸送層α−
NPDを、正孔輸送層α−NPDとITOとが接する順
で積層したものである。まず、ガラス基板の一方の面
に、フォトリソグラフィー法とフッ酸を用いたエッチン
グにより、幅1μm、周期1μmの回折格子である回折
構造体12を形成し、ガラス基板の回折格子が形成され
た面にITOを蒸着により形成して透明電極3とした。
次いで、ITOの上にα−NPDを厚み1000Åだ
け、更にAlq3を厚み300Åだけ蒸着形成して発光
層4を形成した。その後、回折格子の繰り返し方向と同
じ方向にAlq3をラビングし、再びAlq3をトータ
ル膜厚2000Åとなるように蒸着形成した。最後に、
発光層4の上にAlを形成して反射電極2を形成し、素
子1を作製した。
【0039】Alを負極性、ITOを正極性として7V
の直流電界を発光層4に印加したところ、電流密度0.
2mA/mm2で輝度500cd/m2の発光を確認する
ことができた。偏光板を用いて光を観察したところ、ラ
ビングを施した方向に光が偏光していることが確認され
た。
の直流電界を発光層4に印加したところ、電流密度0.
2mA/mm2で輝度500cd/m2の発光を確認する
ことができた。偏光板を用いて光を観察したところ、ラ
ビングを施した方向に光が偏光していることが確認され
た。
【0040】この発明に係る自発光型表示素子の第4実
施例として、図6に示すEL表示素子を作製した。この
第4実施例は、透明電極3としてITOを、反射電極2
としてAlを用い、発光層4は発光有機材料Alq3と
正孔輸送層α−NPDを、正孔輸送層α−NPDとIT
Oとが接する順で積層したものである。まず、ガラス基
板の一方の面に、フォトリソグラフィー法とフッ酸を用
いたエッチングにより、幅1μm、周期1μmの回折格
子である回折構造体12を形成し、ガラス基板の回折格
子が形成された面にAlを蒸着により形成して反射電極
2とした。次いで、その上にAlq3を厚み300Åだ
け蒸着形成した。こうして形成したAlq3を回折格子
の繰り返し方向と同じ方向にラビングした後、再びAl
q3をトータル膜厚 2000Åとなるように蒸着形成
した。その上にα−NDPを厚み1000Åだけ形成し
て発光層4を形成し、最後にITOを形成してEL表示
素子1を作製した。
施例として、図6に示すEL表示素子を作製した。この
第4実施例は、透明電極3としてITOを、反射電極2
としてAlを用い、発光層4は発光有機材料Alq3と
正孔輸送層α−NPDを、正孔輸送層α−NPDとIT
Oとが接する順で積層したものである。まず、ガラス基
板の一方の面に、フォトリソグラフィー法とフッ酸を用
いたエッチングにより、幅1μm、周期1μmの回折格
子である回折構造体12を形成し、ガラス基板の回折格
子が形成された面にAlを蒸着により形成して反射電極
2とした。次いで、その上にAlq3を厚み300Åだ
け蒸着形成した。こうして形成したAlq3を回折格子
の繰り返し方向と同じ方向にラビングした後、再びAl
q3をトータル膜厚 2000Åとなるように蒸着形成
した。その上にα−NDPを厚み1000Åだけ形成し
て発光層4を形成し、最後にITOを形成してEL表示
素子1を作製した。
【0041】Alを負極性、ITOを正極性として7V
の直流電界を発光層4に印加したところ、電流密度0.
2mA/mm2で輝度500cd/m2の発光を確認する
ことができた。偏光板を用いて光を観察したところ、ラ
ビングを施した方向に光が偏光していることが確認され
た。
の直流電界を発光層4に印加したところ、電流密度0.
2mA/mm2で輝度500cd/m2の発光を確認する
ことができた。偏光板を用いて光を観察したところ、ラ
ビングを施した方向に光が偏光していることが確認され
た。
【0042】比較例として、第3実施例及び第4実施例
においてラビング処理をしない発光層を有し且つ通常の
回折格子を有するEL表示素子を同様の手順で作製し、
Alを負極性、ITOを正極性として7Vの直流電界を
発光層に印加したところ、電流密度0.2mA/mm2で
輝度は200cd/m2の発光しか確認することができ
なかった。偏光板を用いて光を観察したところ、光は無
偏光であった。
においてラビング処理をしない発光層を有し且つ通常の
回折格子を有するEL表示素子を同様の手順で作製し、
Alを負極性、ITOを正極性として7Vの直流電界を
発光層に印加したところ、電流密度0.2mA/mm2で
輝度は200cd/m2の発光しか確認することができ
なかった。偏光板を用いて光を観察したところ、光は無
偏光であった。
【0043】第3の実施の形態に関する2つの実施例 この発明の自発光型表示素子の第5実施例として、図7
に示すEL表示素子を作製した。この第5実施例は、透
明電極3としてITOを、反射電極2としてAlを用
い、発光層4は発光有機材料Alq3と正孔輸送層α−
NPDを、正孔輸送層α−NPDとITOとが接する順
で積層したものである。まず、ガラス基板の一方の面
に、フォトリソグラフィー法とフッ酸を用いたエッチン
グにより、幅1μm、周期1μmの回折格子である回折
構造体12を形成し、次いで、ITOを蒸着により形成
して透明電極3とし、その上にα−NPDを厚み100
0Åだけ、更にAlq3を厚み300Åだけ蒸着形成し
た。その後、回折格子の繰り返し方向に対して垂直な方
向にAlq3をラビングし、再びAlq3をトータル膜
厚2000Åとなるように蒸着形成して発光層4とし
た。最後にAlを形成し、EL表示素子1を作製した。
に示すEL表示素子を作製した。この第5実施例は、透
明電極3としてITOを、反射電極2としてAlを用
い、発光層4は発光有機材料Alq3と正孔輸送層α−
NPDを、正孔輸送層α−NPDとITOとが接する順
で積層したものである。まず、ガラス基板の一方の面
に、フォトリソグラフィー法とフッ酸を用いたエッチン
グにより、幅1μm、周期1μmの回折格子である回折
構造体12を形成し、次いで、ITOを蒸着により形成
して透明電極3とし、その上にα−NPDを厚み100
0Åだけ、更にAlq3を厚み300Åだけ蒸着形成し
た。その後、回折格子の繰り返し方向に対して垂直な方
向にAlq3をラビングし、再びAlq3をトータル膜
厚2000Åとなるように蒸着形成して発光層4とし
た。最後にAlを形成し、EL表示素子1を作製した。
【0044】この発明に係る自発光型表示素子の第6実
施例として、図9に示すEL表示素子1を作製した。こ
の第6実施例は、透明電極3としてITOを、反射電極
2としてAlを用い、発光層4は発光有機材料Alq3
と正孔輸送層α−NPDを、正孔輸送層α−NPDとI
TOとが接する順で積層したものである。まず、ガラス
基板の一方の面に、フォトリソグラフィー法とフッ酸を
用いたエッチングにより、幅1μm、周期1μmの回折
格子である回折構造体12を形成し、次いで、ガラス基
板の回折格子が形成された面にAlを蒸着により形成し
て反射電極2とした。続いて、その上にAlq3を厚み
300Åだけ蒸着により形成し、回折格子の繰り返し方
向に対して垂直な方向にAlq3をラビングし、再びA
lq3をトータル膜厚2000Åとなるように蒸着によ
り形成し、最後にITOを形成してEL表示素子1を作
製した。
施例として、図9に示すEL表示素子1を作製した。こ
の第6実施例は、透明電極3としてITOを、反射電極
2としてAlを用い、発光層4は発光有機材料Alq3
と正孔輸送層α−NPDを、正孔輸送層α−NPDとI
TOとが接する順で積層したものである。まず、ガラス
基板の一方の面に、フォトリソグラフィー法とフッ酸を
用いたエッチングにより、幅1μm、周期1μmの回折
格子である回折構造体12を形成し、次いで、ガラス基
板の回折格子が形成された面にAlを蒸着により形成し
て反射電極2とした。続いて、その上にAlq3を厚み
300Åだけ蒸着により形成し、回折格子の繰り返し方
向に対して垂直な方向にAlq3をラビングし、再びA
lq3をトータル膜厚2000Åとなるように蒸着によ
り形成し、最後にITOを形成してEL表示素子1を作
製した。
【0045】Alを負極性、ITOを正極性として7V
の直流電界を発光層4に印加したところ、電流密度0.
2mA/mm2で輝度500cd/m2の発光を確認する
ことができた。偏光板を用いて光を観察したところ、ラ
ビングを施した方向に光が偏光していることが確認され
た。
の直流電界を発光層4に印加したところ、電流密度0.
2mA/mm2で輝度500cd/m2の発光を確認する
ことができた。偏光板を用いて光を観察したところ、ラ
ビングを施した方向に光が偏光していることが確認され
た。
【0046】比較例として、第5実施例及び第6実施例
においてラビング処理をしない発光層を備え且つ通常の
回折格子を有するEL表示素子を作製し、Alを負極
性、ITOを正極性として7Vの直流電界を発光層に印
加したところ、電流密度0.2mA/mm2で輝度は20
0cd/m2の発光しか確認することができなかった。
また、偏光板を用いて光を観察したところ、光は無偏光
であった。
においてラビング処理をしない発光層を備え且つ通常の
回折格子を有するEL表示素子を作製し、Alを負極
性、ITOを正極性として7Vの直流電界を発光層に印
加したところ、電流密度0.2mA/mm2で輝度は20
0cd/m2の発光しか確認することができなかった。
また、偏光板を用いて光を観察したところ、光は無偏光
であった。
【0047】これまで、この発明に係る自発光型表示素
子の第1〜第3の実施の形態とその実施例について説明
してきたが、実際に自発光表示装置を一般に考えれられ
る幅広い環境下で使用できるようにするためには、発光
効率の向上ばかりでなく、外光の反射を防止するという
大きな問題を解決しなければならない。
子の第1〜第3の実施の形態とその実施例について説明
してきたが、実際に自発光表示装置を一般に考えれられ
る幅広い環境下で使用できるようにするためには、発光
効率の向上ばかりでなく、外光の反射を防止するという
大きな問題を解決しなければならない。
【0048】反射型表示装置は、文字どうり、外光を反
射することによって輝度変化を制御するため、外光の強
い明るい場所では認識し易いが外光の弱い暗い場所では
認識しにくいという特性がある。反対に自発光表示装置
は、装置内部あるいは表面での外光反射が発光の相対コ
ントラストを下げるため、外光の弱い暗い場所では認識
し易いが外光の強い明るい場所では認識しにくいという
特性がある。発光型表示装置の、明るい場所では認識し
にくいという問題を解決するために、従来から円偏光板
を使う方法が提案されている。この円偏光板を使う方法
は、円偏光板を通過して装置内部或いは表面で反射して
逆方向になった円偏光は円偏光板を透過することができ
ないという特性を利用したものである。
射することによって輝度変化を制御するため、外光の強
い明るい場所では認識し易いが外光の弱い暗い場所では
認識しにくいという特性がある。反対に自発光表示装置
は、装置内部あるいは表面での外光反射が発光の相対コ
ントラストを下げるため、外光の弱い暗い場所では認識
し易いが外光の強い明るい場所では認識しにくいという
特性がある。発光型表示装置の、明るい場所では認識し
にくいという問題を解決するために、従来から円偏光板
を使う方法が提案されている。この円偏光板を使う方法
は、円偏光板を通過して装置内部或いは表面で反射して
逆方向になった円偏光は円偏光板を透過することができ
ないという特性を利用したものである。
【0049】上記の従来方法について図10により簡単
に説明する。自発光表示装置として例えばEL表示装置
を考える。金属等の反射性電極2とITO等の透明電極
3により発光層4を挟持し電界を印加することで発光1
3が発生する。外光14の反射を防いで実用的なコント
ラストを得るために、1/4波長位相差素子15と直線
偏光素子16を積層した円偏光素子17を透明電極3の
外側に設置する。1/4波長位相差素子15及び直線偏
光素子16は、それらの主軸が互いに45°の角度を成
すように配置される。直線偏光素子16及び1/4波長
位相差素子15の順に円偏光素子17を通過して円偏光
となった外光14は、EL表示装置内を通過した後、反
射電極2で反射されて逆方向の円偏光に変換され、再
度、EL表示装置内を通過する。この状態で1/4波長
位相差素子15を再度通過することにより、直線偏光素
子16の偏光軸に対して垂直な偏光面の直線偏光に変換
される。この状態では直線偏光素子16を通過すること
ができないため、観察者には外光反射が認識されない良
好な暗状態になり、実用的なコントラストを得ることが
できる。
に説明する。自発光表示装置として例えばEL表示装置
を考える。金属等の反射性電極2とITO等の透明電極
3により発光層4を挟持し電界を印加することで発光1
3が発生する。外光14の反射を防いで実用的なコント
ラストを得るために、1/4波長位相差素子15と直線
偏光素子16を積層した円偏光素子17を透明電極3の
外側に設置する。1/4波長位相差素子15及び直線偏
光素子16は、それらの主軸が互いに45°の角度を成
すように配置される。直線偏光素子16及び1/4波長
位相差素子15の順に円偏光素子17を通過して円偏光
となった外光14は、EL表示装置内を通過した後、反
射電極2で反射されて逆方向の円偏光に変換され、再
度、EL表示装置内を通過する。この状態で1/4波長
位相差素子15を再度通過することにより、直線偏光素
子16の偏光軸に対して垂直な偏光面の直線偏光に変換
される。この状態では直線偏光素子16を通過すること
ができないため、観察者には外光反射が認識されない良
好な暗状態になり、実用的なコントラストを得ることが
できる。
【0050】こうした円偏光素子による外光反射は、E
L表示装置において欠かすことの出来ない重要な技術で
あり、実用にあたっては、実験室レベルでEL素子の発
光効率を検討するだけでは不十分であり、常に光り取り
出し側に偏光素子を設置することを考慮する必要があ
る。
L表示装置において欠かすことの出来ない重要な技術で
あり、実用にあたっては、実験室レベルでEL素子の発
光効率を検討するだけでは不十分であり、常に光り取り
出し側に偏光素子を設置することを考慮する必要があ
る。
【0051】以下、図11の(a)及び(b)を用い
て、この発明に係る自発光型表示素子の第4の実施の形
態について説明をする。図5に示す自発光型表示素子と
同じく、第4の実施の形態の自発光型表示素子1も、反
射性の背面電極2、発光層4、透明電極3をこの順に積
層し、透明電極3の上に回折構造体12を設け、回折構
造体12の上を透明基板18で覆い、更に、透明基板1
8の上に円偏光素子17を設ける構造となっている。図
11の(b)に示すように、回折構造体12は直線状の
格子を平行に配列した回折格子を有しており、回折格子
の繰り返し方向と円偏光素子17の偏光方向19とが一
致する或いは略一致するよう円偏光素子17に対して配
置される。
て、この発明に係る自発光型表示素子の第4の実施の形
態について説明をする。図5に示す自発光型表示素子と
同じく、第4の実施の形態の自発光型表示素子1も、反
射性の背面電極2、発光層4、透明電極3をこの順に積
層し、透明電極3の上に回折構造体12を設け、回折構
造体12の上を透明基板18で覆い、更に、透明基板1
8の上に円偏光素子17を設ける構造となっている。図
11の(b)に示すように、回折構造体12は直線状の
格子を平行に配列した回折格子を有しており、回折格子
の繰り返し方向と円偏光素子17の偏光方向19とが一
致する或いは略一致するよう円偏光素子17に対して配
置される。
【0052】こうした構造を採用して円偏光素子17を
自発光型表示素子1の光り取り出し側に設置することに
より、外光の反射を防止することが可能になる。回折構
造体12によって全反射が回避され且つ取出し効率が改
良された結果、発光の分布は、図11の(b)に数字2
0で示すようになる。
自発光型表示素子1の光り取り出し側に設置することに
より、外光の反射を防止することが可能になる。回折構
造体12によって全反射が回避され且つ取出し効率が改
良された結果、発光の分布は、図11の(b)に数字2
0で示すようになる。
【0053】発光の分布が図11の(b)において数字
20で示すようになる理由は以下のとおりである。先
に、この発明に係る自発光型表示素子の第1〜第3の実
施の形態について説明した際、回折構造体10によって
発光効率が向上するのは、この回折構造体10の周期構
造に沿った発光のためであることを述べた。しかし、こ
の発明の第1〜第3の実施の形態における自発光型表示
素子1においては、回折構造体をなす微小構造物11や
回折格子12の影響を受けない発光の方が圧倒的に多
い。このため、円偏光素子17を設置しない状態では、
全体の発光効率は期待ほどには向上しない。
20で示すようになる理由は以下のとおりである。先
に、この発明に係る自発光型表示素子の第1〜第3の実
施の形態について説明した際、回折構造体10によって
発光効率が向上するのは、この回折構造体10の周期構
造に沿った発光のためであることを述べた。しかし、こ
の発明の第1〜第3の実施の形態における自発光型表示
素子1においては、回折構造体をなす微小構造物11や
回折格子12の影響を受けない発光の方が圧倒的に多
い。このため、円偏光素子17を設置しない状態では、
全体の発光効率は期待ほどには向上しない。
【0054】しかしながら、実用上不可欠な円偏光素子
17を考慮した場合、回折構造体12の周期構造の繰り
返し方向と円偏光素子17の偏光方向とを一致或いは略
一致させれば、回折構造体12によって取出し効率を向
上された分布の発光だけを円偏光素子17によって取出
すことができるので、実用上、発光効率を大幅に向上さ
せることができる。
17を考慮した場合、回折構造体12の周期構造の繰り
返し方向と円偏光素子17の偏光方向とを一致或いは略
一致させれば、回折構造体12によって取出し効率を向
上された分布の発光だけを円偏光素子17によって取出
すことができるので、実用上、発光効率を大幅に向上さ
せることができる。
【0055】図11では透明電極3を回折構造体12上
に直接形成するので、回折構造体12の形状が透明電極
3に反映されてしまい、場合によっては電界印加不良や
キャリア注入不良といった悪影響が出ることもある。こ
うした悪影響を回避するには、図12に示すように、透
明電極3の上に、樹脂製等の透明な平坦化層21を設置
し、平坦化層21に回折構造体12を設けるようにすれ
ばよい。
に直接形成するので、回折構造体12の形状が透明電極
3に反映されてしまい、場合によっては電界印加不良や
キャリア注入不良といった悪影響が出ることもある。こ
うした悪影響を回避するには、図12に示すように、透
明電極3の上に、樹脂製等の透明な平坦化層21を設置
し、平坦化層21に回折構造体12を設けるようにすれ
ばよい。
【0056】なお、この発明の第4の実施の形態におい
ては、回折構造体12を発光層4に関して、図11及び
図12のように透明電極3の側に設置しても、図13に
示すように反射電極2の側に形成しても良い。
ては、回折構造体12を発光層4に関して、図11及び
図12のように透明電極3の側に設置しても、図13に
示すように反射電極2の側に形成しても良い。
【0057】以上説明したように、この発明の第4の実
施の形態においては、回折構造体12の周期構造の繰り
返し方向と円偏光素子17の偏光軸とを一致或いは略一
致させたので、従来の装置に比較して、実用的に大幅に
発光効率を向上させることができる。回折構造体12の
構造的周期は、図14に示す従来の自発光型表示素子の
場合と同一でよいが、1μmから20μmであることが
望ましい。また、第4の実施の形態における自発光型表
示素子をカラー表示装置に適用する場合には、画素毎
に、色の波長に応じて回折構造体12の構造的周期を変
えることが望ましい。
施の形態においては、回折構造体12の周期構造の繰り
返し方向と円偏光素子17の偏光軸とを一致或いは略一
致させたので、従来の装置に比較して、実用的に大幅に
発光効率を向上させることができる。回折構造体12の
構造的周期は、図14に示す従来の自発光型表示素子の
場合と同一でよいが、1μmから20μmであることが
望ましい。また、第4の実施の形態における自発光型表
示素子をカラー表示装置に適用する場合には、画素毎
に、色の波長に応じて回折構造体12の構造的周期を変
えることが望ましい。
【0058】第4の実施の形態に関する3つの実施例 この発明に係る自発光型表示素子の第7実施例として、
図11に示すEL表示素子を作製した。このEL表示素
子において、発光層4は発光有機材料Alq3と正孔輸
送層α−NPDとを積層したものであり、透明電極3に
はITOを、反射電極2にはAlを用い、正孔輸送層α
−NPDとITOが接する順で積層した。まず、回折構
造体12として、ガラス基板にフォトリソグラフィー法
とフッ酸を用いたエッチングにより幅1μm、周期1μ
mの回折格子を形成し、続いて、このガラス基板にIT
Oを蒸着により形成し、α−NPDを1000Å、Al
q3を2000Å蒸着によって形成し、最後にAlを形
成してEL表示素子を作製した。次いで、1/4波長位
相差素子と偏光板とを各々の主軸が45°の角度になる
ように組み合わせた円偏光素子を、1/4波長位相差素
子がEL表示素子の光り取り出し側の面と接触するよ
う、且つ、円偏光素子の偏光方向が回折格子の周期構造
の繰り返し方向と一致するよう、位置を決めて配置し
た。
図11に示すEL表示素子を作製した。このEL表示素
子において、発光層4は発光有機材料Alq3と正孔輸
送層α−NPDとを積層したものであり、透明電極3に
はITOを、反射電極2にはAlを用い、正孔輸送層α
−NPDとITOが接する順で積層した。まず、回折構
造体12として、ガラス基板にフォトリソグラフィー法
とフッ酸を用いたエッチングにより幅1μm、周期1μ
mの回折格子を形成し、続いて、このガラス基板にIT
Oを蒸着により形成し、α−NPDを1000Å、Al
q3を2000Å蒸着によって形成し、最後にAlを形
成してEL表示素子を作製した。次いで、1/4波長位
相差素子と偏光板とを各々の主軸が45°の角度になる
ように組み合わせた円偏光素子を、1/4波長位相差素
子がEL表示素子の光り取り出し側の面と接触するよ
う、且つ、円偏光素子の偏光方向が回折格子の周期構造
の繰り返し方向と一致するよう、位置を決めて配置し
た。
【0059】こうして形成されたEL表示素子におい
て、Alを負極性、ITOを正極性として7Vの直流電
界を印加したところ、電流密度0.2A/mm2で輝度2
50cd/m2の発光を確認することができた。
て、Alを負極性、ITOを正極性として7Vの直流電
界を印加したところ、電流密度0.2A/mm2で輝度2
50cd/m2の発光を確認することができた。
【0060】この発明に係る自発光型表示素子の第8実
施例として、図12に示すEL表示素子を作製した。こ
のEL表示素子は、上記の第7実施例においてガラス基
板に形成した回折格子上に、平坦化層として、LCD用
カラー・フィルターで使われている樹脂オーバーコート
を形成したものである。そこで、Alを負極性、ITO
を正極性として7Vの直流電界を印加したところ、電流
密度0.3mA/mm2で輝度300cd/m2の発光を確
認することができた。
施例として、図12に示すEL表示素子を作製した。こ
のEL表示素子は、上記の第7実施例においてガラス基
板に形成した回折格子上に、平坦化層として、LCD用
カラー・フィルターで使われている樹脂オーバーコート
を形成したものである。そこで、Alを負極性、ITO
を正極性として7Vの直流電界を印加したところ、電流
密度0.3mA/mm2で輝度300cd/m2の発光を確
認することができた。
【0061】この発明に係る自発光型表示素子の第9実
施例として、図13に示すEL表示素子を作製した。こ
のEL表示素子は、透明電極と反射電極とを逆にし、発
光層の積層順も逆にした以外は第7実施例と同様の手順
で作製された。そこで、Alを負極性、ITOを正極性
として7Vの直流電界を印加したところ、電流密度0.
2mA/mm2で輝度250cd/m2と、第7実施例と同
様な発光を確認することができた。
施例として、図13に示すEL表示素子を作製した。こ
のEL表示素子は、透明電極と反射電極とを逆にし、発
光層の積層順も逆にした以外は第7実施例と同様の手順
で作製された。そこで、Alを負極性、ITOを正極性
として7Vの直流電界を印加したところ、電流密度0.
2mA/mm2で輝度250cd/m2と、第7実施例と同
様な発光を確認することができた。
【0062】比較例として、第7実施例から回折格子を
除去した構造の通常のEL表示素子を同様に作製した。
このEL表示素子においてAlを負極性、ITOを正極
性として7Vの直流電界を印加したところ、電流密度
0.2mA/mm2で輝度が80cd/m2の発光しか確認
することができなかった。
除去した構造の通常のEL表示素子を同様に作製した。
このEL表示素子においてAlを負極性、ITOを正極
性として7Vの直流電界を印加したところ、電流密度
0.2mA/mm2で輝度が80cd/m2の発光しか確認
することができなかった。
【0063】以上、この発明に係る自発光型表示素子の
若干の実施の形態及び実施例について説明してきたが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
若干の実施の形態及び実施例について説明してきたが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
【0064】
【発明の効果】以上、この発明の実施の形態及び実施例
を説明したところから理解されるとおり、この発明は、
発光材料に依存することなく自発光型表示素子の発光効
率を大幅に向上させることができ、しかも、表示素子の
寿命や信頼性等には一切影響を与えることがないという
格別の効果を奏する。
を説明したところから理解されるとおり、この発明は、
発光材料に依存することなく自発光型表示素子の発光効
率を大幅に向上させることができ、しかも、表示素子の
寿命や信頼性等には一切影響を与えることがないという
格別の効果を奏する。
【図1】(a)は、この発明に係る自発光型表示素子の
第1の実施の形態の断面図であり、(b)は、発光層か
らの光と微小構造物の配置との関係を示す図である。
第1の実施の形態の断面図であり、(b)は、発光層か
らの光と微小構造物の配置との関係を示す図である。
【図2】(a)は、この発明に係る自発光型表示素子の
第1の実施の形態の変形例の断面図であり、(b)は、
発光層からの光と微小構造物の配置との関係を示す図で
ある。
第1の実施の形態の変形例の断面図であり、(b)は、
発光層からの光と微小構造物の配置との関係を示す図で
ある。
【図3】微小構造物の配置を説明するための図である。
【図4】(a)及び(b)は、回折構造体における微小
構造物の配置の仕方を説明するための図である。
構造物の配置の仕方を説明するための図である。
【図5】(a)は、この発明に係る自発光型表示素子の
第2の実施の形態の断面図であり、(b)は、発光層か
らの光と回折構造体の配置との関係を示す図である。
第2の実施の形態の断面図であり、(b)は、発光層か
らの光と回折構造体の配置との関係を示す図である。
【図6】(a)は、この発明に係る自発光型表示素子の
第2の実施の形態の変形例の断面図であり、(b)は、
発光層からの光と回折構造体の配置との関係を示す図で
ある。
第2の実施の形態の変形例の断面図であり、(b)は、
発光層からの光と回折構造体の配置との関係を示す図で
ある。
【図7】(a)は、この発明に係る自発光型表示素子の
第3の実施の形態の断面図であり、(b)は、発光層か
らの光と回折構造体の配置との関係を示す図である。
第3の実施の形態の断面図であり、(b)は、発光層か
らの光と回折構造体の配置との関係を示す図である。
【図8】(a)及び(b)は、第3の実施の形態におけ
る光の偏光方向と放射進行方向との関係を説明するため
の図である。
る光の偏光方向と放射進行方向との関係を説明するため
の図である。
【図9】(a)は、この発明に係る自発光型表示素子の
第3の実施の形態の変形例の断面図であり、(b)は、
発光層からの光と微小構造物の配置との関係を示す図で
ある。
第3の実施の形態の変形例の断面図であり、(b)は、
発光層からの光と微小構造物の配置との関係を示す図で
ある。
【図10】円偏光板を用いた外光反射防止技術を説明す
るための図である。
るための図である。
【図11】(a)は、この発明に係る自発光型表示素子
の第4の実施の形態の断面図であり、(b)は発光層か
らの光と回折構造体との関係を示す図である。
の第4の実施の形態の断面図であり、(b)は発光層か
らの光と回折構造体との関係を示す図である。
【図12】図11に示す第4の実施の形態の変形例を示
す図である。
す図である。
【図13】図11に示す第4の実施の形態の他の変形例
を示す図である。
を示す図である。
【図14】(a)は、従来の自発光型表示素子の断面図
であり、(b)は、発光層からの光と回折格子との関係
を示す図である。
であり、(b)は、発光層からの光と回折格子との関係
を示す図である。
【図15】(a)は、従来の他の自発光型表示素子の断
面図であり、(b)は、発光層からの光と回折格子との
関係を示す図である。
面図であり、(b)は、発光層からの光と回折格子との
関係を示す図である。
【図16】(a)は、従来の別の自発光型表示素子の断
面図であり、(b)は、発光層からの光と回折格子との
関係を示す図である。
面図であり、(b)は、発光層からの光と回折格子との
関係を示す図である。
1:EL表示素子、 2:反射電極、 3:透明電極、
4:発光層、 6:光、 7:発光中心、 10:回
折構造体、 11:微小構造物、 12:回折構造体、
X、Y:偏光方向、 Z:放射進行方向、 13:発
光、 14:外光、 15:1/4波長位相差素子、
16:直線偏光素子、 17:円偏光素子、 18:透
明基板、 19:偏光方向、 20:発光分布、 2
1:平坦化層
4:発光層、 6:光、 7:発光中心、 10:回
折構造体、 11:微小構造物、 12:回折構造体、
X、Y:偏光方向、 Z:放射進行方向、 13:発
光、 14:外光、 15:1/4波長位相差素子、
16:直線偏光素子、 17:円偏光素子、 18:透
明基板、 19:偏光方向、 20:発光分布、 2
1:平坦化層
フロントページの続き (72)発明者 加邉 正章 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャ ープ株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB03 BB06 CB01 CC01 DA01 DB03 EB00 5C094 AA10 BA29 CA19 CA24 DA13 EA04 EA05 EA06 EA07 EB02 ED14 ED20 5G435 AA03 BB05 EE33 FF03 FF05
Claims (6)
- 【請求項1】 発光層と、該発光層を挟むよう設けられ
て該発光層に電界を印加するための一対の電極とを備え
た自発光型表示素子であって、 前記電極の少なくとも一方に、周期構造を有する回折構
造体が設けられ、任意の場所での前記周期構造の形状
が、前記発光層から発せられるほぼ全ての方向の光線に
対して略同一の周期を有することを特徴とする自発光型
表示素子。 - 【請求項2】 前記回折構造体が、最密充填配置から再
配置された微小構造物を備えることを特徴とする請求項
1記載の自発光型表示素子。 - 【請求項3】 発光層と、該発光層を挟むよう設けられ
て該発光層に電界を印加するための一対の電極と、該電
極の少なくとも一方に設けられ且つ周期構造を有するた
回折構造体とを備えた自発光型表示素子であって、 前記発光層から発せられる光が直線偏光或いは略直線偏
光であり、 前記回折構造体における前記周期構造の繰り返し方向と
前記光の偏光方向とが一致或いは略一致することを特徴
とする自発光型表示素子。 - 【請求項4】 発光層と、該発光層を挟むよう設けられ
て該発光層に電界を印加するための一対の電極と、該電
極の少なくとも一方に設けられ且つ周期構造を有するた
回折構造体とを備えた自発光型表示素子であって、 前記発光層から発せられる光が直線偏光或いは略直線偏
光であり、 前記回折構造体における前記周期構造の繰り返し方向と
前記光の偏光方向とが直交或いは略直交することを特徴
とする自発光型表示素子。 - 【請求項5】 前記回折構造体が直線状の格子を有する
回折格子であることを特徴とする請求項3又は4記載の
自発光型表示素子。 - 【請求項6】 少なくとも基板と発光部を備えてなる表
示素子であって、 前記基板に周期構造が設けられ、該基板の光り取出し面
側に偏光層を、その偏光方向と前記周期構造の繰り返し
方向とが一致或いは略一致する様に設置したことを特徴
とする自発光型表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000391382A JP2002158095A (ja) | 2000-09-06 | 2000-12-22 | 回折構造体を備えた自発光型表示素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-269923 | 2000-09-06 | ||
JP2000269923 | 2000-09-06 | ||
JP2000391382A JP2002158095A (ja) | 2000-09-06 | 2000-12-22 | 回折構造体を備えた自発光型表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002158095A true JP2002158095A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=26599336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000391382A Pending JP2002158095A (ja) | 2000-09-06 | 2000-12-22 | 回折構造体を備えた自発光型表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002158095A (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004008736A1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus and image reading/displaying system incorporating the same |
JP2004273122A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-30 | Abel Systems Inc | 面発光装置 |
WO2005017861A1 (ja) * | 2003-08-13 | 2005-02-24 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 光学デバイス及び有機elディスプレイ |
JP2005063838A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 光学デバイス及び有機el表示装置 |
JP2005268046A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Nec Corp | 有機el素子及び有機el表示装置 |
JP2006294617A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd | 指向性の有機発光ダイオードのための方法および装置 |
KR100852110B1 (ko) * | 2004-06-26 | 2008-08-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR100865622B1 (ko) * | 2002-08-26 | 2008-10-27 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이의 휘도 향상을 위한 광자결정 구조의 형성방법 |
JP2009140894A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-25 | Canon Inc | 発光素子 |
US7589461B2 (en) | 2003-11-28 | 2009-09-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device having a photonic crystal layer provided over electroluminescent stack |
JP2010510637A (ja) * | 2006-11-24 | 2010-04-02 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | Oled型の発光デバイスの電極 |
US7699482B2 (en) | 2002-09-25 | 2010-04-20 | Fujifilm Corporation | Light-emitting element |
JP2011044378A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Fujifilm Corp | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法 |
WO2014118936A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-07 | パイオニア株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
JPWO2013035299A1 (ja) * | 2011-09-07 | 2015-03-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置および光シート |
KR20170100404A (ko) | 2016-02-25 | 2017-09-04 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 표시 장치 |
CN109448568A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-08 | 深圳市时代华影科技股份有限公司 | 偏光led芯片、封装体、模组及显示屏、3d显示装置及方法 |
-
2000
- 2000-12-22 JP JP2000391382A patent/JP2002158095A/ja active Pending
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004008736A1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus and image reading/displaying system incorporating the same |
KR100865622B1 (ko) * | 2002-08-26 | 2008-10-27 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이의 휘도 향상을 위한 광자결정 구조의 형성방법 |
US7699482B2 (en) | 2002-09-25 | 2010-04-20 | Fujifilm Corporation | Light-emitting element |
JP2004273122A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-30 | Abel Systems Inc | 面発光装置 |
WO2005017861A1 (ja) * | 2003-08-13 | 2005-02-24 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 光学デバイス及び有機elディスプレイ |
JP2005063838A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 光学デバイス及び有機el表示装置 |
US7375463B2 (en) | 2003-08-13 | 2008-05-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical device and organic EL display |
US8013514B2 (en) | 2003-11-28 | 2011-09-06 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device provided with a photonic crystal layer incorporating voids in a vacuum state |
US7589461B2 (en) | 2003-11-28 | 2009-09-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device having a photonic crystal layer provided over electroluminescent stack |
JP2005268046A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Nec Corp | 有機el素子及び有機el表示装置 |
US7696687B2 (en) | 2004-06-26 | 2010-04-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device with nano-porous layer |
KR100852110B1 (ko) * | 2004-06-26 | 2008-08-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP2006294617A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd | 指向性の有機発光ダイオードのための方法および装置 |
JP2010510637A (ja) * | 2006-11-24 | 2010-04-02 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | Oled型の発光デバイスの電極 |
JP2009140894A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-25 | Canon Inc | 発光素子 |
JP2011044378A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Fujifilm Corp | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法 |
JPWO2013035299A1 (ja) * | 2011-09-07 | 2015-03-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置および光シート |
WO2014118936A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-07 | パイオニア株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
CN104969375A (zh) * | 2013-01-31 | 2015-10-07 | 日本先锋公司 | 发光元件及发光元件的制造方法 |
KR20170100404A (ko) | 2016-02-25 | 2017-09-04 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 표시 장치 |
US10062870B2 (en) | 2016-02-25 | 2018-08-28 | Japan Display Inc. | Display device including a diffraction grating |
CN109448568A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-08 | 深圳市时代华影科技股份有限公司 | 偏光led芯片、封装体、模组及显示屏、3d显示装置及方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002158095A (ja) | 回折構造体を備えた自発光型表示素子 | |
JP4350996B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置 | |
US6900458B2 (en) | Transflective display having an OLED backlight | |
US7012365B2 (en) | Light-emitting device and light-emitting display with a polarization separator between an emissive layer and a phase plate | |
WO2018006868A1 (zh) | 偏振光学组件、oled器件及制备方法、显示装置 | |
JP2003332068A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4403596B2 (ja) | 光学的素子及び光学的素子用の基体 | |
US7135712B2 (en) | Electroluminescent device | |
WO2003017239A1 (fr) | Ecran de visualisation d'images a luminescence autonome | |
US20110073876A1 (en) | Light-emitting device and display | |
JP2001357979A (ja) | El素子 | |
JP2007041536A (ja) | 表示装置及び液晶表示装置 | |
JPH1078582A (ja) | 表示装置及びその駆動方法 | |
US20020000772A1 (en) | Image display apparatus | |
JP2010243769A (ja) | 円偏光板及び有機el表示装置 | |
JP2002043054A (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
US20070247566A1 (en) | Liquid crystal display module | |
JP2002151274A (ja) | 発光装置 | |
JP3672060B2 (ja) | 反射型液晶装置 | |
CN216622753U (zh) | 一种用于oled显示器的圆偏光片及oled显示器 | |
KR100813828B1 (ko) | 액정표시장치 | |
CN116096137A (zh) | 一种封装层结构及oled显示器 | |
KR100700722B1 (ko) | 다층막 구성을 갖는 유기 전계 다중면 발광장치 | |
JP2004342522A (ja) | 自発光デバイス | |
JP2004342521A (ja) | 自発光デバイス |