JP2000277260A - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
- Publication number
- JP2000277260A JP2000277260A JP11077869A JP7786999A JP2000277260A JP 2000277260 A JP2000277260 A JP 2000277260A JP 11077869 A JP11077869 A JP 11077869A JP 7786999 A JP7786999 A JP 7786999A JP 2000277260 A JP2000277260 A JP 2000277260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- optical member
- emitting device
- organic light
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 164
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 104
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 22
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 265
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC(=O)C=C KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2OC=NC2=C1 RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CCOCCOCCOC(=O)C=C FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C(C)=C WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAPGBCWOQLHKKZ-UHFFFAOYSA-N 6-(2-methylprop-2-enoyloxy)hexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCOC(=O)C(C)=C SAPGBCWOQLHKKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQHKDHVZYZUZMJ-UHFFFAOYSA-N [2,2-bis(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxypropyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(CO)COC(=O)C=C CQHKDHVZYZUZMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULQMPOIOSDXIGC-UHFFFAOYSA-N [2,2-dimethyl-3-(2-methylprop-2-enoyloxy)propyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(C)(C)COC(=O)C(C)=C ULQMPOIOSDXIGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- OUWGYAHTVDEVRZ-UHFFFAOYSA-N butane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CC(O)CCO OUWGYAHTVDEVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- MHCLJIVVJQQNKQ-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;2-methylprop-2-enoic acid Chemical class CCOC(N)=O.CC(=C)C(O)=O MHCLJIVVJQQNKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N methyl 1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)OC)=NC2=C1 YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(2-methylphenoxy)-3-phenylpropyl]azanium;chloride Chemical compound Cl.C=1C=CC=CC=1C(CCNC)OC1=CC=CC=C1C LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N tamibarotene Chemical compound C=1C=C2C(C)(C)CCC(C)(C)C2=CC=1NC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/11—Comprising a photonic bandgap structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/36—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising organic materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
し、きわめて高い効率でスペクトル幅が狭い光が得ら
れ、かつ有機発光材料を用いて製造できる発光装置を提
供する。 【解決手段】 発光装置1000は、基板10、陽極2
0、有機発光層40、陰極30、第1および第2の回折
格子(光学部材)100,200を有する。第1の回折
格子100は、X方向の一次元の周期的な屈折率分布を
有し、フォトニックバンドギャップを構成しうる。第2
の回折格子200は、Y方向の一次元の周期的な屈折率
分布を有し、フォトニックバンドギャップを構成しう
る。第1および第2の回折格子100,200のいずれ
か一方に、欠陥部300を有する。欠陥部300は、欠
陥に起因するエネルギー準位が所定の発光スペクトル内
に存在するように設定されている。有機発光層40は、
電流励起によって発光可能であり、陽極20と陰極30
とにより電界が印加される。有機発光層40は、欠陥部
300としても機能する。
Description
って発光可能な有機発光層を用い、2次元のフォトニッ
クバンドギャップ構造を有する発光装置に関する。
フォトニクス結晶を利用した半導体発光素子が検討され
ている(例えば、特開平9−232669号公報参
照)。この種の半導体発光素子では、結晶内部に光を強
く閉じ込める共振器を作成でき、きわめて高い効率でコ
ヒーレント光が得られることが期待されている。
(周期構造の一単位)が結晶であるため、単位媒質層の
界面が不規則な状態になったり、あるいは、不純物の影
響を受けるために、均一な周期構造を得にくく、そのた
め、優れたフォトニクス結晶としての特性を持った良好
な性能の発光素子が得られにくい。また、半導体を用い
た場合、屈折率の異なる組合せの材料の選択に限界があ
る。
ンドギャップを利用し、きわめて高い効率でスペクトル
幅が狭い光が得られ、かつ有機発光材料を用いて製造で
きる発光装置を提供することにある。
は、2次元の周期的な屈折率分布を有し、フォトニック
バンドギャップを構成しうる光学部材と、前記光学部材
の一部に形成され、欠陥に起因するエネルギー準位が所
定の発光スペクトル内に存在するように設定された欠陥
部と、有機発光層と、を含む。
によって発光可能な有機発光層を有する。たとえば、電
流励起を利用する場合には、一対の電極層、すなわち陰
極と陽極とからそれぞれ電子とホールとが有機発光層内
に注入され、この電子とホールとを有機発光層で再結合
させて、分子が励起状態から基底状態に戻るときに光が
発生する。このとき、前記光学部材のフォトニックバン
ドギャップに相当する波長帯域の光は、光学部材内を伝
搬できず、前記欠陥に起因するエネルギー準位に相当す
る波長帯域の光のみが光学部材内を伝搬できる。したが
って、前記欠陥に起因するエネルギー準位の幅を規定す
ることにより、2次元で自然放出が制約された発光スペ
クトル幅の非常に狭い光を高効率で得ることができる。
期的な屈折率分布を有し、フォトニックバンドギャップ
を構成しうるものであればよく、たとえば回折格子状の
構造、多層膜構造、円柱またはその他の柱状構造、ある
いはこれらの構造の組合せから構成することができる。
部とは、以下の態様をとりうる。 (1)前記有機発光層は、前記欠陥部に形成され、欠陥
部としても機能する。 (2)前記有機発光層は、前記欠陥部の一部および前記
光学部材の1種の媒質層としても機能する。
とりうる。
屈折率分布を有し、フォトニックバンドギャップを構成
しうる第1の光学部材と、第1の方向と直交する第2の
方向に周期的な屈折率分布を有し、フォトニックバンド
ギャップを構成しうる第2の光学部材と、前記第1およ
び第2の光学部材の少なくとも一方に形成され、欠陥に
起因するエネルギー準位が所定の発光スペクトル内に存
在するように設定された欠陥部と、有機発光層と、を含
む。
の光の伝搬を規制する第1の光学部材と、第2の方向
(Y方向)での光の伝搬を規制する第2の光学部材との
組合せによって、2次元で2方向の自然放出が制約され
た発光スペクトル幅の非常に狭い光を高効率で得ること
ができる。
に周期的な屈折率分布を有し、2次元のフォトニックバ
ンドギャップを構成しうる光学部材と、前記光学部材に
形成され、欠陥に起因するエネルギー準位が所定の発光
スペクトル内に存在するように設定された欠陥部と、有
機発光層と、を含み、前記光学部材は、正方格子状に配
列された柱状の第1の媒質層と、該第1の媒質層の間に
形成される第2の媒質層とを有する。
柱状の第1の媒質層と、該第1の媒質層の間に形成され
る第2の媒質層とを有する光学部材によって、2次元で
2方向の自然放出が制約された発光スペクトル幅の非常
に狭い光を高効率で得ることができる。
の方向に周期的な屈折率分布を有し、2次元のフォトニ
ックバンドギャップを構成しうる光学部材と、前記光学
部材に形成され、欠陥に起因するエネルギー準位が所定
の発光スペクトル内に存在するように設定された欠陥部
と、有機発光層と、を含む。
方向に周期的な屈折率分布を有し、2次元のフォトニッ
クバンドギャップを構成しうる光学部材、例えば三角格
子状、あるいは蜂の巣状に配列された柱状の第1の媒質
層と、該第1の媒質層の間に形成される第2の媒質層と
を有する光学部材によって、2次元で3方向の自然放出
が制約された発光スペクトル幅の非常に狭い光を高効率
で得ることができる。
折率分布を有し、2次元のフォトニックバンドギャップ
を構成しうる光学部材と、前記光学部材に形成され、欠
陥に起因するエネルギー順位が所定の発光スペクトル内
に存在するように設定された欠陥部と、有機発光層と、
を含み、前記光学部材は、所定のパターンで配置された
柱状の第1の媒質層と、該第1の媒質層の間に形成され
る第2の媒質層とを有する。
てにおいて光の伝搬が規制され、さらに光の閉じ込めが
強い。
流励起によって発光可能な材料からなり、該有機発光層
に電界を印加するための一対の電極層を含むことができ
る。
ル輸送層および電子輸送層の少なくとも一方を有するこ
とが望ましい。
により、半導体によってフォトニックバンドギャップを
構成する場合より以下の点で有利である。つまり、該有
機発光層を含む発光装置では、半導体を用いた場合のよ
うに発光層の界面の不規則な状態や不純物の影響を受け
やすい難点を有さず、優れたフォトニックバンドギャッ
プによる特性が得られる。さらに、有機層により媒質層
を形成する場合には、製造が容易であり、しかも良好な
屈折率の周期構造を得やすく、より優れたフォトニック
バンドギャップによる特性が得られる。
いることができる材料の一部を例示する。これらの材料
は、公知の材料の一部を示したにすぎず、例示したもの
以外の材料を選択できることはもちろんである。
の波長の光を得るために公知の化合物から選択される。
特開平10−153967号公報に開示された、アロマ
ティックジアミン誘導体(TPD)、オキシジアゾール
誘導体(PBD)、オキシジアゾールダイマー(OXD
−8)、ジスチルアリーレン誘導体(DSA)、ベリリ
ウム−ベンゾキノリノール錯体(Bebq)、トリフェ
ニルアミン誘導体(MTDATA)、ルブレン、キナク
リドン、トリアゾール誘導体、ポリフェニレン、ポリア
ルキルフルオレン、ポリアルキルチオフェン、アゾメチ
ン亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ベンゾオキサゾー
ル亜鉛錯体、フェナントロリンユウロピウム錯体などが
使用できる。
は、特開昭63−70257号公報、同63−1758
60号公報、特開平2−135361号公報、同2−1
35359号公報、同3−152184号公報、さら
に、同8−248276号公報および同10−1539
67号公報に記載されているものなど、公知のものが使
用できる。これらの化合物は単独で用いてもよく、2種
類以上を混合して用いてもよい。
公知の無機材料および有機材料を用いることができる。
5−273427号公報に開示されているような、Ti
O2、TiO2−SiO2混合物、ZnO、Nb2O5、S
i3N 4、Ta2O5、HfO2またはZrO2などを例示す
ることができる。
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、および光硬化性樹脂な
ど、公知の樹脂を用いることができる。これらの樹脂
は、層の形成方法などを考慮して適宜選択される。例え
ば、熱および光の少なくとも一方のエネルギーによって
硬化することができる樹脂を用いることで、汎用の露光
装置やベイク炉、ホットプレートなどが利用できる。
願人による特願平10−279439号に開示された紫
外線硬化型樹脂がある。紫外線硬化型樹脂としては、ア
クリル系樹脂が好適である。様々な市販の樹脂や感光剤
を利用することで、透明性に優れ、また、短期間の処理
で硬化可能な紫外線硬化型のアクリル系樹脂を得ること
ができる。
の具体例としては、プレポリマー、オリゴマー、または
モノマーがあげられる。
例えば、エポキシアクリレート類、ウレタンアクリレー
ト類、ポリエステルアクリレート類、ポリエーテルアク
リレート類、スピロアセタール系アクリレート類等のア
クリレート類、エポキシメタクリレート類、ウレタンメ
タクリレート類、ポリエステルメタクリレート類、ポリ
エーテルメタクリレート類等のメタクリレート類等が利
用できる。
キシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキ
シエチルメタクリレート、N−ビニル−2−ピロリド
ン、カルビトールアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロ
ペンテニルアクリレート、1,3−ブタンジオールアク
リレート等の単官能性モノマー、1,6−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタ
クリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、
ネオペンチルグリコールジメタクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジア
クリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート等の
二官能性モノマー、トリメチロールプロバントリアクリ
レート、トリメチロールプロバントリメタクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレート等の多官能性モノマーが
利用できる。
あるいは有機材料を例示したが、媒質層としては、有機
発光層が媒質層として機能する場合には、この層を構成
する材料も採用し得る。
ホール輸送層の材料としては、公知の光伝導材料のホー
ル注入材料として用いられているもの、あるいは有機発
光装置のホール注入層に使用されている公知のものの中
から選択して用いることができる。ホール輸送層の材料
は、ホールの注入あるいは電子の障壁性のいずれかの機
能を有するものであり、有機物あるいは無機物のいずれ
でもよい。その具体例としては、例えば、特開平8−2
48276号公報に開示されているものを例示すること
ができる。
子輸送層の材料としては、陰極より注入された電子を有
機発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料
は公知の物質から選択することができる。その具体例と
しては、例えば、特開平8−248276号公報に開示
されたものを例示することができる。
は、仕事関数の小さい(例えば4eV以下)電子注入性
金属、合金電気伝導性化合物およびこれらの混合物を用
いることができる。このような電極物質としては、例え
ば特開平8−248276号公報に開示されたものを用
いることができる。
数の大きい(例えば4eV以上)金属、合金、電気伝導
性化合物またはこれらの混合物を用いることができる。
陽極として光学的に透明な材料を用いる場合には、Cu
I,ITO,SnO2,ZnOなどの導電性透明材料を
用いることができ、透明性を必要としない場合には金な
どの金属を用いることができる。
バンドギャップを構成するように、媒質層の材料(その
屈折率など)、媒質層の形状、格子や柱状部分のピッ
チ、格子や柱状部分の数、格子や柱状部分のアスペクト
比などが調整される。
に限定されるものではなく、公知の方法を用いることが
できる。その代表例を以下に例示する。
び現像して、レジスト層をパターニングするこにより、
光学部材を作成する。ポリメチルメタクリレートあるい
はノボラック系樹脂などのレジストを用いたパターニン
グの技術としては、例えば特開平6−224115号公
報、同7−20637号公報などがある。
によりパターニングする技術としては、例えば特開平7
−181689号公報および同1−221741号公報
などがある。さらに、レーザアブレーションを利用し
て、ガラス基板上にポリメチルメタクリレートあるいは
酸化チタンの光学部材を形成する技術として、例えば特
開平10−59743号公報がある。
法 光導波路の光導波部に屈折率変化を生じさせる波長の光
を照射して、光導波部に屈折率の異なる部分を周期的に
形成することにより光学部材を形成する。このような方
法としては、特に、ポリマーあるいはポリマー前駆体の
層を形成し、光照射などにより部分的に重合を行い、屈
折率の異なる領域を周期的に形成させて光学部材とする
ことが好ましい。この種の技術として、例えば、特開平
9−311238号公報、同9−178901号公報、
同8−15506号公報、同5−297202号公報、
同5−32523号公報、同5−39480号公報、同
9−211728号公報、同10−26702号公報、
同10−8300号公報、および同2−51101号公
報などがある。
201907号公報)、紫外線硬化型樹脂を用いたスタ
ンピング(特願平10−279439号)、電子線硬化
型樹脂を用いたスタンピング(特開平7−235075
号公報)などのスタンピングによって光学部材を形成す
る。
選択的に除去してパターニングし、光学部材を形成す
る。
が、要するに、光学部材は互いに異なる屈折率を有する
少なくとも2領域の周期構造を有すればよく、例えば、
屈折率の異なる2種の材料により2領域を形成する方
法、一種の材料を部分的に変性させるなどして、屈折率
の異なる2領域を形成する方法、などにより形成するこ
とができる。
成することができる。たとえば、有機発光層は、その材
質によって好適な成膜方法が選択され、具体的には、蒸
着法、スピンコート法、LB法、インクジェット法など
を例示できる。
ち、第1〜第4の実施の形態は、直交する2つの回折格
子を含む光学部材を有する例である。第5および第6の
実施の形態は、格子点を構成する柱状部を含む光学部材
を有する例である。
態に係る発光装置1000を模式的に示す、断面を有す
る斜視図である。発光装置1000は、基板10、陽極
20、有機発光層40、陰極30、第1の光学部材(回
折格子)100および第2の光学部材(回折格子)20
0を有する。
法)や媒質の組合せに基づいて、第1の方向(X方向)
に周期的な屈折率分布を有し、所定の波長帯域に対して
フォトニックバンドギャップを構成する。第2の回折格
子200は、その形状(寸法)や媒質の組合せに基づい
て、X方向と直交するY方向に周期的な屈折率分布を有
し、所定の波長帯域に対してフォトニックバンドギャッ
プを構成する。そして、第1の回折格子100は、第2
の回折格子200の周期方向(異なる媒質層が周期的に
繰り返される方向)の中間に形成され、第1の回折格子
100の上側および下側にそれぞれ第2の回折格子が連
続する状態で形成されている。
第1の媒質層110と第2の媒質層120とが、交互に
配列されている。第2の回折格子200は、屈折率の異
なる第1の媒質層210と第2の媒質層220とが交互
に配列されている。
0、および第1の媒質層210と第2の媒質層220と
は、それぞれ周期的な分布によってフォトニックバンド
ギャップを形成しうる物質であればよく、その材質は特
に限定されない。たとえば、第1の回折格子100にお
いては、一方の媒質層として空気などの気体であっても
よい。このように、気体の層でいわゆるエアギャップ構
造の回折格子を形成する場合には、発光装置に用いる一
般的な材料の選択範囲で、回折格子を構成する2媒質層
の屈折率差を大きくすることができる。
が形成され、第1の回折格子100の上面には陰極30
が形成されている。これらの陽極20および陰極30
は、出射光に対して光学的に透明である。陰極20と陰
極30の位置は逆でもよい。このことは、他の実施の形
態でも同様である。
有し、この欠陥部300は有機発光層40によって構成
されている。つまり、本実施の形態では、第1の回折格
子100の欠陥部300は、発光層40としても機能し
ている。欠陥部300は、その欠陥に起因するエネルギ
ー準位が、有機発光層40の電流励起による発光スペク
トル内に存在するように形成される。これに対し、第2
の回折格子200のフォトニックバンドギャップは、少
なくとも有機発光層40の電流励起による発光スペクト
ルの波長帯域を含み、有機発光層40で発生した光が第
2の回折格子200を伝搬しないように設定される。つ
まり、第1の回折格子100、陽極20および陰極30
から構成される積層部400は、第2の回折格子200
の欠陥部として機能しないように、第2の回折格子20
0の少なくとも1ペアの格子を構成する。
を構成する、欠陥部300より一方の側の回折格子10
0aと他方の側の回折格子100bとの光の閉じ込め状
態に差を設けることにより、出射光の方向を規定でき
る。たとえば、図1に示すように、X方向において、欠
陥部300の左側より光を出射させたい場合には、一方
の回折格子100aの光の閉じ込め状態を他方の回折格
子100bの光の閉じ込め状態より弱くすればよい。回
折格子の光の閉じ込めの強弱は、回折格子のペア数、光
学部材を構成する媒質層の屈折率差などを考慮すること
によって、好ましくは回折格子のペア数によってコント
ロールできる。また、両者の回折格子100aおよび1
00bの光の閉じ込めを同程度にすれば、第1の回折格
子100の両サイドから同じ程度の強弱で光を出射させ
ることもできる。Y方向においては、第2の回折格子2
00を構成する、積層部400の上下の回折格子200
aおよび200bによって光の閉じ込めがなされる。
向のフォトニックバンドギャップを有する第1の回折格
子100およびY方向のフォトニックバンドギャップを
有する第2の回折格子200によって、光を閉じ込める
ので、X方向およびY方向の2次元での光伝搬が制御さ
れる。そして、その他の方向には漏れモードの光の伝搬
が許容される。これらの漏れモードの光の伝搬を抑制す
るために、必要に応じて、光の閉じ込めを目的として、
図示しないクラッド層や誘電体多層ミラーを設けること
もできる。このことは、他の実施の形態でも同様であ
る。
作用について説明する。
されることにより、陰極30から電子が、陽極20から
ホールが、それぞれ有機発光層40内に注入される。有
機発光層40内では、この電子とホールとが再結合され
ることにより励起子が生成される。そして、X方向の第
1の回折格子100では、欠陥部300(有機発光層4
0)の欠陥に起因するエネルギー準位の光が伝搬し、Y
方向の第2の回折格子200では光の伝搬がない。すな
わち、第1の回折格子100のフォトニックバンドギャ
ップに相当する波長帯域の光は、第1の回折格子100
内を伝搬できないが、有機発光層40で発生した励起子
は、欠陥に起因するエネルギー準位で基底状態に戻り、
このエネルギー準位に相当する波長帯域の光のみが発生
する。したがって、前記欠陥に起因するエネルギー準位
によって規定された波長の光は、X方向で光の閉じ込め
の弱い方向に優先的に出射される。この光は、発光スペ
クトル幅が非常に狭く高い効率を有する。
40が欠陥となるように形成することで、Y方向での光
の出射を行うこともできる。
しており、この発光装置1000は、半導体を用いた場
合のように、発光層の界面が不規則な状態になったり、
あるいは、不純物の影響を受けやすい難点を有さないた
め、優れたフォトニックバンドギャップによる特性が得
られる。このことは、以下に述べる他の実施の形態でも
同様である。
0の製造方法および各層を構成する材料などについて
は、前述した方法あるいは材料などを適宜用いることが
できる。また、ホール輸送層および電子輸送層を必要に
応じて、有機発光層と電極との間に設けることができ
る。これらの製造方法、材料および構成については、以
下に述べる他の実施の形態でも同様である。
態に係る発光装置2000を模式的に示す断面図であ
る。発光装置2000は、第1の実施の形態に係る発光
装置1000と、基本的構造は似ているが、第1の回折
格子100の構成および出射光の方向において発光装置
1000と異なる。発光装置2000は、基板10、陽
極20、有機発光層40、陰極30、第1の回折格子1
00および第2の回折格子200を有する。
方向)に周期的な屈折率分布を有し、所定の波長帯域に
対してフォトニックバンドギャップを構成する。第2の
回折格子200は、X方向と直交するY方向に周期的な
屈折率分布を有し、所定の波長帯域に対してフォトニッ
クバンドギャップを構成する。そして、第1の回折格子
100は、第2の回折格子200の周期方向の中間に形
成され、第1の回折格子100の上側および下側にそれ
ぞれ第2の回折格子が連続する状態で形成されている。
第1の媒質層110と第2の媒質層120とが、交互に
配列されている。そして、第2の媒質層120は、有機
発光層40によって形成されている。第2の回折格子2
00は、屈折率の異なる第1の媒質層210と第2の媒
質層220とが交互に配列されている。
0、および第1の媒質層210と第2の媒質層220と
は、それぞれ周期的な分布によってフォトニックバンド
ギャップを形成しうる物質であればよく、その材質は特
に限定されない。たとえば、第1の回折格子100にお
いては、第1の媒質層110は空気などの気体であって
もよい。このように、気体の層でいわゆるエアギャップ
構造の回折格子を形成する場合には、発光装置に用いる
一般的な材料の選択範囲で、回折格子を構成する2媒質
層の屈折率差を大きくすることができる。
が形成され、第1の回折格子100の上面には陰極30
が形成されている。これらの陽極20および陰極30
は、出射光に対して光学的に透明である。
極30から構成される積層部400は、第2の回折格子
200の欠陥部として機能している。そして、第1の回
折格子100は、有機発光層40(第2の媒質層12
0)を有し、発光層としても機能している。欠陥部(積
層部400)は、その欠陥に起因するエネルギー準位
が、有機発光層40の電流励起による発光スペクトル内
に存在するように形成される。これに対し、第1の回折
格子100のフォトニックバンドギャップは、有機発光
層40の電流励起による発光スペクトル内に欠陥が存在
しないように設定される。
を構成する、欠陥部(積層部400)より一方の側の回
折格子200aと他方の側の回折格子200bとの光の
閉じ込め状態に差を設けることにより、出射光の方向を
規定できる。たとえば、図2に示すように、欠陥部40
0の下側より光を出射させたい場合には、一方の回折格
子200aの光の閉じ込め状態を他方の回折格子200
bの光の閉じ込め状態より弱くすればよい。回折格子の
光の閉じ込めの強弱は、回折格子のペア数、光学部材を
構成する媒質層の屈折率差などを考慮することによって
コントロールできる。また、両者の回折格子200aお
よび200bの光の閉じ込めを同程度にすれば、第2の
回折格子200の両サイドから同様の強度で光を出射さ
せることもできる。
の実施の形態と同様に、X方向のフォトニックバンドギ
ャップを有する第1の回折格子100およびY方向のフ
ォトニックバンドギャップを有する第2の回折格子20
0によって、光を閉じ込めるので、X方向およびY方向
の2次元での光伝搬が制御される。そして、その他の方
向には漏れモードの光の伝搬が許容される。
作用について説明する。
されることにより、陰極30から電子が、陽極20から
ホールが、それぞれ有機発光層40内に注入される。有
機発光層40内では、この電子とホールとが再結合され
ることにより励起子が生成される。そして、Y方向の第
2の回折格子200では、欠陥部(積層部400)の欠
陥に起因するエネルギー準位の光が伝搬し、X方向の第
1の回折格子100では光の伝搬がない。すなわち、第
2の回折格子200のフォトニックバンドギャップに相
当する波長帯域の光は、第2の回折格子200内を伝搬
できないが、欠陥部(積層部400)の有機発光層40
で発生した励起子は、欠陥に起因するエネルギー準位で
基底状態に戻り、このエネルギー準位に相当する波長帯
域の光のみが発生する。したがって、前記欠陥に起因す
るエネルギー準位によって規定された波長の光は、Y方
向で光の閉じ込めの弱い方向に優先的に出射される。こ
の光は、発光スペクトル幅が非常に狭く高い効率を有す
る。
態に係る発光装置3000を模式的に示す断面図であ
る。発光装置3000は、基板10、陽極20、有機発
光層40、陰極30、第1の光学部材(回折格子)10
0および第2の光学部材(回折格子)200を有する。
方向)に周期的な屈折率分布を有し、所定の波長帯域に
対してフォトニックバンドギャップを構成する。第2の
回折格子200は、X方向と直交するY方向に周期的な
屈折率分布を有し、所定の波長帯域に対してフォトニッ
クバンドギャップを構成する。そして、第1の回折格子
100は、第2の回折格子200の周期方向の中間に形
成され、第1の回折格子100の上側および下側にそれ
ぞれ第2の回折格子が連続する状態で形成されている。
第1の媒質層110と第2の媒質層120とが、交互に
配列されている。そして、第2の媒質層120は、有機
発光層40によって形成されている。第1の媒質層11
0は、第2の回折格子200の周期方向にも連続して形
成されている。第2の回折格子200は、屈折率の異な
る第1の媒質層210と第2の媒質層220とが交互に
配列されている。
0、および第1の媒質層210と第2の媒質層220と
は、それぞれ周期的な分布によってフォトニックバンド
ギャップを形成しうる物質であればよく、その材質は特
に限定されない。たとえば、第1の回折格子100にお
いては、第1の媒質層110は空気などの気体であって
もよい。このように、気体の層でいわゆるエアギャップ
構造の回折格子を形成する場合には、発光装置に用いる
一般的な材料の選択範囲で、回折格子を構成する2媒質
層の屈折率差を大きくすることができる。また、第2の
回折格子200を構成する第1の媒質層210および第
2の媒質層220のいずれかは、第1の回折格子100
の第1の媒質層110と同じ材質であってもよい。
0(有機発光層40)の下面には陽極20が形成され、
第2の媒質層120(有機発光層40)の上面には陰極
30が形成されている。これらの陽極20および陰極3
0は、出射光に対して光学的に透明である。
0、陽極20および陰極30から構成される積層部40
0は、第2の回折格子200の欠陥部として機能してい
る。そして、積層部400は、第1の回折格子100の
有機発光層40(第2の媒質層120)を有し、発光層
としても機能している。欠陥部(積層部400)は、そ
の欠陥に起因するエネルギー準位が、有機発光層40の
電流励起による発光スペクトル内に存在するように形成
される。これに対し、第1の回折格子100のフォトニ
ックバンドギャップは、有機発光層40の電流励起によ
る発光スペクトル内に欠陥が存在しないように設定され
る。
を構成する、欠陥部(積層部400)より一方の側の回
折格子200aと他方の側の回折格子200bとの光の
閉じ込め状態に差を設けることにより、出射光の方向を
規定できる。たとえば、図2に示すように、欠陥部40
0の下側より光を出射させたい場合には、一方の回折格
子200aの光の閉じ込め状態を他方の回折格子200
bの光の閉じ込め状態より弱くすればよい。回折格子の
光の閉じ込めの強弱は、回折格子のペア数、回折格子を
構成する媒質層の屈折率差などを考慮することによって
コントロールできる。また、両者の回折格子200aお
よび200bの光の閉じ込めを同程度にすれば、第2の
回折格子200の両サイドから同様の強度で光を出射さ
せることもできる。
の実施の形態と同様に、X方向のフォトニックバンドギ
ャップを有する第1の回折格子100およびY方向のフ
ォトニックバンドギャップを有する第2の回折格子20
0によって、光を閉じ込めるので、X方向およびY方向
の2次元での光伝搬が制御される。そして、その他の方
向には漏れモードの光の伝搬が許容される。
作用について説明する。
されることにより、陰極30から電子が、陽極20から
ホールが、それぞれ有機発光層40内に注入される。有
機発光層40内では、この電子とホールとが再結合され
ることにより励起子が生成される。そして、Y方向の第
2の回折格子200では、欠陥部(積層部400)の欠
陥に起因するエネルギー準位の光が伝搬し、X方向の第
1の回折格子100では光の伝搬がない。すなわち、第
2の回折格子200のフォトニックバンドギャップに相
当する波長帯域の光は、第2の回折格子200内を伝搬
できないが、欠陥部(積層部400)の有機発光層40
で発生した励起子は、欠陥に起因するエネルギー準位で
基底状態に戻り、このエネルギー準位に相当する波長帯
域の光のみが発生する。したがって、前記欠陥に起因す
るエネルギー準位によって規定された波長の光は、Y方
向で光の閉じ込めの弱い方向に優先的に出射される。こ
の光は、発光スペクトル幅が非常に狭く高い効率を有す
る。
0を構成する媒質層(有機発光層を含む)、陽極20、
陰極30などを基板10上に堆積した後、基板10に垂
直方向に溝を形成し、この溝内に第1の媒質層110を
埋め込むことにより、あるいはエアギャップの場合は、
溝を利用して、比較的容易に発光装置を形成することが
できる。
態に係る発光装置4000を模式的に示す断面図であ
る。発光装置4000は、基板10、陽極20、有機発
光層40、陰極60、第1の光学部材(回折格子)10
0および第2の光学部材(回折格子)200を有する。
方向)に周期的な屈折率分布を有し、所定の波長帯域に
対してフォトニックバンドギャップを構成する。第2の
回折格子200は、X方向と直交するY方向に周期的な
屈折率分布を有し、所定の波長帯域に対してフォトニッ
クバンドギャップを構成する。そして、第1の回折格子
100は、第2の回折格子200の周期方向の中間に形
成され、第1の回折格子100の上側および下側にそれ
ぞれ第2の回折格子が連続する状態で形成されている。
第1の媒質層110と第2の媒質層120とが、交互に
配列されている。そして、第1の媒質層110のひとつ
は、有機発光層40によって形成されている。第2の回
折格子200は、屈折率の異なる第1の媒質層210と
第2の媒質層220とが交互に配列されている。そし
て、第3の媒質層230は、第2の回折格子200の周
期方向に連続して形成されている。
0、および第1の媒質層210と第2の媒質層220と
は、それぞれ周期的な分布によってフォトニックバンド
ギャップを形成しうる物質であればよく、その材質は特
に限定されない。たとえば、第1の回折格子100の第
2の媒質層120および第2の回折格子200の第3の
媒質層230は空気などの気体であってもよい。このよ
うに、気体の層でいわゆるエアギャップ構造の回折格子
を形成する場合には、発光装置に用いる一般的な材料の
選択範囲で、回折格子を構成する2媒質層の屈折率差を
大きくすることができる。また、第2の回折格子200
を構成する第1の媒質層210および第2の媒質層22
0のいずれかは、第3の媒質層230と同じ材質であっ
てもよい。さらに、第3の媒質層230は、第1の回折
格子100の第2の媒質層120と同じ材料で形成する
ことができる。
が形成され、第1の回折格子100の上面には陰極30
が形成されている。これらの陽極20および陰極30
は、出射光に対して光学的に透明である。
の欠陥部300として機能をしている。さらに、第1の
回折格子100、陽極20および陰極30から構成され
る積層部400は、第2の回折格子200の欠陥部とし
て機能している。そして、積層部400は、第1の回折
格子100の有機発光層40を有し、発光層としても機
能している。第1の回折格子100のフォトニックバン
ドギャップは、有機発光層40の電流励起による発光ス
ペクトル内に存在するように設定される。さらに、欠陥
部(積層部400)は、その欠陥に起因するエネルギー
準位が、有機発光層40の電流励起による発光スペクト
ル内に存在するように形成される。
格子100および200の両者より光を出射できる。例
えば、第1の回折格子100を構成する、欠陥部300
より一方の側の回折格子100aと他方の側の回折格子
100bとの光の閉じ込め状態に差を設けることによ
り、第1の回折格子100の出射光の方向を規定でき
る。たとえば、図4に示すように、欠陥部300の左側
より光を出射させたい場合には、一方の回折格子100
aの光の閉じ込め状態を他方の回折格子100bの光の
閉じ込め状態より弱くすればよい。さらに、第2の回折
格子200を構成する、欠陥部(積層部400)より一
方の側の回折格子200aと他方の側の回折格子200
bとの光の閉じ込め状態に差を設けることにより、出射
光の方向を規定できる。たとえば、図4に示すように、
欠陥部400の下側より光を出射させたい場合には、一
方の回折格子200aの光の閉じ込め状態を他方の回折
格子200bの光の閉じ込め状態より弱くすればよい。
回折格子の光の閉じ込めの強弱は、回折格子のペア数、
回折格子を構成する媒質層の屈折率差などを考慮するこ
とによってコントロールできる。
の各回折格子100a、100b、200aおよび20
0bの光の閉じ込めを同程度にすれば、第1および第2
の各回折格子100,200の両サイド(4方向)から
同様の強度で光を出射させることもできる。もちろん、
欠陥部に起因するエネルギー準位と各回折格子のフォト
ニックバンドギャップの関係を規定することにより、X
方向またはY方向のいずれか一方からのみ、光を出射さ
せることもできる。
の実施の形態と同様に、X方向のフォトニックバンドギ
ャップを有する第1の回折格子100およびY方向のフ
ォトニックバンドギャップを有する第2の回折格子20
0によって、光を閉じ込めるので、X方向およびY方向
の2次元での光伝搬が制御される。そして、その他の方
向には漏れモードの光の伝搬が許容される。
作用について説明する。
されることにより、陰極30から電子が、陽極20から
ホールが、それぞれ有機発光層40内に注入される。有
機発光層40内では、この電子とホールとが再結合され
ることにより励起子が生成される。そして、Y方向の第
2の回折格子200では、欠陥部(積層部400)の欠
陥に起因するエネルギー準位の光が伝搬し、X方向の第
1の回折格子100でも同様に光の伝搬がある。すなわ
ち、第1および第2の回折格子100および200のフ
ォトニックバンドギャップに相当する波長帯域の光は、
これらの回折格子内を伝搬できないが、欠陥部(300
および積層部400)の有機発光層40で発生した励起
子は、欠陥に起因するエネルギー準位で基底状態に戻
り、このエネルギー準位に相当する波長帯域の光のみが
発生する。したがって、前記欠陥に起因するエネルギー
準位によって規定された波長の光は、X方向およびY方
向で、光の閉じ込めの弱い方向に優先的に出射される。
この光は、発光スペクトル幅が非常に狭く高い効率を有
する。
を構成する媒質層210,220を堆積した後、基板1
0に垂直方向に溝を形成し、この溝内に媒質層230を
埋め込んで下側の第2の回折格子200aを形成する。
ついで、陰極20、第1の回折格子100を構成する媒
質層110,120(有機発光層40を含む)、陰極3
0を堆積して第1の回折格子100を形成する。さら
に、下側の第2の回折格子200aと同様にして上側の
第2の回折格子200bを形成することにより、比較的
容易に発光装置を形成することができる。エアギャップ
を有する場合は、上記の溝を利用して発光素子を形成で
きる。
態に係る発光装置5000を模式的に示す断面図であ
り、図6は、図5での陰極30を除いた状態の平面図で
ある。発光装置5000は、基板10、陽極20、有機
発光層40、陰極30、光学部材100を有する。
列パターンで形成された円柱からなる第1の媒質層11
0と、これらの第1の媒質層110と屈折率が異なり、
かつ第1の媒質層110の相互間を埋める第2の媒質層
120とから構成されている。第1の媒質層110は、
正方格子状のパターンを有している。したがって、この
光学部材100は、第1の方向(X方向)に周期的な屈
折率分布を有し、所定の波長帯域に対してフォトニック
バンドギャップを構成し、かつ、X方向と直交するY方
向に周期的な屈折率分布を有し、所定の波長帯域に対し
てフォトニックバンドギャップを構成する。
よび120の屈折率の組合せ、寸法(ピッチ)などを調
整して、図6におけるX軸とY軸に対して45゜方向で
周期的な屈折率分布を形成し、2次元のフォトニックバ
ンドギャップを構成することもできる。
とは、周期的な分布によってフォトニックバンドギャッ
プを形成しうる物質であればよく、その材質は特に限定
されない。たとえば、光学部材100においては、第1
の媒質層110と第2の媒質層120のいずれか一方は
空気などの気体であってもよい。このように、気体の層
でいわゆるエアギャップ構造の光学部材を形成する場合
には、発光装置に用いる一般的な材料の選択範囲で、光
学部材を構成する2媒質層の屈折率差を大きくすること
ができる。
され、光学部材100の上面には陰極30が形成されて
いる。
ひとつは、有機発光層40によって形成されて、この有
機発光層40によって欠陥部300が構成されている。
欠陥部300は、その欠陥に起因するエネルギー準位
が、有機発光層40の電流励起による発光スペクトル内
に存在するように形成される。そして、欠陥部300の
位置および形状などを特定することにより、光の出射方
向を規定することができる。つまり、1方向から光を出
射させる場合には、光学部材100のフォトニックバン
ドギャップは、X方向あるいはY方向のいずれかについ
ては、有機発光層40の電流励起による発光スペクトル
内に欠陥が存在しないように設定される。また、例え
ば、光学部材100を構成する、欠陥部300の位置お
よび形状などによっては、X方向およびY方向の両者か
ら光を出射させることもできる。
格子を有する光学部材100によって、X方向およびY
方向の2次元での光伝搬が制御される。そして、その他
の方向には漏れモードの光の伝搬が許容される。
作用について説明する。
されることにより、陰極30から電子が、陽極20から
ホールが、それぞれ有機発光層40内に注入される。有
機発光層40内では、この電子とホールとが再結合され
ることにより励起子が生成される。そして、光学部材1
00では、X方向あるいはY方向の少なくとも一方の方
向で、欠陥部300(有機発光層40)の欠陥に起因す
るエネルギー準位の光が伝搬し、それ以外の方向で、光
の伝搬がない。すなわち、光学部材100のフォトニッ
クバンドギャップに相当する波長帯域の光は、光学部材
100内を伝搬できないが、欠陥部300の有機発光層
40で発生した励起子は、欠陥に起因するエネルギー準
位で基底状態に戻り、このエネルギー準位に相当する波
長帯域の光のみが発生する。したがって、前記欠陥に起
因するエネルギー準位によって規定された波長の光は、
X方向あるいはY方向での光の閉じ込めの弱い方向に出
射される。この光は、発光スペクトル幅が非常に狭く高
い効率を有する。
板10上に陽極20を形成した後、第1の媒質層(円
柱)110を形成し、その後、第2の媒質層120を第
1の媒質層110の間に堆積させることにより形成する
ことができる。第2の媒質層120をエアギャップにす
る場合は、第2の媒質層120を埋め込まないことによ
って発光装置を形成することができる。
は、光学部材として、図7、図8および図13(a)〜
(c)に例示する構造を採用することもできる。これら
の図において、図5および図6に示す部材と同様な部材
には、同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
形成した例を示す。この光学部材の場合、2次元におい
て、3方向(a,bおよびc方向)において、光の伝搬
が規制されるので、X方向およびY方向の2方向に比べ
てさらに光の閉じ込めが大きく、出射光の効率をさらに
高めることができる。
成した例を示す。この光学部材の場合も、2次元におい
て、3方向(a,bおよびc方向)において、光の伝搬
が規制されるので、X方向およびY方向の2方向に比べ
てさらに光の閉じ込めが大きく、出射光の効率をさらに
高めることができる。特に、図8に示す蜂の巣状の光学
部材の場合には、任意の偏波での閉じ込めが可能であ
る。
材を三角格子状に形成した他の例を示めす。同図(a)
に示す光学部材は、欠陥部300を有機発光層40で形
成し、さらに、欠陥部400を第2の媒質層120の一
部に形成した構造を有する。同図(b)に示す光学部材
は、第2の媒質層120として有機発光層40を用いた
構造を有する。そして、第1の媒質層110の一部を不
規則にして、たとえば第1の媒質層を一部形成しないこ
となどで、欠陥部を構成する。同図(c)の光学部材
は、第1の媒質層110の一部を不規則にして、たとえ
ば第1の媒質層を一部形成しないことなどで、欠陥部を
構成する構造を有する。また、第1の媒質層110は有
機発光層40によって形成された構造を有する。
態に係る発光装置6000を模式的に示す、断面図を有
する斜視図である。発光装置6000は、基板10、陽
極20、有機発光層40、陰極30、光学部材100を
有する。本実施の形態の光学部材100は、正方格子状
である点で第5の実施の形態と類似するが、基板10に
対する格子の方向が異なる。
な面において所定パターンを有する、角柱状の第1の媒
質層110と、この第1の媒質層110と屈折率が異な
り、かつ第1の媒質層110の相互間を埋める角柱状の
第2の媒質層120とから構成されている。第1の媒質
層110と第2の媒質層120とは、基板10に対して
直交する面において、モザイク状をなしている。したが
って、この光学部材100は、第1の方向(X方向)に
周期的な屈折率分布を有し、所定の波長帯域に対してフ
ォトニックバンドギャップを構成し、かつ、X方向と直
交するY方向に周期的な屈折率分布を有し、所定の波長
帯域に対してフォトニックバンドギャップを構成する。
とは、周期的な分布によってフォトニックバンドギャッ
プを形成しうる物質であればよく、その材質は特に限定
されない。
板10に対して垂直な手前の面)には陽極20が形成さ
れ、光学部材100の後面(図9において、基板10に
対して垂直な後方の面)には陰極30が形成されてい
る。
ひとつは、有機発光層40によって形成されて、この有
機発光層40によって欠陥部300が構成されている。
欠陥部300は、その欠陥に起因するエネルギー準位
が、有機発光層40の電流励起による発光スペクトル内
に存在するように形成される。そして、欠陥部300の
位置や形成などを特定することにより、光の出射方向を
規定することができる。つまり、光学部材100のフォ
トニックバンドギャップは、X方向あるいはY方向のい
ずれかについては、有機発光層40の電流励起による発
光スペクトル内に欠陥が存在しないように設定される。
また、光学部材100は、例えば、光学部材100を構
成する、欠陥部300の位置や形成によっては、X方向
およびY方向の両者から光を出射させることもできる。
格子を有する光学部材100によって、X方向およびY
方向の2次元での光伝搬が制御される。そして、その他
の方向には漏れモードの光の伝搬が許容される。
作用について説明する。
されることにより、陰極30から電子が、陽極20から
ホールが、それぞれ有機発光層40内に注入される。有
機発光層40内では、この電子とホールとが再結合され
ることにより励起子が生成される。そして、X方向ある
いはY方向の一方の方向で、欠陥部300(有機発光層
40)の欠陥に起因するエネルギー準位の光が伝搬し、
X方向あるいはY方向の他方の方向で光学部材100で
は光の伝搬がない。すなわち、光学部材100のフォト
ニックバンドギャップに相当する波長帯域の光は、光学
部材100内を伝搬できないが、欠陥部300の有機発
光層40で発生した励起子は、欠陥に起因するエネルギ
ー準位で基底状態に戻り、このエネルギー準位に相当す
る波長帯域の光のみが発生する。したがって、前記欠陥
に起因するエネルギー準位によって規定された波長の光
は、X方向あるいはY方向でのエネルギー準位の存在す
る方向であって光の閉じ込めの弱い方向に出射される。
この光は、発光スペクトル幅の非常が狭く高い効率を有
する。
板10上に第1層目の媒質層、すなわち第1の媒質層1
10と第2の媒質層120とが交互に並ぶ層を形成し、
第2層目の媒質層として、第1層目の媒質層の第1の媒
質層110の上に第2の媒質層120が位置し、第2の
媒質層120の上に第1の媒質層110が位置するよう
に、各媒質層を形成する。そして、順次これを繰り返
し、X−Y平面においてモザイク状の媒質層を形成す
る。いずれかの媒質層を形成する際に、欠陥部300
(有機発光層40)を形成する。
は、第6の実施の形態の光学部材の変形例を示す。これ
らの図において、図9に示す部材と同様な部材には、同
一符号を付し、詳細な説明は省略する。図10は、光学
部材を三角格子状に形成した例を示す。図11は、光学
部材を蜂の巣状に形成した例を示す。いずれの場合も、
2次元において、3方向(a,bおよびc方向)におい
て、光の伝搬が規制されるので、X方向およびY方向の
2方向に比べてさらに光の閉じ込めが強く、出射光の効
率をさらに高めることができる。特に、図11に示す蜂
の巣状の光学部材の場合には、任意の偏波での閉じ込め
が可能である。
形態に係る発光装置を模式的に示す平面図である。この
発光装置では、欠陥部300を構成する有機発光層40
を中心にして、その周りに第1の媒質層110と第2の
媒質層120とが交互に同心円状に配置されている。こ
の構造の発光装置では、2次元方向の全てにおいて光の
伝搬が規制され、さらに光の閉じ込めが強い。この例の
場合、欠陥部を構成する有機発光層40は、平面形状が
楕円形をなしているが、そのほかにも欠陥として機能す
ればその形状は特定されない。この構造の発光装置にお
いても、有機発光層や媒質層の配置および形状などを規
定することにより、少なくとも一方向から光を出射させ
ることができる。
を有する光学部材を、異なる媒質層が同心円形状をなす
端面を基板に対して垂直となるように設けることもでき
る。
有機発光層を用い、2次元のフォトニックバンドギャッ
プとしての特性を持った、発光スペクトル幅の非常に狭
い高性能の発光装置が提供される。
式的に示す斜視図である。
式的に示す断面図である。
式的に示す断面図である。
式的に示す断面図である。
式的に示す断面図である。
る。
形例を模式的に示す図である。
形例を模式的に示す図である。
式的に示す斜視図である。
変形例を模式的に示す図である。
変形例を模式的に示す図である。
変形例を模式的に示す図である。
態に係る発光装置の変形例を模式的に示す図である。
Claims (29)
- 【請求項1】 2次元の周期的な屈折率分布を有し、フ
ォトニックバンドギャップを構成しうる光学部材と、 前記光学部材の一部に形成され、欠陥に起因するエネル
ギー準位が所定の発光スペクトル内に存在するように設
定された欠陥部と、 有機発光層と、を含む、発光装置。 - 【請求項2】 請求項1において、 前記有機発光層は、前記欠陥部としても機能する、発光
装置。 - 【請求項3】 請求項1または2において、 前記有機発光層は、前記光学部材の1種の媒質層として
も機能する、発光装置。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかにおいて、 前記有機発光層は、電流励起によって発光可能な材料か
らなり、該有機発光層に電界を印加するための一対の電
極層を含む、発光装置。 - 【請求項5】 第1の方向に周期的な屈折率分布を有
し、フォトニックバンドギャップを構成しうる第1の光
学部材と、 第1の方向と直交する第2の方向に周期的な屈折率分布
を有し、フォトニックバンドギャップを構成しうる第2
の光学部材と、 前記第1および第2の光学部材の少なくとも一方に形成
され、欠陥に起因するエネルギー準位が所定の発光スペ
クトル内に存在するように設定された欠陥部と、 有機発光層と、を含む、発光装置。 - 【請求項6】 請求項5において、 前記有機発光層は、前記欠陥部としても機能する、発光
装置。 - 【請求項7】 請求項5または6において、 前記有機発光層は、前記光学部材の1種の媒質層として
も機能する、発光装置。 - 【請求項8】 請求項5において、 前記第1の光学部材は、前記第2の光学部材の部分を構
成し、 前記欠陥部は、前記第1の光学部材に形成された有機発
光層からなり、 前記第1の光学部材の周期方向に光が出射される、発光
装置。 - 【請求項9】 請求項5において、 前記第1の光学部材は、前記第2の光学部材の部分を構
成し、 前記第1の光学部材では、該光学部材を構成する1種の
媒質層が有機発光層からなり、 前記欠陥部は、前記第1の光学部材を含み、 前記第2の光学部材の周期方向に光が出射される、発光
装置。 - 【請求項10】 請求項5において、 前記第1の光学部材は、前記第2の光学部材の部分を構
成し、 前記第1の光学部材では、該光学部材を構成する1種の
媒質層が有機発光層からなり、該光学部材を構成する他
の媒質層が前記第2の光学部材の周期方向に連続して形
成され、 前記欠陥部は、前記第1の光学部材を含み、 前記第2の光学部材の周期方向に光が出射される、発光
装置。 - 【請求項11】 請求項5において、 前記第1の光学部材は、前記第2の光学部材の部分を構
成し、 前記欠陥部は、前記第1の光学部材および前記第2の光
学部材の少なくとも一方に形成され、 前記第1の光学部材および前記第2の光学部材の少なく
とも一方の周期方向に光が出射される、発光装置。 - 【請求項12】 請求項11において、 前記欠陥部は、前記第1の光学部材および前記第2の光
学部材に形成され、 前記第1の光学部材に形成される欠陥部は、有機発光層
からなり、 前記第2の光学部材に形成される欠陥部は、前記第1の
光学部材を含み、 前記第1の光学部材および前記第2の光学部材の周期方
向にそれぞれ光が出射される、発光装置。 - 【請求項13】 請求項5〜12のいずれかにおいて、 前記有機発光層は、電流励起によって発光可能な材料か
らなり、該有機発光層に電界を印加するための一対の電
極層を含む、発光装置。 - 【請求項14】 第1および第2の方向に周期的な屈折
率分布を有し、2次元のフォトニックバンドギャップを
構成しうる光学部材と、 前記光学部材に形成され、欠陥に起因するエネルギー準
位が所定の発光スペクトル内に存在するように設定され
た欠陥部と、 有機発光層と、を含み、 前記光学部材は、正方格子状に配列された柱状の第1の
媒質層と、該第1の媒質層の間に形成される第2の媒質
層とを有する、発光装置。 - 【請求項15】 請求項14において、 前記欠陥部は、前記有機発光層からなる、発光装置。
- 【請求項16】 請求項14または15において、 前記光学部材を構成する第1の媒質層は、基板に対して
垂直に形成された、発光装置。 - 【請求項17】 請求項14または15において、 前記光学部材を構成する前記第1の媒質層は、基板に対
して平行に形成された、発光装置。 - 【請求項18】 請求項14〜17のいずれかにおい
て、 前記有機発光層は、電流励起によって発光可能な材料か
らなり、該有機発光層に電界を印加するための一対の電
極層を含む、発光装置。 - 【請求項19】 第1、第2および第3の方向に周期的
な屈折率分布を有し、2次元のフォトニックバンドギャ
ップを構成しうる光学部材と、 前記光学部材に形成され、欠陥に起因するエネルギー準
位が所定の発光スペクトル内に存在するように設定され
た欠陥部と、 有機発光層と、を含む、発光装置。 - 【請求項20】 請求項19において、 前記光学部材は、格子状に配列された柱状の第1の媒質
層と、該第1の媒質層の間に形成される第2の媒質層と
を有する、発光装置。 - 【請求項21】 請求項20において、 前記光学部材を構成する前記第1の媒質層は、基板に対
して垂直に形成された、発光装置。 - 【請求項22】 請求項20において、 前記光学部材を構成する前記第1の媒質層は、基板に対
して平行に形成された、発光装置。 - 【請求項23】 請求項21または22において、 前記光学部材の前記第1の媒質層は、三角格子状に配列
された、発光装置。 - 【請求項24】 請求項21または22において、 前記光学部材の前記第1の媒質層は、蜂の巣状に配列さ
れた、発光装置。 - 【請求項25】 請求項19〜24のいずれかにおい
て、 前記有機発光層は、電流励起によって発光可能な材料か
らなり、該有機発光層に電界を印加するための一対の電
極層を含む、発光装置。 - 【請求項26】 同心円状で周期的な屈折率分布を有
し、2次元のフォトニックバンドギャップを構成しうる
光学部材と、 前記光学部材に形成され、欠陥に起因するエネルギー順
位が所定の発光スペクトル内に存在するように設定され
た欠陥部と、 有機発光層と、 を含み、 前記光学部材は、所定のパターンで配置された柱状の第
1の媒質層と、該第1の媒質層の間に形成される第2の
媒質層とを有する、発光装置。 - 【請求項27】 請求項26において、 前記欠陥部は、前記屈折率分布の同心円構造の中心に設
けられ、該欠陥部は有機発光層からなる発光装置。 - 【請求項28】 請求項26または27において、 前記光学部材は、屈折率の異なる第1の媒質層と第2の
媒質層から構成され、該第1および第2の媒質層が前記
有機発光層を中心に同心円状に交互に配置される、発光
装置。 - 【請求項29】 請求項26〜28のいずれかにおい
て、 前記有機発光層は、電流励起によって発光可能な材料か
らなり、該有機発光層に電界を印加するための一対の電
極層を含む、発光装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11077869A JP2000277260A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | 発光装置 |
KR10-2000-0009015A KR100507393B1 (ko) | 1999-03-23 | 2000-02-24 | 발광 장치 |
US09/531,330 US6727646B1 (en) | 1999-03-23 | 2000-03-20 | Light-emitting device |
EP00105920A EP1039561A3 (en) | 1999-03-23 | 2000-03-23 | Light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11077869A JP2000277260A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000277260A true JP2000277260A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13646072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11077869A Pending JP2000277260A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | 発光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6727646B1 (ja) |
EP (1) | EP1039561A3 (ja) |
JP (1) | JP2000277260A (ja) |
KR (1) | KR100507393B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007511872A (ja) * | 2003-10-21 | 2007-05-10 | コーニング インコーポレイテッド | バリア層および歪みレリーフを有するoled構造 |
WO2012029156A1 (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | 昭和電工株式会社 | El素子、el素子の製造方法、表示装置および照明装置 |
KR20140012615A (ko) * | 2010-09-15 | 2014-02-03 | 로목스 리미티드 | 유기 발광 다이오드 장치 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6804280B2 (en) * | 2001-09-04 | 2004-10-12 | Pbc Lasers, Ltd. | Semiconductor laser based on the effect of photonic band gap crystal-mediated filtration of higher modes of laser radiation and method of making the same |
KR100463702B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2004-12-29 | 윈텍 주식회사 | 전기 발광소자 |
US20030123827A1 (en) * | 2001-12-28 | 2003-07-03 | Xtalight, Inc. | Systems and methods of manufacturing integrated photonic circuit devices |
US20050169591A1 (en) * | 2002-03-15 | 2005-08-04 | Technical University Of Denmark, Dtu | Planar optical waveguides with photonic crystal structure |
US6670772B1 (en) * | 2002-06-27 | 2003-12-30 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling |
US7319709B2 (en) | 2002-07-23 | 2008-01-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Creating photon atoms |
JPWO2004081625A1 (ja) | 2003-03-04 | 2006-06-15 | 日本板硝子株式会社 | フォトニック結晶を用いた導波路素子 |
US7260300B2 (en) | 2003-03-04 | 2007-08-21 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Waveguide element using photonic crystal |
JP2005063839A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 光学デバイス及び有機el表示装置 |
KR100563059B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조에 사용되는레이저 열전사용 도너 필름 |
KR100730121B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP2006310737A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-11-09 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光素子の製造方法及び画像表示装置 |
KR101499043B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2015-03-05 | 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 | 광 아웃커플링이 향상된 oled |
US9508957B2 (en) * | 2007-03-30 | 2016-11-29 | The Regents Of The University Of Michigan | OLED with improved light outcoupling |
US20080238310A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Forrest Stephen R | OLED with improved light outcoupling |
TWI408832B (zh) * | 2009-03-30 | 2013-09-11 | Huga Optotech Inc | 具有中空結構之柱狀結構之發光元件及其形成方法 |
KR102527387B1 (ko) | 2016-02-24 | 2023-04-28 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
JP7424038B2 (ja) * | 2019-12-23 | 2024-01-30 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、および、プロジェクター |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58158989A (ja) | 1982-03-16 | 1983-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分布帰還半導体レ−ザ |
JPS6372665A (ja) | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用電荷輸送材料の製造方法 |
JPS63175860A (ja) | 1987-01-16 | 1988-07-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
JP2559614B2 (ja) | 1988-03-01 | 1996-12-04 | 宇部興産株式会社 | ポリイミドパターン層の形成法およびその方法に使用するリンス液 |
JP2622143B2 (ja) | 1988-03-28 | 1997-06-18 | キヤノン株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ及び分布帰還型半導体レーザの作成方法 |
JP2717274B2 (ja) | 1988-08-12 | 1998-02-18 | 住友化学工業株式会社 | 光制御板及びその製造方法 |
JPH02135359A (ja) | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPH02135361A (ja) | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPH03152184A (ja) | 1989-11-08 | 1991-06-28 | Nec Corp | 有機薄膜el素子 |
JP2989694B2 (ja) | 1991-07-30 | 1999-12-13 | ポーラ化成工業株式会社 | ゲル状パック料 |
JPH0539480A (ja) | 1991-08-05 | 1993-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | フオトリフラクテイブ組成物 |
DE4228853C2 (de) | 1991-09-18 | 1993-10-21 | Schott Glaswerke | Optischer Wellenleiter mit einem planaren oder nur geringfügig gewölbten Substrat und Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung eines solchen |
JP3197609B2 (ja) | 1992-04-17 | 2001-08-13 | 日東電工株式会社 | 液晶表示装置 |
JPH06201907A (ja) | 1992-12-29 | 1994-07-22 | Olympus Optical Co Ltd | ブレーズ格子製造方法 |
JPH06224115A (ja) | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジストパターン形成方法 |
JP2947694B2 (ja) | 1993-07-02 | 1999-09-13 | 株式会社日立製作所 | レジストパターン形成方法 |
US5804919A (en) * | 1994-07-20 | 1998-09-08 | University Of Georgia Research Foundation, Inc. | Resonant microcavity display |
US5452318A (en) | 1993-12-16 | 1995-09-19 | Northern Telecom Limited | Gain-coupled DFB laser with index coupling compensation |
JPH07181689A (ja) | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Du Pont Kk | 基板上にパターン化されたポリイミド被膜を形成させる方法 |
JPH07235075A (ja) | 1994-02-23 | 1995-09-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 光ヘッド用回折格子とその作製方法 |
GB2287553A (en) | 1994-03-10 | 1995-09-20 | Sharp Kk | A method of manufacturing a diffuser |
US6064783A (en) | 1994-05-25 | 2000-05-16 | Congdon; Philip A. | Integrated laser and coupled waveguide |
US5784400A (en) | 1995-02-28 | 1998-07-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Resonant cavities employing two dimensionally periodic dielectric materials |
JPH08248276A (ja) | 1995-03-07 | 1996-09-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光ファイバーと有機el素子との結合構造 |
GB9520912D0 (en) | 1995-10-12 | 1995-12-13 | Nashua Corp | Improvements in or relating to projection screens and the like |
JP2914486B2 (ja) | 1995-12-26 | 1999-06-28 | 清藏 宮田 | 光ファイバ、及びその製造方法 |
JPH09232669A (ja) | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH09311238A (ja) | 1996-05-22 | 1997-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路型回折格子の作成方法 |
JPH108300A (ja) | 1996-06-26 | 1998-01-13 | Acs:Kk | 電解脱脂装置 |
JPH1026702A (ja) | 1996-07-12 | 1998-01-27 | Nikon Corp | フォトクロミックプラスチックレンズ |
JP3452733B2 (ja) | 1996-08-13 | 2003-09-29 | 日本板硝子株式会社 | 回折型の光学素子の製造方法 |
JP3899566B2 (ja) | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
JPH10279439A (ja) | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 発毛育毛剤 |
JPH10284806A (ja) | 1997-04-10 | 1998-10-23 | Canon Inc | フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ |
ATE281011T1 (de) | 1997-05-09 | 2004-11-15 | Univ Princeton | Organische laser |
US5881089A (en) | 1997-05-13 | 1999-03-09 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising an organic laser |
WO1999035721A1 (de) | 1997-12-31 | 1999-07-15 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Laser mit einem organischen emittermaterial und verteilter rückkopplung |
JP3931936B2 (ja) | 1998-05-11 | 2007-06-20 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置 |
-
1999
- 1999-03-23 JP JP11077869A patent/JP2000277260A/ja active Pending
-
2000
- 2000-02-24 KR KR10-2000-0009015A patent/KR100507393B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-03-20 US US09/531,330 patent/US6727646B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-23 EP EP00105920A patent/EP1039561A3/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007511872A (ja) * | 2003-10-21 | 2007-05-10 | コーニング インコーポレイテッド | バリア層および歪みレリーフを有するoled構造 |
WO2012029156A1 (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | 昭和電工株式会社 | El素子、el素子の製造方法、表示装置および照明装置 |
JPWO2012029156A1 (ja) * | 2010-09-02 | 2013-10-28 | 昭和電工株式会社 | El素子、el素子の製造方法、表示装置および照明装置 |
KR20140012615A (ko) * | 2010-09-15 | 2014-02-03 | 로목스 리미티드 | 유기 발광 다이오드 장치 |
KR101995600B1 (ko) | 2010-09-15 | 2019-10-01 | 로목스 리미티드 | 유기 발광 다이오드 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1039561A2 (en) | 2000-09-27 |
EP1039561A3 (en) | 2001-08-16 |
KR20010014503A (ko) | 2001-02-26 |
US6727646B1 (en) | 2004-04-27 |
KR100507393B1 (ko) | 2005-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000277260A (ja) | 発光装置 | |
US6587620B2 (en) | Surface emitting device | |
JP2000284726A (ja) | 表示装置 | |
US6704335B1 (en) | Light-emitting device | |
US6737802B2 (en) | Light-emitting device | |
JP3951109B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2000284134A (ja) | 光学装置 | |
KR20070013185A (ko) | 피드백 및 커플링 구조 및 방법 | |
JP3786160B2 (ja) | El装置 | |
US6462356B1 (en) | Light emitting device | |
JP2000200687A (ja) | El装置 | |
US6795463B2 (en) | Light -emitting device | |
JP2002110362A (ja) | 面発光装置 | |
JP3832542B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2002056968A (ja) | 発光装置 | |
JP3800284B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2002110361A (ja) | 発光装置 | |
JP2002015857A (ja) | 発光装置 | |
JP2000182764A (ja) | El装置 | |
JP2002063990A (ja) | 発光装置 | |
JP2002056988A (ja) | 発光装置 | |
JP2001297875A (ja) | 発光装置 | |
JP2000200679A (ja) | El装置 | |
JP2001297874A (ja) | 発光装置 | |
JP2001052854A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051130 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070808 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071009 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081203 |