KR20220004892A - 표시 장치 - Google Patents

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display device
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김기현
박영길
손현수
최희연
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판; 상기 기판 상에 배치되되, 복수의 표시소자들을 포함하는 화소층; 상기 화소층을 밀봉하는 봉지부재; 및 상기 봉지부재 상에 배치되되, 상기 복수의 표시소자들에 대응되는 개구들을 포함하는 제1 굴절층, 및 고굴절입자들을 포함하는 제2 굴절층을 포함하는 굴절층;을 구비하며, 상기 제2 굴절층은, 상기 고굴절입자들이 제1 농도로 분산된 제1 층, 및 상기 고굴절입자들이 상기 제1 농도와 상이한 제2 농도로 분산된 제2 층을 포함하는 표시 장치가 제공된다.

Description

표시 장치{Display apparatus}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 시인성이 향상된 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치에 대한 수요가 확대됨에 따라 다양한 용도로 사용될 수 있는 표시 장치에 대한 필요성도 증대되고 있다. 이러한 추세에 따라 표시 장치가 점차 대형화되거나 박형화되는 경향이 있으며, 더 크고 더 얇은 표시 장치를 제공하면서도 정확하고 선명한 색상을 가지는 표시 장치에 대한 필요성도 함께 증대되고 있다.
본 발명의 실시예들은, 광 추출 효율이 향상된 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 배치되되, 복수의 표시소자들을 포함하는 화소층; 상기 화소층을 밀봉하는 봉지부재; 및 상기 봉지부재 상에 배치되되, 상기 복수의 표시소자들에 대응되는 개구들을 포함하는 제1 굴절층, 및 고굴절입자들을 포함하는 제2 굴절층을 포함하는 굴절층;을 구비하며, 상기 제2 굴절층은, 상기 고굴절입자들이 제1 농도로 분산된 제1 층, 및 상기 고굴절입자들이 상기 제1 농도와 상이한 제2 농도로 분산된 제2 층을 포함하는 표시 장치가 제공된다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 농도는 상기 제1 농도보다 높을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 농도는 50 wt% 내지 70 wt%일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 농도는 80 wt% 내지 90 wt%일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 굴절층은 상기 제1 굴절층을 덮을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 고굴절입자들의 평균 직경은 5 nm 내지 30 nm일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 층의 두께는 0.5 ㎛ 내지 1 ㎛일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 굴절층은 상기 제1 굴절층보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 굴절층의 굴절률은 1.3 내지 1.5일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 굴절층의 굴절률은 1.6 내지 1.9일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 굴절층은 잉크젯 공정, 또는 증착 공정에 의해 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 개구들 각각의 내벽은 경사면을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 굴절층의 두께는 1.5 ㎛ 내지 2.5 ㎛일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 봉지부재와 상기 굴절층 사이에 배치되고, 감지전극 또는 트레이스라인을 포함하는 적어도 하나의 도전층, 및 절연층을 포함하는 입력감지층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 굴절층은 상기 입력감지층의 상기 도전층과 중첩될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 굴절층 상에 배치되는, 편광층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 광을 방출하는 표시소자; 상기 표시소자 상에 배치되고, 상기 표시소자에 대응되는 개구를 갖는 제1 굴절층, 및 상기 제1 굴절층과 상이한 굴절률을 갖는 제2 굴절층을 포함하는 굴절층; 및 상기 굴절층 상에 배치되는 편광층;을 구비하고, 상기 제2 굴절층은, 고굴절입자들이 제1 농도로 분산된 제1 층, 및 상기 고굴절입자들이 상기 제1 농도와 상이한 제2 농도로 분산된, 제2 층을 포함하고, 상기 표시소자에서 방출된 광 중 일부는 상기 개구의 내벽과 상기 제2 굴절층의 계면에서 전반사되어 광 경로가 변경되는, 표시 장치가 제공된다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시소자는, 화소전극, 상기 화소전극 상에 배치되되, 발광층을 포함하는 중간층, 및 상기 중간층 상에 배치되는 대향전극을 포함하고, 상기 제1 굴절층은 상기 화소전극의 가장자리를 덮는 화소정의막과 중첩될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시소자와 상기 굴절층 사이에 개재되는 봉지부재를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 봉지부재와 상기 굴절층 사이에 개재되며, 감지전극 또는 트레이스라인을 포함하는 적어도 하나의 도전층, 및 절연층을 포함하는 입력감지층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 굴절층은 상기 입력감지층의 상기 도전층과 중첩될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 농도는 상기 제1 농도보다 높을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 농도는 50 wt% 내지 70 wt%일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 농도는 80 wt% 내지 90 wt%일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 고굴절입자들의 평균 직경은 5 nm 내지 30 nm일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 층의 두께는 0.5 ㎛ 내지 1 ㎛일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 굴절층의 굴절률은 1.3 내지 1.6일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 굴절층의 굴절률은 1.6 내지 1.9일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 굴절층은 잉크젯 공정, 또는 증착 공정에 의해 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 굴절층의 두께는 1.5 ㎛ 내지 2.5 ㎛일 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 표시 장치의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4, 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함될 수 있는 화소의 등가회로도들이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 11은 제2 굴절층의 굴절률에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 13, 및 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 15, 및 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예를 들어, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 또한, 본 명세서에서 "A 및 B 중 적어도 어느 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
이하의 실시예에서, 배선이 "제1 방향 또는 제2 방향으로 연장된다"는 의미는 직선 형상으로 연장되는 것뿐 아니라, 제1 방향 또는 제2 방향을 따라 지그재그 또는 곡선으로 연장되는 것도 포함한다.
이하의 실시예들에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다. 이하의 실시예들에서, "중첩"이라 할 때, 이는 "평면상" 및 "단면상" 중첩을 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시영역(DA), 및 주변영역(PA)을 포함할 수 있다. 주변영역(PA)은 표시영역(DA)의 외곽에 표시영역(DA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 주변영역(PA)은 표시영역(DA)에 인가할 전기적 신호를 전달하는 다양한 배선들, 및 구동회로부가 위치할 수 있다. 표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소들에서 방출되는 광을 이용하여 소정의 영상을 제공할 수 있다. 도시되지 않았으나, 표시 장치(1)는 주변영역(PA)의 일부 영역에서 벤딩영역을 포함하여 벤딩될 수 있다.
표시 장치(1)는 유기발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기발광 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display 또는 무기EL 표시 장치), 또는 양자점발광 표시 장치(Quantum dot Light Emitting Display)와 같은 표시 장치일 수 있다. 이하에서는 유기발광 표시 장치를 예로 하여 설명하겠다. 표시 장치(1)는 휴대폰(mobile phone), 노트북, 스마트 워치와 같은 다양한 종류의 전자 기기로 구현될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 취한 단면도에 해당한다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 두께방향(z방향)으로 차례로 적층된 기판(100), 기판(100) 상의 화소층(PXL), 화소층(PXL)을 밀봉하는 봉지부재(300), 봉지부재(300) 상의 굴절층(500)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 글래스재를 포함하거나 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 글래스재를 포함하거나, 플렉서블 또는 벤더블 특성을 갖는 다양한 물질, 예를 들어, 강화 플라스틱과 같은 수지를 포함할 수 있다. 도시되지 않았으나, 기판(100)은 주변영역(PA)의 일부 영역에서 벤딩영역을 포함하여 벤딩될 수 있다.
기판(100) 상에는 화소층(PXL)이 배치될 수 있다. 화소층(PXL)은 화소마다 배치되는 표시소자들을 포함하는 표시소자층(DPL)과 화소마다 배치되는 화소회로와 절연층들을 포함하는 화소회로층(PCL)을 포함할 수 있다. 표시소자층(DPL)은 화소회로층(PCL)의 상부층에 배치되고, 화소회로와 표시소자 사이에 복수의 절연층들이 배치될 수 있다. 화소회로층(PCL)의 일부 배선들, 및 절연층들은 주변영역(PA)까지 연장될 수 있다.
봉지부재(300)는 박막봉지층일 수 있다. 박막봉지층은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)가 고분자 수지를 포함하는 기판(100), 및 무기봉지층과 유기봉지층을 포함하는 박막봉지층의 봉지부재(300)를 구비하는 경우, 표시 장치(1)의 유연성(flexibility)을 향상시킬 수 있다.
굴절층(500)은 표시소자층(DPL)의 표시소자에서 방출되는 광의 경로를 조절하며, 표시 장치(1)의 출광 효율을 향상시킬 수 있다. 후술하는 바와 같이, 굴절층(500)은 표시소자에서 방출되는 광 경로를 변경하여 표시 장치(1)의 광 추출 효율을 높일 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 기판(100)은 표시영역(DA), 및 주변영역(PA)을 포함할 수 있다. 주변영역(PA)은 표시영역(DA) 외곽에 위치하고 표시영역(DA)을 둘러쌀 수 있다.
기판(100) 상부의 표시영역(DA)에는 제1 방향(x 방향, 행 방향), 및 제2 방향(y 방향, 열 방향)에 소정 패턴으로 배열된 복수의 화소(PX)들이 구비될 수 있다.
기판(100) 상부의 주변영역(PA)에는 각 화소(PX)에 스캔신호를 제공하는 스캔 드라이버(1100), 각 화소(PX)에 데이터신호를 제공하는 데이터 드라이버(1200), 및 제1 전원전압(ELVDD, 도 4, 및 도 5 참조), 및 제2 전원전압(ELVSS, 도 4, 및 도 5 참조)을 제공하기 위한 메인 전원배선들(미도시) 등이 배치될 수 있다. 기판(100) 상부의 주변영역(PA)에는 데이터선(DL)에 연결되는 복수의 신호패드(SP)들이 배치된 패드부(140)가 위치할 수 있다.
스캔 드라이버(1100)는 OSG(Oxide Semiconductor TFT Gate driver circuit) 또는 ASG(Amorphous Silicon TFT Gate driver circuit)를 포함할 수 있다. 도 3에서 스캔 드라이버(1100)는 기판(100)의 일 변에 인접하게 배치된 예를 도시하고 있으나, 실시예에 따라 스캔 드라이버(1100)는 기판(100)의 마주하는 두 변들에 각각 인접하게 배치될 수도 있다.
도 3은 기판(100) 상부에 배치된 신호패드(SP)들과 전기적으로 연결된 필름(1300) 상에 데이터 드라이버(1200)가 배치되는 COF(Chip On Film) 방식을 도시한다. 다른 실시예에 따르면, 데이터 드라이버(1200)는 COG(Chip On Glass) 또는 COP(Chip On Plastic) 방식으로 기판(100) 상부에 직접 배치될 수 있다. 데이터 드라이버(1200)는 FPCB(flexible Printed circuit board)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 4를 참조하면, 화소(PX)는 스캔선(SL)과 데이터선(DL)에 연결된 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)에 연결된 표시소자를 포함한다. 화소회로(PC)는 박막트랜지스터, 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있으며, 표시소자는 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED)를 포함할 수 있다.
화소회로(PC)는 제1 박막트랜지스터(T1), 제2 박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 각 화소(PX)는 유기발광다이오드(OLED)를 통해 예를 들어, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 제1 박막트랜지스터(T1), 및 제2 박막트랜지스터(T2)는 트랜지스터로 구현될 수 있다.
제2 박막트랜지스터(T2)는 스위칭 트랜지스터로서, 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결될 수 있다. 제2 박막트랜지스터(T2)는 스캔선(SL)으로부터 입력되는 스캔신호에 따라 데이터선(DL)으로부터 입력된 데이터신호를 제1 박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2 박막트랜지스터(T2)와 전원전압선(PL)에 연결되며, 제2 박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 데이터신호에 대응하는 전압과 전원전압선(PL)에 공급되는 제1 전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1 박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 전원전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결될 수 있다. 제1 박막트랜지스터(T1)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 전원전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동전류(Ioled)를 제어할 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 구동전류(Ioled)에 의해 소정의 휘도를 갖는 광을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 화소전극, 대향전극 및 화소전극과 대향전극 사이의 발광층을 포함하는 중간층을 포함할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극은 제2 전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 4는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 박막트랜지스터의 개수, 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.
다른 예로, 도 5를 참조하면, 하나의 화소(PX)는 화소회로(PC), 및 화소회로(PC)에 전기적으로 연결된 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.
화소회로(PC)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 박막트랜지스터들(T1 내지 T7), 및 스토리지 커패시터(Cst)는 신호선들(SL, SL-1, SL+1, EL, DL), 제1 초기화전압선(VL1), 제2 초기화전압선(VL2), 및 구동전압선(PL)에 연결될 수 있다.
신호선들(SL, SL-1, SL+1, EL, DL)은 스캔신호(Sn)를 전달하는 스캔선(SL), 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)에 이전 스캔신호(Sn-1)를 전달하는 이전 스캔선(SL-1), 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)에 스캔신호(Sn)를 전달하는 이후 스캔선(SL+1), 동작제어 박막트랜지스터(T5), 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)에 발광제어신호(En)를 전달하는 발광 제어선(EL), 스캔선(SL)과 교차하며 데이터신호(Dm)를 전달하는 데이터선(DL)을 포함할 수 있다. 구동전압선(PL)은 구동 박막트랜지스터(T1)에 구동전압(ELVDD)을 전달하며, 제1 초기화전압선(VL1)은 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)에 초기화전압(Vint)을 전달하고, 제2 초기화전압선(VL2)은 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)에 초기화전압(Vint)을 전달할 수 있다.
구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(Cst1)에 연결되어 있고, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)은 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)에 연결되어 있으며, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극과 전기적으로 연결되어 있다. 구동 박막트랜지스터(T1)는 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터신호(Dm)를 전달받아 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류(IOLED)를 공급할 수 있다.
스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 게이트전극(G2)은 스캔선(SL)에 연결되어 있고, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 소스전극(S2)은 데이터선(DL)에 연결되어 있으며, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 드레인전극(D2)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)에 연결되어 있으면서 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)에 연결될 수 있다. 스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스캔선(SL)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 데이터선(DL)으로 전달된 데이터신호(Dm)를 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)으로 전달하는 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 게이트전극(G3)은 스캔선(SL)에 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 소스전극(S3)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1)에 연결되어 있으면서 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극과 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 드레인전극(D3)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(Cst1), 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1 초기화 드레인전극(D4), 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 연결되어 있다. 보상 박막트랜지스터(T3)는 스캔선(SL)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)과 구동 드레인전극(D1)을 전기적으로 연결하여 구동 박막트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킬 수 있다.
제1 초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1 초기화 게이트전극(G4)은 이전 스캔선(SL-1)에 연결되어 있고, 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1 초기화 소스전극(S4)은 제1 초기화전압선(VL1)에 연결되어 있으며, 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1 초기화 드레인전극(D4)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(Cst1), 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 드레인전극(D3), 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 연결되어 있다. 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(SL-1)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 초기화전압(Vint)을 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 전달하여 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)의 전압을 초기화시키는 초기화동작을 수행할 수 있다.
동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 게이트전극(G5)은 발광 제어선(EL)에 연결되어 있으며, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 소스전극(S5)은 구동전압선(PL)과 연결되어 있고, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 드레인전극(D5)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1) 및 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 드레인전극(D2)과 연결되어 있다.
발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 게이트전극(G6)은 발광 제어선(EL)에 연결되어 있고, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 소스전극(S6)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1) 및 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 소스전극(S3)에 연결되어 있으며, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 드레인전극(D6)은 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2 초기화 소스전극(S7) 및 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 전기적으로 연결되어 있다.
동작제어 박막트랜지스터(T5), 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)는 발광 제어선(EL)을 통해 전달받은 발광제어신호(En)에 따라 동시에 턴-온되어, 구동전압(ELVDD)이 유기발광다이오드(OLED)에 전달되어 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류(IOLED)가 흐르도록 할 수 있다.
제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2 초기화 게이트전극(G7)은 이후 스캔선(SL+1)에 연결되어 있고, 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2 초기화 소스전극(S7)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 드레인전극(D6) 및 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 연결되어 있으며, 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2 초기화 드레인전극(D7)은 제2 초기화전압선(VL2)에 연결되어 있다.
한편, 스캔선(SL)과 이후 스캔선(SL+1)은 서로 전기적으로 연결됨으로써, 스캔선(SL)과 이후 스캔선(SL+1)에는 동일한 스캔신호(Sn)가 인가될 수 있다. 따라서, 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)는 이후 스캔선(SL+1)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극을 초기화시키는 동작을 수행할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(Cst2)은 구동전압선(PL)에 연결되어 있으며, 유기발광다이오드(OLED)의 공통전극은 공통전압(ELVSS)에 연결되어 있다. 이에 따라, 유기발광다이오드(OLED)는 구동 박막트랜지스터(T1)로부터 구동전류(IOLED)를 전달받아 발광함으로써 화상을 표시할 수 있다.
도 5에서는 보상 박막트랜지스터(T3)와 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)가 듀얼 게이트전극을 갖는 것으로 도시하고 있으나, 보상 박막트랜지스터(T3)와 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)는 한 개의 게이트전극을 가질 수 있다.
또한, 도 5에서는 하나의 화소회로(PC)에 대한 구조를 설명하고 있지만, 동일한 화소회로(PC)를 가지는 복수의 화소(PX)들이 복수의 행을 이루도록 배열되며, 이때 제1 초기화전압선(VL1), 이전 스캔선(SL-1), 제2 초기화전압선(VL2) 및 이후 스캔선(SL+1)은 이웃하는 화소들에서 공유될 수 있다.
예를 들어, 제1 초기화전압선(VL1)과 이전 스캔선(SL-1)은, 제2 방향(y방향)을 따라 배치된 다른 화소회로(PC)의 제2 초기화 박막트랜지스터에 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 이전 스캔선(SL-1)에 인가되는 이전 스캔신호는 상기 다른 화소회로(PC)의 제2 초기화 박막트랜지스터에 이후 스캔신호로서 전달될 수 있다. 이와 마찬가지로, 제2 초기화전압선(VL2)과 이후 스캔선(SL+1)은, 도면을 기준으로 제2 방향(y방향)을 따라 인접하여 배치된 또 다른 화소회로(PC)의 제1 초기화 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되어 이전 스캔신호와 초기화전압을 전달할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 6은 표시 장치의 화소 배열의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 7은 도 6의 II-II' 선을 따라 취한 단면도에 해당한다.
도 6, 및 도 7을 참조하면, 복수의 화소들은 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2), 및 제3 화소(PX3)를 포함할 수 있다. 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2), 및 제3 화소(PX3)는 열, 및 행 방향으로 소정 패턴에 따라 반복 배치될 수 있다. 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2), 및 제3 화소(PX3)는 각각 화소회로, 및 화소회로에 전기적으로 연결된 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 각 화소의 유기발광다이오드(OLED)는 화소회로와 중첩하도록 바로 상부에 배치될 수도 있고, 화소회로와 오프셋되어 인접하는 행 또는 열의 화소의 화소회로와 중첩하도록 배치될 수도 있다. 화소의 배열은 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2), 및 제3 화소(PX3) 각각의 유기발광다이오드(OLED)의 배열, 또는 유기발광다이오드(OLED)를 구성하는 화소전극(211)의 배열일 수 있다.
각 행(R1, R2,...)에는 제1 화소(PX1)의 화소전극(211), 제2 화소(PX2)의 화소전극(211), 제3 화소(PX3)의 화소전극(211), 제2 화소(PX2)의 화소전극(211)이 상호 이격되며 지그재그 형태로 교대로 배열될 수 있다. 제1 화소(PX1)의 화소전극(211)과 제3 화소(PX3)의 화소전극(211)은 상호 이격되며 제1 방향(x방향)의 가상의 제1 직선(IL1) 상에 교대로 배열될 수 있다. 제2 화소(PX2)의 화소전극(211)은 제1 화소(PX1)의 화소전극(211), 및 제3 화소(PX3)의 화소전극(211)과 제1 방향(x방향)과 제2 방향(y방향) 사이의 방향으로 오프셋되고 제1 방향(x방향)의 가상의 제2 직선(IL2) 상에 반복 배열될 수 있다.
제1 열(C1)에는 제1 화소(PX1)의 화소전극(211)과 제3 화소(PX3)의 화소전극(211)이 상호 이격되며 제2 방향(y방향)의 가상의 제3 직선(IL3) 상에 교대로 배열될 수 있다. 제1 열(C1)에 인접한 제2 열(C2)에는 제2 화소(PX2)의 화소전극(211)이 상호 이격되며 제2 방향(y방향)의 가상의 제4 직선(IL4) 상에 반복 배열될 수 있다. 제2 열(C2)에 인접한 제3 열(C3)에는 제1 열(C1)과 반대로 제3 화소(PX3)의 화소전극(211)과 제1 화소(PX1)의 화소전극(211)이 상호 이격되며 제2 방향(y방향)의 가상의 제5 직선(IL5) 상에 교대로 배열될 수 있다.
제1 화소(PX1)의 화소전극(211), 제2 화소(PX2)의 화소전극(211), 제3 화소(PX3)의 화소전극(211)은 서로 다른 면적을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제3 화소(PX3)의 화소전극(211)은 이웃하는 제1 화소(PX1)의 화소전극(211) 대비 더 큰 면적을 가질 수 있다. 또한, 제3 화소(PX3)의 화소전극(211)은 이웃하는 제2 화소(PX2)의 화소전극(211) 대비 더 큰 면적을 가질 수 있다. 제1 화소(PX1)의 화소전극(211)은 이웃하는 제2 화소(PX2)의 화소전극(211) 대비 더 큰 면적을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 제3 화소(PX3)의 화소전극(211)은 제1 화소(PX1)의 화소전극(211)과 동일한 면적을 가질 수 있다. 화소전극(211)은 사각형, 팔각형 등의 다각형, 원형, 타원형 등의 형태를 가질 수 있으며, 다각형은 꼭지점이 라운드된 형태도 포함할 수 있다.
일 실시예로, 제1 화소(PX1)는 적색의 빛을 발광하는 적색 화소이고, 제2 화소(PX2)는 녹색의 빛을 발광하는 녹색 화소이고, 제3 화소(PX3)는 청색의 빛을 발광하는 청색 화소일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 화소(PX1)는 적색 화소이고, 제2 화소(PX2)는 청색 화소이고, 제3 화소(PX3)는 녹색 화소일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
기판(100)의 표시영역(DA)은 제1 영역(A1), 및 제1 영역(A1) 주변의 제2 영역(A2)을 포함할 수 있다. 제1 영역(A1)은 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2), 및 제3 화소(PX3) 각각의 유기발광다이오드(OLED)가 위치하는 영역일 수 있다. 제1 영역(A1)에 화소전극(211)이 배치되며, 제1 영역(A1)의 면적은 화소전극(211)의 면적보다 좁을 수 있다. 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)을 둘러싸는 영역으로, 복수의 제1 영역(A1)들 사이에 위치하는 영역일 수 있다. 제2 영역(A2)에는 화소정의막(117)이 배치될 수 있다. 제1 영역(A1)은 화소정의막(117)의 제1 개구(117OP)에 의한 화소전극(211)의 노출영역에 대응되고, 제2 영역(A2)은 화소전극(211)들 사이의 화소정의막(117)이 배치된 영역에 대응될 수 있다. 따라서, 기판(100)의 제1 영역(A1), 및 제2 영역(A2)은 각각 화소(PX)의 제1 영역(A1), 및 제2 영역(A2)으로 이해될 수 있다. 본 명세서에서 제1 영역(A1)은 제1 개구(117OP)를 위에서 보았을 때 최소 면적을 갖는 제1 개구(117OP)의 저면에 대응하는 영역으로 정의될 수 있다. 도 6에서 제1 개구(117OP)의 저면의 윤곽은 실선으로 표시하고, 화소전극(211)의 윤곽은 점선으로 표시하였다.
도 7을 참조하면, 기판(100) 상에는 불순물이 박막트랜지스터의 반도체층으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(111)이 배치될 수 있다.
기판(100)은 글라스재, 금속재 또는 플라스틱재 등과 같은 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기판(100)은 플렉서블 기판일 수 있는데, 예를 들어 폴리에테르술폰(polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이드(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylenesulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.
버퍼층(111)은 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층일 수 있다. 기판(100)과 버퍼층(111) 사이에는 배리어층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 배리어층은 기판(100) 등으로부터의 불순물이 반도체층으로 침투하는 것을 방지하거나 최소화하는 역할을 할 수 있다. 배리어층은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다.
기판(100) 상에는 박막트랜지스터(TFT), 스토리지 커패시터(Cst), 및 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결되는 유기발광다이오드(200)가 배치될 수 있다. 유기발광다이오드(200)가 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결된다는 것은, 화소전극(211)이 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결되는 것으로 이해될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 도 4, 및 도 5의 구동 박막트랜지스터(T1)일 수 있다.
박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(132), 게이트전극(134), 소스전극(136S), 및 드레인전극(136D)을 포함할 수 있다. 반도체층(132)은 산화물 반도체물질을 포함할 수 있다. 반도체층(132)은 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(134)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예를 들어 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 구비될 수 있다.
반도체층(132)과 게이트전극(134) 사이에 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 제1 절연층(112)이 개재될 수 있다. 게이트전극(134)과 소스전극(136S) 및 드레인전극(136D) 사이에는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 제2 절연층(113), 및 제3 절연층(114)이 배치될 수 있다. 소스전극(136S), 및 드레인전극(136D)은 제2 절연층(113), 및 제3 절연층(114)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(132)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
소스전극(136S), 및 드레인전극(136D)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 소스전극(136S), 및 드레인전극(136D)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제2 절연층(113)을 사이에 두고 중첩되는 제1 전극(CE1)과 제2 전극(CE2)을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩될 수 있다. 도 7에서 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(134)이 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(CE1)인 것을 도시하고 있다. 다른 실시예로서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있다. 즉, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(CE1)은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(134)과 별개의 구성요소로서 제1 절연층(112) 상에 배치될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제3 절연층(114)으로 커버될 수 있다.
박막트랜지스터(TFT), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 화소회로는 제1 평탄화층(115), 및 제2 평탄화층(116)으로 커버될 수 있다. 제1 평탄화층(115) 및 제2 평탄화층(116)은 평탄화 절연층으로 유기절연층일 수 있다. 제1 평탄화층(115), 및 제2 평탄화층(116)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등과 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1 평탄화층(115), 및 제2 평탄화층(116)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
제2 평탄화층(116) 상부에 표시소자, 예를 들어 유기발광다이오드(200)가 배치될 수 있다. 유기발광다이오드(200)는 화소전극(211), 중간층(231), 및 대향전극(251)을 포함할 수 있다.
화소전극(211)은 제2 평탄화층(116) 상에 배치되며, 제1 평탄화층(115) 상의 연결전극(181)을 통해 박막트랜지스터(TFT)와 연결될 수 있다. 제1 평탄화층(115) 상에는 데이터선(DL), 구동전압선(PL) 등의 배선(183)이 배치될 수 있다.
화소전극(211)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(211)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 화소전극(211)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 화소전극(211)은 ITO/Ag/ITO로 구비될 수 있다.
제2 평탄화층(116) 상에는 화소정의막(117)이 배치될 수 있다. 화소정의막(117)은 화소전극(211)의 가장자리를 덮으며, 화소전극(211)의 일부가 노출되도록 하는 제1 개구(117OP)를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 할 수 있다. 제1 개구(117OP)는 도 6의 제1 영역(A1)에 대응할 수 있다. 화소정의막(117)은 화소전극(211)의 가장자리와 대향전극(251) 사이의 거리를 증가시킴으로써, 화소전극(211)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 화소정의막(117)은 예를 들어 폴리이미드(PI; polyimide) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.
중간층(231)은 발광층을 포함할 수 있다. 발광층은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 유기물 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 중간층(231)은 발광층의 아래에 배치된 제1 기능층 및/또는 발광층의 위에 배치된 제2 기능층을 포함할 수 있다. 제1 기능층 및/또는 제2 기능층은 복수의 화소전극(211)들에 걸쳐서 일체인 층을 포함할 수도 있고, 복수의 화소전극(211)들 각각에 대응하도록 패터닝된 층을 포함할 수도 있다.
제1 기능층은 단층 또는 다층일 수 있다. 예를 들어 제1 기능층이 고분자 유기물로 형성되는 경우, 제1 기능층은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나 폴리아닐린(PANI: polyaniline)으로 형성될 수 있다. 제1 기능층이 저분자 유기물로 형성되는 경우, 제1 기능층은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.
제2 기능층은 언제나 구비되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 기능층과 발광층이 고분자 유기물로 형성되는 경우, 유기발광다이오드의 특성이 향상되도록, 제2 기능층을 형성하는 것이 바람직할 수 있다. 제2 기능층은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2 기능층은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
대향전극(251)은 중간층(231)을 사이에 두고 화소전극(211)과 마주보도록 배치될 수 있다. 대향전극(251)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 대향전극(251)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(251)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
대향전극(251)은 중간층(231)과 화소정의막(117)의 상부에 배치될 수 있다. 대향전극(251)은 표시영역(DA)에서 복수의 유기발광다이오드(200)들에 있어 일체(一體)로 형성되어 복수의 화소전극(211)들에 대향될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8을 참조하면, 대향전극(251) 상부에는 봉지부재(300)로서 박막봉지층이 배치될 수 있다. 박막봉지층은 외부로부터의 수분이나 산소 등으로부터 유기발광다이오드(200)를 보호하는 역할을 할 수 있다. 박막봉지층은 다층구조를 가질 수 있다. 박막봉지층은 제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320), 및 제2 무기봉지층(330)을 포함할 수 있다. 박막봉지층이 다층구조로 형성됨으로써 박막봉지층 내에 크랙이 발생한다고 하더라도, 제1 무기봉지층(310)과 유기봉지층(320) 사이에서 또는 유기봉지층(320)과 제2 무기봉지층(330) 사이에서 크랙이 연결되지 않을 수 있어, 외부로부터의 수분이나 산소 등이 표시영역(DA)으로 침투하게 되는 경로가 형성되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다. 다른 실시예로, 유기봉지층의 개수와 무기봉지층의 개수 및 적층 순서는 변경될 수 있다.
제1 무기봉지층(310)은 대향전극(251)을 덮으며, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1 무기봉지층(310)은 그 하부의 구조물을 따라 형성되므로 상면이 평탄하지 않을 수 있다.
유기봉지층(320)은 제1 무기봉지층(310)을 덮으며 충분한 두께를 가질 수 있다. 유기봉지층(320)의 상면은 표시영역(DA) 전반에 걸쳐서 실질적으로 평탄할 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산, 아크릴계 수지(예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등) 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
제2 무기봉지층(330)은 유기봉지층(320)을 덮으며, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제2 무기봉지층(330)은 유기봉지층(320) 외측으로 연장되어 주변영역(PA)에서 제1 무기봉지층(310)과 컨택됨으로써, 유기봉지층(320)이 외부로 노출되지 않도록 할 수 있다.
한편, 박막봉지층을 형성하는 과정에서 그 하부의 구조물들이 손상될 수도 있다. 예를 들어 제1 무기봉지층(310)을 형성하는 공정 시, 제1 무기봉지층(310)이 형성되는 그 직하의 층이 손상될 수 있다. 따라서 박막봉지층을 형성하는 과정에서 하부의 구조물이 손상되는 것을 방지하기 위해, 대향전극(251)과 박막봉지층 사이에 적어도 하나의 캡핑층 및/또는 보호층이 개재될 수 있다. 캡핑층 및/또는 보호층은 무기물을 포함할 수 있다.
유기발광다이오드(200) 상부, 예를 들어, 봉지부재(300) 상부에 굴절층(500)이 배치될 수 있다. 굴절층(500)은 유기발광다이오드(200)의 발광층에서 방출되는 광의 경로를 조절하며, 집광렌즈 역할을 할 수 있다. 굴절층(500)은 유기발광다이오드(200)의 발광층에서 방출되는 광 중 측방향(예를 들어, 제3 방향(z방향) 외의 방향)으로 진행하는 광의 경로를 변경하여 대략적으로 전방인 제3 방향(z방향)으로 진행시킬 수 있다. 굴절층(500)은 제1 굴절층(510), 및 제2 굴절층(520)을 포함할 수 있다.
제1 굴절층(510)은 기판(100)의 제2 영역(A2)에 대응되어 배치되고, 기판(100)의 제1 영역(A1)에 대응하는 봉지부재(300)의 최상면을 노출하는 제2 개구(510OP)를 포함할 수 있다. 즉 제1 굴절층(510)은 복수의 제2 개구(510OP)들이 구비되어 격자 구조로 형성될 수 있다. 제1 굴절층(510)의 제2 개구(510OP)는 봉지부재(300) 상부의 제1 굴절층을 형성하는 물질을 포토 식각 공정을 이용하여 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 제1 굴절층(510)의 제2 개구(510OP)는 화소정의막(117)의 제1 개구(117OP)를 둘러싸며, 화소정의막(117)의 제1 개구(117OP)와 중첩될 수 있다. 제1 굴절층(510)의 제2 개구(510OP)는 화소정의막(117)의 제1 개구(117OP)보다 클 수 있다. 제1 굴절층(510)의 제2 개구(510OP)의 형상은 화소정의막(117)의 제1 개구(117OP)의 형상과 동일할 수 있다.
일 실시예로, 제1 굴절층(510)의 제2 개구(510OP)들은 그 하부에 배치된 복수의 표시소자들 즉, 복수의 유기발광다이오드(200)에 대응될 수 있다.
제1 굴절층(510)은 제1 굴절률을 가질 수 있다. 일 실시예로, 제1 굴절층(510)의 제1 굴절률은 1.3 내지 1.5일 수 있고, 1.3 내지 1.6일 수 있으며, 1.3 내지 1.4일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
제1 굴절층(510)은 저굴절률을 갖는 광 투과성 무기물질 또는 유기물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 무기물질은 실리콘옥사이드, 플루오르화마그네슘 등을 포함할 수 있다. 유기물질은 아크릴(acrylic), 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide) 및 Alq3[Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium] 등으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 굴절층(520)은 제1 굴절층(510)의 제2 개구(510OP)를 채우며 제1 굴절층(510) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제2 굴절층(520)은 제1 굴절층(510)을 덮을 수 있다. 제2 굴절층(520)은 기판(100) 상부의 전면을 커버하고, 상부면은 대략 평탄할 수 있다. 제2 굴절층(520)은 잉크젯 공정, 또는 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.
제2 굴절층(520)은 고굴절률을 갖는 광 투과성 무기물질 또는 유기물질을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제2 굴절층(520)은 제2 굴절층(520) 내에 분산된 고굴절입자(530)들을 포함할 수 있다. 상기 고굴절입자(530)들은 징크옥사이드, 티타늄옥사이드, 나이오븀옥사이드, 탄탈옥사이드, 틴옥사이드, 니켈옥사이드, 실리콘나이트라이드, 인듐나이트라이드, 갈륨나이트라이드 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 고굴절입자(530)들은 지르코늄옥사이드일 수 있다.
일 실시예로, 고굴절입자(530)들은 구형 또는 무정형으로 제2 굴절층(520) 내에 분산되어 있을 수 있다. 고굴절입자(530)들이 구형으로 제2 굴절층(520) 내에 분산되어 있을 경우, 고굴절입자(530)들의 평균 직경은 5 nm 내지 30 nm일 수 있다.
제2 굴절층(520)은 분산된 고굴절입자(530)들을 포함하므로, 제2 굴절층(520)은 제1 굴절층(510)의 제1 굴절률보다 높은 제2 굴절률을 가질 수 있다. 제2 굴절층(520)의 제2 굴절률은 1.6 내지 1.8일 수 있고, 1.6 내지 1.9일 수 있으며, 1.6 내지 2일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다. 일 실시예로, 제1 굴절층(510)과 제2 굴절층(520)은 0.1 내지 0.3의 굴절률 차이를 가질 수 있다.
제2 굴절층(520)은 고굴절입자(530)들이 제1 농도로 구비된 제1 층(521), 및 고굴절입자(530)들이 제1 농도와 상이한 제2 농도로 구비된 제2 층(522)을 포함할 수 있다. 이에 대해서는 후술할 도 10에서 보다 자세히 설명하기로 한다.
일 실시예로, 제2 굴절층(520)은 산란입자를 포함할 수 있다. 산란입자는 나노 사이즈(nano size)를 가질 수 있다. 예를 들어, 산란입자의 입자경은 50nm 내지 1000nm 사이일 수 있다. 일 실시예에서, 산란입자는 무기입자일 수 있다. 예를 들어, 산란입자는 실리카(silica), ZrO2, TiO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3 등이 될 수 있다. 다른 실시예에서, 산란입자는 유기입자일 수 있다. 예를 들어, 산란입자는 폴리스타이렌(polystyrene), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA: polymethtylmethacrylate), 아크릴-스타이렌 공중합체, 멜라민, 폴리카보네이트 등이 될 수 있다. 산란입자는 1종으로 구성될 수도 있고, 2종 이상으로 구성될 수 있다. 제2 굴절층(520)이 산란입자를 포함하므로, 정면으로 방출되는 광과 측면으로 방출되는 광의 색 편이가 개선될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 굴절층(500)의 광 추출을 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 9를 참조하면, 유기발광다이오드(200)는 절연면 상부에 배치될 수 있다. 예를 들어 유기발광다이오드(200)는 제2 평탄화층(116)의 상부에 배치될 수 있다.
제2 개구(510OP) 저면의 제2 폭(W2)은 제1 개구(117OP) 저면의 제1 폭(W1)보다 클 수 있다. 여기서, 폭은 저면의 최대폭일 수 있다. 제2 폭(W2)과 제1 폭(W1)의 차이(△W)는 화소마다 상이할 수 있다. 예를 들어, 제3 화소(PX3)에서 제2 폭(W2)과 제1 폭(W1)의 차이(△W)는 제1 화소(PX1)에서 제2 폭(W2)과 제1 폭(W1)의 차이(△W)보다 크고, 제2 화소(PX2)에서 제2 폭(W2)과 제1 폭(W1)의 차이(△W)보다 작을 수 있다. 도 9에서 제2 개구(510OP)의 제2 폭(W2)이 화소전극(211)의 폭과 동일하게 도시되었으나, 다른 실시예에서, 제2 개구(510OP)의 제2 폭(W2)은 화소전극(211)의 폭보다 작을 수 있다.
한편, 유기발광다이오드(200)로부터 방출된 광은 제1 굴절층(510)의 측면을 향해 비스듬히 입사하는 광(L1)과 제2 굴절층(520)을 통과하며 방향 변경 없이 대략 제3 방향(z방향)으로 추출되는 광(L3)을 포함할 수 있다.
이 중, 제1 굴절층(510)의 경사진 측면을 향해 입사하는 광(L1)은 제1 굴절층(510)과 제2 굴절층(520)의 계면에서 전반사되어 광 경로가 변경되고, 전반사된 광(L2)은 대략 제3 방향(z방향)으로 추출될 수 있다. 이에 따라 전방의 가상영역에 생성되는 화소의 발광패턴 면적이 넓어질 수 있다. 즉, 제1 굴절률을 가지는 제1 굴절층(510)과 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가지는 제2 굴절층(520)의 계면에서의 전반사에 의해 전방의 광 추출 효율이 향상되어 정면 시인성이 향상될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 10은 도 8의 A 부분을 확대한 도면에 해당한다.
도 8, 및 도 10을 참조하면, 굴절층(500)은 제1 굴절층(510), 및 제2 굴절층(520)을 포함할 수 있다. 제2 굴절층(520)은 고굴절입자(530)들이 제1 농도로 구비된 제1 층(521), 및 고굴절입자(530)들이 제1 농도와 상이한 제2 농도로 구비된 제2 층(522)을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제3 방향(z방향)으로 고굴절입자(530)들이 제1 농도로 구비된 제1 층(521)이 하부에 위치하고, 고굴절입자(530)들이 제1 농도와 상이한 제2 농도로 구비된 제2 층(522)이 그 상부에 위치할 수 있다. 이때, 제2 농도는 제1 농도보다 높을 수 있다.
다른 실시예로, 제3 방향(z방향)으로 고굴절입자(530)들이 제1 농도로 구비된 제1 층(521)이 상부에 위치하고, 고굴절입자(530)들이 제1 농도와 상이한 제2 농도로 구비된 제2 층(522)이 그 하부에 위치할 수 있다. 이때, 제2 농도는 제1 농도보다 높을 수 있다.
일 실시예로, 제2 층(522)에 분산된 고굴절입자(530)들의 제2 농도는 75 wt% 내지 95 wt%일 수 있고, 80 wt% 내지 95 wt%일 수 있으며, 75 wt% 내지 90 wt%일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다. 예컨대, 제2 층(522)에 분산된 고굴절입자(530)들의 제2 농도는 80 wt% 내지 90 wt%일 수 있다. 또한, 제1 층(521)에 분산된 고굴절입자(530)들의 제1 농도는 45 wt% 내지 75 wt%일 수 있고, 45 wt% 내지 70 wt%일 수 있으며, 50 wt% 내지 75 wt%일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다. 예컨대, 제1 층(521)에 분산된 고굴절입자(530)들의 제1 농도는 50 wt% 내지 70 wt%일 수 있다. 제2 층(522)에 분산된 고굴절입자(530)들의 제2 농도는 제1 층(521)에 분산된 고굴절입자(530)들의 제1 농도보다 높을 수 있다.
제2 굴절층(520)의 제2 층(5220)의 두께가 얇거나 두꺼운 경우 출광 효율이 낮아지는 문제점이 존재할 수도 있다. 따라서, 일 실시예로, 고굴절입자(530)들이 고농도로 분산된 제2 층(522)은 제1 층(521)의 상면으로부터 제1 두께(T1)를 가질 수 있다. 이때, 제1 두께(T1)는 0.5 ㎛ 내지 1 ㎛일 수 있고, 0.6 ㎛ 내지 1 ㎛일 수 있으며, 0.7 ㎛ 내지 1 ㎛일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다. 예컨대, 제1 두께(T1)는 0.8 ㎛ 내지 1 ㎛일 수 있다.
도 11은 제2 굴절층의 굴절률에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이다. 보다 구체적으로, 도 11은 굴절층(500)이 제1 굴절층(510), 및 제2 굴절층(520)을 포함하고, 제2 굴절층(520)이 고굴절입자(530)들이 50 wt% 내지 70 wt%의 농도로 구비된 제1 층(521), 및 고굴절입자(530)들이 80 wt% 내지 90 wt%의 농도로 구비된 제2 층(522)을 포함하는 구조에 있어서, 제2 굴절층(520)의 굴절률에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이다. 이때, 제2 층(522)의 두께는 0.5 ㎛ 내지 1 ㎛이다.
도 11에 있어서, a는 적색 광인 경우, b는 녹색 광인 경우, 및 c는 청색 광인 경우의 굴절률에 따른 출광 효율에 해당한다. 또한, 출광 효율은 굴절층을 포함하지 않는 구조 대비 상기와 같은 굴절층을 포함하는 구조의 효율을 의미한다.
도 11을 참조하면, 제2 굴절층(520)의 굴절률이 1.55 내지 2의 값을 가지는 경우, 적색 광, 녹색 광, 및 청색 광 모두 출광 효율이 100%를 넘는 것을 확인할 수 있다. 특히, 제2 굴절층(520)의 굴절률이 1.6 내지 1.95의 값을 가지는 경우, 적색 광, 녹색 광, 및 청색 광의 출광 효율이 모두 110%를 초과하는 것을 확인할 수 있다.
일반적으로 출광 효율이 110%를 초과하는 경우, 출광 효율이 향상되었다고 할 수 있으므로, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)가 굴절층(500)이 제1 굴절층(510), 및 제2 굴절층(520)을 포함하고, 제2 굴절층(520)이 고굴절입자(530)들이 50 wt% 내지 70 wt%의 농도로 구비된 제1 층(521), 및 고굴절입자(530)들이 80 wt% 내지 90 wt%의 농도로 구비된 제2 층(522)을 포함하는 경우, 표시 장치(1)의 출광 효율이 향상될 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 12는 도 8의 B 부분을 확대한 도면에 해당한다.
도 12를 참조하면, 도 9에서 전술한 바와 같이, 제1 굴절층(510)과 제2 굴절층(520)의 계면에서 제1 굴절층(510)으로 입사하는 광(L1)의 전반사가 일어나기 위해서는, 제1 굴절층(510)으로 입사하는 광(L1)의 입사각이 임계각보다 커야 하며, 이를 위해 제1 굴절층(510)의 측면은 약 70°의 기울기(θ)를 가질 수 있다. 한편, 제1 굴절층(510)은 봉지부재(300) 상부에 제1 굴절층(510)을 형성하는 물질을 포토 식각 공정을 이용하여 패터닝함으로써 형성될 수 있는데, 포토 식각 공정 후에 제2 개구(510OP) 내벽이 약 70°의 기울기(θ)를 가지고 형성되도록 하기 위해서 제1 굴절층(510)은 1.5㎛ 내지 2.5㎛의 두께(T2)를 가질 수 있다.
도 13, 및 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도들이다. 도 13, 및 도 14를 참조하면, 기판(100), 화소층(PXL), 봉지부재(300), 및 굴절층(500)의 구조는 앞서 도 2, 및 도 8을 참조하여 설명한 바와 동일하며, 이하에서는 전술된 구성과 동일한 구성에 대해 설명은 생략한다.
일 실시예로, 표시 장치(1)는 봉지부재(300)와 굴절층(500) 사이에 배치된 입력감지층(400)을 더 포함할 수 있다.
입력감지층(400)은 외부의 입력, 예컨대 손가락 또는 스타일러스펜와 같은 물체의 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 입력감지층(400)은 감지전극 및/또는 트레이스라인 등을 포함할 수 있다. 입력감지층(400)은 뮤추얼 캡 방식 또는 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
입력감지층(400)은 감지전극 및/또는 트레이스라인 등을 포함하는 제1 도전층(MTL1)과 제2 도전층(MTL2)을 포함할 수 있다. 봉지부재(300)와 제1 도전층(MTL1) 사이에는 제1 터치절연층(410)이 배치될 수 있고, 제1 도전층(MTL1)과 제2 도전층(MTL2) 사이에는 제2 터치절연층(430)이 배치될 수 있다.
제1 도전층(MTL1), 및 제2 도전층(MTL2)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 도전성 물질은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있으며, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일부 실시예로서, 제1 도전층(MTL1), 및 제2 도전층(MTL2)은 티타늄층, 알루미늄층, 및 티타늄층이 순차적으로 적층(Ti/Al/Ti)된 구조를 가질 수 있다.
제1 터치절연층(410), 및 제2 터치절연층(430)은 무기절연물 및/또는 유기절연물을 포함할 수 있다. 무기절연물은 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘나이트라이 등을 포함할 수 있다. 유기절연물은 아크릴계, 이미드계 유기물을 포함할 수 있다.
제2 도전층(MTL2), 및 제2 터치절연층(430) 상에는 굴절층(500)의 제1 굴절층(510)이 배치될 수 있다. 제1 굴절층(510)은 입력감지층(400)의 도전층, 예컨대, 제2 도전층(MTL2)을 패시베이션하는 보호층일 수 있다. 따라서, 제2 도전층(MTL2)은 굴절층(500)의 제1 굴절층(510)과 중첩되며 배치될 수 있다.
제1 굴절층(510)은 기판(100)의 제2 영역(A2)에 대응되어 배치되고, 기판(100)의 제1 영역(A1)에 대응하는 입력감지층(400)의 제2 터치절연층(430)의 최상면을 노출하는 제2 개구(510OP)를 포함할 수 있다. 제1 굴절층(510)의 제2 개구(510OP)는 입력감지층(400) 상부의 제1 굴절층을 형성하는 물질을 포토 식각 공정을 이용하여 패터닝함으로써 형성될 수 있다.
표시 장치(1)가 입력감지층(400)을 포함하는 경우, 제1 굴절층(510)은 제2 터치절연층(430)의 상면으로부터 1.5㎛ 내지 2.5㎛의 두께를 가질 수 있다.
제2 굴절층(520)은 제1 굴절층(510)의 제2 개구(510OP)를 채우며 제1 굴절층(510) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제2 굴절층(520)은 제1 굴절층(510)을 덮을 수 있다. 제2 굴절층(520)은 기판(100) 상부의 전면을 커버하고, 상부면은 대략 평탄할 수 있다. 제2 굴절층(520)은 잉크젯 공정, 또는 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.
제2 굴절층(520)의 적어도 일부는 입력감지층(400)의 제2 터치절연층(430)의 최상면을 노출하는 제2 개구(510OP) 내에 배치될 수 있다. 예컨대, 제2 굴절층(520)의 적어도 일부는 입력감지층(400)의 제2 터치절연층(430) 상에 직접 배치될 수 있다.
도 15, 및 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도들이다. 도 15, 및 도 16을 참조하면, 기판(100), 화소층(PXL), 봉지부재(300), 입력감지층(400), 및 굴절층(500)의 구조는 앞서 설명한 바와 동일하며, 이하에서는 전술된 구성과 동일한 구성에 대해 설명은 생략한다.
일 실시예로, 표시 장치(1)는 굴절층(500) 상에 차례로 배치된 편광층(600), 점착층(700), 및 윈도우(800)를 더 포함할 수 있다.
편광층(600)은 표시소자층(DPL)의 표시소자로부터 방출되는 빛을 편광축과 동일한 방향으로 진동하는 빛만 투과시키고, 그 외의 방향으로 진동하는 빛은 흡수하거나 반사시킬 수 있다. 편광층(600)은 위상지연자(retarder), 및/또는 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 또한, 편광층(600)은 블랙매트릭스, 및/또는 컬러필터를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 굴절층(500)과 편광층(600)은 광학 투명 점착제(OCA)와 같은 점착제에 의해 점착될 수도 있다.
편광층(600) 상에는 윈도우(800)가 배치되며, 이들 사이에는 광학 투명 점착제(OCA)와 같은 점착층(700)이 개재될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(1)는 저굴절층, 및 고굴절층을 포함하는 굴절층을 구비하여 표시 장치의 정면으로 추출되는 광 효율을 향상시킬 수 있다. 보다 구체적으로, 굴절층이 저굴절층, 및 고굴절층을 포함하고, 고굴절층이 고굴절입자들이 50 wt% 내지 70 wt%의 농도로 분산된 제1 층, 및 고굴절입자들이 80 wt% 내지 90 wt%의 농도로 분산된 제2 층을 구비하여 표시 장치의 정면으로 추출되는 광 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 표시 장치
100: 기판
510: 제1 굴절층
520: 제2 굴절층
521: 제1 층
522: 제2 층

Claims (30)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되되, 복수의 표시소자들을 포함하는 화소층;
    상기 화소층을 밀봉하는 봉지부재; 및
    상기 봉지부재 상에 배치되되, 상기 복수의 표시소자들에 대응되는 개구들을 포함하는 제1 굴절층, 및 고굴절입자들을 포함하는 제2 굴절층을 포함하는 굴절층;을 구비하며,
    상기 제2 굴절층은,
    상기 고굴절입자들이 제1 농도로 분산된 제1 층, 및 상기 고굴절입자들이 상기 제1 농도와 상이한 제2 농도로 분산된 제2 층을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 농도는 상기 제1 농도보다 높은, 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 농도는 50 wt% 내지 70 wt%인, 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제2 농도는 80 wt% 내지 90 wt%인, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 굴절층은 상기 제1 굴절층을 덮는, 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 고굴절입자들의 평균 직경은 5 nm 내지 30 nm인, 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 층의 두께는 0.5 ㎛ 내지 1 ㎛인, 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 굴절층은 상기 제1 굴절층보다 큰 굴절률을 갖는, 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 굴절층의 굴절률은 1.3 내지 1.5인, 표시 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2 굴절층의 굴절률은 1.6 내지 1.9인, 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 굴절층은 잉크젯 공정, 또는 증착 공정에 의해 배치되는, 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 개구들 각각의 내벽은 경사면을 포함하는, 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 굴절층의 두께는 1.5 ㎛ 내지 2.5 ㎛인, 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 봉지부재와 상기 굴절층 사이에 배치되고, 감지전극 또는 트레이스라인을 포함하는 적어도 하나의 도전층, 및 절연층을 포함하는 입력감지층을 더 포함하는, 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 굴절층은 상기 입력감지층의 상기 도전층과 중첩되는, 표시 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 굴절층 상에 배치되는, 편광층을 더 포함하는, 표시 장치.
  17. 광을 방출하는 표시소자;
    상기 표시소자 상에 배치되고, 상기 표시소자에 대응되는 개구를 갖는 제1 굴절층, 및 상기 제1 굴절층과 상이한 굴절률을 갖는 제2 굴절층을 포함하는 굴절층; 및
    상기 굴절층 상에 배치되는 편광층;을 구비하고,
    상기 제2 굴절층은,
    고굴절입자들이 제1 농도로 분산된 제1 층, 및 상기 고굴절입자들이 상기 제1 농도와 상이한 제2 농도로 분산된, 제2 층을 포함하고,
    상기 표시소자에서 방출된 광 중 일부는 상기 개구의 내벽과 상기 제2 굴절층의 계면에서 전반사되어 광 경로가 변경되는, 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 표시소자는, 화소전극, 상기 화소전극 상에 배치되되, 발광층을 포함하는 중간층, 및 상기 중간층 상에 배치되는 대향전극을 포함하고,
    상기 제1 굴절층은 상기 화소전극의 가장자리를 덮는 화소정의막과 중첩되는, 표시 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 표시소자와 상기 굴절층 사이에 개재되는 봉지부재를 더 포함하는, 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 봉지부재와 상기 굴절층 사이에 개재되며, 감지전극 또는 트레이스라인을 포함하는 적어도 하나의 도전층, 및 절연층을 포함하는 입력감지층을 더 포함하는, 표시 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제1 굴절층은 상기 입력감지층의 상기 도전층과 중첩되는, 표시 장치.
  22. 제17항에 있어서,
    상기 제2 농도는 상기 제1 농도보다 높은, 표시 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 제1 농도는 50 wt% 내지 70 wt%인, 표시 장치.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 제2 농도는 80 wt% 내지 90 wt%인, 표시 장치.
  25. 제17항에 있어서,
    상기 고굴절입자들의 평균 직경은 5 nm 내지 30 nm인, 표시 장치.
  26. 제17항에 있어서,
    상기 제2 층의 두께는 0.5 ㎛ 내지 1 ㎛인, 표시 장치.
  27. 제17항에 있어서,
    상기 제1 굴절층의 굴절률은 1.3 내지 1.6인, 표시 장치.
  28. 제17항에 있어서,
    상기 제2 굴절층의 굴절률은 1.6 내지 1.9인, 표시 장치.
  29. 제17항에 있어서,
    상기 제2 굴절층은 잉크젯 공정, 또는 증착 공정에 의해 배치되는, 표시 장치.
  30. 제17항에 있어서,
    상기 제1 굴절층의 두께는 1.5 ㎛ 내지 2.5 ㎛인, 표시 장치.
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