CN101378006A - 单一型基体处理装置及其清洁方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title abstract description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 127
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 207
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims description 18
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims description 18
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 claims description 16
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 3
- 229960002163 hydrogen peroxide Drugs 0.000 claims description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明公开了一种单一型基体处理装置及其清洁方法。在一系列重复的基体处理过程之后，周期性地在基体支撑构件上进行清洁过程，除去残留在基体支撑构件上的污染物，并最小化高温化学溶液所造成的基体支撑构件的热变形。
Description
相关申请的交叉引用
根据35U.S.C.§119，本美国非临时专利申请要求2007年8月29日提交的、韩国专利申请号为10-2007-0086907的优先权，此专利的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种基体处理装置及其方法，尤其涉及一种用于清洁基体的单一型基体处理装置及其清洁方法。
背景技术
随着半导体设备的密度、集成度越来越高，性能越来越强，电路图形的细微化得到了快速提高。因此，颗粒物，有机污染物和金属杂质等污染物对设备性能和产品产量具有更多影响。所以，在半导体制造过程中，消除附着在基体表面上的各种污染物的清洁过程是一个重要环节。在各个单元处理的前后都要清洁基体。
一般半导体制造过程中使用的清洁方法大体上分成干清洁方法和湿清洁方法。湿清洁方法分成槽型方法(bath type)和旋转式(spin type)方法。在槽型方法中，将基体浸泡到一种化学溶液中，用化学溶液除去污染物。在旋转式方法中，将化学溶液添加到安装在旋转卡盘上的基体上，从而除去污染物。
此外，基体固定在可以处理单一基体的卡盘构件上。通过喷嘴将化学溶液或去离子水喷洒到旋转基体上，通过离心力将化学溶液或去离子水喷洒到基体的整个表面上，从而清洁基体。随后用烘干气体烘干基体。
发明内容
本发明提供一种单一型基体处理装置及其清洁方法，该装置能够除去用于支撑基体的基体支撑构件上的污染物。
本发明还提供一种单一型基体处理装置及其清洁方法，该装置能够将基体支撑构件的热变形最小化。
本发明的实施例提供的单一型基体处理装置包含一种支撑基体的基体支撑构件，以及清洁溶液供应单元，该清洁溶液供应单元将清洁溶液喷洒到基体支撑构件上，从而除去残留在基体支撑构件上的污染物。
在一些实施例中，清洁溶液供应单元放置在基体支撑构件上的喷嘴体中，并且包含一个喷嘴，该喷嘴的一端***到形成在喷嘴体内部的清洁溶液供应线中，并将清洁溶液喷洒到基体支撑构件上。
在本发明的另一些实施例中，该单一型基体处理装置可以进一步包含用于旋转基体支撑构件的驱动器。
在本发明的另一些实施例中，单一型基体处理装置包含用于支撑基体的可旋转基体支撑构件，基体在基体支撑构件之上，与该基体支撑构件之间有一定距离；将化学溶液喷洒到基体底部表面的化学溶液供应单元；以及清洁溶液供应单元，该清洁溶液供应单元将清洁溶液/喷洒到基体支撑构件，从而在使用化学溶液的基体处理过程之后，除去残留在基体支撑构件上的化学溶液。
在一些实施例中，化学溶液供应单元和清洁溶液供应单元放置在位于基体支撑构件上的喷嘴体中。
在另一些实施例中，清洁溶液供应单元包含一个喷嘴，该喷嘴的一端***至形成在喷嘴体内部的清洁溶液供应线上，并将清洁溶液喷洒到基体支撑构件上。
在另一些实施例中，喷嘴与基体支撑构件的顶部表面垂直，并在喷嘴中形成第一和第二通道，第一通道沿着喷嘴的纵向设置，第二通道与第一通道相通，并平行于基体支撑构件的顶部表面。
在另一些实施例中，喷嘴与基体支撑构件的顶部表面垂直，并在喷嘴中形成第一和第二通道，第一通道沿着喷嘴的纵向设置，第二通道与第一通道相通，并向下倾斜到基体支撑构件的顶部表面。
在另一些实施例中，清洁溶液供应单元具有第一和第二通道，该第一和第二通道形成于喷嘴体中，第一通道垂直于基体支撑构件的顶部表面，第二通道与第一通道相通，并平行于基体支撑构件的顶部表面。
在另一些实施例中，清洁溶液供应单元具有第一和第二通道，该第一和第二通道形成于喷嘴体中，第一通道垂直于基体支撑构件的顶部表面，第二通道与第一通道相通，并向下倾斜到基体支撑构件的顶部表面。
在另一些实施例中，第二通道的一端处具有孔形的化学溶液出口。
在另一些实施例中，第二通道的一端处具有缝隙形的化学溶液出口。
在另一些实施例中，单一型基体处理装置进一步包含一种用于为化学溶液供应单元提供化学溶液的化学溶液供应线；以及放置在化学溶液供应线中的，在处理温度下将由化学溶液处理单元供应的化学溶液进行加热的加热器。
在另一些实施例中，清洁溶液包含室温去离子水。
在本发明的另一些实施例中，基体处理装置的清洁方法包含:将化学溶液喷洒到支撑在基体支撑构件上，并与该基体支撑构件具有一定距离的基体底部表面上，从而处理基体；将清洁溶液喷洒到基体支撑构件的顶部表面上，从而除去残留在基体支撑构件上的化学溶液。
在一些实施例中，基体支撑构件是可旋转的。
在另一些实施例中，化学溶液的温度可以相对较高于清洁溶液的温度。
在另一些实施例中，化学溶液可以包含氢氧化铵(NH4OH)，双氧水(H2O2)，氧化氢(H2O)的混合物。
在另一些实施例中，清洁溶液包含室温去离子水。
在另一些实施例中，在多个基体上依次进行一系列化学溶液处理过程之后，除去残留在基体支撑构件上的化学溶液。
附图说明
本发明包含的附图是用于更好的理解本发明，附图并入本说明书中，是本说明书的一部分。附图用于阐述本发明的示范性实施例，与说明一起，附图用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是本发明的单一型基体处理装置的示意图；
图2是图1中喷嘴体的平面图；
图3是图2的沿着线A-A’所获得的横截面图；
图4是显示图3的清洁溶液喷嘴的另一个实例的横截面图；
图5A和5B是清洁溶液喷嘴的出口的示意图；
图6是显示喷嘴体的另一个实例的平面图；
图7和图8是沿着图6的线B-B’所得到的横截面图；
图9显示了根据本发明的单一型基体处理装置的另一个实例；
图10A至图10F显示了根据本发明的单一型基体处理装置的一种使用；
图11显示了基体支撑构件的清洁过程。
具体实施方式
以下参考附图更详细的说明本发明的优选实施例。注意到用于阐述优选实施例的附图及其说明恰当地描述了所发明的设备运行的各方面优点，并且通过本发明的实施实现了其目的。还要注意到在附图中，同样的附图标记表示相同的元件。而且，为了防止混淆本发明的内容，除去了有关已知功能和配置的详细描述。
图1是本发明的单一型基体处理装置的示意图。
参考图1，单一型基体处理装置10包含外壳100，基体支撑构件200，处理液供应构件300和收集构件400。
外壳100为进行基体处理过程提供空间。外壳100为圆柱形，上端开口。外壳100开口的上半部用作将基体W放到基体支撑构件200上或将基体W从基体支撑构件200上挪开的基体入口。
外壳100中进行的基体处理过程包含化学溶液处理过程，冲洗过程和烘干过程。化学溶液处理过程中，在基体W上加入化学溶液，用于腐蚀或隔离残留在基体W上的污染物。冲洗过程中，将冲洗溶液加到化学溶液处理后的基体W上，以除去基体W上已经腐蚀或被隔离的污染物。烘干过程中，除去基体W上的冲洗溶液，然后将基体W烘干。在外壳100中依次放置的多个基体W上重复进行化学溶液处理过程，冲洗过程和烘干过程。当这些过程重复进行时，在基体支撑构件200上可能会产生由化学溶液生成的残留的化学溶液和烟雾等污染物。为了周期性的除去基体支撑构件200上的污染物，还在外壳100中进行清洁基体支撑构件200的清洁过程。
基体支撑构件200放在外壳100中。基体支撑构件200支撑基体W，并由后面将要描述的驱动器240进行旋转。基体支撑构件200包含顶部表面为圆形的支撑平板210。用于支撑基体W的销钉构件220放置在支撑平板210的顶部表面上。销钉构件220包含多个支撑销钉222和多个卡紧销钉224。支撑销钉222放置在支撑平板210的顶部表面的一个末端。支撑销钉222按预定布置排列，彼此之间相隔预定距离。支撑销钉222由支撑平板210向上突出。支撑销钉222支撑基体W的底部表面，而基体W在支撑平板210上，与支撑平板210相隔预定距离。卡紧销钉224分别放置在支撑销钉222的外侧。卡紧销钉224由支撑平板210向上突出。卡紧销钉224调整由多个支撑销钉222支撑的基体W，从而使得基体W放置在支撑平板210上的一个合适的位置。卡紧销钉224与基体W的一侧相接触，从而防止基体W不在正确的位置。
用于撑住支撑平板210的支撑轴230连接到支撑平板210的下端。支撑轴230由连接到其下端的驱动器240进行旋转。驱动器240可以包含一个发动机。当支撑轴230旋转时，支撑平板210和基体W一起旋转。当基体W放置在支撑平板210上或者从支撑平板210上移去，进行基体处理过程(化学溶液处理过程，冲洗过程和烘干过程)或基体支撑构件的清洁过程时，驱动器240可以随时垂直地移动支撑平板210。
处理液供应构件300为基体W的底部表面或基体支撑构件200的支撑平板210的顶部表面提供处理液。处理液供应构件300包含从基体支撑构件200的支撑平板210的顶部表面伸出的喷嘴体302。喷嘴体302设有化学溶液供应单元310，冲洗溶液供应单元320，烘干气体供应单元330和清洁溶液供应单元340。化学溶液供应单元310将化学溶液喷洒到基体W的底部表面上。冲洗溶液供应单元320将冲洗溶液喷洒到基体W的底部表面上。烘干气体供应单元330将烘干气体喷射到基体W的底部表面上。清洁溶液供应单元340将清洁溶液喷洒到基体支撑构件200的支撑平板210的顶部表面上。
基体处理过程中使用的化学溶液可以至少包含氢氟酸(HF)，硫酸(H2SO4)，硝酸(HNO3)，磷酸(H3PO4)，SC-1溶液(氢氧化铵NH4OH，双氧水H2O2和氧化氢H2O的混合物)中的一种。去离子水(DIW)可以用作冲洗溶液。异丙醇气体可以作为烘干气体。去离子水可以作为在基体支撑构件200的清洁过程中使用的清洁溶液。在基体支撑构件200的清洁过程中使用的清洁溶液可以在室温下使用。在基体处理过程中使用的化学溶液的温度可以相对较高于清洁溶液的温度。
参考图2，喷嘴体302具有圆形的平面形状。第一化学溶液供应单元310a放置在喷嘴体302的顶部表面的中心。第二和第三化学溶液供应单元310b和310c，冲洗溶液供应单元320和烘干气体供应单元330放置在喷嘴体302的顶部表面的边缘，从而使第二和第三化学溶液供应单元310b和310c，冲洗溶液供应单元320和烘干气体供应单元330相对于第一化学溶液供应单元310a彼此对称。根据处理情况，第一、第二和第三化学溶液供应单元310a，310b和310c提供上述化学溶液中的一种到基体W上。第一、第二和第三化学溶液供应单元310a、310b和310c，冲洗溶液供应单元320和烘干气体供应单元330可以有同样的构造。因此作为典型实例，此处将描述第一化学溶液供应单元310a，而省略第二和第三化学溶液供应单元310b和310c，冲洗溶液供应单元320和烘干气体供应单元330的描述。
参考图3，第一化学溶液供应单元310a包含化学溶液供应线312和化学溶液喷嘴314。化学溶液供应线312形成在喷嘴体302的内部。化学溶液喷嘴314的一端***到化学溶液供应线312中。化学溶液喷嘴314可以为管状。化学溶液喷嘴314的另一端是化学溶液出口315。化学溶液出口315指向基体支撑构件200支撑的基体W的底部表面。
喷嘴体302具有一个清洁溶液供应单元340，用于将清洁溶液喷洒到基体支撑构件200的支撑平板210的顶部表面。优选的，清洁溶液供应单元340放置在清洁溶液供应单元340与第二和第三化学溶液供应单元310b和310c、冲洗溶液供应单元320和烘干气体供应单元330不相干扰的多个位置的其中一个上。也就是说，这些位置是第二和第三化学溶液供应单元310b和310c、冲洗溶液供应单元320和烘干气体供应单元330不位于清洁溶液喷洒范围内的位置。这是为了防止从清洁溶液供应单元340中喷洒出的清洁溶液进入第二和第三化学溶液供应单元310b和310c、冲洗溶液供应单元320和烘干气体供应单元330的喷嘴中。
清洁溶液供应单元340包含清洁溶液供应线342和清洁溶液喷嘴344。清洁溶液供应线342形成在喷嘴体302中。清洁溶液喷嘴344的一端***到清洁溶液供应线342中。清洁溶液喷嘴344可以为管状。清洁溶液喷嘴344垂直于基体支撑构件200的支撑平板210的顶部表面。清洁溶液喷嘴344包含第一通道344a和第二通道344b。清洁溶液流入第一通道344a和第二通道344b。第一通道344a沿着清洁溶液喷嘴344的纵向设置。第二通道344b与第一通道344a相通并与基体支撑构件200的支撑平板210的顶部表面平行。参考图4，第二通道344b与第一通道344a相通并向下倾斜于基体支撑构件200的支撑平板210的顶部表面。第二通道344b的一端处是清洁溶液出口345。参考图5A和5B，清洁溶液出口345可以是孔形或是缝隙形。
与上述构造不同，化学溶液供应单元310、冲洗溶液供应单元320、烘干气体供应单元330和清洁溶液供应单元340在喷嘴体302中可以不包含附加的喷嘴。
图6的平面图显示了喷嘴体的另一个实例，图7和图8是图6的沿着线B-B′的横截面图。用相同的附图标记表示与图2和图3中阐述相同的元件，并且略去其详细描述。
参考图6和图7，第一化学溶液供应单元310a包括在喷嘴体302内部形成的化学溶液供应线。化学溶液供应线的一端处是化学溶液出口315。化学溶液出口315指向基体W的底部表面。第二和第三化学溶液供应单元310b和310c，冲洗溶液供应单元320和烘干气体供应单元330具有与第一化学溶液供应单元310a相同的构造。因此，略去其详细描述。
清洁溶液供应单元340可以具有在喷嘴体302中形成的第一通道342a和第二通道342b。第一通道342a垂直于基体支撑构件200的支撑平板210的顶部表面。第二通道342b与第一通道342a相通，并且平行于基体支撑构件200的支撑平板210的顶部表面。参考图8，第二通道342b可以与第一通道342a相通，并向下倾斜于基体支撑构件200的支撑平板210的顶部表面。
参考图1，通过化学溶液线316，化学溶液供应源317与具有上述构造的化学溶液供应单元310相连。用于调整化学溶液供应压力的泵318a和用于调整化学溶液供应流速的阀318b放置在化学溶液线316上。用于在预定处理温度下加热由化学溶液供应源317供应的化学溶液的加热器319放置在化学溶液线316上。冲洗溶液供应源327通过冲洗溶液线326连接到冲洗溶液供应单元320。泵328a和阀328b放置在冲洗溶液线326上。烘干气体供应源337通过烘干气体供应线336连接到烘干气体供应单元330。泵338a和阀338b放置在烘干气体供应线336上。清洁溶液供应源347通过清洁溶液线346连接到清洁溶液供应单元340。泵348a和阀348b放置在清洁溶液线346上。
收集构件400收集在基体处理过程或基体支撑构件200的清洁过程中喷洒到基体W或基体支撑构件200上的处理溶液。收集构件400包含第一收集容器410，第二收集容器420和第三收集容器430。第一收集容器410在基体W的冲洗过程或基体支撑构件200的清洁过程中收集冲洗溶液或清洁溶液。第二收集容器420和第三收集容器430在基体W的化学溶液处理过程中收集化学溶液。位于外壳100中的第一、第二和第三收集容器410、420和430为环形。用于接收处理溶液的入口411、421和431垂直堆叠在一起。第一、第二和第三收集容器410、420和430分别包含用于为收集的处理溶液提供接收空间的主体412、422和432。收集盘434放置在第三收集容器430的主体432的一端。收集盘434从主体432的一端向上倾斜延伸至基体支撑构件200的支撑平板210的下部区域。当基体支撑构件200放置在如图1所示的处理位置时，收集盘434的一端434a在基体W的化学溶液处理过程中***至设置在基体支撑构件200的支撑平板210的下部中的嵌入槽212中。当进行基体W的化学溶液处理过程，同时收集盘434***到嵌入槽212时，沿着基体支撑构件200的支撑平板210的表面流动的化学溶液沿着倾斜的收集盘434流到主体432。
第一收集线440放置在第一收集容器410中，第二收集线450放置在第二和第三收集容器420和430中。阀442和452分别放置在第一和第二收集线440和450处。在基体W的冲洗过程或基体支撑构件200的清洁过程中，进入第一收集容器410的冲洗溶液或清洁溶液通过第一收集线440回收到处理溶液回收单元(未示出)。在基体W的化学溶液处理过程中，进入第二和第三收集容器420和430的化学溶液通过第二收集线450回收到处理溶液回收单元(未示出)。处理溶液回收单元调整使用后的处理溶液的温度和浓度，并滤除污染物，从而达到回收处理溶液的目的。
图9显示了本发明的单一型基体处理装置的另一个实例。用于为基体支撑构件200提供清洁溶液的清洁溶液供应单元(参考图1的附图标记340)可以放置在位于基体支撑构件200上的喷嘴体302中。或者，清洁溶液供应单元可以放置在基体支撑构件200的一侧。
现在参考图9说明放置在基体支撑构件200的一侧的清洁溶液供应单元340’。
清洁溶液供应单元340’是垂直放置的，包含为基体支撑构件200提供清洁溶液的喷嘴341’。喷嘴341’的一端连接到喷嘴支撑体342’。喷嘴支撑体342’放置在平行位置，从而垂直于喷嘴341’。喷嘴支撑体342’的另一端连接到移动棒343’。移动棒343’垂直放置，从而移动棒343’垂直于喷嘴支撑体342’。在处理过程中或处理前、后，移动棒343’移动喷嘴341’。移动棒343’连接到驱动器344’。用于让移动棒343’移动的驱动器344’可以是用于旋转喷嘴341’的发动机，或可以是一个装配，该装配可以在垂直方向上选择性地、直线地移动喷嘴341’。喷嘴341’通过喷嘴支撑体342’和移动棒343’中的清洁溶液线345’连接到清洁溶液供应源346’。阀347’和泵348’放置在清洁溶液线345’上。
以下将描述使用具有上述构造的单一型基体处理装置对基体进行处理的过程。图10A至10F描述了本发明的单一型基体处理装置的运行过程。
基体W装载在基体支撑构件200上。基体支撑构件200由驱动器240移动至装载位置。基体W位于放置在基体支撑构件200上的支撑销钉222上，并被卡紧销钉224卡紧(参考图10A)。
装载有基体W的基体支撑构件200由驱动器240移动到化学溶液处理过程位置。驱动器240旋转基体支撑构件200。从而同时旋转由基体支撑构件200承载的基体W。化学溶液供应单元310为旋转的基体W的底部表面的中心部分提供化学溶液。化学溶液可以由包含第一至第三化学溶液供应单元中的一个及其组合的化学溶液供应单元提供。化学溶液可以是SC-1溶液，即NH4OH，H2O2和H2O的混合物。放置在化学溶液线316上的加热器319在预定温度下加热化学溶液。
当化学溶液由于旋转的基体W的离心力的作用，沿着基体W的底部表面移动到边缘区域时，化学溶液腐蚀或隔离残留在基体W底部表面的污染物。由于旋转基体W的离心力，一部分使用后的化学溶液从基体W溅开，被收集到第二收集容器420中。一部分未被第二收集容器420收集到的使用后的化学溶液，被收集到第三收集容器430。也就是说，一部分未被收集到第二收集容器420的使用后的化学溶液流到基体支撑构件200和第二收集容器420之间的区域，沿着收集盘434流动，被回收到第三收集容器430。收集到第二收集容器420和第三收集容器430的化学溶液通过第二收集线450回收到处理溶液回收单元(未示出)。(参考图10B)。
当基体W底部表面的化学处理过程完成时，执行冲洗过程，从而除去残留在基体W上的腐蚀或隔离的污染物和化学溶液。驱动器240将基体支撑构件200移动到冲洗过程位置。驱动器240旋转基体支撑构件200，从而也旋转了由基体支撑构件200支撑的基体W。冲洗溶液供应单元320提供冲洗溶液到旋转基体W的底部表面的中心部分。当由于旋转基体W的离心力的作用，冲洗溶液沿着基体的底部表面移动到边缘区域时，冲洗溶液除去残留在基体W底部表面的腐蚀或隔离的污染物和化学溶液。由于旋转基体W的离心力，一部分使用后的冲洗溶液从基体W溅开，被收集到第一收集容器410。收集到第一收集容器410的冲洗溶液通过第一收集线440回收到处理溶液回收单元(未示出)。(参考图10C)。
当基体W底部表面的冲洗过程完成时，执行除去清洁溶液并烘干基体W的烘干过程。驱动器240将基体支撑构件200移动到烘干过程位置。驱动器240旋转基体支撑构件200，从而旋转由基体支撑构件200支撑的基体W。烘干气体供应单元330将烘干气体提供到旋转基体W的底部表面的中心部分。当烘干气体由于旋转基体W的离心力沿着基体W的底部表面移动到边缘区域时，烘干气体除去残留在基体W的底部表面的冲洗溶液并烘干基体W。(参考图10D)
当基体W底部表面上的化学溶液处理过程，冲洗过程和烘干过程完成时，驱动器240将基体支撑构件200移动到卸载位置。由基体支撑构件200支撑的基体W从卡紧销钉224卸载下来，并移动到一个设备(未示出)中，进行后续处理。(参考图10E)
上述化学溶液处理过程，冲洗过程和烘干过程在基体处理装置10上的多个基体W上重复进行。当进行这些过程时，基体支撑构件200上可能会产生由化学溶液生成的污染物，例如，残留的化学溶液和烟雾等。重复进行一系列的基体处理过程后，基体支撑构件200上的污染物必须被周期性除去。下面将描述使用本发明的单一型基体处理装置10除去基体支撑构件200上的污染物的清洁过程。
在单一型基体处理装置10中进行一系列的基体处理过程之后，驱动器240将基体支撑构件200移动到清洁过程位置上。清洁过程位置可以与基体W的底部表面的冲洗过程位置或化学溶液处理过程位置是同一个位置。驱动器240旋转基体支撑构件200，从而可以旋转由基体支撑构件200支撑的基体W。
清洁溶液供应单元340为旋转的基体支撑构件200供应清洁溶液。参考图11，在清洁溶液线346上的泵348a调整提供给基体支撑构件200的清洁溶液的位置。当泵348a提供的清洁溶液的压力增加时，提供的清洁溶液的位置可以为沿着基体支撑构件200的半径方向向外更远的位置。去离子水(DIW)可以作为清洁溶液。当由于基体支撑构件200的离心力，清洁溶液沿着基体支撑构件200的顶部表面移动到边缘区域时，清洁溶液除去残留在基体支撑构件200上的污染物。由于清洁溶液是在室温下提供的，从而可以防止高温下基体支撑构件200的热变形。当使用高温化学溶液的基体处理过程在基体处理装置10中反复进行时，由于高温的化学溶液从基体W滴落到基体支撑构件200，可能会造成基体支撑构件200的热变形。在一系列重复的基体处理过程之后，通过用室温的清洁溶液清洁基体支撑构件200，可以使基体支撑构件200的热变形最小化。由于旋转的基体支撑构件200的离心力，使用后的清洁溶液从基体支撑构件200上溅开，进入到第一收集容器410。通过第一收集线440，第一收集容器410回收清洁溶液到处理溶液回收单元(未示出)。(参考图10F)
上述公开应被视为是示例性的，而非限制性的，所有属于本发明的精神和范围的其他实施例，及其所有修改或扩展都应包括在本发明的权利要求中。因此，在法律所允许的最大范围内，本发明的范围决定于以下权利要求的最宽范围的所有可能的解释及其等同物，并且不受上述详细说明的局限或限制。
Claims (20)
1.一种单一型基体处理装置，包含:
基体支撑构件，用于支撑基体；和
清洁溶液供应单元，用于将清洁溶液喷洒到基体支撑构件上，从而除去残留在基体支撑构件上的污染物。
2.如权利要求1所述的单一型基体处理装置，其中，清洁溶液供应单元放置在基体支撑构件上的喷嘴体中，并且包含一个喷嘴，该喷嘴的一端***至形成在喷嘴体内部的清洁溶液供应线中，并将清洁溶液喷洒到基体支撑构件上。
3.如权利要求2所述的单一型基体处理装置，进一步包含用于旋转基体支撑构件的驱动器。
4.一种单一型基体处理装置，包含:
可旋转基体支撑构件，用于支撑基体，该基体在该基体支撑构件之上，与基体支撑构件之间有一定距离；
化学溶液供应单元，用于将化学溶液喷洒到基体底部表面；以及
清洁溶液供应单元，用于将清洁溶液喷洒到基体支撑构件，从而在使用化学溶液的基体处理过程之后，除去残留在基体支撑构件上的化学溶液。
5.如权利要求4所述的单一型基体处理装置，其中，化学溶液供应单元和清洁溶液供应单元放置在位于基体支撑构件上的喷嘴体中。
6.如权利要求5所述的单一型基体处理装置，其中，
清洁溶液供应单元包含一个喷嘴，该喷嘴的一端***至形成在喷嘴体内部的清洁溶液供应线中，并将清洁溶液喷洒到基体支撑构件上。
7.如权利要求6所述的单一型基体处理装置，其中，喷嘴与基体支撑构件的顶部表面垂直，并在喷嘴中形成第一和第二通道；第一通道沿着喷嘴的纵向设置，第二通道与第一通道相通，并平行于基体支撑构件的顶部表面。
8.如权利要求6所述的单一型基体处理装置，其中，喷嘴与基体支撑构件的顶部表面垂直，并在喷嘴中形成第一和第二通道；第一通道沿着喷嘴的纵向设置，第二通道与第一通道相通，并向下倾斜到基体支撑构件的顶部表面。
9.如权利要求5所述的单一型基体处理装置，其中，清洁溶液供应单元具有第一和第二通道，该第一和第二通道形成于喷嘴体中；第一通道垂直于基体支撑构件的顶部表面，第二通道与第一通道相通，并平行于基体支撑构件的顶部表面。
10.如权利要求5所述的单一型基体处理装置，其中，清洁溶液供应单元具有第一和第二通道，该第一和第二通道形成于喷嘴体中；第一通道垂直于基体支撑构件的顶部表面，第二通道与第一通道相通，并向下倾斜到基体支撑构件的顶部表面。
11.如权利要求7所述的单一型基体处理装置，其中，第二通道的一端处具有孔形的化学溶液出口。
12.如权利要求7所述的单一型基体处理装置，其中，第二通道的一端处具有缝隙形的化学溶液出口。
13.如权利要求4所述的单一型基体处理装置，进一步包含:
化学溶液供应线，用于为化学溶液供应单元提供化学溶液；以及
放置在化学溶液供应线中的，在处理温度下将由化学溶液处理单元供应的化学溶液进行加热的加热器。
14.如权利要求13所述的单一型基体处理装置，其中，清洁溶液包含室温去离子水。
15.一种基体处理装置的清洁方法，该清洁方法包含:
将化学溶液喷洒到支撑在基体支撑构件上，并与该基体支撑构件具有一定距离的基体底部表面上，从而处理基体；
将清洁溶液喷洒到基体支撑构件的顶部表面上，从而除去残留在基体支撑构件上的化学溶液。
16.如权利要求15所述的基体处理装置的清洁方法，其中，基体支撑构件是可旋转的。
17.如权利要求15所述的基体处理装置的清洁方法，其中，化学溶液的温度相对较高于清洁溶液的温度。
18.如权利要求17所述的基体处理装置的清洁方法，其中，化学溶液为包含氢氧化铵NH4OH，双氧水H2O2，氧化氢H2O的混合物。
19.如权利要求17所述的基体处理装置的清洁方法，其中，清洁溶液包含室温去离子水。
20.如权利要求15所述的基体处理装置的清洁方法，其中，在多个基体上依次进行一系列化学溶液处理过程之后，除去残留在基体支撑构件上的化学溶液。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070086907A KR100923268B1 (ko) | 2007-08-29 | 2007-08-29 | 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법 |
| KR2007-86907 | 2007-08-29 | ||
| KR200786907 | 2007-08-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101378006A true CN101378006A (zh) | 2009-03-04 |
| CN101378006B CN101378006B (zh) | 2011-03-23 |
Family
ID=40405526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008101472201A Active CN101378006B (zh) | 2007-08-29 | 2008-08-21 | 单一型基体处理装置及其清洁方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090056765A1 (zh) |
| JP (1) | JP2009060112A (zh) |
| KR (1) | KR100923268B1 (zh) |
| CN (1) | CN101378006B (zh) |
| TW (1) | TWI364328B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104425323A (zh) * | 2013-08-30 | 2015-03-18 | 细美事有限公司 | 处理基板的装置和清洁该装置的方法 |
| CN107650010A (zh) * | 2016-07-26 | 2018-02-02 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101395212B1 (ko) | 2010-07-29 | 2014-05-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR102188347B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-12-08 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
| US9460944B2 (en) * | 2014-07-02 | 2016-10-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and method of treating substrate |
| KR101870728B1 (ko) * | 2014-08-12 | 2018-07-23 | 주식회사 제우스 | 기판 액처리 장치 및 방법 |
| KR102028417B1 (ko) * | 2014-09-02 | 2019-10-04 | 주식회사 제우스 | 기판 액처리 장치 |
| CN104475387B (zh) * | 2014-12-16 | 2016-10-12 | 大庆圣赫环保设备有限公司 | 喷射冲洗装置 |
| KR101880232B1 (ko) * | 2015-07-13 | 2018-07-19 | 주식회사 제우스 | 기판 액처리 장치 및 방법 |
| KR101909182B1 (ko) | 2015-11-30 | 2018-12-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3388628B2 (ja) * | 1994-03-24 | 2003-03-24 | 東京応化工業株式会社 | 回転式薬液処理装置 |
| KR100508575B1 (ko) * | 1996-09-24 | 2005-10-21 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 세정처리방법및장치와기판처리용장치 |
| JPH10137664A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-05-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置および処理方法 |
| JP4350845B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2009-10-21 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スピン処理装置 |
| US6899111B2 (en) * | 2001-06-15 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Configurable single substrate wet-dry integrated cluster cleaner |
| KR20040023943A (ko) * | 2002-09-12 | 2004-03-20 | 주식회사 라셈텍 | 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치 |
| JP4255702B2 (ja) * | 2003-01-28 | 2009-04-15 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び方法 |
-
2007
- 2007-08-29 KR KR1020070086907A patent/KR100923268B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-07-18 TW TW097127296A patent/TWI364328B/zh active
- 2008-08-21 CN CN2008101472201A patent/CN101378006B/zh active Active
- 2008-08-28 US US12/200,203 patent/US20090056765A1/en not_active Abandoned
- 2008-08-29 JP JP2008222199A patent/JP2009060112A/ja active Pending
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| US11823915B2 (en) | 2013-08-30 | 2023-11-21 | Semes Co., Ltd. | Method of cleaning an apparatus that processes a substrate |
| CN107650010A (zh) * | 2016-07-26 | 2018-02-02 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009060112A (ja) | 2009-03-19 |
| TWI364328B (en) | 2012-05-21 |
| US20090056765A1 (en) | 2009-03-05 |
| CN101378006B (zh) | 2011-03-23 |
| TW200916211A (en) | 2009-04-16 |
| KR20090021969A (ko) | 2009-03-04 |
| KR100923268B1 (ko) | 2009-10-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |