TWI364328B - Single type substrate treating apparatus and cleaning method thereof - Google Patents

Description

1364328 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種基板處理設備及其方法，尤其係關 於-種用以清潔-基板之單—型態基板處理設備及其清潔 方法。 【先前技術】 半導體裝置不斷朝著高密度、高整合度、以及高效能

的趨勢發展，使得電路樣式的微型化快速地進步。因此， 像是粒子、有機污染物，以及金屬雜質等污染物質對於裝 置特性與產品良率會有更大的影響而移除附著於基板^ 的各種污_質的清_序，成騎導體製程巾的一個重 要的課題，在每-_序的驗，都需要縣板進行 程序。 應用於-般半導體製程的清潔方法大致可分為乾式清 潔方法與濕式清潔方法。濕式清潔方法又可分為浸泡式 (bath type)與旋轉式(spin type)方法，在浸泡式方法中基 板係被浸入化學溶液中以利用化學溶解的方式移除污染二 質。在旋轉式方法中，化學溶液會被供應至架設於旋轉夾 盤(rotating spin chuck)上的基板上，以移除污染物質。 此外，基板會被固定在能夠處理單一基板的夾盤構件 上，化學溶液或去離子水會透過喷灑喷嘴而噴灑至旋轉基 板上，讓離心力將化學溶液或去離子水塗佈在基板的整^ 表面，藉此清潔基板。接下來，基板會以乾燥氣體進行乾 燥。 【發明内容】 7 本發明提供一種單一型態基板處理設備（single type substrate treating apparatus)及其清潔方法，其可移除支撐 基板的基板支撐構件（substrate support member)上的 污染物質。 本發明同樣也提供一種單一型態基板處理設備及其清 潔方法’其可將基板支標構件的熱變形降至最低。 本發明的實施例提供一種單一型態基板處理設備，其 包括一基板支樓構件’其用以支撐一基板；以及一清潔溶 液供應單元，其用以喷灑一清潔溶液至該基板支撐構件 上，以便移除遺留在該基板支撐構件上的污染物。 在某些實施例中’該清潔溶液供應單元可被設置於一 被設置於該基板支撐構件上的噴嘴體(n〇zzle body)中，並 包含一喷嘴，該喷嘴具有一端被置入於一形成於該喷嘴體 内的清潔溶液供應管中’並將該清潔溶液喷灑至該基板支 撐構件上。 在另外的實施例中，該單一型態基板處理設備可更包 括一轉動该基板支扭構件之轉動驅動器（rotation driver)。 在本發明的另外的實施例中，一種單一型態基板處理 設備包括一可轉動的基板支撲構件，其用以支撐一與該基 板支撑構件向上地間隔之基板；一化學溶液供應單元，其 用以將一化學溶液噴灑至該基板的一下表面上；以及一清 潔溶液供應單元’其用以將一清潔溶液喷灑至該基板支撐 構件上，以便於執行一使用該清潔溶液之基板處理程序 (substrate treating process)後，將遺留在該基板支撐構件上 的該化學溶液移除。 在某些實施例中，該化學溶液供應單元與該清潔溶液 供應單7L係設置於一被設置在該基板支撐構件上的喷嘴體 中。 、 在其他的實施例中，該清潔溶液供應單元可包括一噴 觜°玄f嘴具有一端被置入於一形成於該噴嘴體内的清潔 溶液供應管中，並將該清潔溶液喷灑至該基板支撐構件上。 一在又另一些實施例中，該喷嘴係與該基板支撐構件的 "Γ上表面垂直’以及—第—通路與—第二通路係形成於該 T嘴該第-通路係沿著該喷嘴的—長度方向而設置， 第二通路與該第—通路連通並與該基板支撐構件的該 上表面平行。 ，又另—些實施例中，該喷嘴係與該基板支樓構件的 ，以及―第一通路與一第二通路係形成於該 而高中，该苐一通路係沿著該喷嘴的一長度方向而設置， 標==第1路連通並向下傾斜朝向該基板支 供有第係被提 =路係與該基板支標構件的—上表面垂直:=第; :與该第一通路連通並與該基板支撐構件的該上= 有形===:第係被提供 基板支樓構件的該二該 表=弟-通路連通並向下傾斜朝向該基板支撐構件的=上 在又另-些實施例中，該第二通路具有―端，其用以 1364328 疋義一具有一孔狀之化學溶液出口埠(outiet p〇r〇。 在更進一步的實施例中，該第二通路具有一端，其用 以定義一具有一狹縫狀(slitshape)之化學溶液出口埠。 在又另一些實施例中，單一型態基板處理設備可更包 括化本’谷液供應管，其用以將該化學溶液供應給該化學 洛液供應單元，以及一加熱器（heater),其被設置於該化學 溶液供應管並將該化學溶液供應管所供應的該化學溶液加 熱至一製程溫度(process temperature)。 在更進一步的實施例中，該清潔溶液包含室溫去離子 水。 在遏有另一些實施例中，一種一基板處理設備的清潔 =法，該清潔方法包含：將一化學溶液噴灑至由一基板支 咎構件支撐並與該基板支撐構件向上地間隔之一基板的一 下表面上，以處理該基板；以及將一清潔溶液喷灑至該基 板支撐構件的-上表面上以移除遺留在該基板支撲構件上 的該化學溶液。 在一些實施例中，該基板支撐構件可被轉動。 在其他實施例中，該化學溶液的一溫度係相對地高於 該清潔溶液的溫度。 在又另一些實施例中，該化學溶液包氫氧化銨 (NH4〇H)、過氧化氫(氏〇2)，以及水(h2o)的一混合物。 在更進一步的實施例中，該清潔溶液包含室溫去離子 水0 /而在其他的實施例中，係於對複數個基板序列地執行 系列的化學溶液處理程序後，移除該遺留在該基板支撐 10 1364328 構件上的化學溶液。 【實施方式】 以下將透過附屬的圖式詳細解釋本發明的較佳實 施例，要注意的是，用以繪示較佳實施例與其說明之 圖式應可呈現本新穎裝置的操作的各面向的優點，以 及實施本發明所達成的目的。要注意的是在圖式中， 類似的標號代表相似的元件。此外，在本說明書中不 會陳述與習知功能與組態設定相關的解說，以避免混 淆本發明的主題。 第一圖所示為根據本發明之一單一型態基板處理 設備。 參考第一圖，一單一型態基板處理設備1 〇包括一 外罩100、一基板支撐構件200、處理液供應構件 (treating fluid supply member)300，以及一收集構件 (collection member)400 ° 外罩100提供一空間用以執行一基板處理程序。 外罩100具有一向上開放的圓柱型，外罩10〇的一開 放上部係作為將一基板W載入至基板支撐構件200或 從基板支撐構件2〇〇卸載的基板入口。 在外罩100内所執行的基板處理程序包括一化學 溶液處理程序、一沖洗程序（rinsing process)、以及一 乾综私序（drying process)。化學溶液處理程序是將化學 溶液供應給基板W以蝕刻或分離遺留在基板W上的污 染物。沖洗程序是將沖洗溶液供應給該化學溶液處理 過的基板W以移除在基板w上之被蝕刻或被分離的污 染物。乾燥程序是將基板W上的沖洗溶液移除，然後 11 使得基板W乾燥。化學溶液處理程序、沖洗程序、以 及乾燥程序會重複地對被序列地供應於外罩100内之 複數個基板執行。在重複地執行這些程序時，如遺留 化學溶液與由化學溶液所產生的微粒污染物（fume)之 污染物可能會產生在基板支撐構件200上，因此可額 外地在外罩100内執行一用以清潔基板支撐構件200 的清潔程序，以便週期性地移除在基板支撐構件200 上的污染物。 基板支撐構件200係被設置於外罩100内，基板 支撐構件200支撐基板W，並由驅動器（driver)240加 以轉動，後續將進行敘述。基板支撐構件200包括一 支樓板（support plate)210，其具有一圓形的上表面。一 支撐基板W的插針構件（pin member)220係被設置於支 撐板210的上表面，插針構件220包括複數個支撐插 針222與複數個夾盤插針（chucking pin)224。支撐插針 222係被設置於支撐板210的上表面的一邊緣部份，支 撐插針222係以預定的排列來設置，並以一預定的距 離彼此相互間隔，支撐插針222由支撐板210向上突 出，支撐插針222支撐基板W的下表面，而使基板W 以一預定的距離自支撐板210向上地間隔。夾盤插針 224係分別地設置於支撐插針222的外側，夾盤插針 224由支撐板210向上突出，夾盤插針224校準藉由複 數個支撐插針222所支撐的基板，使得基板W被放置 在支撐板210上的適當位置。夹盤插針224與基板W 的一側接觸，以避免基板W脫離該適當位置。 支撐軸230係連接至支撙板210的下部以支撐該 支撐板210,支撐軸230係由連接至其下部之驅動器 240所轉動，驅動器240可包括一馬達。當支撐軸23〇 轉動時，支撐板210與基板w會一起轉動。當基板~ 被載入至支撐板210或者從從支撐板21〇卸載時，以 及當基板處理程序（化學溶液處理程序、沖洗程序以 及乾燥程序）或基板支撐構件的清潔程序在執行時， 驅動器240可隨時垂直地移動支撐板21 〇。 處理液供應構件300將處理液供應給基板w的下 表面或基板支撐構件200的支撐板210的上表面，處 理液供應構件300包括一由基板支撙構件2〇〇的支樓 板210的上表面突出之喷嘴體（nozzie b〇dy)302。噴嘴 體302係具有一化學溶液供應单元31 〇、一沖洗溶液供 應單元（rinse solution supply unit)320、一 乾燥氣體供應 單元（drying gas supply unit)330以及一清潔溶液供應 單元340。化學溶液供應單元310將化學溶液喷灑至基 板W的下表面上’沖洗溶液供應單元320將沖洗溶液 噴灑至基板W的下表面上，乾燥氣體供應單元330將 乾燥氣體噴灑至基板W的下表面上，清潔溶液供應單 元340則將清潔溶液喷灑至基板支撐構件200的支撐 板210的上表面上。 用於基板處理程序的化學溶液可包括由氫氟酸 (HF)、硫酸(H2S04)、硝酸(HN〇3)、磷酸(H3P04)，以及 SC-1溶液（氫氧化銨（NH4OH)、過氧化氫（H202)以及 水（H20)的混合物）的群組中所選出的至少一個溶液。 去離子水（Deionized water, DIW)可作為沖洗溶液。異丙 醇（Isopropyl alcohol)氣體可作為乾燥氣體。去離子水 1364328 可作為基板支樓構件200㈣潔程序中所用的清潔溶 :二於基板支撐構件的清潔程序中的清潔溶液 為^溫。基板處理程序所用的化學溶液的溫度係相 對地鬲於清潔溶液的溫度。 一#參考第二圖，噴嘴體3〇2具有一圓形平面形狀， 第化本;谷液供應單元31 Oa係被設置於噴嘴體3〇2 的上表面的中央，第二與第三化學溶液供庠

= 沖洗溶液供應單元灿以及乾燥^體供 :，使得第二與第三化學溶液供應單元31〇二= 相單元如以及乾燥氣體供應單元330係 _ 子/合液供應單元31〇a而彼此對稱。第—、第 1第三化學溶液供應單元遍、雇、毫可根據 w。言」条件第=士严=液中的其中-種至基板 —人弟一化學溶液供應單元3〗〇a、3、 溶液供應單元320以及乾燥氣體供應單元 ㈣ϋ同的結構。因此’第一化學溶液供應單元 a將作為基本範例加以解說，而第二與第三化與 元與赚、沖洗溶液供應單元320 I及 乾秌軋脰供應單元330就不再贅述。 儿風參考第三圖’第—化學溶液供應單元滿包括-:::谷液供應管312與-化學溶液喷嘴3…化學溶液 j官312係形成於喷嘴體3()2内，化學溶液喷嘴叫 3^^端置入化學溶液供應管312中，化學溶液嗔嘴 一可為官狀。化學溶液噴嘴314具有另一端，里定義 一化學溶液出口埠315，而化學溶液出口槔係朝向由基 14 丄綱328 板支撐構件200所支禮的基板W的下表面。 用V = ί肢、302係被提供有一清潔溶液供應單元340， 1h潔溶液喷灑至基板支撐構件2〇〇的支撐板21〇 :主如f面。較佳地，清潔溶液供應單A 340係設置於 供應單元340不會干擾到第二與第三化學溶 #、座Γ早元3l〇b與310c、沖洗溶液供應單元320以及 該供？單元330的其中-個位置。也就是說， ^ 係疋義為第二與第三化學溶液供應單元310b 亓3 C冲洗洛液供應單元320以及乾燥氣體供應單 不會被設置於清潔溶液噴灌方向内的位置，這 丄第，盘，二'以谷液供應單元340噴灌的清潔溶液流 液供匕學溶液供應單元鳩與胤、沖洗溶 心 320以及乾燥氣體供應單元330的喷嘴内。 清=液供應單元34G包括一清潔溶液供應管Μ2 於渣令冷、谷液噴鳴344具有—端被置入 管狀，應官342中’清潔溶液喷嘴344可具有 樣板：==係與基板支樓構件2。。的支 —通路344a 笛 清潔溶液喷嘴344包括一第 流進第—通路344aj\3:於其中，清潔溶液會 係沿著清潔溶液噴^^一；1路遍。第一通路购 二通路3她係與H4路的心長=向而被設置，第 構件200的支撐44a連通，並與基板支撐 第二的上表面平行。參考第四圖， 朝向基;te 通路34如連通並可向下傾斜 基板支投構件200的支撐板⑽的上表面。第二 15 1364328 通路344b具有一端，用以定義—、.主、切、六 參考第五A圖與第五Βϋ，i 口璋345。 有孔狀或狭縫狀。 ㈣浴液出口 4 345可具 上述、ΐ構不同的是’化學溶液供應單元310、沖 二3 /、應早兀320、乾燥氣體供應單* 33〇，以 =液供應單元340在噴嘴體搬内可不包括輔助的

::圖所示為喷嘴體的另—範例的平面 :圖”八圖所示為第六圖中沿著線段B_ : 圖，在第二與第三圖中所+ 考標號表示，並不進-步說明。目5凡件係以相同的參 第六與第七圖’第—化學溶液供應單元310a 具有一化學溶液供應管形成於一喷嘴體如 =化f容液供應管具有-端，其用以定義-化學溶

1 Γ i5’化學溶液出口 # 315係朝向一基板W 白、下、面。第一、第二與第三化學溶液供應單元31如、 ^、31 〇 C、沖洗溶液供應單元3 2 0，以及乾燥氣體供 應早元330可具有相同的結構，因此將不再贅述。 /月冷W谷液供應單兀340可具有形成於噴嘴體3〇2 内之二第一通路342a與一第二通路34孔，第一通路 342a係垂直於基板支撐構件2〇〇的支撐板21〇的上表 面，=二通路342b係與第一通路342a連通，並與基 板支彳牙構件200的支撐板210的上表面平行。參考第 八圖，第二通路342b可與第一通路342a連通並可向 下傾斜朝向基板支撐構件200的支撐板21〇的上表面。 參考第一圖，化學溶液供應源（chemical s〇lud〇n 16 1364328 SUpply s〇.e)317係透過—化學溶液管㈣⑽丨-^加麵11116)316連接至具有上述結構的化學溶液供應 早兀、31〇。用以調整一化學溶液供應壓力的幫浦3他 與用以调，化孥’谷液供應流動率的閥318b係、被設置於 化學溶液管316。-加熱器319係被設置於化學溶液管 316用以將來自化學溶液供應源317的化學溶液加熱 至預定的製程溫度。-沖洗溶液供應源（Hnse s〇luti〇n supply source)327係透過一沖洗溶液管326連接至沖洗 • 溶液供應單兀320。幫浦328a與閥328b係被設置於沖 洗溶液管326。一乾燥氣體供應源337係透過一乾燥氣 體供應管336連接至乾燥氣體供應單元33〇。幫浦338& 與閥338b係被設置於乾燥氣體供應管336。清潔溶液 .供應源347係透過一清潔溶液管346連接至清潔溶液 供應單元340。幫浦348a與閥348b係被設置於清潔溶 液管346。 收集構件400收集在基板處理程序或基板支撐構 • 件200的清潔程序過程中噴灑至基板W或基板支撐構 件200上的處理溶液。收集構件包括一第一收集容器 (collection C〇ntainer)410、一 第二收集容器 420,以^ 一第三收集容器430。第一收集容器41〇收集在基板w 的沖洗程序或基板支撐構件200的清潔程序過程中的 沖洗溶液或清潔溶液’第二收集容器42〇與第三收集 谷器43 0收集在基板W的化學溶液處理程序過程中之 化學溶液’第一、第二以及第三收集容器41〇、42〇、 430係被設置於環型外罩1 〇〇的内部。用以接收處理溶 液的入口埠（entrance port)411、421、431係垂直地堆 17 1364328 疊。第一、第二以及第三收集容器410、420、430包 括主體4.12、422、432，其用以個別地提供所收集的處 理溶液的容納空間。收集板434係被設置於第三收集 容器430的主體432的一端，收集板434傾斜地與向 上地由主體432的該端延伸至基板支撐構件200的支 撐板210的一下區域，當基板支撐構件200係位於第 一圖所示之一製程位置時，收集板434的一端434a在 基板W的化學溶液處理程序過程中，係被置入被設置 於基板支撐構件200的支撐板210的一下部的一置入 溝槽212中。當在執行基板W的化學溶液處理程序過 程中而收集板434被置入於置入溝槽212時，沿著基 板支撐構件200的支撐板210的表面流動的化學溶液 將沿著傾斜的收集板434移動而流進主體432中。 第一收集管440被設置於第一收集容器410中、 而第二收集管450被設置於第二與第三收集容器420、 430中。閥442與452係被分別地設置於第一與第二收 集管。在基板W的沖洗程序或基板支撐構件200的清 潔程序中被導入第一收集容器410的沖洗溶液或清潔 溶液會透過第一收集管440回到一處理溶液回收單元 (圖中未顯示）。在基板W的化學溶液處理程序中被導 入第二與第三收集容器420、430的化學溶液會透過第 二收集管450回到一處理溶液回收單元（圖中未顯 示）。處理溶液回收單元調整已使用的處理溶液的溫度 與濃度並過濾污染物質，以回收處理溶液。 第九圖所示為根據本發明的一單一型態基板處理 設備的另一範例。用以將清潔溶液供應給一基板支撐 18 構件200之清潔溶液供應單元（參考第一圖的標號34〇 可被设置於被設置在基板支撐構件2〇〇上的喷嘴俨 302内。替代地，清潔溶液供應單元可被設置於基“ 撐構件200的一側。 又 以下將配合第九圖敘述被設置於基板支撐構件 200 —側的清潔溶液供應單元34〇，。 清潔溶液供應單元340,係垂直地設置並包括一 ’用以朝向基板支樓構件·供應清潔溶 1。，嘴341’具有一端連接至—噴嘴支撐342’ 支，Π。被設置於—平行方向’使得噴嘴支撐 糸與°貝嘴341’垂直。噴嘴支撐342，且有另一 —接至-移動桿343，，該移動桿343，純設置於 垂直方向，使得移動桿343’係與喷嘴支擇342， 移動捍343,在程序前、令、或後移動噴嘴341，， :=343’係連接至一驅動器344，。用以移動移動 ^ =3之驅動器344，可為一用以轉動喷嘴341，的 也可為一組件，用以選擇性地和直線地在垂直 β移動噴嘴341，。喷嘴341，係透過一位於喷嘴支 =342與移動桿343，内的一清潔溶液管345，連接 :清潔溶液源346’。一閥347，與一幫浦348，係 破设置於該清潔溶液管345， ^ 處理::::::二具ί上述結構的單-型態基板 f米處理基板的程序，第十Α圖至第十F圖所 圖^根據本發明的一# 一型態基板處理設備的操作 基板W係被載入至基板支撐構件200，基板支 19 1364328 會由驅動器240移動至-载入位置。基板 上，並被夹=在基板支撐構# 200上的支樓插針功 Α Λ盤插針224夾持（見第十a圖）。 240㈣至牛2〇0與被載入之基板W會被驅動器 基板支撐構件:夜=程由序^置;驅動器240會轉動 基板w备^ 〇〇因此’由基板支樓構件·支樓的 日起轉動。化學溶液供應單元310將化學、、容

丨轉動，板w的下表面的中央部分，化學溶 植人來W 7三化學料供應單元的任何—個或其 二，，NH4〇H、H2〇2以及H2〇的混合物組成 ，容、夜总3^可作為化學溶液，化學溶液由設置在化學 夜二6的加熱器319加熱至一預定的溫度。 赢化干’谷液因為轉動的基板W的離心力而沿著基 板：的下表面流動至邊緣區域時，化學溶“ ，遺留在基板…的下表面上的污染物。已使用的化學 /合液的。卩刀會因為轉轉的基板w離心力而從基板w 散開，然後被收集入第二收集容器42(^已使用的化學 溶液中沒有被第二收集容器420收集的一部分會被收 集入第三收集容器430。也就是說，已使用的化學溶液 中沒有被第二收集容器420收集的—部分會流進介於 基板支撐構件200與第二收集容器42〇之間的一空 間，並沿著收集板434流動，而被收集入第三收集容 器430。如第十b圖所示，被收集入第二收集容器42〇 與第三收集容器430的化學溶液會透過第二收集°管45〇 回到一處理溶液回收單元（圖中未顯示）。” 當基板W的下表面上的化學處理程序結束後，會 20 移除遺留在基few的被關或被分離的污毕物 及化學ί谷液之沖洗程序其 器240移動至沖洗丄弋板支稽構件200會被驅動 支撐構侔_，1 動器240會轉動基板 , 因此，由基板支撐構件200支撐的芙板 =至轉動=Γ溶液供應單元320將冲洗“供 Μ至轉動的基板w的下表面的中央部 冬 ，為轉動的基板W的離心力而沿著基板W田的下= 1至邊輕域時，沖洗溶液會移除留在基板w的下 的離的污染物及化學溶液。已使用 r $分會因為轉動的基板W的離心力而 =板WM ’㈣被收集人第—收集容器。如 二：示二收集入第一收集容器41。的沖洗溶 HI 回到一處理溶液回收單元(圖 甲禾顯示）。 用以ΪίΪ二的下表面上的沖洗程序結束後，會執行 夕*/洗，谷液與乾餘基板w的乾燥程序，基板支 2構件200會被㈣器24()移動至乾燥程序位置，驅 240會轉動基板支撐構件2〇〇，因此，由基板支撐 _件200支推的基板w會一起轉動。乾燥氣體供應單 凡3 3 0將乾燥氣體供應至轉動的基板w的下表面的中 央部份。如第十D圖所示’當乾燥氣體因為轉動的基 的離心力而沿著基板w的下表面移動至邊緣區域 =，乾燥氣體會移除留在基板w的下表面之沖洗溶液 並乾無基板W。 在第十E圖中，當基板…的下表面上的化學溶液 處理程序、沖洗程序以及乾燥程序結束後，基板支撐 1364328 才c會被驅動器24Q移動至載位置，由基板 支撐構件200支撐的基板W會從夹盤插針224卸 亚被移動至執行後續程序之設備中（圖中未顯示）。 上述的化學溶液處理程序、沖洗程序，以及乾燥 ^1會/#地對被輸送至基板處理設備ig的複數個基 風〜執仃。在執行程序時，像是遺留的化學溶液和化 產生的微粒污染物等污染物質可能會在基板 程ΐ徭2〇0上產生。在重複執行—連串的基板處理 ’必須週期性地移除基板支撐構件2。。上的污 理^ 減本發明描述❹I—型態基板處 ^^0來移除在基板支樓構件細上的污染物質之 在單—型態基板處理設備1()内所執行的一連串基 移束後’基板支撐構件200會由驅動器240 位置’該清潔程序位置可相同於位 程下表面上的沖洗程序位置或化學溶液處理 板240轉動基板支據構件200，因此基 板支袼構件200所支撐的基板也會跟著轉動。 2溶液供應單元34G將清液供應至轉動的 構件200。參考第十—圖，供應清潔溶液給基 346二件200的位置，是由被設置在-清潔溶液管 的厭1Γ南348a所調整。當幫浦348a供應的清潔溶液 π二力冒加時，清潔溶液會沿著基板支撐構件2〇〇的 =二方向’更為延伸至外圍。去離子水（Dei⑽ized water, 200 η作為清潔溶液。#清潔溶液因為基板支樓構件 ㈧的離心力而沿著基板支撐構件200的上表面流動至 22 1364328 邊緣區域時，清潔溶液會移除留在基板支撐構件2〇〇 上之污染物質。由於清潔溶液係於室溫下供應，因此 7避免基板支撐構件200因為高溫化學溶液而產生熱 ^曰在基板處理設備10中重複地執行使用高溫化 子溶液的基板處理程序時，基板支撐構件2〇〇可能會 因為從基板W滴至基板支樓構件200的高溫化學溶液 而熱變=。基板支樓構件2〇〇的熱變形量可藉由在一 ，串重稷的基板處理程序結束後，利用室溫下的清潔 f液清洗基板支擇構件綱而降至最低。已使用的清 =液會因為基板支撐構件期的離心力從基板支樓 牛200分散開’並且被導入第一收集容器稱。如第 凌，所* , ^入第-收集容器410的清潔溶液會 中=二婦44G㈣到—處理溶’夜回收單元（圖 ，此所揭示的實施例僅用以說明而非限制本發 2的申請專利範圍應視為涵蓋所有的修改、改 匕：在本發明的精神與範疇之其他實施例。因 二允許的最大範圍，本發明嶋應以 :"*1，圍二及其等效說明之最廣義的解釋範圍來決 相實施例詳細說明加以限定或限 【圖式簡單說明】 令：…f、，、田貫知例祝明一同用以解釋本發明的原則，其 第-圖所示為根據本發明之—單—型態基板處理設備； 23 圖所不為第—圖的噴嘴體之平面圖； 第三圖所示為第-阁由 ^ 弟—圖中沿者線段A-A，的截面圖； ^圖所示為第三圖的清潔溶液喷嘴的另—範例之截面 ^五A _ 5 Β圖所示為清潔溶液喷嘴的—出口淳. 弟六圖所示為噴嘴體的另一範例之平面圖； 弟七圖與第八圖所干或楚丄门丄 Ώ斤不為弟，、圖中沿著線段B-B,的截面

第九圖所示為根據本發明的一 一範例； 單一型態基板處理設備的另 第十Α圖至第十F圖所 處理設備的操作；以及 第十一圖卿為基板支撐構件的-清潔程序。 【主要元件符號說明】

示為根據本發明的一單一型態基板 10單一型態基板處理設備 100外罩 200基板支撐構件 210支樓板 212置入溝槽 2 2 0插針構件 222支撐插針 224失盤插針 2 3 0支擇車由 2 4 0驅動器 24 1364328 300處理液供應構件 302喷嘴體 310化學溶液供應單元 310a第一化學溶液供應單元 310b第二化學溶液供應單元 310c第三化學溶液供應單元 312化學溶液供應管 314化學溶液喷嘴 315化學溶液出口埠 316化學溶液管 317化學溶液供應源 318a幫浦 318b 閥 319加熱器 320沖洗溶液供應單元 326沖洗溶液管 327沖洗溶液供應源 328a幫浦 328b 閥 330乾燥氣體供應單元 336乾燥氣體供應管 337乾燥氣體供應源 338a幫浦 25 1364328 338b 閥 340清潔溶液供應單元 342清潔溶液供應管 342a第一通路 342b第二通路 344清潔溶液喷嘴 344a第一通路 344b第二通路 345清潔溶液出口埠 346清潔溶液管 347清潔溶液供應源 348a幫浦 348b 閥 400收集構件 410第一收集容器 411入口埠 412主體 420第二收集容器 421入口埠 422主體 430第三收集容器 431入口谭 432主體 26 1364328 434收集板 4 3 4 a 端 440第一收集管 442閥 450第二收集管 452閥 340'清潔溶液供應單元 341'喷嘴 342’喷嘴支撐 343’移動桿 344'驅動器 3454青潔溶液管 346'清潔溶液源 347'閥 348’幫浦

Claims (1)

1. 8 ·—：-：-- - 1〇〇年，>月背曰修(更)正替換多 100年12月28曰修正替換頁 _ - 十、申請專利範圍： 1. 一種單一型態基板處理設備，其係包含： 一可轉動的基板支撐構件，其用以支撐一與該基板 支撑構件向上地間隔之基板； 一化學溶液供應單元，其用以將一化學溶液喷灑至 該基板的一下表面上； 一沖洗溶液供應單元，其用以將沖洗溶液喷灑至該 基板的下表面上； 一乾燥氣體供應單元，其用以將乾燥氣體喷灑至該 基板的下表面上，以及 一清潔溶液供應單元，其用以將一清潔溶液喷灑至 該基板支撐構件上，以便於執行一使用該清潔溶液 之基板處理程序後，將遺留在該基板支撐構件上的 該化學溶液移除， 其中，該清潔溶液供應單元係被設置於該清潔溶液 供應單元不會干擾到化學溶液供應單元、沖洗溶液 供應單元以及乾燥氣體供應單元的其中一個位置 處。 2. 如申請專利範圍第1項所述之單一型態基板處理設 備，其中該化學溶液供應單元與該清潔溶液供應單 元係設置於一被設置在該基板支撐構件上的喷嘴體 中 〇 3. 如申請專利範圍第2項所述之單一型態基板處理設 備，其中該清潔溶液供應單元包含一喷嘴，該喷嘴 具有一端被置入於一形成於該喷嘴體内的清潔溶液 28 4. 100年12月28日修正替換頁 :應管中’並將該清潔溶液喷m至該基板支撐構件 =申請專利範圍第3項所述之單 該嗔嘴係與該基板支標構件= 中，^一第a—通路與一第二通路係形成於該嗔嘴 置，而%第通路係沿著該喷嘴的一長度方向而設 樓構件第—通路連通並與該基板支 備申第3項所述之單-型態基板處理設 直，u二嘴係與該基板支撐構件的一上表面垂 中，第—通路與—第二通路係形成於該嘴嘴 第—通路係沿著該喷嘴的-長度方向而： 6, 一通路與該第一通路連通並向下傾斜朝 向该基板支撐構件的該上表面。 斜朝 如申請專利範圍第 。 傷，其中該清型態基板處理設 嘴體中之-第上 =!:提供有形成於該喷 與該基板支撐構件：二：=::’該第-通路係 斑丄方货,a . 的上表面垂直，而該第二通路 Ϊ行連通並與該基板切構件的該上表面 如申請專利範圍第2項所 備，其中該清潔溶液…單元處理設 嘴體中之-第1:=::= = 與該基板支樓構件的該上表二== 與該第-通路連通並向下傾斜朝向該基; 29 13费8 100年12月28日修正替換頁 的該上表面。 8. 如申請專利範圍第4項所述之單一型態基板處理設 備，其中該第二通路具有一端，其用以定義一具有 一孔狀之化學溶液出口埠。 9. 如申請專利範圍第4項所述之單一型態基板處理設 備，其中該第二通路具有一端，其用以定義一具有 一狹縫狀之化學溶液出口埠。 10. 如申請專利範圍第1項所述之單一型態基板處理設 備，其更包含： 一化學溶液供應管，其用以供應該化學溶液給該化 學溶液供應單元；以及 一加熱器，其設置於該化學溶液供應管並將該化學 溶液供應單元所供應的該化學溶液加熱至一製程溫 度。 11. 如申請專利範圍第10項所述之單一型態基板處理設 備，其中該清潔溶液包含室溫去離子水。 30