CN101365650B - 定向碳纳米管整体集合体 - Google Patents
定向碳纳米管整体集合体 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101365650B CN101365650B CN2007800019203A CN200780001920A CN101365650B CN 101365650 B CN101365650 B CN 101365650B CN 2007800019203 A CN2007800019203 A CN 2007800019203A CN 200780001920 A CN200780001920 A CN 200780001920A CN 101365650 B CN101365650 B CN 101365650B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- carbon nanotube
- bulk assembly
- oriented carbon
- oriented
- assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 324
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims abstract description 310
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 310
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 16
- 239000013335 mesoporous material Substances 0.000 claims description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 86
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 23
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 17
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 11
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 abstract 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 6
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 5
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 4
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000002594 sorbent Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001417527 Pempheridae Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDQQZMCJXOMDMG-UHFFFAOYSA-N [Mo+4].[Fe+2].[O-2].[Al+3] Chemical compound [Mo+4].[Fe+2].[O-2].[Al+3] VDQQZMCJXOMDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAQXDZTWVWLKGC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Al+3].[Fe+2] Chemical compound [O-2].[Al+3].[Fe+2] JAQXDZTWVWLKGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMWXOUAFWWUNGR-UHFFFAOYSA-N aluminum cobalt(2+) oxygen(2-) Chemical compound [Co+2].[O-2].[Al+3] UMWXOUAFWWUNGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000000796 flavoring agent Substances 0.000 description 1
- 235000019634 flavors Nutrition 0.000 description 1
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- KWUUWVQMAVOYKS-UHFFFAOYSA-N iron molybdenum Chemical compound [Fe].[Fe][Mo][Mo] KWUUWVQMAVOYKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/02—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material
- B01J20/20—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material comprising free carbon; comprising carbon obtained by carbonising processes
- B01J20/205—Carbon nanostructures, e.g. nanotubes, nanohorns, nanocones, nanoballs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/02—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material
- B01J20/20—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material comprising free carbon; comprising carbon obtained by carbonising processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/16—Preparation
- C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/32—Carbon-based
- H01G11/36—Nanostructures, e.g. nanofibres, nanotubes or fullerenes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
- H01M4/583—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
- H01M4/587—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx for inserting or intercalating light metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/86—Inert electrodes with catalytic activity, e.g. for fuel cells
- H01M4/96—Carbon-based electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/02—Single-walled nanotubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/04—Nanotubes with a specific amount of walls
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/06—Multi-walled nanotubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/08—Aligned nanotubes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Abstract
本申请的发明的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,多根碳纳米管在规定的方向定向,密度为0.2~1.5g/cm3。该定向碳纳米管整体集合体,是通过在金属催化剂存在下,使碳纳米管进行化学气相沉积(CVD)的方法中,在反应氛围气中使多根碳纳米管定向成长,通过把得到的多根碳纳米管接触液体后进行干燥,得到密度为0.2~1.5g/cm3的定向碳纳米管整体集合体,由此提供:实现原来没有的高密度并且高硬度的定向碳纳米管整体集合体及其制造方法。
Description
技术领域
本申请的发明涉及定向碳纳米管整体集合体及其制造方法与用途,更详细地说,涉及达到原来没有的高密度化、高硬度化、高纯度化、高比表面积、高导电性、大型化、图形化的定向碳纳米管整体集合体及其制造方法与用途。
背景技术
新型的电子装置材料,或光学元件材料、导电性材料、生物体相关材料等功能性材料的发展所期待的碳纳米管(CNT),对其收率、品质、用途、批量生产效率、制造方法等进行了深入探讨。
为使碳纳米管作为上述功能性材料得到实际应用,其手段之一是考虑把多根碳纳米管加以集合,制成整体集合体,使该整体集合体的尺寸大型化,同时谋求纯度、比表面积、导电性、密度、硬度等特性的提高,达到所希望的形状的图形化。另外,碳纳米管的批量生产效率也必需显著提高。
为了解决如此课题,本申请的发明人进行悉心研究的结果发现,在金属催化剂存在下,使碳纳米管进行化学气相沉积(CVD)的方法中,在反应氛围气中通过添加微量水蒸气,与原有方法相比,能够得到纯度高、显著大型化的定向碳纳米管整体集合体,这在非专利文献1等已有报导。
非专利文献1:Kenji Hata et al,Water-Assisted HighlyEfficient Synthesis of Impurity-Free Single-Walled CarbonNanotubes,SCIENCE,2004.11.19,vol.306,p.1362-1364。
发明内容
发明要解决的课题
上述非专利文献1中报导的定向碳纳米管整体集合体,例如,是纯度未经精制处理为99.98质量%,比表面积为约1000m2/g,高度(长度)也为约2.5mm左右的,多根单层碳纳米管集合而成长的材料。
因此,该定向碳纳米管整体集合体,为了作为具有更优良特性的功能性材料加以应用,由于上述报告的结构体的密度为约0.03g/cm3 左右,机械性脆,故必需更加提高其强度、硬度。另外,对其操作性及加工性等也有更进一步探讨的余地。
在这里,本申请的发明的课题是,从上述背景出发,提供:具有原来没有的高密度且高硬度的定向碳纳米管整体集合体及其制造方法。
另外,本申请的发明另一课题是提供:采用简便的手段,达到高纯度、高比表面积、高导电性,具有优良的批量生产性、大型化的定向碳纳米管整体集合体及其制造方法。
另外,本申请的发明的又一课题是提供:操作性及加工性优良的定向碳纳米管整体集合体及其制造方法。另外,本申请的发明再一课题是提供:达到图形化的定向碳纳米管整体集合体及其制造方法及用途。
用于解决课题的手段
本申请解决上述课题而提供以下的发明。
定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,多根碳纳米管在规定的方向定向,密度为0.2~1.5g/cm3。
上述[1]所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,碳纳米管为单层碳纳米管。
上述[1]所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,碳纳米管为双层碳纳米管。
上述[1]所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,碳纳米管为单层碳纳米管与双层及三层以上的碳纳米管混合存在。
上述[1]~[4]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体, 其特征在于,纯度为98质量%以上。
上述[1]~[5]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,比表面积为600~2600m2/g。
上述[1]~[5]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,为未开口,比表面积为600~1300m2/g。
上述[1]~[5]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,为开口,比表面积为1300~2600m2/g。
上述[1]~[8]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,填充率为5~50%的介孔材料。
上述[1]~[9]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,介孔孔径为1.0~5.0nm。
上述[1]~[10]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,维氏硬度为5~100HV。
上述[1]~[11]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,在基板上垂直定向或水平定向。
上述[1]~[11]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,在基板上相对基板面斜向进行定向。
上述[1]~[13]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,在定向方向及与其垂直方向,光学特性、电特性、机械特性及热特性的至少任何一种具有各向异性。
上述[14]所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,在定向方向及与其垂直方向的各向异性的大小,大者的值对小者的值之比为1∶5以上。
上述[1]~[15]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,X线衍射测定时的定向方向与垂直于它的方向的(100)、(110)、(002)峰的任何一个的强度比,大者的值对小者的值之比为1∶2~1∶100。
上述[1]~[16]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,整体集合体的形状构图成规定的形状。
上述[17]所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,形状为薄膜。
上述[17]所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,形状是断面为圆形、椭圆形、n角形(n为3以上的整数)的柱状。
上述[17]所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,形状为块状。
上述[17]所述的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,形状为针状。
定向碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,在金属催化剂存在下,使碳纳米管化学气相沉积(CVD)的方法中,在反应氛围气中使多根碳纳米管定向成长,把得到的多根碳纳米管接触液体后通过干燥,制成具有密度0.2~1.5g/cm3的定向碳纳米管整体集合体。
上述[22]所述的定向双层碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,碳纳米管为单层碳纳米管的定向碳纳米管整体集合体。
上述[22]所述的定向双层碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,碳纳米管为双层碳纳米管的定向碳纳米管整体集合体。
上述[22]所述的定向双层碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,得到碳纳米管为单层碳纳米管与双层及三层以上的碳纳米管混合存在的碳纳米管整体集合体。
上述[22]~[25]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,得到纯度为98质量%以上的定向碳纳米管整体集合体。
上述[22]~[26]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,得到比表面积为600~2600m2/g的定向碳纳米管整体集合体。
上述[22]~[26]任一项所述的定向碳纳米管整体集合 体的制造方法,其特征在于,得到未开口的、比表面积为600~1300m2/g的定向碳纳米管整体集合体。
上述[22]~[26]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,得到开口的、比表面积为1300~2600m2/g的定向碳纳米管整体集合体。
上述[22]~[29]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,得到在定向方向及与其垂直方向,光学特性、电特性、机械特性及热特性的至少任何一种具有各向异性的定向碳纳米管整体集合体。
上述[22]~[30]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,得到在定向方向及与其垂直方向的各向异性的大小,大者的值对小者的值之比为1∶5以上的定向碳纳米管整体集合体。
上述[22]~[31]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,得到X线衍射测定时的定向方向与垂直于它的方向的(100)、(110)、(002)峰的任何一个的强度比,大者的值对小者的值之比为1∶2~1∶100的定向碳纳米管整体集合体。
上述[22]~[32]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,得到形成规定形状的构图的定向碳纳米管整体集合体。
上述[33]所述的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,得到形状为薄膜的定向碳纳米管整体集合体。
上述[33]所述的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,得到形状是断面为圆形、椭圆形、n角形(n为3以上的整数)的柱状的定向碳纳米管整体集合体。
上述[33]所述的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,得到形状为块状的定向碳纳米管整体集合体。
上述[33]所述的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,得到形状为针状的定向碳纳米管整体集合体。
放热体,其特征在于,采用上述[1]~[21]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体。
物品,其特征在于,采用上述[38]所述的放热体。
传热体,其特征在于,采用上述[1]~[21]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体。
物品,其特征在于,采用上述[40]所述的传热体。
导电体,其特征在于,采用上述[1]~[21]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体。
物品,其特征在于,采用上述[42]所述的导电体。
电极材料,其特征在于,采用上述[1]~[21]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体。
电池,其特征在于,采用上述[44]所述的电极材料作为电极。
电容器或超级电容器,其特征在于,采用上述[1]~[21]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体作为电极材料。
吸附剂,其特征在于,采用上述[1]~[21]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体。
气体吸收体,其特征在于,采用上述[1]~[21]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体。
挠性导电加热器,其特征在于,采用上述[1]~[21]任一项所述的定向碳纳米管整体集合体。
发明的效果
本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,与非专利文献1中本申请的发明人等提出的定向碳纳米管整体集合体相比,是密度约20倍以上,达到极高(0.2g/cm3以上),硬度也在100倍以上,达到极大的、原来没有的高强度定向碳纳米管整体集合体,其不是松软感的材料,而是呈现作为所谓“固体”状态的新型材料。
另外,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,由于抑制了催化剂或副产物的混入等而达到高纯度比,比表面积也达到600~ 2600m2/g左右,与代表性的多孔材料活性炭或SBA-15相同程度的值,而相对通常的多孔材料为绝缘体,具有高导电性,当制成片状时具有挠性。采用非专利文献1中制成的定向碳纳米管整体集合体,制作定向碳纳米管整体集合体时,可制成炭纯度达到99.98%以上的材料。
还有,本申请的发明的定向碳纳米管整体集合体,由于操作性及加工性优良,能够容易加工成任意形状。
另外,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,由于纯度、密度、硬度、比表面积、导电性、加工性等特性优良,可大型化,故适于在放热体、传热体、导电体、电极材料、电池、电容器、及超级电容器、吸附剂、气体吸收体、挠性加热器等各种用途中使用。
另外,按照本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,通过采用化学气相沉积(CVD)法的简便手段,可批量生产具有上述优良特性的定向碳纳米管整体集合体。
附图说明
图1是定向碳纳米管整体集合体的电子显微镜(SEM)的照片图。
图2是定向碳纳米管整体集合体的X线衍射数据图。
图3是对定向碳纳米管整体集合体,从垂直于定向方向的方向照射X线时的低角度X线衍射数据例图。
图4是定向碳纳米管整体集合体的液氮吸/脱附等温曲线。
图5是定向碳纳米管整体集合体的每单位体积吸附量图。
图6是定向碳纳米管整体集合体的每单位体积吸附量与每单位重量的比表面积关系图。
图7是定向碳纳米管整体集合体的拉曼分光评价结果之一例图。
图8是多个定向碳纳米管接触液体前与接触、干燥前后的状态图。
图9是表示多个定向碳纳米管接触液体前与接触、干燥后的变化状态图。
图10是表示多个定向碳纳米管接触水、干燥后的拉曼测定数据图。
图11是定向碳纳米管整体集合体的形状控制方法模型图。
图12是采用定向碳纳米管整体集合体的放热材料之一例的模拟图。
图13是采用定向碳纳米管整体集合体的热交换器之一例的模拟图。
图14是表示定向碳纳米管整体集合体的电流电压特性(流过高电流时)图。
图15是表示定向碳纳米管整体集合体的电流电压特性(流过低电流时)图。
图16是采用定向碳纳米管整体集合体的超级电容器之一例模拟图。
图17是定向碳纳米管整体集合体用于氢吸收体时的模拟示意图。
图18是表示采用定向碳纳米管整体集合体的挠性导电加热器图。
图19是定向碳纳米管整体集合体用于超级电容器时的循环笔录式极谱图。
具体实施方式
本申请的发明的上述特征,通过下列实施方案进行说明。
本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,其特征在于,多根碳纳米管聚集,相邻的碳纳米管通过范德荷夫力牢固结合,并且这些碳纳米管在规定的方向定向,密度下限为0.2g/cm3、优选0.3g/cm3、更优选0.4g/cm3,密度上限为1.0g/cm3、优选1.2g/cm3、更优选1.5g/cm3。该定向碳纳米管整体集合体的密度,当过低于上述范围时,机械性脆,得不充充分的机械强度,当过高时,比表面积减少。如此密度的定向碳纳米管整体集合体,不是非专利文献1中制成的定向碳纳米管整体集合体那样柔软感的材料,而呈现所谓“固体”状态的材料。图1是本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的电子显微镜(SEM)的照相图(a),与非专利文献1作成的定向碳纳米管整体集合体(下面也称作先前提出的定向碳纳米管整体集合体)的照相图 (b)的比较来示出。在该例中,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的密度与先前提出的定向碳纳米管整体集合体的密度相比,大到约20倍左右。
另外,图2示出本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的X线衍射数据。图中L表示定向碳纳米管整体集合体沿定向方向照射X线时的数据,T表示沿定向方向的垂直方向照射X线时的数据。从T方向及L方向,制造定向碳纳米管整体集合体厚度相同的试样进行比较。通过X线衍射数据,从(100)、(011)、(002)衍射峰的L方向与T方向的强度比,可以确认进行良好的定向。(100)、(110)峰,当从垂直于定向方向的方向(T方向)入射X线时,与沿定向方向(L方向)照射X线时相比,强度高,例如图2的情况下,(100)峰、(110)峰强度比都是5∶1。这是由于从垂直于定向方向的方向(T方向)照射X线时,可以看到构成碳纳米管的石墨晶格。反之,当为(002)峰时,沿定向方向(L方向)照射X线时,与从垂直于定向方向的方向(T方向)入射X线时相比,强度强,而强度比,例如图2的场合为17∶1。这是由于沿定向方向(L方向)照射X线时,可以看到碳纳米管彼此的接点。
另外,图3示出本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的沿定向方向(L方向)照射X线时的低角度X线衍射数据例子。在该例的情况下,已知晶格常数为约4.4nm的结构。
构成本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的的碳纳米管,既可以是单层碳纳米管,又可以是双层碳纳米管,也可以是单层碳纳米管与双层或三层以上的碳纳米管以适当的比例混合存在。
关于本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,可以通过上述第[22]~[37]的发明的方法制造,其详情后述。采用这些方法得到的定向碳纳米管整体集合体,当在要求纯度的用途中使用时,其纯度优选98质量%以上、更优选99质量%以上、尤其优选99.9质量%以上。本申请的发明人等按照非专利文献1中提出的制造方法,即使不进行精制处理,也可以得到上述高纯度的定向碳纳米管 整体集合体。这样纯度高的定向碳纳米管整体集合体,由于杂质几乎不混入,故可以发挥碳纳米管本来的特性。
在这里,本说明书中所谓纯度,用生成物中碳纳米管的质量%(mass%)表示。该纯度的测定,通过荧光X线的元素分析结果进行计测。
本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,关于其高度(长度:碳纳米管的长度方向的尺寸),根据用途,其优选的范围不同,但作为大型化使用时,关于下限优选5μm、更优选10μm、特优选20μm,关于上限优选2.5mm、更优选1cm、特优选10cm。
另外,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,其比表面积极大,优选的值根据其用途而异,但希望在大的比表面积下使用时,达到600~2600m2/g、更优选800~2600m2/g、尤其优选1000~2600m2/g。另外,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体材料为未开口材料,比表面积为600~1300m2/g、更优选800~1300m2/g、尤其优选1000~1300m2/g。另外,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的材料为开口的材料时,比表面积为1300~2600m2/g、更优选1500~2600m2/g、尤其优选1700~2600m2/g。
比表面积的测定,通过吸/脱附等温线的计测来进行。作为其一例,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体50mg,采用株式会社日本ベル的BELSORP-MINI,以77K来计测液氮的吸/脱附等温线(参照图4)(吸附平衡时间定为600秒)。从吸/脱附等温线计测比表面积的结果是,约为1100m2/g。另外,在0.5以下的相对压力区域,可以得到直线性的吸/脱附等温线,由此可见定向碳纳米管整体集合体中碳纳米管为未开口。
另外,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,通过实施开口处理,碳纳米管的前端部开口,使比表面积更加增大。图4的▲表示本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的未开口部分,△表示开口部分,●表示先前提出的定向碳纳米管整体集合体的未开口部分,○表示开口部分,×表示介孔硅石(SBA-15)的数据。本申请 的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的开口部分,可以实现约1900m2/g的极大比表面积。另外,每单位体积的吸附量示于图5,每单位体积的吸附量与每单位重量的比表面积的关系示于图6。从这些图可知,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体显示大的比表面积、良好的吸附特性。作为开口处理,作为干法,可以采用氧气或二氧化碳、水蒸气进行处理。在可以采用湿法时,用酸处理,具体的可以采用通过过氧化氢的回流处理或用高温盐酸的切断处理等。
具有这样大的比表面积的定向碳纳米管整体集合体,在电极材料、电池、电容器及超级电容器、放电子元件、电场放出型显示器、吸附剂、气体吸收体等各种用途中,可发挥大的有利性。当比表面积过小,在上述用途中使用时,得不到所希望的特性,而其上限愈高愈好,但理论上有极限。
本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,填充率5~50%、更优选10~40%、尤其优选10~30%的介孔材料。另外,此时的介孔孔径优选含1.0~5.0nm的孔径。此时的介孔用定向碳纳米管整体集合体中的尺寸定义。通过实施例6那样的氧化处理等,使定向碳纳米管整体集合体中的碳纳米管开口,计测液氮的吸/脱附等温线,从吸附等温线求出SF标图,可以导出与碳纳米管的尺寸对应的介孔。反之,通过上述实验事实开口的定向碳纳米管整体集合体,已知具有作为介孔材料的功能。介孔的填充率用碳纳米管的被覆率定义。当具有上述范围填充率或介孔孔径分布时,适于作为介孔材料使用,同时可以得到所需要的强度。
通常的介孔材料为绝缘体,但本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体具有高导电性,在制成片状时具有挠性。
另外,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的维氏硬度为5~100HV是优选的。处于该范围的维氏硬度与作为代表性的介孔材料的活性炭或SBA-15具有相比美的充分的机械强度,在要求机械强度的各种用途中显示很大的有利性。
另外,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,在基板上 设置或不设置的状态均可使用。当在基板上设置时,可相对基板表面的垂直方向、水平方向或斜向加以定向。
另外,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体在定向方向和与其垂直的方向,光学特性、电特性、机械特性、及热特性的至少任何一种显示各向异性是优选的。该定向碳纳米管整体集合体中,在定向方向和与其垂直的方向的各向异性程度,优选1∶3以上、更优选1∶5以上、特优选1∶10以上。其上限值为1∶100左右。另外,X线衍射测定时的定向方向和与其垂直的方向的(100)、(110)、(002)的任何一个强度比,大者的值对小者的值之比优选1∶2~1∶100。其一例示于图2。这种大的各向异性,例如,当为光学特性时,可在依赖于光吸收率或光透过率的偏光依赖性的偏光元件中使用。关于其他特性的各向异性,可分别在利用这些各向异性的各种物品等中使用。
定向碳纳米管整体集合体中的碳纳米管(长丝)的品质,可通过测定拉曼分光来进行评价。拉曼分光的评价之一例示于图7。图7(a)表示拉曼G带的各向异性图,(b)、(c)表示拉曼G带的测定结果图。由图可见,具有锐峰的G带用1592cm-1进行观察,已知石墨结晶结构存在。另外,由于D带小,缺陷少,可知存在高质量的良好的石墨层。另外,在低波长侧,起因于多个单层碳纳米管的RBM型已观察到,已知石墨层为单层碳纳米管。由此可以确认,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体中,存在高品质的单层碳纳米管。另外,在定向方向及与其垂直的方向,已知拉曼G带的各向异性有6.8倍差异。
另外,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,其形状可以以规定形状构图。
作为该形状,例如薄膜,或断面为圆形、椭圆形、n角形(n为3以上的整数)的柱状体,或立方体、直方体等的任意块状、针状(包括尖而细长的圆锥状)。关于构图方法后述。
其次,对本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的制造方法加以说明。
本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的制造方法,其特征在于,在金属催化剂存在下,在使碳纳米管进行化学气相沉积(CVD)的方法中,在反应氛围气中,使多根碳纳米管定向成长,使得到的多根碳纳米管接触液体后,通过干燥,制成具有密度0.2~1.5g/cm3的定向碳纳米管整体集合体。
首先,对采用CVD法的多根碳纳米管定向成长的方法加以说明。
作为CVD法的原料碳源的碳化合物,与原来的同样,可以使用烃,其中低级烃例如甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯、乙炔等是优选的。这些既可使用1种或者2种以上,作为反应条件,只要是允许的即可采用,还可以考虑采用甲醇、乙醇等低级醇或丙酮、一氧化碳等低碳数的含氧化合物。
反应的氛围气,只要是不与碳纳米管反应,在成长温度下为惰性的即可使用,作为这种氛围气,可以举出氦、氩、氢、氮、氖、氪、二氧化碳、氯等,或这些的混合气体,特优选氦、氩、氢、及这些的混合气体。
反应的氛围气压力,只要是此前的制造碳纳米管的压力范围即可以使用,优选可用102Pa以上~107Pa(100大气压)以下、更优选104Pa以上~3×105Pa(3大气压)以下、特优选5×10Pa以上~9×10Pa以下。
反应体系中存在上述金属催化剂,但作为该催化剂,只要是此前在碳纳米管制造时使用的即可优选使用,例如,可以举出氯化铁薄膜、用溅射法制作的铁薄膜、铁-钼薄膜、氧化铝-铁薄膜、氧化铝-钴薄膜、氧化铝-铁-钼薄膜等。
作为催化剂的存在量,只要是此前制造碳纳米管的量即可,就可在该范围内使用,例如,采用铁金属催化剂时,厚度优选0.1nm以上~100nm以下、更优选0.5nm以上~5nm以下、特优选1nm以上~2nm以下。
催化剂的配置,只要是采用上述厚度配置金属催化剂的方法即可,可采用溅射蒸镀等适当的方法。
CVD法中成长反应时的温度,通过考虑反应压力、金属催化剂、原料碳源等加以适当决定。
采用本申请的发明的方法,催化剂在基板上配置,使相对基板面垂直定向的多根碳纳米管成长。此时,作为基板,只要是此前制造碳纳米管的即可,可选择合适的使用,例如,可以举出以下的基板。
(1)铁、镍、铬、钼、钨、钛、铝、锰、钴、铜、银、金、铂、铌、钽、铅、锌、镓、锗、铟、镓、锗、砷、铟、磷、锑等金属·半导体;这些的合金;这些的金属及合金的氧化物;
(2)上述金属、合金、氧化物的薄膜、片、板、粉末及多孔材料;
(3)硅、石英、玻璃、云母、石墨、金刚石等非金属、陶瓷;这些的晶片、薄膜。
作为催化剂的构图方法,只要是直接的或间接的可以使催化剂金属构图的方法即可适当的使用,既可以采用湿法也可以采用干法,例如,采用掩模的构图法、采用纳米盖印的构图法、采用软光刻法的构图法、采用印刷的构图法、采用电镀的构图法、采用丝网印刷的构图法、采用光刻法的构图法等上述任何一种方法均可以采用,在基板上使选择吸附催化剂等其他材料构图,在其他材料上选择吸附催化剂,形成图案的方法也可以采用。优选的方法是采用光刻法的构图法、采用掩模的金属蒸镀光刻法、电子束光刻法、采用掩模的电子束蒸镀法的催化剂金属构图法、采用掩模的溅射法的催化剂金属构图法。
采用本发明的方法,在非专利文献1中记载的反应氛围气中添加水蒸气等氧化剂,使大量的定向单层碳纳米管成长也可以。当然,不限于该法,也可采用各种方法。
如上所述进行操作,可以得到接触液体、进行干燥处理前的定向碳纳米管整体集合体。
把该定向碳纳米管整体集合体从基板剥离时,作为剥离方法,可以举出物理的、化学的或机械的从基板上剥离的方法,例如,采用电场、磁场、离心力、表面张力进行剥离的方法;采用机械,直接从基板剥离的方法;采用压力、热,从基板剥离的方法等。作为简单的剥 离方法,可以举出采用镊子直接从基板进行夹住、剥离的方法。更优选的是,也可使用切割刀等薄刀具从基板上切离。另外,采用真空泵、扫除机,从基板上抽吸、剥取也可。另外,剥离后,催化剂残留在基板上,可重新用它使碳纳米管成长。当然,基板上形成定向碳纳米管整体集合体的状态下也可进入以下的处理。
采用本申请的发明的方法,按上述操作制成的多根定向碳纳米管接触液体后使干燥,得到目的的定向碳纳米管整体集合体。
在这里,作为接触多根定向碳纳米管整体集合体的液体,与碳纳米管具有亲和性,使碳纳米管处于湿润状态后进行干燥时不残留的液体是优选的。作为这样液体,例如,可以举出水、醇类(异丙醇、乙醇、甲醇)、酮类(丙酮)、己烷、甲苯、环己烷、DMF(二甲基甲酰胺)等。
作为多根定向碳纳米管接触上述液体的方法,例如,向定向碳纳米管集合体的上部表面逐滴添加液滴,直至最终使定向碳纳米管集合体完全含有水滴中,重复此操作,采用移液管等,用液体润湿基板表面,定向碳纳米管集合体从与基板的接点浸渍液体,把定向碳纳米管集合体的全部浸在液中,使液体蒸发,使蒸气与定向碳纳米管集合体整个,或进行方向性暴露、喷雾等,使定向碳纳米管集合体接触液体的方法等可以采用。另外,作为接触液体后进行干燥的方法,例如,可以采用室温下自然干燥、抽真空干燥、或用热板等进行加热的方法等。
当多根定向碳纳米管接触液体时,这些集合体略收缩,在干燥时有相当收缩,形成密度高的定向碳纳米管整体集合体。此时,收缩具有各向异性,例如,一例示于图8。图8中,左侧示出用非专利文献1的方法制作的定向碳纳米管整体集合体,右侧示出该定向碳纳米管整体集合体接触水后使干燥的定向碳纳米管整体集合体。定向方向规定为z方向、在垂直于定向方向的面内为x方向、y方向。收缩图像示于图9。另外,在接触溶液时施加弱的外部压力,借此,可控制定向碳纳米管整体集合体的形状。例如,当一边从垂直于定向方向的x方 向施加弱的压力,一边进行浸渍溶液、干燥时,可以得到主要在x方向收缩的定向碳纳米管整体集合体。同样在以定向方向z呈斜向一边施加弱的压力,一边进行浸渍溶液、干燥时,可以得到主要在z方向收缩的薄膜状定向碳纳米管整体集合体。上述工艺从使定向碳纳米管整体集合体成长的基板上除去,也可在别的基板上进行,此时,可以制成任意的基板与具有高粘合性的定向碳纳米管整体集合体。例如,当在金属上制造薄膜状的定向碳纳米管整体集合体时,如实施例4所示,在与金属电极之间可得到高导电性,例如,可优选用作加热器、电容器等作为导电性材料的用途。此时,压力可采用镊子夹住程度的弱小的力,不造成碳纳米管损伤。另外,仅通过压力不给予碳纳米管以损伤,也不进行具有同等的收缩率的压缩,使用溶液可以制成合适的定向碳纳米管整体集合体,这是非常重要。
另外,多根定向碳纳米管接触水后使干燥,制成的定向碳纳米管整体集合体的拉曼测定数据,其一例示于图10。从该图可知,干燥后不残留水。
其次,采用本申请的发明的方法,把定向碳纳米管整体集合体的形状,可根据金属催化剂的构图及碳纳米管的成长任意加以控制。其控制方法,模拟地示于图11。
该例是薄膜状的定向碳纳米管整体集合体(集合体相对于碳纳米管的口径尺寸(接触液体前)为薄膜状或整体状)的例子,厚度为高度,与宽度相比要薄,宽度通过催化剂的构图,可控制至任意长度,厚度通过催化剂的构图,可控制至任意厚度,高度可通过构成个集合体(接触液体前)定向的多根碳纳米管的成长加以控制。因此,接触液体前的定向碳纳米管集合体,以规定形状构图,将其接触液体后使干燥,以规定的收缩率(能够预先推定)使收缩,可以得到以规定形状构图的高密度的定向碳纳米管整体集合体。
本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体与原来的定向碳纳米管整体集合体相比,密度显著大并且硬度也大,另外,形状构图成规定形状的定向碳纳米管整体集合体,由于具有超高纯度、超热传导 性、高比表面积、优良的电子·电特性、光学特性、超机械强度、超高密度等各种物性·特性,可在下列各种技术领域中应用。
(A)放热体(放热特性)
要求放热的物品,例如电子产品的电脑心藏部CPU的演算能力,当然,从要求高速·高集成化考虑,来自CPU本身的热发生度越发升高,可以认为在不远的将来对LSI性能的提高有可能产生极限。从前,已知当放热形成这种热发生密度时,作为放热体,把无规定向碳纳米管埋设在聚合物中,但存在的问题是在垂直方向的放热特性欠缺。本申请的发明涉及的上述大型化的定向碳纳米管整体集合体之中垂直定向的显示高的放热特性,而且,由于高密度并且在与长度方向垂直定向,当利用它作为放热材料时,与原来产品相比,可以飞快提高垂直定向的放热特性。
该放热材料之一例模拟地示于图12。
还有,本申请的发明的放热体,不局限于电子部件,要求放热的其他各种物品例如电气制品、光学制品及机械制品等放热体均可以使用。
(B)传热体(传热特性)
本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体具有良好的传热特性。该传热特性优良的定向碳纳米管整体集合体,通过制成含它的复合材料的传热材料。可以得到高的热传导性,例如,当在热交换器、干燥机、热导管等中使用时,可以谋求其性能提高。当这种传热材料用于航空宇宙用热交换器时,可以谋求热交换性能提高、重量·体积的降低。另外,当这种传热材料用于燃料电池发电与废热供暖***、微型气体透平机中时,可以谋求热交换性能的提高及耐热性提高。利用该传热材料的热交换器之一例模拟地示于图13。
(C)导电体(导电性)
本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,导电性等电特性也优良。图14示出流过高电流时的电流电压特性。另外,图15示出流过低电流时的电流电压特性。
本申请的发明的导电体,或该导电体配线,可以用作要求导电性的各种物品、电气制品、电子制品、光学制品及机械制品的导电体或配线。
例如,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,或集合体的形状,构图成规定形状的定向碳纳米管整体集合体,由于优良的高导电性与机械强度,可用其代替铜的配线,从而可谋求元件等的细微化与稳定化。
(D)超级电容器、二次电池(电特性)
超级电容器通过电荷的移动而储存能量,故可流过大电流,耐超过10万次的充放电,具有充电时间短等特征。作为超级电容器的重要性能,可以举出静电容量大、内阻小。决定静电容量的是孔的大小,已知称作介孔的3~5纳米左右时达到最大,与构成本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体的碳纳米管的尺寸一致。另外,当采用本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体或集合体的形状,采用构图成规定形状的定向碳纳米管整体集合体时,所有的构成要素可并列达到最佳化,另外,通过谋求电极等表面积的最大化,可使内阻达到最小化,故得到高性能的超级电容器。
本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体或集合体的形状,以构图成规定形状的定向碳纳米管整体集合体作为构成材料或电极材料的超级电容器之一例模拟地示于图16。
还有,本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,不仅可用作超级电容器,而且通常的超级电容器的构成材料,进一步还可用作锂电池等二次电池的电极材料、燃料电池或空气电池等电极(负极)材料。
(E)气体吸收体·吸附剂(吸收性)
已知碳纳米管对氢气或甲烷显示气体吸收性。在这里,比表面积特大的本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,可以期待用于氢气或甲烷等气体的贮藏·输送。图17模拟地示出本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体用作气体吸收体时的示意模拟图。另外,如活性炭过滤器那样的吸收有害气体或物质,也可进行物质、气体的分离、纯化。
(F)挠性导电加热器
本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体,可以薄膜状构图,由于形成薄膜而具有挠性并且流过一定值以上的电流而发热,故可用作挠性导电加热器。图18示出本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体用作挠性导电加热器时的例子。
实施例
下面示出实施例,更详细地进行说明。当然,本发明不受以下实施例的限定。
[实施例1]
在下列条件下,用CVD法使定向碳纳米管整体集合体成长。
碳化合物:乙烯,供给速度100sccm
氛围气(气体)(Pa):氦气、氢气混合气;供给速度1000sccm
压力为1大气压
水蒸汽添加量(ppm):150ppm
反应温度(℃):750℃
反应时间(分钟):10分钟
金属催化剂(存在量):铁薄膜;厚1nm
基板:硅晶片
还有,催化剂在基板上的配置,是采用溅射蒸镀装置,通过蒸镀厚1nm的铁金属进行配置。
其次,在上述制造的定向碳纳米管集合体的上部表面上,每次稍许滴加水分液滴,反复进行,直至最终的定向碳纳米管集合体完全含有水滴。这样操作使接触水后,置于保持在170℃温度的热板上使干燥,得到本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体。
所得到的定向碳纳米管整体集合体的特性,与刚成长后的定向碳纳米管整体集合体的特性的比较结果示于表1。
[表1]
刚成长后的定向整体集合体 | 实例1的定向整体集合体 | |
密度(g/cm3) | 0.029 | 0.57 |
管密度(根数/cm2) | 4.3×1011 | 8.3×1012 |
每根面积 | 234nm2 | 11.9nm2 |
晶格常数 | 16.4nm | 3.7nm |
被覆率 | 约3% | 53% |
维氏硬度 | 约0.1 | 7-10 |
另外,实施例1的定向碳纳米管整体集合体的纯度为99.98%。
[实施例2]
在实施例1中,把刚成长后的定向碳纳米管整体集合体,除用乙醇代替水进行接触外,完全同样进行操作,得到实施例2的定向碳纳米管整体集合体。该定向碳纳米管整体集合体与实施例1同样高密度,其他特性也同样优良。
[实施例3]
在实施例1中,把刚成长后的定向碳纳米管整体集合体,除分别用醇类(异丙醇、甲醇)、酮类(丙酮)、己烷、甲苯、环己烷、DMF(二甲基甲酰胺)代替水加以接触后,进行干燥,结果是任何一种也与实施例1同样高密度,其他特性也同样优良。
[实施例4](薄膜)
在下列条件下,用CVD法使定向碳纳米管整体集合体成长。
碳化合物:乙烯,供给速度100sccm
氛围气(气体)(Pa):氦气、氢气混合气;供给速度1000sccm
压力为1大气压
水蒸汽添加量(ppm):150ppm
反应温度(℃):750℃
反应时间(分钟):10分钟
金属催化剂(存在量):铁薄膜;厚1nm
基板:硅晶片
还有,催化剂在基板上的配置,是采用溅射蒸镀装置,蒸镀厚1nm的铁金属进行配置。
其次,把上述制造的定向碳纳米管整体集合体,从成长基板上用镊子剥去,在铜基板上从定向方向z呈斜向施加弱的压力,使接触水后用镊子固定,保持施加弱的压力,置于保持在170℃温度的热板上使干燥,得到主要于z方向收缩的、本申请的发明涉及的定向碳纳米管整体集合体。
该薄膜状定向碳纳米管整体集合体的密度为约0.6g/cm3,薄膜的尺寸为1cm×1cm×高70μm。
[实施例5](圆柱状体)
在下列条件下,用CVD法使定向碳纳米管整体集合体成长。
碳化合物:乙烯,供给速度100sccm
氛围气(气体)(Pa):氦气、氢气混合气;供给速度1000sccm
压力为1大气压
水蒸汽添加量(ppm):150ppm
反应温度(℃):750℃
反应时间(分钟):10分钟
金属催化剂(存在量):铁薄膜;厚1nm
基板:硅晶片
还有,催化剂在基板上的配置,是采用溅射蒸镀装置,蒸镀厚1nm的铁金属进行配置。催化剂为构图成50μm的圆形状。
其次,把上述制造的定向碳纳米管整体集合体,用吸液管把液体润湿基板表面,从定向碳纳米管集合体与基板的连接点,浸渍液体地接触水后,置于保持在70℃温度的热板上使干燥,得到本申请的发明涉及的固柱状定向碳纳米管整体集合体。
该圆柱状定向碳纳米管整体集合体的密度为约0.6g/cm3,尺寸为直径11μm×高1000μm。
[实施例6](超级电容器)
为把上述实施例4得到的定向碳纳米管整体集合体作为电容器电极进行特性评价,定向碳纳米管整体集合体2毫克构成的电极材料作为作用极,Ag/Ag+作为参照极,组合成实验用单元。作为电解液,采用プロピレンカ-ボネィトPC类电解液。测定由此制造的实验用单元的定电流充放电特性。该结果的循环笔录式极谱图示于图19。从该图可知,实施例4得到的定向碳纳米管整体集合体可作为电容器材料发挥作用。
[实施例7]
对上述实施例1得到的定向碳纳米管整体集合体50毫克,采用株式会社日本ベル的BELSORP-MINI,以77K测定液氮吸/脱附等温线(吸附平衡时间设为600秒)。总吸附量显示非常大的数值(742ml/g)。从该吸/脱附等温线计测比表面积的结果为1100m2/g。
另外,用镊子从同样的定向碳纳米管整体集合体上撕取50毫克,均匀配置在氧化铝制造的托盘中,放入马福炉内。然后,以1℃/min升温至500℃,于500℃保持1分钟,氧气下(浓度约20%)进行热处理。热处理后的试样重量为50毫克,热处理后也是几乎是保持当初的 重量。与上述同样,对热处理后的试样同样进行操作,测量液氮的吸/脱附等温线(图4)。结果表明,比表面积是约1900m2/g。热处理后的试样与热处理前的试样相比,具有大的比表面积,通过热处理显示碳纳米管前端开口。还有,图中P为吸附平衡压力,P0为饱和蒸气压。
[实施例8](气体吸收体)
对上述实施例1得到的定向碳纳米管整体集合体100毫克,采用日本ベル株式会社制造的高压单成分吸附量测定装置(FMS-AD-H),进行关于吸收氢气测定。结果是氢气吸收量在10MPa、25℃时达到0.4重量%。另外检出:放出过程也是仅依赖于压力的可逆放出。
[实施例9](传热体·放热体)
对上述实施例1得到的定向碳纳米管整体集合体,采用用于检查传热性的激光闪光法进行热扩散率的测定。测定温度为室温,试样的大小为1cm方形。测定采用试样单体、试样上或下配置玻璃板的3种形态来进行。采用从CF法及脉冲加热能量依赖性的零外插决定热扩散率。
另外,在真空中试样温度几乎一定,热损失效果低,在大气中可见试样温度下降,显示热损失效果大。由此可以确认该定向碳纳米管整体集合体的放热效果。因此,该定向碳纳米管整体集合体可期待用作传热体及放热体。
[实施例10](导电体)
把上述实施例4得到的定向碳纳米管整体集合体制成2英寸×2英寸×高70μm的形状,使其两侧与铜板接触,采用カスケ-ドマィクRテック社制造的Summit-12101B-6的プロ-バ-与ァジィレント社制造的半导体ァナラィザ-(4155C),用2端子法评价电输送特性。其结果示于图14、图15。从这些图可知,上述实施例的定向碳纳米管整体集合体可期待用作导电体。
[实施例11](挠性导电加热器)
把上述实施例4得到的定向碳纳米管整体集合体成型为图18所示的结构体,设置在放入水的玻璃瓶周围,施加15W(0.1A×150V)的电力。结果确认可以用作加热器。
Claims (3)
1.定向单层碳纳米管整体集合体,其特征在于,其为纯度以荧光X线的测定为98质量%以上的定向单层碳纳米管整体集合体,在所述定向单层碳纳米管整体集合体的密度为0.2~1.5g/cm3中设定比表面积为800~2600m2/g,由此能够防止密度过高而比表面积减少。
2.按照权利要求1所述的定向单层碳纳米管整体集合体,其特征在于,构成填充率为5~50%、介孔孔径为1.0~5.0nm的介孔材料。
3.按照权利要求1所述的定向单层碳纳米管整体集合体,其特征在于,维氏硬度为5~100HV。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP001901/2006 | 2006-01-06 | ||
JP2006001901A JP4817296B2 (ja) | 2006-01-06 | 2006-01-06 | 配向カーボンナノチューブ・バルク集合体ならびにその製造方法および用途 |
PCT/JP2007/050050 WO2007078005A1 (ja) | 2006-01-06 | 2007-01-05 | 配向カーボンナノチューブ・バルク集合体ならびにその製造方法および用途 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101365650A CN101365650A (zh) | 2009-02-11 |
CN101365650B true CN101365650B (zh) | 2012-07-18 |
Family
ID=38228341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2007800019203A Expired - Fee Related CN101365650B (zh) | 2006-01-06 | 2007-01-05 | 定向碳纳米管整体集合体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090272935A1 (zh) |
JP (1) | JP4817296B2 (zh) |
CN (1) | CN101365650B (zh) |
TW (1) | TWI360522B (zh) |
WO (1) | WO2007078005A1 (zh) |
Families Citing this family (129)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4807128B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-11-02 | 日立造船株式会社 | カーボンナノチューブを用いた電気二重層キャパシタおよびその製造方法 |
CN101498864A (zh) * | 2008-02-01 | 2009-08-05 | 清华大学 | 液晶显示屏 |
WO2008102813A1 (ja) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | カーボンナノチューブからなる梁状体及びその製造方法 |
JP5590598B2 (ja) * | 2007-04-24 | 2014-09-17 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | カーボンナノチューブ含有樹脂複合体及びその製造方法 |
JP5266907B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2013-08-21 | 東レ株式会社 | カーボンナノチューブ集合体、分散体および導電性フィルム |
CN101353785B (zh) * | 2007-07-25 | 2010-09-29 | 清华大学 | 高密度碳纳米管阵列复合材料的制备方法 |
US9236669B2 (en) | 2007-08-07 | 2016-01-12 | Nanocomp Technologies, Inc. | Electrically and thermally non-metallic conductive nanostructure-based adapters |
CN101372614B (zh) * | 2007-08-24 | 2011-06-08 | 清华大学 | 碳纳米管阵列复合导热片及其制备方法 |
CN101409337B (zh) * | 2007-10-10 | 2011-07-27 | 清华大学 | 锂离子电池负极,其制备方法和应用该负极的锂离子电池 |
CN101409338A (zh) * | 2007-10-10 | 2009-04-15 | 清华大学 | 锂离子电池负极,其制备方法和应用该负极的锂离子电池 |
US8076034B1 (en) * | 2007-09-20 | 2011-12-13 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Confinement of hydrogen at high pressure in carbon nanotubes |
CN101400198B (zh) | 2007-09-28 | 2010-09-29 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法 |
CN101409962B (zh) | 2007-10-10 | 2010-11-10 | 清华大学 | 面热光源及其制备方法 |
CN102751474A (zh) * | 2007-10-10 | 2012-10-24 | 清华大学 | 锂离子电池负极,其制备方法和应用该负极的锂离子电池 |
WO2009054461A1 (ja) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 放熱構造及びその製造方法、ヒートシンク及び放熱装置、加熱装置及びサセプタ、セラミックフィルタ及びその製造方法、並びに排ガス浄化用セラミックフィルタ及びディーゼルパティキュレートフィルタ |
CN101420021B (zh) * | 2007-10-26 | 2011-07-27 | 清华大学 | 锂离子电池正极及其制备方法 |
CN101425381B (zh) | 2007-11-02 | 2012-07-18 | 清华大学 | 超级电容器及其制备方法 |
CN101425380B (zh) | 2007-11-02 | 2013-04-24 | 清华大学 | 超级电容器及其制备方法 |
CN101471184B (zh) * | 2007-12-27 | 2011-11-09 | 清华大学 | 超级电容器 |
KR101543486B1 (ko) * | 2007-12-12 | 2015-08-10 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | 금속 내포 수상 탄소 나노 구조물, 탄소 나노 구조체, 금속 내포 수상 탄소 나노 구조물의 제작방법, 탄소 나노 구조체의 제작방법, 및 캐패시터 |
CN101456277B (zh) * | 2007-12-14 | 2012-10-10 | 清华大学 | 碳纳米管复合材料的制备方法 |
CN101480858B (zh) * | 2008-01-11 | 2014-12-10 | 清华大学 | 碳纳米管复合材料及其制备方法 |
US7826198B2 (en) * | 2007-12-29 | 2010-11-02 | Tsinghua University | Electrochemical capacitor with carbon nanotubes |
CN101498865B (zh) | 2008-02-01 | 2011-05-04 | 清华大学 | 液晶显示屏 |
CN101515091B (zh) | 2008-02-22 | 2012-07-18 | 清华大学 | 液晶显示屏的制备方法 |
JP5335254B2 (ja) | 2008-02-25 | 2013-11-06 | 国立大学法人静岡大学 | カーボンナノチューブの製造方法及び製造装置 |
WO2009107846A1 (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | カーボンナノチューブ膜構造体及びその製造方法 |
JP2009208975A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法 |
CN101526696B (zh) | 2008-03-07 | 2010-11-10 | 清华大学 | 液晶显示屏 |
CN101526695B (zh) | 2008-03-07 | 2011-12-21 | 清华大学 | 液晶显示屏 |
CN101556089B (zh) * | 2008-04-11 | 2011-03-30 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 太阳能集热器 |
CN101977841B (zh) * | 2008-03-17 | 2013-07-10 | 大塚化学株式会社 | 碳纳米管的制造方法 |
JP5303235B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-10-02 | 日本ケミコン株式会社 | 電気二重層キャパシタ用電極及びその製造方法 |
CN101566760B (zh) * | 2008-04-23 | 2010-09-29 | 清华大学 | 液晶显示屏 |
CN101820571B (zh) * | 2009-02-27 | 2013-12-11 | 清华大学 | 扬声器*** |
JP5968621B2 (ja) * | 2008-05-07 | 2016-08-10 | ナノコンプ テクノロジーズ インコーポレイテッド | ナノ構造体ベースの加熱装置およびその使用方法 |
WO2009141472A1 (es) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Antonio Miravete De Marco | Sistemay método de monitorización del daño en estructuras |
CA2763548C (en) | 2008-05-27 | 2019-01-15 | Energesis Pharmaceuticals, Inc. | Brown adipocyte progenitors in human skeletal muscle |
TWI465145B (zh) * | 2008-07-25 | 2014-12-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 空心熱源 |
TWI486090B (zh) * | 2008-08-01 | 2015-05-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 空心熱源 |
TWI462630B (zh) * | 2008-08-08 | 2014-11-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 面熱源 |
WO2010019648A2 (en) | 2008-08-15 | 2010-02-18 | The Regents Of The University Of California | Hierarchical nanowire composites for electrochemical energy storage |
US7917966B2 (en) * | 2008-08-21 | 2011-03-29 | Snu R&Db Foundation | Aligned nanostructures on a tip |
US8070929B2 (en) * | 2008-08-21 | 2011-12-06 | Snu R&Db Foundation | Catalyst particles on a tip |
JP5303234B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-10-02 | 日本ケミコン株式会社 | 高密度カーボンナノチューブ集合体及びその製造方法 |
KR101265847B1 (ko) * | 2008-12-22 | 2013-05-20 | 도요타지도샤가부시키가이샤 | 복합형 탄소 및 그 제조방법 |
CN106430152A (zh) * | 2008-12-30 | 2017-02-22 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 取向单层碳纳米管集合体及其制造方法 |
CN101819335B (zh) * | 2009-02-27 | 2014-01-15 | 清华大学 | 热致变色元件及热致变色显示装置 |
JP2010222210A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Ube Kagaku Bunseki Center:Kk | ナノカーボンの精製方法およびその分析方法 |
TWI399121B (zh) * | 2009-04-24 | 2013-06-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 線熱源 |
TWI408990B (zh) * | 2009-04-24 | 2013-09-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 線熱源 |
TWI408989B (zh) * | 2009-04-24 | 2013-09-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 線熱源 |
CN101922755A (zh) * | 2009-06-09 | 2010-12-22 | 清华大学 | 取暖墙 |
CN101931842B (zh) | 2009-06-26 | 2013-07-03 | 清华大学 | 音圈骨架及扬声器 |
CN101931841A (zh) | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 清华大学 | 音圈骨架及扬声器 |
CN101958163A (zh) * | 2009-07-17 | 2011-01-26 | 群康科技(深圳)有限公司 | 导电板的制作方法 |
JP2011035046A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Fujitsu Ltd | シート状構造体及びその製造方法 |
CN101990148B (zh) * | 2009-07-31 | 2013-08-21 | 清华大学 | 振动膜及应用该振动膜的扬声器 |
CN101990147B (zh) | 2009-07-31 | 2013-08-28 | 清华大学 | 振动膜及应用该振动膜的扬声器 |
CN101990142B (zh) | 2009-08-05 | 2013-12-11 | 清华大学 | 音圈引线及采用该音圈引线的扬声器 |
CN101990150A (zh) | 2009-08-05 | 2011-03-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 扬声器 |
CN101998210A (zh) | 2009-08-11 | 2011-03-30 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 音圈骨架及使用该音圈骨架的扬声器 |
CN101998209A (zh) | 2009-08-11 | 2011-03-30 | 清华大学 | 定心支片及使用该定心支片的扬声器 |
CN102006539B (zh) | 2009-08-28 | 2013-06-05 | 清华大学 | 扬声器 |
CN102026065A (zh) | 2009-09-15 | 2011-04-20 | 清华大学 | 定心支片及使用该定心支片的扬声器 |
CN102026068B (zh) | 2009-09-17 | 2016-06-08 | 清华大学 | 音圈及使用该音圈的扬声器 |
CN102026069A (zh) | 2009-09-17 | 2011-04-20 | 清华大学 | 音圈及使用该音圈的扬声器 |
CN102026066B (zh) | 2009-09-18 | 2013-10-09 | 清华大学 | 定心支片及使用该定心支片的扬声器 |
CN102036146A (zh) | 2009-09-30 | 2011-04-27 | 清华大学 | 振动膜及应用该振动膜的扬声器 |
CN102036149A (zh) | 2009-09-30 | 2011-04-27 | 清华大学 | 音圈骨架及具有该音圈骨架的扬声器 |
CN102045624B (zh) | 2009-10-23 | 2014-12-10 | 清华大学 | 定心支片及具有该定心支片的扬声器 |
CN102045623B (zh) | 2009-10-23 | 2014-12-10 | 清华大学 | 振动膜、振动膜的制备方法及具有该振动膜的扬声器 |
CN102065353B (zh) * | 2009-11-17 | 2014-01-22 | 清华大学 | 振动膜及使用该振动膜的扬声器 |
WO2011094347A2 (en) | 2010-01-26 | 2011-08-04 | Metis Design Corporation | Multifunctional cnt-engineered structures |
JP5858266B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2016-02-10 | アイシン精機株式会社 | カーボンナノチューブ複合体の製造方法 |
CN102249211A (zh) * | 2010-05-18 | 2011-11-23 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 一种采用石油醚为原料制备碳纳米管的方法 |
JP5500547B2 (ja) * | 2010-05-28 | 2014-05-21 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 電気二重層キャパシタ |
US8640455B2 (en) * | 2010-06-02 | 2014-02-04 | GM Global Technology Operations LLC | Controlling heat in a system using smart materials |
US8824722B2 (en) | 2010-06-28 | 2014-09-02 | Tsinghua University | Loudspeaker incorporating carbon nanotubes |
WO2012067432A2 (ko) | 2010-11-17 | 2012-05-24 | (주)엘지하우시스 | 방열과 발열 기능을 가지는 전지 조립체 |
CN103261091B (zh) * | 2010-12-15 | 2017-06-27 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 三维形状碳纳米管集合体 |
US9214709B2 (en) | 2010-12-21 | 2015-12-15 | CastCAP Systems Corporation | Battery-capacitor hybrid energy storage system for high temperature applications |
US8760851B2 (en) | 2010-12-21 | 2014-06-24 | Fastcap Systems Corporation | Electrochemical double-layer capacitor for high temperature applications |
US9001495B2 (en) | 2011-02-23 | 2015-04-07 | Fastcap Systems Corporation | High power and high energy electrodes using carbon nanotubes |
JP5876657B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2016-03-02 | 国立大学法人 筑波大学 | カーボンナノ構造体の加工方法ならびに製造方法 |
CN104271880A (zh) | 2011-05-24 | 2015-01-07 | 快帽***公司 | 用于高温应用的具有可再充电能量存储器的电力*** |
US9218917B2 (en) * | 2011-06-07 | 2015-12-22 | FastCAP Sysems Corporation | Energy storage media for ultracapacitors |
TWI441940B (zh) * | 2011-06-09 | 2014-06-21 | Shih Hua Technology Ltd | 圖案化導電元件的製備方法 |
JP5757173B2 (ja) | 2011-06-17 | 2015-07-29 | アイシン精機株式会社 | 蓄電デバイス |
JP6387300B2 (ja) | 2011-06-20 | 2018-09-05 | 矢崎総業株式会社 | 炭素の凝集アセンブリおよびその用途 |
US9388513B2 (en) | 2011-07-01 | 2016-07-12 | The University Of Kentucky Research Foundation | Crystallographically-oriented carbon nanotubes grown on few-layer graphene films |
US9390828B2 (en) | 2011-07-01 | 2016-07-12 | The University Of Kentucky Research Foundation | Crystallographically-oriented carbon nanotubes grown on few-layer graphene films |
US9558894B2 (en) | 2011-07-08 | 2017-01-31 | Fastcap Systems Corporation | Advanced electrolyte systems and their use in energy storage devices |
CN104221110B (zh) | 2011-07-08 | 2019-04-05 | 快帽***公司 | 高温能量储存装置 |
US8814956B2 (en) * | 2011-07-14 | 2014-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage device, electrode, and manufacturing method thereof |
WO2013039156A1 (ja) * | 2011-09-14 | 2013-03-21 | 株式会社フジクラ | カーボンナノファイバ形成用構造体、カーボンナノファイバ構造体及びその製造方法並びにカーボンナノファイバ電極 |
CA2854404C (en) | 2011-11-03 | 2021-05-25 | Fastcap Systems Corporation | Production logging instrument |
CA2869758A1 (en) | 2012-04-09 | 2013-10-17 | Nanocomp Technologies, Inc. | Nanotube material having conductive deposits to increase conductivity |
US9896341B2 (en) | 2012-04-23 | 2018-02-20 | Seerstone Llc | Methods of forming carbon nanotubes having a bimodal size distribution |
WO2013162650A1 (en) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | Seerstone Llc | Carbon nanotubes having a bimodal size distribution |
CN104718170A (zh) | 2012-09-04 | 2015-06-17 | Ocv智识资本有限责任公司 | 碳强化的增强纤维在含水或非水介质内的分散 |
CN103663406B (zh) * | 2012-09-11 | 2015-09-02 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 碳纳米管复合膜的制备方法 |
US9206672B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-12-08 | Fastcap Systems Corporation | Inertial energy generator for supplying power to a downhole tool |
EP3010853B1 (en) | 2013-06-17 | 2023-02-22 | Nanocomp Technologies, Inc. | Exfoliating-dispersing agents for nanotubes, bundles and fibers |
JP5864486B2 (ja) * | 2013-07-24 | 2016-02-17 | 富士通株式会社 | シート状構造体及びその製造方法 |
US10872737B2 (en) | 2013-10-09 | 2020-12-22 | Fastcap Systems Corporation | Advanced electrolytes for high temperature energy storage device |
CN104553160B (zh) * | 2013-10-24 | 2018-02-06 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种显示屏薄膜及其制备方法、节能方法 |
WO2015095858A2 (en) | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Fastcap Systems Corporation | Electromagnetic telemetry device |
US11270850B2 (en) | 2013-12-20 | 2022-03-08 | Fastcap Systems Corporation | Ultracapacitors with high frequency response |
CN104810524B (zh) * | 2014-01-23 | 2018-04-03 | 清华大学 | 锂离子电池 |
US11438973B2 (en) | 2014-04-10 | 2022-09-06 | Metis Design Corporation | Multifunctional assemblies |
JP6391087B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-09-19 | 国立大学法人鳥取大学 | 吸着装置及び分析装置 |
CN107533925B (zh) | 2014-10-09 | 2021-06-29 | 快帽***公司 | 用于储能装置的纳米结构化电极 |
CN107533919A (zh) | 2015-01-27 | 2018-01-02 | 快帽***公司 | 宽温度范围超级电容器 |
JP6821575B2 (ja) | 2015-02-03 | 2021-01-27 | ナノコンプ テクノロジーズ,インク. | カーボンナノチューブ構造体およびその生成のための方法 |
EP3263522A4 (en) * | 2015-02-27 | 2018-11-07 | Hitachi Zosen Corporation | High-density carbon nanotube aggregate and method of producing high-density carbon nanotube aggregate |
JP6432985B2 (ja) * | 2015-07-03 | 2018-12-05 | 国立大学法人鳥取大学 | 吸着装置及び分析装置 |
JP6515838B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2019-05-22 | 株式会社デンソー | カーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置 |
WO2018022999A1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Seerstone Llc. | Solid carbon products comprising compressed carbon nanotubes in a container and methods of forming same |
JP7051300B2 (ja) * | 2016-08-12 | 2022-04-11 | 日東電工株式会社 | カーボンナノチューブ集合体 |
CA3045460A1 (en) | 2016-12-02 | 2018-06-07 | Fastcap Systems Corporation | Composite electrode |
US11279836B2 (en) | 2017-01-09 | 2022-03-22 | Nanocomp Technologies, Inc. | Intumescent nanostructured materials and methods of manufacturing same |
CN106809817B (zh) * | 2017-01-16 | 2019-01-11 | 东华大学 | 一种多孔碳纳米管的制备方法 |
JP6967854B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2021-11-17 | 古河電気工業株式会社 | カーボンナノチューブ集合体及びカーボンナノチューブ線材 |
US11292586B2 (en) | 2018-05-14 | 2022-04-05 | Goodrich Corporation | Carbon nanotube based heat shield |
KR102651783B1 (ko) * | 2018-09-20 | 2024-03-26 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 리튬 이차전지용 음극 및 이를 포함하는 리튬 이차전지 |
CN111115615B (zh) * | 2018-11-01 | 2021-08-31 | 清华大学 | 碳纳米管阵列的转移方法 |
US11557765B2 (en) | 2019-07-05 | 2023-01-17 | Fastcap Systems Corporation | Electrodes for energy storage devices |
CN112326743B (zh) * | 2020-11-05 | 2024-01-16 | 重庆医科大学 | 基于丝素蛋白的c-sf-fa柔性导电薄膜和可穿戴式伤口监测传感器及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1483668A (zh) * | 2002-09-17 | 2004-03-24 | 清华大学 | 一种碳纳米管阵列生长方法 |
CN1504407A (zh) * | 2002-11-29 | 2004-06-16 | �廪��ѧ | 一种生产碳纳米管的方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997043116A1 (en) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Hyperion Catalysis International, Inc. | Rigid porous carbon structures, methods of making, methods of using and products containing same |
JP2001328805A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-27 | Sony Corp | 水素吸蔵用炭素質材料およびその製造方法、水素吸蔵炭素質材料およびその製造方法、水素吸蔵炭素質材料を用いた電池ならびに水素吸蔵炭素質材料を用いた燃料電池 |
JP2005097015A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Toyota Motor Corp | カーボンナノチューブの製造方法 |
JP4599046B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2010-12-15 | 学校法人 名城大学 | カーボンナノチューブ製フィラメントおよびその利用 |
US7473411B2 (en) * | 2003-12-12 | 2009-01-06 | Rensselaer Polytechnic Institute | Carbon nanotube foam and method of making and using thereof |
WO2008097275A2 (en) * | 2006-08-30 | 2008-08-14 | Molecular Nanosystems, Inc. | Methods for forming freestanding nanotube objects and objects so formed |
-
2006
- 2006-01-06 JP JP2006001901A patent/JP4817296B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-05 US US12/087,450 patent/US20090272935A1/en not_active Abandoned
- 2007-01-05 CN CN2007800019203A patent/CN101365650B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-05 WO PCT/JP2007/050050 patent/WO2007078005A1/ja active Application Filing
- 2007-01-05 TW TW096100742A patent/TWI360522B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1483668A (zh) * | 2002-09-17 | 2004-03-24 | 清华大学 | 一种碳纳米管阵列生长方法 |
CN1504407A (zh) * | 2002-11-29 | 2004-06-16 | �廪��ѧ | 一种生产碳纳米管的方法 |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
JP特开2001-328805A 2001.11.27 |
JP特开2005-100757A 2005.04.14 |
JP特开2005-97015A 2005.04.14 |
JP特表2000-511864A 2000.09.12 |
Kenji Hata et al..Water-Assisted Highly Efficient Synthesis of Impurity-Free Single-Walled Carbon Nanotubes.《Science》.2004,第306卷1362~1364. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007078005A1 (ja) | 2007-07-12 |
JP2007182352A (ja) | 2007-07-19 |
TWI360522B (en) | 2012-03-21 |
JP4817296B2 (ja) | 2011-11-16 |
US20090272935A1 (en) | 2009-11-05 |
TW200732250A (en) | 2007-09-01 |
CN101365650A (zh) | 2009-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101365650B (zh) | 定向碳纳米管整体集合体 | |
CN101312907B (zh) | 双层碳纳米管及定向双层碳纳米管整体结构体及这些的制造方法 | |
CN101913591B (zh) | 单层碳纳米管以及取向单层碳纳米管块结构体以及它们的制造方法、装置以及用途 | |
US8202505B2 (en) | Aligned carbon nanotube bulk aggregate, process for producing the same and uses thereof | |
US8329135B2 (en) | Aligned carbon nanotube bulk structure having portions different in density | |
Talapatra et al. | Gases do not adsorb on the interstitial channels of closed-ended single-walled carbon nanotube bundles | |
CN101365651B (zh) | 具有不同密度部分的定向碳纳米管整体结构体及其制造方法与用途 | |
Cao et al. | Emerging field of few-layered intercalated 2D materials | |
Hussain et al. | Enhancement of thermal conductivity and thermal stability of capric-lauric acid eutectic phase change material using carbonaceous materials | |
Tsuji et al. | Unexpected efficient synthesis of millimeter-scale single-wall carbon nanotube forests using a sputtered MgO catalyst underlayer enabled by a simple treatment process | |
Zhu et al. | Facile construction of novel 3-dimensional graphene/amorphous porous carbon hybrids with enhanced lithium storage properties | |
Burgos et al. | Dynamics of topological defects in single-walled carbon nanotubes during catalytic growth | |
Li et al. | W clusters in situ assisted synthesis of layered carbon nanotube arrays on graphene achieving high-rate performance | |
Fan et al. | Fullerene Transformed into a 3-D Structure of Nitrogen-Doped Few-Layer Graphene Sheets: Growth and Field Emission Properties | |
CN108117070A (zh) | 人造石墨的制备方法 | |
Jahanshahi et al. | Synthesis of liquid arc discharge carbon nanotubes for applying in nano (bio) sensors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120718 Termination date: 20220105 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |