CN101313389B - 基板清洗装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置。根据本发明，无需研磨基板端部，无需发生等离子体，通过简单的控制即能一次清洗基板端部全周。其中，设置用来载置晶片(W)的载置台(204)；加热晶片端部的加热模块(210)；朝着晶片端部照射紫外线的紫外线照射模块(220)；以及在晶片端部表面形成气体的气流的气流形成模块(230)，并且在晶片端部附近按照围绕晶片的方式来分别配置加热模块、紫外线照射模块以及气流形成模块。

Description

基板清洗装置
技术领域
本发明涉及用来清洗基板例如半导体晶片或液晶基板的端部的基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置。
背景技术
最近几年，从提高半导体器件制造中的成品率的观点来看，基板例如半导体晶片(以下简称“晶片”)的端部的表面状态已经开始备受重视。在晶片上实施蚀刻处理或成膜处理等，通过这样的晶片的处理，有时多余的附着物会附着在晶片的端部。
例如，在对作为处理气体的氟碳(CF系)气体进行等离子体化，然后在晶片表面进行等离子体蚀刻处理的情况下，因竞争反应(聚合反应)，不仅在晶片上的元件表面，在晶片的端部(例如包括斜面部的端部的背侧)也生成并附着碳氟化合物类聚合物(CF系聚合物)的副生成物(沉积物)。
在使用CF系气体通过化学气相沉积(CVD：Chemical VaporDeposition)法在晶片表面形成CF系膜的情况下，该CF系膜从晶片表面延续至端部，而且一直延续并附着至端部的背侧。
专利文献1：日本特开平5-102101号公报
专利文献2：日本特开平10-242098号公报
该晶片端部的附着物在用其端部对晶片进行保持或搬送时，剥离并附着在晶片表面，有可能导致所要制造的半导体器件的成品率降低。因此，这种晶片端部的附着物必须通过清洗将其除去。
从这一点来看，过去采用刷子或纸带(テ一プ)对晶片端部进行研磨，从而除去附着物。但是，如果对晶片端部进行研磨，那么，处理研磨所产生的粉尘很费时，同时也会出现这种粉尘导致的污染问题，因此，期望有一种无需研磨而除去晶片端部的附着物的方法。
在上述专利文献1中记载着一种通过在晶片上照射紫外线同时生成一氧化氮的等离子体，从而除去晶片上的碳氟化合物类聚合物的方法。但是，在该方法中，因在晶片上所形成的膜不同，于是由发生等离子体而该膜(例如低介电常数膜：Low-K膜)有时会受到损伤，因此，期望有一种不会对晶片表面造成损伤而除去晶片端部的附着物的方法。
另外，在上述专利文献2中记载着一种具备能够旋转地保持晶片的保持部以及对晶片周边的一部分照射紫外线的紫外线发生部，用来除去附着在晶片周边的一部分(保持晶片时的凸凹部)上的异物的装置。但是，在该装置中，来自紫外线发生部的紫外线仅照射到晶片周边的一部分，因此，为了清洗晶片端部整个***，必须一边稍微旋转晶片一边进行清洗。这样，除去附着物相当费时。而且，由于必须使保持部的旋转轴和晶片的中心部一致，也需要调整紫外线发生部的位置使其与之相配合，因此，最终导致所需的控制工序增加。
发明内容
因此，本发明就是鉴于这种问题而产生的，其目的在于提供一种无需研磨基板端部或无需产生等离子体，通过简单的控制即能一次清洗基板端部整个***的基板清洗装置等。
为了解决上述课题，根据本发明的某个观点，提供一种基板清洗装置，其特征在于：其用来除去附着在基板端部的附着物(例如，碳氟化合物系聚合物)，其特征在于，包括：载置上述基板的载置台；加热上述基板端部的加热模块；朝着上述基板的端部照射紫外线的紫外线照射模块；和在上述基板的端部表面形成气体(例如，至少是包含氧原子的气体)的气流的气流形成模块，其中，上述加热模块、上述紫外线照射模块和上述气流形成模块分别按照围绕上述基板的方式设置在上述基板的端部附近。
根据本发明，能够用加热模块一次加热基板的端部全周，并且，利用紫外线照射模块能够一次照射基板的端部全周，利用气流形成模块围绕基板的端部全周能够在其端部表面形成气体的气流。这样，通过简单的控制就能一次除去附着在基板端部的多余的附着物，因此，能够在短时间内清洗基板端部。
另外，通过向基板端部照射紫外线，就能通过化学分解反应使附着在基板端部的附着物气化并且将其除去。这样，因不研磨基板端部，所以，无需进行研磨产生的粉尘的处理。另外，因不产生等离子体，所以，在基板上所形成的膜(例如Low-K膜)也不会受到损伤。
另外，上述紫外线照射模块具备例如在上述基板端部的附近环绕全周配置为环状的紫外线灯。紫外线灯既可以由形成为环状的一个紫外线灯构成，也可以将多个紫外线灯配置成环状而构成。使用该紫外线灯则能够一次向基板端部全周照射紫外线。
另外，上述加热模块具备例如在基板端部附近环绕全周配置为环状的加热灯；和按照覆盖上述加热灯的方式而设置，并且上述基板侧开口的环状的盖部件，其中，上述盖部件的内面由能够反射上述加热灯的光的部件构成，并且构成为使该反射光在上述基板的端部聚光的形状。这样，由于能够一次向基板端部全周照射光来加热，因此，能够缩短加热时间。再者，上述加热灯采用卤素灯构成，这样就能利用远红外线的辐射热更有效地进行局部加热。
另外，上述气流形成模块包括：在比上述基板端部还靠内的内侧环绕上述基板端部全周配置为环状的吐出管；和在比上述基板端部还靠外的外侧环绕上述基板端部全周配置为环状的吸入管。
在这种情况下，上述吐出管和上述吸入管分别由环状配管构成，在上述吐出管上沿其周围形成用来吐出气体的吐出口，在上述吸入管上沿其周围形成用来吸入气体的吸入口。例如，吐出口和吸入口既可以分别采用沿着上述各个配管的周围而设的缝隙构成，也可以采用沿着上述各个配管的周围而设的多个孔构成。这样，从吐出管朝着基板的端部吐出气体并用吸入管吸入，于是，就能在基板的端部表面全周形成从基板的内侧朝向外侧的气体的气流。
另外，上述吸入管也可以设置用来检测出附着在所述基板端部的附着物发生化学反应之后所产生的反应生成气体的浓度的浓度传感器。作为该浓度传感器，例如采用检测出附着在基板端部的碳氟化合物系聚合物被除去时所产生的二氧化碳的浓度的传感器而构成。通过设置这种浓度传感器，使用该浓度传感器监视反应生成气体(例如二氧化碳)的浓度，就能检测出基板端部的清洗处理的终点。
上述加热模块也可以具备以环状配置在基板端部全周的背侧的加热器，用加热器来加热基板端部全周。这样，就能一次加热基板端部全周。在这种情况下，也可以配备以环绕上述基板端部的周围的方式而配置的遮蔽板。通过该遮蔽板紫外线照射模块所照射的紫外线被遮断，从而能够防止照射到基板上的表面。另外，由于通过该遮蔽板能够防止气流形成模块的气体绕行到基板上，因此，能够有效地在基板端部形成气体的气流。
为了解决上述课题，根据本发明的其它的观点，提供一种基板清洗方法，其是除去附着在基板端部的附着物的基板清洗装置的基板清洗方法，其特征在于：上述基板清洗装置构成为，在上述基板的端部附近按照围绕上述基板的方式来配置对载置在载置台上的上述基板的端部进行加热的加热模块；朝着上述基板的端部照射紫外线的紫外线照射模块；和在上述基板的端部表面形成气体的气流的气流形成模块，在通过上述基板清洗装置清洗上述基板端部时，在通过上述加热模块开始上述基板端部的加热之后，利用上述紫外线照射模块开始向上述基板端部照射紫外线，并且利用上述气流形成模块在基板端部表面形成气体的气流，由此来进行上述基板端部的清洗。
根据本发明，由于通过简单的控制就能一次进行基板端部全周的清洗，因此，能够在短时间内清洗基板端部。另外，因在开始基板端部的加热之后，开始照射紫外线，并在基板端部表面形成气体的气流，所以，在开始紫外线照射之前，基板端部的温度上升至一定程度，所以，能够提高用来除去附着物的化学分解反应的效率。
另外，上述气流形成模块包括，例如在比上述基板端部还靠内的内侧配置为环状的吐出管；和在比上述基板端部还靠外的外侧配置为环状的吸入管，当在上述基板端部表面形成气体的气流时，从上述吐出管朝着上述基板的端部吐出气体，并由上述吸入管吸入。在这种情况下，上述吸入管具备用来检测出在附着于上述基板端部的碳氟化合物系聚合物被除去时而产生的二氧化碳的浓度的浓度传感器，在上述基板端部的清洗过程中，通过上述浓度传感器来监视被上述吸入管吸入的二氧化碳的浓度，如果该二氧化碳浓度变为规定的阈值以下，则结束上述基板端部的清洗。这样，由于能够精确地检测出清洗处理的终点，所以，能够提高清洗处理的效率，也能够用更短的时间可靠地除去附着物。
为了解决上述课题，根据本发明的其它的观点，提供一种基板处理装置，其包括处理单元和搬送单元，该处理单元具备在真空压力氛围中处理基板的多个处理室；该搬送单元与上述处理单元连接，并且具有在大气压氛围下在与收纳上述基板的基板收纳容器之间进行上述基板的交接的搬送室，该基板处理装置的特征在于，包括：与上述搬送室连接并且在大气压氛围下除去附着在上述基板端部的附着物的清洗室，上述清洗室构成为，在上述基板的端部附近按照围绕上述基板的方式来配置对载置在载置台上的上述基板的端部进行加热的加热模块；朝着上述基板的端部照射紫外线的紫外线照射模块；和在上述基板的端部表面形成气体的气流的气流形成模块。在这种情况下，优选，上述紫外线照射模块包括在上述基板端部的附近环绕全周配置为环状的低压水银灯。
为了解决上述课题，根据本发明的其它的观点，提供一种基板处理装置，其包括处理单元和搬送单元，该处理单元具备在真空压力氛围中处理基板的多个处理室；该搬送单元与上述处理单元连接，并且具有在大气压氛围下在与收纳上述基板的基板收纳容器之间进行上述基板的交接的搬送室，该基板处理装置的特征在于：将上述多个处理室的一个作为用来在真空压力氛围下除去附着在上述基板端部的附着物的清洗室，上述清洗室构成为，在上述基板的端部附近按照围绕上述基板的方式来配置对载置在载置台上的上述基板的端部进行加热的加热模块；朝着上述基板的端部照射紫外线的紫外线照射模块；和在上述基板的端部表面形成气体的气流的气流形成模块。在这种情况下，优选，上述紫外线照射模块包括在上述基板端部的附近环绕全周配置为环状的准分子灯。
根据本发明，提供一种能够利用化学分解反应除去基板端部的附着物，并且能够通过简单的控制而一次清洗基板端部整个***的基板清洗装置等。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式所涉及的基板处理装置的结构例子的截面图。
图2是用来说明CF系聚合物等附着物附着在晶片端部的过程的说明图。
图3是使用CF系气体在晶片表面实施等离子体蚀刻处理时晶片端部的放大截面图。
图4是使用CF系气体在晶片表面实施利用CVD法的CF系膜成膜处理时晶片端部的放大截面图。
图5是同实施方式所涉及的清洗室的外观结构例子的立体图。
图6是同实施方式所涉及的清洗室的部分截面图。
图7是改变晶片温度并且向附着在晶片上的CF系聚合物仅照射规定时间的紫外线时F减少量的曲线图。
图8是改变晶片温度并且向附着在晶片上的CF系聚合物仅照射规定时间的紫外线时C减少量的曲线图。
图9是改变气体的氧浓度并且向附着在晶片上的CF系聚合物仅照射规定时间的紫外线时F减少量的曲线图。
图10是改变气体的氧浓度并且向附着在晶片上的CF系聚合物仅照射规定时间的紫外线时C减少量的曲线图。
图11是在21％以下的范围之内改变气体的氧浓度并且向附着在晶片上的CF系膜仅照射规定时间的紫外线时C和F减少量的曲线图。
图12是同实施方式所涉及的清洗处理的具体例子的流程图。
图13是本发明的实施方式2所涉及的清洗室的外观结构例子的立体图。
图14是同实施方式所涉及的清洗室的部分截面图。
符号说明
100：基板处理装置
110：处理单元
120：搬送单元
130：搬送室
131(131A～131C)：盒台
132(132A～132C)：盒容器
133(133A～133C)：闸阀
136：***
138：旋转载置台
139：光学传感器
140(140A～140F)：处理室
142(142A～142F)：载置台
144(144A～144F)；闸阀
146：聚焦环
154(154M、154N)：闸阀
150：通用搬送室
160(160M、160N)：负载锁定室
162(162M、162N)：闸阀
164(164M、164N)：交接台
170：搬送单元侧搬送机构
172：基台
173(173A、173B)：拾取器(ピツク)
174：导轨
176：直线电动机驱动机构
180：处理单元侧搬送机构
182：基台
183(183A、183B)：拾取器
184：导轨
186：柔性臂
200：清洗室
202：容器
204：载置台
206：清洗机构
210：加热模块
212：加热灯
214：罩部件
220：紫外线照射模块
222：紫外线灯
230：气流形成模块
232：吐出管
233：吐出口
234：吸入管
235：吸入口
236：浓度传感器
240：遮蔽板
250：加热器
300：控制部
W：晶片
具体实施方式
以下，将一边参照附图，一边对本发明的最佳实施方式进行详细的说明。另外，在本说明书以及附图中，对于实际上具有相同功能结构的构件将标注相同的符号，并省略重复说明。
(基板处理装置的构成例子)
首先，参照附图对本发明的第1实施方式所涉及的基板处理装置进行说明。图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的基板处理装置的概略结构的截面图。该基板处理装置100包括：具备对于基板例如半导体晶片(以下简称“晶片”)W在真空压力气氛中进行成膜处理、蚀刻处理等各种处理的多个处理室的处理单元110、向该处理单元110搬入搬出晶片W的搬送单元120。
搬送单元120按照例如图1所示的方式构成。搬送单元120包括在基板收纳容器例如后述的盒容器132(132A～132C)和处理单元110之间搬入搬出晶片的搬送室130。搬送室130形成为截面大致呈多角形的箱体形状。在构成搬送室130中截面大致呈多角形的长边的一个侧面上，并列设置有多个盒台131(131A～131C)。这些盒台131A～131C分别按照能够载置作为一例基板收纳容器的盒容器132A～132C的方式构成。
在各个盒容器132(132A～132C)中，例如通过使用保持部保持晶片W的端部，这样就能以相等间距并且多层载置、容纳例如最多25枚的晶片W，内部形成被例如N2气体氛围充满的密闭结构。搬送室130按照经由闸阀133(133A～133C)而能够向其内部搬入搬出晶片W的方式构成。再者，盒台131和盒容器132的数量并不局限于图1所示的情况。
另外，在上述搬送室130的一个侧面上连接着作为一例基板清洗装置的清洗室200。在清洗室200中，对被实施了蚀刻或成膜等规定的处理的晶片W进行用来除去附着在晶片W的端部(例如斜面部)的多余的附着物的清洗处理。另外，对于清洗室200的详细构造将在后面进行阐述。
在上述搬送室130的端部，即在构成截面大致呈多边形的短边的一个侧面上设置有作为定位装置的***(预对准台)136，该***在内部具备旋转载置台138与采用光学方式检测出晶片W的周边部的光学传感器139。在该***136中，检测出例如晶片W的定位平面或缺口(notch)等并进行定位。
在上述搬送室130内设置有沿其长边方向(图1所示的箭头方向)搬送晶片W的搬送单元侧的搬送机构(搬送室内搬送机构)170。搬送单元侧的搬送机构170被固定的基台172以能够滑动移动的方式被支承在沿着搬送室130内的中心部的长边方向而设的导轨174上。在该基台172和导轨174上分别设置有直线电动机的动子和定子。在导轨174的端部设置有用来驱动该直线电动机的直线电动机驱动机构176。直线电动机驱动机构176与控制部300连接。这样，根据来自控制部300的控制信号，直线电动机驱动机构176进行驱动，搬送单元侧的搬送机构170与基台172一同沿着导轨174向箭头方向移动。
搬送单元侧的搬送机构170由具有2个拾取器173A、173B的双臂机构构成，从而能够一次处理2枚晶片W。这样，例如在向盒容器132、***136、各个负载锁定室160M、160N等搬入搬出晶片W时，能够搬入搬出以交换晶片W。再者，搬送单元侧的搬送机构170的拾取器的个数并不局限于上述，例如，也可以是只有一个拾取器的单臂机构。
下面，对处理单元110的结构例子进行说明。例如，如果是群组型(Cluster Tool)的基板处理装置，则处理单元110如图1所示，它是在形成为多边形(例如六边形)的通用搬送室150的周围，气密式地连接对晶片W实施例如成膜处理(例如等离子体CVD处理)或蚀刻处理(例如等离子体蚀刻处理)等规定处理的多个处理室140(第1～第6处理室140A～140F)及负载锁定室160M、160N而构成的。
各个处理室140A～140F根据被预先存储在控制部300的存储介质等中的处理方案等，对晶片W实施例如相同种类的处理或者不同种类的处理。在各个处理室140(140A～140F)内分别设置有用来载置晶片W的载置台142(142A～142F)。再者，处理室140的数量并不局限于图1所示的情况。
上述通用搬送室150具有在上述各个处理室140A～140F之间、或者各个处理室140A～140F与各个第1、第2负载锁定室160M、160N之间搬入搬出晶片W的功能。通用搬送室150形成为多边形(例如六边形)，在其周围分别经由闸阀144(144A～144F)连接着上述各个处理室140(140A～140F)，同时，分别经由闸阀(真空压力侧闸阀)154M、154N而连接着第1、第2负载锁定室160M、160N的前端。第1、第2负载锁定室160M、160N的基端分别经由闸阀(大气压侧的闸阀)162M、162N与构成搬送室130中的截面大致呈多边形的长边的另一个侧面连接。
第1、第2负载锁定室160M、160N具有在暂时保持晶片W并调整压力之后将其向下一级传递的功能。在各个第1、第2负载锁定室160M、160N的内部分别设置有能够载置晶片W的交接台164M、164N。
在这种处理单元110中，如上所述，通用搬送室150和各个处理室140A～140F之间以及通用搬送室150和上述各个负载锁定室160M、160N之间分别以能够气密地开关的方式构成，并且被群组化，根据需要可与通用搬送室150内连通。另外，上述第1及第2的各个负载锁定室160M、160N和上述搬送室130之间也分别构成能够气密地开关的结构。
在通用搬送室150内设置有由例如按照能够屈伸、升降、旋转的方式构成的多关节臂所组成的处理单元侧的搬送机构(通用搬送室内搬送机构)180。该处理单元侧的搬送机构180以自由旋转的方式被支承在基台182上。基台182按照利用例如图中未示的滑动驱动用电动机而在从通用搬送室150内的基端侧至前端侧所附设的导轨184上自由滑动移动的方式而构成。此外，基台182与用来使例如臂旋转用的电动机等的配线通过的柔性臂186连接。根据按照这种方式构成的处理单元侧的搬送机构180，使该处理单元侧搬送机构180沿着导轨184滑动移动，由此，就能够对各个负载锁定室160M、160N以及各个处理室140A～140F进行访问。
例如，当使处理单元侧的搬送机构180对各个负载锁定室160M、160N以及相向配置的处理室140A、140F进行访问时，使处理单元侧的搬送机构180沿着导轨184而位于靠近通用搬送室150的基端一侧。另外，当使处理单元侧的搬送机构180对4个处理室140B～140E进行访问时，使处理单元侧的搬送机构180沿着导轨184而位于靠近通用搬送室150的顶端侧。这样，通过1个处理单元侧的搬送机构180就能够对与通用搬送室150连接的所有的负载锁定室160M、160N和各个处理室140A～140F进行访问。处理单元侧的搬送机构180具有2个拾取器183A、183B，这样，就能够一次处理2枚晶片W。
再者，处理单元侧的搬送机构180的结构并不局限于上述，也可以由2个搬送机构构成。例如，可以在靠近通用搬送室150的基端一侧设置由以能够屈伸、升降、旋转的方式构成的多关节臂所组成的第1搬送机构，同时，在靠近通用搬送室150的顶端一侧设置由以能够屈伸、升降、旋转的方式构成的多关节臂所组成的第2搬送机构。另外，处理单元侧搬送机构180的拾取器的个数并不局限于2个，例如也可以仅具有一个拾取器。
在上述基板处理装置100中设置有用来控制包括上述搬送单元侧的搬送机构170、处理单元侧的搬送机构180、各个闸阀133、144、154、162、***136、清洗室200等在内的，对整个基板处理装置的动作进行控制的控制部300。控制部具备构成其主体的CPU(中央处理器)、和存储程序或方案等的存储器、硬盘等存储介质。
(基板处理装置的动作)
下面，对采用上述方式构成的基板处理装置的动作进行说明。基板处理装置100通过控制部300并根据规定的程序而运转。例如，被搬送单元侧的搬送机构170从盒容器132A～132C的任意一个中所搬出的晶片W被搬送至***136并被转移载置至***136的旋转载置台138上，在此处被定位。被定位的晶片W从***136中被搬出并被搬入负载锁定室160M或160N内。此时，如果所需的全部处理结束后的处理完毕晶片W在负载锁定室160M或160N中，则在将处理完毕晶片W搬出之后，搬入未处理晶片W。
被搬入负载锁定室160M或者160N的晶片W被处理单元侧的搬送机构180从负载锁定室160M或者160N中搬出，并被搬入该晶片W将被处理的处理室140中，然后实施规定的处理。接着，在处理室140中的处理结束后的处理完毕晶片W被处理单元侧的搬送机构180从处理室140中搬出。此时，在该晶片W需要连续在多个处理室140中进行处理时，将晶片W搬入用来进行下一个处理的其它处理室140中，并在构成下部电极的载置台142上载置晶片W。
于是，在处理室140中，例如从构成与下部电极相对的上部电极的喷头导入规定的处理气体，在上述各个电极上施加规定的高频电力然后使处理气体等离子体化，利用该等离子体在晶片W上实施蚀刻、成膜等规定的处理。
通过上述这种晶片W的等离子体处理，在晶片W的端部有时会附着例如图2所示的多余的附着物P。如图2所示，由于载置台142的上部一般比晶片W的直径略小，所以，如果在载置台142上载置晶片W，那么，晶片W的端部的整个周围就会从载置台142突出。另外，例如，为了减轻晶片W面内的偏置电位的不连续性等原因，在载置台142上配置有以包围晶片W周围的方式而形成为环状的聚焦环146。
但是，由于聚焦环146的内周面比晶片W的直径略大以不与晶片W接触，因此，在晶片W的端面与聚焦环146的内周面之间产生多个缝隙。因此，当在晶片W上实施蚀刻、成膜等规定的等离子体处理时，处理气体的等离子体也进入晶片W与聚焦环146之间的缝隙，多余的附着物有时会附着在晶片W的端部的背侧(裹侧)(例如斜面部)。此外，也有不存在聚焦环146的情况，在此情况下也同样，多余的附着物有时附着在晶片W的端部。
图3是使用碳氟化合物系(CF系)气体作为处理气体对晶片表面上实施等离子体蚀刻处理时晶片W的端部的放大截面图。如图3所示，如果进行等离子体蚀刻处理，那么因竞争反应(聚合反应)而生成由碳氟化合物系聚合物(CF系聚合物)组成的副生成物(沉积物)，并附着在晶片W的端部(例如包括斜面部的端部的背侧)。
图4是作为处理气体而使用CF系气体并且在晶片表面上利用CVD法实施CF系膜的成膜处理时晶片W的端部的放大截面图。如图4所示，采用CVD法所生成的CF系膜从晶片W的表面延续至端部的边缘，而且，有时也延续至其背侧(例如包括斜面部的端部的背侧)。在这种CF系膜中，在晶片W的端部所形成的部分的CF系膜Q本来是无需成膜的部分，因此，如上所述，它与在等离子体蚀刻处理中所产生并附着的副生成物同样是多余的附着物。
于是，在蚀刻处理或成膜处理中，附着在晶片W的端部(例如包括斜面部的端部的背侧)的附着物(例如CF系聚合物P或CF系膜Q)成为决定在晶片W上所形成的半导体器件的成品率的主要原因的一个。例如，当使晶片W返回盒容器132A～132C中的任意一个时，由于晶片端部与盒容器内的保持部接触，因此，如果此时晶片端部的附着物剥离并附着在晶片表面上，则所制造的半导体器件的成品率就有可能下降。因此，必须通过清洗以除去该晶片端部的附着物。
因此，在本实施方式所涉及的基板处理装置100中，将在各个处理室140中的处理已经结束的晶片W经由负载锁定室160M或160N向清洗室200搬送，在清洗室200中对晶片端部进行清洗处理之后，将其送回原来的盒容器132A～132C。通过这种清洗处理，晶片端部的附着物被除去，因此，当使该晶片W返回例如盒容器132A～132C中时，能够防止晶片端部的附着物剥离。
因此，将一边参照图3一边对在清洗室200中的清洗处理进行说明。例如，在晶片W的端部作为附着物而附着有CF系聚合物P的情况下，将晶片W的端部加热至规定的温度(例如200℃左右)，同时，在CF系聚合物P上照射紫外线，并且，在CF系聚合物P的表面附近形成包含例如氧气(O2)的气流。如果在CF系聚合物P上照射紫外线(hv)，那么，CF系聚合物P附近的氧被激励，根据下述化学反应式(1)所示的化学反应而产生活性氧(O)。
O2+hv→O+O
O+O2→O3
O3+hv→O2+O
...(1)
所产生的活性氧(O)，如下述化学反应式(2)所示，与CF系聚合物P的碳(C)发生分解反应而变成二氧化碳(CO2)与氟(F2)。因该化学分解反应而气化，CF系聚合物P被除去。
CxFy+O→CO2+F2
...(2)
此时，利用在CF系聚合物P的表面附近所形成的包括O2的气流，通过上述化学反应式(2)的反应所产生的二氧化碳(CO2)和氟(F2)随着上述气流被直接除去。这样，由于剩余的CF系聚合物P的表面经常被暴露在紫外线与O2之下，所以，上述化学反应式(2)的反应也加速，CF系聚合物P的除去速度也加快。
此处，举因图3所示的蚀刻处理而附着在晶片端部的CF系聚合物P为例，并且对用来除去附着物的化学分解反应进行了说明，但是，因图4所示的成膜处理而附着在晶片端部的CF系膜Q的一部分也基本由C原子和F原子组成，所以，能够通过与上述同样的化学分解反应而将其除去。
于是，在本实施方式所涉及的清洗室200中，在加热晶片端部的同时照射紫外线而生成包含氧气(O2)的气流，由此，通过化学反应来实施用以除去附着在晶片端部的附着物(例如CF系聚合物)的清洗处理。这样，无需研磨晶片端部或者产生等离子体就能够除去附着在晶片端部的附着物。即，在本实施方式所涉及的清洗处理中，不研磨晶片端部，所以，不仅能够节省处理研磨所产生的粉尘的时间，同时，也不会出现这种粉尘所导致的污染问题。另外，因不产生等离子体，所以，在晶片W上所形成的膜(例如Low-K膜)不会受到损伤。因此，本实施方式所涉及的清洗处理最适合用来清洗形成有Low-K膜等的晶片W的端部。
(清洗室的结构例子)
下面，一边参照附图一边对能够实施上述清洗处理的清洗室200的结构例子进行说明。清洗室200如图1所示具备容器202，在容器202内设置有载置晶片W的载置台204、和清洗晶片W的端部(例如斜面部的背侧)的清洗机构206。
清洗机构206例如采用图5、图6所示的方式构成。图5是从斜下侧观察清洗机构206时的外观概略示意图，图6是清洗机构206中晶片W的端部附近的纵截面图。清洗机构206如图1、图5所示构成为环状，并且按照包围被载置在载置台204上的晶片W的整个端部周围的方式来设置。这样，由于能够一次清洗晶片W的整个端部周围，所以，能够缩短清洗时间。
清洗机构206具体来讲如图6所示，具备用来加热晶片W的端部的加热模块210、朝着晶片W的端部照射紫外线的紫外线照射模块220、和朝着晶片W的端部喷出气体(例如O2气体)并且在晶片W的端部表面(例如斜面部表面)形成气流的气流形成模块230。
(加热模块的结构例子)
加热模块210具备通过朝着晶片W的端部照射光来加热晶片W的端部的加热灯212。加热灯212以环状方式被配置在晶片W的端部附近的整个周围。例如，如图6所示，加热灯212被配置在比晶片W的端部还靠外的外侧，并且在比晶片W略低的下方。采用这种方式进行配置则能够直接向晶片W的端部(例如斜面部的背侧)照射光而进行加热。通过加热晶片W的端部，附着在晶片W的端部的附着物(例如CF系聚合物)P也被加热。
再者，加热灯212例如也可以由一个形成为环状的加热灯构成，或者，将多个加热灯配置为环状。这样，就能一次向晶片W的整个端部周围照射光来进行加热，所以，能够缩短加热时间。加热灯212由例如卤素灯等远红外线灯或红外线灯(IR灯)构成。另外，由于加热模块210朝着晶片W的端部照射光，所以，能够仅局部加热晶片W的端部。从这一点来看，由于上述卤素灯利用远红外线的辐射热能够更有效地进行局部加热，因此，更适合用作加热模块210。
加热模块210以覆盖加热灯212的方式设置，并且具备在晶片W一侧开口的环状的盖部件214。图6所示的盖部件214是以覆盖从加热灯212的上部通过外侧部直至下部的方式而构成时的具体例子。盖部件214优选采用例如不锈钢材料等，能够用其内面反射加热灯212的光的部件构成。在这种情况下，盖部件214优选按照在其内面所反射的加热灯212的光的一部分聚光在晶片W的端部(例如斜面部)的形状而构成。
通过使用这种盖部件214，加热灯212的光不仅直接照射在晶片W的端部，而且，在盖部件214的内面被反射并被聚光照射在晶片W的端部，因此，能够有效地加热晶片W的端部的局部。另外，通过使用该盖部件214则能够防止加热灯212的光照射到晶片W上的表面，所以，不会对在晶片W上的表面所形成的膜等造成损伤。
加热温度至少设定为发生用以除去附着物(例如CF系聚合物)的化学分解反应(例如上述化学反应式(2))的温度。加热温度优选设定为例如大约250℃以下。一般情况下，为了进行上述化学反应式(2)的化学分解反应，优选设定为280℃以上，但是，在第1实施方式中，通过照射紫外线，即使是在大约250℃以下，也能够充分进行上述化学反应式(2)的化学分解反应。因此，即使是在例如大约25℃(常温)下也能发生上述化学分解反应。但是，加热温度越高则反应越快，能够从晶片端部快速除去附着物，因此，加热温度优选比常温高。
另外，根据在晶片W上所形成的膜的材质也存在耐热性低的膜，从防止这种膜劣化的观点来看，最好将加热温度设定为低的值。例如，作为在晶片W上形成的膜，既有如低介电常数膜(Low-K膜)那样的400℃左右的高耐热性的膜，也有如抗蚀膜那样的150℃左右的低耐热性的膜。因此，为了防止这些膜的劣化，最好将加热温度设定在150℃以下，也可以设定在100℃以下。
另外，也可以根据晶片上的膜质(耐热性)来设定加热温度。对于形成有耐热性低的膜(例如抗蚀膜)的晶片W，将加热温度设定在例如150℃以下(或者100℃以下)，对于形成有高耐热性的膜(例如低介电常数膜：Low-K膜)的晶片W，将加热温度设定在例如200℃～250℃左右也可以。这样，不受在晶片W上所形成的膜质的限制，不仅能够防止膜的劣化，而且能够更加缩短清洗处理所需的时间。
因此，一边参照附图，一边说明例如将晶片温度设定为25℃、150℃、200℃，然后在附着在晶片W上的CF系聚合物上仅照射规定时间的紫外线时的实验结果。在该实验中，照射300sec时间的紫外线，同时测定了附着在晶片W上的CF系聚合物的F和C的减少量。图7是表示CF系聚合物的F的减少量的坐标图，图8是CF系聚合物的C减少量的坐标图。
再者，附着在晶片W上的CF系聚合物是在利用CF系气体(例如C5F8气体)对氧化硅膜实施等离子体蚀刻处理时附着在晶片W上的附着物，其CF系聚合物的膜厚大致为9nm。另外，紫外线照射前的C的量是整个CF系聚合物的大约20％，紫外线照射前的F的量是整个CF系聚合物的大约60％。在图7、图8中，以紫外线照射前的C、F的量作为基准，用百分率来表示其减少量。
根据图7所示的实验结果，当将紫外线照射前的F的量设为0％时，在25℃的情况下大体平稳地减少，直至300sec。例如，60sec之后减少大致6％，在300sec之后大致减少至15％。与此相对，在150℃的情况下，在60sec之后大致减少至12％，在300sec之后大致减少至15％。而在200℃的情况下，在60sec已经大致减少至15％，之后大体变得稳定。由此可知温度高的方面F的减少速度也快。
根据图8所示的实验结果，当将紫外线照射前的C的量设为0％时，在25℃的情况下大体平稳地减少，直至300sec。例如，60sec之后减少大致10％，在300sec之后大致减少32％。与此相对，在150℃的情况下，在60sec已经减少至大致32％，在300sec之后减少至大致40％。而在200℃的情况下，在60sec已经大致减少40％以上，之后大体变得稳定。由此可知，温度高的方面C的减少速度也快。特别是对于C，在25℃时，即使过了300sec，也仅减少至32％左右，但是，在150℃时，在60sec已经减少至32％左右，而在200℃时，在60sec超过32％减少40％以上。由此可知，如果使温度在150℃～200℃以上，则对于减少C特别有效。
(紫外线照射模块的结构例子)
上述紫外线照射模块220例如具备紫外线灯(UV灯)222。紫外线灯222例如被配置在能够向晶片W的斜面部的背侧照射紫外线的位置。在图6所示的结构中，将紫外线灯222配置在晶片W的斜面部的正下方仅离开规定距离(例如数毫米)的位置。如果利用这种紫外线灯222朝着晶片W的端部(例如斜面部)照射紫外线，那么，附着在晶片W的端部的附着物(例如CF系聚合物)就会发生化学分解反应，从而能够除去附着物。再者，紫外线灯222既可以由例如形成为环状的一个紫外线灯构成，也可以将多个紫外线灯配置成环状。这样，能够一次向晶片W的端部照射光，因此，能够缩短附着物除去时间。
紫外线灯222能够使用例如氙(Xe)准分子灯(excimer lamp)(波长172nm)，低压水银灯(波长大约为185nm，大约为254nm)等各种波长的灯。例如在大气压氛围下，虽然波长越短的紫外线光对附着物的紫外线光的吸收率越高，但是，臭氧产生能力也提高。因此，发射波长短的紫外线光的紫外线灯222必须配置在与附着物之间的距离缩短的位置。
因此，在大气压氛围下，与作为紫外线灯222而使用波长较短的氙(Xe)准分子灯的情况相比，使用波长较长的低压水银灯时，能够有间隔地保持与晶片W的端部之间的距离而进行配置。与此相对，在真空压力氛围下，即便是紫外线的波长短的紫外线灯222也能够有间隔地保持与晶片W的端部之间的距离而进行配置。于是，如果能够有间隔地保持紫外线灯222与晶片W的端部之间的距离来进行配置，那么，就能够提高清洗机构206的各个构件的配置的自由度。
例如，清洗室200内变为大气压氛围时，作为紫外线灯222最好使用紫外线波长较长的灯(例如低压水银灯)。与此相对，清洗室200内变为真空压力氛围时，作为紫外线灯222最好使用紫外线波长较短的灯(例如氙(Xe)准分子灯)。于是，根据清洗室200内的压力氛围选择适当波长的紫外线灯222，这样就能提高清洗机构206的各个构件的配置的自由度。
(气流形成模块的结构例子)
上述气流形成模块230具备采用环状配管所构成的吐出管232和吸入管234，从吐出管232朝着晶片W的端部吐出气体并用吸入管234吸入，于是，形成沿着晶片端部表面(例如斜面部的背侧)的气流。
吐出管232在比晶片端部靠内的内侧以环状配置在整个晶片端部周围，吸入管234在比晶片端部靠外的外侧以环状配置在整个晶片端部的周围。如图6所示，吐出管232在被载置在载置台204上的晶片W的下侧按照包围载置台204的整个周围的方式配置，吸入管234按照在盖部件214内包围晶片W的整个周围的方式配置。
于是，尽量靠近吐出管232来配置吸入管234，由此，不仅能够确保形成沿着所希望的部位(例如晶片W的斜面部背侧)的气流，并且能够提高晶片W的端部的附着物的除去效率。另外，吸入管234也未必设置在盖部件214内，只要能在与吐出管232之间在晶片端部表面形成气流，也可以设置在晶片端部附近的任何位置。
在吐出管232中形成有朝着晶片W的端部表面吐出气体(例如O2气体)的吐出口233。吐出口233沿着吐出管232的周围而设置在其整个周围。例如，吐出口233既可以由沿着吐出管232的周围而设置在整个***的一个缝隙构成，也可以由沿着吐出管232的周围而设置在整个***的多个孔构成。
吸入管234中在与吐出管232大致相对的位置形成有吸入气体的吸入口235。吸入管234例如与图中未示的泵(例如排气泵)连接。对于吸入口235来说，也沿着吸入管234的周围而设置在其整个周围。例如，吸入口235既可以由沿着吸入管234的周围而设置在整个周围的一个缝隙构成，也可以由沿着吸入管234的周围而设置在整个周围的多个孔构成。
根据这种气流形成模块230，则能够朝着晶片W的整个端部周围一次吐出、吸入气体(例如O2气体)。由此，对于晶片W的端部整个周围，不仅能在晶片W的半径方向外侧形成气流，而且能够加速除去附着物(CF系聚合物)P的除去速度。
再者，通过吐出管232吐出的气体是产生用来分解晶片W的附着物例如CF系聚合物P的活性氧(O)的气体，即、是至少包含氧原子的气体即可。作为这种气体最好是O2气体。但是，其O2浓度未必一定是100％。如后述的实验所示，O2气体浓度为1％～3％左右的极低浓度为好。在这种情况下，也可以调整O2气体与不活性气体(例如N2气)的混合比而使用O2气体浓度在1％～3％左右的混合气体。再者，由于空气(大气)也包含一定浓度(例如大约21％左右)的O2，所以，也可以取代O2气体而使用干空气。而且，由于臭氧(O3)也按照上述化学反应式(1)而利用紫外线产生活性氧(O)，所以，也可以取代O2气体而使用臭氧气体。
因此，一边参照附图，一边说明改变气体的O2浓度和流量所进行的实验的结果。在该实验中，照射180sec时间的紫外线，同时，对于使用O2浓度为100％的O2气体并形成气流的情况和使用O2浓度大约为21％的空气并形成气流的情况，测定了附着在晶片上的CF系聚合物的F和C的减少量。图9是CF系聚合物的F的减少量的坐标图，图10是CF系聚合物的C的减少量的坐标图。
再者，在本实验中，在O2浓度为100％的气体的情况下，还对其流量为1.0L/min时和2.0L/min时F和C的减少量进行了测定，在O2浓度大约为21％的情况下，还对其流量为1.0L/min时和1.5L /min时F和C的减少量进行了测定。其中，对于流量为1.0L/min，使用干空气并形成气流，对于流量为1.5L/min，仅通过吸入而形成气流。在本实验中所使用的晶片与图7、图8的实验中所使用的晶片同样，晶片的温度为25℃(室温)。
根据图9、图10所示的实验结果，O2浓度为100％时和21％时几乎同样F和C减少。于是可知，O2浓度未必一定是100％，例如即使是21％左右的低浓度，如果形成气流，也能除去CF系聚合物。此外还可知，即使是低浓度，如果能够形成气流，那么即使仅通过吸入也能除去CF系聚合物。
此外，在图11中表示在21％以下的范围内改变上述气体的O2浓度并进行实验的结果。在该实验中，准备一枚在氧化硅膜上形成了CF系膜的样品晶片，向该样品晶片的CF系膜照射60sec时间的紫外线，同时，使用O2浓度不同的O2气体和N2气体的混合气体，并实施在CF系膜表面形成气流的处理，并测定处理后的样品晶片中CF系膜的减少量。图11是表示改变O2和N2的混合比以使O2浓度分别变为0％(无氧)、1％、3％、7％、10％、15％、21％，并分别进行处理时的O2浓度与CF系膜的减少量的关系的坐标图。
在本实验中，为了测定CF系膜的减少量而进行上述处理后的样品晶片的表面分析。具体来讲，对表面按照大约为5°的角度来照射电子线，根据以这种方式被放出的电子光谱，测定相对从表面至规定的深度的区域中所包含的原子整体(底层的Si和O以及CF系膜的C和F)的CF系膜的C和F的比例。因此，根据图11所示的坐标图，相对原子整体的C和F的比例越少，C和F越减少，CF系膜越减少。
根据图11所示的实验结果，在O2浓度为21％以下的范围内，如果O2浓度超过15％，则C和F的减少量几乎不会改变，与此相对，在O2浓度为15％以下的范围内，C和F的减少量增大，特别是O2浓度为1～3％左右时，C和F减少最多。即，在O2浓度比21％还低的1～3％左右时形成气流的结果能更有效地除去CF系聚合物。
但是，作为上述化学分解反应(上述化学反应式(2))所生成的反应生成物的CO2、F2被吸入上述吸入管234中。其中，被吸进吸入管234中的例如CO2的浓度，在引起作为晶片W的附着物的CF系聚合物P的化学分解反应(上述化学反应式(2))的过程中提高。随着化学分解反应的进行，如果CF系聚合物P消失，则不再产生CO2，因此，在吸入管234中被吸入的CO2的浓度也迅速降低。因此，使用浓度传感器监视该反应生成气体(CO2)的浓度，利用浓度变化能够检测出晶片端部的清洗处理的终点。
具体来讲，例如，在吸入管234中设置作为用来检测出CO2浓度的反应生成气体浓度传感器一个例子的浓度传感器236，使用浓度传感器236从晶片端部的清洗处理开始监视CO2浓度。具体来讲，浓度传感器236与控制部300连接，通过控制部300来监视CO2浓度。于是，将CO2浓度变为规定的阈值以下的时刻作为终点并结束清洗处理。这样，由于能够高精度地检测出晶片端部的清洗处理的终点，因此，清洗处理的效率也能够提高，并且能够用更短的时间可靠地除去附着物。
(清洗处理的具体例子)
这里，将一边参照附图，一边说明在清洗室200中所进行的晶片端部的清洗处理的具体例子。清洗室200的各个部分例如被基板处理装置100的控制部300所控制，从而进行清洗处理。图12是表示第1实施方式所涉及的清洗处理的具体例子的流程图。
首先，一旦晶片W被搬送至清洗室200，则在步骤S110中启动加热灯212，开始加热晶片端部，在步骤S120中等待规定的时间(例如数sec)。由于通过设置这种时间滞后(time lag)，在紫外线照射开始之前晶片端部的温度上升至一定程度，所以，能够提高用来除去附着物的化学分解反应的效率。规定时间优选根据晶片端部的设定温度来决定。例如，设定温度越高，则越可以将规定时间延长。
接着，在步骤S130中启动紫外线灯222并向晶片端部照射紫外线，同时，启动气流形成模块230并在晶片端部表面形成气体(例如O2气体)的气流。具体来讲，向吐出管232供给O2气体，驱动吸入管234的泵并开始吸入。
然后，在步骤S140中使用浓度传感器236测定CO2浓度，在步骤S150中判断CO2浓度是否为规定的阈值以下。如果判断CO2浓度不是规定的阈值以下，则返回步骤S140，如果判断CO2浓度为规定的阈值以下，则在步骤S160中关闭加热灯212。
接着，在步骤S170中关闭紫外线灯222，并且关闭气流形成模块230，结束一系列的清洗处理。根据这种清洗处理，晶片端部全周被加热灯212一次加热，通过被紫外线灯222照射到晶片端部整个周围的紫外线而产生活性氧(O)。该活性氧(O)引起上述化学反应式(1)的化学分解反应，于是晶片端部全周的附着物(CF系聚合物)被一次除去。
于是，根据第1实施方式所涉及的清洗室200，则能够一次除去晶片端部全周的附着物(CF系聚合物)，因此，能够在极短的时间内高速清洗晶片端部。
(第2实施方式所涉及的清洗室的结构例子)
首先，一边参照附图一边对本发明的第2实施方式所涉及的清洗室进行说明。图13是从斜下方一侧观看第2实施方式所涉及的清洗室的清洗机构206时的外观的概略示意图，图14是清洗机构206中的晶片W的端部附近的纵截面图。对于清洗机构206，如图13、图14所示，也按照沿着圆周方向包围被载置在载置台204上的晶片W的端部的方式来设置。这样，由于能一次清洗晶片W的端部全周，因此能缩短清洗时间。
图14所示的清洗机构206中，作为加热模块不再使用加热灯212，而是例如在晶片W的端部的背侧配置环状的加热器250，利用加热器250来加热晶片W的端部。作为加热器250使用例如感应加热型加热器。这样，就能集中加热晶片W的端部。
此时，以围绕晶片W的周围的方式配置遮蔽板240。来自紫外线照射模块220的紫外线被该遮蔽板240所遮断，从而能够防止照射到晶片W上的表面。另外，来自气流形成模块230的气体流经晶片W的端部的表面，从而能够使其无法流向晶片W的上面侧。于是，通过包含在气体中的臭氧(O3)等能够防止晶片W的上面侧受到损伤。
再者，紫外线照射模块220的结构与图6所示的相同。气流形成模块230的结构也与图6所示的大体相同，但是，图14所示的吐出管232被配置在加热器250的下方，并且以朝着晶片W的端部(例如斜面部的背侧)吐出气体的方式设置吐出口233。吸入管234被配置在遮蔽板240的下方，并且以在晶片的端部表面(例如斜面部的背侧)形成气流的方式设置吸入口235。
在该第2实施方式所涉及的清洗室200中，也能够进行与图12所示的相同的清洗处理。在这种情况下，在步骤S110中取代加热灯212而启动加热器250，在步骤160中取代加热灯212而关闭加热器250。通过该清洗处理，晶片端部全周被加热器250一次加热，通过被紫外线灯222照射到晶片端部全周的紫外线而产生活性氧(O)。该活性氧(O)引起上述化学反应式(1)的化学分解反应，于是晶片端部全周的附着物(CF系聚合物)被一次除去。
于是，与第1实施方式的情况相同，采用第2实施方式所涉及的清洗室200也能一次除去晶片端部全周的附着物(CF系聚合物)，所以，能够在极短的时间内高速清洗晶片端部。
再者，对于上述第1、第2实施方式所涉及的清洗室200与基板处理装置100的搬送室130连接，并且在大气压氛围下进行晶片端部的清洗处理的情况进行了说明，但是也未必局限于此。例如，也可以使用处理室140A～140F中的任意一个来构成清洗室200，在真空压力氛围下进行晶片端部的清洗处理。再者，在与基板处理装置100的搬送室130连接的情况下，由于是在大气压氛围下进行晶片端部的清洗处理，所以，作为紫外线照射模块220例如优选使用如低压水银灯那样的波长较长的紫外线光源。与此相对，在使用处理室140A～140F中的任意一个来构成清洗室200的情况下，由于是在真空压力氛围下进行晶片端部的清洗处理，所以，作为紫外线照射模块220优选使用如氙(Xe)准分子灯那样的波长较短的紫外线光源。
以上，一边参照附图一边对本发明的最佳实施方式进行了说明，但是，本发明当然并不局限于上述例子。显而易见，只要是本专业从业人员，则能够在权利要求书所述的范围之内想到各种各样的变更例子或修改例子，对于此当然也应归属于本发明的技术范围。
产业上的可利用性
本发明能够应用在用来清洗基板例如半导体晶片或液晶基板的端部的基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置。

Claims (4)

1.一种基板清洗装置，其用来除去附着在基板端部的碳氟化合物系聚合物，其特征在于，包括：
载置所述基板的载置台；
加热所述基板端部的加热模块；
在所述基板端部的附近环绕全周配置为环状、朝着所述基板的端部照射紫外线的准分子灯或低压水银灯；和
在所述基板的端部表面形成O2浓度为1～3％的气体气流的气流形成模块，其中，
所述加热模块和所述气流形成模块分别按照围绕所述基板的方式设置在所述基板的端部附近。
2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于：
所述加热模块包括，在所述基板端部附近环绕全周配置为环状的加热灯；和
按照覆盖所述加热灯的方式而设置，并且所述基板侧开口的环状的盖部件，
所述盖部件的内面由能够反射所述加热灯的光的部件构成，并且构成为使该反射光在所述基板的端部聚光的形状。
3.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于：
所述气流形成模块包括，在比所述基板端部还靠内的内侧环绕所述基板端部全周配置为环状的吐出管；和
在比所述基板端部还靠外的外侧环绕所述基板端部全周配置为环状的吸入管，
通过从所述吐出管朝着所述基板的端部吐出气体并由所述吸入管吸入，在所述基板的端部表面形成所述气体的气流。
4.根据权利要求3所述的基板清洗装置，其特征在于：
所述吸入管设置有用来检测出附着在所述基板端部的碳氟化合物系聚合物被除去时所产生的二氧化碳的浓度的浓度传感器。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5048552B2 (ja) * 2007-03-22 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板処理装置
JP5478145B2 (ja) * 2009-08-18 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 ポリマー除去装置およびポリマー除去方法
US8603292B2 (en) * 2009-10-28 2013-12-10 Lam Research Corporation Quartz window for a degas chamber
US8584612B2 (en) * 2009-12-17 2013-11-19 Lam Research Corporation UV lamp assembly of degas chamber having rotary shutters
US8492736B2 (en) 2010-06-09 2013-07-23 Lam Research Corporation Ozone plenum as UV shutter or tunable UV filter for cleaning semiconductor substrates
CN102436138B (zh) * 2011-07-12 2014-04-02 上海华力微电子有限公司 一种紫外线掩模板干法清洗设备
JP5937456B2 (ja) * 2012-08-07 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄ユニット
JP6211884B2 (ja) * 2013-10-10 2017-10-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR101575129B1 (ko) * 2014-01-13 2015-12-08 피에스케이 주식회사 기판 이송 장치 및 방법, 그리고 기판 처리 장치
JP6705083B2 (ja) * 2016-02-01 2020-06-03 サムコ株式会社 プラズマ洗浄装置およびプラズマ洗浄方法
DE102017108076A1 (de) * 2017-04-13 2018-10-18 Ist Metz Gmbh Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Objekten
KR102433558B1 (ko) * 2019-07-11 2022-08-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102288382B1 (ko) * 2019-09-20 2021-08-11 대전대학교 산학협력단 플라즈마에칭공정상의 l-fc 제거 방법 및 그 시스템
CN111508820B (zh) * 2020-03-25 2021-07-16 长江存储科技有限责任公司 清洗方法
US11798799B2 (en) * 2021-08-09 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Ultraviolet and ozone clean system
WO2024101144A1 (ja) * 2022-11-07 2024-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5246526A (en) * 1989-06-29 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Surface treatment apparatus

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01204426A (ja) * 1988-02-10 1989-08-17 Nec Corp 固体表面清浄化方法およびその装置
JPH0332022A (ja) * 1989-06-29 1991-02-12 Hitachi Ltd 有機物除去装置
JPH05102101A (ja) 1991-02-15 1993-04-23 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
KR100257279B1 (ko) * 1996-06-06 2000-06-01 이시다 아키라 주변노광장치 및 방법
JPH10242098A (ja) * 1997-03-03 1998-09-11 Miyazaki Oki Electric Co Ltd ウエハ清浄化装置及びウエハ清浄化方法
TW385488B (en) * 1997-08-15 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd substrate processing device
JP4245743B2 (ja) * 1999-08-24 2009-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 エッジリンス装置およびエッジリンス方法
JP2003035962A (ja) * 2001-07-23 2003-02-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法およびそのシステム
JP3959612B2 (ja) * 2002-01-22 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP3789366B2 (ja) * 2002-02-07 2006-06-21 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US7038173B2 (en) * 2002-02-07 2006-05-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Thermal processing apparatus and thermal processing method
US20050260771A1 (en) * 2002-07-08 2005-11-24 Mitsuaki Iwashita Processing device and processing method
JP4377169B2 (ja) * 2002-07-08 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US7091612B2 (en) * 2003-10-14 2006-08-15 Infineon Technologies Ag Dual damascene structure and method
US7642649B2 (en) * 2003-12-01 2010-01-05 Texas Instruments Incorporated Support structure for low-k dielectrics
US7404874B2 (en) * 2004-06-28 2008-07-29 International Business Machines Corporation Method and apparatus for treating wafer edge region with toroidal plasma
EP1801861B1 (en) * 2004-07-09 2012-10-03 Sekisui Chemical Co., Ltd. Method and device for treating outer periphery of a substrate
US20080017613A1 (en) * 2004-07-09 2008-01-24 Sekisui Chemical Co., Ltd. Method for processing outer periphery of substrate and apparatus thereof
JP3765826B2 (ja) * 2004-07-09 2006-04-12 積水化学工業株式会社 基材外周処理方法及び装置
JP4276614B2 (ja) * 2004-11-25 2009-06-10 住友ゴム工業株式会社 空気入りタイヤ
US7396412B2 (en) * 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5246526A (en) * 1989-06-29 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Surface treatment apparatus

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平1-204426A 1989.08.17
JP特开2003-218007A 2003.07.31
JP特开2003-234303A 2003.08.22
JP特开2003-35962A 2003.02.07
JP特开2004-96086A 2004.03.25
JP特开2006-49870A 2006.02.16
JP特开平10-242098A 1998.09.11

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Publication number Publication date
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