JP5937456B2 - 基板洗浄装置および基板洗浄ユニット - Google Patents

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Description

開示の実施形態は、基板洗浄装置および基板洗浄ユニットに関する。
従来、シリコンウェハや化合物半導体ウェハ等の基板の洗浄方式として、スクラブ洗浄方式が知られている。スクラブ洗浄方式は、回転するブラシやスポンジを基板の表面に接触させて、表面に付着した異物を除去する洗浄方式である。
スクラブ洗浄方式を採用する基板洗浄装置は、モータによって回転し且つエアシリンダによって上下動するシャフトの下端部にブラシ等の洗浄体を備えており、エアシリンダが発生させる浮力を調整することによって洗浄体の基板への接触圧を調整する。従来の基板洗浄装置は、洗浄体やシャフト等の合計重量を検知するセンサを備えており、予め設定された所望の接触圧と上記センサからの出力との差分だけエアシリンダの浮力を発生させることによって、所望の接触圧を得ることができる。
一方、従来の基板洗浄装置では、洗浄体のシャフトを回転させるためのモータが、シャフトと別体に設けられており、モータの出力軸に取り付けられたプーリとシャフトに取り付けられたプーリとの間に掛け回された伝達ベルトによってモータの回転をシャフトへ伝達して洗浄体を回転させていた(特許文献1参照)。
特開平7−307321号公報
しかしながら、従来の基板洗浄装置には、洗浄体の基板への接触圧を正確に検知するという点でさらなる改善の余地があった。
たとえば、洗浄体は、基板表面の凹凸によって上下動することがある。このような場合、シャフトに取り付けられたプーリはシャフトとともに上下動するが、モータに取り付けられたプーリは上下動しないため、これらのプーリ間に掛け回されたベルトが斜めになり、この影響が圧力センサへ伝わって正確な検知結果が得られない可能性があった。
実施形態の一態様は、洗浄体の基板への接触圧を正確に検知することのできる基板洗浄装置および基板洗浄ユニットを提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る基板洗浄装置は、洗浄体ヘッド部と、第1荷重検知部と、浮力付与部とを備える。洗浄体ヘッド部は、洗浄体と、洗浄体を支持するシャフトと、シャフトを回転させる回転機構と、これらを一体的に保持するベース部材とを備える。第1荷重検知部は、一端側が洗浄体ヘッド部のベース部材に連結され、洗浄体ヘッド部から受ける荷重を検知する。浮力付与部は、第1荷重検知部を介して洗浄体ヘッド部に浮力を与える。また、浮力付与部は、第2ベース部材と、ガイド部と、昇降機構と、第3ベース部材とを備える。第2ベース部材は、第1荷重検知部の他端側に連結される。ガイド部は、第2ベース部材を昇降可能に支持する。昇降機構は、第2ベース部材を昇降させる。第3ベース部材は、昇降機構およびガイド部を保持する。
実施形態の一態様によれば、洗浄体の基板への接触圧を正確に検知することができる。
図1は、スクラブ洗浄ユニットの構成を示す模式平面図である。 図2は、第1の実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式側面図である。 図3は、第1の実施形態に係る基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。 図4Aは、基板洗浄装置の動作例を示す図である。 図4Bは、基板洗浄装置の動作例を示す図である。 図5は、第2の実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式側面図である。 図6は、第2の実施形態に係る浮力値決定処理の処理手順を示すフローチャートである。 図7は、第2の実施形態に係る基板洗浄装置の他の構成を示す模式側面図である。 図8は、第3の実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式側面図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板洗浄装置および基板洗浄ユニットの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
(第1の実施形態)
まず、第1の実施形態に係るスクラブ洗浄ユニットの概略構成について図1を用いて説明する。図1は、スクラブ洗浄ユニットの構成を示す模式平面図である。
なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図1に示すように、第1の実施形態に係るスクラブ洗浄ユニット100は、本願の開示する基板洗浄ユニットの一例であり、チャンバ3内に、基板洗浄装置1と、基板保持装置2とを備える。
基板洗浄装置1は、基板保持装置2によって保持されたウェハWに対してスクラブ洗浄を行う装置である。具体的には、基板洗浄装置1には、ブラシやスポンジなどの洗浄体11が回転可能に設けられており、洗浄体11をウェハWに接触させた状態で洗浄体11を回転させることによって、ウェハWの表面に付着した異物を除去する。
また、基板洗浄装置1の基端部には、洗浄体11を鉛直方向に沿って移動させる昇降機構50と、昇降機構50をX軸方向に沿って水平に移動させる移動機構55とが設けられる。基板洗浄装置1は、洗浄体11を回転させたのち、昇降機構50を用いて洗浄体11を降下させてウェハWの表面に接触させ、さらに、移動機構55を用いて昇降機構50を移動させることにより、後述する基板保持装置2によって回転するウェハWの表面全体をスクラブ洗浄する。
基板保持装置2は、ウェハWを水平に保持するとともに、保持したウェハWを鉛直軸回りに回転させる回転保持機構2aと、回転保持機構2aを取り囲むように配置されたカップ2bとを備える。かかる基板保持装置2は、回転保持機構2aによってウェハWを回転させるとともに、ウェハWの回転による遠心力によってウェハWの外方へ飛散する洗浄液をカップ2bによって回収する。
なお、基板保持装置2は、ウェハW上にDIW(純水)を供給するためのノズル2cを備えるており、後述する基板洗浄処理中に、かかるノズル2cからウェハW上にDIWを供給することによって、ウェハWの表面の乾燥を防止することとしている。ここでは、ノズル2cがカップ2bの上部に設けられるものとするが、ノズル2cを処理位置まで旋回させる旋回機構をチャンバ3内に設け、かかる旋回機構の先端にノズル2cを設けてもよい。
また、スクラブ洗浄ユニット100は、チャンバ3の外部に制御装置4を備える。制御装置4は、スクラブ洗浄ユニット100の動作を制御する装置である。かかる制御装置4は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、基板洗浄処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによってスクラブ洗浄ユニット100の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置4の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
ここで、スクラブ洗浄方式を採用する基板洗浄装置は、洗浄体を支持するシャフトをエアシリンダ等を用いて所定の浮力で持ち上げることによって、洗浄体のウェハへの接触圧を調整している。具体的には、洗浄体やシャフト等の合計重量を検知するセンサを備え、予め設定された所望の接触圧と上記センサからの出力との差分だけエアシリンダの浮力を生じさせることによって、所望の接触圧を得ることができる。
しかしながら、従来の基板洗浄装置では、洗浄体のシャフトを回転させるためのモータが、シャフトとは別体に設けられており、モータの出力軸に取り付けられたプーリとシャフトに取り付けられたプーリとの間に掛け回された伝達ベルトによってモータの回転をシャフトへ伝達し、洗浄体を回転させていた。このため、洗浄体がウェハ表面の凹凸によって上下動した場合に、プーリ間に掛け回されたベルトが斜めになり、洗浄体のウェハへの接触圧を正確に検知することができない可能性があった。
そこで、第1の実施形態に係る基板洗浄装置1は、洗浄体11のシャフトを回転させる回転機構や、洗浄体11のウェハWへの接触圧を検知するためのセンサの配置を工夫することにより、洗浄体11のウェハWへの接触圧を正確に検知することとした。以下では、かかる基板洗浄装置1の構成について具体的に説明する。
図2は、第1の実施形態に係る基板洗浄装置1の構成を示す模式側面図である。図2に示すように、基板洗浄装置1は、洗浄体ヘッド部10と、第1荷重検知部20と、浮力付与部30と、第2荷重検知部40と、昇降機構50とを備える。
洗浄体ヘッド部10は、洗浄体11と、シャフト12と、回転機構13と、第1ベース部材14とを備える。洗浄体11は、ブラシやスポンジ等であり、下端面をウェハWの表面との対向面としている。シャフト12は、鉛直方向に延在する長尺状の部材であり、下端部が洗浄体11の上部に接続されることによって、洗浄体11を支持する。
回転機構13は、シャフト12を鉛直軸まわりに回転させる。具体的には、回転機構13は、モータ13aと、第1プーリ13bと、第2プーリ13cと、伝達ベルト13dとを備える。モータ13aは、シャフト12に隣接する位置に、出力軸がシャフト12と平行となる向きで設けられる。第1プーリ13bは、モータ13aの出力軸の先端部に取り付けられ、第2プーリ13cは、シャフト12の先端部に取り付けられる。これら第1プーリ13bおよび第2プーリ13cは、同一の高さに配置されて伝達ベルト13dが掛け渡される。
かかる回転機構13では、モータ13aが出力軸を回転させると、かかる出力軸の回転に伴って第1プーリ13bが回転する。第1プーリ13bの回転は、伝達ベルト13dによって第2プーリ13cへ伝達される。そして、第2プーリ13cが回転することによって、シャフト12および洗浄体11が回転する。
第1ベース部材14は、洗浄体11、シャフト12および回転機構13を一体的に保持する部材であり、本体部14aと、支持部14bと、第1連結部14cとを備える。
本体部14aは、シャフト12とモータ13aを保持する。シャフト12およびモータ13aの出力軸は、かかる本体部14aから突出しており、かかる本体部14aの上方に第1プーリ13b、第2プーリ13cおよび伝達ベルト13dが配置される。なお、シャフト12は、軸受12aを介して本体部14aに回転可能に保持される。
支持部14bは、鉛直方向に延在する部材であり、下端部が本体部14aの上部に固定される。第1連結部14cは、水平方向に延在する部材であり、支持部14bの上部に設けられる。
このように、洗浄体ヘッド部10は、洗浄体11と、洗浄体11を支持するシャフト12と、シャフト12を回転させる回転機構13とが第1ベース部材14に一体的に保持された構成を有する。これにより、ウェハWの凹凸によって洗浄体11が上下動した場合に、回転機構13も一体となって上下動するため、従来のように一方のプーリのみが上下動して伝達ベルトが斜めになるといった事態が生じるおそれがない。
第1荷重検知部20は、洗浄体11のウェハWへの接触圧を検知するための検知部である。具体的には、第1荷重検知部20は、ロバーバル型のロードセルであり、水平方向に延在する矩形状の本体部(起歪体)の一端側に第1ベース部材14の第1連結部14cが連結され、他端側には後述する第2ベース部材31の第2連結部31aに連結される。
第1荷重検知部20の本体部は、洗浄体ヘッド部10から受ける荷重によって変形する。第1荷重検知部20は、かかる本体部の変形量を本体部に貼着されたひずみゲージによって電気的に検出することによって、洗浄体ヘッド部10から受ける荷重を検知する。
このように、第1の実施形態に係る基板洗浄装置1では、第1荷重検知部20を、洗浄体ヘッド部10と浮力付与部30とを連結する連結部材としても利用することとしている。特に、第1の実施形態に係る基板洗浄装置1では、第1荷重検知部20としてロバーバル型のロードセルを用いることにより、洗浄体ヘッド部10および浮力付与部30を効率的に連結することができる。
なお、第1ベース部材14の第1連結部14cおよび第2ベース部材31の第2連結部31aは、それぞれ第1荷重検知部20に対してボルトで固定される。このとき、図2に示すように、第1荷重検知部20の上面に第1連結部14cを連結し、下面に第2連結部31aを連結する構成とすることにより、第1荷重検知部20に対する第1連結部14cおよび第2連結部31aの取り付け容易性を高めることができる。言い換えれば、第1連結部14cを第1荷重検知部20の下面に連結し、第2連結部31aを上面に連結した場合と比較して、これら第1連結部14cの取り付けに要するスペースを小さくすることができるため、洗浄体ヘッド部10と浮力付与部30とをよりコンパクトに連結することができる。
浮力付与部30は、第2ベース部材31と、ガイド部32と、エアシリンダ33と、第3ベース部材34とを備える。第2ベース部材31は、水平方向に延在する第2連結部31aを備え、かかる第2連結部31aにおいて第1荷重検知部20の他端側と連結する。ガイド部32は、第2ベース部材31を昇降可能に支持する部材である。
エアシリンダ33は、第2ベース部材31を昇降させる昇降機構である。具体的には、エアシリンダ33は、上側供給部33a_1および下側供給部33a_2が形成された本体部33aと、本体部33aの内部に昇降可能に設けられた昇降軸33bとを備える。かかるエアシリンダ33は、本体部33aの上側供給部33a_1および下側供給部33a_2からそれぞれ供給されるエアの圧力差を利用して、昇降軸33bを移動させる。
より具体的には、上側供給部33a_1には図示しないエア供給源が接続され、かかるエア供給源から一定圧力のエアが供給される。また、下側供給部33a_2には電空レギュレータ60が接続され、電空レギュレータ60によって所定の圧力に調整されたエアが供給される。基板洗浄装置1は、下側供給部33a_2へ供給するエアの圧力を電空レギュレータ60によって調整することにより、本体部33aの内部に所望の浮力を発生させて昇降軸33bを移動させる。
第3ベース部材34は、エアシリンダ33の本体部33aおよびガイド部32を保持するベース部材である。
上記のように構成された浮力付与部30では、エアシリンダ33が昇降軸33bを上下動させることによって、昇降軸33bが第2ベース部材31を上下動させる。これにより、第2ベース部材31が、ガイド部32に沿って上下動し、かかる第2ベース部材31に連結された第1荷重検知部20および第1荷重検知部20に連結された洗浄体ヘッド部10が上下動する。
このように、浮力付与部30は、第1荷重検知部20の他端側に連結され、第1荷重検知部20を介して洗浄体ヘッド部10に浮力を与える。
なお、エアシリンダ33の昇降軸33bは、第2ベース部材31に対して当接および離隔可能に(以下、「接離可能に」と記載する)構成される。これにより、洗浄体11がウェハWから突発的に大きな抗力を受けた場合に、第2ベース部材31が昇降軸33bから離れることで、洗浄体ヘッド部10が上方に逃げることができ、ウェハWに大きな負荷がかかることを防止することができる。
ここでは、昇降機構としてエアシリンダ33を用いる場合の例を示したが、昇降機構は、第2ベース部材31を昇降させることができるものであればよく、エアシリンダ33以外であってもよい。
第2荷重検知部40は、洗浄体11のウェハWへの接触圧を所望の接触圧に設定するために用いられる検知部である。具体的には、第3ベース部材34には、第2荷重検知部40を所定の高さに支持する支持部材41が固定され、かかる支持部材41の上部に第2荷重検知部40が固定される。そして、第2荷重検知部40は、第2ベース部材31の下部に上端部が当接することによって、第2ベース部材31から受ける荷重を検知する。第2ベース部材31から受ける荷重は、洗浄体11がウェハWに接触していない状態においては、洗浄体ヘッド部10、第1荷重検知部20および第2ベース部材31の合計重量である。
なお、第2荷重検知部40は、第3ベース部材34に保持され、かつ、第2ベース部材31に対して接離可能に構成されることにより、後述する浮力値の決定処理を効率的に行うことができる。
ここでは、第2荷重検知部40が、第1荷重検知部20と同様、ロバーバル型のロードセルであるものとするが、第2荷重検知部40は、ロバーバル型のロードセル以外の検知部であってもよい。
昇降機構50は、第3ベース部材34を水平に支持する支持部51と、支持部51を昇降させる昇降部52とを備える。このように、昇降機構50は、第3ベース部材34を昇降させる第2昇降機構に相当する。
次に、基板洗浄装置1の具体的動作について図3を用いて説明する。図3は、第1の実施形態に係る基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、基板洗浄処理が開始される前において、基板洗浄装置1は、図2に示す待機状態、すなわち、洗浄体11をウェハWに接触させていない状態にあるものとする。
図3に示すように、制御装置4の制御部は、まず、第2荷重検知部40の出力値を取得する(ステップS101)。すなわち、制御部は、洗浄体ヘッド部10、第1荷重検知部20および第2ベース部材31の合計重量を取得する。なお、図2に示す待機状態においては、第2ベース部材31には、エアシリンダ33による浮力は働いていないものとする。
また、制御部は、制御装置4の記憶部に記憶された接触圧の設定値を取得する(ステップS102)。接触圧の設定値は、ユーザによって予め設定される値であり、適宜変更可能である。
つづいて、制御部は、ステップS101において取得した第2荷重検知部40の出力値と、ステップS102において取得した接触圧の設定値とに基づいて洗浄体ヘッド部10に与える浮力値を決定する(ステップS103)。具体的には、制御部は、第2荷重検知部40の出力値(すなわち、洗浄体ヘッド部10、第1荷重検知部20および第2ベース部材31の合計重量)と接触圧の設定値との差分を浮力値として決定する。
そして、制御部は、決定した浮力値に従って電空レギュレータ60を制御する(ステップS104)。すなわち、ステップS103において決定した浮力値が得られるように、電空レギュレータ60からエアシリンダ33に供給されるエアの圧力を調整する。これにより、エアシリンダ33の昇降軸33bから第2ベース部材31に対して所望の浮力が与えられ、かかる浮力が第1荷重検知部20を介して洗浄体ヘッド部10へ伝わって、洗浄体ヘッド部10が所望の浮力で持ち上げられた状態となる。
なお、ここでは、第2荷重検知部40の出力値を取得した後で、接触圧の設定値を取得することとしたが、出力値および設定値の取得順序は逆でもよい。
また、制御部は、第1荷重検知部20の出力値を取得し、取得した出力値をゼロリセットする(ステップS105)。すなわち、洗浄体11がウェハWに接触していない状態において洗浄体ヘッド部10から受ける荷重(つまり、洗浄体ヘッド部10の重量)をゼロに設定する。これにより、制御部は、後述する洗浄動作中において第1荷重検知部20から取得される値を反転することで、洗浄体11のウェハWへの接触圧を容易に検知することができる。
つづいて、制御部は、回転機構13(図2参照)を動作させて洗浄体11を回転させた後(ステップS106)、昇降機構50(図2参照)を用いて第3ベース部材34を所定位置まで降下させる(ステップS107)。ここで、かかるステップS107の動作について図4A,4Bを用いて具体的に説明する。図4Aおよび図4Bは、基板洗浄装置1の動作例を示す図である。
図4Aに示すように、制御部は、昇降機構50を用いて第3ベース部材34を降下させることによって、洗浄体11をウェハWの表面に接触させる。つづいて、制御部は、図4Bに示すように、第3ベース部材34をさらに2mm程度降下させて、第2ベース部材31を第2荷重検知部40から離隔させる。
これにより、洗浄体ヘッド部10、第1荷重検知部20および第2ベース部材31が、エアシリンダ33の昇降軸33bとウェハWとによって支持された状態となる。言い換えれば、エアシリンダ33から受ける浮力およびウェハWから受ける抗力が、洗浄体ヘッド部10、第1荷重検知部20および第2ベース部材31の合計重量と釣り合った状態となる。このとき、ウェハWには、洗浄体ヘッド部10、第1荷重検知部20および第2ベース部材31の合計重量からエアシリンダ33の浮力を差し引いた力、すなわち、予め設定された所望の接触圧がかかっていることになる。
第1荷重検知部20が洗浄体ヘッド部10から受ける荷重は、上記接触圧の分だけ減少する。このため、第1荷重検知部20の出力値は、上記接触圧の分だけ小さくなる。したがって、制御部は、かかる出力値の変化量を洗浄体11のウェハWへの接触圧として検知することができる。しかも、ステップS105において第1荷重検知部20の出力値をゼロリセットしているため、接触圧の検知を容易に行うことができる。
なお、ここでは、ステップS105において第1荷重検知部20の出力値をゼロリセットする場合の例を示したが、制御部は、洗浄体11をウェハWへ接触させる前における第1荷重検知部20の出力値を記憶しておき、接触後における出力値との差分を求めることで、洗浄体11のウェハWへの接触圧を検知してもよい。
なお、制御部は、基板洗浄処理を開始してから洗浄体11がウェハWの表面に接触するまでのいずれかのタイミングで、基板保持装置2を制御することによってウェハWを回転させる。
図3に戻り、基板洗浄処理の内容についての説明を続ける。ステップS107の処理を終えると、制御部は、洗浄動作を開始する(ステップS108)。すなわち、制御部は、図1を用いて説明したように、移動機構55を用いて昇降機構50を移動させることによって、基板保持装置2によって回転するウェハWの表面全体をスクラブ洗浄する。制御部は、かかる洗浄動作中において、洗浄体11のウェハWへの接触圧を第1荷重検知部20を用いて検知する。
ステップS108の洗浄動作を終えると、制御部は、初期位置(図1に示す位置)へ移動し(ステップS109)、基板保持装置2によるウェハWの回転を停止して、基板洗浄処理を終了する。
このように、第1の実施形態に係る基板洗浄装置1は、洗浄体ヘッド部10と浮力付与部30とを第1荷重検知部20で連結した構成とすることにより、洗浄動作中における洗浄体11のウェハWへの接触圧を検知することができる。
しかも、回転機構13が第1ベース部材14に一体的に保持されるため、ウェハWの凹凸によって洗浄体11が上下動した場合であっても、伝達ベルト13dが斜めになるといった事態が生じるおそれがなく、第1荷重検知部20を用いた接触圧の検知を正確に行うことができる。
上述してきたように、第1の実施形態に係る基板洗浄装置1は、洗浄体ヘッド部10と、第1荷重検知部20と、浮力付与部30とを備える。洗浄体ヘッド部10は、洗浄体11と、洗浄体11を支持するシャフト12と、シャフト12を回転させる回転機構13と、これらを一体的に保持する第1ベース部材14とを備える。第1荷重検知部20は、一端側が洗浄体ヘッド部10の第1ベース部材14に連結され、洗浄体ヘッド部10から受ける荷重を検知する。浮力付与部30は、第1荷重検知部20の他端側に連結され、第1荷重検知部20を介して洗浄体ヘッド部10に浮力を与える。したがって、第1の実施形態に係る基板洗浄装置1によれば、洗浄体11のウェハWへの接触圧を正確に検知することができる。
(第2の実施形態)
ところで、上述してきた第1の実施形態では、基板洗浄装置1が第2荷重検知部40を備え、かかる第2荷重検知部40の出力値に基づいて浮力値を決定することとしたが、基板洗浄装置は、必ずしも第2荷重検知部40を備えることを要しない。すなわち、基板洗浄装置は、第2荷重検知部40を用いることなく浮力値を決定することもできる。
以下では、かかる点について説明する。図5は、第2の実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式側面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図5に示すように、第2の実施形態に係る基板洗浄装置1Aは、第1の実施形態に係る基板洗浄装置1から第2荷重検知部40および支持部材41を省いた構成を有する。また、第2の実施形態では、チャンバ3(図1参照)内にステージ70が設けられる。ステージ70は、水平面を有する部材である。ステージ70の水平面は、ウェハWの表面と同一の高さに配置されることが好ましい。
次に、第2の実施形態に係る基板洗浄装置1Aが実行する浮力値決定処理の内容について図6を用いて説明する。図6は、第2の実施形態に係る浮力値決定処理の処理手順を示すフローチャートである。
図6に示すように、制御部は、第1荷重検知部20の出力値を取得する(ステップS201)。すなわち、制御部は、洗浄体ヘッド部10の重量を取得する。また、制御部は、予め記憶された接触圧の設定値を取得する(ステップS202)。なお、第1の実施形態と同様、ステップS201およびステップS202の処理順序は、逆でもよい。
つづいて、制御部は、第3ベース部材34を降下させることによって洗浄体11を降下させてステージ70の水平面に接触させる(ステップS203)。このとき、制御部は、第3ベース部材34を図4Bに示す位置、すなわち、洗浄動作中の位置まで降下させる。
つづいて、制御部は、第1荷重検知部20の出力値を再度取得し(ステップS204)、ステップS201およびステップS204において取得した出力値と、ステップS202において取得した設定値とに基づいて浮力値を決定する(ステップS205)。具体的には、制御部は、まず、ステップS201において取得した出力値からステップS204において取得した出力値を差し引くことによって、洗浄体11のステージ70への接触圧を求める。そして、制御部は、求めた接触圧からステップS202において取得した接触圧の設定値を差し引くことによって浮力値を得ることができる。
なお、ステップS202の処理は、ステップS203の処理の後またはステップS204の処理の後に行ってもよい。
つづいて、制御部は、ステップS205において決定した浮力値に従って電空レギュレータ60を制御する(ステップS206)。これにより、第1の実施形態と同様に、洗浄体ヘッド部10が所望の浮力で持ち上げられた状態となる。
そして、制御部は、洗浄体11を上昇させた後(ステップS207)、第1荷重検知部20の出力値を取得し、取得した出力値をゼロリセットして(ステップS208)、浮力値決定処理を終了する。なお、制御部は、ステップS208の処理を終えた後、図3に示すステップS106〜ステップS109の処理を行う。また、制御部は、第1の実施形態と同様に、基板洗浄処理を開始してから洗浄体11がウェハWの表面に接触するまでのいずれかのタイミングで、基板保持装置2を制御することによってウェハWを回転させる。
このように、制御部は、第2荷重検知部40を用いることなく、浮力値を決定することができる。
ここでは、チャンバ3内に設置されたステージ70を用いて浮力値を決定することとしたが、かかるステージ70に相当する部材を基板洗浄装置に設けてもよい。かかる場合の例について図7を用いて説明する。図7は、第2の実施形態に係る基板洗浄装置の他の構成を示す模式側面図である。
図7に示すように、基板洗浄装置1Bは、洗浄体ヘッド部10に代えて洗浄体ヘッド部10Bを備える。
洗浄体ヘッド部10Bは、洗浄体ヘッド部10が備える第1ベース部材14に代えて第1ベース部材14Bを備えており、第1ベース部材14Bは、当接部14dをさらに備える。当接部14dは、水平方向に延在する部材であり、たとえば支持部14bの上端部において第1連結部14cの反対側に設けられる。
また、基板洗浄装置1Bには、ヘッドサポート75と、支持部材76とが設けられる。ヘッドサポート75は、水平方向に延在する部材であり、洗浄体ヘッド部10Cの当接部14dの下側に配置される。かかるヘッドサポート75の一端側は、支持部材76に固定されており、他端側の上部は、当接部14dに対して接離可能である。
支持部材76は、ヘッドサポート75を所定の高さに支持する部材であり、第3ベース部材34の先端部に固定される。
上記のように構成された基板洗浄装置1Bにおいて、エアシリンダ33の浮力値は以下のようにして決定される。
まず、制御部は、基板洗浄装置1Bの待機状態(洗浄体11がウェハWに接触しておらず、かつ、洗浄体ヘッド部10Bの当接部14dがヘッドサポート75に接触していない状態)における第1荷重検知部20の出力値(すなわち、洗浄体ヘッド部10Bの重量)を取得してゼロリセットしておく。
つづいて、制御部は、エアシリンダ33の昇降軸33bを所定の高さまで降下させて、当接部14dをヘッドサポート75に接触させる。このとき、第1荷重検知部20の出力値は、ヘッドサポート75に加わる荷重(つまり、当接部14dのヘッドサポート75への接触圧)の分だけ減ることとなる。
制御部は、かかる出力値の差分が、制御装置4(図1参照)の記憶部に予め記憶された接触圧の設定値と一致するように、電空レギュレータ60から供給されるエアの圧力を調整する。これにより、浮力値が決定される。
つづいて、制御部は、回転機構13を動作させて洗浄体11を回転させた後、昇降機構50を用いて第3ベース部材34を所定位置まで降下させて、ウェハWの表面に洗浄体11を接触させる。そして、制御部は、第3ベース部材34をさらに2mm程度降下させることによって、当接部14dをヘッドサポート75から離隔させる。これにより、ウェハWに対して所望の接触圧がかかった状態となる。なお、制御部は、基板洗浄処理を開始してから洗浄体11がウェハWの裏面に接触するまでのいずれかのタイミングで、基板保持装置2を制御することによってウェハWを回転させる。
そして、制御部は、洗浄動作中において第1荷重検知部20からの出力値を取得し、取得した出力値を反転させることで、洗浄体11のウェハWへの接触圧を検知することができる。
(第3の実施形態)
ところで、洗浄体の種類は、上述してきた各実施形態において示したものに限定されない。たとえば、上述してきた各実施形態では、ウェハWの表面を洗浄するタイプの洗浄体を用いる場合の例について説明したが、洗浄体は、ウェハWの裏面に接触してウェハWの裏面側の周縁部を洗浄するタイプのものであってもよい。以下では、かかる点について図8を用いて説明する。図8は、第3の実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式側面図である。
図8に示すように、第3の実施形態に係る基板洗浄装置1Cは、洗浄体ヘッド部10Bに代えて洗浄体ヘッド部10Cを備える。洗浄体ヘッド部10Cは、洗浄体ヘッド部10Bが備える洗浄体11に代えて、洗浄体11Cを備える。かかる洗浄体11Cは、たとえばベベルブラシであり、ウェハWの裏面に接触してウェハWの裏面側の周縁部を洗浄する。このような洗浄体11Cを用いた場合、上述してきた各実施形態とは逆向きの接触圧、すなわち、鉛直上向きの接触圧がウェハWにかかることとなる。なお、洗浄体ヘッド部10Cのその他の構成は、洗浄体ヘッド部10Bと同様である。
さらに、基板洗浄装置1Cは、第1の実施形態に係る基板洗浄装置1が備える第2荷重検知部40および支持部材41に代えて、第3荷重検知部80と支持部材81とを備える。支持部材81は、第3荷重検知部80を所定の高さに支持する部材であり、第3ベース部材34の先端部に固定される。
第3荷重検知部80は、洗浄体11CのウェハWへの接触圧を所望の接触圧に設定するために用いられる検知部である。具体的には、第3荷重検知部80は、一端側の下部が支持部材81の上部に固定されるとともに、他端側の下部が洗浄体ヘッド部10Cの当接部14dに対して接離可能に設けられる。
上記のように構成された基板洗浄装置1Cにおいて、エアシリンダ33の浮力値は以下のようにして決定される。
まず、制御部は、基板洗浄装置1Cの待機状態(洗浄体11CがウェハWに接触しておらず、かつ、洗浄体ヘッド部10Cの当接部14dが第3荷重検知部80に接触していない状態)における第1荷重検知部20の出力値(すなわち、洗浄体ヘッド部10Cの重量)を取得してゼロリセットしておく。
つづいて、制御部は、エアシリンダ33の昇降軸33bを所定の高さまで上昇させて、洗浄体ヘッド部10Cの当接部14dを第3荷重検知部80に接触させる。そして、制御部は、第3荷重検知部80の出力値(すなわち、エアシリンダ33の現在の浮力値)を取得する。
つづいて、制御部は、第3荷重検知部80から取得される出力値が、制御装置4(図1参照)の記憶部に予め記憶された接触圧の設定値と一致するように、電空レギュレータ60から供給されるエアの圧力を調整する。これにより、浮力値が決定される。
つづいて、制御部は、回転機構13を動作させて洗浄体11Cを回転させた後、昇降機構50を用いて第3ベース部材34を所定位置まで上昇させて、ウェハWの裏面に洗浄体11Cを接触させる。そして、制御部は、第3ベース部材34をさらに2mm程度上昇させることによって、当接部14dを第3荷重検知部80から離隔させる。これにより、ウェハWに対して所望の接触圧がかかった状態となる。なお、制御部は、基板洗浄処理を開始してから洗浄体11CがウェハWの裏面に接触するまでのいずれかのタイミングで、基板保持装置2を制御することによってウェハWを回転させる。
そして、制御部は、洗浄動作中において第1荷重検知部20からの出力値を取得し、取得した出力値を反転させることで、洗浄体11CのウェハWへの接触圧を検知することができる。
上述してきたように、ウェハWの裏面に接触してウェハWの裏面側の周縁部を洗浄する洗浄体11Cを用いた場合であっても、第1および第2の実施形態と同様に、洗浄動作中における洗浄体11CのウェハWへの接触圧を検知することができる。
なお、ここでは、基板洗浄装置1Cに対して第3荷重検知部80および支持部材81を設け、第3荷重検知部80を用いてエアシリンダ33の浮力値を決定する場合の例を示したが、第2の実施形態と同様に、ステージを設け、かかるステージを用いてエアシリンダ33の浮力値を決定することとしてもよい。かかる場合、第3荷重検知部80および支持部材81は不要となる。また、図7に示す基板洗浄装置1Bと同様に、ヘッドサポートを用いてエアシリンダ33の浮力値を決定してもよい。かかる場合には、図8に示す第3荷重検知部80に代えてヘッドサポート75を設ければよい。
また、上述してきた各実施形態では、エアシリンダ33の昇降軸33bが、第2ベース部材31に対して接離可能に構成される場合の例を示したが、昇降軸33bは、第2ベース部材31に対して固定されてもよい。このように構成すれば、昇降軸33bの上下動に対する洗浄体ヘッド部10,10B,10Cの追従性を高めることができる。
また、上述してきた各実施形態では、洗浄体のウェハへの接触圧を検知する場合の例について説明してきたが、さらに、検知した接触圧に基づいて電空レギュレータ60のフィードバック制御を行うこととしてもよい。すなわち、制御部は、検知した接触圧と所望の接触圧との差分を求め、かかる差分が小さくなるように電空レギュレータ60が供給するエアの圧力(すなわち、浮力値)を変更するようにしてもよい。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
W ウェハ
1 基板洗浄装置
2 基板保持装置
3 チャンバ
4 制御装置
10 洗浄体ヘッド部
11 洗浄体
12 シャフト
13 回転機構
13a モータ
13b 第1プーリ
13c 第2プーリ
13d 伝達ベルト
14 第1ベース部材
14c 第1連結部
20 第1荷重検知部
30 浮力付与部
31 第2ベース部材
31a 第2連結部
32 ガイド部
33 エアシリンダ
33b 昇降軸
34 第3ベース部材
40 第2荷重検知部
50 昇降機構
60 電空レギュレータ

Claims (13)

  1. 洗浄体、該洗浄体を支持するシャフトおよび該シャフトを回転させる回転機構がベース部材に一体的に保持された洗浄体ヘッド部と、
    一端側が前記洗浄体ヘッド部のベース部材に連結され、前記洗浄体ヘッド部から受ける荷重を検知する第1荷重検知部と、
    記第1荷重検知部を介して前記洗浄体ヘッド部に浮力を与える浮力付与部と
    を備え
    前記浮力付与部は、
    前記第1荷重検知部の他端側に連結される第2ベース部材と、
    前記第2ベース部材を昇降可能に支持するガイド部と、
    前記第2ベース部材を昇降させる昇降機構と、
    前記昇降機構および前記ガイド部を保持する第3ベース部材と
    を備えることを特徴とする基板洗浄装置。
  2. 前記昇降機構の昇降軸は、
    前記第2ベース部材に対して接離可能であること
    を特徴とする請求項に記載の基板洗浄装置。
  3. 前記第2ベース部材から受ける荷重を検知する第2荷重検知部
    をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の基板洗浄装置。
  4. 前記第2荷重検知部は、
    前記第3ベース部材に保持され、かつ、前記第2ベース部材に対して接離可能であること
    を特徴とする請求項に記載の基板洗浄装置。
  5. 前記第3ベース部材を昇降させる第2昇降機構
    をさらに備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。
  6. 前記第1荷重検知部は、ロバーバル型のロードセルであること
    を特徴とする請求項1〜のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。
  7. 前記第1荷重検知部は、
    一端側の上面に前記洗浄体ヘッド部のベース部材が連結され、他端側の下面に前記浮力付与部が連結されること
    を特徴とする請求項に記載の基板洗浄装置。
  8. 洗浄体、該洗浄体を支持するシャフトおよび該シャフトを回転させる回転機構がベース部材に一体的に保持された洗浄体ヘッド部と、
    前記洗浄体ヘッド部のベース部材に連結され、前記洗浄体ヘッド部から受ける荷重を検知する第1荷重検知部と、
    前記第1荷重検知部に連結され、前記第1荷重検知部を介して前記洗浄体ヘッド部に浮力を与える浮力付与部と
    を備え、
    前記回転機構は、
    モータと、
    前記モータの出力軸に取り付けられた第1プーリと、
    前記シャフトに取り付けられた第2プーリと、
    前記第1プーリおよび前記第2プーリ間に掛け渡された伝達部材と
    を備えることを特徴とする基板洗浄装置。
  9. 洗浄体、該洗浄体を支持するシャフトおよび該シャフトを回転させる回転機構がベース部材に一体的に保持された洗浄体ヘッド部と、
    前記洗浄体ヘッド部のベース部材に連結され、前記洗浄体ヘッド部から受ける荷重を検知する第1荷重検知部と、
    前記第1荷重検知部に連結され、前記第1荷重検知部を介して前記洗浄体ヘッド部に浮力を与える浮力付与部と
    を備え、
    前記第1荷重検知部は、
    ロバーバル型のロードセルであり、一端側の上面に前記洗浄体ヘッド部のベース部材が連結され、他端側の下面に前記浮力付与部が連結されること
    を特徴とする基板洗浄装置。
  10. 洗浄体、該洗浄体を支持するシャフトおよび該シャフトを回転させる回転機構がベース部材に一体的に保持された洗浄体ヘッド部と、
    前記洗浄体ヘッド部のベース部材に連結され、前記洗浄体ヘッド部から受ける荷重を検知する第1荷重検知部と、
    前記第1荷重検知部に連結され、前記第1荷重検知部を介して前記洗浄体ヘッド部に浮力を与える浮力付与部と
    を備え、
    前記回転機構は、
    モータと、
    前記モータの出力軸に取り付けられた第1プーリと、
    前記シャフトに取り付けられた第2プーリと、
    前記第1プーリおよび前記第2プーリ間に掛け渡された伝達部材と
    を備え、
    前記第1荷重検知部は、
    ロバーバル型のロードセルであり、一端側の上面に前記洗浄体ヘッド部のベース部材が連結され、他端側の下面に前記浮力付与部が連結されること
    を特徴とする基板洗浄装置。
  11. 基板を回転可能に保持する基板保持装置と、
    前記基板保持装置によって保持された前記基板を洗浄する基板洗浄装置と、
    前記基板保持装置および前記基板洗浄装置を制御する制御部と
    を備え、
    前記基板洗浄装置は、
    洗浄体、該洗浄体を支持するシャフトおよび該シャフトを回転させる回転機構がベース部材に一体的に保持された洗浄体ヘッド部と、
    一端側が前記洗浄体ヘッド部のベース部材に連結され、前記洗浄体ヘッド部から受ける荷重を検知する第1荷重検知部と、
    記第1荷重検知部を介して前記洗浄体ヘッド部に浮力を与える浮力付与部と
    を備え
    前記浮力付与部は、
    前記第1荷重検知部の他端側に連結される第2ベース部材と、
    前記第2ベース部材を昇降可能に支持するガイド部と、
    前記第2ベース部材を昇降させる昇降機構と、
    前記昇降機構および前記ガイド部を保持する第3ベース部材と
    を備え、
    前記基板洗浄装置は、
    前記第2ベース部材から受ける荷重を検知する第2荷重検知部
    を備えることを特徴とする基板洗浄ユニット。
  12. 前記制御部は、
    前記第2荷重検知部の出力値に基づいて、前記浮力付与部が前記洗浄体ヘッド部に与える浮力を決定し、前記第1荷重検知部の出力値に基づいて、前記洗浄体の前記基板への接触圧を検知すること
    を特徴とする請求項11に記載の基板洗浄ユニット。
  13. 前記制御部は、
    前記洗浄体を前記基板に接触させることにより前記基板を洗浄しているときに、前記第1荷重検知部の出力値に基づいて、前記洗浄体の前記基板への接触圧を検知すること
    を特徴とする請求項11または12に記載の基板洗浄ユニット。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016131186A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社ディスコ スピンナ洗浄装置
JP6941464B2 (ja) * 2017-04-07 2021-09-29 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板処理装置
JP6758247B2 (ja) * 2017-05-10 2020-09-23 株式会社荏原製作所 洗浄装置および基板処理装置、洗浄装置のメンテナンス方法、並びにプログラム
CN107340128A (zh) * 2017-08-23 2017-11-10 长治清华机械厂 清洗刷头试验装置
CN109950170B (zh) * 2017-12-20 2023-04-04 弘塑科技股份有限公司 晶圆清洗设备及控制晶圆清洗设备的毛刷组的方法
KR20210144071A (ko) 2020-05-21 2021-11-30 삼성전자주식회사 틸팅 가능한 롤 브러쉬를 갖는 기판 세정 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3328426B2 (ja) 1994-05-12 2002-09-24 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JP3539787B2 (ja) 1995-03-09 2004-07-07 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板洗浄装置
KR0175278B1 (ko) * 1996-02-13 1999-04-01 김광호 웨이퍼 세정장치
JPH09326378A (ja) * 1996-06-05 1997-12-16 Sony Corp 基板洗浄装置および基板洗浄方法
DE19914347C2 (de) * 1998-03-30 2003-11-06 Tokyo Electron Ltd Waschvorrichtung und Waschverfahren
JP3953716B2 (ja) * 2000-08-01 2007-08-08 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
JP4994074B2 (ja) * 2006-04-20 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置,基板洗浄方法,基板処理装置
JP4829710B2 (ja) * 2006-07-26 2011-12-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置
JP5413016B2 (ja) * 2008-07-31 2014-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体
EP2397824B1 (en) * 2009-02-10 2019-10-09 Shimadzu Corporation Sensor mechanism body and electronic balance using the same
JP5583503B2 (ja) * 2010-07-14 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、およびこれを備える塗布現像装置

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