CN101211891B - 连接结构、电光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及连接结构、电光装置及其制造方法，例如，对液晶装置中的开口率下降进行抑制。中继层(93)，从第2层间绝缘层(42)的上表面(42a)延伸于第2层间绝缘层(42)的端面(42b)及下部电容电极(71)的端面(71b)。中继层(93)，通过接触孔(85)而电连接于像素电极(9a)。即，下部电容电极(71)，与中继层(93)一起对高浓度漏区域(1e)及像素电极(9a)间的电连接进行中继。从而，若依照于液晶装置(1)，则可以使形成于非开口区域的下部电容电极(71)、与中继层(93)的连接区域变小，或完全消失。

Description

连接结构、电光装置及其制造方法
技术领域
本发明，涉及例如相互电连接设置于绝缘层的上侧及下侧之各侧的导电膜的连接结构，及应用如此的连接结构而电连接像素电极及布线等的导电膜的电光装置，及其制造方法的技术领域。
背景技术
在作为这种电光装置之一例的液晶装置中，由ITO(Indium TinOxide，铟锡氧化物)等的透明导电膜所构成的像素电极，通过接触孔电连接于形成于该像素电极的下层侧的中继层。在通过接触孔而对中继层及像素电极进行了电连接的情况下，存在难以扩大像素中的开口区域的技术性问题点。更具体地，因为例如为了对不透明的中继层及像素电极通过接触孔而进行电连接，中继层的一部分重叠于像素电极，所以像素之中可以使光实质性地进行透射的开口区域的面积由于中继层而变窄。并且，当在形成有遮挡理应对像素进行透射的光的布线、遮光膜、半导体元件等的非光透射要件的区域形成接触孔时，例如为了将要形成接触孔的绝缘层部分去除而需要确保考虑到2种掩模间的位置对准的裕量进行设计。从而，按确保裕量的量、像素中的非开口区域的比例变大，存在难以通过像素中的开口率(即，开口区域在像素中占的比例)上升而使显示性能提高的问题点。
作为用于解决如此的问题点的方法之一例，专利文献1，公开了能够将通过绝缘膜而形成于互不相同的层的2个导电图形以窄的区域进行连接的连接结构。
【专利文献1】特开平11-3938号公报
但是，若依照于公开于专利文献1的技术，则因为连接用导电膜延伸于比2个导电图形之中一方的导电图形靠下层侧的导电图形的上面，所以连接用导电膜的尺寸相应地增大。从而，由于下层侧的导电图形、连接用导电膜之中延伸于该导电图形的上面的部分占的面积而存在像素的开口区域变窄的问题点。
另一方面，在为了向像素电极供给图像信号而分别将设置于每个像素的像素开关用TFT的源区域及漏区域通过接触孔连接于数据线侧及像素电极侧的各布线部的情况下，相应于这些布线部的电位的差异，在这些布线部间产生耦合电容。由于产生于布线间的耦合电容，当电光装置工作时，存在使横向串扰等的显示不良发生的问题点。
发明内容
因而，本发明，鉴于例如上述的问题点所作出，目的在于提供能够提高开口率、可以进行高质量的图像显示的电光装置及其制造方法，以及可以应用于如此的电光装置的连接结构。
本发明的第1发明中的连接结构为了解决上述问题，具备：形成于基板上的第1导电膜；形成于前述第1导电膜上，具有面向前述第1导电膜的一个端面所面向之侧的其他端面的绝缘膜；和从前述绝缘膜的上表面延伸于前述一个端面及前述其他端面地形成，通过前述一个端面而与前述第1导电膜相互电连接的第2导电膜。
若依照于本发明的第1发明中的连接结构，则绝缘膜形成于第1导电膜上，向着第1导电膜的一个端面所面向之侧，绝缘膜的其他端面而面向。即，一个端面及其他端面，从绝缘膜及第1导电膜看面向相同侧。还有，其他端面，是为了与一个端面相区别而为了方便所采用的表达，是指绝缘膜的端面之中的面向第1导电膜的一个端面所面向之侧的端面。如此的一个端面及其他端面，既可以相互位于同一平面上，也可以为：其他端面以一个端面作为基准而向一个端面所面向之侧突出。若换言之，则一个端面，只要不是向着该一个端面所面向之侧从其他端面突出，即可。
第2导电膜，从绝缘膜的上表面延伸于一个端面及其他端面地形成。更具体地，第2导电膜，作为连续性地延伸于沿相对于基板的基板面相交的方向延伸的一个端面及其他端面的导电膜所形成。第2导电膜，通过一个端面而与第1导电膜相互电连接。更具体地，在一个端面及其他端面处于相互延伸于同一平面上的位置关系的情况下，通过沿一个端面及其他端面延伸地形成第2导电膜，该第2导电膜接触于第1导电膜之中的一个端面。并且，在其他端面比一个端面向一个端面所面向之侧突出的情况下，第1导电膜之中的与第2导电膜相接触的部分仍是一个端面。
因为如此地与第1导电膜电连接的第2导电膜，从绝缘膜的上表面延伸于一个端面，所以通过绝缘膜而形成于互不相同的层的第1导电膜及第2导电膜通过一个端面相互电连接。
从而，若依照于本发明的第1发明中的连接结构，则与向着第1导电膜的一个端面所面向之侧而从绝缘膜突出第1导电膜、延伸于该第1导电膜的上表面地形成第2导电膜的情况相比较，能够按第1导电膜不从绝缘膜突出的量，减小包括第1导电膜及第2导电膜的连接区域的尺寸。
因而，若依照于本发明的第1发明中的连接结构，则因为例如在基板上，能够将通过绝缘膜而形成于互不相同的层的电路部或者布线部相互电连接，并能够减小该连接区域的尺寸，所以能够使形成于基板上的被限制的空间的电路构成的尺寸小。所以本发明的第1发明中的连接结构，尤其是在基板上用于形成各种电路部的空间受限制的情况下、或者要求形成各种电路部的基板尺寸的小型化的情况下、或者通过多层结构而使电路部的平面尺寸小型化的情况下，成为有效的连接单元。
本发明的第2发明中的电光装置为了解决上述问题，具备：在基板上互相交叉的多条数据线及多条扫描线；形成于对应于前述多条数据线及前述多条扫描线的交叉处所设置的多个像素的各个的像素电极；形成于隔开前述多个像素之中互相相邻的像素的各自的开口区域的非开口区域，且电连接于前述像素电极，具有面向前述开口区域的一个端面的第1导电膜；形成于前述第1导电膜上，具有面向前述开口区域的其他端面的导电膜；和从前述绝缘膜上延伸于前述一个端面及前述其他端面地形成，通过前述一个端面电连接于前述第1导电膜的第2导电膜。
若依照于本发明的第2发明中的电光装置，则例如，通过从数据线向像素电极控制图像信号的所谓有源矩阵方式而显示图像。还有，图像信号，例如，通过使电连接于数据线及像素电极间的晶体管导通截止，以预定的定时从数据线通过晶体管供给于像素电极。像素电极，是例如由ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)等的透明导电材料构成的透明电极，对应于数据线及扫描线的交叉处，在基板上在应当成为显示区域的区域矩阵状地设置多个。
第1导电膜，形成于隔开多个像素之中互相相邻的像素的各自的开口区域的非开口区域，且电连接于像素电极。在此，所谓“开口区域”，是光实质性地进行透射的像素内的区域，例如，是形成像素电极的区域，是可以相应于透射率的变化而使离开液晶等的电光物质而来的出射光的灰度等级发生变化的区域。若换言之，则所谓“开口区域”，是指聚光于像素的光不被：不使光进行透射或者光透射率相比较于透明电极而相对小的布线、遮光膜及各种元件等的遮光体遮挡的区域。所谓“非开口区域”，是指用于显示的光不进行透射的区域，指例如在像素内配设不透明的布线或者电极、或各种元件等的遮光体的区域。
第1导电膜，具有面向开口区域的一个端面，在此，所谓“一个端面面向”，并非是指直接面向开口区域，而是指通过后述的第2导电膜而面向开口区域。
绝缘膜，形成于第1导电膜上，具有面向开口区域的其他端面。“其他端面”，是为了与一个端面相区别而以便于理解的方式所采用的表达，是指绝缘膜具有的端面之中的面向开口区域的端面。一个端面及其他端面，既可以相互位于同一平面上，也可以为其他端面以一个端面作为基准而向一个端面所面向之侧突出。若换言之，则一个端面，只要面向该一个端面所面向之侧不比其他端面突出即可。
第2导电膜，从绝缘膜上延伸于一个端面及其他端面地所形成。如此的第2导电膜，例如，从绝缘膜的上表面延伸于一个端面及其他端面地所形成。更具体地，第2导电膜，作为连续性延伸于沿相对于基板的基板面相交的方向所延伸的一个端面及其他端面的导电膜所形成。
第2导电膜，通过一个端面而与第1导电膜相互电连接。更具体地，在一个端面及其他端面处于相互延伸于同一平面上的位置关系的情况下，由于沿一个端面及其他端面而延伸地形成第2导电膜，故该第2导电膜接触于第1导电膜的一个端面。并且，在其他端面比一个端面向一个端面所面向之侧突出的情况下，第1导电膜之中的与第2导电膜相接触的部分仍是一个端面。
因为如此地与第1导电膜电连接的第2导电膜，从绝缘膜上延伸于一个端面，所以通过绝缘膜而形成于互不相同的层的第1导电膜及第2导电膜通过一个端面相互电连接。
从而，若依照于本发明的第2发明中的电光装置，则可以使形成于非开口区域的第1导电膜之中的、突出于开口区域的部分的尺寸变小、或完全不存在，相比较于通过使第1导电膜突出于开口区域而确保第1导电膜及第2导电膜的连接区域的情况，能够使由于使第1导电膜延伸于开口区域而扩大的非开口区域的尺寸变小。
因而，若依照于本发明的第2发明中的电光装置，则在基板上，能够使用于对电连接于像素电极的第2导电膜、和形成于与该第2导电膜不相同的层的第1导电膜进行电连接的连接区域变小，可以使像素的开口率(即，在像素中开口区域占的比例)变大。若依照于如此的本发明的第2发明中的电光装置，则通过能够提高开口率，可以使对图像进行显示的显示性能提高。
在本发明的第2发明中的电光装置的一个方式中，也可以为：前述第2导电膜，为对前述第1导电膜及前述像素电极进行电中继的岛状的中继层，前述第2导电膜之中的延伸于前述绝缘膜上的部分与前述数据线形成于同层。
若依照于该方式，则第2导电膜，例如能够供给设置于各像素的像素电极的图像信号地在非开口区域中按每个像素形成。如此的第2导电膜，与数据线形成于同层，在通过共同的膜形成工序而形成了应当成为数据线及第2导电膜的导电膜之后，通过将该导电膜图形化为数据线及第2导电膜的各自的形状所形成。从而，相比较于通过与形成数据线的工序不同的工序而形成第2导电膜的情况，能够使电光装置的制造过程简略化。
在本发明的第2发明中的电光装置的其他方式中，也可以为：前述第1导电膜，为半导体膜；前述第2导电膜，包括接触于前述半导体膜的钛膜。
若依照于该方式，则在以多晶硅等的半导体膜构成第2导电膜的情况下，可以通过钛膜进行第2导电膜及第1导电膜的欧姆接触，能够降低第1导电膜及第2导电膜的连接电阻。
在该方式中，也可以为：前述第2导电膜，具有：具有比前述钛膜高的导电率的金属膜，和对前述金属膜进行保护的保护膜。
若依照于该方式，则通过具有比前述钛膜高的导电率的金属膜而提高第2导电膜的导电率，并通过保护膜而能够防止由于金属膜被氧化而引起的金属膜的电阻增大。作为如此的金属膜，例如能够采用铝(Al)，作为保护膜则能够采用氮化钛(TiN)。第2导电膜，例如，具有从接触于第1导电膜之侧按顺序叠层有钛膜、氮化钛膜、铝膜、及氮化钛膜的多层结构。
本发明的第3发明中的电光装置的制造方法为了解决上述问题，包括以下工序：在隔开像素的各自的开口区域的非开口区域形成第1导电膜的第1工序，上述像素为对应于在基板上互相交叉的多条数据线及多条扫描线的交叉处所设置的多个像素之中互相相邻的像素；覆盖前述第1导电膜地形成绝缘膜的第2工序；使得前述第1导电膜的一个端面朝向前述开口区域而露出地去除前述绝缘膜的第3工序；和形成从前述绝缘膜上延伸于在前述第3工序中露出的前述绝缘膜的其他端面及前述一个端面，且通过前述一个端面电连接于前述第1导电膜的第2导电膜的第4工序。
若依照于本发明的第3发明中的电光装置的制造方法，则在通过第1工序及第2工序而形成有第1导电膜及绝缘膜之后，在第3工序中使得第1导电膜的一个端面朝向开口区域露出地采用通用的膜去除法而去除绝缘膜。
在第4工序中，第2导电膜，从绝缘膜上，延伸于在第3工序中露出的绝缘膜的其他端面及一个端面地所形成。此外，第2导电膜，通过一个端面电连接于第1导电膜地，例如与第1导电膜以一个端面相接触地所形成。
从而，若依照于本发明的第3发明中的电光装置的制造方法，则与上述的本发明的第2发明中的电光装置同样地，能够减小将开口区域收窄的非开口区域的尺寸，能够制造显示性能高的电光装置。
在该方式中，也可以为：在前述第3工序中，将前述绝缘膜通过干蚀刻去除。
若依照于该方式，则相比较于采用湿蚀刻法的情况，能够使得第1导电膜之中仅一个端面露出地将绝缘膜有选择地去除。
本发明的第4发明中的电光装置为了解决上述问题，具备：在基板上互相交叉的多条数据线及多条扫描线；形成于对应于前述多条数据线及前述多条扫描线的交叉处所设置的多个像素的各个的像素电极；分别在形成于互相隔开前述多个像素之中互相相邻的像素的开口区域的非开口区域的导电层之中的、前述基板上的互不重叠的第1区域及第2区域，构成前述导电层的分别的一部分的第1部分及第2部分；具有：通过隔开前述第1区域及前述第2区域的区域而从前述第1区域侧面向前述第2区域侧，且从前述第1区域朝向前述第2区域接近于前述第1部分的上表面地相对于前述第1部分的上表面倾斜了的第1倾斜面，在前述第1区域之中的延伸于前述隔开的区域侧的第1部分区域中使得前述第1部分露出地形成于前述第1部分上的第1绝缘部；具有：通过前述隔开的区域而从前述第2区域侧面向前述第1区域侧，且从前述第2区域朝向前述第1区域接近于前述第2部分的上表面地相对于前述第2部分的上表面倾斜了的第2倾斜面，在前述第2区域之中的延伸于前述隔开的区域侧的第2部分区域中使得前述第2部分露出地与前述第1绝缘部形成于同层的第2绝缘部；从前述第1绝缘部的上表面延伸于前述第1倾斜面及前述第1部分的上表面的第1导电膜；和从前述第2绝缘部的上表面延伸于前述第2倾斜面及前述第2部分的上表面，具有与供给于前述第1导电膜的电位不相同的电位的第2导电膜。
若依照于本发明的第4发明中的电光装置，则与上述的本发明的第2发明中的电光装置同样地，例如，通过向采用ITO等的透明导电材料所构成的像素电极从数据线控制图像信号的所谓有源矩阵方式而显示图像。
第1部分及第2部分，分别位于形成于互相隔开多个像素之中互相相邻的像素的开口区域的非开口区域的导电层之中的基板上的互不重叠的第1区域及第2区域，构成导电层的分别的一部分。从而第1部分及第2部分，分别是延伸于非开口区域的第1区域及第2区域的导电膜之中的延伸于第1区域及第2区域各自的区域的部分。
第1绝缘部，具有通过隔开第1区域及第2区域的区域而从第1区域侧面向第2区域侧，且从第1区域朝向第2区域接近于第1部分的上表面地相对于第1部分的上表面倾斜了的第1倾斜面。此外，第1绝缘部，在第1区域之中的延伸于隔开的区域侧的第1部分区域中使得第1部分露出地形成于第1部分上。在此，“第1部分区域”，是占第1区域的一部分的区域，是从第1区域看占互相隔开第1区域及第2区域的区域侧的区域。
第2绝缘部，具有通过互相隔开第1区域及第2区域的区域而从第2区域侧面向第1区域侧，且从第2区域朝向第1区域接近于第2部分的上表面地相对于第2部分的上表面倾斜了的第2倾斜面。此外，其在第2区域之中延伸于隔开的区域侧的第2部分区域中使得第2部分露出地与第1绝缘部形成于同层。从而，第1绝缘部及第2绝缘部，例如，在形成这些绝缘部的层从第1区域到第2区域的范围内连续性地形成了绝缘膜之后，通过将该绝缘膜之中的延伸于相互隔开第1区域及第2区域的区域的部分有选择地去除所形成。
第1导电膜，从第1绝缘部的上表面延伸于第1倾斜面及第1部分的上表面。从而，第1导电膜，电连接于第1部分。
第2导电膜，从第2绝缘部的上表面延伸于第2倾斜面及第2部分的上表面。第2导电膜，电连接于第2部分。此外，第2导电膜，具有与供给于第1导电膜的电位不同的电位。从而，当电光装置工作时，在第1导电膜及第2导电膜间产生耦合电容。然而，通过使第1倾斜面及第2倾斜面的各自的距离对应于这些倾斜面的倾斜度而扩大，可以扩大第1导电膜及第2导电膜间的间隔，相比较于这些导电膜间的距离为一定的情况，能够减小由于这些导电膜的电位的差异而产生的耦合电容。
从而，若依照于本发明的第4发明中的电光装置，则能够减小产生于电连接于像素电极的第2导电膜、和被供给与该第2导电膜的电位不同的电位的第1导电膜之间的耦合电容，可以减少由于产生于图像信号的供给路径的耦合电容而产生的串扰等的显示不良。
在本发明的第4发明中的电光装置的一个方式中，也可以为：前述导电层，是半导体层；前述半导体层之中延伸于前述隔开的区域的部分，为沟道区域部；前述第1部分，为从前述沟道区域部看电连接于前述数据线侧的数据线侧导电部；前述第2部分，为从前述沟道区域部看电连接于前述像素电极侧的像素电极侧导电部。
若依照于该方式，则半导体层，包括作为通过第2导电膜电连接于像素电极的像素开关用元件之一例的TFT的沟道区域部。第1部分，例如，为作为从沟道区域部看电连接于数据线侧的数据线侧导电部的源区域部。第2部分，为作为从沟道区域部看电连接于像素电极侧的像素电极侧导电部的漏区域部。
若依照于该方式，则能够减小产生于例如分别电连接于源区域部及漏区域部的源布线及漏布线间的耦合电容，可以减少起因于该耦合电容而产生的串扰等的显示不良。
在该方式中，也可以为：前述第1导电膜及前述第2导电膜，分别包括接触于前述半导体层的钛膜。
若依照于该方式，则可以使多晶硅等的半导体层、与包括钛膜的第1导电膜及第2导电膜进行欧姆接触，能够减小第1导电膜及第2导电膜与半导体层间的连接电阻。
在该方式中，也可以为：前述第1导电膜及第2导电膜，具有：具有比前述钛膜高的导电率的金属膜，和对前述金属膜进行保护的保护膜。
若依照于该方式，则通过具有比钛膜高的导电率的金属膜而提高第1导电膜及第2导电膜的各自的导电率，并通过保护膜而能够防止由于金属膜被氧化而导致的金属膜的电阻增大。作为如此的金属膜，例如能够采用铝(Al)，作为保护膜则能够采用氮化钛(TiN)。第1及第2导电膜，例如，具有从分别接触于第1及第2部分之侧按顺序叠层有钛膜、氮化钛膜、铝膜、及氮化钛膜的多层结构。
本发明的第5发明中的电光装置的制造方法为了解决上述问题，包括以下工序：在应当成为互相隔开像素的各自的开口区域的非开口区域中，形成包括分别位于前述非开口区域之中在基板上互不重叠的第1区域及第2区域的第1部分及第2部分的导电层的第1工序，前述像素为对应于在前述基板上互相交叉的多条数据线及多条扫描线的交叉处所形成的设置有像素电极的多个像素之中互相相邻的像素；在前述导电层上形成绝缘层的第2工序；在前述第1区域中使得前述第1部分露出地贯通前述绝缘层，形成具有第1内壁面的第1孔部的第3工序，该第1内壁面，通过隔开前述第1区域及前述第2区域的区域而从前述第1区域侧面向前述第2区域侧，且从前述第1区域朝向前述第2区域接近于前述第1部分的上表面地相对于前述第1部分的上表面而倾斜；在前述第2区域中使得前述第2部分露出地贯通前述绝缘膜，形成具有第2内壁面的第2孔部的第4工序，该第2内壁面，通过前述隔开的区域而从前述第2区域侧面向前述第1区域侧，且从前述第2区域朝向前述第1区域接近于前述第2部分的上表面地相对于前述第2部分的上表面而倾斜；形成从前述绝缘膜的上表面，分别延伸于前述第1部分之中的露出于前述第1孔部的第1露出部、及前述第2部分之中的露出于前述第2孔部的第2露出部的导电膜的第5工序；和在前述隔开的区域、前述第1区域之中的延伸于靠近前述隔开的区域之侧的区域、及前述第2区域之中的延伸于靠近前述隔开的区域之侧的区域中，将前述导电膜及前述绝缘膜去除的第6工序。
若依照于本发明中的电光装置的制造方法，则与上述的本发明的第3发明中的电光装置同样地，例如，通过向采用ITO等的透明导电材料所构成的像素电极从数据线控制图像信号的所谓有源矩阵方式而显示图像。
在第1工序中，将包括第1部分及第2部分的导电层构成于基板上，该第1部分及第2部分，分别位于形成于互相隔开多个像素之中互相相邻的像素的开口区域的非开口区域的导电层之中的、基板上的互不重叠的第1区域及第2区域。在第2工序中，绝缘膜，覆盖导电层地所形成。
在第3工序中，先于第4工序，或者通过与第4工序共同的工序，在第1区域中使得第1部分露出地贯通绝缘层，形成具有：通过隔开第1区域及第2区域的区域而从第1区域侧面向第2区域侧，且从第1区域朝向第2区域接近于第1部分的上表面地相对于第1部分的上表面而倾斜了的第1内壁面的第1孔部。
在第4工序中，先于第3工序，或者通过与第3工序共同的工序，在第2区域中使得第2部分露出地贯通绝缘层，形成具有：通过隔开的区域而从第2区域侧面向第1区域侧，且从第2区域朝向第1区域接近于第2部分的上表面地相对于第2部分的上表面而倾斜了的第2内壁面的第2孔部。从而，在第3及第4工序结束的阶段，在互相隔开第1区域及第2区域的区域，残留有当形成第1孔部及第2孔部时未去除绝缘膜的部分。还有，第3及第4工序的各自，既可以使得可以形成第1孔部及第2孔部地通过预定形状的抗蚀剂去除延伸于预定区域的绝缘膜，也可以通过共同的工序而统一形成第1孔部及第2孔部。
在第5工序中，形成从绝缘膜的上表面，分别延伸于第1部分之中的露出于第1孔部的第1露出部、及第2部分之中的露出于第2孔部的第2露出部的导电膜。如此的导电膜，具有由导电材料构成的单层、或者多层结构，从作为与半导体层不同之层的绝缘膜的上表面通过绝缘膜分别形成于第1孔部及第2孔部。
在第6工序中，在隔开第1区域及第2区域的区域、第1区域之中延伸于靠近隔开第1区域及第2区域的区域之侧的区域、及第2区域之中延伸于靠近隔开第1区域及第2区域的区域之侧的区域中，将导电膜及绝缘膜去除。从而，在为限定了第1内壁面及第2内壁面的两端的区域的包括隔开第1区域及第2区域的区域的区域中，去除绝缘膜。在如此的情况下，例如，成为：残留了去除了延伸于该隔开的区域的部分的导电膜之中的，从残留内于隔开的区域的一方之侧的绝缘膜的上表面到第1内壁面及第1部分的范围而延伸的部分、与从残留于隔开的区域的另一方之侧的绝缘膜的上表面到第2内壁面及第2部分的范围内而延伸的部分的状态，这些残留的导电膜之间的间隔，相应于第1内壁面及第2内壁面的倾斜度而扩大。
因而，若依照于本发明的第5发明中的电光装置的制造方法，则能够使产生于这些残留的导电膜间的耦合电容，相应于该扩大的导电膜间的距离而减小，能够制造减少了串扰等的显示不良的发生的电光装置。
在本发明的第5发明中的电光装置的制造方法的一个方式中，也可以为：在前述第6工序中，采用可以对喷射于前述绝缘膜及前述导电膜的气体的气体比进行调整的干蚀刻法，将前述绝缘膜及前述导电膜有选择地去除。
若依照于该方式，则在通过干蚀刻法有选择地去除绝缘膜及导电膜时，通过对包括在供给于成为这些去除对象的部分的气体中的成分的比率(即，气体比)进行调整，能够仅将绝缘膜及导电膜之中的延伸于互相隔开第1区域及第2区域的区域的部分有选择地去除。
在该方式中，也可以为：前述导电层，是半导体层；前述半导体层之中的延伸于前述隔开的区域的部分，为沟道区域部；前述第1部分，为从前述沟道区域部看电连接于前述数据线侧的数据线侧导电部；前述第2部分，为从前述沟道区域部看电连接于前述像素电极侧的像素电极侧导电部；在前述第6工序中，前述数据线侧导电部及前述像素电极侧导电部，分别使得延伸于前述半导体层的下层侧的部分不被蚀刻地兼用作蚀刻阻止部。
若依照于该方式，则导电层，为包括作为像素开关用元件之一例的TFT的沟道区域部的半导体层，第1部分及第2部分，例如分别为源区域部及漏区域部。如此的源区域部及漏区域部，因为可以分别兼用作蚀刻阻止部，所以能够防止由于蚀刻而去除其下层侧。
本发明的如此的作用及其他的优点可从接下来进行说明的实施方式得到明确。
附图说明
图1是第1实施方式中的连接结构的剖面图。
图2是表示了第1实施方式中的连接结构的比较例(其1)的剖面图。
图3是表示了第1实施方式中的连接结构的比较例(其2)的剖面图。
图4是第2实施方式中的电光装置的俯视图。
图5是图4的V-V’的剖面图。
图6是第2实施方式中的电光装置中的多个像素部的等效电路图。
图7是第2实施方式中的电光装置中的多个像素部的俯视图。
图8是图7的VIII-VIII’剖面图。
图9是详细地表示了中继层的结构的剖面图。
图10是表示了第2实施方式中的电光装置的制造方法的主要的工序的要部工序剖面图(其1)。
图11是表示了第2实施方式中的电光装置的制造方法的主要的工序的要部工序剖面图(其2)。
图12是表示第3实施方式中的电光装置具有的像素部的构成的剖面图。
图13是表示了第3实施方式中的电光装置的制造方法的主要的工序的要部工序剖面图(其1)。
图14是表示了第3实施方式中的电光装置的制造方法的主要的工序的要部工序剖面图(其2)。
图15是应用了本发明的第2或第4发明中的电光装置的电子设备的俯视图。
符号说明
1、800...液晶装置，1a...半导体层，1d...高浓度源区域部，1e...高浓度漏区域部，71...下部电容电极，91...第1导电膜，92...第2导电膜，93...中继层，42...绝缘膜
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的第1发明中的连接结构、本发明的第2及第4发明中的电光装置、以及第3及第5发明中的电光装置的制造方法的各实施方式进行说明。
第1实施方式
首先，参照图1至图3，对本发明的第1发明中的连接结构的实施方式进行说明。图1，是本实施方式中的连接结构的剖面图。图2及图3，是表示了本实施方式中的连接结构的比较例的剖面图。
在图1中，本实施方式中的连接结构600，具备第1导电膜520、绝缘膜521及第2导电膜522，形成于基板500上的基底层510上。
第1导电膜520，具有预定的尺寸地在基底层510上采用通用的膜形成法所形成。绝缘膜521，形成于第1导电膜520上，朝向第1导电膜520的一个端面520b所面向之侧(即，以图中箭头示出的Y方向)地，使得其他端面521b面向地所形成。从而，端面520b及端面521b，面向从绝缘膜521及第1导电膜520看为相同侧的Y方向。端面520b及端面521b，沿相交于基板500的基板面的方向而相互位于同一平面上。还有，端面521b，也可以将端面520b作为基准而向沿Y方向面向之侧突出。若换言之，则只要端面520b，沿Y方向不比端面521b突出即可。
第2导电膜522，从绝缘膜521的上表面延伸于端面520b及端面521b地所形成。更具体地，第2导电膜522，作为连续性地延伸于：沿相对于基板500的基板面相交的方向(图中Z方向)而延伸的端面520b及端面521b的导电膜所形成。第2导电膜522，仅通过端面520b而与第1导电膜520相互电连接。更具体地，如本实施方式中的连接结构600地，在端面520b及端面521b处于相互延伸于同一平面上的位置关系的情况下，通过沿端面520b及端面521b而延伸地形成第2导电膜522，使第2导电膜522关于第1导电膜520仅接触于端面520b。
另一方面，若依照于示于图2的比较例中的连接结构601，则在从贯通绝缘膜531的孔部580到绝缘膜531的上表面的范围内形成第2导电膜532，第2导电膜532，通过第1导电膜530的上表面之中的露出于孔部580的区域而电连接于第1导电膜530。从而，连接结构601，相比较于示于图1的连接结构600，沿Y方向比连接结构600尺寸仅大区域R1的大小。
根据示于图3的另一比较例的连接结构602，则第2导电膜542从绝缘膜541的端面541b延伸到沿Y方向从绝缘膜541突出的第1导电膜540的上表面540a。因此，连接结构602，与示于图1的连接结构600相比，沿Y方向比连接结构600的尺寸大区域R2的大小。
相比较于如此的比较例中的连接结构，如示于图1地，若依照于连接结构600，则因为电连接于第1导电膜520的第2导电膜522，从绝缘膜521的上表面延伸于端面520b，所以通过绝缘膜521而形成于互不相同的层的第1导电膜520及第2导电膜522仅通过端面520b相互电连接。
从而，若依照于连接结构600，则相比较于第1导电膜520沿Y方向从绝缘膜521突出、延伸于该第1导电膜520的上表面地使第2导电膜522延伸的情况，能够使包括第1导电膜520及第2导电膜522的连接结构600的尺寸沿Y方向按第1导电膜520不比绝缘膜521沿Y方向突出的量减小。
因而，若依照于连接结构600，则在基板500上，能够使通过绝缘膜521而形成于互不相同的层的电路部或者布线部相互电连接，并因为能够减小该连接结构600的尺寸，所以能够减小形成于基板500上的受限制的空间的电路构成的尺寸。尤其是，连接结构600，在基板500上用于形成各种电路部的空间受限制的情况下、或者要求形成各种电路部的基板尺寸的小型化的情况下、或通过多层结构而使电路部的平面尺寸小型化的情况下，在使形成于互不相同的层的电路部等相互电连接时成为有效的连接单元。
还有，在端面521b沿Y方向从绝缘膜521比端面520b突出的情况下，第1导电膜520之中的与第2导电膜522相接的部分也仅为端面520b，也能够减小连接结构600的尺寸。
第2实施方式
(2-1：电光装置)
接下来，参照图4至图9，对本发明的第2发明中的电光装置进行说明。图4，是本实施方式中的电光装置的俯视图；图5，是图4的V-V’的剖面图。图6，是本实施方式中的电光装置中的多个像素部的等效电路图。图7，是本实施方式中的电光装置中的多个像素部的俯视图。图8，是图7的VIII-VIII’剖面图。图9，是详细地表示了中继层93的结构的剖面图。
在图4及图5中，在作为本实施方式中的电光装置之一例的液晶装置1中，对向配置TFT阵列基板10与对向基板20。在TFT阵列基板10与对向基板20之间封入液晶层50，TFT阵列基板10与对向基板20，通过设置于位于图像显示区域10a的周围的密封区域的密封材料52互相粘接。
在图4中，并行于配置有密封材料52的密封区域的内侧，对图像显示区域10a的框缘区域进行限定的遮光性的框缘遮光膜53，设置于对向基板20侧。但是，如此的框缘遮光膜53的一部分或者全部，也可以作为内置于TFT阵列基板10侧的遮光膜所设置。位于图像显示区域10a的周边的周边区域之中，在位于配置有密封材料52的密封区域的外侧的区域，沿TFT阵列基板10的一边设置数据线驱动电路101及外部电路连接端子102。并且，在沿该一边的比密封区域靠内侧，采样电路7由框缘遮光膜53所覆盖地所设置。扫描线驱动电路104，在沿相邻于该一边的2边的密封区域的内侧，由框缘遮光膜53所覆盖地所设置。进而，为了连接如此地设置于图像显示区域10a的两侧的二条扫描线驱动电路104间，沿TFT阵列基板10的剩余的一边、且由框缘遮光膜53所覆盖地设置多条布线105。并且，在TFT阵列基板10上，在对向于对向基板20的4个角部的区域，配置用于使两基板间以上下导通材料107进行连接的上下导通端子106。由此，能够在TFT阵列基板10与对向基板20之间取得电导通。
在TFT阵列基板10上，形成用于对外部电路连接端子102、与数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104、上下导通端子106等进行电连接的引绕布线90。在引绕布线90中，包括：用于相对于数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104而供给接地电位的接地电位线，用于供给比接地电位高的电位的电源电位VDD的电源线，用于供给时钟信号、控制信号等的各种信号的信号线等。而且，在引绕布线90中，包括用于相对于对向电极21通过上下导通端子106而供给对向电极电位的对向电极电位线等。
在图5中，在TFT阵列基板10上，形成构成有作为驱动元件的像素开关用的TFT、扫描线、数据线等的布线的叠层结构。在图像显示区域10a，在像素开关用的TFT、扫描线、数据线等的布线的上层矩阵状地设置像素电极9a。在像素电极9a上，形成取向膜。另一方面，在对向基板20中的与TFT阵列基板10的对向面上，形成遮光膜23。遮光膜23，例如由遮光性金属膜等所形成，在对向基板20上的图像显示区域10a内，例如图形化为格子状等。然后，在遮光膜23上，与多个像素电极9a相对向而整面状地形成由ITO等的透明材料构成的对向电极21。在对向电极21上形成取向膜。并且，液晶层50，例如由一种或混合了几种向列液晶的液晶构成，在这一对取向膜间，取预定的取向状态。
还有，虽然在此未进行图示，但是在TFT阵列基板10上，除了数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104以外，也可以形成用于对制造过程中、出厂时的该液晶装置的质量、缺陷等进行检查的检查电路、检查用图形等。
接下来，参照图6，对液晶装置1的像素部的电连接构成进行说明。
在图6中，分别在构成图像显示区域10a的形成为矩阵状的多个像素，形成像素电极9a及TFT30。TFT30，电连接于像素电极9a，当液晶装置1工作时对像素电极9a进行开关控制。被供给图像信号的数据线6a，电连接于TFT30的源。写入于数据线6a的图像信号S1、S2、...、Sn，既可以按该顺序线依次地供给，也可以对于相邻的多条数据线6a彼此之间，按每组进行供给。
在TFT30的栅电连接扫描线3a，以预定的定时，对扫描线3a脉冲性地将扫描信号G1、G2、...、Gm，按该顺序以线顺序进行施加地构成。像素电极9a，电连接于TFT30的漏，通过使作为开关元件的TFT30仅按一定期间闭合其开关，以预定的定时写入从数据线6a所供给的图像信号S1、S2、...、Sn。通过像素电极9a写入于作为电光物质之一例的液晶的预定电平的图像信号S1、S2、...、Sn，在其与形成于对向基板的对向电极之间被保持一定期间。
构成液晶层50的液晶，通过分子集合的取向、秩序由于所施加的电压电平而发生变化，而对光进行调制，可以进行灰度等级显示。若为常白模式，则相应于以各像素为单位所施加的电压而使相对于入射光的透射率减小，若为常黑模式，则相应于以各像素为单位所施加的电压而使相对于入射光的透射率增加，作为整体从液晶装置出射具有相应于图像信号的对比度的光。为了防止在此所保持的图像信号发生泄漏，与形成于像素电极9a和对向电极之间的液晶电容并联地电连接存储电容70。构成存储电容70的一方的电极，与像素电极9a电连接，另一方的电极，与供给固定电位的电容线300电连接。存储电容70，为作为相应于图像信号的供给而暂时性地对各像素电极9a的电位进行保持的保持电容而起作用的电容元件。若依照于存储电容70，则像素电极9a中的电位保持特性提高，可以实现对比度提高、闪烁减少的显示特性的提高。
接下来，参照图7至图9，对液晶装置1具有的像素部的具体的构成进行说明。还有，在图7及图8中，为了使各层、各构件在附图上为可以辨认的程度的大小，按该各层、各构件使比例尺各不相同。关于此点，关于从后述的图9至图14也同样。在图7及图8中，为了说明的方便，对位于比像素电极9a靠上侧的部分的图示进行省略。
在图7中，像素电极9a，在TFT阵列基板10上，矩阵状地设置多个。分别沿像素电极9a的纵向横向的边界而设置数据线6a及扫描线3a。即，扫描线3a，沿X方向而延伸，数据线6a，与扫描线3a相交叉地，沿Y方向而延伸。分别在扫描线3a及数据线6a互相交叉之处设置像素开关用的TFT30。
扫描线3a、数据线6a、存储电容70、下侧遮光膜11a、中继层93及TFT30，在TFT阵列基板10上俯视，配置于包围对应于像素电极9a的各像素的开口区域(即，在各像素中，实际用于显示的光进行透射或被反射的区域)的非开口区域内。即，这些扫描线3a、存储电容70、数据线6a、下侧遮光膜11a及TFT30，为了不成为显示的妨碍，并非配置于各像素的开口区域，而是配置于非开口区域内。
在图7及图8中，TFT30，包括半导体层1a、及作为扫描线3a的一部分所形成的栅电极3b所构成。
半导体层1a，例如包括多晶硅，由沟道区域1a’、低浓度源区域1b及低浓度漏区域1c、以及高浓度源区域1d及高浓度漏区域1e构成。从而，TFT30具有LDD结构。低浓度源区域1b、低浓度漏区域1c、高浓度源区域1d及高浓度漏区域1e，是例如通过离子注入法等杂质注入而对半导体层1a注入杂质的杂质区域。若依照于如此的杂质区域，则当TFT30不工作时，减小流过源区域及漏区域的截止电流，并能够对TFT30工作时流通的导通电流的下降进行抑制。还有，TFT30，虽然优选具有LDD结构，但是既可以是不对低浓度源区域1b、低浓度漏区域1c进行杂质注入的偏置结构，也可以为将栅电极3b作为掩模高浓度地注入杂质而形成高浓度源区域及高浓度漏区域的自匹配型。
如示于图5地，栅电极3b，作为扫描线3a的一部分所形成，例如由导电性多晶硅所形成。扫描线3a，具有：沿X方向而延伸的主线部分，和与TFT30的沟道区域1a’之中的与该主线部分不相重叠的区域重叠地沿Y方向而进行延伸的部分。如此的扫描线3a之中的、与沟道区域1a’相重叠的部分作为栅电极3b而起作用。栅电极3b及半导体层1a间，通过栅绝缘膜2(更具体地，为2层绝缘膜2a及2b)所绝缘。
下侧遮光膜11a，通过基底绝缘膜12处于比TFT30靠下层侧，设置成格子状。下侧遮光膜11a，延伸设置于位于图像显示区域10a的周围的周边区域，在周边区域中，与用于对于数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104而供给接地电位GND的接地电位线电连接。
在本实施方式中尤其是，下侧遮光膜11a，例如，由包括Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)、Pd(钯)等的高熔点金属之中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、将它们叠层的物质等构成。因此，下侧遮光膜11a，能够对TFT30的沟道区域1a’及其周边遮挡从TFT阵列基板10侧入射于装置内的返回光。
基底绝缘膜12，除了从下侧遮光膜11a对TFT30进行层间绝缘的功能之外，还具有通过形成于TFT阵列基板10的整面，防止因TFT阵列基板10的表面的研磨时的粗糙、清洗后残留的污渍等使像素开关用TFT30的特性劣化的功能。
在图8中，通过第1层间绝缘膜41在比TFT阵列基板10上的TFT30靠上层侧，设置存储电容70。
存储电容70，通过下部电容电极71与上部电容电极300a夹置电介质膜75对向配置所形成。
上部电容电极300a，作为电容线300的一部分所形成。电容线300，从配置有像素电极9a的图像显示区域10a延伸设置于其周围。上部电容电极300a，通过电容线300而与定电位源电连接，是维持为固定电位的固定电位侧电容电极。上部电容电极300a，例如由包括了Al(铝)、Ag(银)等的金属或合金的非透明的金属膜所形成，也作为对TFT30进行遮光的上侧遮光膜(内置遮光膜)而起作用。上部电容电极300a，也可以例如，由包括Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pd等的高熔点金属之中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、将它们叠层的物质等构成。
作为本发明的第2发明中的“第1导电膜”之一例的下部电容电极71，是电连接于TFT30的高浓度漏区域1e及像素电极9a的像素电位侧电容电极。下部电容电极71，形成于隔开多个像素之中互相相邻的像素的各自的开口区域的非开口区域。另外，下部电容电极71，通过作为本发明的第2发明中的“第2导电膜”之一例的中继层93而电连接于像素电极9a，通过第2层间绝缘层42而形成于互不相同的层的下部电容电极71及中继层93，仅通过下部电容电极71的端面71b而相互电连接。
中继层93，从第2层间绝缘层42的上表面42a延伸于第2层间绝缘层42的端面42b及下部电容电极71的端面71b。中继层93，通过接触孔85而电连接于像素电极9a。即，下部电容电极71，与中继层93一起对高浓度漏区域1e及像素电极9a间的电连接进行中继。从而，若依照于液晶装置1，则可以使形成于非开口区域的下部电容电极71、与中继层93的连接区域变小、或者完全不存在。更具体地，如示于图7及图8地，在形成有像素电极9a的像素的开口区域中，俯视性地看可以使中继层93从非开口区域突出于开口区域的部分的尺寸变小、或者完全消失，相比较于通过使下部电容电极71突出于开口区域而确保对下部电容电极71及中继层93进行电连接的连接区域的情况，能够减小由于使下部电容电极71延伸于开口区域所扩大的非开口区域的尺寸。另外，因为中继层93仅接触于下部电容电极71之中的端面71b，所以相比较于通过接触孔对下部电容电极71及中继层93进行电连接的情况，能够不需要：为了形成接触孔而需要确保的区域的裕量，能够抑制通过具有遮光性的下部电容电极71及中继层93而收窄开口区域的情况。
因而，若依照于液晶装置1，则能够减小：用于对电连接于像素电极9a的中继层93、与通过第2层间绝缘膜42而与中继层93形成于不同之层的下部电容电极71进行电连接的连接区域，可以增大像素的开口率，提高液晶装置1的显示性能。
还有，端面42b，也可以将端面71b作为基准而向开口区域侧突出。若换言之，则端面71b，只要朝向开口区域不比端面42b突出即可。在如此的情况下，通过合适地设定使中继层93进行成膜的成膜条件，也能够仅通过端面71b而对中继层93及下部电容电极71进行电连接。
中继层93，在第2层间绝缘膜42上与数据线6a形成于同层。数据线6a与中继层93，将例如由金属膜等的导电材料所构成的薄膜在第2层间绝缘膜42上采用薄膜形成法预先形成好，将该薄膜部分性地去除，即通过图形化而以相互离开的状态所形成。从而，因为能够以同一工序形成数据线6a与中继层93，所以能够使装置的制造过程简便。
下部电容电极71，由导电性的多晶硅所形成。因而，存储电容70，具有MIS(Metal-Insulator-Semiconductor，金属-绝缘体-半导体)结构。还有，下部电容电极71，除了作为像素电位侧电容电极的功能之外，还具有作为配置于作为上侧遮光膜的上部电容电极300a与TFT30之间的、光吸收层或者遮光膜的功能。
在此，参照图9(a)，对中继层93的构成进行说明，在图9(a)中，中继层93，具有从第2层间绝缘膜42之侧按顺序叠层有钛膜93a、氮化钛膜93b、铝膜93c、及氮化钛膜93d的多层结构。
因为如此的中继层93，能够欧姆接触于由多晶硅等的半导体膜所构成的下部电容电极71，所以可减小中继层93及下部电容电极71的连接电阻。另外，中继层93，通过具有比钛膜93a高的导电率的铝膜93c而提高导电率。并且，若依照于中继层93，则通过氮化钛膜93b及93d而防止铝膜93c的氧化，能够防止中继层93的电阻增大。还有，如示于图9(b)地，中继层93，也可以连接于具有比端面61b突出的端面71c的下部电容电极71。
再在图7及图8中，电介质膜75，具有例如由HTO(High TemperatureOxide，高温氧化)膜、LTO(Low Temperature Oxide，低温氧化)膜等的氧化硅膜、或者氮化硅膜等所构成的单层结构、或者多层结构。
还有，也可以使下部电容电极71，与上部电容电极300a同样地由金属膜形成。即，也可以使存储电容70，具有所谓具有金属膜-电介质膜(绝缘膜)-金属膜的3层结构的、MIM(Metal-Insulator-Metal，金属-绝缘体-金属)的结构地形成。在该情况下，相比较于采用多晶硅等而构成下部电容电极71的情况，当液晶装置驱动时，能够降低由该液晶装置整体所消耗的消耗电力，且可以进行各像素部中的元件的高速工作。
在图8中，通过第2层间绝缘膜42在比TFT阵列基板10上的存储电容70靠上层侧，设置数据线6a及中继层93。在第1层间绝缘膜41及第2层间绝缘膜42之间，部分夹置有绝缘膜61。
数据线6a，通过贯通第1层间绝缘膜41、绝缘膜61及第2层间绝缘膜42的接触孔81而电连接于半导体层1a的高浓度源区域1d。数据线6a及接触孔81内部，例如，由Al-Si-Cu、Al-Cu等的含Al(铝)材料、或Al单质、或Al层与TiN等的多层膜构成。数据线6a，也具有对TFT30进行遮光的功能。
在图8中，像素电极9a，形成于通过第3层间绝缘膜43而比数据线6a靠上层侧。像素电极9a，通过下部电容电极71、接触孔83及85、以及中继层93而电连接于半导体层1a的高浓度漏区域1e。接触孔85，通过构成ITO等的像素电极9a的导电材料成膜于贯通第3层间绝缘层43地所形成的孔部的内壁所形成。
在像素电极9a的上侧表面，设置实施了摩擦处理等的预定的取向处理的取向膜。在本实施方式中，第3层间绝缘膜43的上侧表面，实施CMP等的平坦化处理。因此，例如，能够减少在设置于像素电极9a上的取向膜表面产生凹凸。由此，能够抑制液晶层50(参照图2)中的液晶分子的取向不良的发生。
以上说明的像素部的构成，如示于图7地，在各像素部中都相同。在图像显示区域10a(参照图1)，周期性地形成该像素部。
(2-2：电光装置的制造方法)
接下来，参照图10及图11，对本发明的第3发明中的电光装置的制造方法进行说明。图10及图11，是示出本实施方式中的电光装置的制造方法的主要的工序的要部工序剖面图。还有，在本实施方式中，举制造上述的液晶装置1的情况为例，虽然以对下部电容电极71及中继层93互相进行连接的连接结构为中心而进行说明，但是液晶装置1的其他部分也与该连接结构相并行、或者相前后所形成。
如示于图10(a)地，在TFT阵列基板10上，按顺序形成下侧遮光膜11a、基底绝缘膜12、绝缘膜2a、第1层间绝缘膜41、及下部电容电极71。接下来，如示于图10(b)地，覆盖下部电容电极71地形成绝缘膜61及第2层间绝缘膜42。
接下来，如示于图10(c)地，使得下部电容电极71的端面71b朝向开口区域而露出地去除绝缘膜61及第2层间绝缘膜42。当去除绝缘膜61及第2层间绝缘膜42时，将这些绝缘膜通过干蚀刻法去除。更具体地，在第2层间绝缘膜42的上表面42a形成图形化为预定形状的抗蚀剂79，并通过从抗蚀剂79的上侧采用干蚀刻法对绝缘膜61及第2层间绝缘膜42进行蚀刻，能够形成端面71b露出的孔部197。通过如此地采用干蚀刻法，相比较于采用湿蚀刻法的情况，能够使得下部电容电极71之中仅端面71b露出地有选择地去除绝缘膜61及第2层间绝缘膜42。
接下来，如示于图11(d)地，在去除了抗蚀剂79之后，从第2层间绝缘膜42的上侧，延伸于第2层间绝缘膜42的端面42b及绝缘膜61的端面61b地，即从第2层间绝缘膜42的上表面42a经过孔部197的内壁面而延伸地，形成导电膜193。导电膜193，接触于端面71b。接下来，如示于图11(e)地，通过去除导电膜193、绝缘膜61及第2层间绝缘膜42之中的，延伸于开口区域的部分，形成电连接于端面71b的中继层93。其后，通过按顺序形成第3层间绝缘膜43及像素电极9a等的构成要件而形成液晶装置1。
如此地，若依照于本实施方式中的电光装置的制造方法，则能够减小将开口区域收窄的非开口区域的尺寸，能够制造显示性能高的液晶装置1。
第3实施方式
(3-1：电光装置)
接下来，参照图12，对作为本发明的第4发明中的电光装置的实施方式的液晶装置800的构成进行说明。图12，是表示本实施方式中的液晶装置800具有的像素部的构成的剖面图。还有，因为液晶装置800，与液晶装置1具有基本同样的构成，所以在以下，对成为液晶装置800的特征的部分详细地进行说明，并对与液晶装置1相同的部分附加相同的参照符号，将详细的说明进行省略。并且，因为在本实施方式中，作为本发明的第4发明中的“导电层”之一例，将半导体层1a举为例，所以作为本发明的第4发明中的“第1部分”及“第2部分”，分别举“数据线侧导电部”及“像素电极侧导电部”为例，但是第1部分及第2部分，并非限定于这些导电部，只要是构成形成于液晶装置等的电光装置的导电层的各自的一部分的部分且具有互不相同的电位的部分，就如下面详细地说明地可得到在本发明的第4发明中的电光装置特有的作用效果。
在图12中，液晶装置800，在作为形成于互相隔开互相相邻的像素的开口区域的非开口区域的本发明的第4发明中的“导电层”之一例的半导体层1a之中的、TFT阵列基板10上的互不重叠的第1区域D1及第2区域D2的各自中，具备：分别作为构成半导体层1a的各自的一部分的本发明的第4发明中的“数据线侧导电部”及“像素电极侧导电部”之一例的高浓度源区域部1d及高浓度漏区域部1e，构成本发明的第4发明中的“第1绝缘部”之一例的绝缘部41p1、2a1及2b1，构成本发明的第4发明中的“第2绝缘部”之一例的绝缘部41p2、2a2及2b2，第1导电膜91，和第2导电膜92。
绝缘部41p1、2a1及2b1，具有：通过隔开第1区域D1及第2区域D2的区域而从第1区域D1侧面向第2区域D2侧，且从第1区域D1朝向第2区域D2接近于高浓度源区域部1d的上表面地相对于高浓度源区域部1d的上表面而倾斜了的第1倾斜面41s1，在第1区域D1之中的延伸于隔开第1区域D1及第2区域D2的区域侧(即，重叠于栅电极3b的区域)的第1部分区域D1a中使得高浓度源区域部1d露出地形成于高浓度源区域部1d上。
绝缘部41p2、2a2及2b2，具有：通过隔开第1区域D1及第2区域D2的区域而从第2区域D2侧面向第1区域D1侧，且从第2区域D2朝向第1区域D1接近于高浓度漏区域部1e的上表面地相对于高浓度漏区域部1e的上表面而倾斜了的第2倾斜面41s2，在第2区域D2之中的延伸于隔开第1区域D1及第2区域D2的区域侧的第2部分区域D2a中使得高浓度漏区域部1e露出地与绝缘部41p1、2a1及2b1形成于同层。
第1导电膜91，从绝缘部41p1的上表面延伸于第1倾斜面41s1及高浓度源区域部1d的上表面。第2导电膜92，从绝缘部41p2的上表面延伸于第2倾斜面41s2及高浓度漏区域部1e的上表面，具有与供给于第1导电膜91的电位不相同的电位。
从而，当液晶装置800工作时，在第1导电膜91及第2导电膜92间产生耦合电容。但是，通过使第1倾斜面41s1及第2倾斜面41s2的各自的距离对应于这些倾斜面的倾斜度而扩大，第1导电膜41s1及第2导电膜41s2间的间隔扩大，相比较于这些导电膜的距离为一定的情况，能够减小由于这些导电膜的电位的差异而产生的耦合电容。更具体地，能够减小产生于TFT30中的源-漏间的耦合电容。
若依照于如此的液晶装置800，则能够减小在电连接于像素电极9a的第2导电膜92、与电连接于数据线6a的第1导电膜91之间产生的耦合电容，可以减少由于产生于图像信号的供给路径的耦合电容而产生的串扰等的显示不良。
并且，在液晶装置800中，与第2实施方式中的液晶装置1同样地，也可以分别在第1导电膜91及第2导电膜92，包括分别接触于高浓度源区域部1d及高浓度漏区域部1e的钛膜。若依照于如此的钛膜，则可以使构成多晶硅等的半导体层1a的各自的一部分的高浓度源区域部1d及高浓度漏区域部1e、与第1导电膜91及第2导电膜92的各自进行欧姆接触，能够减小第1导电膜91及第2导电膜92、与半导体层1a间的连接电阻。
也可以为：如此的第1导电膜91及第2导电膜92的各自，具有从半导体层1a之侧按顺序叠层有钛膜、氮化钛膜、铝膜、及氮化钛膜的多层结构。如此的第1导电膜91及第2导电膜92，通过具有比钛膜高的导电率的铝膜而提高导电率。并且，通过氮化钛膜可防止铝膜的氧化，可以防止第1导电膜91及第2导电膜92的电阻增大。
(3-2：电光装置的制造方法)
接下来，参照图13及图14，对本发明的第5发明中的电光装置的制造方法进行说明。图13及图14，是表示了本实施方式中的电光装置的制造方法的主要的工序的要部工序剖面图。在本实施方式中，举上述的液晶装置800的制造方法为例。
如示于图13(a)地，在应当成为互相隔开像素的各自的开口区域的非开口区域的区域形成半导体层1a，该像素为对应于在TFT阵列基板10上互相交叉的多条数据线及多条扫描线的交叉处所形成的、设置有像素电极9a的多个像素之中互相相邻的像素。半导体层1a，包括位于非开口区域之中的在TFT阵列基板10上互不重叠的第1区域D1及第2区域D2的各自的高浓度源区域部1d及高浓度漏区域部1e。还有，在本实施方式中，虽然为了说明的方便，在半导体层1a已经形成高浓度源区域部1d等的各区域部，但是也可以在形成了栅电极3b之后，通过在半导体层1a的预定的区域选择性地注入预定的杂质而形成这些区域部。
接下来，如示于图13(b)地，将其一部分成为栅绝缘膜的绝缘膜2a及2b形成于半导体层1a上，形成栅电极3b。其后，覆盖半导体层1a地，在栅绝缘膜3b上形成第1层间绝缘膜41。
接下来，如示于图13(c)地，通过贯通第1层间绝缘膜41、绝缘膜2a及2b地对这些绝缘膜采用干蚀刻法进行蚀刻而形成第1孔部141a及第2孔部141b。
第1孔部141a，在第1区域D1中使得高浓度源区域部1d露出地贯通第1层间绝缘膜41、绝缘膜2a及2b，具有作为“第1内壁面”之一例的第1倾斜面，该第1倾斜面，通过隔开第1区域D1及第2区域D2的区域而从第1区域D1侧面向第2区域D2侧，且从第1区域D1朝向第2区域D2接近于高浓度源区域部1d的上表面地相对于高浓度源区域部1d的上表面而倾斜。
第2孔部141b，在第2区域D2中使得高浓度漏区域部1e露出地贯通第1层间绝缘膜41、绝缘膜2a及2b，具有作为“第2内壁面”之一例的第2倾斜面，该第2倾斜面，通过隔开第1区域D1及第2区域D2的区域而从第2区域D2侧面向第1区域D2侧，且从第2区域D2朝向第1区域D1接近于高浓度漏区域部1e的上表面地相对于高浓度漏区域部1e的上表面而倾斜。在此，第1孔部141a及第2孔部141b的各自的底部，分别为高浓度源区域部1d及高浓度漏区域部1e的各自露出了的第1露出部142a及第2露出部142b。
接下来，如示于图14(d)地，从第1层间绝缘膜41的上表面，延伸于第1露出部142a及第2露出部142b的各自，形成构成本发明的第5发明中的“导电膜”之一例的导电膜191及192。
接下来，如示于图14(e)地，在隔开第1区域D1及第2区域D2的区域D3、第1区域D1之中的延伸于接近隔开的区域D3之侧的区域、及第2区域D2之中的延伸于接近隔开的区域D3之侧的区域中，将导电膜191及192、以及绝缘膜41p3去除。在对这些绝缘膜及导电膜进行蚀刻时，采用能对喷射于这些绝缘膜及导电膜的气体的气体比进行调整的干蚀刻法，有选择地将绝缘膜及导电膜去除。若依照于如此的干蚀刻法，则通过对包括在供给于成为去除对象的部分的气体中的成分的比率(即，气体比)进行调整，能够将绝缘膜及导电膜之中的仅延伸于隔开的区域D3的部分有选择地去除。
另外，在采用了如此的干蚀刻法的情况下，高浓度源区域部1d及高浓度漏区域部1e，也分别使得延伸于半导体层1a的下层侧的部分不被蚀刻地兼用作蚀刻阻止部，能够防止去除其下层侧。
经过如此的工序，如示于图14(f)地，形成：分别沿第1倾斜面41s1及第2倾斜面41s2而从绝缘部41p1及41p2的各自的上表面延伸于高浓度源区域部1d及高浓度漏区域部1e的各自的上表面的第1导电膜91及第2导电膜92。其后，通过形成第2层间绝缘膜42及像素电极9a等的各部分而形成液晶装置800。
因而，若依照于本实施方式中的电光装置的制造方法，则可以相应于倾斜了的导电膜而使第1导电膜91及第2导电膜92间的距离扩大，能够减小产生于液晶装置800工作时的耦合电容，可以制造减少了串扰等的显示不良的发生的电光装置。
(电子设备)
接下来，参照图15，对应用了具备有上述的电光装置的电子设备的情况进行说明。图15，为具备有上述的电光装置的电子设备的一例，是表示将上述的液晶装置用作光阀的投影机的构成例的俯视图。
如示于图15中地，在投影机1100内部，设置由卤素灯等的白色光源构成的灯单元1102。从该灯单元1102所射出来的投影光，通过配置于光导向构件1104内的4片镜体1106及2片分色镜1108而分离为RGB的3原色，入射于作为对应于各原色的光阀的液晶面板1110R、1110B及1110G。
液晶面板1110R、1110B及1110G的构成，与上述的液晶装置相同，由从图像信号处理电路所供给的R、G、B的原色信号所分别驱动。然后，通过这些液晶面板所调制过的光，从3个方向入射于分色棱镜1112。在该分色棱镜1112中，R及B的光90度地进行弯曲，另一方面G的光则直行前进。从而，合成各色的图像的结果，通过投影透镜1114，在屏幕等投影彩色图像。
在此，若着眼于由各液晶面板1110R、1110B及1110G产生的显示像，则由液晶面板1110G产生的显示像，需要相对于由液晶面板1110R、1110B产生的显示像进行左右翻转。
还有，因为在液晶面板1110R、1110B及1110G，通过分色镜1108，对应于R、G、B的各原色的光进行入射，所以不必设置滤色器。
还有，除了参照图15而进行了说明的电子设备之外，还可举出便携型的个人计算机、便携电话机、液晶电视机、取景器型、监视器直视型的磁带录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子笔记本、电子计算器、文字处理器、工作站、电视电话机、POS终端、具备有触摸面板的装置等。而且，不用说当然也可以应用于这些各种电子设备中。
本发明，并不限于上述的实施方式，在不违反从技术方案及说明书整体所读取的发明的主旨或者思想的范围内可以适当改变，伴随如此的改变的连接结构、电光装置、以及电光装置的制造方法也包括在本发明的技术范围内。

Claims (7)

1.一种连接结构，其特征在于，具有：
形成于基板上的第1导电膜；
绝缘膜，其形成于前述第1导电膜上，在与前述第1导电膜的一个端面相同的平面形成有其他端面；和
第2导电膜，其从前述绝缘膜的上表面仅延伸于前述一个端面及前述其他端面地形成，仅通过前述一个端面，与前述第1导电膜相互电连接。
2.一种电光装置，其特征在于，具有：
在基板上互相交叉的多条数据线及多条扫描线；
形成于对应于前述多条数据线及前述多条扫描线的交叉处所设置的多个像素的各个的像素电极；
第1导电膜，其形成于隔开前述多个像素之中的互相相邻的像素的各自的开口区域的非开口区域，且电连接于前述像素电极，具有面向前述开口区域的一个端面；
绝缘膜，其形成于前述第1导电膜上，在与前述第1导电膜的前述一个端面相同的平面形成有其他端面；和
第2导电膜，其从前述绝缘膜上仅延伸于前述一个端面及前述其他端面地形成，仅通过前述一个端面电连接于前述第1导电膜。
3.按照权利要求2所述的电光装置，其特征在于：
前述第2导电膜，为对前述第1导电膜及前述像素电极进行电中继的岛状的中继层，前述第2导电膜之中的延伸于前述绝缘膜上的部分与前述数据线形成于相同的层。
4.按照权利要求2或3所述的电光装置，其特征在于：
前述第1导电膜，为半导体膜；
前述第2导电膜，包括接触于前述半导体膜的钛膜。
5.按照权利要求4所述的电光装置，其特征在于：
前述第2导电膜，具有：具有比前述钛膜高的导电率的金属膜，和对前述金属膜进行保护的保护膜。
6.一种电光装置的制造方法，其特征在于，包括：
第1工序，其中，在隔开像素的各自的开口区域的非开口区域形成第1导电膜，前述像素为对应于在基板上互相交叉的多条数据线及多条扫描线的交叉处所设置的多个像素之中的互相相邻的像素；
第2工序，其中，覆盖前述第1导电膜地形成绝缘膜；
第3工序，其中，使得前述第1导电膜的一个端面朝向前述开口区域露出且使得前述绝缘膜在与前述第1导电膜的前述一个端面相同的平面形成其他端面地去除前述绝缘膜；和
第4工序，其中，形成第2导电膜，前述第2导电膜从前述绝缘膜上，仅延伸于在前述第3工序中露出的前述绝缘膜的前述其他端面、及前述一个端面，且仅通过前述一个端面电连接于前述第1导电膜。
7.按照权利要求6所述的电光装置的制造方法，其特征在于：
在前述第3工序中，将前述绝缘膜通过干蚀刻去除。
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