CN101183655A - 图形对位方法、图形检查装置及图形检查*** - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种能够在晶片等被检查试样的制造装置和检查装置中，在短时间内容易地实现形成于被检查试样上的各种图形的对位的图形检查装置。本发明的图形检查装置(1)包括试样定位单元(9)和偏差量计测单元，试样定位单元(9)在形成为板状的被检查试样(T)的外周缘(T1、T3)的形状、与具有和该被检查试样(T)相同的外周缘形状的板状基准试样(R)的外周缘(R1、R3)的形状彼此大致一致的位置处配置所述被检查试样(T)。偏差量计测单元在使这些被检查试样(T)和基准试样(R)的外周缘(R1、R3、T1、T3)的形状彼此一致的状态下，计算形成于所述被检查试样(T)上的被检查图形(T5)的位置和形成于所述基准试样(R)上的基准图形(R5)的位置之间的偏差量。

Description

图形对位方法、图形检查装置及图形检查***

技术领域

本发明涉及图形(pattern)对位方法、图形检查装置及图形检查***。

本申请基于2006年11月16日在日本提出申请的日本特愿2006-310201号专利申请主张优先权，并将其内容援引于此。

背景技术

在半导体晶片制造工序中，在依次层叠形成了电路图形的多个层(layer)的阶段，需要将上层的层相对于下层的层高精度地进行对位而进行曝光。

以往，利用高倍率的显微镜确认形成在层的一部分上的校准标记的位置，使形成于上层的校准标记重合在形成于下层的校准标记上，由此实现高精度的对位。这些检测两个校准标记的位置偏差的动作和校准标记的重合动作，通过各种检测装置和输送装置等自动进行。

在半导体制造的前期工序中，当在半导体晶片上首次曝光电路图形时，由于没有形成作为对位基准的校准标记，所以利用作为定位基准的定位平台和凹口，在已定位的状态下曝光电路图形。

并且，在首次曝光工序中，曝光并形成表示结晶方位的校准标记，在以后的电路图形的曝光工序中，以校准标记为基准曝光电路图形(例如，参照日本特开平9-74062号公报。)。

但是，在将上述半导体晶片的定位平台推送到基准面上而定位时，由于定位平台形状的精度和接触面的精度，有时半导体晶片被放置得偏离基准位置。

这样，如果在首次曝光时半导体晶片被放置得偏离基准位置，则将导致第1层的电路图形和校准标记偏离定位平台(或凹口)进行曝光。因此，如果在第1层的电路图形和校准标记相对定位平台偏离正规位置进行曝光及蚀刻后，在进行第2层以后的曝光时半导体晶片被准确地定位到基准面，则将导致半导体晶片在校准标记偏离基准面的状态下被放置在载物台上。

如果在首次曝光时定位平台被准确定位在载物台的基准面上，则由于校准标记形成为相对于载物台的基准面具有一定距离关系(基准坐标位置)，所以在第2次以后的曝光时，如果能够将半导体晶片的定位平台准确定位在基准位置上，则能够利用高倍率的显微镜容易地寻找校准标记。

但是，如果在首次曝光时(第1次)电路图形和校准标记相对于作为基准位置的定位平台偏离正规位置进行转印，则在第2次以后的曝光时，尽管定位平台被准确定位在载物台上的基准位置上，但由于电路图形和校准标记偏离基准面，所以不能利用显微镜来寻找下层的校准标记。

这样，如果电路图形和校准标记偏离定位平台地进行转印，则在通过自动宏观检查装置的图形匹配进行缺陷检测时，即使将利用自动宏观检查装置拍摄到的被检查图像重合在作为基准的基准图形(基准图像)上检测缺陷，也由于像偏离而不能准确检测缺陷。即使做到了图形匹配，也由于检测出的缺陷偏离基准面，从而导致所登记的各种缺陷的坐标数据存在基于校准偏差的误差，不能获得准确的坐标数据。

这样，如果对于从自动宏观检查装置输出的各种缺陷的坐标数据产生了基于校准偏差的误差，则在根据利用自动宏观检查装置检测出的各种缺陷的坐标数据，利用显微镜等微观检查装置来具体检查(重新检查)各种缺陷时，将不能找到缺陷。在整合了该自动宏观检查装置和微观检查装置的***中，如果电路图形相对于作为基准位置的定位平台倾斜着进行曝光转印，则在重新检查利用自动宏观检查装置检测出的缺陷时，由于微观检查装置的视野范围非常窄，所以从自动宏观检查装置接收到的缺陷坐标和实际的缺陷位置不吻合，而产生不能将缺陷取入微观检查装置的视野范围内的问题。

发明内容

本发明就是鉴于上述情况而提出的，其目的在于，提供一种能够在短时间内容易地实现形成于晶片上的电路图形和校准标记等各种图形的对位的图形对位方法、图形检查装置及具有该图形检查装置的图形检查***。

为了达到上述目的，本发明提供一种具有试样定位单元和偏差量计测单元的图形检查装置。所述试样定位单元在形成为板状的被检查试样的外周缘形状、与具有和该被检查试样的外周缘形状相同的板状的基准试样的外周缘形状彼此大致一致的位置处，配置所述被检查试样。所述偏差量计测单元在使这些被检查试样和基准试样的外周缘形状彼此一致的状态下，计算形成于所述被检查试样上的被检查图形的位置和形成于所述基准试样上的基准图形的位置之间的偏差量。

根据本发明的图形对位方法和图形检查装置，根据被检查图形与形成于正确位置处的基准图形之间的偏差量来校正被检查试样的位置，由此能够在短时间内容易地进行被检查图形的对位。

另外，根据本发明的图像取得单元和图像计测单元，能够以图像的像素单位来确定被检查图形和基准图形之间的偏差量，所以能够计算出高精度的偏差量。因此，能够根据偏差量来高精度地进行被检查图形的对位。

另外，在本发明的图形检查装置具有存储单元时，处理被检查试样的其他各种装置从存储单元读出偏差量的数据并使用，由此在各种装置中也能够容易地进行被检查图形的对位。

另外，根据本发明的比较单元，根据偏差量使基准图形和被检查图形的位置一致，所以能够正确且容易地比较基准图形和被检查图形的局部形状，能够准确掌握以基准图形的形状为基准的被检查图形的缺陷位置。

另外，根据本发明的图形检查***，通过将被检查图形的形成位置的偏差量用于微观检查装置中，从而能够在短时间内容易地检测存在缺陷的被检查图形的预定区域，能够可靠且迅速地进行被检查图形的缺陷检查。

附图说明：

图1是表示本发明的一个实施方式的宏观检查装置的概要结构的方框图。

图2是表示在图1所示的宏观检查装置中进行宏观检查的半导体晶片的概要俯视图。

图3是表示已预先在图1所示的宏观检查装置中登记的基准图像的图。

图4是表示在图1所示的宏观检查装置中利用摄像部取得的被检查图像与基准图像之间的位置关系的图。

图5是用于说明图1所示的宏观检查装置的动作的流程图。

图6是表示本发明的另一实施方式的宏观检查装置的试样定位部的半导体晶片的定位方法的概要俯视图。

图7是表示本发明的另一实施方式的缺陷检查***的概要结构的方框图。

具体实施方式

图1～图5表示本发明的一个实施方式，在此说明的实施方式指将本发明应用于作为半导体制造处理装置的、进行光刻工序中的显影工序后的宏观检查的宏观检查装置的情况。另外，该宏观检查装置检查形成于层的预定区域的电路图形是否存在缺陷。

如图1所示，宏观检查装置(图形检查装置)1具有：输送作为被检查试样的半导体晶片T的输送部2；进行半导体晶片T的宏观检查的***(图像取得单元)3；进行这些输送部2和***3的控制的装置控制部4。

输送部2具有盒送入送出部7、试样定位部(试样定位单元)9和试样输送部11。

盒送入送出部7将收纳有进行宏观检查的半导体晶片T的盒送入/送出宏观检查装置1的输送部2。

试样定位部9在通过试样输送部11将从盒内取出的半导体晶片T送入***3之前，进行半导体晶片T的旋转位置和中心位置的定位(预校准)。旋转位置的定位方法如下，使放置了半导体晶片T的旋转台(旋转载物台)旋转，利用位置传感器检测由形成于半导体晶片T的外周缘的直线状的定位平台(或凹口)T1(参照图2)构成的特征部分的旋转位置(朝向)，控制旋转台旋转使该特征部分配置在预先设定的基准角度上，使半导体晶片T旋转并进行定位(预校准)。

并且，中心位置的定位方法如下，利用位置传感器检测除上述特征部分之外的外周缘的曲线部分T3(参照图2)的至少两点的边缘位置，求出距基准中心位置的中心偏差量，控制旋转台在XY方向移动使半导体晶片T的中心与基准中心位置一致，由此进行半导体晶片T的对中。

如图1所示，试样输送部11在盒送入送出部7、试样定位部9和***3之间进行半导体晶片T的交接。该试样输送部11从盒送入送出部7的盒内取出半导体晶片T并输送给试样定位部9，接收在该试样定位部9中被定位后的半导体晶片T后，将其送入***3的试样保持部13。试样输送部11将被试样定位部9定位后的半导体晶片T对准试样保持部13上的基准位置放置。

该试样输送部11中采用由多关节臂构成的搬运机械手，该搬运机械手具有：在输送半导体晶片T时吸附半导体晶片T的背面并予以保持的手臂机构，和把持并保持半导体晶片T的外周缘(边缘)的手臂机构。

另外，在试样输送部11中采用把持半导体晶片T的外周缘的边缘保持型手臂时，通过利用手臂保持边缘来确定半导体晶片T的中心位置，所以也可以利用试样定位部9来仅控制定位平台T1的旋转位置。

***3具有作为放置半导体晶片T的载物台的试样保持部13、照明部15和摄像部17。

试样保持部13构成为在其上表面13a上放置了半导体晶片T的状态下，通过真空吸附半导体晶片T的大致整个面来进行保持。并且，该试样保持部13可以在沿着半导体晶片T的表面T2的一个轴线方向(AB方向)往复移动。

照明部15向放置在试样保持部13上的半导体晶片T的表面T2照射细的直线状(狭缝状)的光。并且，该照明部15可以沿着以照射位置19为中心的圆弧转动，以可变更相对于半导体晶片T的表面T2的光的入射角度θ1，而不使照射位置19移动。

摄像部17取入从半导体晶片T的表面T2的照射位置19反射的反射光并转换为图像。该摄像部17可以采用线传感器摄像机或区域传感器摄像机，但在本实施方式中使用线传感器摄像机。并且，该摄像部17可以沿着以照射位置19为中心的圆弧转动，从而可以变更光轴的角度，以便可以拍摄来自照射位置19的不同反射角度θ2的反射光。

在该***3中，试样保持部13在与直线状的照射位置19正交的A方向或B方向移动，由此照明部15扫描并照明半导体晶片T的整个表面T2，可以通过摄像部17获得半导体晶片T的整个表面T2的图像。因此，试样保持部13以与摄像部17取入图像的频率同步的恒定速度进行移动。

另外，通过适当调节照明部15和摄像部17的光轴角度的双方或其中一方，例如可以取入在半导体晶片T的表面T2上反射的任意的n次衍射光，而获得衍射图像。并且，通过在光路中***干涉滤光器，并将照明部15和摄像部17相对半导体晶片T的表面T2的光轴设定为相同角度，从而可以获得干涉图像。这些衍射图像和干涉图像在装置控制部4中被用作进行半导体晶片T的宏观检查的被检查图像。并且，在宏观扫描的结果为取得了没有缺陷的电路图形时，在装置控制部4的合格与否判定部29中，把这些衍射图像和干涉图像登记为基准图像。

如图1所示，装置控制部4具有驱动控制部21、图像校正部23、图像位置计测部(图像计测单元)25、缺陷提取部(缺陷提取单元)27以及合格与否判定部29。驱动控制部21控制输送部2和***3的机械式驱动部分。图像校正部23对从摄像部17发送来的被检查图像上实施黑点(shading)校正等的亮度校正、变形校正、倍率校正。另外，变形校正和倍率校正表示对源于设在摄像部17和照明部15上的镜头的个体差异、和基于由摄像部17和照明部15构成的光学***的调节误差的图像变形和图像倍率实施图像处理来进行校正。

图像位置计测部25计算从图像校正部23输出的被检查图像中显示的电路图形(以下，也称为被检查图形。)的位置、与显示在已预先登记的基准图像中的电路图形(以下，也称为基准图形。)的位置的相对偏差量。基准图形是在将作为基准试样的半导体晶片R的定位基准、即定位平台(外周缘)R1定位在基准位置的状态下拍摄整个面而得到的图形，第1次通过曝光装置转印在半导体晶片R上的基准图形R5被实施水平转印，以使其相对于作为基准面的定位平台R1形成一定的位置关系(参照图3)。

即，如图3所示，在图像位置计测部25中，在显示于基准图像R4中的半导体晶片R的基准图形R5的区域内，预先选择/提取多个(在图示例中为3个)具有特征形状的基准模型区域Ra～Rc，求出作为用于特别规定各个基准模型区域Ra～Rc的位置的坐标，例如中心坐标。这些基准模型区域(搜寻模型)Ra～Rc是由从基准图像R4切取出的具有特征的图形的纵向数个像素×横向数个像素构成的区域。并且，如图4所示，从显示于被检查图像T4中的被检查图形T5的区域内，提取与各个基准模型区域Ra～Rc的相似度最高的多个(在图示例中为3个)被检查模型区域Ta～Tc(搜寻模型)。

另外，被检查模型区域Ta～Tc的提取按照以下所述进行。首先，搜寻与基准模型区域Ra～Rc的位置对应的被检查图像T4的位置周围，求出与各个基准模型区域Ra～Rc的图形形状的相似度最高的矩形区域，作为被检查模型区域Ta～Tc，并且求出用于特别规定这些区域的位置的坐标、例如各个被检查模型区域Ta～Tc的中心坐标。

然后，计算这些基准模型区域Ra～Rc的中心坐标与被检查模型区域Ta～Tc的中心坐标之间的差分，求出被检查图形T5相对基准图形R5的偏差量。

具体地讲，求出由以多个被检查模型区域Ta～Tc的各个中心坐标(即中心位置)为顶点的三角图形T6的朝向、与以多个基准模型区域Ra～Rc的各个中心坐标(即中心位置)为顶点的基准三角图形R6的朝向之间的角度差形成的被检查图形T5的旋转偏差量，并根据两个三角图形T6、R6的重心位置的差分，求出被检查图形T5相对作为基准位置的定位平台T1的中心位置偏差量。

另外，如已经叙述的那样，被检查图像T4和基准图像R4中的半导体晶片T、R的外周缘T1、T3、R1、R3的位置相互一致，所以被检查图形T5的偏差量能够以定位平台T1的位置为基准得到校正。并且，该偏差量能够以被检查图像T4和基准图像R4的像素单位来计算。

缺陷提取部27把在图像位置计测部25中求出的偏差量作为校正值，进行使被检查图形T5与基准图形R5对准的转换。并且，缺陷提取部27针对每个像素比较被检查图像T4和基准图像R4，识别被检查图像T4的像素(预定区域)和对应该像素的基准图像R4的像素(对应区域)的亮度/边缘等的特征量之间的差分，把该差分大于预先设定的阈值的像素识别为缺陷像素。

合格与否判定部29比较从缺陷提取部27输出的被检查试样、即半导体晶片T的缺陷信息数据和预先设定的合格与否判定基准，输出半导体晶片T的合格与否判定作为宏观检查结果。

并且，如图1所示，该宏观检查装置1具有通过未图示的接口与装置控制部4连接的操作部31、显示部35和数据保存部(存储单元)37。

操作部31用于使作业者向宏观检查装置1输入检查开始命令和选择半导体晶片的种类的命令等各种命令。作为该操作部31的具体的输入单元，例如有键盘、鼠标、轨迹球、触摸屏监视器。

显示部35用于使作业者通过目视来确认从合格与否判定部29输出的宏观检查结果。作为具体的显示内容有校正图像、在校正图像上用不同颜色重合显示了缺陷像素的缺陷合成图像、缺陷面积、缺陷数量、缺陷名称、缺陷中心坐标、图形偏差量、试样合格与否判定结果、半导体晶片T的品种名称、制造工序名称、半导体的批次ID、晶片ID、收纳盒的分层序号(slot number)。这些显示内容可以在显示部35的画面上同时显示至少一种以上。

数据保存部37由硬盘装置(以下，称为HDD)等存储介质构成。作为保存在该数据保存部37中的数据，有基准图像R4的数据、宏观检查结果数据、偏差量的信息数据、缺陷像素和除此以外的像素被二值化后的缺陷图像、检查结果信息文件等。另外，在检查结果信息文件中汇总了对上述保存数据的至少任一种附加了半导体晶片T的每个芯片的合格与否判定结果的信息。

下面，说明如上所述构成的宏观检查装置1的动作。

当作业者在操作部3 1上输入了检查开始命令时，驱动控制部21向输送部2和***3的各个驱动部分输出动作开始命令，使其进行图5所示的处理。

首先，通过盒送入送出部7把收纳了半导体晶片T的盒送入宏观检查装置1的输送部2内(步骤S1)，通过试样输送部11从所送入的盒中取出半导体晶片T，并输送给试样定位部9(步骤S2)。

接着，在试样定位部9中，检测半导体晶片T的外周缘形状的特征部分(定位平台或凹口)T1和曲线部分(外周)T3，进行使半导体晶片T位于预先设定的基准位置上的第1次定位(预校准)(步骤S3)。

利用试样定位部9定位(预校准)后的半导体晶片T被试样输送部11输送给***3的试样保持部13(步骤S4)，并放置在试样保持部13的上表面13a上。此时，半导体晶片T在已定位的状态下被试样输送部11放置在上表面13a的基准位置上，并且被吸附在上表面13a上并一起固定在试样保持部13上。

然后，试样保持部13以预先设定的恒定速度沿A方向或B方向移动，以使整个半导体晶片T通过光的照射位置19。在进行该移动时，来自照射位置19的反射光射入摄像部17，在摄像部17中拍摄到的被检查图像T4被发送给图像校正部23(步骤S5)。

然后，对发送给图像校正部23的被检查图像T4实施黑点校正等的亮度校正、变形校正和倍率校正(步骤S6)，已完成校正的被检查图像T4被输出给图像位置计测部25。

另外，在图像位置计测部25中，从显示于被检查图像T4中的被检查图形T5中提取至少3个与各个基准模型区域Ra～Rc最相似的被检查模型区域(搜寻模型图形、校准标记)Ta～Tc。根据这些基准模型区域Ra～Rc和被检查模型区域Ta～Tc的各个中心坐标，求出被检查图形T5相对于作为基准位置的半导体晶片T的定位平台T1的旋转偏差量和中心位置偏差量，并保存在数据保存部37中(步骤S7)。

然后，在缺陷提取部27中，根据旋转偏差量和中心位置偏差量，使被检查图像T4或半导体晶片T旋转/移动，以使由摄像部17拍摄到的被检查图形T5的位置对准基准图形R5的位置，而进行第2次对位。然后，比较基准图形R5的各个像素和与其对应的被检查图形T5的各个像素，提取被检查图形T5的缺陷位置(步骤S8)。然后，在合格与否判定部29中，根据缺陷信息数据进行半导体晶片T的合格与否判定(步骤S9)，该宏观检查结果显示在显示部35上，并且保存在数据保存部37中(步骤S10)。

最后，完成缺陷检查的半导体晶片T被试样输送部11从试样保持部13输送到盒中(步骤S11)。在全部半导体晶片T的缺陷检查结束后，由盒送入送出部7将盒送出到宏观检查装置1的外部(步骤S12)。

自此以后，每当在同一半导体晶片T上形成新的层时，依次重复前面叙述的送入宏观检查装置1、被检查图形T5的缺陷检查以及从宏观检查装置1送出。并且，针对多个半导体晶片T，同样依次重复前面叙述的送入宏观检查装置1、被检查图形T5的缺陷检查以及从宏观检查装置1送出。

如上所述，根据该宏观检查装置1，在首次曝光工序时，即使在半导体晶片T被放置成偏离试样保持部的基准位置的状态下，将校准标记和被检查图形T5曝光，也能够在宏观检查的同时，求出被检查图形T5的形成位置与形成于正确位置处的基准图形R5之间的旋转偏差和中心位置偏差。根据该计算出的偏差量，使半导体晶片T的位置或被检查图像T4旋转/移动来进行校正，由此能够容易地在短时间内进行被检查图形T5的对位。这样，相对于试样保持部13上的作为基准的基准坐标，以被检查图形T5的偏差量为基础使缺陷的坐标和校准标记的坐标偏置，由此可以准确地确定各个缺陷的坐标，而且能够在短时间内搜寻校准标记。

并且，能够以图像T4、R4的像素单位来计算被检查图形T5和基准图形R5之间的偏差量，从而能够计算高精度的偏差量，能够根据偏差量高精度地进行被检查图形T5的对位。

另外，由于具有保存偏差量数据的数据保存部37，所以处理半导体晶片T的检查装置和制造装置等、除宏观检查装置1之外的各种装置，通过从数据保存部37读出偏差量的数据进行利用，从而可以在各种装置中容易地进行被检查图形T5的对位。

并且，在缺陷提取部27中，根据偏差量使基准图形R5和被检查图形T5的位置一致，所以能够正确比较基准图形R5和被检查图形T5的局部形状，能够高精度地检测以基准图形R5的形状为基准的被检查图形T5的缺陷位置。

另外，在上述实施方式中，设为在试样定位部9中进行旋转位置和中心位置的定位，但不限于此，也可以只进行旋转位置的定位。但是，在这种结构的情况下，需要试样定位部9具有外周缘保持部38、39，该外周缘保持部38、39例如按照图6所示与形成半导体晶片T的外周缘的定位平台T1和曲线部分T3抵接。

并且，设为在半导体晶片T上形成有直线状的定位平台，但不限于此，例如也可以在其外周缘上形成缺口状的凹口。并且，在试样定位部9中，也可以根据凹口的位置进行半导体晶片T的旋转位置的定位。

并且，设为在图像位置计测部25中求出的偏差量，被用于在宏观检查装置1内计算被检查图形T5的缺陷位置，但不限于此，也可以在进行被检查图形T5的对位的装置中使用。即，例如图7所示，也可以在放大缺陷位置从而视觉确认电路图形的缺陷内容的微观检查装置50中使用。

该微观检查装置50具有输送部2、放大***51、显示部53和控制部55，输送部2与安装在宏观检查装置1上的输送部相同。

放大***51具有试样保持部57和摄像部59。试样保持部57构成为与宏观检查装置1的试样保持部13相同，在其上表面57a上放置了半导体晶片T的状态下，通过真空吸附来保持该半导体晶片T。并且，该试样保持部57可以在沿着其上表面57a的两个方向上移动。摄像部59取得在宏观检查装置1中检测出的被检查图形T5的缺陷位置的放大图像。该放大图像显示在显示部53上。

控制部55进行输送部2的各个驱动部分的控制和试样保持部57的移动控制。即，控制部55在从被检查图形T5取得放大图像时，从宏观检查装置1的数据保存部37读出基准图像R4的数据、基准图像R4上的缺陷位置数据和偏差量数据。然后，控制部55根据这些缺陷位置数据和偏差量数据，来校正缺陷位置(预定区域)的检测范围，进行试样保持部57的移动控制，以使被检查图形T5的缺陷位置进入摄像部59的摄影范围内，并进行半导体晶片T的对位。在该微观检查装置50中，按照上面所述确认放大显示在显示部53上的缺陷，由此进行缺陷检查。

利用这些宏观检查装置1和微观检查装置50，构成检查被检查图形T5的缺陷的图形检查***60。

根据该图形检查***60，在微观检查装置50中能够利用偏差量数据在短时间内容易地检测具有缺陷的被检查图形T5的缺陷位置，所以能够可靠且迅速地进行被检查图形T5的缺陷检查。

另外，关于进行被检查图形T5的对位的装置，除上述的微观检查装置50外，例如还有在半导体晶片T上依次层叠多个层的半导体晶片制造装置(曝光装置)。在该半导体晶片制造装置中使用偏差量时，也能够容易地在短时间内进行被检查图形T5的对位，所以在被检查图形T5上重叠形成新的电路图形时，也能够容易地在短时间内进行这两个图形的对位。

并且，被检查图形T5和基准图形R5设为是电路图形，但不限于此，例如也可以是校准标记。因此，例如在自动检测校准标记的形成位置时，也可以根据该偏差量来校正校准标记的检测范围，所以也能够在短时间内容易地进行校准标记的对位和检测。

另外，偏差量的计算设为在宏观检查装置1中进行，但不限于此，只要至少能够计算偏差量即可。因此，例如也可以在从宏观检查装置1中除去检测缺陷的缺陷提取部27和合格与否判定部29的装置中，进行偏差量的计算。

以上参照附图具体叙述了本发明的实施方式，但具体结构不限于该实施方式，也包括在不脱离本发明宗旨的范围内的设计变更等。

Claims (8)

1.一种图形检查装置，其具有：

试样定位单元，其在形成为板状的被检查试样的外周缘形状、与具有和该被检查试样的外周缘形状相同的板状基准试样的外周缘形状彼此大致一致的位置处，配置所述被检查试样；以及

偏差量计测单元，其在使这些被检查试样和基准试样的外周缘形状彼此一致的状态下，计算形成于所述被检查试样上的被检查图形的位置和形成于所述基准试样上的基准图形的位置之间的偏差量。

2.根据权利要求1所述的图形检查装置，所述偏差量计测单元具有：

图像取得单元，其取得所述基准试样的基准图像和所述被检查试样的被检查图像；以及

图像计测单元，其根据所述基准图像和所述被检查图像中包含的所述基准图形和所述被检查图形的位置信息，来计算所述偏差量。

3.根据权利要求1或2所述的图形检查装置，其具有存储所述偏差量的存储单元。

4.根据权利要求1所述的图形检查装置，所述偏差量由以下构成：

由所述基准图形的形成方向和所述被检查图形的形成方向之间的角度差形成的旋转偏差量；以及

由所述基准图形的形成区域的中心位置与所述被检查图形的形成区域的中心位置的差分形成的中心位置偏差量。

5.根据权利要求1所述的图形检查装置，其具有比较单元，该比较单元根据所述偏差量来进行使所述被检查图形的位置与所述基准图形的位置一致的修正，并且比较所述被检查图形的形状和所述基准图形的形状。

6.根据权利要求5所述的图形检查装置，所述比较单元具有缺陷提取单元，该缺陷提取单元在被检查图形的预定区域与和该预定区域对应的基准图形的相应区域中的特征量的差分大于预定阈值时，提取所述预定区域作为缺陷。

7.一种图形检查***，其具有权利要求6所述的图形检查装置和微观检查装置，所述微观检查装置根据所述偏差量校正所述预定区域的检测范围，并放大所述预定区域而目视确认所述缺陷。

8.一种图形对位方法，其包括以下工序：

试样定位工序，在形成为板状的被检查试样的外周缘形状、与具有和该被检查试样的外周缘形状相同的板状基准试样的外周缘形状彼此一致的位置处，配置所述被检查试样；以及

偏差量计测步骤，在使这些被检查试样和基准试样的外周缘形状彼此一致的状态下，计算形成于所述被检查试样上的被检查图形的位置和形成于所述基准试样上的基准图形的位置之间的偏差量。

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