CN100573839C - 电子电路装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的电子电路装置，具有：形成导体布线(2)以及连接端子(3)的电路基板(1)；设置在电路基板(1)的一个面上的各向异性导电性树脂层(6)；和分别在与连接端子(3)相对向的位置设置有电极端子(81、82、83)的多个电子部件(71、72、73)，各向异性导电性树脂层包含：选自线圈状的导电体粒子、纤维绒球状的导电体粒子以及在表面具备有导电性的多个突起部的导电体粒子中至少一种的导电体粒子(5)和树脂粘结剂(4)，通过导电体粒子(5)电连接多个电子部件(71、72、73)的电极端子(81、82、83)和连接端子(3)，并且机械固定电子部件(71、72、73)和电路基板(1)且保护导体布线(2)。

Description

电子电路装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及，使用在树脂粘合剂中包含具有伸缩性的导电体粒子的各向异性导电性树脂连接电路基板上的连接端子和电子部件的电极端子而成的电子电路装置及其制造方法。
背景技术
一直以来，在液晶显示面板上连接挠性电路基板时、或在电路基板上安装半导体元件、电阻或电容器等的电子部件时，为了使端子彼此之间电连接而使用各向异性导电性粘结剂或各向异性导电性片。
图8A以及图8B，是表示现有的各向异性导电性片及其连接方法的一个例子的剖面图。另外，虽在图8A以及图8B中是对在电路基板上连接半导体体芯片等的电子部件的情况进行表示，但在液晶面板上直接连接半导体芯片等情况下也可以使用同样的方法。
如图8A所示，各向异性导电性片33是使导电体粒子35分散在热固化型粘合性树脂即树脂粘合剂34中，并制成片状的部件。使用该各向异性导电性片33，来连接电路基板31上的连接端子32和电子部件36的电极端子37。如图8A所示，在电路基板31上粘贴上述各向异性导电性片33。接下来，使电子部件(例如半导体芯片)36的电极端子37和连接端子32对齐。
接下来，如图8B所示，将电子部件36推压在电路基板31上。通过该推压，电子部件36的电极端子37和电路基板31的连接端子32间的距离变短，通过导电体粒子35将它们电连接。另一方面，在连接端子32和电极端子37之间以外的区域，因为没有压缩各向异性导电性片33，所以确保了横向方向的绝缘性。设为这种状态，接着使树脂粘合剂34固化。另外，在图8B中，树脂粘合剂34在热固化之后成为已热固化树脂38。
在这种连接方法中，针对各向异性导电性片，关于连接方向即纵向方向要求保持低阻抗化、在相邻之间要求保持高阻抗状态以及提高粘结强度。
例如，在日本特开平11-306861号公报中，公开有用于防止在相邻之间的短路的各向异性导电性膜和使用其的连接方法。其中，公开有这样的内容，即，使用由用包含紫外线的放射线使之固化的放射固化型树脂和热固化型树脂的混合物和分散在该混合物中的导电粒子构成的各向异性导电性膜。进而，将该各向异性导电性膜粘贴在电路基板上，使用在与电路基板上的连接端子对应的位置具有光遮断部的掩模，并照射放射线。接下来，使电子部件对齐、加压，之后加热并粘结。此时，使刚才被放射线照射过的区域固化，从而防止导电体粒子的横向方向的移动，因此，能够防止在相邻之间的短路。
另外，在日本特开2004-238443号公报中也公开了下面的内容，即，作为使对电路基板连接电子部件的步骤简化的方法，使用通过先照射紫外线等光而激起固化反应，而不必进行加热处理便进行固化的树脂的各向异性导电性片。使用该各向异性导电性片的连接方法，最初对各向异性导电性片照射光而激起固化反应，之后，在该各向异性导电性片具有粘结性期间，粘结电子部件和电路基板。之后，保持在常温下，固化反应完成，然后进行电子部件的连接。
在上述的第一个例子中，防止了相邻之间的短路因而可以进行高密度的安装，但是在使用各个电极端子的间距、电极端子的形状不同的电子部件进行安装的情况下，就需要与之分别对应的掩模。另外，由放射线使之固化的区域的各向异性导电性膜难以变形。因此，为了通过导电体粒子以足够小的电阻将电子部件的电极端子和电路基板的连接端子连接，就需要较大的加压力。由于近年来的小型、薄型化的发展，也要求安装100μm以下厚度的半导体设备、片状的设备等，对这些设备施加这样的加压力，就会发生设备受损伤的情况。
另外，在上述第二个例子中，通过先照射光而激起固化反应，不必进行加热处理就可以在常温下使之固化。但是，在该方法中，难以安装在电极端子和连接端子的间隔中有错位那样的电子部件。
另外，不管在哪个例子中，都是只在电路基板上的安装电子部件的区域粘贴各向异性导电性膜或者片，之后，在该膜或片上以个别安装的方法安装有电子部件。在这样的方法中，生产步骤变得复杂。
发明内容
本发明的电子电路装置，其构成，具有：至少在一个面上形成导体布线以及连接端子的电路基板；设置在电路基板的一个面上的各向异性导电性树脂层和在与连接端子相对向的位置设置有各个电极端子的多个电子部件，各向异性导电性树脂层包含：选自线圈状的导电体粒子、纤维绒球状的导电体粒子以及在表面具备导电性的多个突起部的导电体粒子中的至少一种的导电体粒子和树脂粘结剂，通过导电体粒子电连接多个电子部件的电极端子和连接端子，并且机械地固定电子部件和电路基板且保护导体布线。
由于设为这样的构成，通过在电路基板上形成各向异性导电性树脂层，接着使用于安装的电子部件对齐并推压，然后加热固化，这样能够容易地实现电子电路装置。或者，在使用迟效固化型树脂层的情况下，首先照射光从而对其赋予粘性，用于安装的电子部件与连接端子对齐并推压，借助于各向异性导电性树脂层而粘结固定，接着以常温或100℃以下的温度进行加热固化，从而能够实现电子电路装置。进而，在电路基板上的没有形成电子部件的区域上也设置有各向异性导电性树脂层。在该区域中，因为不受因电子部件等的推压所以绝缘性良好，可以作为导体布线的保护膜使用。因此，不需要形成过去所必需的抗蚀剂膜等的保护膜。
另外，用于该电子电路的各向异性导电性树脂层，可以实现纵向方向即连接端子和电极端子的连接方向上的低电阻化，另一方面关于横向方向即电子部件的电极之间，容易保持高电阻的状态。这是因为使用了选自线圈状的导电体粒子、纤维绒球状的导电体粒子以及表面具备多个导电性的突起部的导电体粒子中的至少一种导电体粒子。即，例如在选中的是表面具有较大的突起部的导电体粒子的情况下，各向异性导电性树脂层被压缩，那么该导电体粒子的突起部从相对间隔较宽的阶段与连接端子以及电极端子接触。进而，其一部分埋入连接端子以及电极端子的表面。因此，不仅是电连接，也被机械固定。因此，与使用现有的各向异性导电性片的情况相比，即便是电极端子的形状、间距等各不相同的各种电子部件，都能够借助于相同的各向异性导电性树脂层进行良好的电、机械连接。
另外，本发明的电子电路装置的制造方法，包括：各向异性导电层形成步骤，在电路基板上设置由各向异性导电性树脂构成的各向异性导电性树脂层，所述各向异性导电性树脂包含选自线圈状的导电体粒子、纤维绒球状的导电体粒子以及表面具备多个有导电性的突起部的导电体粒子中的至少一种导电体粒子和树脂粘结剂；对齐步骤，使电子部件的电极端子与电路基板的连接端子对齐；部件推压步骤，推压电子部件并压入各向异性导电性树脂层中，压缩电极端子和连接端子之间的各向异性导电性树脂层，从而借助于导电体粒子使电极端子和连接端子电接触；固化步骤，使各向异性导电性树脂层固化，粘结固定电子部件和电路基板。
根据该方法，能够使用同样的各向异性导电性树脂层通过同样的安装方法将电子部件例如半导体元件和受动部件的组合、厚度不同的半导体元件等连接而制造电子电路装置。因此，能够使制造步骤简化。
由以上这样的构成以及制造方法而成的本发明的电子电路装置，通过简单的步骤能够安装制造用于制造各种电子电路的受动部件、半导体元件等的电子部件。因此，能够进行电子电路装置的制造步骤地简化和制造设备的简化。因此，起到了能够低成本地制造各种电子电路装置而且能够实现灵活的制造工序这一重大效果。
附图说明
图1A是本发明的第一实施方式所涉及的电子电路装置的剖面图。
图1B是本发明的第一实施方式所涉及的电子电路装置的剖面图。
图2A是用于说明在该实施方式中所使用的各向异性导电性树脂层的一个例子的剖面示意图。
图2B是用于说明各向异性导电性树脂层所使用的导电体粒子的形状的一个例子的示意图。
图2C是用于说明各向异性导电性树脂层所使用的导电体粒子的形状的一个例子的示意图。
图3A是说明本发明的第二实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图3B是说明本发明的第二实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图3C是说明本发明的第二实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图4A是说明本发明的第三实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图4B是说明本发明的第三实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图4C是说明本发明的第三实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图4D是说明本发明的第三实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图5A是说明本发明的第四实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图5B是说明本发明的第四实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图5C是说明本发明的第四实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图5D是说明本发明的第四实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图6A是说明本发明的第五实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图6B是说明本发明的第五实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图6C是说明本发明的第五实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图6D是说明本发明的第五实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图7A是说明本发明的第六实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图7B是说明本发明的第六实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图7C是说明本发明的第六实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
图8A是表示以往的各向异性导电性片及其连接方法的一个例子的剖面图。
图8B是表示以往的各向异性导电性片及其连接方法的一个例子的剖面图。
符号说明
1，31，101电路基板                    2        导体布线
3，32     连接端子                    4，34    树脂粘结剂
5，35     导电体粒子                  6，61    各向异性导电性树脂层
10        紫外线                      11，23   光固化区域
12，17，20，24    已固化各向异性导电性树脂层
13，18    已固化圆角                  14，140  遮蔽板
15，150   光通过区域                  16       圆角
19        固化反应开始区域            21       转印基板
22    粘着层                    33    各向异性导电性片
36    电子部件                  51，53    核
52，54    突起部                38    已热固化树脂
71    第一电子部件(电子部件)    72    第二电子部件(电子部件)
72    第三电子部件(电子部件)    81，82，83，37    电极端子
91    第一间隔    92    第二间隔    93    第三间隔
具体实施方式
以下，一边参照附图一边对本发明的实施方式详细地进行说明。另外，对相同的元件附加相同的符号，也有省略说明的情况。
(第一实施方式)
图1A以及图1B分别是表示本发明的第一实施方式所涉及的两种电子电路装置的构成的剖面图。图1A以及图1B的电子电路装置的构成的不同，如下所述。即，电子部件即第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73的厚度不同，在图1A的构成中，以这些电子部件的背面为同一面的方式进行了配置，在图1B的构成中，以连接端子3和电极端子81、82、83的间隔91、92、93相同的方式进行了配置。
如图1A所示，本实施方式所涉及的电子电路装置构成，包括：在其一个面上形成了导体布线2以及连接端子3的电路基板1；配置在该电路基板1的一个面上的各向异性导电性树脂层6和分别在与连接端子3相对向的位置设置了电极端子81、82、83的第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73。
在本实施方式中，各向异性导电性树脂层6包括表面具备具有导电性的多个突起部的导电体粒子5和树脂粘结剂4。第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73，各自的电极端子81、82、83通过该各向异性导电性树脂层6与电路基板1的各个对应的连接端子3连接。另外，将电极端子81和连接端子3的间隔设为第一间隔91，将电极端子82和连接端子3的间隔设为第二间隔92，将电极端子83和连接端子3的间隔设为第三间隔93。
在第一电子部件71和第三电子部件73的厚度比第二电子部件72薄，通过将这些电子部件汇集起来由平板进行推压的步骤而连接的情况下，第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73的背面为同一面。因此，第一间隔91和第三间隔93变得比第二间隔92大。例如，如果第一电子部件71和第三电子部件73是具有0.4mm以下厚度的半导体元件，第二电子部件72是1005型的芯片部件，那么第一间隔91和第三间隔93与第二间隔92相比，要大大约0.1mm左右。
但是，在本实施方式中，因为导电性粒子5具有表面具有导电性的多个突起部，由于这些突起部，即便具有上述那样的间隔差也能够分别进行良好的连接。另外，在图1A中示出了，以第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73的背面为大体同一面的方式进行了配置，其一部分埋入各向异性导电性树脂层6中的状态。另外，在形成于电路基板1上的导体布线2的表面上也形成有各向异性导电性树脂层6，从而也作为保护膜发挥功能。
图1B示出了将第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73个别推压，然后汇集起来加热并使各向异性导电性树脂层6固化的构成的剖面图。在这种情况下，能够使第一间隔91、第二间隔92以及第三间隔93大体相同。此时，第二电子部件72，相比第一电子部件71和第三电子部件73更突出。
是否采用图1A所示的电子电路装置和图1B所示的电子电路装置的任一构成，考虑用途以及整体构成来适当选择即可。但是，在采用图1B所示的电子电路装置的构造时，优选，使用迟效固化型绝缘性树脂作为树脂粘结剂4。使用这样的树脂粘结剂4时，能够先对连接的区域的树脂粘结剂4进行光照射而表现出粘性。由此，能够在连接端子上推压并粘结电子部件，在该粘结状态下树脂粘结剂4固化，因此就不需要加热处理等。
接下来，使用图2A到图2C对本实施方式的电子电路装置以及该制造方法中所使用的各向异性导电性树脂的一个例子进行说明。图2A是用于说明在该实施方式中所使用的各向异性导电性树脂层的一个例子的剖面示意图。图2B以及图2C是用于说明各个各向异性导电性树脂层所使用的导电体粒子的形状的一个例子的示意图。
如图2A所示，各向异性导电性树脂层6由使树状晶粒的导电体例子5分散在树脂粘结剂4中的构成而构成。另外，导电体粒子5，如图2B或图2C所示，具有在其表面上形成多个导电性的、而且具有弯曲性的突起部的构成。图2B是在核51的表面上形成了树枝状的突起部52的情况。另外，图2C是在核51的表面上形成了针状的突起部54的情况。其形状类似于生活在海中的海胆。但是，这只是举例表示形状，并不限定于这样的形状，也可以是在核51的表面上形成树脂状的突起部52的构造。这些导电体粒子5，其特征在于，具有多个突起部52、54，而且这些突起部52、54相比各自的核51、53大幅突出。使用这样的导电体粒子5时，即便如上所述第一间隔91、第二间隔92以及第三间隔93各不相同，该突起部52、54也能可靠地与电极端子81、82、83以及连接端子3接触，从而能够得到连接电阻小而且稳定的电导通。另外，在间隔小的情况下，突起部52、54变形，导致其一部分***电极端子81、82、83以及连接端子3中。在发生这种***时，不仅进行了电连接也进行了机械连接，从而能够进行更加稳定的连接。
另外，作为树脂粘结剂，可以使用光固化型绝缘性树脂、迟效固化型绝缘性树脂以及厌气固化型绝缘性树脂中的任一种，或者是将它们组合使用。作为优选的组合，可以是由光固化型绝缘性树脂以及光固化型绝缘性树脂构成的树脂粘结剂4，作为前者的树脂使用光固化性的环氧树脂、丙烯酸树脂，另外作为后者的树脂使用热固化性的环氧树脂、丙烯酸树脂。
另外，可以替代光固化型绝缘性树脂，使用迟效固化型绝缘性树脂。或者，也可以单独使用迟效固化型绝缘性树脂。迟效固化型绝缘性树脂，也称光延迟固化型，是通过进行光照射使固化反应开始并在经过规定时间后完全固化的树脂。该迟效固化型绝缘性树脂具有下述的特性，即，通过光(特别是紫外线)照射首先局部地固化，然后处于整体表现出粘性(或者粘着性或粘结性)的凝胶体状态，该凝胶体状态能够保持规定的时间，例如数十秒至数十分钟左右的时间。另外还具有下述的性质，即，在表现出凝胶体状态的期间，在粘结剂的内部固化反应缓缓地进行，经过规定时间之后，固化完成。
作为这种光固化型树脂，优选使用在一个分子中至少具有一个阳离子聚合性基团的树脂。作为在一个分子中至少具有一个阳离子聚合性基团的树脂，可以使用乙烯醚系树脂、环氧系树脂等，但更加优选使用固化后的粘结性、耐候性、耐药性以及耐热性优良的环氧树脂。
作为环氧树脂，没有特别限定，但可以使用例如双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、脂肪族环式环氧树脂、溴化环氧树脂、橡胶改性环氧树脂、聚氨酯改性环氧树脂、缩水甘油基酯系化合物、环氧化大豆油、环氧化弹性材料等。另外，可以使用这些树脂中的一种，也可以使用两种或两种以上的组合。
作为光聚合开始剂，只要是通过光的照射能够诱发阳离子聚合的化合物即可，没有特别限定。优选，在20～100℃附近的温度下，热催化剂活性低的化合物。因为这样的材料储藏稳定性优良。作为这样的光阳离子聚合开始剂，有例如铁-丙二烯络合物化合物、芳香族重氮盐、芳香族碘鎓盐、芳香族锍盐、吡啶盐等。作为具体的例子，可以使用例如オプトマ一SP-150(旭电化工业社制)、UVE-1014(ゼネラルエレクトロニクス社制)等的市销的组成物或者产品。
作为树状晶粒的导电体粒子5，可以使用以银粒子或镍粒子为核在其表面上生长树状晶粒的，或者是通过电镀法而形成突起部的。另外，作为核5a、5c，还可以使用在高分子、陶瓷粒子的表面上形成了导电性的突起部的材料。
进而，作为导电体粒子5，除了图2B、图2C所示的形状以外，还可以使用由细微的线圈构成的线圈状导电体粒子、至少表面绕有导电性纤维的纤维绒球状的导电体粒子、在具有突起部的树脂的表面上形成了导电体膜的导电体粒子、或者使用了导电性高分子的导电体粒子等。
导电体粒子5的平均粒径，没有特别限定，但优选1～20μm的范围。在未满1μm时，因为导电体粒子5彼此之间的凝集力较大，所以难以在树脂粘结剂4中均匀分散。另一方面，在超过20μm时，在连接端子的间距较窄为数10μm的情况下，引发短路的可能性很大。但是，在连接端子的间距较大的情况下，可以使用平均粒径在20μm以上的导电体粒子。另外，导电体粒子5与树脂粘结剂4配合的比例，优选，在树脂粘结剂4为100时，将导电体粒子5设在5～50的范围中。
(第二实施方式)
从图3A到图3C是说明本发明的第二实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
首先，如图3A所示，在形成了导体布线2以及连接端子3的电路基板1的主面上形成各向异性导电性树脂层6。另外，在从图3A到图3C所示的步骤中，对在由光固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的具有表面粘着性的树脂粘结剂4中，分散有如图2C所示形状的导电体粒子5的各向异性导电性树脂层6的例子，进行说明。该各向异性导电性树脂层6可以是粘贴制成片状的材料而形成，或者是使用糊状的材料印刷而形成。
接下来，如图3B所示，使第一电子部件71的电极端子81与电路基板1的连接端子3对齐，暂时固定在各向异性导电性树脂层6上。在该状态下，从第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73的背面侧集中照射紫外线10。此时，因为第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73是不透明的，所以存在于它们的下部的光固化型绝缘性树脂没有固化，而露出的区域的光固化型绝缘性树脂被光固化。在图3B中，这成为光固化区域11。该光固化区域11所含的导电体粒子5，由固化了的光固化型绝缘性树脂固定，因此，即便在以后的步骤中基本上也不移动。另一方面，由第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73所遮蔽的区域的各向异性导电性树脂层6没有固化，而是保持着初期状态。
接下来，从第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73的背面推压。此时，可以逐个推压各个电子部件，也可以集中推压。此时，在各个电子部件进入树脂粘结剂4中的部分上，在电子部件的侧面上形成圆角。通过对该部分进一步进行光照射，第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73被分别牢固地暂时固定。
在该状态下，通过进行加热而使树脂粘结剂4中的热固化型绝缘性树脂热固化，由此能够得到图3C所示的电子电路装置。另外，因为圆角中的热固化型绝缘性树脂也固化，所以更加牢固地连接各个电子部件。另外，在图3C中，以已热固化各向异性导电性树脂层12表示热固化后的各向异性导电性树脂层6，以已固化圆角13表示被热固化了的圆角。
另外，当在图3B所示的步骤中将第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73集中推压时，形成图3C所示的形状。即，第一电子部件71的电极端子81和连接端子3的间隔即第一间隔91，与第二电子部件72的电极端子82和连接端子3的间隔即第二间隔92相比，较大。这是因为第一电子部件71的厚度比第二电子部件72薄。另外，第三电子部件73和第二电子部件72的关系也是相同。但是，在本实施方式中，因为使用图2C所示形状的导电体粒子5，所以即便第一间隔91、第三间隔93较大，电极端子81、82、83也能够与各个连接端子3良好的连接。
(第三实施方式)
从图4A到图4D是说明本发明的第三实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
首先，如图4A所示，在形成了导体布线(没有图示)以及连接端子3的电路基板1的主面上形成各向异性导电性树脂层6。该各向异性导电性树脂层6可以是粘贴制成片状的材料而形成，或者是使用糊状的材料印刷而形成。另外，虽在从图4A到图4D中都没有示出形成在电子基板1的表面上的导体布线，但与图1A、图1B以及从图3A到图3C所示情况相同，形成有导体布线。
在从图4A到图4D所示的步骤中，对在由光固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的具有表面粘着性的树脂粘结剂4中，分散有如图2C所示形状的导电体粒子5的各向异性导电性树脂层6的例子，进行说明。
接下来，如图4B所示，使第一电子部件71的电极端子81与电路基板1的规定的连接端子3对齐。在该状态下，对第一电子部件71的周边部位照射紫外线10，仅在第一电子部件71的周边部位使各向异性导电性树脂层6中的光固化型绝缘性树脂光固化，从而形成光固化区域11。此时，如果必要，可以设为，使用仅在应该进行光照射的部分形成光通过区域15的遮蔽板14而进行紫外线照射，不对其他的连接区域的光固化型绝缘性树脂进行光照射。
接下来，如图4C所示，对第一电子部件71进行加压，使其一部分埋入各向异性导电性树脂层6中，电极端子81和连接端子3通过导电体粒子5连接。此时，在第一电子部件71的侧面上沿着光固化区域11的内侧各向异性导电性树脂层6的树脂***，而形成圆角16。
接下来，使第二电子部件72的电极端子82与连接端子3对齐。在该状态下，对第二电子部件72的周边部位照射紫外线10，仅在第二电子部件72的周边部位使各向异性导电性树脂层6中的光固化型绝缘性树脂被光固化，从而形成光固化区域11。此时，如果必要，可以设为，使用仅在应该进行光照射的部分形成光通过区域150的遮蔽板140而进行紫外线照射，不对其他的连接区域的光固化型绝缘性树脂进行光照射。
接下来，如图4D所示，对第二电子部件72进行加压，使其一部分埋入各向异性导电性树脂层6中，电极端子82和连接端子3通过导电体粒子5连接。此时，由于加压，在第二电子部件72的侧面上沿着光固化区域11的内侧各向异性导电性树脂层6的树脂***，而形成圆角16。同样的，第三电子部件73也埋入各向异性导电性树脂层6中。
这样，在第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73分别埋入而形成了圆角16时，通过对圆角16照射紫外线，将这些电子部件更加牢固地暂时固定。
这样一来，在安装了全部所需的电子部件之后，进行加热，热固化型绝缘性树脂热固化。此时，圆角16也被固化而成为已固化圆角18，牢固地连接着各个电子部件。另外，在图4D中，各向异性导电性树脂层6被热固化，以已热固化各向异性导电性树脂层17表示。
另外，在本实施方式的制造方法中，如图4D所示，将第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73对各向异性导电性树脂层6的***量设为一定。因此，这些电子部件的电极端子81、82、83和电路基板1的连接端子3的间隔即第一间隔91、第二间隔92以及第三间隔93，基本相等。
如从图4A到图4D所说明的那样，本实施方式的制造方法，在各个电子部件的电极端子81、82、83与电路基板1的连接端子3对齐之后，在各个电子部件的周边部位形成光固化区域11，限制该区域处的导电体粒子5的移动。因此，确保横向方向的高电阻化，同时由于形成了圆角16而提高了电子部件的粘结强度。
另外，在本实施方式中，使用面状的紫外线照射源和形成光通过区域15、150的遮蔽板14、140，但是也可以使用例如点状的光束进行照射。这样的点状的光束借助光纤能够容易地传导至必要的位置，所以在要只照射小的间隙、局部位置的情况下特别有效。因此，能够选择性地照射必要的位置。
(第四实施方式)
从图5A到图5D是说明本发明的第四实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
首先，如图5A所示，在形成了导体布线(没有图示)以及连接端子3的电路基板1的主面上形成各向异性导电性树脂层6。该各向异性导电性树脂层6可以是粘贴制成片状的材料而形成，或者是使用糊状的材料印刷而形成。另外，虽在从图5A到图5D中都没有示出形成在电子基板1的表面上的导体布线，但与图1A、图1B以及从图3A到图3C所示情况相同，形成有导体布线。
在从图5A到图5D所示的步骤中，对在由光固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成、具有表面粘着性的树脂粘结剂4中，分散有如图2C所示形状的导电体粒子5的各向异性导电性树脂层6的例子，进行说明。
接下来，如图5B所示，使第一电子部件71的电极端子81与电路基板1的连接端子3对齐。接着，对第一电子部件71进行加压，使其一部分埋入各向异性导电性树脂层6中，电极端子81和连接端子3通过导电体粒子5连接。
在该被加压的状态下，对第一电子部件71的周边部位照射紫外线10，使得各向异性导电性树脂层6中的光固化型绝缘性树脂被光固化，从而仅在第一电子部件71的周边部位形成光固化区域11。此时，形成在第一电子部件71的周边部位的圆角16中的光固化型绝缘性树脂也被光固化，从而牢固地将第一电子部件71暂时固定。此时，如果必要，可以设为，使用仅在光照射部分形成光通过区域15的遮蔽板14而进行紫外线照射，不对其他的连接区域的光固化型绝缘性树脂进行光照射。
接下来，如图5C所示，使第二电子部件72的电极端子82与电路基板1的连接端子3对齐，对第二电子部件72进行加压，使其一部分埋入各向异性导电性树脂层6中，电极端子82和连接端子3通过导电体粒子5连接。
在该被加压的状态下，对第二电子部件72的周边部位照射紫外线10，使各向异性导电性树脂层6中的光固化型绝缘性树脂被光固化，从而在第二电子部件72的周边部位形成光固化区域11。此时，如果必要，可以设为，使用仅在光照射部分形成光通过区域150的遮蔽板140而进行紫外线照射，不对其他的连接区域的光固化型绝缘性树脂进行光照射。
接下来，如图5D所示，和上述的方法同样，第三电子部件73，其一部分也埋入各向异性导电性树脂层6中，进行连接。
这样一来，在安装了全部所需的电子部件之后，进行加热，使热固化型绝缘性树脂热固化。此时，圆角16也被固化而成为已固化圆角18，将第一电子部件71、第二电子部件72以及第三电子部件73牢固地连接。另外，各向异性导电性树脂层6被热固化，因此，以已热固化各向异性导电性树脂层17表示。
在本实施方式的电子电路装置的制造方法中，与第二实施方式以及第三实施方式的制造方法的不同点在于，使各个电子部件的电极端子与电路基板的连接端子对齐，接着对各个电子部件进行加热，使电极端子与连接端子连接，然后进行光照射。即，通过在对各个电子部件进行加压的状态下进行光照射，从而使形成在各个电子部件的周边部位的光固化区域和与之相连的圆角被光固化。由此，在直至热固化期间，各个电子部件牢固地固定在电路基板上，因此，之后的使用变得容易。
另外，在本实施方式中，使用面状的紫外线照射源和形成光通过区域15、150的遮蔽板14、140，但是也可以使用例如点状的光束进行照射。这样的点状的光束，由于光纤能够容易地穿过必要的位置，所以在要仅仅照射小的间隙、局部位置的情况下特别有效。因此，能够选择性地照射必要的位置。
(第五实施方式)
从图6A到图6D是说明本发明的第五实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
首先，如图6A所示，在形成了导体布线(没有图示)以及连接端子3的电路基板1的主面上形成各向异性导电性树脂层61。该各向异性导电性树脂层61可以是粘贴制成片状的材料而形成，或者是使用糊状的材料印刷而形成。另外，虽从图6A到图6D都没有示出形成在电子基板1的表面上的导体布线，但与图1A、图1B以及从图3A到图3C所示情况相同，形成有导体布线。另外，在从图6A到图6D所示的步骤中，对在由光固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的树脂粘结剂41中，分散有如图2C所示形状的导电体粒子5的各向异性导电性树脂层61的例子，进行说明。
这样，本实施方式所使用的各向异性导电性树脂层61的基本构成，与在从第二实施方式到第四实施方式的制造方法中所说明的情况相同，但是不同点在于使用迟效固化型的树脂作为光固化型绝缘性树脂。所谓迟效固化型的光固化型绝缘性树脂，是指进行光照射时发现粘性，同时固化反应开始，通过放置在常温下而进行固化反应的树脂。
接下来，如图6B所示，仅对连接第一电子部件71的区域照射紫外线10，使迟效固化型树脂表现出粘性，并且使固化反应开始。该光线照射区域成为固化反应开始区域19。此时，如果必要，可以设为，使用仅在光照射部分形成光通过区域15的遮蔽板14而进行紫外线照射，不对其他的连接区域进行光照射。
接下来，如图6C所示，使第一电子部件71的电极端子81与电路基板1的连接端子3对齐，对第一电子部件71进行加压，从而将电极端子81和连接端子3连接并固定。此后，因为固化反应进行而固化，所以第一电子部件71被连接并固定。
接下来，仅对连接第二电子部件72的区域照射紫外线10，从而使固化反应开始。如果必要，和上述同样，使用遮蔽板140。
接下来，如图6D所示，使第二电子部件72的电极端子82与电路基板1的连接端子3对齐，对第二电子部件72进行加压，从而将电极端子82和连接端子3连接并固定。此后，因为固化反应进行而固化，所以第二电子部件72被连接并固定。
这样一来，在安装了全部所需的电子部件之后，进行加热，使热固化型绝缘性树脂热固化。各向异性导电性树脂层61被热固化，因此，以已热固化各向异性导电性树脂层20表示。
在本实施方式的电子电路装置的制造方法中，与第二实施方式至第四实施方式的制造方法的不同点在于，使用迟效固化型的树脂作为各向异性导电性树脂层61的光固化型绝缘性树脂。即，通过调整从光照射到各个电子部件的加压为止的时间和固化时间，能够容易地设定最佳步骤条件。另外，通过对各个电子部件逐个进行光照射，而使其表现出粘性，因此，到热固化为止的期间，能够保持着各个电子部件连接并固定的状态。这样的迟效型绝缘性树脂，可以使用由在第一实施方式中所说明的材料构成的树脂。
另外，在本实施方式的制造方法中，对针对各个电子部件逐个反复进行固化开始和电子部件压入的方法进行了说明，但是本发明并不限定于此。还可以采用，例如在对整个面进行光照射之后，顺次压入电子部件的方法。另外，在本实施方式的制造方法中，对使用包含迟效型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂的树脂粘结剂41的例子进行了说明，但是本发明并不限定于此。也可以，例如仅使用迟效型绝缘性树脂。在这种情况下，可以在常温下进行固化，或者根据需要在大约100℃或其以下的温度下，进行加热促进固化。
(第六实施方式)
从图7A到图7C是说明本发明的第六实施方式所涉及的电子电路装置的制造方法的剖面图。
首先，如图7A所示，在形成了导体布线(没有图示)以及连接端子3的光透射性的电路基板101的主面上形成各向异性导电性树脂层6。该各向异性导电性树脂层6可以是粘贴制成片状的材料而形成，或者是使用糊状的材料印刷而形成。另外，虽从图7A到图7C都没有示出形成在电子基板101的表面上的导体布线，但与图1A、图12B以及从图3A到图3C所示情况相同，形成有导体布线。
另外，在从图7A到图7C所示的步骤中，对在由光固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的树脂粘结剂4中，分散有如图2(C)所示形状的导电体粒子5的各向异性导电性树脂层6的例子，进行说明。
进而，用粘着层22将第一电子部件71、第二电子部件71以及第三电子部件73的背面暂时固定在转印基板21上。此时，以配置在电路基板101上的方式对各个电子部件进行暂时固定。
接下来，如图7B所示，通过转印基板21将第一电子部件71、第二电子部件71以及第三电子部件73推压在电路基板101上。此时，因为各个电子部件的背面被暂时固定在转印基板21上，所以第一电子部件71的电极端子81和电路基板101的连接端子3的间隔即第一间隔91，与第二电子部件72和连接端子3的间隔即第二间隔92相比较大。但是，因为使用上述那样的导电体粒子5，所以即便存在这样的间隔差异，也能够使连接电阻变小，可以实现良好的安装。另外，电子部件的厚度方向的一部分，被压入各向异性导电性树脂层6中。
在该状态下，从光投射性的电路基板101侧照射紫外线10。通过该光照射，除了电路基板101上的导体布线、连接端子3等的不透明部分，各向异性导电性树脂层6中的光固化型绝缘性树脂被光固化。因此，将各个电子部件固定在电路基本101上，并且也固定了被光照射区域的导电体粒子5。另外，关于被光固化的区域，成为光固化区域23。
接下来，如图7C所示，去除转印基板21，进行加热使热固化型绝缘性树脂热固化。因为各向异性导电性树脂层6被热固化，而成为已固化各向异性导电性树脂层24。另外，由图7B也说明了，各个电子部件的电极端子81、82、83和电路基板101的连接端子3的间隔不同，反映出各个电子部件的厚度的不同。
这样一来，通过使用转印基板21，能够将各个电子部件没有错位地、而且集中推压并进行安装，因此，电子电路装置的制造步骤更加简化。
另外，从图7A到图7C，对从光投射性的电路基板101侧照射紫外线，将各个电子部件固定的方法进行了说明。但是，本发明并不限定于此。例如，在电路基板不透明的情况下，选用光投射性的转印基板，从转印基板侧照射紫外线，也能得到相同的效果。另外，还可以是，电路基板以及转印基板的双方都是光透射性的，从两面进行光照射的方法。
进而，通过使用因光照射而丧失粘着性的材料来形成在转印基板21的主面上形成的粘着层22，在对各向异性导电性树脂层6进行光照射的步骤之后，能够容易地去除转印基板21。另外，还可以使用因加热而丧失粘着性的材料形成粘着层22。即，直至热固化，在用于将电子部件可靠地保持在转印基板21上的步骤中，电子部件没有错位，而在最终步骤中能够容易地去除转印基板21。
另外，在从第一实施方式到第六实施方式中，树脂粘结剂可以使用选自下列树脂中的至少一种，即，光固化型绝缘性树脂、热固化型绝缘性树脂、因光照射而开始固化反应并在经过规定时间后完成固化的迟效固化型绝缘性树脂以及厌气固化型绝缘性树脂。此时，关于热固化型绝缘性树脂，可以使用因固化而收缩的材料。在使用这种固化收缩型的树脂时，能够进一步减小连接电阻，而且能够增大粘结强度。另外，作为用在各向异性导电性树脂中的树脂粘结剂，通过组合使用紫外线固化型粘结树脂和热固化型粘结树脂，可以缓和应力，也能够进一步提高连接部的可靠性。
进而，在从第二实施方式到第六实施方式的制造方法中，也可以采用这样的方法，即，在各向异性导电层形成步骤之后，对多个电子部件进行对齐步骤，然后，对多个电子部件集中进行部件推压步骤和固化步骤。根据该方法，能够在多个电子部件与规定对齐之后，集中推压，使之固化并连接。因此，能够简化制造步骤。特别是，因为能够将包含受动部件和半导体元件的组合、还有厚度不同的半导体元件的多个电子部件集中连接，所以与现有步骤相比可以大幅简化步骤。
另外，还可以采用这样的方法，即，在各向异性导电层形成步骤之后，对多个电子部件进行对齐步骤以及部件推压步骤，然后，对多个电子部件集中进行固化步骤。根据该方法，即便用热固化型树脂作为各向异性导电性树脂层的树脂材料，因为直到部件推压步骤都能够是按各个电子部件而进行的，并能够集中进行固化步骤，所以能够使对于电子部件的加热为最小限。因此，即便是耐热性比较弱的电子部件也能够集中连接，即便在使用这样的电子部件的情况下也能够简化步骤。另外，作为使各向异性导电性树脂层固化的方法，可以根据所用树脂材料，选择加热固化、紫外线照射固化或者两者并用的固化方法等。
另外，也可以是以下方法，即，各向异性导电性树脂的树脂粘结剂是由光固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的，在对齐步骤后，还进一步包含以电子部件固定在各向异性导电性树脂层上的状态从电子部件侧仅对电子部件的周边部位进行光照射的光照射步骤。而且，还可以是这样的方法，即，在上述方法的部件推压步骤中，进一步包含以推压电子部件的状态对电子部件的周边部位的各向异性导电性树脂层进行光照射的第二光照射步骤。通过采用这样的方法，能够用简单的工作方案在电路基板上安装多个电子部件。特别是，即便是厚度不同的电子部件、电极个数或间隔不同的电子部件，也能够制造在横向方向上难以发生短路等的不良情况、可靠性高的电子电路装置。
另外，也可以是以下方法，即，各向异性导电性树脂的树脂粘结剂是由光固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的，在部件推压步骤中，还进一步包含在使电极端子和连接端子通过导电体粒子电接触之后，对电子部件的周边部位的各向异性导电性树脂层进行光照射的光照射步骤。通过采用这样的方法，以推压电子部件使电子部件的电极端子和电路基板的连接端子之间通过导电体粒子电连接的状态，对电子部件的周边部位和通过推压埋入而成的圆角进行光照射使之暂时固化，因此，能够使其连接状态更加稳定。因此，从安装多个电子部件到热固化需要花费相当长的时间，从而能够易于进行制造步骤的调整。
另外，也可以是以下方法，即，各向异性导电性树脂的树脂粘结剂是由因光照射而开始固化反应、经过规定时间后完成固化的迟效固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的，在各向异性导电层形成步骤后，还进一步包含预先对连接电路基板的电子部件的连接区域的各向异性导电性树脂层进行光照射从而使迟效固化型绝缘性树脂的固化开始的固化开始步骤。通过采用这样的方法，以推压电子部件使电子部件的电极端子和电路基板的连接端子之间通过导电体粒子电连接的状态，进行迟效固化型绝缘性树脂的固化。因此，能够降度热固化温度或者缩短加热时间。另外，通过适当选择迟效固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂的材料以及混合比例，能够配合制造条件容易地设定调节迟效固化型绝缘性树脂的固化速度。
另外，也可以是以下方法，即，各向异性导电性树脂的树脂粘结剂是由因光照射而开始固化反应、经过规定时间后完成固化的迟效固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的，在各向异性导电层形成步骤后，进行预先对连接电路基板的电子部件的连接区域的各向异性导电性树脂层进行光照射从而使迟效固化型绝缘性树脂的固化开始的固化开始步骤，在反复进行部件推压步骤并将多个电子部件固定在电路基板的规定位置上之后，进行固化步骤。通过该方法，进行到各个电子部件对电路基板的推压步骤之后，集中进行加热从而热固化，从而即便在安装多个不同电子部件的情况下也能够稳定地得到低电阻的连接部。其结果，能够简化电子电路装置的制造步骤。
另外，也可以是以下方法，即，各向异性导电性树脂的树脂粘结剂是由光固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的，电路基板具有光透射性，在部件推压步骤中，还进一步包含在使电极端子和连接端子电接触之后，从电路基板的背面侧通过电路基板对各向异性导电性树脂层进行光照射的光照射步骤。通过该方法，在电路基板是光透射性的基板时，能够从背面侧进行光线照射使之暂时固化，所以能够简化制造步骤。
另外，也可以是以下方法，即，在上述方法的部件推压步骤中，由于各向异性导电性树脂层的压缩导电体粒子变形，其一部分埋入连接端子和电极端子中并电连接。根据该方法，即便使用在连接端子和电极端子的间隔上有错位的电子部件，也能够减小连接电阻。另外，即便将厚度不同的电子部件集中推压，同样也能够减小连接电阻。因此，能够使用相同的各向异性导电性树脂层、通过相同的安装工作方案在电路基板上安装多种电子部件，从而能够简化制造步骤。
另外，在上述方法的光照射步骤中，可以通过点状的光束进行照射。这样的点状的光束借助光纤能够容易地传导至必要的位置，所以在要只照射小的间隙、局部位置的情况下特别有效。
另外，各向异性导电性树脂是片状的，在电路基板上粘贴片状的各向异性导电性树脂从而形成各向异性导电性树脂层。或者，各向异性导电性树脂是糊状的，在电路基板上涂布糊状的各向异性导电性树脂从而形成各向异性导电性树脂层。通过采用这样的方法，能够遍布各向异性导电性树脂层的较大的表面均匀地形成各向异性导电性树脂层。
还有，在第一实施方式至第六实施方式中，对使用三个电子部件的例子进行了说明，但是本发明并不限定于此。根据电子电路装置的规模，适当选择电子部件的个数即可。而且，作为电子部件，只要是芯片电阻、芯片电容器、感应器元件等的芯片构成的表面安装型的受动部件，或者传感器、或者裸芯片构成的半导体元件，封装型的半导体元件等，通常作为电子电路装置使用的电子部件，就可以使用。
另外，在第一实施方式至第六实施方式中，对使用在核的表面上形成了针状的突起部的导电体粒子的情况进行了说明，但也可以使用在核的表面上形成了树枝状的突起部的导电体粒子。而且，即便使用线圈状的导电体粒子、纤维绒球状的导电体粒子也能够得到相同的效果。
另外，在第一实施方式至第六实施方式中，对电路基板是在表面层上设置了导体布线和部件端子的构成进行了说明，但可以在电路基板上设置形成了内层导体或背面布线、还有贯通导体的多层布线。作为该电路基板，可以是使用树脂、陶瓷、玻璃、薄膜等材料的基板。
本发明的电子电路装置，使用在树脂粘结剂中分散有表面具有突起部的导电体粒子的各向异性导电性树脂，将电子部件安装到电路基板上而构成的。这样的电子电路装置及其制造方法，能够以简单的步骤而且低成本地制造各种电子电路装置，在多种电子设备领域中都是有用的。

Claims (18)

1.一种电子电路装置，其特征在于，
具有：至少在一个面上形成导体布线以及连接端子的电路基板；
设置在所述电路基板的所述一个面上的各向异性导电性树脂层；和
分别在与所述连接端子相对向的位置设置有电极端子的多个电子部件，
所述各向异性导电性树脂层包含选自线圈状的导电体粒子、纤维绒球状的导电体粒子、以及具有核和形成于所述核的表面且比所述核大幅突出并具有导电性的多个突起部的导电体粒子或在表面具备具有导电性和弯曲性的多个突起部的导电体粒子中的至少一种的导电体粒子和树脂粘结剂，通过所述导电体粒子电连接多个所述电子部件的所述电极端子和所述连接端子，并且机械地固定所述电子部件和所述电路基板且保护所述导体布线。
2.根据权利要求1所述的电子电路装置，其特征在于，
多个所述电子部件由至少两个以上厚度不同的部件构成，***所述电极端子和所述连接端子之间的所述各向异性导电性树脂层的厚度，在厚度不同的所述电子部件之间各不相同。
3.根据权利要求1所述的电子电路装置，其特征在于，
多个所述电子部件由至少两个以上厚度不同的部件构成，***所述电极端子和所述连接端子之间的所述各向异性导电性树脂层的厚度，在所述电子部件之间相同。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子电路装置，其特征在于，
在所述电子部件的侧面上，由所述各向异性导电性树脂层形成有圆角。
5.根据权利要求1所述的电子电路装置，其特征在于，
所述树脂粘结剂可以使用选自下列树脂中的至少一种，即，光固化型绝缘性树脂、热固化型绝缘性树脂、因光照射而开始固化反应并在经过规定时间后完成固化的迟效固化型绝缘性树脂以及厌气固化型绝缘性树脂。
6.一种电子电路装置的制造方法，其特征在于，包括：
各向异性导电层形成步骤，在电路基板上设置由各向异性导电性树脂构成的各向异性导电性树脂层，所述各向异性导电性树脂包含选自线圈状的导电体粒子、纤维绒球状的导电体粒子、以及具有核和形成于所述核的表面且比所述核大幅突出并具有导电性的多个突起部的导电体粒子或在表面具备具有导电性和弯曲性的多个突起部的导电体粒子中的至少一种导电体粒子和树脂粘结剂；
对齐步骤，使所述电路基板的连接端子与电子部件的电极端子对齐；
部件推压步骤，推压所述电子部件并压入所述各向异性导电性树脂层中，压缩所述电极端子和所述连接端子之间的所述各向异性导电性树脂层，从而借助于所述导电体粒子使所述电极端子和所述连接端子电接触；和
固化步骤，使所述各向异性导电性树脂层固化，粘结固定所述电子部件和所述电路基板。
7.根据权利要求6所述的电子电路装置的制造方法，其特征在于，
在所述各向异性导电层形成步骤之后，对多个电子部件进行所述对齐步骤，然后对多个所述电子部件集中进行所述部件推压步骤以及所述固化步骤。
8.根据权利要求6所述的电子电路装置的制造方法，其特征在于，
在所述各向异性导电层形成步骤之后，对多个电子部件进行所述对齐步骤以及所述部件推压步骤，然后对多个所述电子部件集中进行所述固化步骤。
9.根据权利要求6所述的电子电路装置的制造方法，其特征在于，
所述各向异性导电性树脂的所述树脂粘结剂是由光固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的，在所述对齐步骤后，还包含在所述电子部件固定在所述各向异性导电性树脂层上的状态下从所述电子部件侧仅对所述电子部件的周边部位进行光照射的光照射步骤。
10.根据权利要求9所述的电子电路装置的制造方法，其特征在于，
在所述部件推压步骤中，还包含在推压所述电子部件的状态下对所述电子部件的周边部位的所述各向异性导电性树脂层进行光照射的第二光照射步骤。
11.根据权利要求6所述的电子电路装置的制造方法，其特征在于，
所述各向异性导电性树脂的所述树脂粘结剂是由光固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的，
在所述部件推压步骤中，还包含在通过所述导电体粒子使所述电极端子与所述连接端子电接触之后，对所述电子部件的周边部位的所述各向异性导电性树脂层进行光照射的光照射步骤。
12.根据权利要求6所述的电子电路装置的制造方法，其特征在于，
所述各向异性导电性树脂的所述树脂粘结剂是由因光照射而开始固化反应、经过规定时间后完成固化的迟效固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的，
在所述各向异性导电层形成步骤后，还包含预先对与所述电路基板的所述电子部件连接的连接区域中的所述各向异性导电性树脂层进行光照射，从而使所述迟效固化型绝缘性树脂的固化开始的固化开始步骤。
13.根据权利要求7所述的电子电路装置的制造方法，其特征在于，
所述各向异性导电性树脂的所述树脂粘结剂是由因光照射而开始固化反应、经过规定时间后完成固化的迟效固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的，
在所述各向异性导电层形成步骤后，进行预先对与所述电路基板的所述电子部件连接的连接区域中的所述各向异性导电性树脂层进行光照射，从而使所述迟效固化型绝缘性树脂的固化开始的固化开始步骤，在反复进行所述部件推压步骤并将多个所述电子部件固定在所述电路基板的规定位置上之后，进行所述固化步骤。
14.根据权利要求6所述的电子电路装置的制造方法，其特征在于，
所述各向异性导电性树脂的所述树脂粘结剂是由光固化型绝缘性树脂和热固化型绝缘性树脂构成的，所述电路基板具有光透射性，
在所述部件推压步骤中，还包含在使所述电极端子和所述连接端子电接触之后，从所述电路基板的背面侧通过所述电路基板对所述各向异性导电性树脂层进行光照射的光照射步骤。
15.根据权利要求6所述的电子电路装置的制造方法，其特征在于，
在所述部件推压步骤中，由于所述各向异性导电性树脂层的压缩，所述导电体粒子变形，其一部分埋入所述连接端子和所述电极端子中并将它们电连接。
16.根据权利要求9所述的电子电路装置的制造方法，其特征在于，
在光照射步骤中，可以通过点状的光束进行照射。
17.根据权利要求6所述的电子电路装置的制造方法，其特征在于，
所述各向异性导电性树脂是片状的，在所述电路基板上粘贴所述片状的所述各向异性导电性树脂，从而形成所述各向异性导电性树脂层。
18.根据权利要求6所述的电子电路装置的制造方法，其特征在于，
所述各向异性导电性树脂是糊状的，在所述电路基板上涂布所述糊状的所述各向异性导电性树脂，从而形成所述各向异性导电性树脂层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107432083A (zh) * 2015-03-18 2017-12-01 拓自达电线株式会社 可伸缩电缆和可伸缩电路板

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8510935B2 (en) * 2007-07-10 2013-08-20 Joseph C Fjelstad Electronic assemblies without solder and methods for their manufacture
JP4814277B2 (ja) * 2008-04-18 2011-11-16 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 接合体、該接合体の製造方法、及び該接合体に用いられる異方性導電膜
BRPI0920736A2 (pt) * 2008-09-29 2015-12-29 Sharp Kk módulo de placa e método de fabricação do mesmo.
JP5106457B2 (ja) * 2009-03-24 2012-12-26 パナソニック株式会社 電子部品接合方法とバンプ形成方法およびその装置
EP2413676A4 (en) * 2009-03-26 2013-03-27 Sharp Kk CHIP COMPONENT APPLICATION STRUCTURE, CHIP COMPONENT ATTACHMENT METHOD, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ARRANGEMENT
WO2010144809A2 (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Interfacial Solutions Ip, Llc Microfabricated particles in composite materials and methods for producing the same
CN103079343B (zh) * 2011-10-26 2017-12-05 日立化成株式会社 电路零件
CN103094737A (zh) * 2011-11-05 2013-05-08 宝宸（厦门）光学科技有限公司 引脚结构与引脚连接结构
WO2013128621A1 (ja) * 2012-03-01 2013-09-06 パイオニア株式会社 有機ｅｌ装置及びその製造方法
JP6124513B2 (ja) * 2012-05-17 2017-05-10 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP6128495B2 (ja) * 2012-07-04 2017-05-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電子部品実装構造体、ｉｃカード、ｃｏｆパッケージ
US20150334839A1 (en) * 2012-12-20 2015-11-19 Sharp Kabushiki Kaisha Component-fixing method, circuit substrate, and display panel
JP5907861B2 (ja) * 2012-12-26 2016-04-26 株式会社 日立パワーデバイス 半導体モジュール、及び半導体モジュールの製造方法
JP6415058B2 (ja) * 2013-02-19 2018-10-31 キヤノン株式会社 画像表示装置
JP6291165B2 (ja) * 2013-03-15 2018-03-14 デクセリアルズ株式会社 接続体の製造方法、及び電子部品の接続方法
US9997491B2 (en) * 2013-07-08 2018-06-12 Sony Corporation Method of determining curing conditions, method of producing circuit device, and circuit device
JP5949811B2 (ja) * 2014-03-04 2016-07-13 日立化成株式会社 電子部品の製造方法
DE102014211467A1 (de) * 2014-06-16 2015-12-17 Robert Bosch Gmbh Kontaktsystem mit einer elektrisch leitfähigen Laminatfolie
JP6783537B2 (ja) * 2016-03-24 2020-11-11 デクセリアルズ株式会社 接続体の製造方法
WO2018042701A1 (ja) 2016-08-30 2018-03-08 日立化成株式会社 接着剤組成物
US9836095B1 (en) * 2016-09-30 2017-12-05 Intel Corporation Microelectronic device package electromagnetic shield
US11184975B2 (en) * 2017-02-06 2021-11-23 Carnegie Mellon University Method of creating a flexible circuit
JP7314801B2 (ja) * 2017-12-28 2023-07-26 株式会社レゾナック 接続構造体及びその製造方法
JPWO2020017582A1 (ja) * 2018-07-20 2021-06-24 株式会社村田製作所 モジュール
WO2020079744A1 (ja) * 2018-10-16 2020-04-23 株式会社Ｆｕｊｉ 回路形成方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US617287A (en) * 1899-01-03 Judson d
EP0360971A3 (en) * 1988-08-31 1991-07-17 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Mounting substrate and its production method, and printed wiring board having connector function and its connection method
EP0376322A3 (en) * 1988-12-29 1991-07-17 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Three-dimensional image forming method
JP3057893B2 (ja) * 1992-04-28 2000-07-04 三菱化学ポリエステルフィルム株式会社 積層フィルム
JP3421387B2 (ja) 1993-06-14 2003-06-30 株式会社ナ・デックス 抵抗溶接機の電極間電圧測定装置及び測定方法
JP2896657B2 (ja) * 1996-06-28 1999-05-31 旭ダイヤモンド工業株式会社 ドレッサ及びその製造方法
JP2850894B2 (ja) * 1997-02-05 1999-01-27 日本電気株式会社 半導体実装方法
JPH11195860A (ja) * 1997-12-27 1999-07-21 Canon Inc 接着部材、該接着部材を備えたマルチチップモジュール、及び該接着部材による接着方法
JPH11306861A (ja) 1998-04-09 1999-11-05 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 導電性接着剤組成物、それを有する異方導電性接着フィルム及びそのフィルムを用いた接続方法
JP3536728B2 (ja) * 1998-07-31 2004-06-14 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びテープキャリア並びにそれらの製造方法、回路基板、電子機器並びにテープキャリア製造装置
JP2000133330A (ja) * 1998-10-26 2000-05-12 Seiko Epson Corp 異方性導電膜、それを用いた半導体実装基板、液晶装置、および電子機器
JP3660175B2 (ja) * 1998-11-25 2005-06-15 セイコーエプソン株式会社 実装構造体及び液晶装置の製造方法
JP2000294894A (ja) * 1998-12-21 2000-10-20 Seiko Epson Corp 回路基板およびその製造方法ならびに回路基板を用いた表示装置および電子機器
JP3379456B2 (ja) * 1998-12-25 2003-02-24 ソニーケミカル株式会社 異方導電性接着フィルム
WO2001006558A1 (fr) * 1999-07-16 2001-01-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Emballage de dispositifs a semi-conducteurs et leur procede de fabrication
JP3578011B2 (ja) * 1999-09-28 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の実装構造
DE60119270T2 (de) * 2000-02-29 2007-04-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Leitfähiger klebstoff, apparat zum fertigen einer elektronischen komponente und verfahren zu deren fertigung
JP2001323246A (ja) * 2000-03-07 2001-11-22 Sony Chem Corp 電極接続用接着剤及びこれを用いた接着方法
US6603107B2 (en) * 2000-04-10 2003-08-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Image pickup device and portable telephone
JP3384398B2 (ja) * 2000-05-25 2003-03-10 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、その製造方法および電子機器
JP2002014615A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Masami Matsumiya 金属製プレート及びタグ並びにその製造方法及びその製造装置
US6909178B2 (en) * 2000-09-06 2005-06-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW511415B (en) * 2001-01-19 2002-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Component built-in module and its manufacturing method
JP2002311449A (ja) * 2001-02-06 2002-10-23 Seiko Epson Corp 液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器
JP3665579B2 (ja) * 2001-02-26 2005-06-29 ソニーケミカル株式会社 電気装置製造方法
TW544938B (en) * 2001-06-01 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US6743700B2 (en) * 2001-06-01 2004-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device and method of their production
JP5072157B2 (ja) * 2001-09-27 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2003243797A (ja) * 2002-02-19 2003-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd モジュール部品
JP3879642B2 (ja) * 2002-09-20 2007-02-14 セイコーエプソン株式会社 ハンダ印刷用マスク、配線基板及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法
JP2003204135A (ja) * 2002-09-20 2003-07-18 Canon Inc マルチチップモジュール、及びディスプレイパネル
JP2004238443A (ja) 2003-02-04 2004-08-26 Sekisui Chem Co Ltd 異方導電性光後硬化型粘接着シート、それを用いた電気部品の接合方法及び電気部品
JP3891133B2 (ja) * 2003-03-26 2007-03-14 セイコーエプソン株式会社 電子部品の製造方法および電子部品の実装方法
JP2005191541A (ja) * 2003-12-05 2005-07-14 Seiko Epson Corp 半導体装置、半導体チップ、半導体装置の製造方法及び電子機器
JP3873986B2 (ja) * 2004-04-16 2007-01-31 セイコーエプソン株式会社 電子部品、実装構造体、電気光学装置および電子機器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107432083A (zh) * 2015-03-18 2017-12-01 拓自达电线株式会社 可伸缩电缆和可伸缩电路板

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