CN100536066C - 基板处理方法、基板处理***以及基板处理装置 - Google Patents

Abstract

一种能降低在曝光装置内的载物台等机构的污染的基板处理方法、基板处理***以及基板处理装置。将仿真基板向在曝光前后进行抗蚀剂涂布处理和显影处理的基板处理装置搬送，其中仿真基板在校准处理中使用，而该校准处理是在对应于液浸曝光的曝光单元中调整图案图像的曝光位置的处理。在基板处理装置中，将接受到的仿真基板表面和背面反转，然后将其搬送到背面清洗处理单元中执行背面清洗处理。其后再次将仿真基板表面和背面反转，然后将其搬送到表面清洗处理单元而执行表面清洗处理。清洗后的仿真基板再次从基板处理装置返回到曝光单元中。由于能够在曝光单元侧使用清洁的仿真基板执行校准处理，因此能够降低基板载物台等曝光单元内的机构的污染。

Description

基板处理方法、基板处理***以及基板处理装置

技术领域

本发明涉及将基板处理装置与曝光装置连接而成的基板处理***、使用该***的基板处理方法、以及在该***中使用的基板处理装置，其中该基板处理装置是对半导体基板、液晶显示装置用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板等(以下简称为“基板”)进行抗蚀剂涂布处理和显影处理的装置，而该曝光装置是对涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理的装置。

背景技术

众所周知，半导体和液晶显示器等产品，是通过对上述基板实施清洗、抗蚀剂涂布、曝光、显影、蚀刻、层间绝缘膜的形成、热处理、切割等一系列处理而制造出来的。在这些处理中，曝光处理是将标线(reticle)(用于印相的掩模)的图案转印到涂布了抗蚀剂的基板上的处理、即成为所谓的光刻处理的核心的处理。通常，由于图案非常微细，所以不会对基板整个表面统一进行曝光，而会分为数片，反复进行曝光，也就是进行所谓的分级曝光。

另一方面，近年来，随着半导体器件等急速地高密度化，要求掩模图案进一步微细化也越来越强烈。因此，作为进行曝光处理的曝光装置的光源，取代以往的紫外线灯，波长相对较短的、称为KrF准分子激光光源或者ArF准分子激光光源的远紫外线光源(Deep UV)占据着主流。但是，对于现在的进一步的微细化要求，甚至ArF准分子激光光源也不能够满足要求。为了对此进行应对，考虑过在曝光装置中采用波长更短的光源、例如F2激光光源，但是，作为能够降低成本方面的负担并能够使图案进一步微细化的曝光技术而提出有液浸(immersion)曝光处理法(例如参照专利文献1)。

液浸曝光处理法是这样的技术：通过在使投影光学***与基板之间充满折射率n大于大气(n＝1)的液体(例如，n＝1.44的纯水)的状态下进行“液浸曝光”，从而增大开口数(numerical aperture)而使析像度提高。根据该液浸曝光处理法，即使直接挪用现有的ArF准分子激光光源(波长193nm)，也能够使其等效波长为134nm，从而能够抑制成本负担增加的同时，使抗蚀剂掩模图案微细化。

与现有的干式曝光相同，在这种液浸曝光处理法中，使掩模图案图像与基板上的曝光区域正确地对准也很重要。因此，在与液浸曝光处理法对应的曝光装置中也进行校准(alignment)处理，该校准处理是对基板载物台的位置和标线位置进行校正而调节图案图像的曝光位置的处理。但是，由于在对应于液浸曝光处理法的曝光装置中，可能会在校准处理时因液体(液浸液体)侵入到基板载物台内部而产生不良，因此在专利文献2中公开了在基板载物台上配置仿真(dummy)基板来进行校准处理的方法。这样一来，与通常的曝光处理时相同，由于载物台凹部由仿真基板堵住，所以能够防止液体侵入到载物台内部。

专利文献1：国际公开99/49504号手册，

专利文献2：JP特开2005-268747号公报。

但是，在使用了如专利文献2中所述那样的仿真基板的校准处理中，当仿真基板本身的背面被污染时，该污染有可能会转印到载物台凹部上。当在曝光装置的载物台凹部上附着了颗粒等而被污染时，不仅该颗粒会附着在处理对象基板上，而且也有可能在曝光处理时基板的高度位置会发生微妙的偏差而影响正确的图案曝光。

此外，在曝光装置的载物台被污染的情况下，需要对载物台自身进行清扫。但是，不停止曝光装置而对载物台进行清扫并不容易。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而做出的，其目的在于提供一种能够降低曝光装置内的载物台等机构的污染的基板处理技术。

此外，本发明的目的在于提供一种能够容易地清扫曝光装置内的载物台的污染的基板处理技术。

为了解决上述课题，本发明的第一方案是一种基板处理方法，将在基板处理装置中进行了抗蚀剂涂布处理后的基板搬送到曝光装置中而进行图案曝光之后，使该基板返回到所述基板处理装置而进行显影处理，其特征在于，该方法包括：送出工序，将仿真基板搬送到所述基板处理装置中，其中所述仿真基板在所述曝光装置内用于调整图案图像的曝光位置，第一反转工序，在所述基板处理装置内，以使所述仿真基板的背面成为上表面的方式反转所述仿真基板，清洗工序，在所述基板处理装置内对所述仿真基板的背面进行清洗，第二反转工序，在所述基板处理装置内，以使背面清洗后的所述仿真基板的背面成为下表面的方式反转所述仿真基板，归还工序，将清洗后的所述仿真基板搬送到所述曝光装置中。

此外，本发明的第二方案是如第一方案所述的基板处理方法，其特征在于，所述清洗工序是在所述曝光装置内对曝光位置进行调整之前和/或之后执行。

此外，本发明的第三方案是如第一方案或第二方案所述的基板处理方法，其特征在于，定期地执行所述清洗工序。

此外，本发明的第四方案是如第一～第三方案的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，该方法还包括在所述基板处理装置内对所述仿真基板的表面进行清洗的工序。

此外，本发明第五方案是一种基板处理方法，将在基板处理装置中进行了抗蚀剂涂布处理的基板搬送到曝光装置中而进行图案曝光之后，使该基板返回到所述基板处理装置而进行显影处理，其特征在于，该方法包括：送出工序，将清洁基板搬送到所述基板处理装置中，其中，所述清洁基板在所述曝光装置内用于清洁承载基板的载物台，第一反转工序，在所述基板处理装置内，以使所述清洁基板的背面成为上表面的方式反转所述清洁基板，清洗工序，在所述基板处理装置内对所述清洁基板的背面进行清洗，第二反转工序，在使所述基板处理装置内，以背面清洗后的所清洁基板的背面成为下表面的方式反转所述清洁基板，归还工序，将清洗后的所述清洁基板搬送到所述曝光装置中。

此外，本发明第六方案是一种基板处理***，其由基板处理装置和曝光装置连接而成，其中该基板处理装置对基板进行抗蚀剂涂布处理和显影处理，该曝光装置对涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理，其特征在于，所述曝光装置包括：存储部，其存储仿真基板，所述仿真基板用于调整图案图像的曝光位置；第一搬送装置，其在所述存储部与所述基板处理装置之间搬送仿真基板，所述基板处理装置包括：反转部，其使仿真基板的上下表面反转；背面清洗部，其对仿真基板的背面进行清洗；第二搬送装置，其在所述第一搬送装置与所述反转部以及所述背面清洗部之间搬送仿真基板。

此外，本发明的第七方案是如第六方案所述的基板处理***，其特征在于，所述基板处理装置还包括对仿真基板的表面进行清洗的表面清洗部，所述第二搬送装置，在所述第一搬送装置与所述反转部、所述表面清洗部以及所述背面清洗部之间搬送仿真基板。

此外，本发明的第八方案是如第六方案或者第七方案所述的基板处理***，其特征在于，所述曝光装置还包括清洗请求部，该清洗请求部向所述基板处理装置发送对仿真基板的清洗请求信号，所述基板处理装置还包括清洗控制部，该清洗控制部接收所述清洗请求部的清洗请求信号，对所述第二搬送装置、所述反转部以及所述背面清洗部进行控制，而对仿真基板的背面进行清洗处理。

此外，本发明的第九方案是如第六方案或者第七方案所述的基板处理***，其特征在于，所述基板处理装置还包括搬出请求部，该搬出请求部向所述曝光装置发送请求搬出仿真基板的搬出请求信号，所述曝光装置还包括搬送控制部，该搬送控制部接收所述搬出请求部的搬出请求信号时，对所述第一搬送装置进行控制而将仿真基板搬送到所述基板处理装置中。

此外，本发明的第十方案是如第六方案或者第七方案所述的基板处理***，其特征在于，该***还包括主计算机，该主计算机对所述基板处理装置以及所述曝光装置进行管理，所述曝光装置还包括搬送控制部，该搬送控制部接收所述主计算机的清洗开始信号，对所述第一搬送装置进行控制而将仿真基板搬送到所述基板处理装置中，所述基板处理装置还包括清洗控制部，该清洗控制部接收所述主计算机的清洗开始信号，对所述第二搬送装置、所述反转部以及所述背面清洗部进行控制，而对仿真基板的背面进行清洗处理。

此外，本发明的第十一方案是如第六方案或者第七方案所述的基板处理***，其特征在于，该***还包括主计算机，该主计算机对所述基板处理装置以及所述曝光装置进行管理，所述曝光装置还包括搬送控制部，该搬送控制部对所述第一搬送装置进行控制而将仿真基板搬送到所述基板处理装置中，所述基板处理装置还包括清洗控制部，该清洗控制部对所述第二搬送装置、所述反转部以及所述背面清洗部进行控制，而对仿真基板进行背面清洗处理，该***包括有计划管理部，该计划管理部使所述搬送控制部以及所述清洗控制部定期地执行仿真基板的背面清洗处理。

此外，本发明第十二方案是一种基板处理***，其由基板处理装置与曝光装置连接而成，该基板处理装置对基板进行抗蚀剂涂布处理和显影处理，该曝光装置对涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理，其特征在于，所述曝光装置包括：载物台，其在曝光处理时对基板进行承载；存储部，其存储清洁基板，该清洁基板用于清洁所述载物台；第一搬送装置，其在所述存储部与所述基板处理装置之间搬送清洁基板，所述基板处理装置包括：反转部，其使清洁基板的上下表面反转；背面清洗部，其对清洁基板的背面进行清洗；第二搬送装置，其在所述第一搬送装置与所述反转部以及所述背面清洗部之间搬送清洁基板。

此外，本发明的第十三方案是一种基板处理装置，与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻配置，对基板进行抗蚀剂涂布处理和显影处理，其特征在于，该装置包括：背面清洗部，其对仿真基板的背面进行清洗，该仿真基板在所述曝光装置内用于调整图案图像的曝光位置；反转部，其使仿真基板的上下表面反转；搬送装置，其在所述曝光装置与所述反转部以及所述背面清洗部之间搬送仿真基板。

此外，本发明的第十四方案是如第十三方案所述的基板处理装置，其特征在于，该装置还包括对仿真基板的表面进行清洗的表面清洗部，所述搬送装置在所述曝光装置与所述反转部、所述表面清洗部以及所述背面清洗部之间搬送仿真基板。

此外，本发明的第十五方案是如第十三方案或者第十四方案所述的基板处理装置，其特征在于，该装置还包括清洗控制部，该清洗控制部接收曝光装置发出的对仿真基板进行清洗的请求，对所述搬送装置、所述反转部以及所述背面清洗部进行控制，而对仿真基板的背面进行清洗处理。

此外，本发明的第十六方案是如第十三方案或者第十四方案所述的基板处理装置，其特征在于，该装置还包括搬送请求部，该搬送请求部向所述曝光装置发送请求搬出仿真基板的搬出请求信号。

此外，本发明的第十七方案是如第十六方案所述的基板处理装置，其特征在于，该装置还包括计划管理部，该计划管理部使所述搬出请求部定期地发送搬出请求信号。

此外，本发明的第十八方案是一种基板处理装置，与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻配置，对基板进行抗蚀剂涂布处理和显影处理，其特征在于，该装置包括：背面清洗部，其对清洁基板的背面进行清洗，该清洁基板在所述曝光装置内用于清洁承载基板的载物台；反转部，其使清洁基板的上下表面反转；搬送装置，其在所述曝光装置与所述反转部以及所述背面清洗部之间搬送清洁基板。

本发明提供一种基板处理方法，将在基板处理装置中进行了抗蚀剂涂布处理后的基板搬送到曝光装置中进行图案曝光之后，使该基板返回到所述基板处理装置中进行显影处理，其特征在于，该方法包括：涂布处理工序，在所述基板处理装置中对基板进行抗蚀剂涂布处理；基板送出工序，将所述基板从所述基板处理装置搬送到所述曝光装置中；曝光工序，在所述曝光装置中对所述基板进行图案图像的曝光；基板归还工序，将所述基板从所述曝光装置搬送到所述基板处理装置中；显影处理工序，在所述基板处理装置中对所述基板进行显影处理；曝光位置调整工序，使用仿真基板，调整在所述曝光装置中对所述基板进行曝光的图案图像的曝光位置；仿真基板送出工序，将仿真基板搬送到所述基板处理装置中，其中所述仿真基板在所述曝光装置内用于调整图案图像的曝光位置；第一反转工序，在所述基板处理装置内，以使所述仿真基板的背面成为上表面的方式反转所述仿真基板；清洗工序，在所述基板处理装置内对所述仿真基板的背面进行清洗；第二反转工序，在所述基板处理装置内，以使背面清洗后的所述仿真基板的背面成为下表面的方式反转所述仿真基板；仿真基板归还工序，将清洗后的所述仿真基板搬送到所述曝光装置中。

本发明提供一种基板处理方法，将在基板处理装置中进行了抗蚀剂涂布处理的基板搬送到曝光装置中进行图案曝光之后，使该基板返回到所述基板处理装置中进行显影处理，其特征在于，该方法包括：涂布处理工序，在所述基板处理装置中对基板进行抗蚀剂涂布处理；基板送出工序，将所述基板从所述基板处理装置搬送到所述曝光装置中；曝光工序，在所述曝光装置中对所述基板进行图案图像的曝光；基板归还工序，将所述基板从所述曝光装置搬送到所述基板处理装置中；显影处理工序，在所述基板处理装置中对所述基板进行显影处理；载物台清洁工序，使用清洁基板，对在所述曝光装置中进行曝光处理时承载基板的载物台进行清洁处理；清洁基板送出工序，将在所述载物台清洁工序中使用的清洁基板搬送到所述基板处理装置中；第一反转工序，在所述基板处理装置内，以使所述清洁基板的背面成为上表面的方式反转所述清洁基板；清洗工序，在所述基板处理装置内对所述清洁基板的背面进行清洗；第二反转工序，在所述基板处理装置内，以使背面清洗后的所清洁基板的背面成为下表面的方式反转所述清洁基板；清洁基板归还工序，将清洗后的所述清洁基板搬送到所述曝光装置中。

本发明提供一种基板处理***，其由基板处理装置和曝光装置连接而成，其中该基板处理装置对基板进行抗蚀剂涂布处理和显影处理，该曝光装置对涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理，其特征在于，所述曝光装置包括：存储部，其存储仿真基板，所述仿真基板用于调整图案图像的曝光位置，所述图案图像用于对在所述基板处理装置中涂布了抗蚀剂的基板进行曝光，第一搬送装置，其在所述存储部与所述基板处理装置之间搬送仿真基板，并向所述基板处理装置交接所述基板；所述基板处理装置包括：涂布处理部，其对基板进行抗蚀剂涂布处理，显影处理部，其对基板进行显影处理，反转部，其使仿真基板的上下表面反转，背面清洗部，其对仿真基板的背面进行清洗，第二搬送装置，其在所述第一搬送装置与所述反转部以及所述背面清洗部之间搬送仿真基板，并向所述曝光装置交接所述基板。

本发明提供一种基板处理***，其由基板处理装置与曝光装置连接而成，该基板处理装置对基板进行抗蚀剂涂布处理和显影处理，该曝光装置对涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理，其特征在于，所述曝光装置包括：载物台，其在所述基板处理装置中对涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理时，对所述基板进行承载，存储部，其存储清洁基板，该清洁基板用于清洁所述载物台，第一搬送装置，其在所述存储部与所述基板处理装置之间搬送清洁基板，并向所述基板处理装置交接所述基板；所述基板处理装置包括：涂布处理部，其对基板进行抗蚀剂涂布处理，显影处理部，其对基板进行显影处理，反转部，其使清洁基板的上下表面反转，背面清洗部，其对清洁基板的背面进行清洗，第二搬送装置，其在所述第一搬送装置与所述反转部以及所述背面清洗部之间搬送清洁基板，并向所述曝光装置交接所述基板。

本发明提供一种基板处理装置，与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻配置，对基板进行抗蚀剂涂布处理和显影处理，其特征在于，该装置包括：涂布处理部，其对基板进行抗蚀剂涂布处理；显影处理部，其对基板进行显影处理；背面清洗部，其对仿真基板的背面进行清洗，该仿真基板在所述曝光装置内用于调整图案图像的曝光位置，该图案图像用于对在所述涂布处理部中涂布了抗蚀剂的基板进行曝光；反转部，其使仿真基板的上下表面反转；搬送装置，其在所述曝光装置与所述反转部以及所述背面清洗部之间搬送仿真基板，并向所述曝光装置交接所述基板。

本发明提供一种基板处理装置，与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻配置，对基板进行抗蚀剂涂布处理和显影处理，其特征在于，该装置包括：涂布处理部，其对基板进行抗蚀剂涂布处理；显影处理部，其对基板进行显影处理；背面清洗部，其对清洁基板的背面进行清洗，该清洁基板在所述曝光装置内用于清洁载物台，其中，当对在所述涂布处理部中涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理时，所述载物台承载所述基板；反转部，其使清洁基板的上下表面反转；搬送装置，其在所述曝光装置与所述反转部以及所述背面清洗部之间搬送清洁基板，并向所述曝光装置交接所述基板。

根据本发明的第一方案，将在曝光装置内调整图案图像的曝光位置时所使用的仿真基板搬送到基板处理装置中并对该基板的背面清洗之后，将背面被清洗了的仿真基板搬送到曝光装置中，因此能够用从背面除去了污染物质的清洁的仿真基板调整曝光位置，而能够降低曝光装置内的载物台等机构的污染。

此外，根据本发明的第二方案，由于清洗工序在上述曝光装置内调整曝光装置之前以及之后执行，因此能够用清洗后的背面清洁的仿真基板调整曝光位置，以及/或者，在调整曝光位置中附着了液滴的情况下，在液滴干燥之前也能够清洗仿真基板。

此外，根据本发明的第三方案，由于定期地执行清洗工序，因此能够维持曝光装置内的机构的污染降低的状态。

此外，根据本发明的第四方案，由于也清洗仿真基板的表面，所以能够更可靠地降低曝光装置内的机构的污染。

此外，根据本发明的第五方案，由于将对在曝光装置内承载基板的载物台清洁时使用的清洁基板搬送到基板处理装置中，并对其背面清洗之后，将背面被清洗的清洁基板搬送到曝光装置中，因此能够用从背面除去了污染的干净的清洁基板清洁载物台，而能够容易地清扫曝光装置内的载物台的污染。

此外，根据本发明的第六方案，由于曝光装置包括：存储部，其存储仿真基板，仿真基板在调整图案图像的曝光位置时使用；第一搬送装置，其在存储部与基板处理装置之间搬送仿真基板，基板处理装置包括：反转部，其使仿真基板的上下表面反转；背面清洗部，其对仿真基板的背面进行清洗；第二搬送装置，其在第一搬送装置与反转部以及背面清洗部之间搬送仿真基板，因此能够用从背面除去了污染物质的干净的仿真基板调整曝光位置，而能够降低曝光装置内的载物台等机构的污染。

此外，根据本发明的第七方案，由于还包括对仿真基板的表面进行清洗的表面清洗部，所以能够更可靠地降低曝光装置内机构的污染。

此外，根据本发明的第八方案，曝光装置还包括清洗请求部，该清洗请求部向基板处理装置发送对仿真基板的清洗请求信号，基板处理装置还包括清洗控制部，该清洗控制部在从清洗请求部接收到清洗请求信号时，对第二搬送装置、反转部以及背面清洗部进行控制，而对仿真基板的背面进行清洗处理，因此能够根据来自曝光装置侧的清洗请求而对仿真基板的背面进行清洗处理。

此外，根据本发明的第九方案，基板处理装置还包括搬出请求部，该搬出请求部向曝光装置发送请求搬出仿真基板的搬出请求信号，曝光装置还包括搬送控制部，该搬送控制部在从搬出请求部接收到搬出请求信号时，以将仿真基板搬送到所述基板处理装置中的方式对第一搬送装置进行控制，因此能够根据来自基板处理装置侧的清洗请求而对仿真基板的背面进行清洗处理。

此外，根据本发明的第十方案，曝光装置还包括搬送控制部，该搬送控制部在从主计算机接收到清洗开始信号时，以将仿真基板搬送到基板处理装置中的方式对第一搬送装置进行控制，基板处理装置还包括清洗控制部，该清洗控制部在从主计算机接收到清洗开始信号时，对第二搬送装置、反转部以及背面清洗部进行控制，而对仿真基板的背面进行清洗处理，因此能够根据来自主计算机侧的清洗请求来进行仿真基板的背面清洗处理。

此外，根据本发明的第十一方案，由于包括定期地对仿真基板的背面执行清洗处理的计划管理部，因此能够维持曝光装置内机构的污染降低。

此外，根据本发明的第十二方案，曝光装置包括：载物台，其在曝光处理时对基板进行承载；存储部，其存储清洁基板，该清洁基板在对所述载物台进行清洁时使用；第一搬送装置，其在存储部与基板处理装置之间搬送清洁基板，基板处理装置包括：反转部，其使清洁基板的上下表面反转；背面清洗部，其对清洁基板的背面进行清洗；第二搬送装置，其在第一搬送装置与反转部以及背面清洗部之间搬送清洁基板，因此能用从背面除去了污染物质的干净的基板清洁载物台，并能降低曝光装置内的载物台等机构的污染。

此外，根据本发明的第十三方案，包括：背面清洗部，其对仿真基板的背面进行清洗，该仿真基板在曝光装置内对图案图像的曝光位置进行调整时使用；反转部，其使仿真基板的上下表面反转；搬送装置，其在曝光装置与反转部以及背面清洗部之间搬送仿真基板，因此能够用从背面除去了污染物质的干净的基板调整曝光位置，而能够降低曝光装置内的载物台等机构的污染。

此外，根据本发明的第十四方案，还包括对仿真基板的表面进行清洗的表面清洗部，所以能够更可靠地降低曝光装置内机构的污染。

此外，根据本发明的第十五方案，该装置还包括清洗控制部，该清洗控制部在从曝光装置接收到仿真基板的清洗请求时，对搬送装置、反转部以及背面清洗部进行控制，而对仿真基板的背面进行清洗处理，因此能够根据来自曝光装置的清洗请求来进行仿真基板的背面清洗处理。

此外，根据本发明的第十六方案，还包括向曝光装置发送请求搬出仿真基板的搬出请求信号的搬送请求部，因此能够根据来自基板处理装置侧的清洗请求而对仿真基板的背面进行清洗处理。

此外，根据本发明的第十七方案，还包括使搬出请求部定期地发送搬送请求信号的计划管理部，因此能够降低曝光装置内的机构的污染。

此外，根据本发明的第十八方案，该装置包括：背面清洗部，其对清洁基板的背面进行清洗，该清洁基板在曝光装置内对承载基板的载物台进行清洁时使用；反转部，其使清洁基板的上下表面反转；搬送装置，其在曝光装置与反转部以及背面清洗部之间搬送清洁基板，因此能够用从背面除去了污染物质的干净的清洁基板对载物台清洁，而能够容易地清扫曝光装置内的载物台的污染。

附图说明

图1是本发明的基板处理装置的俯视图。

图2是基板处理装置的液处理部的主视图。

图3是基板处理装置的热处理部的主视图。

图4是表示基板承载部的周边结构的图。

图5A、图5B是用于说明搬送机械手的图。

图6是用于说明表面清洗处理单元的结构的图。

图7是用于说明背面清洗处理单元的结构的图。

图8A、图8B是表示带有基板暂置部的加热部的概略结构的图。

图9是表示接口区的侧视图。

图10是表示反转单元的主要部分结构的立体图。

图11是反转单元的概略主视图。

图12A、图12B是表示保持臂的图。

图13是示意性地表示保持臂进入各搬送对象部时的状态的图。

图14是表示与基板处理装置相邻连接的曝光单元的概略结构的俯视图。

图15是表示基板处理***的控制机构的概略的框图。

图16是表示在基板处理***中实现的功能处理部的功能框图。

图17是表示仿真基板的清洗顺序的流程图。

具体实施方式

下面，参照附图详细地说明本发明的实施方式。

图1是本发明的基板处理装置的俯视图。此外，图2是基板处理装置的液处理部的主视图。图3是热处理部的主视图。图4是表示基板承载部的周边结构的图。另外，在图1以及以后的各图中，为了明确它们的方向关系，建立将Z轴方向作为铅垂方向、将XY平面作为水平面的XYZ垂直坐标系。

基板处理装置SP是在半导体晶片等基板上涂布形成反射防止膜或光致抗蚀膜、并对图案曝光后的基板进行显影处理的装置(所谓的涂布机、显影机)。另外，成为本发明基板处理装置的处理对象的基板并不仅限于半导体晶片，也可以是液晶显示装置用的玻璃基板等。

本实施方式的基板处理装置SP由并列设置的五个处理区构成，即分度器区1、剥离(bark)区2、抗蚀剂涂布区3、显影处理区4以及接口区5。在接口区5连接配置有曝光单元(stepper：步进曝光装置)EXP，该曝光单元EXP对涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理。也就是说，基板处理装置SP与曝光单元EXP相邻配置。此外，本实施方式的基板处理装置SP以及曝光单元EXP经由主计算机100和LAN线路而相连。

分度器区1是处理区，其用于将从装置外接受到的待处理基板送到剥离区2和抗蚀剂涂布区3，并且将从显影处理区4接受到的处理结束的基板搬出到装置外。分度器区1包括：承载台11，其并排放置有多个运载器C(在本实施方式中为4个)；基板移动承载机构12，其从各运载器C取出待处理基板W，并且，将处理结束的基板W容置在各运载器C中。基板移动承载机构12具有能够沿着承载台11(沿Y轴方向)水平移动的可动台12a，并在该可动台12a上安装有将基板W以水平姿势进行保持的保持臂12b。保持臂12b能够在可动台12a上进行升降(Z轴方向)移动、水平面内的旋转移动、以及旋转半径方向上的进退移动。由此，基板移动承载机构12能够使保持臂12b进入各运载器C而取出待处理的基板W和容置处理结束的基板W。另外，作为运载器C的形式，除了将基板W容置在密闭空间中的FOUP(front opening unified pod：前开式标准箱)之外，也可以是SMIF(standardmechanical inter face：标准机械界面)盒或者将容置基板W暴露在外部气体中的OC(open cassette：开放式盒子)。

剥离区2与分度器区1相邻设置。在分度器区1与剥离区2之间设置有环境隔断用的隔断壁13。为了在分度器区1和剥离区2之间交接基板W，而在该隔断壁13上上下层叠地设置有对基板W进行承载的两个基板承载部PASS1、PASS2。

上侧的基板承载部PASS1用于将基板W从分度器区1向剥离区2搬送。基板承载部PASS1具有3根支撑销，分度器区1的基板移动承载机构12将从运载器C取出的待处理的基板W放置在基板承载部PASS1的3根支撑销上。然后，后述的剥离区2的搬送机械手TR1接受在基板承载部PASS1上放置着的基板W。另一方面，下侧的基板承载部PASS2用于将基板W从剥离区2向分度器区1搬送。基板承载部PASS2也具有3根支撑销，并且，剥离区2的搬送机械手TR1将处理结束的基板W放置在基板承载部PASS2的3根支撑销上。然后，基板移动承载机构12接受在基板承载部PASS2上放置的基板W并将其容置在运载器C中。另外，后述的基板承载部PASS3～PASS10的结构也与基板承载部PASS1、PASS2相同。

基板承载部PASS1、PASS2局部地贯通设置在隔断壁13的一部分上。此外，在基板承载部PASS1、PASS2设置有对基板W的有无进行检测的光学式传感器(省略图示)，基于各传感器的检测信号，判断基板移动承载机构12和剥离区的搬送机械手TR1是否处于能够向基板承载部PASS1、PASS2交接基板W的状态。

接着，对剥离区2进行说明。剥离区2是处理区，其用于为了减少曝光时产生的驻波和光晕而在光致抗蚀膜的基底上涂布形成反射防止膜。剥离区2具有：基底涂布处理部BRC，其用于在基板W的表面上涂布形成反射防止膜；两个热处理塔21、21，其伴随于反射防止膜的涂布形成而进行热处理；搬送机械手TR1，其向基底涂布处理部BRC以及两个热处理塔21、21交接基板W。

在剥离区2中，基底涂布处理部BRC和两个热处理塔21、21隔着搬送机械手TR1对置。具体来说，基底涂布处理部BRC位于装置正面侧，两个热处理塔21，21位于装置背面侧。此外，在热处理塔21、21的正面侧设置有未图示的热隔断壁。通过将基底涂布处理部BRC和热处理塔21、21分隔开配置并设置热隔断壁，从而可以避免由热处理塔21、21对基底涂布处理部BRC带来热影响。

如图2所示，基底涂布处理部BRC通过从下方开始依次层叠配置具有同样结构的3个涂布处理单元BRC1、BRC2、BRC3而构成。另外，在没有对3个涂布处理单元BRC1、BRC2、BRC3特别区分的情况下，将它们统称为基底涂布处理部BRC。各涂布处理单元BRC1、BRC2、BRC3包括如下机构：旋转卡盘22，其以近似水平姿势吸附保持基板W并使其在近似水平面内旋转；涂布喷嘴23，其向在该旋转卡盘22上所保持的基板W上喷出反射防止膜用的涂布液；旋转马达(图示省略)，其使旋转卡盘22旋转驱动；以及杯(图示省略)，其围绕着在旋转卡盘22上所保持的基板W的周围。

如图3所示，在与分度器区1接近一侧的热处理塔21上设置有：6个加热板HP1～HP6，其将基板W加热到给定的温度；冷却板CP1～CP3，其对被加热过的基板W进行冷却而使其下降到给定的温度，并且，将基板W维持在该给定的温度上。在该热处理塔21上从下方开始依次层叠配置有冷却板CP1～CP3、加热板HP1～HP6。另一方面，在远离分度器区1一侧的热处理塔21上，为了提高抗蚀膜与基板W的粘合性，而从下方依次开始层叠配置有3个粘合强化处理部AHL1～AHL3，该粘合强化处理部AHL1～AHL3在HMDS(Hexamethyldisilazane：六甲基二硅氮烷)的蒸气环境中对基板W进行热处理。另外，在图3中，在用“×”标记表示的位置上分配着配管配线部和备用的空置空间。

这样，通过对涂布处理单元BRC1～BRC3和热处理单元(在剥离区2中为加热板HP1～HP6、冷却板CP1～CP3、粘合强化处理部AHL1～AHL3)进行多级层叠配置，由此能够缩小基板处理装置的占有空间并削减占用面积。此外，还具有这样的优点：通过并排地设置两个热处理塔21、21，而使热处理单元的维护变得容易，并且，不需要将在热处理单元中必需的管道配管和供电设备拉伸到太高的位置上。

图5A、图5B是用于说明在剥离区2中设置的搬送机械手TR1的图。图5A是搬送机械手TR1的俯视图，图5B是搬送机械手TR1的主视图。搬送机械手TR1具备上下接近的将基板W以近似水平姿势进行保持的两个保持臂6a、6b。保持臂6a、6b的前端部在俯视状态下呈“C”字形状，保持臂6a、6b利用多根销7从下方支撑基板W的周边，多根销7从该“C”字形状的臂的内侧向内部突出。

搬送机械手TR1的基台8固定设置在装置基台(装置框体)上。在该基台8上，竖立设置有导向轴9c，并且，竖立设置并支撑有能够旋转的螺杆轴9a。此外，在基台8上固定设置有对螺杆轴9a进行旋转驱动的马达9b。并且，在螺杆轴9a上螺合有升降台10a，升降台10a相对导向轴9c能够自由滑动。利用这样的结构，通过马达9b旋转驱动螺杆轴9a，从而升降台10a被导向轴9c引导而在铅垂方向(Z方向)上进行升降移动。

此外，在升降台10a上安装有臂基台10b，该臂基台10b围绕沿铅垂方向的轴心能够自由旋转。在升降台10a中内置有对臂基台10b进行旋转驱动的马达10c。并且，在该臂基台10b上，上下配置有上述的两个保持臂6a、6b。各保持臂6a、6b，通过设置在臂基台10b上的滑动驱动机构(图示省略)，而能够分别独立地在水平方向(臂基台10b的旋转半径方向)进行进退移动。

利用这样的结构，如图5A所示，搬送机械手TR1能够使两个保持臂6a、6b分别单独地进入基板承载部PASS1、PASS2、在热处理塔21中设置的热处理单元、在基底涂布处理部BRC上设置的涂布处理单元以及后述的基板承载部PASS3、PASS4，并且能够在和它们之间进行基板W的交接。

接着，对抗蚀剂涂布区3进行说明。以夹在剥离区2与显影处理区4之间的方式设置有抗蚀剂涂布区3。在该抗蚀剂涂布区3与剥离区2之间还设置有环境隔断用的隔断壁25。为了在剥离区2与抗蚀剂涂布区3之间交接基板W，而在该隔断壁25上上下层叠设置有对基板W进行承载的两个基板承载部PASS3、PASS4。基板承载部PASS3、PASS4也具有与基板承载部PASS1、PASS2相同的结构。

上侧的基板承载部PASS3用于将基板W从剥离区2向抗蚀剂涂布区3搬送。即，抗蚀剂涂布区3的搬送机械手TR2接受剥离区2的搬送机械手TR1放置在基板承载部PASS3上的基板W。另一方面，下侧的基板承载部PASS4用于将基板W从抗蚀剂涂布区3向剥离区2搬送。即，剥离区2的搬送机械手TR1接受抗蚀剂涂布区3的搬送机械手TR2放置在基板承载部PASS4上的基板W。

基板承载部PASS3、PASS4局部贯通设置在隔断壁25的一部分上。此外，在基板承载部PASS3、PASS4上设置有对基板W的有无进行检测的光学式传感器(省略图示)，基于各传感器的检测信号，判断搬送机械手TR1、TR2是否处于能够向基板承载部PASS3、PASS4交接基板W的状态。并且，在基板承载部PASS3、PASS4的下侧，贯通隔断壁25而上下设置有水冷式的两个冷却板WCP(参照图4)，两个冷却板WCP用于粗略地对基板W进行冷却。

抗蚀剂涂布区3是处理区，其向在剥离区2中涂布形成了反射防止膜的基板W上涂布抗蚀剂而形成抗蚀膜。另外，在本实施方式中，作为光致抗蚀膜而使用化学增幅型抗蚀剂。抗蚀剂涂布区3具有：抗蚀剂涂布处理部SC，其在基底涂布了的反射防止膜之上涂布抗蚀剂；两个热处理塔31、31，其伴随于抗蚀剂涂布处理而进行热处理；搬送机械手TR2，其向抗蚀剂涂布处理部SC和热处理塔31、31交接基板W。

在抗蚀剂涂布区3中，抗蚀剂涂布处理部SC和热处理塔31、31隔着搬送机械手TR2对置。具体来说，抗蚀剂涂布处理部SC位于装置正面侧，两个热处理塔31、31位于装置背面侧。此外，在热处理塔31、31的正面侧设置有未图示的热隔断壁。通过将抗蚀剂涂布处理部SC和热处理塔31、31分隔开配置并设置热隔断壁，从而可以避免由热处理塔31、31对抗蚀剂涂布处理部SC带来热影响。

如图2所示，抗蚀剂涂布处理部SC，从下方开始依次层叠配置具有同样结构的3个涂布处理单元SC1、SC2、SC3。另外，在对3个涂布处理单元SC1、SC2、SC3没有特别区分的情况下，将它们统称为抗蚀剂涂布处理部SC。各涂布处理部SC1、SC2、SC3具有如下机构：旋转卡盘32，其以近似水平姿势吸附保持基板W并使其在近似水平面内旋转；涂布喷嘴33，在向在该旋转卡盘32上所保持的基板W上喷出抗蚀剂；旋转马达(图示省略)，其使旋转卡盘32旋转驱动；以及杯(图示省略)，其围绕着在旋转卡盘3上所保持的基板W的周围。

如图3所示，在与分度器区1接近一侧的热处理塔31上从下方开始依次层叠设置有6个加热部PHP1～PHP6，各加热部PHP1～PHP6将基板W加热到给定的温度。另一方面，在远离分度器区1一侧的热处理塔31上，从下方开始依次层叠配置有冷却板CP4～CP9，冷却板CP4～CP9对加热了的基板W进行冷却而使其下降到给定的温度，并且，将基板W维持在该给定的温度上。

各加热部PHP1～PHP6是热处理单元，其除了承载基板W而进行热处理的通常的加热板之外，还包括：基板暂置部，其在与该加热板隔开的上方位置上承载基板W；局部搬送机构34(参照图1)，其在该加热板与基板暂置部之间搬送基板W。局部搬送机构34具有这样的机构：能够进行升降移动和进退移动，并且通过使冷却水循环而对搬送过程中的基板W进行冷却。

局部搬送机构34隔着上述加热板以及基板暂置部而设置在与搬送机械手TR2相反一侧、即装置背面侧上。并且，基板暂置部在搬送机械手TR2侧以及局部搬送机构34侧都开口，而加热板仅向局部搬送机构34侧开口，在搬送机械手TR2一侧是闭塞的。因此，搬送机械手TR2以及局部搬送机构34双方都能够到达基板暂置部，但是，只有局部搬送机构34能够到达加热板。另外，加热部PHP1～PHP6具有与后述的显影处理区4的加热部PHP7～PHP12大概相同的结构(图8A、图8B)。

在将基板W搬入到具有这样结构的各加热部PHP1～PHP6中时，首先，搬送机械手TR2将基板W放置在基板暂置部上。然后，局部搬送机构34从基板暂置部接受基板W并将其搬送到加热板上，而对该基板W实施加热处理。由加热板进行过加热处理的基板W，由局部搬送机构34取出并被搬送到基板暂置部中。此时，利用局部搬送机构34所具备的冷却功能来对基板W进行冷却。其后，由搬送机械手TR2取出被搬送到基板暂置部中的热处理后的基板W。

这样，在加热部PHP1～PHP6中，由于搬送机械手TR2仅向常温的基板暂置部交接基板W，而不会向加热板直接交接基板W，因此能够抑制搬送机械手TR2的温度上升。此外，由于加热板仅在局部搬送机构34侧开口，所以可以防止因从加热板漏出的热空气而使搬送机械手TR2和抗蚀剂涂布处理部SC受到热影响。另外，搬送机械手TR2向冷却板CP4～CP9直接交接基板W。

搬送机械手TR2的结构与搬送机械手TR1完全相同。因此，搬送机械手TR2能够使两个保持臂分别单独地到达基板承载部PASS3、PASS4、在热处理塔31、31上设置的热处理单元、在抗蚀剂涂布处理部SC上设置的涂布处理单元以及后述的基板承载部PASS5、PASS6，并且能够在和它们之间进行基板W的交接。

接着，对显影处理区4进行说明。以夹在抗蚀剂涂布区3与接口区5之间的方式设置有显影处理区4。在该抗蚀剂涂布区3与显影处理区4之间也设置有环境隔断用的隔断壁35。为了在抗蚀剂涂布区3与显影处理区4之间交接基板W，而在该隔断壁35上上下层叠设置有对基板W进行承载的两个基板承载部PASS5、PASS6。基板承载部PASS5、PASS6也具有与上述的基板承载部PASS1、PASS2相同的结构。

上侧的基板承载部PASS5用于将基板W从抗蚀剂涂布区3向显影处理区4搬送。即，显影处理区4的搬送机械手TR3接受抗蚀剂涂布区3的搬送机械手TR2放置在基板承载部PASS5上的基板W。另一方面，下侧的基板承载部PASS6用于将基板W从显影处理区4向抗蚀剂涂布区3搬送。即，抗蚀剂涂布区3的搬送机械手TR2接受显影处理区4的搬送机械手TR3放置在基板承载部PASS6上的基板W。

基板承载部PASS5、PASS6局部贯通设置在隔断壁35的一部分上。此外，在基板承载部PASS5、PASS6设置有对基板W的有无进行检测的光学式传感器(省略图示)，基于各传感器的检测信号，判断搬送机械手TR2、TR3是否处于能够向基板承载部PASS5、PASS6交接基板W的状态。并且，在基板承载部PASS5、PASS6的下侧，贯通隔断壁35而上下设置有水冷式的两个冷却板WCP，两个冷却板WCP用于粗略对基板W进行冷却(参照图4)。

显影处理区4是对曝光处理后的基板W进行显影处理的处理区。此外，在显影处理区4中，也能够对进行了液浸曝光处理的基板W进行清洗和干燥。显影处理区4具有：显影处理部SD，其对图案曝光的基板W供给显影液而进行显影处理；清洗处理部SOAK，其对液浸曝光处理后的基板W进行清洗处理和干燥处理；两个热处理塔41、42，其伴随于显影处理而进行热处理；搬送机械手TR3，其向显影处理部SD、清洗处理部SOAK和热处理塔41、42交接基板W。另外，搬送机械手TR3具有与上述的搬送机械手TR1、TR2完全相同的结构。

如图2所示，显影处理部SD，从下方开始依次层叠配置具有同样结构的3个显影处理单元SD1、SD2、SD3。另外，在对3个显影处理单元SD1～SD3没有特别区分的情况下将它们统称为显影处理部SD。各显影处理部SC1～SC3具有如下机构：旋转卡盘43，其以近似水平姿势吸附保持基板W并使其在近似水平面内旋转；喷嘴44，其向在该旋转卡盘43上所保持的基板W上供给显影液；旋转马达(图示省略)，其使旋转卡盘43旋转驱动；以及杯(图示省略)，其围绕着在旋转卡盘43上所保持的基板W的周围。

清洗处理部SOAK具有表面清洗处理单元SOAK1以及背面清洗处理单元SOAK2。如图2所示，在表面清洗处理单元SOAK1的上层配置背面清洗处理单元SOAK2，在背面清洗处理单元SOAK2的上层配置有显影处理单元SD1。图6是用于说明表面清洗处理单元SOAK1的结构的图。表面清洗处理单元SOAK1具有旋转卡盘421，该旋转卡盘421用于将基板W保持为水平姿势，并且使基板W围绕通过基板W中心的铅垂旋转轴进行旋转。

旋转卡盘421固定在旋转轴425的上端上，旋转轴425由省略图示的电动马达旋转。此外，在旋转卡盘421上形成有吸气路径(未图示)，通过在旋转卡盘421上承载有基板W的状态下对吸气路径进行排气，从而将基板W的下表面真空吸附在旋转卡盘421上，从而能够以水平姿势保持基板W。

在旋转卡盘421的侧方设置有第一转动马达460。在第一转动马达460上连接有第一转动轴461。此外，在第一转动轴461上连接有在水平方向上延伸的第一臂462，在第一臂462的前端上设置有清洗处理用喷嘴450。通过第一转动马达460的驱动，第一转动轴461进行旋转，并且第一臂462进行转动，从而清洗处理用喷嘴450向在旋转卡盘421上保持的基板W的上方移动。

在清洗处理用喷嘴450上连通并连接有清洗用供给管463的前端。清洗用供给管463经由阀Va以及阀Vb而与清洗液供给源R1以及表面处理液供给源R2连通并连接。通过控制阀Va、阀Vb的开闭，而能够选择供给到清洗用供给管463的处理液以及调整供给到清洗用供给管463的处理液的供给量。即通过打开阀Va而能够向清洗用供给管463供给清洗液，通过打开阀Vb而能够向清洗用供给管463供给表面处理液。

从清洗液供给源R1或表面处理液供给源R2所供给的清洗液或者表面处理液经由清洗用供给管463而输送到清洗处理用喷嘴450中。由此，能够从清洗处理用喷嘴450向基板W的上表面供给清洗液或者表面处理液。清洗液可以使用例如纯水或者在纯水中溶有络合物(离子化的物质)的溶液等。表面处理液可以使用例如氢氟酸等。另外，清洗处理用喷嘴450也可以使用在气体中混合液滴而喷出的二流体喷嘴。进而，可以在供给作为清洗液的纯水的同时，用清洗刷清洗基板W的上表面。

另一方面，在与上述不同的旋转卡盘421的侧方设置有第二转动马达470。在第二转动马达470上连接有第二转动轴471。此外，在第二转动轴471上连接有在水平方向上延伸的第二臂472，在第二臂472的前端上设置有干燥处理用喷嘴451。通过第二转动马达470的驱动，从而第二转动轴471进行旋转，并且第二臂472进行转动，从而干燥处理用喷嘴451向在旋转卡盘421上保持的基板W的上方移动。

在干燥处理用喷嘴451上连通并连接着干燥用供给管473的前端。干燥用供给管473经由阀Vc而与惰性气体供给源R3连通并连接。通过控制阀Vc的开闭，而能够调整向干燥用供给管473供给的惰性气体的供给量。

从惰性气体供给源R3供给的惰性气体，经由干燥用供给管473而输送到干燥处理用喷嘴451中。由此，能够从干燥处理用喷嘴451向基板W的上表面供给惰性气体。惰性气体可以使用例如氮气(N₂)或氩气(Ar)。

在向基板W的上表面供给清洗液或者表面处理液时，清洗处理用喷嘴450位于在旋转卡盘421上保持的基板W的上方，并且，干燥处理用喷嘴451退让到给定的位置。相反，在向基板W的上表面供给惰性气体时，如图6所示，干燥处理用喷嘴451位于在旋转卡盘421上保持的基板W的上方，并且，清洗处理用喷嘴450退让到给定的位置。

处理杯423围绕着在旋转卡盘421上保持的基板W。在处理杯423的内侧设置有圆筒状的分隔壁433。此外，排液空间431以包围旋转卡盘421的周围的方式形成在分隔壁433的内侧，排液空间431用于排出在基板W的处理中使用的处理液(清洗液或者表面处理液)。并且，回收液空间432以包围排液空间431的方式形成在处理杯423与分隔壁433之间，回收液空间432用于回收在基板W的处理中使用的处理液。

在排液空间431上连接有用于向排液处理装置(未图示)引导处理液的排液管434，在回收液空间432上连接有用于向回收处理装置(未图示)引导处理液的回收管435。

在处理杯423的上方设置有挡板424，该挡板424用于防止来自基板W的处理液向外部飞散。该挡板424形成为相对旋转轴425而旋转对称的形状。在挡板424上端部的内表面上呈环状地形成有截面为ㄑ字形状的排液引导槽441。此外，在挡板424下端部的内表面上形成有回收液引导部442，该回收液导向部442由向外侧下方倾斜的倾斜面形成。在回收液引导部442的上端附近形成有分隔壁容置槽443，该容置槽443用于接受处理杯423的分隔壁433。

该挡板424通过由滚珠螺杆机构等构成的导向升降驱动机构(未图示)而沿着铅垂方向被升降驱动。导向升降驱动机构，使挡板424在回收位置和排液位置之间升降，该回收位置是指回收液引导部442包围保持在旋转卡盘421上的基板W的端缘部的位置，该排液位置是指排液引导槽441包围保持在旋转卡盘421上的基板W的端缘部的位置。在挡板424处于回收位置(图6所示的位置)时，从基板W的端缘部飞散的处理液通过回收液引导部442而被导入至回收液空间432中，并经由回收管435而被回收。另一方面，在挡板424处于排液位置时，从基板W的端缘部飞散的处理液通过排液引导槽441而被导入至排液空间431中，并经由排液管434而被排出。由此，能够切换执行处理液的排出和回收。另外，在使用氢氟酸等作为表面处理液时，必须进行严格的环境管理，以避免泄漏到装置内。

图7是用于说明背面清洗处理单元SOAK2的结构的图。背面清洗处理单元SOAK2与表面清洗处理单元SOAK1不同的是旋转卡盘427的形式。表面清洗处理单元SOAK1的旋转卡盘421是对基板W的下表面进行真空吸附类型的装置，而背面清洗处理单元SOAK2的旋转卡盘427是对基板W的端缘部进行把持类型的装置。即，在旋转卡盘427的上表面周缘部上，沿同一圆周上竖立设置有多个(本实施方式为6个)支撑销428。各支撑销428包括：圆筒状的支撑部，其从下方支撑基板W的下表面周缘部；销部，其突出设置在该支撑部的上表面上，且与基板W的端缘部相抵接而进行按压。6个支撑销428中的3个是固定设置在旋转卡盘427上的固定支撑销。固定支撑销在圆筒状支撑部的轴心上突出设置有销部。另一方面，6个支撑销428中的剩余3个为可动支撑销，可动支撑销自由旋转(自转)地设置在旋转卡盘427上。在可动支撑销上，从圆筒状支撑部的轴心稍偏离地突出设置有销部。3个可动支撑销通过图示省略的链杆(link)机构以及驱动机构而连动并被驱动转动。通过使可动支撑销转动，从而可以用6个销部把持基板W的端缘部，也可以解除基板W的把持。通过用6个支撑销428把持基板W的端缘部，从而旋转卡盘427不与基板W的下表面中央部接触就能够对基板W进行保持。

背面清洗处理单元SOAK2的其余结构与上述的表面清洗处理单元SOAK1相同，对同一个部件标有与图6相同的附图标记。因此，背面清洗处理单元SOAK2，能够从清洗处理用喷嘴450向由旋转卡盘427把持着端缘部的基板W的上表面供给清洗液或者表面处理液，也能够从干燥处理用喷嘴451向由旋转卡盘427把持着端缘部的基板W的上表面供给惰性气体。

回到图3，在与离分度器区1接近一侧的热处理塔41中设置有：5个加热板HP7～HP11，其将基板W加热到给定的温度；冷却板CP10～CP13，其对被加热过的基板W进行冷却而使其温度降低到给定的温度，并且将基板W维持在该给定的温度上。在该热处理塔41中，从下方开始依次层叠配置有冷却板CP10～CP13、加热板HP7～HP11。

另一方面，在远离分度器区1一侧的热处理塔42中层叠配置有6个加热部PHP7～PHP12和冷却板CP14。与上述的加热部PHP1～PHP6相同，各加热部PHP7～PHP12是具有基板暂置部以及局部搬送机构的热处理单元。

图8A、图8B是表示带有基板暂置部的加热部PHP7的概略结构的图。图8A是加热部PHP7的侧剖视图，图8B是俯视图。另外，虽然在图8A、图8B中表示了加热部PHP7，但是加热部PHP8～PHP12的结构也是完全相同的结构。加热部PHP7具有：加热板710，其承载基板W并对基板W进行加热处理；基板暂置部719，其在离开该加热板710的上方位置或者下方位置(在本实施方式中为上方位置)上承载基板W；热处理部用的局部搬送机构720，其在加热板710与基板暂置部719之间搬送基板W。在加热板710上设置有出没于板表面的多根可动支撑销721。在加热板710的上方设置有在加热处理时覆盖基板W的、并可自由升降的上盖722。在基板暂置部719上设置有对基板W进行支撑的多根固定支撑销723。

局部搬送机构720具有对基板W以近似水平姿势进行保持的保持板724，该保持板724通过螺旋进给驱动机构725而进行升降移动，并通过传送带驱动机构726而进行进退移动。在保持板724上形成有多条狭缝724a，使得在保持板724进入到加热板710的上方和基板暂置部719时，与可动支撑销721和固定支撑销723不相干涉。

此外，局部搬送机构720包括有冷却装置，该冷却装置在从加热板710向基板暂置部719搬送基板W的过程中对基板W进行冷却。如图8B所示，该冷却装置如下构成：在保持板724的内部设置有冷却水流路724b，而使冷却水在该冷却水流路724b中流通。另外，冷却装置也可以在保持板724的内部中设置例如珀尔帖元件等。

相比加热板710和基板暂置部719，上述的局部搬送机构720设置在装置背面侧(即(+Y)侧)。此外，在加热板710和基板暂置部719的(+X)侧上设置有接口区5的搬送机械手TR4，在(-Y)侧上设置有显影处理区4的搬送机械手TR3。并且，在覆盖加热板710和基板暂置部719的筐体727的上部、即在覆盖基板暂置部719的部位上，在其(+X)侧上设置有允许搬送机械手TR4进入的开口部719a，在其(+Y)侧上设置有允许局部搬送机构720进入的开口部719b。此外，在筐体727的下部、即覆盖加热板710的部位上，其(+X)侧和(-Y)侧封闭(也就是说，与搬送机械手TR3以及搬送机械手TR4相对向的面闭塞)，另一方面，在(+Y)侧上设置有允许局部搬送机构720进入的开口部719c。

基板W出入上述加热部PHP7的动作如下进行。首先，接口区5的搬送机械手TR4保持曝光后的基板W，并将基板W放置在基板暂置部719的固定支撑销723之上。接着，局部搬送机构720的保持板724进入到基板W的下侧之后稍稍上升，由此从固定支撑销723接受到基板W。保持着基板W的保持板724从筐体727退出，并下降到与加热板710对置的位置为止。此时，使加热板710的可动支撑销721下降，并且使上盖722上升。保持着基板W的保持板724进入到加热板710的上方。可动支撑销721上升并在接受位置接受到基板W之后，保持板724退出。接着，使可动支撑销721下降并而将基板W放置在加热板710上，并且，使上盖722下降而覆盖基板W。在该状态下对基板W进行加热处理。当加热处理结束时，使上盖722上升，并且使可动支撑销721上升而举起基板W。接着，保持板724进入到基板W之下之后，通过使可动支撑销721下降，由此将基板W交接到保持板724上。保持基板W的保持板724退出而再次上升，将基板W搬送到基板暂置部719上。在该搬送过程中，在保持板724上支撑的基板W被保持板724所具有的冷却装置冷却。保持板724将冷却后(大概恢复到常温)的基板W移动放置在基板暂置部719的固定支撑销723上。搬送机械手TR4取出并搬送该基板W。

由于搬送机械手TR4仅对基板暂置部719交接基板W，而不对加热板710交接基板W，所以能够避免搬送机械手TR4的温度上升。此外，由于仅在局部搬送机构720一侧上形成有用于使基板W出入加热板710的开口部719c，所以搬送机械手TR3以及搬送机械手TR4的温度不会因从开口部719c泄漏的热空气而上升，另外，显影处理部SD以及清洗处理部SOAK也不会受到从开口部719c泄漏的热空气的坏影响。

如上所述，接口区5的搬送机械手TR4能够到达加热部PHP7～PHP12以及冷却板CP14，但是显影处理区4的搬送机械手TR4不能够到达加热部PHP7～PHP12以及冷却板CP14。此外，显影处理区4的搬送机械手TR3部能够到达在热处理塔41中安装的热处理单元。

此外，在热处理塔42的最上层，上下接近地组装有两个基板承载部PASS7、PASS8，该两个基板承载部PASS7、PASS8用于在显影处理区4和与其相邻的接口区5之间交接基板W。上侧的基板承载部PASS7用于从显影处理区4向接口区5搬送基板W。即，接口区5的搬送机械手TR4接受显影处理区4的搬送机械手TR3放置在基板承载部PASS7上的基板W。另一方面，下侧的基板承载部PASS8用于从接口区5向显影处理区4搬送基板W。即，显影处理区4的搬送机械手TR3接受接口区5的搬送机械手TR4放置在基板承载部PASS8上放置的基板W。另外，基板承载部PASS7、PASS8相对显影处理区4的搬送机械手TR3以及接口区5的搬送机械手TR4的两侧开口。

接着，针对用于与曝光单元EXP连接的接口区5进行说明。接口区5与显影处理区4相邻设置，从抗蚀剂涂布区3接受通过进行抗蚀涂布处理而形成有抗蚀膜的基板W，将其交接到曝光单元EXP上，并且，从曝光单元EXP接受完成曝光的基板W，将其交接到显影处理区4上。在本实施方式的接口区5上，除了用于在与曝光单元EXP之间交接基板W的搬送机构55之外，还包括：边缘曝光部EEW，其对形成有抗蚀膜的基板W的周缘部进行曝光；搬送机械手TR4，其向配置在显影处理区4内的加热部PHP7～PHP12、冷却板CP14和边缘曝光部EEW交接基板W。

边缘曝光部EEW包括边缘曝光单元EEW1，如图2所示，边缘曝光单元EEW1具有如下等机构：旋转卡盘56，其将基板W以近似水平姿势吸附保持，并使其在近似水平面内旋转；光照射器57，其向在该旋转卡盘56上保持的基板W的周缘照射光而进行曝光。边缘曝光单元EEW1配置在接口区5的中央部上。与该边缘曝光部EEW和显影处理区4的热处理塔42相邻而配置的搬送机械手TR4，具有与上述的搬送机械手TR1～TR3相同的结构。

此外，如图2所示，在边缘曝光单元EEW1的下侧上设置有反转单元REV。图10是表示反转单元REV的主要部分结构的立体图。此外，图11是从图10的箭头AR10方向所观察到的反转单元REV的概略主视图。反转单元REV是使基板W的上下表面反转的单元。反转单元REV具有升降载物台210和反转卡盘230。

升降载物台210通过省略图示的升降驱动机构而能够沿着铅垂方向进行升降，该升降驱动机构例如利用气缸而构成。在升降载物台210的上表面上沿同一圆周而竖立设直有多个(在本实施方式中为6个)支撑销218。各支撑销218由从下方对基板W的下表面周缘部进行支撑的支撑部218a和在该支撑部的上表面上突出设置的销部218b构成。另外，反转单元REV的升降载物台210不是像背面清洗处理单元SOAK2的旋转卡盘427那样地使基板W旋转的装置，由于缺乏牢固地保持基板W的必要性，6个支撑销218全部固定设置在升降载物台210上。即，升降载物台210的销部218b是仅对基板W的水平方向位置进行限制的部件。

左右一对的反转卡盘230沿圆盘形状的旋转台235的径方向设置。反转卡盘230通过内置在旋转台235中的滑动驱动机构，而进行如图11的箭头AR11所示那样地滑动移动。一对的反转卡盘230、230连动并进行滑动移动，由此来使两卡盘之间的距离伸缩。在反转卡盘230上设置有用于把持基板W的端缘部的开口、即把持部231。在升降载物台210将基板W保持在与反转卡盘230相同的高度位置上的状态下，使两个反转卡盘230、230以缩小其间隔的方式进行滑动移动，由此能够利用把持部231来把持基板W的端缘部。另外，在把持部231上形成有用于避免升降载物台210与支撑销218相干涉的切口。

此外，旋转台235通过在基台239上设置的旋转驱动机构，而能够在铅直面内沿图11的箭头AR12所示的方向旋转。通过使旋转台235旋转，从而使一对反转卡盘230、230也在箭头AR12所示的方向上旋转。

在反转单元REV使基板W的表面和背面反转时，首先，升降载物台210上升到比反转卡盘230更靠上方的搬出搬入位置。在搬出搬入位置从后述的搬送机构55将基板W接受到支撑销218上的升降载物台210，下降到将基板W交接到反转卡盘230上的交接位置。该交接位置是沿水平方向相对向而静止的反转卡盘230与在升降载物台210上保持的基板W处在相同高度的位置。另外，在升降载物台210下降到交接位置时，反转卡盘230进行移动，使得一对反转卡盘230之间为基板W能够通过的间隔。

在升降载物台210下降到交接位置的状态，一对反转卡盘230以缩短它们之间的间隔的方式开始滑动移动，不久通过两反转卡盘230的把持部231而把持基板W的端缘部。由此，基板W保持在反转卡盘230上，升降载物台210进一步下降到下方的待避位置。所谓待避位置是在接下来的反转工序中反转卡盘230与升降载物台210不冲突的位置。

接着，旋转台235进行180°的旋转动作(半旋转)而使基板W的表面和背面反转。其后，升降载物台210再次从待避位置上升到交接位置，而将基板W接到支撑销218上，并且，一对反转卡盘230以扩大它们之间的间隔的方式开始滑动移动。然后，接受到反转后的基板W的升降载物台210进一步上升到上述搬出搬入位置，搬送机构55从支撑销218接受反转后的基板W。另外，由于支撑销218支撑基板W的端缘部，所以即使通过反转而使形成了图案的基板W的表面变为下表面，也不会损坏该图案。

参照图2以及图9继续说明接口区5的结构。图9是从(+X)侧所观察到的接口区5的侧面图。在边缘曝光单元EEW1的下侧设置有反转单元REV，在反转单元REV的下侧设置有返回基板用的返回缓冲器RBF。并且，在返回缓冲器RBF的下侧上下层叠地设置有两个基板承载部PASS9、PASS10。返回缓冲器RBF是这样的装置：在由于某些障碍而导致显影处理区4不能对基板W进行显影处理的情况下，在显影处理区4的加热部PHP7～PHP12进行曝光后的加热处理之后，暂时容置保管该基板W。该返回缓冲器RBF包括能将多张基板W多层容置的收容架。此外，上侧的基板承载部PASS9用于从搬送机械手TR4向搬送机构55交接基板W，下侧的基板承载部PASS10用于从搬送机构55向搬送机械手TR4交接基板W。另外，搬送机械手TR4到达返回缓冲器RBF。

如图9所示，搬送机构55的可动台55a与螺杆轴522螺合。螺杆轴522以其旋转轴沿Y轴方向的方式被两个支撑台523自由旋转地支撑着。在螺杆轴522的一端部上连接有马达M1，通过该马达M1的驱动而使螺杆轴522旋转，从而可动台55a沿Y轴方向进行水平移动。

此外，在可动台55a上安装有把手支撑台55b。把手支撑台55b通过在可动台55a中内置的升降机构以及旋转机构，而能够在铅垂方向(Z轴方向)升降，并且能够围绕铅垂方向轴旋转。进而，在把手支撑台55b上以上下并列的方式设置有保持基板W的两个保持臂59a、59b。两个保持臂59a、59b通过在可动台55a中内置的滑动机构而能够分别独立地在把手支撑台55b的旋转半径方向进行进退移动。

图12A、图12B是表示保持臂59a、59b的图。图12A是保持臂59a的平面图，图12B是保持臂59a的侧剖视图。另外，在此仅说明保持臂59a，而下侧的保持臂59b的结构与保持臂59a完全相同。保持臂59a是将2个臂部件591形成为叉状而构成的。在臂部件591的上表面形成有凹部592，该凹部592为比基板W的外周大少许的形状。并且，在各凹部592的两端上形成有导向部件593。

保持臂59a将基板W嵌入到凹部592中而进行保持。此时，基板W通过其端缘部与各导向部件593的棱线点接触，而被4点支撑。即，保持臂59a是低接触型搬送臂，其与基板W的下表面不接触而通过点接触以4个点支撑基板W。因此，在搬送机构55搬送表面朝下的基板W时，基板W的表面与保持臂59a不接触，所以不会损坏所形成的图案等。

通过上述结构，搬送机构55在与曝光单元EXP之间交接基板W，并与基板承载部PASS9、PASS10之间交接基板W，与反转单元REV之间交接基板W，并对送给基板用的输送缓冲器SBF进行基板W的收容和取出。输送缓冲器SBF在曝光单元EXP不能接受基板W时，暂时收容保管曝光处理前的基板W，输送缓冲器SBF包括能够将多张基板W多层容置的收容架。

此外，如图9所示，在表面清洗处理单元SOAK1的(+X)侧上形成有开口部480，在背面清洗处理单元SOAK2的(+X)侧上形成有开口部490。因此，搬送机构55能够经由开口部480、490分别对表面清洗处理单元SOAK1和背面清洗处理单元SOAK2也进行基板W的交接。

图13是示意性地表示保持臂59a进入各搬送对象部时的状态的图。首先，搬送机构55交接基板W的对象中，背面清洗处理单元SOAK2和反转单元REV通过支撑销428、218来支撑基板W的周缘部。在搬送机构55向背面清洗处理单元SOAK2交接基板W时，如图13所示，两个臂部件591以通过支撑销428之间的方式进行进退。此外，在背面清洗处理单元SOAK2中，在从开口部490进入的保持臂59a和支撑销428不干涉的位置(图13的位置)上设置有停止旋转卡盘427的机构。作为这种机构，只要是如下这样的机构即可：通过编码器检测出旋转卡盘427的旋转角度，并以旋转卡盘427在给定的角度停止的方式对旋转马达进行控制。

搬送机构55对反转单元REV交接基板W时的方式与对背面清洗处理单元SOAK2交接基板W是相同的。但是，由于反转单元REV的升降载物台210不旋转，所以不需要上述的编码器等停止机构。

另一方面，表面清洗处理单元SOAK1是通过旋转卡盘421对基板W的下表面中央部进行真空吸附的装置。搬送机构55对表面清洗处理单元SOAK1交接基板W时，如图13所示，保持臂59a以旋转卡盘421进入到两个臂部件591之间的方式进退移动。

并且，后述的曝光单元EXP是由3根支撑销911支撑基板W的下表面中央部的装置。3根支撑销911的配置区域在俯视状态下处在旋转卡盘421的范围内。由此，在搬送机构55对曝光单元EXP交接基板W时，如图13所示，保持臂59a以三根支撑销911进入到两个臂部件591之间的方式进行进退移动。另外，基板承载部PASS9、PASS10以及输送缓冲器SBF也与曝光单元EXP同样地由3根支撑销911支撑基板W，搬送机构55能以与相对曝光单元EXP交接基板W相同的方式交接基板W。

这样，搬送机构55相对保持方式不同的任意搬送对象部也能够交接基板W。另外，上述是关于保持臂59a的说明，但是，关于保持臂59b也是同样。

向以上的分度器区1、剥离区2、抗蚀剂涂布区3、显影处理区4以及接口区5总是供给作为下降流的清洁空气，从而可以在各区内避免产生上扬的颗粒和由气流给工艺带来的恶劣影响。此外，各区内相对外部环境稍保持为正压状态，从而可以防止来自外部环境的颗粒或污染物质的进入。

此外，上述的分度器区1、剥离区2、抗蚀剂涂布区3、显影处理区4以及接口区5是将本实施方式的基板处理装置按机构分割的单位。各区分别组装在单独的区用板(框体)上，将各区用板连接起来而构成基板处理装置。

另一方面，在本实施方式中，有关基板搬送的搬送控制单位与机械性分割开的区分别独立地构成。在本说明书中，将这种有关基板搬送的搬送控制单位称为“模块(cell)”。一个模块包括承担基板搬送的搬送机械手和通过该搬送机械手能够搬送基板的搬送对象部。并且，上述的各基板承载部发挥用于向模块内放入基板W的入口基板承载部或者从模块中取出基板W的出口基板承载部的功能。即，在模块之间交接基板W也经由基板承载部来进行。另外，作为构成模块的搬送机械手，也包括分度器区1的基板移动承载机构12和接口区5的搬送机构55。

在本实施方式的基板处理装置SP中包括6个模块，即分度器模块、剥离模块、抗蚀剂涂布模块、显影处理模块、曝光后烘干模块以及接口模块。分度器模块包括承载台11和基板移动承载机构12，并且具有与作为机械性分割开的单位的分度器区1本质上相同的结构。此外，剥离模块包括基底涂布处理部BRC、两个热处理塔21、21和搬送机械手TR1。该剥离模块也具有与作为机械性分割开的单位的剥离区2本质上相同的结构。并且，抗蚀剂涂布模块包括抗蚀剂涂布处理部SC、两个热处理塔31、31和搬送机械手TR2。该抗蚀剂涂布模块也具有与作为机械性分割开的单位的抗蚀剂涂布区3本质上相同的结构。另外，在抗蚀剂涂布模块上也可以设置在抗蚀膜上形成保护膜的保护膜涂布处理部，使得在曝光时抗蚀剂不溶解。

另一方面，显影处理模块包括显影处理部SD、热处理塔41和搬送机械手TR3。如上所述，搬送机械手TR3不能到达热处理塔42的加热部PHP7～PHP12和冷却板CP14，并在显影处理模块中不包含热处理塔42。此外，由于接口区5的搬送机构55到达清洗处理部SOAK的表面清洗处理单元SOAK1和背面清洗处理单元SOAK2，所以清洗处理部SOAK也不包含在显影处理模块中。在这些点上，显影处理模块与作为机械性分割开的单位的显影处理区4不同。

此外，曝光后烘干模块包含位于显影处理区4的热处理塔42、位于接口区5的边缘曝光部EEW和搬送机械手TR4。即，曝光后烘干模块是跨越作为机械性分割开的单位的显影处理区4和接口区5的模块。这样，由于包括进行曝光后的加热处理的加热部PHP7～PHP12和搬送机械手TR4而构成一个模块，所以能够迅速地将曝光后的基板W搬入到加热部PHP7～PHP12中而进行热处理。这种结构，适用于在图案曝光后需要尽可能快速地进行加热处理的、使用了化学增幅型抗蚀剂的情况。

另外，在热处理塔42中包含的基板承载部PASS7、PASS8是为了在显影处理模块的搬送机械手TR3和曝光后烘干模块的搬送机械手TR4之间交接基板W而安装的。

接口模块包括对曝光单元EXP交接基板W的搬送机构55、反转单元REV和清洗处理部SOAK而构成。该接口模块包括位于显影处理区4的清洗处理部SOAK，并且不包括搬送机械手TR4和边缘曝光部EEW，在这一点上与作为机械性分割开的单位的接口区5不同。另外，在边缘曝光部EEW的下方设置的基板承载部PASS9、PASS10是为了在曝光后烘干模块的搬送机械手TR4和接口模块的搬送机构55之间交接基板W而安装的。

接着，对曝光单元EXP进行说明。曝光单元EXP对在基板处理装置SP中涂布了抗蚀剂的基板W进行曝光处理。此外，本实施方式的曝光单元EXP是对应于“液浸曝光处理法”的液浸曝光装置，“液浸曝光处理法”是使曝光波长实质性地变短而提高析像度、并且使焦深实质性地变大的方法。在投影光学***和基板W之间充满折射率大的液体(例如，折射率n＝1.44的纯水)的状态下进行曝光处理。

图14是表示与基板处理装置SP相邻而连接的曝光单元EXP的概略结构的俯视图。在曝光单元EXP内部的曝光区域EA中执行基板W的曝光处理。在曝光区域EA除了在曝光处理时承载基板W的载物台98之外，还具有照明光学***、投影光学***、掩模载物台、载物台移动机构、液体供给机构以及液体回收机构等(全部省略图示)用于液浸曝光处理的机构。此外，在曝光单元EXP的内部设置有搬送基板W的搬送机构95。搬送机构95具有弯曲式的臂部95b和对臂部95b进行引导的导轨部95a，并且，臂部95b沿着导轨部95a进行移动。

此外，在与基板处理装置SP的接口区5相连的曝光单元EXP的侧部附近上，设置有两个承载台91、92。基板处理装置SP和曝光单元EXP以接口区5的搬送机构55相对该承载台91、92能够进行基板W的交接的方式而连接。承载台91用于交接曝光后的基板W，承载台92用于交接曝光前的基板W。上述的3根支撑销911竖立设置在承载台91、92的上表面上。在曝光单元EXP内，除了搬送机构95之外，还设置有相对曝光区域EA直接交接基板W的、省略图示的移动承载机构，搬送机构95将从承载台92接受到的完成了抗蚀剂涂布的基板W交接到该移动承载机构上，并且将从该移动承载机构接受到的曝光后的基板W放置在承载台91上。

此外，在曝光单元EXP上设置有存储仿真基板DW的存储部99。仿真基板DW是用于在对应于液浸法的曝光单元EXP中进行校准处理时防止纯水侵入到载物台98内部的基板，其中，该校准处理是进行载物台位置校正等的调整图案图像的曝光位置的处理。仿真基板DW具有与通常(半导体器件制造用)的基板W近似相同的形状和大小。仿真基板DW的材料可以是与通常的基板W相同的材料(例如硅)，但也可以只要是在液浸曝光处理时不会向液体溶出污染物的材料即可。此外，对仿真基板DW的表面也可以赋予憎水性。作为赋予憎水性的方法，例如有使用了氟化物、硅化物、或者丙烯树脂、聚乙烯等具有憎水性的材料的涂布处理。此外，也可以用上述具有憎水性的材料形成仿真基板DW本身。在通常的曝光处理时等，由于在不进行校准处理时不需要仿真基板DW，而将仿真基板DW存储在存储部99中。另外，存储部99也可以是具有多层的架结构而能够容置多张仿真基板DW的装置。

搬送机构95将仿真基板DW搬入搬出于存储部99。即，通过移动到导轨部95a的(+X)侧端部位置的臂部95b进行升降动作以及屈伸动作，而执行仿真基板DW向存储部99的搬入搬出。此外，搬送机构95在存储部99和基板处理装置SP之间搬送仿真基板DW。具体来说，搬送机构95将从存储部95取出的仿真基板DW搬送并放置在承载台91上，并且，将被放置在承载台92上的仿真基板DW搬送并存储在存储部99中。另外，基板处理装置SP的搬送机构55能够接受在承载台91上放置的仿真基板DW，并且能够将保持的仿真基板DW放置在承载台92上。

接着，针对本实施方式的基板处理装置的控制机构进行说明。图15是表示本发明的基板处理***的控制机构的概略的框图。如图15所示，基板处理装置SP以及曝光单元EXP经由主计算机100与LAN线路101而连接。基板处理装置SP具有由主控制器MC、模块控制器CC、单元控制器这三层构成的控制层。主控制器MC、模块控制器CC、单元控制器的硬件结构，与通常的计算机相同。即，各控制器具有如下等装置：CPU，其进行各种运算处理；只读存储器、即ROM，其存储基本程序；自由读写的存储器、即RAM，其存储各种信息；磁盘，其预先存储控制用应用程序和数据等。

第一级的主控制器MC在整个基板处理装置SP中设置有一个，主要承担装置整体的管理、主面板MP的管理以及模块控制器CC的管理。主面板MP发挥作为主控制器MC的显示器的功能。此外，可以从键盘KB向主控制器MC输入各种命令和参数。另外，可以由触摸面板构成主面板MP，而从主面板MP向主控制器MC进行输入作业。

第二级的模块控制器CC相对6个模块(分度器模块、剥离模块、抗蚀剂涂布模块、显影处理模块、曝光后烘干模块以及接口模块)分别单独设置。各模块控制器CC主要承担对应的模块内的基板搬送管理和单元管理。具体来说，各模块的模块控制器CC如下进行信息的发送和接收：将在给定的基板承载部上放置了基板W这样的信息发送到相邻模块的模块控制器CC中，接受了该基板W的模块的模块控制器CC将从该基板承载部接受到基板W这样的信息返回到原模块的模块控制器CC。这种信息的发送接收通过主控制器MC而进行。并且，各模块控制器CC将向模块内搬入了基板W的情况的信息提供给搬送机械手控制器TC，该搬送机械手控制器TC控制搬送机械手而在模块内按照给定的顺序循环搬送基板W。另外，搬送机械手控制器TC是通过在模块控制器CC上使给定的应用程序进行动作而实现的控制部。

此外，作为第三级的单元控制器而设置有例如旋转控制器和烘干控制器。旋转控制器根据模块控制器CC的指示而对在模块内配置的旋转单元(涂布处理单元、显影处理单元以及清洗处理单元)直接进行控制。具体来说，旋转控制器例如控制旋转单元的旋转马达而调整基板W的旋转数。此外，烘干控制器根据模块控制器CC的指示而对在模块内配置的热处理单元(加热板、冷却板、加热部等)直接进行控制。具体来说，烘干控制器控制例如在加热板内置的加热器而调整板的温度等。

另一方面，在曝光单元EXP中设置有与上述的基板处理装置SP的控制机构独立的单独的控制部、即控制器EC。即，曝光单元EXP不是在基板处理装置的主控制器MC的控制下进行动作的装置，而是独自进行本身的动作控制的装置。作为曝光单元EXP的控制器EC的硬件结构而具有与通常的计算机相同的结构，除了控制在曝光区域EA的曝光处理之外，还控制搬送机构95的动作。

此外，主计算机100作为在基板处理装置SP上设置的由3级构成的控制级以及曝光单元EXP的控制器EC的上位控制机构而存在。主计算机100具有如下装置：CPU，其进行各种运算处理；只读存储器、即ROM，其存储基本程序；自由读写的存储器、即RAM，其存储各种信息；磁盘，其预先存储控制用应用程序和数据等，具有与通常的计算机相同的结构。在主计算机100上通常连接有多台本实施方式的基板处理装置SP和曝光单元EXP。主计算机100向所连接的各个基板处理装置SP以及曝光单元EXP传送记录有处理顺序以及处理条件的记录信息(recipe)。从主计算机100传送来的记录信息被存储在各基板处理装置SP的主控制器MC和曝光单元EXP的控制器EC的存储部(例如存储器)中。

图16是表示在本发明的基板处理***中所实现的功能处理部的功能框图。清洗控制部105、搬出请求部106以及计划(schedule)管理部107是通过基板处理装置SP的主控制器MC执行给定的应用软件而实现的功能处理部。同样地，清洗请求部108以及搬送控制部109是通过曝光单元EXP的控制器EC执行给定的应用软件而实现的功能处理部。这些各功能处理部的功能的内容将在后面叙述。另外，清洗控制部105、搬出请求部106以及计划管理部107的一部分或者全部也可以通过基板处理装置SP的接口模块的模块控制器CC来实现。

接着，针对本实施方式的基板处理装置SP的动作进行说明。在此，首先，说明基板处理装置SP中的通常的基板W的循环搬送的概略顺序。下面说明的处理顺序是与从主计算机100接收到的记录信息中的记述内容对应的顺序。

首先，从装置外部将待处理的基板W在容置于运载器C中的状态下，通过AGV等而将基板W搬入到分度器区1中。接着，从分度器区1取出待处理的基板W。具体来说，分度器模块(分度器区1)的基板移动承载机构12从给定的运载器C取出待处理的基板W，并将其放置在上侧的基板承载部PASS1上。当待处理的基板W放置在基板承载部PASS1上时，剥离模块的搬送机械手TR1使用保持臂6a、6b中的任意一个来接受基板W。并且，搬送机械手TR1将所接受到的待处理的基板W搬送到涂布处理单元BRC1～BRC3的任意一个中。在涂布处理单元BRC1～BRC3中，在基板W上旋转涂布有反射防止膜用的涂布液。

涂布处理结束之后，基板W通过搬送机械手TR1而被搬送到加热板HP1～HP6的任意一个中。由加热板对基板W加热，从而涂布液被干燥，而在基板W上形成基底的反射防止膜。其后，由搬送机械手TR1从加热板取出的基板W被搬送到冷却板CP1～CP3的任意一个上而进行冷却。另外，此时，也可以由冷却板WCP对基板W进行冷却。冷却后的基板W通过搬送机械手TR1而放置在基板承载部PASS3上。

此外，搬送机械手TR1也可以将在基板承载部PASS1上放置的待处理的基板W搬送到粘合强化处理部AHL1～AHL3的任意一个中。在粘合强化处理部AHL1～AHL3中，在HMDS蒸气环境中对基板W进行热处理而提高抗蚀膜与基板W的粘合性。完成了粘合强化处理的基板W由搬送机械手TR1取出，并被搬送到冷却板CP1～CP3的任意一个上而进行冷却。由于在进行了粘合强化处理的基板W上未形成有反射防止膜，所以冷却后的基板W由搬送机械手TR1直接放置在基板承载部PASS3上。

此外，也可以在涂布反射防止膜用的涂布液之前进行脱水处理。此时，首先，搬送机械手TR1将在基板承载部PASS1上放置的待处理的基板W搬送到粘合强化处理部AHL1～AHL3的任意一个中。在粘合强化处理部AHL1～AHL3中，不供给HMDS蒸气而仅对基板W进行用于脱水的加热处理(去水烘烤)。结束了用于脱水的加热处理的基板W由搬送机械手TR1取出，并被搬送到冷却板CP1～CP3的任意一个中进行冷却，冷却后的基板W由搬送机械手TR1搬送到涂布处理单元BRC1～BRC3的任意一个中，旋转涂布反射防止膜用的涂布液。然后，基板W由搬送机械手TR1搬送到加热板HP1～HP6的任意一个上，通过加热处理而在基板W上形成有基底的反射防止膜。并且，其后，由搬送机械手TR1而从加热板取出的基板W被搬送到冷却板CP1～CP3的任意一个上而冷却之后，被放置在基板承载部PASS3上。

当基板W放置在基板承载部PASS3上时，抗蚀剂涂布模块的搬送机械手TR2接受该基板W并将其搬送到涂布处理单元SC1～SC3的任意一个中。在涂布处理单元SC1～SC3中，在基板W上旋转涂布抗蚀剂。另外，由于在抗蚀剂涂布处理中要求精密的基板调温，因此也可以在将基板W搬送到涂布处理单元SC1～SC3中之前，将其搬送到冷却板CP4～CP9的任意一个上。

抗蚀剂涂布处理结束后，基板W由搬送机械手TR2搬送到加热部PHP1～PHP6的任意一个中。通过由加热部PHP1～PHP6对基板W进行加热处理，从而除去抗蚀剂中的溶媒成分，并在基板W上形成有抗蚀膜。其后，由搬送机械手TR2从加热部PHP1～PHP6取出的基板W被搬送到冷却板CP4～CP9的任意一个上而进行冷却。冷却后的基板W由搬送机械手TR2放置在基板承载部PASS5上。

当将进行抗蚀剂涂布处理而形成了抗蚀膜的基板W放置在基板承载部PASS5上时，显影处理模块的搬送机械手TR3接受该基板W并直接放置在基板承载部PASS7上。然后，在基板承载部PASS7上放置的基板W由曝光后烘干模块的搬送机械手TR4接受，并被搬入到边缘曝光单元EEW1中。在边缘曝光单元EEW1中，对基板W的周缘部进行曝光处理。边缘曝光处理结束的基板W由搬送机械手TR4放置在基板承载部PASS9上。并且，在基板承载部PASS9上放置的基板W由接口模块的搬送机构55接受，并被搬入到曝光单元EXP中。此时，搬送机构55使用保持臂59a而将基板W从基板承载部PASS9搬送到曝光单元EXP的承载台92上。在承载台92上放置的完成了抗蚀剂涂布的基板W，经由搬送机构55被取入到曝光区域EA中，而进行图案曝光处理。

由于在本实施方式中使用化学增幅型抗蚀剂，所以在基板W上形成的抗蚀膜中被曝光的部分，因光化学反应而产生酸。此外，在曝光单元EXP中，由于对基板W进行液浸曝光处理，所以几乎不用变更现有的光源和曝光工艺就能够实现高析像度。另外，在将结束了边缘曝光处理的基板W搬入到曝光单元EXP中之前，可以由搬送机械手TR4将其搬入到冷却板14上而进行冷却处理。

完成了图案曝光处理的曝光结束的基板W经由搬送机构95而被搬到承载台91上。在承载台91上放置的基板W由搬送机构55取出，由此从曝光单元EXP再次返回到接口模块中。然后，曝光后的基板W由搬送机构55搬入到表面清洗处理单元SOAK1中。此时，搬送机构55使用保持臂59b而将基板W从曝光单元EXP搬送到表面清洗处理单元SOAK1中。虽然还存在液体附着在液浸曝光处理后的基板W上的情况，但是由于在搬送曝光前的基板W时使用保持臂59a，而在搬送曝光后的基板W时专门使用保持臂59b，因此至少在保持臂59a上不会附着有液体，从而能够防止液体转印在曝光前的基板W上。

在表面清洗处理单元SOAK1中，进行使用了清洗处理用喷嘴450的基板W的清洗处理和使用了干燥处理用喷嘴451的干燥处理。完成了清洗以及干燥处理的基板W，由搬送机构55从表面清洗处理单元SOAK1取出，并放置在基板承载部PASS10上。另外，在此时，搬送机构55使用保持臂59a将基板W从表面清洗处理单元SOAK1搬送到基板承载部PASS10上。当曝光后的基板W放置在基板承载部PASS10上时，曝光后烘干模块的搬送机械手TR4接受该基板W并将其搬送到加热部PHP7～PHP12的任意一个中。在加热部PHP7～PHP12中的处理动作如上所述。在加热部PHP7～PHP12中，进行加热处理(Post Exposure Bake：曝光后烘干)，该加热处理是这样的处理：将因曝光时的光化学反应而产生的生成物作为酸催化剂，促进抗蚀剂树脂的交联·聚合等反应，而使相对于显影液的溶解度仅在曝光部分局部地发生变化。完成了曝光后加热处理的基板W通过由具有冷却机构的局部搬送机构720搬送而被冷却，从而使上述化学反应停止。接着，基板W由搬送机械手TR4从加热部PHP7～PHP12取出，并放置在基板承载部PASS8上。

当基板W放置在基板承载部PASS8上时，显影处理模块的搬送机械手TR3接受该基板W并将其搬送到冷却板CP10～CP13的任意一个上。在冷却板CP10～CP13中，完成了曝光后加热处理的基板W进一步被冷却，从而正确地调节到给定温度。其后，搬送机械手TR3从冷却板CP10～CP13取出基板W并将其搬到显影处理单元SD1～SD3的任意一个中。在显影处理单元SD1～SD3中，将显影液供给到基板W上而进行显影处理。不久，显影处理结束后，基板W由搬送机械手TR3搬送到加热板HP7～HP11的任意一个上，然后，又被搬送到冷却板CP10～CP13的任意一个上。

其后，基板W由搬送机械手TR3放置在基板承载部PASS6上。在基板承载部PASS6上放置的基板W由抗蚀剂涂布模块的搬送机械手TR2直接放置在基板承载部PASS4上。进而，在基板承载部PASS4上放置的基板W，通过由剥离模块的搬送机械手TR1直接放置在基板承载部PASS2上，而存储在分度器区1中。在基板承载部PASS2上放置的处理结束的基板W通过分度器模块的基板移动承载机构12而容置在给定的运载器C中。其后，容置有给定张数的完成处理的基板W的运载器C被搬出到装置外部，从而完成了一系列的光刻处理。

如上所述，本实施方式的曝光单元EXP进行液浸曝光处理，为了在对图案图像的曝光位置进行调整的校准处理时防止纯水侵入到载物台98内部中，而使用仿真基板DW。具体来说，在载物台98的载物台凹部上嵌入仿真基板DW而进行校准处理。这样一来，虽然能够防止液体侵入到载物台98内部中，但是有可能在仿真基板DW上附着有液体并作为液滴而残留下来，若对这种液滴置之不理，则有可能这种液滴在干燥后会成为污染源，或者会损坏仿真基板DW的憎水性。此外，当仿真基板DW本身的背面被污染时，该污染也有可能被转印到载物台凹部上，而产生如上所述的各种不良。

因此，在本实施方式中，在基板处理装置SP侧，对曝光单元EXP保有的仿真基板DW、特别是仿真基板DW的背面进行清洗。在此，仿真基板DW的“表面”是指在曝光单元EXP进行校准处理时朝向上侧的主面。此外，仿真基板DW的“背面”是指与表面相反一侧的主面，是在校准处理时与载物台凹部直接接触的面。另外，通常的基板W的表面是指形成图案的主面，背面是指与表面相反一侧的面。此外，仿真基板DW以及基板W的上表面(下表面)是指朝向上侧(下侧)的面，背面有时是上表面有时是下表面。

图17是表示仿真基板DW的清洗顺序的流程图。首先，以给定的定时从曝光单元EXP将仿真基板DW搬出到基板处理装置SP中(步骤S1)。在此，给定的定时可以在曝光单元EXP内的上述校准处理(曝光位置调整)之前，或者也可以在之后。另外，也可以在校准处理之前以及之后，也可以是后述的其他的定时。如果在校准处理之前将仿真基板DW交给基板处理装置SP而进行清洗，则能够利用清洁的仿真基板DW执行校准处理。此外，如果在校准处理之后将仿真基板DW交给基板处理装置SP而进行清洗，则能够在校准处理时附着在仿真基板DW上的液滴干燥而成为污染源之前，进行清洗处理。另外，在校准处理之前搬出仿真基板DW时，搬送机构95从存储部99取出仿真基板DW并将其放在承载台91上，而在校准处理之后搬出仿真基板DW时，搬送机构95将从曝光区域EA接受到的刚处理结束的仿真基板DW直接放置在承载台91上。

在承载台91上放置的仿真基板DW由搬送机构55从曝光单元EXP向基板处理装置SP侧取出，并搬送到反转单元REV中(步骤S2)。在反转单元REV中的反转动作如上所述，仿真基板DW以背面成为上表面的方式被反转。并且，仿真基板DW由搬送机构55从反转单元REV搬送到背面清洗处理单元SOAK2中，在背面清洗处理单元SOAK2中执行仿真基板DW的背面清洗处理(步骤S3)。

在此，对在背面清洗处理单元SOAK2中的处理动作进行说明。首先，在背面清洗处理单元SOAK2中，搬入仿真基板DW时，挡板424下降，并且，搬送机构55将仿真基板DW放置在旋转卡盘427上。通过由旋转卡盘427的6个支撑销428来把持仿真基板DW的端缘部，从而旋转卡盘427使仿真基板DW的背面朝向上侧并以水平姿势进行保持。

接着，挡板424移动到上述的排液位置，并且，清洗处理用喷嘴450移动到仿真基板DW的中心部上方。其后，旋转轴425开始旋转，伴随于此，在旋转卡盘427上保持的仿真基板DW进行旋转。其后，打开阀Va，而从清洗处理用喷嘴450向仿真基板DW的上表面(在此为背面)喷出清洗液。在本实施方式中，向仿真基板DW的背面喷出作为清洗液的纯水。由此，进行仿真基板DW的背面清洗处理，从而冲洗掉附着在仿真基板DW的背面上的颗粒等。在离心力的作用下而从旋转的仿真基板DW飞散的液体由排液引导槽441导向排液空间431中，并从排液管434排出。

经过给定时间后，旋转轴425的旋转速度降低。由此，通过仿真基板DW的旋转而被甩掉的作为清洗液的纯水的量减少，而在仿真基板DW背面的整个面上形成水膜，即成为所谓的充满液体状态。另外，也可以停止旋转轴425的旋转，而在仿真基板DW背面的整个面上形成水膜。

接着，停止供给作为清洗液的纯水，使清洗处理用喷嘴450避让到给定位置，并且使干燥处理用喷嘴451移动到仿真基板DW的中心部上方。其后，打开阀Vc，而从干燥处理用喷嘴451向仿真基板DW的上表面中心部附近喷出惰性气体。在此，作为惰性气体而喷出氮气。由此，仿真基板DW的背面中心部的水分被冲到仿真基板DW的周缘部，从而成为仅在仿真基板DW的背面周缘部上残留有水膜的状态。

接着，使旋转轴425的旋转数再次上升，并且使干燥处理用喷嘴451从仿真基板DW的背面中心部上方向周缘部上方慢慢移动。由此，在残留在仿真基板DW背面上的水膜上受到较大的离心力的作用，并且，由于能够向仿真基板DW背面整个表面上喷射惰性气体，因此能够可靠地去除仿真基板DW上的水膜。其结果是，能够可靠地使仿真基板DW干燥。

接着，停止供给惰性气体，干燥处理用喷嘴451避让到给定位置上，并且使旋转轴425停止旋转。然后，使挡板424下降，并且使支撑销428解除仿真基板DW端缘部的把持，搬送机构55将仿真基板DW从背面清洗处理单元SOAK2搬出。由此，结束在背面清洗处理单元SOAK2中的处理动作。另外，在清洗和干燥处理中，优选挡板424的位置根据回收和排出处理液的需要而进行适当地变更。

结束了背面清洗处理的仿真基板DW由搬送机构55再次搬送到反转单元REV中，仿真基板DW以背面成为下表面的方式被反转(步骤S4)。并且，再次被反转的仿真基板DW由搬送机构55从反转单元REV搬送到表面清洗处理单元SOAK1中，在表面清洗处理单元SOAK1中执行仿真基板DW的表面清洗处理(步骤S5)。

在表面清洗处理单元SOAK1中，搬入仿真基板DW时，搬送机构55将仿真基板DW放置在旋转卡盘421上。旋转卡盘421将仿真基板DW以水平姿势进行吸附保持。其后的在表面清洗处理单元SOAK1中的清洗处理动作与上述的背面清洗处理单元SOAK2的处理动作相同。但是，表面清洗处理单元SOAK1，对仿真基板DW的表面执行使用了清洗处理用喷嘴450的表面清洗处理、和使用了干燥处理用喷嘴451的干燥处理，而清洗附着在仿真基板DW上的液浸曝光用的液体。另外，在表面清洗处理单元SOAK1或者背面清洗处理单元SOAK2中，即使在清洗通常的曝光处理后基板W的情况下，也执行与上述的仿真基板DW相同的处理动作。

结束了在清洗处理单元SOAK1中的清洗以及干燥处理的仿真基板DW，由搬送机构55搬送到曝光单元EXP中(步骤S6)，并放置在承载台92上。在上述的清洗处理在校准处理之后的情况下，在承载台92上放置的仿真基板DW通过搬送机构95而存储在存储部99中。此外，在上述的清洗处理在校准处理之前的情况下，在承载台92上放置的仿真基板DW由搬送机构95交接到曝光区域EA中。另外，在曝光单元EXP保有多个仿真基板DW的情况下，对它们全都进行上述的清洗处理。

这样一来，由于在基板处理装置SP的背面清洗处理单元SOAK2中对曝光单元EXP保有的仿真基板DW的背面进行清洗，因此仿真基板DW的背面维持在清洁的状态，其结果是，能够防止在曝光单元EXP进行校准处理时载物台凹部被污染。此外，通过将仿真基板DW的背面维持在清洁状态，从而不仅能够降低对曝光单元EXP内的载物台98的污染，还能够降低对搬送机构95等其他机构的污染。

此外，即使因在曝光单元EXP进行的校准处理而使液体附着在仿真基板DW上，由于将该仿真基板DW搬送到基板处理装置SP中进行清洗，因此，也能够防止基板仿真基板DW被污染。然后，使清洗后的仿真基板DW返回到曝光单元EXP中，而在曝光单元EXP侧能够使用清洁的仿真基板DW执行校准处理，因此能够降低载物台98等在曝光单元EXP内的机构的污染。

此外，仿真基板DW具有憎水性时，有时也会因污染而导致憎水性恶化，但是，通过利用上述清洗处理来除去污染物，而能够恢复基板表面的憎水性。其结果是，在校准处理时也能够通过仿真基板DW可靠地保持液浸液体。此外，若与对憎水性恶化了的仿真基板DW逐一地进行交换的方法相比，能够显著地降低成本。

但是，如上所述，由于基板处理装置SP和曝光单元EXP分别进行独立的动作控制，所以在清洗仿真基板DW时，必须预先向两个装置传递开始清洗仿真基板的信号。在本实施方式中，如图16所示，曝光单元EXP的清洗请求部108向基板处理装置SP发送清洗请求信号CS1。具体来说，在校准处理之前以及/或者之后，曝光单元EXP的控制器EC发送清洗请求信号CS1。在接收到清洗请求信号CS1的基板处理装置SP中，清洗控制部105对搬送机构55、反转单元REV、表面清洗处理单元SOAK1以及背面清洗处理单元SOAK2进行控制而对仿真基板DW进行清洗处理。即，从判断需要清洗仿真基板DW的曝光单元EXP侧，向基板处理装置SP发出清洗请求。

以上说明了本发明的实施方式，但是本发明在不脱离其宗旨的范围内，除了上述的方式以外还可以进行各种变更。例如，在上述实施方式中从曝光单元EXP侧发出清洗请求，但是也可以与此相反，而从基板处理装置SP侧发出清洗请求。具体来说，基板处理装置SP的搬出请求部106向曝光单元EXP发送请求搬出仿真基板DW的搬出请求信号CS2(图16)。在接收到搬出请求信号CS2的曝光单元EXP中，搬送控制部109控制搬送机构95而使仿真基板DW搬送到基板处理装置SP中。

此外，也可以由更上位的控制器即主计算机100指示仿真基板DW的清洗。具体来说，主计算机100向基板处理装置SP和曝光单元EXP双方发送清洗开始信号CS3。在接收到清洗开始信号CS3的曝光单元EXP中，搬送控制部109控制搬送机构95而使仿真基板DW搬送到基板处理装置SP中。另一方面，在接收到清洗开始信号CS3的基板处理装置SP中，清洗控制部105对搬送机构55、反转单元REV、表面清洗处理单元SOAK1以及背面清洗处理单元SOAK2进行控制，从而对仿真基板DW进行清洗处理。

此外，作为进行仿真基板DW的清洗处理的定时，并不限定在校准处理之前以及/或者之后，例如，也可以以规定的间隔定期地执行仿真基板DW的清洗处理方式来进行安排。具体来说，如图16所示，在基板处理装置SP中设置计划管理部107，该计划管理部107使向搬送请求部106定期地发送搬送请求信号CS2，而使搬送控制部109以及清洗控制部105定期地执行仿真基板DW的清洗处理。另外，当然也可以在主计算机100或者曝光单元EXP中设置计划管理部107。

作为定期地进行仿真基板DW的清洗处理的定时，例如可以举出基板处理***的定期维护时间。如果在定期维护时进行维护作业之一而执行仿真基板DW的清洗处理，则由于不会与通常基板的光刻处理相干涉，所以清洗和搬送的控制变得容易。而且，校准处理之前执行了仿真基板DW的清洗处理的情况下，能够使用刚刚完成清洗的干净的仿真基板DW来进行校准处理，另外，若在校准处理之后进行仿真基板DW的清洗处理，则所附着的液体干燥之前，就能可靠地除去污染源。

此外，在上述实施方式中，将对仿真基板DW进行清洗的表面的清洗处理单元SOAK1和背面清洗处理单元SOAK2配置在显影处理区4上，但是也可以将其中任意一个或两个配置在接口区5上。伴随于此，也可以将反转单元REV配置在显影处理区4上。在这样配置的情况下，基板W的光刻处理以及仿真基板DW的清洗处理动作与上述实施方式相同。由此，与上述实施方式相同，能够对曝光单元EXP内的仿真基板DW清洗，而降低基板的载物台等曝光单元EXP内机构的污染。此外，如果将表面清洗处理单元SOAK1以及背面清洗处理单元SOAK2配置在接口区5内，则能够将作为搬送控制的单位的接口模块全部容置在按照机械结构的分割单位即接口区5内，因此搬送基板处理装置SP整体的搬送控制变得容易。

此外，在上述实施方式中，在对仿真基板DW进行背面清洗处理后，进行了表面清洗处理，但是也可以将此顺序颠倒过来，在进行了表面清洗处理之后而执行背面清洗处理。即，搬送机构55将从曝光单元EXP接受到的仿真基板DW直接搬到表面清洗处理单元SOAK1中，先执行表面清洗处理。接着，将仿真基板DW搬送到反转单元REV上，并使仿真基板DW以背面成为上表面的方式反转之后，将其搬到背面清洗处理单元SOAK2中而执行背面清洗处理。其后，将仿真基板DW再次搬送到反转单元REV中，使仿真基板DW以背面成为下表面的方式反转之后，通过搬送机构55将其搬到曝光单元EXP中。可以根据清洗仿真基板DW的目的来决定先执行表面清洗处理还是背面清洗处理。在想要使仿真基板DW背面确实变清洁时，最好在进行表面清洗处理之后进行背面清洗处理，在重视表面的清洁度的情况下，最好在进行背面清洗处理之后进行表面清洗处理。

此外，并不限定于必须执行仿真基板DW的表面清洗处理和背面清洗处理，也可以仅执行其中的任意一个。即使使用背面清洗处理单元SOAK2以及反转单元REV而仅执行仿真基板DW的背面清洗处理，由于至少背面的污染可靠地被除去，所以在曝光单元EXP进行校准处理时也能够防止载物台98的载物台凹部被污染。此外，如果仅是表面清洗处理或背面清洗处理的任意一个，则能够缩短仿真基板DW的清洗处理所需要的时间。

此外，在上述实施方式中，在表面清洗处理单元SOAK1中进行仿真基板DW的表面清洗处理，而在背面清洗处理单元SOAK2中进行背面清洗处理，但是也可以在背面清洗处理单元SOAK2进行仿真基板DW的表面清洗处理和背面清洗处理。由于背面清洗处理单元SOAK2是由旋转卡盘427把持仿真基板DW的端缘部这种类型的装置，因此，无论仿真基板DW的背面是为上表面还是为下表面，都能够可靠地执行清洗处理。

此外，在上述实施方式中，对于通常的处理对象基板W，也可以在反转单元REV中反转之后，在背面清洗处理单元SOAK2中进行背面清洗处理。对于通常的基板W，可以进行表面清洗处理以及背面清洗处理，也可以仅进行其中的任一种处理。在对通常的基板W进行表面清洗处理以及背面清洗处理时，也可以先执行其中的任一种处理。

此外，可以取代在表面清洗处理单元SOAK1中对仿真基板DW进行清洗处理，或者在进行了清洗处理之后，向仿真基板DW供给药液而进行表面处理。在表面清洗处理单元SOAK1中，作为药液而供给例如氢氟酸。在仿真基板DW与通常的基板W相同地是硅晶片时，在表面上形成有氧化硅膜(自然氧化膜)而具有亲水性。通过向其供给作为药液的氢氟酸，从而剥离氧化硅膜而露出硅基材，能够对仿真基板DW的表面赋予憎水性。即，通过供给药液而能够对仿真基板DW的表面赋予(或者恢复)憎水性。具体来说，使在旋转卡盘421上保持的仿真基板DW旋转，并打开阀Vb，并从表面处理液供给源R2向清洗处理用喷嘴450输送氢氟酸，并将其向仿真基板DW的表面喷出。另外，向仿真基板DW供给的药液不仅限于氢氟酸，根据仿真基板DW的材质而可以供给例如氟化物或者丙烯树脂等材料，在表面清洗处理单元SOAK1中也可以进行用于赋予憎水性的涂布处理。

此外，对仿真基板DW进行清洗的清洗处理单元和用于对通常的基板W进行清洗的清洗处理单元可以分别为专用的装置。例如，可以在显影处理区4中设置通常的基板W用的清洗处理单元，而在接口区5中设置仿真基板DW用的清洗处理单元。特别是，由于涂布了化学增幅型抗蚀剂的曝光之后的基板W极其容易受碱性环境影响，所以在清洗处理单元中进行药液供给处理时，优选设置仿真基板DW专用的清洗处理单元。

此外，也可以在曝光单元EXP内相对于仿真基板DW另外独立具有载物台的清洁(cleaning)专用的清洁基板，并在基板处理装置SP中对该清洁基板的背面进行清洗。清洁基板相对于仿真基板DW另外独立地存储在曝光单元EXP的存储部99内。与仿真基板DW同样地以适当的定时将清洁基板搬送到基板处理装置SP中，在背面清洗处理单元SOAK2中至少清洗其背面。该背面清洗处理的方式与在上述实施方式所述的仿真基板DW的背面清洗处理完全相同。在载物台98的清洁处理时，通过将背面保持清洁的清洁基板嵌入到载物台凹部中，从而在载物台凹部上附着的颗粒等污染物质附着在清洁基板的背面上而被回收。由此，不用停止曝光单元EXP就能够容易地清扫载物台98的污染。另外，清洁处理后的吸附了污染物质的清洁基板的背面在背面清洗处理单元SOAK2中再次进行清洗。

此外，本发明的基板处理装置的结构不仅限于图1至图4所示的形式，只要是通过由搬送机械手相对多个处理部循环搬送基板W而对基板W进行给定的处理的形式即可，可以进行各种变形。

Claims (18)

1.一种基板处理方法，将在基板处理装置中进行了抗蚀剂涂布处理后的基板搬送到曝光装置中进行图案曝光之后，使该基板返回到所述基板处理装置中进行显影处理，其特征在于，该方法包括：

涂布处理工序，在所述基板处理装置中对基板进行抗蚀剂涂布处理；

基板送出工序，将所述基板从所述基板处理装置搬送到所述曝光装置中；

曝光工序，在所述曝光装置中对所述基板进行图案图像的曝光；

基板归还工序，将所述基板从所述曝光装置搬送到所述基板处理装置中；

显影处理工序，在所述基板处理装置中对所述基板进行显影处理；

曝光位置调整工序，使用仿真基板，调整在所述曝光装置中对所述基板进行曝光的图案图像的曝光位置；

仿真基板送出工序，将仿真基板搬送到所述基板处理装置中，其中所述仿真基板在所述曝光装置内用于调整图案图像的曝光位置；

第一反转工序，在所述基板处理装置内，以使所述仿真基板的背面成为上表面的方式反转所述仿真基板；

清洗工序，在所述基板处理装置内对所述仿真基板的背面进行清洗；

第二反转工序，在所述基板处理装置内，以使背面清洗后的所述仿真基板的背面成为下表面的方式反转所述仿真基板；

仿真基板归还工序，将清洗后的所述仿真基板搬送到所述曝光装置中。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述清洗工序是在所述曝光装置内对曝光位置进行调整之前和/或之后执行的。

3.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

定期地执行所述清洗工序。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

该方法还包括在所述基板处理装置内对所述仿真基板的表面进行清洗的工序。

5.一种基板处理方法，将在基板处理装置中进行了抗蚀剂涂布处理的基板搬送到曝光装置中进行图案曝光之后，使该基板返回到所述基板处理装置中进行显影处理，其特征在于，该方法包括：

涂布处理工序，在所述基板处理装置中对基板进行抗蚀剂涂布处理；

基板送出工序，将所述基板从所述基板处理装置搬送到所述曝光装置中；

曝光工序，在所述曝光装置中对所述基板进行图案图像的曝光；

基板归还工序，将所述基板从所述曝光装置搬送到所述基板处理装置中；

显影处理工序，在所述基板处理装置中对所述基板进行显影处理；

载物台清洁工序，使用清洁基板，对在所述曝光装置中进行曝光处理时承载基板的载物台进行清洁处理；

清洁基板送出工序，将在所述载物台清洁工序中使用的清洁基板搬送到所述基板处理装置中；

第一反转工序，在所述基板处理装置内，以使所述清洁基板的背面成为上表面的方式反转所述清洁基板；

清洗工序，在所述基板处理装置内对所述清洁基板的背面进行清洗；

第二反转工序，在所述基板处理装置内，以使背面清洗后的所清洁基板的背面成为下表面的方式反转所述清洁基板；

清洁基板归还工序，将清洗后的所述清洁基板搬送到所述曝光装置中。

6.一种基板处理***，其由基板处理装置和曝光装置连接而成，其中该基板处理装置对基板进行抗蚀剂涂布处理和显影处理，该曝光装置对涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理，其特征在于，

所述曝光装置包括：

存储部，其存储仿真基板，所述仿真基板用于调整图案图像的曝光位置，所述图案图像用于对在所述基板处理装置中涂布了抗蚀剂的基板进行曝光，

第一搬送装置，其在所述存储部与所述基板处理装置之间搬送仿真基板，并向所述基板处理装置交接所述基板；

所述基板处理装置包括：

涂布处理部，其对基板进行抗蚀剂涂布处理，

显影处理部，其对基板进行显影处理，

反转部，其使仿真基板的上下表面反转，

背面清洗部，其对仿真基板的背面进行清洗，

第二搬送装置，其在所述第一搬送装置与所述反转部以及所述背面清洗部之间搬送仿真基板，并向所述曝光装置交接所述基板。

7.如权利要求6所述的基板处理***，其特征在于，

所述基板处理装置还包括对仿真基板的表面进行清洗的表面清洗部，

所述第二搬送装置在所述第一搬送装置与所述反转部、所述表面清洗部以及所述背面清洗部之间搬送仿真基板。

8.如权利要求6或7所述的基板处理***，其特征在于，

所述曝光装置还包括清洗请求部，该清洗请求部向所述基板处理装置发送对仿真基板的清洗请求信号，

所述基板处理装置还包括清洗控制部，该清洗控制部接收所述清洗请求部的清洗请求信号，对所述第二搬送装置、所述反转部以及所述背面清洗部进行控制，对仿真基板的背面进行清洗处理。

9.如权利要求6或7所述的基板处理***，其特征在于，

所述基板处理装置还包括搬出请求部，该搬出请求部向所述曝光装置发送请求搬出仿真基板的搬出请求信号，

所述曝光装置还包括搬送控制部，该搬送控制部接收所述搬出请求部的搬出请求信号，对所述第一搬送装置进行控制，将仿真基板搬送到所述基板处理装置中。

10.如权利要求6或7所述的基板处理***，其特征在于，

该***还包括主计算机，该主计算机对所述基板处理装置以及所述曝光装置进行管理，

所述曝光装置还包括搬送控制部，该搬送控制部接收所述主计算机的清洗开始信号，对所述第一搬送装置进行控制，将仿真基板搬送到所述基板处理装置中，

所述基板处理装置还包括清洗控制部，该清洗控制部接收所述主计算机的清洗开始信号，对所述第二搬送装置、所述反转部以及所述背面清洗部进行控制，对仿真基板的背面进行清洗处理。

11.如权利要求6或7所述的基板处理***，其特征在于，

该***还包括主计算机，该主计算机对所述基板处理装置以及所述曝光装置进行管理，

所述曝光装置还包括搬送控制部，该搬送控制部对所述第一搬送装置进行控制，将仿真基板搬送到所述基板处理装置中，

所述基板处理装置还包括清洗控制部，该清洗控制部对所述第二搬送装置、所述反转部以及所述背面清洗部进行控制，对仿真基板进行背面清洗处理，

该***包括计划管理部，该计划管理部使所述搬送控制部以及所述清洗控制部定期地执行仿真基板的背面清洗处理。

12.一种基板处理***，其由基板处理装置与曝光装置连接而成，该基板处理装置对基板进行抗蚀剂涂布处理和显影处理，该曝光装置对涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理，其特征在于，

所述曝光装置包括：

载物台，其在所述基板处理装置中对涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理时，对所述基板进行承载，

存储部，其存储清洁基板，该清洁基板用于清洁所述载物台，

第一搬送装置，其在所述存储部与所述基板处理装置之间搬送清洁基板，并向所述基板处理装置交接所述基板；

所述基板处理装置包括：

涂布处理部，其对基板进行抗蚀剂涂布处理，

显影处理部，其对基板进行显影处理，

反转部，其使清洁基板的上下表面反转，

背面清洗部，其对清洁基板的背面进行清洗，

第二搬送装置，其在所述第一搬送装置与所述反转部以及所述背面清洗部之间搬送清洁基板，并向所述曝光装置交接所述基板。

13.一种基板处理装置，与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻配置，对基板进行抗蚀剂涂布处理和显影处理，其特征在于，该装置包括：

涂布处理部，其对基板进行抗蚀剂涂布处理；

显影处理部，其对基板进行显影处理；

背面清洗部，其对仿真基板的背面进行清洗，该仿真基板在所述曝光装置内用于调整图案图像的曝光位置，该图案图像用于对在所述涂布处理部中涂布了抗蚀剂的基板进行曝光；

反转部，其使仿真基板的上下表面反转；

搬送装置，其在所述曝光装置与所述反转部以及所述背面清洗部之间搬送仿真基板，并向所述曝光装置交接所述基板。

14.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，

该装置还包括对仿真基板的表面进行清洗的表面清洗部，

所述搬送装置在所述曝光装置与所述反转部、所述表面清洗部以及所述背面清洗部之间搬送仿真基板。

15.如权利要求13或14所述的基板处理装置，其特征在于，

该装置还包括清洗控制部，该清洗控制部接收所述曝光装置发出的对仿真基板进行清洗的请求，对所述搬送装置、所述反转部以及所述背面清洗部进行控制，对仿真基板的背面进行清洗处理。

16.如权利要求13或14所述的基板处理装置，其特征在于，

该装置还包括搬送请求部，该搬送请求部向所述曝光装置发送请求搬出仿真基板的搬出请求信号。

17.如权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，

该装置还包括计划管理部，该计划管理部使所述搬出请求部定期地发送搬出请求信号。

18.一种基板处理装置，与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻配置，对基板进行抗蚀剂涂布处理和显影处理，其特征在于，该装置包括：

涂布处理部，其对基板进行抗蚀剂涂布处理；

显影处理部，其对基板进行显影处理；

背面清洗部，其对清洁基板的背面进行清洗，该清洁基板在所述曝光装置内用于清洁载物台，其中，当对在所述涂布处理部中涂布了抗蚀剂的基板进行曝光处理时，所述载物台承载所述基板；

反转部，其使清洁基板的上下表面反转；

搬送装置，其在所述曝光装置与所述反转部以及所述背面清洗部之间搬送清洁基板，并向所述曝光装置交接所述基板。

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