CN100437759C - 记录介质的制造方法及制造装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种以高生产率和高合格率制造具有微细凹凸图形的高密度记录介质、半导体及磁记录介质的方法。本发明的记录介质的制造方法，包括：将具有形成凹凸图形的凹凸形成区域的原盘(5)和被复制基板(1)***由空心圆筒状的上模具(9)和下模具(10)构成的模具的一对压制面之间，对所述上模具(9)和下模具(10)的中心部进行加压，并对所述原盘(5)和被复制基板(1)施加压力，由此将所述原盘(5)的凹凸图形复制到所述被复制基板(1)的表面的工序；切断施加到所述上模具(9)及下模具(10)的内周部的压缩负重，使该压缩负重向所述上模具(9)及下模具(10)的外周侧面分散。

Description

记录介质的制造方法及制造装置
(1)技术领域
本发明涉及一种硬盘等记录介质、半导体、或磁复制盘等的记录介质的制造方法及制造装置。
(2)背景技术
近年来，随着电子计算机等信息设备的功能的飞速提高，使用者使用的信息量显著增加。在这种状况下，热切期待一种比已往更高记录密度的信息记录再现装置和高集成度的半导体装置。
为了提高记录介质的记录密度，需要更微细的加工技术。使用曝光工艺的现有光刻技术，虽然能够适度进行大面积的微细加工，但不具有光的波长以下的分解能力。为此，利用现有光刻技术就很难形成小于等于200nm的微细结构。
作为小于等于200nm级的加工技术，包括电子射线平板印刷和聚焦离子束平板印刷等的方法。但是，在这些方法中，存在着生产能力差这样的问题。
作为以高生产能力制作光的波长以下的微细结构的方法，包括1995年S.Y.Chou等提出的“纳米复制平板印刷(NIL)技术”(例如，参照非专利文献1)。
纳米复制平板印刷技术是将通过电子射线平板印刷等形成微细凹凸图形的原盘按压在涂敷了抗蚀剂的基板上，将原盘的凹凸图形复制在基板的抗蚀剂膜上的方法。
使用此方法，与电子射线平板印刷和聚焦离子束平板印刷相比，大幅度地缩短了对大于等于1平方英寸区域的处理时间。
纳米复制平板印刷技术的各工序如下所述。
(1)在硅基板等被复制基板上涂敷PMMA等抗蚀剂。
(2)在减压气氛下，将原盘按压在被复制基板上。此时的压力为100个大气压左右。
(3)将形成抗蚀剂膜的被复制基板加热到抗蚀剂的玻璃转移温度以上。
(4)经过规定的时间后，将原盘及被复制基板冷却到室温。
(5)将原盘从被复制基板上剥离。
(6)将凹凸复制到抗蚀剂膜上。
在上述工序中，将被复制基板加热到抗蚀剂的玻璃转移温度以上的工序(3)，使抗蚀剂软化，即使是低压力，作为进行凹凸复制所必需的工序在被复制基板的加热和冷却时要花费时间，所以成为生产能力下降的原因。并且，当抗蚀剂软化，从抗蚀剂基板剥离原盘时，抗蚀剂膜的一部分会附着在原盘上，从基板上剥落。
此外，这些工序在减压气氛下进行。这是为了防止因在原盘和被复制基板之间存在气泡所引起的在局部不能复制。但是，减压气氛的形成由于需要使用泵等的脱气时间，所以成为生产能力下降的原因。
此外，在大约1平方英寸以上的大区域上均匀地复制原盘的凹凸图形的情况，要求原盘表面和被复制基板表面有高的平行度。即使能够获得必需的平行度，但对于大面积均匀地分散负重也是非常困难的。
如上所述，与通过电子射线平板印刷和聚焦离子束的描写工艺相比，纳米复制平板印刷技术适用于形成光波长以下的微细结构，能够以极高的生产能力来形成非常微细的结构。
但是，在纳米复制平板印刷技术中，由于基板的加热和冷却需要花费时间，所以就有可能对生产能力产生不良影响，并破坏膜；由于脱气需要花费时间，所以就会对生产能力存在不良影响，难于确保原盘表面和被复制基板表面的平行度及对原盘和被复制基板施加均匀负重等问题。
因此，作为解决上述问题的目的，本申请人首先提出了常温复制技术(例如，参考专利文献1)。
常温复制技术是这样一种方法，即在个大气压下，将具有形成凹凸图形的凹凸形成区域的原盘和涂敷了抗蚀剂的被复制基板夹在一对压制面之间，对这些原盘和被复制基板施加非常高的压力，由此将原盘的凹凸图形复制在被复制基板的抗蚀剂膜上。
根据此方法，相对于被复制基板，除原盘的空白部分外，能够以均匀的压力按压凹凸形成区域。因此，200nm或低于200nm的微细凹凸图形都能够被均匀地复制在被复制基板的大面积上。并且，能够实现高的生产能力。
此外，即使在个大气压下，当施加到原盘和被复制基板的压力为≥500个大气压时，由于压缩的气泡起保护层作用，所以原盘和被复制基板确实容易分离开，解决了膜的剥离等问题。
并且，在对原盘和被复制基板施加压力时，如果将其周围的气氛设定为比被复制基板的抗蚀剂玻璃转移温度低的温度，也能够抑制膜的剥离等问题。
如上所述，根据常温复制技术，克服了S.Y.Chou等提出的“纳米复制平板印刷(NIL)技术”的缺点。但是，在常温复制技术中，存在以下这些问题。
第一问题，当压力≥500个大气压时，因模具弹性变形而产生不完全接触现象，就不能以均匀的压力对原盘和被复制基板加压。
图23是表示在常温复制技术的压制工序中使用的压制机的部分被切除后的斜视图。
在图23中，101是原盘，102是被复制基板，103是上侧的模具(以下标记为“上模具”)，104是上台，105是下侧模具(以下标记为“下模具”)，106是下台。
上台104由原盘状的大直径部104a、和在大直径部104a下面以与上述大直径部104a同圆心的形状形成的原盘状的小直径部104b构成。上模具103为环形形状，嵌在上述小直径部104b的中央部。
此外，下台106由原盘状的大直径部106a、和在大直径部106a上面以与上述大直径部106a同圆心的形状形成的原盘状的小直径部106b构成。在小直径部106b的上面中央部，向上形成贯通原盘101及被复制基板102的中心孔的圆柱状的突起106c。再有，突起106c的外径比上模具103的中心孔的内径稍小。下模具105为环形形状，嵌在上述突起106c的周围。
图24是表示用常温复制技术的压制工序中所使用的压制机，以1000个大气压对原盘及被复制基板加压时的压力分布的曲线图。
观察图24就能够明白，存在约20％的压力差。这表明没有以均匀的压力对原盘和被复制基板加压。
第二问题是原盘和被复制基板的相对位置偏移。
图25A是表示常温复制技术的压制工序前的原盘和被复制基板的剖面图，图25B是表示常温复制技术的压制工序中的原盘和被复制基板的剖面图。
如上所述，在常温复制技术中，以大于等于500个大气压的高压力对原盘和被复制基板加压。为此，这些原盘和被复制基板在纵方向(施加压力的方向)被大大压缩，在横方向(与纵方向正交的方向)就会被大大拉伸。
再有，纵方向压缩量和横方向拉伸量之比被称为泊松比，是物质固有的值。对于原盘和被复制基板的横方向的拉伸量，压缩应力和泊松比成正比，与纵弹性系数成反比。
例如，镍的纵弹性系数为1.995×1011Pa，泊松比为0.31。再有，玻璃的纵弹性系数为7.200×1010Pa，泊松比为0.30。
因此，原盘101的材料为镍，被复制基板102的材料为玻璃时，原盘101和被复制基板102的纵弹性系数有很大差异，不能避免原盘101和被复制基板102的相对位置的偏移。
于是，在上模具103、下模具105、原盘101、被复制基板102中，有摩擦力作用。因此，如果压力分布均匀，这些摩擦力使横方向拉伸的力上升，在原盘101和被复制基板102之间不产生偏移。但是，如上所述，在常温复制技术中，由于压力分布不均匀，在原盘101和被复制基板102之间产生偏移。
图26是表示使用常温复制技术时原盘和被复制基板的相对偏移量的曲线图。再有，在图26中，a表示常温复制技术的偏移量，b表示偏移量为0的线。
观察图26就能够明白，在原盘和被复制基板之间产生约20nm的偏移量。如果以≤200nm构图为目标，这是不允许的偏移量。
专利文献1参照专利文献1。参照特开2003-157520号公报
非专利文献1 Appl. Phys.Lett.；Vol.76(1995)P3114
(3)发明内容
本发明目的在于解决纳米复制平板印刷技术所具有的以下(1)～(5)的课题和常温大气压下复制技术所具有的(6)～(7)的课题。
(1)基板的加热和冷却花费时间，生产能力低。
(2)从被复制基板剥离原盘时，抗蚀剂膜从被复制基板剥离。
(3)脱气花费时间，生产能力低。
(4)难以确保原盘表面和基板表面的平行度、及对原盘和被复制基板均匀施加压力。
(5)因热膨胀率不同，加热时和冷却时原盘和被复制基板相对偏移。
(6)对被复制基板不能均匀地施加压力。
(7)因材料不同，原盘和被复制基板相对偏移。
为了实现上述目的，本发明的记录介质的制造方法及制造装置按以下构成。
(1)一种记录介质的制造方法，包括将具有形成凹凸图形的凹凸形成区域的原盘和被复制基板***由空心圆筒状的上模具和下模具构成的模具的一对压制面之间，对所述上模具和下模具的中心部进行加压，并对所述原盘和被复制基板施加压力，由此将所述原盘的凹凸图形复制到所述被复制基板的表面的工序，其特征在于，通过分别在上模具及下模具的内周面上形成沟槽来切断施加到所述上模具及下模具的内周部的压缩负重，使该压缩负重向所述上模具及下模具的外周侧面分散。
(2)一种记录介质的制造方法，包括将具有形成凹凸图形的凹凸形成区域的原盘和被复制基板***上模具和下模具构成的模具的一对压制面之间，对所述原盘和被复制基板施加压力，由此将所述原盘的凹凸图形复制到所述被复制基板的表面的工序，其特征在于，通过分别在上模具及下模具的外周面上形成沟槽来使施加到所述上模具及所述下模具的外周部的压缩负重向中心轴侧分散。
(3)在(1)或(2)所述的记录介质的制造方法中，所述上模具及下模具的至少一个的压制面，因从所述上模具及下模具所施加的压力，而向与所述压制面平行的方向伸展或缩小，从而吸收所述原盘和被复制基板的变形；并且与所述原盘或被复制基板类似地变形，对所述原盘或被复制基板均匀地赋予所述压力。
(4)在(1)或(2)所述的记录介质的制造方法中，所述被复制基板在其表面带有由抗蚀剂材料形成的被复制层，在比所述被复制层的1个大气压下的玻璃转移温度更低的温度下，进行所述凹凸图形的复制。
(5)在(1)或(2)所述的记录介质的制造方法中，所述原盘及被复制基板由至少含有金属、合金、金属氧化物、无机材料、陶瓷材料、半导体及玻璃之中的一种的化合物或混合物构成。
(6)在(1)或(2)所述的记录介质的制造方法中，所述上模具及下模具的至少一个的压制面包括缓冲层和板体；其中，从所述上模具及下模具施加压力，缓冲层向与所述压制面平行的方向伸展或缩小，从而吸收所述原盘和被复制基板的变形；板体被设置在所述缓冲层的原盘侧或被复制基板侧的表面上，由于隔着所述缓冲层所承受的压力，而与所述原盘或被复制基板类似地变形。
(7)在(6)所述的记录介质的制造方法中，所述缓冲层的材料是塑料材料、橡胶材料及聚对苯二甲酸乙二酯树脂材料中的任意一种。
(8)在(1)所述的记录介质的制造方法中，所述被复制基板是承载在硬盘驱动器上的基板，为了在所述基板上形成伺服图形而进行向所述基板表面的凹凸图形的复制。
(9)在(1)所述的记录介质的制造方法中，所述被复制基板是半导体晶片，进行向所述半导体晶片的凹凸图形的复制。
(10)一种记录介质的制造装置，将具有形成凹凸图形的凹凸形成区域的原盘和被复制基板***由空心圆筒状的上模具和下模具构成的模具的一对压制面之间，对所述原盘和被复制基板施加压力，由此将所述原盘的凹凸图形复制到所述被复制基板的表面上；其中具有沟槽，该沟槽设置在所述上模具及下模具的内周面上，并切断集中在所述上模具及下模具的内周部的压缩负重，使该压缩负重向所述上模具及下模具的外周侧面分散。
(11)一种记录介质的制造装置，将具有形成凹凸图形的凹凸形成区域的原盘和被复制基板***由上模具和下模具构成的模具的一对压制面之间，对所述原盘和被复制基板施加压力，由此将所述原盘的凹凸图形复制到所述被复制基板的表面上；其中具有沟槽，该沟槽设置在所述上模具及下模具的外周面上，并使集中在所述上模具及所述下模具的外周部的压缩负重向所述上模具和下模具的中心轴侧分散。
根据本发明，能够以高生产率和高合格率制造具有微细凹凸图形的高密度的记录介质、半导体及磁记录介质。
(4)附图说明
图1A是本发明的第一实施例的磁记录介质的制造工序的工序图。
图1B是本发明的第一实施例的磁记录介质的制造工序的工序图。
图1C是本发明的第一实施例的磁记录介质的制造工序的工序图。
图1D是本发明的第一实施例的磁记录介质的制造工序的工序图。
图1E是本发明的第一实施例的磁记录介质的制造工序的工序图。
图1F是本发明的第一实施例的磁记录介质的制造工序的工序图。
图2是同一实施例的制造装置的斜视图。
图3是从与图2不同的方向看同一实施例的制造装置的斜视图。
图4是分解表示同一实施例的制造装置的主要部位的斜视图。
图5是同一实施例的自由轴的放大图。
图6是用于压制同一实施例的制造装置的通用的油压压制机的正面图。
图7是分解表示用于制作同一实施例的2.5英寸硬盘的模具的斜视图。
图8是对同一实施例的模具施加压力的方法的说明图。
图9A相对于作用于同一实施例的制造装置的纵方向的应力的分布图。
图9B是同一实施例的图9A的主要部位的放大图。
图10是表示在同一实施例的原盘和被复制基板之间产生的压力分布的曲线图。
图11是表示同一实施例的原盘和被复制基板间的相对偏移量的曲线图。
图12A是本发明的第二实施例的相变光记录介质的制造工序的工序图。
图12B是本发明的第二实施例的相变光记录介质的制造工序的工序图。
图12C是本发明的第二实施例的相变光记录介质的制造工序的工序图。
图12D是本发明的第二实施例的相变光记录介质的制造工序的工序图。
图12E是本发明的第二实施例的相变光记录介质的制造工序的工序图。
图12F是本发明的第二实施例的相变光记录介质的制造工序的工序图。
图13是本发明的第四实施例的制造装置的剖面图。
图14是表示对本发明的第五实施例的上模具和下模具加压的被复制基板1的主要部位的剖面图。
图15A是表示在同一实施例的原盘和被复制基板之间产生的压力分布的曲线图。
图15B是表示同一实施例的原盘和被复制基板间的相对偏移量的曲线图。
图16A是同一实施例中的制造装置的斜视图。
图16B是部分切掉地表示同一实施例的制造装置的斜视图。
图17是放大表示同一实施例的图16B的主要部位的剖面图。
图18是对同一实施例的模具施加压力的方法的说明图。
图19A是表示在同一实施例的原盘和被复制基板之间产生的压力分布的曲线图。
图19B是表示同一实施例的原盘和被复制基板间的相对偏移量的曲线图。
图20A是没有对同一实施例的原盘和被复制基板施加压力的状态的均压作用体的剖面图。
图20B是对同一实施例的原盘和被复制基板施加压力的状态的均压作用体的剖面图。
图21A是表示在使用同一实施例的变化例的制造装置的情况下，在原盘和被复制基板之间产生的压力分布的曲线图。
图21B是表示同一实施例的变化例的原盘和被复制基板间的相对偏移量的曲线图。
图22是部分切掉地表示本发明的第六实施例的制造装置的斜视图。
图23是切断地表示在常温复制技术的压制工序中使用的压制机的一部分的斜视图。
图24是表示用常温复制技术的压制工序中所使用的压制机，在1000个大气压下对原盘和被复制基板加压时的压力分布的曲线图。
图25A是表示常温复制技术的压制工序前的原盘和被复制基板的剖面图。
图25B是表示常温复制技术的压制工序中的原盘和被复制基板的剖面图。
图26是表示使用常温复制技术时原盘和被复制基板的相对偏移量的曲线图。
(元件符号说明)
1…被复制基板    4…抗蚀剂膜(被复制层)
5…原盘          5a…凹凸形成区域
9a…沟槽         9…上模具
10…下模具       10a…沟槽
31…缓冲层       32…板体
(5)具体实施方式
下面，参照附图来详细说明本发明的第一实施例～第五实施例。
(第一实施例)
在第一实施例中，使用本发明的纳米复制(ナノインプリント)技术在基板上形成沟槽区域。并且，通过在此沟槽埋入磁性材料，制作出记录磁道带。在此假设的记录介质，是内置在2.5英寸硬盘的磁盘。
图1A～1F是本发明的第一实施例的磁记录介质(记录介质)的制造工序的工序图，分别表示各工序中的工件的剖面模式图。
首先，制作图1A所示的被复制基板1。具体地，在玻璃盘基板2上，通过溅射法成膜出由钌合金构成的软磁性层和具备由钴合金构成的记录层的垂直记录型的磁性膜。在此使用的玻璃盘基板2是沿中心轴形成有空心部的直径65mm的空心圆板状的基板。再有，在下面的说明中，“磁性膜3”代表这些软磁性层和磁性膜。并且，通过旋涂在此磁性膜3上成膜100nm厚的酚醛清漆型的抗蚀剂膜(被复制层)4。
接着，如图1B所示，在抗蚀剂膜4上按压原盘5，在抗蚀剂膜4的表面复制原盘5的凹凸图形。再有，原盘5，如后所述，具有形成多个凹凸图形的凹凸形成区域5a。此工序是纳米复制工序。
接着，如图1C所示，从被复制基板1上剥离原盘5。于是，在纳米复制后的被复制基板1的抗蚀剂膜4的表面，形成对应于原盘5的凹凸图形的凹凸图形。
接着，如图1D所示，通过蚀刻(RIE)去除抗蚀剂膜4的残渣。
接着，如图1E所示，在被复制基板1的抗蚀剂膜4及磁性膜3侧进行氩离子研磨(milling)处理，蚀刻磁性膜3。此时，在对应于抗蚀剂膜4的沟槽的部分，通过上述研磨处理除去磁性膜3。并且，在蚀刻抗蚀剂膜4和沟槽以外的部分，通过上述研磨处理蚀刻抗蚀剂膜4的一部分。但是，此蚀刻不到达磁性膜3。因此，残留图形化磁性体3a。
如此取得的工件，如图1F所示，经过氧灰化处理，去除残存的抗蚀剂。由此，在玻璃盘基板2上形成包括图形化磁性体3a的记录磁道带。以上完成盘状的磁记录介质D。
作为被复制基板1的基板材料，优选适合于制作高密度记录介质的材料。例如，能够使用金属、合金、金属氧化物、无机材料、陶瓷材料、半导体、玻璃、或至少包含两种这些材料的化合物和混合物等。
作为抗蚀剂膜4的抗蚀剂材料，根据制作的高密度记录介质，优选适合于在纳米复制工序后进行的蚀刻等的加工工序的材料。例如，可使用半导体加工中使用的常规的抗蚀剂材料和高分子材料等。
并且，抗蚀剂膜4需要通过纳米复制确实地复制原盘5的凹凸图形。为此，作为抗蚀剂材料，优选使用比原盘5的材料更软的材料。
此外，优选即使纳米复制工序后，也能够维持在室温下复制的凹凸图形的稳定性。即，优选抗蚀剂材料的玻璃转移温度及熔点在室温以上。并且优选，即使是≥500个大气压的负重，也能够复制原盘5的凹凸图形那样的软的材料。
按如下的方法制作上述原盘5。
首先，使用电子射线平板印刷，在玻璃原盘上形成各种各样形状的多个沟槽结构。再有，这些沟槽结构的宽度≤200nm，间隔≤200nm，高度≤200nm。
接着，在此玻璃原盘的表面，使用电镀法，形成厚300μm的镍膜。此后，从玻璃原盘上剥离此镍膜并切断。由此，形成宽度≤200nm，间隔≤200nm，高度≤200nm的同心圆形状的凹凸图形，完成直径65mm、厚度300μm的镍制原盘5。
作为原盘5的材料，优选在纳米复制原盘5表面设置的凹凸图形时不易变形的材料。例如，能够使用金属、合金、金属氧化物、无机材料、陶瓷材料、半导体、玻璃、或至少包含两种这些材料的化合物和混合物等。
此外，优选原盘5，在纳米复制时与被复制基板1的表面波纹相一致的变形。即，更优选用比上述的上模具9和下模具10的材料软的材料形成原盘5。根据本发明人的研讨判明，原盘5的材料是镍(Ni)和铝(Al)等时，能够获得良好的结果。此外，判明在原盘5的厚度为300μm左右时也能够获得良好的结果。
形成在原盘5的凹凸形成区域5a的凹凸图形具有适合于制作高密度记录介质的≤200nm的结构。作为此结构，能够使用宽度≤200nm的沟槽结构，宽度≤200nm的峰结构，直径≤200nm的点结构，直径≤200nm的柱状结构，直径≤200nm的孔结构等。
此外，优选凹凸图形的深度为适合于纳米复制工序后进行的蚀刻等的半导体加工的≤200nm。此外，优选凹凸图形的沟槽部是向被复制基板1扩大的≥1度且≤60度的锥形结构，以便纳米复制工序后被复制基板1容易从原盘5上剥离。并且，为了能够高精度地形成磁性体，优选凹凸图形的头顶部和底部是粗糙度为≤10nm的平坦结构。
接着，说明纳米印刷方法和制造装置。
图2是同一实施例的制造装置的斜视图，图3是从与图2不同的方向看的同一实施例的制造装置的斜视图，图4是分解表示同一实施例的制造装置的主要部位的斜视图。
如图2～图4所示，此制造装置包括自由轴6、上模具装置7、上板8、上模具9、下模具10、下板11、下模具装置12、突起13等。利用油压压制机器从上方进行加压。再有，可以交换原盘5和被复制基板1的位置。
上模具装置7相对于下模具装置12，可通过多个导向支柱14进行可接触分离地组合。上板8安装在上模具装置7的下面，在上板8的下面支持有上模具9。此外，下板11安装在下模具装置12的上面，在下模具装置12的上面支持有下模具10。
突起13设置在固定油压压制机的台15的上面，支持下模具装置12的下面中央部。再有，突起13的上面直径比工件(原盘5及被复制基板1)的直径小。
本发明中的一对压制面由上模具9的下面和下模具10的上面构成，将原盘5及被复制基板1夹在这些压制面之间对其加压。
图5是同一实施例的自由轴6的放大图。
如图5所示，此自由轴6基本上为圆柱状，主要由上部、中间部、及下部构成。上部的上面为球面状。在中间部通过整个周边设置沟槽6b。在下部的下面，轴部6a从其中央部垂直突出，在轴部6a的外周部设置螺纹牙。此轴部6a旋入设置在上模具装置7上面的螺丝孔内。由此，自由轴6被固定在上模具装置7上。
再有，连接在上模具装置7的上面的自由轴6的下面的直径比工件的直径小。
图6是用于压制同一实施例的制造装置的通用的油压压制机的正面图。
上述制造装置可安装使用在例如图6所示的通用的油压压制机上。此油压压制机包括设置在安装制造装置位置的左侧和右侧的多个导向棒16、由这些导向棒16引导的上下运动的载物台17、安装在载物台17下面的支持器18。
自由轴6的上部被***在支持器18上设置的孔18a内。由此，将上述制造装置装接在支持器18上。再有，自由轴6通过支持器18以中心轴为中心可旋转地保持。
通过支持器18向下方按压自由轴6的上面中央部时，制造装置的突起13阻挡此力。由此，将压力传到夹在上模具9和下模具10之间的工件上。
接着，说明纳米复制时对上模具9和下模具10施加的压力。
在本实施例中，在个大气压下进行纳米复制。将纳米复制时的压力设定为≥500个大气压。由此，在纳米复制时的温度高于抗蚀剂膜4的玻璃转移温度时就不需要进行加热，即使是室温、或加热了的80℃以下的温度，也能将原盘5的凹凸图形复制在被复制基板1上。因此，在原盘5及被复制基板1的加热和冷却上没有花费时间，或大幅度地减少了时间，就大幅度地提高生产能力。
并且，将纳米复制时的压力设定为≥500个大气压时，残存在原盘5和被复制基板1之间的气泡被压缩到≤1/500。因此，能够实质性地消除因气泡原因产生的凹凸图形复制失误。
此外，由于从被复制基板1剥离原盘5时，在纳米复制时被压缩的气泡又恢复到本来的体积，所以就按从被复制基板1离开的方向按压原盘5。由此，可防止抗蚀剂膜4附着在原盘5上，而残存在原盘5上。即，由高的压力压缩的气泡作为不损伤凹凸图形的薄的保护层插在原盘5和被复制基板1之间，抑制抗蚀剂膜4的剥离。
优选上模具9和下模具10的压制面具有高的平坦性。即，在进行纳米复制的原盘5及被复制基板1附近，优选压制面的表面粗糙度不到10μm，更优选不到1μm。
此外，优选上模具9和下模具10的压制面具有高的平行度。即，在以不夹持原盘5及被复制基板1的状态进行空按压时，优选上模具9的压制面和下模具10的压制面的空隙不到10μm，更优选不到1μm。如果上模具9及下模具10的压制面满足上述条件，就能够抑制由上模具9和下模具10的不完全接触引起的不良的产生。
再有，作为上模具9及下模具10的材料，基于容易入手和成本等观点，可使用低碳钢、不锈钢、铝合金、超硬合金等。
接着，叙述以均匀的压力将原盘5加压在被复制基板1的方法。
图7是分解表示用于制作同一实施例的2.5英寸硬盘的模具的斜视图。
如图7所示，在上模具9和下模具10的内周面，沿内周方向形成各沟槽9a、10a。
图8是对同一实施例的模具施加压力的方法的说明图。
如图8箭头标记所示，压力被集中施加在上模具9和下模具10的中心部。
接着，说明本实施例中的模具的结构特征。
例如，按外径65mm、内径20mm、厚度25mm的空心圆筒状形成上模具9和下模具10。在下模具10的内周面，距离下面2mm的位置处设置高度1mm、深度1.8mm的沟槽10a。此外，在上模具9的内周面，距离上面2mm的位置处设置高度1mm、深度1.8mm的沟槽9a。作为上模具9和下模具10的材料，可使用低碳钢或不锈钢。
为确定原盘5、被复制基板1、上模具9及下模具10的空心部的相对位置，而设置它们，在它们的内部***下板11的插脚11a。原盘5、被复制基板1、上模具9、下模具10的空心部的直径与插脚11a的外径彼此相同。但是，相对于插脚11a，为了能够实现平滑的离合，将插脚11a的直径设定得比上述空心部大一些(例如5～20μm)。由此，在原盘5、被复制基板1、上模具9及下模具10的内周面和下板11的插脚11a的外周面之间形成间隙。
此外，将上模具9和下模具10的外径设定得比原盘5或被复制基板1的外径小一些。例如，上述间隙为10μm时，仅以在10μm上加上孔位置制作误差的值较小地设定上模具9和下模具10的外径。如果这样，就能够防止局部的应力集中。
上模具9和下模具10通过自由轴6安装在油压压制机。通过自由轴6及突起13构成的压力集中机构(压力集中装置)K，将油压压制机的压力集中在上模具9和下模具10的中心侧。再有，此压力集中机构K由图2及图3表示。
接着，说明在上模具9和下模具10设置沟槽9a、10a的理由。
图9A是相对于作用于同一实施例的制造装置的纵方向的应力的分布图，图9B是图9A的主要部位的放大图。
在此假定的压力为108Pa(约1000个大气压)。
如图9A所示，作用于原盘5和被复制基板1的应力大致均匀。由此，表明两者被按大致均匀的压力压制。
通过由自由轴6和突起13构成的压力集中机构K，将来自油压压制机的压力集中在上模具装置7和下模具装置12的中心。由此，在上模具9中，使压缩负重集中在内周部(参照A部)即空心部H侧。
因此，如果没有沟槽9a，即使被复制基板1也将压缩负重集中在内周部，原盘5和被复制基板1的接触压力在内周侧变大。但是，在本实施例中，在A部设置沟槽9a。为此，集中在上模具9的内周部的力，被此沟槽9a阻断，被分散到上模具9的外周侧面。如果沟槽的位置和深度合适，原盘5和被复制基板1之间的压力分布就会基本上均匀。再有，由于设置在下模具10的沟槽10a的效果与上述上模具9的沟槽9a相同，所以加以省略。
图10是表示在同一实施例的原盘5和被复制基板1之间产生的压力分布的曲线图。再有，在图10中，a表示本发明的压力分布，b表示现有技术的压力分布。
如图10所示，在本发明的方法中，除周边部以外区域的压力差约为1％。另一方面，在原有的方法中，除周边部以外区域的压力差约为20％。
图11是表示同一实施例的原盘5和被复制基板1之间的相对偏移量的曲线图。再有，在图11中，a表示本发明的偏移量，b表示现有技术的偏移量，c表示偏移量为0的线。
如图11所示表明，压力分布均匀化时，偏移量为≤1nm。如此，在本发明中，由于偏移量几乎为零，所以能够实现10nm左右的构图。
接着，说明将压力一旦集中在模具中心侧的理由和效果。
当承受模具压力的部分是平面时，在假设的接触状态中存在(1)平面和平面在端部接触，由平面的端部承受压力的情况，(2)平面和平面在中央接触，由平面的中央承受压力的情况，(3)压力分散在整个平面的情况，(4)平面和平面之间有小的废物(gome)，由废物的部分集中承受压力的情况等。
但是，由于接触状态是(1)～(4)哪一状态，不是看看就能知道的，所以非常难以确定。此外，接触状态为哪一种状态还依赖于压制机的结构。因此，靠平面间的接触承受压力时，压力分布变得不稳定。
但是，如果一旦压力集中在模具的中心侧，就能够消除这种不稳定。在本发明中，由于使用由自由轴6和突起13构成的压力集中机构K，就能够使压力集中在模具的空心部H侧，即模具的内周部。
使用此制造装置制作的盘状磁记录介质，根据纳米复制时确定复制位置的图形被固定在气浮转子发动机上。并且，此磁记录介质和气浮转子发动机，经过常规的HDD(硬盘驱动器)的制造工序，就成为磁记录装置。
根据在磁记录装置的记录磁道带的伺服信号记录区域记录的伺服信号，HDD的磁头可靠地扫描数据信号记录区域，由此进行数据信号的记录及再现。
根据本实施例，通过作为记录介质的2.5英寸的盘基板的几乎整个表面，就可容易地可靠形成按≤200nm的间距构图的磁记录层。由此，在实现超高密度磁记录***的同时，形成伺服图形。再有，在本实施例中，作为记录介质能够使用2.5英寸的盘基板，但本发明并不限定于此。
如以上所说明的，根据本发明，利用纳米复制方法就能够在≥一平方英寸的大面积区上以高生产率高精度地制作≤200nm的微细凹凸图形。
在上述的实施例中，作为被复制基板的记录介质可使用玻璃基板，但被复制基板并不限于此，也可适用于形成微细图形的板状部件的整体。例如，也可适用于由半导体材料构成的半导体晶片，在半导体晶片表面形成电子电路时，虽然可使用将现有的曝光工序、清洗工序、蚀刻工序加以组合的、称为PEP的图形形成方法，但对于旋涂抗蚀剂的半导体晶片由于使用此方法，不经过曝光工序也能够在半导体晶片表面形成具有微细形状的抗蚀剂图形，由此不需要使用高价且具有复杂结构的曝光装置，不考虑光的衍射界限也能够形成微细的图形。
因此，能够高生产率、高合格率地制造高密度记录介质和具有与高密度记录介质相同的微细结构的半导体。
(第二实施例)
在第二实施例中，说明MD等相变光记录介质的试验例子。
图12A～12F是本发明的第二实施例的相变光记录介质的制造工序的工序图，分别表示各工序中工件的剖面图。
首先，制作图12A所示的被复制基板21。具体地，在直径2.5英寸的玻璃盘基板22上，成膜出由厚约30nm的铂(Pt)膜形成的反射膜23和由厚约50nm的氧化铝(Al2O3)膜形成的基体层24。并且，在基体层24上利用旋涂法涂敷抗蚀剂，形成抗蚀剂膜25。
接着，如图12B所示，用与第一实施例相同的方法，在抗蚀剂膜25的表面复制原盘26的凹凸图形。此工序是纳米复制工序。再有，所使用的原盘26用与第一实施例相同的工序制作。但是，此原盘26的直径为65mm、厚度为300μm，在其表面具有形成宽50nm、间隔50nm、高度100nm的同心圆状的凹凸图形的凹凸形成区域26a。
接着，如图12C所示，从被复制基板21上剥离原盘26。于是，在纳米复制后的被复制基板21的抗蚀剂膜25的表面，对应于原盘26的凹凸图形，形成宽50nm、间隔50nm、高度100nm的同心圆状的凹凸图形。
接着，如图12D所示，将抗蚀剂图形作为掩膜，蚀刻基体层24。由此，在基体层24中形成沟槽结构。再有，对抗蚀剂膜25蚀刻后加以去除。
接着，如图12E所示，形成作为相变材料的厚约30nm的铟·锑·碲(In-Sb-Te)膜27。由此，覆盖沟槽结构形成记录磁道。
接着，如图12F所示，在被复制基板的整个表面上形成SiO2膜28。由此，用SiO2膜28来保护基体层24和铟·锑·碲膜27。再有，SiO2膜28的表面，在其成膜后进行平坦化处理。
根据本实施例，由于通过作为记录介质的2.5英寸的盘基板的几乎整个表面，形成按间距50nm构图的相变记录介质，所以能够实现超高密度相变记录***。再有，在本实施例中，作为记录介质，可以使用2.5英寸的盘基板，但本发明并不限定于此。
(第三实施例)
第三实施例是使用硬盘驱动器(HDD)用的玻璃原盘作为记录介质的例子，可适用于以高生产率制作磁记录介质的磁复制方式(例如特开平7-78337号公报)。
磁复制方式中，事先在表面记录伺服信息等的磁信号的主盘是必需的。过去，此主盘的制作是非常困难的。但是，使用本发明，就能够容易且低价的制作复制上述磁信号的磁复制主盘。
再有，在此磁复制中，虽然有按正确的位置关系密接主盘和从属盘的工序，但，如果使用第一、第二实施例中的制造装置，在对这些盘施加压力时，就能够使盘间的偏移量≤1nm，并且完全使盘相互密接。
因此，在一对压制面之间对主盘和从属盘加压的状态下，如果从外部施加偏置磁场，由于通过从属盘的整个表面能够均匀地复制主盘的磁信息，所以就能够以高生产率高合格率制造磁记录介质。
以上参照具体例子说明了第一实施例～第三实施例。但是，本发明并不限定于这些具体的例子。
例如，被复制基板不限定于上述实施例，也可改变和选择被复制基板的结构、材料、尺寸等。
此外，在上述实施例中，仅在模具的内周面设置沟槽，也可设置在内周面和外周面这两处。此外，也可仅在模具的外周面设置沟槽。
(第四实施例)
图13是本发明的第四实施例的制造装置的剖面图。
如图13所示，在本实施例的制造装置中，自由轴6的下面和突起13的上面的直径比工件(原盘5和被复制基板1)的直径大。为此，在上模具9和下模具10的外周面不存在沟槽时，利用由自由轴6和突起13构成的压力集中机构Ka，就将施加在上模具9和下模具10的压力集中在被复制基板1的外周部。
但是，如果在上模具9和下模具10的外周面存在沟槽9a、10a，集中在外周部的压力就会通过这些沟槽9a及沟槽10a向上模具9和下模具10中心轴侧分散。
再有，此制造装置例如也可以适用于0.85英寸硬盘这种小径记录介质等的记录介质的制造。此外，被复制基板1的尺寸有许多种，本发明能够适用于所有尺寸的被复制基板1。
(第五实施例)
因此，本发明的制造方法，包括纳米复制工序，用从几十到几百MPa的压力按压原盘5和被复制基板1，将原盘5的凹凸图形复制到被复制基板1的抗蚀剂膜上。为此，必须确保均匀地加压。即压力分布没有偏差，必须最低限度地降低原盘5和被复制基板1的相对偏移量。
但是，没有限制作为被复制基板1的基板材料所使用的玻璃盘基板的表面必须确保高平坦度，可存在某种程度的凹凸。此外，上模具9与下模具10的压力面也与玻璃盘基板一样，不限制其要确保高的平坦度，可存在某种程度的凹凸。
因此，在本实施例中，研讨凹凸存在对纳米复制的影响。
图14是表示对本发明的第五实施例的上模具9和下模具10加压的被复制基板1的主要部位的剖面图。
在此，假设原盘5、上模具9及下模具10全都没有凹凸，仅被复制基板1的局部具有2μm左右的凸部。即，在被复制基板1设置2μm的凸部T。
发明人对此被复制基板1适当使用有限元素法，构筑了高精度的解析模型。再有，此解析模型中，作为模具9、10的材料可使用铁(低碳钢)。
解析结果如下。
图15A是表示在同一实施例的原盘5和被复制基板1之间产生的压力分布的特性图，图15B是表示同一实施例的原盘5和被复制基板1间的相对偏移量的特性图。
如图15A所示，原盘5和被复制基板1之间的压力分布，以108Pa(约1000个大气压)为基准，在-10％～+17％的范围内变化。此外，如图15B所示，原盘5和被复制基板1的偏移量最大为28nm。
如此，当被复制基板1存在凸部T时，原盘5和被复制基板1之间的压力分布离散，在此之间产生了大的偏移量。因此，为了解决此问题，由发明人提出如下所述的记录介质的制造方法和制造装置。如果使用此制造方法和制造装置，即使被复制基板1带有凸部T，也可抑制原盘5和被复制基板1的偏移量，大幅度地提高纳米复制的精度。
图16A是同一实施例中的制造装置的斜视图，图16B是部分切掉地表示同一实施例的制造装置的斜视图。
如图16A和图16B所示，此制造装置包括：上模具装置7、上板8、沿中心轴形成的具有空心部H的上模具9、两组均压作用体30、沿中心轴形成的具有空心部H的下模具10、下板11、及下模具装置12等，利用油压压制机器从上方进行加压。
上模具装置7相对于下模具装置12，可通过多个导向支柱14接触分离自由地安装。上板8安装在上模具装置7的下面，在上板8的下面支持有上模具9。下板11安装在下模具装置12的上面，在下板11的上面支持下模具10。在此，省略了上述的自由轴6和突起13。
此制造装置，可安装使用在图6所示的通用的油压压制机上。原盘5和被复制基板1夹在后述的均压作用体30之间被加压。
图17是放大表示图16B的主要部位的剖面图。
如图17所示，均压作用体30由缓冲层31和板体32构成。即，本实施例中，将上模具装置7、上板8、上模具9、缓冲层31、板体32、原盘5、被复制基板1、板体32、缓冲层31、下模具10、下板11及下模具装置12加以层叠。并且，施加的压力约为325kN(32ton)。
作为缓冲层31的原材料，能够使用比原盘5和被复制基板1软的、厚约0.5mm的合成树脂(例如，PET树脂材料)的原材料。作为板体32的原材料，能够使用厚度约1.0mm的铁板(低碳钢)。
原盘5和被复制基板1由与前面说明的相同的原材料形成。但是，在被复制基板1的中央部，如图14所说明的，形成有2μm左右的凸部T。此外，由上模具9和下模具10组成的模具的尺寸、形状、材料与前面说明的相同。
图18是对同一实施例的模具施加压力的方法的说明图。
如图18的箭头标记所示，压力被施加到上模具装置7和下模具装置12的端面的中心轴附近。由此，压缩负重集中到在上模具9和下模具10形成的空心部侧即上模具9和下模具10的内周面附近。这是用于消除压制面的不完全接触所导致的不稳定原因的必要条件。
发明人使用有限元素法解析原盘5和被复制基板1之间的压力分布，及原盘5和被复制基板1的相对偏移量。
解析结果如下。
图19A是表示在同一实施例的原盘5和被复制基板1之间产生的压力分布的曲线图，图19B是表示同一实施例的原盘5和被复制基板1间的相对偏移量的曲线图。
如图19A所示，原盘5和被复制基板1之间的压力分布相当均匀，其变化范围是以108Pa(约1000个大气压)为基准，包容在-4％～+8％的范围内。此外，如图19B所示，原盘5和被复制基板1的偏移量最大减少为22nm。即，如果使用上述的制造方法和制造装置，就能够获得针对被复制基板1的板厚变化的强化(robust)的某一设计。
接着，说明实现上述结构的过程。
如上所述，本申请人利用“特开2003-157520号公报”提出了一种常温压印(imprinting)技术。其特点是，在上模具和被复制基板之间***由比原盘和被复制基板软的原材料(PET树脂)形成的缓冲层，通过隔着此缓冲层对被复制基板施加压力，在被复制基板的表面复制原盘的凹凸图形。
当改变被复制基板的板厚的情况，即在被复制基板存在凸部的情况并施加压力时，缓冲层弹性就会变形。即，缓冲层作为缓和压力的衬底材料而起作用，吸收被复制基板的厚度变化。
但是，由于缓冲层的原材料PET树脂材料的弹性系数小，泊松比为0.3，所以轴方向承受压力时，容易扩大到与轴方向成直角的面的方向上。
因此，接触缓冲层的位置存在凸部时，被复制基板就会被拉到缓冲层并向面方向移动，在原盘和被复制基板之间产生相对偏移量。实际上，原盘和被复制基板的相对偏移量将变为μm数量级的范围。
基于这样的理由，代替上述缓冲层，如果在上模具和被复制基板之间，***轴方向(施加压力方向)柔软高、面方向(与轴方向正交的方向)刚性高的结构体，由于能够吸收非复制基板的凸部，并且能够抑制原盘和被复制基板的相对位置偏移，就能够满足所有条件，导出这样的结论。
因此，在本实施例中，在作为上模具9或下模具10的模具和作为原盘5和被复制基板1的工件之间***均压作用体30。并且，根据发明人的解析，满足所有条件。
图20A是没有对同一实施例的原盘5和被复制基板1施加压力的状态的均压作用体30的剖面图，图20B是对同一实施例的原盘5和被复制基板1施加压力的状态的均压作用体30的剖面图。
如图20A所示，在上模具9和下模具10之间存在被加压的原盘5和被复制基板1。被复制基板1具有凸部T，原盘5不带凸部。在上模具9和被复制基板1之间***均压作用体30。此均压作用体30由配置在上模具9侧的树脂材料制的缓冲层31、和配置在被复制基板1侧的金属材料制的板体32构成。重叠配置这些缓冲层31和板体32。板体32和缓冲层31之间不接合。此外，在下模具10和原盘5之间也***均压作用体30。此均压作用体30由配置在下模具10侧的缓冲层31、和配置在原盘5侧的板体32构成。
下面，仅以具有凸部T的被复制基板1侧为对象加以说明。
施加在上模具9的压缩负重被传递到缓冲层31，使此缓冲层31弹性变形。即，弹性系数小的缓冲层31，如图20B中两点划线所示，在轴方向压缩的同时，在面方向扩大拉伸，通过板体32吸收被复制基板1的凸部T。再有，传递到缓冲层31的压缩负重施加在板体32上。
缓冲层31在面方向扩大拉伸时，板体32受到来自缓冲层31面方向的偏移力。但是，构成板体32的铁板(低碳钢)是硬质原材料，其纵弹性系数远远高于构成缓冲层31的PET树脂材料(约100倍)。因此，即使缓冲层31在面方向扩大变形，由于在接触界面产生滑移，板体32在面方向也没有移动。
另一方面，形成很薄的直接接触被复制基板1的板体32，以便其受到来自缓冲层31的压缩负重时，与被复制基板1的形状类似地变形，对被复制基板1均匀地传递压缩负重。即使在被复制基板1的整个表面存在凸部T时，板体32对被复制基板1也能够均匀地传递压缩负重。再有，由于此时的板体32的变形，不是“对纵方向负重的压缩”，是“板弹性的面外变形”，所以向面方向的拉伸小。
如上所述，即使是在从上模具9和下模具10对与原盘5和被复制基板1接触的板体32施加压力时，在面方向也没有移动。其结果，由于被复制基板1被拉向面方向却没有移动，所以原盘5和被复制基板1之间就没有相对偏移，能够得到满足纳米复制工序所要求的所有的条件的结果。
再有，对于被复制基板1存在凹部的情况，或被复制基板1存在多个凹凸的情况，也能够取得完全相同的作用效果。并且，并不限定于在被复制基板1上存在凹凸的情况，对于原盘5侧存在凹凸时，如果在原盘5和下模具10之间***均压作用体30，也能够取得完全相同的作用效果。此外，根据构成板体的材料和被复制基板1的平坦度等规格适当地设定板体32的厚度。
接着，说明第五实施例的变化例的制造装置。
在本变化例中，在第五实施例的上模具9和下模具10的内周面分别形成上述的沟槽9a、10a(参照图7)。即，本变化例的制造装置包括在上模具9和原盘5或下模具10和被复制基板1之间设置均压作用体30的技术、以及在上模具9及下模具10的内周面形成沟槽9a、10a的技术。
如第一实施例所说明的，假如在上模具9及下模具10的空心部H的周面设置沟槽9a、10a，在原盘5和平坦的被复制基板1之间产生的压力差就变为≤1％，是有效的。
因此，发明人使用具有沟槽9a、10a和均压作用体30的制造装置，进行对带有2μm左右的凸部T的被复制基板1的复制试验。
图21A是表示在使用同一实施例的变化例的制造装置的情况下，在原盘5和被复制基板1之间产生的压力分布的曲线图，图21B是表示同一实施例的变化例的原盘5和被复制基板1间的相对偏移量的曲线图。
如图21A所示，压力分布更加均匀。因此，可以验证出在上模具9和下模具10设置沟槽9a、10a的方法与设置均压作用体30的方法是相互兼容的。
(第六实施例)
图22是部分切掉地表示本发明的第六实施例的制造装置的斜视图。
如图22所示，此制造装置，从上起顺序包括自由轴6、上模具装置7、上板8、上模具9、下模具10、下板11、下模具装置12、突起13等。利用油压压制机器从上方进行加压。
相对于下模具装置12，通过多个导向支柱14可接触分离被支持上模具装置7。上板8安装在上模具装置7的下面，在上模具装置7的下面支持有上模具9。此外，下板11安装在下模具装置12的上面，在下模具装置12的上面支持有下模具10。
本发明中的一对压制面由上模具9的下面和下模具10的上面构成，将原盘5及被复制基板1夹在这些上模具9的下面和下模具10的上面之间并对其加压。并且，仅在上模具9和原盘5之间***由缓冲层31和板体32构成的均压作用体30。
如此，即使仅在上模具9和原盘5之间***均压作用体30，此均压作用体30也能吸收在原盘5或被复制基板1上形成的凹凸。即，对原盘5和被复制基板1的整个表面均匀地施加压力。
此外，本发明并不限定于上述实施例的原有内容，能够在不脱离本发明的宗旨的范围内在实施阶段改变构成元素，并加以具体化。此外，通过将上述实施例所公开的多个构成要素适当组合就能够形成各种发明。例如，也可从实施例所示出的所有结构要素中去除几个构成要素。并且，也可以适当地组合不同实施例中的构成要素。

Claims (11)

1、一种记录介质的制造方法，包括：将具有形成凹凸图形的凹凸形成区域的原盘和被复制基板***由空心圆筒状的上模具和下模具构成的模具的一对压制面之间，对所述上模具和下模具的中心部进行加压，并对所述原盘和被复制基板施加压力，由此将所述原盘的凹凸图形复制到所述被复制基板的表面的工序，其特征在于，
通过分别在上模具及下模具的内周面上形成沟槽来切断施加到所述上模具及下模具的内周部的压缩负重，使该压缩负重向所述上模具及下模具的外周侧面分散。
2、一种记录介质的制造方法，包括：将具有形成凹凸图形的凹凸形成区域的原盘和被复制基板***由上模具和下模具构成的模具的一对压制面之间，对所述原盘和被复制基板施加压力，由此将所述原盘的凹凸图形复制到所述被复制基板的表面的工序，其特征在于，
通过分别在上模具及下模具的外周面上形成沟槽来使施加到所述上模具及所述下模具的外周部的压缩负重向中心轴侧分散。
3、根据权利要求1或2所述的记录介质的制造方法，其特征在于，
所述上模具及下模具的至少一个的压制面，因从所述上模具及下模具所施加的压力，而向与所述压制面平行的方向伸展或缩小，从而吸收所述原盘和被复制基板的变形；并且，与所述原盘或被复制基板类似地变形，从而对所述原盘或被复制基板均匀地赋予所述压力。
4、根据权利要求1或2所述的记录介质的制造方法，其特征在于，
所述被复制基板在其表面带有由抗蚀剂材料形成的被复制层；
在比所述被复制层的1个大气压下的玻璃转移温度更低的温度下，进行所述凹凸图形的复制。
5、根据权利要求1或2所述的记录介质的制造方法，其特征在于，
所述原盘及被复制基板由至少含有金属、合金、金属氧化物、无机材料、陶瓷材料、半导体及玻璃之中的一种的化合物或混合物构成。
6、根据权利要求1或2所述的记录介质的制造方法，其特征在于，
所述上模具及下模具的至少一个的压制面包括缓冲层和板体；其中，
该缓冲层因从所述上模具及下模具所施加的压力而向与所述压制面平行的方向伸展或缩小，从而吸收所述原盘和被复制基板的变形；
该板体被设置在所述缓冲层的原盘侧或被复制基板侧的表面上，由于隔着所述缓冲层所承受的压力，而与所述原盘或被复制基板类似地变形。
7、根据权利要求6所述的记录介质的制造方法，其特征在于，
所述缓冲层的材料是塑料材料、橡胶材料及聚对苯二甲酸乙二酯树脂材料中的任意一种。
8、根据权利要求1所述的记录介质的制造方法，其特征在于，
所述被复制基板是承载在硬盘驱动器上的基板，
为了在所述基板上形成伺服图形而进行向所述基板表面的凹凸图形的复制。
9、根据权利要求1所述的记录介质的制造方法，其特征在于，
所述被复制基板是半导体晶片，并进行向所述半导体晶片的凹凸图形的复制。
10、一种记录介质的制造装置，将具有形成凹凸图形的凹凸形成区域的原盘和被复制基板***由空心圆筒状的上模具和下模具构成的模具的一对压制面之间，对所述原盘和被复制基板施加压力，由此将所述原盘的凹凸图形复制到所述被复制基板的表面；
其特征在于，具有沟槽，该沟槽设置在所述上模具及下模具的内周面上，并切断集中在所述上模具及下模具的内周部的压缩负重，使该压缩负重向所述上模具及下模具的外周侧面分散。
11、一种记录介质的制造装置，将具有形成凹凸图形的凹凸形成区域的原盘和被复制基板***由上模具和下模具构成的模具的一对压制面之间，对所述原盘和被复制基板施加压力，由此将所述原盘的凹凸图形复制到所述被复制基板的表面；
其特征在于，具有沟槽，该沟槽设置在所述上模具及下模具的外周面上，并使集中在所述上模具及下模具的外周部的压缩负重向所述上模具和下模具的中心轴侧分散。
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