CN100419964C - 切片用粘着片、切片方法和半导体元件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种切片用粘着片，在基材薄膜(11)的至少一面上设有粘着剂层(12)，所述的基材薄膜(11)是两层以上的多层薄膜，所述的多层薄膜至少两层含有以丙烯作为聚合成分并且熔点峰值温度为120～170℃的烯烃系热塑性弹性体，而且所述的至少两层所含的烯烃系热塑性弹性体，其各自的丙烯含量不同。根据本发明的切片用粘着片，没有产品质量的降低和成本方面的不利点，切片时丝状屑产生少，即使在展开工序中也薄膜不会龟裂，而且还能将卷刃的产生抑制较低。

Description

切片用粘着片、切片方法和半导体元件的制造方法
技术领域
本发明涉及切片用粘着片。而且还涉及使用该切片用粘着片进行切片的方法。此外也涉及使用该切片用粘着片的半导体元件的制造方法。本发明的切片用粘着片，在将半导体晶片等元件小片切割分离(切片)时，特别适于作为固定该半导体晶片等的被切割物用的半导体晶片切片用粘着片使用。本发明的切片用粘着片，例如可以作为硅半导体切片用粘着片、化合物半导体晶片切片用粘着片、半导体封装切片用粘着片、玻璃切片用粘着片等使用。
背景技术
过去以硅、镓、砷等作为原材料的半导体晶片，在以大直径状态制成后，被切割分离(切片)成元件小片，进而被移到安装工序。此时，半导体晶片是在被粘附保持在粘着片的状态下实施切片工序、清洗工序、展开工序、拾取工序、和安装工序等各工序。作为所述粘着片，一般可以使用在由塑料薄膜构成的基材上涂布1～200μm左右丙烯酸系粘着剂而形成的粘着片。
在上述切片工序中，是利用边旋转边移动的圆形刀具进行切割，但是此时作为主流一直采用的是进行切割至保持半导体晶片的切片用粘着片的基材内部为止的所谓全切割法。而且对于采用全切割法的切割方法而言，由于切割进行到粘着片内部，其结果，作为基材的塑料薄膜本身将会产生丝状的切割屑。这种丝状屑一旦附着在芯片(被切割体)的侧面等上，附着的切割屑就会直接在后续工序中被安装、封入，因而存在使半导体元件的可靠性显著降低的问题。而且在拾取工序中，是利用CCD相机识别每个芯片并对位之后进行拾取，因此一旦存在丝状屑就会产生识别错误的不良情况。
作为解决这种问题的手段，例如提出了使用乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物作为基材的粘着片(参照特开平5-156214号公报)。但是这种粘着片中丝状屑虽然有若干减少，但是仍然达不到满足能够耐受今后高可靠性半导体制造中切片工序要求的水平。而且在展开工序中的拉伸时，片材容易在切片的切割部分断裂，在需要大量展开的工序中，难以稳定使用。
另外，提出了基材薄膜使用照射了1～80MRad电子射线或γ射线等放射线的薄膜的粘着片(参照特开平5-211234号公报)。但是，这种粘着片因放射线的照射使薄膜有较大损坏，难以得到外观良好的薄膜，在薄膜制造中花费很大成本，从质量和价格方面来看并不好。但是一旦采用这种方法，由于加速薄膜的容易断裂性，所以对于需要展开的切片用粘着片并不特别优选。
此外也提出了，作为基材薄膜使用一种含有丙烯与乙烯和/或碳原子数4～8的α-烯烃作为聚合成分，而且熔点峰值温度为120℃以上的烯烃系热塑性弹性体的粘着片(参照特开2003-7654号公报)。这种粘着片能够抑制丝状屑的产生。
另一方面，在采用粘着片的切片工序中，在被切断的半导体元件(晶片)的内侧面上存在产生所谓卷刃的裂缝(裂纹)的问题。近年来随着IC卡的普及推进了半导体元件的薄型化，半导体元件的卷刃，具有导致半导体元件强度的严重降低，使其可靠性显著下降的问题，而且还能使成品率降低。但是，上述特开2003-7654号公报的粘着片，尚不能充分满足展开工序中薄膜断裂以及卷刃这两方面要求。
发明内容
本发明正是为解决已有技术中存在的上述问题而提出的，目的在于提供一种没有产品质量的降低和成本方面的不利点，切片时丝状屑的产生少，即使在展开工序中薄膜也不会龟裂，而且还能将卷刃的产生抑制低的切片用粘着片。
而且本发明目的还在于提供一种使用该切片用粘着片的切片方法。此外本发明目的也在于提供一种使用该切片用粘着片的半导体元件的制造方法，以及利用该制造方法得到的半导体元件。
本发明人等为了解决上述课题就构成切片用粘着片的基材薄膜进行了深入研究，结果发现作为基材薄膜，通过得到使用了特定的烯烃系热塑性弹性体的多层薄膜，能够达成上述发明目的，因而完成了本发明。
也就是说本发明涉及一种切片用粘着片，在基材薄膜的至少一面上设有粘着剂层，其特征在于所述的基材薄膜是两层以上的多层薄膜，所述的多层薄膜至少两层含有以丙烯作为聚合成分并且熔点峰值温度为120～170℃的烯烃系热塑性弹性体，而且在所述的至少两层所含的烯烃系热塑性弹性体，其各自的丙烯含量不同。
上述本发明的切片用粘着片的基材薄膜由多层薄膜构成，多层薄膜的至少两层含有以丙烯作为聚合成分并且熔点峰值温度为120～170℃的烯烃系热塑性弹性体。这样的烯烃系热塑性弹性体切片时基材薄膜的延伸率下降，可以抑制切片时丝状屑的产生。上述烯烃系热塑性弹性体的熔点峰值温度优选在140℃以上，更优选在160℃以上。熔点峰值温度一般可以按照JIS K7121规定用差示扫描热量计(DSC)测定。
而且上述多层薄膜中，至少两层含有的烯烃系热塑性弹性体，可以使用丙烯含量分别不同的烯烃系热塑性弹性体。通过改变丙烯含量，能够对各层赋予不同性质。
在上述切片用粘着片中，至少两层含有烯烃系热塑性弹性体的多层薄膜，丙烯含量少的烯烃系热塑性弹性体含有层，优选作为粘着剂层一侧。
将丙烯含量相对较少的层作为进行切片切入层使用，能够抑制卷刃。而且还能使切片后的拾取性良好。另一方面，通过将丙烯含量相对较多的层作为不进行切片切入层，在展开工序中还能对薄膜赋予对抗龟裂的强度。
上述的切片用粘着片中，优选使所述的两层以上的多层薄膜的至少一层所含的烯烃系热塑性弹性体中丙烯含量为45～90摩尔％，而且另外至少一层所含的烯烃系热塑性弹性体中丙烯含量为65～98摩尔％。
丙烯含量为45～90摩尔％的烯烃系热塑性弹性体的含有层，优选作为进行切片切入的层之一使用。该层所用的烯烃系热塑性弹性体的丙烯含量优选为50～85摩尔％，更优选为55～78摩尔％。
丙烯含量为65～98摩尔％的烯烃系热塑性弹性体的含有层，优选作为不进行切片切入层之一使用。该层所用的烯烃系热塑性弹性体的丙烯含量优选为70～96摩尔％，更优选为78～96摩尔％。
在上述的切片用粘着片中，所述的烯烃系热塑性弹性体的、用邻二氯苯作溶剂时在温度于0～140℃期间温度上升溶离分级中0℃的溶出成分，优选占全部溶出量的10～60重量％。
上述烯烃系热塑性弹性体在0℃的溶出成分相对于全部溶出量的比例范围，是在切片时可以抑制丝状屑产生，而且能够满足展开性和基材薄膜与粘着剂层之间粘着性的优选范围。一旦0℃溶出成分的比例减少，就能使烯烃系热塑性弹性体成形得到的基材薄膜***，除能使展开时延伸性恶化之外，由于拾取也有变难的倾向，所以上述0℃溶出成分的比例优选在20重量％以上。而且一旦0℃溶出成分的比例增大，由于具有使烯烃系热塑性弹性体成形得到的基材薄膜与粘着剂层的粘着性恶化的倾向，所以上述0℃溶出成分的比例优选在50重量％以下。
其中所述的温度上升溶离分级法(Temperature Rising ElutionFractionation：TREF)，是一种公知的分析方法。其原理是：高温下使聚合物完全溶解在溶剂中后冷却，使溶液中事先存在的惰性载体的表面上形成薄的聚合物层。此时，难于结晶的低结晶性或非结晶性成分依次与容易结晶的高结晶性成分分离形成聚合物层。然后一旦连续或分阶段升温，则与上述相反，低结晶性或非结晶性成分就会溶出，高结晶性成分最后溶出。由这种在各温度下的溶出量和溶出温度绘制溶出曲线，利用这种溶出曲线分析聚合物的组成分布。
测定装置使用交叉分级装置(三菱化学(株)制，CFC·T150A)。用溶剂(邻二氯苯)在140℃将应当测定的样品(烯烃系热塑性弹性体)溶解成浓度达到30mg/ml，将其注入测定装置的样品回路中。按照设定条件自动进行以下测定。将保持在样品回路内的样品溶液注入利用溶解温度差而分级的TREF柱(充填了本身是惰性体的玻璃珠的内径4mm、长度150mm的作为装置附件的不锈钢柱)中0.4ml。该样品被以1℃/分钟速度从140℃冷却到0℃温度，从而被涂敷在上述惰性载体上。此时按照从高结晶性成分(容易结晶的成分)至低结晶性成分(难于结晶的成分)的顺序在惰性载体表面上形成聚合物层。将TREF柱在0℃再保持30分钟后，分阶段像下述那样升温，一边分别在各温度下保持30分钟一边测定在该温度下溶出的成分。溶出温度(℃)：0、5、10、15、20、25、30、35、40、45、49、52、55、58、61、64、67、70、73、76、79、82、85、88、91、94、97、100、102、120、140。
上述切片用粘着片中含有所述的烯烃系热塑性弹性体的至少两层，优选含有50重量％以上烯烃系热塑性弹性体。
基材薄膜中上述烯烃系热塑性弹性体的含量，从防止产生丝状屑的效果来看，单层薄膜或多层薄膜的至少一层通常含有50重量％以上，优选含有80重量％以上。将基材薄膜制成多层薄膜的情况下，通过将含有上述烯烃系热塑性弹性体的延伸性低的层，设置在全切割时圆形刀具进行的切入深度为止的至少一层上，能够防止切片时丝状屑的产生，通过将展开时所需的延伸性优良的层设置在其它层上，能够弥补所述烯烃系热塑性弹性体含有层的延伸性降低。此外，设置抗静电性优良的层等功能层而多层化，还能附加抗静电性能等附加功能。
在上述切片用粘着片中，粘着剂层的厚度为1～200μm的情况下是有效的。
将粘着剂层加厚，由于切片过程中半导体晶片的振动等原因，使切片的质量显著降低，而且在成本上也不利，所以优选将粘着剂层的厚度定为1～200μm，更优选定为3～50μm。在切片工序中，由于圆形刀具对切片用粘着片的切入深度通常为5～230μm左右，进行切断，所以粘着剂层应当比该切入深度薄，使切入进行到基材薄膜为止，当出现因基材薄膜而产生丝状屑的问题的情况下，本发明的切片用粘着片具有有效的功能。
在上述切片用粘着片中，粘着剂层优选是由放射线固化型粘着剂形成的。
若采用放射线固化型粘着剂，通过照射放射线能够使粘着力降低，将晶片等切断分离后，容易从晶片等上除去粘着片。
而且本发明还涉及一种切片方法，其特征在于将上述切片用粘着片粘附在被切割物上后，使切入进行到所述的粘着片的基材薄膜为止，对被切割物进行切片。
本发明也涉及一种半导体元件的制造方法，其特征在于具有：利用将上述切片用粘着片粘附在半导体部件上后，以切入至所述的粘着片的基材薄膜为止的方式进行切片的工序，和所述的粘着片的展开工序。
附图说明
图1是表示本发明切片用粘着片的一例的剖面图。
图中：1：切片用粘着片，11：基材薄膜，11a：切片侧基材层，11b：片材背面侧材料层，12：粘着剂层，13：隔离层。
具体实施方式
以下参照图1详细说明本发明的切片用粘着片。如图1所示，本发明的切片用粘着片1，由基材薄膜11、在该基材薄膜11的至少一面上设置的粘着剂层12、以及必要时与粘着剂层12连接并被粘附在与基材薄膜11相反侧的面上的隔离层13构成。图1中虽然在基材薄膜11的一面上有粘着剂层12，但是粘着剂层12也可以在基材薄膜的两面上形成。基材薄膜是两层以上的多层薄膜。图1例示了基材薄膜11有两层的情况。切片侧基材层11b在粘着剂层12一侧，可以将其设为切片时进行切入的层。另一方面，片材的背面侧的基材层11a在与粘着剂层12相反一侧，可以将其设为切片时不进行切入的层。切片用粘着片1也可以将片材卷成带状。
基材薄膜11的至少两层是含有作为聚合成分含有丙烯的烯烃系热塑性弹性体的层。烯烃系热塑性弹性体，作为聚合成分除丙烯以外，通常还含有乙烯和/或碳原子数4～8的α-烯烃。作为碳原子数4～8的α-烯烃，可以举出1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯等。作为烯烃系热塑性弹性体，优选丙烯与乙烯的共聚物。
构成烯烃系热塑性弹性体的各聚合成分的比例，只要烯烃系热塑性弹性体能满足上述熔点峰值温度、温度上升溶离分级所涉及的要件的，就没有特别限制。丙烯的比例通常被调整到45～98重量％范围内，优选使用在此范围内丙烯含量各异的至少两种烯烃系热塑性弹性体。乙烯和/或碳原子数4～8的α-烯烃，是除去丙烯比例之后的余量。
如上所述，至少一层是含有丙烯含量在45～90摩尔％的烯烃系热塑性弹性体的层，优选将该层设为进行切入侧的层。另一方面，另外至少一层是含有丙烯含量在65～98摩尔％的烯烃系热塑性弹性体的层，优选将该层设为不进行切入侧的层。
本发明的烯烃系热塑性弹性体，只要是含有上述聚合成分，并能满足上述的熔点峰值温度和温度上升溶离分级有关的条件的，对于其制造方法并无特别限制。例如，可以举出第一阶段制造丙烯的均聚物或者丙烯与乙烯和/或碳原子数4～8的α-烯烃的无规共聚物后，在第二阶段以后制造丙烯与乙烯和/或碳原子数4～8的其它α-烯烃的无规共聚物的至少两阶段的逐级聚合法；以及将丙烯均聚物或者丙烯与乙烯和/或碳原子数4～8的α-烯烃的无规共聚物、乙烯与碳原子数4～8的α-烯烃的无规共聚物、或者乙烯和/或碳原子数4～8的α-烯烃与丙烯的无规共聚物分别聚合后，再将各聚合物掺合的制造方法等。这些方法中优选至少两段以上的逐级聚合方法。
以下详细说明这种逐级聚合方法。对于逐级聚合使用的催化剂虽然并无特别限制，但是优选由有机铝化合物与以钛原子、镁原子、卤原子以及电子给予性化合物作为必要成分的固体成分构成的催化剂。
这里所述的有机铝化合物是这种聚合中公知的由通式(R1)mAlX(3-m)(式中，R1是碳原子数1～12的烃残基，X表示卤原子，m是1～3的整数。)表示的化合物，例如可以举出三甲基铝、三乙基铝等三烷基铝，二甲基铝氯化物、二乙基铝氯化物等二烷基铝卤化物，甲基铝倍半氯化物、乙基铝倍半氯化物等烷基铝倍半卤化物，甲基铝二氯化物、乙基铝二氯化物等烷基铝二卤化物，二乙基铝氢化物等烷基铝氢化物等。
而且作为以钛原子、镁原子、卤原子以及电子给予性化合物作为必要成分的圆体成分，也可以使用这种聚合中公知的那些物质。作为以钛原子为供给源的钛化合物，可以举出由通式：Ti(OR2)(4-n)Xn(式中，R2是碳原子数1～10的烃残基，X表示卤原子，n是0～4的整数。)表示的化合物。其中优选四氯化钛、四乙氧基钛、四丁氧基钛等。作为以镁原子为供给源的镁化合物，例如可以举出二烷基镁、二卤化镁、二烷氧基镁、烷氧基卤化镁等，其中优选二卤化镁等。其中作为卤原子可以举出氟、氯、溴、碘。这些卤原子中优选氯原子。而且这些卤原子虽然通常由上述钛化合物供给，但是也可以由铝的卤化物、硅的卤化物、钨的卤化物等其它卤素供给源供给。
作为电子给予性化合物，可以举出醇类、酚类、酮类、醛类、羧酸类、有机酸或无机酸及其衍生物等含氧化合物、氨、胺类、腈类、异氰酸酯类等含氮化合物。其中优选无机酸酯、有机酸酯、有机酰卤等，更优选硅酯、乙酸溶纤素酯、苯二甲酰卤等；特别优选由通式R3R4 (3-p)Si(OR5)p(式中，R3表示碳原子数3～20，优选4～10的支链脂肪族烃基或碳原子数5～20，优选6～10的脂环族烃残基，R4表示碳原子数1～20，优选1～10的支链或直链脂肪族烃残基，p是1～3的整数。)表示的有机硅化合物，例如叔丁基-甲基-二乙氧基硅烷、环己基-甲基-二甲氧基硅烷、环己基-甲基-二乙氧基硅烷等。
逐级聚合法中，在第一阶段供给丙烯或者进而供给乙烯和/或碳原子数4～8的α-烯烃，在上述催化剂存在下于50～150℃温度下，优选在50～100℃温度下，和丙烯分压0.5～4.5MPa，优选1～3.5MPa条件下使丙烯均聚物聚合，接着在第二阶段中，供给丙烯与乙烯和/或碳原子数4～8的α-烯烃，在上述催化剂存在下于50～150℃温度下，优选在50～100℃温度下，以及丙烯与乙烯和/或碳原子数4～8的α-烯烃的各分压为0.3～4.5MPa，优选0.5～3.5MPa条件下使丙烯与乙烯和/或碳原子数4～8的α-烯烃聚合。
其中，此时的聚合也可以采用间歇式、连续式或者半间歇式中任何方法。而且第一阶段的聚合在气相或液相中实施，第二阶段的聚合也在气相或液相中实施。但是各阶段中均特别优选在气相中进行。此外各阶段的滞留时间均为0.5～10小时，优选1～5小时。
利用上述方法制造的烯烃系热塑性弹性体的粉末颗粒中出现发粘性的问题时，为了使粉末颗粒具有流动性，在第一阶段聚合后第二阶段聚合开始之前或聚合过程中，优选添加含有活泼氢的化合物。含有活泼氢的化合物的添加量，优选是催化剂固体成分中所含的钛原子摩尔数的100～1000倍，而且是催化剂的有机铝化合物摩尔数的2～5倍的范围。而且作为含有活泼氢的化合物，例如可以举出水、醇类、酚类、醛类、羧酸类、酸酰胺类、氨、胺类等。
其中对于用上述方法制造的烯烃系热塑性弹性体来说，按照JISK7210，在230℃温度和21.18N载荷下测定的熔体流动速率(MFR)为0.1～50g/10分钟，按照JIS K7112用水中置换法测定的密度为0.87～0.89g/cm3，按照JIS K7203在23℃温度下测定的弯曲弹性模量在600MPa以下。
烯烃系热塑性弹性体，在公知的有机过氧化物或者分子内有一个以上，优选有两个以上双键的交联剂存在下通过动态热处理，也能调整MFR。
本发明的基材薄膜11至少具有两层含有上述烯烃系热塑性弹性体的层。而且作为该至少两层所含的烯烃系热塑性弹性体，使用丙烯含量各异的热塑性弹性体。所述的各层，能够仅用含有烯烃系热塑性弹性体的层形成。此外各层在必要时，也可以制成与其它塑料树脂或弹性体混合物形成的层。作为这样的塑料树脂或弹性体，可以适当采用聚丙烯、聚乙烯、聚丁烯等公知的聚烯烃，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯、聚氨酯、聚苯乙烯、苯乙烯系弹性体、由乙烯与丙烯和/或碳原子数4～8的α-烯烃形成的乙烯-异戊二烯-α-烯烃共聚物(橡胶)等惯用的塑料或弹性体片材用树脂。其中如上所述，基材薄膜中烯烃系热塑性弹性体的含量，从防止产生丝状屑的效果来看，通常在50重量％以上，优选在80重量％以上。而且本发明的基材薄膜，如果至少含有两层含有上述烯烃系热塑性弹性体的层，则也可以进一步设置由其它的塑料树脂或弹性体形成的层。
而且在基材薄膜11中也可以根据需要配入矿物油等的软化剂，碳酸钙、氧化硅、滑石、云母、粘土等填料，抗氧化剂、光稳定剂、抗静电剂、润滑剂、分散剂、中和剂、α晶核剂、β晶核剂等各种添加剂。
本发明的基材薄膜11是两层薄膜或三层以上的多层薄膜，能够采用多层共挤压法制造。而且还可以采用于式层叠法等惯用的膜层叠方法制造。
基材薄膜11的厚度通常为10～300μm，优选30～200μm左右。在基材薄膜(多层薄膜)11中，各层的厚度可以考虑切片时预想圆形刀具要达到的范围适当决定。通常可以设想从与粘着剂层12连接的表面至切片时圆形刀具达到150μm左右。因此，切片时设想圆形刀具要达到的层(图1中层11b)的厚度，即优选含有丙烯含量少的烯烃系热塑性弹性体的层的厚度，通常被调整为10～150μm左右，优选被调整为20～120μm范围。另一方面，设想切片时圆形刀具不要达到如此深度的层(图1中层11a)的厚度，即含有丙烯含量多的烯烃系热塑性弹性体的层的厚度，通常被调整为20～150μm左右，优选被调整为30～100μm范围。
而且得到的基材薄膜11，必要时还可以实施单向或双向拉伸处理。实施拉伸处理的情况下，优选在60～100℃进行。通过这种方式而制膜的基材薄膜，必要时也可以进行砑光处理、电晕放电处理、衬底层处理等惯用的物理或化学处理。
粘着剂层12可以使用通常公知或惯用的粘着剂。对于这种粘着剂没有特别限制，例如可以使用橡胶系、丙烯酸系、硅酮系、聚乙烯基醚系等各种粘着剂。
作为粘着剂优选丙烯酸系粘着剂。作为丙烯酸系粘着剂的基础聚合物的丙烯酸系聚合物，通常可以使用(甲基)丙烯酸烷基酯的聚合物或与共聚性单体的共聚物。作为丙烯酸系聚合物的主要单体，优选其均聚物的玻璃化转变温度在20℃以下的(甲基)丙烯酸烷基酯。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯中的烷基，例如可以举出甲基、乙基、丁基、2-乙基己基、辛基、异壬基等。另外，作为上述共聚性单体，可以举出(甲基)丙烯酸的羟基烷基酯(例如羟基乙酯、羟基丁酯、羟基己酯等)、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、马来酸酐、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸-N-羟基甲基酰胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯、叔丁基氨基乙基甲基丙烯酸酯等)、醋酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。
而且作为粘着剂，也可以使用通过紫外线、电子射线等固化的放射线固化型粘着剂或加热发泡型粘着剂。此外，还可以使用切片与芯片焊接兼用型粘着剂。在本发明中，优选使用放射线固化型粘着剂，特别是紫外线固化型粘着剂。其中，在作为粘着剂使用放射线固化型粘着剂的情况下，在切片工序之前或之后，为了对粘着剂照射放射线，所述基材薄膜(1)优选能充分透过放射线的薄膜。
放射线固化型粘着剂，例如含有上述基础聚合物(丙烯酸系聚合物)和放射线固化成分。对放射线固化成分没有特别限制，可以使用分子中有碳-碳双键并且可通过自由基聚合而固化的单体、低聚物或聚合物。作为放射线固化成分，例如可以举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸与多元醇的酯化物；丙烯酸式酯低聚物；2-丙烯基-二-3-丁烯基三聚氰酸酯、2-羟基乙基双(2-丙烯酰基乙基)三聚异氰酸酯、三(2-甲基丙烯酰基乙基)三聚异氰酸酯等三聚氰酸酯或三聚异氰酸酯化合物等。
另外，作为放射线固化型粘着剂的基础聚合物(丙烯酸系聚合物)，也可以使用在聚合物侧链上含有碳-碳双键的放射线固化型聚合物。这种情况下，没有必要加入上述放射线固化成分。
用紫外线使放射线固化型粘着剂固化的情况下，需要光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可以举出苯甲酰基甲基醚、苯偶姻丙基醚、苯偶姻异丁基醚等苯偶姻烷基醚类；苄基、苯偶姻、二苯酮、α-羟基环己基苯基酮等芳香族酮类；苄基二甲基酮缩醇等芳香族酮缩醇类；聚乙烯基二苯酮；氯代噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮等噻吨酮类等。
在上述粘着剂中必要时也可以含有交联剂、粘着性赋予剂、填充剂、防老剂、着色剂等惯用的添加剂。作为交联剂，例如可以举出聚异氰酸酯化合物、蜜胺树脂、尿素树脂、氮杂环丙烷化合物、环氧树脂、酸酐、聚胺、含有羧基的聚合物等。
本发明的切片用粘着片1，例如可以采用在基材薄膜11的表面上涂布粘着剂并使其干燥(必要时将其加热交联)形成粘着剂层12，必要时在此粘着剂层12的表面上粘合隔离层13的方法制造。而且还可以另外采用在隔离层13上形成粘着剂层12后，将其粘合在基材薄膜11上的方法等。
粘着剂层12的厚度，可以根据粘着剂的种类、或者切片切入深度适当决定。该粘着剂层12的厚度，通常为1～200μm，优选3～50μm左右。
隔离层13是在标签加工或为使粘着剂层12平滑的目的下在必要时设置的。作为隔离层13的构成材料，可以举出纸张、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等合成树脂薄膜等。为了提高与粘着剂层12的剥离性，必要时也可以对隔离层13的表面实施硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。而且为了提高刚性等，也可以进行单向或双向拉伸处理以及与其它塑料薄膜等进行层叠。隔离层的厚度，通常为10～200μm，优选25～100μm左右。
实施例
以下根据实施例对本发明作更详细的说明。但是本发明不受这些实施例的限制。
实施例1
(基材薄膜的制作)
将三菱化学(株)制的“商品名：ZELAS 5053”与三菱化学(株)制的“商品名：ZELAS 7053”供给プラコ一社制的两种双层T模成形机(设定温度230℃)制膜，制成了厚度100μm(层比＝50∶50)、宽度29厘米的两层基材薄膜。
三菱化学(株)制的“商品名：ZELAS 5053”，是72.5摩尔％丙烯成分和17.5摩尔％乙烯成分的烯烃系热塑性弹性体，以邻二氯苯作溶剂时在温度0～140℃期间温度上升溶离分级中0℃溶出成分占全部溶出成分的41.7重量％，熔点峰值温度164℃，密度0.88g/cm3，MFR(230℃、21.18N)为6.8g/10分钟。
另外，三菱化学(株)制的“商品名：ZELAS 7053”，是86.0摩尔％丙烯成分和14.0摩尔％乙烯成分的烯烃系热塑性弹性体，以邻二氯苯作溶剂时在温度0～140℃期间温度上升溶离分级中0℃溶出成分占全部溶出成分的21.5重量％，熔点峰值温度164℃，密度0.89g/cm3，MFR(230℃、21.18N)为7.0g/10分钟。
(粘着剂的制备)
将95重量份丙烯酸丁酯和5重量份丙烯酸在甲苯中用常法共聚，得到了含有重均分子量为50万的丙烯酸系共聚物的溶液，向此溶液中加入60重量份二季戊四醇六丙烯酸酯(商品名：“KAYARAD DPHA”，日本化药(株)制)、3重量份光聚合引发剂(“IRGACURE 184”，Ciba Specialty Chemicals社制)、5重量份聚异氰酸酯化合物(商品名：“Coronate L”，日本聚氨酯(株)制)，制成了丙烯酸系紫外线固化型粘着剂溶液。
(切片用粘着片的制作)
在上面得到的基材薄膜的电晕处理面上涂布上述制备的粘着剂溶液，在80℃加热交联10分钟，形成了厚度20μm的紫外线固化型粘着剂层。其中粘着剂层的形成，是在用三菱化学(株)制的“商品名：ZELAS 5053”形成的层侧进行的。然后将隔离层粘合在该粘着剂层面上，制成了紫外线固化型切片用粘着片。
对照例1
在实施例1的切片用粘着片的制作中，除了作为基材薄膜使用通过T模成形机将乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物(住友化学(株)制，商品名ACRYETWD201)制成厚度100μm的薄膜以外，与实施例1同样制成了切片用粘着片。其中乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物的熔点峰值温度为100℃，密度为0.93g/cm3，MFR(190℃、21.18N)为2.0g/10分钟。
对照例2
在实施例1的切片用粘着片的制作中，除了作为基材薄膜使用通过T模成形机将三菱化学(株)制的“商品名：ZELAS 5053”制成厚度100μm的单层薄膜以外，与实施例1同样制成了切片用粘着片。
对照例3
在实施例1的切片用粘着片的制作中，除了作为基材薄膜使用通过T模成形机将三菱化学(株)制的“商品名：ZELAS 7053”制成厚度100μm的单层薄膜以外，与实施例1同样制成了切片用粘着片。
对照例4
在实施例1的切片用粘着片的制作中，除了作为基材薄膜使用将三菱化学(株)制的“商品名：ZELAS 5053”和住友化学(株)制，“商品名ACRYET WM305”供给两种双层T模成形机(设定温度230℃)，制成的厚度100μm(层比＝50∶50)的两层基材薄膜以外，与实施例1同样制成了切片用粘着片。其中粘着剂层的形成是在基于ZELAS 5053而形成的层一侧进行的。
(评价试验)
利用以下方法评价了在实施例和各对照例中得到的切片用粘着片。结果示于表1之中。
(鱼眼)
在实施例和各对照例中制作了30m切片用粘着片，目视测量了直径1mm以上的鱼眼的个数。表1中，表示每1m2的个数。
(卷刃的评价)
将背面经过背景处理(background)(#2000加工)的厚度150μm的6英寸晶片安装在实施例和各对照例中得到的切片用粘着片上。然后利用以下条件将带有切片用粘着片的晶片在23℃(室温)下切片。切片后，从片材背面照射紫外线(500mJ/cm2)，然后拾取(剥离)任意的半导体芯片50个。接着用光学显微镜(200倍)观察半导体芯片侧面卷刃的在芯片厚度方向的深度，对于其每个大小计算出卷刃数(个数)。
(成品率)
就50个经过卷刃评价的任意半导体芯片，以卷刃尺寸未在50μm以上的比例作为成品率(％)。
<切片条件>
切片机：DISCO社制，DFD-651
刀片：DISCO社制，27HECC
刀片旋转数：40000rpm
切片速度：120mm/sec
切片深度：25μm
切割方式：向下切割
切片尺寸：2.5×2.5mm
(展开评价)
将背面经过背景处理(#2000加工)的厚度150μm的6英寸晶片安装在实施例和各对照例中得到的切片用粘着片上。然后用NEC Machinery(株)制的CPS-100，进行拉下量15mm的展开，在该状态(展开)下目视观察薄膜裂纹的有无。
(丝状屑)
用光学显微镜观察采用上述切片条件切割的晶片表面。就纵横各一条观察晶片中央部分的切片线，计算了被确认的丝状屑。
表1
Figure C20041008491400181
如表1所示，在实施例的切片用粘着片中没有发现鱼眼(丝状屑的发生)。而且尺寸在50μm～以上的卷刃产生的极少，成品率良好，在展开工序中也没有发现薄膜龟裂。另一方面，对照例1、3和4中，尺寸在50μm～以上的卷刃产生的多，成品率不良。在对照例2中，展开时薄膜龟裂，不能在需要展开的工序中使用。

Claims (8)

1. 一种切片用粘着片，在基材薄膜的至少一面上设有粘着剂层，其特征在于，
所述的基材薄膜是两层以上的多层薄膜，
所述的多层薄膜的至少两层是含有以丙烯作为聚合成分并且熔点峰值温度为120～170℃的烯烃系热塑性弹性体，
而且在所述的至少两层中所含的烯烃系热塑性弹性体，其各自的丙烯含量不同，
并且，至少两层含有烯烃系热塑性弹性体的所述多层薄膜，丙烯含量少的烯烃系热塑性弹性体含有层作为粘着剂层一侧。
2. 按照权利要求1所述的切片用粘着片，其特征在于，在所述的两层以上的多层薄膜的至少一层所含的烯烃系热塑性弹性体中，丙烯含量为45～90摩尔％，
而且在另外至少一层所含的烯烃系热塑性弹性体中，丙烯含量为65～98摩尔％。
3. 按照权利要求1所述的切片用粘着片，其特征在于，所述的烯烃系热塑性弹性体的、用邻二氯苯作溶剂时在温度于0～140℃期间温度上升溶离分级中的0℃的溶出成分，占全部溶出量的10～60重量％。
4. 按照权利要求1所述的切片用粘着片，其特征在于，含有所述的烯烃系热塑性弹性体的至少两层，含有50重量％以上的烯烃系热塑性弹性体。
5. 按照权利要求1所述的切片用粘着片，其特征在于，粘着剂层的厚度为1～200μm。
6. 按照权利要求1所述的切片用粘着片，其特征在于粘着剂层是由放射线固化型粘着剂形成的。
7. 一种切片方法，其特征在于，将权利要求1～6中任一项记载的切片用粘着片粘附在被切割物上后，使切入进行至所述的粘着片的基材薄膜为止，对被切割物进行切片。
8. 一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具有：
将权利要求1～6中任一项记载的切片用粘着片粘附在半导体部件上后，以使切入进行至所述的粘着片的基材薄膜为止的方式进行切片的工序，和所述的粘着片的展开工序。
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