CN100343961C - 退火晶片的制造方法以及退火晶片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以1100至1350℃的温度对以拉晶(CZ)法制作出的单晶硅晶片，进行10至600分钟的高温退火的退火晶片，其特征在于：在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。由此，可提供一种即使为不小于300mm的大口径单晶硅晶片，也可抑制在进行高温退火时所产生的滑动位错的退火晶片的制造方法以及退火晶片。

Description

退火晶片的制造方法以及退火晶片
技术领域
本发明涉及一种退火晶片的制造方法以及退火晶片，特别涉及一种即使是大口径晶片，也可降低滑动位错产生的退火晶片的制造方法以及退火晶片。
背景技术
近年来，推动器件工艺的高积体化、微细化，对硅晶片而言，谋求提升捕获表层的器件活性区域的完全性与内部(bulk)中的氧析出物构成的内部微小缺陷(BMD)的增加等引起的金属等杂质的吸附能力。
对上述要求而尝试各种方法。例如，为了消除晶片表面的缺陷(主要是生长(Grown in)缺陷)，对于用切克劳斯基法(CZ法)而获得的晶片而言，在氩气、氢气或上述气体的混合气体环境中，以1100至1350℃进行10至600分钟左右的高温热处理(退火)。在该高温退火中，将高温退火温度设为1100℃以上的原因是为了有效消除缺陷，又通过设为1350℃以下，可防止晶片的变形与金属污染等问题。
然而，对直径不小于200mm的硅晶片进行上述高温退火时，明显产生从晶片背面贯通表面的滑动位错(スリツプ転位)，可以目测检查或微粒计数器检测出来。
这种滑动位错已知主要是因自身重量引起而产生的，这种滑动位错是晶片的口径愈大有愈容易产生的倾向。即，与对直径200mm的晶片施加高温退火时相比，对直径不小于300mm的大口径硅晶片施加高温退火时，使滑动位错明显增加，以致要防止该滑动位错的产生极为困难。这种滑动位错在器件工序进一步生长，而导致成为器件工序不良的原因，也成为产率降低的要因。
另外，一般在进行高温退火时，为了支持晶片而使用晶片支持机构(晶舟)，通常使用3点支持或4点支持的支持机构。然而，以4点支持的晶舟支持晶片时，理论上施加在1点的应力应小于3点支持，但是实际上在观看退火晶片的滑动位错产生的倾向时，是从4点中的3点产生滑动位错。因此，晶片的支持不是将应力平均施加于4点，主要是以4点中的3点予以支持，可知应力为不均匀地施加于晶片。此外，使用3点支持的晶舟支持晶片时，由于对3点施加均匀的应力，故与4点支持的晶舟相比应力分散，使进行高温退火的退火晶片产生滑动位错。
控制这种滑动位错的方法，一般已知有最适化升温速度的方法等。然而，通过最适化升温速度，使升温速度变慢，实质上与高温的退火时间变长相等，不是根本的滑动位错控制策略。再者，由于拖延退火工序所花费的时间，结果将导致生产性恶化。
发明内容
本发明是有鉴于上述问题点而研创的，目的在于提供一种退火晶片的制造方法以及退火晶片，即使为不小于300mm的大口径单晶硅晶片，也可抑制在进行高温退火时产生的滑动位错。
为达成上述目的，本发明提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以1100至1350℃的温度对用切克劳斯基法(CZ)法制作出的单晶硅晶片，进行10至600分钟的高温退火，其特征在于：在进行退火时通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。
如此，通过在进行上述高温退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域，可防止从氧析出量低的晶片外周端至5mm以内的晶片周边区域的滑动位错的产生。另外，由于通过增大氧析出物的尺寸而可抑制滑动位错，故在进行高温退火之前，以未满高温退火的温度进行预退火，由此以使晶片中的氧析出物大幅生长，由此，可控制晶片中心侧的区域的晶片与支持机构的接触部的滑动位错的产生。
此时，在950至1050℃的温度范围内进行1至16小时使上述氧析出物生长的预退火。
如此，通过将进行使氧析出物生长的预退火的温度范围设为不低于950℃以上，不致花费时间而可有效地使氧析出物生长，另外，通过设为1050℃以下，滑动位错将不会产生，而可使氧析出物生长。而且，通过进行预退火1小时以上，为了抑制滑动位错以使氧析出物生长至所需的尺寸。然而，此外，当进行预退火超过16小时使氧析出物生长时，由于容易因氧析出效果引起晶片变形，故预退火时间以在16小时以内为佳。
再者，将通过支持机构支持上述单晶硅晶片的区域，设在距离晶片中心不小于晶片半径的60％的外侧为佳。
如此，通过将通过支持机构支持上述单晶硅晶片的区域，设于距离晶片中心不小于晶片半径的60％的外侧，可使施加于晶片的应力均匀分散。
再者，此时，使进行上述预退火的单晶硅晶片为，以1×1013至5×1015atoms/cm3的浓度掺杂氮，晶格间氧设为含有10至25ppma(JEIDA：日本电子工业振兴协会规格)的单晶硅晶片。
如此，通过晶片的氮浓度在1×1013cm3以上，可容易获得用以抑制滑动位错的有效氧析出物密度(例如1×109cm3以上)，另外，通过氮浓度为5×1015atoms/cm3以下，也不致妨碍在拉制CZ单结晶时的单结晶化。而且，通过晶片的氧浓度为10至25ppma(JEIDA：日本电子工业振兴协会规格)，不致因氧析出物引起滑动位错，可因氮掺杂效果获得足够的氧析出密度。
然后，根据本发明，即使进行上述预退火的单晶硅晶片为直径不小于300mm的大口径晶片，也可抑制因高温退火所产生的滑动位错的产生。
再者，根据本发明，提供一种进行高温退火的高品质晶片，可抑制滑动位错的产生。
如以上所说明，根据本发明，提供一种在进行1100℃以上的高温退火时，通过支持机构仅支持单晶硅晶片距离晶片外周端不低于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行高温退火之前，通过以未满高温退火的温度进行预退火，可以提供一种直径不小于300mm的大口径单晶硅晶片也无滑动位错的退火晶片。
附图说明
图1是通过支持机构支持硅晶片时的晶片与支持机构的接触部分的图。
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式，但本发明并不定于此。
已知，在使用氩气或氢气等进行高温(1100至1350℃)热处理的高温退火中，对直径不小于200mm或300mm的大口径晶片进行热处理时，有晶片背面贯通于表面的滑动位错明显产生的问题。
因此，本发明人等，因这种退火晶片所产生的滑动位错是从晶片与晶片的支持机构的接触部分产生，故在单晶硅晶片进行高温退火时，若可在硅晶片与支持机构的接触部上有效控制滑动位错的产生，则推测可降低在晶片产生的滑动位错，根据重复的精辟检讨，而完成本发明。
即，对于切割用CZ法育成的单结晶晶锭并经研磨的镜面晶片而言，在氩气、氢气或上述气体的混合气体环境中，以1100至1350℃进行10至600分钟左右的高温热处理(退火)时，在高温热处理炉投入单结晶晶片，通过支持机构仅支持距离单晶的外周端不低于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行高温退火之前，以未满高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长，由此制作出可降低产生滑动位错的退火晶片。
利用CZ法育成的硅晶棒所获得的硅晶片，晶片周边部为氧浓度较低的部分，因而，该周边部的氧析出量也为较低的区域。该氧析出量的较低区域的大部分，一般是从晶片外周端至5mm以内的晶片周边区域。氧析出物具有抑制滑动位错的产生的效果，因此，硅晶片在这种氧析出较低的区域通过支持机构加以支持进行高温退火时，与氧析出量较多的区域相比，将降低滑动位错的抑制效果，且使退火晶片的滑动位错的产生频率变高。从而，通过仅在距离其外周端至不小于5mm的晶片中心侧区域上支持单晶硅晶片，可防止晶片周边区域的滑动位错的产生。
另外，此时为了确实抑制因高温退火引起滑动位错产生，在硅晶片与支持机构的接触部上的抑制滑动位错的生长，必须形成具有足够大小的氧析出物。因此，在进行高温退火之前，以未满高温退火的温度进行预退火，可使氧析出物充分生长，由此确实抑制在硅晶片与支持机构的接触部上所产生的滑动位错。
从而，即使是直径不小于300mm的大口径单晶硅晶片，在进行高温退火时，仅在距离其外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域上支持晶片，且以未满高温退火的温度进行预退火，可获得无滑动位错的大口径退火晶片。
另外此时，支持晶片的区域不能太靠近晶片的中心侧，否则施加于晶片的应力的平衡将变差(变成仅支持晶片的中央区域)。因此，通过支持机构支持单晶硅晶片的区域设在距离晶片中心不小于晶片半径的60％的外侧为佳。
另外，在进行预退火时，预退火的温度在未满950℃时，由于必须花费相当的时间使氧析出物生长，因此较没有效率，另外，当超过1050℃时，在氧析出物生长的同时也有产生滑动位错的可能。因此，进行预退火的温度范围以950至1050℃为佳。
而且，通过至少进行预退火1小时以上，可有效抑制滑动位错或氧析出物的生长尺寸。然而，若预退火超过16小时，则其后的热处理工序容易因氧析出效果引起晶片变形，故预退火的时间在16小时以内较佳。
此时，预退火与1100℃以上的高温退火可以将晶片从炉中取出可连续进行，也可以在进行预退火之后，暂时降温并从炉出取出晶片，重新投入热处理炉中进行高温退火。
再者，本发明所使用的晶片以掺杂氮的单晶硅晶片较佳，若为以1×1013/cm3以上的浓度掺杂氮的单晶硅晶片，可获得能抑制滑动位错的有效氧析出物密度(例如1×109/cm3以上)。然而，在氮浓度超过5×1015/cm3时，在拉制CZ单结晶时，有可能妨碍单结晶化，招致生产性降低。因此，在单结晶晶片所掺杂的氮浓度以1×1013至5×1015/cm3为佳。
另外，此时，晶片所含有的晶格间氧若为10ppm(JEIDA)以上的浓度，则因掺杂氮可获得充足的氧析出密度。然而，当晶格间氧浓度超过25ppma时氧析出物过多，容易因析出物引起新的滑动位错。因此，单晶硅晶片所包含的晶格间氧浓度以10至25ppma较佳。
以下，具体说明本发明的实施例及比较例，但本发明并不限定于此。
(实施例、比较例)
首先，在石英坩锅放入原料多晶硅，在此投入附氮化膜的硅晶片，并利用CZ法育成掺杂氮的直径300mm、P型、方位<100>的单晶硅晶锭。此时，所获得的单晶硅晶锭的氮含有量为5×1015atoms/cm3(计算值)，氧含有量为14ppma(JEIDA)。继而，将单结晶晶锭切为薄片并进行磨光、倒角、研磨，来准备镜面晶片。
此时，使用与上述镜面晶片相同规格的晶片，进行1050℃、10小时的热处理之后，以OPP(Optical Precipitate Profiler)观察氧析出物密度。结果，显示1×109个/cm3左右的密度。从而，确定在该晶片中存在多数以1050℃的热处理无法消灭的氧析出物(氧析出核)。
继而，以下述的退火条件对所获得的镜面晶片进行热处理。下述的热处理是使用任一个与300mm对应的纵型炉(日立国际电气公司制Zestone)而进行。热处理炉的投入条件是在700℃将单晶硅晶片投入炉中，此时的晶舟速度设为50mm/min。另外，热处理条件是：升温速度为5℃/min、降温速度为2℃/min、在100％氩的热处理环境中进行。
退火条件1：升温至900℃，以900℃保持1小时，再升温至1150℃，以1150℃保持1小时。然后降温，到700℃时取出晶片。
退火条件2：升温至950℃，以950℃保持1小时，再升温至1150℃，以1150℃保持1小时。然后降温，到700℃时取出晶片。
退火条件3：升温至1000℃，以1000℃保持4小时，再升温至1150℃，以1150℃保持1小时。然后降温，到700℃时取出晶片。
退火条件4：升温至1150℃，以1150℃保持1小时。然后降温，到700℃时取出晶片。
再者，支持硅晶片的支持机构(晶舟)准备与晶片的接触部分如图1所示的3种晶舟。在图1中，黑色部分显示硅晶片与晶舟的接触部分。首先，晶舟1是使用距离晶片的外周端10mm的位置上具有支持部(与晶舟的接触部)的4点支持晶舟(a)；晶舟2是使用晶片的支持部从晶片外周端至30mm内侧的一般4点支持晶舟(b)；晶舟3是使用比一般的晶片支持部使用的晶舟长，从晶片外周端至中央区域的4点支持晶舟(c)。
组合以上3种晶舟与4种退火条件所获得的合计12种条件，进行退火处理，然后，通过表面检查装置SP-1(KLA-Tencor公司制)观察以各条件所获得的退火晶片表面，进行滑动位错的产生(所产生的滑动位错总长度L)的检查。其结果显示于下表1。
(表1)
  所使用晶舟   退火条件   滑动位错的产生
  晶片周边区域   晶片中心区域
 实施例1   晶舟1   条件1   ○   △
 实施例2   晶舟1   条件2   ○   ○
 实施例3   晶舟1   条件3   ○   ○
 比较例1   晶舟1   条件4   ○   ×
 比较例2   晶舟2   条件1   ×   ×
 比较例3   晶舟2   条件2   △   ○
 比较例4   晶舟2   条件3   △   ○
 比较例5   晶舟2   条件4   ×   ×
 比较例6   晶舟3   条件1   ×   ×
 比较例7   晶舟3   条件2   △   ○
 比较例8   晶舟3   条件3   △   ○
 比较例9   晶舟3   条件4   ×   ×
○：无滑动位错产生(L≤30mm)
△：产生少量的滑动位错(30mm＜L＜100mm)
×：产生滑动位错(L≥100mm)
如表1所示，使用仅在距离晶片的外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域上具有支持部的晶舟1，在进行950℃、1小时(退火条件2)或1000℃、4小时(退火条件3)的预退火的退火晶片(实施例2及实施例3)上，观察晶片表面没有滑动位错的产生。相对于此，当于从晶片外周端至5mm以内的晶片周边区域上使用与晶舟具有接触部的晶舟2及晶舟3时，即使在预退火使氧析出物充分生长的退火条件2及3下进行热处理(比较例3、4、7及8)，在晶片的周边区域上可观察出滑动位错。
另外，即使仅于晶片中心侧的区域上使用具有支持部的晶舟1，不进行预退火而以进行高温退火的退火条件4进行热处理时(比较例1)、在所获得的退火晶片中心侧的区域上，观察出与晶舟的接触部分产生的滑动位错。另外，在预退火温度低，时间也短的退火条件1下，氧析出物的生长不足(实施例1)。
此外，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式仅为例示，举具有与本发明权利要求范围所述的技术思想实质上相同的构成，且可达到相同作用效果的，皆包含于本发明的技术范围内。
例如，在上述实施方式中，虽举出将高温热处理的环境设为氩环境时的例子，但本发明也同样可应用在氢、氢与氩的混合环境中进行高温热处理的情况，另外，高温热处理温度或热处理时间在本发明的范围内也同样适用。

Claims (9)

1.一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以1100至1350℃的温度对用CZ法制作出的单晶硅晶片，进行10至600分钟的高温退火，其特征在于，在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，在950至1050℃的温度范围内进行1至16小时使氧析出物生长的预退火。
2.如权利要求1所记载的退火晶片的制造方法，其特征为，将通过支持机构支持上述单晶硅晶片的区域，设在距离晶片中心不小于晶片半径的60％的外侧。
3.如权利要求1所记载的退火晶片的制造方法，其特征为，使进行上述预退火的单晶硅晶片为，以1×1013至5×1015atoms/cm3的浓度掺杂氮，晶格间氧设为含有10至25ppma(JEIDA)的单晶硅晶片。
4.如权利要求2所记载的退火晶片的制造方法，其特征为，使进行上述预退火的单晶硅晶片为，以1×1013至5×1015atoms/cm3的浓度掺杂氮，晶格间氧设为含有10至25ppma(JEIDA)的单晶硅晶片。
5.如权利要求1所记载的退火晶片的制造方法，其特征为，进行上述预退火的单晶硅晶片为直径不小于300mm的大口径晶片。
6.如权利要求2所记载的退火晶片的制造方法，其特征为，进行上述预退火的单晶硅晶片为直径不小于300mm的大口径晶片。
7.如权利要求3所记载的退火晶片的制造方法，其特征为，进行上述预退火的单晶硅晶片为直径不小于300mm的大口径晶片。
8.如权利要求4所记载的退火晶片的制造方法，其特征为，进行上述预退火的单晶硅晶片为直径不小于300mm的大口径晶片。
9.一种退火晶片，其特征在于：根据权利要求1至8任一项所记载的退火晶片制造方法进行制造。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4646440B2 (ja) * 2001-05-28 2011-03-09 信越半導体株式会社 窒素ドープアニールウエーハの製造方法
TW200818327A (en) 2006-09-29 2008-04-16 Sumco Techxiv Corp Silicon wafer heat treatment method
US8042697B2 (en) * 2008-06-30 2011-10-25 Memc Electronic Materials, Inc. Low thermal mass semiconductor wafer support
JP2010040587A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Covalent Materials Corp シリコンウェーハの製造方法
JP5346744B2 (ja) * 2008-12-26 2013-11-20 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト シリコンウエハ及びその製造方法
JP5764937B2 (ja) * 2011-01-24 2015-08-19 信越半導体株式会社 シリコン単結晶ウェーハの製造方法
CN102586886A (zh) * 2012-03-10 2012-07-18 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种用于去除硅晶片表面氧沉积物的硅晶片退火方法
US9945048B2 (en) * 2012-06-15 2018-04-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structure and method
JP6418778B2 (ja) * 2014-05-07 2018-11-07 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒、多結晶シリコン棒の製造方法、および、単結晶シリコン
CN104651946B (zh) * 2015-03-19 2017-06-23 太原理工大学 基于硅氢键流密度法的硅波导表面光滑工艺
CN105280491A (zh) * 2015-06-17 2016-01-27 上海超硅半导体有限公司 硅片及制造方法
CN109841513A (zh) * 2017-11-24 2019-06-04 上海新昇半导体科技有限公司 一种晶片及其制造方法、电子装置
JP2021506718A (ja) 2017-12-21 2021-02-22 グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドＧｌｏｂａｌＷａｆｅｒｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． Ｌｌｓリング／コアパターンを改善する単結晶シリコンインゴットの処理の方法
JP7495238B2 (ja) * 2020-02-19 2024-06-04 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 シリコンウェーハの製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817753A (ja) * 1994-06-28 1996-01-19 Tokyo Electron Ltd 半導体ウエハの熱処理用搭載治具及び熱処理装置
JPH08250506A (ja) * 1995-03-10 1996-09-27 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコンエピタキシャルウエーハ及びその製造方法
US5788763A (en) * 1995-03-09 1998-08-04 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration
JPH11176822A (ja) * 1997-12-05 1999-07-02 Hitachi Ltd 半導体処理装置
US5931662A (en) * 1996-06-28 1999-08-03 Sumitomo Sitix Corporation Silicon single crystal wafer annealing method and equipment and silicon single crystal wafer and manufacturing method related thereto
EP1035236A1 (en) * 1998-08-31 2000-09-13 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Silicon single crystal wafer, epitaxial silicon wafer, and method for producing them
US6204188B1 (en) * 1996-11-22 2001-03-20 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Heat treatment method for a silicon wafer and a silicon wafer heat-treated by the method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2752799B2 (ja) * 1991-03-27 1998-05-18 三菱マテリアル株式会社 Ｓｏｉ基板の製造方法
JP3172389B2 (ja) * 1995-03-09 2001-06-04 東芝セラミックス株式会社 シリコンウエーハの製造方法
JPH09190954A (ja) * 1996-01-10 1997-07-22 Sumitomo Sitix Corp 半導体基板およびその製造方法
JPH09199438A (ja) * 1996-01-12 1997-07-31 Tokyo Electron Ltd 熱処理用治具
US6576064B2 (en) * 1997-07-10 2003-06-10 Sandia Corporation Support apparatus for semiconductor wafer processing
TW589415B (en) * 1998-03-09 2004-06-01 Shinetsu Handotai Kk Method for producing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer
JP3433678B2 (ja) * 1998-08-31 2003-08-04 信越半導体株式会社 アンチモンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ並びにこれらの製造方法
JP3478141B2 (ja) * 1998-09-14 2003-12-15 信越半導体株式会社 シリコンウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハ
DE19952705A1 (de) * 1999-11-02 2001-05-10 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit einer epitaktischen Schicht

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817753A (ja) * 1994-06-28 1996-01-19 Tokyo Electron Ltd 半導体ウエハの熱処理用搭載治具及び熱処理装置
US5788763A (en) * 1995-03-09 1998-08-04 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration
JPH08250506A (ja) * 1995-03-10 1996-09-27 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコンエピタキシャルウエーハ及びその製造方法
US5931662A (en) * 1996-06-28 1999-08-03 Sumitomo Sitix Corporation Silicon single crystal wafer annealing method and equipment and silicon single crystal wafer and manufacturing method related thereto
US6204188B1 (en) * 1996-11-22 2001-03-20 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Heat treatment method for a silicon wafer and a silicon wafer heat-treated by the method
JPH11176822A (ja) * 1997-12-05 1999-07-02 Hitachi Ltd 半導体処理装置
EP1035236A1 (en) * 1998-08-31 2000-09-13 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Silicon single crystal wafer, epitaxial silicon wafer, and method for producing them

Also Published As

Publication number Publication date
US7153785B2 (en) 2006-12-26
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