BRPI0415700B1 - estrutura compreendendo um substrato que porta, sobre pelo menos uma parte de sua superfície, uma camada com propriedade fotocatalítica, processo de fabricação de uma tal estrutura e vidraça simples ou múltipla em particular para veículos a motor ou construções - Google Patents

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Abstract

"estrutura compreendendo um substrato que porta, sobre pelo menos uma parte de sua superfície, uma camada com propriedade fotocatalítica, processo de fabricação de uma tal estrutura e vidraça simples ou múltipla em particular para veículos a motor ou construções". estrutura compreendendo um substrato que porta, sobre pelo menos uma parte de sua superfície, uma camada com propriedade fotocatalítica, anti-sujeiras, à base de dióxido de titânio (tio~ 2~), caracterizada pelo fato de que a dita camada com propriedade fotocatalítica é revestida por uma camada fina com teor de silício e de oxigênio, com poder recobridor, não porosa, apta a assegurar uma proteção mecânica e química da camada fotocatalítica subjacente com a manutenção da atividade fotocatalítica de tio~ 2~.

Description

“ESTRUTURA COMPREENDENDO UM SUBSTRATO QUE PORTA, SOBRE PELO MENOS UMA PARTE DE SUA SUPERFÍCIE, UMA CAMADA COM PROPRIEDADE FOTOCATALÍTICA, PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE UMA TAL ESTRUTURA E VIDRAÇA SIMPLES OU MÚLTIPLA EM PARTICULAR PARA VEÍCULOS A MOTOR OU CONSTRUÇÕES” A presente invenção refere-se a substratos tais como os substratos de vidro, de material plástico que foram munidos de um revestimento com propriedade fotocatalítica para lhe conferir uma função dita anti-sujeiras ou auto-limpante.
Uma aplicação importante desses substratos refere-se a vidraças, que podem ser de aplicações bastante diversas, das vidraças utilitárias às vidraças utilizadas em eletrodomésticos, de vidraças para veículos às vidraças para construções.
Ela se aplica também às vidraças reflexivas do tipo espelho (espelho para habitações ou retrovisor de veículo) e às vidraças opacificadas do tipo leve. A invenção se aplica também, similarmente, aos substratos não transparentes, como substratos de cerâmica ou qualquer substrato que pode notadamente ser utilizado como material arquitetônico (metal, ladrilhos....). Ela se aplica de preferência, qualquer que seja a natureza do substrato, a substratos sensivelmente planos ou ligeiramente abaulados.
Os revestimentos fotocatalíticos já foram estudados, notadamente aqueles à base de óxido de titânio cristalizado sob forma anatase. Sua capacidade de degradar as sujeiras de origem orgânica ou os microorganismos sob o efeito de radiação U.V. é muito interessante. Eles têm também sempre um caráter hidrófilo, que permite a evacuação das sujeiras minerais por projeção de água ou, para as vidraças externas, pela chuva.
Este tipo de revestimento com propriedades anti-sujeiras, bactericidas, algicidas, já foi descrito, notadamente, na patente WO 97/10186, que descreve vários modos de obtenção do mesmo.
Se ela não está protegida, a camada com propriedade fotocatalítica sofre, ao longo do tempo, um desgaste que se manifesta em uma perda de sua atividade, uma perda das qualidades ópticas da estrutura (surgimento de um embaçado, de uma coloração), até mesmo por uma deslaminação da camada.
Se se diminui a espessura da camada com propriedade fotocatalítica, a coloração suscetível de surgir durante uma alteração parcial desta última será menos intensa e a variação de cor será menor ao longo do tempo. Entretanto, esta diminuição da espessura será em detrimento do desempenho da camada. É então necessário assegurar uma proteção mecânica e química da camada, a espessura da camada protetora devendo ser fina a fim de que a camada com propriedade fotocatalítica conserve plenamente sua função.
Conhece-se pelo pedido de patente europeu EP-A-0 820 967, um elemento anti-enevoamento compreendendo um substrato transparente, um filme transparente de um fotocatalisador formado no substrato transparente, e um filme de óxido mineral poroso transparente formado sobre o filme de fotocatalisador e tendo uma superfície que apresenta uma propriedade hidrófila.
Conhece-se igualmente, pela patente japonesa JP 2002 047 032 um processo de fabricação de um substrato revestido de uma membrana fotocatalítica que compreende as etapas que consistem em espalhar nanopartículas de Ti02 com estrutura cristalina anatase e de 5-10 nm com ajuda de uma pistola de pulverização, em aquecer e em depositar por pulverização catódica uma membrana de Si02 que recobre as partículas de Ti02.
Nenhuma dessas estruturas é satisfatória, a primeira em razão da natureza porosa do revestimento protetor, o qual em razão da presença de poros, não assegura uma proteção suficiente da camada com propriedade catalítica, e a segunda em função de uma taxa insuficiente de material fotocatalítico, o qual não forma uma camada contínua. A presente invenção traz uma solução para este problema.
Ela tem, com efeito, primeiramente, por objeto uma estrutura que compreende um substrato que traz, sobre pelo menos uma parte de sua superfície, uma camada com propriedade fotocatalítica, anti-sujeiras, à base de dióxido de titânio (Ti02), caracterizada pelo fato de que a dita camada com propriedade fotocatalítica é revestida por uma camada fina com teor de silício e de oxigênio, com poder recobridor, não porosa, apta a assegurar uma proteção mecânica e química da camada fotocatalítica subjacente com a manutenção da atividade fotocatalítica de Ti02.
As condições de preparação da camada à base de dióxido de titânio, tais como natureza e pureza dos produtos de saída, solvente eventual, tratamento térmico deverão ser adaptadas de maneira conhecida para obtenção da propriedade fotocatalítica, anti-sujeiras.
De preferência, a dita camada fina com teor de silício e de oxigênio está presente sob a forma de um filme contínuo. Em particular, a dita camada fina se apresenta vantajosamente sob a forma de um filme que se amolda às rugosidades de superfície da camada com propriedade fotocatalítica subjacente. A camada fina com teor de silício e de oxigênio é notadamente uma camada de pelo menos um composto do silício e do oxigênio escolhido dentre Si02, SiOC, SiON, SiOx com x<2, e SiOCEl, Si02 sendo particularmente preferido.
De acordo com um variante interessante da estrutura de acordo com a presente invenção, a camada fina com teor de silício e de oxigênio é uma camada de pelo menos um composto de silício e de oxigênio ao qual está associado pelo menos um composto escolhido dentre A1203 e Zr02, um tal composto trazendo uma inércia química e reforçando a resistência à hidrólise. Pode-se sublinhar o papel de A1203, célebre óxido inerte que aumenta a resistência química do conjunto. A relação atômica (Al e/ou Zr)/Si não é geralmente superior a, a relação Al/Si estando vantajosamente compreendida entre 0,03 e 0,5 em particular entre 0,05 e 0,1 e a relação Zr/Si, entre 0,05 e 0,4. A camada fina com teor de silício e de oxigênio pode ter uma espessura de no máximo 15 nm, notadamente de no máximo 10 nm, em particular, de no máximo 8 nm, sendo de preferência de no máximo 5 nm ou cerca de 5 nm, em particular de 2 a 3 nm. A dita camada fina traz um efeito lubrificante e um papel mecânico. Ela melhora resistência aos riscos e à abrasão.
Esta maior resistência mecânica e esta melhor resistência química não são entretanto obtidas em detrimento de uma baixa de atividade fotocatalítica. Com efeito, enquanto que se podia esperar que a atividade fotocatalítica fmalmente obtida da camada à base de Ti02 fosse diminuída por causa do mascaramento desta última pela sobre-camada de Si02, esta atividade fotocatalítica é conservada e mesmo melhorada; com efeito, as sujeiras, diluídas em um filme uniforme de Si02 devido ao caráter hidrófilo deste último, são mais facilmente destruídas por Ti02. A camada à base de dióxido de titânio é constituída pelo Ti02 sozinho ou pelo Ti02 dopado por pelo menos um dopante escolhido notadamente dentre N; os cátions pentavalentes tais como o Nb, Ta, V; Fe; e Zr. Esta camada à base de Ti02 pode ter sido depositada por um processo sol-gel, ou por um processo de pirólise notadamente em fase gasosa, ou por pulverização catódica, à temperatura ambiente, a vácuo, dependendo do caso assistida por campo magnético e/ou feixe de íons, com utilização de um alvo metálico ou TiOx com x < 2 e uma atmosfera oxidante, ou com utilização de um alvo de Ti02 e de uma atmosfera inerte, o Ti02 produzido pela pulverização catódica podendo ter sido em seguida submetido a um tratamento térmico a fim de se apresentar no estado cristalizado sob forma fotocataliticamente ativa. A camada fma com teor de silício e de oxigênio foi, em particular, depositada por pulverização catódica, a temperatura ambiente, á vácuo, dependendo do caso assistida por campo magnético e/ou feixe de íons, com utilização de um alvo de Si dopado ao Al (8% atômico) sob atmosfera Ar + 02 a uma pressão de 0,2 Pa. A estrutura de acordo com a presente invenção pode comportar, imediatamente abaixo da camada à base de Ti02, uma sub-camada que apresenta uma estrutura cristalográfica permitindo uma assistência à cristalização por crescimento heteroepitaxial na forma anatase da camada superior à base de Ti02, notadamente constituída de ATÍO3, A designando 0 bário ou 0 estrôncio. A espessura desta sub-camada não é crítica; ela pode, por exemplo, estar compreendida entre 10 nm e 100 nm. O substrato é constituído, por exemplo, por uma placa, plana ou com faces curvas ou encurvadas, de vidro monolítico ou laminado, de material vitrocerâmico ou de um material termoplástico duro, tal como 0 policarbonato, ou ainda por fibras de vidro ou de vitrocerâmica, as ditas placas ou as ditas fibras tendo, dependendo do caso, recebido pelo menos uma outra camada funcional, antes da aplicação da camada à base de Ti02 ou de uma camada de assistência à cristalização por crescimento heteroepitaxial desta última. (No caso de mais de uma camada, pode-se falar igualmente em empilhamento ou de camadas).
As aplicações das placas foram evocadas acima. Quanto às fibras, pode-se citar sua aplicação para a filtração do ar ou da água, assim como das aplicações bactericidas. A ou as outras camadas funcionais são escolhidas dentre as camadas com funcionalidade óptica, as camadas de controle térmico, as camadas condutoras, bem como, no caso onde o substrato é de vidro ou de material vitrocerâmico, as camadas que fazem barreira à migração dos alcalinos do vidro ou do material vitrocerâmico.
As camadas com funcionalidade óptica são notadamente camadas anti-reflexo, de filtração de radiação luminosa, de coloração, difusora, etc...Pode-se citar as camadas de Si02, Si3N4, Ti02, Sn02, ZnO.
As camadas de controle térmico são notadamente as camadas de controle solar, ou as camadas ditas de baixa emissividade.
As camadas condutoras são notadamente as camadas aquecedoras, de antena ou anti-estáticas, dentre estas camadas, pode-se contar as redes de fios condutores.
No caso onde 0 substrato é um vidro ou material vitrocerâmico, pelo menos uma camada funcional que faz barreira à migração dos alcalinos do vidro ou do material vitrocerâmico pode ser associada abaixo da camada com propriedade fotocatalítica ou embaixo da sub-camada de assistência à cristalização desta, se uma tal sub-camada está prevista. As outras camadas funcionais (com funcionalidade óptica, de controle térmico, camadas condutoras) quando elas estão presentes se encontram abaixo da ou das camadas barreira. A migração dos alcalinos é suscetível de resultar da aplica de temperaturas que excedam 600°C. Tais camadas formam barreiras aos alcalinos durante tratamentos térmicos posteriores são conhecidas, e pode-se citas as camadas de Si02, SiOC, SiOxNy, Si3N4 de espessura, por exemplo, de pelo menos 5 ou 10 nm, em numerosos casos de pelo menos 50 nm, como descrito no pedido internacional PCT WO 02/24971. A título de exemplo, pode-se mencionar os substratos de vidro ou de material vitrocerâmico, notadamente do tipo placas, tendo recebido uma camada que faz barreira à migração dos alcalinos do vidro ou do material vitrocerâmico, e depois uma mono-, bi- ou tri-camada com funcionalidade óptica. A presente invenção tem igualmente por objeto um processo de fabricação de uma estrutura tal como definida acima, caracterizado pelo fato de que se deposita sobre um substrato de vidro ou de material vitrocerâmico ou de material plástico duro do tipo policarbonato, de tipo placa, ou sobre fibras de vidro ou de vitrocerâmico, uma camada de Ti02 eventualmente dopado que se submete a tratamento térmico para lhe conferir uma propriedade fotocatalítica no caso onde esta não é trazida pelas condições utilizadas para seu depósito, depois que se deposita sobre a dita camada com propriedade fotocatalítica uma camada fina com teor de silício e de oxigênio tal como definida acima.
Em particular, efetua-se sucessivamente o depósito de uma camada de Ti02 e aquele da camada fina com teor de silício e de oxigênio a temperatura ambiente, por pulverização catódica a vácuo, dependendo do caso assistida por campo magnético e/ou feixe de íons, no mesmo recinto, as condições sendo as seguintes: - para o depósito da camada à base de Ti02, alimentação de modo de corrente contínua ou de corrente alternada sob uma pressão de 1-3 mbar, e sob atmosfera de oxigênio + gás inerte (argônio), a partir de um alvo de Ti ou TiOx, x= 1,5 a 2; - para o depósito da camada com teor de silício e de oxigênio, uma alimentação de modo de corrente alternada sob uma pressão de 0,1 a 1 Pa e uma atmosfera Ar + 02 a partir de um alvo com alto teor de silício, o depósito da camada de Ti02 estando eventualmente precedido pelo depósito de uma sub-camada de assistência à cristalização por crescimento epitaxial na forma anatase da camada Ti02.
As condições de um depósito de uma camada com teor de silício e de oxigênio que não é porosa são conhecidas pelo especialista, sendo notadamente condições de baixa pressão e de alta potência (diagrama de Thomton).
No caso onde se realiza o revestimento de um substrato em vidro ou em material vitrocerâmico, pode-se prever que antes da aplicação da camada de Ti02 ou da sub-camada associada a esta última, deposita-se sobre o substrato pelo menos uma camada formando barreira à migração dos alcalinos presentes no vidro ou no material vitrocerâmico, um recozimento ou uma têmpera podendo então ser efetuado após o depósito da camada de Ti02 e da camada fina à base de silício que a recobriu a uma temperatura compreendida entre 250°C e 550°C, de preferência entre 350°C e 500°C para o recozimento, e a uma temperatura de pelo menos 600°C para a têmpera.
Pode-se igualmente prever de acordo com a invenção que após a aplicação eventual de pelo menos uma camada que forma barreira à migração dos alcalinos e que antes da aplicação da camada Ti02 ou da sub-camada associada a esta última, deposita-se pelo menos uma camada funcional escolhida dentre as camadas com funcionalidade óptica, as camadas de controle térmico e as camadas condutoras, as ditas camadas funcionais sendo vantajosamente depositadas por pulverização catódica, a vácuo, dependendo do caso assistida por campo magnético e/ou feixe de íons. A presente invenção traz igualmente sobre uma vidraça simples ou múltipla em particular para um veículo a motor ou uma construção, compreendendo sobre pelo menos uma face, uma estrutura de acordo com a invenção, tal como definido acima, a dita face sendo notadamente aquela orientada para o exterior, mas que pode igualmente ser aquela orientada para o interior.
As faces dessas vidraças que não apresentam a estrutura da presente invenção podem comportar pelo menos uma outra camada funcional.
Tais vidraças encontram sua aplicação como vidraça «auto- limpantes», notadamente anti-enevoamentos, anti-condensação e anti-sujeiras, notadamente vidraça para construção do tipo vidraça-dupla, vidraça para veículo do tipo pára-brisa, janela traseira, vidros laterais de automóvel, retrovisor, vidraça para trem, avião, barco, vidraça utilitária como vidro de aquário, vitrine, estufa, mobiliário interno, mobiliário urbano (abrigo de ônibus, painel publicitário...), espelho, tela de sistema de exibição do tipo computador, televisão, telefone, vidraça eletrocomandável como vidraça eletrocrômica, com cristais líquidos, eletroluminescente e vidraça fotovoltaica.
Os exemplo seguintes ilustram a presente invenção sem no entanto limitá-la.
Exemplos la e lb (da invenção'): Empilhamento vidro/SiO^iAl/TiO^/SiO^iAl Em uma placa de vidro de uma espessura de 4 mm, efetuou-se o depósito das seguintes camadas sucessivas: - uma sub-camada de Si02 dopado ao Al de 150 nm de espessura; - uma camada de Ti02 de 100 nm de espessura (Exemplo la) ou de 20 nm de espessura (Exemplo lb); e - uma sobre-camada de Si02 dopado ao Al de 2 nm de espessura. A sub-camada de Si02: Al é depositada a partir de um alvo de Si:Al (8% atômicos de alumínio) com uma potência de 2000W, com os seguintes depósitos gasosos: 15 sccm Ar e 15 sccm 02 e sob uma pressão de 2 x 10'3 mbar. A camada de Ti02 é depositada a partir de um alvo TiOx com uma potência de 2000 W, com os seguintes depósitos gasosos: 200 sccm Ar e 2 sccm 02 e sob uma pressão de 23 x 10'3 mbar. A sobre-camada de Si02:Al é depositada a partir de um alvo Si: Al (8% at. de Al) com uma potência de 1000W, com os seguintes depósitos gasosos: 15 sccm Ar e 15 sccm 02 e sob uma pressão de 2 x 10'3 mbar.
Exemplos 2a e 2b (comparativo): Empilhamento vidro/SiCb: Al/ TiO?
Fabricaram-se os mesmos empilhamentos que nos exemplos la e lb, com a exceção de que a sobre-camada de Si02:Al foi omitida. Exemplos 3 (comparativo): Empilhamento vidro/S^^l/T^/SbN^Al Fabricaram-se os mesmos empilhamentos que no exemplo la, exceto que no lugar da sobre-camada de Si02:Al, depositou-se uma sobre-camada de SÍ3N4:A1 de uma espessura igualmente a 2 mm a partir de um alvo de Si:Al (8% at. Al) com uma potência de 1000W, com os depósitos gasosos seguintes: 18 sccm Ar e 12 sccm N2 e sob uma pressão de 2 x 10' mbar. Exemplo 4: teor ao teste Opel Observou-se uma forte melhoria da resistência no teste Opel (atrito a seco da superfície do empilhamento com ajuda de um tampão de feltro) quando se passa do empilhamento do exemplo 2a ao empilhamento do exemplo la.
Nenhuma mudança foi observada quando se passa do empilhamento do exemplo 2a ao empilhamento do exemplo 3.
Além disso, antes e depois do teste Opel acima, avaliou-se a atividade fotocatalítica da camada de Ti02 de cada um dos empilhamentos dos exemplos 1 a, 2a e 3, de acordo com o teste de fotodegradação do ácido esteárico seguido por transmissão infra-vermelha, descrito no pedido internacional PCT WO 00/75087.
Os resultados são reunidos na tabela I. Nesta tabela figuram igualmente a variação colorimétrica em reflexão do lado da camada devida ao teste Opel ()E), e o embaçamento induzido pelo teste Opel, e a observação da camada quanto a sua deslaminação após o teste Opel.
TABELAI
Exemplo 5: Teste Taber Observou-se uma melhoria da resistência ao teste Taber (resistência à abrasão = resistência à passagem de um esmeril abrasivo) quando se passa do empilhamento do exemplo 2b para o empilhamento do exemplo lb. A camada do exemplo 2b é deslaminada após 500 voltas no teste Taber. Para o empilhamento do exemplo lb, observa-se 0,8% de embaçado após 200 revoluções no teste Taber e 2% de embaçamento após 500 revoluções no teste Taber.
Exemplo 6: Teste BSN
Observou-se uma melhoria da resistência ao teste (névoa salina neutra) quando passa-se o empilhamento do exemplo 2a para o empilhamento do exemplo la.
RLIV1NDICACÕKS

Claims (29)

1. Estrutura compreendendo um substrato que porta, sobre pelo menos uma parte de sua super 11 cie, um a c amada com propriedade fotoeatalítica, antisujeiras, à base de dióxido de titânio (TiCE). a dita camada com propriedade fotoeatalítica é revestida por uma camada tina nào porosa, compreendendo silício e oxigênio e tendo uni poder de revestimento em que a camada fina nào porosa protege mecânica e quimicamente a camada fotoeatalítica subjacente, mantendo, ao mesmo tempo, da atividade fotoeatalítica do dióxido de titânio (TiCE), caracterizada pelo fato de que imediatamente abaixo da camada fotoeatalítica anti suje ira está uma camada inferior que tem urna estrutura eristâlográfiea para auxiliar na cristalização, por crescimento heteroepitaxial, sob a forma anatase da camada fotoeatalítica antisujeira, em que a camada interior é feita de BaTiO.? e / ou SrTÍOj,
2. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que a dita camada fina compreendendo silício e oxigênio está presente sob a forma de um filme contínuo,
3. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que a dita camada fina compreendendo silício e oxigênio se apresenta sob a forma de um filme que amolda às rugosidades de superfície da camada com propriedade fotoeatalítica antisujeira subjacente.
4. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que a dita camada fina compreendendo silício e oxigênio é uma camada de pelo menos um composto de silício e de oxigênio escolhido dentre Si02, SiOC, SiON, Sit\ com x < 2, e SiOCH.
5. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que a dita camada fina compreendendo silício e oxigênio é uma camada de pelo menos um composto de silício c de oxigênio ainda compreendendo pelo menos um composto dentre AEO.i e ZKX
6. Estrutura de acordo com a reivindicação 5, caracterizada pelo talo de que a relação atômica Al/Si, Zr/SL ou (Al e Zr)/Si não c superior a 1,
7. Estrutura de acordo com a reivindicação 5, caracterizada pelo fato de que a estrutura compreende AECE e que a relação Al/Si está compreendida entre 0,03 e 0,5.
8. Estrutura de acordo com a reivindicação 5, caracterizada pelo fato de que a estrutura compreende ZrCE e que a relação Zr/Si está entre 0,05 e 0,4.
9. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo falo de que a camada fina não porosa compreendendo silício e oxigênio tem uma espessura de no máximo 15 nm.
10. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que a camada fotocatalítica antisujeira consiste de TiCE sozinho ou TiCE dopado por pelo menos um dopante escolhido do grupo consistindo de N cátions pentavalentes de Nb, Ta, V; Fe; e Zr.
11. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que a camada fotocatalítica antísujeira foi depositada por uni processo soi-gei, ou por um processo de pirólíse, ou por pulverização catódíca à temperatura ambiente, a vácuo, com utilização de um alvo metálico ou TiCf coni x < 2 e uma atmosfera oxídante, ou com utilização de um alvo de TiCE e de uma atmosfera inerte, o TiCE produzido pela pulverização catódíca podendo ser em seguida submetido a um tratamento ténnico a fim de se apresentar no estado cristalizado sob forma fotocataiitieamente ativa.
12. Estrutura de acordo com a reivindicação 11, caracterizada pelo fato de que o Ti CE é submetido a tratamento com calor de forma a estar no estado cristalizado em um forma íotocataliticamente ativa.
13. Estrutura de acordo com a reivindicação 11, caracterizada pelo fato de que a pulverização catódíca, a temperatura ambiente, a vácuo compreende pulverização catódíca por campo magnético.
14. Estrutura de acordo com a reivindicação 1 1, caracterizada pelo fato de que a pulverização catódica, a temperatura ambiente, a vácuo compreende pulverização catódica por feixe de íons.
15. Estrutura de acordo com a reivindicação 11, caracterizada pelo fato de que a pulverização catódica, a temperatura ambiente, a vácuo compreende pulverização catódica por campo magnético e por feixe de íons.
16. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que a camada fina compreendendo silício e oxigênio foi depositada por pulverização catódica, a temperatura ambiente, a vácuo com utilização de um alvo de Si dopado AI (8% atômico) sob atmosfera Ar + CK a uma pressão de 0,2 Pa.
17. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que substrato compreende uma placa, em que a placa é plana ou com taces curvas ou arqueadas, compreendendo pelo menos um material selecionado a partir do grupo consistindo de vidro monolítico, vidro laminado, material vitrocerâmíco, ou de um material termoplástico duro, ou ainda fibras de vidro ou vitrocerâmicas em que as ditas placas ou as ditas fibras, opcionalmente, recebem pelo menos uma outra camada funcional, antes da aplicação da camada foioeatalítica antisujeira ou têm, opcionalmente, uma camada de assistência à cristalização da camada foioeatalítica antisujeira por crescimento heteroepitaxial.
18. Estrutura de acordo com a reivindicação 17, caracterizada pelo fato de que compreende pelo menos uma outra camada funcional, em que a pelo nienos uma outra cantada funcional é escolhida dentre o grupo de consistindo de pelo menos uma camada com funcionalidade óptica, pelo menos uma camada de controle térmico e pelo menos uma camada condutora, e em que se o substrato compreende vidro ou material vitrocerâmíco, a pelo menos uma camada funcional atua como unia barreira à migração dos alcalinos do vidro ou do material vítrocerâmico.
19. Estrutura de acordo coni a reivindicação 17, caracterizada pelo fato de que a placa ou as fibras recebem pelo menos uma camada funcional antes da aplicação da camada fotocatalitica antisujeira.
20. Estrutura de acordo com a reivindicação 17, caracterizada pelo fato de que compreende uma camada para auxiliar na cristalização da camada fotocatalitica antisujeira por crescimento heteroepítaxíal.
21. Processo de fabricação de uma estrutura conforme definida na reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que compreende depositar sobre uni substrato de vidro ou de material vitrocerâmico ou de material plástico duro do tipo policarbonato, do tipo placa, ou sobre fibras de vidro ou de vitrocerâmico, uma camada de Ti CE eventualmente dopado, em que a camada de TiCE eventualmente dopado é opcional mente submetida a um tratamento térmico para lhe conferir uma propriedade fotocatalitica se esta propriedade fotocatalitica não é fornecida pelas condições utilizadas para depositar a de TiCE eventualmente dopado, e depositar sobre a dita camada com propriedade fotocatalitica uma camada 11 na compreendendo silício e oxigênio para formar a estrutura definida na reivindicação L
22. Processo de acordo com a reivindicação 21, caracterizado pelo fato de que se efetua sucessivamente o depósito de uma camada de TiCE c da camada fina compreendendo silício e oxigênio a temperatura ambiente, por pulverização catódiea a vácuo, no mesmo recinto, as condições sendo as seguintes: - para o depósito da camada de TiCE, alimentação de modo de corrente contínua ou de corrente alternada sob uma pressão de 1-3 mbar, e sob atmosfera de oxigênio + gás inerte (argônio), a partir de um alvo de Ti ou Tíí\, x= 1,5 a 2; - para o depósito da camada compreendendo silício e oxigênio. uma alimentação de modo de corrente alternada sob uma pressão de 0,1 a 1 Pa e uma atmosfera Ar + (> a partir de um alvo com alto teor de silício, o depósito da camada de TiOz estando eventualmente precedido pelo depósito de uma sub-camada de assistência à cristalização por crescimento epitaxial na forma anaiase da camada TiCX
23. Processo de acordo com a reivindicação 22, caracterizado pelo fato de que compreende depositar uma subcamada para auxiliar na cristalização por crescimento epitaxial na forma de anatase da camada Ti(X
24. Processo de acordo com a reivindicação 21, em que o substrato é um substrato de vidro ou de material vitrocerâmico, caracterizado pelo fato de que antes da aplicação da camada de 'ΠΟ2, pelo menos uma camada formando barreira ã migração dos metais alcalinos presentes 110 substrato de vidro ou de material vitrocerâmico é depositada sobre o substrato, e em que, opcionalmente, uma operação de recozimento ou de endurecimento é realizada após a camada de TiCn e a camada fina cobrindo a camada de TíCf* terem sido depositadas.
25. Processo de acordo com a reivindicação 24, caracterizado pelo fato de que após a aplicação de pelo menos unia camada que forma uma barreira à migração dos metais alcalinos, e antes da aplicação da camada TíCX , deposita-se pelo menos uma camada funcional escolhida dentre as camadas com funcionalidade óptica, pelo menos, uma camada de controle térmico, e pelo menos uma camadas condutora, em que a dita pelo menos uma camada funcional é vantajosamente depositada por pulverização eatódica, a vácuo.
26. Processo de acordo com a reivindicação 24, caracterizado pelo fato cie que compreende realizar uma operação de recozimento, em que a operação de recozimento é realizada a uma temperatura entre 250°C e 500°C\
27. Processo de acordo com a reivindicação 24, caracterizado pelo falo de que compreende realizar uma operação de endurecimento, em que a operação de endurecimento é realizada a uma temperatura de pelo menos 600°C,
28. Processo de acordo com a reivindicação 21, caracterizado pelo tato de que a camada de TiCb é dopada.
29. Vidraça simples ou múltipla, caracterizada pelo lato de que compreende sobre pelo menos uma face respectivamente, a estrutura tal como definida na reivindicação 1,
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