WO2022209886A1

WO2022209886A1 - 発光装置、表示装置及び電子機器

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Publication number: WO2022209886A1
Application number: PCT/JP2022/011786
Authority: WO
Inventors: 裕加藤; 直也笠原; 智明澤部; 崇山崎
Original assignee: ソニーグループ株式会社; ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date: 2021-03-31
Filing date: 2022-03-16
Publication date: 2022-10-06
Also published as: TW202245307A; KR20230162600A; DE112022001912T5; JPWO2022209886A1; CN117063611A

Abstract

開口率の向上させることができ、電極間の電流リークの抑制性に優れた発光装置、表示装置及びその表示装置を用いた電子機器を提供する。　発光装置が、基板と、積層構造と、電極中継部と、を備え、前記積層構造は、前記基板上に、順に、第１電極、第１有機層、第２電極、第２有機層、及び第３電極を備えており、前記第２電極は、前記第１電極及び前記第３電極に対応する共通電極となっており、前記第１有機層の側壁、前記第２電極の側壁、及び前記第２有機層の側壁を連ねた連設面を少なくとも一部に有する壁面部が形成され、前記壁面部の少なくとも一部を覆う側壁絶縁層が設けられており、前記電極中継部は、前記第３電極から前記基板側に延びており、且つ、前記側壁絶縁層を介して前記壁面部の外面上を通っている。

Description

発光装置、表示装置及び電子機器

　本開示は、発光装置、表示装置及びその表示装置を用いた電子機器に関する。

　有機ＥＬ素子を発光素子として用いた発光装置（有機ＥＬ発光装置）等として、サブ画素を形成する構造を複数積層した多段積層型の装置が知られている。

　例えば、特許文献１には、基板上に、第１電極、第１の有機層、第２電極、第２の有機層、および第３電極を、それぞれの端部の位置をずらした状態で順次積層した構造を有する表示装置が提案されている。また、特許文献２には、基板上に、第１電極、第１の有機層、第２電極、第２の有機層、および第３電極を積層し、一部の層の端部を揃え、第１電極と第３電極を接続した構造を有する表示装置が提案されている。

特開２０１０－１２３２８６号公報特開２００５－４０６２号公報

　特許文献１に示すような表示装置では、サブ画素の開口率を向上させにくい問題を抑制する点で改善の余地がある。特許文献２に示すような表示装置では、端部の位置での電極間の電流リークを抑制する点で改善の余地がある。

　本開示は、上述した点に鑑みてなされたものであり、開口率の向上させることができ、電極間の電流リークの抑制性に優れた発光装置、表示装置及びその表示装置を用いた電子機器の提供を目的の一つとする。

　本開示は、例えば、（１）基板と、
　積層構造と、
　電極中継部と、
　を備え、
　前記積層構造は、前記基板上に、順に、第１電極、第１有機層、第２電極、第２有機層、及び第３電極を備えており、
　前記第２電極は、前記第１電極及び前記第３電極に対応する共通電極となっており、
　前記第１有機層の側壁、前記第２電極の側壁、及び前記第２有機層の側壁を連ねた連設面を少なくとも一部に有する壁面部が形成され、
　前記壁面部の少なくとも一部を覆う側壁絶縁層が設けられており、
　前記電極中継部は、前記第３電極から前記基板側に延びており、且つ、前記側壁絶縁層を介して前記壁面部の外面上を通っている、
　発光装置である。

　本開示は、（２）基板と、
　積層構造と、
　第１電極中継部と、
　第２電極中継部と、を備え、
　前記積層構造は、前記基板上に、順に、第１電極、第１有機層、第２電極、第２有機層、第３電極、第４電極、第３有機層、及び第５電極を備え、
　前記第２電極は、前記第１電極及び前記第３電極に対応する共通電極となっており、
　前記第１有機層の側壁、前記第２電極の側壁、及び前記第２有機層の側壁を連ねた連設面と、少なくとも前記第４電極の側壁及び前記第３有機層の側壁を前記連設面の面方向に沿って並べてられた並び面とを、少なくとも一部に有する壁面部が形成され、
　前記壁面部には、側壁絶縁層が設けられており、
　前記第１電極中継部は、前記第３電極から前記基板側に延びており、
　前記第２電極中継部は、前記第４電極から前記基板側に延びており、
　前記第１電極中継部と前記第２電極中継部は、前記側壁絶縁層を介して前記壁面部の外面上を通っている、
　発光装置である。

　本開示は、（３）基板と、
　積層構造と、
　電極中継部と、を備え、
　前記積層構造は、前記基板上に、順に、第１電極、第１有機層、電荷発生層、第２有機層、及び第２電極を備え、
　前記第１有機層の側壁、前記電荷発生層の側壁、及び前記第２有機層の側壁を連ねた連設面を少なくとも一部に有する壁面部が形成され、
　前記壁面部には、側壁絶縁層が設けられており、
　前記電極中継部は、前記第２電極から前記基板側に延び、且つ、前記側壁絶縁層を介して前記壁面部の外面上を通っている、
　発光装置である。

　また、本開示は、（４）上記（１）に記載の発光装置を備えた、
　表示装置である。

　さらに、本開示は、（５）上記（４）に記載の表示装置を備えた、
　電子機器であってもよい。

図１は、第１の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための平面図である。図２は、第１の実施形態にかかる表示装置の画素の配列を説明するための平面図である。図３は、図２のＡ１－Ａ１線縦断面の状態を示す断面図である。図４は、図２のＡ２－Ａ２線縦断面の状態を示す断面図である。図５Ａから図５Ｄは、第１の実施形態にかかる表示装置の各層を説明するための平面図である。図６Ａから図６Ｄは、第１の実施形態にかかる表示装置の各層を説明するための平面図である。図７Ａ、図７Ｂは、第１の実施形態にかかる表示装置の補助電極を説明するための断面図である。図８は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための断面図である。図９は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための断面図である。図１０は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための断面図である。図１１は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための断面図である。図１２は、第２の実施形態にかかる表示装置の画素の配列を説明するための平面図である。図１３は、図１２のＢ１－Ｂ１線縦断面の状態を示す断面図である。図１４は、図１２のＢ２－Ｂ２線縦断面の状態を示す断面図である。図１５Ａから図１５Ｅは、第２の実施形態にかかる表示装置の各層を説明するための平面図である。図１６Ａから図１６Ｅは、第２の実施形態にかかる表示装置の各層を説明するための平面図である。図１７は、第３の実施形態にかかる表示装置の画素の配列を説明するための平面図である。図１８は、図１７のＣ１－Ｃ１線縦断面の状態を示す断面図である。図１９は、図１７のＣ２－Ｃ２線縦断面の状態を示す断面図である。図２０Ａから図２０Ｆは、第２の実施形態にかかる表示装置の各層を説明するための平面図である。図２１は、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を示す断面図である。図２２は、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を示す断面図である。図２３は、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を示す断面図である。図２４は、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を示す断面図である。図２５は、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を示す断面図である。図２６は、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を示す断面図である。図２７は、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を示す断面図である。図２８は、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を示す断面図である。図２９は、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を示す平面図である。図３０は、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を示す断面図である。図３１は、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を示す断面図である。図３２は、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を示す断面図である。図３３Ａ、図３３Ｂは、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。図３４は、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。図３５は、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。

　以下、本開示にかかる一実施例等について図面を参照しながら説明する。なお、説明は以下の順序で行う。本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

　なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．第１の実施形態
２．第２の実施形態
３．第３の実施形態
４．製造方法
５．応用例（電子機器）

　以下の説明は本開示の好適な具体例であり、本開示の内容は、これらの実施の形態等に限定されるものではない。また、以下の説明において、説明の便宜を考慮して前後、左右、上下等の方向を示すが、本開示の内容はこれらの方向に限定されるものではない。図１、図２、図３の例では、Ｚ軸方向を上下方向（上側が＋Ｚ方向、下側が－Ｚ方向）、Ｘ軸方向を前後方向（前側が＋Ｘ方向、後ろ側が－Ｘ方向）、Ｙ軸方向を左右方向（右側が＋Ｙ方向、左側が－Ｙ方向）であるものとし、これに基づき説明を行う。これは、図４から図３２についても同様である。図１等の各図に示す各層の大きさや厚みの相対的な大小比率は便宜上の記載であり、実際の大小比率を限定するものではない。これらの方向に関する定めや大小比率については、図２から図３５の各図についても同様である。

　本開示の発光装置は、例えば、表示装置として用いられてもよいし、表示装置に備えられてもよい。以下では、発光装置が表示装置である場合、特に有機ＥＬ層を有する発光素子を備えた表示装置である場合、を例として説明を続ける。なお、有機ＥＬ層は、有機エレクトロルミネッセンス層である。

［１　第１の実施形態］
［１－１　表示装置の構成］
　第１の実施形態に係る表示装置を、図２、図３、図４等を参照しつつ詳細に説明する。表示装置１０Ａは、有機層としての有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ素子を上下に形成した積層構造を備える。図３の例では、第１の実施形態に係る表示装置１０Ａは、複数の積層構造１３Ａと複数の積層構造１３Ｂを備える。図３は、本開示の第１の実施形態にかかる一実施例である表示装置１０Ａの一構成例を示す断面図であり、図２のＡ１－Ａ１線縦断面の状態を示す図である。また、図３は、表示装置１０Ａにおいて、一つの画素の部分について記載されている。なお、図２は、第１の実施形態にかかる表示装置の画素配列の一例を示す平面図である。図４は、図２のＡ２－Ａ２線縦断面の状態を示す断面図である。

　積層構造１３Ａは、第１電極１５Ａと、第１有機層としての有機ＥＬ層１７Ｒと、第２電極１８Ａと、第２有機層としての有機ＥＬ層１７Ｂと、第３電極２１Ａとを備える。

　積層構造１３Ｂは、第１電極１５Ｂと、第１有機層としての有機ＥＬ層１７Ｇと、第２電極１８Ｂと、第２有機層としての有機ＥＬ層１７Ｗと、第３電極２１Ｂとを備える。

　なお、以下本開示においては有機ＥＬ層１７Ｒ、有機ＥＬ層１７Ｂ、有機ＥＬ層１７Ｇ及び有機ＥＬ層１７Ｗといった有機ＥＬ層の種別を特に区別しない場合、有機ＥＬ層１７Ｒ、有機ＥＬ層１７Ｂ、有機ＥＬ層１７Ｇ及び有機ＥＬ層１７Ｗを有機ＥＬ層１７と総称する場合がある。

　以下の説明では、表示装置１０Ａがトップエミッション方式の表示装置である場合を例として説明する。表示装置１０Ａは、駆動基板１１が表示装置１０Ａの裏面側に位置し、駆動基板１１から有機ＥＬ層１７に向かう方向（＋Ｚ方向）が表示装置１０Ａの表面側（表示領域ＰＡの形成面側）方向となっている。以下の説明において、表示装置１０Ａを構成する各層において、表示装置１０Ａの表示領域ＰＡ側となる面を第１の面（上面）といい、表示装置１０Ａの裏面側となる面を第２の面（下面）という。表示領域ＰＡ側の所定領域には発光領域が形成されている。表示装置では、発光領域を表示領域として表示が行われる。表示装置１０Ａの方式、第１の面及び第２の面の定めについては、後述する第２の実施形態、第３の実施形態及び製造方法の説明についても同様である。

（有機ＥＬ素子）
　積層構造１３Ａには、複数の有機ＥＬ素子１００が上下に並んで形成されている。また、図３の例では、積層構造１３Ｂについても、複数の有機ＥＬ素子１００が上下に並んで形成されている。積層構造１３Ａについては、第１電極１５Ａ、有機ＥＬ層１７Ｒ及び第２電極１８Ａの組み合わせが有機ＥＬ素子１００Ｒを形成し、第２電極１８Ａ、有機ＥＬ層１７Ｂ及び第３電極２１Ａの組み合わせが有機ＥＬ素子１００Ｂを形成する。積層構造１３Ｂにおいて、第１電極１５Ｂ、有機ＥＬ層１７Ｇ及び第２電極１８Ｂの組み合わせが有機ＥＬ素子１００Ｇを形成し、第２電極１８Ｂ、有機ＥＬ層１７Ｗ及び第３電極の組み合わせが有機ＥＬ素子１００Ｗを形成する。

（画素の構成）
　図３に示す表示装置１０Ａの例では、１つの画素が、複数の色種に対応した複数のサブ画素の組み合わせで形成されている。この例では、複数の色種として赤色、青色、緑色の３色が定められ、さらに、白色も定められている。サブ画素として、サブ画素１０１Ｒ、サブ画素１０１Ｇ、サブ画素１０１Ｂ、サブ画素１０１Ｗの４種が設けられる。サブ画素１０１Ｒ、サブ画素１０１Ｇ、サブ画素１０１Ｂは、それぞれ赤色のサブ画素、青色のサブ画素、緑色のサブ画素であり、それぞれ赤色、青色、緑色の表示を行う。サブ画素１０１Ｗは、白色のサブ画素であり、輝度を向上させる。図３等に示す表示装置１０Ａの例では、サブ画素１０１Ｒ、サブ画素１０１Ｇ、サブ画素１０１Ｂ、サブ画素１０１Ｗに対応して、有機ＥＬ素子１００Ｒ、有機ＥＬ素子１００Ｇ、有機ＥＬ素子１００Ｂ、有機ＥＬ素子１００Ｗが形成される。ただし、図３等の例は、一例であり、表示装置１０Ａを、複数の色種に対応した複数のサブ画素を有する場合に限定するものではない。色種は１種類でもよいし。また、赤色、緑色、青色の各色種に対応する光（それぞれ赤色光、緑色光、青色光）は、例えば、それぞれ６１０ｎｍから６５０ｎｍの範囲、５１０ｎｍから５９０ｎｍの範囲、４４０ｎｍから４８０ｎｍの波長範囲に主波長を有する光として定めることができる。

　表示装置１０Ａには、積層構造１３Ａと積層構造１３Ｂのレイアウトは、画素Ｓのレイアウトに対応して図１に示すように表示領域ＰＡに定められる。例えば、図２の例に示すように、積層構造１３Ａと積層構造１３Ｂのレイアウトは、積層構造１３Ａと積層構造１３Ｂの組み合わせが２方向（図２ではＸ軸方向及びＹ軸方向）に二次元的に配列されたレイアウトとなっている。図２は、破線で示す領域ＸＳ内の画素Ｓのレイアウトを説明するための図であり、表示領域ＰＡの一実施例を説明するための平面図である。図１において、符号ＰＳは、表示領域ＰＡを取り囲む非表示部である。

　また、画素Ｓにおける各サブ画素１０１の位置は、適宜定められる。図２の例では、サブ画素１０１Ｒとサブ画素１０１Ｂは、表示装置１０Ａの平面視上、重なり合って配置される。また、有機ＥＬ素子１００Ｇと有機ＥＬ素子１００Ｗは、表示装置１０Ａの平面視上、重なり合っている。

　なお、サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂ、１０１Ｗを特に区別しない場合、サブ画素１０１という語が使用される。さらに、有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ、１００Ｗを特に区別しない場合、有機ＥＬ素子１００という語が使用される。また、図面について、図３の例では、１つの画素の部分を抽出して図示しているが、画素が複数である場合には、それぞれの画素について、図３で示したような構成を採用することができる。

（駆動基板）
　駆動基板１１は、基板１１Ａに複数の有機ＥＬ素子１００を駆動する各種回路を設けている。各種回路としては、有機ＥＬ素子１００の駆動を制御する駆動回路、複数の有機ＥＬ素子１００に電力を供給する電源回路（いずれも図示せず）を例示することができる。

　基板１１Ａは、例えば、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で形成されてもよい。具体的には、基板１１Ａは、ガラス基板、半導体基板または樹脂基板等であってもよい。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。

　駆動基板１１の第１の面には、層間膜９１が形成されており、また有機ＥＬ素子１００を基板１１Ａに設けられた各種回路に電気的に接続するための複数のコンタクトプラグ９０が設けられる。コンタクトプラグ９０は、後述する第１電極１５の下方と、後述するパッド１４（１４Ａ、１４Ｂ）の下方に設けられる。

（第１電極）
　駆動基板１１の第１の面側には、複数の第１電極１５Ａ及び複数の第１電極１５Ｂが設けられている。複数の第１電極１５Ａは、積層構造１３Ａのレイアウトに対応して２次元的に配置されている。複数の第１電極１５Ｂは、積層構造１３Ｂのレイアウトに対応して２次元的に配置されている。図３の表示装置１０Ａでは、図５Ａに示すように、画素Ｓの区画内の所定領域に第１電極１５Ａと第１電極１５Ｂがパッド１４Ａ、１４Ｂの位置をさけてＸ方向にならんで配置されている。図５Ａは、画素Ｓにおける第１電極１５とパッド１４の配置領域を示す概略平面図である。図５Ｂから図５Ｄ、図６Ａから図６Ｄについても同様である。

　図３の例では、第１電極１５Ａは、アノードとなっている。第１電極１５Ａと第２電極１８Ａに電圧が加えられると、第１電極１５Ａから有機ＥＬ層１７Ｒにホール（正孔）が注入される。第１電極１５Ｂについても、アノードとなっており、第１電極１５Ａと第２電極１８Ａに電圧が加えられると、第１電極１５Ａから有機ＥＬ層１７Ｂにホール（正孔）が注入される。

　なお、以下では、第１電極１５Ａと第１電極１５Ｂを区別しない場合には、第１電極１５Ａと第１電極１５Ｂは、第１電極１５と総称されることがある。

　第１電極１５は、有機ＥＬ素子１００で発光した光の取り出し効率を向上させる観点から、反射率の高い材料で形成されていることが好ましい。第１電極１５の材料としては、具体的に銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）、それらの合金等を好適に用いることができる。ただし、このことは、第１電極１５が透明電極を用いることを禁止するものではない。例えば、第１電極１５は、反射性の高い材料で形成された反射性電極と透明電極との積層構造（例えば、ＩＴＯとＡｌの積層構造）を有してもよい。透明電極は、特に限定されず、例えば、透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｏｘｉｄｅ）を含む。透明導電性酸化物としては、インジウム系透明導電性酸化物、錫系透明導電性酸化物、亜鉛系透明導電性酸化物等を例示することができる。透明電極には、これらの例示した各種の透明導電性酸化物が複数種類含まれてよい。

　インジウム系透明導電性酸化物は、インジウムを含む透明導電性酸化物を示しており、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、及び酸化インジウムガリウム（ＩＦＯ）等の化合物群を例示することができる。錫系透明導電性酸化物は、錫を含む透明導電性酸化物を示しており、酸化錫、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）、及びフッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）等の化合物群を例示することができる。亜鉛系透明導電性酸化物は、亜鉛を含む透明導電性酸化物を示しており、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、及びホウ素ドープ酸化亜鉛等の化合物群を例示することができる。表示装置１０Ａの駆動電圧を低電圧化する観点では、第１電極１５は、透明電極としてＩＴＯで形成された電極を用いられることが好ましい。

（パッド）
　隣接する第１電極１５の間には、導電性を有する材料で形成されたパッド１４Ａ、１４Ｂが設けられている。パッド１４Ａ、１４Ｂは、コンタクトプラグ９０に接続されている。また、パッド１４Ａ、１４Ｂは、それぞれ第３電極２１Ａ、２１Ｂとの間で電気的に接続される。パッド１４Ａ、１４Ｂを区別しない場合には、以下パッド１４Ａ、１４Ｂをパッド１４と総称する。

（絶縁層）
　隣り合う第１電極１５の間には、開口部１２Ａを有する絶縁層１２が形成されている。絶縁層１２は、後述する層間膜９１の面上と第１電極１５の第１の面上に形成される。絶縁層１２の開口部１２Ａは、表示装置１０Ａの平面視上、第１電極１５の形成された位置に形成されている。なお、表示装置１０Ａの平面視上とは、上下方向（Ｚ軸方向）を視線方向とした場合を示すものとする。開口部１２Ａは、サブ画素１０１の配置パターンに応じたパターンで形成されており、開口部１２Ａの１つの区画がサブ画素１０１の単位区画を定義する。

　図３の例では、第１電極１５Ａの直下に形成された開口部１２Ａでは、サブ画素１０１Ｂの単位区画が定義される。第１電極１５Ｂの直下に形成された開口部１２Ａでは、サブ画素１０１Ｇの単位区画が定義される。

　開口部１２Ａは、図３の例に示すように、第１電極１５の第１の面上に設けられている。開口部１２Ａが第１電極１５の第１の面上に形成されているとは、絶縁層１２は第１電極１５の側端面と上面（第１の面）の外縁部を覆い、第１電極１５の上面側に乗り上げるように形成されることを示す。また絶縁層１２は、隣り合う第１電極１５を電気的に分離する層である。絶縁層１２は、特に限定されず、ポリイミド系樹脂等の有機絶縁膜で形成されてもよいし、窒化シリコン等の無機絶縁膜で形成されてもよい。

　また、隣接する第１電極１５の間に設けられたパッド１４の上面側が露出するように、絶縁層１２は、パッド１４の上面側の位置も開口されており、この開口された部分がパッド１４に対する接続孔１６となっている。

（有機ＥＬ層）
　図３に示すように、第１電極１５Ａと後述する第２電極１８Ａの間に、有機ＥＬ層１７Ｒが配置される。有機ＥＬ層１７Ｒは、第１電極１５Ａと絶縁層１２の上を覆っている。図３の例では、表示装置１０Ａの平面視上、有機ＥＬ層１７Ｒは、サブ画素１０１Ｒに応じた範囲に形成されている。また、有機ＥＬ層１７Ｒは、図４に示すように隣接する画素Ｓ間で分離されずＹ軸方向に延びるストライプ状に形成されるため、図５Ｂに示すように、画素Ｓにおいて、Ｙ軸方向に沿って画素Ｓの一方端から他方端まで延びる形状に形成されている。なお、図４では、説明の便宜上、後述する充填樹脂層１０４及び対向基板１０５の記載を省略している。これは、図７Ａ、図７Ｂ、図８、図９、図１０、図１１、図１３、図１４及び図１９等についても同様である。

　有機ＥＬ層１７Ｒは、少なくとも発光層を含む。発光層は有機発光材料で形成される。発光層では、第１電極１５Ａおよび第２電極１８Ａの各々から注入された正孔と電子との結合が生じ、光が発生する。この発生した光が、有機ＥＬ層１７からの出射光となる。有機ＥＬ層１７Ｒからの出射光は、赤色を主波長の成分とする光である。

　有機ＥＬ層１７Ｒは、第１電極１５Ａから第２電極１８Ａに向かって（下から上に向かって）、正孔輸送層と発光層と電子輸送層をこの順に積層した構造を有してもよい。有機ＥＬ層１７Ｒがこのような構造を有することで、発光効率をより一層上昇させることができる。さらに有機ＥＬ層１７Ｒは、第１電極１５Ａから第２電極１８Ａに向かって、正孔注入層、正孔輸送層、発光層電子、注入層、および電子輸送層をこの順に積層した構造を有していてもよい。

　また、第１電極１５Ｂと後述する第２電極１８Ｂの間には、有機ＥＬ層１７Ｇが配置されている。有機ＥＬ層１７Ｇは、第１電極１５Ｂと絶縁層１２の上を覆っている。有機ＥＬ層１７Ｇは、サブ画素１０１Ｇに応じた範囲に形成されている。有機ＥＬ層１７Ｇは、緑色を主波長の成分とする光を出射光とする他は有機ＥＬ層１７Ｒと同様の層構造を採用されてよい。有機ＥＬ層１７Ｇは、有機ＥＬ層１７Ｒと同様に、図４に示すように隣接する画素Ｓ間で分離されずＹ軸方向に沿って延びるストライプ状に形成されるため、図５Ｃに示すように、画素Ｓにおいて、Ｙ軸方向に沿って画素Ｓの一方端から他方端まで延びる形状に形成されている。

　図３に示すように、後述する第３電極２１Ａと後述する第２電極１８Ａの間に有機ＥＬ層１７Ｂが配置される。有機ＥＬ層１７Ｂは、第２電極１８Ａの上面側を覆っている。図３の表示装置１０Ａの例では、有機ＥＬ層１７Ｂは、サブ画素１０１Ｂに応じた範囲に形成されている。有機ＥＬ層１７Ｂは、青色を主波長の成分とする光を出射光とする他は有機ＥＬ層１７Ｒと同様の層構造を採用されてよい。有機ＥＬ層１７Ｂの形状は、図４に示すように隣接する画素Ｓ間で分離されるため、図６Ａに示すように、画素Ｓにおいて、画素Ｓの内側の領域に形成されている。

　後述する第３電極２１Ｂと後述する第２電極１８Ｂの間に有機ＥＬ層１７Ｗが配置されている。有機ＥＬ層１７Ｗは、第２電極１８Ｂの上面側を覆っている。有機ＥＬ層１７Ｗは、サブ画素１０１Ｗに応じた範囲に形成されている。有機ＥＬ層１７Ｗは、白色光を出射光とする他は有機ＥＬ層１７Ｒと同様の層構造を採用されてよい。有機ＥＬ層１７Ｗの形状は、図４に示すように隣接する画素Ｓ間で分離されるため、図６Ｂに示すように、画素Ｓにおいて、画素Ｓの内側の領域に形成されている。

（第２電極）
　表示装置１０Ａにおいて、複数の第２電極１８Ａが、それぞれ第１電極１５Ａの第１の面側に配置されている。第２電極１８Ａは、第１電極１５Ａ及び第３電極２１Ａに対応する共通電極となっている。また、複数の第２電極１８Ａが、それぞれ第１電極１５Ｂの第１の面側に配置されている。第２電極１８Ｂは、第１電極１５Ｂ及び第３電極２１Ｂに対応する共通電極となっている。図３の表示装置１０Ａの例では、第２電極１８Ａは、サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｂの電極となっており、第２電極１８Ｂは、サブ画素１０１Ｇ、１０１Ｗの電極となっている。

　第２電極１８Ａ，第２電極１８Ｂのいずれも、図４に示すように隣接する画素Ｓ間で分離されずＹ方向に延びるストライプ状に形成されるため、図５Ｄに示すように、画素Ｓにおいて、Ｙ方向に沿って画素Ｓの一方端から他方端まで延びる形状に形成されている。

　なお、以下では、第２電極１８Ａと第２電極１８Ｂを区別しない場合には、第２電極１８Ａと第２電極１８Ｂを、第２電極１８と総称することがある。

　図３の例では、第２電極１８（第２電極１８Ａ及び第２電極１８Ｂ）は、カソードとなっている。第１電極１５Ａと第２電極１８Ａに電圧が加えられると、第２電極１８Ａから有機ＥＬ層１７Ｒに電子が注入される。第３電極と第２電極に電圧が加えられると、第２電極１８Ａから、有機ＥＬ層１７Ｂに電子が注入される。また、第１電極１５Ｂと第２電極１８Ｂに電圧が加えられると、第２電極１８Ｂから有機ＥＬ層１７Ｇに電子が注入される。第３電極と第２電極に電圧が加えられると、第２電極１８Ｂから、有機ＥＬ層１７Ｗに電子が注入される。

　第２電極１８は、有機ＥＬ層１７から生じた出射光を通す性質を有する。また第２電極１８は、有機ＥＬ層１７から生じた出射光を半透過させることができるものであることが好ましい。例えばこの観点から、第２電極１８は、透明電極のほか、半透過電極を用いられてもよい。なお半透過電極は、光を反射させる性質と光を透過する性質を併せ持つ電極を示す。第２電極１８は、有機ＥＬ素子１００の発光効率を向上させる観点からは、仕事関数が低い層で形成されていることが好ましい。

　第２電極１８は、例えば、金属層と金属酸化物層の一方の単層膜又は多層膜で形成されてよいし、金属層と金属酸化物層との積層膜で形成されてもよい。第２電極１８が金属層と金属酸化物層との積層膜で形成されている場合、仕事関数が低い層を有機ＥＬ層に対面させる観点では、金属層が有機ＥＬ層１７に向けられていることが好ましい。金属層としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）等からなる金属群より選ばれた少なくとも１種類の金属元素を含むことが好適である。金属層は、上記金属群から選ばれた金属元素を構成元素として含む合金でもよい。金属酸化物としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどを例示することができる。

（第３電極）
　表示装置１０Ａにおいて、複数の第３電極２１Ａが、それぞれ有機ＥＬ層１７Ｂの第１の面側に配置されている。また、複数の第３電極２１Ｂが、それぞれ有機ＥＬ層１７Ｗの第１の面側に配置されている。第３電極２１Ａ、２１Ｂの形状は、図４に示すように隣接する画素Ｓ間で分離されるため、図６Ｃに示すように、画素Ｓの内側領域に形成されている。

　なお、以下では、第３電極２１Ａと第３電極２１Ｂを区別しない場合には、第３電極２１Ａと第３電極２１Ｂを、第３電極２１と総称することがある。

　図３の例では、第３電極２１Ａは、アノードとなっている。第３電極２１Ａと第２電極１８Ａに電圧が加えられると、第３電極２１Ａから有機ＥＬ層１７Ｂにホール（正孔）が注入される。第３電極２１Ｂについても、アノードとなっており、第３電極２１Ｂと第２電極１８Ｂに電圧が加えられると、第３電極２１Ｂから有機ＥＬ層１７Ｗにホール（正孔）が注入される。

　第３電極２１は、有機ＥＬ層１７から生じた出射光を通す性質を有するものであれば、第１電極１５として採用できる材料と同様の材料で形成されてよい。具体的に、第３電極２１は、ＩＴＯ、ＩＺＯ等で形成されてよい。

　図３に示す表示装置１０Ａの例では、第１電極１５と第３電極２１とが互いに電気的に分離している。この場合、第１電極１５と第３電極２１が個別に制御され、有機ＥＬ層１７Ｒへの電圧付加と有機ＥＬ層１７Ｂの電圧付加が個別に制御される。また有機ＥＬ層１７Ｇへの電圧付加と有機ＥＬ層１７Ｗの電圧付加が個別に制御される。

（壁面部）
　積層構造１３Ａ、１３Ｂの少なくとも一部には壁面部２５が形成されている。積層構造１３Ａにおける壁面部２５は、有機ＥＬ層１７Ｒの側壁６７Ｒ、第２電極１８Ａの側壁６８Ａ、及び有機ＥＬ層１７Ｂの側壁６７Ｂを連ねた連設面２７を少なくとも一部に有する部分として定められる。図３の例では、少なくとも、画素Ｓの領域内でパッド１４を挟んで向かい合う積層構造１３Ａ、１３Ｂの両方の壁面（側端面）が壁面部２５を形成している。

　図３に示すように、壁面部２５は、連設面２７の部分において、側壁６７Ｒと側壁６８Ａと側壁６７Ｂの位置が上下方向に揃った状態となっている。したがって、連設面２７を有する壁面部２５が形成されることで、有機ＥＬ層１７や第２電極１８のうち有機ＥＬ素子１００として発光に用いられないような部分を低減することができ、表示装置１０Ａの開口率が向上しやすくなる。この観点から、壁面部２５の連設面２７では、側壁６７Ｒと側壁６８Ａと側壁６７Ｂが面一に並ぶことが好ましい。また、壁面部２５の連設面２７は、さらに第３電極２１Ａの側壁７１Ａを連ねた状態が形成されていることが好ましい。図３に示す壁面部２５の連設面２７の例では、下側から上側に向かって、順に、側壁６７Ｒと側壁６８Ａと側壁６７Ｂと側壁７１Ａが互いに位置を揃えられている。図３の例では、側壁６７Ｒと側壁６８Ａと側壁６７Ｂと側壁７１Ａが面一に並んでいる。

　積層構造１３Ｂの壁面部２５は、有機ＥＬ層１７Ｇの側壁６７Ｇ、第２電極１８Ｂの側壁６８Ｂ、及び有機ＥＬ層１７Ｗの側壁６７Ｗを連ねた連設面２７を少なくとも一部に有している。積層構造１３Ｂについても、積層構造１３Ａと同様に、側壁６７Ｇ、側壁６８Ｂ、及び側壁６７Ｗが面一に並ぶことが好ましい。壁面部２５の連設面２７は、さらに第３電極２１Ｂの側壁７１Ｂを連ねた状態が形成されていることが好ましい。図３に示す壁面部２５の連設面２７の例では、下側から上側に向かって、順に、側壁６７Ｇと側壁６８Ｂと側壁６７Ｗと側壁７１Ｂが互いに位置を揃えられている。図３の例では、側壁６７Ｇと側壁６８Ｂと側壁６７Ｗと側壁７１Ｂが面一に並んでいる。

（側壁絶縁層）
　表示装置１０Ａにおいては、壁面部２５の外面上に、側壁絶縁層３０が設けられている。積層構造１３Ａに形成された側壁絶縁層３０は、壁面部２５の外面上にて、連設面２７をなす側壁６７Ｒと側壁６８Ａと側壁６７Ｂを覆っており、これにより有機ＥＬ層１７Ｒ、第２電極１８Ａ及び有機ＥＬ層１７Ｂが外部環境下に露出されることが規制される。積層構造１３Ｂに形成された側壁絶縁層３０は、側壁６７Ｇと側壁６８Ｂと側壁６７Ｗを覆っており、有機ＥＬ層１７Ｇ、第２電極１８Ｂ及び有機ＥＬ層１７Ｗを外部環境下に露出することを規制する。なお、側壁絶縁層は３０、さらに第３電極２１Ａの側壁７１Ａや第３電極２１Ｂの側壁７１Ｂを覆うように形成されていてもよい。

　側壁絶縁層３０は、単層構造でも多層構造を有してもよい。積層構造１３Ａの壁面部２５に対しては、２層の側壁絶縁層３０、３０が形成された多層構造を有している。積層構造１３Ｂの壁面部２５に対しては、側壁絶縁層３０が単層形成されている。

　側壁絶縁層３０は、絶縁性を有する材料で形成されている。側壁絶縁層３０の材料としては、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ、ＡｌＯ、ＴｉＯ等を例示することができる。側壁絶縁層３０は、このような材料を用いたＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）膜やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）膜等を、フォトリソグラフィーやエッチング等で壁面部２５に残すように加工することや、サイドウォールプロセスで壁面部２５に残すことで形成することができる。また、側壁絶縁層３０は、例えば、エッチング加工で生じる副生成物（デポ）を含む加工副生成物で形成された層であってもよい。この場合のエッチング加工は、後述する表示装置１０Ａの製造方法の説明に示す一括形成工程におけるエッチング法による加工を示す。壁面部２５を面一に精度よく加工する観点からエッチング加工は、ドライエッチング法であることが好ましい。

　側壁絶縁層３０としては、上記したようにＣＶＤ法やＡＬＤ法等で形成されたＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ、ＡｌＯ、ＴｉＯの層が好適に用いられる。なお、エッチング加工時にＣ_４Ｆ_８等のカーボン比率が比較的高いガスをエッチングガスとして使用した場合に、有機系材料等（具体的にはフッ素原子を含む炭化水素等）が側壁絶縁層３０に含まれることある。この場合、側壁絶縁層３０には、Ｃが元素として含まれる。これらのことから、側壁絶縁層３０は、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃからなる元素群から選ばれた少なくとも一種類の元素を含むことが好ましい。

　側壁絶縁層３０の平均厚みは、特に限定されないが、５ｎｍ以上１μｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上３００μｍ以下であることがより好ましい。なお、側壁絶縁層３０の厚みは、壁面部２５の面方向に対して垂直な方向に沿った厚みＴ（図３において、符号Ｔで示す）を示す。また、側壁絶縁層３０が多層構造を有している場合、側壁絶縁層３０の平均厚みは、側壁絶縁層３０の全厚みにおける平均厚みを示す。例えば、積層構造１３Ａに形成された側壁絶縁層３０については、積層された２層全体の厚みを示す。

　側壁絶縁層３０の平均厚みは、例えば次に示すように定めることができる。クライオＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ）加工等により表示装置１０Ａの断面（表示装置１０Ａの厚み方向に平行な断面）を切り出し、薄片を作製する。作製された薄片をＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｍ　Ｍｉｃｒｏｓｃоｐｅ）により観察し、薄片の断面ＴＥＭ像を取得する。取得された断面ＴＥＭ像において１０点以上の測定位置での側壁絶縁層３０の厚みＴを測定する。測定位置は、無作為に選択される。測定された１０点以上の側壁絶縁層３０の厚みＴの平均値（算術平均値）を算出する。この算術平均値が側壁絶縁層３０の平均厚みとして定められる。

（保護層）
　第３電極２１の上には、保護層３２Ａ、３２Ｂが形成されている。保護層３２Ａは、第３電極２１を覆うように設けられ、保護層３２Ａをさらに覆うように保護層３２Ｂが設けられている。保護層３２Ａと保護層３２Ｂは、いずれも絶縁材料で形成される。絶縁材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＡｌＯ、ＴｉＯ等が用いられてもよい。この場合、保護層３２Ａと保護層３２Ｂとして、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等を含むＣＶＤ膜や、ＡｌＯ、ＴｉＯ、ＳｉＯ等を含むＡＬＤ膜等を例示することができる。そのほかにも、絶縁材料としては、例えば、熱硬化性樹脂などを用いることができる。

　図３の例では、保護層３２Ａは、第３電極２１の上面を覆い、保護層３２Ａの側壁５２は側壁絶縁層３０で覆われる。保護層３２Ａは、図４に示すように隣接する画素Ｓ間で分離されるため、図６Ｄに示すように、画素Ｓの内側領域に形成されている。

　また、保護層３２Ｂは、保護層３２Ｂの上面側を覆い、さらに側壁絶縁層３０の外側面も覆っている。保護層３２Ｂは、図４に示すようにＹ軸方向に連続しており、Ｙ軸方向に配列された画素に共通する層となっている。

（絶縁補助部）
　図３に示すように、保護層３２Ｂは、側壁絶縁層３０を覆っている。保護層３２Ｂのうち側壁絶縁層３０を覆う部分が、絶縁補助部３４となっている。絶縁補助部３４は、側壁絶縁層３０による絶縁性を補強する。

　なお、図３の例では、保護層３２Ａ、３２Ｂの２層が形成されている例を示しているが、保護層として３層以上の層が形成されてもよいし、単層で形成されていてもよい。

（接続孔）
　保護層３２Ａ、３２Ｂには、所定の位置に保護層３２Ａ、３２Ｂを貫く接続孔３５が形成されている。接続孔３５から第３電極２１の上面３６側が露出している。保護層３２Ａ、３２Ｂへの接続孔３５の形成は、エッチング法などの方法を適宜用いて実現することができる。

（配線）
　表示装置１０Ａにおいては、保護層３２Ｂの上面側に、電極中継部として配線３８が設けられている。配線３８は、第３電極２１から駆動基板１１側（基板１１Ａ側）に延びており、駆動基板１１のパッド１４に電気的に接続されている。すなわち、配線３８は接続孔３５内で第３電極２１の上面３６側に接続されている。そして、配線３８は、接続孔３５から壁面部２５の外面側を通り、パッド１４に向かって保護層３２Ｂの表面に沿って延びている。そして配線３８と壁面部２５との間には側壁絶縁層３０が介在している。なお、第３電極２１Ａは配線３８を介してパッド１４Ａに電気的に接続されており、第３電極２１Ｂは配線３８を介してパッド１４Ｂに接続されている。これにより、有機ＥＬ層１７Ｂと有機ＥＬ層１７Ｗが個々に制御される。

（充填樹脂層）
　表示装置１０Ａには、保護層３２Ｂを覆うように充填樹脂層１０４が形成されてよい。充填樹脂層１０４は、配線３８を保護し、また、保護層３２Ｂの第１の面側を平坦化することができる。充填樹脂層１０４は、保護層３２Ｂと後述の対向基板１０５を接着する接着層としての機能を有することができる。充填樹脂層１０４は、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等を例示することができる。なお、図示しないが、充填樹脂層１０４の形成前に、露出した電極を保護する等のために、ＣＶＤ法やＡＬＤ法などで保護層を形成してもよい。

（対向基板）
　対向基板１０５は、充填樹脂層１０４上に、駆動基板１１に対向させた状態で設けられている。対向基板１０５は、充填樹脂層１０４とともに有機ＥＬ素子１００を封止する。対向基板１０５は、ガラス等の材料により構成されることが好ましい。なお、充填樹脂層１０４上にレンズが形成されていてもよい（図示しない）。また、レンズについては、充填樹脂層１０４を形成する前に形成されてもよい。例えば、充填樹脂層１０４を形成する前に、樹脂等によって平坦化層を形成し、その平坦化層上にレンズが形成されてもよい。

（補助電極）
　表示装置１０Ａには、図７Ａ、図７Ｂに示すように、発光領域の外側（表示領域ＰＡの外側）に補助電極４０が設けられていることが好適である。補助電極４０に対しては、第２電極１８が電気的に接続される。図４に示すように、第２電極１８は、Ｙ軸方向に連続して形成されており、Ｙ軸方向に隣接する画素についての共通する電極として機能する。第２電極１８は、駆動基板１１の表示領域ＰＡ内でのパッド１４との接続を避け、長手方向（Ｙ軸方向）側の端部４１が表示領域ＰＡの外側または表示領域ＰＡの外周縁部まで形成されて、補助電極４０に電気的に直接又は間接的に接続される。

　補助電極４０の形状は特に限定されるものではないが、例えば、表示領域ＰＡの外側を取り巻くような環状に形成されてもよい。この場合、第２電極１８は長手方向側の両側の端部４１それぞれで補助電極４０に接続されることが好ましい。

　なお、第２電極１８と補助電極４０との接続構造は特に限定されない。例えば、第２電極１８と補助電極４０とを間接的に接続する構造としては配線４４を用いた構造を挙げることができる。図７Ａの例では、第２電極１８の端部４１の上側に接続孔４２を形成し、補助電極４０上にも接続孔４３を形成する。配線４４は、接続孔４２内で第２電極１８の端部４１に接続される。配線４４は、第２電極１８の端部４１から補助電極４０まで延び、接続孔４２内で補助電極４０に接続される。これにより、第２電極１８と補助電極４０とを配線４４で接続することができる。なお、この場合、第２電極１８の端部４１の部分で壁面部２５が形成されることが好ましい。この場合、側壁絶縁層３０が形成されてもよい。配線４４は、第２電極１８から側壁絶縁層３０の外側を通り、補助電極４０へ延びて、第２電極１８と側壁絶縁層３０とを接続する。

　第２電極１８と補助電極４０とを直接接続する構造としては、例えば図７Ｂに示すように、第２電極１８の端部４１が補助電極４０の上面の位置まで延長された状態となるように第２電極１８を形成し、端部４１で補助電極４０に接続されてもよい。

［１－２　作用効果］
　第１有機層と第２電極と第２有機層の端部の位置をずらして形成する場合には、第１有機層と第２電極の重なり合わない部分や第２電極と第２有機層の重なり合わない部分が画素範囲から外れるため、１つの画素を設けるために要請される領域が広がり、表示領域ＰＡ中、画素として使用できる面積の割合（開口率）を高めて高輝度化を図る点で改善の余地があった。

　第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａによれば、積層構造１３Ａにおいて第１有機層としての有機ＥＬ層１７Ｒと第２電極１８Ａと第２有機層としての有機ＥＬ層１７Ｂのそれぞれの側壁６７Ｒ、６８Ａ、６７Ｂの位置が揃えられた壁面部２５が形成され、また積層構造１３Ｂにおいて側壁６７Ｇ、６８Ｂ、６７Ｗの位置が揃えられた壁面部２５が形成されるため、有機ＥＬ層１７Ｒと第２電極１８Ａと有機ＥＬ層１７Ｂの積層された部分とパッド１４との間の距離や、有機ＥＬ層１７Ｇと第２電極１８Ｂと有機ＥＬ層１７Ｗの積層された部分とパッド１４との間の距離を、一層短くすることができ、開口率を向上させることができる。

　また、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａによれば、壁面部２５に対して側壁絶縁層３０が形成されているため、電極中継部となる配線３８を第３電極２１からパッド１４に接続させる場合でも配線３８が第２電極１８や有機ＥＬ層１７に接触することを避けることができ、電流リークの発生を抑制することができる。

［１－３　変形例］
　第１の実施形態にかかる表示装置は、上記で説明したものに限定されず、例えば以下の各変形例に示すように形成されていてもよい。

［変形例１］
（構成）
　第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａは、図８に示すように、第１電極１５と第２電極１８の間に配置される第１有機層と、第２電極１８と第３電極２１との間に配置される第２有機層が同色の光を出射光とする有機ＥＬ層１７であってもよい（変形例１）。図８の例では、積層構造１３Ａに形成される第１有機層と第２有機層としていずれも有機ＥＬ層１７Ｂが用いられ、有機ＥＬ素子１００Ｂが２段に積み重なった構造が形成される。また、このときそれぞれの有機ＥＬ素子１００Ｂがサブ画素１０１Ｂに対応する。

　変形例１では、積層構造１３Ａに形成された第３電極２１Ａは、第１電極１５Ａに電気的に接続されている。図８に示す例では、第１電極１５Ａは、第１電極１５Ａに対して直接的に接している有機ＥＬ層１７Ｂ（第１電極１５Ａと第２電極１８Ａの間に配置された有機ＥＬ層１７Ｂ）よりも外側に延び出た延長端部５０を形成している。また、接続孔３５内の位置で第３電極２１Ａの上面３６に配線３８が電気的に接続されている。配線３８は第３電極２１Ａから保護層３２Ｂの表面を伝い壁面部２５の外面上に形成された側壁絶縁層３０の外側（保護層３２Ｂの表面上）を通って駆動基板１１側に延びており、第１電極１５Ａの延長端部５０に電気的に接続されている。

　変形例１では、１画素において隣接する第１電極１５の間にパッド１４が１つ設けられている。パッド１４には、積層構造１３Ｂの第３電極２１Ｂに接続された配線３８が電気的に接続される。また図８に示す表示装置では、積層構造１３Ｂには、第２電極１８Ｂの下方側に有機ＥＬ層１７Ｇが設けられ、第２電極１８Ｂの上方側に有機ＥＬ層１７Ｒが設けられる。したがって積層構造１３Ｂは、有機ＥＬ素子１００Ｇと有機ＥＬ素子１００Ｒが重なった構造を形成している。また有機ＥＬ素子１００Ｇと有機ＥＬ素子１００Ｒの形成領域がサブ画素１０１Ｇ、１０１Ｒを形成する。したがって、変形例１の表示装置では、１つの画素が３種類の色種のサブ画素１０１（サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂ）で形成される。

　変形例１の表示装置１０Ａは、上記の他については、第１の実施形態で説明した表示装置と同様でよい。

（効果）
　変形例１の表示装置１０Ａは、第１の実施形態で説明した表示装置と同様の効果を得ることができる。

［変形例２］
（構成）
　第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａは、図９に示すように、積層構造１３Ａの第３電極２１Ａと第２電極１８Ａの間に有機ＥＬ層１７Ｂを配置し、積層構造１３Ｂの第３電極２１Ｂと第２電極１８Ｂの間についても有機ＥＬ層１７Ｂを配置してもよい（変形例２）。

　図９に示す変形例２の一例では、積層構造１３Ｂは、有機ＥＬ素子１００Ｇと有機ＥＬ素子１００Ｂが重なった構造が形成される。

　また、変形例２では、隣接する第１電極１５の間にパッド１４が１つ設けられている。パッド１４には、上述したように積層構造１３Ａの第３電極２１Ａの上面３６から駆動基板１１側に向かう配線３８と、積層構造１３Ｂの第３電極２１Ｂから駆動基板１１側に向かう配線３８の両方が電気的に接続される。これにより、積層構造１３Ａに設けられた有機ＥＬ層１７Ｂと、積層構造１３Ｂに設けられた有機ＥＬ層１７Ｂの発光状態を同期させることが容易となる。なお、図９に示す表示装置では、第１電極１５Ａと第２電極１８Ａの間には有機ＥＬ層１７Ｒが配置され、第１電極１５Ｂと第２電極１８Ｂとの間には、有機ＥＬ層１７Ｇが配置されている。したがって変形例２の表示装置では、１つの画素が３種類の副画素（サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂ）で形成される。

　変形例２の表示装置１０Ａは、上記の他については、第１の実施形態で説明した表示装置１０Ａと同様でよい。

（効果）
　変形例２の表示装置１０Ａは、第１の実施形態で説明した表示装置１０Ａと同様の効果を得ることができる。

［変形例３］
（構成）
　第１の実施形態の表示装置１０Ａでは、積層構造１３Ａと積層構造１３Ｂのそれぞれが１つの画素Ｓを形成してもよい（変形例３）。この場合、積層構造１３Ａに配置される有機ＥＬ層１７の色種の組み合わせと、第２の積層構造に配置される有機ＥＬ層１７の色種の組み合わせが異なる。

　図１０の例に示す変形例３の表示装置１０Ａでは、積層構造１３Ａに、第１電極１５Ａと第２電極１８Ａとの間に有機ＥＬ層１７Ｒが配置され、第３電極２１Ａと第２電極１８Ａとの間に有機ＥＬ層１７Ｇが配置される。また、積層構造１３Ｂには、第１電極１５Ｂと第２電極１８Ｂとの間に有機ＥＬ層１７Ｂが配置され、第３電極２１Ｂと第２電極１８Ｂとの間に有機ＥＬ層１７Ｇが配置される。積層構造１３Ａに対応する画素は、２種類の副画素（サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ）で形成される。積層構造１３Ｂに対応する画素は、２種類の副画素（サブ画素１０１Ｇ、１０１Ｂ）で形成される。

　変形例３の表示装置１０Ａは、上記の他については、第１の実施形態で説明した表示装置１０Ａと同様でよい。

（効果）
　変形例３の表示装置１０Ａは、第１の実施形態で説明した表示装置１０Ａと同様の効果を得ることができる。

［変形例４］
（構成）
　第１の実施形態にかかる表示装置においては、電極中継部として配線３８が設けられたが、電極中継部は、配線３８に限定されない。電極中継部は、図１１に示すように、第３電極２１の外縁部７２（側壁７１に対応する位置）の所定位置から延設された延設部５１で形成されてもよい（変形例４）。図１１は、第１の実施形態の変形例４にかかる表示装置の一実施例を示す断面図である。

　変形例４の表示装置１０Ａにおいては、側壁絶縁層３０は、積層構造１３Ａでは有機ＥＬ層１７Ｒ、第２電極１８Ａ及び有機ＥＬ層１７Ｂの側壁６７Ｒ、６８Ａ、６７Ｂを覆う。第３電極２１Ａの外縁部７２の所定位置からは、第３電極２１Ａが外方向に延び出ている。このとき、第３電極２１Ａのうち壁面部２５の位置から外方向に延び出た部分が延設部５１を形成している。延設部５１は、側壁絶縁層３０の上端を乗り超えて側壁絶縁層３０の表面を通り、駆動基板１１側に延び、パッド１４に電気的に接続されている。このとき、延設部５１は、側壁絶縁層３０を介して壁面部２５の外面上を通過するように設けられている。延設部５１は電極中継部として機能する。第３電極２１Ａの上面は、保護層３２Ａで覆われている。さらに保護層３２Ａの上に保護層３２Ｂが形成されている。

（効果）
　変形例１の表示装置１０Ａは、第１の実施形態で説明した表示装置１０Ａと同様の効果を得ることができる。

［変形例５］
　第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａにおいて、積層構造１３Ａ、１３Ｂに配置される有機ＥＬ層１７の組み合わせは、上記で説明した組み合わせに限られない。第１電極１５と第２電極１８の間や第３電極２１と第２電極１８の間には、例えば、黄色に発光する光を出射光とする有機ＥＬ層や、近赤外光（ＮＩＲ）を出射光とする有機ＥＬ層が設けられてもよい。黄色に発光する光としては、例えば、５７０ｎｍから５８５ｎｍの範囲を主波長とする光を例示することができる。近赤外光としては、例えば８００ｎｍから２５００ｎｍの範囲を主波長とする光を例示することができる。

［変形例６］
　第１の実施形態にかかる表示装置は、図３に示すように、絶縁層１２を形成しているが、絶縁層１２は省略されてもよい（図示しない）。この場合、側壁絶縁層３０は、駆動基板１１を基端として壁面部２５を覆う層とされてよい。この場合、側壁絶縁層３０が、絶縁層１２としての機能を兼ねることができる。

［２　第２の実施形態］
［２－１　表示装置の構成］
　第２実施形態にかかる表示装置１０Ｂについて、図１２、図１３等を参照して説明を行う。図１２は、第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂの画素Ｓの配置の一実施例を示す平面図であり、図１３は、図１２のＢ－Ｂ線断面の状態を示す概略断面図である。

　なお、上記第１の実施形態で述べた駆動基板１１、層間膜９１、コンタクトプラグ９０、パッド１４、第１電極１５、第２電極１８、第３電極２１および有機ＥＬ層１７Ｒの個々の機能や材料、ならびにサブ画素１０１の種類及び有機ＥＬ素子１００の種類は、第２実施形態及び後述する第３実施形態で使用される各駆動基板１１１、２１１、層間膜１９１、２９１、コンタクトプラグ１９０、２９０、パッド１１４、２１４、第１電極１１５、２１５、第２電極１１８、２１８、第３電極１２１及び有機ＥＬ層１１７、２１７の構成や材料についても同様のものを採用されてよく、サブ画素１０１、有機ＥＬ素子１００も同様のものを採用されてよい。以下では、これら第１の実施形態と同様の構成や材料を採用されてよいものの詳細な説明については省略する。また、第１の実施形態で述べた側壁絶縁層３０の好ましい材料や厚みの範囲や形成方法は、第２の実施形態及び後述する第３の実施形態の側壁絶縁層１３０、２３０についても同様であるのでこれらの説明を省略する。また、第１の実施形態において総称を用いたサブ画素１０１等の各構成は、第２の実施形態や第３の実施形態でも同様に対応する各構成において総称を用いて説明することがある。また第２の実施形態においては、第１の実施形態に示す充填樹脂層１０４や対向基板１０５と同様の構成を設けることが好ましいが、説明の便宜上、これらの記載および図示は省略する。

　表示装置１０Ｂは、駆動基板１１１上に、複数の積層構造１３Ｃを備える。積層構造１３Ｃは、第１の実施形態と同様に、第１電極１１５と、第１有機層としての有機ＥＬ層１１７Ｒと、第２電極１１８と、第２有機層としての有機ＥＬ層１１７Ｂと、第３電極１２１とを備える。第２の実施形態にかかる表示装置においては、積層構造１３Ｃは、第３電極１２１上に、さらに、第４電極１４５、第３有機層としての有機ＥＬ層１１７Ｇ、及び第５電極１４７をこの順に備える。

（有機ＥＬ素子）
　積層構造１３Ｃには、複数の有機ＥＬ素子２００が形成されている。第１電極１１５、有機ＥＬ層１１７Ｒ及び第２電極１１８の組み合わせが有機ＥＬ素子２００Ｒを形成し、第２電極１１８、有機ＥＬ層１１７Ｂ及び第３電極１２１の組み合わせが有機ＥＬ素子２００Ｂを形成する。また、第４電極１４５、有機ＥＬ層１１７Ｇ及び第５電極１４７の組み合わせが有機ＥＬ素子２００Ｇを形成する。

　表示装置１０Ｂでは、図１２、図１３に示すように、画素Ｓごとに積層構造１３Ｃが形成されており、画素Ｓにおいては、サブ画素２０１Ｒとサブ画素２０１Ｂ及びサブ画素２０１Ｇが、積層構造において上下方向に重なるように形成されている。

（第１電極）
　駆動基板１１１の第１の面側には、複数の第１電極１１５が設けられている。複数の第１電極１１５は、積層構造１３Ｃのレイアウトに対応して２次元的に配置されている。図１５Ａに示すように１つの画素Ｓあたり、１つの第１電極１１５が形成されている。また、１つの画素Ｓにおいてパッド１１４を避けた領域且つ画素Ｓの内側の領域に第１電極１５が形成される。

　第１電極１１５は、アノードとなっている。第１電極１１５と第２電極１１８に電圧が加えられると、第１電極１１５から有機ＥＬ層１１７Ｒにホール（正孔）が注入される。

（パッド）
　駆動基板１１１の第１の面側には、１つの画素Ｓに対して２か所の所定の位置に導電性を有するパッド１１４、１１４が配置されている。図１５Ａの例では、パッド１１４、１１４の位置は、画素の端縁付近の１か所と隅位置近傍の位置に設けられているが、この配置に限定されるものではない。パッド１１４、１１４は、第３電極１２１、第４電極１４５に電気的に接続される。

（絶縁層）
　隣り合う第１電極１１５の間には、開口部１１２Ａを有する絶縁層１１２が形成されている。開口部１１２Ａは、第１電極１１５の位置に形成される。

（有機ＥＬ層）
　有機ＥＬ層１１７Ｒは、図１３に示すように、第１電極１１５と第２電極１１８の間に配置される。有機ＥＬ層１１７Ｒは、第１電極１１５の上面側と絶縁層１１２を覆っている。図１３の表示装置１０Ｂの例では、有機ＥＬ層１１７Ｒは、図１３に示すようにサブ画素２０１Ｒに応じた範囲に形成されている。図１４に示すように、有機ＥＬ層１１７Ｒは、Ｙ軸方向に連続しており、図１５Ｂに示すように接続孔１１６を除き、画素Ｓ全面に形成されている。

　有機ＥＬ層１１７Ｂは、第３電極１２１と第２電極１１８の間に配置されている。有機ＥＬ層１１７Ｂは、第２電極１１８の上面側を覆っている。有機ＥＬ層１１７Ｂは、図１３に示すようにサブ画素２０１Ｂに応じた範囲に形成されている。有機ＥＬ層１７Ｂの形状は、図１４に示すように隣接する画素Ｓ間で分離されて溝１４０が形成されるため、図１５Ｄに示すように、画素Ｓにおいて、画素Ｓの内側の領域に形成されている。また、有機ＥＬ層１７Ｂは、図１５Ｂに示すように接続孔１１６を除く領域に形成される。

　有機ＥＬ層１１７Ｇは、第４電極１４５と第５電極１４７の間に配置されている。有機ＥＬ層１１７Ｇは、第４電極１４５の上を覆っている。有機ＥＬ層１１７Ｇは、サブ画素２０１Ｇに応じた範囲に形成されている。有機ＥＬ層１１７Ｇの形状は、図１４に示すように隣接する画素Ｓ間で分離されて溝１４０が形成されるため、図１６Ｃに示すように、画素Ｓにおいて、画素Ｓの内側の領域に形成されている。また、有機ＥＬ層１１７Ｇは、図１６Ｃに示すように接続孔１１６、１３５、１３７を除く領域に形成される。

（第２電極）
　表示装置１０Ｂにおいては、第２電極１１８が、それぞれ第１電極１１５の第１の面側に配置されている。第２電極１１８は、カソードとなっている。第２電極１１８は、第１電極１１５と第３電極１２１の共通電極となっている。第１電極１１５と第２電極１１８に電圧が加えられると、第１電極１１５から有機ＥＬ層１１７Ｒにホール（正孔）が注入される。第２電極１１８からは有機ＥＬ層１１７Ｒに電子が注入される。第２電極１１８の形状については、図１４に示すように、有機ＥＬ層１１７Ｒは、Ｙ軸方向に連続しており、図１５Ｃに示すように接続孔１１６を除き、画素Ｓ全面に形成されている。

（第３電極）
　第３電極１２１は有機ＥＬ層１１７Ｂの第１の面側に配置されている。第３電極１２１は、アノードとなっている。第３電極１２１と第２電極１１８に電圧が加えられると、第３電極１２１から有機ＥＬ層１１７Ｂにホール（正孔）が注入される。第２電極１１８から有機ＥＬ層１１７Ｂに電子が注入される。第３電極１２１の形状は、図１４に示すように隣接する画素Ｓ間で分離されるため、図１５Ｅに示すように、画素Ｓにおいて、画素Ｓの内側の領域に形成されている。また、第３電極１２１は、図１５Ｂに示すように接続孔１１６を除く領域に形成される。

（第４電極及び第５電極）
　表示装置１０Ｂにおいて、第４電極１４５が、第３電極１２１の第１の面側に配置されている。第５電極１４７は、上述したように有機ＥＬ層１１７Ｇを挟んで第４電極１４５よりも第１の面側（図１３で＋Ｚ方向側）に配置されている。

　図１３の例では、第４電極１４５は、アノードとなっている。また、第５電極１４７は、カソードとなっている。第４電極１４５と第５電極１４７に電圧が加えられると、第４電極１４５から有機ＥＬ層１１７Ｇにホール（正孔）が注入される。そして第５電極１４７から有機ＥＬ層１１７Ｇに電子が注入される。

　第４電極１４５と第５電極１４７の形状は、図１４に示すように隣接する画素Ｓ間で分離されるため、図１６Ｂ、図１６Ｄに示すように、１つの画素Ｓにおいて、画素Ｓの内側の領域に形成されている。また、第４電極１４５は、図１６Ｂに示すように接続孔１１６、１３５を除く領域に形成される。第５電極１４７は、図１６Ｄに示すように接続孔１１６、１３５を除く領域に形成される。

　第４電極１４５及び第５電極１４７は、それぞれ第３電極１２１及び第２電極１１８と同様の材料で形成されてよい。

　第２の実施形態における表示装置１０Ｂでは、第３電極１２１と第４電極１４５は、電気的に分離している。図１３の例では、第３電極１２１と第４電極１４５との間に保護層１３２が形成されており、保護層１３２で第３電極１２１と第４電極１４５が電気的に分離される。第３電極１２１と第４電極１４５が、電気的に分離されていることで、第３電極１２１と第４電極１４５との間での電流リークを抑制することができる。

（保護層）
　保護層１３２は、１つの画素Ｓあたり、図１６Ａに示すように接続孔１１６、１３５の領域を除き、第３電極１２１上面を覆うように画素Ｓの内側の領域に設けられている。保護層１３２は、絶縁性を有する材料で形成される。保護層１３２は第１の実施形態で説明した保護層３２Ａ、３２Ｂと同様の材料で形成されてよい。

　また、第５電極１４７の上に保護層１３３が形成されている。保護層１３３は、図１６Ｅに示すように接続孔１１６、１３５、１３７の領域を除き、第５電極１４７上面を覆っている。保護層１３３は保護層１３２と同様の材料で形成されてよい。第５電極１４７は保護層１３２により、外気露出が避けられる。

（壁面部）
　積層構造１３Ｃの少なくとも一部には壁面部１２５が形成されている。壁面部１２５は、有機ＥＬ層１１７Ｒの側壁１６７Ｒ、第２電極１１８の側壁１６８、及び有機ＥＬ層１１７Ｂの側壁１６７Ｂを連ねた連設面１２７を少なくとも一部に有する部分である。図１３に示す表示装置１０Ｂの例では、壁面部１２５は、パッド１１４の接続孔１１６の周壁部に形成されている。接続孔１１６は、保護層１３３の上面から駆動基板１１１に向かう孔部でありパッド１１４の上面を露出させる。

　図１３の例では、連設面１２７の部分において、側壁１６７Ｒと側壁１６８と側壁１６７Ｂの位置が上下方向（Ｚ軸方向）に揃った状態となっている。このため、パッド１１４の周囲を発光領域として使用でき、表示装置１０Ｂの開口率が向上しやすくなる。この観点から、壁面部１２５の連設面１２７では、側壁１６７Ｒと側壁１６８と側壁１６７Ｂが面一に並ぶことが好ましい。

　また、壁面部１２５は、連設面１２７の面方向に沿って、第３電極１２１の側壁１７１、第４電極１４５の側壁１９５、及び有機ＥＬ層１１７Ｇの側壁１６７Ｇを並べた並び面１７７を有していることが好ましい。図１３に示す壁面部１２５の連設面１２７の例では、下側から上側に向かって、順に、側壁１６７Ｒと側壁１６８と側壁１６７Ｂが面一に並んで連設面１２７を形成しており、その連設面１２７の面方向に沿った位置（連設面１２７の面に沿った＋Ｚ方向側の位置）に側壁１７１と側壁１９５と側壁１６７Ｇを並べた並び面１７７が形成されている。この並び面１７７も面一となるように揃えられていることが好適である。なお、図１３の例では、並べ面１７７は、側壁１７１と側壁１９５の間に、保護層１３２の側壁を介在させており、側壁１７１、保護層１３２の側壁、側壁１９５及び側壁１６７Ｇが上下方向に並べられている。

（側壁絶縁層）
　表示装置１０Ｂにおいては、壁面部１２５の外面上に、側壁絶縁層１３０が設けられている。積層構造１３Ｃに形成された側壁絶縁層１３０は、壁面部１２５の連設面１２７の位置の外面上にて、側壁１６７Ｒと側壁１６８と側壁１６７Ｂと側壁１７１と側壁１９５と側壁１６７Ｇを覆っており、これにより有機ＥＬ層１１７Ｒ、第２電極１１８及び有機ＥＬ層１１７Ｂが外部環境下に露出されることが規制される。なお、図１３の例では、側壁絶縁層１３０は、さらに第５電極１４７の側壁１９７や保護層１３２、１３３の側壁を覆うように形成されていることが好ましい。このように形成されていることで、後述の配線１４８、１４９が第５電極１４７等に接触する虞をより確実に抑制することができる。

　側壁絶縁層１３０は、単層でも多層でもよい。図１３の例では、積層構造１３Ｂの壁面部１２５に対しては、側壁絶縁層１３０が単層形成されている。

（接続孔）
　積層構造１３Ｂには、接続孔１３５、１３７、１６１が形成されている。接続孔１３５は、保護層１３３の上面から駆動基板１１１に向かう孔部であり第３電極１２１の上面１３６を露出させる。接続孔１３７は、保護層１３３の上面から駆動基板１１１に向かう孔部であり第４電極１４５の上面１３８を露出させる。接続孔１６１は、保護層１３３の上面から駆動基板１１１に向かう孔部であり第５電極１４７の上面１３９を露出させる。

（立面部）
　側壁絶縁層１３０は、壁面部１２５の他、図１３の例に示すように、他の立面部１５０、１５１、１５２に形成されていることが好ましい。立面部１５０、１５１は、接続孔１３５、１３７の内周面部である。

　図１３の例では、接続孔１３５の内周面を形成する立面部１５０には、第３電極１２１から保護層１３３の位置まで側壁絶縁層１３０が形成されている。

　接続孔１３７の内周面を形成する立面部１５１には、第４電極１４５から保護層１３３の位置まで側壁絶縁層１３０が形成されている。

（溝）
　また、側壁絶縁層１３０は、立面部１５２に形成されていることが好ましい。立面部１５２は、溝１４０に形成された溝周壁部である。溝１４０は、図１２に示すように、画素Ｓの外周を囲むように形成されており、保護層１３３の上面から駆動基板１１１に向かい、第２電極１１８の上面部を露出させ、第２電極１１８の少なくとも一部の上面を露出させた露出部１４１を形成する。溝１４０は、露出部１４１を溝の底面とし、露出部１４１の外端縁を基端として駆動基板１１１から離れる方向（基板１１１Ａから離れる方向）（＋Ｚ方向）に立ち上がる立面部１５２を形成している。この立面部１５２の少なくとも一部に側壁絶縁層１３０が形成される。図１３の例では、立面部１５２の上下方向に沿った全体にわたり側壁絶縁層１３０が形成されている。

　このように各立面部１５０、１５１、１５２にも側壁絶縁層１３０が形成されていることで、後述の配線１４８、１４９、１６０が第５電極１４７や有機ＥＬ層１１７Ｇ等に接触する虞をより確実に抑制することができる。

　なお、接続孔１３５、１３７の他、保護層１３３の上面から駆動基板１１１に向かう孔部として、接続孔１６１が形成されている。

（配線）
　表示装置１０Ｂにおいては、保護層１３３の上面側に、第１電極中継部として配線１４８が設けられ、第２電極中継部として配線１４９が設けられている。配線１４８は、第３電極１２１から駆動基板１１１側に延びており、駆動基板１１１上のパッド１１４に電気的に接続されている。

　配線１４８は接続孔１３５内で第３電極１２１の上面１３６側に接続されている。そして、配線１４８は、接続孔１３５から保護層１３３の表面に沿って延び、さらに壁面部１２５の外面側を通り、パッド１１４に向かって延びている。配線１４８と壁面部１２５との間に側壁絶縁層１３０が介在している。第３電極１２１は配線１４８を介してパッド１１４に電気的に接続される。

　配線１４９は、第４電極１４５から駆動基板１１１側に延びており、駆動基板１１１上のパッド１１４に電気的に接続されている。

　配線１４９は接続孔１３７内で第４電極１４５の上面１３８側に接続されている。そして、配線１４９は、接続孔１３７から保護層１３３の表面に沿って延び、さらに壁面部１２５の外面側を通り、パッド１１４に向かって延びている。配線１４９と壁面部１２５との間に側壁絶縁層１３０が介在している。第４電極１４５は配線１４９を介してパッド１１４に電気的に接続される。

　上記のほか、第３電極中継部として配線１６０が設けられている。配線１６０は、第５電極１４７から駆動基板１１１側に向かって延びており、より具体的には、第２電極１１８の露出部１４１に向かって延び出ている。配線１６０は接続孔１６１内で第５電極１４７の上面１３９側に接続されている。そして、配線１６０は、接続孔１６１から保護層１３３の表面に沿って延び、さらに立面部１５２の外面上を通り、第２電極１１８の露出部１４１に向かって延びている。配線１６０と立面部１５２との間に側壁絶縁層１３０が介在している。第５電極１４７は配線１６０を介して第２電極１１８の露出部１４１に電気的に接続される。

［２―２　効果］
　第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂによれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

［３　第３の実施形態］
［３－１　表示装置の構成］
　第３実施形態にかかる表示装置１０Ｃについて、図１７、図１８、図１９等を参照して説明を行う。図１７は、第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃの画素Ｓの配置の一実施例を示す平面図である。図１８は、図１７のＣ１－Ｃ１線断面の状態を示す概略断面図である。図１９は、図１７のＣ２－Ｃ２線断面の状態を示す概略断面図である。

　図１７に例示した表示装置１０Ｃは、１つの画素Ｓあたり複数の積層構造１３Ｄを備える。図１７の例では、表示装置１０Ｃでは、１つの画素Ｓにサブ画素３０１Ｂ、３０１Ｇ、３０１Ｒが備えられ、サブ画素３０１ごとに積層構造１３Ｄが設けられている。

　図１７に示す、積層構造１３Ｄは、第１電極２１５、第１有機層としての有機ＥＬ層２１７Ｂ、電荷発生層２１９、第２有機層としての有機ＥＬ層２１７Ｙ、及び第２電極２１８をこの順に備える。

（有機ＥＬ素子）
　積層構造１３Ｄには、複数の有機ＥＬ素子３００が形成されている。第１電極２１５、有機ＥＬ層２１７Ｂ及び電荷発生層２１９の組み合わせが有機ＥＬ素子３００Ｂとして機能し、電荷発生層２１９、有機ＥＬ層２１７Ｙ及び第２電極１１８の組み合わせが有機ＥＬ素子３００Ｙとして機能する。図１８に示す積層構造１３Ｄの例では、有機ＥＬ素子３００Ｙと有機ＥＬ素子３００Ｂの組み合わせで白色の光を形成することができる。サブ画素３０１Ｂは、白色の光がカラーフィルタ層３０３Ｂを通ることで青色光が形成される。サブ画素３０１Ｇ、３０１Ｒでは、それぞれサブ画素３０１Ｂと同様にして緑色光、赤色光が形成される。

　表示装置１０Ｂでは、サブ画素３０１Ｒとサブ画素３０１Ｂ及びサブ画素３０１Ｇに対応する位置にそれぞれ積層構造１３Ｄが形成される。

（第１電極）
　駆動基板２１１の第１の面側には、複数の第１電極２１５が設けられている。複数の第１電極２１５は、積層構造１３Ｃのレイアウトに対応して２次元的に配置されている。図２０Ａに示すように、１つの画素Ｓにおいて、パッド１１４の位置を避けて、横並びに３つ形成されている。

　第１電極２１５は、アノードとなっている。第１電極２１５と第２電極２１８に電圧が加えられると、第１電極２１５から有機ＥＬ層２１７Ｂにホール（正孔）が注入される。

（パッド）
　基板２１１Ａを有する駆動基板２１１の第１の面側（＋Ｚ方向側）には、積層構造１３Ｄごとに所定の位置に導電性を有するパッド２１４が配置されている。パッド２１４の位置は、図２０Ａに示すように、個々のサブ画素３０１の隅位置近傍に対応する位置に設けられているが、この配置に限定されるものではない。

（絶縁層）
　隣り合う第１電極２１５の間には、開口部２１２Ａを有する絶縁層２１２が形成されている。開口部２１２Ａは、第１電極２１５の位置に形成されている。また、絶縁層２１２には、パッド２１４の位置に接続孔２１６が形成されている。

（有機ＥＬ層）
　有機ＥＬ層２１７Ｂは、図１８に示すように、第１電極２１５と電荷発生層２１９の間に配置される。有機ＥＬ層２１７Ｂは、第１電極２１５の上面側と絶縁層２１２を覆っている。図１８に示すように表示装置１０Ｃの例では、有機ＥＬ層２１７Ｂは、サブ画素３０１Ｒ、３０１Ｂ、３０１Ｇそれぞれに対応した位置に、サブ画素３０１ごとに互いに分離した状態で形成されている。

　有機ＥＬ層２１７Ｙは、電荷発生層２１９と第２電極２１８の間に配置されている。有機ＥＬ層２１７Ｙは、電荷発生層２１９の上面側を覆っている。有機ＥＬ層２１７Ｙは、図１８に示すようにサブ画素３０１Ｒ、３０１Ｂ、３０１Ｇそれぞれに対応した位置に、サブ画素３０１ごとに互いに分離した状態で形成されている。

　有機ＥＬ層２１７Ｂ及び有機ＥＬ層２１７Ｙの形状は、図１９に示すように隣接する画素Ｓ間で分離されて溝１４０が形成されるため、図２０Ｂ、図２０Ｄに示すように、画素Ｓにおいて、画素Ｓの内側の領域に形成されている。後述する電荷発生層２１９、第２電極２１８についても有機ＥＬ層２１７Ｂ及び有機ＥＬ層２１７Ｙと同様の形状に形成される（図２０Ｃ、図２０Ｅ）。

（電荷発生層）
　表示装置１０Ｂにおいては、電荷発生層２１９が、それぞれ第１電極２１５と第２電極２１８の間に配置されている。電荷発生層２１９は、電圧を加えられると、ホール（正孔）と電子を生じる。第１電極２１５と第２電極２１８に電圧が加えられた際に電荷発生層２１９で生じた電子は、有機ＥＬ層２１７Ｂに注入され、電荷発生層２１９で生じたホール（正孔）が、有機ＥＬ層２１７Ｙに注入される。電荷発生層２１９の材料としては、ＭｏＯ_３やＶ_２Ｏ_５、ＷＯ_３などの金属酸化物や、強い電子アクセプター性の有機材料等を好適に用いることができる。

（第２電極）
　表示装置１０Ｂにおいては、第２電極２１８が、それぞれ第１電極２１５の第１の面側に配置されている。第２電極２１８は、カソードとなっている。第１電極２１５と第２電極２１８に電圧が加えられると、第２電極２１８は有機ＥＬ層２１７Ｙに電子を注入する。

　第２電極２１８は、サブ画素３０１ごとに設けられており、後述する配線でパッド２１４に接続される。第２電極２１８は、サブ画素３０１ごとにパッド２１４に接続されるため、図１８、図１９に示すように、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向いずれについても、隣接する画素Ｓ間で分離されている。

（壁面部）
　積層構造１３Ｄの少なくとも一部には壁面部２２５が形成されている。壁面部２２５は、有機ＥＬ層２１７Ｂの側壁２６７Ｂ、電荷発生層２１９の側壁２６９、及び有機ＥＬ層２１７Ｙの側壁２６７Ｙを連ねた連設面２２７を少なくとも一部に有するような部分である。向かい合う積層構造１３Ｄの端面のうち、パッド２１４をはさんで隣り合う端面の部分に壁面部２２５が形成されている。図１８の例では、連設面２２７の部分において、側壁２６７Ｂと側壁２６９と側壁２６７Ｙの位置が上下方向に揃った状態となっており、表示装置１０Ｃの開口率が向上しやすくなる。この観点から、壁面部２２５の連設面２２７では、側壁２６７Ｂと側壁２６９と側壁２６７Ｙが面一に並ぶことが好ましい。また、連設面２２７は、さらに第２電極２１８の側壁２６８を連ねた状態が形成されていることが好ましい。図１８に示す壁面部２２５の連設面２２７の例では、下側から上側に向かって、順に、側壁２６７Ｂと側壁２６９と側壁２６７Ｙと側壁２６８が面一に並んでいる。

（側壁絶縁層）
　表示装置１０Ｃにおいては、壁面部２２５の外面上に、側壁絶縁層２３０が設けられている。積層構造１３Ｄに形成された側壁絶縁層２３０は、側壁２６７Ｂと側壁２６９と側壁２６７Ｙを覆っており、これにより有機ＥＬ層２１７Ｂ、電荷発生層２１９及び有機ＥＬ層２１７Ｙが外部環境下に露出されることが規制される。側壁絶縁層２３０は、さらに第２電極２１８の側壁２６８を覆うように形成されていてもよい。

　側壁絶縁層２３０は、単層でも多層でもよい。図１８の例では、壁面部２２５に対し、側壁絶縁層２３０が単層形成されている。

（保護層）
　第２電極２１８の上には、保護層２３２Ａ、２３２Ｂが形成されている。保護層２３２Ａは、第２電極２１８を覆うように設けられる。そして、その保護層２３２Ａの第１の面側をさらに覆うように保護層２３２Ｂが設けられている。

　図１８の例では、保護層２３２Ａは、第２電極２１８の上面を覆う。保護層２３２Ａの側壁は側壁絶縁層２３０で覆われる。保護層２３２Ａは、表示装置１０Ｃの平面視上、サブ画素３０１ごとに配置されている。

　また、保護層２３２Ｂは、保護層２３２Ａの上面側を覆い、さらに側壁絶縁層２３０の外側面も覆っている。図１８の例では、保護層２３２Ｂのうち側壁絶縁層２３０を覆う部分は、絶縁補助部２３４となっている。絶縁補助部２３４は、側壁絶縁層２３０による絶縁性を補強する。保護層２３２Ｂは、表示装置１０Ｃの平面視上、Ｘ方向とＹ方向に延びており、全画素に共通する層となっている。

　また、保護層２３２Ａ、２３２Ｂには、保護層２３２Ａ、２３２Ｂを貫く接続孔２３５が形成されている。１つの画素Ｓにおいて、接続孔２３５は、図２０Ｆに示すように、それぞれの積層構造１３Ｄに対応して１つ設けられている。また、接続孔２３５では第２電極２１８の上面２３６側が露出している。保護層２３２Ａ、２３２Ｂへの接続孔２３５の形成は、エッチング法などの方法を適宜用いて実現することができる。

（配線）
　表示装置１０Ｃにおいては、保護層２３２Ｂの上面側に、電極中継部として配線２３８が設けられている。配線２３８は、第２電極２１８から基板側である駆動基板２１１側に延びている。図１８の例では、配線２３８は接続孔２３５内で第２電極２１８の上面２３６側に接続されている。そして、配線２３８は、接続孔２３５から壁面部２２５の外面上を通り、パッド２１４に向かって保護層２３２Ｂの表面に沿って延びている。このとき配線２３８と壁面部２２５との間には側壁絶縁層２３０が介在している。そして配線２３８は、駆動基板２１１のパッド２１４に電気的に接続されている。

（平坦化層）
　保護層２３２Ｂと配線２３８の上に平坦化層３０７が形成されていてもよい。平坦化層３０７は、第１の面を平坦化することができる。平坦化層３０７は、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等を例示することができる。また、平坦化層３０７の形成前に、ＣＶＤやＡＬＤ法等で保護膜が形成されてもよい。

（カラーフィルタ層）
　平坦化層３０７の上には、カラーフィルタ層３０３が設けられる。カラーフィルタ層３０３は、カラーフィルタ層３０３は、サブ画素３０１に応じて設けられてよい。例えば、図１８に示す表示装置１０Ｃのカラーフィルタ層３０３として、サブ画素３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂに応じたカラーフィルタ層３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂが設けられる。以下、カラーフィルタ層３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂを区別しない場合には、カラーフィルタ層３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂをカラーフィルタ層３０３と総称する。

（充填樹脂層）
　表示装置１０Ｃには、カラーフィルタ層３０３を覆うように充填樹脂層３０４が形成される。充填樹脂層３０４は、カラーフィルタ層３０３を保護し、カラーフィルタ層３０３の第１の面側（＋Ｚ方向側）を平坦化することができる。充填樹脂層３０４は、カラーフィルタ層３０３と後述の対向基板３０５を接着する接着層としての機能を有することができる。充填樹脂層３０４は、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等を例示することができる。

（対向基板）
　対向基板３０５は、充填樹脂層３０４上に、駆動基板１１に対向させた状態で設けられている。対向基板３０５は、充填樹脂層３０４とともに有機ＥＬ素子３００を封止する。対向基板３０５は、ガラス等の材料により構成されることが好ましい。

［３―２　効果］
　第３の実施形態にかかる表示装置によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

［３－３　変形例］
　第３の実施形態にかかる表示装置は、上記で説明したものに限定されず、例えば以下の各変形例に示すように形成されていてもよい。

［変形例１］
　第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃにおいては、サブ画素３０１Ｒ、サブ画素３０１Ｂ、サブ画素３０１Ｇのそれぞれについて、第１電極２１５と電荷発生層２１９の間、電荷発生層２１９と有機ＥＬ層２１７Ｂの間に、同色の有機ＥＬ層２１７を配置してもよい。サブ画素３０１Ｒにおいては、第１電極２１５と電荷発生層２１９の間、電荷発生層２１９と第２電極２１８の間に、有機ＥＬ層２１７Ｒが配置される。サブ画素３０１Ｂにおいては、第１電極２１５と電荷発生層２１９の間、電荷発生層２１９と第２電極２１８の間に、有機ＥＬ層２１７Ｂが配置される。サブ画素３０１Ｇにおいては、第１電極２１５と電荷発生層２１９の間、電荷発生層２１９と第２電極２１８の間に、有機ＥＬ層２１７Ｇが配置される。また、この場合、これらの他の構成については、上記に説明した第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃと同様の構成である。なお、変形例１について、カラーフィルタ層３０３は省略されても設けられていてもよい。

［変形例２］
　第３の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０Ｃにおいては、サブ画素３０１Ｒ、サブ画素３０１Ｂ、サブ画素３０１Ｇのそれぞれについて共振器構造が形成されていてもよい。

　共振器構造は、キャビティ構造であり、第１電極２１５と電荷発生層２１９の間や、電荷発生層２１９と第２電極２１８の間に配置された有機ＥＬ層２１７からの出射光を共振する構造である。表示装置１０Ｃにおいて、共振器構造は、有機ＥＬ素子３００に形成されており、例えば第１電極２１５、有機ＥＬ層２１７及び第２電極２１８が、共振器構造を形成している。なお、有機ＥＬ層２１７からの出射光を共振するとは、出射光に含まれる特定波長の光を共振することを示す。

　次に、本開示の一実施形態（第１の実施形態）に係る表示装置１０Ａの製造方法の一実施形態における一例について説明する。

［４　表示装置の製造方法］
［４－１　製造方法の第１実施形態］
　製造方法の第１実施形態においては、図２１に示すように、基板１１Ａに駆動回路を形成した駆動基板１１の第１の面上に、層間膜９１及びコンタクトプラグ９０が形成される。

　層間膜９１の上に、第１電極１５とパッド１４が形成され、さらに絶縁層１２が積層される（図２１）。第１電極１５とパッド１４はサブ画素１０１の配列に応じて複数形成され、サブ画素１０１のパターンに応じて絶縁層１２には開口部１２Ａが形成される。第１電極１５、パッド１４及び絶縁層１２の形成は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、又はＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの方法を用いることができる。このとき、開口部１２Ａは、第１電極１５の位置に形成される。

　第１電極１５及び絶縁層１２の上には、図２２のように、第１有機層である有機ＥＬ層１７Ｒ、第２電極１８Ａ、第２有機層である有機ＥＬ層１７Ｂ、第３電極２１Ａ及び保護層３２Ａが形成される。有機ＥＬ層１７が、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層をこの順に積層した積層構造を有している場合には、電子輸送層と発光層と正孔輸送層それぞれを形成する層が順次積層される。これらの層を形成する方法は、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、ダイコート法等のコーティング法等を挙げることができる。

　図２３に示すように積層構造１３Ａの配置パターンに対応したレジスト８０を形成し、ドライエッチング（第１のドライエッチング加工）を施すことで、レジストパターンに対応した位置に壁面部２５が形成される（図２４）。第１のドライエッチング加工は、第１有機層である有機ＥＬ層１７Ｒ、第２電極１８Ａ、第２有機層である有機ＥＬ層１７Ｂ、第３電極２１Ａ及び保護層３２Ａを一括してエッチングする一括形成工程である。また、このとき壁面部２５を覆うように積層構造１３Ａの壁面部２５側に側壁絶縁層３０が形成される。側壁絶縁層３０は、例えばＣＶＤ法やＡＬＤ法等で形成された層をリソグラフィーやエッチング等で加工することや、サイドウォールプロセス等で加工することで形成することができる。その他、側壁絶縁層３０は、一括形成加工時のドライエッチング時のデポ等で形成されてもよい。なお、図２４の例では、レジスト８０のパターンは、積層構造１３Ａの配置域を含みＹ軸方向に延びるストライプ状のパターンとなっており、第１のドライエッチング加工の段階では、エッチングされた各層（有機ＥＬ層１７Ｒ、第２電極１８Ａ、有機ＥＬ層１７Ｂ、第３電極２１Ａ及び保護層３２Ａ）もストライプ状となっている。

　第１のドライエッチング加工が実施された後、図２５に示すように、第１の面側の表面上に第３有機層である有機ＥＬ層１７Ｇ、第２電極１８Ｂ、第２有機層である有機ＥＬ層１７Ｗ、第３電極２１Ｂ及び保護層３２Ａが一面形成される。

　積層構造１３Ｂの配置パターンに対応したレジスト８１を形成し（図２６）、ドライエッチング（第２のドライエッチング加工）を施すことで、レジストパターンに対応した位置に壁面部２５が形成される。第２のドライエッチング加工は、第３有機層である有機ＥＬ層１７Ｒ、第２電極１８Ｂ、第４有機層である有機ＥＬ層１７Ｂ、第３電極２１Ｂ及び保護層３２Ａを一括してエッチングする一括形成工程である。また、このとき、図２７にも示すように、壁面部２５を覆うように積層構造１３Ｂの壁面部２５側に側壁絶縁層３０が形成される。側壁絶縁層３０は、積層構造１３Ａの壁面部２５側の側壁絶縁層３０と同様に、例えばＣＶＤ法やＡＬＤ法等で形成された層をリソグラフィーやエッチング等で加工することや、サイドウォールプロセス等で加工することで形成することができる。その他、側壁絶縁層３０は、一括形成加工時のドライエッチング時のデポ等で形成されてもよい。積層構造１３Ａの壁面部２５側については、側壁絶縁層３０が積層される。なお、図２６の例では、レジスト８１のパターンが、積層構造１３Ｂの配置域を含みＹ軸方向に延びるストライプ状のパターンとなっている。第２のドライエッチング加工の段階では、エッチングされた各層（有機ＥＬ層１７Ｇ、第２電極１８Ｂ、有機ＥＬ層１７Ｗ、第３電極２１Ｂ及び保護層３２Ａ）もストライプ状となっている。

　したがって、第２のドライエッチング加工時においては、図２９に示すようにＸ軸方向に隣り合う画素Ｓは切断されているが、Ｙ軸方向に隣り合う画素Ｓは切断されていない状態となっている。

　さらに第１の面上にレジスト８２を形成し（図２８）、ドライエッチング（第３のドライエッチング加工）を施す。第３のドライエッチングでは、Ｙ軸方向に隣り合う画素がＸ軸方向に沿って分断される。すなわち図２９に示すＹ軸方向に繋がっている画素Ｓが第３のドライエッチングで切断された状態となる。このとき、第３電極２１Ａ、２１Ｂと有機ＥＬ層１７Ｂ、１７Ｗも画素ごとに分断される。なお、第３のドライエッチング加工では第２電極１８の分断は避けられており、また有機ＥＬ層１７Ｒと有機ＥＬ層１７Ｇの分断も避けられている。

　次いで、図３０に示すように第１の面上に保護層３２Ｂが形成される。そして保護層３２Ｂの上にレジスト８３が形成され（図３１）、ドライエッチング（第４のドライエッチング加工）が施される。第４のドライエッチング加工では、接続孔３５とパッド１４上の接続孔１６が形成される（図３２）。

　さらに、第１の面上には金属層が形成され、配線３８に対応したパターンでパターニングを行う。これにより、配線３８が、接続孔３５内で第３電極２１の上面側に接続され、且つ、第３電極２１の上面側から保護層３２Ｂの表面を伝って壁面部２５の外面側を通り駆動基板１１側に延び、パッド１４に接続される。

　保護層３２Ｂの上に配線３８を施した後、充填樹脂層１０４が形成されてよい。なお、充填樹脂層１０４の形成前に、ＣＶＤ法やＡＬＤ法等を用いて保護層が形成されてもよい。充填樹脂層１０４上には対向基板１０５が配置されてよい。充填樹脂層１０４の形成及び対向基板１０５の配置は、従前より知られた方法等を適宜使用して形成することができる。こうして図３に示すような表示装置１０Ａが形成される。

［５　応用例］
（電子機器）
　上述の一実施形態に係る表示装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、種々の電子機器に備えられてもよい。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに備えられることが好ましい。

（具体例１）
　図３３Ａは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す正面図である。図３３Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す背面図である。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。

　カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、上述の一実施形態および変形例に係る表示装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのいずれかを用いることができる。

（具体例２）
　図３４は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す斜視図である。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、上述の一実施形態および変形例に係る表示装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのいずれかを用いることができる。

（具体例３）
　図３５は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す斜視図である。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、上述の一実施形態および変形例に係る表示装置１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのいずれかにより構成される。

　以上、本開示の第１の実施形態から第３の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、表示装置の製造方法、及び応用例について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１の実施形態から第３の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、表示装置の製造方法、及び応用例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

　例えば、上述の第１の実施形態から第３の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、表示装置の製造方法、及び応用例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。

　上述の第１の実施形態から第３の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、表示装置の製造方法、及び応用例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

　上述の第１の実施形態から第３の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、表示装置の製造方法、及び応用例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）基板と、
　積層構造と、
　電極中継部と、
　を備え、
　前記積層構造は、前記基板上に、順に、第１電極、第１有機層、第２電極、第２有機層、及び第３電極を備えており、
　前記第２電極は、前記第１電極及び前記第３電極に対応する共通電極となっており、
　前記第１有機層の側壁、前記第２電極の側壁、及び前記第２有機層の側壁を連ねた連設面を少なくとも一部に有する壁面部が形成され、
　前記壁面部の少なくとも一部を覆う側壁絶縁層が設けられており、
　前記電極中継部は、前記第３電極から前記基板側に延びており、且つ、前記側壁絶縁層を介して前記壁面部の外面上を通っている、
　発光装置。
（２）前記壁面部の前記連設面では、前記第１有機層の側壁、前記第２電極の側壁、及び前記第２有機層の側壁の位置と、さらに前記第３電極の側壁の位置とが、揃っている、
　上記（１）に記載の発光装置。
（３）前記電極中継部は、前記第３電極の上面側に接続されている、
　上記（１）又は（２）に記載の発光装置。
（４）前記電極中継部は、前記第３電極の外縁部から延設されている、
　上記（１）又は（２）に記載の発光装置。
（５）前記第１電極及び前記第３電極は、アノードであり、
　前記第２電極が、カソードである、
　上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の発光装置。
（６）前記第１電極と前記第３電極は、互いに電気的に分離している、
　上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の発光装置。
（７）表示領域を有し、
　前記基板上には、前記表示領域の外側に補助電極が設けられており、
　前記第２電極が、前記補助電極に接続されている、
　上記（１）から（６）のいずれか１つに記載の発光装置。
（８）前記側壁絶縁層は、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃから選ばれた少なくとも１種類の元素を含む、
　上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の発光装置。
（９）前記側壁絶縁層は、多層構造を有する、
　上記（１）から（８）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１０）前記側壁絶縁層の平均全体厚みが、５ｎｍ以上１μｍ以下である、
　上記（１）から（９）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１１）前記電極中継部としての第１電極中継部と、
　第２電極中継部と、を備え、
　前記積層構造は、前記第３電極上に、さらに、順に、第４電極、第３有機層、及び第５電極を備えており、
　前記壁面部は、前記第３電極の側壁、前記第４電極の側壁、及び前記第３有機層の側壁を前記連設面の面方向に沿って並べられた並び面を有しており、
　前記第２電極中継部は、前記第４電極から前記基板側に延び、且つ、前記側壁絶縁層を介して前記壁面部の外面上を通っている、
　上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１２）前記第３電極と前記第４電極は、互いに電気的に分離している、
　上記（１１）に記載の発光装置。
（１３）前記第５電極から前記基板側に延びている第３電極中継部、を備えており、
　前記第２電極には、前記第３電極中継部を接続される露出部が形成されており、
　前記露出部の端縁を基端として前記基板から離れる方向に立ち上がる立面部が形成されており、
　前記側壁絶縁層は、さらに前記立面部の少なくとも一部に形成され、
　前記第３電極中継部は、前記側壁絶縁層を介して前記立面部の外面上を通っている、
　上記（１１）又は（１２）に記載の発光装置。
（１４）基板と、
　積層構造と、
　第１電極中継部と、
　第２電極中継部と、を備え、
　前記積層構造は、前記基板上に、順に、第１電極、第１有機層、第２電極、第２有機層、第３電極、第４電極、第３有機層、及び第５電極を備え、
　前記第２電極は、前記第１電極及び前記第３電極に対応する共通電極となっており、
　前記第１有機層の側壁、前記第２電極の側壁、及び前記第２有機層の側壁を連ねた連設面と、少なくとも前記第４電極の側壁及び前記第３有機層の側壁を前記連設面の面方向に沿って並べてられた並び面とを、少なくとも一部に有する壁面部が形成され、
　前記壁面部には、側壁絶縁層が設けられており、
　前記第１電極中継部は、前記第３電極から前記基板側に延びており、
　前記第２電極中継部は、前記第４電極から前記基板側に延びており、
　前記第１電極中継部と前記第２電極中継部は、前記側壁絶縁層を介して前記壁面部の外面上を通っている、
　発光装置。
（１５）基板と、
　積層構造と、
　電極中継部と、を備え、
　前記積層構造は、前記基板上に、順に、第１電極、第１有機層、電荷発生層、第２有機層、及び第２電極を備え、
　前記第１有機層の側壁、前記電荷発生層の側壁、及び前記第２有機層の側壁を連ねた連設面を少なくとも一部に有する壁面部が形成され、
　前記壁面部には、側壁絶縁層が設けられており、
　前記電極中継部は、前記第２電極から前記基板側に延び、且つ、前記側壁絶縁層を介して前記壁面部の外面上を通っている、
　発光装置。
（１６）請求項１に記載の発光装置を備えた、
　表示装置。
（１７）請求項１６に記載の表示装置を備えた、
　電子機器。

１０Ａ　　：表示装置
１０Ｂ　　：表示装置
１０Ｃ　　：表示装置
１１　　　：駆動基板
１４　　　：パッド
１５Ａ　　：第１電極
１５Ｂ　　：第１電極
１６　　　：接続孔
１７　　　：有機ＥＬ層
１８Ａ　　：第２電極
１８Ｂ　　：第２電極
２１Ａ　　：第３電極
２１Ｂ　　：第３電極
２５　　　：壁面部
２７　　　：連設面
３０　　　：側壁絶縁層
３８　　　：配線
４０　　　：補助電極
１０４　　：充填樹脂層
１０５　　：対向基板
１１６　　：接続孔
１１７　　：有機ＥＬ層
１１８　　：第２電極
１２１　　：第３電極
１２５　　：壁面部
１２７　　：連設面
１３０　　：側壁絶縁層
１４５　　：第４電極
１４７　　：第５電極
１４８　　：配線
１４９　　：配線
２１９　　：電荷発生層
２２５　　：壁面部
２２７　　：連設面
２３０　　：側壁絶縁層

Claims

　基板と、
　積層構造と、
　電極中継部と、
　を備え、
　前記積層構造は、前記基板上に、順に、第１電極、第１有機層、第２電極、第２有機層、及び第３電極を備えており、
　前記第２電極は、前記第１電極及び前記第３電極に対応する共通電極となっており、
　前記第１有機層の側壁、前記第２電極の側壁、及び前記第２有機層の側壁を連ねた連設面を少なくとも一部に有する壁面部が形成され、
　前記壁面部の少なくとも一部を覆う側壁絶縁層が設けられており、
　前記電極中継部は、前記第３電極から前記基板側に延びており、且つ、前記側壁絶縁層を介して前記壁面部の外面上を通っている、
　発光装置。
　前記壁面部の前記連設面では、前記第１有機層の側壁、前記第２電極の側壁、及び前記第２有機層の側壁の位置と、さらに前記第３電極の側壁の位置とが、揃っている、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記電極中継部は、前記第３電極の上面側に接続されている、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記電極中継部は、前記第３電極の外縁部から延設されている、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記第１電極及び前記第３電極は、アノードであり、
　前記第２電極が、カソードである、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記第１電極と前記第３電極は、互いに電気的に分離している、
　請求項１に記載の発光装置。
　表示領域を有し、
　前記基板上には、前記表示領域の外側に補助電極が設けられており、
　前記第２電極が、前記補助電極に接続されている、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記側壁絶縁層は、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃから選ばれた少なくとも１種類の元素を含む、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記側壁絶縁層は、多層構造を有する、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記側壁絶縁層の平均全体厚みが、５ｎｍ以上１μｍ以下である、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記電極中継部としての第１電極中継部と、
　第２電極中継部と、を備え、
　前記積層構造は、前記第３電極上に、さらに、順に、第４電極、第３有機層、及び第５電極を備えており、
　前記壁面部は、前記第３電極の側壁、前記第４電極の側壁、及び前記第３有機層の側壁を前記連設面の面方向に沿って並べられた並び面を有しており、
　前記第２電極中継部は、前記第４電極から前記基板側に延び、且つ、前記側壁絶縁層を介して前記壁面部の外面上を通っている、
　請求項１に記載の発光装置。
　前記第３電極と前記第４電極は、互いに電気的に分離している、
　請求項１１に記載の発光装置。
　前記第５電極から前記基板側に延びている第３電極中継部、を備えており、
　前記第２電極には、前記第３電極中継部を接続される露出部が形成されており、
　前記露出部の端縁を基端として前記基板から離れる方向に立ち上がる立面部が形成されており、
　前記側壁絶縁層は、さらに前記立面部の少なくとも一部に形成され、
　前記第３電極中継部は、前記側壁絶縁層を介して前記立面部の外面上を通っている、
　請求項１１に記載の発光装置。
　基板と、
　積層構造と、
　第１電極中継部と、
　第２電極中継部と、を備え、
　前記積層構造は、前記基板上に、順に、第１電極、第１有機層、第２電極、第２有機層、第３電極、第４電極、第３有機層、及び第５電極を備え、
　前記第２電極は、前記第１電極及び前記第３電極に対応する共通電極となっており、
　前記第１有機層の側壁、前記第２電極の側壁、及び前記第２有機層の側壁を連ねた連設面と、少なくとも前記第４電極の側壁及び前記第３有機層の側壁を前記連設面の面方向に沿って並べてられた並び面とを、少なくとも一部に有する壁面部が形成され、
　前記壁面部には、側壁絶縁層が設けられており、
　前記第１電極中継部は、前記第３電極から前記基板側に延びており、
　前記第２電極中継部は、前記第４電極から前記基板側に延びており、
　前記第１電極中継部と前記第２電極中継部は、前記側壁絶縁層を介して前記壁面部の外面上を通っている、
　発光装置。
　基板と、
　積層構造と、
　電極中継部と、を備え、
　前記積層構造は、前記基板上に、順に、第１電極、第１有機層、電荷発生層、第２有機層、及び第２電極を備え、
　前記第１有機層の側壁、前記電荷発生層の側壁、及び前記第２有機層の側壁を連ねた連設面を少なくとも一部に有する壁面部が形成され、
　前記壁面部には、側壁絶縁層が設けられており、
　前記電極中継部は、前記第２電極から前記基板側に延び、且つ、前記側壁絶縁層を介して前記壁面部の外面上を通っている、
　発光装置。
　請求項１に記載の発光装置を備えた、
　表示装置。
　請求項１６に記載の表示装置を備えた、
　電子機器。