CN117063611A - 发光装置、显示装置及电子设备 - Google Patents

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笠原直也
泽部智明
山崎崇
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Abstract

提供了一种能够提高开口率并抑制电极之间的电流泄漏的能力优异的发光装置和显示装置，以及使用该显示装置的电子设备。发光装置包括基板、层压结构和电极中继部。层压结构在基板上依次设置有第一电极、第一有机层、第二电极、第二有机层和第三电极，第二电极用作与第一电极和第三电极相对应的公共电极，壁面部形成为至少部分地具有连接第一有机层的侧壁、第二电极的侧壁和第二有机层的侧壁的连续连接的表面，设置覆盖壁面部的至少一部分的侧壁绝缘层。电极中继部从第三电极延伸至基板侧，并经由侧壁绝缘层越过壁面部的外表面。

Description

发光装置、显示装置及电子设备
技术领域
本公开涉及发光装置、显示装置以及使用该显示装置的电子设备。
背景技术
作为使用有机EL元件作为发光元件的发光装置(有机EL发光装置)等，已知其中堆叠有用于形成子像素的多个结构的多级堆叠装置。
例如，专利文献1提出了一种显示装置，该显示装置具有以下结构：第一电极、第一有机层、第二电极、第二有机层、以及第三电极在相应端部的位置偏移的状态下依次层压在基板上。此外，专利文献2提出了一种显示装置，其具有这样的结构，其中第一电极、第一有机层、第二电极、第二有机层和第三电极被层压在基板上，一些层的端部被对齐，并且第一电极和第三电极被连接。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利公开2010-123286
专利文献2：日本专利公开2005-4062
发明内容
本发明要解决的问题
在专利文献1中公开的显示装置中，在抑制难以提高子像素的开口率的问题方面，存在改进的空间。在专利文献2中所示的显示装置中，在抑制端部的位置处的电极之间的电流泄漏方面，存在改进的空间。
鉴于上述点创作了本公开，并且本公开的目的是提供发光装置、显示装置、以及使用该显示装置的电子设备，其能够改善孔径比并且在抑制电极之间的电流泄漏方面是优异的。
问题的解决方案
本公开内容是一种发光装置，包括：例如：
(1)基板；
层压结构；以及
电极中继部，
其中，层压结构在基板上依次包括第一电极、第一有机层、第二电极、第二有机层和第三电极，
第二电极是对应于第一电极和第三电极的公共电极，
形成壁面部，壁面部至少部分地包括连接表面，第一有机层的侧壁、第二电极的侧壁以及第二有机层的侧壁连接在连接表面中，
设置覆盖壁面部的至少一部分的侧壁绝缘层，以及
电极中继部从第三电极朝向基板延伸，并且经由侧壁绝缘层越过壁面部的外表面。
本公开内容是一种发光装置，包括：
(2)基板；
层压结构；
第一电极中继部；以及
第二电极中继部，
其中，层压结构在基板上依次包括第一电极、第一有机层、第二电极、第二有机层、第三电极、第四电极、第三有机层和第五电极，
第二电极是对应于第一电极和第三电极的公共电极，
形成壁面部，壁面部至少部分地包括通过连接第一有机层的侧壁、第二电极的侧壁和第二有机层的侧壁而形成的连接表面，以及通过沿着连接表面的表面方向布置至少第四电极的侧壁和第三有机层的侧壁而形成的对齐表面，
侧壁绝缘层设置在壁面部上，
第一电极中继部从第三电极向基板延伸，
第二电极中继部从第四电极朝向基板延伸，并且
第一电极中继部和第二电极中继部经由侧壁绝缘层越过壁面部的外表面。
本公开内容是一种发光装置，包括：
(3)基板；
层压结构；以及
电极中继部，
其中，层压结构在基板上依次包括第一电极、第一有机层、电荷产生层、第二有机层和第二电极，
形成壁面部，壁面部至少部分地包括连接表面，第一有机层的侧壁、电荷产生层的侧壁和第二有机层的侧壁连接在连接表面中，
侧壁绝缘层设置在壁面部上，并且
电极中继部从第二电极延伸至基板并且经由侧壁绝缘层越过壁面部的外表面。
此外，本公开是一种显示装置，包括：
(4)根据(1)的发光装置。
此外，本公开可以是电子设备，包括：
(5)根据(4)的显示装置。
附图说明
图1是用于说明根据第一实施方式的显示装置的示例的平面图。
图2是用于说明根据第一实施方式的显示装置的像素的布置的平面图。
图3是示出沿图2中的线A1-A1截取的纵向截面的状态的截面图。
图4是示出沿图2中的线A2-A2截取的纵向截面的状态的截面图。
图5的A至图5的D是用于说明根据第一实施方式的显示装置的每个层的平面图。
图6的A至图6的D是用于说明根据第一实施方式的显示装置的每个层的平面图。
图7的A和图7的B是用于说明根据第一实施方式的显示装置的辅助电极的截面图。
图8是用于说明根据第一实施方式的显示装置的变形例的截面图。
图9是用于说明根据第一实施方式的显示装置的变形例的截面图。
图10是用于说明根据第一实施方式的显示装置的变形例的截面图。
图11是用于说明根据第一实施方式的显示装置的变形例的截面图。
图12是用于说明根据第二实施方式的显示装置的像素的配置的平面图。
图13是示出沿着图12中的线B1-B1截取的纵向截面的状态的截面图。
图14是示出沿着图12中的线B2-B2截取的纵向截面的状态的截面图。
图15的A至图15的E是用于说明根据第二实施方式的显示装置的每个层的平面图。
图16的A至图16的E是用于说明根据第二实施方式的显示装置的每个层的平面图。
图17是用于说明根据第三实施方式的显示装置的像素的配置的平面图。
图18是示出沿着图17中的线C1-C1截取的纵向截面的状态的截面图。
图19是示出沿着图17中的线C2-C2截取的纵向截面的状态的截面图。
图20的A到图20的F是用于说明根据第二实施方式的显示装置的每个层的平面图。
图21是示出根据第一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图22是示出根据第一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图23是示出根据第一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图24是示出根据第一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图25是示出根据第一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图26是示出根据第一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图27是示出根据第一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图28是示出根据第一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图29是示出根据第一实施方式的显示装置的制造方法的平面图。
图30是示出根据第一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图31是示出根据第一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图32是示出根据第一实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
图33的A和图33的B是用于说明使用显示装置的电子设备的示例的示图。
图34是用于说明使用显示装置的电子设备的示例的示图。
图35是用于说明使用显示装置的电子设备的示例的示图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述根据本公开的示例等。注意，将按照以下顺序进行描述。在本说明书和附图中，具有基本相同的功能配置的配置由相同的参考标号表示，并且省略冗余的描述。
注意，将按照以下顺序进行描述。
1.第一实施方式
2.第二实施方式
3.第三实施方式
4.制造方法
5.应用例(电子设备)
以下描述是本公开的优选的具体实施方式，并且本公开的内容不限于这些实施方式等。此外，在以下描述中，考虑到描述的方便指示前后、左右和上下方向等的方向，但是本公开内容的内容不限于这些方向。在图1、图2和图3的示例中，假设Z轴方向为上下方向(上侧在+Z方向上，并且下侧在-Z方向上)，X轴方向为前后方向(前侧在+X方向上，并且后侧在-X方向上)，并且Y轴方向为左右方向(右侧在+Y方向上，并且左侧在-Y方向上)，并且将基于此进行描述。这同样适用于图4至图32。为了方便起见，描述在图1等的每个图中示出的每个层的尺寸和厚度的相对幅度比率，并且不限制实际幅度比率。在关于这些方向的定义和幅度比率方面，这同样适用于图2至图35的每个图。
例如，本公开的发光装置可用作显示装置，或者可设置在显示装置中。在下文中，将描述发光装置是显示装置的情况，尤其是发光装置是包括具有有机EL层的发光元件的显示装置的情况作为示例。注意，有机EL层是有机电致发光层。
[1第一实施方式]
[1-1显示装置的配置]
将参考图2、图3、图4等详细描述根据第一实施方式的显示装置。显示装置10A具有其中包括有机EL层作为有机层的有机EL元件垂直形成的层压结构。在图3的示例中，根据第一实施方式的显示装置10A包括多个层压结构13A和多个层压结构13B。图3是示出作为根据本公开第一实施方式的实施方式的显示装置10A的配置示例的截面图，并且是示出沿着图2中的线A1-A1截取的纵向截面的状态的示图。此外，图3示出显示装置10A中的一个像素的一部分。需注意，图2是示出根据第一实施方式的显示装置的像素阵列的示例的平面图。图4是示出沿图2中的线A2-A2截取的纵向截面的状态的截面图。
层压结构13A包括第一电极15A、作为第一有机层的有机EL层17R、第二电极18A、作为第二有机层的有机EL层17B、以及第三电极21A。
层压结构13B包括第一电极15B、作为第一有机层的有机EL层17G、第二电极18B、作为第二有机层的有机EL层17W以及第三电极21B。
应注意，在下文中，在本公开中，在不具体区分诸如有机EL层17R、有机EL层17B、有机EL层17G和有机EL层17W的有机EL层的类型的情况下，有机EL层17R、有机EL层17B、有机EL层17G和有机EL层17W可统称为有机EL层17。
在以下描述中，将描述显示装置10A是顶部发射型显示装置的情况作为示例。在显示装置10A中，驱动基板11位于显示装置10A的背面侧，并且从驱动基板11朝向有机EL层17的方向(+Z方向)是显示装置10A的正面侧(显示区域PA的形成面侧)。在以下的说明中，在构成显示装置10A的各层中，显示装置10A的显示区域PA侧的表面被称为第一表面(上表面)，显示装置10A的背面侧的表面被称为第二表面(下表面)。发光区域形成在显示区域PA侧的预定区域中。在显示装置中，使用发光区域作为显示区域执行显示。显示装置10A的方法以及第一表面和第二表面的确定与第二实施方式、第三实施方式和后面将描述的制造方法的描述类似。
(有机EL元件)
在层压结构13A中，多个有机EL元件100垂直地并排形成。此外，在图3的示例中，同样在层压结构13B中，多个有机EL元件100在垂直方向上并排布置。在层压结构13A中，第一电极15A、有机EL层17R和第二电极18A的组合形成有机EL元件100R，并且第二电极18A、有机EL层17B和第三电极21A的组合形成有机EL元件100B。在层压结构13B中，第一电极15B、有机EL层17G和第二电极18B的组合形成有机EL元件100G，并且第二电极18B、有机EL层17W和第三电极的组合形成有机EL元件100W。
(像素的配置)
在图3所示的显示装置10A的示例中，一个像素由对应于多种颜色类型的多个子像素的组合形成。在该示例中，将红色、蓝色和绿色三种颜色定义为多种颜色类型，并且还定义白色。作为子像素，设置四种类型的子像素：子像素101R、子像素101G、子像素101B和子像素101W。子像素101R、子像素101G和子像素101B分别为红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素，并分别显示红色、蓝色和绿色。子像素101W是白色子像素，并且提高亮度。在图3等所示的显示装置10A的示例中，有机EL元件100R、有机EL元件100G、有机EL元件100B、和有机EL元件100W对应于子像素101R、子像素101G、子像素101B、和子像素101W形成。然而，图3等的示例是示例，并且显示装置10A不限于包括对应于多种颜色类型的多个子像素的情况。可以使用一种颜色类型。此外，例如，对应于红色、绿色和蓝色的每种颜色类型的光(分别为红光、绿光和蓝光)可被定义为分别具有在610nm至650nm范围、510nm至590nm范围和440nm至480nm波长范围内的主波长的光。
在显示装置10A中，在与像素S的布局对应的图1中所示的显示区域PA中确定层压结构13A和层压结构13B的布局。例如，如图2的示例中所示，层压结构13A和层压结构13B的布局是其中层压结构13A和层压结构13B的组合在两个方向(图2中的X轴方向和Y轴方向)上二维布置的布局。图2是用于说明由虚线表示的区域XS中的像素S的布局的示图，并且是用于说明显示区域PA的示例的平面图。在图1中，参考标号PS表示围绕显示区域PA的非显示单元。
此外，适当地确定像素S中每个子像素101的位置。在图2的示例中，子像素101R和子像素101B在显示装置10A的平面图中布置成彼此重叠。此外，在显示装置10A的平面图中，有机EL元件100G和有机EL元件100W彼此重叠。
应注意，在不具体区分子像素101R、101G、101B以及101W的情况下，使用术语“子像素101”。此外，在没有特别区分有机EL元件100R、100G、100B、以及100W的情况下，使用术语“有机EL元件100”。而且，关于附图，在图3的示例中，提取并且示出一个像素的一部分，但是在存在多个像素的情况下，对于每个像素可以采用图3中所示的配置。
(驱动基板)
在驱动基板11中，用于驱动多个有机EL元件100的各种电路设置在基板11A上。各种电路的示例包括控制有机EL元件100的驱动的驱动电路以及向多个有机EL元件100供电的电源电路(均未示出)。
基板11A可以包括例如具有低透湿性和透氧性的玻璃或树脂，或者可以包括其中容易形成晶体管等的半导体。具体地，基板11A可以是玻璃基板、半导体基板、树脂基板等。玻璃基板包括例如高应变点玻璃、钠玻璃、硼硅酸盐玻璃、镁橄榄石、铅玻璃、石英玻璃等。半导体基板包括例如非晶硅、多晶硅、单晶硅等。例如，树脂基板包括选自包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚、聚醚砜、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的组中的至少一种。
在驱动基板11的第一表面上形成有层间膜91，并且设置有用于将有机EL元件100与设置在基板11A上的各种电路电连接的多个接触插塞90。接触插塞90设置在稍后描述的第一电极15下方并且在稍后描述的焊盘14(14A和14B)下方。
(第一电极)
在驱动基板11的第一表面侧设置有多个第一电极15A和多个第一电极15B。多个第一电极15A对应于层压结构13A的布局二维布置。多个第一电极15B对应于层压结构13B的布局二维布置。在图3的显示装置10A中，如图5的A所示，在像素S的部分中的预定区域中，第一电极15A和第一电极15B在X方向上并排布置，避开焊盘14A和14B的位置。图5的A是示出像素S中的第一电极15和焊盘14的布置区域的示意性平面图。这同样适用于图5的B至图5的D和图6的A至图6的D。
在图3的示例中，第一电极15A是阳极。当向第一电极15A和第二电极18A施加电压时，空穴从第一电极15A注入到有机EL层17R中。第一电极15B还用作阳极，并且当电压施加到第一电极15A和第二电极18A时，空穴从第一电极15A注入到有机EL层17B中。
注意，在下文中，在不区分第一电极15A和第一电极15B的情况下，第一电极15A和第一电极15B可以统称为第一电极15。
从提高从有机EL元件100发射的光的光提取效率的观点来看，第一电极15优选地由具有高反射率的材料构成。具体地，银(Ag)、铝(Al)、其合金等可适合用作第一电极15的材料。然而，这不禁止第一电极15使用透明电极。例如，第一电极15可以具有由具有高反射率的材料构成的反射电极和透明电极的层压结构(例如，ITO和Al的层压结构)。透明电极没有特别限制，例如，包括透明导电氧化物(TCO)。透明导电氧化物的示例包括铟基透明导电氧化物、锡基透明导电氧化物和锌基透明导电氧化物。透明电极可以包含以上示例的各种类型的透明导电氧化物中的多种。
铟基透明导电氧化物表示包含铟的透明导电氧化物，并且其示例包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟镓(IFO)的一组化合物。锡类透明导电氧化物表示含锡透明导电氧化物，并且其示例包括诸如氧化锡、锑掺杂的氧化锡(ATO)和氟掺杂的氧化锡(FTO)的一组化合物。锌类透明导电氧化物表示包含锌的透明导电氧化物，并且其示例包括一组化合物，诸如，氧化锌、铝掺杂氧化锌(AZO)、以及硼掺杂氧化锌。从降低显示装置10A的驱动电压的观点来看，优选使用由ITO构成的电极作为用于第一电极15的透明电极。
(焊盘)
在相邻的第一电极15之间设置有由导电材料构成的焊盘14A、14B。焊盘14A和14B连接至接触插塞90。此外，焊盘14A和14B分别电连接至第三电极21A和21B。在不区分焊盘14A和14B的情况下，焊盘14A和14B在下文中被统称为焊盘14。
(绝缘层)
在相邻的第一电极15之间形成具有开口12A的绝缘层12。绝缘层12形成在后面描述的层间膜91的表面和第一电极15的第一表面上。绝缘层12的开口12A形成在显示装置10A的平面图中第一电极15形成的位置处。应注意，显示装置10A的平面图表示上下方向(Z轴方向)是视线方向的情况。开口12A以与子像素101的排列图案一致的图案形成，并且开口12A的一部分限定子像素101的单元部分。
在图3的示例中，子像素101B的单元部分被限定在直接形成在第一电极15A下方的开口12A中。在形成在第一电极15B的紧下方的开口12A中，限定子像素101G的单元部分。
如图3的示例所示，开口12A设置在第一电极15的第一表面上。开口12A形成在第一电极15的第一表面上的事实表示绝缘层12形成为覆盖第一电极15的侧端表面和上表面(第一表面)的外边缘部分并且骑在第一电极15的上表面侧上。绝缘层12是将相邻的第一电极15电隔离的层。绝缘层12不受特别限制，并且可由诸如聚酰亚胺类树脂的有机绝缘膜或诸如氮化硅的无机绝缘膜构成。
此外，绝缘层12也在焊盘14的上表面侧上的位置处开口，使得设置在相邻的第一电极15之间的焊盘14的上表面侧暴露，并且该开口部是用于焊盘14的连接孔16。
(有机EL层)
如图3所示，有机EL层17R设置在稍后描述的第一电极15A与第二电极18A之间。有机EL层17R覆盖第一电极15A和绝缘层12。在图3的示例中，在显示装置10A的平面图中，有机EL层17R形成在对应于子像素101R的范围内。此外，如图4所示，因为有机EL层17R形成为在Y轴方向延伸的条带形状，而不在相邻像素S之间分离，所以有机EL层形成为如图5的B所示的在像素S中沿着Y轴方向从像素S的一端延伸至另一端的形状。注意，在图4中，为了便于描述，省略了稍后将描述的填充树脂层104和对向基板105。其同样适用于图7的A、图7的B、图8、图9、图10、图11、图13、图14、图19等。
有机EL层17R至少包括发光层。发光层由有机发光材料构成。在发光层中，发生从第一电极15A和第二电极18A中的每一个注入的空穴与电子之间的耦合，并且产生光。产生的光变为来自有机EL层17的发射光。来自有机EL层17R的发射光是具有红色作为主波长分量的光。
有机EL层17R可具有其中空穴传输层、发光层、以及电子传输层按该顺序从第一电极15A朝向第二电极18A(从底部至顶部)层压的结构。当有机EL层17R具有这种结构时，可进一步提高发光效率。此外，有机EL层17R可具有空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子、注入层、以及电子传输层按该顺序从第一电极15A朝向第二电极18A层压的结构。
另外，有机EL层17G配置在后述的第一电极15B和第二电极18B之间。有机EL层17G覆盖第一电极15B和绝缘层12。有机EL层17G形成在对应于子像素101G的范围内。除了具有绿色作为主波长分量的光被用作发射光之外，有机EL层17G可采用与有机EL层17R的层结构相似的层结构。与有机EL层17R相似，如图4所示，因为有机EL层17G形成为沿着Y轴方向延伸的条带形状，而在相邻像素S之间没有分离，所以有机EL层17G形成为在像素S中沿着Y轴方向从像素S的一端延伸至另一端的形状，如图5的C所示。
如图3所示，有机EL层17B设置在稍后描述的第三电极21A与稍后描述的第二电极18A之间。有机EL层17B覆盖第二电极18A的上表面侧。在图3的显示装置10A的示例中，在对应于子像素101B的范围内形成有机EL层17B。除了将具有蓝色作为主波长分量的光用作发射光之外，有机EL层17B可采用与有机EL层17R相似的层结构。如图4所示，因为有机EL层17B的形状在相邻像素S之间分离，所以如图6的A所示，在像素S中在像素S内部的区域中形成有机EL层。
有机EL层17W设置在稍后描述的第三电极21B与稍后描述的第二电极18B之间。有机EL层17W覆盖第二电极18B的上表面侧。有机EL层17W形成在对应于子像素101W的范围内。除了白光用作发射光之外，有机EL层17W可采用与有机EL层17R的层结构相似的层结构。如图4所示，因为有机EL层17W的形状在相邻像素S之间分开，所以有机EL层形成在像素S中的像素S内部的区域中，如图6的B所示。
(第二电极)
在显示装置10A中，多个第二电极18A中的每一个布置在第一电极15A的第一表面侧上。第二电极18A是对应于第一电极15A和第三电极21A的公共电极。此外，多个第二电极18A布置在第一电极15B的第一表面侧上。第二电极18B是对应于第一电极15B和第三电极21B的公共电极。在图3中的显示装置10A的示例中，第二电极18A是子像素101R和101B的电极，并且第二电极18B是子像素101G和101W的电极。
如图4所示，由于第二电极18A和第二电极18B两者形成为在Y方向上延伸的条带形状而在相邻像素S之间没有分离，所以第二电极形成为在像素S中沿着Y方向从像素S的一端延伸至另一端的形状，如图5的D所示。
注意，在下文中，在不区分第二电极18A和第二电极18B的情况下，第二电极18A和第二电极18B可以统称为第二电极18。
在图3的示例中，第二电极18(第二电极18A和第二电极18B)是阴极。当向第一电极15A和第二电极18A施加电压时，电子从第二电极18A注入到有机EL层17R中。当向第三电极和第二电极施加电压时，电子从第二电极18A注入到有机EL层17B中。此外，当对第一电极15B和第二电极18B施加电压时，电子从第二电极18B注入到有机EL层17G中。当对第三电极和第二电极施加电压时，电子从第二电极18B注入到有机EL层17W中。
第二电极18具有允许从有机EL层17产生的发射光穿过的特性。此外，第二电极18优选能够半透射从有机EL层17产生的发射光。例如，从这个观点来看，除了透明电极之外，半透射电极可以用作第二电极18。注意，半透射电极是具有反射光的特性和透射光的特性的电极。从提高有机EL元件100的发光效率的观点来看，第二电极18优选地由具有低功函数的层构成。
第二电极18例如可以由金属层和金属氧化物层之一的单层膜或多层膜构成，或者可以由金属层和金属氧化物层的层压膜构成。在由金属层和金属氧化物层的层压膜构成第二电极18的情况下，从使具有低功函数的层面向有机EL层的观点来看，金属层优选指向有机EL层17。作为金属层，例如，优选包含选自由镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、钙(Ca)、钠(Na)等组成的组的至少一种金属元素。金属层可以是包含选自上述金属族的金属元素作为构成元素的合金。金属氧化物的示例包括ITO、IZO和ZnO。
(第三电极)
在显示装置10A中，多个第三电极21A中的每个布置在有机EL层17B的第一表面侧上。此外，多个第三电极21B中的每个布置在有机EL层17W的第一表面侧上。如图4所示，因为第三电极21A和21B的形状在相邻像素S之间分开，所以第三电极形成在像素S的内部区域中，如图6的C所示。
应注意，在下文中，在第三电极21A和第三电极21B不彼此区分的情况下，第三电极21A和第三电极21B可被统称为第三电极21。
在图3的示例中，第三电极21A是阳极。当向第三电极21A和第二电极18A施加电压时，空穴从第三电极21A注入到有机EL层17B中。第三电极21B还用作阳极，并且当电压施加到第三电极21B和第二电极18B时，空穴从第三电极21B注入到有机EL层17W中。
第三电极21可由与可被用作第一电极15的材料相似的材料构成，只要其具有使从有机EL层17生成的发射光通过的特性。具体地，第三电极21可以由ITO、IZO等构成。
在图3所示的显示装置10A的示例中，第一电极15和第三电极21彼此电分离。在这种情况下，独立控制第一电极15和第三电极21，并且独立控制对有机EL层17R的电压施加和对有机EL层17B的电压施加。另外，分别控制对有机EL层17G的电压施加和对有机EL层17W的电压施加。
(壁面部)
壁面部25形成在层压结构13A和13B的至少一部分中。层压结构13A中的壁面部25被定义为至少部分具有连接表面27的部分，有机EL层17R的侧壁67R、第二电极18A的侧壁68A以及有机EL层17B的侧壁67B连接在连接表面27中。在图3的示例中，层压结构13A和13B的至少两个壁面(侧端面)在像素S的区域中横跨焊盘14彼此面对形成壁面部25。
如图3所示，壁面部25处于侧壁67R、侧壁68A和侧壁67B的位置在连接表面27的部分中沿上下方向对齐的状态。因此，通过形成具有连接表面27的壁面部25，可以减少在有机EL层17和第二电极18中不用于发光的部分作为有机EL元件100，并且可以容易地改善显示装置10A的开口率。从这个观点来看，在壁面部25的连接表面27上，侧壁67R、侧壁68A和侧壁67B优选地彼此齐平对齐。此外，壁面部25的连接表面27优选地形成为第三电极21A的侧壁71A进一步连接的状态。在图3所示的壁面部25的连接表面27的示例中，侧壁67R、侧壁68A、侧壁67B和侧壁71A从下侧向上侧按顺序排列。在图3的示例中，侧壁67R、侧壁68A、侧壁67B和侧壁71A被布置成彼此齐平。
层压结构13B的壁面部25至少部分具有连接有机EL层17G的侧壁67G、第二电极18B的侧壁68B以及有机EL层17W的侧壁67W的连接表面27。此外，在层压结构13B中，与层压结构13A相似，侧壁67G、侧壁68B和侧壁67W优选地被布置成彼此齐平。壁面部25的连接表面27优选形成为第三电极21B的侧壁71B进一步连接的状态。在图3所示的壁面部25的连接表面27的示例中，侧壁67G、侧壁68B、侧壁67W和侧壁71B从下侧向上侧依次排列。在图3的示例中，侧壁67G、侧壁68B、侧壁67W和侧壁71B彼此对齐地排列。
(侧壁绝缘层)
在显示装置10A中，侧壁绝缘层30设置在壁面部25的外表面上。形成在层压结构13A中的侧壁绝缘层30覆盖侧壁67R、侧壁68A和侧壁67B，侧壁67R、侧壁68A和侧壁67B在壁面部25的外表面上形成连接表面27，从而限制有机EL层17R、第二电极18A和有机EL层17B暴露于外部环境。形成在层压结构13B中的侧壁绝缘层30覆盖侧壁67G、侧壁68B和侧壁67W，并且限制有机EL层17G、第二电极18B和有机EL层17W暴露于外部环境。应注意，侧壁绝缘层30可形成为覆盖第三电极21A的侧壁71A和第三电极21B的侧壁71B。
侧壁绝缘层30可具有单层结构或多层结构。层压结构13A的壁面部25具有其中形成两个侧壁绝缘层30和30的多层结构。侧壁绝缘层30在层压结构13B的壁面部25上形成为单层。
侧壁绝缘层30由绝缘材料构成。侧壁绝缘层30的材料的示例包括SiN、SiON、SiO、AlO和TiO。侧壁绝缘层30可以通过使用这样的材料处理化学气相沉积(CVD)膜、原子层沉积(ALD)膜等以便通过光刻、蚀刻等残留在壁面部25上，或者通过侧壁处理残留在壁面部25上来形成。此外，侧壁绝缘层30例如可以是由包括通过蚀刻处理生成的副产物(沉积)的处理副产物构成的层。该情况下的蚀刻处理是指在后述的显示装置10A的制造方法的说明中说明的批量形成工序中的蚀刻方法的处理。从将壁面部25精确地处理为相同平面的观点出发，蚀刻处理优选为干蚀刻法。
作为侧壁绝缘层30，适当地使用通过如上所述的CVD方法、ALD方法等形成的SiN、SiON、SiO、AlO或TiO的层。注意，在蚀刻处理时使用诸如C4F8的具有相对高的碳比的气体作为蚀刻气体的情况下，可以在侧壁绝缘层30中包含有机材料等(具体地，包含氟原子的烃等)。在这种情况下，C作为元件包含在侧壁绝缘层30中。出于这些原因，侧壁绝缘层30优选包含选自Si、N、O、Al、Ti或C的元素组中的至少一种元素。
侧壁绝缘层30的平均厚度没有特别限制，但优选5nm以上且1μm以下，更优选5nm以上且300μm以下。注意，侧壁绝缘层30的厚度表示沿着与壁面部25的表面方向垂直的方向的厚度T(在图3中，使用参考标号T)。此外，在侧壁绝缘层30具有多层结构的情况下，侧壁绝缘层30的平均厚度表示侧壁绝缘层30在总厚度中的平均厚度。例如，形成在层压结构13A中的侧壁绝缘层30表示整个两个堆叠的层的厚度。
例如，可以如下确定侧壁绝缘层30的平均厚度。显示装置10A的截面(与显示装置10A的厚度方向平行的截面)通过冷冻聚焦离子束(FIB)加工等切出以制备薄片。用透射电子显微镜(TEM)观察制备的薄片以获取薄片的截面TEM图像。在获取的截面TEM图像中在10个或更多个测量位置处测量侧壁绝缘层30的厚度T。测量位置是随机选择的。计算在10个以上的点处测量的侧壁绝缘层30的厚度T的平均值(算术平均值)。该算术平均值被确定为侧壁绝缘层30的平均厚度。
(保护层)
保护层32A和32B形成在第三电极21上。保护层32A被设置为覆盖第三电极21，保护层32B被设置为进一步覆盖保护层32A。保护层32A和保护层32B均由绝缘材料构成。作为绝缘材料，可以使用SiO、SiON、SiN、AlO、TiO等。在这种情况下，作为保护层32A和保护层32B，可以例举包含SiO、SiON、SiN等的CVD膜、包含AlO、TiO、SiO等的ALD膜等。此外，作为绝缘材料，例如，可以使用热固性树脂等。
在图3的示例中，保护层32A覆盖第三电极21的上表面，并且保护层32A的侧壁52覆盖有侧壁绝缘层30。因为保护层32A在相邻像素S之间分开，如图4所示，所以保护层形成在像素S的内部区域中，如图6的D所示。
此外，保护层32B覆盖保护层32B的上表面侧并且进一步覆盖侧壁绝缘层30的外表面。如图4所示，保护层32B在Y轴方向上连续，并且是布置在Y轴方向上的像素所共有的层。
(绝缘辅助部)
如图3所示，保护层32B覆盖侧壁绝缘层30。保护层32B的覆盖侧壁绝缘层30的一部分是绝缘辅助部34。绝缘辅助部34通过侧壁绝缘层30加强绝缘。
应注意，在图3的示例中，形成保护层32A和32B中的两层，但可形成三层或三层以上作为保护层，或可形成单层。
(连接孔)
穿透保护层32A和32B的连接孔35形成在保护层32A和32B中的预定位置处。第三电极21的上表面36侧从连接孔35暴露。可以通过适当地使用诸如蚀刻方法等方法来实现保护层32A和32B中的连接孔35的形成。
(布线)
在显示装置10A中，配线38被设置为保护层32B的上表面侧上的电极中继部。配线38从第三电极21朝向驱动基板11侧(朝向基板11A侧)延伸，并且电连接至驱动基板11的焊盘14。即，配线38在连接孔35中连接至第三电极21的上表面36侧。然后，配线38从连接孔35穿过壁面部25的外表面侧并且沿着保护层32B的表面朝向焊盘14延伸。然后，侧壁绝缘层30***在配线38和壁面部25之间。注意，第三电极21A经由布线38电连接至焊盘14A，并且第三电极21B经由布线38连接至焊盘14B。由此，有机EL层17B和有机EL层17W分别被控制。
(填充树脂层)
在显示装置10A中，填充树脂层104可以形成为覆盖保护层32B。填充树脂层104可以保护配线38并且使保护层32B的第一表面侧平坦化。填充树脂层104可以具有用作用于粘合保护层32B和稍后描述的对向基板105的粘合层的功能。填充树脂层104的示例包括紫外线固化树脂、热固性树脂等。注意，虽然未示出，但是可以通过CVD方法、ALD方法等形成保护层，以便在形成填充树脂层104之前保护暴露的电极。
(对向基板)
对向基板105以面向驱动基板11的状态设置在填充树脂层104上。对向基板105与填充树脂层104一起密封有机EL元件100。对向基板105优选由玻璃等材料构成。注意，可以在填充树脂层104(未示出)上形成透镜。此外，可以在形成填充树脂层104之前形成透镜。例如，在形成填充树脂层104之前，可以由树脂等构成平坦化层，并且可以在该平坦化层上形成透镜。
(辅助电极)
在显示装置10A中，如图7的A和图7的B所示，辅助电极40优选地设置在发光区域的外部(显示区域PA的外部)。第二电极18电连接至辅助电极40。如图4所示，第二电极18在Y轴方向上连续地形成，并且用作在Y轴方向上相邻的像素的公共电极。第二电极18在驱动基板11的显示区域PA中不连接至焊盘14，并且纵向方向(Y轴方向)侧的端部41形成为直至显示区域PA的外部或者显示区域PA的外周边缘部分，并且直接或间接地电连接至辅助电极40。
辅助电极40的形状不受特别限制，但是例如，可以形成为环形以围绕显示区域PA的外部。在这种情况下，第二电极18优选地在纵向方向侧的两侧的每个端部41处连接至辅助电极40。
注意，第二电极18和辅助电极40之间的连接结构没有特别限制。例如，作为用于间接连接第二电极18和辅助电极40的结构，可以提及使用布线44的结构。在图7的A的示例中，连接孔42形成在第二电极18的端部41上方，并且连接孔43也形成在辅助电极40上。布线44在连接孔42中连接至第二电极18的端部41。配线44从第二电极18的端部41延伸至辅助电极40，并且在连接孔42中连接至辅助电极40。因此，第二电极18和辅助电极40可以通过布线44连接。注意，在这种情况下，壁面部25优选地形成在第二电极18的端部41的部分处。在这种情况下，可形成侧壁绝缘层30。布线44从第二电极18传递到侧壁绝缘层30的外部，延伸至辅助电极40，并且连接第二电极18和侧壁绝缘层30。
作为用于直接连接第二电极18和辅助电极40的结构，例如，如图7的B所示，第二电极18可以形成为使得第二电极18的端部41延伸至辅助电极40的上表面的位置，并且在端部41连接至辅助电极40。
[1-2作用和效果]
在第一有机层、第二电极以及第二有机层的端部形成为彼此偏移的情况下，第一有机层与第二电极彼此不重叠的部分或者第二电极与第二有机层彼此不重叠的部分在像素范围之外。因此，加宽了设置一个像素所需的区域，并且在增加能够用作显示区域PA中的像素的面积的比率(开口率)以实现更高亮度方面存在改进的空间。
根据第一实施方式的显示装置10A，由于壁面部25具有有机EL层17R的侧壁67R、68A和67B的位置作为第一有机层，在层压结构13A中形成有第二电极18A和作为第二有机层的有机EL层17B，并形成有侧壁67G的位置的壁面部25，对齐后的68B和67W形成在层压结构13B中，有机EL层17R、第二电极18A和有机EL层17B的层压部与焊盘14之间的距离以及有机EL层17G的层压部之间的距离，可进一步缩短第二电极18B和有机EL层17W和焊盘14，并且可提高开口率。
此外，根据第一实施方式的显示装置10A，因为侧壁绝缘层30形成在壁面部25上，所以即使在用作电极中继部的配线38从第三电极21连接至焊盘14的情况下，也可以防止配线38与第二电极18和有机EL层17接触，并且可以抑制电流泄漏的发生。
[1-3.变形例]
根据第一实施方式的显示装置不限于上述那些显示装置，并且例如，可以如在以下变形例中示出的那样形成。
[变形例1]
(配置)
如图8所示，根据第一实施方式的显示装置10A可以是有机EL层17，其中，布置在第一电极15与第二电极18之间的第一有机层和布置在第二电极18与第三电极21之间的第二有机层具有相同颜色的发射光(变形例1)。在图8的示例中，有机EL层17B用作形成在层压结构13A中的第一有机层和第二有机层，并且形成有机EL元件100B以两级堆叠的结构。此外，此时，每个有机EL元件100B对应于子像素101B。
在变形例1中，形成在层压结构13A中的第三电极21A电连接至第一电极15A。在图8所示的示例中，第一电极15A形成从与第一电极15A直接接触的有机EL层17B(设置在第一电极15A和第二电极18A之间的有机EL层17B)向外延伸的延伸端部50。此外，配线38在连接孔35中的位置处电连接至第三电极21A的上表面36。配线38沿着保护层32B的表面通过形成在壁面部25的外表面上的侧壁绝缘层30的外部(在保护层32B的表面上)从第三电极21A延伸至驱动基板11侧，并且电连接至第一电极15A的延伸端部50。
在变形例1中，在一个像素中相邻的第一电极15之间设置一个焊盘14。连接至层压结构13B的第三电极21B的布线38电连接至焊盘14。在图8所示的显示装置中，在层压结构13B中，有机EL层17G设置在第二电极18B下方，并且有机EL层17R设置在第二电极18B上方。因此，层压结构13B形成有机EL元件100G和有机EL元件100R彼此重叠的结构。此外，有机EL元件100G和有机EL元件100R的形成区域形成子像素101G和101R。因此，在变形例1的显示装置中，由三种类型的颜色的子像素101(子像素101R、101G以及101B)形成一个像素。
除了上述之外，变形例1的显示装置10A可以类似于第一实施方式中描述的显示装置。
(效果)
变形例1的显示装置10A可以获得与第一实施方式中描述的显示装置的效果类似的效果。
[变形例2]
(配置)
在根据第一实施方式的显示装置10A中，如图9所示，有机EL层17B可设置在层压结构13A的第三电极21A与第二电极18A之间，并且有机EL层17B还可设置在层压结构13B的第三电极21B与第二电极18B之间(变形例2)。
在图9中示出的变形例2的示例中，在层压结构13B中，形成有机EL元件100G和有机EL元件100B重叠的结构。
此外，在变形例2中，在相邻的第一电极15之间设置一个焊盘14。如上所述，从层压结构13A的第三电极21A的上表面36指向驱动基板11侧的配线38和从层压结构13B的第三电极21B指向驱动基板11侧的配线38电连接至焊盘14。因此，容易使设置在层压结构13A中的有机EL层17B和设置在层压结构13B中的有机EL层17B的发光状态同步。应注意，在图9所示的显示装置中，有机EL层17R设置在第一电极15A与第二电极18A之间，并且有机EL层17G设置在第一电极15B与第二电极18B之间。因此，在变形例2的显示装置中，一个像素由三种类型的子像素(子像素101R、101G以及101B)构成。
除了上述之外，变形例2的显示装置10A可以类似于第一实施方式中描述的显示装置10A。
(效果)
变形例2的显示装置10A可以获得与第一实施方式中描述的显示装置10A的效果类似的效果。
[变形例3]
(配置)
在第一实施方式的显示装置10A中，层压结构13A和层压结构13B中的每一个可形成一个像素S(变形例3)。在这种情况下，布置在层压结构13A中的有机EL层17的颜色类型的组合不同于布置在第二层压结构中的有机EL层17的颜色类型的组合。
在图10的示例中示出的变形例3的显示装置10A中，在层压结构13A中，有机EL层17R设置在第一电极15A与第二电极18A之间，并且有机EL层17G设置在第三电极21A与第二电极18A之间。此外，在层压结构13B中，有机EL层17B设置在第一电极15B与第二电极18B之间，并且有机EL层17G设置在第三电极21B与第二电极18B之间。对应于层压结构13A的像素包括两种类型的子像素(子像素101R和101G)。对应于层压结构13B的像素包括两种类型的子像素(子像素101G和101B)。
除了上述之外，变形例3的显示装置10A可以类似于第一实施方式中描述的显示装置10A。
(效果)
变形例3的显示装置10A可以获得与第一实施方式中描述的显示装置10A的效果类似的效果。
[变形例4]
(配置)
在根据第一实施方式的显示装置中，配线38被设置为电极中继部，但电极中继部不限于配线38。如图11所示，电极中继部可由从第三电极21的外缘部72的预定位置(对应于侧壁71的位置)延伸的延伸部51构成(变形例4)。图11是示出根据第一实施方式的变形例4的显示装置的示例的截面图。
在变形例4的显示装置10A中，侧壁绝缘层30覆盖层压结构13A中的有机EL层17R、第二电极18A和有机EL层17B的侧壁67R、68A和67B。第三电极21A从第三电极21A的外缘部72的预定位置向外延伸。此时，第三电极21A的从壁面部25的位置向外延伸的部分形成延伸部51。延伸部分51越过侧壁绝缘层30的上端，穿过侧壁绝缘层30的表面，朝向驱动基板11延伸，并且电连接至焊盘14。此时，延伸部51被设置成经由侧壁绝缘层30越过壁面部25的外表面。延伸部51作为电极中继部发挥功能。第三电极21A的上表面覆盖有保护层32A。此外，保护层32B形成在保护层32A上。
(效果)
变形例1的显示装置10A可以获得与第一实施方式中描述的显示装置10A的效果类似的效果。
[变形例5]
在根据第一实施方式的显示装置10A中，布置在层压结构13A和13B中的有机EL层17的组合不限于上述组合。例如，可在第一电极15和第二电极18之间或在第三电极21和第二电极18之间设置发射黄色光作为发射光的有机EL层或发射近红外光(NIR)作为发射光的有机EL层。黄色发光的示例包括具有在570nm至585nm范围内的主波长的光。作为近红外光，例如，可以示例具有在800nm至2500nm范围内的主波长的光。
[变形例6]
在根据第一实施方式的显示装置中，如图3所示，形成绝缘层12，但是可以省略绝缘层12(未示出)。在这种情况下，侧壁绝缘层30可以是以驱动基板11作为基端覆盖壁面部25的层。在这种情况下，侧壁绝缘层30还可以用作绝缘层12。
[2第二实施方式]
[2-1显示装置的配置]
将参考图12、图13等描述根据第二实施方式的显示装置10B。图12是示出根据第二实施方式的显示装置10B的像素S的布置的示例的平面图，并且图13是示出沿图12中的线B-B截取的截面的状态的示意性截面图。
注意，关于驱动基板11、层间膜91、接触插塞90、焊盘14、第一电极15、第二电极18的各个功能和材料，第三电极21、以及上述第一实施方式中描述的有机EL层17R、以及子像素101的类型和有机EL元件100的类型，驱动基板111和211、层间膜191和291、接触插塞190和290、焊盘114和214的配置和材料可以采用类似的配置和材料，第一电极115、215、第二电极118、218、第三电极121、后述的第二实施方式和第三实施方式中使用的有机EL层117、217，对于子像素101和有机EL元件100可以采用类似的子像素。在下文中，可以省略与第一实施方式的配置和材料相似的配置和材料的详细描述。此外，在第一实施方式中描述的侧壁绝缘层30的优选材料和厚度范围以及形成方法对于第二实施方式和后面描述的第三实施方式的侧壁绝缘层130和230是相似的，因此将省略其描述。此外，在第一实施方式中使用通用术语的子像素101等的每个配置可在第二实施方式和第三实施方式中使用每个对应配置中的通用术语类似地描述。在第二实施方式中，优选提供与在第一实施方式中示出的填充树脂层104和对向基板105类似的配置，但是为了便于描述，省略其描述和说明。
显示装置10B包括在驱动基板111上的多个层压结构13C。类似于第一实施方式，层压结构13C包括第一电极115、作为第一有机层的有机EL层117R、第二电极118、作为第二有机层的有机EL层117B以及第三电极121。在根据第二实施方式的显示装置中，层压结构13C还包括依次在第三电极121上的第四电极145、作为第三有机层的有机EL层117G以及第五电极147。
(有机EL元件)
在层压结构13C中，形成多个有机EL元件200。第一电极115、有机EL层117R和第二电极118的组合形成有机EL元件200R，并且第二电极118、有机EL层117B和第三电极121的组合形成有机EL元件200B。此外，第四电极145、有机EL层117G和第五电极147的组合形成有机EL元件200G。
在显示装置10B中，如图12和图13中所示，为每个像素S形成层压结构13C，并且在像素S中，子像素201R、子像素201B和子像素201G形成为在层压结构中在上下方向上重叠。
(第一电极)
多个第一电极115设置在驱动基板111的第一表面侧上。对应于层压结构13C的布局二维地布置多个第一电极115。如图15的A所示，每个像素S形成一个第一电极115。此外，在一个像素S中，第一电极15形成在避开焊盘114的区域中和像素S内部的区域中。
第一电极115是阳极。当对第一电极115以及第二电极118施加电压时，空穴从第一电极115注入到有机EL层117R。
(焊盘)
在驱动基板111的第一表面侧上，具有导电性的焊盘114和114相对于一个像素S布置在两个预定位置处。在图15的A的示例中，焊盘114和114的位置设置在靠近像素的端边缘的一个位置处和靠近拐角位置的位置处，但不限于此布置。焊盘114和114电连接至第三电极121和第四电极145。
(绝缘层)
在相邻的第一电极115之间形成具有开口112A的绝缘层112。开口112A形成在第一电极115的位置处。
(有机EL层)
如图13所示，有机EL层117R设置在第一电极115与第二电极118之间。有机EL层117R覆盖第一电极115的上表面侧和绝缘层112。在图13的显示装置10B的示例中，有机EL层117R形成在与图13中所示的子像素201R对应的范围内。如图14所示，有机EL层117R在Y轴方向是连续的，并且如图15的B所示，在像素S的除了连接孔116之外的整个表面上形成。
有机EL层117B配置于第三电极121与第二电极118之间。有机EL层117B覆盖第二电极118的上表面侧。如图13所示，有机EL层117B形成在与子像素单元201B对应的范围内。如图14所示，因为有机EL层17B的形状在相邻像素S之间分开以形成凹槽140，所以有机EL层形成在像素S中的像素S内部的区域中，如图15的D所示。此外，有机EL层17B形成在除了连接孔116以外的区域中，如图15的B所示。
有机EL层117G配置在第四电极145和第五电极147之间。有机EL层117G覆盖第四电极145。在与子像素单元201G对应的范围形成有机EL层117G。如图14所示，由于有机EL层117G的形状在相邻像素S之间分开以形成凹槽140，所以在像素S中，有机EL层形成在像素S内部的区域中，如图16的C所示。此外，如图16的C所示，在除了连接孔116、135和137之外的区域中形成有机EL层117G。
(第二电极)
在显示装置10B中，每个第二电极118设置在第一电极115的第一表面侧上。第二电极118是阴极。第二电极118为第一电极115和第三电极121的公共电极。当对第一电极115以及第二电极118施加电压时，空穴从第一电极115注入到有机EL层117R。电子从第二电极118注入到有机EL层117R。至于第二电极118的形状，如图14所示，有机EL层117R在Y轴方向是连续的，并且形成在像素S的整个表面上，除了连接孔116之外，如图15的C所示。
(第三电极)
第三电极121配置于有机EL层117B的第一面侧。第三电极121是阳极。当对第三电极121和第二电极118施加电压时，空穴从第三电极121注入到有机EL层117B中。电子从第二电极118注入到有机EL层117B中。如图14所示，由于第三电极121的形状在相邻像素S之间分离，故如图15的E所示，在像素S中在像素S内部的区域中形成第三电极。此外，如图15的B所示，第三电极121形成在除了连接孔116之外的区域中。
(第四电极和第五电极)
在显示装置10B中，第四电极145布置在第三电极121的第一表面侧上。如上所述，第五电极147被布置为比第四电极145更接近第一表面侧(图13中的+Z方向侧)，有机EL层117G介于其间。
在图13的示例中，第四电极145是阳极。此外，第五电极147是阴极。当对第四电极145和第五电极147施加电压时，空穴从第四电极145注入到有机EL层117G中。然后，电子从第五电极147注入到有机EL层117G。
如图14所示，因为第四电极145和第五电极147的形状在相邻像素S之间分开，所以如图16的B和图16的D所示，在一个像素S中，它们形成在像素S内部的区域中。此外，如图16的B所示，第四电极145形成在除了连接孔116和135之外的区域中。如图16的D所示，第五电极147形成在除了连接孔116和135之外的区域中。
第四电极145和第五电极147可分别由与第三电极121和第二电极118相似的材料构成。
在根据第二实施方式的显示装置10B中，第三电极121和第四电极145彼此电分离。在图13的示例中，保护层132形成在第三电极121与第四电极145之间，并且第三电极121与第四电极145由保护层132电隔离。因为第三电极121和第四电极145被电分离，所以能够抑制第三电极121和第四电极145之间的电流泄漏。
(保护层)
保护层132设置在像素S内部的区域中以覆盖第三电极121的上表面，除了如图16的A所示的每个像素S的连接孔116和135的区域之外。保护层132由绝缘材料构成。保护层132可以由与在第一实施方式中描述的保护层32A和32B相似的材料构成。
此外，保护层133形成在第五电极147上。如图16的E所示，保护层133覆盖第五电极147的除了连接孔116、135和137的区域以外的上表面。保护层133可以由与保护层132相似的材料构成。保护层132防止第五电极147暴露于外部空气。
(壁面部)
壁面部125形成在层压结构13C的至少一部分中。壁面部125至少部分是具有连接有机EL层117R的侧壁167R、第二电极118的侧壁168和有机EL层117B的侧壁167B的连接表面127的部分。在图13中示出的显示装置10B的示例中，壁面部125形成在焊盘114的连接孔116的***壁部上。连接孔116是从保护层133的上表面朝向驱动基板111延伸的孔部，并且暴露焊盘114的上表面。
在图13的示例中，在连接表面127的部分中，侧壁167R、侧壁168和侧壁167B在上下方向(Z轴方向)上对齐。因此，焊盘114的***可以用作发光区域，并且容易改善显示装置10B的开口率。因此，优选的是，在壁面部125的连接表面127上，侧壁167R、侧壁168以及侧壁167B对齐成同一平面。
另外，壁面部125优选具有沿着连接表面127的表面方向排列有第三电极121的侧壁171、第四电极145的侧壁195和有机EL层117G的侧壁167G的对齐表面177。在图13所示的壁面部125的连接表面127的例子中，侧壁167R、侧壁168和侧壁167B配置成彼此齐平，以从下侧至上侧依次形成连接表面127，配置有侧壁171、侧壁195和侧壁167G的对齐表面177形成在沿着连接表面127的表面方向的位置(沿着连接表面127的表面的+Z方向侧的位置)。合适的是，该对齐表面177也被对齐成齐平的。要注意的是，在图13的示例中，保护层132的侧壁在对齐表面177中介于侧壁171与侧壁195之间，并且侧壁171、保护层132的侧壁、侧壁195以及侧壁167G在上下方向上对齐。
(侧壁绝缘层)
在显示装置10B中，侧壁绝缘层130设置在壁面部125的外表面上。在层压结构13C中形成的侧壁绝缘层130覆盖壁面部125的连接表面127的位置处的外表面上的侧壁167R、侧壁168、侧壁167B、侧壁171、侧壁195和侧壁167G，由此限制有机EL层117R、第二电极118和有机EL层117B暴露于外部环境。注意，在图13的示例中，侧壁绝缘层130优选地形成为进一步覆盖第五电极147的侧壁197和保护层132和133的侧壁。由此，能够更可靠地抑制后述的布线148、149与第五电极147等接触的可能性。
侧壁绝缘层130可以是单层或多层。在图13的示例中，侧壁绝缘层130在层压结构13B的壁面部125上形成为单层。
(连接孔)
连接孔135、137和161形成在层压结构13B中。连接孔135是从保护层133的上表面朝向驱动基板111延伸的孔部，并且暴露第三电极121的上表面136。连接孔137是从保护层133的上表面朝向驱动基板111延伸的孔部，并且暴露第四电极145的上表面138。连接孔161是从保护层133的上表面朝向驱动基板111延伸的孔部，并且暴露第五电极147的上表面139。
(竖立表面部)
如图13的示例中所示，除了壁面部125以外，侧壁绝缘层130优选地形成在其他竖立表面部150、151和152上。竖立表面部150和151是连接孔135和137的内周表面部分。
在图13的示例中，侧壁绝缘层130从第三电极121至形成连接孔135的内周表面的竖立表面部150上的保护层133的位置形成。
侧壁绝缘层130从第四电极145形成到形成连接孔137的内周表面的竖立表面部151上的保护层133的位置。
(凹槽)
此外，侧壁绝缘层130优选地形成在竖立表面部152上。竖立表面部152是形成在凹槽140中的凹槽***壁部分。如图12所示，凹槽140形成为围绕像素S的***，从保护层133的上表面朝向驱动基板111延伸，并且形成暴露第二电极118的上表面部分以及暴露第二电极118的至少一部分的上表面的暴露部141。凹槽140形成在远离驱动基板111的方向(远离基板111A的方向)(+Z方向)立起的竖立表面部152，暴露部141作为凹槽的底面并且暴露部141的外端边缘作为基端。侧壁绝缘层130形成在竖立表面部152的至少一部分上。在图13的示例中，侧壁绝缘层130沿着上下方向在整个竖立表面部152上形成。
这样，由于在竖立表面部150、151、152也形成侧壁绝缘层130，所以能够更可靠地抑制后述的布线148、149、160与第五电极147、有机EL层117G等接触的可能性。
应注意，除了连接孔135和137之外，连接孔161形成为从保护层133的上表面朝向驱动基板111延伸的孔部。
(布线)
在显示装置10B中，在保护层133的上表面侧上，配线148设置为第一电极中继部并且配线149设置为第二电极中继部。配线148从第三电极121朝向驱动基板111侧延伸，并且电连接至驱动基板111上的焊盘114。
配线148在连接孔135中连接至第三电极121的上表面136侧。然后，配线148从连接孔135沿着保护层133的表面延伸，穿过壁面部125的外表面侧，并且朝向焊盘114延伸。侧壁绝缘层130介于布线148与壁面部125之间。第三电极121经由配线148电连接至焊盘114。
配线149从第四电极145朝向驱动基板111侧延伸，并且电连接至驱动基板111上的焊盘114。
布线149在连接孔137中连接至第四电极145的上表面138侧。然后，配线149从连接孔137沿着保护层133的表面延伸，穿过壁面部125的外表面侧，并且朝向焊盘114延伸。侧壁绝缘层130介于布线149与壁面部125之间。第四电极145经由配线149电连接至焊盘114。
另外，布线160作为第三电极中继部而设置。配线160从第五电极147朝向驱动基板111侧延伸，更具体地，朝向第二电极118的暴露部141延伸。布线160连接至连接孔161中的第五电极147的上表面139侧。然后，配线160从连接孔161沿着保护层133的表面延伸，进一步越过竖立表面部152的外表面，并且朝向第二电极118的暴露部141延伸。侧壁绝缘层130***在配线160和竖立表面部152之间。第五电极147经由配线160电连接至第二电极118的暴露部141。
[2-2效果]
根据第二实施方式的显示装置10B，可以获得与第一实施方式的效果相似的效果。
[3第三实施方式]
[显示装置的配置]
将参考图17、图18、图19等描述根据第三实施方式的显示装置10C。图17是示出根据第三实施方式的显示装置10C的像素S的布置的示例的平面图。图18是示出沿图17中的线C1-C1截取的截面的状态的示意性截面图。图19是示出沿图17中的线C2-C2截取的截面的状态的示意性截面图。
在图17中示出的显示装置10C包括每个像素S的多个层压结构13D。在图17的示例中，在显示装置10C中，子像素301B、301G和301R设置在一个像素S中，并且为每个子像素301设置层压结构13D。
在图17中所示的层压结构13D依次包括第一电极215、作为第一有机层的有机EL层217B、电荷产生层219、作为第二有机层的有机EL层217Y和第二电极218。
(有机EL元件)
在层压结构13D中，形成多个有机EL元件300。第一电极215、有机EL层217B和电荷产生层219的组合用作有机EL元件300B，电荷产生层219、有机EL层217Y和第二电极118的组合用作有机EL元件300Y。在图18中所示的层压结构13D的示例中，可通过有机EL元件300Y和有机EL元件300B的组合形成白光。在子像素301B中，蓝光由穿过滤色器层303B的白光形成。在子像素301G和301R中，分别与子像素301B相似地形成绿光和红光。
在显示装置10B中，层压结构13D形成在分别对应于子像素301R、子像素301B和子像素301G的位置处。
(第一电极)
多个第一电极215设置在驱动基板211的第一表面侧上。对应于层压结构13C的布局二维地布置多个第一电极215。如图20的A所示，在一个像素S中，在避免焊盘114的位置的同时并排地形成三个像素。
第一电极215是阳极。当对第一电极215和第二电极218施加电压时，空穴从第一电极215注入到有机EL层217B中。
(焊盘)
在具有基板211A的驱动基板211的第一表面侧(+Z方向侧)上，具有导电性的焊盘214设置在用于每个层压结构13D的预定位置处。如图20的A所示，焊盘214的位置设置在与每个子像素301的拐角位置附近对应的位置处，但不限于这种布置。
(绝缘层)
在相邻的第一电极215之间形成具有开口212A的绝缘层212。开口212A形成在第一电极215的位置处。此外，在绝缘层212中，连接孔216形成在焊盘214的位置处。
(有机EL层)
如图18所示，有机EL层217B设置在第一电极215与电荷产生层219之间。有机EL层217B覆盖第一电极215的上表面侧和绝缘层212。如图18所示，在显示装置10C的示例中，有机EL层217B在每个子像素301彼此分离的状态下形成在对应于子像素301R、301B和301G的位置处。
有机EL层217Y设置在电荷产生层219和第二电极218之间。有机EL层217Y覆盖电荷产生层219的上表面侧。如图18所示，有机EL层217Y在每个子像素301彼此分离的状态下形成在与每个子像素301R、301B和301G对应的位置处。
由于有机EL层217B和有机EL层217Y的形状在相邻像素S之间分开以形成凹槽140，如图19所示，在像素S中，有机EL层形成在像素S内部的区域中，如图20的B和图20的D所示。稍后将描述的电荷产生层219和第二电极218也以与有机EL层217B和有机EL层217Y相似的形状形成(图20的C和图20的E)。
(电荷产生层)
在显示装置10B中，电荷产生层219布置在第一电极215和第二电极218之间。当施加电压时，电荷产生层219产生空穴和电子。当将电压施加到第一电极215和第二电极218时在电荷产生层219中产生的电子被注入到有机EL层217B中，并且在电荷产生层219中产生的空穴被注入到有机EL层217Y中。作为电荷产生层219的材料，可以适当地使用诸如MoO3、V2O5或WO3的金属氧化物、具有强电子受体性质的有机材料等。
(第二电极)
在显示装置10B中，第二电极218中的每个设置在第一电极215的第一表面侧上。第二电极218是阴极。当对第一电极215和第二电极218施加电压时，第二电极218将电子注入到有机EL层217Y中。
第二电极218针对每个子像素301设置，并且通过稍后描述的布线连接至焊盘214。因为第二电极218连接至用于每个子像素301的焊盘214，所以如图18和图19所示，在X轴方向和Y轴方向上分离彼此相邻的像素S。
(壁面部)
壁面部225形成在层压结构13D的至少一部分中。壁面部225是至少部分地具有连接表面227的部分，在连接表面227中，有机EL层217B的侧壁267B、电荷产生层219的侧壁269和有机EL层217Y的侧壁267Y连接。壁面部225形成在层压结构13D的面向彼此的端面的一部分处，该部分利用介于其间的焊盘214而彼此相邻。在图18的示例中，在连接表面227的一部分中，侧壁267B、侧壁269以及侧壁267Y在上下方向上对齐，并且容易改善显示装置10C的开口率。从这个观点来看，在壁面部225的连接表面227上，侧壁267B、侧壁269和侧壁267Y优选地彼此齐平对齐。此外，连接表面227优选地形成为第二电极218的侧壁268被进一步连接的状态。在图18所示的壁面部225的连接表面227的示例中，侧壁267B、侧壁269、侧壁267Y和侧壁268被布置成从下侧至上侧依次彼此齐平。
(侧壁绝缘层)
在显示装置10C中，侧壁绝缘层230设置在壁面部225的外表面上。形成在层压结构13D中的侧壁绝缘层230覆盖侧壁267B、侧壁269和侧壁267Y，由此限制有机EL层217B、电荷产生层219和有机EL层217Y暴露于外部环境。侧壁绝缘层230可以形成为进一步覆盖第二电极218的侧壁268。
侧壁绝缘层230可以是单层或多层。在图18的示例中，侧壁绝缘层230在壁面部225上形成为单层。
(保护层)
保护层232A和232B形成在第二电极218上。保护层232A被设置成覆盖第二电极218。然后，设置保护层232B以进一步覆盖保护层232A的第一表面侧。
在图18的示例中，保护层232A覆盖第二电极218的上表面。保护层232A的侧壁被侧壁绝缘层230覆盖。保护层232A在显示装置10C的平面图中针对每个子像素301布置。
此外，保护层232B覆盖保护层232A的上表面侧，并且还覆盖侧壁绝缘层230的外表面。在图18的示例中，保护层232B的覆盖侧壁绝缘层230的部分是绝缘辅助部234。绝缘辅助部234通过侧壁绝缘层230增强绝缘。保护层232B在显示装置10C的平面图中在X方向和Y方向上延伸，并且是所有像素共用的层。
此外，在保护层232A和232B中形成穿透保护层232A和232B的连接孔235。在一个像素S中，如图20的F中所示，对应于每个层压结构13D设置一个连接孔235。此外，在连接孔235中，第二电极218的上表面236侧被暴露。通过适当地使用诸如蚀刻方法等方法，可以实现在保护层232A和232B中形成连接孔235。
(布线)
在显示装置10C中，在保护层232B的上表面侧上设置配线238作为电极中继部。配线238从第二电极218朝向作为基板侧的驱动基板211侧延伸。在图18的示例中，配线238在连接孔235中连接至第二电极218的上表面236侧。然后，配线238从连接孔235越过壁面部225的外表面并且沿着保护层232B的表面朝向焊盘214延伸。此时，侧壁绝缘层230介于配线238与壁面部225之间。配线238电连接至驱动基板211的焊盘214。
(平坦化层)
平坦化层307可形成在保护层232B和配线238上。平坦化层307可以平坦化第一表面。平坦化层307的示例包括紫外线固化树脂和热固性树脂。此外，在形成平坦化层307之前，可以通过CVD、ALD法等形成保护膜。
(滤色器层)
在平坦化层307上设置滤色器层303。滤色器层303可以根据子像素301设置。例如，如图18中示出的显示装置10C的滤色器层303，设置对应于子像素301R、301G和301B的滤色器层303R、303G和303B。在下文中，在不区分滤色器层303R、303G和303B的情况下，滤色器层303R、303G和303B被统称为滤色器层303。
(填充树脂层)
在显示装置10C中，形成填充树脂层304以覆盖滤色器层303。填充树脂层304可保护滤色器层303并且使滤色器层303的第一表面侧(+Z方向侧)平面化。填充树脂层304可具有作为粘合层的功能，该粘合层用于粘合稍后描述的滤色器层303和对向基板305。填充树脂层304的示例包括紫外线固化树脂、热固性树脂等。
(对向基板)
对向基板305以面向驱动基板11的状态设置在填充树脂层304上。对向基板305与填充树脂层304一起密封有机EL元件300。对向基板305优选由玻璃等材料构成。
[3-2效果]
根据第三实施方式的显示装置，可以获得与第一实施方式相似的效果。
[3-3.变形例]
根据第三实施方式的显示装置不限于上述那些显示装置，并且可以例如如以下变形例所示形成。
[变形例1]
在根据第三实施方式的显示装置10C中，对于子像素301R、子像素301B和子像素301G中的每一个，相同颜色的有机EL层217可以布置在第一电极215与电荷产生层219之间以及电荷产生层219与有机EL层217B之间。在子像素301R中，有机EL层217R布置在第一电极215与电荷产生层219之间以及电荷产生层219与第二电极218之间。在子像素301B中，有机EL层217B布置在第一电极215和电荷产生层219之间以及电荷产生层219和第二电极218之间。在子像素301G中，有机EL层217G布置在第一电极215与电荷产生层219之间以及电荷产生层219与第二电极218之间。此外，在这种情况下，这些其他配置与根据上述第三实施方式的显示装置10C的配置相似。注意，在变形例1中，可以省略或设置滤色器层303。
[变形例2]
在根据第三实施方式的变形例1的显示装置10C中，可为子像素301R、子像素301B和子像素301G中的每一个形成谐振器结构。
共振器结构是空腔结构，并且是使来自设置在第一电极215和电荷产生层219之间或者电荷产生层219和第二电极218之间的有机EL层217的发射光共振的结构。在显示装置10C中，在有机EL元件300中形成谐振器结构，并且例如，第一电极215、有机EL层217和第二电极218形成谐振器结构。注意，使来自有机EL层217的发射光共振意味着使包含在发射光中的特定波长的光共振。
接下来，将描述根据本公开的实施方式(第一实施方式)的制造显示装置10A的方法的实施方式中的示例。
[4用于制造显示装置的方法]
[4-1制造方法的第一实施方式]
在制造方法的第一实施方式中，如图21所示，在驱动基板11的第一表面上形成层间膜91和接触插塞90，其中，驱动电路形成在基板11A上。
在层间膜91上形成第一电极15和焊盘14，并且进一步层压绝缘层12(图21)。根据子像素101的排列形成多个第一电极15和多个焊盘14，并且根据子像素101的图案在绝缘层12中形成开口12A。第一电极15、焊盘14和绝缘层12可以通过例如溅射方法、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)等形成。此时，开口12A形成在第一电极15的位置处。
如图22所示，在第一电极15和绝缘层12上形成作为第一有机层的有机EL层17R、第二电极18A、作为第二有机层的有机EL层17B、第三电极21A和保护层32A。在有机EL层17具有例如其中空穴传输层、发光层和电子传输层以该顺序层压的层压结构的情况下，依次形成电子传输层、发光层和空穴传输层的层。用于形成这些层的方法的示例包括诸如真空气相沉积法、旋涂法和模涂法的涂覆法。
如图23所示，形成对应于层压结构13A的布置图案的抗蚀剂80，并且执行干法蚀刻(第一干法蚀刻处理)以在对应于抗蚀剂图案的位置处形成壁面部25(图24)。第一干蚀刻处理是共同蚀刻作为第一有机层的有机EL层17R、第二电极18A、作为第二有机层的有机EL层17B、第三电极21A和保护层32A的批量形成处理。此外，此时，侧壁绝缘层30形成在层压结构13A的壁面部25侧上以覆盖壁面部25。例如，可以通过光刻、蚀刻等处理通过CVD方法、ALD方法等形成的层或者通过侧壁处理等处理来形成侧壁绝缘层30。此外，侧壁绝缘层30可在批量形成处理期间在干蚀刻时通过沉积等形成。应注意，在图24的示例中，抗蚀剂80的图案是包括层压结构13A的布置区域并且在Y轴方向延伸的条形图案，并且在第一干蚀刻处理的阶段，蚀刻层(有机EL层17R、第二电极18A、有机EL层17B、第三电极21A和保护层32A)也是条形的。
在进行第一干法蚀刻处理之后，如图25所示，在第一表面侧的表面上形成作为第三有机层的有机EL层17G、第二电极18B、作为第二有机层的有机EL层17W、第三电极21B和保护层32A的一个表面。
通过形成对应于层压结构13B的布置图案(图26)的抗蚀剂81并且执行干蚀刻(第二干蚀刻处理)，在对应于抗蚀剂图案的位置处形成壁面部25。第二干蚀刻处理是共同蚀刻作为第三有机层的有机EL层17R、第二电极18B、作为第四有机层的有机EL层17B、第三电极21B和保护层32A的批量形成处理。此外，此时，如图27所示，侧壁绝缘层30形成在层压结构13B的壁面部25侧上，以覆盖壁面部25。类似于层压结构13A的壁面部25侧上的侧壁绝缘层30，侧壁绝缘层30可通过例如通过光刻、蚀刻等处理通过CVD方法、ALD方法等形成的层或者通过侧壁处理等处理来形成。此外，侧壁绝缘层30可在批量形成处理期间在干蚀刻时通过沉积等形成。侧壁绝缘层30堆叠在层压结构13A的壁面部25侧上。应注意，在图26的示例中，抗蚀剂81的图案是包括层压结构13B的布置区域并且在Y轴方向上延伸的带状图案。在第二干蚀刻处理的阶段，蚀刻层(有机EL层17G、第二电极18B、有机EL层17W、第三电极21B和保护层32A)也是条形的。
因此，在第二干蚀刻处理时，如图29所示，切割在X轴方向上彼此相邻的像素S，但不切割在Y轴方向上彼此相邻的像素S。
此外，在第一表面上形成抗蚀剂82(图28)，并且执行干蚀刻(第三干蚀刻处理)。在第三干蚀刻中，在Y轴方向上彼此相邻的像素沿着X轴方向分割。即，通过第三干蚀刻切割在图29中所示的Y轴方向上连接的像素S。此时，还为每个像素划分第三电极21A和21B以及有机EL层17B和17W。注意，在第三干蚀刻处理中，避免了第二电极18的分割，并且还避免了有机EL层17R和有机EL层17G的分割。
接下来，如图30所示，在第一表面上形成保护层32B。然后，在保护层32B上形成抗蚀剂83(图31)，并且执行干蚀刻(第四干蚀刻处理)。在第四干蚀刻处理中，在焊盘14上形成连接孔35和连接孔16(图32)。
此外，在第一表面上形成金属层，并且以对应于配线38的图案执行图案化。因此，配线38在连接孔35中连接至第三电极21的上表面侧，沿着保护层32B的表面从第三电极21的上表面侧延伸，穿过壁面部25的外表面侧至驱动基板11侧，并且连接至焊盘14。
在将配线38施加在保护层32B上之后，可形成填充树脂层104。注意，在形成填充树脂层104之前，可通过使用CVD方法、ALD方法等形成保护层。可以在填充树脂层104上设置对向基板105。可以使用现有技术中已知的方法等适当地形成填充树脂层104的形成和对向基板105的布置。因此，形成如图3所示的显示装置10A。
[5应用例]
(电子设备)
根据上述实施方式的显示装置10A、10B和10C可以设置在各种电子设备中。特别地，这优选地设置在摄像机或单镜头反光照相机、头戴式显示器等的电子取景器中，其中，需要高分辨率，用于眼睛附近放大。
(具体示例1)
图33的A是示出数码相机310的外观的示例的前视图。图33的B是示出数字静态相机310的外观的示例的后视图。数字静态照相机310是可更换镜头的单镜头反射型，并且包括基本上在照相机主体(照相机主体)311的前面的中心处的可更换成像透镜单元(可更换镜头)312和将由摄影师在左前侧握持的握持部313。
监视器314设置在从照相机主体311的后表面的中心向左偏移的位置处。在监视器314的上方设有电子取景器(目镜窗)315。通过透过电子取景器315进行观看，拍摄者可在视觉上确认从成像透镜单元312引导的对象的光学图像并确定图像组成。作为电子取景器315，可以使用根据上述实施方式和修改的显示装置10A、10B和10C中的任一个。
(具体实施方式2)
图34是示出头戴式显示器320的外观的示例的透视图。例如，头戴式显示器320包括在玻璃形状的显示单元321的两侧佩戴在用户的头部上的耳钩部分322。作为显示单元321，可以使用根据上述实施方式和修改的显示装置10A、10B和10C中的任一个。
(具体示例3)
图35是示出电视设备330的外观的示例的透视图。电视设备330包括，例如，包括前面板332和滤光镜333的视频显示屏幕单元331，并且视频显示屏幕单元331包括根据上述实施方式和变形例的显示装置10A、10B和10C中的任一个。
虽然上面已经具体描述了根据本公开的第一实施方式至第三实施方式和变形例的显示装置、制造显示装置的方法以及应用例，但是本公开不限于根据上述第一实施方式至第三实施方式和变形例的显示装置、制造显示装置的方法以及应用例，并且基于本公开的技术构思的各种修改是可能的。
例如，在显示装置中描述的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等、制造显示装置的方法以及根据第一至第三实施方式和修改的应用例仅是示例，并且根据需要，可使用与上述那些不同的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等。
在不背离本公开的主旨的情况下，显示装置、制造显示装置的方法以及根据第一实施方式至第三实施方式和上述变形例的应用例的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等可彼此组合。
除非另有规定，根据上述第一至第三实施方式和变形例的显示装置中举例说明的材料、制造显示装置的方法以及应用例可以单独使用或者两种或更多种组合使用。
此外，本公开还可采用以下配置。
(1)一种发光装置，包括：
基板；
层压结构；以及
电极中继部，
其中，层压结构在基板上依次包括第一电极、第一有机层、第二电极、第二有机层和第三电极，
第二电极是对应于第一电极和第三电极的公共电极，
形成壁面部，壁面部至少部分地包括连接表面，第一有机层的侧壁、第二电极的侧壁以及第二有机层的侧壁连接在连接表面中，
提供覆盖壁面部的至少一部分的侧壁绝缘层，以及
电极中继部从第三电极朝向基板延伸，并且经由侧壁绝缘层经过壁面部的外表面。
(2)根据(1)的发光装置，
其中，第一有机层的侧壁、第二电极的侧壁以及第二有机层的侧壁的位置与在壁面部的连接表面上的第三电极的侧壁的位置对齐。
(3)根据(1)或(2)的发光装置，
其中，电极中继部连接至第三电极的上表面侧。
(4)根据(1)或(2)的发光装置，
其中，电极中继部从第三电极的外边缘部延伸。
(5)根据(1)至(4)中任一项的发光装置，
其中，第一电极和第三电极是阳极，以及
第二电极是阴极。
(6)根据(1)至(5)中任一项的发光装置，
其中，第一电极和第三电极彼此电分离。
(7)根据(1)至(6)中任一项的发光装置，还包括：
显示区域，
其中，辅助电极设置在基板上的显示区域的外部，并且
第二电极连接至辅助电极。
(8)根据(1)至(7)中任一项的发光装置，
其中，侧壁绝缘层包含选自Si、N、O、Al、Ti和C中的至少一种元素。
(9)根据(1)至(8)中任一项的发光装置，
其中，侧壁绝缘层具有多层结构。
(10)根据(1)至(9)中任一项的发光装置，
其中，侧壁绝缘层的平均总厚度为5nm以上且1μm以下。
(11)根据(1)至(10)中任一项的发光装置，还包括：
作为电极中继部的第一电极中继部；以及
第二电极中继部，
其中，层压结构在第三电极上还依次包括第四电极、第三有机层和第五电极，
壁面部具有对齐表面，在对齐表面中，第三电极的侧壁、第四电极的侧壁和第三有机层的侧壁沿着连接表面的表面方向布置，并且
第二电极中继部从第四电极朝向基板延伸，并且经由侧壁绝缘层越过壁面部的外表面。
(12)根据(11)的发光装置，
其中，第三电极与第四电极彼此电分离。
(13)根据(11)或(12)的发光装置，还包括：
第三电极中继部，从第五电极朝向基板延伸，
其中，在第二电极中形成暴露部，第三电极中继部连接至暴露部，
形成竖立表面部，竖立表面部以暴露部的端部边缘作为基端在远离基板的方向上立起，
侧壁绝缘层还形成在竖立表面部的至少一部分上，以及
第三电极中继部经由侧壁绝缘层越过竖立表面部的外表面。
(14)一种发光装置，包括：
基板；
层压结构；
第一电极中继部；以及
第二电极中继部，
其中，层压结构在基板上依次包括第一电极、第一有机层、第二电极、第二有机层、第三电极、第四电极、第三有机层和第五电极，
第二电极是与第一电极和第三电极相对应的公共电极，
形成壁面部，壁面部至少部分地包括通过连接第一有机层的侧壁、第二电极的侧壁和第二有机层的侧壁形成的连接表面；以及通过沿着连接表面的表面方向布置至少第四电极的侧壁和第三有机层的侧壁形成的对齐表面，
侧壁绝缘层设置在壁面部上，
第一电极中继部从第三电极朝向基板延伸，
第二电极中继部从第四电极朝向基板延伸，并且
第一电极中继部和第二电极中继部经由侧壁绝缘层越过壁面部的外表面。
(15)一种发光装置，包括：
基板；
层压结构；以及
电极中继部，
其中，层压结构在基板上依次包括第一电极、第一有机层、电荷产生层、第二有机层和第二电极，
形成壁面部，壁面部至少部分地包括连接表面，第一有机层的侧壁、电荷产生层的侧壁和第二有机层的侧壁连接在连接表面中，
侧壁绝缘层设置在壁面部上，并且
电极中继部从第二电极朝向基板延伸并且经由侧壁绝缘层越过壁面部的外表面。
(16)一种显示装置，包括：
根据(1)的发光装置。
(17)一种电子设备，包括：
根据(16)的显示装置。
参考符号列表
10A显示装置
10B 显示装置
10C 显示装置
11 驱动基板
14 焊盘
15A第一电极
15B 第一电极
16 连接孔
17有机EL层
18A第二电极
18B第二电极
21A第三电极
21B 第三电极
25 壁面部
27 连接表面
30 侧壁绝缘层
38 布线
40 辅助电极
104 填充树脂层
105 对向基板
116 连接孔
117 有机EL层
118 第二电极
121 第三电极
125 壁面部
127 连接表面
130 侧壁绝缘层
145 第四电极
147 第五电极
148 布线
149 布线
219 电荷产生层
225 壁面部
227 连接表面
230 侧壁绝缘层

Claims (17)

1.一种发光装置，包括：
基板；
层压结构；以及
电极中继部，
其中，所述层压结构在所述基板上依次包括第一电极、第一有机层、第二电极、第二有机层和第三电极，
所述第二电极是与所述第一电极和所述第三电极相对应的公共电极，
形成壁面部，所述壁面部至少部分地包括连接表面，所述第一有机层的侧壁、所述第二电极的侧壁和所述第二有机层的侧壁连接在所述连接表面中，
设置覆盖所述壁面部的至少一部分的侧壁绝缘层，以及
所述电极中继部从所述第三电极朝向所述基板延伸，并且经由所述侧壁绝缘层越过所述壁面部的外表面。
2.根据权利要求1所述的发光装置，
其中，在所述壁面部的连接表面上，所述第一有机层的侧壁、所述第二电极的侧壁和所述第二有机层的侧壁的位置与所述第三电极的侧壁的位置对齐。
3.根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述电极中继部连接至所述第三电极的上表面侧。
4.根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述电极中继部从所述第三电极的外缘部延伸。
5.根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述第一电极和所述第三电极是阳极，并且
所述第二电极是阴极。
6.根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述第一电极与所述第三电极彼此电分离。
7.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：
显示区域，
其中，辅助电极设置在所述基板上的所述显示区域的外部，以及
所述第二电极连接至所述辅助电极。
8.根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述侧壁绝缘层包含选自Si、N、O、Al、Ti和C中的至少一种元素。
9.根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述侧壁绝缘层具有多层结构。
10.根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述侧壁绝缘层的平均总厚度为5nm以上且1μm以下。
11.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：
作为所述电极中继部的第一电极中继部；以及
第二电极中继部，
其中，所述层压结构在所述第三电极上还依次包括第四电极、第三有机层和第五电极，
所述壁面部具有对齐表面，在所述对齐表面中，所述第三电极的侧壁、所述第四电极的侧壁和所述第三有机层的侧壁沿着所述连接表面的表面方向布置，并且
所述第二电极中继部从所述第四电极朝向所述基板延伸，并且经由所述侧壁绝缘层越过所述壁面部的外表面。
12.根据权利要求11所述的发光装置，
其中，所述第三电极与所述第四电极彼此电分离。
13.根据权利要求11所述的发光装置，还包括：
第三电极中继部，从所述第五电极朝向所述基板延伸，
其中，在所述第二电极中形成暴露部，所述第三电极中继部连接至所述暴露部，
形成竖立表面部，所述竖立表面部以所述暴露部的端部边缘作为基端在远离所述基板的方向上立起，
所述侧壁绝缘层还形成在所述竖立表面部的至少一部分上，以及
所述第三电极中继部经由所述侧壁绝缘层越过所述竖立表面部的外表面。
14.一种发光装置，包括：
基板；
层压结构；
第一电极中继部；以及
第二电极中继部，
其中，所述层压结构在所述基板上依次包括第一电极、第一有机层、第二电极、第二有机层、第三电极、第四电极、第三有机层和第五电极，
所述第二电极是与所述第一电极和所述第三电极相对应的公共电极，
形成壁面部，所述壁面部至少部分地包括通过连接所述第一有机层的侧壁、所述第二电极的侧壁和所述第二有机层的侧壁形成的连接表面；以及通过沿着所述连接表面的表面方向布置至少所述第四电极的侧壁和所述第三有机层的侧壁形成的对齐表面，
侧壁绝缘层设置在所述壁面部上，
所述第一电极中继部从所述第三电极朝向所述基板延伸，
所述第二电极中继部从所述第四电极朝向所述基板延伸，并且所述第一电极中继部和所述第二电极中继部经由所述侧壁绝缘层越过所述壁面部的外表面。
15.一种发光装置，包括：
基板；
层压结构；以及
电极中继部，
其中，所述层压结构在所述基板上依次包括第一电极、第一有机层、电荷产生层、第二有机层和第二电极，
形成壁面部，所述壁面部至少部分地包括连接表面，所述第一有机层的侧壁、所述电荷产生层的侧壁和所述第二有机层的侧壁连接在所述连接表面中，
侧壁绝缘层设置在所述壁面部上，并且
所述电极中继部从所述第二电极朝向所述基板延伸并且经由所述侧壁绝缘层越过所述壁面部的外表面。
16.一种显示装置，包括：
根据权利要求1所述的发光装置。
17.一种电子设备，包括：
根据权利要求16所述的显示装置。
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