WO2022163299A1 - 配線基板 - Google Patents

Abstract

導電性部材の大きさのばらつきがコイル導体に及ぼす影響を低減することができる配線基板を提供する。本発明に係る配線基板１０は、絶縁層２０と、絶縁層２０の下面２０Ａまたは絶縁層２０に形成された段差部９０の表面９０Ａに形成された少なくとも１つのランド電極３０と、少なくとも１つのランド電極３０の表面３０Ａａ，３０Ｂａに形成された複数の半田ボール４０と、絶縁層２０の内部に設けられ、巻回軸５０Ａが下面２０Ａと交差しているコイル導体５０とを備える。複数の半田ボール４０は、配線基板１０を下面２０Ａ側から見た平面視においてコイル導体５０の開口部５０Ｂと重複する位置にある半田ボール４０Ａと、前記平面視においてコイル導体５０の開口部５０Ｂから外れた位置にある半田ボール４０Ｂとを備える。前記平面視において、半田ボール４０Ａの面積は半田ボール４０Ｂの面積より小さい。

Description

配線基板

　本発明は、コイル導体と導電性部材とを有する配線基板に関する。

　コイル導体を有する基板が特許文献１に開示されている。この基板は、コイル導体として、渦巻形状の薄膜誘導素子を備える。また、この基板には、薄膜誘導素子上に、導電性部材として、半田ボールが設けられている。

特開２００９－２１８４６９号公報

　半田ボールは、薄膜誘導素子の巻回軸の方向において薄膜誘導素子と対向している。そのため、半田ボールは、薄膜誘導素子に電流が流れたときに形成される磁束に影響を及ぼす。

　多数の基板が製造される場合、各基板に形成される半田ボールの直径には、ばらつきが生じる。半田ボールの直径にばらつきが生じた場合、薄膜誘導素子によって形成される磁束が基板毎に異なってしまう。つまり、半田ボールの直径のばらつきに起因して、製造された多数の基板の性能に、ばらつきが生じてしまう。

　従って、本発明の目的は、前記課題を解決することにあって、導電性部材の大きさのばらつきがコイル導体に及ぼす影響を低減することができる配線基板を提供することにある。

　前記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
　本発明の一態様に係る配線基板は、
　少なくとも１層の絶縁層と、
　複数の導電性部材と、
　前記絶縁層の第１表面側から見た平面視において前記第１表面と重複する位置に形成され、各々に少なくとも１つの前記導電性部材が接続される少なくとも１つのランド電極と、
　前記絶縁層の内部または前記絶縁層における前記第１表面の裏側の第２表面に設けられ、巻回軸が前記第１表面と交差しているコイル導体と、を備え、
　前記複数の導電性部材は、
　前記第１表面側から見た平面視において少なくとも一部が前記コイル導体の開口部と重複する位置にある第１導電性部材と、
　前記第１表面側から見た平面視において前記コイル導体の前記開口部から外れた位置にある第２導電性部材と、を備え、
　前記第１表面側から見た平面視において、前記第１導電性部材の面積は前記第２導電性部材の面積より小さい。

　本発明によれば、導電性部材の大きさのばらつきがコイル導体に及ぼす影響を低減することができる。

本発明の第１実施形態に係る配線基板の底面図。 図１におけるＡ－Ａ断面を示す断面図。 本発明の第１実施形態に係る配線基板の変形例の底面図。 本発明の第１実施形態に係る配線基板の変形例の断面図。 本発明の第１実施形態に係る配線基板の変形例の断面図。 本発明の第１実施形態に係る配線基板の変形例の底面図。 本発明の第２実施形態に係る配線基板の底面図。 図７におけるＢ－Ｂ断面を示す断面図。 本発明の第２実施形態に係る配線基板の変形例の底面図。 本発明の第２実施形態に係る配線基板の変形例の底面図。 本発明の第３実施形態に係る配線基板の図７におけるＢ－Ｂ断面に対応する位置の断面を示す断面図。 本発明の第４実施形態に係る配線基板の図１におけるＡ－Ａ断面に対応する位置の断面を示す断面図。 本発明の第５実施形態に係る配線基板の図１におけるＡ－Ａ断面に対応する位置の断面を示す断面図。

　本発明の一態様に係る配線基板は、
　少なくとも１層の絶縁層と、
　複数の導電性部材と、
　前記絶縁層の第１表面側から見た平面視において前記第１表面と重複する位置に形成され、各々に少なくとも１つの前記導電性部材が接続される少なくとも１つのランド電極と、
　前記絶縁層の内部または前記絶縁層における前記第１表面の裏側の第２表面に設けられ、巻回軸が前記第１表面と交差しているコイル導体と、を備え、
　前記複数の導電性部材は、
　前記第１表面側から見た平面視において少なくとも一部が前記コイル導体の開口部と重複する位置にある第１導電性部材と、
　前記第１表面側から見た平面視において前記コイル導体の前記開口部から外れた位置にある第２導電性部材と、を備え、
　前記第１表面側から見た平面視において、前記第１導電性部材の面積は前記第２導電性部材の面積より小さい。

　各ランド電極の表面に形成された導電性部材の大きさのばらつきは、コイル導体によって形成される磁束に影響を及ぼし得る。導電性部材が小さいほど、導電性部材の大きさのばらつきは小さい。

　この構成によれば、第１表面側から見た平面視において、第１導電性部材は、コイル導体の開口部と重複する位置にある。そのため、第１導電性部材の大きさのばらつきは、コイル導体によって形成される磁束に大きな影響を及ぼし得る。一方、前記の平面視において、第２導電性部材は、コイル導体の開口部から外れた位置にある。そのため、第２導電性部材は、コイル導体によって形成される磁束に大きな影響を及ぼさない。

　この構成によれば、第１表面側から見た平面視において、第１導電性部材の面積は、第２導電性部材の面積より小さい。このことにより、導電性部材の大きさにばらつきがあった場合、第１導電性部材の大きさのばらつきを第２導電性部材の大きさのばらつきより小さくすることができる。よって、導電性部材の大きさのばらつきがコイル導体によって形成される磁束に及ぼす影響を低減することができる。

　また、この構成によれば、第１表面側から見た平面視において、第１導電性部材の面積が第２導電性部材の面積より大きい場合と比べて、第１導電性部材がコイル導体によって形成される磁束に及ぼす影響を小さくすることができる。そのため、コイル導体及び配線基板の性能を向上させることができる。

　前記第１表面側から見た平面視において、前記第１導電性部材の面積は、前記コイル導体の前記開口部の面積より小さくてもよい。

　この構成によれば、第１表面側から見た平面視において、第１導電性部材の面積がコイル導体の開口部の面積よりも大きい場合と比べて、第１導電性部材がコイル導体によって形成される磁束に及ぼす影響を小さくすることができる。よって、コイル導体及び配線基板の性能を向上させることができる。

　前記第１表面側から見た平面視において、前記第１導電性部材の面積は、前記第１導電性部材が接続された前記ランド電極の面積より大きくてもよい。

　コイル導体から見てランド電極の背後に位置する導電性部材がコイル導体によって形成される磁束に及ぼす影響は小さい。一方、コイル導体から見てランド電極の背後に位置せずランド電極の外側に位置する導電性部材がコイル導体によって形成される磁束に及ぼす影響は大きい。

　この構成によれば、コイル導体から見て、第１導電性部材の一部は、第１導電性部材が接続されたランド電極の外側に位置する。そのため、第１導電性部材の大きさのばらつきがコイル導体によって形成される磁束に及ぼす影響が大きくなってしまう。

　しかし、この構成では、第１表面側から見た平面視において第１導電性部材の面積が第２導電性部材の面積より小さいので、第１導電性部材の大きさのばらつきがコイル導体によって形成される磁束に及ぼす影響を小さくすることができる。よって、導電性部材の大きさのばらつきがコイル導体によって形成される磁束に及ぼす影響を低減することができる。

　本発明の一態様に係る配線基板は、前記第１表面側から見た平面視において、前記第１導電性部材が接続された前記ランド電極を囲む絶縁性の被覆部を更に備えていてもよく、前記第１表面側から見た平面視において、前記第１導電性部材は、前記被覆部に囲まれていてもよい。

　この構成によれば、被覆部によって、第１導電性部材の濡れ広がりが低減される。よって、第１表面側から見た平面視において、第１導電性部材の面積が第２導電性部材の面積より大きくなることが抑制され得る。

　前記第１導電性部材が接続された前記ランド電極の表面と前記第１表面との間の距離は、前記第２導電性部材が接続された前記ランド電極の表面と前記第１表面との間の距離より長くてもよい。

　第１表面側から見た平面視において第１導電性部材の面積を第２導電性部材の面積より小さくするために、第１導電性部材を形成する材料の量を、第２導電性部材を形成する材料の量より減らすことが考えられる。このとき、第１導電性部材の厚さが第２導電性部材の厚さより小さくなってしまうことがある。そのような場合、第１導電性部材における第１表面から最も離れた部分と第２導電性部材における第１表面から最も離れた部分との間に、絶縁層の第１表面に直交する方向の位置の違いが生じる。

　配線基板は、他の基板、例えばマザー基板等に実装されて使用される。このとき、前記の位置の違いがある配線基板では、実装不良の生じる可能性が高まる。

　この構成によれば、第１導電性部材が接続されたランド電極の表面と第１表面との間の距離は、第２導電性部材が接続されたランド電極の表面と第１表面との間の距離より長い。そのため、第１導電性部材の厚さが第２導電性部材の厚さより小さい場合にも、絶縁層の第１表面に直交する方向において、第１導電性部材における第１表面から最も離れた部分の位置は、第２導電性部材における第１表面から最も離れた部分の位置に揃えられ得る。よって、実装不良の生じる可能性を低減することができる。

　本発明の一態様に係る配線基板は、前記第１導電性部材における前記ランド電極と反対側に形成された第３導電性部材を備えていてもよい。

　この構成によれば、配線基板は、第１導電性部材におけるランド電極と反対側に形成された第３導電性部材を備える。このことにより、第１導電性部材の厚さが第２導電性部材の厚さよりも小さい場合にも、絶縁層の第１表面に直交する方向において、第３導電性部材における第１表面から最も離れた部分の位置と、第２導電性部材における第１表面から最も離れた部分の位置とが揃えられ得る。よって、実装不良の生じる可能性を低減することができる。

　前記複数の導電性部材は、前記第１表面側から見た平面視において前記コイル導体の前記開口部と重複する位置に、複数の前記第１導電性部材を備えていてもよい。

　この構成によれば、複数の第１導電性部材の大きさにばらつきがあった場合、当該ばらつきがコイル導体によって形成される磁束に及ぼす影響を低減することができる。また、第１導電性部材がコイル導体によって形成される磁束に及ぼす影響が低減されるので、コイル導体及び配線基板の性能を向上させることができる。

　本発明の一態様に係る配線基板は、前記絶縁層の前記第１表面に設けられ、前記導電性部材の一部を覆う第１封止樹脂を更に備えていてもよい。

　この構成によれば、第１封止樹脂によって導電性部材をランド電極に安定して固定することができる。

　本発明の一態様に係る配線基板は、前記絶縁層の前記第２表面に実装された少なくとも１つの電子部品を更に備えていてもよい。

　本発明の一態様に係る配線基板は、前記絶縁層の前記第２表面に設けられ、前記電子部品の少なくとも一部を覆う第２封止樹脂を更に備えていてもよい。

　この構成によれば、第２封止樹脂によって電子部品を絶縁層に安定して固定することができる。

　前記コイル導体は、前記絶縁層の内部に設けられていてもよく、前記電子部品は、前記第２表面側から見た平面視において前記コイル導体の前記開口部から外れた位置にあってもよい。

　この構成によれば、第２表面側から見た平面視において、電子部品は、コイル導体の開口部から外れた位置にある。そのため、コイル導体によって形成される磁束が電子部品に及ぼす影響を低減することができる。

　本発明の一態様に係る配線基板は、複数の前記ランド電極を備えていてもよい。また、前記コイル導体は、前記絶縁層の内部に設けられていてもよい。また、前記電子部品は、前記第２表面側から見た平面視において少なくとも一部が前記コイル導体の前記開口部と重複する重複部品と、前記第２表面側から見た平面視において前記コイル導体の前記開口部から外れた位置にある非重複部品と、を備えていてもよい。また、前記重複部品及び前記非重複部品の各々は、外部に露出した少なくとも１つの導電部を備えていてもよい。また、前記複数のランド電極は、前記絶縁層の前記第２表面に形成され、前記第２表面側から見た平面視において前記コイル導体の前記開口部と重複する位置にあり、前記重複部品の前記導電部が接続された重複電極と、前記絶縁層の前記第２表面に形成され、前記第２表面側から見た平面視において前記コイル導体の前記開口部から外れた位置にあり、前記重複部品の前記導電部のうち前記コイル導体の前記開口部から外れた位置にある前記導電部または前記非重複部品の前記導電部が接続された非重複電極と、を更に備えていてもよい。また、前記第２表面側から見た平面視において、前記重複電極に接続された前記導電部の面積は、前記非重複電極に接続された前記導電部の面積より小さくてもよい。

　この構成によれば、第２表面側から見た平面視において、重複電極は、コイル導体の開口部と重複する位置にある。そのため、重複電極に接続された導電部は、コイル導体によって形成される磁束に大きな影響を及ぼし得る。一方、前記の平面視において、非重複電極は、コイル導体の開口部から外れた位置にある。そのため、非重複電極に接続された導電部は、コイル導体によって形成される磁束に大きな影響を及ぼさない。

　この構成によれば、第２表面側から見た平面視において、重複電極に接続された導電部の面積は、非重複電極に接続された導電部の面積より小さい。そのため、導電部の大きさにばらつきがあった場合、重複電極に接続された導電部の大きさのばらつきを非重複電極に接続された導電部の大きさのばらつきより小さくすることができる。よって、導電部の大きさのばらつきがコイル導体によって形成される磁束に及ぼす影響を低減することができる。

　前記第２表面側から見た平面視において、前記重複電極に接続された前記導電部の面積は前記重複電極の面積より大きくてもよい。

　この構成によれば、コイル導体から見て、重複電極に接続された導電部の一部は、重複電極の外側に位置する。そのため、重複電極に接続された導電部の大きさのばらつきがコイル導体によって形成される磁束に及ぼす影響が大きくなってしまう。

　しかし、この構成では、第２表面側から見た平面視において重複電極に接続された導電部の面積が非重複電極に接続された導電部の面積より小さいので、重複電極に接続された導電部の大きさのばらつきがコイル導体によって形成される磁束に及ぼす影響が低減される。

　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。

　また、図面において、実質的に同一の要素については、同一の符号を付すことにより説明を省略する。

　以下では、説明の便宜上、「上面」、「下面」、「上下方向」等の方向を示す用語を用いるが、これらの用語は、本発明に係る電子部品の使用状態等を限定することを意図するものではない。

　＜第１実施形態＞
　図１は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の底面図である。図２は、図１におけるＡ－Ａ断面を示す断面図である。

　図１及び図２に示すように、配線基板１０は、絶縁層２０と、ランド電極３０と、半田ボール４０と、コイル導体５０と、グランド導体８０と、電子部品６０と、封止樹脂７０とを備える。

　絶縁層２０は、アルミナ等のセラミックや、ガラスエポキシ、テフロン（登録商標）、紙フェノール等の樹脂等で構成された絶縁体の基材である。

　第１実施形態において、絶縁層２０は、図２に示すように、４層で構成されている。絶縁層２０は、第１表面層２１と、第２表面層２２と、第１表面層２１と第２表面層２２との間に積層された中間層２３，２４とを有する。中間層２３は、第１表面層２１に積層されている。中間層２４は、中間層２３における第１表面層２１と反対側に積層されている。第２表面層２２は、中間層２４における中間層２３と反対側に積層されている。

　第１表面層２１における中間層２３と反対側の面は、絶縁層２０の下面２０Ａを構成している。下面２０Ａは、第１表面の一例である。第２表面層２２における中間層２４と反対側の面は、絶縁層２０の上面２０Ｂを構成している。上面２０Ｂは、第２表面の一例である。下面２０Ａ及び上面２０Ｂは、絶縁層２０の外部に露出している。上面２０Ｂは下面２０Ａの裏側の面である。

　図１及び図２に示すように、絶縁層２０の下面２０Ａには、下面２０Ａから下面２０Ａに交差する方向に突出した段差部９０が形成されている。段差部９０は、絶縁層２０を形成する材料と同じ材料で形成され、絶縁層２０と一体化している。

　図２に示すように、複数のランド電極３０が、絶縁層２０の下面２０Ａと、上面２０Ｂと、段差部９０における第１表面層２１と反対側の面である表面９０Ａとに形成されている。

　絶縁層２０がセラミックで構成されている場合、ランド電極３０は、絶縁層２０の下面２０Ａ、上面２０Ｂ、及び段差部９０の表面９０Ａに印刷された導電性のペーストが絶縁層２０と共焼成されたものである。この場合、ランド電極３０は、例えば銅で構成されている。絶縁層２０が樹脂で構成されている場合、ランド電極３０は、エッチング等の公知の手段によって絶縁層２０の下面２０Ａ、上面２０Ｂ、及び段差部９０の表面９０Ａに形成されている。この場合、ランド電極３０は、例えば金属箔で構成されている。

　第１実施形態において、配線基板１０は、１３個のランド電極３０を備えている。ランド電極３０は、１個の電極３０Ａと、５個の電極３０Ｂと、７個の電極３０Ｄとを備えている。電極３０Ｄは非重複電極の一例である。

　図１及び図２に示すように、電極３０Ａは、段差部９０の表面９０Ａに形成されている。段差部９０が絶縁層２０の下面２０Ａに形成されているので、電極３０Ａは、絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、下面２０Ａと重複する位置に形成されている。一方、電極３０Ｂは、絶縁層２０の下面２０Ａに形成されている。

　電極３０Ａの表面３０Ａａは、電極３０Ａにおける段差部９０と反対側の面である。電極３０Ｂの表面３０Ｂａは、電極３０Ｂにおける第１表面層２１と反対側の面である。

　図２に示すように、電極３０Ａが段差部９０の表面９０Ａに形成されているので、電極３０Ａの表面３０Ａａと絶縁層２０の下面２０Ａとの間の距離は、電極３０Ｂの表面３０Ｂａと絶縁層２０の下面２０Ａとの間の距離より長くなっている。

　電極３０Ｄは、絶縁層２０の上面２０Ｂに形成されている。

　図１に示すように、配線基板１０を下方から見た平面視において、言い換えると配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、電極３０Ａの面積は電極３０Ｂの面積より小さい。

　図１及び図２に示すように、配線基板１０は、６個の半田ボール４０を備えている。半田ボール４０は、１個の半田ボール４０Ａと、５個の半田ボール４０Ｂとを備えている。半田ボール４０Ａは第１導電性部材の一例である。半田ボール４０Ｂは第２導電性部材の一例である。半田ボール４０は、半田で構成されている。

　半田ボール４０Ａは、電極３０Ａの表面３０Ａａに形成されている。半田ボール４０Ｂは、電極３０Ｂの表面３０Ｂａに形成されている。

　半田ボール４０Ａは、半田ボール４０Ｂの各々より小さい。半田ボール４０は、略球形状である。よって、図１に示すように、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ａの面積は半田ボール４０Ｂの面積より小さい。

　図１に示すように、半田ボール４０Ａは、電極３０Ａの表面３０Ａａの全体を覆うように形成されている。すなわち、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、電極３０Ａの全部分が、半田ボール４０Ａと重複している。つまり、前記の平面視において、半田ボール４０Ａの面積は電極３０Ａの面積より大きい。

　図２に示すように、段差部９０の上下方向の厚さは、半田ボール４０Ａの直径と半田ボール４０Ｂの直径との差と略同一である。そのため、半田ボール４０Ａにおける下端部の上下方向の位置は、半田ボール４０Ｂにおける下端部の上下方向の位置と、略同位置になっている。なお、段差部９０の上下方向の厚さは、半田ボール４０Ａの直径と半田ボール４０Ｂの直径との差より大きくても小さくてもよい。つまり、半田ボール４０Ａにおける下端部の上下方向の位置は、半田ボール４０Ｂにおける下端部の上下方向の位置と異なる位置であってもよい。

　５個の半田ボール４０Ｂは、電極３０Ｂの表面３０Ｂａの全体を覆うように形成されている。

　図２に示すように、コイル導体５０は、絶縁層２０の内面２０Ｃ，２０Ｄに形成されている。つまり、第１実施形態において、コイル導体５０は、絶縁層２０の内部に設けられている。グランド導体８０は、絶縁層２０の内面２０Ｅに形成されている。内面２０Ｃは、第１表面層２１の上面である。内面２０Ｄは、中間層２３の上面である。内面２０Ｅは、中間層２４の上面である。

　絶縁層２０がセラミックで構成されている場合、コイル導体５０及びグランド導体８０は、絶縁層２０に印刷された導電性のペーストが絶縁層２０と共焼成されたものである。この場合、コイル導体５０及びグランド導体８０は、例えば銅で構成されている。絶縁層２０が樹脂で構成されている場合、コイル導体５０及びグランド導体８０は、エッチング等の公知の手段によって絶縁層２０の内面２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅに形成されている。この場合、コイル導体５０及びグランド導体８０は、例えば金属箔で構成されている。

　図１に示すように、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、絶縁層２０の内面２０Ｃ，２０Ｄに形成された各コイル導体５０は、ループ形状である。図示されていないが、絶縁層２０の内面２０Ｃに形成されたコイル導体５０と、絶縁層２０の内面２０Ｄに形成されたコイル導体５０とは、ビア導体（不図示）等の公知の手段によって互いに電気的に接続されている。

　ビア導体は、絶縁層２０を構成する層（第１表面層２１、第２表面層２２、及び中間層２３，２４）を貫通する貫通穴に、樹脂基板の場合、銅などで構成された導電性金属がメッキ形成されたもの、或いはセラミック基板の場合、導電性のペーストが充填されセラミックと共焼成されたものである。

　以上のように構成されていることにより、第１実施形態において、コイル導体５０は、絶縁層２０の積層方向（上下方向）に沿って延びた巻回軸５０Ａの周りに形成されたコイルとして機能する。コイル導体５０の巻回軸５０Ａは、絶縁層２０の下面２０Ａ及び上面２０Ｂと直交している。なお、コイル導体５０の巻回軸５０Ａは、絶縁層２０の下面２０Ａ及び上面２０Ｂと交差していればよい。例えば、コイル導体５０の巻回軸５０Ａは、上下方向に対して傾斜した方向に延びていてもよい。

　コイル導体５０は、開口部５０Ｂを有している。開口部５０Ｂは、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、ループ形状であるコイル導体５０の内側の領域である。

　図１及び図２に示すように、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ａの全部は、コイル導体５０の開口部５０Ｂと重複する位置にある。一方、前記の平面視において、半田ボール４０Ｂは、コイル導体５０の開口部５０Ｂから外れた位置にある。

　また、図１に示すように、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ａの面積はコイル導体５０の開口部５０Ｂの面積より小さい。

　図２に示すように、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、コイル導体５０は、グランド導体８０の内側に位置している。つまり、前記の平面視において、グランド導体８０は、上方からコイル導体５０の開口部５０Ｂを完全に覆っている。

　これにより、グランド導体８０は、コイル導体５０に電流が流れたときに形成される磁束をシールド可能である。グランド導体８０は、コイル導体５０の上方に位置している。そのため、前記の磁束がコイル導体５０より上方に位置するもの（例えば電子部品６０）に及ぼす影響を低減することができる。

　図２に示すように、配線基板１０は、電子部品６０として、２個の電子部品６１，６２を備える。２個の電子部品６１，６２の各々は、抵抗、コンデンサ、トランジスタ、集積回路等の公知の種々の部品である。

　２個の電子部品６１，６２は、絶縁層２０の上面２０Ｂに実装されている。電子部品６１は、左右両端部に導電性の導電部６１Ａを備えている。電子部品６１は、導電部６１Ａを介して電極３０Ｄと電気的に接続されている。なお、電子部品６１は少なくとも１つの導電部６１Ａを備えていればよい。

　電子部品６２は、外部に露出した半田ボール６３を備えている。半田ボール６３は、半田ボール４０と同様に、半田で構成されており、略球形状である。電子部品６２は、半田ボール６３を介して電極３０Ｄと電気的に接続されている。半田ボール６３は導電部の一例である。

　複数の半田ボール６３が、電子部品６２の下面６２Ａに形成されている。図２では、５個の半田ボール６３が記されているが、電子部品６２は少なくとも１個の半田ボール６３を備えていればよい。第１実施形態において、半田ボール６３は半田ボール４０より小さいが、半田ボール６３は半田ボール４０以上の大きさであってもよい。各半田ボール６３は、電極３０Ｄと電気的に接続されている。

　第１実施形態において、電子部品６１，６２及び半田ボール６３は、配線基板１０を上方から見た平面視において、言い換えると配線基板１０を絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、コイル導体５０の開口部５０Ｂから外れた位置にある。

　図２に示すように、配線基板１０は、封止樹脂７０を備えている。封止樹脂７０は、エポキシ樹脂等の樹脂で構成されている。配線基板１０は、封止樹脂７０として、封止樹脂７１，７２を備えている。封止樹脂７１は、第１封止樹脂の一例である。封止樹脂７２は、第２封止樹脂の一例である。なお、図１及び後述する図３，６，７，９，１０において、封止樹脂７１の図示は省略されている。

　図２に示すように、封止樹脂７１は、絶縁層２０の下面２０Ａ及び段差部９０の表面９０Ａに設けられている。封止樹脂７１は、電極３０Ａ，３０Ｂを覆っている。また、封止樹脂７１は、半田ボール４０の一部を覆っている。詳述すると、半田ボール４０の下端部は、封止樹脂７１に覆われておらず、封止樹脂７１より下方に位置している。一方、半田ボール４０の下端部以外は、封止樹脂７１に覆われている。

　封止樹脂７２は、絶縁層２０の上面２０Ｂに設けられている。封止樹脂７２は、電極３０Ｄ及び電子部品６０を覆っている。なお、封止樹脂７２は、電子部品６０の一部のみ覆っていてもよい。例えば、電子部品６０の上面が、封止樹脂７２に覆われることなく外部に露出していてもよい。

　各ランド電極３０の表面に形成された半田ボール４０の大きさのばらつきは、コイル導体５０によって形成される磁束に影響を及ぼし得る。半田ボール４０が小さいほど、半田ボール４０の大きさのばらつきは小さい。

　第１実施形態によれば、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ａは、コイル導体５０の開口部５０Ｂと重複する位置にある。そのため、半田ボール４０Ａの大きさのばらつきは、コイル導体５０によって形成される磁束に大きな影響を及ぼし得る。一方、前記の平面視において、半田ボール４０Ｂは、コイル導体５０の開口部５０Ｂから外れた位置にある。そのため、半田ボール４０Ｂは、コイル導体５０によって形成される磁束に大きな影響を及ぼさない。

　第１実施形態によれば、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ａの面積は、半田ボール４０Ｂの面積より小さい。このことにより、半田ボール４０の大きさにばらつきがあった場合、半田ボール４０Ａの大きさのばらつきを半田ボール４０Ｂの大きさのばらつきより小さくすることができる。よって、半田ボール４０の大きさのばらつきがコイル導体５０によって形成される磁束に及ぼす影響を低減することができる。

　また、第１実施形態によれば、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ａの面積が半田ボール４０Ｂの面積より大きい場合と比べて、半田ボール４０Ａがコイル導体５０によって形成される磁束に及ぼす影響を小さくすることができる。そのため、コイル導体５０及び配線基板１０の性能を向上させることができる。

　第１実施形態によれば、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ａの面積がコイル導体５０の開口部５０Ｂの面積よりも大きい場合と比べて、半田ボール４０Ａがコイル導体５０によって形成される磁束に及ぼす影響を小さくすることができる。よって、コイル導体５０及び配線基板１０の性能を向上させることができる。

　コイル導体５０から見てランド電極３０の背後に位置する半田ボール４０がコイル導体５０によって形成される磁束に及ぼす影響は小さい。一方、コイル導体５０から見てランド電極３０の背後に位置せずランド電極３０の外側に位置する半田ボール４０がコイル導体５０によって形成される磁束に及ぼす影響は大きい。

　第１実施形態によれば、コイル導体５０から見て、半田ボール４０Ａの一部は、半田ボール４０Ａが接続された電極３０Ａの外側に位置する。そのため、半田ボール４０Ａの大きさのばらつきがコイル導体５０によって形成される磁束に及ぼす影響が大きくなってしまう。

　しかし、第１実施形態では、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において半田ボール４０Ａの面積が半田ボール４０Ｂの面積より小さいので、半田ボール４０Ａの大きさのばらつきがコイル導体５０によって形成される磁束に及ぼす影響を小さくすることができる。よって、半田ボール４０の大きさのばらつきがコイル導体５０によって形成される磁束に及ぼす影響を低減することができる。

　配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において半田ボール４０Ａの面積を半田ボール４０Ｂの面積より小さくするために、半田ボール４０Ａを形成する材料の量を、半田ボール４０Ｂを形成する材料の量より減らすことが考えられる。このとき、半田ボール４０Ａの厚さが半田ボール４０Ｂの厚さより小さくなってしまうことがある。そのような場合、半田ボール４０Ａにおける下面２０Ａから最も離れた部分と半田ボール４０Ｂにおける下面２０Ａから最も離れた部分との間に、絶縁層２０の下面２０Ａに直交する方向の位置の違いが生じる。

　配線基板１０は、他の基板、例えばマザー基板等に実装されて使用される。このとき、前記の位置の違いがある配線基板１０では、実装不良の生じる可能性が高まる。

　第１実施形態によれば、半田ボール４０Ａが接続された電極３０Ａの表面３０Ａａと下面２０Ａとの間の距離は、半田ボール４０Ｂが接続された電極３０Ｂの表面３０Ｂａと下面２０Ａとの間の距離より長い。そのため、半田ボール４０Ａの厚さが半田ボール４０Ｂの厚さより小さい場合にも、絶縁層２０の下面２０Ａに直交する方向において、半田ボール４０Ａにおける下面２０Ａから最も離れた部分の位置は、半田ボール４０Ｂにおける下面２０Ａから最も離れた部分の位置に揃えられ得る。よって、実装不良の生じる可能性を低減することができる。

　第１実施形態によれば、封止樹脂７１によって半田ボール４０をランド電極３０に安定して固定することができる。

　第１実施形態によれば、封止樹脂７２によって電子部品６０を絶縁層２０に安定して固定することができる。

　第１実施形態によれば、配線基板１０を絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、電子部品６０は、コイル導体５０の開口部５０Ｂから外れた位置にある。そのため、コイル導体５０によって形成される磁束が電子部品６０に及ぼす影響を低減することができる。

　図３は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の変形例の底面図である。図４は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の変形例の断面図である。図３及び図４に示すように、絶縁性のレジスト膜３１が、段差部９０の表面９０Ａに形成されている。レジスト膜３１は被覆部の一例である。

　図３に示すように、レジスト膜３１は、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、電極３０Ａを囲むように形成されている。詳細には、レジスト膜３１は、段差部９０の表面９０Ａにおける電極３０Ａの周辺部９０Ａａを覆っている。周辺部９０Ａａは、電極３０Ａを構成する正方形の辺より外側の周辺部分である。

　さらに、レジスト膜３１は、電極３０Ａの表面３０Ａａの少なくとも一部を覆っていてもよい。

　第１実施形態の上記変形例によれば、レジスト膜３１によって、半田ボール４０Ａを形成する半田の濡れ広がりが低減される。よって、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ａの面積が半田ボール４０Ｂの面積より大きくなることが抑制され得る。

　以下に、配線基板１０の製造方法の一例が説明される。

　配線基板１０は、積層体が切断されることによって個片化される。積層体は、複数の配線基板１０が配列された状態で一体化されたものである。以下の説明では、積層体を構成する１枚の配線基板１０の製造方法が説明される。また、以下の説明では、配線基板１０の絶縁層２０は、セラミックで構成されているとする。

　最初に、シート成形工程が実行される。シート成形工程では、絶縁層２０を構成する４つの層（第１表面層２１、第２表面層２２、及び中間層２３，２４）及び段差部９０に対応するシートが、以下に詳述するように成形される。セラミック粉末、バインダ、可塑剤が任意の量で混合されることによって、スラリが作製される。スラリがキャリアフィルム上に塗布されることによって、シートが成形される。スラリの塗布は、リップコータ及びドクターブレード等を用いて行われる。キャリアフィルムとしては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等が使用される。各シートの厚さは、例えば焼成後の厚さが１～１５０μｍになるような厚さにされる。

　次に、ビア導体成形工程が実行される。ビア導体成形工程では、ビア導体が、以下に詳述するように成形される。各シートに、任意の数の貫通穴が形成される。もちろん、シートに貫通穴が不要の場合、当該シートには貫通穴が形成されない。各貫通穴は、例えば、メカパンチ、ＵＶレーザ、ＣＯ_２レーザ等によって形成される。各貫通穴に、導電性ペーストが充填される。これにより、ビア導体が成形される。導電性ペーストは、例えば、導電性粉末と可塑剤とバインダとを含む原料を混合することにより作製される。導電性ペーストには、焼成時の収縮率を調節するために、例えば、各シートに混合されたセラミック粉末等の共素地が添加されてもよい。ビア導体は、前述したように、コイル導体５０の一部を構成し得る。なお、各図において、ビア導体の図示は省略されている。

　次に、電極形成工程が実行される。電極形成工程では、５枚のシートのうち段差部９０に対応するシートに、ランド電極３０（電極３０Ａ）が形成される。また、５枚のシートのうち第１表面層２１に対応するシートに、ランド電極３０（電極３０Ｂ）が形成される。また、５枚のシートのうち第２表面層２２に対応するシートに、ランド電極３０（電極３０Ｄ）が形成される。また、５枚のシートのうち第１表面層２１及び中間層２３に対応するシートに、コイル導体５０が形成される。また、５枚のシートのうち中間層２４に対応するシートに、グランド導体８０が形成される。配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、ランド電極３０の１辺の長さは、例えば３０μｍ以上である。

　ランド電極３０、コイル導体５０、及びグランド導体８０は、例えば、導電性ペーストが印刷されることによって形成される。印刷は、例えば、スクリーン印刷、インクジェット印刷、及びグラビア印刷等である。信号ライン及び電源ライン等の配線が、コイル導体５０及びグランド導体８０と同様にして各シートに形成されてもよい。

　前述したビア導体、コイル導体５０、及びグランド導体８０を構成する導電性ペーストの材質は任意であるが、コイル導体５０とコイル導体５０の一部を構成するビア導体とを形成するための導電性ペーストは、好ましくは純銅系ペーストである。

　次に、レジスト膜形成工程が実行される。レジスト膜形成工程では、５枚のシートのうち段差部９０に対応するシートに、レジスト膜３１が形成される。レジスト膜３１は、段差部９０の表面９０Ａにおける電極３０Ａの周辺部９０Ａａを覆うように形成される。レジスト膜３１は、前述した導電性ペーストと同様にしてシートに印刷される。

　次に、積層工程が実行される。積層工程では、キャリアフィルムが除かれた各シートが積層され、金型内で圧着及び焼成される。焼成後、積層された各シートにメッキが施される。メッキは、例えば、Ｎｉ－Ｓｎメッキ、Ｎｉ－無電解Ａｕメッキである。これにより、絶縁層２０が得られる。

　次に、実装工程が実行される。実装工程では、絶縁層２０の上面２０Ｂに、電子部品６０（電子部品６１，６２）が実装される。実装は、公知の手段によって行われる。実装後に、リフロー処理が実行される。絶縁層２０は、リフロー処理後に、有機系洗浄液等によって洗浄されてもよい。

　次に、半田ボール形成工程が実行される。半田ボール形成工程では、段差部９０の表面９０Ａ及び絶縁層２０の下面２０Ａに、半田ボール４０が形成される。半田ボール４０の形成は、公知の手段によって行われる。電子部品６０の実装時と同様に、半田ボール４０の形成後に、リフロー処理及び洗浄が実行されてもよい。

　次に、被覆工程が実行される。被覆工程では、封止樹脂７０が絶縁層２０と段差部９０とに被覆される。詳細には、封止樹脂７１が絶縁層２０の下面２０Ａ及び段差部９０の表面９０Ａに被覆され、封止樹脂７２が絶縁層２０の上面２０Ｂに被覆される。これにより、封止樹脂７１が、電極３０Ａ，３０Ｂ及びレジスト膜３１、並びに半田ボール４０の下端部以外の部分を覆う。また、これにより、封止樹脂７２が、電極３０Ｄ及び電子部品６０を覆う。

　次に、個片化工程が実行される。個片化工程では、前述した個片化が実行される。これにより、複数の配線基板１０が作製される。

　第１実施形態において、絶縁層２０は、図２に示すように、４層で構成されていたが、４層以外で構成されていてもよい。絶縁層２０は、少なくとも１層で構成されていればよい。

　絶縁層２０の各層（第１表面層２１、第２表面層２２、及び中間層２３，２４）の厚みは、互いに異なっていてもよいし、少なくとも２層の絶縁層２０の厚みが同一であってもよい。

　ランド電極３０の数は１３個に限らない。配線基板１０は、複数のランド電極３０を備えていればよい。電極３０Ａの数は１個に限らない。電極３０Ｂの数は５個に限らない。電極３０Ｄの数は７個に限らない。配線基板１０は、ランド電極３０を少なくとも１個備えていればよい。配線基板１０は、電極３０Ｄを備えていなくてもよい。

　半田ボール４０の数は６個に限らない。配線基板１０は、複数の半田ボール４０を備えていればよい。半田ボール４０Ａの数は１個に限らない。半田ボール４０Ｂの数は５個に限らない。配線基板１０は、半田ボール４０Ａ，４０Ｂを、それぞれ少なくとも１個備えていればよい。

　第１実施形態では、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ａの全部が、コイル導体５０の開口部５０Ｂと重複する位置にあるが、これに限らない。前記の平面視において、半田ボール４０Ａの一部のみが、コイル導体５０の開口部５０Ｂと重複する位置にあってもよい。

　第１実施形態の変形例では、レジスト膜３１が被覆部に相当している。しかし、被覆部は、絶縁性を有していればよく、レジスト膜３１に限らない。例えば、被覆部は、ガラス膜であってもよい。また、被覆部は、電極３０Ｂ，３０Ｄ及び後述する電極３０Ｃに対しても、電極３０Ａと同様に形成してもよい。

　第１実施形態及び後述する各実施形態では、半田ボール４０が導電性部材に相当している。しかし、導電性部材は、導電性を有していればよく、半田ボール４０に限らない。例えば、導電性部材は、導電性フィラーを混合した樹脂系の導電性接着剤であってもよい。樹脂は、例えばエポキシ系、シリコーン系、アクリル系、ウレタン系が挙げられる。また、樹脂に含まれる導電性材料は、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕなどが挙げられる。同様に、第１実施形態及び後述する各実施形態では、半田ボール６３が導電部に相当しているが、導電部は導電性を有していればよく、半田ボール６３に限らない。

　第１実施形態では、電極３０Ａは、段差部９０の表面９０Ａに形成されている。しかし、電極３０Ａは、絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において下面２０Ａと重複する位置に形成されていればよい。例えば、絶縁層２０が段差部９０を有しない場合、電極３０Ａは、絶縁層２０の下面２０Ａに形成されていてもよい。

　第１実施形態では、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ａの面積は、コイル導体５０の開口部５０Ｂの面積より小さい。しかし、半田ボール４０Ａの面積は、コイル導体５０の開口部５０Ｂの面積以上であってもよい。

　第１実施形態では、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ａの面積は、電極３０Ａの面積より大きい。しかし、半田ボール４０Ａの面積は、電極３０Ａの面積以下であってもよい。

　第１実施形態では、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、電極３０Ａの全部分が、半田ボール４０Ａと重複している。しかし、電極３０Ａの一部分のみが、半田ボール４０Ａと重複していてもよい。

　第１実施形態では、５個の半田ボール４０Ｂは互いに同じ大きさであるが、５個の半田ボール４０Ｂの大きさは互いに異なっていてもよい。第１実施形態では、複数の半田ボール６３は互いに同じ大きさであるが、複数の半田ボール６３の大きさは互いに異なっていてもよい。

　第１実施形態では、図２に示すように、１個の半田ボール４０が１個の電極３０Ａまたは１個の電極３０Ｂと電気的に接続されており、１個の半田ボール６３が１個の電極３０Ｄと電気的に接続されている。しかし、複数の半田ボール４０が１個の電極３０Ａまたは１個の電極３０Ｂと電気的に接続されていてもよい。同様に、複数の半田ボール６３が１個の電極３０Ｄと電気的に接続されていてもよい。

　第１実施形態では、図２に示すように、電極３０Ａが段差部９０の表面９０Ａに形成されている。このことにより、電極３０Ａの表面３０Ａａと下面２０Ａとの間の距離は、電極３０Ｂの表面３０Ｂａと下面２０Ａとの間の距離より長くされている。しかし、表面３０Ａａと下面２０Ａとの間の距離を表面３０Ｂａと下面２０Ａとの間の距離より長くするための方策は、これに限らない。

　図５は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の変形例の断面図である。図５に示すように、絶縁層２０の下面２０Ａには、段差部９０の代わりにスペーサ９１が設けられている。この場合、電極３０Ａは、スペーサ９１における第１表面層２１と反対側の面である表面９１Ａに形成されている。スペーサ９１は、絶縁層２０を形成する材料と同じ材料で構成されてもよいし、異なる材料、例えば銅等の金属で構成されてもよい。

　また、別の方策として、電極３０Ｂと、上下方向の厚さが電極３０Ｂより大きい電極３０Ａとが、絶縁層２０の下面２０Ａに形成されてもよい。

　第１実施形態では、図１に示すように、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、コイル導体５０は、ループ形状であるが、ループ形状に限らない。図６は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の変形例の底面図である。図６に示すように、前記の平面視において、コイル導体５０は、渦巻形状であってもよい。この場合、最外周のコイル導体５０の内側の領域が、コイル導体５０の開口部５０Ｂである。つまり、図６に一点鎖線で囲まれた領域が、コイル導体５０の開口部５０Ｂである。

　第１実施形態では、図２に示すように、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、グランド導体８０はコイル導体５０の開口部５０Ｂを上方から完全に覆っているが、グランド導体８０はコイル導体５０の開口部５０Ｂの一部のみを上方から覆っていてもよい。

　第１実施形態では、グランド導体８０は、コイル導体５０の上方（コイル導体５０に対して絶縁層２０の上面２０Ｂ側）に形成されているが、コイル導体５０の下方（コイル導体５０に対して絶縁層２０の下面２０Ａ側）に形成されていてもよい。また、グランド導体８０は、コイル導体５０の上方及び下方の双方に形成されていてもよい。また、配線基板１０は、グランド導体８０を有していなくてもよい。

　第１実施形態では、図２に示すように、２個の電子部品６０（電子部品６１，６２）が絶縁層２０の上面２０Ｂに実装されている。しかし、配線基板１０に実装される電子部品６０の数及び位置は、図２に示す数及び位置に限らない。例えば、１個または３個以上の電子部品６０が絶縁層２０の上面２０Ｂに実装されていてもよい。また、例えば、電子部品６０は、絶縁層２０の下面２０Ａに実装されていてもよいし、絶縁層２０の上面２０Ｂ及び下面２０Ａの双方に実装されていてもよい。

　＜第２実施形態＞
　図７は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の底面図である。図８は、図７におけるＢ－Ｂ断面を示す断面図である。第２実施形態に係る配線基板１０Ａが第１実施形態に係る配線基板１０と異なる第１の点は、配線基板１０Ａを絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、複数の半田ボール４０Ａがコイル導体５１と重複している点である。第２実施形態に係る配線基板１０Ａが第１実施形態に係る配線基板１０と異なる第２の点は、配線基板１０Ａを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、電子部品６２がコイル導体５１と重複している点である。

　図７及び図８に示すように、配線基板１０Ａは、２個の電極３０Ａと、４個の電極３０Ｂと、２個の電極３０Ｃと、５個の電極３０Ｄとを備えている。

　第１実施形態と同様に、配線基板１０Ａを絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、電極３０Ａの面積は電極３０Ｂの面積より小さい。また、配線基板１０Ａを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、電極３０Ｃの面積は電極３０Ｄの面積より大きい。

　図７に示すように、配線基板１０Ａを絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、１つの絶縁性のレジスト膜３１Ａが、２個の電極３０Ａのそれぞれを囲むように形成されている。

　図７及び図８に示すように、６個の半田ボール４０は、２個の半田ボール４０Ａと、４個の半田ボール４０Ｂとを備えている。半田ボール４０Ａは、電極３０Ａの表面３０Ａａに形成されている。半田ボール４０Ｂは、電極３０Ｂの表面３０Ｂａに形成されている。

　コイル導体５１は、コイル導体５０（図１及び図２参照）と同様に構成されている。但し、コイル導体５１は、配線基板１０Ａを絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、コイル導体５０よりも大きい。

　コイル導体５１は、開口部５１Ｂを有している。開口部５１Ｂは、配線基板１０Ａを絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、ループ形状であるコイル導体５１の内側の領域である。

　図７に示すように、配線基板１０Ａを絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、２個の半田ボール４０Ａの全部は、コイル導体５１の開口部５１Ｂと重複する位置にある。一方、前記の平面視において、４個の半田ボール４０Ｂは、コイル導体５１の開口部５１Ｂから外れた位置にある。なお、配線基板１０が３個以上の半田ボール４０Ａを備えている場合、前記の平面視において開口部５１Ｂと重複する位置にある半田ボール４０Ａの数は、３個以上であってもよい。

　配線基板１０Ａを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、２個の電極３０Ｃの全部は、コイル導体５１の開口部５１Ｂと重複する位置にある。一方、前記の平面視において、５個の電極３０Ｄは、コイル導体５１の開口部５１Ｂから外れた位置にある。なお、配線基板１０が３個以上の電極３０Ｃを備えている場合、前記の平面視において開口部５１Ｂと重複する位置にある電極３０Ｃの数は、３個以上であってもよい。

　図８に示すように、配線基板１０Ａを絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、グランド導体８０は、コイル導体５１の開口部５１Ｂの一部のみを覆っている。

　第２実施形態において、電子部品６２は５個の半田ボール６３を備える。電子部品６２が有する５個の半田ボール６３のうち２個の半田ボール６３Ａ，６３Ｂは、配線基板１０Ａを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、コイル導体５１の開口部５１Ｂと重複する位置にある。一方、電子部品６２が有する５個の半田ボール６３のうち残り３個の半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅは、前記の平面視において、コイル導体５１の開口部５１Ｂから外れた位置にある。

　半田ボール６３Ａ，６３Ｂは、電極３０Ｃと電気的に接続されている。半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅは、電極３０Ｄと電気的に接続されている。

　配線基板１０Ａを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、半田ボール６３Ａ，６３Ｂは、電極３０Ｃの外縁部３０Ｃａより内側に位置している。外縁部３０Ｃａは、前記の平面視において、電極３０Ｃを構成する正方形の辺及び当該正方形における当該辺より内側の周辺部分である。つまり、前記の平面視において、電極３０Ｃに接続された半田ボール６３Ａ，６３Ｂの各々の面積は、電極３０Ｃの面積より小さい。また、前記の平面視において、電極３０Ｃに形成された半田ボール６３Ａ，６３Ｂの全部分が、電極３０Ｃと重複している。

　なお、配線基板１０Ａを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、半田ボール６３Ａ，６３Ｂの各々の面積は、電極３０Ｃの面積以上であってもよい。また、前記の平面視において、半田ボール６３Ａ，６３Ｂの一部分のみが、電極３０Ｃと重複していてもよい。

　電子部品６２の一部は、配線基板１０Ａを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、コイル導体５１の開口部５１Ｂと重複している。電子部品６２は重複部品の一例である。なお、電子部品の６２の全部が、前記の平面視においてコイル導体５１の開口部５１Ｂと重複していてもよい。

　電子部品６１の左右両端部に設けられた導電部６１Ａは、電極３０Ｄと電気的に接続されている。電子部品６１は、配線基板１０Ａを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、コイル導体５１の開口部５１Ｂから外れた位置にある。電子部品６１は非重複部品の一例である。

　第２実施形態によれば、２個の半田ボール４０Ａの大きさにばらつきがあった場合、当該ばらつきがコイル導体５１によって形成される磁束に及ぼす影響を低減することができる。また、半田ボール４０Ａがコイル導体５１によって形成される磁束に及ぼす影響が低減されるので、コイル導体５１及び配線基板１０Ａの性能を向上させることができる。

　第２実施形態では、図７に示すように、配線基板１０Ａを絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、２個の半田ボール４０Ａの全部は、コイル導体５１の開口部５１Ｂと重複する位置にある。しかし、以下に詳述するように、前記の平面視において、半田ボール４０Ａの一部のみが、コイル導体５１の開口部５１Ｂと重複する位置にあってもよい。

　第２実施形態では、グランド導体８０は、コイル導体５１の開口部５１Ｂの一部のみを覆っているが、開口部５１Ｂの全部を覆っていてもよい。

　図９は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の変形例の底面図である。例えば、図９に示すように、配線基板１０Ａを絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、２個の半田ボール４０Ａのうち一方の半田ボール４０Ａの全部がコイル導体５１の開口部５１Ｂと重複する位置にある一方で、２個の半田ボール４０Ａのうち他方の半田ボール４０Ａの一部のみがコイル導体５１の開口部５１Ｂと重複する位置にあってもよい。もちろん、前記の平面視において、２個の半田ボール４０Ａの各々の一部のみが、コイル導体５１の開口部５１Ｂと重複する位置にあってもよい。また、半田ボール４０Ａと同様に、配線基板１０Ａを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、電極３０Ｃの一部のみが、コイル導体５１の開口部５１Ｂと重複する位置にあってもよい。

　第２実施形態では、図７に示すように、配線基板１０Ａを絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、１つのレジスト膜３１Ａが、２個の電極３０Ａのそれぞれを囲んでおり、２個の電極３０Ａの各々に半田ボール４０が形成されている。しかし、複数の半田ボール４０が同一の電極３０Ａと電気的に接続されている場合、以下に詳述するように、図１０に示すような構成であってもよい。

　図１０は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の変形例の底面図である。図１０に示すように、１個の電極３０Ａを覆う１つのレジスト膜３１Ｂが、複数（図１０では２個）の開口部３１Ｂａを有していてもよい。この場合、２個の開口部３１Ｂａの各々に、半田ボール４０が形成される。その結果、２個の半田ボール４０が同一の電極３０Ａと電気的に接続される。なお、他の電極３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄがレジスト膜に覆われる場合も、前述した構成と同様に、当該レジスト膜が複数の開口部を有していてもよい。

　＜第３実施形態＞
　図１１は、本発明の第３実施形態に係る配線基板の図７におけるＢ－Ｂ断面に対応する位置の断面を示す断面図である。第３実施形態に係る配線基板１０Ｂが第２実施形態に係る配線基板１０Ａと異なる点は、電子部品６２の代わりに電子部品６４を備える点である。

　第３実施形態において、電子部品６４は、４個の半田ボール６３を備える。４個の半田ボール６３は、半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅ，６３Ｆである。つまり、電子部品６４が電子部品６２（図８参照）と異なる点は、電子部品６４が半田ボール６３Ａ，６３Ｂの代わりに半田ボール６３Ｆを備える点である。

　半田ボール６３Ｆは、配線基板１０Ｂを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、コイル導体５１の開口部５１Ｂと重複する位置にある。つまり、電子部品６４の一部は、前記の平面視においてコイル導体５１の開口部５１Ｂと重複している。電子部品６４は重複部品の一例である。一方、半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅは、第２実施形態と同様に、前記の平面視において、コイル導体５１の開口部５１Ｂから外れた位置にある。

　半田ボール６３Ｆは、電極３０Ｃと電気的に接続されている。半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅは、第２実施形態と同様に、電極３０Ｄと電気的に接続されている。

　半田ボール６３Ｆは、半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅの各々より小さい。半田ボール６３は、略球形状である。よって、配線基板１０Ｂを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、半田ボール６３Ｆの面積は、半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅの各々の面積より小さい。

　配線基板１０Ｂを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、半田ボール６３Ｆは、電極３０Ｃの面積より大きい。本実施形態では、前記の平面視において、電極３０Ｃの全部分が、半田ボール６３Ｆと重複している。

　第３実施形態において、電子部品６４は、互いに大きさが異なる半田ボール６３Ｆと半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅとの下端部の上下方向の位置を合わせるため、凸部６４１を備える。凸部６４１は、電子部品６４の下面６４Ａから下方へ突出している。半田ボール６３Ｆは、凸部６４１の先端面（凸部６４１の下面）に形成されている。これにより、半田ボール６３Ｆの下端部は、凸部６４１の分だけ下方に位置する。一方、半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅは、下面６４Ａに形成されている。凸部６４１の突出長は、半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅの直径と半田ボール６３Ｆの直径との差と略同一である。よって、半田ボール６３Ｆが凸部６４１に形成されていることによって、半田ボール６３Ｆの下端部の上下方向の位置が、半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅの下端部の上下方向の位置と、略同位置となる。

　互いに大きさが異なる半田ボール６３Ｆと半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅとの下端部の上下方向の位置を合わせるための構成は、凸部６４１に限らない。例えば、電子部品６４が電子部品６４の下面に凹部を備え、半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅが凹部に形成されていてもよい。

　第３実施形態によれば、配線基板１０Ａを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、電極３０Ｃは、コイル導体５１の開口部５１Ｂと重複する位置にある。そのため、電極３０Ｃに接続された半田ボール６３Ｆは、コイル導体５１によって形成される磁束に大きな影響を及ぼし得る。一方、前記の平面視において、電極３０Ｄは、コイル導体５１の開口部５１Ｂから外れた位置にある。そのため、電極３０Ｄに接続された半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅは、コイル導体５１によって形成される磁束に大きな影響を及ぼさない。

　第３実施形態によれば、配線基板１０Ａを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において、電極３０Ｃに接続された半田ボール６３Ｆの面積は、電極３０Ｄに接続された半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅの面積より小さい。そのため、半田ボール６３の大きさにばらつきがあった場合、電極３０Ｃに接続された半田ボール６３Ｆの大きさのばらつきを電極３０Ｄに接続された半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅの大きさのばらつきより小さくすることができる。よって、半田ボール６３Ｆの大きさのばらつきがコイル導体５１によって形成される磁束に及ぼす影響を低減することができる。

　第３実施形態によれば、コイル導体５１から見て、電極３０Ｃに接続された半田ボール６３Ｆの一部は、電極３０Ｃの外側に位置する。そのため、電極３０Ｃに接続された半田ボール６３Ｆの大きさのばらつきがコイル導体５１によって形成される磁束に及ぼす影響が大きくなってしまう。

　しかし、第３実施形態では、配線基板１０Ａを絶縁層２０の上面２０Ｂ側から見た平面視において電極３０Ｃに接続された半田ボール６３Ｆの面積が電極３０Ｄに接続された半田ボール６３Ｃ，６３Ｄ，６３Ｅの面積より小さいので、電極３０Ｃに接続された半田ボール６３Ｆの大きさのばらつきがコイル導体５１によって形成される磁束に及ぼす影響が低減される。

　第３実施形態では、グランド導体８０は、コイル導体５１の開口部５１Ｂの一部のみを覆っているが、開口部５１Ｂの全部を覆っていてもよい。

　＜第４実施形態＞
　図１２は、本発明の第４実施形態に係る配線基板の図１におけるＡ－Ａ断面に対応する位置の断面を示す断面図である。第４実施形態に係る配線基板１０Ｃが第１実施形態に係る配線基板１０と異なる点は、コイル導体５０の代わりに、コイル導体としての電子部品６５を備える点である。

　配線基板１０Ｃは、電子部品６０として、電子部品６１，６２に加えて電子部品６５を備える。電子部品６５は、絶縁層２０の上面２０Ｂに実装されている。電子部品６５は、内部にコイル６５１を有する。つまり、第４実施形態において、電子部品６５は、コイル導体に相当する。

　図示されていないが、コイル６５１の一端部及び他端部は、配線基板１０Ｃの絶縁層２０の上面２０Ｂに形成された電極３０Ｄと電気的に接続されている。

　コイル６５１の巻回軸６５１Ａは、絶縁層２０の下面２０Ａ及び上面２０Ｂと交差している。

　コイル６５１は、開口部６５１Ｂを有している。開口部６５１Ｂは、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、ループ形状であるコイル６５１の内側の領域である。

　配線基板１０Ｃを絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ａの全部が、コイル６５１の開口部６５１Ｂと重複する位置にある。なお、前記の平面視において、半田ボール４０Ａの一部が、コイル６５１の開口部６５１Ｂと重複する位置にあってもよい。

　＜第５実施形態＞
　図１３は、本発明の第５実施形態に係る配線基板の図１におけるＡ－Ａ断面に対応する位置の断面を示す断面図である。第５実施形態に係る配線基板１０Ｄが第１実施形態に係る配線基板１０と異なる点は、半田ボール４０Ｃを更に備える点である。

　第５実施形態において、図１３に示すように、絶縁層２０は、段差部９０を有していない。

　電極３０Ａは、電極３０Ｂと同様に、絶縁層２０の下面２０Ａに形成されている。

　絶縁層２０の下面２０Ａには、絶縁性のレジスト膜３１が形成されている。詳細には、レジスト膜３１は、絶縁層２０の下面２０Ａにおける電極３０Ａの周辺部２０Ａａを覆っている。周辺部２０Ａａは、電極３０Ａを構成する正方形の辺より外側の周辺部分である。

　配線基板１０Ｄは、７個の半田ボール４０を備える。半田ボール４０は、略球形状である。

　７個の半田ボール４０は、１個の半田ボール４０Ａと、５個の半田ボール４０Ｂと、１個の半田ボール４０Ｃとを備えている。半田ボール４０Ｃは第３導電性部材の一例である。

　第１実施形態と同様に、半田ボール４０Ａは、電極３０Ａの表面３０Ａａに形成されている。半田ボール４０Ｂは、電極３０Ｂの表面３０Ｂａに形成されている。

　第１実施形態と同様に、半田ボール４０Ａは、半田ボール４０Ｂより小さい。

　半田ボール４０Ｃは、半田ボール４０Ａにおける電極３０Ａと反対側に形成されている。半田ボール４０Ｃは、半田ボール４０Ａに電気的に接続されている。

　本実施形態では、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ｃは、半田ボール４０Ａと同一の形状である。しかし、配線基板１０を絶縁層２０の下面２０Ａ側から見た平面視において、半田ボール４０Ｃは、半田ボール４０Ａと異なる形状であってもよい。また、半田ボール４０Ｃは、半田ボール４０Ａより大きくてもよいし、半田ボール４０Ａより小さくてもよいし、半田ボール４０Ａと同じ大きさでもよい。

　半田ボール４０Ｃの直径は、半田ボール４０Ａの直径と半田ボール４０Ｂの直径との差と略同一である。そのため、半田ボール４０Ｃが半田ボール４０Ａの絶縁層２０と反対側に形成されていることによって、半田ボール４０Ｃの下端部の上下方向の位置が、半田ボール４０Ｂの下端部の上下方向の位置と、略同位置になっている。

　本実施形態において、図１３に示すように、封止樹脂７１は、半田ボール４０Ａの一部と半田ボール４０Ｂの一部とを覆っている。一方、半田ボール４０Ｃは、封止樹脂７１に覆われておらず、外部に露出している。しかし、封止樹脂７１は、半田ボール４０Ａの全部を覆ってもよい。また、半田ボール４０Ｃは、図２に示す半田ボール４０Ａと同様に、下端部を除いて封止樹脂７１に覆われていてもよい。

　第５実施形態によれば、配線基板１０Ｂは、半田ボール４０Ａにおける電極３０Ａと反対側に形成された半田ボール４０Ｃを備える。このことにより、半田ボール４０Ａの厚さが半田ボール４０Ｂの厚さよりも小さい場合にも、絶縁層２０の下面２０Ａに直交する方向において、半田ボール４０Ｃにおける下面２０Ａから最も離れた部分の位置と、半田ボール４０Ｂにおける下面２０Ａから最も離れた部分の位置とが揃えられ得る。よって、実装不良の生じる可能性を低減することができる。

　第５実施形態では、半田ボール４０Ｃが第３導電性部材に相当している。しかし、導電性部材は、導電性を有していればよく、半田ボール４０に限らない。また、第３導電性部材は、第１導電性部材と同じ組成を有する導電性部材であってもよいし、異なる組成を有する導電性部材であってもよい。

　なお、前記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。

　本発明は、適宜図面を参照しながら好ましい実施の形態に関連して充分に記載されているが、この技術に熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。

　　　１０　配線基板
　　　２０　絶縁層
　　２０Ａ　下面（第１表面）
　２０Ａａ　周辺部
　　２０Ｂ　上面（第２表面）
　　　３０　ランド電極
　　３０Ａ　電極
　３０Ａａ　表面
　　３０Ｂ　電極
　３０Ｂａ　表面
　　３０Ｃ　電極（重複電極）
　３０Ｃａ　外縁部
　　３０Ｄ　電極（非重複電極）
　　　３１　レジスト膜（被覆部）
　　　４０　半田ボール（導電性部材）
　　４０Ａ　半田ボール（第１導電性部材）
　　４０Ｂ　半田ボール（第２導電性部材）
　　４０Ｃ　半田ボール（第３導電性部材）
　　　５０　コイル導体
　　５０Ａ　巻回軸
　　５０Ｂ　開口部
　　　６０　電子部品
　　　６１　電子部品（非重複部品）
　　　６２　電子部品（重複部品）
　　　６３　半田ボール（導電部）
　　　７１　封止樹脂（第１封止樹脂）
　　　７２　封止樹脂（第２封止樹脂）
　　　９０　段差部
　　９０Ａ　表面
　９０Ａａ　周辺部
　　　９１　スペーサ

Claims (13)

1. 　少なくとも１層の絶縁層と、
   　複数の導電性部材と、
   　前記絶縁層の第１表面側から見た平面視において前記第１表面と重複する位置に形成され、各々に少なくとも１つの前記導電性部材が接続される少なくとも１つのランド電極と、
   　前記絶縁層の内部または前記絶縁層における前記第１表面の裏側の第２表面に設けられ、巻回軸が前記第１表面と交差しているコイル導体と、を備え、
   　前記複数の導電性部材は、
   　前記第１表面側から見た平面視において少なくとも一部が前記コイル導体の開口部と重複する位置にある第１導電性部材と、
   　前記第１表面側から見た平面視において前記コイル導体の前記開口部から外れた位置にある第２導電性部材と、を備え、
   　前記第１表面側から見た平面視において、前記第１導電性部材の面積は前記第２導電性部材の面積より小さい配線基板。
2. 　前記第１表面側から見た平面視において、前記第１導電性部材の面積は、前記コイル導体の前記開口部の面積より小さい請求項１に記載の配線基板。
3. 　前記第１表面側から見た平面視において、前記第１導電性部材の面積は、前記第１導電性部材が接続された前記ランド電極の面積より大きい請求項１または２のいずれか１項に記載の配線基板。
4. 　前記第１表面側から見た平面視において、前記第１導電性部材が接続された前記ランド電極を囲む絶縁性の被覆部を更に備え、
   　前記第１表面側から見た平面視において、前記第１導電性部材は、前記被覆部に囲まれている請求項１から３のいずれか１項に記載の配線基板。
5. 　前記第１導電性部材が接続された前記ランド電極の表面と前記第１表面との間の距離は、前記第２導電性部材が接続された前記ランド電極の表面と前記第１表面との間の距離より長い請求項１から４のいずれか１項に記載の配線基板。
6. 　前記第１導電性部材における前記ランド電極と反対側に形成された第３導電性部材を備える請求項１から５のいずれか１項に記載の配線基板。
7. 　前記複数の導電性部材は、前記第１表面側から見た平面視において前記コイル導体の前記開口部と重複する位置に、複数の前記第１導電性部材を備える請求項１から６のいずれか１項に記載の配線基板。
8. 　前記絶縁層の前記第１表面に設けられ、前記導電性部材の一部を覆う第１封止樹脂を更に備える請求項１から７のいずれか１項に記載の配線基板。
9. 　前記絶縁層の前記第２表面に実装された少なくとも１つの電子部品を更に備える請求項１から８のいずれか１項に記載の配線基板。
10. 　前記絶縁層の前記第２表面に設けられ、前記電子部品の少なくとも一部を覆う第２封止樹脂を更に備える請求項９に記載の配線基板。
11. 　前記コイル導体は、前記絶縁層の内部に設けられ、
    　前記電子部品は、前記第２表面側から見た平面視において前記コイル導体の前記開口部から外れた位置にある請求項９または１０のいずれか１項に記載の配線基板。
12. 　複数の前記ランド電極を備え、
    　前記コイル導体は、前記絶縁層の内部に設けられ、
    　前記電子部品は、
    　前記第２表面側から見た平面視において少なくとも一部が前記コイル導体の前記開口部と重複する重複部品と、
    　前記第２表面側から見た平面視において前記コイル導体の前記開口部から外れた位置にある非重複部品と、を備え、
    　前記重複部品及び前記非重複部品の各々は、外部に露出した少なくとも１つの導電部を備え、
    　前記複数のランド電極は、
    　前記絶縁層の前記第２表面に形成され、前記第２表面側から見た平面視において前記コイル導体の前記開口部と重複する位置にあり、前記重複部品の前記導電部が接続された重複電極と、
    　前記絶縁層の前記第２表面に形成され、前記第２表面側から見た平面視において前記コイル導体の前記開口部から外れた位置にあり、前記重複部品の前記導電部のうち前記コイル導体の前記開口部から外れた位置にある前記導電部または前記非重複部品の前記導電部が接続された非重複電極と、を更に備え、
    　前記第２表面側から見た平面視において、前記重複電極に接続された前記導電部の面積は、前記非重複電極に接続された前記導電部の面積より小さい請求項９または１０のいずれか１項に記載の配線基板。
13. 　前記第２表面側から見た平面視において、前記重複電極に接続された前記導電部の面積は前記重複電極の面積より大きい請求項１２に記載の配線基板。

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