WO2022024266A1 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2022024266A1
WO2022024266A1 PCT/JP2020/029081 JP2020029081W WO2022024266A1 WO 2022024266 A1 WO2022024266 A1 WO 2022024266A1 JP 2020029081 W JP2020029081 W JP 2020029081W WO 2022024266 A1 WO2022024266 A1 WO 2022024266A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
light
color
drive signal
layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/029081
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
貴洋 土江
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to PCT/JP2020/029081 priority Critical patent/WO2022024266A1/ja
Priority to US18/014,286 priority patent/US20230255039A1/en
Publication of WO2022024266A1 publication Critical patent/WO2022024266A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G5/00—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
    • G09G5/10—Intensity circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/20—Controlling the colour of the light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/305—Frequency-control circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/06—Adjustment of display parameters
    • G09G2320/0626—Adjustment of display parameters for control of overall brightness
    • G09G2320/064—Adjustment of display parameters for control of overall brightness by time modulation of the brightness of the illumination source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Definitions

  • This disclosure relates to a light emitting device.
  • Patent Document 1 describes an organic EL (electro-) having a light emitting layer in which three layers of a sub light emitting layer that emits blue light, a sub light emitting layer that emits green light, and a sub light emitting layer that emits blue light are laminated. luminescence) elements are disclosed.
  • One aspect of the present disclosure is to suppress the number of times of patterning to obtain a light emitting layer capable of emitting light of a plurality of kinds of colors.
  • the light emitting device is provided between the anode, the cathode, the anode and the cathode, and has a peak wavelength from the first light emitting material that emits light of the first color and the light of the first color.
  • FIG. 1 is an enlarged plan view of a part of the display area 3 in the display device 1 according to the embodiment.
  • the display device 1 is an example of a light emitting device according to one aspect of the present disclosure, and is, for example, a display.
  • the light emitting device according to one aspect of the present disclosure is not limited to the display device 1, and may be any device that emits light.
  • the display device 1 has, for example, a display area (display unit) 3 which is an area for displaying an image, and a frame area (not shown) that surrounds the display area 3 in a frame shape.
  • a plurality of pixels PX are provided in a matrix in the display area 3.
  • Each of the plurality of pixels PX has a light emitting element 30 (see FIG. 3).
  • each pixel PX is configured to be capable of emitting light of various colors such as red light, green light, blue light, or a mixed color light thereof.
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of an equivalent circuit in the display device 1 according to the embodiment.
  • the display device 1 is, for example, a signal line drive circuit 4Y, a control line drive circuit 4X, a plurality of signal lines 5, a plurality of first control lines 6, a plurality of second control lines 7, a plurality of pixel circuit PCs, and a first voltage. It includes a line VD, a second voltage line VS, and a power supply unit 10.
  • the plurality of signal lines 5, the plurality of first control lines 6 and the plurality of second control lines 7 are arranged so as to intersect each other in the display area 3.
  • Each of the plurality of pixel circuit PCs is provided in the display area 3 corresponding to the intersection of the plurality of signal lines 5 and the plurality of first control lines 6 and the plurality of second control lines 7.
  • Each pixel circuit PC includes a light emitting element 30 (see FIG. 3) and a drive circuit for causing the light emitting element 30 to emit light.
  • each of the plurality of signal lines 5 is connected to the signal line drive circuit 4Y, and is also connected to each pixel circuit PC.
  • a data signal corresponding to the emission luminance of each of the plurality of pixels PX is applied to the plurality of signal lines 5 from the signal line drive circuit 4Y.
  • each of the plurality of first control lines 6 and the plurality of second control lines 7 is connected to the control line drive circuit 4X, and is also connected to each pixel circuit PC.
  • a control signal for selecting a pixel PX to be emitted from a plurality of pixel PXs is applied from the control line drive circuit 4X to the plurality of first control lines 6 and the plurality of second control lines 7.
  • the power supply unit 10 is connected to the first voltage line VD, and EL VDD, which is the power supply voltage, is applied to the first voltage line VD. Further, the power supply unit 10 controls the voltage and frequency of the drive signal supplied to the light emitting element 30 (see FIG. 3) by adjusting the power supply voltage applied to the first voltage line VD.
  • the first voltage line VD is connected to each pixel circuit PC.
  • the second voltage line VS is connected to each pixel circuit PC, and ELVSS, which is a reference voltage, is applied.
  • ELSiO the power supply voltage
  • EVSS the reference voltage
  • the power supply voltage (ELSiO) is a voltage higher than the reference voltage (ELVSS), but is not limited to this, and may be a voltage lower than the reference voltage (ELVSS).
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the display device 1 according to the embodiment.
  • FIG. 3 shows an example of the cross-sectional structure around the light emitting element 30 in the display device 1.
  • the display device 1 includes an active substrate 20, a light emitting element 30 and a bank 25 provided on the active substrate 20, and a sealing layer (not shown).
  • the active substrate 20 includes a base material, a plurality of TFTs (thin film transistors) provided on the upper layer of the base material, and various wirings.
  • the base material is made of, for example, a hard material such as glass, or a material having flexibility (flexibility).
  • the flexible material include resin materials such as PET (polyethylene terephthalate) and polyimide.
  • the bank 25 and the light emitting element 30 are provided on the active substrate 20.
  • the light emitting element 30 is configured to be capable of emitting light of different colors depending on the voltage and frequency of the applied drive signal.
  • the light emitting element 30 may be an OLED (Organic Light Emitting Diode) element or a QLED (Quantum-dot Light Emitting Diode) element having a semiconductor nanoparticle material (quantum dot material) in the light emitting layer. be.
  • the light emitting element 30 includes, for example, an anode 31, a hole transport layer 32, a light emitting layer 33, an electron transport layer 34, and a cathode 35, which are stacked in order from the active substrate 20 side.
  • the anode 31, the hole transport layer 32, the light emitting layer 33, and the electron transport layer 34 are provided in an island shape for each light emitting element 30.
  • the cathode 35 is continuously provided on the entire surface of the substrate on the electron transport layer 34 and on the bank 25.
  • the bank 25 covers the peripheral edge portion (edge portion) of the anode 31.
  • the bank 25 functions as an element separation layer for preventing color mixing between adjacent light emitting elements 30.
  • the bank 25 is an organic insulating layer made of an organic material such as a polyimide resin or an acrylic resin.
  • the bank 25 etches, for example, the hole transport layer 32, the light emitting layer 33, and the electron transport layer 34 formed so as to be continuous with each light emitting element 30 after the anode 31 is patterned in an island shape on the active substrate 20. It can be formed by filling the etched groove portion with an organic material or the like. The method of forming the bank 25 is not limited to this. Further, the display device 1 may have a configuration in which the bank 25 is omitted.
  • the anode 31 is connected to a TFT provided on the active substrate 20, and a voltage corresponding to the emission luminance of the light emitting layer 33 and a drive signal having a frequency corresponding to the emission color of the light emitting layer 33 are applied.
  • the anode 31 is, for example, a reflective electrode that reflects visible light.
  • the anode 31 includes, for example, a reflective layer containing a metallic material such as aluminum, copper, gold, or silver having a high visible light reflectance, and a transparent material such as ITO, IZO, ZnO, AZO, BZO, or GZO. It is configured as a laminated structure with a transparent layer.
  • the anode 31 may have a single-layer structure including a reflective layer.
  • a reference voltage common to each of the plurality of light emitting elements 30 is applied to the cathode 35.
  • the cathode 35 is, for example, a transparent electrode that transmits visible light.
  • the cathode 35 includes, for example, transparent materials such as ITO, IZO, ZnO, AZO, BZO, or GZO.
  • a reference voltage which is a constant voltage
  • a drive signal having a relatively high frequency is applied to the anode 31 by the power supply unit 10.
  • the drive signal is applied to each island-shaped anode 31.
  • the present invention is not limited to this, and a drive signal may be applied to the cathode 35 by the power supply unit 10, and a reference voltage which is a constant voltage may be applied to the anode 31.
  • the anode 31 is a reflective electrode and the cathode 35 is a transparent electrode.
  • the present invention is not limited to this, and the anode 31 may be a transparent electrode and the cathode 35 may be a reflective electrode.
  • the hole transport layer 32 is provided between the anode 31 and the light emitting layer 33.
  • the hole transport layer 32 transports charged holes to the light emitting layer 33, for example.
  • the mobility of holes in the hole transport layer 32 is preferably larger than, for example, 4 ⁇ 10 -3 cm 2 / Vs.
  • the hole transport layer 32 preferably contains, for example, at least one of tungsten oxide, nickel oxide, molybdenum oxide, and copper oxide.
  • inorganic materials made of metal oxides have a higher charge mobility of bulk materials, and film formation using a vacuum device or film formation by applying a solution in which particles are dispersed, etc. Since various film forming methods can be adopted, it is easy to form a film. Among these film forming methods, the metal oxide thin film produced by the vacuum vapor deposition method using a vacuum device or the sputtering method has better crystallinity than the coating method and forms a thin film having high mobility. Can be done. On the other hand, film formation by coating is easy to form a thin film with a large area and is less costly than the vacuum method, but the grain boundaries between particles and crystals limit the mobility.
  • the hole transport layer 32 is preferably an inorganic material thin film containing a metal oxide formed by a vacuum device having higher mobility.
  • the hole transport layer 32 uses tungsten oxide, molybdenum oxide, and nickel oxide, which have a wide band gap and relatively little light absorption, as a base material, and Li, Na, K, and Mg for adjusting the band level and carrier density.
  • Ca is more preferably composed of a hole transport material doped with at least one dissimilar metal ion selected from Ca.
  • the electron transport layer 34 is provided between the cathode 35 and the light emitting layer 33.
  • the electron transport layer 34 transports electrons to the light emitting layer 33, for example.
  • the electron mobility in the electron transport layer 34 is preferably larger than, for example, 4 ⁇ 10 -3 cm 2 / Vs.
  • the electron transport layer 34 is a material containing at least one of ZnO, TiO 2 , and InGaZnO (Indium Gallium Zink Oxide), or the material is selected from Li, Na, K, Mg, and Ca. It preferably contains a material doped with at least one metal ion to be plated.
  • the electron transport layer 34 is formed by a high mobility electron transport material containing ZnO, TiO 2 , or InGaZnO by a coating method, vapor deposition, sputtering, CVD, or the like. Further, in order to adjust the band level and the carrier density, it is more preferable that the electron transport layer 34 contains an electron transport material doped with dissimilar metal ions.
  • another layer such as a hole injection layer may be provided between the anode 31 and the hole transport layer 32.
  • another layer such as an electron injection layer may be provided between the cathode 35 and the electron transport layer 34.
  • the light emitting layer 33 is provided between the anode 31 and the cathode 35. Specifically, in the present embodiment, the light emitting layer 33 is provided between the hole transport layer 32 and the electron transport layer 34.
  • the light emitting layer 33 emits visible light based on, for example, the holes injected from the hole transport layer 32 and the electrons injected from the electron transport layer 34.
  • the light emitting layer 33 emits any one of red light, green light, and blue light, or a mixed color light thereof (for example, white light).
  • the light emitting layer 33 includes a first light emitting material that emits light of the first color and a second light emitting material that emits light of a second color having a peak wavelength longer than that of the light of the first color, and the first light emitting material and the second light emitting material. At least one of the luminescent materials is a quantum dot. Of the first light emitting material and the second light emitting material, the light emitting material that is not a quantum dot is, for example, an organic EL material.
  • the light emitting layer 33 emits a blue light emitting material (first light emitting material) that emits blue light (first color light) and green light that emits green light (second color light) having a peak wavelength longer than that of blue light.
  • first light emitting material blue light emitting material
  • green light green light having a peak wavelength longer than that of blue light
  • a light emitting material (second light emitting material) and a red light emitting material (third light emitting material) that emits red light (third color light) having a peak wavelength longer than that of green light are included.
  • the red light refers to light having a wavelength band of a peak wavelength of, for example, larger than 600 nm and 780 nm or less.
  • the green light refers to light having a wavelength band of a peak wavelength of, for example, larger than 500 nm and 600 nm or less.
  • the blue light refers to light having a wavelength band of a peak wavelength of, for example, 400 nm or more and 500 nm or less.
  • the emission color of the light emitting material contained in the light emitting layer 33 is not limited to blue, green and red, and may be at least two different colors.
  • the blue light emitting material (first light emitting material), the green light emitting material (second light emitting material), and the red light emitting material (third light emitting material) emit light emission whose light emission is reduced by high frequency driving.
  • the falling frequencies are constructed using materials that are different from each other.
  • the emission fall frequency at which light emission starts is higher in the green light emitting material (second light emitting material) than in the red light emitting material (third light emitting material), and the green light emitting material (second light emitting material). ) Is higher in the blue light emitting material (first light emitting material).
  • each of the blue light emitting material (first light emitting material), the green light emitting material (second light emitting material), and the red light emitting material (third light emitting material) is composed of quantum dots containing the same material. Then.
  • the blue light emitting material emits blue light by making the average grain diameter of the quantum dots the smallest, and the green light emitting material makes the average grain diameter of the quantum dots larger than that of the blue light emitting material. This causes green light to be emitted, and the red light emitting material can emit red light by making the average grain diameter of the quantum dots larger than that of the green light emitting material.
  • the light emitting fall frequency at which the light emission is reduced by high frequency driving is higher in the green light emitting material than in the red light emitting material, and the green light emitting material.
  • the frequency of the blue light emitting material is higher than that of the blue light emitting material.
  • the energy level that correlates with the emission start voltage which is the voltage at which light emission starts, is also larger for the green light emitting material than for the red light emitting material, and for the blue light emitting material than for the green light emitting material.
  • the light emitting layer 33 can be formed by a coating method or the like using, for example, a mixed solution of toluene or the like containing a blue light emitting material, a green light emitting material, and a red light emitting material.
  • the blue-emitting material, the green-emitting material, and the red-emitting material may be quantum dots or organic EL (electro-luminescence) materials.
  • Quantum dots include, for example, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, InN, InP, InAs, InSb, AlP, AlS, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, PbS, PbSe, or any of them. You can choose from a combination of materials.
  • the organic EL material for example, a polymer-based material that is soluble in a dispersion solvent can be used.
  • the blue light emitting material contained in the light emitting layer 33 is preferably quantum dots having good luminous efficiency.
  • the blue light emitting material is a quantum dot 33b.
  • the quantum dot 33b is preferably a core-shell structure, for example, in which a core and a shell are provided around the core, that is, a so-called core-shell structure improves the luminous efficiency of the core.
  • the core has a CdSe XS 1-X (where 0 ⁇ x ⁇ 1) and a ZnSey S 1-y (where 0 ⁇ y ⁇ 1), which have good luminous efficiency.
  • the shell contains at least one of ZnS, SiO 2 , and Al 2 O 3 .
  • the shell preferably contains ZnS.
  • the green light emitting material contained in the light emitting layer 33 is preferably quantum dots having good luminous efficiency.
  • the green light emitting material is 33 g of quantum dots.
  • the quantum dots 33g preferably have, for example, a core and a so-called core-shell structure in which a shell is provided around the core.
  • the core contains either CdSe XS 1-X ( however, 0 ⁇ x ⁇ 1) or InP having good luminous efficiency
  • the shell contains ZnS or SiO 2 .
  • Al 2 O 3 is preferably contained.
  • the shell preferably contains ZnS.
  • the red light emitting material contained in the light emitting layer 33 may be a material having a longer fluorescence life than the blue light emitting material and the green light emitting material, and may be a quantum dot or an organic EL material.
  • the red light emitting material is a quantum dot 33r.
  • the quantum dots 33r preferably have, for example, a core and a so-called core-shell structure in which a shell is provided around the core.
  • the core contains either CdSe X Te 1-X (however, 0 ⁇ x ⁇ 1) or InP having good luminous efficiency, and the shell contains ZnS or SiO 2 .
  • Al 2 O 3 is preferably contained.
  • the shell preferably contains ZnS.
  • the quantum dots 33b, the quantum dots 33g, and the quantum dots 33r included in the light emitting layer 33 have different voltages and frequencies required for emitting light, respectively. Therefore, in the display device 1 according to the present embodiment, by applying a drive signal having a voltage and a frequency corresponding to each of the quantum dots 33b, the quantum dots 33g, and the quantum dots 33r to the light emitting element 30, light of different colors can be obtained. It is possible to emit a certain monochromatic light of blue light, green light, and red light.
  • At least one of the blue light emitting material, the green light emitting material, and the red light emitting material contained in the light emitting layer 33 is a quantum dot, and the light emitting material other than the quantum dot may be an organic EL material.
  • the fluorescence lifetime of quantum dots is on the order of nanoseconds
  • organic EL materials have a fluorescence lifetime on the order of microseconds to milliseconds. Therefore, at least one of the blue light emitting material, the green light emitting material, and the red light emitting material contained in the light emitting layer 33 (for example, the blue light emitting material) is composed of the quantum dots 33b, and at least one other type (for example, red light emitting material) is formed.
  • the organic EL material As the material), it is possible to secure a wide frequency band of the drive signal applied to the light emitting layer 33, which is necessary for emitting each of the blue light, the green light, and the red light. This makes it possible to improve the color purity of the emission color of the light emitting layer 33.
  • the blue light emitting material, the green light emitting material, and the red light emitting material contained in the light emitting layer 33 may be all three types of quantum dots. .. Quantum dots have a higher monochromatic color purity than organic EL materials, so by configuring all three types with quantum dots, the coverage of BT2020 can be improved compared to the case where at least one type is composed of organic EL materials. Can be improved.
  • the stacking order of the light emitting elements 30 is not limited to the above-mentioned order.
  • the anode 31 may be the cathode
  • the hole transport layer 32 may be the electron injection layer
  • the electron transport layer 34 may be the hole injection layer
  • the cathode 35 may be the anode.
  • the anode 31 may be a transparent electrode and the cathode 35 may be a reflective electrode.
  • the light emitting layer 33 included in the light emitting element 30 is larger than the quantum dots 33b (first light emitting material) that emits blue light (first light) and blue light. Includes a quantum dot 33g (second light emitting material) that emits green light (second light) having a long peak wavelength, and a quantum dot 33r (third light emitting material) that emits green light having a longer peak wavelength than green light. Then, the power supply unit 10 included in the display device 1 controls, for example, the frequency of the drive signal applied to the anode 31 according to the blue light, the green light, and the red light emitted from the light emitting layer 33. This eliminates the need to pattern the three light emitting layers that emit light of different colors in order to obtain blue light, green light, and red light, respectively.
  • the light emitting layer 33 may be painted separately for each light emitting element 30. You don't have to. Therefore, the manufacturing process can be reduced as compared with the case where the light emitting layer is painted separately for each light emitting color. As a result, the manufacturing cost of the display device 1 can be suppressed.
  • each light emitting layer 33 containing the same light emitting material can be provided for each adjacent light emitting element 30. Therefore, each light emitting layer 33 may not be patterned in an island shape for each light emitting element 30, but may be formed as a continuous layer common to each light emitting element 30.
  • the hole transport layer 32 and the electron transport layer 34 may not be patterned in an island shape for each light emitting element 30, but may be formed as a continuous layer common to each light emitting element 30.
  • the light emitting layer 33 includes quantum dots 33b (first light emitting material) that emits blue light (first light) and green light (second light) having a peak wavelength longer than that of blue light.
  • quantum dots 33b first light emitting material
  • the quantum dot 33g second light emitting material
  • the quantum dot 33r third light emitting material
  • the light emitting layer 33 is any two. It may contain a light emitting material that emits light of color. In this case, the light emitting material that emits the light of the remaining one color may be contained in the light emitting layer of the light emitting element adjacent to the light emitting element 30 including the light emitting layer 33.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of a drive signal supplied to the light emitting element 30 for emitting blue light according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of a drive signal supplied to the light emitting element 30 for emitting green light according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of a drive signal supplied to the light emitting element 30 for emitting red light according to the embodiment.
  • the plurality of light emitting elements 30 included in the display device 1 include a light emitting element 30 for emitting blue light, a light emitting element 30 for emitting green light, and a light emitting element 30 for emitting red light.
  • a light emitting element 30 for emitting blue light a light emitting element 30 for emitting blue light
  • a light emitting element 30 for emitting green light a light emitting element 30 for emitting red light.
  • a square wave drive signal having a relatively high frequency and a high voltage is applied to the light emitting element 30 for emitting blue light by the power supply unit 10.
  • the light emitting element 30 for emitting green light has a lower frequency than the drive signal applied to the light emitting element 30 for emitting blue light by the power supply unit 10.
  • a drive signal, which is a square wave with a low voltage is applied.
  • the light emitting element 30 for emitting red light has a lower frequency than the drive signal applied to the light emitting element 30 for emitting green light by the power supply unit 10.
  • a drive signal, which is a square wave with a low voltage is applied.
  • a direct current drive signal may be applied to the light emitting element 30 for emitting red light by the power supply unit 10 instead of a square wave.
  • the drive signal applied to each of the light emitting elements 30 By making the voltage and frequency different, it is possible to obtain a desired emission color for each light emitting element 30. This will be described in more detail below.
  • FIG. 7 is a diagram showing a state of the drive signal applied to the light emitting element 30 according to the embodiment and the light emission luminance due to the light emitting material contained in the light emitting layer 33.
  • the drive signal S1 is a drive signal applied to the light emitting element 30 by the power supply unit 10.
  • a drive signal S1 having a frequency and a voltage for emitting blue light, green light, or red light is applied to the light emitting element 30, the quantum dots 33b and the quantum dots 33g in the light emitting layer 33 are applied according to the drive signal S1.
  • the emission brightness L1 emitted by the quantum dot 33r changes.
  • the quantum dots 33b and the quantum in the light emitting layer 33 The emission rise time T1 is defined as the time t2 at which the dots 33g or the quantum dots 33r start emitting light.
  • the emission luminance L1 of the quantum dots 33b, the quantum dots 33g, or the quantum dots 33r in the light emitting layer 33 also rises. Further, when the drive signal S1 falls, the emission luminance of the quantum dots 33b, the quantum dots 33g, or the quantum dots 33r in the light emitting layer 33 also decreases.
  • the emission attenuation of the light emitting element is determined by the RC time constant (proportional to 2 ⁇ RC) of the light emitting element when R (resistance) and C (capacity) of the light emitting element are large.
  • the emission attenuation of the light emitting element is slow, when a high frequency drive signal is applied, the emission brightness is increased by the next on-level drive signal before the emission brightness is sufficiently reduced. As a result, the light emitting element may not be able to control the light emission brightness as desired.
  • R (resistance) and C (capacity) are configured to be infinitely small.
  • the speed of emission attenuation of the light emitting element 30 is not the emission attenuation due to the RC time constant (indicated by the two-dot chain line in FIG. 7), but the quantum dots 33b, the quantum dots 33g, and the quantum dots 33r, respectively. It is determined by the fluorescence lifetime of (described later with reference to FIG. 8).
  • the power supply unit 10 applies a drive signal having a frequency corresponding to the fluorescence lifetime of each of the quantum dots 33b, the quantum dots 33g, and the quantum dots 33r to the light emitting element 30, thereby causing blue light, green light, and red light. Of these, light of a desired color can be emitted.
  • the emission rise time T1 (FIG. 7) of the quantum dot 33b is preferably shorter than the fluorescence lifetime of the quantum dot 33b.
  • the emission rise time T1 (FIG. 7) of the quantum dots 33g is preferably shorter than the fluorescence lifetime of the quantum dots 33g.
  • the emission rise time T1 (FIG. 7) of the quantum dot 33r is preferably shorter than the fluorescence lifetime of the quantum dot 33r.
  • the emission rise time T1 is preferably shorter than 1 ns.
  • the emission color of the light emitting layer 33 containing the quantum dots 33b, the quantum dots 33g, and the quantum dots 33r that emit light of different kinds of colors can be controlled more accurately to a desired color.
  • the emission rise times T1 of the quantum dots 33b, 33g, and 33r are shorter than the fluorescence lifetime, the emission rise times T1 of the quantum dots 33b, 33g, and 33r are injected into the light emitting layer 33 from the anode 31 and the cathode 35, respectively. It depends on the charge mobility of the charged charge. Further, the emission rise time T1 of each of the quantum dots 33b, 33g, and 33r is mainly determined according to the charge mobility of each of the electron transport layer 34 and the hole transport layer 32.
  • the charge mobility from the anode 31 and the cathode 35 to the light emitting layer 33 is larger than 10-3 cm 2 / V ⁇ s and smaller than 10 2 cm 2 / V ⁇ s. preferable. Further, in the present embodiment, it is preferable that the electron mobility in the electron transport layer 34 is larger than 4 ⁇ 10 -3 cm 2 / Vs. Further, in the present embodiment, the mobility of holes in the hole transport layer 32 is preferably larger than 4 ⁇ 10 -3 cm 2 / Vs.
  • the charge mobility is determined by sandwiching the electron transport layer and the light emitting layer with an electron-only device (EOD) in which a metal thin film having a small work function such as aluminum is sandwiched, or a hole transport layer sandwiched between a metal thin film having a large work function such as gold. It is calculated from the impedance spectroscopic measurement of the hole-only device (HOD). If it is a single thin film instead of a laminated film, a thin film transistor (TFT) is used as a method for measuring the mobility in the horizontal direction with respect to the substrate based on the assumption that the charge mobility in the thin film is isotropic. Since there is a method of calculating the field effect mobility or the effective mobility, and the Time of Thin (ToF) method of measuring the response time to the laser excitation, the measurement may be performed using these methods.
  • EOD electron-only device
  • the emission rise time T1 of each of the quantum dots 33b, 33g, 33r can be made shorter than the fluorescence lifetime of each of the quantum dots 33b, 33g, 33r. That is, the emission rise time T1 of each of the quantum dots 33b, 33g, and 33r can be sufficiently shortened, and the emission layer 33 can be made to emit light in a desired color at a sufficiently high frequency.
  • the emission luminance L1 rises, and the light emitting layer containing the quantum dots 33b, the quantum dots 33g, and the quantum dots 33r that emit light of different colors.
  • the emission color of 33 can be controlled to a desired color.
  • the charge mobility in the light emitting layer 33 is 10-3 cm 2 / V ⁇ s
  • an example of the thickness of the light emitting layer 33 is 20 nm
  • an example of the voltage of the drive signal is 4 V.
  • the charge mobility of each of the electron transport layer 34 and the hole transport layer 32 is 4 ⁇ 10 -3 cm 2 / Vs
  • an example of the thickness of each is 40 nm
  • an example of the voltage of the drive signal is 4 V. ..
  • FIG. 8 is a diagram illustrating the fluorescence lifetimes of each of the quantum dots 33b, 33g, and 33r according to the embodiment.
  • the fluorescence lifetime of the green light emitted by the quantum dots 33g is longer than the fluorescence lifetime of the blue light emitted by the quantum dots 33b. Further, the fluorescence lifetime of the red light emitted by the quantum dots 33r is longer than the fluorescence lifetime of the green light emitted by the quantum dots 33g.
  • the quantum dots 33b, the quantum dots 33g, and the quantum dots 33r The fall time of each emission brightness (emission intensity) is determined not by the emission attenuation due to the RC time constant but by the fluorescence lifetime.
  • the organic light emitting material has a fluorescence lifetime longer than that of the quantum dots by several orders of magnitude. Become.
  • each of the quantum dots 33b, 33g, and 33r are proportional to the reciprocal of their respective fluorescence lifetimes. That is, when the fluorescence lifetimes of the quantum dots 33b, 33g, and 33r are larger than the RC time constant of the light emitting element 30, the fluorescence lifetimes of the quantum dots 33b, 33g, and 33r have a correlation with their respective frequency characteristics. Therefore, a desired emission color can be obtained by changing the frequency of the drive signal applied to the light emitting element 30.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating the relationship between the voltage of the drive signal applied to the light emitting layer 33 of the light emitting element 30 according to the embodiment and the light emitting intensity.
  • the horizontal axis represents the voltage of the drive signal applied to the light emitting layer 33
  • the vertical axis represents the emission brightness of each of the quantum dots 33b, the quantum dots 33g, and the quantum dots 33r contained in the light emitting layer 33. ing.
  • the quantum dots 33r start to emit red light
  • the quantum dots 33g start to emit green light
  • the quantum dots 33b begin to emit blue light.
  • the quantum dots 33g start emitting green light, so that the red light having high emission brightness is gradually green.
  • the light may be mixed.
  • the quantum dots 33g when the quantum dots 33g emit green light, the quantum dots 33b start emitting blue light, so that the green light having high emission brightness gradually becomes blue light. May be mixed.
  • FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the color mixing ratio of red light and green light, the color mixing ratio of green light and blue light, and the coverage rate of BT2020 according to the embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a coverage rate for BT2020 according to the embodiment.
  • the triangle shown by the broken line represents the color gamut of BT2020.
  • the triangle shown by the alternate long and short dash line represents the color gamut when the color mixing ratio of green light to red light and the color mixing ratio of blue light to green light are 0.4% in terms of energy ratio. ..
  • the voltage range of the drive signal applied to the light emitting layer 33 is converted into an energy ratio by the color mixing ratio of green light to red light and the color mixing ratio of blue light to green light. It is preferable to control it so that it is within 0.4%.
  • green light is 100 cd / m 2 and blue light is 0.
  • It is preferable to control the voltage range of the drive signal applied to the light emitting layer 33 so as to be 3 cd / m 2 (B / G 0.003) (however, calculated by the peak luminosity factor).
  • the color gamut of the emission color of the light emitting layer 33 can be covered by 90% or more with respect to the color gamut of BT2020. That is, it is possible to obtain a light emitting element 30 having a wide color gamut of the light emitting color.
  • the voltage range of the drive signal for obtaining red light which is monochromatic light is 1.7 V or more and less than 4.0 V, and monochromatic light.
  • the voltage range for obtaining green light is 3.2 V or more and 3.9 V or less, and the voltage range for obtaining blue light which is monochromatic light is 4.0 V or more.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating the relationship between the frequency of the drive signal applied to the light emitting layer 33 of the light emitting element 30 according to the embodiment and the light emitting intensity.
  • the horizontal axis represents the frequency of the drive signal applied to the light emitting layer 33
  • the vertical axis represents the emission intensity of each of the quantum dots 33b, the quantum dots 33g, and the quantum dots 33r contained in the light emitting layer 33. ing.
  • the fluorescence lifetimes of the quantum dots 33r, 33g, and 33b contained in the light emitting layer 33 are the longest for the quantum dots 33r, the longest for the quantum dots 33g next to the quantum dots 33r, and next to the quantum dots 33r. It is assumed that the quantum dots 33b are long (the quantum dots 33b are the shortest). Further, as described above, the frequency characteristics of the quantum dots 33b, 33g, and 33r are proportional to the reciprocal of the fluorescence lifetime of each.
  • the frequency of the drive signal which is the voltage at which all the quantum dots 33r, 33g, and 33b emit light
  • the fluorescence lifetime increases from the longest to the shortest as the frequency increases.
  • the emission intensity decreases in the order of red light, green light, and blue light (emission decreases).
  • the frequency band Fr is the frequency band of the drive signal for obtaining red light which is monochromatic light
  • the frequency band Fg is the frequency band of the drive signal for obtaining green light which is monochromatic light
  • Fb is a frequency band of a drive signal for obtaining blue light which is monochromatic light.
  • the frequency band Fr is the lowest
  • the frequency band Fg is the lowest next to the frequency band Fr
  • the frequency band Fb is the lowest next to the frequency band Fg (the frequency band Fb is the highest).
  • red light may be mixed with green light depending on the fluorescence lifetime of the quantum dots 33r.
  • green light may be mixed with blue light depending on the fluorescence lifetime of the quantum dots 33 g.
  • FIG. 13 is a diagram showing the relationship between the color mixing ratio of red light and green light, the color mixing ratio of green light and blue light, and the coverage rate of BT2020 according to the embodiment.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a coverage rate for BT2020.
  • the triangle shown by the broken line represents the color gamut of BT2020.
  • the triangle shown by the alternate long and short dash line represents the color gamut when the color mixing ratio of green light to red light and the color mixing ratio of blue light to green light are 0.7% in terms of energy ratio. ..
  • the frequency band of the drive signal applied to the light emitting layer 33 is converted into an energy ratio by the color mixing ratio of red light to green light and the color mixing ratio of green light to blue light. It is preferable to control it so that it is within 0.7%.
  • green light is 100 cd / m 2 and red light is 0.003 cdm 2
  • blue light is 100 cd / m 2 and green light is 0.8 cd / m 2 .
  • it is preferable to control the frequency of the drive signal applied to the light emitting layer 33 (calculated by the peak luminance sensitivity).
  • the color gamut of the emission color of the light emitting layer 33 can be covered by 90% or more with respect to the color gamut of BT2020. That is, it is possible to obtain a light emitting element 30 having a wide color gamut of the light emitting color.
  • the frequency band Fr of the drive signal for obtaining red light which is monochromatic light is 0 (DC) or more and less than 150 kHz.
  • the frequency band Fg for obtaining green light which is monochromatic light is 150 kHz or more and less than 140 MHz, and the frequency band Fb for obtaining blue light which is monochromatic light is 140 MHz or more.
  • a square wave having a frequency of 140 MHz or more and 4.0 V or more is applied as a drive signal applied to the light emitting layer 33 to emit green light.
  • a square wave having a frequency of 150 kHz or more and less than 140 MHz and 3.3 V or more and 3.9 V or less is applied as a drive signal
  • red light is emitted
  • a frequency of 0 or more and 150 kHz is applied as a drive signal.
  • a square wave that is less than 1.7V and is 1.7V or more and 4.0V or less is applied.
  • a light emitting element 30 having a color gamut with a BT2020 coverage of 90% or more can be obtained.
  • FIG. 15 is a diagram showing an example of a drive signal when driving the light emitting element 30 by a field sequential method according to a modified example of the embodiment.
  • the display device 1 according to the present embodiment may drive the light emitting element 30 by a field sequential method (color time division method).
  • one frame time for causing one light emitting element 30 (one pixel PX) to emit light is divided into a red light emission time, a green light emission time, and a blue light emission time.
  • a drive signal which is a frequency and a voltage for emitting the red light is applied to the light emitting element 30 during the emission time of the red light, and the frequency and the voltage for emitting the green light are applied during the emission time of the green light.
  • a certain drive signal is applied, and a drive signal having a frequency and a voltage for emitting blue light is applied to the emission time of blue light.
  • the light emitting element 30 sequentially emits red light, green light, and blue light within one frame time.
  • the power supply unit 10 sequentially emits a drive signal for emitting red light, a drive signal for emitting green light, and a drive signal for emitting blue light within about 8 ms. Apply to 30.
  • each light emitting element 30 can emit light of any color.
  • the drive signal for emitting red light, green light, and blue light in one frame time.
  • the light of any color may be emitted by controlling the ratio of the time length of.
  • Display device light emitting device
  • 3 Display area display unit
  • 4X control line drive circuit 4Y signal line drive circuit
  • 5 signal line 6 1st control line
  • 7 2nd control line 10 power supply unit
  • 20 active Substrate 30 light emitting elements, 31 anodes, 32 hole transport layers, 33 light emitting layers, 33b / 33g / 33r quantum dots, 34 electron transport layers, 35 cathodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

発光装置は、陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に設けられ、第１色の光を発光する第１発光材料および前記第１色の光よりピーク波長が長い第２色の光を発光する第２発光材料を含み、前記第１発光材料および前記第２発光材料のうち少なくとも一方は量子ドットである発光層と、前記陽極および前記陰極間に印加する電圧の周波数を、前記第１色の光および前記第２色の光に応じて制御する電源部と、を備える。

Description

発光装置
　本開示は、発光装置に関する。
　特許文献１には、青色光を発光するサブ発光層、緑色光を発光するサブ発光層、および、青色光を発光するサブ発光層の３層が積層された発光層を有する有機ＥＬ（electro-luminescence）素子が開示されている。
特開２０１６－０５１８４５号公報
　特許文献１に開示された有機ＥＬ素子によると、青色、緑色、および、赤色それぞれの光を得るために、３層のサブ発光層を積層する必要がある。しかし、製造コストを抑制する観点から、複数種類の色の光の発光が可能な発光層をパターニングする回数を減らすことが要求されている。本開示の一態様は、パターニングする回数を抑制して、複数種類の色の光の発光が可能な発光層を得る。
　本開示の一態様に係る発光装置は、陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に設けられ、第１色の光を発光する第１発光材料および前記第１色の光よりピーク波長が長い第２色の光を発光する第２発光材料を含み、前記第１発光材料および前記第２発光材料のうち少なくとも一方は量子ドットである発光層と、前記陽極および前記陰極間に印加する電圧の周波数を、前記第１色の光および前記第２色の光に応じて制御する電源部と、を備える。
実施形態に係る表示装置における表示領域の一部を拡大した平面図である。 実施形態に係る表示装置における等価回路の一例を示す図である。 実施形態に係る表示装置の断面図である。 実施形態に係る、青色光を発光するための発光素子に供給される駆動信号の一例を示す図である。 実施形態に係る、緑色光を発光するための発光素子に供給される駆動信号の一例を示す図である。 実施形態に係る、赤色光を発光するための発光素子に供給される駆動信号の一例を示す図である。 実施形態に係る発光素子に印加される駆動信号と発光輝度の様子を表す図である。 実施形態に係る量子ドットの蛍光寿命を説明する図である。 実施形態に係る発光素子の発光層に印加される駆動信号の電圧と発光強度との関係を説明する図である。 実施形態に係る、赤色光および緑色光の混色比率と、緑色光および青色光の混色比率と、ＢＴ２０２０のカバー率との関係を表す図である。 実施形態に係る、ＢＴ２０２０に対するカバー率を説明する図である。 実施形態に係る発光素子の発光層に印加される駆動信号の周波数と発光強度との関係を説明する図である。 実施形態に係る、赤色光および緑色光の混色比率と、緑色光および青色光の混色比率と、ＢＴ２０２０のカバー率との関係を表す図である。 実施形態に係る、ＢＴ２０２０に対するカバー率を説明する図である。 実施形態の変形例に係る、フィールドシーケンシャル方式にて発光素子を駆動する際の駆動信号の一例を示す図である。
　〔実施形態〕
　図１は、実施形態に係る表示装置１における表示領域３の一部を拡大した平面図である。表示装置１は、本開示の一態様に係る発光装置の一例であり、例えば、ディスプレイである。なお、本開示の一態様に係る発光装置は、表示装置１に限らず、光を発光する装置であればよい。
　表示装置１は、例えば、画像を表示する領域である表示領域（表示部）３と、表示領域３を枠状に囲む額縁領域（不図示）とを有する。表示領域３には、複数の画素ＰＸがマトリクス状に設けられている。複数の画素ＰＸそれぞれは、発光素子３０（図３参照）を有する。本実施形態では、後述するように、各画素ＰＸは、赤色光、緑色光、青色光、または、それらの混色光など、種々の色の光を発光することが可能な構成となっている。
　図２は、実施形態に係る表示装置１における等価回路の一例を示す図である。表示装置１は、例えば、信号線駆動回路４Ｙ、制御線駆動回路４Ｘ、複数の信号線５、複数の第１制御線６、複数の第２制御線７、複数の画素回路ＰＣ、第１電圧線ＶＤ、第２電圧線ＶＳ、および、電源部１０を備えている。
　複数の信号線５と、複数の第１制御線６および複数の第２制御線７とは、表示領域３内において互いに交差するように配置されている。複数の画素回路ＰＣそれぞれは、表示領域３内であって、複数の信号線５と、複数の第１制御線６および複数の第２制御線７との交差点に対応して設けられている。
　信号線駆動回路４Ｙ、および、制御線駆動回路４Ｘは、互いに連携して各画素回路ＰＣを駆動させる。各画素回路ＰＣは、発光素子３０（図３参照）と、発光素子３０を発光させる駆動回路とを含む。
　複数の信号線５は、それぞれ、一端が信号線駆動回路４Ｙと接続されており、また、各画素回路ＰＣと接続されている。複数の信号線５には、信号線駆動回路４Ｙから、複数の画素ＰＸそれぞれの発光輝度に対応したデータ信号が印加される。
　複数の第１制御線６および複数の第２制御線７は、それぞれ、一端が制御線駆動回路４Ｘと接続されており、また、各画素回路ＰＣと接続されている。複数の第１制御線６および複数の第２制御線７には、制御線駆動回路４Ｘから、複数の画素ＰＸのうち発光させる画素ＰＸを選択するための制御信号が印加される。
　電源部１０は、第１電圧線ＶＤと接続されており、第１電圧線ＶＤに電源電圧であるＥＬＶＤＤを印加する。また、電源部１０は、第１電圧線ＶＤに印加する電源電圧を調整することにより、発光素子３０（図３参照）に供給される駆動信号の電圧および周波数を制御する。
　第１電圧線ＶＤは、各画素回路ＰＣと接続されている。第２電圧線ＶＳは各画素回路ＰＣと接続されており、基準電圧であるＥＬＶＳＳが印加されている。例えば、電源電圧（ＥＬＶＤＤ）は、基準電圧（ＥＬＶＳＳ）よりも高い電圧であるが、これに限らず、基準電圧（ＥＬＶＳＳ）よりも低い電圧であってもよい。
　図３は、実施形態に係る表示装置１の断面図である。図３では、表示装置１における、発光素子３０の周辺の断面構造の一例を表している。表示装置１は、アクティブ基板２０と、アクティブ基板２０上に設けられた発光素子３０およびバンク２５と、図示しない封止層とを備えている。
　アクティブ基板２０は、基材と、基材の上層に設けられた複数のＴＦＴ（thin film transistor）および各種配線とを含む。基材は、例えば、ガラスなどのような硬質の材料、または、フレキシブル性（可撓性）を有する材料などにより構成されている。フレキシブル性を有する材料としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）またはポリイミドなどの樹脂材料を挙げることができる。
　バンク２５および発光素子３０は、アクティブ基板２０上に設けられている。発光素子３０は、印加される駆動信号の電圧および周波数に応じて異なる色の光を発光可能な構成となっている。例えば、発光素子３０は、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode:有機発光ダイオード）素子、または、発光層に半導体ナノ粒子材料（量子ドット材料）を備えた、ＱＬＥＤ（Quantum-dot Light Emitting Diode）素子などである。
　発光素子３０は、例えば、アクティブ基板２０側から順に積層された、陽極３１、正孔輸送層３２、発光層３３、電子輸送層３４および陰極３５を含む。例えば、陽極３１、正孔輸送層３２、発光層３３、電子輸送層３４は、発光素子３０毎に島状に設けられている。例えば、陰極３５は、電子輸送層３４上およびバンク２５上に連続して基板全面に設けられている。
　バンク２５は、陽極３１の周縁部（エッジ部）を覆う。バンク２５を、隣接する発光素子３０間に設けることで、隣接する発光素子３０間の漏れ電界による混色を抑制することができる。すなわち、バンク２５は、隣接する発光素子３０同士の混色を防止する素子分離層として機能する。例えば、バンク２５は、ポリイミド樹脂、または、アクリル樹脂などの有機材料により構成された有機絶縁層である。
　バンク２５は、例えば、アクティブ基板２０上に陽極３１が島状にパターニングされた後に各発光素子３０に連続するように形成された正孔輸送層３２、発光層３３、および電子輸送層３４をエッチングし、当該エッチングされた溝部分に有機材料を充填することなどにより形成することができる。なお、バンク２５の形成方法は、これに限らない。また、表示装置１はバンク２５を省略した構成であってもよい。
　陽極３１は、アクティブ基板２０に設けられたＴＦＴと接続されており、発光層３３の発光輝度に応じた電圧、および、発光層３３の発光色に応じた周波数の駆動信号が印加される。陽極３１は、例えば、可視光を反射する反射電極である。陽極３１は、例えば、可視光の反射率の高いアルミニウム、銅、金、または銀などの金属材料を含む反射層と、透明材料であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＢＺＯ、またはＧＺＯなどを含む透明層との積層構造として構成されている。なお、陽極３１は反射層を含む単層構造であってもよい。
　陰極３５は、例えば、複数の発光素子３０それぞれに共通する基準電圧が印加される。陰極３５は、例えば、可視光を透過する透明電極である。陰極３５は、例えば、透明材料であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＢＺＯ、またはＧＺＯなどを含む。
　なお、本実施形態では、陰極３５には定電圧である基準電圧が印加され、陽極３１には比較的高周波数である駆動信号が、電源部１０によって印加されるものとして説明する。当該駆動信号は島状の陽極３１毎に印加される。ただし、これに限らず、陰極３５に駆動信号が電源部１０によって印加され、陽極３１に定電圧である基準電圧が印加されてもよい。
　また、本実施形態では、陽極３１が反射電極であり、陰極３５が透明電極であるものとして説明する。しかし、これに限らず、陽極３１が透明電極であり、陰極３５が反射電極であってもよい。
　正孔輸送層３２は、陽極３１と発光層３３との間に設けられている。正孔輸送層３２は、例えば、電荷である正孔を発光層３３へ輸送する。本実施形態では、発光素子３０は比較的高周波数で駆動されるため、正孔輸送層３２における正孔の移動度は、例えば、４×１０－３ｃｍ２／Ｖｓよりも大きいことが好ましい。正孔輸送層３２は、例えば、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化モリブデン、酸化銅のうち少なくとも１種を含有することが好ましい。
　ここで、有機材料と比べて、金属酸化物からなる無機材料は、バルク材料の電荷移動度が高く、また、真空装置を用いて成膜や、粒子を分散させた溶液の塗布による成膜など種々の成膜方法を採りえるため成膜しやすい。これらの成膜方法のうち、真空装置を用いた真空蒸着法やスパッタ法により作製される金属酸化物の薄膜は、塗布法と比較して結晶性がよく、高移動度の薄膜を形成することが出来る。一方で、塗布による成膜は大面積の薄膜作製が容易であり、真空法に比べ低コストであるが、粒子間、結晶間の粒界が移動度を制限する。このため、正孔輸送層３２は、より移動度の高い真空装置により成膜した金属酸化物を含む無機材料薄膜であることが好ましい。特に、正孔輸送層３２は、ワイドバンドギャップで光吸収が比較的少ない酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケルを母材として、バンド準位及びキャリア密度の調整の為、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａから選択される少なくとも１種の異種金属イオンをドープした正孔輸送材料により構成されていることがより好ましい。
　電子輸送層３４は、陰極３５と発光層３３との間に設けられている。電子輸送層３４は、例えば、電子を発光層３３へ輸送する。本実施形態では、発光素子３０は比較的高周波数で駆動されるため、電子輸送層３４における電子の移動度は、例えば、４×１０－３ｃｍ２／Ｖｓよりも大きいことが好ましい。電子輸送層３４は、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＩｎＧａＺｎＯ（酸化インジウムガリウム亜鉛：Indium Gallium Zink Oxide）のうち少なくとも１種を含有する材料、または、前記材料に、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａから選択される少なくとも１種の金属イオンがドーピングされた材料を含むことが好ましい。
　例えば、電子輸送層３４は、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、または、ＩｎＧａＺｎＯを含む高移動度の電子輸送材料を塗布法、蒸着、スパッタ、または、ＣＶＤ等により形成する。また、バンド準位およびキャリア密度の調整のため、電子輸送層３４は、異種金属イオンをドープした電子輸送材料を含むことがより好ましい。
　なお、陽極３１と正孔輸送層３２との間に正孔注入層などの他の層が設けられていてもよい。また、陰極３５と電子輸送層３４との間に電子注入層などの他の層が設けられていてもよい。
　発光層３３は、陽極３１と陰極３５との間に設けられている。具体的には、本実施形態では、発光層３３は、正孔輸送層３２と電子輸送層３４との間に設けられている。発光層３３は、例えば、正孔輸送層３２から注入された正孔と、電子輸送層３４から注入された電子とに基づいて可視光を発光する。例えば、発光層３３は、赤色光、緑色光、青色光の何れか、または、それらの混色光（例えば白色光）を発光する。
　発光層３３は、第１色の光を発光する第１発光材料および第１色の光よりピーク波長が長い第２色の光を発光する第２発光材料を含み、第１発光材料および第２発光材料のうち少なくとも一方は量子ドットである。第１発光材料および第２発光材料のうち、量子ドットではない方の発光材料は、例えば、有機ＥＬ材料である。
　例えば、発光層３３は、青色光（第１色の光）を発光する青発光材料（第１発光材料）と、青色光よりピーク波長が長い緑色光（第２色の光）を発光する緑発光材料（第２発光材料）と、緑色光よりピーク波長が長い赤色光（第３色の光）を発光する赤発光材料（第３発光材料）とを含む。
　なお、赤色光とは、例えば、６００ｎｍより大きく７８０ｎｍ以下にピーク波長の波長帯域を有する光を指す。また、緑色光とは、例えば、５００ｎｍより大きく６００ｎｍ以下にピーク波長の波長帯域を有する光を指す。また、青色光とは、例えば、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下にピーク波長の波長帯域を有する光を指す。なお、発光層３３に含まれる発光材料の発光色は、青色、緑色および赤色に限らず、互い異なる少なくとも２種類の色であればよい。
　例えば、発光層３３における、青発光材料（第１発光材料）と、緑発光材料（第２発光材料）と、赤発光材料（第３発光材料）とは、高周波駆動により発光が低下する発光立ち下がり周波数が、互いに異なる材料を用いて構成される。例えば、本実施形態では、発光し始める発光立ち下がり周波数は、赤発光材料（第３発光材料）よりも、緑発光材料（第２発光材料）の方が高く、緑発光材料（第２発光材料）よりも、青発光材料（第１発光材料）の方が高い。
　例えば発光層３３において、青発光材料（第１発光材料）と、緑発光材料（第２発光材料）と、赤発光材料（第３発光材料）とのそれぞれを、同一材料を含む量子ドットにより構成するとする。この場合、量子閉じ込め効果により、青発光材料は、量子ドットの平均粒経を最も小さくすることで青色光を発光させ、緑発光材料は、量子ドットの平均粒経を青発光材料よりも大きくすることで緑色光を発光させ、赤発光材料は、量子ドットの平均粒経を緑発光材料よりも大きくすることで赤色光を発光させることができる。
　また、赤発光材料、緑発光材料、および、青発光材料のうち、高周波駆動により発光が低下する発光立ち下がり周波数は、赤発光材料よりも、緑発光材料の方が周波数は高く、緑発光材料よりも青発光材料の方が周波数は高くなる。
　加えて、発光し始める電圧である発光開始電圧に相関するエネルギー準位も、赤発光材料よりも緑発光材料の方が大きく、緑発光材料よりも青発光材料の方が大きくなる。
　発光層３３は、例えば、青発光材料、緑発光材料、および、赤発光材料を含有するトルエンなどの混合溶液を用いて、塗布法などにより形成することができる。青発光材料、緑発光材料、および、赤発光材料は、量子ドットであってもよいし、有機ＥＬ（electro-luminescence）材料であってもよい。量子ドットとしては、例えば、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＰ、ＡｌＳ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅまたは、それらを組み合わせた材料から選択することができる。有機ＥＬ材料としては、例えば、分散溶媒に溶解可能な高分子系材料を用いることができる。
　発光層３３に含まれる青発光材料は、発光効率がよい量子ドットであることが好ましい。本実施形態では、例えば、青発光材料は量子ドット３３ｂであるとする。量子ドット３３ｂは、例えば、コアとコアの周囲にシェルが設けられた、いわゆるコアシェル構造はコアの発光効率を改善するため、コアシェル構造であることが好ましい。また、量子ドット３３ｂがコアシェル構造を有する場合、コアは発光効率のよいＣｄＳｅＸＳ１‐Ｘ（但し、０≦ｘ≦１）、ＺｎＳｅｙＳ１‐ｙ（但し、０＜ｙ≦１）のうちいずれかを含有し、シェルは、ＺｎＳ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３のうち少なくとも１種を含有することが好ましい。特にシェルはＺｎＳを含むことが好ましい。
　発光層３３に含まれる緑発光材料は、発光効率がよい量子ドットであることが好ましい。本実施形態では、例えば、緑発光材料は量子ドット３３ｇであるとする。量子ドット３３ｇは、例えば、コアとコアの周囲にシェルが設けられた、いわゆるコアシェル構造であることが好ましい。また、量子ドット３３ｇがコアシェル構造を有する場合、コアは発光効率のよいＣｄＳｅＸＳ１‐Ｘ（但し、０≦ｘ≦１）、ＩｎＰのうちいずれかを含有し、シェルは、ＺｎＳ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３のうち少なくとも１種を含有することが好ましい。特にシェルはＺｎＳを含むことが好ましい。
　発光層３３に含まれる赤発光材料は、青発光材料および緑発光材料よりも、蛍光寿命が長い材料であればよく、量子ドットであってもよいし、有機ＥＬ材料であってもよい。本実施形態では、例えば、赤発光材料は量子ドット３３ｒであるとする。量子ドット３３ｒは、例えば、コアとコアの周囲にシェルが設けられた、いわゆるコアシェル構造であることが好ましい。また、量子ドット３３ｒがコアシェル構造を有する場合、コアは発光効率のよいＣｄＳｅＸＴｅ１‐Ｘ（但し、０≦ｘ≦１）、ＩｎＰのうちいずれかを含有し、シェルは、ＺｎＳ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３のうち少なくとも１種を含有することが好ましい。特にシェルはＺｎＳを含むことが好ましい。
　発光層３３に含まれる、量子ドット３３ｂ、量子ドット３３ｇおよび量子ドット３３ｒは、それぞれ、発光させるために必要な電圧、および、周波数が異なる。よって、本実施形態に係る表示装置１では、発光素子３０に、量子ドット３３ｂ、量子ドット３３ｇおよび量子ドット３３ｒそれぞれに応じた電圧および周波数を有する駆動信号を印加することで、異なる色の光である、青色光、緑色光および赤色光それぞれの単色光を発光させることができる。
　なお、発光層３３に含まれる、青発光材料、緑発光材料および赤発光材料のうち、少なくとも１種類は、量子ドットであり、量子ドット以外の発光材料は、有機ＥＬ材料であってもよい。量子ドットの蛍光寿命はナノ秒オーダーであるところ、有機ＥＬ材料はマイクロ秒からミリ秒オーダーの蛍光寿命を有する。このため、発光層３３に含まれる、青発光材料、緑発光材料および赤発光材料のうち、少なくとも１種類（例えば青発光材料）を量子ドット３３ｂにより構成し、他の少なくとも１種類（例えば赤発光材料）を有機ＥＬ材料とすることで、青色光、緑色光および赤色光それぞれを発光させるために必要な、発光層３３に印加する駆動信号の周波数帯を広く確保することができる。これにより、発光層３３の発光色の色純度を向上させることができる。
　また、本実施形態で一例と示す量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒのように、発光層３３に含まれる、青発光材料、緑発光材料および赤発光材料は、３種類とも量子ドットであってもよい。量子ドットは、有機ＥＬ材料と比べて単色の色純度が高いため、３種類とも量子ドットにより構成することで、少なくとも１種類が有機ＥＬ材料により構成される場合と比べて、ＢＴ２０２０のカバー率を向上させることができる。
　なお、発光素子３０の積層順は、上述した順に限らない。例えば、陽極３１が陰極であり、正孔輸送層３２が電子注入層であり、電子輸送層３４が正孔注入層であり、陰極３５が陽極であってもよい。また、陽極３１が透明電極であり、陰極３５が反射電極であってもよい。
　このように、本実施形態に係る表示装置１によると発光素子３０が有する発光層３３は、青色光（第１の光）を発光する量子ドット３３ｂ（第１発光材料）と、青色光よりもピーク波長が長い緑色光（第２の光）を発光する量子ドット３３ｇ（第２発光材料）と、緑色光よりもピーク波長が長い量子ドット３３ｒ（第３発光材料）とを含む。そして、表示装置１が備える電源部１０は、例えば、陽極３１に印加する駆動信号の周波数を、発光層３３から発光させる、青色光、緑色光および赤色光に応じて制御する。これにより、青色光、緑色光、および、赤色光それぞれを得るために、異なる色の光を発光する３層の発光層をパターニングする必要がない。
　すなわち、本実施形態に係る表示装置１では、隣接する発光素子３０間で、同じ発光材料を含有させて発光層３３を形成することができるため、発光素子３０毎に発光層３３を塗分けたりする必要がない。このため、発光色毎に発光層を塗分ける場合と比べて製造工程を減らすことができる。この結果、表示装置１の製造コストを抑制することができる。
　このように、本実施形態に係る表示装置１では、隣接する発光素子３０ごとに同じ発光材料を含む発光層３３を設けることができる。このため、各発光層３３は、発光素子３０毎に島状にパターニングされず、各発光素子３０に共通する連続した層として形成されてもよい。
　また、正孔輸送層３２および電子輸送層３４も、発光素子３０毎に島状にパターニングされず、各発光素子３０に共通する連続した層として形成されてもよい。
　また、本実施形態では、発光層３３は、青色光（第１の光）を発光する量子ドット３３ｂ（第１発光材料）と、青色光よりもピーク波長が長い緑色光（第２の光）を発光する量子ドット３３ｇ（第２発光材料）と、緑色光よりもピーク波長が長い量子ドット３３ｒ（第３発光材料）とを含むものとして説明しているが、発光層３３は、何れか２色の光を発光する発光材料を含んでいてもよい。この場合、残りの１色の光を発光する発光材料は、発光層３３を含む発光素子３０に隣接する発光素子の発光層に含まれていてもよい。
　次に、発光層３３に印加される駆動信号の周波数および電圧について説明していく。
　図４は、実施形態に係る、青色光を発光するための発光素子３０に供給される駆動信号の一例を示す図である。図５は、実施形態に係る、緑色光を発光するための発光素子３０に供給される駆動信号の一例を示す図である。図６は、実施形態に係る、赤色光を発光するための発光素子３０に供給される駆動信号の一例を示す図である。
　例えば、表示装置１が有する複数の発光素子３０は、青色光を発光するための発光素子３０と、緑色光を発光するための発光素子３０と、赤色光を発光するための発光素子３０とを有するとする。
　図４に示すように、青色光を発光するための発光素子３０には、電源部１０によって、比較的高い周波数であり、高い電圧である方形波の駆動信号が印加される。また、図５に示すように、緑色光を発光するための発光素子３０には、電源部１０によって、青色光を発光するための発光素子３０に印加される駆動信号よりも、周波数が低く、電圧が低い方形波である駆動信号が印加される。また、図６に示すように、赤色光を発光するための発光素子３０には、電源部１０によって、緑色光を発光するための発光素子３０に印加される駆動信号よりも、周波数が低く、電圧が低い方形波である駆動信号が印加される。なお、赤色光を発光するための発光素子３０には、電源部１０によって、方形波ではなく直流の駆動信号が印加されてもよい。
　このように、各発光素子３０が有する発光層３３それぞれに、複数種類の色の光を発光する量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒが含有されていても、発光素子３０それぞれに印加される駆動信号の電圧および周波数を異ならせることで、発光素子３０毎に所望の発光色を得ることができる。これについて、以下、さらに詳細に説明していく。
　図７は、実施形態に係る発光素子３０に印加される駆動信号と、発光層３３に含有された発光材料による発光輝度の様子を表す図である。駆動信号Ｓ１は、電源部１０によって発光素子３０に印加される駆動信号である。青色光、緑色光、または赤色光を発光させるための周波数および電圧の駆動信号Ｓ１が発光素子３０に印加されると、駆動信号Ｓ１に応じて、発光層３３内の量子ドット３３ｂ、量子ドット３３ｇ、または、量子ドット３３ｒが発光した発光輝度Ｌ１が変化する。
　図７に示すように、発光素子３０に印加された駆動信号Ｓ１の立ち上がり時間ｔ１（駆動信号Ｓ１の電圧がオフレベルからオンレベルとなった時間）から、発光層３３内の量子ドット３３ｂ、量子ドット３３ｇ、または、量子ドット３３ｒが発光し始めた時間ｔ２までを発光立ち上がり時間Ｔ１とする。
　駆動信号Ｓ１が立ち上がると、発光層３３内の量子ドット３３ｂ、量子ドット３３ｇ、または、量子ドット３３ｒの発光輝度Ｌ１も上昇する。また、駆動信号Ｓ１が立ち下がると、発光層３３内の量子ドット３３ｂ、量子ドット３３ｇ、または、量子ドット３３ｒの発光輝度も低下する。
　ここで、発光素子の発光減衰は、発光素子のＲ（抵抗）とＣ（容量）とが大きい場合、発光素子のＲＣ時定数（２πＲＣに比例する)によって決まる。しかし、発光素子の発光減衰が遅い場合、高周波数の駆動信号を印加すると、充分に発光輝度が立ち下がる前に、次のオンレベルの駆動信号によって発光輝度が立ち上がってしまう。この結果、発光素子において所望通りに発光輝度の制御ができなくなる場合がある。
　そこで、本実施形態に係る発光素子３０では、Ｒ（抵抗）およびＣ（容量）が限りなく小さくなる構成とする。これにより、発光素子３０の発光減衰の早さは、ＲＣ時定数による発光減衰（図７において２点鎖線にて示している）ではなく、量子ドット３３ｂ、量子ドット３３ｇ、および、量子ドット３３ｒそれぞれの蛍光寿命（図８を用いて後述する）により決まる。これにより、電源部１０は、量子ドット３３ｂ、量子ドット３３ｇ、および、量子ドット３３ｒそれぞれの蛍光寿命に応じた周波数の駆動信号を発光素子３０に印加することで、青色光、緑色光および赤色光のうち所望の色の光を発光させることができる。
　例えば、量子ドット３３ｂの発光立ち上がり時間Ｔ１（図７）は、量子ドット３３ｂの蛍光寿命よりも短いことが好ましい。また、例えば、量子ドット３３ｇの発光立ち上がり時間Ｔ１（図７）は、量子ドット３３ｇの蛍光寿命よりも短いことが好ましい。また、例えば、量子ドット３３ｒの発光立ち上がり時間Ｔ１（図７）は、量子ドット３３ｒの蛍光寿命よりも短いことが好ましい。一例として、発光立ち上がり時間Ｔ１は１ｎｓよりも短いことが好ましい。
　これにより、異なる種類の色の光を発光する量子ドット３３ｂ、量子ドット３３ｇ、および、量子ドット３３ｒが含有された発光層３３の発光色を所望の色に、より正確に制御することができる。
　また、量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒは、それぞれ、発光立ち上がり時間Ｔ１が蛍光寿命より短い場合、量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒそれぞれの発光立ち上がり時間Ｔ１は、陽極３１および陰極３５から発光層３３へ注入される電荷の電荷移動度に応じて決まる。さらには、量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒそれぞれの発光立ち上がり時間Ｔ１は、主に、電子輸送層３４および正孔輸送層３２それぞれの電荷移動度に応じて決まる。
　そこで、本実施形態においては、陽極３１および陰極３５から発光層３３への電荷移動度は、１０‐３ｃｍ２／Ｖ・ｓよりも大きく、１０２ｃｍ２／Ｖ・ｓよりも小さいことが好ましい。また、本実施形態においては、電子輸送層３４における電子の移動度が４×１０－３ｃｍ２／Ｖｓよりも大きいことが好ましい。また、本実施形態においては、正孔輸送層３２における正孔の移動度が４×１０－３ｃｍ２／Ｖｓよりも大きいことが好ましい。ここで電荷移動度は、電子輸送層と発光層をアルミニウムなどの仕事関数の小さい金属薄膜で挟んだエレクトロンオンリーデバイス（ＥＯＤ）、又は正孔輸送層を金などの仕事関数の大きい金属薄膜で挟んだホールオンリーデバイス（ＨＯＤ）のインピーダンス分光測定より算出する。また積層ではなく単一薄膜であれば、薄膜内の電荷移動が等方的であるという仮定に基づき基板に対して水平方向の電荷移動度を測定する手法として、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を作製し、電界効果移動度または実効移動度を算出する手法や、レーザ励起に対する応答時間を測定するＴｉｍｅ　oｆ　Ｆｌｉｇｈｔ（ＴｏＦ）法があるため、これらの手法を用いて測定を行ってもよい。
　これにより、量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒそれぞれの発光立ち上がり時間Ｔ１を、量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒそれぞれの蛍光寿命よりも短くすることができる。すなわち、量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒそれぞれの発光立ち上がり時間Ｔ１を充分に短くすることができ、充分に高周波数で発光層３３を所望の色に発光させることができる。
　すなわち、駆動信号がオフレベルからオンレベルになると、すぐに、発光輝度Ｌ１が立ち上がり、異なる種類の色の光を発光する量子ドット３３ｂ、量子ドット３３ｇ、および、量子ドット３３ｒが含有された発光層３３の発光色を所望の色に制御することができる。
　なお、例えば、発光層３３における電荷移動度が１０‐３ｃｍ２／Ｖ・ｓの場合、発光層３３の厚みの一例は２０ｎｍであり、駆動信号の電圧の一例は４Ｖである。また、電子輸送層３４および正孔輸送層３２それぞれの電荷移動度が４×１０－３ｃｍ２／Ｖｓの場合、それぞれの厚みの一例は４０ｎｍであり、駆動信号の電圧の一例は４Ｖである。
　図８は、実施形態に係る量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒそれぞれの蛍光寿命を説明する図である。図８に示すように、蛍光寿命とは、発光材料のフォトルミネッセンス蛍光発光（ＰＬ：Photoluminescence）の減衰特性に対して、１次の指数関数近似を行った際の時定数を示す。すなわち、近似線の規格化強度が１/ｅ(＝０．３７)となる時間を示す。
　本実施形態では、量子ドット３３ｂが発光する青色光の蛍光寿命よりも、量子ドット３３ｇが発光する緑色光の蛍光寿命の方が、時間が長い。また、量子ドット３３ｇが発光する緑色光の蛍光寿命よりも、量子ドット３３ｒが発光する赤色光の蛍光寿命の方が、時間が長い。上述のように、発光素子３０のＲ（抵抗）とＣ（容量）とが十分に小さく、ＲＣ時定数よりも蛍光寿命の方が大きい場合、量子ドット３３ｂ、量子ドット３３ｇ、および、量子ドット３３ｒそれぞれの発光輝度（発光強度）の立ち下がり時間は、ＲＣ時定数による発光減衰ではなく、蛍光寿命によって決まる。なお、発光層３３における青発光材料、緑発光材料、または、赤発光材料を、量子ドットではなく、有機発光材料により構成した場合、有機発光材料は、量子ドットよりも数桁、蛍光寿命が長くなる。
　そして、量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒそれぞれの周波数特性は、それぞれの蛍光寿命の逆数に比例する。すなわち、発光素子３０のＲＣ時定数よりも量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒそれぞれの蛍光寿命の方が大きい場合、量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒそれぞれの蛍光寿命がそれぞれの周波数特性と相関を有する。このため、発光素子３０に印加する駆動信号の周波数を変更することで、所望の発光色を得ることができる。
　なお、発光素子３０の特性周波数をｆとすると、ｆはＲＣ時定数の逆数に比例し、ｆ＝１/２πＲＣで示される。なお、時定数と特性周波数は定義する減衰率が異なり、時定数は１/ｅ＝０．３７であり、特性周波数は－３ｄＢ（０．９６６)である。
　また、量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒそれぞれの周波数特性の詳細については、図１２から図１４を用いて後述する。
　次に、図９から図１１を用いて、発光層３３に印加する駆動信号の電圧と、発光層３３の発光色との関係について説明する。
　図９は、実施形態に係る発光素子３０の発光層３３に印加される駆動信号の電圧と発光強度との関係を説明する図である。図９のグラフにおける横軸は、発光層３３に印加される駆動信号の電圧を表し、縦軸は、発光層３３に含まれる量子ドット３３ｂ、量子ドット３３ｇおよび量子ドット３３ｒそれぞれの発光輝度を表している。
　図９に示すように、発光層３３に印加される駆動信号の電圧を増加させていくと、量子ドット３３ｒが赤色光を発光し始め、次に量子ドット３３ｇが緑色光を発光し始め、次に、量子ドット３３ｂが青色光を発光し始める。
　ここで、図９に示す電圧範囲ＶＲＧでは、量子ドット３３ｒが赤色光を発光しているところに、量子ドット３３ｇが緑色光を発光し始めることで、発光輝度が高い赤色光に対し、次第に緑色光が混色していく場合がある。また、図９に示す電圧範囲ＶＧＢでは、量子ドット３３ｇが緑色光を発光しているところに、量子ドット３３ｂが青色光を発光し始めることで、発光輝度が高い緑色光に対し、次第に青色光が混色していく場合がある。
　図１０は、実施形態に係る、赤色光および緑色光の混色比率と、緑色光および青色光の混色比率と、ＢＴ２０２０のカバー率との関係を表す図である。図１１は、実施形態に係る、ＢＴ２０２０に対するカバー率を説明する図である。図１１において、破線にて示す三角形はＢＴ２０２０の色域を表す。図１１において、一点鎖線にて示す三角形は、赤色光に対する緑色光の混色比率と、緑色光に対する青色光の混色比率とが、エネルギー比率に換算して０．４％の場合の色域を表す。
　図１０に示すように、例えば、発光層３３に印加される駆動信号の電圧範囲を、赤色光に対する緑色光の混色比率と、緑色光に対する青色光の混色比率とが、エネルギー比率に換算して０．４％以内になるように制御することが好ましい。輝度比で換算すると、赤色光が１００ｃｄ／ｍ２に対して緑色光が９７ｃｄ／ｍ２（Ｇ／Ｒ＝０．９７）であり、緑色光が１００ｃｄ／ｍ２に対して青色光が０．３ｃｄ／ｍ２（Ｂ／Ｇ＝０．００３）となるように（但しピーク視感度で計算）、発光層３３に印加される駆動信号の電圧範囲を制御することが好ましい。
　これにより、図１０および図１１に示すように、発光層３３の発光色の色域を、ＢＴ２０２０の色域に対して、９０％以上カバーすることができる。すなわち、発光色の色域が広い発光素子３０を得ることができる。
　一例として、発光層３３に駆動信号として直流または方形波が印加されるとすると、単色光である赤色光を得るための駆動信号の電圧範囲は１．７Ｖ以上４．０Ｖ未満であり、単色光である緑色光を得るための電圧範囲は３．２Ｖ以上３．９Ｖ以下であり、単色光である青色光を得るための電圧範囲は４．０Ｖ以上である。
　次に、図１２から図１４を用いて、発光層３３に印加する駆動信号の周波数と、発光層３３の発光色との関係について説明する。
　図１２は、実施形態に係る発光素子３０の発光層３３に印加される駆動信号の周波数と発光強度との関係を説明する図である。図１２のグラフにおける横軸は、発光層３３に印加される駆動信号の周波数を表し、縦軸は、発光層３３に含まれる量子ドット３３ｂ、量子ドット３３ｇおよび量子ドット３３ｒそれぞれの発光強度を表している。
　上述のように、例えば、発光層３３に含まれる量子ドット３３ｒ・３３ｇ・３３ｂそれぞれの蛍光寿命は、量子ドット３３ｒが最も長く、量子ドット３３ｒの次に量子ドット３３ｇが長く、量子ドット３３ｒの次に量子ドット３３ｂが長い（量子ドット３３ｂが最も短い）ものとする。また、上述のように量子ドット３３ｂ・３３ｇ・３３ｒそれぞれの周波数特性は、それぞれの蛍光寿命の逆数に比例する。
　図１２に示すように、発光層３３に、量子ドット３３ｒ・３３ｇ・３３ｂ全てが発光する電圧である駆動信号の周波数を増加させていくと、周波数の増加に伴い、蛍光寿命が長い方から短い方へ、赤色光、緑色光および青色光の順に発光強度が低下していく（発光が減衰していく）。
　図１２において、周波数帯Ｆｒは単色光である赤色光を得るための駆動信号の周波数帯であり、周波数帯Ｆｇは単色光である緑色光を得るための駆動信号の周波数帯であり、周波数帯Ｆｂは単色光である青色光を得るための駆動信号の周波数帯である。周波数帯Ｆｒ・Ｆｇ・Ｆｂのうち、周波数帯Ｆｒが最も低く、周波数帯Ｆｒの次に周波数帯Ｆｇが低く、周波数帯Ｆｇの次に周波数帯Ｆｂが低い（周波数帯Ｆｂが最も高い）。
　ここで、単色光である緑色光を得る周波数帯Ｆｇの一部において、量子ドット３３ｒの蛍光寿命によっては、緑色光へ赤色光が混色する場合がある。また、単色光である青色光を得る周波数帯Ｆｂの一部において、量子ドット３３ｇの蛍光寿命によっては、青色光へ緑色光が混色する場合がある。
　図１３は、実施形態に係る、赤色光および緑色光の混色比率と、緑色光および青色光の混色比率と、ＢＴ２０２０のカバー率との関係を表す図である。図１４は、ＢＴ２０２０に対するカバー率を説明する図である。図１４において、破線にて示す三角形はＢＴ２０２０の色域を表す。図１４において、一点鎖線にて示す三角形は、赤色光に対する緑色光の混色比率と、緑色光に対する青色光の混色比率とが、エネルギー比率に換算して０．７％の場合の色域を表す。
　図１３に示すように、例えば、発光層３３に印加される駆動信号の周波数帯を、緑色光に対する赤色光の混色比率と、青色光に対する緑色光の混色比率とが、エネルギー比率に換算して０．７％以内になるように制御することが好ましい。輝度比で換算すると、緑色光が１００ｃｄ／ｍ２に対して赤色光が０．００３ｃｄｍ２であり、青色光が１００ｃｄ／ｍ２に対して緑色光が０．８ｃｄ／ｍ２となるように（但しピーク視感度で計算）、発光層３３に印加される駆動信号の周波数を制御することが好ましい。
　これにより、図１３および図１４に示すように、発光層３３の発光色の色域を、ＢＴ２０２０の色域に対して、９０％以上カバーすることができる。すなわち、発光色の色域が広い発光素子３０を得ることができる。
　一例として、発光層３３に駆動信号として直流または方形波である駆動信号が印加されるとすると、単色光である赤色光を得るための駆動信号の周波数帯Ｆｒは０（直流）以上１５０ｋＨｚ未満であり、単色光である緑色光を得るための周波数帯Ｆｇは１５０ｋＨｚ以上１４０ＭＨｚ未満であり、単色光である青色光を得るための周波数帯Ｆｂは１４０ＭＨｚ以上である。
　このように、電源部１０は、例えば、青色光を発光させる際は、発光層３３に印加する駆動信号として、周波数が１４０ＭＨｚ以上であり、４．０Ｖ以上の方形波を印加し、緑色光を発光させる際は、駆動信号として、周波数が１５０ｋＨｚ以上１４０ＭＨｚ未満であり、３．３Ｖ以上３．９Ｖ以下の方形波を印加し、赤色光を発光させる際は、駆動信号として、周波数が０以上１５０ｋＨｚ未満であり、１．７Ｖ以上４．０Ｖ以下の方形波を印加する。これにより、例えば、ＢＴ２０２０カバー率が９０％以上の色域を有する発光素子３０が得られる。
　図１５は、実施形態の変形例に係る、フィールドシーケンシャル方式にて発光素子３０を駆動する際の駆動信号の一例を示す図である。本実施形態に係る表示装置１は、発光素子３０をフィールドシーケンシャル方式（色時分割方式）によって駆動させてもよい。
　例えば、１つの発光素子３０（１つの画素ＰＸ）を発光させる１フレーム時間を、赤色光の発光時間、緑色光の発光時間および青色光の発光時間に分割する。そして、発光素子３０に、赤色光の発光時間には赤色光を発光させるための周波数および電圧である駆動信号が印加され、緑色光の発光時間には緑色光を発光させるための周波数および電圧である駆動信号が印加され、青色光の発光時間には青色光を発光させるための周波数および電圧である駆動信号が印加される。これにより、発光素子３０は、１フレーム時間内に、赤色光、緑色光および青色光を、順次、発光させる。
　例えば、表示装置１をフレームレートが１２０Ｈｚにて駆動させる（動画を表示させる）場合、１フレーム時間が約８ｍｓになる。このため、電源部１０は、例えば、約８ｍｓ内に、赤色光を発光させるための駆動信号、緑色光を発光させるための駆動信号および青色光を発光させるための駆動信号を、順次、発光素子３０に印加する。
　これにより、各発光素子３０は、任意の色の光を発光させることができる。この時、赤色光、緑色光および青色光それぞれを発光させるための駆動信号の周波数および電圧を制御する以外に、１フレーム時間における、赤色光、緑色光および青色光それぞれを発光させるための駆動信号の時間長さの割合を制御することによっても、任意の色の光を発光させてもよい。
　なお、１フレーム時間における、赤色光、緑色光および青色光それぞれを発光させるための駆動信号を印加する順番は順不同である。
　また、前述した実施形態や変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。
１　表示装置（発光装置）、３　表示領域（表示部）、４Ｘ　制御線駆動回路、４Ｙ　信号線駆動回路、５　信号線、６　第１制御線、７　第２制御線、１０　電源部、２０　アクティブ基板、３０　発光素子、３１　陽極、３２　正孔輸送層、３３　発光層、３３ｂ・３３ｇ・３３ｒ　量子ドット、３４　電子輸送層、３５　陰極

Claims (16)

  1. 　陽極と、
    　陰極と、
    　前記陽極および前記陰極の間に設けられ、第１色の光を発光する第１発光材料および前記第１色の光よりピーク波長が長い第２色の光を発光する第２発光材料を含み、前記第１発光材料および前記第２発光材料のうち少なくとも一方は量子ドットである発光層と、
    　前記陽極または前記陰極に印加する駆動信号の周波数を、前記第１色の光および前記第２色の光に応じて制御する電源部と、を備える、発光装置。
  2. 　前記電源部は、前記第１色の光を発光させる際と比べて、前記第２色の光を発光させる際の方が低い周波数の前記駆動信号を印加する、請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記第１発光材料および前記第２発光材料のうち前記量子ドットである方の発光材料による発光は、前記発光層へ注入される電荷の電荷移動度に応じた発光立ち上がり時間が、蛍光寿命よりも短い、請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 　前記電荷移動度は、１×１０－３ｃｍ２／Ｖｓよりも大きい、請求項３に記載の発光装置。
  5. 　前記陰極と前記発光層との間に設けられた電子輸送層を備え、
    　前記電子輸送層における電子の移動度が４×１０－３ｃｍ２／Ｖｓよりも大きい、請求項３または４に記載の発光装置。
  6. 　前記陽極と前記発光層との間に設けられた正孔輸送層を備え、
    　前記正孔輸送層における正孔の移動度が４×１０－３ｃｍ２／Ｖｓよりも大きい、請求項３～５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 　前記電子輸送層は、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＩｎＧａＺｎＯのうち少なくとも１種を含有する材料を含む、請求項５に記載の発光装置。
  8. 　前記電子輸送層は、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＩｎＧａＺｎＯのうち少なくとも１種を含有する材料に、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａから選択される少なくとも１種の金属イオンがドーピングされた材料を含む、請求項５に記載の発光装置。
  9. 　前記正孔輸送層は、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化モリブデン、酸化銅のうち少なくとも１種を含有する材料、または、前記材料に、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａから選択される少なくとも１種の金属イオンがドーピングされた材料を含む、請求項６に記載の発光装置。
  10. 　前記発光層は、さらに、前記第２色の光よりピーク波長が長い第３色の光を発光する第３発光材料を含み、
    　前記電源部は、前記第２色の光を発光させる際と比べて、前記第３色の光を発光させる際の方が、低い周波数の前記駆動信号を印加する、請求項１～９の何れか１項に記載の発光装置。
  11. 　前記量子ドットは、コアと、前記コアの周囲に設けられたシェルとを備え、
    　前記シェルは、ＺｎＳ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３のうち少なくとも１種を含有する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の発光装置。
  12. 　前記第１色の光は青色の光であり、
    　前記第１発光材料は前記量子ドットであり、
    　前記コアは、ＣｄＳｅＸＳ１‐Ｘ（但し、０≦ｘ≦１）、ＺｎＳｅｙＳ１‐ｙ（但し、０＜ｙ≦１）のうちいずれかを含有する、請求項１１に記載の発光装置。
  13. 　前記第２色の光は緑色の光であり、
    　前記第２発光材料は前記量子ドットであり、
    　前記コアは、ＣｄＳｅＸＳ１‐Ｘ（但し、０≦ｘ≦１）、ＩｎＰのうちいずれかを含有する、請求項１１に記載の発光装置。
  14. 　前記第３色の光は赤色の光であり、
    　前記第３発光材料は、ＣｄＳｅＸＴｅ１‐Ｘ（但し、０≦ｘ≦１）、ＩｎＰのうちいずれかを含有する量子ドットである、請求項１０に記載の発光装置。
  15. 　前記電源部は、
    　前記第１色の光を発光させる際は、前記駆動信号として、周波数が１４０ＭＨｚ以上であり、４．０Ｖ以上の方形波を印加し、
    　前記第２色の光を発光させる際は、前記駆動信号として、周波数が１５０ｋＨｚ以上１４０ＭＨｚ未満であり、３．３Ｖ以上３．９Ｖ以下の方形波を印加し、
    　前記第３色の光を発光させる際は、前記駆動信号として、周波数が０以上１５０ｋＨｚ未満であり、１．７Ｖ以上４．０Ｖ以下の方形波を印加する、請求項１０に記載の発光装置。
  16. 　複数の画素がマトリクス状に設けられ、画像を表示する表示部を有し、
    　前記複数の画素それぞれは、前記陽極と、前記陰極と、前記発光層とを含む少なくとも１つの発光素子を有する、請求項１～１５の何れか１項に記載の発光装置。
PCT/JP2020/029081 2020-07-29 2020-07-29 発光装置 WO2022024266A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/029081 WO2022024266A1 (ja) 2020-07-29 2020-07-29 発光装置
US18/014,286 US20230255039A1 (en) 2020-07-29 2020-07-29 Light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/029081 WO2022024266A1 (ja) 2020-07-29 2020-07-29 発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022024266A1 true WO2022024266A1 (ja) 2022-02-03

Family

ID=80035529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/029081 WO2022024266A1 (ja) 2020-07-29 2020-07-29 発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20230255039A1 (ja)
WO (1) WO2022024266A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024018509A1 (ja) * 2022-07-19 2024-01-25 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11774762B1 (en) * 2022-09-16 2023-10-03 Brelyon, Inc. Methods and systems for programming momentum and increasing light efficiency above 25% in folded optics and field evolving cavities

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008120603A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 発光素子
US20130003163A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Microsoft Corporation Passive matrix quantum dot display
KR20140054535A (ko) * 2012-10-29 2014-05-09 연세대학교 산학협력단 콜로이드 양자점 복합체 발광층, 상기 복합체 발광층을 적용한 발광 소자, 상기 발광 소자의 제조 방법
JP2016051845A (ja) * 2014-09-01 2016-04-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107885006A (zh) * 2017-12-04 2018-04-06 福州大学 一种白光色温可调的量子点电泳显示器的显示方法
KR101934545B1 (ko) * 2017-09-28 2019-01-03 부산대학교 산학협력단 파장변환 나노구조체 발광원 및 이를 이용한 가변성 멀티컬러 디스플레이 장치
CN110568692A (zh) * 2019-08-30 2019-12-13 华中科技大学 一种基于相变材料及量子点的显示器件

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008120603A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 発光素子
US20130003163A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Microsoft Corporation Passive matrix quantum dot display
KR20140054535A (ko) * 2012-10-29 2014-05-09 연세대학교 산학협력단 콜로이드 양자점 복합체 발광층, 상기 복합체 발광층을 적용한 발광 소자, 상기 발광 소자의 제조 방법
JP2016051845A (ja) * 2014-09-01 2016-04-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101934545B1 (ko) * 2017-09-28 2019-01-03 부산대학교 산학협력단 파장변환 나노구조체 발광원 및 이를 이용한 가변성 멀티컬러 디스플레이 장치
CN107885006A (zh) * 2017-12-04 2018-04-06 福州大学 一种白光色温可调的量子点电泳显示器的显示方法
CN110568692A (zh) * 2019-08-30 2019-12-13 华中科技大学 一种基于相变材料及量子点的显示器件

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024018509A1 (ja) * 2022-07-19 2024-01-25 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20230255039A1 (en) 2023-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100388174B1 (ko) 컬러 표시 장치
JP4163567B2 (ja) 発光型表示装置
KR100642491B1 (ko) 유기전계발광 소자
US8823019B2 (en) White organic light emitting device and display device using the same
US7791266B2 (en) Organic electroluminescent display having low data line capacitance
US11769788B2 (en) High-resolution display device
WO2022024266A1 (ja) 発光装置
KR20120134222A (ko) 백색 유기발광다이오드 표시소자
JPH10268798A (ja) 表示装置
GB2393314A (en) Display and method for manufacturing the same
KR20180077834A (ko) 전계발광 표시장치
CN109994514B (zh) 电致发光显示装置
JPH10172767A (ja) エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
KR100528911B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치
US10243032B2 (en) Display device
WO2022091277A1 (ja) 発光素子および発光装置
KR100579550B1 (ko) 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자
JP5536349B2 (ja) 画像表示装置
JP4802498B2 (ja) 表示装置
KR100615225B1 (ko) 높은 광 효율 및 낮은 접촉저항을 가지는 평판표시장치
KR20230102838A (ko) 표시장치
KR20150078395A (ko) 유기전계발광 표시장치
KR20030095577A (ko) 유기 전계 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20946599

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20946599

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP