WO2021185769A1 - Susceptor for a cvd reactor - Google Patents

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WO2021185769A1
WO2021185769A1 PCT/EP2021/056546 EP2021056546W WO2021185769A1 WO 2021185769 A1 WO2021185769 A1 WO 2021185769A1 EP 2021056546 W EP2021056546 W EP 2021056546W WO 2021185769 A1 WO2021185769 A1 WO 2021185769A1
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gas
susceptor
gas outlet
rotation
storage space
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PCT/EP2021/056546
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Wilhelm Josef Thomas KRÜCKEN
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Aixtron Se
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    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C23C16/466—Cooling of the substrate using thermal contact gas

Definitions

  • the invention relates to a susceptor for a CVD reactor with two broad side surfaces pointing away from one another.
  • a first of the two broad side surfaces has a large number of storage spaces, each for receiving one or more substrates.
  • the storage locations are arranged in a circle around an axis of rotation of the susceptor.
  • the invention also relates to a CVD reactor for the thermal treatment of substrates with such a susceptor, the first broad side surface of the susceptor facing a process chamber into which process gases are fed.
  • the second broad side surface points in the direction of a heating device with which the susceptor is heated to a process temperature.
  • the heating device lies opposite the second broad side surface.
  • the gas outlet openings, with which a gas is fed into the spacing space open into this spacing space.
  • the invention also relates to a method for the thermal treatment of substrates in such a CVD reactor, in which a gas is fed into the space between the heating device and the second broad side surface of the susceptor.
  • PRIOR ART DE 102019104433 A1 describes a CVD reactor with a susceptor.
  • substrate holders On the susceptor are substrate holders that can hold one or more substrates.
  • the substrate holders are each in a storage space training pockets and are driven in rotation.
  • a sealing plate Between the heating device and a second broad side surface of the susceptor is a sealing plate with which a space within the housing of the CVD reactor, in which the heating device is located, is shielded from the process gas fed into the process chamber.
  • a temperature control gas is fed into a space between the heating device and the second broad side surface of the susceptor. With the temperature control gas flow, the heat inflow or the heat dissipation to or from the susceptor can be changed at locally restricted heat-influencing zones.
  • the tempering gas is fed in through fixed gas outlet openings.
  • the gas outlet openings are arranged in the sealing plate. The heat flow from the heating device to the substrate can be varied individually by means of a periodically pulsed supply of the temperature control gas
  • No. 6,569,250 B2 describes a susceptor with a gas outlet opening.
  • DE 102005056536 Al, DE 102009043960 Al, DE 102011 053498 Al, DE 102013109155 Al, DE 102014 104218 Al, DE 102017105333 Al, US 2018/0182635 Al, US 5,468,299 A and DE 102011 055061 Al also belong to the state of the art.
  • DE 102009044276 A1 describes a discharge line opening into a space between the susceptor and the heating device, with which a gas can be discharged from a pocket arranged below a substrate holder.
  • DE 102018130 138 A1 describes a CVD reactor with a susceptor, in which the susceptor has gas outlet openings in its surrounding edge.
  • DE 102018132673 A1 describes a CVD reactor in which gas outlet openings open into the broad side surfaces of the susceptor facing the process chamber.
  • the invention is based on the object of specifying an alternative method or an alternative device with which the susceptor temperature can be influenced locally in order to be able to individually adapt the surface temperatures of substrates arranged in storage locations.
  • gases in particular tempering gases, whose thermal conductivity property is changed by changing a mixing ratio of two purge gases forming the tempering gas, one of which has a high thermal conductivity and the other of which has a low thermal conductivity
  • the feed takes place from the susceptor through a gas outlet opening which rotates with the susceptor and which has a permanently unchangeable spatial position in relation to a storage location on which a substrate can rest.
  • at least one gas outlet opening is assigned to each storage space.
  • Each gas outlet opening that rotates with the susceptor is connected to a feed line with a feed opening.
  • the device according to the invention preferably has a gas mixing device with which the temperature control gas is provided.
  • the gas mixing device can use a variety of mass flow controllers each mass flow controller is preferably flow-connected to only one feed opening, so that an individual gas flow and in particular an individual gas mixture can be assigned to each outlet opening of each plurality of outlet openings assigned to the same storage space. In this way, an individual temperature gas atmosphere can be set between each storage space for a substrate and the heating device. As a result, the heat inflow or the heat dissipation to or from the substrate can be changed locally.
  • the heat-influencing zones arranged below the storage locations are fixed.
  • the heat-affected zones migrate around the axis of rotation of the susceptor.
  • at least one of the gas outlet openings arranged in the second broad side surface of the susceptor is assigned to each storage location. It is a spatial assignment. The assignment is also functional, since the temperature gas flowing out of the gas outlet opening flows into the heat-influencing zone arranged between the storage space and the heating device.
  • the temperature control gas atmosphere can be set individually in each heat-influencing zone, either by changing the mass flow of a temperature control gas that mixes with an ambient gas or by changing the composition of a temperature control gas consisting of several components, whereby the various components can have different thermal conductivity properties , for example, can consist of hydrogen and nitrogen.
  • One of the first, upper broad side surface of the susceptor delimited downward process chamber is delimited at the top by a cover plate.
  • the ceiling plate can be cooled actively or passively.
  • a gas inlet element is provided with which process gases are fed into the process chamber.
  • the gas inlet element can extend in the area of the axis of rotation.
  • the central gas inlet member has several gas outlet openings arranged in a circumferential surface, through which the process gas enters the Process chamber can flow in.
  • the process gas is provided in the gas mixing system and can contain various reactive gases which react with one another within the process chamber, preferably on the surface of the substrate, in such a way that a layer is deposited on the substrate.
  • the process gases can contain hydrides of main group III and organometallic compounds of main group V.
  • the process gases can, however, also contain elements of main group IV or elements of main group II and VI.
  • a semiconducting and monocrystalline layer is preferably deposited on the substrate.
  • the process gas flows through the process chamber in a radial direction and is discharged by means of a gas outlet element which surrounds the preferably circular disk-shaped susceptor in an annular manner.
  • the gas outlet member can have openings or the like in order to remove the tem periergas.
  • the storage spaces can be formed from pockets arranged in the first broad side surface of the susceptor. Outlet openings through which a purge gas enters the pockets are provided in the bottoms of the pockets.
  • the flushing gas forms a gas cushion which carries a substrate holder on which the substrate to be coated rests.
  • the substrate holder is also set in rotation with the flushing gas flow.
  • at least one gas outlet opening is provided for each storage space, this gas outlet opening being arranged between the center of the susceptor and the storage space.
  • the temperature control gas emerging from the gas outlet opening flows below the storage area in a radially outward direction.
  • the opening width of the gas outlet opening can correspond to the diameter of a supply line, for example it can be circular.
  • the exit opening can, however, also be elongated. You can extend straight or curved.
  • the gas outlet opening preferably extends over a sector area over which the storage space also extends.
  • a plurality of gas outlet openings can be provided, which are arranged one behind the other in the radial direction, that is to say on different radial distances from the center.
  • a second gas outlet opening can, for example be arranged vertically below the storage space.
  • Another gas outlet opening can be arranged radially outside the storage area. If several gas outlet openings are provided for each storage space, they are arranged identically at each storage space. Even if only one gas outlet opening is seen before, all these gas outlet openings are preferably the same radial distance from the center.
  • the gas outlet openings are supplied with the temperature control gas preferably through the susceptor and preferably additionally through a shaft carrying the susceptor.
  • feed lines formed by bores run within the susceptor, for example in the radial direction.
  • a feed line is preferably assigned to each gas outlet opening.
  • the feed lines can have an outwardly pointing feed opening in the area of the shaft. This rotates around the axis of rotation as the susceptor rotates.
  • each feed opening can be supplied with temperature control gas during the rotation.
  • the feed openings that are assigned to the various gas outlet openings are preferably one above the other in the axial direction, based on the axis of rotation.
  • an optical or other temperature measuring device can be provided with which the surface temperature of each substrate or each storage space can be measured.
  • a stationary, in particular optical temperature measuring device for example with a pyrometer
  • the substrate temperature can be measured through an opening in the process chamber ceiling.
  • the temperature measuring device As the susceptor rotates, the substrates move past below the temperature measuring device, so that the temperatures of all substrates can be determined one after the other.
  • the temperature control gas flows assigned to the individual substrates can be changed in such a way that the substrates have essentially the same surface temperature.
  • a lateral temperature profile on the substrate can also be modified or a surface temperature of the susceptor downstream of the Substrates.
  • the energy is transported from the heating device to the susceptor via an electromagnetic alternating field which induces eddy currents in the susceptor which heat the susceptor.
  • the heating device can be a cooled induction coil.
  • the induction coil can be located in a spiral in a plane below the susceptor.
  • the coil can be formed by a tube through which a coolant flows.
  • the heat transfer from the susceptor to a coil cooled in this way takes place in part by conduction through the gas located in the space between the susceptor and the heating device.
  • the heat flow from the susceptor to the heating device can thus be adjusted or influenced locally and individually for each storage location by varying the composition of the temperature control gas.
  • a flushing gas flow is fed into the gap between the lower broad side surface of the susceptor and the sealing plate.
  • the flushing gas flow can be fed in at a position arranged radially inward of the storage space and in particular in the immediate vicinity of a central carrier of the susceptor.
  • One or more flushing gas feed lines can open into the gap there, so that a radial gas flow is formed between the susceptor and the sealing plate.
  • the gas flow emerging from the abovementioned gas outlet openings can enter this flushing gas flow.
  • the two gases have different thermal conductivity properties, so that the mixing of the two gas flows creates a temperature gas flow whose thermal conductivity can be adjusted by changing the mass flow of at least one of the two gases.
  • the gas outlet opening opening into the lower broad side surface of the susceptor opens into a recess in the underside of the susceptor.
  • the recess can extend over the sector that the storage space includes takes.
  • the recess is open in particular to the peripheral edge of the susceptor. This forms a section of the gap between the susceptor and the sealing plate, which has a larger gap width in the area of a storage area.
  • the recess can widen in the radial direction and have walls extending in the radial direction.
  • FIG. 2 in the manner of a section according to the section lines II-II in FIG. 1, a plan view of a susceptor 2,
  • FIG. 3 similar to FIG. 1, shows a cross section of a CVD reactor of a second exemplary embodiment
  • Fig. 4 shows a sector of a susceptor 2 in the bottom view of a third embodiment
  • FIG. 5 shows a section of a gas mixing system.
  • Fig. 6 shows a representation according to Figure 3 of a third gameheldsbei
  • Fig. 7 in a representation according to Figure 4, the third gameheldsbei
  • FIG. 8 shows the third exemplary embodiment in a viewing direction VIII in FIG. 7.
  • FIGs 1 and 3 show in the manner of a cross section schematically a CVD reactor with an outwardly gas-tight housing 1.
  • a susceptor 2 which is formed by a particularly coated graphite plate, which is carried by a shaft 14, wel cher is driven to rotate about an axis of rotation A by a rotary drive.
  • a heating device 8 which can be an IR heater, an RF heater or the like. The heating device 8 supplies heat with which the susceptor 2 can be heated to a process temperature of 500 to 1500 ° C.
  • a circular disk-shaped sealing disk 9 which can consist of a ceramic material, quartz, metal or coated graphite.
  • the sealing disk 9 has in its center an opening through which the shaft 14, which is driven in rotation when the device is in operation, protrudes.
  • the sealing disk 9 is stationary with respect to the housing 1 and the heating device 8 attached to the housing the susceptor 2 is a gap 23.
  • the gap 23 has gap walls moving against each other when the device is in operation, namely the second, downward-facing broad side 2 of the substrate holder and the upward-facing broad side of the sealing plate 9.
  • This gap generally flows a purge gas in the radial outward direction, an S opening into the gap for this purpose purging gas supply line 28 with a flushing gas outlet opening 27.
  • a gas fed into the gap 23 through an outlet opening 10 in FIG. 1 or through outlet openings 10, 15, 18 in FIG. 3 is transported to the outside with the flushing gas.
  • a shear force is exerted, which has the consequence that a gas flow, which is fed into the gap 23 through the gas outlet opening 10, for example, is deflected on its way in the radially outward direction in the direction of the susceptor rotation.
  • the first broad side surface 2 'of the susceptor 2, which faces a process chamber 4 and the second broad side surface 2 ′′ of the susceptor 2 is opposite, has a storage space forming pocket 22 in which there is a substrate holder 3 on which a Rests on the substrate 21.
  • a gas nozzle (not shown) arranged in the bottom of the pocket 22 can be used to feed in a flushing gas with which a gas cushion is generated on which the substrate holder 3, which is also driven in rotation by the gas cushion, floats.
  • a gas inlet member 6 In the center of the process chamber 4 is a gas inlet member 6, through which the above-mentioned process gases can be fed into the process chamber.
  • the process gases flow over the susceptor 2 and the substrates 21 and reach a gas outlet element 7 which surrounds the susceptor 2 in a ring.
  • the process chamber 4 is delimited towards the top by an actively or passively cooled or also heated process chamber ceiling 5.
  • the outer edge of the sealing disk rests on a radially inner edge of the gas outlet element 7.
  • the sealing disk 9 thus seals the space of the housing of the CVD reactor from the process gas.
  • each feed opening 13 is connected to a feed line which connects each feed opening 13 individually to a gas outlet opening 10, 15 or 18 opening into the gap 23.
  • the shaft has supply lines 12, 17 and 20 which extend in the axial direction and the susceptor has supply lines 11, 16, 19 connected thereto and extending in the radial direction.
  • Each of the feed lines or feed openings 13 can be flow-connected to two mass flow controllers 25, 26.
  • the two mass flow controllers 24, 26 can each be used to provide a gas mixture which consists of a highly thermally conductive gas, for example hydrogen, and a less thermally conductive gas, for example nitrogen.
  • the feed lines or feed openings 13 are only connected to a gas source or a mass flow controller that provide a purge gas that has a different thermal conductivity than the gas that is otherwise present in the interior of the housing.
  • each storage space 12 is individually assigned a gas outlet opening 10 through which an individual temperature gas flow or an individual temperature gas mixture can be fed into the space below the susceptor 2, which is located below the storage space 22 is located.
  • the gas outlet opening 10 is offset in the radial inward direction with respect to the storage space 22 in such a way that the temperature control gas flow exiting from the gas outlet opening 10 flows along in the radial outward direction under the storage space 22.
  • the gas outlet openings 10 are arranged on a connecting line between the center of the storage space 22 or the sub strathalters 3 and the axis of rotation A.
  • the gas outlet openings 10 but can also be arranged offset in the circumferential direction to this connecting line and in particular offset in such a way that the above-described shear force promotes the temperature control gas during its flow in the direction below the storage area 22.
  • a further gas outlet opening 15 arranged approximately in the middle of the storage space 22 is provided.
  • a further gas outlet opening 18 arranged radially outside of storage space 2 or on the radially outer edge of storage space 22 is provided, with which the temperature profile can be further influenced by feeding in a suitable gas mixture or a suitable gas flow.
  • These further gas outlet openings 15, 18 can be arranged on a line connecting the center of the storage area 22 with the axis of rotation A or offset thereto.
  • Figure 4 shows an example of a variant of a design of the gas outlet openings 10, 15, 18. They are arranged as curved, straight or arcuate depressions in the bottom 2 ′′ of the susceptor 2.
  • the depressions extend in particular in the circumferential direction around the axis of rotation A. They can have a length that extends approximately over the sector of a circle occupied by bin location 22.
  • a purging gas outlet opening 27 of a purging gas feed line 28 opens into the gap 23 between the broad side surface 22 'of the susceptor 2 and the sealing plate 9.
  • a purging gas can be in the gap 23 are fed, which flows through the gap in the radial direction.
  • the purge gas outlet opening 27 is offset radially inward relative to the storage location 22 arranged so that the flushing gas emerging from the flushing gas outlet opening 27 flows along under the storage space 22.
  • a gas outlet opening 10 for feeding a further gas is arranged in the broad side surface 22 'of the susceptor 2 facing the sealing plate 9.
  • a gas can exit through the gas outlet opening 10, the thermal conductivity of which differs from the thermal conductivity of the gas that enters the gap 23 through the flushing gas outlet opening 27.
  • the thermal conductivity of the gas below the storage area 22 can be changed ver.
  • a recess 29 is provided under each storage space on the wide side 22 'of the susceptor 2 facing away from the storage space 22.
  • the recess 29 has a bottom surface which runs parallel to the broad side surface 22 'of the susceptor 2 ver.
  • the recess 29 is open towards the peripheral edge of the susceptor 2 and has two walls which extend essentially in the radial direction.
  • the gas outlet opening 10 opens radially inside the storage space 22 into the recess 29. The gas emerging from the gas outlet opening 10 enters the recess 29 and flows through the recess 29 in the radial direction up to its opening, from where the gas flows into the gas outlet element 7.
  • the two substantially radially extending side walls 29 'of the recess 29 are outside the circumference of the storage space 22.
  • the bottom 29 "of the recess 29 is at a distance from the broad side surface 22' surrounding the recess 29 that is significantly smaller than half the material thickness of the susceptor 2 and in particular less than a quarter of the material thickness of the susceptor 2.
  • the walls 29 'of Recesses have a gas-conducting function.
  • the heating device 8 can be formed by one or more spirally extending tubes through which a cooling liquid flows.
  • a heat flow is formed between the hot second broad side surface 2 ′′ of the susceptor 2 and the colder heating device 8.
  • the spirally extending tubes form a coil that generates an alternating electromagnetic field that induces eddy currents in the electrically conductive susceptor 2 which the susceptor 2 is heated.
  • First feed lines can be provided through which a gas stream flows which creates a gas cushion on which a substrate holder floats.
  • the feed lines according to the invention are second feed lines that are separate and different from the first feed lines.
  • the gas outlet openings 10, 15, 18 opening into the second broad side surface 2 ′′ of the susceptor 2 are directly connected to the feed lines 11, 16, 19 extending in the radial direction.
  • the latter are again directly connected to the feed lines extending in the shaft in the axial direction 12, 17 and 20 connected so that the in the supply lines 12, 17, 20 or the
  • Supply lines 11, 16, 19 fed gas flow exclusively through the gas outlet openings 10, 15 or 18 in the space 23 between the heating device 8 and the lower broad side surface 2 ′′ of the susceptor 2 enters.
  • temperature control gases can be fed into the second feed lines.
  • the flushing gas fed into the first feed lines can be provided by a first gas source.
  • the temperature control gas that can be fed into the second feed lines can be provided by a second gas source different from the first gas source.
  • the invention thus also relates to a device in the form of a susceptor 2 which can be driven in rotation about an axis of rotation A for a CVD reactor a first broadside surface 2 ′′, on which a plurality of storage locations 22 for receiving the substrates 21 to be treated around the axis of rotation A are angeord net, with a second broadside surface 2 ′′ pointing away from the first broadside surface 2, with each storage location 22 at least one in the second broadside surface 2 "opening gas outlet opening 10, 15, 18 is spatially zugeord net, characterized by a sealing plate 9 spaced apart from the second broadside surface 22 'of susceptor 2 by a gap 23.
  • a device which is characterized in that 2 gas outlet openings 10, 15, 18 are provided in the second broad side surface, at least one of the gas outlet openings 10, 15, 18 being spatially assigned to each storage space 22.
  • a device which is characterized in that the gas outlet openings 10, 15, 18 are arranged in the second broad side surface 2 of the susceptor 2 and at least one of the gas outlet openings 10, 15, 18 is spatially assigned to each storage location 22.
  • each storage location 22 is assigned at least one of the gas outlet openings 10, 15, 18 arranged in the second broad side surface 2 ′′ of the susceptor 2, through which a gas flow flows.
  • a device which is characterized in that the spacing space is formed by a gap 23 between a sealing plate 9 and the second broad side surface 2 ′′ of the susceptor 2 and / or that a sealing plate 9 is seated between the susceptor 2 and the heating device 8 .
  • a device which is characterized in that a gas inlet element 6 arranged in the axis of rotation A and an annular gas outlet element 7 arranged around the susceptor 2 having a circular outline are provided and / or that at least one gas outlet opening 10 between the axis of rotation A and the assigned storage space 22 is angeord net and / or that each gas outlet opening 10, 15, 18 with at least one feed line 11, 12, 16, 17, 19, 20 with a feed opening 13 is flow-connected, into which a mass flow controller 25 is individually adjustable gas flow of a temperature gas can be fed.
  • a method which is characterized in that with a gas inlet element 6 arranged in the axis of rotation A, a gas stream containing process gases is fed into the process chamber 4, which flows in the radial direction through the process chamber 4 and by means of an annular, circular outline having susceptor 2 arranged gas outlet element 7 is discharged and / or that the gas is discharged by means of the gas outlet element 7 and / or that the from at least one
  • the gas flow of a tempering gas exiting between the axis of rotation A and the assigned storage location 2 is set individually by a mass flow controller 25 and / or that the gas flows through under the storage location 22.
  • a device which is characterized in that at least one second gas outlet opening 15, 18 is arranged between a first gas outlet opening 10 arranged between the axis of rotation A and storage location 22 and a radially outer edge of the susceptor 2 and / or that a second Gas outlet opening 15, 18 is arranged below the storage space 22 or between storage space 22 and a radially outer edge of the susceptor 2 and / or that the first and / or second gas outlet openings 10, 15, 18 of elongated, straight or arcuate recesses in the second Broad side surface 2 ′′ are formed and / or that a recess forming the gas outlet openings 10, 15, 18 extends over a sector filling the storage space 22 and / or a gas mixing system with a first source at least one first flushing gas and / or with a second source provides a second purge gas, the purge gases by their thermal conductivity u differentiate and / or with a gas mixing system a gas flow and / or an adjustable mixture of a flow of two purge gases is distributed
  • a method which is characterized in that a first gas flow between the axis of rotation A and storage area 22 and a second gas flow below a storage area 2 or between storage area 2 and an outer edge of the susceptor 2 is fed into the spacing space and / or that the The first gas flow and / or the second gas flow is fed into the second broad side surface 2 ′′ by means of an elongated, straight or curved recess, and / or that the recess extends over a sector filling the storage space 22 and / or a gas mixing system with a first Source provides at least a first flushing gas and / or a second flushing gas with a second source, the flushing gases differing in their thermal conductivity and / or a gas flow with a gas mixing system and / or an adjustable mixture of a flow of two flushing gases to a plurality of mass flow controllers 25 is distributed and / or that at least the in di e the various storage spaces 22 spatially assigned gas exit openings 10, 15, 18 fed, the gas flows forming the pur

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Abstract

The invention relates to a CVD reactor comprising a susceptor (2) that can be rotationally driven about an axis of rotation (A) by a rotary drive (24), comprising first broadside surface (2') pointing towards a process chamber (4), on which a plurality of storage locations (22) for receiving the substrates (21) to be treated are arranged about the axis of rotation (A), comprising a second broadside surface (2'') pointing away from the first broadside surface, which is opposite a heating device (8) for heating the susceptor (2) to a process temperature, and comprising gas outlet openings (10, 15, 18) feeding into a spacing area between the heating device (8) and the second broadside surface (2'') of the susceptor (2) for feeding a temperature-control gas into the spacing area. According to the invention, in order to be able to locally influence the heat transfer between the heating device (8) and the susceptor (2), the gas outlet openings (10, 15, 18) are arranged in the second broadside surface (2'') of the susceptor (2) and at least one of the gas outlet openings (10, 15, 18) is spatially assigned to each storage location (22).

Description

Beschreibung description
Suszeptor für einen CVD-Reaktor Susceptor for a CVD reactor
Gebiet der Technik Field of technology
[0001] Die Erfindung betrifft einen Suszeptor für einen CVD-Reaktor mit zwei voneinander wegweisenden Breitseitenflächen. Eine ersten der beiden Breit seitenflächen besitzt eine Vielzahl von Lagerplätzen jeweils zur Aufnahme ein oder mehrerer Substrate. Die Lagerplätze sind kreisförmig um eine Drehachse des Suszeptors angeordnet. The invention relates to a susceptor for a CVD reactor with two broad side surfaces pointing away from one another. A first of the two broad side surfaces has a large number of storage spaces, each for receiving one or more substrates. The storage locations are arranged in a circle around an axis of rotation of the susceptor.
[0002] Die Erfindung betrifft darüber hinaus einen CVD-Reaktor zur thermi schen Behandlung von Substraten mit einem derartigen Suszeptor, wobei die erste Breitseitenfläche des Suszeptors zu einer Prozesskammer weist, in die Prozessgase eingespeist werden. Die zweite Breitseitenfläche weist in Richtung auf eine Heizeinrichtung, mit der der Suszeptor auf eine Prozesstemperatur aufgeheizt wird. Die Heizeinrichtung liegt der zweiten Breitseitenfläche gegen über. Zwischen der zweiten Breitseitenfläche und der Heizeinrichtung besteht ein Abstandsraum. In diesen Abstandsraum münden die Gasaustrittsöffnun- gen, mit denen ein Gas in den Abstandsraum eingespeist wird. The invention also relates to a CVD reactor for the thermal treatment of substrates with such a susceptor, the first broad side surface of the susceptor facing a process chamber into which process gases are fed. The second broad side surface points in the direction of a heating device with which the susceptor is heated to a process temperature. The heating device lies opposite the second broad side surface. There is a space between the second broad side surface and the heating device. The gas outlet openings, with which a gas is fed into the spacing space, open into this spacing space.
[0003] Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Verfahren zur thermischen Behandlung von Substraten in einem derartigen CVD-Reaktor, bei dem in den Abstandsraum zwischen der Heizeinrichtung und der zweiten Breitseitenfläche des Suszeptors ein Gas eingespeist wird. The invention also relates to a method for the thermal treatment of substrates in such a CVD reactor, in which a gas is fed into the space between the heating device and the second broad side surface of the susceptor.
Stand der Technik [0004] In der DE 102019104433 Al wird ein CVD-Reaktor mit einem Suszep tor beschrieben. Auf dem Suszeptor liegen Substrathalter, die ein oder mehrere Substrate halten können. Die Substrathalter liegen in jeweils einen Lagerplatz ausbildenden Taschen und werden drehangetrieben. Zwischen Heizeinrichtung und einer zweiten Breitseitenfläche des Suszeptors befindet sich eine Dicht platte, mit der ein Raum innerhalb des Gehäuses des CVD-Reaktors, in dem sich die Heizeinrichtung befindet, gegenüber dem in die Prozesskammer einge speisten Prozessgas abgeschirmt wird. In einen Abstandsraum zwischen der Heizeinrichtung und der zweiten Breitseitenfläche des Suszeptors wird ein Temperiergas eingespeist. Mit dem Temperiergasfluss kann der Wärmezufluss beziehungsweise die Wärmeabfuhr zum oder vom Suszeptor an örtlich be schränkten Wärmebeeinflussungszonen verändert werden. Die Einspeisung des Temperiergases erfolgt durch ortsfeste Gasaustrittsöffnungen. Die Gasaustritts öffnungen sind in der Dichtplatte angeordnet. Durch eine periodisch gepulste Zufuhr des Temperiergases kann der Wärmefluss von der Heizeinrichtung zum Substrat individuell variiert werden. PRIOR ART DE 102019104433 A1 describes a CVD reactor with a susceptor. On the susceptor are substrate holders that can hold one or more substrates. The substrate holders are each in a storage space training pockets and are driven in rotation. Between the heating device and a second broad side surface of the susceptor is a sealing plate with which a space within the housing of the CVD reactor, in which the heating device is located, is shielded from the process gas fed into the process chamber. A temperature control gas is fed into a space between the heating device and the second broad side surface of the susceptor. With the temperature control gas flow, the heat inflow or the heat dissipation to or from the susceptor can be changed at locally restricted heat-influencing zones. The tempering gas is fed in through fixed gas outlet openings. The gas outlet openings are arranged in the sealing plate. The heat flow from the heating device to the substrate can be varied individually by means of a periodically pulsed supply of the temperature control gas.
[0005] Die US 6,569,250 B2 beschreibt einen Suszeptor mit einer Gasaustritts öffnung. Zum Stand der Technik gehören ferner die DE 102005056536 Al, DE 102009043960 Al, DE 102011 053498 Al, DE 102013109155 Al, DE 102014 104218 Al, DE 102017105333 Al, US 2018/0182635 Al, US 5,468,299 A und die DE 102011 055061 Al. No. 6,569,250 B2 describes a susceptor with a gas outlet opening. DE 102005056536 Al, DE 102009043960 Al, DE 102011 053498 Al, DE 102013109155 Al, DE 102014 104218 Al, DE 102017105333 Al, US 2018/0182635 Al, US 5,468,299 A and DE 102011 055061 Al also belong to the state of the art.
[0006] Die DE 102009044276 Al beschreibt eine in einen Abstandsraum zwi schen Suszeptor und Heizeinrichtung mündende Ableitung, mit der ein Gas aus einer unterhalb eines Substrathalters angeordneten Tasche abgeleitet wer den kann. DE 102009044276 A1 describes a discharge line opening into a space between the susceptor and the heating device, with which a gas can be discharged from a pocket arranged below a substrate holder.
[0007] Die DE 102018130 138 Al beschreibt einen CVD-Reaktor mit einem Suszeptor, bei dem der Suszeptor in seinem Umgebungsrand Gasaustrittsöff nungen aufweist. [0008] Die DE 102018132673 Al beschreibt einen CVD-Reaktor, bei dem Gasaustrittsöffnungen in die zur Prozesskammer weisenden Breitseitenflächen des Suszeptors münden. DE 102018130 138 A1 describes a CVD reactor with a susceptor, in which the susceptor has gas outlet openings in its surrounding edge. DE 102018132673 A1 describes a CVD reactor in which gas outlet openings open into the broad side surfaces of the susceptor facing the process chamber.
Zusammenfassung der Erfindung Summary of the invention
[0009] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein alternatives Verfahren beziehungsweise eine alternative Vorrichtung anzugeben, mit der die Suszep- tortemperatur lokal beeinflusst werden kann, um die Oberflächentemperaturen von auf Lagerplätzen angeordneten Substraten individuell anpassen zu kön nen. [0009] The invention is based on the object of specifying an alternative method or an alternative device with which the susceptor temperature can be influenced locally in order to be able to individually adapt the surface temperatures of substrates arranged in storage locations.
[0010] Wie bei der eingangs genannten DE 102019104433 werden bei einer Variante der Erfindung Gase, insbesondere Temperiergase, deren Wärmeleit eigenschaft durch Änderung eines Mischungsverhältnis von zwei das Tempe riergas bildenden Spülgasen, von denen eines eine hohe Wärmeleitfähigkeit und das andere eine niedrige Wärmeleitfähigkeit aufweist, veränderbar ist, in einen Raum zwischen Lagerplatz und Heizeinrichtung eingespeist. Die Einspei sung erfolgt vom Suszeptor her nämlich durch eine Gasaustrittsöffnung, die sich mit dem Suszeptor mitdreht und die eine dauerhaft unveränderliche räum liche Lage zu einem Lagerplatz aufweist, auf dem ein Substrat aufliegen kann. Erfindungsgemäß ist jedem Lagerplatz zumindest eine Gasaustrittsöffnung zu geordnet. Jede sich mit dem Suszeptor mitdrehende Gasaustrittsöffnung ist mit einer Zuleitung mit einer Einspeiseöffnung verbunden. Es kann vorgesehen sein, dass ein oder mehrere Gasaustrittsöffnungen, die demselben Lagerplatz zugeordnet sind, einer gemeinsamen Einspeiseöffnung zugeordnet sind. Es kann aber auch vorgesehen sein, dass jede Einspeiseöffnung mit nur einer Gasaustrittsöffnung verbunden ist. Bevorzugt besitzt die erfindungsgemäße Vorrichtung eine Gasmischeinrichtung, mit der das Temperiergas bereitgestellt wird. Die Gasmischeinrichtung kann eine Vielzahl von Massenflusskontrollern aufweisen, wobei bevorzugt jeder Massenflusskontroller mit nur einer Ein speiseöffnung strömungsverbunden ist, sodass jeder Austrittsöffnung jeder Mehrzahl demselben Lagerplatz zugeordneten Austritts Öffnungen ein indivi dueller Gasstrom und insbesondere eine individuelle Gasmischung zugeordnet werden kann. Hierdurch kann zwischen jedem Lagerplatz für ein Substrat und der Heizeinrichtung eine individuelle Temperiergas- Atmosphäre eingestellt werden. Hierdurch kann der Wärmezufluss oder die Wärmeabfuhr zum oder vom Substrat örtlich verändert werden. Bezogen auf den Suszeptor, liegen die unterhalb der Lagerplätze angeordneten Wärmebeeinflussungszonen fest. Be züglich eines Reaktorgehäuses, in dem sich der Suszeptor dreht, wandern die Wärmebeeinflussungszonen um die Drehachse des Suszeptors. Bei dem erfin dungsgemäßen Verfahren ist an jedem Lagerplatz zumindest eine der in der zweiten Breitseitenfläche des Suszeptors angeordneten Gasaustrittsöffnung zu geordnet. Es handelt sich dabei um eine räumliche Zuordnung. Die Zuordnung ist darüber hinaus auch funktionell, da das aus der Gasaustrittsöffnung heraus strömende Temperiergas in die zwischen Lagerplatz und Heizeinrichtung an geordnete Wärmebeeinflussungszone strömt. In jeder Wärmebeeinflussungs zone kann die Temperiergas- Atmosphäre individuell eingestellt werden, entweder durch Verändern des Massenflusses eines Temperiergases, welches sich mit einem Umgebungsgas mischt oder durch eine Veränderung einer Zusammensetzung eines aus mehreren Komponenten bestehenden Temperier gases, wobei die verschiedenen Komponenten verschiedene Wärmeleiteigen schaften aufweisen können, beispielsweise aus Wasserstoff und Stickstoff bestehen können. Eine von der ersten, oberen Breitseitenfläche des Suszeptors nach untenhin begrenzte Prozesskammer ist nach obenhin durch eine Decken platte begrenzt. Die Deckenplatte kann aktiv oder passiv gekühlt werden. Es ist ein Gaseinlassorgan vorgesehen, mit dem Prozessgase in die Prozesskammer eingespeist werden. Das Gaseinlassorgan kann sich im Bereich der Drehachse erstrecken. Das zentrale Gaseinlassorgan besitzt mehrere in einer Umfangs fläche angeordnete Gasaustrittsöffnungen, durch die das Prozessgas in die Prozesskammer einströmen kann. Das Prozessgas wird in dem Gasmisch system bereitgestellt und kann verschiedene reaktive Gase enthalten, die inner halb der Prozesskammer, bevorzugt auf der Oberfläche des Substrates, derart miteinander reagieren, dass auf dem Substrat eine Schicht abgeschieden wird. Die Prozessgase können Hydride der III-Hauptgruppe und metallorganische Verbindungen der V-Hauptgruppe enthalten. Die Prozessgase können aber auch Elemente der IV-Hauptgruppe oder Elemente der II- und VI-Hauptgruppe enthalten. Auf dem Substrat wird bevorzugt eine halbleitende und einkristalli ne Schicht abgeschieden. Das Prozessgas durchströmt die Prozesskammer in einer radialen Richtung und wird mittels eines Gasauslassorgans abgeführt, das den bevorzugt kreisscheibenförmigen Suszeptor ringförmig umgibt. Das Gas auslassorgan kann Öffnungen oder dergleichen aufweisen, um auch das Tem periergas abzuführen. Die Lagerplätze können von in der ersten Breitseiten fläche des Suszeptors angeordneten Taschen ausgebildet sein. In den Böden der Taschen sind Austrittsöffnungen vorgesehen, durch die ein Spülgas in die Taschen eintritt. Das Spülgas bildet ein Gaskissen, welches einen Substrathalter trägt, auf welchem das zu beschichtende Substrat aufliegt. Mit dem Spül gasstrom wird der Substrathalter auch in eine Drehung versetzt. Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung ist jedem Lagerplatz zumindest eine Gasaustritts öffnung vorgesehen, wobei diese Gasaustrittsöffnung zwischen Zentrum des Suszeptors und Lagerplatz angeordnet ist. Das aus der Gasaustrittsöffnung heraustretende Temperiergas strömt unterhalb des Lagerplatzes in Radial auswärtsrichtung. Die Öffnungsweite der Gasaustrittsöffnung kann dem Durchmesser einer Zuleitung entsprechen, beispielsweise kreisförmig sein. Die Austritts Öffnung kann aber auch langgestreckt sein. Sie kann sich geradlinig oder gebogen erstrecken. Bevorzugt erstreckt sich die Gasaustrittsöffnung über einen Sektorbereich, über den sich auch der Lagerplatz erstreckt. Es können mehrere Gasaustrittsöffnungen vorgesehen sein, die in Radialrichtung hinter einander angeordnet sind, also auf voneinander verschiedenen Radialabstän den zum Zentrum liegen. Eine zweite Gasaustrittsöffnung kann beispielsweise vertikal unterhalb des Lagerplatzes angeordnet sein. Eine weitere Gasaustritts öffnung kann radial außerhalb des Lagerplatzes angeordnet sein. Sind für jeden Lagerplatz mehrere Gasaustrittsöffnungen vorgesehen, so sind sie an jedem Lagerplatz identisch angeordnet. Auch wenn nur eine Gasaustrittsöffnung vor gesehen ist, sitzen alle diese Gasaustrittsöffnungen bevorzugt denselben Radial abstand zum Zentrum. Die Versorgung der Gasaustrittsöffnungen mit dem Temperiergas erfolgt bevorzugt durch den Suszeptor hindurch und bevorzugt zusätzlich durch einen den Suszeptor tragenden Schaft. Hierzu verlaufen in nerhalb des Suszeptors beispielsweise in Radialrichtung von Bohrungen gebil dete Zuleitungen. Wobei jeder Gasaustrittsöffnung bevorzugt eine Zuleitung zugeordnet ist. Die Zuleitungen können im Bereich des Schaftes eine nach au ßen weisende Einspeiseöffnung aufweisen. Diese dreht sich im Zuge der Drehung des Suszeptors um die Drehachse. Durch eine geeignete ringförmig den Schaft umgebende Gasverteilkammer kann jede Einspeiseöffnung während der Drehung mit Temperiergas versorgt werden. Die Einspeiseöffnungen, die den verschiedenen Gasaustrittsöffnungen zugeordnet sind, liegen bevorzugt in Achsrichtung, bezogen auf die Drehachse, übereinander. Bei dem erfindungs gemäßen Verfahren kann ein optisches oder anderweitiges Temperaturmessge rät vorgesehen sein, mit dem die Oberflächentemperatur jedes Substrates oder jedes Lagerplatzes gemessen werden kann. Mit einem ortsfesten, insbesondere optischen Temperaturmessgerät, beispielsweise mit einem Pyrometer, kann durch eine Öffnung der Prozesskammerdecke hindurch die Substrattemperatur gemessen werden. Die Substrate bewegen sich im Zuge der Drehung des Sus zeptors unterhalb des Temperaturmessgerätes vorbei, sodass nacheinander die Temperaturen aller Substrate bestimmt werden können. Mit einer Regeleinrich tung können die den einzelnen Substraten zugeordnete Temperiergasflüsse derart verändert werden, dass die Substrate im Wesentlichen dieselbe Ober flächentemperatur besitzen. Indem ein zweites Temperiergas eingespeist wird, kann auch ein laterales Temper aturprofil auf dem Substrat modifiziert werden beziehungsweise eine Oberflächentemperatur des Suszeptors stromabwärts des Substrates. Bei einer Variante eines erfindungsgemäßen CVD-Reaktors erfolgt der Energietransport von der Heizeinrichtung zum Suszeptor über ein elektro magnetisches Wechselfeld, das im Suszeptor Wirbelströme induziert, die den Suszeptor aufheizen. Die Heizeinrichtung kann eine gekühlte Induktionsspule sein. Die Induktionsspule kann sich spiralförmig in einer Ebene verlaufend unterhalb des Suszeptors befinden. Die Spule kann von einem Rohr ausgebildet sein, durch welches ein Kühlmittel fließt. Der Wärmetransport vom Suszeptor zu einer derart gekühlten Spule erfolgt zum Teil durch Wärmeleitung durch das sich im Abstandsraum zwischen Suszeptor und Heizeinrichtung befind liche Gas. Der Wärmeabfluss vom Suszeptor zur Heizeinrichtung kann somit durch die Variation der Zusammensetzung des Temperiergases lokal und für jeden Lagerplatz individuell eingestellt beziehungsweise beeinflusst werden. As in DE 102019104433 mentioned at the beginning, gases, in particular tempering gases, whose thermal conductivity property is changed by changing a mixing ratio of two purge gases forming the tempering gas, one of which has a high thermal conductivity and the other of which has a low thermal conductivity, are used in a variant of the invention, is changeable, fed into a space between the storage space and the heating device. The feed takes place from the susceptor through a gas outlet opening which rotates with the susceptor and which has a permanently unchangeable spatial position in relation to a storage location on which a substrate can rest. According to the invention, at least one gas outlet opening is assigned to each storage space. Each gas outlet opening that rotates with the susceptor is connected to a feed line with a feed opening. It can be provided that one or more gas outlet openings, which are assigned to the same storage space, are assigned to a common feed opening. However, it can also be provided that each feed opening is connected to only one gas outlet opening. The device according to the invention preferably has a gas mixing device with which the temperature control gas is provided. The gas mixing device can use a variety of mass flow controllers each mass flow controller is preferably flow-connected to only one feed opening, so that an individual gas flow and in particular an individual gas mixture can be assigned to each outlet opening of each plurality of outlet openings assigned to the same storage space. In this way, an individual temperature gas atmosphere can be set between each storage space for a substrate and the heating device. As a result, the heat inflow or the heat dissipation to or from the substrate can be changed locally. In relation to the susceptor, the heat-influencing zones arranged below the storage locations are fixed. With regard to a reactor housing in which the susceptor rotates, the heat-affected zones migrate around the axis of rotation of the susceptor. In the method according to the invention, at least one of the gas outlet openings arranged in the second broad side surface of the susceptor is assigned to each storage location. It is a spatial assignment. The assignment is also functional, since the temperature gas flowing out of the gas outlet opening flows into the heat-influencing zone arranged between the storage space and the heating device. The temperature control gas atmosphere can be set individually in each heat-influencing zone, either by changing the mass flow of a temperature control gas that mixes with an ambient gas or by changing the composition of a temperature control gas consisting of several components, whereby the various components can have different thermal conductivity properties , for example, can consist of hydrogen and nitrogen. One of the first, upper broad side surface of the susceptor delimited downward process chamber is delimited at the top by a cover plate. The ceiling plate can be cooled actively or passively. A gas inlet element is provided with which process gases are fed into the process chamber. The gas inlet element can extend in the area of the axis of rotation. The central gas inlet member has several gas outlet openings arranged in a circumferential surface, through which the process gas enters the Process chamber can flow in. The process gas is provided in the gas mixing system and can contain various reactive gases which react with one another within the process chamber, preferably on the surface of the substrate, in such a way that a layer is deposited on the substrate. The process gases can contain hydrides of main group III and organometallic compounds of main group V. The process gases can, however, also contain elements of main group IV or elements of main group II and VI. A semiconducting and monocrystalline layer is preferably deposited on the substrate. The process gas flows through the process chamber in a radial direction and is discharged by means of a gas outlet element which surrounds the preferably circular disk-shaped susceptor in an annular manner. The gas outlet member can have openings or the like in order to remove the tem periergas. The storage spaces can be formed from pockets arranged in the first broad side surface of the susceptor. Outlet openings through which a purge gas enters the pockets are provided in the bottoms of the pockets. The flushing gas forms a gas cushion which carries a substrate holder on which the substrate to be coated rests. The substrate holder is also set in rotation with the flushing gas flow. According to a preferred embodiment, at least one gas outlet opening is provided for each storage space, this gas outlet opening being arranged between the center of the susceptor and the storage space. The temperature control gas emerging from the gas outlet opening flows below the storage area in a radially outward direction. The opening width of the gas outlet opening can correspond to the diameter of a supply line, for example it can be circular. The exit opening can, however, also be elongated. You can extend straight or curved. The gas outlet opening preferably extends over a sector area over which the storage space also extends. A plurality of gas outlet openings can be provided, which are arranged one behind the other in the radial direction, that is to say on different radial distances from the center. A second gas outlet opening can, for example be arranged vertically below the storage space. Another gas outlet opening can be arranged radially outside the storage area. If several gas outlet openings are provided for each storage space, they are arranged identically at each storage space. Even if only one gas outlet opening is seen before, all these gas outlet openings are preferably the same radial distance from the center. The gas outlet openings are supplied with the temperature control gas preferably through the susceptor and preferably additionally through a shaft carrying the susceptor. For this purpose, feed lines formed by bores run within the susceptor, for example in the radial direction. A feed line is preferably assigned to each gas outlet opening. The feed lines can have an outwardly pointing feed opening in the area of the shaft. This rotates around the axis of rotation as the susceptor rotates. Through a suitable ring-shaped gas distribution chamber surrounding the shaft, each feed opening can be supplied with temperature control gas during the rotation. The feed openings that are assigned to the various gas outlet openings are preferably one above the other in the axial direction, based on the axis of rotation. In the method according to the invention, an optical or other temperature measuring device can be provided with which the surface temperature of each substrate or each storage space can be measured. With a stationary, in particular optical temperature measuring device, for example with a pyrometer, the substrate temperature can be measured through an opening in the process chamber ceiling. As the susceptor rotates, the substrates move past below the temperature measuring device, so that the temperatures of all substrates can be determined one after the other. With a control device, the temperature control gas flows assigned to the individual substrates can be changed in such a way that the substrates have essentially the same surface temperature. By feeding in a second temperature gas, a lateral temperature profile on the substrate can also be modified or a surface temperature of the susceptor downstream of the Substrates. In a variant of a CVD reactor according to the invention, the energy is transported from the heating device to the susceptor via an electromagnetic alternating field which induces eddy currents in the susceptor which heat the susceptor. The heating device can be a cooled induction coil. The induction coil can be located in a spiral in a plane below the susceptor. The coil can be formed by a tube through which a coolant flows. The heat transfer from the susceptor to a coil cooled in this way takes place in part by conduction through the gas located in the space between the susceptor and the heating device. The heat flow from the susceptor to the heating device can thus be adjusted or influenced locally and individually for each storage location by varying the composition of the temperature control gas.
[0011] Es kann ferner vorgesehen sein, dass in den Spalt zwischen der unteren Breitseitenfläche des Suszeptors und der Dichtplatte ein Spülgasfluss einge speist wird. Die Einspeisung des Spülgasflusses kann an einer radial einwärts des Lagerplatzes angeordneten Position erfolgen und insbesondere in unmittel barer Nachbarschaft zu einem zentralen Träger des Suszeptors. Dort können ein oder mehrere Spülgaszuleitungen in den Spalt münden, sodass sich zwi schen Suszeptor und Dichtplatte ein radialer Gasfluss ausbildet. In diesen Spül gasfluss kann der aus den oben genannten Gasaustrittsöffnungen austretende Gasfluss eintreten. Der Spülgasfluss und der aus den dort mündenden Gasaus tritts Öffnungen austretende Gasfluss mischen sich. Es kann vorgesehen sein, dass die beiden Gase verschiedene Wärmeleiteigenschaften haben, sodass sich durch die Mischung der beiden Gasflüsse ein Temperiergasfluss ausbildet, des sen Wärmeleitfähigkeit durch Veränderung des Massenflusses zumindest eines der beiden Gase einstellbar ist. In einer Variante der Erfindung ist vorgesehen, dass die in der unteren Breitseitenfläche des Suszeptors mündende Gasaus trittsöffnung in einer Ausnehmung der Unterseite des Suszeptors mündet. Die Ausnehmung kann sich über den Sektor erstrecken, den der Lagerplatz ein- nimmt. Die Ausnehmung ist insbesondere zum Umfangsrand des Suszeptors offen. Hierdurch bildet sich ein Abschnitt des Spaltes zwischen Suszeptor und Dichtplatte aus, der im Bereich eines Lagerplatzes eine größere Spaltweite auf weist. Die Ausnehmung kann sich in Radialrichtung verbreitern und sich in Radialrichtung erstreckende Wände aufweisen. It can also be provided that a flushing gas flow is fed into the gap between the lower broad side surface of the susceptor and the sealing plate. The flushing gas flow can be fed in at a position arranged radially inward of the storage space and in particular in the immediate vicinity of a central carrier of the susceptor. One or more flushing gas feed lines can open into the gap there, so that a radial gas flow is formed between the susceptor and the sealing plate. The gas flow emerging from the abovementioned gas outlet openings can enter this flushing gas flow. The purge gas flow and the gas flow emerging from the gas outlet openings there mix. It can be provided that the two gases have different thermal conductivity properties, so that the mixing of the two gas flows creates a temperature gas flow whose thermal conductivity can be adjusted by changing the mass flow of at least one of the two gases. In a variant of the invention it is provided that the gas outlet opening opening into the lower broad side surface of the susceptor opens into a recess in the underside of the susceptor. The recess can extend over the sector that the storage space includes takes. The recess is open in particular to the peripheral edge of the susceptor. This forms a section of the gap between the susceptor and the sealing plate, which has a larger gap width in the area of a storage area. The recess can widen in the radial direction and have walls extending in the radial direction.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen Brief description of the drawings
[0012] Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand bei gefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen: Embodiments of the invention are explained below with reference to the attached drawings. Show it:
Fig. 1 in der Art eines Schnittes durch eine Drehachse A eines Suszep- tors 2 schematisch den Querschnitt eines CVD-Reaktors eines ersten Ausführungsbeispiels, 1 in the manner of a section through an axis of rotation A of a susceptor 2 schematically shows the cross section of a CVD reactor of a first embodiment,
Fig. 2 in der Art eines Schnittes gemäß der Schnittlinien II-II in Figur 1 eine Draufsicht auf einen Suszeptor 2, FIG. 2 in the manner of a section according to the section lines II-II in FIG. 1, a plan view of a susceptor 2,
Fig. 3 ähnlich wie Figur 1 einen Querschnitt eines CVD Reaktor eines zweiten Ausführungsbeispiels, FIG. 3, similar to FIG. 1, shows a cross section of a CVD reactor of a second exemplary embodiment,
Fig. 4 einen Sektor eines Suszeptors 2 in der Unteransicht eines drit ten Ausführungsbeispiels und Fig. 4 shows a sector of a susceptor 2 in the bottom view of a third embodiment and
Fig. 5 einen Ausschnitt eines Gasmischsystems. 5 shows a section of a gas mixing system.
Fig. 6 eine Darstellung gemäß Figur 3 eines dritten Ausführungsbei spiels, Fig. 7 in einer Darstellung gemäß Figur 4 das dritte Ausführungsbei spiel, Fig. 6 shows a representation according to Figure 3 of a third game Ausführungsbei, Fig. 7 in a representation according to Figure 4, the third game Ausführungsbei,
Fig. 8 das dritte Ausführungsbeispiel in einer Blickrichtung VIII in Figur 7. 8 shows the third exemplary embodiment in a viewing direction VIII in FIG. 7.
Beschreibung der Ausführungsformen Description of the embodiments
[0013] Die Figuren 1 und 3 zeigen in der Art eines Querschnittes schematisch einen CVD-Reaktor mit einem nach außen gasdichten Gehäuse 1. In dem Ge häuse 1 befindet sich ein Suszeptor 2, der von einer insbesondere beschichteten Graphit-Platte ausgebildet wird, die von einem Schaft 14 getragen wird, wel cher von einem Drehantrieb 24 um eine Drehachse A drehangetrieben wird. Unterhalb des Suszeptors 2 befindet sich eine Heizeinrichtung 8, bei der es sich um eine IR-Heizung, eine RF-Heizung oder dergleichen handeln kann. Die Heizeinrichtung 8 liefert Wärme, mit der der Suszeptor 2 auf eine Prozess temperatur von 500 bis 1500°C aufgeheizt werden kann. Zwischen der Heiz einrichtung 8 und einer von einer Breitseitenfläche 2" ausgebildeten Unterseite des Suszeptors 2 befindet sich eine kreis scheibenförmige Dichtscheibe 9, die aus einem keramischen Material, aus Quarz, aus Metall oder auch beschichtetem Graphit bestehen kann. Die Dichtscheibe 9 besitzt in ihrer Mitte eine Öffnung, durch die der beim Betrieb der Vorrichtung drehangetriebene Schaft 14 hin durchragt. Die Dichtscheibe 9 ist gegenüber dem Gehäuse 1 und der am Gehäu se befestigten Heizeinrichtung 8 ortsfest. Der Suszeptor 2 dreht sich somit gegenüber der Dichtscheibe 9. Zwischen der Dichtscheibe 9 und dem Suszeptor 2 befindet sich ein Spalt 23. Der Spalt 23 besitzt beim Betrieb der Vorrichtung sich gegeneinander bewegende Spaltwände, nämlich die zweite, nach unten weisende Breitseite 2 des Substrathalters und die nach oben weisende Breit seite der Dichtplatte 9. In diesem Spalt fließt im Allgemeinen in radialer Aus wärtsrichtung ein Spülgas. Hierzu mündet in den Spalt eine Spülgaszuleitung 28 mit einer Spülgasaustrittsöffnung 27. Auf ein durch eine Austrittsöffnung 10 in der Figur 1 oder durch Austrittsöffnungen 10, 15, 18 in der Figur 3 in den Spalt 23 eingespeistes Gas wird mit dem Spülgas nach außen transportiert. Außerdem wird eine Scherkraft ausgeübt, die zur Folge hat, dass ein Gasfluss, der beispielsweise durch die Gasaustrittsöffnung 10 in den Spalt 23 eingespeist wird, auf seinem Weg in Radialauswärtsrichtung in Richtung der Suszeptor- rotation abgelenkt wird. Figures 1 and 3 show in the manner of a cross section schematically a CVD reactor with an outwardly gas-tight housing 1. In the Ge housing 1 is a susceptor 2, which is formed by a particularly coated graphite plate, which is carried by a shaft 14, wel cher is driven to rotate about an axis of rotation A by a rotary drive. Below the susceptor 2 there is a heating device 8, which can be an IR heater, an RF heater or the like. The heating device 8 supplies heat with which the susceptor 2 can be heated to a process temperature of 500 to 1500 ° C. Between the heating device 8 and an underside of the susceptor 2 formed by a broad side surface 2 ″ is a circular disk-shaped sealing disk 9, which can consist of a ceramic material, quartz, metal or coated graphite. The sealing disk 9 has in its center an opening through which the shaft 14, which is driven in rotation when the device is in operation, protrudes. The sealing disk 9 is stationary with respect to the housing 1 and the heating device 8 attached to the housing the susceptor 2 is a gap 23. The gap 23 has gap walls moving against each other when the device is in operation, namely the second, downward-facing broad side 2 of the substrate holder and the upward-facing broad side of the sealing plate 9. This gap generally flows a purge gas in the radial outward direction, an S opening into the gap for this purpose purging gas supply line 28 with a flushing gas outlet opening 27. A gas fed into the gap 23 through an outlet opening 10 in FIG. 1 or through outlet openings 10, 15, 18 in FIG. 3 is transported to the outside with the flushing gas. In addition, a shear force is exerted, which has the consequence that a gas flow, which is fed into the gap 23 through the gas outlet opening 10, for example, is deflected on its way in the radially outward direction in the direction of the susceptor rotation.
[0014] Die erste Breitseitenfläche 2' des Suszeptors 2, die zu einer Prozess kammer 4 weist und der zweiten Breitseitenfläche 2" des Suszeptors 2 gegen überliegt, besitzt eine einen Lagerplatz ausbildende Tasche 22, in der sich ein Substrathalter 3 befindet, auf dem ein Substrat 21 aufliegt. Durch eine nicht dargestellte, im Boden der Tasche 22 angeordnete Gasdüse kann ein Spülgas eingespeist werden, mit dem ein Gaspolster erzeugt wird, auf dem der durch das Gaspolster auch drehangetriebene Substrathalter 3 schwebt. The first broad side surface 2 'of the susceptor 2, which faces a process chamber 4 and the second broad side surface 2 ″ of the susceptor 2 is opposite, has a storage space forming pocket 22 in which there is a substrate holder 3 on which a Rests on the substrate 21. A gas nozzle (not shown) arranged in the bottom of the pocket 22 can be used to feed in a flushing gas with which a gas cushion is generated on which the substrate holder 3, which is also driven in rotation by the gas cushion, floats.
[0015] Im Zentrum der Prozesskammer 4 befindet sich ein Gaseinlassorgan 6, durch welches die oben genannten Prozessgase in die Prozesskammer einge speist werden können. Die Prozessgase überströmen den Suszeptor 2 und die Substrate 21 und gelangen zu einem Gasauslassorgan 7, welches den Suszeptor 2 ringförmig umgibt. Nach obenhin wird die Prozesskammer 4 durch eine aktiv oder passiv gekühlte oder auch beheizte Prozesskammerdecke 5 begrenzt. In the center of the process chamber 4 is a gas inlet member 6, through which the above-mentioned process gases can be fed into the process chamber. The process gases flow over the susceptor 2 and the substrates 21 and reach a gas outlet element 7 which surrounds the susceptor 2 in a ring. The process chamber 4 is delimited towards the top by an actively or passively cooled or also heated process chamber ceiling 5.
[0016] Der äußere Rand der Dichtscheibe liegt auf einem radial inneren Rand des Gasauslassorgans 7 auf. Die Dichtscheibe 9 dichtet somit den Raum des Gehäuses des CVD-Reaktors gegenüber dem Prozessgas ab. The outer edge of the sealing disk rests on a radially inner edge of the gas outlet element 7. The sealing disk 9 thus seals the space of the housing of the CVD reactor from the process gas.
[0017] Im Schaft 14 befinden sich übereinander und umfangsversetzt eine Vielzahl von Einspeiseöffnungen 13, in die ein Temperiergas eingespeist werden kann. Jede Einspeiseöffnung 13 ist mit einer Zuleitung verbunden, die jede Einspeiseöffnung 13 individuell mit einer in den Spalt 23 mündenden Gasaustrittsöffnung 10, 15 oder 18 verbindet. Hierzu besitzt der Schaft sich in Achsrichtung erstreckende Zuleitungen 12, 17 und 20 und der Suszeptor damit verbundene, sich in Radialrichtung erstreckende Zuleitungen 11, 16, 19. In the shaft 14 there are a plurality of feed openings 13, one above the other and offset around the circumference, into which a temperature gas is fed can be. Each feed opening 13 is connected to a feed line which connects each feed opening 13 individually to a gas outlet opening 10, 15 or 18 opening into the gap 23. For this purpose, the shaft has supply lines 12, 17 and 20 which extend in the axial direction and the susceptor has supply lines 11, 16, 19 connected thereto and extending in the radial direction.
[0018] Jede der Zuleitungen beziehungsweise Einspeiseöffnungen 13 kann mit zwei Massenflusskontrollern 25, 26 strömungsverbunden sein. Mit den beiden Massenflusskontrollern 24, 26 kann jeweils eine Gasmischung bereitgestellt werden, die aus einem stark wärmeleitfähigen Gas, beispielsweise Wasserstoff, und einem schwächer wärmeleitfähigem Gas, beispielsweise Stickstoff, besteht. Es ist aber auch vorgesehen, dass die Zuleitungen beziehungsweise Einspeise öffnungen 13 nur mit einer Gasquelle beziehungsweise einem Massenfluss kontroller verbunden sind, die ein Spülgas bereitstellen, das eine andere Wär meleitfähigkeit besitzt, als das Gas, das ansonsten im Innenraum des Gehäuses vorhanden ist. Each of the feed lines or feed openings 13 can be flow-connected to two mass flow controllers 25, 26. The two mass flow controllers 24, 26 can each be used to provide a gas mixture which consists of a highly thermally conductive gas, for example hydrogen, and a less thermally conductive gas, for example nitrogen. However, it is also provided that the feed lines or feed openings 13 are only connected to a gas source or a mass flow controller that provide a purge gas that has a different thermal conductivity than the gas that is otherwise present in the interior of the housing.
[0019] Bei dem in den Figuren 1 und 2 dargestellten Ausführungsbeispiel ist jedem Lagerplatz 12 individuell eine Gasaustrittsöffnung 10 zugeordnet, durch die ein individueller Temperiergasfluss oder eine individuelle Temperiergas mischung in den Raum unterhalb des Suszeptors 2 eingespeist werden kann, der sich unterhalb des Lagerplatzes 22 befindet. Dadurch wird der Wärme transport zwischen der Heizeinrichtung 8 und dem Suszeptor 2 beeinflusst. Die Gasaustrittsöffnung 10 ist derart in Radialeinwärtsrichtung gegenüber dem Lagerplatz 22 versetzt, dass der aus der Gasaustrittsöffnung 10 austretende Temperiergasfluss in Radialauswärtsrichtung unter dem Lagerplatz 22 entlang strömt. In der Figur 2 sind die Gasaustrittsöffnungen 10 auf einer Verbindungs linie zwischen dem Zentrum des Lagerplatzes 22 beziehungsweise des Sub strathalters 3 und der Drehachse A angeordnet. Die Gasaustrittsöffnungen 10 können aber auch in Umfangsrichtung versetzt zu dieser Verbindungslinie an geordnet sein und insbesondere derart versetzt, dass die oben beschriebene Scherkraft das Temperiergas während seines Flusses in Richtung unter den Lagerplatz 22 fördert. In the embodiment shown in Figures 1 and 2, each storage space 12 is individually assigned a gas outlet opening 10 through which an individual temperature gas flow or an individual temperature gas mixture can be fed into the space below the susceptor 2, which is located below the storage space 22 is located. As a result, the heat transport between the heating device 8 and the susceptor 2 is influenced. The gas outlet opening 10 is offset in the radial inward direction with respect to the storage space 22 in such a way that the temperature control gas flow exiting from the gas outlet opening 10 flows along in the radial outward direction under the storage space 22. In FIG. 2, the gas outlet openings 10 are arranged on a connecting line between the center of the storage space 22 or the sub strathalters 3 and the axis of rotation A. The gas outlet openings 10 but can also be arranged offset in the circumferential direction to this connecting line and in particular offset in such a way that the above-described shear force promotes the temperature control gas during its flow in the direction below the storage area 22.
[0020] Bei dem in der Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel ist zusätzlich zu der ersten Gasaustrittsöffnung 10 eine etwa in der Mitte des Lagerplatzes 22 angeordnete weitere Gasaustrittsöffnung 15 vorgesehen. Zusätzlich ist eine radial außerhalb des Lagerplatzes 2 beziehungsweise am radial äußeren Rand des Lagerplatzes 22 angeordnete weitere Gasaustrittsöffnung 18 vorgesehen, mit denen durch Einspeisen einer geeigneten Gasmischung oder eines geeigne ten Gasflusses das Temperaturprofil weiter beeinflusst werden kann. Auch diese weiteren Gasaustrittsöffnungen 15, 18 können auf einer Verbindungslinie des Zentrums des Lagerplatzes 22 mit der Drehachse A oder versetzt dazu an geordnet sein. In the embodiment shown in Figure 3, in addition to the first gas outlet opening 10, a further gas outlet opening 15 arranged approximately in the middle of the storage space 22 is provided. In addition, a further gas outlet opening 18 arranged radially outside of storage space 2 or on the radially outer edge of storage space 22 is provided, with which the temperature profile can be further influenced by feeding in a suitable gas mixture or a suitable gas flow. These further gas outlet openings 15, 18 can be arranged on a line connecting the center of the storage area 22 with the axis of rotation A or offset thereto.
[0021] Die Figur 4 zeigt beispielhaft eine Variante einer Gestaltung der Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18. Sie sind als gekrümmte, geradlinig oder bogenförmig verlaufende Vertiefungen in der Unterseite 2" des Suszeptors 2 angeordnet. Die Vertiefungen erstrecken sich insbesondere in Umfangsrichtung um die Drehachse A. Sie können eine Länge besitzen, die sich etwa über den Kreissektor erstreckt, die der Lagerplatz 22 einnimmt. Figure 4 shows an example of a variant of a design of the gas outlet openings 10, 15, 18. They are arranged as curved, straight or arcuate depressions in the bottom 2 ″ of the susceptor 2. The depressions extend in particular in the circumferential direction around the axis of rotation A. They can have a length that extends approximately over the sector of a circle occupied by bin location 22.
[0022] Bei dem in den Figuren 6 bis 8 dargestellten dritten Ausführungs beispiel mündet eine Spülgasaustrittsöffnung 27 einer Spülgaszuleitung 28 in den Spalt 23 zwischen der Breitseitenfläche 22' des Suszeptors 2 und der Dicht platte 9. Durch die Spülgaszuleitung 28 kann ein Spülgas in den Spalt 23 einge speist werden, welches den Spalt in Radialrichtung durchströmt. Die Spülgas austrittsöffnung 27 ist radial einwärts gegenüber dem Lagerplatz 22 versetzt angeordnet, sodass das aus der Spülgasaustrittsöffnung 27 austretende Spülgas unter dem Lagerplatz 22 entlang fließt. Eine Gasaustrittsöffnung 10 zum Ein speisen eines weiteren Gases ist in der zur Dichtplatte 9 weisenden Breitseiten fläche 22' des Suszeptors 2 angeordnet. Durch die Gasaustrittsöffnung 10 kann ein Gas austreten, dessen Wärmeleitfähigkeit sich von der Wärmeleitfähigkeit des Gases unterscheidet, dass durch die Spülgasaustrittsöffnung 27 in den Spalt 23 eintritt. Durch eine Variation des Massenflusses zumindest eines der beiden Gase kann die Wärmeleitfähigkeit des Gases unterhalb des Lagerplatzes 22 ver ändert werden. In the third embodiment shown in Figures 6 to 8, a purging gas outlet opening 27 of a purging gas feed line 28 opens into the gap 23 between the broad side surface 22 'of the susceptor 2 and the sealing plate 9. Through the purging gas feed line 28, a purging gas can be in the gap 23 are fed, which flows through the gap in the radial direction. The purge gas outlet opening 27 is offset radially inward relative to the storage location 22 arranged so that the flushing gas emerging from the flushing gas outlet opening 27 flows along under the storage space 22. A gas outlet opening 10 for feeding a further gas is arranged in the broad side surface 22 'of the susceptor 2 facing the sealing plate 9. A gas can exit through the gas outlet opening 10, the thermal conductivity of which differs from the thermal conductivity of the gas that enters the gap 23 through the flushing gas outlet opening 27. By varying the mass flow of at least one of the two gases, the thermal conductivity of the gas below the storage area 22 can be changed ver.
[0023] In dem in den Figuren 6 bis 8 dargestellten Ausführungsbeispiel ist unter jedem Lagerplatz auf der vom Lagerplatz 22 weg weisenden Breitseite 22' des Suszeptors 2 eine Ausnehmung 29 vorgesehen. Die Ausnehmung 29 besitzt eine Bodenfläche, die parallel zur Breitseitenfläche 22' des Suszeptors 2 ver läuft. Die Ausnehmung 29 ist zum Umfangsrand des Suszeptors 2 hin offen und besitzt zwei Wände, die sich im Wesentlichen in Radialrichtung erstrecken. Die Gasaustrittsöffnung 10 mündet radial innerhalb des Lagerplatzes 22 in die Ausnehmung 29. Das aus der Gasaustrittsöffnung 10 austretende Gas tritt in die Ausnehmung 29 und durchströmt die Ausnehmung 29 in Radialrichtung bis zu ihrer Öffnung, von wo aus das Gas in das Gasauslassorgan 7 strömt. Die beiden sich im Wesentlichen in Radialrichtung erstreckenden Seitenwände 29' der Ausnehmung 29 liegen außerhalb des Umfangs des Lagerplatzes 22. Der Boden 29" der Ausnehmung 29 besitzt einen Abstand von der die Ausnehmung 29 umgebenden Breitseitenfläche 22', der wesentlich kleiner ist, als die Hälfte der Materialstärke des Suszeptors 2 und insbesondere kleiner ist, als ein Viertel der Materialstärke des Suszeptors 2. Mit der Ausnehmung 29 wird der aus der Gas austrittsöffnung 10 austretende Gasstrom in einer Umfangszone gehalten, die sich unterhalb des Lagerplatzes 22 befindet. Die Wände 29' der Ausnehmung haben eine gasleitende Funktion. [0024] Die Heizeinrichtung 8 kann von ein oder mehreren spiralförmig verlau fenden Rohren gebildet sein, durch die eine Kühlflüssigkeit strömt. Es bildet sich ein Wärmefluss zwischen der heißen zweiten Breitseitenfläche 2" des Sus zeptors 2 und der kälteren Heizeinrichtung 8 aus. Die spiralförmig verlaufen- den Rohre bilden eine Spule, die ein elektromagnetisches Wechselfeld erzeugt, das in dem elektrisch leitenden Suszeptor 2 Wirbelströme induziert, mit denen der Suszeptor 2 beheizt wird. Es können erste Zuleitungen vorgesehen sein, durch die ein Gasstrom hindurchströmt, der ein Gaspolster erzeugt, auf dem ein Substrathalter 3 schwebt. Die erfindungsgemäßen Zuleitungen sind zweite Zuleitungen, die von den ersten Zuleitungen getrennt und verschieden sind. In the embodiment shown in Figures 6 to 8, a recess 29 is provided under each storage space on the wide side 22 'of the susceptor 2 facing away from the storage space 22. The recess 29 has a bottom surface which runs parallel to the broad side surface 22 'of the susceptor 2 ver. The recess 29 is open towards the peripheral edge of the susceptor 2 and has two walls which extend essentially in the radial direction. The gas outlet opening 10 opens radially inside the storage space 22 into the recess 29. The gas emerging from the gas outlet opening 10 enters the recess 29 and flows through the recess 29 in the radial direction up to its opening, from where the gas flows into the gas outlet element 7. The two substantially radially extending side walls 29 'of the recess 29 are outside the circumference of the storage space 22. The bottom 29 "of the recess 29 is at a distance from the broad side surface 22' surrounding the recess 29 that is significantly smaller than half the material thickness of the susceptor 2 and in particular less than a quarter of the material thickness of the susceptor 2. With the recess 29, the gas flow emerging from the gas outlet opening 10 is kept in a circumferential zone which is located below the storage area 22. The walls 29 'of Recesses have a gas-conducting function. The heating device 8 can be formed by one or more spirally extending tubes through which a cooling liquid flows. A heat flow is formed between the hot second broad side surface 2 ″ of the susceptor 2 and the colder heating device 8. The spirally extending tubes form a coil that generates an alternating electromagnetic field that induces eddy currents in the electrically conductive susceptor 2 which the susceptor 2 is heated. First feed lines can be provided through which a gas stream flows which creates a gas cushion on which a substrate holder floats. The feed lines according to the invention are second feed lines that are separate and different from the first feed lines.
[0025] Die in der zweiten Breitseitenfläche 2" des Suszeptors 2 mündenden Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18 sind unmittelbar mit den sich in Radialrich tung erstreckenden Zuleitungen 11, 16, 19 verbunden. Letztere sind wieder unmittelbar mit den sich im Schaft in Achsrichtung erstreckenden Zuleitungen 12, 17 und 20 verbunden, so dass der in die Zuleitungen 12, 17, 20 oder dieThe gas outlet openings 10, 15, 18 opening into the second broad side surface 2 ″ of the susceptor 2 are directly connected to the feed lines 11, 16, 19 extending in the radial direction. The latter are again directly connected to the feed lines extending in the shaft in the axial direction 12, 17 and 20 connected so that the in the supply lines 12, 17, 20 or the
Zuleitungen 11, 16, 19 eingespeiste Gasstrom ausschließlich durch die Gasaus trittsöffnungen 10, 15 oder 18 in den Raum 23 zwischen Heizeinrichtung 8 und unterer Breitseitenfläche 2" des Suszeptors 2 eintritt. Supply lines 11, 16, 19 fed gas flow exclusively through the gas outlet openings 10, 15 or 18 in the space 23 between the heating device 8 and the lower broad side surface 2 ″ of the susceptor 2 enters.
[0026] Während in die ersten Zuleitungen ein Spülgas zur Erzeugung des Gaspolsters einspeisbar ist, sind in die zweiten Zuleitungen Temperiergase ein- speisbar. Das in die ersten Zuleitungen eingespeiste Spülgas kann von einer ersten Gasquelle bereitgestellt werden. Das in die zweiten Zuleitungen ein- speisbare Temperiergas kann von einer von der ersten Gasquelle verschiedenen zweiten Gasquellen bereitgestellt werden. [0027] Die Erfindung betrifft somit auch eine Vorrichtung in Form eines um eine Drehachse A drehantreibbaren Suszeptors 2 für einen CVD-Reaktor mit einer ersten Breitseitenfläche 2", auf der eine Vielzahl von Lagerplätzen 22 zur Aufnahme zu behandeln der Substrate 21 um die Drehachse A herum angeord net sind, mit einer von der ersten Breitseitenfläche 2 wegweisenden zweiten Breitseitenfläche 2", wobei jedem Lagerplatz 22 zumindest eine in der zweiten Breitseitenfläche 2" mündende Gasaustrittsöffnung 10, 15,18 räumlich zugeord net ist, gekennzeichnet durch eine durch einen Spalt 23 von der zweiten Breit seitenfläche 22' des Suszeptors 2 beabstandete Dichtplatte 9. While a flushing gas for generating the gas cushion can be fed into the first feed lines, temperature control gases can be fed into the second feed lines. The flushing gas fed into the first feed lines can be provided by a first gas source. The temperature control gas that can be fed into the second feed lines can be provided by a second gas source different from the first gas source. The invention thus also relates to a device in the form of a susceptor 2 which can be driven in rotation about an axis of rotation A for a CVD reactor a first broadside surface 2 ″, on which a plurality of storage locations 22 for receiving the substrates 21 to be treated around the axis of rotation A are angeord net, with a second broadside surface 2 ″ pointing away from the first broadside surface 2, with each storage location 22 at least one in the second broadside surface 2 "opening gas outlet opening 10, 15, 18 is spatially zugeord net, characterized by a sealing plate 9 spaced apart from the second broadside surface 22 'of susceptor 2 by a gap 23.
[0028] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zu- mindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenstän dig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombi nationen auch kombiniert sein können, nämlich: The above explanations serve to explain the inventions covered by the application as a whole, which develop the state of the art independently at least by means of the following combinations of features, whereby two, more or all of these combinations of features can also be combined, namely :
[0029] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass in der zweiten Breitseitenfläche 2 Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18 vorgesehen sind, wobei jedem Lagerplatz 22 zumindest eine der Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18 räum lich zugeordnet ist. A device which is characterized in that 2 gas outlet openings 10, 15, 18 are provided in the second broad side surface, at least one of the gas outlet openings 10, 15, 18 being spatially assigned to each storage space 22.
[0030] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Gasaus trittsöffnungen 10, 15, 18 in der zweiten Breitseitenfläche 2 des Suszeptors 2 angeordnet sind und jedem Lagerplatz 22 zumindest eine der Gasaustrittsöff- nungen 10, 15, 18 räumlich zugeordnet ist. A device which is characterized in that the gas outlet openings 10, 15, 18 are arranged in the second broad side surface 2 of the susceptor 2 and at least one of the gas outlet openings 10, 15, 18 is spatially assigned to each storage location 22.
[0031] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass jedem Lagerplatz 22 zumindest eine der in der zweiten Breitseitenfläche 2" des Suszeptors 2 an geordneten Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18 zugeordnet ist, durch welche ein Gasfluss strömt. [0032] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Abstands raum von einem Spalt 23 zwischen einer Dichtplatte 9 und der zweiten Breitsei tenfläche 2" des Suszeptors 2 gebildet ist und/ oder dass eine Dichtplatte 9 zwi schen Suszeptor 2 und Heizeinrichtung 8 sitzt. A method which is characterized in that each storage location 22 is assigned at least one of the gas outlet openings 10, 15, 18 arranged in the second broad side surface 2 ″ of the susceptor 2, through which a gas flow flows. A device which is characterized in that the spacing space is formed by a gap 23 between a sealing plate 9 and the second broad side surface 2 ″ of the susceptor 2 and / or that a sealing plate 9 is seated between the susceptor 2 and the heating device 8 .
[0033] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass der Suszeptor 2 gegenüber einer zwischen der zweiten Breitseitenfläche 2" des Suszeptors 2 und der Heizeinrichtung 8 sitzenden, gegenüber einem Gehäuse 1 ortsfesten Dichtplatte 9 drehangetrieben wird und das Gas in den von einem Spalt zwi schen der Dichtplatte 9 und der zweiten Breitseitenfläche 2 des Suszeptors 2 gebildeten Abstandsraum eingespeist wird. A method which is characterized in that the susceptor 2 is driven in rotation with respect to a sealing plate 9, which is seated between the second broad side surface 2 "of the susceptor 2 and the heating device 8 and is stationary with respect to a housing 1, and the gas is driven into the by a gap between Between the sealing plate 9 and the second broad side surface 2 of the susceptor 2 formed spacing space is fed.
[0034] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass ein in der Drehachse A angeordnetes Gaseinlassorgan 6 und ein ringförmiges, um den einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Suszeptor 2 angeordnetes Gas auslassorgan 7 vorgesehen sind und/ oder dass zumindest eine Gasaustrittsöff nung 10 zwischen Drehachse A und dem zugeordneten Lagerplatz 22 angeord net ist und/ oder dass jede Gasaustrittsöffnung 10, 15, 18 mit zumindest einer Zuleitung 11, 12, 16, 17, 19, 20 mit einer Einspeiseöffnung 13 strömungsverbun den ist, in die ein von einem Massenflusskontroller 25 individuell einstellbarer Gasfluss eines Temperiergases einspeisbar ist. A device which is characterized in that a gas inlet element 6 arranged in the axis of rotation A and an annular gas outlet element 7 arranged around the susceptor 2 having a circular outline are provided and / or that at least one gas outlet opening 10 between the axis of rotation A and the assigned storage space 22 is angeord net and / or that each gas outlet opening 10, 15, 18 with at least one feed line 11, 12, 16, 17, 19, 20 with a feed opening 13 is flow-connected, into which a mass flow controller 25 is individually adjustable gas flow of a temperature gas can be fed.
[0035] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass mit einem in der Drehachse A angeordneten Gaseinlassorgan 6 ein Prozessgase enthaltender Gasstrom in die Prozesskammer 4 eingespeist wird, der in Radialrichtung durch die Prozesskammer 4 hindurchströmt und mittels eines ringförmigen, um den einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Suszeptor 2 angeordne ten Gasauslassorgan 7 abgeführt wird und/ oder dass das Gas mittels des Gas auslassorganes 7 abgeführt wird und/ oder dass der aus zumindest einer zwischen Drehachse A und zugeordnetem Lagerplatz 2 angeordneten Gasaus- trittsöffnung 10 austretender Gasfluss eines Temperiergases von einem Massen- flusskontr oller 25 individuell eingestellt wird und/ oder dass das Gas unter dem Lagerplatz 22 hindurchströmt. A method which is characterized in that with a gas inlet element 6 arranged in the axis of rotation A, a gas stream containing process gases is fed into the process chamber 4, which flows in the radial direction through the process chamber 4 and by means of an annular, circular outline having susceptor 2 arranged gas outlet element 7 is discharged and / or that the gas is discharged by means of the gas outlet element 7 and / or that the from at least one The gas flow of a tempering gas exiting between the axis of rotation A and the assigned storage location 2 is set individually by a mass flow controller 25 and / or that the gas flows through under the storage location 22.
[0036] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass zwischen einer ersten, zwischen Drehachse A und Lagerplatz 22 angeordneten Gasaustrittsöff nung 10 und einem radial äußeren Rand des Suszeptors 2 zumindest eine zwei te Gasaustrittsöffnung 15, 18 angeordnet ist und/ oder dass eine zweite Gasaus trittsöffnung 15, 18 unterhalb des Lagerplatzes 22 oder zwischen Lagerplatz 22 und einem radial äußeren Rand des Suszeptors 2 angeordnet ist und/ oder dass die ersten und/ oder zweiten Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18 von länglichen, geradlinigen oder bogenförmig verlaufenden Vertiefungen in der zweiten Breitseitenfläche 2" gebildet sind und/ oder, dass sich eine die Gasaustrittsöffnungen 10, 15, 18 ausbildende Vertiefung über einen den Lager platz 22 ausfüllenden Sektor erstreckt und/ oder ein Gasmischsystem mit einer ersten Quelle zumindest ein erstes Spülgas und/ oder mit einer zweiten Quelle ein zweites Spülgas bereitstellt, wobei sich die Spülgase durch ihre Wärmeleit fähigkeit unterscheiden und/ oder mit einem Gasmischsystem ein Gasfluss und/ oder eine einstellbare Mischung eines Flusses zweier Spülgase auf eine Vielzahl von Massenflusskontroller 25 verteilt wird und/ oder dass zumindest die in die den verschiedenen Lagerplätzen 22 räumlich zugeordneten Gasaus trittsöffnungen 10, 15, 18 eingespeisten, die Gasflüsse bildenden Spülgase indi viduell einstellbar sind und/ oder dass in einen Spalt (23) zwischen Suszeptor (2) und einer Dichtplatte (9) radial einwärts des Lagerplatzes (22) eine Spül gasaustrittsöffnung (27) zum Einspeisen eines Spülgases in den Spalt (23) vor gesehen ist und/ oder dass die zur Heizeinrichtung (8) weisende Breitseiten fläche (2') des Suszeptors (2) eine sich über einen vom Lagerplatz (22) eingenommenen Sektor erstreckende Ausnehmung (29) aufweist, in welche die Gasaustrittsöffnung (10) mündet. [0037] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass ein erster Gasfluss zwischen Drehachse A und Lagerplatz 22 und ein zweiter Gasfluss unterhalb eines Lagerplatzes 2 oder zwischen Lagerplatz 2 und einem äußeren Rand des Suszeptors 2 in den Abstandsraum eingespeist wird und/ oder dass der erste Gasfluss und/ oder der zweite Gasfluss mittels einer länglichen, geradlinigen oder bogenförmig verlaufenden Vertiefung in die zweite Breitseitenfläche 2" eingespeist wird, und/ oder, dass sich die Vertiefung über einen den Lagerplatz 22 ausfüllenden Sektor erstreckt und/ oder ein Gasmischsystem mit einer ersten Quelle zumindest ein erstes Spülgas und/ oder mit einer zweiten Quelle ein zweites Spülgas bereitstellt, wobei sich die Spülgase durch ihre Wärmeleitfä higkeit unterscheiden und/ oder mit einem Gasmischsystem ein Gasfluss und/ oder eine einstellbare Mischung eines Llusses zweier Spülgase auf eine Vielzahl von Massenflusskontroller 25 verteilt wird und/ oder dass zumindest die in die den verschiedenen Lagerplätzen 22 räumlich zugeordneten Gasaus trittsöffnungen 10, 15, 18 eingespeisten, die Gasflüsse bildenden Spülgase indi viduell einstellbar sind. A device which is characterized in that at least one second gas outlet opening 15, 18 is arranged between a first gas outlet opening 10 arranged between the axis of rotation A and storage location 22 and a radially outer edge of the susceptor 2 and / or that a second Gas outlet opening 15, 18 is arranged below the storage space 22 or between storage space 22 and a radially outer edge of the susceptor 2 and / or that the first and / or second gas outlet openings 10, 15, 18 of elongated, straight or arcuate recesses in the second Broad side surface 2 ″ are formed and / or that a recess forming the gas outlet openings 10, 15, 18 extends over a sector filling the storage space 22 and / or a gas mixing system with a first source at least one first flushing gas and / or with a second source provides a second purge gas, the purge gases by their thermal conductivity u differentiate and / or with a gas mixing system a gas flow and / or an adjustable mixture of a flow of two purge gases is distributed to a plurality of mass flow controllers 25 and / or that at least the gas outlet openings 10, 15, 18 which are spatially assigned to the different storage locations 22 are fed in, the flushing gases forming the gas flows are individually adjustable and / or that in a gap (23) between the susceptor (2) and a sealing plate (9) radially inward of the storage space (22) a flushing gas outlet opening (27) for feeding a flushing gas into the gap ( 23) is provided and / or that the broadside surface (2 ') of the susceptor (2) facing the heating device (8) has a recess (29) which extends over a sector occupied by the storage space (22) and into which the gas outlet opening ( 10) opens. A method which is characterized in that a first gas flow between the axis of rotation A and storage area 22 and a second gas flow below a storage area 2 or between storage area 2 and an outer edge of the susceptor 2 is fed into the spacing space and / or that the The first gas flow and / or the second gas flow is fed into the second broad side surface 2 ″ by means of an elongated, straight or curved recess, and / or that the recess extends over a sector filling the storage space 22 and / or a gas mixing system with a first Source provides at least a first flushing gas and / or a second flushing gas with a second source, the flushing gases differing in their thermal conductivity and / or a gas flow with a gas mixing system and / or an adjustable mixture of a flow of two flushing gases to a plurality of mass flow controllers 25 is distributed and / or that at least the in di e the various storage spaces 22 spatially assigned gas exit openings 10, 15, 18 fed, the gas flows forming the purge gases are indi viduell adjustable.
[0038] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/ beigefügten Prioritäts unterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender An meldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbe sondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/ oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfindung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehenden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, ins besondere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck ent behrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt wer den können. All the features disclosed are essential to the invention (individually, but also in combination with one another). In the disclosure of the application, the disclosure content of the associated / attached priority documents (copy of the previous application) is hereby fully included, also for the purpose of including features of these documents in the claims of the present application. The subclaims characterize, even without the features of a referenced claim, with their features independent inventive developments of the prior art, in particular in order to make divisional applications on the basis of these claims. The invention specified in each claim can additionally have one or more of the features provided in the above description, in particular provided with reference numbers and / or specified in the list of reference numbers. The invention also relates to designs in which individual the in the The features mentioned above are not realized, in particular insofar as they are recognizable for the respective purpose or can be replaced by other technically equivalent means.
Liste der Bezugszeichen List of reference signs
1 Gehäuse 20 Zuleitung 1 housing 20 supply line
2 Suszeptor 21 Substrat 2 susceptor 21 substrate
2' Breitseitenfläche 22 Tasche, Lagerplatz 2" Breitseitenfläche 23 Spalt 2 'broadside surface 22 pocket, storage space 2 "broadside surface 23 gap
3 Substrathalter 24 Drehantrieb 3 substrate holder 24 rotary drive
4 Prozesskammer 25 Massenflusskontroller4 process chamber 25 mass flow controller
5 Prozesskammerdecke 26 Massenflusskontroller5 process chamber ceiling 26 mass flow controller
6 Gaseinlassorgan 27 Spülgasaustrittsöffnung6 gas inlet element 27 flushing gas outlet opening
7 Gasauslassorgan 28 Spülgaszuleitung7 gas outlet element 28 flushing gas feed line
8 Heizeinrichtung 29 Ausnehmung 8 heating device 29 recess
9 Dichtplatte 29' Seitenwand 9 Sealing plate 29 'side wall
10 Gasaustrittsöffnung A Drehachse 10 Gas outlet opening A axis of rotation
11 Zuleitung 11 supply line
12 Zuleitung 12 supply line
13 Einspeiseöffnung 13 Feed opening
14 Schaft 14 shaft
15 Gasaustrittsöffnung 15 gas outlet opening
16 Zuleitung 16 supply line
17 Zuleitung 17 supply line
18 Gasaustrittsöffnung 18 Gas outlet opening
19 Zuleitung 19 supply line

Claims

Ansprüche Expectations
1. Vorrichtung in Form eines um eine Drehachse (A) drehantreibbaren Sus zeptors (2) für einen CVD-Reaktor mit einer ersten Breitseitenfläche (2'), auf der eine Vielzahl von Lagerplätzen (22) zur Aufnahme zu behandeln der Substrate (21) um die Drehachse (A) herum angeordnet sind, mit einer von der ersten Breitseitenfläche (2') weg weisenden zweiten Breitseitenflä che (2"), wobei jedem Lagerplatz (22) zumindest eine in der zweiten Breit seitenfläche (2") mündende Gasaustrittsöffnung (10, 15,18) räumlich zuge ordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasaustrittsöffnungen (10,1. Device in the form of a susceptor (2) that can be rotated about an axis of rotation (A) for a CVD reactor with a first broad side surface (2 ') on which a plurality of storage spaces (22) for receiving the substrates (21) to be treated are arranged around the axis of rotation (A), with a second broadside surface (2 ") facing away from the first broadside surface (2 '), each storage location (22) having at least one gas outlet opening (2") opening into the second broadside surface (2 "). 10, 15, 18) is spatially assigned, characterized in that the gas outlet openings (10,
15, 18) zwischen Drehachse (A) und dem zugeordneten Lagerplatz (22) angeordnet sind. 15, 18) are arranged between the axis of rotation (A) and the assigned storage location (22).
2. Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Substraten (21) mit einem von einem Drehantrieb (24) um eine Drehachse (A) drehantreibbaren Sus- zeptor (2), mit einer zu einer Prozesskammer (4) weisenden ersten Breitseitenfläche (2'), auf der eine Vielzahl von Lagerplätzen (22) zur Aufnahme zu behan delnden Substraten (21) um die Drehachse (A) herum angeordnet sind, mit einer von der ersten Breitseitenfläche weg weisenden zweiten Breit seitenfläche ( 2 "), der eine Heizeinrichtung (8) zum Aufheizen des Suszep- tors (2) auf eine Prozesstemperatur gegenüber liegt und mit in einen Abstandsraum zwischen der Heizeinrichtung (8) und der zweiten Breitseitenfläche (2") des Suszeptors (2) mündenden Gasaustritts öffnungen (10, 15, 18) zur Einspeisung eines Temperiergases in den Ab standsraum, wobei die Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) in der zweiten Breitseitenfläche(2, 2') des Suszeptors (2) angeordnet und jeweils einem Lagerplatz (22) räumlich zugeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) zwischen Drehachse (A) und dem zugeordneten Lagerplatz (22) angeordnet sind. 2. Device for the thermal treatment of substrates (21) with a susceptor (2) that can be driven in rotation about an axis of rotation (A) by a rotary drive (24), with a first broad side surface (2 ') facing a process chamber (4) the a plurality of storage bins (22) for receiving to be treated substrates (21) are arranged around the axis of rotation (A) around, with a second broad side surface facing away from the first broad side surface (2 "), which has a heating device (8) for Heating the susceptor (2) to a process temperature is opposite and with gas outlet openings (10, 15, 18) opening into a space between the heating device (8) and the second broad side surface (2 ") of the susceptor (2) for feeding in a gas outlet Tempering gas in the space, the gas outlet openings (10, 15, 18) being arranged in the second broad side surface (2, 2 ') of the susceptor (2) and each spatially assigned to a storage space (22), characterized in that that the gas outlet openings (10, 15, 18) are arranged between the axis of rotation (A) and the associated storage space (22).
Verfahren zur thermischen Behandlung von Substraten (21), bei dem ein Suszeptor (2) um eine Drehachse (A) drehangetriebenen wird, auf einer zu einer Prozesskammer Method for the thermal treatment of substrates (21), in which a susceptor (2) is driven to rotate about an axis of rotation (A) on a process chamber
(4) weisenden ersten Breitseitenfläche ( 2' ) eine Viel zahl von um die Drehachse (A) herum auf Lagerplätzen (22) angeordnete Substrate (21) trägt und mit einer Heizeinrichtung (8), die einer von der ersten Breitseitenfläche ( 2' ) wegweisenden zweiten Breitseitenfläche (2") gegenüberliegt, auf eine Prozesstemperatur aufgeheizt wird, wobei in einen Abstandsraum zwischen der Heizeinrichtung (8) und der zweiten Breitseitenfläche (2") des Suszeptors (2) durch dort mündende Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) ein Gas eingespeist wird, wobei jedem Lagerplatz (22) zumindest eine der in der zweiten Breitseitenfläche (2") des Suszeptors (2) angeordneten Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) zuge ordnet ist, durch welche ein Gasfluss strömt, dadurch gekennzeichnet, dass durch die Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) ein dem Lagerplatz (22) individuell eingestelltes Temperiergas fließt, mit dem ein Wärmefluss zwischen dem Lagerplatz (22) und der Heizeinrichtung (8) beeinflusst wird. (4) facing first broadside surface (2 ') carries a large number of substrates (21) arranged around the axis of rotation (A) on storage locations (22) and with a heating device (8) which is one of the first broadside surface (2') facing the second broadside surface (2 ") facing away, is heated to a process temperature, with a gap between the heating device (8) and the second broadside surface (2") of the susceptor (2) through gas outlet openings (10, 15, 18) opening there Gas is fed in, with each storage space (22) being assigned at least one of the gas outlet openings (10, 15, 18) arranged in the second broad side surface (2 ″) of the susceptor (2), through which a gas flow flows, characterized in that through the gas outlet openings (10, 15, 18) a temperature control gas individually set for the storage space (22) flows, with which a heat flow between the storage space (22) and the heating device (8) is influenced.
Vorrichtung in Form eines um eine Drehachse A drehantreibbaren Sus zeptors (2) für einen CVD-Reaktor mit einer ersten Breitseitenfläche (21), auf der eine Vielzahl von Lagerplätzen 22 zur Aufnahme zu behandeln der Substrate 21 um die Drehachse (A) herum angeordnet sind, mit einer von der ersten Breitseitenfläche ( 2' ) wegweisenden zweiten Breitseiten fläche (2"), wobei jedem Lagerplatz (22) zumindest eine in der zweiten Breitseitenfläche (2") mündende Gasaustrittsöffnung (10, 15, 18) räumlich zugeordnet ist, gekennzeichnet durch eine durch einen Spalt (23) von der zweiten Breitseitenfläche (22") des Suszeptors (2) beabstandete DichtplatteDevice in the form of a rotationally driven susceptor (2) for a CVD reactor with a first broad side surface (2 1 ) on which a plurality of storage spaces 22 for receiving the substrates 21 to be treated around the axis of rotation (A) with a second broadside surface (2 ") pointing away from the first broadside surface (2 '), each storage space (22) being spatially assigned to at least one gas outlet opening (10, 15, 18) opening into the second broadside surface (2"), characterized by a through a gap (23) from the second broad side surface (22 ") of the susceptor (2) spaced sealing plate
(9). (9).
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Suszeptor (2) gegenüber einer zwischen der zweiten Breitseitenfläche (2") des Sus- zeptors (2) und der Heizeinrichtung (8) sitzenden, gegenüber einem5. The method according to claim 3, characterized in that the susceptor (2) opposite one between the second broad side surface (2 ") of the susceptor (2) and the heating device (8) seated, opposite one
Gehäuse (1) ortsfesten Dichtplatte (9) drehangetrieben wird und das Gas in den von einem Spalt zwischen einer Dichtplatte (9) und der zweiten Breitseitenfläche (2") des Suszeptors (2) gebildeten Abstandsraum einge speist wird. Housing (1) stationary sealing plate (9) is driven in rotation and the gas is fed into the space formed by a gap between a sealing plate (9) and the second broad side surface (2 ") of the susceptor (2).
6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass ein in der Drehachse (A) angeordnetes Gaseinlass organ (6) und ein ringförmiges, um den einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Suszeptor (2) angeordnetes Gasauslassorgan 6. Device according to one of the preceding claims, characterized in that a gas inlet organ (6) arranged in the axis of rotation (A) and an annular gas outlet organ arranged around the susceptor (2) having a circular outline
(7) vorgesehen sind 7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass jede Gasaustrittsöffnung (10, 15, 18) mit zumindest einer Zuleitung (11, 12, 16, 17, 19, 20) mit einer Einspeiseöffnung (13) strömungsverbunden ist, in die ein von einem Massenflusskontroller (25) individuell einstellbarer Gasfluss eines Temperiergases einspeisbar ist. (7) are provided 7. Device according to one of the preceding claims, characterized in that each gas outlet opening (10, 15, 18) with at least one feed line (11, 12, 16, 17, 19, 20) with a feed opening (13 ) is flow-connected, into which a gas flow of a temperature gas that can be individually adjusted by a mass flow controller (25) can be fed.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass mit einem in der Drehachse (A) angeordneten Gaseinlass organ (6) ein Prozessgase enthaltender Gasstrom in die Prozesskammer (4) eingespeist wird, der in Radialrichtung durch die Prozesskammer (4) hin durchströmt und mittels eines ringförmigen, um den einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Suszeptor (2) angeordneten Gasauslassorgan (7) abgeführt wird. 8. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that with a gas inlet organ (6) arranged in the axis of rotation (A), a gas flow containing process gases is fed into the process chamber (4) which flows in the radial direction through the process chamber (4) flows through and by means of an annular, around the one circular Floor plan having susceptor (2) arranged gas outlet element (7) is discharged.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass der aus zumindest einer zwischen Drehachse (A) und zuge- ordnetem Lagerplatz (2) angeordneten Gasaustrittsöffnung (10) austre tender Gasfluss eines Temperiergases von einem Massenflusskontroller (25) individuell eingestellt wird und/ oder dass das Gas unter dem Lager platz (22) hindurchströmt. 9. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the gas outlet opening (10) from at least one gas outlet opening (10) arranged between the axis of rotation (A) and assigned storage space (2) is set individually by a mass flow controller (25) and / or that the gas flows under the storage space (22).
10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, dass zwischen einer ersten, zwischen Drehachse (A) und10. Device according to one of the preceding claims, characterized in that between a first, between the axis of rotation (A) and
Lagerplatz (22) angeordneten Gasaustrittsöffnung (10) und einem radial äußeren Rand des Suszeptors (2) zumindest eine zweite Gasaustrittsöff nung (15, 18) angeordnet ist und/ oder dass eine zweite Gasaustrittsöff nung (15, 18) unterhalb des Lagerplatzes (22) oder zwischen Lagerplatz (22) und einem radial äußeren Rand des Suszeptors (2) angeordnet ist. Storage space (22) arranged gas outlet opening (10) and a radially outer edge of the susceptor (2) at least one second gas outlet opening (15, 18) is arranged and / or that a second gas outlet opening (15, 18) below the storage area (22) or is arranged between the storage space (22) and a radially outer edge of the susceptor (2).
11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass die ersten und/ oder zweiten Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) von länglichen, geradlinigen oder bogenförmig verlaufenden Vertiefungen in der zweiten Breitseitenfläche (2") gebildet sind. 11. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the first and / or second gas outlet openings (10, 15, 18) are formed by elongated, straight or arcuate recesses in the second broad side surface (2 ").
12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass sich eine die Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) aus bildende Vertiefung über einen den Lagerplatz (22) ausfüllenden Sektor erstreckt. 12. Device according to one of the preceding claims, characterized in that one of the gas outlet openings (10, 15, 18) from the forming recess extends over a sector filling the storage space (22).
13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass ein Gasmischsystem mit einer ersten Quelle zumindest ein erstes Spülgas und/ oder mit einer zweiten Quelle ein zweites Spülgas bereitstellt, wobei sich die Spülgase durch ihre Wärmeleitfähigkeit unter- scheiden und/ oder mit einem Gasmischsystem ein Gasfluss und/ oder eine einstellbare Mischung eines Flusses zweier Spülgase auf eine Vielzahl von Massenflusskontroller (25) verteilt wird. 13. Device according to one of the preceding claims, characterized in that a gas mixing system with a first source provides at least a first flushing gas and / or a second flushing gas with a second source, the flushing gases differing in their thermal conductivity and / or with a gas mixing system, a gas flow and / or an adjustable mixture of a flow of two purge gases is distributed to a plurality of mass flow controllers (25).
14. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass zumindest die in die den verschiedenen Lagerplätzen (22) räumlich zugeordneten Gasaustrittsöffnungen (10, 15, 18) eingespeis ten, die Gasflüsse bildenden Spülgase individuell einstellbar sind. 14. Device according to one of the preceding claims, characterized in that at least the gas outlet openings (10, 15, 18) that are spatially assigned to the various storage locations (22) and the purge gases forming the gas flows can be individually adjusted.
15. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass in einen Spalt (23) zwischen Suszeptor (2) und einer Dichtplatte (9) radial einwärts des Lagerplatzes (22) eine Spülgasaustritts- Öffnung (27) zum Einspeisen eines Spülgases in den Spalt (23) vorgesehen ist. 15. Device according to one of the preceding claims, characterized in that in a gap (23) between the susceptor (2) and a sealing plate (9) radially inward of the storage space (22) has a flushing gas outlet opening (27) for feeding a flushing gas into the gap (23) is provided.
16. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass die zur Heizeinrichtung (8) weisende Breitseitenfläche ( 2' ) des Suszeptors (2) eine sich über einen vom Lagerplatz (22) einge nommenen Sektor erstreckende Ausnehmung (29) aufweist, in welche die Gasaustrittsöffnung (10) mündet. 16. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the broad side surface (2 ') of the susceptor (2) facing the heating device (8) has a recess (29) which extends over a sector taken from the storage space (22), into which the gas outlet opening (10) opens.
17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass ein erster Gasfluss zwischen Drehachse (A) und Lagerplatz (22) und ein zweiter Gasfluss unterhalb eines Lagerplatzes (2) oder zwischen Lagerplatz (2) und einem äußeren Rand des Suszeptors (2) in den Abstandsraum eingespeist wird. 17. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that a first gas flow between the axis of rotation (A) and storage location (22) and a second gas flow below a storage location (2) or is fed into the space between the storage space (2) and an outer edge of the susceptor (2).
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Gas fluss und/ oder der zweite Gasfluss mittels einer länglichen, geradlinigen oder bogenförmig verlaufenden Vertiefung in die zweite Breitseitenfläche18. The method according to claim 17, characterized in that the first gas flow and / or the second gas flow by means of an elongated, rectilinear or arcuate recess in the second broad side surface
(2") eingespeist wird. (2 ") is fed in.
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Ver tiefung über einen den Lagerplatz (22) ausfüllenden Sektor erstreckt. 19. The method according to claim 18, characterized in that the recess extends over a sector filling the storage space (22).
20. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn- zeichnet, dass ein Gasmischsystem mit einer ersten Quelle zumindest ein erstes Spülgas und/ oder mit einer zweiten Quelle ein zweites Spülgas bereitstellt, wobei sich die Spülgase durch ihre Wärmeleitfähigkeit unter scheiden und/ oder mit einem Gasmischsystem ein Gasfluss und/ oder eine einstellbare Mischung eines Flusses zweier Spülgase auf eine Vielzahl von Massenflusskontroller (25) verteilt wird. 20. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that a gas mixing system with a first source provides at least a first flushing gas and / or a second flushing gas with a second source, the flushing gases differing and / or with their thermal conductivity a gas mixing system, a gas flow and / or an adjustable mixture of a flow of two purge gases is distributed to a plurality of mass flow controllers (25).
21. Vorrichtung oder Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche. 21. Device or method, characterized by one or more of the characterizing features of one of the preceding claims.
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