DE102018124957A1 - CVD reactor with substrate holders resting on gas cushions - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Abscheiden von Schichten auf zumindest einem Substrat (1), wobei durch ein Gaseinlassorgan (3) ein Prozessgas (PG) in eine Prozesskammer (2) eingespeist wird und das Substrat (1) auf einem von einem Suszeptor (4) auf einem Gaspolster (5) gelagerten Substrathalter (9) aufliegt, wobei eine einen Wärmefluss vom Suszeptor (4) zum Substrathalter (6) beeinflussende Höhe (h) des Gaspolsters (5) durch eine Variation eines ersten Spülgasflusses (7) eines ersten Spülgases eingestellt wird, welches Spülgas durch eine erste Spülgasaustrittsöffnung (8) in einen Spalt (9) zwischen einer Lagerfläche (10) des Suszeptors (4) und einer Unterseite des Substrathalters (6) eingespeist wird, wobei das Spülgas aus dem Spalt (9) in die Prozesskammer (2) strömt, wobei durch eine zwischen Gaseinlassorgan (3) und Substrathalter (6) angeordnete zweite Spülgasaustrittsöffnung (11) ein zweiter Spülgasfluss (12) eines zweiten Spülgases in die Prozesskammer (2) eingespeist wird. Erfindungsgemäß soll mit dem zweiten Spülgasfluss (12) der Einfluss eines sich verändernden ersten Spülgasflusses (7) kompensiert werden. Hierzu wird vorgeschlagen, dass der zweite Spülgasfluss (12) unabhängig vom ersten Spülgasfluss (7) eingestellt beziehungsweise geregelt wird.The invention relates to a device and a method for depositing layers on at least one substrate (1), a process gas (PG) being fed into a process chamber (2) through a gas inlet element (3) and the substrate (1) on one of them Susceptor (4) rests on a gas cushion (5) mounted substrate holder (9), a height (h) of the gas cushion (5) influencing a heat flow from the susceptor (4) to the substrate holder (6) by varying a first flushing gas flow (7) a first purge gas is set, which purge gas is fed through a first purge gas outlet opening (8) into a gap (9) between a bearing surface (10) of the susceptor (4) and an underside of the substrate holder (6), the purge gas being discharged from the gap ( 9) flows into the process chamber (2), a second purge gas flow (12) of a second purge gas in di. Through a second purge gas outlet opening (11) arranged between the gas inlet member (3) and the substrate holder (6) e Process chamber (2) is fed. According to the invention, the influence of a changing first purge gas flow (7) is to be compensated for with the second purge gas flow (12). For this purpose, it is proposed that the second purge gas flow (12) be set or regulated independently of the first purge gas flow (7).

Description

Gebiet der TechnikTechnical field

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden von Schichten auf zumindest einem Substrat, wobei durch ein Gaseinlassorgan ein Prozessgas in eine Prozesskammer eingespeist wird und das Substrat auf einem von einem Suszeptor auf einem Gaspolster gelagerten Substrathalter aufliegt, wobei eine einen Wärmefluss vom Suszeptor zum Substrathalter beeinflussende Höhe des Gaspolsters durch eine Variation eines ersten Spülgasflusses eines ersten Spülgases eingestellt wird, welches Spülgas durch eine erste Spülgasaustrittsöffnung in einen Spalt zwischen einer Lagerfläche des Suszeptors und einer Unterseite des Substrathalters eingespeist wird, wobei das Spülgas aus dem Spalt in die Prozesskammer strömt, wobei durch eine zwischen Gaseinlassorgan und Substrathalter angeordnete zweite Spülgasaustrittsöffnung ein zweiter Spülgasfluss eines zweiten Spülgases in die Prozesskammer eingespeist wird.The invention relates to a method for depositing layers on at least one substrate, a process gas being fed into a process chamber through a gas inlet element and the substrate resting on a substrate holder mounted on a gas cushion by a susceptor, a height influencing a heat flow from the susceptor to the substrate holder of the gas cushion is set by varying a first flushing gas flow of a first flushing gas, which flushing gas is fed through a first flushing gas outlet opening into a gap between a bearing surface of the susceptor and an underside of the substrate holder, the flushing gas flowing from the gap into the process chamber, whereby through a a second purging gas flow of a second purging gas is fed into the process chamber between the gas inlet element and the substrate holder.

Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Vorrichtung zum Abscheiden von Epitaxieschichten auf zumindest einem Substrat, mit zumindest einem in einer Prozesskammer stromabwärts eines Gaseinlassorganes zum Einspeisen von Prozessgasen angeordneten, von einem Suszeptor auf einem Gaspolster gelagerten Substrathalter, wobei eine einen Wärmefluss vom Suszeptor zum Substrathalter beeinflussende Höhe des Gaspolsters durch eine Variation eines ersten Spülgasflusses eines ersten Spülgases einstellbar ist, das durch eine erste Spülgasaustrittsöffnung in einen Spalt zwischen einer Lagerfläche des Suszeptors und einer Unterseite des Substrathalters einspeisbar ist und das den Spalt in die Prozesskammer verlässt, wobei durch eine zwischen Gaseinlassorgan und Substrathalter angeordnete zweite Spülgasaustrittsöffnung ein zweiter Spülgasfluss eines zweiten Spülgases in die Prozesskammer einspeisbar ist.The invention further relates to a device for depositing epitaxial layers on at least one substrate, with at least one substrate holder arranged in a process chamber downstream of a gas inlet element for feeding in process gases and supported by a susceptor on a gas cushion, a height influencing a heat flow from the susceptor to the substrate holder of the gas cushion can be adjusted by varying a first flushing gas flow of a first flushing gas, which can be fed through a first flushing gas outlet opening into a gap between a bearing surface of the susceptor and an underside of the substrate holder and which leaves the gap into the process chamber, one between the gas inlet member and the substrate holder arranged second purge gas outlet opening, a second purge gas flow of a second purge gas can be fed into the process chamber.

Die Erfindung betrifft darüber hinaus einen Suszeptor zur Durchführung des Verfahrens beziehungsweise zur Verwendung in der Vorrichtung, mit zumindest einer Lagerfläche zur Lagerung eines Substrathalters, wobei sich ein erster Gaskanal von einer ersten Einspeiseöffnung zu einer in der Lageröffnung angeordneten ersten Spülgasöffnung erstreckt und sich ein zweiter Gaskanal von einer zweiten Gaseinspeiseöffnung zu einer in Strömungsrichtung vor der Lagerfläche angeordneten ersten Gaseinspeiseöffnung erstreckt.The invention also relates to a susceptor for carrying out the method or for use in the device, with at least one bearing surface for storing a substrate holder, a first gas channel extending from a first feed opening to a first flushing gas opening arranged in the bearing opening and a second gas channel extends from a second gas feed opening to a first gas feed opening arranged upstream of the bearing surface.

Stand der TechnikState of the art

Ein gattungsgemäßes Verfahren wird in einer gattungsgemäßen Vorrichtung auf einem gattungsgemäßen Suszeptor durchgeführt. Das Verfahren, die Vorrichtung und der Suszeptor werden beispielsweise in der US 8,052,794 B2 beschrieben. Ein Suszeptor wird von einer Unterseite mit einer Heizeinrichtung beheizt. In eine oberhalb des Suszeptors angeordnete Prozesskammer wird mittels eines Gaseinlassorganes ein aus mehreren einzelnen Gasen bestehendes Prozessgas eingespeist. Bei dem Prozessgas handelt es sich um metallorganische Verbindungen der III-Hauptgruppe und Hydride der V-Hauptgruppe. Auf dem Suszeptor befinden sich Substrate, beispielsweise Saphirsubstrate, Siliziumsubstrate oder dergleichen, auf deren Oberfläche eine III-V-Schicht und insbesondere eine III-V-Schichtenstruktur abgeschieden wird. Das Prozessgas wird von einem Gasmischsystem bereitgestellt. Um eine gleichmäßige Schichtdicke auf den Substraten zu gewährleisten, wird ein Substrathalter, der ein oder mehrere Substrate trägt, um seine Achse gedreht. Hierzu wird durch einen Gaskanal ein Spülgas in eine Lagerfläche geleitet, die den Substrathalter lagert. Zwischen Lagerfläche und Unterseite des Substrathalters bildet sich ein Gaspolster aus. Die Düsen zur Erzeugung des Gaspolsters sind so gerichtet, dass auf dem Substrathalter ein Drehmoment übertragen werden kann, welches den Substrathalter drehantreibt. Das Spülgas verlässt den Spalt zwischen Substrathalter und Lagerfläche durch einen Ringspalt zwischen einer Taschenwandung einer Tasche, in der der Substrathalter liegt und einer Außenwandung des Substrathalters in Richtung der Prozesskammer. Bei einem gattungsgemäßen Verfahren beziehungsweise bei einer gattungsgemäßen Vorrichtung wird der Suszeptor beheizt und eine Prozeskammerdecke gekühlt. Der sich dadurch ausbildende vertikale Temperaturgradient führt zu einem Wärmetransport vom Suszeptor zur Prozesskammerdecke. Durch die vertikale Lage des Substrathalters kann somit die Temperatur des auf dem Substrathalter aufliegenden Substrates beeinflusst werden. Aus der DE 10 2014 104 218 A1 ist es bekannt, durch eine Variation des Spülgasflusses, welcher das Gaspolster erzeugt, den Wärmeübertrag vom beheizten Suszeptor zum Substrathalter einzustellen. Die Temperaturverteilung auf der Substratoberfläche, also das laterale Temperaturprofil in einer Horizontalebene, kann durch die Wärmeleitfähigkeit des das Gaspolster bildenden Spülgases eingestellt werden, also beispielsweise durch verschiedene Mischungen von N2/H2. Der Spaltabstand zwischen Unterseite des Substrathalters und Lagerfläche, also die Höhe des Gaspolsters, wird durch die Menge der durch die erste Spülgasaustrittsöffnung eingespeisten Spülgase bestimmt. Da das Spülgas zumindest zum Teil in die Prozesskammer abgeführt wird, wird mit dem Spülgas das in der Regel quer zum Spülgas fließende Prozessgas verdünnt. Das in die Prozesskammer einströmende Spülgas beeinflusst nicht nur die Konzentration der reaktiven Gase in der Gasphase innerhalb der Prozesskammer, sondern beeinflusst auch den Strömungsquerschnitt beziehungsweise eine sich über der Oberfläche ausbildende Grenzschicht. Da die Spalthöhe zur Einstellung der Substrattemperatur genutzt wird, treten während eines Schichtabscheideprozesses verschieden große Gasflüsse durch den Spalt in die Prozesskammer und führen zu verschiedenen Schichteigenschaften und insbesondere zu verschiedenen Wachstumsraten. Mit dem veränderten Spülgasfluss wird das durch die Prozesskammer strömende Prozessgas unterschiedlich verdünnt.A generic method is carried out in a generic device on a generic susceptor. The method, the device and the susceptor are described, for example, in US Pat US 8,052,794 B2 described. A susceptor is heated from the bottom with a heater. A process gas consisting of several individual gases is fed into a process chamber arranged above the susceptor by means of a gas inlet element. The process gas is organometallic compounds from the III main group and hydrides from the V main group. On the susceptor there are substrates, for example sapphire substrates, silicon substrates or the like, on the surface of which a III-V layer and in particular a III-V layer structure are deposited. The process gas is provided by a gas mixing system. In order to ensure a uniform layer thickness on the substrates, a substrate holder, which carries one or more substrates, is rotated about its axis. For this purpose, a purging gas is passed through a gas channel into a storage area, which stores the substrate holder. A gas cushion forms between the bearing surface and the underside of the substrate holder. The nozzles for generating the gas cushion are directed so that a torque can be transmitted to the substrate holder which drives the substrate holder in rotation. The flushing gas leaves the gap between the substrate holder and the bearing surface through an annular gap between a pocket wall of a pocket in which the substrate holder lies and an outer wall of the substrate holder in the direction of the process chamber. In a generic method or in a generic device, the susceptor is heated and a process chamber ceiling is cooled. The resulting vertical temperature gradient leads to heat transfer from the susceptor to the process chamber ceiling. The temperature of the substrate resting on the substrate holder can thus be influenced by the vertical position of the substrate holder. From the DE 10 2014 104 218 A1 it is known to adjust the heat transfer from the heated susceptor to the substrate holder by varying the purge gas flow which generates the gas cushion. The temperature distribution on the substrate surface, that is to say the lateral temperature profile in a horizontal plane, can be set by the thermal conductivity of the purging gas forming the gas cushion, that is to say, for example, by various mixtures of N 2 / H 2 . The gap distance between the underside of the substrate holder and the bearing surface, that is to say the height of the gas cushion, is determined by the amount of the flushing gases fed in through the first flushing gas outlet opening. Since the purge gas is at least partially discharged into the process chamber, the process gas, which generally flows transversely to the purge gas, is diluted with the purge gas. The purging gas flowing into the process chamber not only influences the concentration of the reactive gases in the gas phase within the Process chamber, but also influences the flow cross-section or a boundary layer that forms above the surface. Since the gap height is used to adjust the substrate temperature, gas flows of different sizes pass through the gap into the process chamber during a layer deposition process and lead to different layer properties and in particular to different growth rates. With the changed purge gas flow, the process gas flowing through the process chamber is diluted differently.

Beim Abscheiden von Mehrfach-Quantenfilmen (Multi-Quantum-Wells) oder beim Abscheiden von Bragg-Strukturen führen bereits geringste Änderungen in der Gasphase der Prozesskammer beziehungsweise Beeinflussungen der Strömung innerhalb der Prozesskammer zu relevanten Beeinträchtigungen der Schichtenfolge.When depositing multiple quantum films (Multi-Quantum-Wells) or when depositing Bragg structures, even the slightest changes in the gas phase of the process chamber or influencing the flow within the process chamber lead to relevant impairments of the layer sequence.

Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Maßnahmen anzugeben, mit denen die durch das Variieren des ersten Spülgasflusses einhergehenden Einflüsse auf das Schichtwachstum kompensiert werden können.The invention is based on the object of specifying measures with which the influences on the layer growth associated with the variation of the first flushing gas flow can be compensated.

Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei die Unteransprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der nebengeordneten Ansprüche darstellen, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufgabe.The object is achieved by the invention specified in the claims, the subclaims not only representing advantageous developments of the subordinate claims, but also independent solutions to the object.

Zunächst und im Wesentlichen wird eine zweite Spülgasaustrittsöffnung vorgeschlagen, die in Strömungsrichtung vor dem Substrathalter angeordnet ist. Die zweite Spülgasaustrittsöffnung liegt bevorzugt zwischen einem Gaseinlassorgan und dem Substrathalter. Durch eine gezielte Variation eines zweiten Spülgasflusses aus der zweiten Spülgasaustrittsöffnung kann der Einfluss eines sich ändernden ersten Spülgasflusses aus der ersten Spülgasaustrittsöffnung und insbesondere aus dem Spalt zwischen Substrathalter und Lagertaschenwandung auf das Wachstum einer Schicht auf das Substrat zumindest teilweise kompensiert werden. Die Spülgasöffnung kann einen kreisrunden Querschnitt aufweisen. Sie kann aber auch schlitzförmig gestaltet sein, wobei sich der Schlitz in einer Richtung quer zur Strömungsrichtung erstrecken kann. Die sich in quer zur Strömungsrichtung erstreckende Länge des Schlitzes kann dem Durchmesser des Substrathalters entsprechen. Es ist bevorzugt vorgesehen, dass die zweite Spülgasaustrittsöffnung nur geringfügig vom Substrathalter entfernt liegt. Es ist insbesondere vorgesehen, dass die zweite Spülgasaustrittsöffnung näher am Substrathalter als am Gaseinlassorgan angeordnet ist. Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, dass jeder der beiden Gasflüsse, nämlich der durch die erste Spülgasaustrittsöffnung in das Gaspolster und der durch die zweite Spülgasaustrittsöffnung in die Prozesskammer eingespeiste Gasfluss unabhängig voneinander eingestellt wird beziehungsweise einstellbar ist. Es ist eine Regeleinrichtung vorgesehen, mit der die beiden Spülgasflüsse eingestellt werden können. Hierzu werden bevorzugt Massenflussregler verwendet, wobei jedem Spülgasfluss beziehungsweise jedem Gaskanal mindestens ein ihm individuell zugeordneter Massenflussregler zugeordnet ist. Es kann auch vorgesehen sein, dass die Summe der durch die beiden Spülgasaustrittsöffnungen austretenden Spülgasflüsse in etwa konstant gehalten werden. Wesentlich ist, dass der zweite Spülgasfluss derart im Wesentlichen zeitlich synchron mit dem ersten Spülgasfluss variiert wird, dass die Wirkung und insbesondere die Verdünnungswirkung der beiden Spülgasflüsse zu jeder Zeit in etwa gleich ist. Im zeitlichen Mittel kann die Summe der beiden Spülgase konstant sein. Insbesondere ist vorgesehen, dass eine Erhöhung des ersten Spülgasflusses zu einer Verminderung des zweiten Spülgasflusses oder eine Verminderung des ersten Spülgasflusses zu einer Erhöhung des zweiten Spülgasflusses führt. Mit dem zweiten Spülgasfluss wird somit ein Einfluss auf das Abscheiden von Schichtstrukturen weitestgehend kompensiert. Ein erfindungsgemäßer Suszeptor zeichnet sich dadurch aus, dass zu jeder Spülgasaustrittsöffnung eine individuelle Zuleitung vorgesehen ist und jede Zuleitung eine Einspeiseöffnung mit einer ihr zugeordneten Spülgasaustrittsöffnung verbindet. Die Einspeiseöffnungen sind derart voneinander getrennt, dass durch sie ein unabhängiger Spülgasfluss einspeisbar ist. Einige Ausführungsbeispiele der Erfindung besitzen mehrere Substrathalter. Jeder Substrathalter kann zumindest ein Substrat oder mehrere Substrate tragen. Die Substrathalter liegen auf ihnen individuell zugeordneten Gaspolstern, die jeweils mit einem individuell zugeordneten Massenflussregler von einem Spülgasfluss aufrechterhalten werden. Der Spülgasfluss zum Erzeugen des Gaspolsters kann individuell variiert werden, um damit den Wärmefluss vom Suszeptor zum Substrathalter einzustellen. Es sind Temperaturmesseinrichtungen, beispielsweise Pyrometer, vorgesehen, mit denen die Oberflächentemperatur des Substrates oder die Oberflächentemperatur des Substrathalters gemessen werden kann. Durch Variation eines ersten Spülgasflusses kann individuell jedes Gaspolster höheneingestellt werden, so dass damit individuell eine Oberflächentemperatur oder Substrattemperatur verändert werden kann. Erfindungsgemäß korrespondiert zu jedem Substrathalter beziehungsweise zu jedem einen ersten Spülgasfluss regelnden Massenflussregler ein zweiter Massenflussregler, mit dem ein zweiter Spülgasfluss geregelt werden kann, der in Strömungsrichtung vor dem ersten Spülgasfluss in die Prozesskammer eintreten kann.First and essentially, a second purging gas outlet opening is proposed, which is arranged upstream of the substrate holder. The second purging gas outlet opening is preferably between a gas inlet member and the substrate holder. The influence of a changing first flushing gas flow from the first flushing gas outlet opening and in particular from the gap between the substrate holder and the wall of the storage pocket on the growth of a layer on the substrate can be at least partially compensated for by a targeted variation of a second flushing gas flow from the second flushing gas outlet opening. The purge gas opening can have a circular cross section. However, it can also be designed in the form of a slot, the slot being able to extend in a direction transverse to the direction of flow. The length of the slot extending transversely to the direction of flow can correspond to the diameter of the substrate holder. It is preferably provided that the second purging gas outlet opening is only slightly removed from the substrate holder. In particular, it is provided that the second purging gas outlet opening is arranged closer to the substrate holder than to the gas inlet element. According to the invention, it is proposed that each of the two gas flows, namely the gas flow fed through the first purging gas outlet opening into the gas cushion and the gas flow fed into the process chamber through the second purging gas outlet opening, is set or adjustable independently of one another. A control device is provided with which the two purge gas flows can be set. For this purpose, mass flow controllers are preferably used, with at least one mass flow controller individually assigned to each purging gas flow or each gas channel. It can also be provided that the sum of the purge gas flows emerging through the two purge gas outlet openings is kept approximately constant. It is essential that the second purge gas flow is varied essentially in time with the first purge gas flow such that the effect and in particular the dilution effect of the two purge gas flows is approximately the same at all times. The sum of the two purge gases can be constant over time. In particular, it is provided that an increase in the first purge gas flow leads to a decrease in the second purge gas flow or a decrease in the first purge gas flow leads to an increase in the second purge gas flow. With the second flushing gas flow, an influence on the deposition of layer structures is largely compensated for. A susceptor according to the invention is characterized in that an individual feed line is provided for each purging gas outlet opening and each feed line connects an inlet opening with a purging gas outlet opening assigned to it. The feed openings are separated from one another in such a way that an independent purge gas flow can be fed through them. Some embodiments of the invention have multiple substrate holders. Each substrate holder can carry at least one substrate or a plurality of substrates. The substrate holders lie on gas cushions individually assigned to them, which are each maintained by a purge gas flow using an individually assigned mass flow controller. The purge gas flow for generating the gas cushion can be varied individually in order to adjust the heat flow from the susceptor to the substrate holder. Temperature measuring devices, for example pyrometers, are provided with which the surface temperature of the substrate or the surface temperature of the substrate holder can be measured. By varying a first flushing gas flow, each gas cushion can be individually adjusted in height, so that a surface temperature or substrate temperature can be changed individually. According to the invention, a second mass flow regulator corresponds to each substrate holder or to each mass flow regulator regulating a first purge gas flow, with which a second purge gas flow can be regulated, which can enter the process chamber in the flow direction before the first purge gas flow.

Ausführungsbeispiele der Erfindung betreffen einen horizontal durchströmbaren CVD-Reaktor, bei dem das Prozessgas durch ein Gaseinlassorgan eingespeist wird und linear die Prozesskammer durchströmt. Zwischen Substrathalter und Gaseinlassorgan befindet sich die zweite Spülgasaustrittsöffnung. In alternativen Ausgestaltungen der Erfindung ist vorgesehen, dass der Suszeptor eine Kreisscheibenform und mehrere um ein Zentrum angeordnete Substrathalter aufweist. Jeder Substrathalter wird von einem Gaspolster getragen und drehangetrieben, wobei das das Gaspolster erzeugende erste Spülgas zumindest zum Teil am Rand des Substrathalters vorbei in die Prozesskammer strömt. Das Spülgas kann auch anderweitig das Gaspolster verlassen, beispielsweise durch zur Unterseite des Suszeptors hin offenen Gasableitungskanälen. Erfindungsgemäß ist jedem Substrathalter eine zweite Spülgasaustrittsöffnung zugeordnet, durch die ein zweites Spülgas stromaufwärts des Substrathalters in die Prozesskammer eingespeist wird. Bei den Spülgasen handelt es sich bevorzugt um ein Inertgas, beispielsweise Wasserstoff oder ein Edelgas. Als Inertgas kann auch Stickstoff verwendet werden. Die Gaseinspeiseöffnungen, die mit den Gaskanälen jeweils mit einer Spülgasaustrittsöffnung verbunden sind, können Oberflächenöffnungen des Suszeptors sein, wobei der Suszeptor bevorzugt einteilig ausgebildet ist. In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass der Suszeptor von einem Suszeptorträger getragen wird. Der Suszeptorträger kann drehangetrieben werden, um den Suszeptor in eine Drehung zu versetzen. Der Suszeptorträger kann axiale Zuleitungen aufweisen, die mit Zuleitugnen im Suszeptor fluchten, so dass durch den Suszeptorträger die Spülgase zum Suszeptor geleitet werden können. Embodiments of the invention relate to a horizontally flowable CVD reactor, in which the process gas is fed through a gas inlet element and flows linearly through the process chamber. The second purging gas outlet opening is located between the substrate holder and the gas inlet element. In alternative configurations of the invention it is provided that the susceptor has a circular disk shape and a plurality of substrate holders arranged around a center. Each substrate holder is carried by a gas cushion and driven in rotation, the first purging gas generating the gas cushion flowing at least partially past the edge of the substrate holder into the process chamber. The purge gas can also leave the gas cushion in some other way, for example through gas discharge channels open towards the underside of the susceptor. According to the invention, a second flushing gas outlet opening is assigned to each substrate holder, through which a second flushing gas is fed into the process chamber upstream of the substrate holder. The purge gases are preferably an inert gas, for example hydrogen or an inert gas. Nitrogen can also be used as the inert gas. The gas feed openings, which are each connected to the gas channels with a purge gas outlet opening, can be surface openings of the susceptor, the susceptor preferably being formed in one piece. In a development of the invention it is provided that the susceptor is carried by a susceptor carrier. The susceptor carrier can be rotated to rotate the susceptor. The susceptor carrier can have axial feed lines which are aligned with feed lines in the susceptor, so that the flushing gases can be passed to the susceptor through the susceptor carrier.

FigurenlisteFigure list

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:

  • 1 schematisch in einer Schnittdarstellung ein erstes Ausführungsbeispiel,
  • 2 vergrößert den Ausschnitt II in 1,
  • 3 ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung in einer Darstellung etwa gemäß 1,
  • 4 einen Schnitt gemäß der Linie IV-IV in 3 und
  • 5 einen Halblängsschnitt durch eine Suszeptoranordnung eines dritten Ausführungsbeispiels.
Embodiments of the invention are explained below with reference to the accompanying drawings. Show it:
  • 1 schematically in a sectional view a first embodiment,
  • 2nd enlarges the section II in 1 ,
  • 3rd a second embodiment of the invention in a representation approximately according to 1 ,
  • 4th a cut along the line IV-IV in 3rd and
  • 5 a half longitudinal section through a susceptor arrangement of a third embodiment.

Beschreibung der AusführungsformenDescription of the embodiments

Die 1 und 2 zeigen schematisch ein erstes Ausführungsbeispiel einer Erfindung. Ein CVD-Reaktorgehäuse 24 beinhaltet eine Prozesskammer 2. Auf der linken Seite ist in der 1 mit der 3 ein Gaseinlassorgan 3 angedeutet, mit dem ein Prozessgas PG in die Prozesskammer 2 einspeisbar ist. Das Prozessgas PG verlässt auf der rechten Seite als Abgas AG die Prozesskammer 2.The 1 and 2nd schematically show a first embodiment of an invention. A CVD reactor housing 24th contains a process chamber 2nd . On the left is in the 1 with the 3rd a gas inlet member 3rd indicated with which a process gas PG into the process chamber 2nd is feedable. The process gas PG leaves on the right as exhaust AG the process chamber 2nd .

Den Boden der Prozesskammer 2 bildet ein Suszeptor 4, der von einem Graphitteil gebildet ist. Nach obenhin wird die Prozesskammer 2 durch eine Prozesskammerdecke 25 begrenzt. Mit einer Heizeinrichtung 23 wird der Suszeptor 4 von unten beheizt. Da die Prozesskammerdecke 25 kälter ist als der Suszeptor 4 bildet sich ein Wärmefluss quer zur Strömungsrichtung S des Prozessgases PG durch die Prozesskammer 2.The bottom of the process chamber 2nd forms a susceptor 4th , which is formed by a graphite part. The process chamber is at the top 2nd through a process chamber ceiling 25th limited. With a heater 23 becomes the susceptor 4th heated from below. Because the process chamber ceiling 25th is colder than the susceptor 4th a heat flow forms across the flow direction S of the process gas PG through the process chamber 2nd .

Der Suszeptor 4 bildet eine Lagertasche mit einer Lagerfläche 10 aus. Die Lagerfläche 10 bildet den Boden der Lagertasche. In der Lagertasche befindet sich ein kreisscheibenförmiger Substrathalter 6, der ein Substrat 1 trägt. In den Boden der Lagertasche, also in die Lagerfläche 10, mündet eine erste Spülgasaustrittsöffnung 8, die mittels eines ersten Gaskanales 16 mit einer ersten Spülgaseinspeiseöffnung 17 verbunden ist. In die erste Spülgaseinspeiseöffnung 17 kann ein erster Spülgasfluss 7 eines Spülgases, beispielsweise eines Inertgases, eingespeist werden. Das aus der ersten Spülgasaustrittsöffnung 8 austretende Spülgas bildet zwischen Lagerfläche 10 und Unterseite des Substrathalters 6 ein Gaspolster 5 aus, welches den Substrathalter 6 trägt und durch eine entsprechende Düsenanordnung den Substrathalter 6 drehantreibt. Das aus der ersten Spülgasöffnung 8 austretende Spülgas fließt am Rand des Substrathalters 6 vorbei und verlässt teilweise die Lagertasche in die Prozesskammer 2, von wo aus es zusammen mit dem Abgas AG aus der Prozesskammer 2 austritt.The susceptor 4th forms a storage pocket with a storage surface 10th out. The storage area 10th forms the bottom of the storage bag. There is a circular disk-shaped substrate holder in the storage pocket 6 that is a substrate 1 wearing. In the bottom of the storage bag, i.e. in the storage area 10th , opens a first purge gas outlet 8th using a first gas channel 16 with a first purge gas feed opening 17th connected is. In the first purge gas feed opening 17th can be a first purge gas flow 7 a purge gas, for example an inert gas. That from the first purge gas outlet 8th escaping purge gas forms between the storage area 10th and bottom of the substrate holder 6 a gas cushion 5 from which the substrate holder 6 carries and through a corresponding nozzle arrangement the substrate holder 6 rotating. That from the first purge gas opening 8th escaping purge gas flows at the edge of the substrate holder 6 over and partially leaves the storage pocket in the process chamber 2nd from where it together with the exhaust AG from the process chamber 2nd exit.

Mit der Bezugsziffer 26 ist in der 1 ein Pyrometer angedeutet, mit dem die Oberflächentemperatur des Substrathalters 6 oder des Substrates 1 gemessen werden kann. Um die Oberflächentemperatur zu regeln wird die Höhe h (siehe 2) variiert. Mit der Höhe h ändert sich der Wärmefluss vom Suszeptor 4 zum Substrathalter 6 und damit die Oberflächentemperatur des Substrates 1 oder des Substrathalters 6.With the reference number 26 is in the 1 indicated a pyrometer with which the surface temperature of the substrate holder 6 or the substrate 1 can be measured. The height is used to regulate the surface temperature H (please refer 2nd ) varies. With the height H the heat flow from the susceptor changes 4th to the substrate holder 6 and thus the surface temperature of the substrate 1 or the substrate holder 6 .

Der sich verändernde Spülgasfluss 7 durch die erste Spülgasaustrittsöffnung 8 hindurch und am Rand des Substrathalters 6 vorbei in die Prozesskammer 2 beeinflusst die Konzentration der reaktiven Gase im Prozessgas PG. Beeinflusst wird insbesondere die Verdünnung des durch die Prozesskammer 2 hindurchfließenden Prozessgases. Beeinflusst wird beispielsweise auch das Strömungsprofil oberhalb des Substrates 1 oder eine Diffusionsgrenzschicht unmittelbar oberhalb des Substrates 1. Der Spülgasfluss 7 in die Prozesskammer 2 kann somit auch das Strömungsbild und die Transporteigenschaften der reaktiven Gase in der Gasphase oberhalb des Substrates 1 beeinflussen. Wesentlich ist, dass eine sich ändernde Spülgasströmung am Substrathalter 6 vorbei zu einer Beeinflussung des Schichtwachstums führt. Dies ist besonders relevant, wenn dünne Schichtstrukturen abgeschieden werden.The changing purge gas flow 7 through the first purge gas outlet 8th through and on the edge of the substrate holder 6 over into the process chamber 2nd influences the concentration of reactive gases in the process gas PG . This affects in particular the dilution of the process chamber 2nd process gas flowing through. The flow profile above the substrate is also influenced, for example 1 or a diffusion boundary layer immediately above the substrate 1 . The purge gas flow 7 into the process chamber 2nd can therefore also the flow pattern and the transport properties of the reactive gases in the gas phase above the substrate 1 influence. It is essential that a changing purge gas flow on the substrate holder 6 past influences layer growth. This is particularly relevant when thin layer structures are deposited.

Um diese Beeinflussung der Gasphase in der Prozesskammer 2 oberhalb des Substrates 1 zu kompensieren, ist eine zweite Spülgasaustrittsöffnung 11 vorgesehen, die in Strömungsrichtung S vor dem Substrathalter 6 angeordnet ist. Durch die zweite Spülgasaustrittsöffnung 11 kann ein zweiter Spülgasfluss 12 in die Prozesskammer 2 eingespeist werden. Hierzu ist eine zweite Gaseinspeiseöffnung 19 vorgesehen, die mit einem zweiten Gaskanal 18 mit der zweiten Spülgasaustrittsöffnung 11 verbunden ist. Mit dem zweiten Spülgasfluss 12 kann somit eine zeitlich gleichbleibende Verdünnung des Prozessgases erreicht werden und damit auch eine zeitlich gleichbleibende Wachstumsrate der Schicht erreicht werden.To influence the gas phase in the process chamber 2nd above the substrate 1 To compensate is a second purge gas outlet 11 provided in the direction of flow S in front of the substrate holder 6 is arranged. Through the second purge gas outlet 11 can a second purge gas flow 12th into the process chamber 2nd be fed. For this there is a second gas feed opening 19th provided with a second gas channel 18th with the second purge gas outlet 11 connected is. With the second purge gas flow 12th Thus, a constant dilution of the process gas can be achieved and thus a constant growth rate of the layer can also be achieved.

Durch die erste Gaseinspeiseöffnung 17 kann ein erster geregelter Spülgasfluss 7 zur Ausbildung des Gaspolsters 5 eingespeist werden. Durch die zweite Gaseinspeiseöffnung 19 kann ein zweiter Spülgasfluss 12 eingespeist werden, der durch die zweite Spülgasaustrittsöffnung 11 in die Prozesskammer 2 eintritt und sich dort mit dem ersten Spülgasfluss 7 mischt. Indem die beiden Spülgasflüsse 7,12 individuell einstellbar sind, kann der zweite Spülgasfluss vermindert werden, wenn der erste Spülgasfluss erhöht wird beziehungsweise kann der zweite Spülgasfluss 12 erhöht werden, wenn der erste Spülgasfluss 7 vermindert wird. Hierdurch kann der Verdünnungseffekt des Spülgases auf einen im Wesentlichen konstanten Wert gehalten werden.Through the first gas feed opening 17th can be a first controlled purge gas flow 7 to form the gas cushion 5 be fed. Through the second gas feed opening 19th can a second purge gas flow 12th be fed in through the second purge gas outlet 11 into the process chamber 2nd occurs and there with the first purge gas flow 7 mixes. Since the two purge gas flows 7, 12 can be individually adjusted, the second purge gas flow can be reduced if the first purge gas flow is increased or the second purge gas flow can 12th be increased when the first purge gas flow 7 is reduced. In this way, the dilution effect of the purge gas can be kept at an essentially constant value.

Das in den 3 bis 5 dargestellte zweite Ausführungsbeispiel zeigt eine Prozesskammer 24 mit einer kreisscheibenförmigen Prozesskammerdecke 25 die im Zentrum eine Öffnung aufweist, durch die ein zentrales Gaseinlassorgan 3 in die Prozesskammer 2 hineintragt. Durch das Gaseinlassorgan 3 kann das Prozessgas PG in die Prozesskammer 2 eingespeist werden. Es strömt dann in einer radialen Strömungsrichtung S vom Zentrum hin radial nach außen.That in the 3rd to 5 The second exemplary embodiment shown shows a process chamber 24th with a circular process chamber ceiling 25th which has an opening in the center through which a central gas inlet element 3rd into the process chamber 2nd carried in. Through the gas inlet element 3rd can the process gas PG into the process chamber 2nd be fed. It then flows in a radial direction of flow S radially outwards from the center.

Der im Wesentlichen kreisscheibenförmige Suszeptor 4 trägt eine Vielzahl, im Ausführungsbeispiel acht kreisscheibenförmige Substrathalter 6, die jeweils auf einem individuellen Gaspolster 5 aufliegend vom das Gaspolster 5 ausbildenden ersten Spülgasfluss 7 drehangetrieben werden. Auch hier kann zur Regelung der Oberflächentemperatur des Substrathalters 6 oder der Oberflächentemperatur des darauf aufliegenden Substrates 1 die Höhe h des Gaspolsters 5 durch Variation des ersten Spülgasflusses 7 variiert werden. Die Temperatur wird auch hier mittels eines Pyrometers bestimmt.The essentially circular disk-shaped susceptor 4th carries a large number, in the exemplary embodiment eight circular disk-shaped substrate holders 6 , each on an individual gas cushion 5 lying on the gas cushion 5 forming first flushing gas flow 7 be driven by rotation. Here, too, can be used to regulate the surface temperature of the substrate holder 6 or the surface temperature of the substrate lying thereon 1 the height H of the gas cushion 5 by varying the first purge gas flow 7 can be varied. The temperature is also determined here using a pyrometer.

Innerhalb des Suszeptors 4 erstreckt sich eine Vielzahl von Gaskanälen 16, 18, wobei die Gaskanäle 16, 18 paarweise angeordnet sind. Durch den Gaskanal 16 fliesst ein erstes Spülgas zur Aufrechterhaltung des Gaspolsters 5. Durch die zweiten Gaskanäle 18 strömt ein individuell einstellbarer zweiter Spülgasstrom 12, der aus zweiten Spülgasaustrittsöffnungen 11 austritt, die in Strömungsrichtung S vor dem Substrathalter 6 angeordnet sind. Beim Ausführungsbeispiel liegen die Substrathalter 6 auf einem äußeren Kreisbogen und die zweiten Spülgasöffnungen 11 auf einem radial inneren Kreisbogen.Inside the susceptor 4th extends a variety of gas channels 16 , 18th , the gas channels 16 , 18th are arranged in pairs. Through the gas channel 16 flows a first purge gas to maintain the gas cushion 5 . Through the second gas channels 18th an individually adjustable second purge gas stream flows 12th that from second purge gas outlet openings 11 emerges in the direction of flow S in front of the substrate holder 6 are arranged. In the embodiment, the substrate holder 6 on an outer arc and the second purge gas openings 11 on a radially inner circular arc.

Die Gaskanäle 16,18 münden in Gaseinspeiseöffnungen 17,19 auf der Unterseite des Suszeptors 3. Sie fluchten mit Zuleitungen 21, 22 eines Schaftes 20, der den Suszeptor 4 trägt. Der Schaft 20 kann mittels eines Drehantriebes 27 drehangetrieben werden.The gas channels 16, 18 open into gas feed openings 17, 19 on the underside of the susceptor 3rd . They are in line with feed lines 21 , 22 a shaft 20th that the susceptor 4th wearing. The shaft 20th can by means of a rotary drive 27 be driven by rotation.

Aus der 3 geht hervor, dass schematisch dargestellte radiale Öffnungen im Schaft 20 vorgesehen sind, durch die Spülgase in die Zuleitungen 21, 22 eingespeist werden können. Jeder Zuleitung 21, 22 ist dabei ein Massenflussregler 14, 15 zugeordnet, wobei mit dem ersten Massenflussregler 14 ein erster Spülgasfluss und mit dem zweiten Massenflussregler 15 jeweils ein zweiter Spülgasfluss geregelt werden kann. Es ist eine Steuereinrichtung 13 vorgesehen, die die Massenflussregler 14, 15 ansteuert.From the 3rd shows that schematically shown radial openings in the shaft 20th are provided by the purge gases in the feed lines 21 , 22 can be fed. Every supply line 21 , 22 is a mass flow controller 14 , 15 assigned, with the first mass flow controller 14 a first purge gas flow and with the second mass flow controller 15 a second purge gas flow can be regulated. It is a control device 13 provided the the mass flow controller 14 , 15 controls.

Bei dem in den 3 bis 5 dargestellten Ausführungsbeispiel kann die Temperatur eines jeden Substrathalters 6 individuell variiert, indem durch Variation des ersten Spülgasflusses 8 die Höhe h des Substrathalters 6 variiert wird. Der sich dabei verändernde erste Spülgasfluss 7 wird durch einen sich gegensinnig verändernden zweiten Spülgasfluss 12 kompensiert.In the in the 3rd to 5 illustrated embodiment can be the temperature of each substrate holder 6 varies individually by varying the first purge gas flow 8th the height H of the substrate holder 6 is varied. The changing first purge gas flow 7 is caused by an oppositely changing second purge gas flow 12th compensated.

Die 5 zeigt eine Variante eines in der 3 dargestellten Ausführungsbeispiels. Der hier ringkreisscheibenförmige Suszeptor 4 besitzt wie in dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel auf seiner Unterseite Gaseinspeiseöffnungen 17, 19. Die Gaseinspeiseöffnungen 17, 19 liegen in einem radial inneren Bereich der Unterseite, mit dem sich der Suszeptor auf einer Tragplatte 29 abstützt. Die zentrale Öffnung des Suszeptors 4 ist von einer Platte 28 verschlossen.The 5 shows a variant of one in the 3rd illustrated embodiment. The ring-shaped susceptor here 4th owns as in the 3rd illustrated embodiment on its underside gas feed openings 17th , 19th . The gas feed openings 17th , 19th lie in a radially inner area of the underside, with which the susceptor rests on a support plate 29 supports. The central opening of the susceptor 4th is from a plate 28 locked.

Die Tragplatte 29 besitzt Zuleitungen 21", 22", die mit den Gaseinspeiseöffnungen 17, 19 fluchten.The support plate 29 has supply lines 21 " , 22 " that with the gas feed ports 17th , 19th swear.

Die Tragplatte 29 wird von einem Tragrohr 30 getragen, das in seiner Rohrwand eine Vielzahl von sich in Axialrichtung erstreckenden Zuleitungen 21', 22' aufweist, die in die Zuleitungen 21" beziehungsweise 22" münden.The support plate 29 is supported by a support tube 30th worn in his pipe wall a variety of supply lines extending in the axial direction 21 ' , 22 ' has in the feed lines 21 " respectively 22 " flow out.

Mit der Bezugsziffer 20 ist ein von einem nicht dargestellten Drehantrieb drehbarer Schaft bezeichnet, durch den sich Zuleitungen 21, 22 erstrecken, die von ringförmigen Kammern 34, 35 ausgehen, die durch Ferrofluiddichtungen 33 in Axialrichtung, bezogen auf den Schaft 20, voneinander getrennt sind. In die Kammern 34, 35 münden Zuleitungen 31, 32 zum Einspeisen der Spülgasflüsse 7,12. Der Schaft 20 wird von einem rohrförmigen Gehäuse 36 umgeben.With the reference number 20th is a shaft rotatable by a rotary drive, not shown, through which leads 21 , 22 extend from annular chambers 34 , 35 emanate from ferrofluid seals 33 in the axial direction, based on the shaft 20th , are separated from each other. In the chambers 34 , 35 open supply lines 31 , 32 for feeding the purge gas flows 7.12. The shaft 20th is made of a tubular housing 36 surround.

Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinationen auch kombiniert sein können, nämlich:The above statements serve to explain the inventions covered by the application as a whole, which also independently further develop the prior art at least through the following combinations of features, it being possible for two, more or all of these combinations of features to also be combined, namely:

Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass der zweite Spülgasfluss 12 unabhängig vom ersten Spülgasfluss 7 eingestellt/geregelt wird.A method characterized in that the second purge gas flow 12th regardless of the first purge gas flow 7 is set / regulated.

Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der zweite Spülgasfluss 12 unabhängig vom ersten Spülgasfluss 7 einstellbar beziehungsweise regelbar ist.A device characterized in that the second purge gas flow 12th regardless of the first purge gas flow 7 is adjustable or controllable.

Ein Suszeptor, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die erste und zweite Gaseinspeiseöffnung 11, 17 derart räumlich voneinander getrennt sind, dass durch sie unabhängig voneinander geregelte Spülgasflüsse 7, 12 eingespeist werden können.A susceptor characterized in that the first and second gas feed ports 11 , 17th are spatially separated from one another in such a way that purge gas flows regulated independently of one another by them 7 , 12th can be fed.

Ein Verfahren, eine Vorrichtung oder ein Suszeptor, die dadurch gekennzeichnet sind, dass eine Regeleinrichtung 13 vorgesehen ist, mit der der erste Spülgasfluss 7 und der zweite Spülgasfluss 12 geregelt wird, wobei die Steuereinrichtung 13 derart eingerichtet ist, dass bei einer Verminderung des ersten Spülgasflusses 7 der zweite Spülgasfluss 12 erhöht wird oder werden kann und bei einer Erhöhung des ersten Spülgasflusses 7 der zweite Spülgasfluss 12 vermindert wird oder werden kann.A method, a device or a susceptor, which are characterized in that a control device 13 is provided with which the first purge gas flow 7 and the second purge gas flow 12th is regulated, the control device 13 is set up such that when the first purge gas flow is reduced 7 the second purge gas flow 12th is or can be increased and with an increase in the first purge gas flow 7 the second purge gas flow 12th is reduced or can be reduced.

Ein Verfahren, eine Vorrichtung oder ein Suszeptor, die dadurch gekennzeichnet sind, dass der erste Spülgasfluss 7 und der zweite Spülgasfluss 12 jeweils mit einem Massenflussregler 14, 15 geregelt wird oder werden kann.A method, device, or susceptor characterized in that the first purge gas flow 7 and the second purge gas flow 12th each with a mass flow controller 14 , 15 is regulated or can be regulated.

Ein Verfahren, eine Vorrichtung oder ein Suszeptor, die gekennzeichnet sind durch mehrere, jeweils mindestens ein Substrat 1 tragende Substrathalter 6, wobei jedem Substrathalter 6 individuell geregelt sowohl einer erster Spülgasfluss 7 als auch ein zweiter Spülgasfluss 8 zugeführt wird beziehungsweise zuführbar ist.A method, a device or a susceptor, which are characterized by several, in each case at least one substrate 1 carrying substrate holder 6 , each substrate holder 6 individually regulated both a first purge gas flow 7 as well as a second purge gas flow 8th is supplied or can be supplied.

Ein Verfahren, eine Vorrichtung oder ein Suszeptor, die dadurch gekennzeichnet sind, dass der Suszeptor 4 eine Kreisscheibenform aufweist mit mehreren um ein Zentrum angeordneten Lagerflächen 10 zur Lagerung jeweils eines Substrathalters 6, wobei zwischen dem Zentrum und jedem Lagerplatz 10 jeweils eine zweite Spülgasöffnung 11 angeordnet ist, wobei zu jeder zweiten Spülgasöffnung 11 durch eine einen Massenflussregler 15 aufweisende Zuleitung 21, 22 ein individueller Spülgasfluss 12 eines Inertgases geleitet beziehungsweise leitbar ist.A method, device or susceptor characterized in that the susceptor 4th has a circular disk shape with several bearing surfaces arranged around a center 10th for storing one substrate holder each 6 , being between the center and each bin 10th a second purge gas opening 11 is arranged, with every second purge gas opening 11 through a mass flow controller 15 having supply line 21 , 22 an individual purge gas flow 12th of an inert gas.

Ein Verfahren, eine Vorrichtung oder ein Suszeptor, die dadurch gekennzeichnet sind, dass jedem der mehreren Lagerplätze 10 eine erste Spülgasaustrittsöffnung 8 zugeordnet ist, wobei zu jeder ersten Spülgasaustrittsöffnung 8 durch eine einen Massenflussregler 14 aufweisende Zuleitung 21 ein individueller Spülgasfluss 7 eines Inertgases geleitet beziehungsweise leitbar ist.A method, device, or susceptor characterized in that each of the plurality of storage bins 10th a first purge gas outlet 8th is assigned, with each first purge gas outlet opening 8th through a mass flow controller 14 having supply line 21 an individual purge gas flow 7 of an inert gas.

Ein Verfahren, eine Vorrichtung oder ein Suszeptor, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Gaseinspeiseöffnungen 17, 19 Oberflächenöffnungen des insbesondere einteiligen Suszeptors 4 sind.A method, a device or a susceptor, which are characterized in that the gas feed openings 17th , 19th Surface openings of the one-piece susceptor in particular 4th are.

Ein Verfahren, eine Vorrichtung oder ein Suszeptor, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Gaskanäle 16, 18 von, sich durch einen den Suszeptor tragenden Schaft 20 erstreckende Zuleitungen 21, 22 gespeist werden.A method, device or susceptor characterized in that the gas channels 16 , 18th from, through a shaft carrying the susceptor 20th extending supply lines 21 , 22 be fed.

Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfindung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehenden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbesondere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden können.All the features disclosed are essential to the invention (by themselves, but also in combination with one another). The disclosure content of the associated / attached priority documents (copy of the prior application) is hereby also included in full in the disclosure of the application, also for the purpose of including features of these documents in claims of the present application. The sub-claims characterize, even without the features of a referenced claim, independent inventive developments of the prior art with their features, in particular in order to make divisional applications based on these claims. The invention specified in each claim can additionally have one or more of the features specified in the preceding description, in particular provided with reference numbers and / or in the list of reference numbers. The invention also relates to designs in which some of the features mentioned in the above description are not realized, in particular insofar as they are recognizably unnecessary for the respective intended use or can be replaced by other technically equivalent means.

Bezugszeichenliste Reference list

11
SubstratSubstrate
22nd
ProzesskammerProcess chamber
33rd
GaseinlassorganGas inlet member
44th
SuszeptorSusceptor
55
GaspolsterGas cushion
66
SubstrathalterSubstrate holder
77
erster Spülgasflussfirst purge gas flow
88th
erste Spülgasaustrittsöffnungfirst purge gas outlet
99
Spaltgap
1010th
Lagerflächestorage area
1111
zweite Spülgasaustrittsöffnungsecond purge gas outlet
1212th
zweiter Spülgasflusssecond purge gas flow
1313
Steuer-, RegeleinrichtungControl, regulating device
1414
MassenflussreglerMass flow controller
1515
MassenflussreglerMass flow controller
1616
GaskanalGas channel
1717th
GaseinspeiseöffnungGas feed opening
1818th
GaskanalGas channel
1919th
GaseinspeiseöffnungGas feed opening
2020th
Schaftshaft
2121
ZuleitungSupply
21'21 '
ZuleitungSupply
21"21 "
ZuleitungSupply
2222
ZuleitungSupply
22'22 '
ZuleitungSupply
22"22 "
ZuleitungSupply
2323
HeizeinrichtungHeating device
2424th
CVD-ReaktorCVD reactor
2525th
ProzesskammerdeckeProcess chamber ceiling
2626
Pyrometerpyrometer
2727
DrehantriebRotary drive
2828
Platteplate
2929
TragplatteSupport plate
3030th
TragrohrSupport tube
3131
ZuleitungSupply
3232
ZuleitungSupply
3333
FerrofluiddichtungFerrofluid seal
3434
Kammerchamber
3535
Kammerchamber
3636
rohrförmiges Gehäuse tubular housing
AGAG
AbgasExhaust gas
PGPG
ProzessgasProcess gas
SS
Strömungsrichtung Flow direction
hH
Höheheight

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

  • US 8052794 B2 [0004]US 8052794 B2 [0004]
  • DE 102014104218 A1 [0004]DE 102014104218 A1 [0004]

Claims (11)

Verfahren zum Abscheiden von Schichten auf zumindest einem Substrat (1), wobei durch ein Gaseinlassorgan (3) ein Prozessgas (PG) in eine Prozesskammer (2) eingespeist wird und das Substrat (1) auf einem von einem Suszeptor (4) auf einem Gaspolster (5) gelagerten Substrathalter (9) aufliegt, wobei eine einen Wärmefluss vom Suszeptor (4) zum Substrathalter (6) beeinflussende Höhe (h) des Gaspolsters (5) durch eine Variation eines ersten Spülgasflusses (7) eines ersten Spülgases eingestellt wird, welches Spülgas durch eine erste Spülgasaustrittsöffnung (8) in einen Spalt (9) zwischen einer Lagerfläche (10) des Suszeptors (4) und einer Unterseite des Substrathalters (6) eingespeist wird, wobei das Spülgas zumindest zu einem Teil aus dem Spalt (9) in die Prozesskammer (2) strömt, wobei durch eine zwischen Gaseinlassorgan (3) und Substrathalter (6) angeordnete zweite Spülgasaustrittsöffnung (11) ein zweiter Spülgasfluss (12) eines zweiten Spülgases in die Prozesskammer (2) eingespeist wird, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Spülgasfluss (12) unabhängig vom ersten Spülgasfluss (7) eingestellt/ geregelt wird.Method for depositing layers on at least one substrate (1), whereby a process gas (PG) is fed into a process chamber (2) through a gas inlet element (3) and the substrate (1) is placed on a gas cushion by a susceptor (4) (5) supported substrate holder (9), a height (h) of the gas cushion (5) influencing a heat flow from the susceptor (4) to the substrate holder (6) being set by varying a first flushing gas flow (7) of a first flushing gas, which Purge gas is fed through a first purge gas outlet opening (8) into a gap (9) between a bearing surface (10) of the susceptor (4) and an underside of the substrate holder (6), at least some of the purge gas from the gap (9) in the process chamber (2) flows, a second purge gas flow (12) of a second purge gas entering the process chamber (2) through a second purge gas outlet opening (11) arranged between the gas inlet member (3) and the substrate holder (6) espeist is characterized in that the second purge gas flow (12) is set / regulated independently of the first purge gas flow (7). Vorrichtung zum Abscheiden von Schichten auf zumindest einem Substrat (1), mit zumindest einem in einer Prozesskammer (2) stromabwärts eines Gaseinlassorganes (3) zum Einspeisen von Prozessgasen (PG) angeordneten, von einem Suszeptor (4) auf einem Gaspolster (5) gelagerten Substrathalter (6), wobei eine einen Wärmefluss vom Suszeptor (4) zum Substrathalter (6) beeinflussende Höhe (h) des Gaspolsters (5) durch eine Variation eines ersten Spülgasflusses (7 eines ersten Spülgases einstellbar ist, das durch eine erste Spülgasaustrittsöffnung (8) in einen Spalt (9) zwischen einer Lagerfläche (10) des Suszeptors (4) und einer Unterseite des Substrathalters (6) einspeisbar ist und das zumindest zu einem Teil den Spalt (9) in die Prozesskammer (2) verlässt, wobei durch eine zwischen Gaseinlassorgan (3) und Substrathalter (6) angeordnete zweite Spülgasaustrittsöffnung (11) ein zweiter Spülgasfluss (12) eines zweiten Spülgases in die Prozesskammer (2) einspeisbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Spülgasfluss (12) unabhängig vom ersten Spülgasfluss (7) einstellbar beziehungsweise regelbar ist.Device for depositing layers on at least one substrate (1), with at least one arranged in a process chamber (2) downstream of a gas inlet element (3) for feeding in process gases (PG), supported by a susceptor (4) on a gas cushion (5) Substrate holder (6), a height (h) of the gas cushion (5) influencing a heat flow from the susceptor (4) to the substrate holder (6) being adjustable by variation of a first flushing gas flow (7) of a first flushing gas, which can be passed through a first flushing gas outlet opening (8 ) can be fed into a gap (9) between a bearing surface (10) of the susceptor (4) and an underside of the substrate holder (6) and which at least in part leaves the gap (9) into the process chamber (2), with a a second flushing gas flow (12) of a second flushing gas can be fed into the process chamber (2) between the gas inlet member (3) and the substrate holder (6), characterized in that shows that the second purge gas flow (12) can be set or regulated independently of the first purge gas flow (7). Suszeptor (4) zur Durchführung des Verfahrens gemäß Anspruch 1 oder zur Verwendung in einer Vorrichtung gemäß Anspruch 2, mit zumindest einer Lagerfläche (10) zur Lagerung eines Substrathalters (6), wobei sich ein erster Gaskanal (16) von einer ersten Gaseinspeiseöffnung (17) zu einer in der Lagerfläche (10) angeordneten ersten Spülgasöffnung (8) erstreckt und sich ein zweiter Gaskanal (18) von einer zweiten Gaseinspeiseöffnung (19) zu einer in Strömungsrichtung (S) vor der Lagerfläche (10) angeordneten ersten Gaseinspeiseöffnung (11) erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und zweite Gaseinspeiseöffnung (11, 17) derart räumlich voneinander getrennt sind, dass durch sie unabhängig voneinander geregelte Spülgasflüsse (7,12) eingespeist werden können.Susceptor (4) for performing the method according to Claim 1 or for use in a device according to Claim 2 , with at least one bearing surface (10) for storing a substrate holder (6), a first gas channel (16) extending from a first gas feed opening (17) to a first flushing gas opening (8) arranged in the bearing surface (10) and a second Gas channel (18) extends from a second gas feed opening (19) to a first gas feed opening (11) arranged upstream of the bearing surface (10) in the flow direction (S), characterized in that the first and second gas feed openings (11, 17) are spatially separated from one another are that they can supply purge gas flows (7, 12) that are controlled independently of one another. Verfahren nach Anspruch 1, Vorrichtung nach Anspruch 2 oder Suszeptor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine Regeleinrichtung (13) vorgesehen ist, mit der der erste Spülgasfluss (7) und der zweite Spülgasfluss (12) geregelt wird, wobei die Steuereinrichtung (13) derart eingerichtet ist, dass bei einer Verminderung des ersten Spülgasflusses (7) der zweite Spülgasfluss (12) erhöht wird oder werden kann und bei einer Erhöhung des ersten Spülgasflusses (7) der zweite Spülgasfluss (12) vermindert wird oder werden kann.Procedure according to Claim 1 , Device after Claim 2 or susceptor after Claim 3 , characterized in that a regulating device (13) is provided with which the first purge gas flow (7) and the second purge gas flow (12) are regulated, the control device (13) being set up in such a way that when the first purge gas flow (7 ) the second purge gas flow (12) is or can be increased and, when the first purge gas flow (7) is increased, the second purge gas flow (12) is or can be reduced. Verfahren oder Vorrichtung oder Suszeptor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Spülgasfluss (7) und der zweite Spülgasfluss (12) jeweils mit einem Massenflussregler (14, 15) geregelt wird oder werden kann.Method or device or susceptor according to one of the preceding claims, characterized in that the first purge gas flow (7) and the second purge gas flow (12) are or can be regulated with a mass flow controller (14, 15). Verfahren oder Vorrichtung oder Suszeptor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch mehrere, jeweils mindestens ein Substrat (1) tragende Substrathalter (6), wobei jedem Substrathalter (6) individuell geregelt sowohl einer erster Spülgasfluss (7) als auch ein zweiter Spülgasfluss (8) zugeführt wird beziehungsweise zuführbar ist.Method or device or susceptor according to one of the preceding claims, characterized by a plurality of substrate holders (6) each carrying at least one substrate (1), each substrate holder (6) being individually regulated both a first purge gas flow (7) and a second purge gas flow (8 ) is supplied or can be supplied. Verfahren oder Vorrichtung oder Suszeptor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Suszeptor (4) eine Kreisscheibenform aufweist mit mehreren um ein Zentrum angeordneten Lagerflächen (10) zur Lagerung jeweils eines Substrathalters (6), wobei zwischen dem Zentrum und jedem Lagerplatz (10) jeweils eine zweite Spülgasöffnung (11) angeordnet ist, wobei zu jeder zweiten Spülgasöffnung (11) durch eine einen Massenflussregler (15) aufweisende Zuleitung (21, 22) ein individueller Spülgasfluss (12) eines Inertgases geleitet beziehungsweise leitbar ist.Method or device or susceptor according to one of the preceding claims, characterized in that the susceptor (4) has a circular disc shape with a plurality of bearing surfaces (10) arranged around a center for the storage of a substrate holder (6), wherein between the center and each storage location ( 10) a second purging gas opening (11) is arranged, an individual purging gas flow (12) of an inert gas being guided or being able to be conducted to each second purging gas opening (11) through a feed line (21, 22) having a mass flow controller (15). Verfahren oder Vorrichtung oder Suszeptor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass jedem der mehreren Lagerplätze (10) eine erste Spülgasaustrittsöffnung (8) zugeordnet ist, wobei zu jeder ersten Spülgasaustrittsöffnung (8) durch eine einen Massenflussregler (14) aufweisende Zuleitung (21) ein individueller Spülgasfluss (7) eines Inertgases geleitet beziehungsweise leitbar ist.Method or device or susceptor according to Claim 7 , characterized in that each of the plurality of storage locations (10) is assigned a first purge gas outlet opening (8), an individual purge gas flow (7) of an inert gas being directed to each first purge gas outlet opening (8) through a feed line (21) having a mass flow controller (14) or is conductive. Verfahren oder Vorrichtung oder Suszeptor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gaseinspeiseöffnungen (17, 19) Oberflächenöffnungen des insbesondere einteiligen Suszeptors (4) sind.Method or device or susceptor according to one of the preceding claims, characterized in that the gas feed openings (17, 19) are surface openings of the one-piece susceptor (4) in particular. Verfahren oder Vorrichtung oder Suszeptor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gaskanäle (16, 18) von, sich durch einen den Suszeptor tragenden Schaft (20) erstreckende Zuleitungen (21, 22) gespeist werden.Method or device or susceptor according to one of the preceding claims, characterized in that the gas channels (16, 18) are fed by supply lines (21, 22) extending through a shaft (20) carrying the susceptor. Verfahren oder Vorrichtung oder Suszeptor, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.Method or device or susceptor, characterized by one or more of the characterizing features of one of the preceding claims.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021103368A1 (en) 2021-02-12 2022-08-18 Aixtron Se CVD reactor with a temperature control ring surrounding a gas inlet element

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5788777A (en) * 1997-03-06 1998-08-04 Burk, Jr.; Albert A. Susceptor for an epitaxial growth factor
DE10133914A1 (en) * 2001-07-12 2003-01-23 Aixtron Ag Apparatus to deposit crystalline layers on semiconductor wafers comprises rotating wafer holders mounted on rotating mounting forming floor of process chamber whose roof contains central gas inlet
DE102007009145A1 (en) * 2007-02-24 2008-08-28 Aixtron Ag Device for depositing crystalline layers optionally by means of MOCVD or HVPE
DE102009044276A1 (en) * 2009-10-16 2011-05-05 Aixtron Ag CVD reactor with multi-zone gas cushion substrate holder
US8052794B2 (en) * 2005-09-12 2011-11-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Directed reagents to improve material uniformity
DE102012104475A1 (en) * 2012-05-24 2013-11-28 Aixtron Se Device useful for depositing layer on substrate comprises processing chamber having susceptor heated by heating device for receiving substrate, gas inlet element, gas outlet element and gas-tight reactor housing which is outwardly arranged
DE102014104218A1 (en) * 2014-03-26 2015-10-01 Aixtron Se CVD reactor with feed-zone temperature control
DE102016101003A1 (en) * 2016-01-21 2017-07-27 Aixtron Se CVD apparatus with a process chamber housing which can be removed from the reactor housing as an assembly

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5788777A (en) * 1997-03-06 1998-08-04 Burk, Jr.; Albert A. Susceptor for an epitaxial growth factor
DE10133914A1 (en) * 2001-07-12 2003-01-23 Aixtron Ag Apparatus to deposit crystalline layers on semiconductor wafers comprises rotating wafer holders mounted on rotating mounting forming floor of process chamber whose roof contains central gas inlet
US8052794B2 (en) * 2005-09-12 2011-11-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Directed reagents to improve material uniformity
DE102007009145A1 (en) * 2007-02-24 2008-08-28 Aixtron Ag Device for depositing crystalline layers optionally by means of MOCVD or HVPE
DE102009044276A1 (en) * 2009-10-16 2011-05-05 Aixtron Ag CVD reactor with multi-zone gas cushion substrate holder
DE102012104475A1 (en) * 2012-05-24 2013-11-28 Aixtron Se Device useful for depositing layer on substrate comprises processing chamber having susceptor heated by heating device for receiving substrate, gas inlet element, gas outlet element and gas-tight reactor housing which is outwardly arranged
DE102014104218A1 (en) * 2014-03-26 2015-10-01 Aixtron Se CVD reactor with feed-zone temperature control
DE102016101003A1 (en) * 2016-01-21 2017-07-27 Aixtron Se CVD apparatus with a process chamber housing which can be removed from the reactor housing as an assembly

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021103368A1 (en) 2021-02-12 2022-08-18 Aixtron Se CVD reactor with a temperature control ring surrounding a gas inlet element

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