WO2021176871A1 - モジュール - Google Patents

モジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2021176871A1
WO2021176871A1 PCT/JP2021/001987 JP2021001987W WO2021176871A1 WO 2021176871 A1 WO2021176871 A1 WO 2021176871A1 JP 2021001987 W JP2021001987 W JP 2021001987W WO 2021176871 A1 WO2021176871 A1 WO 2021176871A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
ground terminal
module
substrate
shield film
sealing resin
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/001987
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
野村　忠志
西川　博
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to CN202190000334.2U priority Critical patent/CN218513447U/zh
Publication of WO2021176871A1 publication Critical patent/WO2021176871A1/ja
Priority to US17/822,469 priority patent/US20220418089A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0215—Grounding of printed circuits by connection to external grounding means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49805—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the leads being also applied on the sidewalls or the bottom of the substrate, e.g. leadless packages for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15321—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15322—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate being a pin array, e.g. PGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19106—Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10098—Components for radio transmission, e.g. radio frequency identification [RFID] tag, printed or non-printed antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10507—Involving several components

Definitions

  • the present invention relates to a module.
  • Patent Document 1 An example of a module based on the prior art is described in US Patent Application Publication US2018 / 0996949A1 (Patent Document 1).
  • this module components are mounted on the upper surface and the lower surface of the substrate, respectively, and a sealing resin is formed so as to cover the components on the upper surface and the lower surface of the substrate, respectively.
  • the top and sides of this module are covered with a conductor film as a shield film.
  • a ground electrode is arranged inside the substrate, and the ground electrode is electrically connected to the shield film by being exposed on the side surface of the substrate.
  • a solder ball is arranged on the back surface of the substrate as a connecting conductor for connecting the module to the mother substrate.
  • the shield film on the side surface of the module becomes thinner as it approaches the lower surface of the module. Further, the shield film and the ground electrode are electrically connected only on the side surface of the substrate. The shield film on the side surface of the module extends below the substrate, but there is no place where the shield film is connected to the ground electrode below the substrate. Therefore, the portion of the shield film extending to the lower side of the substrate has a weak shield performance.
  • an object of the present invention is to provide a module having enhanced shielding performance below the substrate.
  • the module based on the present invention is arranged so as to cover the substrate having the first surface, the first component mounted on the first surface, the first surface and the first component.
  • the convex portion is electrically connected to a portion of the shield film that covers the side surface of the first sealing resin.
  • a convex portion is provided so as to project from the first ground terminal, and the convex portion is electrically connected to a portion of the shield film that covers the side surface of the first sealing resin. , The shielding performance below the substrate can be enhanced.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG. It is a top view of the structure provided in the module in Embodiment 1 based on this invention. It is a front view of the structure provided in the module in Embodiment 1 based on this invention. It is explanatory drawing of the 1st step of the manufacturing method of a module in Embodiment 1 based on this invention.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view taken along the line XXIII-XXIII in FIG. 22. It is a bottom view of the module in Embodiment 4 based on this invention.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view taken along the line taken along the line XXV-XXV in FIG. 24. It is a bottom view of the module in Embodiment 5 based on this invention.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view taken along the line XXVII-XXVII in FIG. 26.
  • FIG. 1 shows the appearance of the module 101 in this embodiment.
  • the upper surface and the side surface of the module 101 are covered with the shield film 8.
  • FIG. 2 shows a view of the module 101 from diagonally below in FIG.
  • the lower surface of the module 101 is not covered with the shield film 8, and the first sealing resin 6a is exposed.
  • One or more signal terminals 20 and one or more ground terminals 21 are provided on the lower surface of the module 101.
  • the number, size, and arrangement of the signal terminals 20 and the ground terminals 21 shown in FIG. 2 are merely examples.
  • a bottom view of the module 101 is shown in FIG.
  • a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG. 3 is shown in FIG.
  • the substrate 1 may be provided with wiring on the surface or inside.
  • the substrate 1 may be a resin substrate or a ceramic substrate.
  • the substrate 1 may be a multilayer substrate. That is, the substrate 1 may be a resin multilayer substrate or a ceramic multilayer substrate.
  • the module 101 in the present embodiment is arranged so as to cover the substrate 1 having the first surface 1a, the first component 31 mounted on the first surface 1a, the first surface 1a, and the first component 31.
  • the sealing resin 6a, the shield film 8 covering at least the side surface of the first sealing resin 6a, the first ground terminal 21a mounted on the first surface 1a, and perpendicular to the first surface 1a of the first ground terminal 21a. It is provided with a convex portion 15 formed so as to project laterally at any position in any direction.
  • the convex portion 15 is electrically connected to a portion of the shield film 8 that covers the side surface of the first sealing resin 6a.
  • the first ground terminal 21a has a columnar shape and penetrates the first sealing resin 6a.
  • the module 101 includes a columnar signal terminal 20 that penetrates the first sealing resin 6a.
  • the signal terminal 20 is mounted on the first surface 1a.
  • the first surface 1a of the substrate 1 is the lower surface of the substrate 1.
  • the first component 31 is mounted on the first surface 1a.
  • the first component 31 may be, for example, an IC (Integrated Circuit). More specifically, the first component 31 may be, for example, an LNA (Low Noise Amplifier).
  • each terminal shown in FIG. 3 are shown as an example only.
  • an aggregate of ground terminals connected by a convex portion 15 is arranged at each of the four corners. Since the convex portion 15 is covered with the first sealing resin 6a, it is indicated by a broken line. In the example shown in FIG.
  • any ground terminal 21 may be regarded as the first ground terminal. Regardless of which ground terminal 21 is regarded as the first ground terminal, the convex portion 15 is formed so as to project laterally in the middle in the direction perpendicular to the first surface 1a of the first ground terminal.
  • one ground terminal 21 in the lower left corner is regarded as the first ground terminal 21a.
  • the module 101 includes a second ground terminal 21b and a third ground terminal 21c in addition to the first ground terminal 21a.
  • the second component 32 and the components 34 and 35 are mounted on the second surface 1b of the substrate 1.
  • the second surface 1b and these parts are covered with a second sealing resin 6b.
  • FIG. 5 shows a place where an aggregate of ground terminals in the upper right corner of the figure in FIG. 3 is taken out.
  • the assembly 25 includes four ground terminals 21 and one convex portion 15.
  • the convex portion 15 is L-shaped.
  • the four ground terminals 21 are connected by a convex portion 15.
  • FIG. 6 shows a front view of the assembly 25.
  • the ground terminal 21 is formed so as to project from the upper side and the lower side of the convex portion 15, respectively.
  • the specific configuration of the aggregate 25 shown here is just an example.
  • the module 101 in the present embodiment includes a convex portion 15 so as to project from the first ground terminal 21a, and the convex portion 15 is electrically connected to a portion of the shield film 8 that covers the side surface of the first sealing resin 6a. Since they are connected to each other, the shielding performance below the substrate 1 can be enhanced.
  • the module 101 includes a second ground terminal 21b mounted on the first surface 1a, and the convex portion 15 connects the first ground terminal 21a and the second ground terminal 21b. Further, it is preferable that the first ground terminal 21a and the second ground terminal 21b are formed so as to project toward the periphery. In the example shown in FIG. 3, any one of the ground terminals 21 may be regarded as the first ground terminal, and the adjacent ground terminal 21 may be regarded as the second ground terminal. Two adjacent ground terminals 21 are connected by a convex portion 15. By adopting this configuration, since the adjacent ground terminals 21 are restrained from each other, it is possible to suppress the warp of the entire module and prevent breakage at the joint portion between the mother substrate and the connecting conductor.
  • the second ground terminal 21b has a columnar shape and penetrates the first sealing resin 6a.
  • the third ground terminal 21c mounted on the first surface 1a is provided, and the convex portion 15 connects the first ground terminal 21a and the third ground terminal 21c, and further
  • the first ground terminal 21a, the second ground terminal 21b, and the third ground terminal 21c are formed so as to project toward the periphery, and when viewed from a direction perpendicular to the first surface 1a, the second ground terminal 21b,
  • the first ground terminal 21a and the third ground terminal 21c are preferably arranged in an L shape in this order. In the example shown in FIG. 3, these three ground terminals 21 are arranged in an L shape in this order and are connected by a convex portion 15.
  • the third ground terminal 21c has a columnar shape and penetrates the first sealing resin 6a.
  • the first ground terminal 21a is preferably located at the corner of the first surface 1a. Since the module is composed of a combination of members having different coefficients of linear expansion, it is easy to warp. The closer to the outer circumference of the module, the greater the amount of warpage. Since the connecting conductor for connecting the module to the mother substrate is generally arranged near the outer periphery, the joint portion between the mother substrate and the connecting conductor is likely to break when the module is warped. However, by adopting the above configuration, the strength of the corner portion can be increased. As a result, the warpage of the entire module can be suppressed more effectively, and breakage at the joint portion between the mother substrate and the connecting conductor can be prevented from occurring.
  • the convex portion 15 projects from the middle in the direction perpendicular to the first surface 1a of the first ground terminal 21a, but the position where the convex portion 15 projects is the position of the first ground terminal 21a. Not limited to the middle.
  • the convex portion 15 may project from the upper end portion or the lower end portion of the first ground terminal 21a.
  • the convex portion 15 is preferably located in the middle in the direction perpendicular to the first surface 1a of the first ground terminal 21a.
  • the substrate 1 has a second surface 1b as a surface opposite to the first surface 1a, and the module 101 has a second component 32 mounted on the second surface 1b. It is preferable to prepare. By adopting this configuration, since the module 101 has a double-sided mounting structure, more components can be mounted on the substrate 1 having a limited area.
  • the plate material 40 is prepared.
  • the plate material 40 may be a metal plate.
  • the material of the plate material 40 may be, for example, copper.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view. As shown in FIG. 8, the protrusion 41 is formed. The other portion is a flat portion 42. Two structures shown in FIG. 8 are prepared, and as shown in FIG. 9, the flat surfaces are overlapped and joined so as to meet each other. In FIG. 9, the joint 43 is shown. At the joint portion 43, welding may be performed, or solder may be interposed between the joint portions 43.
  • the aggregate 25 is mounted on the first surface 1a of the substrate 1.
  • An electrode 11 is provided on the first surface 1a of the substrate 1.
  • a solder 12 is interposed between the aggregate 25 and the electrode 11.
  • the first component 31 and the component 33 are also mounted on the first surface 1a of the substrate 1.
  • An electrode 13 is provided on the second surface 1b of the substrate 1.
  • FIG. 11 is a plan view of the structure 26.
  • a perspective view of the structure 26 is shown in FIG.
  • a front view of the structure 26 is shown in FIG.
  • the structure 26 is integrally formed of a conductor.
  • the material of the structure 26 is, for example, copper.
  • the structure 26 includes a plate portion 16 and some signal terminals 20.
  • the signal terminal 20 has a columnar shape. Each signal terminal 20 is arranged perpendicular to the plate portion 16. By mounting the structure 26 on the one shown in FIG. 10, it becomes as shown in FIG.
  • the signal terminal 20 is electrically connected to the electrode 11 via the solder 12.
  • three signal terminals 20 are displayed in FIG. 13, one signal terminal 20 in the center is not shown in FIG. 14 for convenience of explanation.
  • the one signal terminal 20 that was visible at the left end in FIG. 13 is hidden behind the ground terminal 21 at the left end and cannot be seen in FIG.
  • the first sealing resin 6a is formed.
  • the structure 26 is covered with the first sealing resin 6a.
  • the convex portion 15 is exposed on the side surface of the first sealing resin 6a.
  • the range corresponding to one module is illustrated and described, but in reality, the manufacturing process may be advanced by the collective substrate corresponding to a plurality of modules.
  • the step of forming the first sealing resin 6a may be carried out in the state of the collective substrate. In that case, the convex portion 15 may not yet be exposed on the side surface of the first sealing resin 6a.
  • the convex portion 15 may be exposed to the side surface at a later step when the assembly substrate is divided into individual module sizes.
  • FIG. 15 shows a state after being separated from the collective substrate.
  • the lower surface is polished.
  • the plate portion 16 is removed by the polishing process, and the end faces of the signal terminal 20 and the ground terminal 21 are exposed from the first sealing resin 6a.
  • the polishing process of the lower surface may be performed in the state of the collective substrate.
  • the second component 32 and the components 34 and 35 are mounted on the second surface 1b.
  • the second component 32 and the components 34 and 35 are mounted via the electrodes 13, respectively.
  • the second sealing resin 6b is arranged so as to cover the second surface 1b and the second component 32. Parts 34 and 35 are also covered with the second sealing resin 6b.
  • the shield film 8 is formed.
  • the shield film 8 can be formed by a method such as sputtering.
  • the shield film 8 covers the upper surface and the side surface of the second sealing resin 6b, the side surface of the substrate 1, and the side surface of the first sealing resin 6a. At the portion where the convex portion 15 is exposed on the side surface of the first sealing resin 6a, the convex portion 15 and the shield film 8 are electrically connected.
  • solder is attached to the exposed end faces of the signal terminal 20 and the ground terminal 21. In this way, the module 101 shown in FIG. 4 is obtained.
  • FIG. 21 shows a cross-sectional view taken along the line XXI-XXI in FIG. 20.
  • the substrate 1 has a second surface 1b as a surface opposite to the first surface 1a, and the antenna 14 is arranged on the second surface 1b.
  • the surface of the first sealing resin 6a on the side far from the substrate 1 is not covered with the shield film 8.
  • the effect described in the first embodiment can be obtained. Since the module 102 in the present embodiment includes the antenna 14, wireless communication can be performed.
  • FIG. 23 A bottom view of the module 103 in this embodiment is shown in FIG.
  • a cross-sectional view taken along the line XXIII-XXIII in FIG. 22 is shown in FIG. 23.
  • the shield film 8 includes the back surface shield film 8a.
  • the surface of the first sealing resin 6a on the side far from the substrate 1 is covered with the back surface shield film 8a. Since the back surface shield film 8a is a part of the shield film 8, it can be expressed as follows.
  • the shield film 8 covers the surface of the first sealing resin 6a on the side far from the substrate 1.
  • the shield film 8 has an opening 22 on the surface of the first sealing resin 6a on the side far from the substrate 1.
  • the module 103 includes a signal terminal 20 mounted on the first surface 1a. The signal terminal 20 is exposed from the opening 22 in a state where it is not electrically connected to the shield film 8.
  • the lower end of the ground terminal 21 is electrically connected to the back surface shield film 8a.
  • an opening having a diameter smaller than the outer diameter of the ground terminal 21 is provided at a portion of the back surface shield film 8a corresponding to the ground terminal 21, and is in contact with the ground terminal 21 through this opening.
  • Solder is attached to the back surface shield film 8a from the outside.
  • the ground terminal 21 is electrically connected to the side surface of the shield film 8 via the convex portion 15, and is also electrically connected to the back surface shield film 8a at the lower end of the ground terminal 21.
  • an opening 22 having a diameter larger than the outer diameter of the signal terminal 20 is provided at a portion of the back surface shield film 8a corresponding to the signal terminal 20, and the signal terminal 20 is in contact with the back surface shield film 8a. It is exposed to the outside.
  • the first ground terminal 21a is electrically connected to a portion of the shield film 8 that covers the surface of the first sealing resin 6a on the side far from the substrate 1, that is, the back surface shield film 8a.
  • the effect described in the second embodiment can be obtained. Further, since the module 103 includes the back surface shield film 8a as a part of the shield film 8, it is possible to improve the shielding performance for the first component 31 and the like mounted on the first surface 1a of the substrate 1.
  • FIGS. 24 to 25 A bottom view of the module 104 in this embodiment is shown in FIG. 24.
  • FIG. 25 shows a cross-sectional view taken along the line XXV-XXV in FIG. 24.
  • the second sealing resin 6b covers a part of the second surface 1b of the substrate 1.
  • the antenna 14 is arranged on the portion of the second surface 1b that is not covered with the second sealing resin 6b.
  • the second surface 1b is provided with an electrode 13 and a ground electrode 17 in addition to the antenna 14.
  • the second component 32 and the component 34 are mounted via the electrodes 13.
  • the ground electrode 17 is grounded by a wiring (not shown).
  • the ground electrode 17 is arranged on the boundary line between the region covered by the second sealing resin 6b and the region not covered by the second sealing resin 6b.
  • a shield film 8 is electrically connected to the ground electrode 17.
  • the surface of the first sealing resin 6a on the side far from the substrate 1 is not covered with the shield film 8.
  • the module 104 of the present embodiment it is possible to perform wireless communication by the antenna 14, but since the double-sided mounting structure is adopted, more parts can be mounted on the substrate 1 having a limited area. ..
  • a part of the second surface 1b of the substrate 1 may be appropriately covered with a mask. By doing so, it is possible to obtain a structure in which a part of the second surface 1b is not covered by the shield film 8.
  • FIGS. 26 to 27 A bottom view of the module 105 in this embodiment is shown in FIG.
  • a cross-sectional view taken along the line XXVII-XXVII in FIG. 26 is shown in FIG. 27.
  • the basic configuration of the module 105 is the same as that of the module 104 described in the fourth embodiment.
  • the shield film 8 includes a back surface shield film 8a.
  • the surface of the first sealing resin 6a on the side far from the substrate 1 is covered with the back surface shield film 8a.
  • the back surface shield film 8a is a part of the shield film 8.
  • the details related to the back surface shield film 8a are the same as those described in the third embodiment.
  • the effect described in the fifth embodiment can be obtained. Further, since the module 105 includes the back surface shield film 8a as a part of the shield film 8, it is possible to improve the shielding performance for the first component 31 and the like mounted on the first surface 1a of the substrate 1.
  • the shield film 8 on the upper surface and the shield film 8 on the lower surface may be formed in separate steps. good.
  • the sputtering step at least twice, a module in which the shield film 8 is formed on both the upper surface and the lower surface can be obtained.
  • Substrate 1a 1st surface, 1b 2nd surface, 6a 1st sealing resin, 6b 2nd sealing resin, 7,17 ground electrode, 8 shield film, 8a back surface shield film, 11 electrode, 12 solder, 13 electrode , 14 antenna, 15 convex part, 16 plate part, 20 signal terminal, 21 ground terminal, 21a 1st ground terminal, 21b 2nd ground terminal, 21c 3rd ground terminal, 22 opening, 25 (including ground terminal) set Body, 26 (including signal terminal) structure, 31 1st part, 32 2nd part, 40 plate material, 41 protruding part, 42 flat part, 43 joint part, 101, 102, 103, 104, 105 modules.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

モジュール（１０１）は、第１面（１ａ）を有する基板（１）と、第１面（１ａ）に実装された第１部品（３１）と、第１面（１ａ）および第１部品（３１）を覆うように配置された第１封止樹脂（６ａ）と、少なくとも第１封止樹脂（６ａ）の側面を覆うシールド膜（８）と、第１面（１ａ）に実装された第１グランド端子と、前記第１グランド端子の第１面（１ａ）に垂直な方向のいずれかの位置において側方に向かって張り出すように形成された凸部（１５）とを備える。凸部（１５）は、シールド膜（８）のうち第１封止樹脂（６ａ）の側面を覆う部分に電気的に接続されている。

Description

モジュール
　本発明は、モジュールに関するものである。
　従来技術に基づくモジュールの一例が、米国特許出願公開ＵＳ２０１８／００９６９４９Ａ１（特許文献１）に記載されている。このモジュールにおいては、基板の上面および下面にそれぞれ部品が実装され、基板の上面および下面のそれぞれにおいて部品を覆うように封止樹脂が形成されている。このモジュールの上面および側面は、シールド膜としての導体膜で覆われている。基板の内部にグランド電極が配置されており、このグランド電極は、基板の側面において露出することによって、シールド膜と電気的に接続されている。特許文献１においては、基板の裏面に、モジュールをマザー基板に接続するための接続導体としてはんだボールが配置されている。
米国特許出願公開ＵＳ２０１８／００９６９４９Ａ１
　シールド膜をスパッタなどの物理的成膜方法で形成する場合には、モジュールの側面におけるシールド膜は、モジュールの下面に近づくほど薄くなる。また、シールド膜とグランド電極とが電気的に接続されている箇所は、基板の側面のみである。モジュールの側面におけるシールド膜は、基板より下にまで延在しているが、基板より下側においてはシールド膜がグランド電極に接続される箇所がない。したがって、シールド膜のうち基板の下側に延在する部分は、シールド性能が弱くなる。
　そこで、本発明は、基板より下側におけるシールド性能を強化したモジュールを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するため、本発明に基づくモジュールは、第１面を有する基板と、上記第１面に実装された第１部品と、上記第１面および上記第１部品を覆うように配置された第１封止樹脂と、少なくとも上記第１封止樹脂の側面を覆うシールド膜と、上記第１面に実装された第１グランド端子と、上記第１グランド端子の上記第１面に垂直な方向のいずれかの位置において側方に向かって張り出すように形成された凸部とを備える。上記凸部は、上記シールド膜のうち上記第１封止樹脂の側面を覆う部分に電気的に接続されている。
　本発明によれば、第１グランド端子から張り出すように凸部が設けられていて、凸部は、シールド膜のうち第１封止樹脂の側面を覆う部分に電気的に接続されているので、基板より下側におけるシールド性能を強化することができる。
本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの第１の斜視図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの第２の斜視図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの下面図である。 図３におけるＩＶ－ＩＶ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールに備わる構造体の平面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールに備わる構造体の正面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第１の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第２の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第３の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第４の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法で用いられる構造体の平面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法で用いられる構造体の斜視図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法で用いられる構造体の正面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第５の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第６の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第７の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第８の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第９の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールの製造方法の第１０の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態２におけるモジュールの下面図である。 図２０におけるＸＸＩ－ＸＸＩ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態３におけるモジュールの下面図である。 図２２におけるＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態４におけるモジュールの下面図である。 図２４におけるＸＸＶ－ＸＸＶ線に関する矢視断面図である。 本発明に基づく実施の形態５におけるモジュールの下面図である。 図２６におけるＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線に関する矢視断面図である。
　図面において示す寸法比は、必ずしも忠実に現実のとおりを表しているとは限らず、説明の便宜のために寸法比を誇張して示している場合がある。以下の説明において、上または下の概念に言及する際には、絶対的な上または下を意味するとは限らず、図示された姿勢の中での相対的な上または下を意味する場合がある。
　（実施の形態１）
　図１～図６を参照して、本発明に基づく実施の形態１におけるモジュールについて説明する。
　本実施の形態におけるモジュール１０１の外観を図１に示す。モジュール１０１の上面および側面はシールド膜８に覆われている。図１における斜め下からモジュール１０１を見たところを図２に示す。モジュール１０１の下面はシールド膜８に覆われておらず、第１封止樹脂６ａが露出している。モジュール１０１の下面には、１以上の信号端子２０および１以上のグランド端子２１が設けられている。図２で示した信号端子２０およびグランド端子２１の数、大きさ、配列はあくまで一例である。モジュール１０１の下面図を図３に示す。図３におけるＩＶ－ＩＶ線に関する矢視断面図を図４に示す。基板１は、表面または内部に配線を備えていてよい。基板１は樹脂基板であってもよくセラミック基板であってもよい。基板１は多層基板であってもよい。すなわち、基板１は、樹脂多層基板であってもよく、セラミック多層基板であってもよい。
　本実施の形態におけるモジュール１０１は、第１面１ａを有する基板１と、第１面１ａに実装された第１部品３１と、第１面１ａおよび第１部品３１を覆うように配置された第１封止樹脂６ａと、少なくとも第１封止樹脂６ａの側面を覆うシールド膜８と、第１面１ａに実装された第１グランド端子２１ａと、第１グランド端子２１ａの第１面１ａに垂直な方向のいずれかの位置において側方に向かって張り出すように形成された凸部１５とを備える。凸部１５は、シールド膜８のうち第１封止樹脂６ａの側面を覆う部分に電気的に接続されている。第１グランド端子２１ａは、柱状であり、第１封止樹脂６ａを貫通している。モジュール１０１は、第１封止樹脂６ａを貫通する柱状の信号端子２０を備える。信号端子２０は、第１面１ａに実装されている。
　ここで示す例では、基板１の第１面１ａは、基板１の下面である。第１面１ａには第１部品３１が実装されている。第１部品３１は、たとえばＩＣ（Integrated　Circuit）であってよい。より具体的には、第１部品３１は、たとえばＬＮＡ（Low　Noise　Amplifier）であってよい。
　図３に示された各端子の形状、サイズ、個数、配列は、あくまで一例として示すものである。この例においては、図中左下の隅に４個のグランド端子２１があり、図中左上の隅に３個のグランド端子２１があり、図中右下の隅に３個のグランド端子２１があり、図中右上の隅に４個のグランド端子２１がある。図中下側の辺に沿って３個の信号端子２０があり、図中上側の辺に沿って３個の信号端子２０がある。図３に示すように、四隅にそれぞれ、凸部１５によって連結されたグランド端子の集合体が配置されている。凸部１５は第１封止樹脂６ａに覆い隠されているので、破線で表示されている。図３に示された例では、いずれのグランド端子２１を第１グランド端子とみなしてもよい。いずれのグランド端子２１を第１グランド端子とみなしたとしても、第１グランド端子の第１面１ａに垂直な方向の中間において側方に向かって張り出すように凸部１５が形成されている。ここでは、説明の便宜のため、左下の隅にある１個のグランド端子２１を第１グランド端子２１ａとみなしている。
　モジュール１０１は、第１グランド端子２１ａの他に第２グランド端子２１ｂおよび第３グランド端子２１ｃを備える。
　図４に示すように、基板１の第２面１ｂには、第２部品３２および部品３４，３５が実装されている。第２面１ｂおよびこれらの部品は、第２封止樹脂６ｂによって覆われている。
　たとえば図３における図中右上隅にあるグランド端子の集合体を取り出したところを図５に示す。集合体２５は、４つのグランド端子２１と、１つの凸部１５を含む。凸部１５はＬ字形となっている。４つのグランド端子２１は凸部１５によって結び付けられている。集合体２５を正面から見たところを図６に示す。凸部１５の上側と下側とにそれぞれ突出するようにグランド端子２１が形成されている。ここで示す集合体２５の具体的構成は、あくまで一例である。
　本実施の形態におけるモジュール１０１は、第１グランド端子２１ａから張り出すように凸部１５を備えていて、凸部１５は、シールド膜８のうち第１封止樹脂６ａの側面を覆う部分に電気的に接続されているので、基板１より下側におけるシールド性能を強化することができる。
　本実施の形態で示したように、モジュール１０１は、第１面１ａに実装された第２グランド端子２１ｂを備え、凸部１５は、第１グランド端子２１ａと第２グランド端子２１ｂとを連結して、さらに、第１グランド端子２１ａおよび第２グランド端子２１ｂから周囲に向かって張り出すように形成されていることが好ましい。図３に示した例では、いずれか１つのグランド端子２１を第１グランド端子とみなし、その隣りのグランド端子２１を第２グランド端子とみなせばよい。隣り同士の２つのグランド端子２１は、凸部１５によって連結されている。この構成を採用することにより、隣り合うグランド端子２１同士が拘束されるので、モジュール全体の反りを抑制し、マザー基板と接続導体との接合部における破断を起こりにくくすることができる。第２グランド端子２１ｂは、柱状であって、第１封止樹脂６ａを貫通している。
　本実施の形態で示したように、第１面１ａに実装された第３グランド端子２１ｃを備え、凸部１５は、第１グランド端子２１ａと第３グランド端子２１ｃとを連結して、さらに、第１グランド端子２１ａ、第２グランド端子２１ｂおよび第３グランド端子２１ｃから周囲に向かって張り出すように形成されており、第１面１ａに垂直な方向から見たとき、第２グランド端子２１ｂ、第１グランド端子２１ａおよび第３グランド端子２１ｃは、この順にＬ字形に配列されていることが好ましい。図３に示した例では、これら３つのグランド端子２１は、この順にＬ字形に配列され、なおかつ、凸部１５によって連結されている。この構成を採用することにより、これら３つのグランド端子２１は強固に拘束されるので、モジュール全体の反りをより効果的に抑制し、マザー基板と接続導体との接合部における破断を起こりにくくすることができる。第３グランド端子２１ｃは、柱状であって、第１封止樹脂６ａを貫通している。
　本実施の形態で示したように、第１グランド端子２１ａは、第１面１ａのコーナー部に位置することが好ましい。モジュールは、線膨張係数が異なる部材を組み合わせて構成されているので、反りやすい。モジュールの外周に近い部位ほど反り量が大きくなる。モジュールをマザー基板に接続するための接続導体は、一般的に、外周近傍に配置されているので、モジュールに反りが生じたときには、マザー基板と接続導体との接合部が破断しやすい。しかしながら、上述の構成を採用することにより、コーナー部の強度を上げることができる。これにより、モジュール全体の反りをより効果的に抑制し、マザー基板と接続導体との接合部における破断を起こりにくくすることができる。
　本実施の形態では、第１グランド端子２１ａの第１面１ａに垂直な方向の中間から凸部１５が張り出す例を示したが、凸部１５が張り出す位置は、第１グランド端子２１ａの中間に限らない。第１グランド端子２１ａの上端部または下端部から凸部１５が張り出していてもよい。ただし、本実施の形態で示したように、凸部１５は、第１グランド端子２１ａの第１面１ａに垂直な方向の中間にあることが好ましい。この構成を採用することにより、第１グランド端子２１ａの中間においてシールド膜８との電気的接続を行なうことができるので、より効果的にシールド性能を強化することができる。
　本実施の形態で示したように、基板１は、第１面１ａとは反対側の面として第２面１ｂを有し、モジュール１０１は、第２面１ｂに実装された第２部品３２を備えることが好ましい。この構成を採用することにより、モジュール１０１は両面実装構造となっているので、限られた面積の基板１により多くの部品を実装することができる。
　（製造方法）
　図７～図１９を参照して、モジュール１０１の製造方法について説明する。まず、図７に示すように、板材４０を用意する。板材４０は金属板であってよい。板材４０の材料はたとえば銅であってもよい。
　板材４０をプレス加工することにより、図８に示すような構造を形成する。図８は断面図である。図８に示すように、突出部４１が形成される。他の部分は平坦部４２となっている。図８に示す構造体を２枚用意し、図９に示すように、平坦な面同士が合うように重ねて接合する。図９では、接合部４３が示されている。接合部４３においては、溶接してもよく、間にはんだを介在させて接合してもよい。
　図１０に示すように、集合体２５を基板１の第１面１ａに実装する。基板１の第１面１ａには電極１１が設けられている。集合体２５と電極１１との間には、はんだ１２を介在させる。基板１の第１面１ａには、第１部品３１および部品３３も実装されている。基板１の第２面１ｂには、電極１３が設けられている。
　図１１に示すような構造体２６を用意する。図１１は、構造体２６の平面図である。構造体２６の斜視図を図１２に示す。構造体２６の正面図を図１３に示す。構造体２６は、導電体で一体的に形成されたものである。構造体２６の材料は、たとえば銅である。構造体２６は、板部１６と、いくつかの信号端子２０とを含む。信号端子２０は柱状である。各信号端子２０は、板部１６に対して垂直に配置されている。図１０に示したものに対して構造体２６を実装することによって、図１４に示すようになる。信号端子２０は、はんだ１２を介して電極１１に電気的に接続される。図１３では３本の信号端子２０が表示されていたが、図１４では、説明の便宜のために、中央の１本の信号端子２０は図示省略されている。図１３で左端に見えていた１本の信号端子２０は、図１４においては、左端のグランド端子２１の背後に隠れて見えなくなっている。
　図１５に示すように、第１封止樹脂６ａを形成する。構造体２６は、第１封止樹脂６ａによって覆われる。凸部１５は、第１封止樹脂６ａの側面に露出する。ここでは、１個のモジュールに相当する範囲を図示して説明しているが、実際には、複数個のモジュールに相当する集合基板によって製造工程を進めていくこととしてもよい。集合基板の状態で製造工程を行なっている場合、第１封止樹脂６ａを形成する工程は、集合基板の状態のまま行なってよい。その場合、凸部１５はまだ第１封止樹脂６ａの側面に露出していなくてもよい。凸部１５が側面に露出するのは、より後の工程で、集合基板が個別のモジュールのサイズに分断された時点であってよい。図１５では、集合基板から個片化された後の状態を示している。
　図１６に示すように、下面に研磨加工を施す。研磨加工により、板部１６は除去され、信号端子２０およびグランド端子２１の各端面が第１封止樹脂６ａから露出する。集合基板の状態で製造工程を行なっている場合、下面の研磨加工は、集合基板の状態のまま行なってよい。
　図１７に示すように、第２面１ｂに第２部品３２および部品３４，３５を実装する。第２部品３２および部品３４，３５は、それぞれ電極１３を介して実装される。
　図１８に示すように、第２面１ｂおよび第２部品３２を覆うように第２封止樹脂６ｂを配置する。部品３４，３５も第２封止樹脂６ｂによって覆われる。
　図１９に示すように、シールド膜８を形成する。シールド膜８は、スパッタなどの方法により形成することができる。シールド膜８は、第２封止樹脂６ｂの上面および側面、基板１の側面、ならびに、第１封止樹脂６ａの側面を覆う。第１封止樹脂６ａの側面に凸部１５が露出していた箇所においては、凸部１５とシールド膜８とが電気的に接続される。
　さらに、必要に応じて信号端子２０およびグランド端子２１の露出している端面にはんだを付着させる。こうして、図４に示したモジュール１０１が得られる。
　（実施の形態２）
　図２０～図２１を参照して、本発明に基づく実施の形態２におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０２の下面図を図２０に示す。図２０におけるＸＸＩ－ＸＸＩ線に関する矢視断面図を図２１に示す。モジュール１０２においては、基板１は、第１面１ａとは反対側の面として第２面１ｂを有し、第２面１ｂには、アンテナ１４が配置されている。第１封止樹脂６ａの基板１から遠い側の面は、シールド膜８によって覆われていない。
　本実施の形態においても、実施の形態１で説明した効果を得ることができる。本実施の形態におけるモジュール１０２では、アンテナ１４を備えるので、無線通信を行なうことができる。
　（実施の形態３）
　図２２～図２３を参照して、本発明に基づく実施の形態３におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０３の下面図を図２２に示す。図２２におけるＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に関する矢視断面図を図２３に示す。モジュール１０３においては、シールド膜８は、裏面シールド膜８ａを含む。第１封止樹脂６ａの基板１から遠い側の面は、裏面シールド膜８ａによって覆われている。裏面シールド膜８ａはシールド膜８の一部であるので、以下のように表現することができる。
　モジュール１０３においては、シールド膜８は、第１封止樹脂６ａの基板１から遠い側の面を覆っている。シールド膜８は、第１封止樹脂６ａの基板１から遠い側の面に開口部２２を有する。モジュール１０３は、第１面１ａに実装された信号端子２０を備える。信号端子２０は、シールド膜８とは電気的に接続されない状態で開口部２２から露出している。
　図２３に示すように、グランド端子２１の下端は、裏面シールド膜８ａに電気的に接続されている。具体的には、裏面シールド膜８ａにおいてグランド端子２１に対応する箇所には、グランド端子２１の外径よりも小さな径を有する開口部が設けられており、この開口部を通じてグランド端子２１に接するようにはんだが裏面シールド膜８ａの外側から付けられている。グランド端子２１は、凸部１５を介してシールド膜８の側面に電気的に接続されており、なおかつ、グランド端子２１の下端において裏面シールド膜８ａに対しても電気的に接続されている。一方、裏面シールド膜８ａにおいて信号端子２０に対応する箇所には、信号端子２０の外径よりも大きな径を有する開口部２２が設けられており、信号端子２０は、裏面シールド膜８ａに接することなく外部に露出している。
　第１グランド端子２１ａは、シールド膜８のうち第１封止樹脂６ａの基板１から遠い側の面を覆う部分、すなわち裏面シールド膜８ａに電気的に接続されている。
　本実施の形態におけるモジュール１０３では、実施の形態２で説明した効果を得ることができる。さらに、モジュール１０３は、シールド膜８の一部として裏面シールド膜８ａを備えているので、基板１の第１面１ａに実装された第１部品３１などに対するシールド性能を高めることができる。
　（実施の形態４）
　図２４～図２５を参照して、本発明に基づく実施の形態４におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０４の下面図を図２４に示す。図２４におけるＸＸＶ－ＸＸＶ線に関する矢視断面図を図２５に示す。モジュール１０４においては、第２封止樹脂６ｂは、基板１の第２面１ｂの一部を覆っている。第２面１ｂのうち第２封止樹脂６ｂに覆われていない部分には、アンテナ１４が配置されている。モジュール１０４においては、第２面１ｂには、アンテナ１４の他に、電極１３およびグランド電極１７も設けられている。電極１３を介して第２部品３２および部品３４が実装されている。グランド電極１７は、図示しない配線によって接地されている。グランド電極１７は、第２封止樹脂６ｂによって覆われている領域と覆われていない領域との境界線上に配置されている。グランド電極１７にはシールド膜８が電気的に接続されている。第１封止樹脂６ａの基板１から遠い側の面は、シールド膜８によって覆われていない。
　本実施の形態におけるモジュール１０４では、アンテナ１４による無線通信を行なうことで可能である一方、両面実装構造が採用されているので、限られた面積の基板１により多くの部品を実装することができる。
　なお、本実施の形態におけるモジュール１０４を製造するために、スパッタによってシールド膜８を形成する際には、基板１の第２面１ｂの一部は適宜マスクで覆っておけばよい。こうすることによって、第２面１ｂの一部はシールド膜８によって覆われていない構造を得ることができる。
　（実施の形態５）
　図２６～図２７を参照して、本発明に基づく実施の形態５におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール１０５の下面図を図２６に示す。図２６におけるＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線に関する矢視断面図を図２７に示す。モジュール１０５の基本的な構成は、実施の形態４で説明したモジュール１０４と同様である。モジュール１０５においては、モジュール１０４と異なり、シールド膜８は、裏面シールド膜８ａを含む。第１封止樹脂６ａの基板１から遠い側の面は、裏面シールド膜８ａによって覆われている。裏面シールド膜８ａはシールド膜８の一部である。裏面シールド膜８ａに関連する詳細は、実施の形態３で説明したものと同様である。
　本実施の形態におけるモジュール１０５では、実施の形態５で説明した効果を得ることができる。さらに、モジュール１０５は、シールド膜８の一部として裏面シールド膜８ａを備えているので、基板１の第１面１ａに実装された第１部品３１などに対するシールド性能を高めることができる。
　なお、本実施の形態におけるモジュール１０５を製造するために、スパッタによってシールド膜８を形成する際には、上面におけるシールド膜８と、下面におけるシールド膜８とを別々の工程で形成することとしてもよい。少なくとも２回のスパッタ工程を行なうことにより、上面にも下面にもシールド膜８が形成されたモジュールを得ることができる。
　なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
　なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
　１　基板、１ａ　第１面、１ｂ　第２面、６ａ　第１封止樹脂、６ｂ　第２封止樹脂、７，１７　グランド電極、８　シールド膜、８ａ　裏面シールド膜、１１　電極、１２　はんだ、１３　電極、１４　アンテナ、１５　凸部、１６　板部、２０　信号端子、２１　グランド端子、２１ａ　第１グランド端子、２１ｂ　第２グランド端子、２１ｃ　第３グランド端子、２２　開口部、２５　（グランド端子を含む）集合体、２６　（信号端子を含む）構造体、３１　第１部品、３２　第２部品、４０　板材、４１　突出部、４２　平坦部、４３　接合部、１０１，１０２，１０３，１０４，１０５　モジュール。

Claims (9)

  1. 　第１面を有する基板と、
    　前記第１面に実装された第１部品と、
    　前記第１面および前記第１部品を覆うように配置された第１封止樹脂と、
    　少なくとも前記第１封止樹脂の側面を覆うシールド膜と、
    　前記第１面に実装された第１グランド端子と、
    　前記第１グランド端子の前記第１面に垂直な方向のいずれかの位置において側方に向かって張り出すように形成された凸部とを備え、
    　前記凸部は、前記シールド膜のうち前記第１封止樹脂の側面を覆う部分に電気的に接続されている、モジュール。
  2. 　前記第１面に実装された第２グランド端子を備え、
    　前記凸部は、前記第１グランド端子と前記第２グランド端子とを連結して、さらに、前記第１グランド端子および前記第２グランド端子から周囲に向かって張り出すように形成されている、請求項１に記載のモジュール。
  3. 　前記第１面に実装された第３グランド端子を備え、
    　前記凸部は、前記第１グランド端子と前記第３グランド端子とを連結して、さらに、前記第１グランド端子、前記第２グランド端子および前記第３グランド端子から周囲に向かって張り出すように形成されており、
    　前記第１面に垂直な方向から見たとき、前記第２グランド端子、前記第１グランド端子および前記第３グランド端子は、この順にＬ字形に配列されている、請求項２に記載のモジュール。
  4. 　前記第１グランド端子は、前記第１面のコーナー部に位置する、請求項１から３のいずれか１項に記載のモジュール。
  5. 　前記凸部は、前記第１グランド端子の前記第１面に垂直な方向の中間にある、請求項１から４のいずれか１項に記載のモジュール。
  6. 　前記基板は、前記第１面とは反対側の面として第２面を有し、
    　前記モジュールはさらに、前記第２面に実装された第２部品を備える、請求項１から５のいずれか１項に記載のモジュール。
  7. 　前記基板は、前記第１面とは反対側の面として第２面を有し、
    　前記第２面には、アンテナが配置されている、請求項１から５のいずれか１項に記載のモジュール。
  8. 　前記シールド膜は、前記第１封止樹脂の前記基板から遠い側の面を覆っており、さらに、前記シールド膜は、前記第１封止樹脂の前記基板から遠い側の面に開口部を有し、
    　前記モジュールは、前記第１面に実装された信号端子を備え、
    　前記信号端子は、前記シールド膜とは電気的に接続されない状態で前記開口部から露出している、請求項４から７のいずれか１項に記載のモジュール。
  9. 　前記第１グランド端子は、前記シールド膜のうち前記第１封止樹脂の前記基板から遠い側の面を覆う部分に電気的に接続されている、請求項８に記載のモジュール。
PCT/JP2021/001987 2020-03-06 2021-01-21 モジュール WO2021176871A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202190000334.2U CN218513447U (zh) 2020-03-06 2021-01-21 模块
US17/822,469 US20220418089A1 (en) 2020-03-06 2022-08-26 Module

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020039127 2020-03-06
JP2020-039127 2020-03-06

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US17/822,469 Continuation US20220418089A1 (en) 2020-03-06 2022-08-26 Module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021176871A1 true WO2021176871A1 (ja) 2021-09-10

Family

ID=77613474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/001987 WO2021176871A1 (ja) 2020-03-06 2021-01-21 モジュール

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220418089A1 (ja)
CN (1) CN218513447U (ja)
WO (1) WO2021176871A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021049521A1 (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 株式会社村田製作所 モジュール

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015194435A1 (ja) * 2014-06-20 2015-12-23 株式会社村田製作所 回路モジュール及びその製造方法
WO2018101384A1 (ja) * 2016-12-02 2018-06-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2018098677A (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 株式会社村田製作所 送受信モジュール
JP2018170419A (ja) * 2017-03-30 2018-11-01 太陽誘電株式会社 電子部品モジュール
JP2019021793A (ja) * 2017-07-19 2019-02-07 京セラ株式会社 配線基板、電子部品用パッケージおよび電子装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015194435A1 (ja) * 2014-06-20 2015-12-23 株式会社村田製作所 回路モジュール及びその製造方法
WO2018101384A1 (ja) * 2016-12-02 2018-06-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2018098677A (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 株式会社村田製作所 送受信モジュール
JP2018170419A (ja) * 2017-03-30 2018-11-01 太陽誘電株式会社 電子部品モジュール
JP2019021793A (ja) * 2017-07-19 2019-02-07 京セラ株式会社 配線基板、電子部品用パッケージおよび電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220418089A1 (en) 2022-12-29
CN218513447U (zh) 2023-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018164158A1 (ja) 高周波モジュール
JP4178880B2 (ja) モジュール部品
WO2019098316A1 (ja) 高周波モジュール
US20060043562A1 (en) Circuit device and manufacture method for circuit device
WO2004010499A1 (ja) モジュール部品
WO2007125849A1 (ja) 基板接合部材ならびにそれを用いた三次元接続構造体
JP4900186B2 (ja) コイル部品の実装構造
KR101756500B1 (ko) 적층형 반도체 디바이스 및 인쇄 회로 기판
WO2021176871A1 (ja) モジュール
KR102279978B1 (ko) 모듈
JPWO2020071493A1 (ja) モジュール
WO2021131776A1 (ja) モジュール
KR100851683B1 (ko) 전자파간섭으로 방해받는 전자 장치들의 전자 컴포넌트들 및/또는 회로들 차폐
US20230105809A1 (en) Module
JP7010372B2 (ja) 高周波モジュール
US20230105635A1 (en) Module
WO2021054332A1 (ja) モジュール
WO2021251219A1 (ja) モジュール
WO2021090694A1 (ja) モジュール
JP7036087B2 (ja) モジュール
JP4083142B2 (ja) 半導体装置
JP7131624B2 (ja) モジュール
JP2004056155A (ja) モジュール部品
WO2021246117A1 (ja) モジュールおよびその製造方法
WO2024143086A1 (ja) 弾性波デバイス、その製造方法およびモジュール

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21765023

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21765023

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP