WO2018101384A1 - 高周波モジュール - Google Patents
高周波モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- WO2018101384A1 WO2018101384A1 PCT/JP2017/042968 JP2017042968W WO2018101384A1 WO 2018101384 A1 WO2018101384 A1 WO 2018101384A1 JP 2017042968 W JP2017042968 W JP 2017042968W WO 2018101384 A1 WO2018101384 A1 WO 2018101384A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- shield
- wiring board
- resin layer
- sealing resin
- electrode
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
- H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/40—Radiating elements coated with or embedded in protective material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/42—Housings not intimately mechanically associated with radiating elements, e.g. radome
- H01Q1/422—Housings not intimately mechanically associated with radiating elements, e.g. radome comprising two or more layers of dielectric material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q23/00—Antennas with active circuits or circuit elements integrated within them or attached to them
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5383—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Definitions
- the predetermined first component and the predetermined second component can be surrounded by the shield electrode, the shield member on the one main surface side, the shield member on the other main surface side, the shield film, and the connection conductor. Therefore, the shield characteristics of the predetermined first component and the predetermined second component can be improved.
- the surface layer electrode 10 has substantially the same shape (annular shape) as the shield wall 9 when viewed from a direction perpendicular to the lower surface 20 b of the multilayer wiring board 2, and is formed at a position overlapping the shield wall 9.
- Various internal wiring electrodes (not shown) are formed in the adjacent insulating layers 2a to 2d, and internal wiring electrodes formed in different insulating layers 2a to 2d are formed inside the multilayer wiring board 2.
- a via conductor (not shown) for connecting the two is formed.
- the shield film 6 and the shield wall 92 can be grounded without using internal wiring electrodes for the wiring board 2.
- the shield electrode 11b is provided only for shielding the component 3b3, but the other shield electrode 11a is a floating electrode that is not connected to the wiring electrode formed on the multilayer wiring board 2.
- an electrode connected to a wiring electrode formed on the multilayer wiring board 2 may be used.
- the shield electrode 11a When the shield electrode 11a is connected to the wiring electrode, the shield electrode 11a functions as both a shield and an external connection electrode.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Description
本発明の第1実施形態にかかる高周波モジュール1aについて、図1および図2を参照して説明する。なお、図1は高周波モジュールの断面図、図2は高周波モジュール1aの底面図である。
本発明の第2実施形態にかかる高周波モジュール1bについて、図3および図4を参照して説明する。なお、図3は高周波モジュール1bの断面図、図4は高周波モジュール1bの底面図である。
半導体素子である部品3b3用のシールド電極11bの形状は、上記したものに限らず、適宜変更することができる。例えば、5(a)に示すように、シールド電極11bを縦長矩形状に形成して、多層配線基板2の下面20bに対して垂直な方向から見たときに、短辺の2辺が、第2封止樹脂層4bの端縁に達するようにしてもよい。また、図5(b)に示すように、シールド電極11bの対向する2辺それぞれにおいて、第2封止樹脂層4bの下面4b2の端縁に向けて延びる延出部11b1を設けてもよい。また、図5(c)に示すように、シールド電極11bの4辺それぞれにおいて、第2封止樹脂層4bの下面4b2の端縁に向けて延びる延出部11b1を設けてもよい。図5(a)~(c)のいずれの場合も、シールド電極11bの端縁の一部が、シールド膜6のうちの第2封止樹脂層4bの側面4b3を被覆する部分と当接して両者を導通させることができるため、多層配線基板2に内部配線電極を使用せずに、シールド膜6、ビア導体90の接地が可能になる。
本発明の第3実施形態にかかる高周波モジュール1cについて、図6および図7を参照して説明する。なお、図6は高周波モジュール1cの断面図、図7は高周波モジュール1cの底面図である。
本発明の第4実施形態にかかる高周波モジュール1dについて、図8および図9を参照して説明する。なお、図8は高周波モジュール1dの断面図、図9は高周波モジュール1dの底面図である。
本発明の第5実施形態にかかる高周波モジュール1eについて、図10および図11を参照して説明する。なお、図10は高周波モジュール1eの断面図、図11は高周波モジュール1eの底面図である。
本発明の第6実施形態にかかる高周波モジュール1fについて、図12を参照して説明する。なお、図12は高周波モジュール1fの断面図である。
2 多層配線基板(配線基板)
3a1~3a3 部品(第1部品)
3b1~3b3 部品(第2部品)
4a 第1封止樹脂層
4b 第2封止樹脂層
6 シールド膜
8 外部接続端子
9,92 シールド壁(他方主面側におけるシールド部材)
13a ビア導体(接続導体)
14 パッド電極(接続導体)
90,91 ビア導体(他方主面側におけるシールド部材)
93 ビア導体(一方主面側におけるシールド部材)
Claims (4)
- 配線基板と、
前記配線基板の一方主面に実装された複数の第1部品と、
前記配線基板の前記一方主面と前記複数の第1部品とを封止する第1封止樹脂層と、
前記配線基板の他方主面に実装された複数の第2部品と、
前記配線基板の前記他方主面と前記複数の第2部品とを封止する第2封止樹脂層と、
前記第2封止樹脂層を被覆するシールド電極と、
前記第2封止樹脂層内において、前記複数の第2部品のうち所定の第2部品と他の第2部品との間に配置された他方主面側におけるシールド部材と、
シールド膜とを備え、
前記第1封止樹脂層は、前記配線基板の前記一方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士を接続する側面とを有し、
前記第2封止樹脂層は、前記配線基板の前記他方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士を接続する側面とを有し、
前記シールド膜は、前記第1封止樹脂層の前記対向面、前記第1封止樹脂層の前記側面
、前記第2封止樹脂層の前記側面および前記配線基板の側面を被覆し、
前記シールド電極は、前記第2封止樹脂層の前記対向面のうち、前記配線基板の前記他方主面に対して垂直な方向から見たときに、前記複数の第2部品のうち所定の第2部品と重なる部分を被覆し、
前記他方主面側におけるシールド部材は、一部が前記第2封止樹脂層の前記対向面から露出して前記シールド電極に接続され、
前記所定の第2部品が、前記シールド膜と、前記他方主面側におけるシールド部材と、前記シールド電極とにより囲まれている
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 前記シールド電極は、端縁の一部が、前記シールド膜の前記第2封止樹脂層の前記側面を被覆する部分に当接していることを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール。
- 前記第1封止樹脂層内において、前記複数の第1部品のうち所定の第1部品と他の第1部品との間に配置され、一部が前記第1封止樹脂層の表面から露出して前記シールド膜に接続される一方主面側におけるシールド部材をさらに備え、
前記一方主面側におけるシールド部材と前記他方主面側におけるシールド部材とが、前記配線基板に設けられた接続導体により接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の高周波モジュール。 - 一端が前記配線基板の前記他方主面に形成された電極に接続され、他端が前記第2封止樹脂層の表面から露出した複数の外部接続端子を備え、
前記複数の外部接続端子は、前記配線基板の前記他方主面に対して垂直な方向から見たときに、前記他方主面側におけるシールド部材と前記複数の外部接続端子とにより前記所定の第2部品を囲むように、前記所定の第2部品の周りに配列されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の高周波モジュール。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201780074489.9A CN110036469B (zh) | 2016-12-02 | 2017-11-30 | 高频模块 |
KR1020197014951A KR102266668B1 (ko) | 2016-12-02 | 2017-11-30 | 고주파 모듈 |
JP2018554229A JP6806166B2 (ja) | 2016-12-02 | 2017-11-30 | 高周波モジュール |
US16/414,896 US10863656B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-05-17 | Radio-frequency module |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016-235269 | 2016-12-02 | ||
JP2016235269 | 2016-12-02 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US16/414,896 Continuation US10863656B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-05-17 | Radio-frequency module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2018101384A1 true WO2018101384A1 (ja) | 2018-06-07 |
Family
ID=62241462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/042968 WO2018101384A1 (ja) | 2016-12-02 | 2017-11-30 | 高周波モジュール |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10863656B2 (ja) |
JP (1) | JP6806166B2 (ja) |
KR (1) | KR102266668B1 (ja) |
CN (1) | CN110036469B (ja) |
WO (1) | WO2018101384A1 (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020017582A1 (ja) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2020071492A1 (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-09 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2020071491A1 (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-09 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2020071493A1 (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-09 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2020110578A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2021039076A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
WO2021054332A1 (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2021106377A1 (ja) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 京セラ株式会社 | アンテナモジュール |
WO2021124806A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール、および、電子部品モジュールの製造方法 |
WO2021124805A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール |
WO2021131774A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
US20210203371A1 (en) * | 2019-12-25 | 2021-07-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio frequency module and communication device |
WO2021131776A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2021176871A1 (ja) * | 2020-03-06 | 2021-09-10 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
JP2021145124A (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-24 | 日月光半導体製造股▲ふん▼有限公司 | 埋め込まれた半導体デバイスを含む基板構造およびその製造方法 |
WO2021256299A1 (ja) * | 2020-06-16 | 2021-12-23 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2022014337A1 (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
WO2022153767A1 (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
WO2022153768A1 (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
US20220238455A1 (en) * | 2019-11-07 | 2022-07-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module |
US11587881B2 (en) | 2020-03-09 | 2023-02-21 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Substrate structure including embedded semiconductor device |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021136514A (ja) * | 2020-02-25 | 2021-09-13 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
US11721639B2 (en) * | 2020-06-29 | 2023-08-08 | Qualcomm Incorporated | Multi-component modules (MCMs) including configurable electro-magnetic isolation (EMI) shield structures, and related methods |
US20220066036A1 (en) * | 2020-08-25 | 2022-03-03 | Lumentum Operations Llc | Package for a time of flight device |
US11985804B2 (en) * | 2021-07-22 | 2024-05-14 | Qualcomm Incorporated | Package comprising a block device with a shield and method of fabricating the same |
US11862688B2 (en) * | 2021-07-28 | 2024-01-02 | Apple Inc. | Integrated GaN power module |
US12009312B2 (en) * | 2021-09-23 | 2024-06-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0458596A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電磁シールド方法 |
JP2013026330A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Murata Mfg Co Ltd | 回路モジュール |
US20150131231A1 (en) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component module and manufacturing method thereof |
US20160035678A1 (en) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000133765A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Sony Corp | 高周波集積回路装置 |
JP2011124366A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN103053021A (zh) | 2010-08-18 | 2013-04-17 | 株式会社村田制作所 | 电子元器件及其制造方法 |
JP5466785B1 (ja) * | 2013-08-12 | 2014-04-09 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール及びその製造方法 |
-
2017
- 2017-11-30 CN CN201780074489.9A patent/CN110036469B/zh active Active
- 2017-11-30 WO PCT/JP2017/042968 patent/WO2018101384A1/ja active Application Filing
- 2017-11-30 KR KR1020197014951A patent/KR102266668B1/ko active IP Right Grant
- 2017-11-30 JP JP2018554229A patent/JP6806166B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-17 US US16/414,896 patent/US10863656B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0458596A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電磁シールド方法 |
JP2013026330A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Murata Mfg Co Ltd | 回路モジュール |
US20150131231A1 (en) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component module and manufacturing method thereof |
US20160035678A1 (en) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
Cited By (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020017582A1 (ja) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
US11419215B2 (en) | 2018-07-20 | 2022-08-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module |
JPWO2020017582A1 (ja) * | 2018-07-20 | 2021-06-24 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
US11716813B2 (en) | 2018-07-20 | 2023-08-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module |
JP7143896B2 (ja) | 2018-10-05 | 2022-09-29 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
US11646273B2 (en) | 2018-10-05 | 2023-05-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module |
WO2020071493A1 (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-09 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
CN112740845A (zh) * | 2018-10-05 | 2021-04-30 | 株式会社村田制作所 | 模块 |
JPWO2020071491A1 (ja) * | 2018-10-05 | 2021-09-02 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
JP7131624B2 (ja) | 2018-10-05 | 2022-09-06 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2020071491A1 (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-09 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2020071492A1 (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-09 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
US11804448B2 (en) | 2018-10-05 | 2023-10-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module |
CN112740845B (zh) * | 2018-10-05 | 2023-11-07 | 株式会社村田制作所 | 模块 |
US12016112B2 (en) | 2018-10-05 | 2024-06-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic module |
JPWO2020071493A1 (ja) * | 2018-10-05 | 2021-09-02 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
US11749589B2 (en) | 2018-11-30 | 2023-09-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module |
WO2020110578A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
US12047106B2 (en) | 2019-08-29 | 2024-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency module and communication device |
WO2021039076A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
WO2021054332A1 (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
US20220238455A1 (en) * | 2019-11-07 | 2022-07-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module |
WO2021106377A1 (ja) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 京セラ株式会社 | アンテナモジュール |
JPWO2021106377A1 (ja) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | ||
JP7295971B2 (ja) | 2019-11-26 | 2023-06-21 | 京セラ株式会社 | アンテナモジュール |
WO2021124806A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール、および、電子部品モジュールの製造方法 |
WO2021124805A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール |
US11871523B2 (en) | 2019-12-20 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component module and method for manufacturing electronic component module |
US20210203371A1 (en) * | 2019-12-25 | 2021-07-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio frequency module and communication device |
WO2021131776A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2021131774A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2021176871A1 (ja) * | 2020-03-06 | 2021-09-10 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
US11587881B2 (en) | 2020-03-09 | 2023-02-21 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Substrate structure including embedded semiconductor device |
JP7145926B2 (ja) | 2020-03-10 | 2022-10-03 | 日月光半導体製造股▲ふん▼有限公司 | 埋め込まれた半導体デバイスを含む基板構造およびその製造方法 |
US11335646B2 (en) | 2020-03-10 | 2022-05-17 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Substrate structure including embedded semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2021145124A (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-24 | 日月光半導体製造股▲ふん▼有限公司 | 埋め込まれた半導体デバイスを含む基板構造およびその製造方法 |
WO2021256299A1 (ja) * | 2020-06-16 | 2021-12-23 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2022014337A1 (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
WO2022153768A1 (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
WO2022153767A1 (ja) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2018101384A1 (ja) | 2019-10-24 |
CN110036469B (zh) | 2023-05-12 |
CN110036469A (zh) | 2019-07-19 |
KR102266668B1 (ko) | 2021-06-21 |
US20190273312A1 (en) | 2019-09-05 |
KR20190073486A (ko) | 2019-06-26 |
JP6806166B2 (ja) | 2021-01-06 |
US10863656B2 (en) | 2020-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2018101384A1 (ja) | 高周波モジュール | |
JP7120295B2 (ja) | 高周波モジュール | |
WO2018164158A1 (ja) | 高周波モジュール | |
US10667381B2 (en) | High frequency module | |
US10849257B2 (en) | Module | |
US10674648B2 (en) | High-frequency module | |
JP7028254B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP6950757B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP6397127B2 (ja) | 半導体素子パッケージ、半導体装置および実装構造体 | |
JP7334774B2 (ja) | 高周波モジュール | |
US10573591B2 (en) | Electronic component mounting board, electronic device, and electronic module | |
JP7010372B2 (ja) | 高周波モジュール | |
WO2017094836A1 (ja) | シールドを有するモジュール | |
JP7320923B2 (ja) | モジュール | |
JP6511947B2 (ja) | 高周波モジュール | |
WO2018101383A1 (ja) | 高周波モジュール | |
WO2020196752A1 (ja) | モジュール | |
JP2018088460A (ja) | シールド層を有するモジュール | |
JP2018137353A (ja) | 電子素子実装用基板、電子装置および電子モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 17876429 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2018554229 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20197014951 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 17876429 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |