WO2019189072A1 - 光学フィルターおよびその用途 - Google Patents

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WO2019189072A1
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optical filter
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transmittance
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寛之 岸田
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Jsr株式会社
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    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof

Definitions

  • One embodiment of the present invention relates to an optical filter.
  • the present invention relates to an optical filter (for example, a near infrared cut filter) having specific optical characteristics, and a solid-state imaging device, a camera module, and a sensor module using the optical filter.
  • an optical filter for example, a near infrared cut filter
  • a solid-state imaging device such as a conventional video camera, a digital still camera, or a mobile phone with a camera function uses a CCD or a CMOS image sensor, which is a solid-state imaging device.
  • Silicon photodiodes that are sensitive to near infrared rays that cannot be sensed by the eyes are used. These solid-state image sensors need to be corrected for visibility so that they appear natural to the human eye.
  • Optical filters that selectively transmit or cut light in a specific wavelength region (for example, near-infrared cut) Filter) is often used.
  • filters manufactured by various methods are used as such optical filters.
  • an absorption glass type infrared cut filter in which copper oxide is dispersed in phosphate glass for example, Patent Document 1
  • a resin type infrared cut filter having a layer in which a dye having absorption in the near infrared region is dispersed for example, Patent Document 2
  • a transparent dielectric substrate glass substrate
  • a glass substrate-coated infrared cut filter for example, Patent Document 3
  • Patent Document 3 having an infrared reflection layer and an infrared absorption layer
  • a resin as a base material and a wavelength of 600 to 800 nm in the resin
  • a resin type near-infrared cut filter using a dielectric multilayer film having near-infrared reflection performance on both surfaces of the substrate Patent Document 4
  • a glass substrate with a wavelength of about 695 to 720 nm Glass substrate coating type infrared cut filter (Patent Document 5) coated with a resin layer containing a dye having absorption
  • a band pass filter is used for an image sensor having a sensor function combined with a distance measuring sensor using near infrared rays.
  • a band-pass filter Patent Document 6 having a transmission band in the visible region and a transmission band in a part of the near infrared region is known.
  • the above-mentioned conventional absorption glass type, resin type, and glass substrate coating type infrared cut filters for image sensors are excellent in correcting the visual sensitivity that makes natural colors seen by the human eye, while infrared cut filters with strong absorption intensity are
  • the solid-state imaging device, camera module, and sensor module obtained by using a conventional infrared cut filter are liable to cause an image defect due to dark current in order to cause a temperature rise due to absorption of external light.
  • an infrared cut filter having a dielectric multilayer film (for example, Patent Document 7) is known as an infrared cut filter having a characteristic of cutting light having a wavelength of more than 1200 nm in order to suppress the influence on living tissue.
  • the filter has a high transmittance at a wavelength of 720 to 1100 nm for use as an imaging device or a sensor module, lacks a shielding performance as a visibility correction, and increases a temperature that causes a dark current.
  • the cutting performance of the light having a wavelength of 1200 to 1600 nm is insufficient, and the effect of suppressing dark current is insufficient.
  • an optical filter that is thin and excellent in visible light transmittance characteristics and visibility correction characteristics, has a high light cutting performance over a wide infrared region with a wavelength of 1200 to 1600 nm, and has a dark current suppressing effect has not been obtained. It was.
  • One embodiment of the present invention improves the shortcomings of conventional optical filters such as near-infrared cut filters, is thin, excellent in visibility correction, high performance in cutting light in the mid-infrared region, dark current An optical filter having a suppressing effect is provided.
  • a configuration example of one embodiment of the present invention is as follows.
  • the description such as “A to B” representing a numerical range is synonymous with “A or more and B or less”, and A and B are included in the numerical range.
  • An optical filter having a substrate and a dielectric multilayer film on at least one surface of the substrate and satisfying the following requirements (A) to (C).
  • An optical filter having a substrate and a dielectric multilayer film on at least one surface of the substrate and satisfying the following requirements (A), (B) and (D).
  • the average value of the transmittance is 10% or less, and the wavelength width of the transmission band in which the transmittance of the non-polarized light is 50% or more when measured from the vertical direction of the optical filter at a wavelength of 750 to 1000 nm is 1 nm or more.
  • A1 100 ⁇ T1-R1 (1)
  • A2 100 ⁇ T2-R2 (2)
  • the optical filter according to any one of [1] to [8], which satisfies the following requirement (L).
  • the optical filter according to any one of [1] to [10], wherein the substrate has an absorption maximum wavelength at a wavelength of 670 to 950 nm.
  • the substrate has a first infrared absorber (DA) having an absorption maximum wavelength ⁇ (DA_Tmin) at a wavelength of 685 to 710 nm, and a second infrared ray having an absorption maximum wavelength ⁇ (DB_Tmin) at a wavelength of 710 to 765 nm.
  • DA infrared absorber
  • DB_Tmin absorption maximum wavelength
  • a solid-state imaging device including the optical filter according to any one of [1] to [15].
  • a camera module including the optical filter according to any one of [1] to [15].
  • a sensor module including the optical filter according to any one of [1] to [15].
  • an optical filter that is thin and excellent in visibility correction, has a high reflectance in the mid-infrared region, and has a dark current suppression effect, and an apparatus and a camera module using the optical filter A sensor module or the like can be provided.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an optical filter according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a method for measuring the transmittance of the optical filter.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing a method for measuring the reflectance of the optical filter.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing an outline of the positional relationship of each member when measuring the temperature rise amount as an index of the dark current suppression effect of the optical filter in the example.
  • FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an example of an imaging apparatus and a module including an optical filter according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of an imaging apparatus and a module that do not include a lens including an optical filter according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an optical filter according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a method for measuring the transmittance of the optical filter.
  • FIG. 3 is
  • FIG. 7 shows optical characteristics of the optical filter 3 obtained in Example 3.
  • FIG. 8 shows optical characteristics of the optical filter 6 obtained in Example 6.
  • FIG. 9 shows optical characteristics of the optical filter 7 obtained in Example 7.
  • FIG. 10 shows optical characteristics of the optical filter 9 of Comparative Example 1.
  • FIG. 11 shows design optical characteristics of the dielectric multilayer film provided in Example 4.
  • FIG. 12 shows design optical characteristics of the dielectric multilayer film provided in Comparative Example 1.
  • an optical filter according to an embodiment of the present invention includes a substrate and a dielectric multilayer film on at least one surface of the substrate. And a filter (I) satisfying the following requirements (A) to (C), or a filter (II) satisfying the following requirements (A), (B) and (D).
  • the visible light transmittance is high, and when this filter is used for a solid-state imaging device, a sensor module, a camera module, etc., a good image can be obtained.
  • the average value of the transmittance in the requirement (A) is preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and particularly preferably 88.5% or more.
  • the average transmittance is preferably as high as possible.
  • the upper limit is 100%.
  • the average value (average transmittance) of the transmittances at wavelengths A to Bnm was measured by measuring the transmittance at each wavelength of 1 nm from Anm to Bnm and measuring the total transmittance. It is a value divided by the number of transmittances (wavelength range, B ⁇ A + 1).
  • LIDAR Light Detection and Ranging
  • a wavelength of 1200 to 1600 nm that is invisible to human eyes may be used as a light source. Since this filter satisfies the requirement (B), a solid-state imaging device, a sensor module, a camera module, and the like are provided with such a filter so that a subject having a LIDAR using a wavelength of 1200 to 1600 nm is imaged. Even in such a case, it is possible to suppress the phenomenon that the solid-state imaging device, the sensor module, the camera module, and the like are destroyed by the light emitted from the subject.
  • the average value of the reflectance in the requirement (B) is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and particularly preferably 90% or more.
  • the average reflectance is preferably as high as possible.
  • the upper limit is 100%.
  • the average reflectance (average reflectance) of wavelengths A to Bnm was measured by measuring the reflectance at each wavelength of 1 nm from Anm to Bnm and measuring the total reflectance. It is a value divided by the number of reflectances (wavelength range, B ⁇ A + 1). Since it is extremely difficult to measure the reflectance of unpolarized light incident from the vertical direction, in the present invention, the reflectance of unpolarized light incident from an angle of 5 ° from the vertical direction was measured.
  • Requirement (B) is the average reflection of non-polarized light incident at an angle of 5 ° from the vertical direction of one surface of the filter (hereinafter also referred to as “surface X” and the other surface is also referred to as “surface Y”).
  • the ratio may be in the above range, but it is preferable that both of the average reflectances of the non-polarized light incident from an angle of 5 ° from the vertical direction of both the surface X and the surface Y of the filter are in the range.
  • the surface X usually refers to the main surface of the optical filter, and refers to one of the surfaces having the largest area. In this case, the other surface having the largest area is the surface Y.
  • non-polarized light beam is a light beam having no polarization direction bias, and means an aggregate of waves in which the electric field is distributed almost uniformly in all directions.
  • average transmittance of non-polarized light an average value of “average transmittance of S-polarized light” and “average transmittance of P-polarized light” may be used.
  • average reflectance of non-polarized light an average value of “average reflectance of S-polarized light” and “average reflectance of P-polarized light” may be used.
  • this filter can be a near-infrared cut filter, and can block near-infrared rays that are difficult or invisible to human eyes.
  • an image sensor such as a silicon photodiode or black silicon
  • the average value of the transmittance in the requirement (C) is more preferably 2% or less, further preferably 1% or less, and particularly preferably 0.5% or less.
  • the lower the average transmittance the better.
  • the lower limit is 0%.
  • this filter When this filter is used for a near-infrared sensor, it is preferable to satisfy the requirement (D). By satisfying the requirement (D), this filter can be a dual bandpass filter.
  • this filter When this filter is used for a solid-state imaging device, a sensor module, a camera module, etc. having sensitivity to near infrared rays, the wavelength at which sensing is performed. It is possible to shield near-infrared rays that are difficult or invisible to human eyes and can obtain a good image, distance information, and the like.
  • the wavelength region where the transmission band where the transmittance is 50% or more exists is more preferably 800 to 1000 nm, and particularly preferably 845 to 970 nm.
  • the wavelength region where the transmission band having a transmittance of 50% or more exists is in the above range, it is possible to perform sensing using light having a wavelength that is less visible to human eyes, and the sensitivity of the photodiode is high. Wavelengths can be used.
  • the average value of the transmittance in requirement (D) is more preferably 8% or less, and further preferably 1 to 6%.
  • the wavelength width of the transmission band is more preferably 1 nm or more and 100 nm or less, more preferably 1 nm or more and 50 nm or less, from the viewpoint of suppressing sensitivity decrease due to stray light, and the like. Especially preferably, they are 1 nm or more and 25 nm or less.
  • the filter (I) preferably satisfies the following requirement (E).
  • the maximum value of the transmittance is more preferably 20% or less, further preferably 10% or less, more preferably 5% or less, and particularly preferably 2% or less.
  • the maximum value of the transmittance is preferably as low as possible. For example, the lower limit is 0%.
  • This filter preferably satisfies the following requirement (F).
  • the average transmittance is more preferably 10% or less, further preferably 5% or less, and particularly preferably 2% or less.
  • the average transmittance is preferably as low as possible. For example, the lower limit is 0%.
  • this filter absorbs light having a wavelength of 1200 to 1600 nm, the filter generates heat, and the heat affects the image sensor and the like, which may lead to an increase in dark current.
  • This filter preferably satisfies the following requirement (G) from the viewpoint of suppressing the filter itself from absorbing light having a wavelength of 1200 to 1600 nm and generating heat.
  • A1 100 ⁇ T1-R1 (1)
  • A2 100 ⁇ T2-R2 (2)
  • T1 and T2 average transmittance T1 (%) of incident light (unpolarized light beam) incident from a direction perpendicular to one surface X of the optical filter at a wavelength of 1200 to 1600 nm, and perpendicular to the other surface Y of the optical filter
  • R1 and R2 average reflectance R1 (%) of non-polarized light incident at an angle of 5 ° from the vertical direction of one surface X of the optical filter at a wavelength of 1200 to 1600 nm, and the other surface Y of the optical filter Average reflectance R2 (%) of unpolarized light incident from an angle of 5 ° from the vertical direction
  • the A1 and A2 are each preferably 10% or less, more preferably 5% or less, and particularly preferably 1.5% or less.
  • the lower limit is 0%.
  • This filter preferably satisfies the following requirements (H) and / or (J) from the viewpoint of the in-plane distribution of colors near red in an image obtained by a solid-state imaging device, a sensor module, a camera module, or the like.
  • the absolute value of the difference from the shortest wavelength (Xb) is 65 nm or less
  • the difference in transmittance between wavelengths near the red of light incident on the optical filter in the vertical direction and light incident at an angle of 30 ° is reduced, and this filter is a solid that has sensitivity to near infrared rays.
  • an imaging device a sensor module, a camera module, or the like
  • an image having a better in-plane distribution of colors near red in the obtained image can be obtained.
  • the absolute value in the requirement (H) is more preferably 10 nm or less, further preferably 3 nm or less, and particularly preferably 2 nm or less.
  • the absolute value is preferably as low as possible.
  • the lower limit is 0 nm.
  • the absolute value in the requirement (J) is more preferably 60 nm or less, further preferably 55 nm or less, and particularly preferably 45 nm or less.
  • the lower limit of the absolute value is not particularly limited, but is 1 nm, for example.
  • This filter preferably satisfies the following requirement (K) from the viewpoint of being superior in the in-plane distribution of colors near blue in an image obtained by a solid-state imaging device, a sensor module, a camera module, or the like.
  • the absolute value of the difference in the requirement (K) is more preferably 4 nm or less, and further preferably 3 nm or less.
  • the absolute value is not particularly limited, but for example, the lower limit is 0 nm.
  • the wavelength region is more preferably 400 to 425 nm, and still more preferably 400 to 421 nm. It is desirable to have the wavelength ⁇ 0 (UV), more preferably to have the wavelength ⁇ 30 (UV) in the wavelength region of 390 to 425 nm, and even more preferably in the wavelength region of 390 to 423 nm.
  • This filter preferably satisfies the following requirement (L).
  • ⁇ 0 UV
  • the transmittance at the same wavelength in the vicinity of blue is reduced for light incident at a higher incident angle than in the vertical direction.
  • the transmittance tends to decrease for both green and red at higher incident angles than in the vertical direction, and there is less change in the color of the transmitted light. Even if the light is incident, it is possible to obtain a better image with less in-plane distribution of color in an image obtained by a solid-state imaging device, a sensor module, a camera module, or the like.
  • ⁇ 30 (UV) ⁇ 0 (UV) is more preferably more than 1 nm, particularly preferably 2 nm or more, more preferably 2 nm or more and 10 nm or less, and particularly preferably 2 nm or more and 5 nm or less.
  • ⁇ 30 (UV) ⁇ 0 (UV) is in the above range, an excessive decrease in transmittance at the same wavelength near blue can be suppressed.
  • This filter preferably satisfies the following requirement (M) from the standpoint of being superior in the in-plane distribution of colors near green in an image obtained by a solid-state imaging device, a sensor module, a camera module, or the like.
  • the average value T30 of the transmittance of non-polarized light when measured satisfies the following formula (3): 0.95 ⁇ T0 / T30 ⁇ 1.05 (3)
  • T0 / T30 is more preferably 0.96 ⁇ T0 / T30 ⁇ 1.04, and more preferably 0.97 ⁇ T0 /, from the point of consistency with the decrease in blue transmittance and the suppression of color change.
  • T30 ⁇ 1.03 particularly preferably 0.99 ⁇ T0 / T30 ⁇ 1.03, and most preferably 1.00 ⁇ T0 / T30 ⁇ 1.03.
  • the thickness of the present filter is preferably 0.2 mm or less, more preferably 0.12 mm or less, further preferably 0.116 mm or less, and particularly preferably 0.01 mm or more and 0.08 mm or less.
  • the thickness of the filter is within the above range, the solid-state imaging device, sensor module, camera module, etc. using the filter can be thinned, and the size can be further reduced.
  • the thickness of this filter is less than 0.01 mm, the warp due to the stress of the dielectric multilayer film tends to increase, and the handling tends to be difficult.
  • the material, shape, and the like of the substrate are not particularly limited, and examples thereof include a substrate made of a transparent inorganic material, a resin, and the like, preferably a plate-like body.
  • the substrate may be a single layer as shown in FIG. 1 (A) or (B), or may be a multilayer as shown in FIG. 1 (C) or (D), but an additive such as an infrared absorber may be added. It is preferable to have a containing layer.
  • the substrate include a substrate made of a single layer of transparent inorganic material or resin (hereinafter also referred to as “support substrate”) that does not include an infrared absorber; a single layer of transparent inorganic material that includes an infrared absorber. And a substrate made of resin or the like (hereinafter also referred to as “absorbing plate”); at least one layer made of a resin not containing an infrared absorber (hereinafter also referred to as “resin layer”) and at least one layer of support.
  • support substrate a substrate made of a single layer of transparent inorganic material or resin
  • absorbing plate a substrate made of resin or the like
  • at least one layer made of a resin not containing an infrared absorber herein layer
  • Laminated body with substrate (hereinafter also referred to as “Laminated body 1”); at least one layer made of a resin containing an infrared absorber (hereinafter also referred to as “absorbing layer”) and at least one supporting substrate.
  • laminate 2 a laminate of at least one absorption layer and at least one resin layer
  • laminate 3 a laminate of at least one absorption layer and at least one resin layer
  • at least one layer A resin layer, at least one absorption layer, and at least Laminate of the support substrate of single-layer hereinafter referred to as "laminate 4".
  • preferred absorbing plate and the laminate 2-4 The absorption plate and the absorption layer may be the same plate (layer).
  • the support substrate and the resin layer may be the same plate (layer).
  • the thickness of the substrate is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the desired application, but is preferably 0.01 to 0.2 mm, more preferably 0.01 to 0.12 mm, and particularly preferably 0.015. ⁇ 0.11 mm.
  • an optical filter that is easy to handle can be obtained, and the solid-state imaging device, sensor module, camera module, etc. using the obtained filter can be thinned, and further miniaturization is possible. It becomes.
  • Transparent inorganic material for example, quartz, borosilicate glass, silicate glass, chemically tempered glass, physical tempered glass, soda glass, phosphate glass, fluorophosphate glass, Examples thereof include alumina glass and sapphire glass.
  • the resin is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention. For example, it ensures thermal stability and moldability to a plate-like body, and dielectrics are formed by high-temperature deposition performed at a deposition temperature of 100 ° C. or higher.
  • a resin having a glass transition temperature (Tg) of preferably 110 to 380 ° C., more preferably 110 to 370 ° C., and still more preferably 120 to 360 ° C. is used to form a substrate on which a multilayer film can be formed.
  • Tg glass transition temperature
  • the glass transition temperature of the resin is 140 ° C. or higher, even when the glass transition temperature is lowered by adding a compound to the resin at a high concentration, a substrate capable of vapor-depositing the dielectric multilayer film at a high temperature, Therefore, it is particularly preferable.
  • the total light transmittance (JIS K7105) of the resin plate is preferably 75 to 95%, more preferably 78 to 95%. Particularly preferably, a resin with a content of 80 to 95% can be used. When a resin having a total light transmittance in such a range is used, the resulting substrate exhibits good transparency as an optical film.
  • the weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene measured by the gel permeation chromatography (GPC) method of the resin is usually 15,000 to 350,000, preferably 30,000 to 250,000, and the number average The molecular weight (Mn) is usually 10,000 to 150,000, preferably 20,000 to 100,000.
  • the resin examples include cyclic (poly) olefin resin, aromatic polyether resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polyester resin, polyamide (aramid) resin, polysulfone resin, and polyethersulfone resin. , Polyparaphenylene resin, polyamideimide resin, polyethylene naphthalate resin, fluorinated aromatic polymer resin, (modified) acrylic resin, epoxy resin, silsesquioxane UV curable resin, maleimide resin , Alicyclic epoxy thermosetting resin, polyether ether ketone resin, polyarylate resin, allyl ester curable resin, acrylic UV curable resin, vinyl UV curable resin and silica formed by sol-gel method. A resin having a main component can be mentioned.
  • Resin may be used individually by 1 type and may use 2 or more types.
  • the cyclic (poly) olefin resin is at least one monomer selected from the group consisting of a monomer represented by the following formula (X 0 ) and a monomer represented by the following formula (Y 0 )
  • a resin obtained by using and a resin obtained by hydrogenating the resin are preferred.
  • R x1 to R x4 each independently represents an atom or group selected from the following (i ′) to (ix ′), and k x , mx and p x are each independently 0 Represents an integer of ⁇ 4.
  • R x1 and R x2 or R x3 and R x4 are bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic hydrocarbon ring or heterocyclic ring (provided that R x1 to R not involved in the bonding) x4 each independently represents an atom or group selected from (i ′) to (vi ′).
  • Ix ′ A monocyclic hydrocarbon ring or heterocycle formed by bonding R x2 and R x3 to each other (provided that R x1 and R x4 not involved in the bonding are independently the above (i Represents an atom or group selected from ') to (vi').
  • R y1 and R y2 each independently represents an atom or group selected from the above (i ′) to (vi ′), or R y1 and R y2 are bonded to each other formed monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon, an aromatic hydrocarbon or heterocyclic, k y and p y are each independently an integer of 0-4.
  • the aromatic polyether-based resin preferably has at least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (1) and a structural unit represented by the following formula (2).
  • R 1 to R 4 each independently represents a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, and a to d each independently represents an integer of 0 to 4.
  • R 1 ⁇ R 4 and a ⁇ d each independently, the formula (1) have the same meanings as R 1 ⁇ R 4 and a ⁇ d of, Y represents a single bond, -SO 2 -or -CO-, R 7 and R 8 each independently represent a halogen atom, a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms or a nitro group, and g and h each independently represents 0 to 4 And m represents 0 or 1. However, when m is 0, R 7 is not a cyano group.
  • the aromatic polyether-based resin further has at least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (3) and a structural unit represented by the following formula (4). It may be.
  • R 5 and R 6 each independently represents a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, and Z represents a single bond, —O—, —S—, —SO 2 —, —CO—, —CONH—, —COO— or a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, e and f each independently represents an integer of 0 to 4, and n represents 0 or 1.
  • R 7 , R 8 , Y, m, g and h are each independently synonymous with R 7 , R 8 , Y, m, g and h in formula (2);
  • R 5 , R 6 , Z, n, e and f are each independently synonymous with R 5 , R 6 , Z, n, e and f in the formula (3).
  • the polycarbonate resin is not particularly limited, and can be synthesized by, for example, a method described in JP-A-2008-163194.
  • polyester resin The polyester-based resin is not particularly limited, and can be synthesized by, for example, a method described in JP 2010-285505 A or JP 2011-197450 A.
  • the polyimide resin is not particularly limited as long as it is a polymer compound containing an imide bond in a repeating unit.
  • it is synthesized by a method described in JP-A-2006-199945 and JP-A-2008-163107. can do.
  • the fluorinated aromatic polymer-based resin is not particularly limited, but at least selected from the group consisting of an aromatic ring having at least one fluorine atom, an ether bond, a ketone bond, a sulfone bond, an amide bond, an imide bond, and an ester bond.
  • the polymer preferably contains a repeating unit containing one bond, and can be synthesized by, for example, a method described in JP-A-2008-181121.
  • the acrylic ultraviolet curable resin is not particularly limited, but is synthesized from a resin composition containing a compound having one or more acrylic or methacrylic groups in the molecule and a compound that decomposes by ultraviolet rays to generate active radicals. Can be mentioned.
  • the acrylic ultraviolet curable resin can be particularly preferably used as the curable resin when a curable resin is used as the resin layer or the absorption layer.
  • resins based on silica by the sol-gel method include tetraalkoxysilanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, dimethoxydiethoxylane, and methoxytriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, A compound obtained by a sol-gel reaction by hydrolysis of one or more silanes selected from phenylalkoxysilanes such as diphenyldiethoxysilane can be used as the resin.
  • cyclic (poly) olefin-based resins examples include ARTON manufactured by JSR Corporation, ZEONOR manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., APEL manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., and TOPAS manufactured by Polyplastics Corporation.
  • polyethersulfone resins examples include Sumika Excel PES manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.
  • a commercial item of a polyimide resin Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. Neoprim L is mentioned, for example.
  • Examples of commercially available polycarbonate resins include Pure Ace manufactured by Teijin Limited and Iupizeta EP-5000 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.
  • polyester-type resin Osaka Gas Chemical Co., Ltd. OKP4HT is mentioned, for example.
  • acrylic resin for example, NIPPON CATALYST ACRYVIEWER is mentioned.
  • silsesquioxane ultraviolet curable resins include Silplus manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.
  • the resin-made support substrate, absorption plate, resin layer, and absorption layer (hereinafter also referred to as “resin plate”) can be formed by, for example, melt molding or cast molding. Furthermore, if necessary, a substrate on which a resin layer (overcoat layer) is laminated can be manufactured by coating these with a coating agent such as an antireflection agent, a hard coating agent and / or an antistatic agent. it can.
  • a coating agent such as an antireflection agent, a hard coating agent and / or an antistatic agent. it can.
  • the substrate is the laminate 2
  • a resin solution containing an infrared absorber is melt-molded or cast-molded on a support substrate, and preferably applied by a method such as spin coating, slit coating, or inkjet.
  • the substrate (laminated body 2) in which the absorption layer is formed on the support substrate can be manufactured by drying and removing the solvent later and further performing light irradiation and heating as necessary.
  • melt molding a method of melt molding pellets obtained by melt-kneading a resin and an additive; a method of melt molding a resin composition containing a resin and an additive; or And a method of melt-molding pellets obtained by removing a solvent from a resin composition containing an additive, a resin and a solvent.
  • melt molding method include injection molding, melt extrusion molding, and blow molding.
  • Cast molding a method of removing a solvent by casting a resin composition containing an additive, a resin and a solvent on an appropriate support; or an additive, a photocurable resin and / or a thermosetting resin And a method of curing by a suitable method such as ultraviolet irradiation or heating.
  • the substrate can be obtained by peeling the coating film from the support after cast molding.
  • the substrate can be obtained, for example, by not peeling the coating film after cast molding. That is, in this case, the support is a support substrate.
  • the support examples include a transparent inorganic material, a steel belt, a steel drum, and a resin (eg, polyester film, cyclic olefin resin film) support.
  • a resin eg, polyester film, cyclic olefin resin film
  • the optical component such as a transparent inorganic material or resin is coated on the optical component by a method of coating the resin composition and drying the solvent, or a method of coating and curing and drying the curable composition.
  • a resin layer or an absorption layer can also be formed.
  • the amount of residual solvent in the resin plate obtained by the above method should be as small as possible.
  • the amount of the residual solvent is preferably 3% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, and further preferably 0.5% by mass or less with respect to 100% by mass of the resin plate.
  • the residual solvent amount is in the above range, it is possible to easily obtain a resin plate that can easily exhibit a desired function, in which deformation and characteristics hardly change.
  • substrate may contain additives, such as antioxidant, a fluorescence quencher, and an absorber (example: infrared absorber, ultraviolet absorber), in the range which does not impair the effect of this invention.
  • additives such as antioxidant, a fluorescence quencher, and an absorber (example: infrared absorber, ultraviolet absorber), in the range which does not impair the effect of this invention.
  • absorber example: infrared absorber, ultraviolet absorber
  • the additive may be mixed with a resin or the like when the absorption layer or the absorption plate is produced, or may be added when a resin is synthesized.
  • the addition amount of the additive may be appropriately selected according to desired properties, but is usually 0.0001 to 50 parts by mass, preferably 0.0003 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin. .
  • antioxidants examples include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,2′-dioxy-3,3′-di-t-butyl-5,5′-dimethyldiphenylmethane, Examples include tetrakis [methylene-3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] methane and tris (2,4-di-t-butylphenyl) phosphite.
  • Infrared absorber examples include squarylium compounds, croconium compounds, phthalocyanine compounds, naphthalocyanine compounds, polymethine compounds, cyanine compounds, tetraazaporphyrin compounds, diimonium compounds, porphyrin compounds, triaryls.
  • the infrared absorber preferably has an absorption maximum wavelength in the range of 670 to 950 nm, more preferably 680 to 900 nm, further preferably 685 to 800 nm, and particularly preferably 685 to 765 nm.
  • an absorption layer or absorption plate containing an infrared absorber having an absorption maximum wavelength in the above range the incident angle dependency of the color near red can be improved, and an excellent optical filter can be easily obtained by correcting visibility. it can.
  • the absorption maximum wavelength can be measured using a solution in which an infrared absorber is dissolved in dichloromethane.
  • the content of the infrared absorber is preferably 0.0001 to 20.0 parts by mass, more preferably 0.0002 to 15 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the resin when an absorbing plate is used as the substrate. Particularly preferred is 0.0003 to 10 parts by mass.
  • the resin 100 contained in the absorption layer is used.
  • the amount is preferably 0.0001 to 50 parts by mass, more preferably 0.0005 to 40 parts by mass, and particularly preferably 0.001 to 30 parts by mass with respect to parts by mass.
  • the units A and B each independently represent any of the units represented by the following formulas (I) to (IV).
  • the portion represented by a wavy line represents a binding site with the central four-membered ring of the formula (Z)
  • X, X 1 and X 2 each independently represents an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom, a tellurium atom or —NR 8 —, —C (R 8 ) 2 —
  • R 1 to R 7 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, sulfo group, hydroxyl group, cyano group, nitro group, carboxy group, phosphate group, —NR g R h group, —SR i group, —SO 2 R i group, —OSO 2 R i group or any of the following L a to L h
  • R 8 independently represents a hydrogen atom or L a to L h
  • R g and R h are each independently to represent any of a hydrogen atom, -C (O) R i groups or the following L
  • R 1 is preferably a hydrogen atom, chlorine atom, fluorine atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, cyclohexyl group, A phenyl group, a hydroxyl group, an amino group, a dimethylamino group and a nitro group, more preferably a hydrogen atom, a chlorine atom, a fluorine atom, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group and a hydroxyl group.
  • R 2 to R 7 are preferably each independently a hydrogen atom, chlorine atom, fluorine atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert- Butyl, cyclohexyl, phenyl, hydroxyl, amino, dimethylamino, cyano, nitro, methoxy, ethoxy, n-propoxy, n-butoxy, acetylamino, propionylamino, N- Methylacetylamino group, trifluoromethanoylamino group, pentafluoroethanoylamino group, tert-butanoylamino group, cyclohexinoylamino group, n-butylsulfonyl group, methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group, n -Buty
  • R 8 is preferably independently a hydrogen atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, cyclohexyl group, or n-pentyl group.
  • N-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group and phenyl group more preferably hydrogen atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group N-butyl group, tert-butyl group and n-decyl group.
  • R 2 to R 7 may be bonded to two or three Rs on one benzene ring to form a new alicyclic group or aromatic ring having 5 or more constituent atoms.
  • the aromatic ring may have the substituent L.
  • R 2 to R 7 are each a complex of 5 or more constituent atoms containing at least one oxygen atom, nitrogen atom or sulfur atom by combining two or three Rs on one benzene ring.
  • a ring may be formed, and the heterocyclic ring may have the substituent L.
  • X, X 1 and X 2 are each independently preferably an oxygen atom, a sulfur atom, —NR 8 —, —C (R 8 ) 2 —, and X in formula (I) is particularly preferably Is an oxygen atom or a sulfur atom, and X in the formula (II) is particularly preferably —NR 8 —.
  • the squarylium-based compound can be represented by the following formula (Z1) or a resonance structure such as the following formula (Z2). That is, the difference between the following formula (Z1) and the following formula (Z2) is only the structure description method, and both represent the same compound.
  • the structure of the squarylium compound is represented by a description method such as the following formula (Z1).
  • the compound represented by the following formula (Z1) and the compound represented by the following formula (Z3) can be regarded as the same compound.
  • the left and right units bonded to the central four-membered ring may be the same or different as long as the structures are represented by the formulas (I) to (IV). However, it is preferable that they are the same including the substituents in the unit because they are easy to synthesize.
  • examples of the compound represented by the formula (Z) include compounds represented by the following formulas (ZA) to (ZJ).
  • Specific examples of the compound represented by the formula (Z) include compounds (z-1) to (z-94) described in Tables 1 to 5 below.
  • the phthalocyanine compound is not particularly limited, but a compound having an absorption maximum wavelength in the above range is preferable.
  • Examples of such phthalocyanine compounds include compounds represented by the following formula (V) (hereinafter also referred to as “compound (V)”).
  • M represents a substituted metal atom containing two hydrogen atoms, two monovalent metal atoms, a divalent metal atom, or a trivalent or tetravalent metal atom
  • the amino group, amide group, imide group and silyl group may have the substituent L
  • L 2 represents a hydrogen atom or any of the following La ′ to Le ′
  • L 3 represents a hydroxyl group or any of the following La ′ to Le ′
  • L 4 represents any one of the following La ′ to Le ′
  • L 1 is (L a ′ ) an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 9 carbon atoms which may have a substituent L ′′ , (L b ′ ) a halogen-substituted alkyl group having 1 to 9 carbon atoms which may have a substituent L ′′ ;
  • the substituent L ′′ represents a halogen atom, a sulfo group, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, a carboxy group, a phosphoric acid group, an amino group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 9 carbon atoms, a carbon number of 1 At least one selected from the group consisting of a halogen-substituted alkyl group having 9 to 9, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 14 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms, and a heterocyclic group having 3 to 14 carbon atoms. It is a seed.
  • R x and R y are carbon atoms
  • the amino group, amide group, imide group and silyl group may have the substituent L, and L 1 to L 4 have the same meanings as L 1 to L 4 defined in the formula (V).
  • examples of the amino group which may have a substituent L include an amino group, an ethylamino group, a dimethylamino group, a methylethylamino group, a dibutylamino group, A diisopropylamino group is mentioned.
  • examples of the amide group which may have a substituent L include an amide group, a methylamide group, a dimethylamide group, a diethylamide group, a dipropylamide group, and diisopropylamide.
  • examples of the imide group which may have a substituent L include, for example, an imide group, a methylimide group, an ethylimide group, a diethylimide group, a dipropylimide group, and a diisopropylimide.
  • Group and dibutylimide group examples of the imide group which may have a substituent L include, for example, an imide group, a methylimide group, an ethylimide group, a diethylimide group, a dipropylimide group, and a diisopropylimide.
  • Group and dibutylimide group examples of the imide group which may have a substituent L include, for example, an imide group, a methylimide group, an ethylimide group, a diethylimide group, a dipropylimide group, and a diisopropylimide.
  • Group and dibutylimide group examples of the imide group which may have a substituent L
  • examples of the silyl group which may have a substituent L include a trimethylsilyl group, a tert-butyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, and a triethylsilyl group. It is done.
  • —SL 2 includes, for example, a thiol group, a methyl sulfide group, an ethyl sulfide group, a propyl sulfide group, a butyl sulfide group, an isobutyl sulfide group, sec-butyl.
  • Examples thereof include a sulfide group, a tert-butyl sulfide group, a phenyl sulfide group, a 2,6-di-tert-butylphenyl sulfide group, a 2,6-diphenylphenyl sulfide group, and a 4-cumylphenyl sulfide group.
  • —SS-L 2 is, for example, a disulfide group, a methyl disulfide group, an ethyl disulfide group, a propyl disulfide group, a butyl disulfide group, an isobutyl disulfide group, sec-butyl.
  • Examples thereof include a disulfide group, a tert-butyl disulfide group, a phenyl disulfide group, a 2,6-di-tert-butylphenyl disulfide group, a 2,6-diphenylphenyl disulfide group, and a 4-cumylphenyl disulfide group.
  • examples of —SO 2 —L 3 include a sulfo group, a mesyl group, an ethylsulfonyl group, an n-butylsulfonyl group, and a p-toluenesulfonyl group.
  • —N ⁇ N—L 4 includes, for example, a methylazo group, a phenylazo group, a p-methylphenylazo group, and a p-dimethylaminophenylazo group.
  • examples of the monovalent metal atom include Li, Na, K, Rb, and Cs.
  • examples of the divalent metal atom include Be, Mg, Ca, Ba, Ti, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ni, Pd, Pt, Cu, Zn, Cd, Hg, Sn and Pb are mentioned.
  • examples of the substituted metal atom containing a trivalent metal atom include Al—F, Al—Cl, Al—Br, Al—I, Ga—F, Ga—Cl, Ga—Br, and Ga—I.
  • examples of the substituted metal atom containing a tetravalent metal atom include TiF 2 , TiCl 2 , TiBr 2 , TiI 2 , ZrCl 2 , HfCl 2 , CrCl 2 , SiF 2 , SiCl 2 , SiBr 2 , and SiI.
  • the M is a divalent transition metal, trivalent or tetravalent metal halide or tetravalent metal oxide belonging to Groups 5 to 11 of the periodic table and belonging to the 4th to 5th periods.
  • Cu, Ni, Co, and VO are particularly preferable because high visible light transmittance and stability can be achieved.
  • a method of synthesizing the phthalocyanine compound by a cyclization reaction of a phthalonitrile derivative such as the following formula (VI) is generally known.
  • the obtained phthalocyanine compounds are represented by the following formulas (VII-1) to (VII) It is a mixture of four isomers such as VII-4).
  • VII-4 is a mixture of four isomers such as VII-4.
  • Only one isomer is illustrated for one phthalocyanine compound, but the other three isomers can be used in the same manner. These isomers can be separated and used as necessary, but in this specification, isomer mixtures are collectively handled.
  • polymethine compounds Although it does not restrict
  • examples of such polymethine compounds include compounds represented by the following formulas (Sa) to (Sc).
  • a ⁇ represents a monovalent anion.
  • the monovalent anion is not particularly limited, and for example, Cl ⁇ , Br ⁇ , I ⁇ , PF 6 ⁇ , ClO 4 ⁇ , NO 3 ⁇ , BF 4 ⁇ , SCN ⁇ , CH 3 COO ⁇ , CH 3 CH 2 COO ⁇ , methyl sulfonate ion, tetrafluoromethyl sulfonate ion, naphthalene sulfonate ion, anthracene sulfonate ion, N (SO 2 CF 3 ) 2 ⁇ , B (C 6 F 5 ) 4 ⁇ , C 6 H 5 SO 3 ⁇ , toluenesulfonic acid ion, CF 3 COO ⁇ , CF 3 CF 2 COO ⁇ , nickel dithiolate complex ion, and copper dithiolate complex ion.
  • the plural D's independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom.
  • a plurality of R a to R i are each independently a hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, carboxy group, nitro group, amino group, amide group, imide group, cyano group, silyl group, -L 1 , -SL 2 , -SS-L 2, -SO 2 -L 3, are each -NR g R h group (R g and R h independently represent the following L 2 or -C (O) R i groups, R i is It represents the following L 2), -.
  • N N-L 4 or,, R b and R c, R d and R e, R e and R f, R f and R g, R g and R h and R h And a group selected from the groups represented by the following formulas (a) to (h) to which at least one combination of R 1 and R i is bonded.
  • D- (R b ) (R c ) is described in this way for convenience, and D is not necessarily limited to R b and R c. Are not connected.
  • D is a nitrogen atom
  • one of R b and R c does not exist
  • D is an oxygen atom
  • both R b and R c do not exist
  • D is a sulfur atom
  • R b and R c Are both absent or the sum of R b and R c is 4.
  • the amino group, amide group, imide group and silyl group are an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a halogen-substituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 14 carbon atoms, Selected from the group consisting of C6-C14 aromatic hydrocarbon groups, C3-C14 heterocyclic groups, halogen atoms, sulfo groups, hydroxyl groups, cyano groups, nitro groups, carboxy groups, phosphate groups, and amino groups It may have at least one kind of substituent L ′.
  • L 1 is any one of the following L a to L i .
  • L 2 represents either L a ⁇ L e in the hydrogen atom or the L 1
  • L 3 represents either L a ⁇ L e in the hydrogen atom or the L 1
  • L 4 represents represents any of L a ⁇ L e in the L 1.
  • R x and R y represent a carbon atom
  • the group and the silyl group may have the substituent L ′.
  • Z a to ⁇ Z c and Y a ⁇ Y d each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, a nitro group, an amino group, an amido group, an imido group, a cyano group, a silyl group, -L 1; - S—L 2 ; —SS—L 2 ; —SO 2 —L 3 ; —NR g R h group (R g and R h each independently represents L 2 or —C (O) R i group; i represents L 2); -..
  • N N-L 4 (L 1 ⁇ L 4 are the same meaning as L 1 ⁇ L 4 in R a ⁇ R i); Z each other or the Y between An aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms formed by bonding two adjacent to each other; a nitrogen atom or an oxygen formed by bonding two adjacent to each other among Z or Y
  • a 5- to 6-membered alicyclic hydrocarbon group which may contain at least one atom or sulfur atom;
  • a heteroaromatic hydrocarbon group having 3 to 14 carbon atoms and comprising at least one nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom formed by bonding two adjacent members of each other,
  • the hydrogen group, alicyclic hydrocarbon group and heteroaromatic hydrocarbon group may have an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 9 carbon atoms or a halogen atom, and the amino group, amide group, imide group and silyl group
  • the group may have the substituent L ′.
  • Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms formed by bonding Z or Y in Z a to Z c and Y a to Y d include, for example, phenyl group, tolyl group Xylyl group, mesityl group, cumenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, anthracenyl group, phenanthryl group, acenaphthyl group, phenalenyl group, tetrahydronaphthyl group, indanyl group, biphenylyl group.
  • the alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group and cyclooctyl group; polycyclic alicyclic groups such as norbornane group and adamantane group; tetrahydrofuran, pyrroline And heterocyclic rings such as a group consisting of pyrrolidine, imidazoline, piperidine, piperazine and morpholine.
  • heteroaromatic hydrocarbon group having 3 to 14 carbon atoms formed by bonding Z or Y in Z a to Z c and Y a to Y d include, for example, furan, thiophene, Pyrrole, pyrazole, imidazole, triazole, oxazole, oxadiazole, thiazole, thiadiazole, indole, indoline, indolenine, benzofuran, benzothiophene, carbazole, dibenzofuran, dibenzothiophene, pyridine, pyrimidine, pyrazine, pyridazine, quinoline, isoquinoline, acridine Or the group which consists of phenazine is mentioned.
  • Examples of the amino group that may have the substituent L ′ include an amino group, an ethylamino group, a dimethylamino group, a methylethylamino group, a dibutylamino group, and a diisopropylamino group.
  • Examples of the amide group that may have the substituent L ′ include an amide group, a methylamide group, a dimethylamide group, a diethylamide group, a dipropylamide group, a propyltrifluoromethylamide group, a diisopropylamide group, and a dibutylamide group. , ⁇ -lactam group, ⁇ -lactam group, ⁇ -lactam group, and ⁇ -lactam group.
  • Examples of the imide group that may have the substituent L ′ include an imide group, a methylimide group, an ethylimide group, a diethylimide group, a dipropylimide group, a diisopropylimide group, and a dibutylimide group.
  • Examples of the silyl group that may have the substituent L ′ include a trimethylsilyl group, a tert-butyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, and a triethylsilyl group.
  • Examples of —SL 2 include thiol group, methyl sulfide group, ethyl sulfide group, propyl sulfide group, butyl sulfide group, isobutyl sulfide group, sec-butyl sulfide group, tert-butyl sulfide group, phenyl sulfide group, Examples include 2,6-di-tert-butylphenyl sulfide group, 2,6-diphenylphenyl sulfide group, and 4-cumylphenyl sulfide group.
  • Examples of —SS-L 2 include a disulfide group, a methyl disulfide group, an ethyl disulfide group, a propyl disulfide group, a butyl disulfide group, an isobutyl disulfide group, a sec-butyl disulfide group, a tert-butyl disulfide group, a phenyl disulfide group, Examples include 2,6-di-tert-butylphenyl disulfide group, 2,6-diphenylphenyl disulfide group, and 4-cumylphenyl disulfide group.
  • Examples of —SO 2 -L 3 include a sulfo group, a mesyl group, an ethylsulfonyl group, an n-butylsulfonyl group, and a p-toluenesulfonyl group.
  • Examples of the —N ⁇ N—L 4 include a methylazo group, a phenylazo group, a p-methylphenylazo group, and a p-dimethylaminophenylazo group.
  • polymethine compounds include (s-1) to (s-24) shown in Table 10 below having the basic skeleton represented by the formulas (Sa) to (Sc). Can be mentioned.
  • Y b according across the column and Y c "trimethylene" is, Y b and Y c are attached form a trimethylene group, the formula (s In -b), it means that a 6-membered ring is formed together with the carbon bonded to Z b , the carbon bonded to Y b , and the carbon bonded to Y c .
  • trimethylene the formula (s In -b)
  • the infrared absorber may be synthesized by a generally known method.
  • Japanese Patent No. 3366697 Japanese Patent No. 2846091, Japanese Patent No. 2864475, Japanese Patent No. 3703869, Japanese Patent Laid-Open No. Sho 60- No. 228448, Japanese Patent Laid-Open No. 1-146846, Japanese Patent Laid-Open No. 1-222860, Japanese Patent No. 4081149, Japanese Patent Laid-Open No. 63-122404, “Phthalocyanine—Chemistry and Function” (IPC, 1997) JP 2007-169315 A, JP 2009-108267 A, JP 2010-241873 A, JP 3699464 A, JP 4740631 A, International Publication No. 2013/054864, International Publication No. 2015 / Described in No. 025779, International Publication No. 2017/051867, etc. It can be obtained by reference to the methods described in Les.
  • UV absorber examples include azomethine compounds, indole compounds, triazole compounds, triazine compounds, oxazole compounds, merocyanine compounds, cyanine compounds, naphthalimide compounds, oxadiazole compounds, and oxazine compounds.
  • examples thereof include compounds, oxazolidine compounds, naphthalic acid compounds, styryl compounds, anthracene compounds, and cyclic carbonyl compounds.
  • the ultraviolet absorber preferably has an absorption maximum wavelength in the range of 350 to 410 nm, more preferably 360 to 405 nm, and still more preferably 370 to 400 nm.
  • an optical filter that satisfies the requirement (K) can be easily obtained.
  • the absorption maximum wavelength can be measured using a solution in which an ultraviolet absorber is dissolved in dichloromethane.
  • the substrate has the absorbing layer.
  • the absorption layer may be included in one layer or two or more layers in the substrate. When two or more layers are included, the absorption layer may be continuous or may be interposed through another layer, for example, may be present only on one surface side of the support substrate. May be present on both sides.
  • the substrate preferably has a wavelength of 670 to 950 nm, more preferably a wavelength of 680 to 900 nm, and still more preferably a wavelength of 685 to, from the viewpoint that an optical filter that satisfies the requirements (H) and (J) can be easily obtained.
  • the absorption maximum wavelength is 800 nm, particularly preferably 690 to 765 nm.
  • the substrate contains the infrared absorber
  • the incident angle dependency of the color near red is further improved, and an optical filter that excels in visibility correction can be easily obtained.
  • Infrared absorbers are inherent in the wavelength dependence of the extinction coefficient k and are dissolved in dichloromethane in order to maintain a high transmittance with visible light and to secure an absorption band with excellent visibility correction by absorption.
  • the infrared absorber (DA) and the infrared absorber (DB) may be appropriately selected from infrared absorbers having a wavelength within a predetermined range from the infrared absorber, and are not particularly limited, but Japanese Patent No. 336697, Japanese Patent No. 2846091, Japanese Patent No. 2864475, Japanese Patent No. 3703869, Japanese Patent Laid-Open No. 60-228448, Japanese Patent Laid-Open No. 1-146846, Japanese Patent Laid-Open No. 1-228960, Japanese Patent No.
  • JP-A-63-124054 “Phthalocyanine—Chemistry and Function” (IPC, 1997), JP2007-169315, JP2009-108267, JP2010-241873, Patent No. 3699464, Japanese Patent No. 4740631, International Publication No. 2013/054864, Country Publication No. 2015/025779, may be selected dyes described in WO 2017/051867 or the like.
  • the substrate preferably satisfies the following requirements (N) or (O), and preferably satisfies the following requirements (N) and (O).
  • the transmittance of non-polarized light having a wavelength of 770 nm is more preferably 50% or less, and still more preferably 46% or less.
  • the substrate has the above-described transmittance, it is possible to reduce red image defects due to light of 770 nm which is difficult to be seen by human eyes, and an optical filter excellent in visibility correction can be easily obtained.
  • the average transmittance of unpolarized light having a wavelength of 780 to 800 nm is more preferably 70% or more, further preferably 75% or more, more preferably 77% or more, and particularly preferably 90% or more.
  • the substrate has the above-described transmittance, an increase in temperature of a solid-state imaging device, a sensor module, a camera module, or the like due to absorption of near-infrared rays that do not require an optical filter can be further reduced.
  • the substrate preferably has low absorption characteristics with respect to infrared rays, and preferably satisfies the following requirement (R).
  • the average transmittance is more preferably 80% or more, still more preferably 85% or more, and particularly preferably 89% or more.
  • the substrate has the ultraviolet absorber and has a non-polarized light transmittance of 50% when measured from the vertical direction of the substrate in the wavelength range of 390 to 430 nm.
  • the ultraviolet absorber By having an optical characteristic with a transmittance of 50% in this range, the incident angle dependency of the color near blue is improved, and an excellent optical filter can be easily obtained by visual sensitivity correction.
  • This filter may have a dielectric multilayer film on one surface of the substrate as shown in FIG. 1A, and a plurality of dielectric multilayer films as shown in FIGS. 1B to 1D. You may have.
  • the dielectric multilayer film a dielectric multilayer film obtained by laminating a plurality of layers appropriately selected from a high refractive index material layer, a medium refractive index material layer, and a low refractive index material layer, a structure in which the refractive index is continuously changed And the like.
  • the high refractive index material layer As a material constituting the high refractive index material layer, a material having a refractive index of 2.0 or more can be used, and a material having a refractive index of 2.0 to 3.6 is usually selected.
  • the refractive index represents a value at 550 nm.
  • Examples of the material constituting the high refractive index material layer include, for example, titanium oxide, zirconium oxide, tantalum oxide, niobium oxide, lanthanum oxide, zinc oxide, zinc sulfide, barium titanate, silicon and the like as main components, hydrogen, oxidation Contains a small amount of titanium, niobium oxide, hafnium oxide, tin oxide and / or cerium oxide (for example, 0 to 10% by mass with respect to the main component); cyclic (poly) olefin resin, aromatic polyether type Resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polyester resin, polyamide (aramid) resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyparaphenylene resin, polyamideimide resin, polyethylene naphthalate resin, fluorine Aromatic polymer resin, (modified) acrylic resin, epoxy resin Silsesquioxane UV curable resin, maleimide resin, alicyclic epoxy thermosetting resin, polyether ether ketone
  • a material having a refractive index of less than 1.6 can be used, and a material having a refractive index of 1.2 to less than 1.6 is usually selected.
  • examples of such materials include silica, lanthanum fluoride, magnesium fluoride, sodium hexafluoride; cyclic (poly) olefin resin, aromatic polyether resin, polyimide resin, polycarbonate resin, and polyester resin.
  • polyamide (aramid) resin polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyparaphenylene resin, polyamideimide resin, polyethylene naphthalate resin, fluorinated aromatic polymer resin, (modified) acrylic Resin, epoxy resin, silsesquioxane UV curable resin, maleimide resin, alicyclic epoxy thermosetting resin, polyether ether ketone resin, polyarylate resin, allyl ester curable resin, acrylic UV Curable resin, vinyl UV curing Resin such as mold resin and resin mainly composed of silica formed by sol-gel method; silica, alumina, lanthanum fluoride, magnesium fluoride and / or aluminum hexafluoride sodium dispersed in the resin .
  • a material having a refractive index of 1.6 or more and less than 2.0 can be used as the material constituting the medium refractive index material layer.
  • examples of such materials include alumina, bismuth oxide, europium oxide, ytterium oxide, ytterbium oxide, samarium oxide, indium oxide, magnesium oxide, and molybdenum oxide; these materials and the material of the high refractive index material layer and / or What mixed the material of the said low refractive index material layer; What mixed the material of the said high refractive index material layer and the material of the said low refractive index material layer is mentioned.
  • the dielectric multilayer film may have a metal layer and / or a semiconductor layer of about 1 to 100 nm.
  • a material constituting these layers a material having a refractive index of 0.1 to 5.0 can be used. Examples of such materials include gold, silver, copper, zinc, aluminum, tungsten, titanium, magnesium, nickel, silicon, silicon hydride, and germanium. Since these metal layers and semiconductor layers tend to have high extinction coefficients of wavelengths in the visible light region, when these layers are provided, they are preferably thin layers having a thickness of about 1 to 20 nm.
  • the method for laminating the high refractive index material layer, the medium refractive index material layer and / or the low refractive index material layer is not particularly limited as long as a dielectric multilayer film in which these material layers are laminated is formed.
  • a film can be formed.
  • laminating a resin-containing layer it can be formed by melt molding or cast molding, preferably by spin coating, dip coating, slit coating, gravure coating, etc., in the same manner as the above-described substrate molding method.
  • the optical properties of the dielectric multilayer film can be adjusted by appropriately selecting the material type constituting each layer, the thickness of each layer, the order of lamination, the number of laminations, and the like.
  • the dielectric multilayer film preferably has a high reflectance for infrared rays having a wavelength of 1200 to 1600 nm or less, and more preferably satisfies the following requirements (P) and (Q).
  • the average transmittance of non-polarized light when measured from the vertical direction of the dielectric multilayer film is 10% or less.
  • the dielectric multilayer film since it can be shielded by reflecting light instead of absorbing it, it is possible to suppress an increase in temperature of an imaging device or a module, and to suppress dark current.
  • the average transmittance is preferably 6% or less, more preferably 2% or less.
  • the average transmittance is preferably as low as possible. For example, the lower limit is 0%.
  • the average transmittance of non-polarized light when measured from the vertical direction of the dielectric multilayer film at a wavelength of 1200 to 1600 nm is 10% or less.
  • a filter that satisfies the requirement (Q) even when a subject having a LIDAR using a wavelength of 1200 to 1600 nm is imaged, a solid-state imaging device, a sensor module, and a camera module are used by the light emitted by the subject. Etc. can be suppressed.
  • the average transmittance is preferably 6% or less, more preferably 2% or less.
  • the average transmittance is preferably as low as possible. For example, the lower limit is 0%.
  • only one dielectric multilayer film may satisfy the requirements (P) and (Q), but more preferably all dielectric multilayers included in the optical filter. It is preferable to satisfy the requirements (P) and (Q) as the characteristics of the film.
  • the dielectric multilayer film satisfying the requirements (P) and (Q) is a material type constituting the high refractive index material layer, the medium refractive index material layer and the low refractive index material layer, the thickness of each layer, the order of lamination,
  • the number of stacked layers can be formed by appropriately selecting based on the equivalent admittance Y E of the dielectric multilayer film including the substrate.
  • the equivalent admittance Y E of the antireflection layer composed of the L layer provided on the incident side of the optical filter is expressed by the following equation.
  • M j is the characteristic matrix of the layer positioned first at the first film on which light is incident and is positioned jth toward the substrate side
  • n m is the refractive index of the substrate.
  • n j is the refractive index of the j-th layer
  • d j is the physical film thickness of the j-th layer
  • ⁇ is the wavelength of light
  • i represents a complex number
  • the equivalent admittance Y ′ E of the antireflection layer composed of the q layer provided on the emission side of the optical filter is expressed by the following equation.
  • M j ′ is the characteristic matrix of the layer located at the j-th layer toward the substrate side, with the last layer (outgoing side outermost layer) from which light is emitted first, and n m is the substrate Is the refractive index.
  • M j ′ is represented by the following equation.
  • n j is the refractive index of the j-th layer
  • d j is the physical film thickness of the j-th layer
  • ⁇ is the wavelength of light
  • i represents a complex number
  • optical thin film design software for example, manufactured by Essential Macleod, Thin Film Center
  • the equivalent admittance in the visible light region where the antireflection function is desired to be expressed is reduced.
  • the parameters should be set so that high admittance can be obtained.
  • the equivalent admittance of the dielectric multilayer film including the substrate and the refractive index of air represented by the following equations:
  • the absolute value ( ⁇ n) of the difference is preferably 0.4 or less, more preferably 0.3 or less, and still more preferably 0.2 or less at the wavelength at which the antireflection function is desired.
  • the wavelength which wants to express a reflective function Preferably it is 2.0 or more, More preferably, it is 10 or more, More preferably, it is 20 or more.
  • a thin film layer having an optical thickness of 5 to 80 nm is formed.
  • it has 4 layers or more, more preferably 10 layers or more, and particularly preferably 14 layers or more.
  • the optical film thickness is a physical quantity expressed by (physical film thickness of layer) ⁇ (real part of refractive index of layer).
  • the layer with an optical film thickness of 250 to 400 nm is preferably 14 layers or more, more preferably 16 layers or more, and still more preferably. It is desirable to have 18 or more layers.
  • the layer having an optical film thickness of 180 to 275 nm corresponding to is preferably 14 layers or more, more preferably 16 layers or more, and still more preferably 18 layers or more.
  • the requirement (A), requirement (B), and requirement (C) can be satisfied by appropriately combining a dielectric multilayer film having both equivalent admittance with low infrared transmittance at a wavelength of 720 to 1100 nm and a substrate.
  • the dielectric multilayer film and the reflectance R have a relationship represented by the following formula.
  • n 0 represents the refractive index of the incident medium
  • () * represents the complex conjugate in ().
  • the equivalent admittance of the dielectric multilayer film including the substrate of the optical filter can be obtained by measuring the reflectance R in the air of the optical filter.
  • the required equivalent admittance is a conjugate solution, and it is preferable that ⁇ n is in the above range for both conjugate solutions.
  • this filter is provided between the substrate and the dielectric multilayer film, on the surface opposite to the surface on which the dielectric multilayer film is provided, or on the substrate of the dielectric multilayer film.
  • Antireflection layer, hard coat film, antistatic film, etc. for the purpose of improving the surface hardness of the substrate and dielectric multilayer film, improving chemical resistance, antistatic, scratching, etc.
  • the functional film can be provided as appropriate.
  • This filter may include one layer of the functional film or two or more layers. When the present filter includes two or more functional films, the filter may include two or more similar layers or two or more different layers.
  • the method of laminating the functional film is not particularly limited, but a coating agent such as an antireflection agent, a hard coating agent and / or an antistatic agent is melt-molded or cast-molded on the substrate or the dielectric multilayer film in the same manner as described above.
  • a coating agent such as an antireflection agent, a hard coating agent and / or an antistatic agent is melt-molded or cast-molded on the substrate or the dielectric multilayer film in the same manner as described above.
  • the method etc. can be mentioned.
  • it can also be produced by applying a curable composition containing the coating agent or the like on a substrate or a dielectric multilayer film with a bar coater or the like and then curing it by ultraviolet irradiation or the like.
  • the coating agent examples include ultraviolet (UV) / electron beam (EB) curable resins and thermosetting resins. Specifically, vinyl compounds, urethanes, urethane acrylates, acrylates, epoxy And epoxy acrylate resins. Examples of the curable composition containing these coating agents include vinyl, urethane, urethane acrylate, acrylate, epoxy, and epoxy acrylate curable compositions.
  • UV ultraviolet
  • EB electron beam
  • the curable composition may contain a polymerization initiator.
  • a polymerization initiator a known photopolymerization initiator or thermal polymerization initiator can be used, and a photopolymerization initiator and a thermal polymerization initiator may be used in combination.
  • a polymerization initiator may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types.
  • the mixing ratio of the polymerization initiator is preferably 0.1 to 10% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass, when the total amount of the curable composition is 100% by mass. More preferably, it is 1 to 5% by mass.
  • a functional film such as an antireflection layer, a hard coat film, or an antistatic film having a desired hardness is easily obtained with excellent curing characteristics and handleability of the curable composition. be able to.
  • organic solvent may be added to the curable composition, and a known solvent can be used as the organic solvent.
  • organic solvents include alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol and octanol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone; ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone, propylene Esters such as glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether acetate; Ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether; Aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; Dimethylformamide, dimethylacetamide, N- Examples include amides such as methylpyrrolidone. These solvents may be used alone or in combination of two
  • the thickness of the functional film is preferably 0.9 to 30 ⁇ m, more preferably 0.9 to 20 ⁇ m, and particularly preferably 0.9 to 5 ⁇ m.
  • the surface of the substrate, the functional film or the dielectric multilayer film is subjected to corona treatment.
  • Surface treatment such as plasma treatment may be performed.
  • This filter is thin, has excellent visibility correction characteristics, has cut characteristics over the mid-infrared region, and has a dark current suppressing effect. Therefore, it is useful for correcting the visibility of a solid-state imaging device such as a camera module.
  • a solid-state imaging device such as a camera module.
  • image sensors with black silicon and organic photoelectric conversion elements digital still cameras, mobile phone cameras, smartphone cameras, digital video cameras, PC cameras, surveillance cameras, automotive cameras, TVs, car navigation systems, mobile phones It is useful for information terminals, personal computers, video games, portable game machines, fingerprint authentication systems, ambient light sensors, distance measurement sensors, iris authentication systems, face authentication systems, distance measurement cameras, digital music players, and the like.
  • FIG. 5 shows an example of the arrangement of each member when this filter is used in an imaging device or various modules.
  • the filter 1 is configured with a lens 32 and an image sensor (image sensor) 24.
  • the optical filter 1 may be positioned in front of the lens as shown in FIG. 5A or may be positioned in the rear of the lens as shown in FIG. Further, this filter may be used in a lensless solid-state imaging device or module using an optical element 33 having a role as a lens such as a Fresnel zone plate or a Fresnel lens as shown in FIG.
  • Examples of the camera module and sensor module include this filter, an image sensor, a focus adjustment mechanism, a phase detection mechanism, a distance measurement mechanism, an iris authentication mechanism, a vein authentication mechanism, a face authentication mechanism, a blood flow meter, and an oxidation type.
  • a device that includes a reduced hemoglobin meter, a vegetation index meter, and the like and outputs an image or information as an electrical signal can be used.
  • Such a module may have a configuration having a lens as shown in FIG. 5, or may have a configuration without a lens as shown in FIG.
  • a photoelectric conversion device that converts light of a specific wavelength into electric charge, such as silicon, black silicon, or an organic photoelectric conversion film, is used.
  • This filter is suitably used for applications that use a solid-state imaging device such as black silicon or an organic photoelectric conversion film that is difficult to suppress dark current.
  • Black silicon You may use black silicon for the light-receiving part of the imaging device using this filter.
  • Black silicon can be obtained, for example, by forming micro spikes on the silicon surface by irradiating a silicon wafer with laser in a specific atmosphere.
  • black silicon is preferably used in an imaging device using near infrared light because the light receiving sensitivity in the near infrared region is higher than when using a silicon photodiode. Examples of commercially available CMOS products using black silicon include the XQE series from SiOnyx.
  • Organic photoelectric conversion film may be used for the light receiving portion of the imaging device using this filter.
  • the organic photoelectric conversion film is an organic film that absorbs light of a specific wavelength and generates current or voltage.
  • Image sensors using silicon photodiodes have absorption in the visible or near-infrared region, so it is necessary to attenuate light using a color filter for each pixel. Since a pixel having sensitivity can be manufactured, it is unnecessary to attenuate light, which is more preferable in terms of improving color reproducibility.
  • An imaging device using an organic photoelectric conversion film can be obtained by a method described in International Publication No. 2016/117181, International Publication No. 2017/0777790, or the like.
  • the dark current is a current generated in the image sensor even when no light is applied to the image sensor, and is output as a random electrical signal. Therefore, an image defect is caused as noise.
  • the gap of the photoelectric conversion element is small, the fact that electrons in the valence band are thermally excited and easily distributed in the conduction band causes dark current generation.
  • the dark current varies depending on the structure and material of the imaging device and various modules, but may be approximated by the following equation, for example.
  • I (t) dark current
  • C constant related to the area of the pixel
  • T absolute temperature
  • Eg energy band gap of photoelectric conversion element
  • k Boltzmann constant
  • this filter has high reflection characteristics over a wide range in the infrared region, and can suppress a temperature rise due to external light, and thus is considered to have a dark current suppressing effect.
  • Part means “part by mass” unless otherwise specified.
  • measurement method of each physical property value and the evaluation method of the physical property are as follows.
  • the molecular weight of the resin was determined by using a GPC apparatus (HLC-8220 type, column: TSKgel ⁇ -M, developing solvent: THF) manufactured by Tosoh Corporation, and the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) in terms of standard polystyrene. It was measured.
  • Tg Glass transition temperature
  • DSC6200 differential scanning calorimeter
  • the transmittance in each wavelength region of the optical filter was measured using a spectrophotometer (U-4100) manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation.
  • the transmittance when measured from the vertical direction of the optical filter is that the light 1 incident on the surface of the optical filter 1 from the vertical direction and transmitted in the vertical direction as shown in FIG. Is measured with a spectrophotometer 6 and the transmittance when measured from an angle of 30 ° with respect to the vertical direction of the optical filter is as shown in FIG.
  • the light 5 ′ was incident from an angle of 30 °, and the light 5 ′ transmitted at an angle of 30 ° with respect to the vertical direction was measured with a spectrophotometer 6.
  • the average transmittance at wavelengths A to Bnm was measured at each wavelength of 1 nm from Anm to Bnm, and the total transmittance was calculated as the number of measured transmittances (wavelength range, B ⁇ A + 1). ) was calculated by dividing by.
  • the spectral transmittance of the dielectric multilayer film was calculated based on the refractive index of the substrate, the refractive index of each layer of the dielectric multilayer film, the extinction coefficient, and the film thickness of each layer, using the optical thin film design software Essential Macleod. For the transmittance of the non-polarized light, a value calculated from the average of the S-polarized light transmittance and the P-polarized light transmittance was used.
  • ⁇ Spectral reflectance> The reflectance in each wavelength region of the optical filter was measured using a spectrophotometer (U-4100) manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation.
  • the reflectance of light incident from an angle of 5 ° with respect to the vertical direction of the optical filter is the light reflected by the light incident at an angle of 5 ° with respect to the vertical direction of the optical filter 1 as shown in FIG. 11 was measured with a spectrophotometer 6.
  • the average reflectance of wavelengths A to Bnm was measured at 1 nm increments from Anm to Bnm, and the total of the reflectances was calculated as the number of measured reflectances (wavelength range, B ⁇ A + 1). ) was calculated by dividing by.
  • As the reflectance of the non-polarized light a value calculated from the average of the S-polarized reflectance and the P-polarized reflectance was used.
  • Luminer Ace LA-150TX and Light Guide QLGC1-8L1000-R18 manufactured by Hayashi Hokki Co., Ltd. are used as the light source, and the light source (the tip of the light guide) is fixed at a position 2 cm away from the image sensor.
  • the built-in image sensor in DSC-WX10 manufactured by Sony Corporation is used, and the digital thermometer TX-10 manufactured by Yokogawa Measurement Co., Ltd. is used as the thermometer.
  • the later temperature was measured. Evaluation is that the temperature suppression effect is 4.5 ° C. or more than the temperature rise measured in the state where the optical filter is not set in the environment of room temperature 23 ° C. and humidity 60%. The thing was set as x.
  • the infrared absorbing dye used in the following examples was synthesized by a generally known method.
  • Examples of the synthesis method include Japanese Patent No. 336697, Japanese Patent No. 2846091, Japanese Patent No. 2864475, Japanese Patent No. 3703869, Japanese Patent Laid-Open No. 60-228448, Japanese Patent Laid-Open No. 1-146846, Kaihei 1-2228960, Japanese Patent No. 4081149, JP-A-63-124054, “Phthalocyanine—Chemistry and Function” (IPC, 1997), JP-A 2007-169315, JP-A 2009- Examples include methods described in Japanese Patent No. 108267, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-241873, Japanese Patent No. 3699464, and Japanese Patent No. 4740631.
  • Dodec-3-ene hereinafter also referred to as “DNM”) 100 parts, 1-hexene (molecular weight regulator) 18 parts, and toluene (ring-opening polymerization solvent) 300 parts nitrogen-substituted reaction The vessel was charged and the solution was heated to 80 ° C.
  • Example 1 an optical filter having a glass support substrate as a substrate was produced according to the following procedure and conditions.
  • a support substrate made of borosilicate glass Shot Japan Co., Ltd. D263, thickness 0.1 mm, optical properties of the substrate are listed in Table 16) was used on both sides of the substrate with an ion-assisted vacuum deposition apparatus at a deposition temperature of 120 ° C.
  • Dielectric multilayer film [silica (SiO 2 : refractive index of 1.45 nm light of 550 nm) layer and titania (TiO 2 : 550 nm light refraction) satisfying the requirements (P) and (Q) of the design 1 described in 11 Ratio 2.45) layers are alternately stacked] to obtain an optical filter 1 having a thickness of 0.11 mm.
  • the film thickness in the design 1 of Table 11 represents a physical film thickness.
  • the results of requirements (P) and (Q) in Table 16 indicate the total optical characteristics of all the dielectric multilayer films included in the optical filter. The same applies below.
  • Table 16 shows the optical characteristics of the obtained optical filter 1.
  • the optical filter 1 satisfies the requirements (A), (C), (J) and (M), has high visible light transmittance, good characteristics with little green color change at oblique incidence, and near-infrared light shielding characteristics. And has the characteristic of correcting the visibility of the imaging device and the human eye.
  • the optical filter 1 satisfies the requirements (B), (F) and (G), has an infrared shielding performance, and has a low absorption characteristic.
  • the optical filter is set. A temperature suppression effect of 4.5 ° C. or more was obtained as compared with a temperature increase in a state where it was not.
  • Example 2 an optical filter including a substrate having a resin-made absorption layer containing an infrared absorber was produced according to the following procedure and conditions.
  • the following curable composition solution (1) was applied by spin coating on a borosilicate glass support substrate (D263, thickness 0.1 mm, manufactured by Shot Japan Co., Ltd.), and then on a hot plate at 80 ° C.
  • the solvent was removed by volatilization by heating for 2 minutes, and a resin layer functioning as an adhesive layer with the absorbing layer described later was formed.
  • the spin coater coating conditions were adjusted so that the resin layer had a thickness of about 0.8 ⁇ m.
  • Curable composition solution (1) 30 parts by mass of isocyanuric acid ethylene oxide modified triacrylate (trade name: Aronix M-315, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 20 parts by mass of 1,9-nonanediol diacrylate, methacrylic acid 20 parts by mass, 30 parts by mass of glycidyl methacrylate, 5 parts by mass of 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 1 part by mass of 1-hydroxycyclohexylbenzophenone (trade name: IRGACURE 184, manufactured by Ciba Specialty Chemicals), and 1 part by weight of Sun-Aid SI-110 (manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.) was mixed, dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate so that the solid content concentration was 50% by mass, and then millipore having a pore size of 0.2 ⁇ m. Filtered solution
  • a solution (A2) having a resin concentration of 8% by mass 100 parts of the resin A obtained in Resin Synthesis Example 1, 0.480 part of the compound (A) and dichloromethane were added to prepare a solution (A2) having a resin concentration of 8% by mass.
  • the solution (A2) is applied on the resin layer using an applicator under conditions such that the film thickness after drying is 10 ⁇ m, and heated on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes, After removing the solvent by volatilization at 100 ° C. for 2 hours under reduced pressure, exposure using a conveyor type exposure machine (exposure amount: 1 J / cm 2 , illuminance: 200 mW), followed by baking at 180 ° C.
  • a dielectric multilayer film [silica (SiO 2 : 550 nm) satisfying the requirements (P) and (Q) of design 2 shown in Table 11 at an evaporation temperature of 120 ° C. using an ion-assisted vacuum evaporation apparatus.
  • the optical filter 2 having a thickness of 0.12 mm and a titania (TiO 2 : 550 nm light refractive index 2.45) layer are alternately laminated].
  • the film thickness in the design 2 of Table 11 represents a physical film thickness.
  • Table 16 shows the optical characteristics of the obtained optical filter 2.
  • the optical filter 2 satisfies the requirements (A), (C), (E), (H), (J) and (M), and has high visible light transmittance, green and red color changes at oblique incidence. It had few good characteristics, a near-infrared light shielding characteristic, and a characteristic for correcting the visibility of the imaging device and the human eye.
  • the optical filter 2 satisfies the requirements (B), (E), (F), and (G), has an infrared shielding performance, and has low absorption characteristics.
  • a temperature suppression effect of 4.5 ° C. or more was obtained as compared with a temperature increase in the state where no filter was set.
  • Example 3 an optical filter having a resin-made absorption plate containing two kinds of infrared absorbers as a substrate was produced according to the following procedure and conditions. To the container, 100 parts of the resin A obtained in Resin Synthesis Example 1, 0.034 parts of the compound (B), 0.095 parts of the compound (C) and dichloromethane were added to prepare a solution having a resin concentration of 20% by mass. The resulting solution was cast on a borosilicate glass substrate (D263, thickness 0.1 mm, manufactured by Shot Japan Co., Ltd.), dried at 60 ° C. for 8 hours, and further dried at 140 ° C. for 8 hours under reduced pressure.
  • a borosilicate glass substrate D263, thickness 0.1 mm, manufactured by Shot Japan Co., Ltd.
  • substrate) of thickness 0.1mm containing an infrared absorber was obtained by peeling from this support body.
  • concentrations of the compounds (B) and (C) and the film thickness of the absorbing plate are values set so that the optical characteristics of the substrate satisfy the requirements (N), (O), and (R) described in Table 16 It is.
  • a dielectric multilayer film [silica (SiO 2 : 550 nm) satisfying the requirements (P) and (Q) of design 3 described in Table 11 at an evaporation temperature of 120 ° C. using an ion-assisted vacuum deposition apparatus.
  • the optical filter 3 having a thickness of 0.108 mm and a titania (TiO 2 : 550 nm light refractive index 2.45) layer] are formed.
  • the film thickness in the design 3 of Table 11 represents a physical film thickness.
  • the optical properties of the obtained optical filter 3 are shown in Table 16 and FIG.
  • the optical filter 3 satisfies the requirements (A), (C), (E), (H), (J), (M), (K), and (L), and has high visible light transmittance and oblique incidence. It has good characteristics with little color change of blue, green, and red, has a light shielding characteristic of near infrared rays, and has a characteristic of correcting the visibility of the imaging device and human eyes.
  • the substrate was an optical filter containing the infrared absorbers (DA) and (DB) and having very little dependency on red incident angle.
  • the optical filter 3 satisfies the requirements (B), (E), (F), and (G), has an infrared shielding performance, and has a low absorption characteristic. A temperature suppression effect of 4.5 ° C. or more was obtained as compared with a temperature increase in the state where no filter was set.
  • Example 4 an optical filter having a resin-made absorption plate containing two kinds of infrared absorbers and an ultraviolet absorber as a substrate was produced according to the following procedure and conditions. To the container, 100 parts of the resin A obtained in Resin Synthesis Example 1, 0.034 part of the compound (B), 0.095 part of the compound (C), 0.045 part of the compound (F) and dichloromethane are added, and the resin concentration is increased. A 20% by weight solution was prepared. The obtained solution was cast on a borosilicate glass support (manufactured by Shot Japan Co., Ltd., D263, thickness 0.1 mm), dried at 60 ° C. for 8 hours, and further dried at 140 ° C. under reduced pressure for 4 hours.
  • a borosilicate glass support manufactured by Shot Japan Co., Ltd., D263, thickness 0.1 mm
  • substrate) with a thickness of 0.1 mm containing an infrared absorber and a ultraviolet absorber was obtained by peeling from this support body.
  • concentrations of the compounds (B), (C) and (F) and the film thickness of the absorbing plate are such that the optical characteristics of the substrate satisfy the requirements (N), (O) and (R) described in Table 16. This is the value set in.
  • a dielectric multilayer film [silica (SiO 2 : 550 nm) satisfying the requirements (P) and (Q) of the design 4 described in Table 12 at an evaporation temperature of 120 ° C. using an ion-assisted vacuum deposition apparatus.
  • the optical refractive index 1.45) layer and the titania (TiO 2 : 550 nm light refractive index 2.45) layer are alternately laminated, and the designed optical characteristics shown in FIG. 11] are formed.
  • An optical filter 4 having a thickness of 0.11 mm was obtained.
  • the film thickness in the design 4 of Table 12 represents a physical film thickness.
  • Table 16 shows the optical characteristics of the obtained optical filter 4.
  • the optical filter 4 satisfies the requirements (A), (C), (E), (H), (J), (M), (K), and (L), and has high visible light transmittance and oblique incidence. It has good characteristics with little color change of blue, green, and red, has a light shielding characteristic of near infrared rays, and has a characteristic of correcting the visibility of the imaging device and human eyes.
  • ⁇ 0 (UV) is 421 nm or less
  • high blue transmittance characteristics and ⁇ 30 (UV) - ⁇ 0 (UV) is 3.4 nm
  • the incident angle dependency of blue Has a characteristic that the transmittance decreases at a high incident angle, and is an optical filter that matches the incident angle dependency of green and red and has very little dependency on the incident angle of color.
  • the optical filter 4 satisfies the requirements (B), (E), (F) and (G), has an infrared shielding performance, and has a low absorption characteristic. A temperature suppression effect of 4.5 ° C. or more was obtained as compared with a temperature increase in the state where no filter was set.
  • Example 5 an optical filter having a resin-made absorbing plate containing an infrared absorbent as a substrate was produced according to the following procedure and conditions. 100 parts of the resin A obtained in Resin Synthesis Example 1, 0.147 part of the compound (B) and dichloromethane were added to a container to prepare a solution having a resin concentration of 20% by mass. The obtained solution was cast on a borosilicate glass support (manufactured by Shot Japan Co., Ltd., D263, thickness 0.1 mm), dried at 60 ° C. for 8 hours, and further dried at 140 ° C. under reduced pressure for 4 hours.
  • a borosilicate glass support manufactured by Shot Japan Co., Ltd., D263, thickness 0.1 mm
  • substrate) containing 0.05 mm in thickness containing an infrared absorber was obtained by peeling from this support body.
  • concentration of the said compound (B) and the film thickness of an absorption board are the values set so that the optical characteristic of a board
  • a dielectric multilayer film [silica (SiO 2 : 550 nm) satisfying the requirements (P) and (Q) of the design 5 described in Table 12 at an evaporation temperature of 120 ° C. using an ion-assisted vacuum deposition apparatus.
  • Optical filter 5 having a thickness of 0.058 mm and a titania (TiO 2 : 550 nm light refractive index 2.45) layer].
  • the film thickness in the design 5 of Table 12 represents a physical film thickness.
  • Table 16 shows the optical characteristics of the obtained optical filter 5.
  • the optical filter 5 satisfies the requirements (A), (C), (E), (H), (J), and (M), and has high visible light transmittance, blue, green, and red color when obliquely incident. It has good characteristics with little change, has a light shielding characteristic of near infrared rays, and has a characteristic of correcting the visual sensitivity of the imaging device and human eyes.
  • the optical filter 5 satisfies the requirements (B), (E), (F), and (G), has an infrared shielding performance, and has low absorption characteristics. A temperature suppression effect of 4.5 ° C. or more was obtained as compared with a temperature increase in the state where no filter was set.
  • Example 6 an optical filter including a substrate having a resin absorption layer containing two kinds of infrared absorbers and an ultraviolet absorber and having a transmission band in the near infrared region of 750 to 1000 nm was produced by the following procedure and conditions. .
  • the curable composition solution (1) was applied by spin coating on a borosilicate glass supporting substrate (D263, thickness 0.05 mm, manufactured by Shot Japan Co., Ltd.), and then on a hot plate at 80 ° C. The solvent was removed by volatilization by heating for 2 minutes, and a resin layer functioning as an adhesive layer with the absorbing layer described later was formed. At this time, the spin coater coating conditions were adjusted so that the resin layer had a thickness of about 0.8 ⁇ m.
  • a substrate having a thickness of 0.06 mm having a resin-made absorption layer containing an absorbent and an ultraviolet absorbent was obtained.
  • concentrations of the compounds (B), (C) and (F) and the film thickness of the absorption layer are such that the optical characteristics of the substrate satisfy the requirements (N), (O) and (R) described in Table 16. This is the value set in.
  • a dielectric multilayer film [silica (SiO 2 : 550 nm) satisfying the requirements (P) and (Q) of the design 6 described in Table 12 at an evaporation temperature of 120 ° C. using an ion-assisted vacuum evaporation apparatus. And a tantalum oxide (Ta 2 O 5 : 550 nm light refractive index 2.14) layer are alternately stacked] and a thickness of 0.071 mm An optical filter 6 was obtained.
  • the film thickness in the design 6 of Table 12 represents a physical film thickness.
  • the optical characteristics of the obtained optical filter 6 are shown in Table 16 and FIG.
  • the optical filter 6 satisfies the requirement (A), has a high visible light transmittance, satisfies the requirements (B) and (G), has an infrared shielding performance, and satisfies the requirements (A), (D), (H ), (J), (M), (K) and (L), high visible light transmittance, good characteristics with little change in tint of blue, green and red at oblique incidence, near infrared And has a characteristic of correcting the visual sensitivity of the imaging device and the human eye.
  • the transmission band where the transmittance is 50% or more at the wavelength of 750 to 1000 nm is 18 nm of the wavelength of 930 to 947 nm, and the high sensitivity to the wavelength of 930 to 947 nm as a near infrared sensor, It was an optical filter having both shielding properties in the near-infrared wavelength of 720 to 1100 nm.
  • the optical filter 6 satisfies the requirements (B), (F) and (G), has an infrared shielding performance, and has a low absorption characteristic.
  • the optical filter is set. A temperature suppression effect of 4.5 ° C. or more was obtained as compared with a temperature increase in a state where it was not.
  • Example 7 A substrate having a thickness of 0.06 mm having an absorption layer made of a resin containing an infrared absorber and an ultraviolet absorber was obtained by the same procedure as in Example 6.
  • a dielectric multilayer film [silica (SiO 2 : 550 nm) satisfying the requirements (P) and (Q) of the design 7 described in Table 13 at an evaporation temperature of 120 ° C. using an ion-assisted vacuum deposition apparatus.
  • a tantalum oxide (Ta 2 O 5 : 550 nm light refractive index 2.14) layer are alternately stacked] and a thickness of 0.076 mm
  • An optical filter 7 was obtained.
  • the film thickness in the design 7 of Table 13 represents a physical film thickness.
  • the optical properties of the obtained optical filter 7 are shown in Table 16 and FIG.
  • the optical filter 7 satisfies the requirement (A), has a high visible light transmittance, satisfies the requirements (B) and (G), has an infrared shielding performance, and satisfies the requirements (A), (D), (H ), (J), (M), (K) and (L), high visible light transmittance, good characteristics with little change in tint of blue, green and red at oblique incidence, near infrared And has a characteristic of correcting the visual sensitivity of the imaging device and the human eye.
  • the transmission band where the transmittance is 50% or more at the wavelength of 750 to 1000 nm is 2 nm of the wavelength of 930 to 931 nm, and the high sensitivity to the wavelength of 930 to 931 nm as a near infrared sensor, It was an optical filter having both shielding properties in the near-infrared wavelength of 720 to 1100 nm.
  • the optical filter 7 satisfies the requirements (B), (F) and (G), has an infrared shielding performance, and has a low absorption characteristic.
  • the optical filter is set. A temperature suppression effect of 4.5 ° C. or more was obtained as compared with a temperature increase in a state where it was not.
  • Example 8 an optical filter including a substrate having a resin-made absorption layer containing four kinds of infrared absorbers and an ultraviolet absorber, and having a medium refractive index material layer in a dielectric multilayer film according to the following procedure and conditions.
  • the curable composition solution (1) was applied by spin coating on a borosilicate glass supporting substrate (D263, thickness 0.05 mm, manufactured by Shot Japan Co., Ltd.), and then on a hot plate at 80 ° C. The solvent was removed by volatilization by heating for 2 minutes, and a resin layer functioning as an adhesive layer with the absorbing layer described later was formed. At this time, the spin coater coating conditions were adjusted so that the resin layer had a thickness of about 0.8 ⁇ m.
  • a substrate having a thickness of 0.06 mm having a resin-made absorption layer containing an absorbent and an ultraviolet absorbent was obtained.
  • concentrations of the compounds (A), (B), (C), (D) and (F) and the film thickness of the absorption layer are determined according to the requirements (N), (O ) And (R).
  • a dielectric multilayer film [silica (SiO 2 : 550 nm) satisfying the requirements (P) and (Q) of the design 8 shown in Table 13 at an evaporation temperature of 120 ° C. using an ion-assisted vacuum evaporation apparatus.
  • light reffractive index 1.405
  • titania TiO 2 : refractive index 2.45 of light of 550 nm
  • silica SiO 2 : refractive index of light 550 nm of 1.
  • Table 16 shows the optical characteristics of the obtained optical filter 8.
  • the optical filter 8 satisfies the requirements (A), (C), (E), (H), (J), (M), (K), and (L), and has high visible light transmittance and oblique incidence. It has good characteristics with little color change of blue, green, and red, has a light shielding characteristic of near infrared rays, and has a characteristic of correcting the visibility of the imaging device and human eyes. In particular, because it has a dielectric multilayer film including a medium refractive index material layer, it has the characteristics of correcting the visual sensitivity of the imaging device and the human eye and the shielding property of near infrared rays even though the number of stacked layers is small. .
  • the optical filter 8 satisfies the requirements (B), (E), (F), and (G), has an infrared shielding performance, and has a low absorption characteristic. A temperature suppression effect of 4.5 ° C. or more was obtained as compared with a temperature increase in the state where no filter was set.
  • Example 9 The same procedure except that 0.041 part of compound (C), 0.01 part of compound (E) and 0.045 part of compound (F) were used instead of 0.095 part of compound (C) in Example 3. Thus, an optical filter 9 having a thickness of 0.108 mm was obtained.
  • Table 16 shows the optical characteristics of the obtained optical filter 9.
  • the optical filter 9 satisfies the requirements (A), (C), (E), (H), (J), (M), (K), and (L), and has high visible light transmittance and oblique incidence. It has good characteristics with little color change of blue, green, and red, has a light shielding characteristic of near infrared rays, and has a characteristic of correcting the visibility of the imaging device and human eyes.
  • the absorption plate was an optical filter containing the infrared absorbers (DA) and (DB) and having very little dependency on red incident angle.
  • the optical filter 9 satisfies the requirements (B), (E), (F), and (G), has an infrared shielding performance, and has a low absorption characteristic. A temperature suppression effect of 4.5 ° C. or more was obtained as compared with a temperature increase in the state where no filter was set.
  • Comparative Example 1 a conventional optical filter that does not satisfy the requirement (B) in which a resin-made absorption plate containing an infrared absorbent is used as a substrate was produced according to the following procedure and conditions. To the container, 100 parts of the resin A obtained in Resin Synthesis Example 1, 0.034 parts of the compound (B), 0.095 parts of the compound (C) and dichloromethane were added to prepare a solution having a resin concentration of 20% by mass. The obtained solution was cast on a glass support (manufactured by Shot Japan Co., Ltd., D263, thickness 0.1 mm), dried at 60 ° C. for 8 hours, and further dried at 140 ° C. under reduced pressure for 4 hours, and then the support.
  • a glass support manufactured by Shot Japan Co., Ltd., D263, thickness 0.1 mm
  • the obtained substrate was formed using a dielectric multilayer film [silica (SiO 2 : light of 550 nm) not satisfying the requirement (Q) of the design 9 shown in Table 14 at an evaporation temperature of 120 ° C. using an ion-assisted vacuum evaporation apparatus.
  • Refractive index 1.45) layers and titania (TiO 2 : 550 nm light refractive index 2.45) layers are alternately laminated, and the design optical characteristics shown in FIG. A 106 mm optical filter 9 was obtained.
  • the film thickness in the design 9 of Table 14 represents a physical film thickness.
  • the optical characteristics of the obtained optical filter 9 are shown in Table 16 and FIG.
  • the optical filter 9 satisfies the requirements (A), (C), (H), (J), and (M), and has high visible light transmittance and good characteristics with little change in color of green and red at oblique incidence. It has a property of shielding near infrared rays and a property of correcting the visual sensitivity of the imaging device and the human eye.
  • the optical filter 9 satisfies the requirement (G), but does not satisfy the requirements (B), (E) and (F), and does not have an infrared shielding performance capable of obtaining a dark current suppressing effect.
  • a temperature suppression effect of 4.5 ° C. or higher was not obtained as compared with the temperature increase in the state where the optical filter was not set.
  • Comparative Example 2 a conventional optical filter that does not satisfy the requirement (B) in which an absorbing plate made of copper phosphate glass is used as a substrate was produced according to the following procedure and conditions. Matsunami Glass Industrial Co., Ltd. infrared cut filter (BS11 adjusted to a thickness of 0.09 mm) using an ion-assisted vacuum deposition apparatus at a deposition temperature of 120 ° C. Q) Dielectric multilayer film not satisfying [silica (SiO 2 : 550 nm light refractive index 1.45) layer and titania (TiO 2 : 550 nm light refractive index 2.45) layer are alternately laminated. The optical filter 10 having a thickness of 0.095 mm was obtained. In addition, the film thickness in the design 10 of Table 14 represents a physical film thickness.
  • Table 16 shows the optical characteristics of the obtained optical filter 10.
  • the optical filter 10 satisfies the requirements (A), (C), (H), and (M), has high visible light transmittance, good characteristics with little change in hue of green and red at oblique incidence, It had a light shielding characteristic and a characteristic for correcting the visibility of the imaging apparatus and human eyes.
  • the requirement (F) is satisfied, the requirements (B), (E), and (G) are not satisfied, and the infrared shielding performance capable of obtaining the dark current suppressing effect is not obtained, and the dark current suppressing effect evaluation is performed.
  • a temperature suppressing effect of 4.5 ° C. or higher was not obtained as compared with a temperature increase in the state where no optical filter was set.

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Abstract

本発明は、光学フィルターおよびその用途、具体的には、固体撮像装置、カメラモジュール、センサーモジュールに関し、該光学フィルターは、基板と、基板の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有し、下記要件（Ａ）～（Ｃ）を満たす。　要件（Ａ）：波長４４０～５８０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が７５％以上　要件（Ｂ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射率の平均値が６０％以上　要件（Ｃ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が３％以下

Description

光学フィルターおよびその用途
　本発明の一実施形態は、光学フィルターに関する。詳しくは、特定の光学特性を有する光学フィルター（例えば近赤外線カットフィルター）、ならびに該光学フィルターを用いた固体撮像装置、カメラモジュールおよびセンサーモジュールに関する。
　従来のビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、カメラ機能付き携帯電話などの固体撮像装置には、固体撮像素子であるＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサーが使用されているが、これら固体撮像素子は、その受光部において人間の目では感知できない近赤外線に感度を有するシリコンフォトダイオードが使用されている。これらの固体撮像素子では、人間の目で見て自然な色合いにさせる視感度補正を行うことが必要であり、特定の波長領域の光線を選択的に透過もしくはカットする光学フィルター（例えば近赤外線カットフィルター）を用いることが多い。
　このような光学フィルターとしては、従来から、各種方法で製造されたフィルターが使用されている。例えばリン酸ガラスに酸化銅を分散させた吸収ガラス型赤外線カットフィルター（例えば特許文献１）や、近赤外領域に吸収を有する色素を分散させた層を有する樹脂型赤外線カットフィルター（例えば特許文献２）、透明誘電体基板（ガラス基板）と赤外線反射層と赤外線吸収層を有するガラス基板塗布型赤外線カットフィルター（例えば特許文献３）、基材として樹脂を用い、該樹脂中に波長６００～８００ｎｍの領域に吸収極大を有する色素を含有させるとともに、基材両面に近赤外線反射性能を有する誘電体多層膜を用いた樹脂型近赤外線カットフィルター（特許文献４）、ガラス基板に波長６９５～７２０ｎｍ付近に吸収を有する色素を含有した樹脂層を塗布したガラス基板塗布型赤外線カットフィルター（特許文献５）など、各種知られている。
　また、近赤外線を用いた測距センサーを組み合わせたセンサー機能を有する撮像素子には、バンドパスフィルターが使用される。該バンドパスフィルターとしては、可視域の透過帯と一部の近赤外線領域に透過帯を有するバンドパスフィルター（特許文献６）などが知られている。
　近年、固体撮像素子の高感度が進み、従来のシリコンフォトダイオードを用いる場合、暗電流を抑制するために、埋め込み型フォトダイオードとすることが多いが、その場合であっても、暗電流を抑制する効果は十分ではなく、暗電流による画像不良が問題となっている。また、シリコンフォトダイオードの代わりに、ブラックシリコンや、有機光電変換素子を用いたものは、特定の波長における感度が高い、色再現性が良いなどの利点がある一方、従来のシリコンフォトダイオードのような埋め込み型フォトダイオードの構成が困難であり、埋め込み型フォトダイオードを用いない撮像素子では、暗電流の抑制が課題であった。
　前述した従来の撮像素子用の吸収ガラス型、樹脂型、ガラス基板塗布型赤外線カットフィルターは、人間の目で見て自然な色合いにさせる視感度補正に優れる一方、吸収強度の強い赤外線カットフィルターは、外光を吸収することによる昇温を引き起こすため、従来の赤外線カットフィルターを用いて得られる固体撮像装置やカメラモジュール、センサーモジュールは暗電流による画像不良を起こしやすかった。
　また、生体組織への影響を抑制するために、波長１２００ｎｍ超の光をカットする特性を有する赤外線カットフィルターとして、誘電体多層膜を有する赤外線カットフィルター（例えば特許文献７）などが知られているが、該フィルターは、撮像装置やセンサーモジュールとしての用途では、波長７２０～１１００ｎｍの透過率が高く、視感度補正としての遮蔽性能が不足しており、また、暗電流の原因となる温度上昇を引き起こす波長１２００～１６００ｎｍの光のカット性能が不十分であり、暗電流を抑制する効果が不十分であった。
国際公開第２０１１／０７１１５７号 特開２００８－３０３１３０号公報 特開２０１４－０５２４８２号公報 特開２０１１－１０００８４号公報 特開２０１４－０６３１４４号公報 国際公開第２０１１／０３３９８４号 特開２０１５－１６１７３１号公報
　従来、薄く、可視光透過率特性および視感度補正特性に優れるとともに、波長１２００～１６００ｎｍの広い赤外線領域に渡り、光をカットする性能が高く、暗電流抑制効果を有する光学フィルターは得られていなかった。
　本発明の一実施形態は、従来の近赤外線カットフィルター等の光学フィルターが有していた欠点を改良し、薄く、視感度補正に優れ、中赤外線領域の光をカットする性能が高く、暗電流抑制効果を有する光学フィルターを提供する。
　本発明者は、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、下記構成例によれば前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
　本発明の一実施形態の構成例は以下の通りである。
　なお、本発明において、数値範囲を表す「Ａ～Ｂ」等の記載は、「Ａ以上、Ｂ以下」と同義であり、ＡおよびＢをその数値範囲内に含む。
　［１］　基板と、基板の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有し、下記要件（Ａ）～（Ｃ）を満たす光学フィルター。
　要件（Ａ）：波長４４０～５８０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が７５％以上
　要件（Ｂ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射率の平均値が６０％以上
　要件（Ｃ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が３％以下
　［２］　基板と、基板の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有し、下記要件（Ａ）、（Ｂ）および（Ｄ）を満たす光学フィルター。
　要件（Ａ）：波長４４０～５８０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が７５％以上
　要件（Ｂ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射率の平均値が６０％以上
　要件（Ｄ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が１０％以下であり、波長７５０～１０００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％以上となる透過帯域の波長幅が１ｎｍ以上である
　［３］　下記要件（Ｅ）を満たす、［１］に記載の光学フィルター。
　要件（Ｅ）：波長７２０～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の最大値が３０％以下である
　［４］　下記要件（Ｆ）を満たす、［１］～［３］のいずれかに記載の光学フィルター。
　要件（Ｆ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が２０％以下
　［５］　下記要件（Ｇ）を満たす、［１］～［４］のいずれかに記載の光学フィルター。
　要件（Ｇ）：下記式（１）および（２）で表される吸収率Ａ１および吸収率Ａ２の値がそれぞれ２０％以下
　　Ａ１＝１００－Ｔ１－Ｒ１　　　（１）
　　Ａ２＝１００－Ｔ２－Ｒ２　　　（２）
　Ｔ１およびＴ２：波長１２００～１６００ｎｍにおける、光学フィルターの一方の面Ｘの垂直方向から入射した入射光（無偏光光線）の平均透過率Ｔ１（％）、および、光学フィルターの他方の面Ｙの垂直方向から入射した入射光（無偏光光線）の平均透過率Ｔ２（％）
　Ｒ１およびＲ２：波長１２００～１６００ｎｍにおける、光学フィルターの一方の面Ｘの垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率Ｒ１（％）、および、光学フィルターの他方の面Ｙの垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率Ｒ２（％）
　［６］　下記要件（Ｈ）を満たす、［１］～［５］のいずれかに記載の光学フィルター。
　要件（Ｈ）：波長５６０～８００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙａ）と、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙｂ）の差の絶対値が１５ｎｍ以下
　［７］　下記要件（Ｊ）を満たす、［１］～［６］のいずれかに記載の光学フィルター。
　要件（Ｊ）：波長８００ｎｍ以下において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が７０％となる最も長い波長（Ｘａ）と、波長５８０ｎｍ以上の波長領域において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が３０％となる最も短い波長（Ｘｂ）との差の絶対値が６５ｎｍ以下
　［８］　下記要件（Ｋ）を満たす、［１］～［７］のいずれかに記載の光学フィルター。
　要件（Ｋ）：波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ０（ＵＶ）を有し、波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ３０（ＵＶ）を有し、かつ前記波長の差の絶対値｜λ０（ＵＶ）－λ３０（ＵＶ）｜が５ｎｍ以下である
　［９］　下記要件（Ｌ）を満たす、［１］～［８］のいずれかに記載の光学フィルター。
　要件（Ｌ）：波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ０（ＵＶ）を有し、波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ３０（ＵＶ）を有し、かつ前記波長の差λ３０（ＵＶ）－λ０（ＵＶ）が０ｎｍを超える
　［１０］　下記要件（Ｍ）を満たす、［１］～［９］のいずれかに記載の光学フィルター。
　要件（Ｍ）：波長４８５～５６０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値Ｔ０と、波長４８５～５６０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値Ｔ３０が下記式（３）を満たす
　０．９５≦Ｔ０／Ｔ３０≦１．０５　　　（３）
　［１１］　前記基板が波長６７０～９５０ｎｍに吸収極大波長を有する、［１］～［１０］のいずれかに記載の光学フィルター。
　［１２］　前記基板が、波長６８５～７１０ｎｍに吸収極大波長λ（ＤＡ＿Ｔｍｉｎ）を有する第１の赤外線吸収剤（ＤＡ）と、波長７１０～７６５ｎｍに吸収極大波長λ（ＤＢ＿Ｔｍｉｎ）を有する第２の赤外線吸収剤（ＤＢ）とを含む、［１１］に記載の光学フィルター。
　［１３］　前記基板が下記要件（Ｎ）または（Ｏ）を満たす、［１］～［１２］のいずれかに記載の光学フィルター。
　要件（Ｎ）：基板の垂直方向から測定した場合の、波長７７０ｎｍの無偏光光線の透過率が６０％以下
　要件（Ｏ）：基板の垂直方向から測定した場合の波長７８０～８００ｎｍの無偏光光線の平均透過率が６０％以上
　［１４］　前記誘電体多層膜が下記要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす、［１］～［１３］のいずれかに記載の光学フィルター。
　要件（Ｐ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、誘電体多層膜の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が１０％以下である
　要件（Ｑ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、誘電体多層膜の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が１０％以下である
　［１５］　前記基板が下記要件（Ｒ）を満たす、［１］～［１４］のいずれかに記載の光学フィルター。
　要件（Ｒ）：波長８２０～１６００ｎｍにおいて、基板の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が７０％以上
　［１６］　［１］～［１５］のいずれかに記載の光学フィルターを含む固体撮像装置。
　［１７］　［１］～［１５］のいずれかに記載の光学フィルターを含むカメラモジュール。
　［１８］　［１］～［１５］のいずれかに記載の光学フィルターを含むセンサーモジュール。
　本発明の一実施形態によれば、薄く、視感度補正に優れるとともに、中赤外線領域に高い反射率を有し、暗電流抑制効果を有する光学フィルター、および該光学フィルターを用いた装置、カメラモジュール、センサーモジュール等を提供することができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る光学フィルターの構成を示す概略模式図である。 図２は、光学フィルターの透過率を測定する方法を示す概略模式図である。 図３は、光学フィルターの反射率を測定する方法を示す概略模式図である。 図４は、実施例において、光学フィルターの暗電流抑制効果の指標とした温度上昇量を測定する際の各部材の位置関係の概略を示す概略模式図である。 図５は、本発明の一実施形態に係る光学フィルターを具備する撮像装置およびモジュールの一例を示す概略模式図である。 図６は、本発明の一実施形態に係る光学フィルターを具備するレンズを有さない撮像装置およびモジュールの一例を示す概略模式図である。 図７は、実施例３で得られた光学フィルター３の光学特性である。 図８は、実施例６で得られた光学フィルター６の光学特性である。 図９は、実施例７で得られた光学フィルター７の光学特性である。 図１０は、比較例１の光学フィルター９の光学特性である。 図１１は、実施例４で設けた誘電体多層膜の設計光学特性である。 図１２は、比較例１で設けた誘電体多層膜の設計光学特性である。
≪光学フィルター≫
　本発明の一実施形態に係る光学フィルター（以下「本フィルター」ともいう。）は、図１の（Ａ）～（Ｄ）のように、基板と、基板の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有し、かつ下記要件（Ａ）～（Ｃ）を満たすフィルター（Ｉ）、または、下記要件（Ａ）、（Ｂ）および（Ｄ）を満たすフィルター（ＩＩ）である。
　要件（Ａ）：波長４４０～５８０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が７５％以上
　要件（Ｂ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射率の平均値が６０％以上
　要件（Ｃ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が３％以下
　要件（Ｄ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が１０％以下であり、波長７５０～１０００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％以上となる透過帯域の波長幅が１ｎｍ以上である
　要件（Ａ）を満たすことにより、可視光線の透過率が高く、本フィルターを固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、良好な画像を得ることができる。
　前記要件（Ａ）における透過率の平均値は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、特に好ましくは８８．５％以上である。前記平均透過率は、高ければ高い方が好ましく、例えば、上限は１００％である。
　なお、本発明において、波長Ａ～Ｂｎｍの透過率の平均値（平均透過率）は、Ａｎｍ以上Ｂｎｍ以下の、１ｎｍ刻みの各波長における透過率を測定し、その透過率の合計を、測定した透過率の数（波長範囲、Ｂ－Ａ＋１）で除した値である。
　要件（Ｂ）を満たすことにより、波長１２００～１６００ｎｍの光（中赤外線領域の光）を効率的に反射し、本フィルターを固体撮像装置、センサーモジュールまたはカメラモジュール等に使用した場合、固体撮像装置やこれらモジュール等に吸収される波長１２００～１６００ｎｍの光による撮像素子等の温度上昇を抑制することができる。これにより、該温度上昇によって発生していた暗電流を抑制することができ、良好な画像を得ることができる。
　近年、自動運転や先進運転支援システム用、航空機用途、無人航空機（ドローン）用途、マシンオートメーション、ロボット操縦、自動操縦農業器具などでは、空間認識センシングとしてＬｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ（ＬＩＤＡＲ）が用いられる場合がある。このＬＩＤＡＲでは、光源として、人間の目に見えない波長１２００～１６００ｎｍを用いる場合がある。
　本フィルターは、前記要件（Ｂ）を満たすため、固体撮像装置、センサージュール、カメラモジュール等がこのような本フィルターを備えることで、波長１２００～１６００ｎｍを用いるＬＩＤＡＲを備えた被写体を撮像した場合であっても、該被写体が発する光によって、固体撮像装置、センサージュール、カメラモジュール等が破壊される現象を抑制することができる。
　前記要件（Ｂ）における反射率の平均値は、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０％以上である。前記平均反射率は、高ければ高い方が好ましく、例えば、上限は１００％である。
　なお、本発明において、波長Ａ～Ｂｎｍの反射率の平均値（平均反射率）は、Ａｎｍ以上Ｂｎｍ以下の、１ｎｍ刻みの各波長における反射率を測定し、その反射率の合計を、測定した反射率の数（波長範囲、Ｂ－Ａ＋１）で除した値である。
　垂直方向から入射する無偏光光線の反射率を測定することは、限りなく困難であるため、本発明では、垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射率を測定した。
　要件（Ｂ）は、本フィルターの一方の面（以下「面Ｘ」ともいい、他方の面を「面Ｙ」ともいう。）の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率が前記範囲にあればよいが、本フィルターの面Ｘおよび面Ｙ両方の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率がどちらも前記範囲にあることが好ましい。
　なお、面Ｘは、通常、光学フィルターの主面のことをいい、面積のもっとも大きな面の一方のことをいう。この場合、面積のもっとも大きな面の他方が面Ｙである。
　また、「無偏光光線」とは、偏光方向の偏りを持たない光線のことであり、電場が全ての方向に概ね均一に分布している波の集合体のことをいう。「無偏光光線の平均透過率」は「Ｓ偏光光線の平均透過率」と「Ｐ偏光光線の平均透過率」の平均値を用いてもよい。「無偏光光線の平均反射率」は、「Ｓ偏光光線の平均反射率」と「Ｐ偏光光線の平均反射率」の平均値を用いてもよい。
　要件（Ｃ）を満たすことにより、本フィルターを近赤外線カットフィルターとすることができ、人間の目に見えにくい、または見えない近赤外線を遮蔽することができ、本フィルターを固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、シリコンフォトダイオード、ブラックシリコンなどの撮像素子の視感度補正により優れ、人間の目の色目に近い良好な画像を得ることができる。
　前記要件（Ｃ）における透過率の平均値は、より好ましくは２％以下、さらに好ましくは１％以下、特に好ましくは０．５％以下である。近赤外線カットフィルターでは、前記平均透過率は低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０％である。
　本フィルターを近赤外線センサーに用いる場合、要件（Ｄ）を満たすことが好ましい。
　要件（Ｄ）を満たすことにより、本フィルターをデュアルバンドパスフィルターとすることができ、本フィルターを近赤外線に感度を有する固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、センシングを行う波長に高い感度を有し、人間の目に見えにくい、または見えない近赤外線を遮蔽することができ、良好な画像や、距離情報等を得ることができる。
　要件（Ｄ）において、透過率が５０％以上となる透過帯域の存在する波長領域は、より好ましくは８００～１０００ｎｍ、特に好ましくは８４５～９７０ｎｍである。
　透過率が５０％以上となる透過帯域の存在する波長領域が前記範囲にあると、より人間の目に見えにくい波長の光を用いてセンシングすることが可能となり、また、フォトダイオードの感度が高い波長を用いることが可能となる。
　要件（Ｄ）における前記透過率の平均値は、より好ましくは８％以下、さらに好ましくは１～６％である。
　得られる撮像装置を用いて距離情報を取得する際、迷光による感度低下を抑制する等の点から、前記透過帯域の波長幅は、より好ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、特に好ましくは１ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。
　前記フィルター（Ｉ）は、下記要件（Ｅ）を満たすことが好ましい。
　要件（Ｅ）：波長７２０～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の最大値が３０％以下である
　要件（Ｅ）を満たすことにより、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等で得られる画像において、火、炎、ハロゲンランプ、ハロゲンヒーターなどの近赤外線を強く発する被写体を撮像した際のフレア、ゴースト等の発生をより抑制することができる。
　前記透過率の最大値は、より好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下、特に好ましくは２％以下である。近赤外線カットフィルターでは、前記透過率の最大値は、低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０％である。
　本フィルターは、下記要件（Ｆ）を満たすことが好ましい。
　要件（Ｆ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が２０％以下
　要件（Ｆ）を満たすことにより、光学フィルターにて反射した光が周囲の該フィルター周囲の部品等に再反射し、撮像素子に入射することを抑制することが可能となる。また、要件（Ｆ）を満たすことにより、赤外線をカットすることができるため、撮像素子等の温度上昇をより抑えることが期待できる。
　前記平均透過率は、より好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下、特に好ましくは２％以下である。前記平均透過率は、低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０％である。
　本フィルターが、波長１２００～１６００ｎｍの光を吸収する場合、該フィルターが発熱し、その熱が撮像素子等にも影響を及ぼすため、暗電流の増加につながると考えられる。本フィルターは、該フィルター自体が波長１２００～１６００ｎｍの光を吸収し、発熱することを抑制する観点から、下記要件（Ｇ）を満たすことが好ましい。
　要件（Ｇ）：下記式（１）および（２）で表される吸収率Ａ１および吸収率Ａ２の値がそれぞれ２０％以下
　　Ａ１＝１００－Ｔ１－Ｒ１　　　（１）
　　Ａ２＝１００－Ｔ２－Ｒ２　　　（２）
　Ｔ１およびＴ２：波長１２００～１６００ｎｍにおける、光学フィルターの一方の面Ｘの垂直方向から入射した入射光（無偏光光線）の平均透過率Ｔ１（％）、および、光学フィルターの他方の面Ｙの垂直方向から入射した入射光（無偏光光線）の平均透過率Ｔ２（％）
　Ｒ１およびＲ２：波長１２００～１６００ｎｍにおける、光学フィルターの一方の面Ｘの垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率Ｒ１（％）、および、光学フィルターの他方の面Ｙの垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率Ｒ２（％）
　前記Ａ１およびＡ２は、それぞれ、より好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下、特に好ましくは１．５％以下である。前記吸収率は、低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０％である。
　本フィルターは、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等で得られる画像における赤色付近の色の面内分布の観点から、以下の要件（Ｈ）および／または（Ｊ）を満たすことが好ましい。
　要件（Ｈ）：波長５６０～８００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙａ）と、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙｂ）の差の絶対値が１５ｎｍ以下
　要件（Ｊ）：波長８００ｎｍ以下において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が７０％となる最も長い波長（Ｘａ）と、波長５８０ｎｍ以上の波長領域において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が３０％となる最も短い波長（Ｘｂ）との差の絶対値が６５ｎｍ以下
　要件（Ｈ）を満たすことにより、光学フィルターに垂直方向で入射する光と３０°の角度で入射する光の赤色付近の波長の透過率差が少なくなり、本フィルターを近赤外線に感度を有する固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、得られる画像の赤色付近の色の面内分布がより良好な画像が得られる。
　前記要件（Ｈ）における絶対値は、より好ましくは１０ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以下、特に好ましくは２ｎｍ以下である。該絶対値は、低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０ｎｍである。
　要件（Ｊ）を満たすことにより、人間の目に見えない、または見えにくい近赤外線を十分にカットしながらも、人間の目に見える赤色付近の色の透過率を高く保つことが可能となり、赤色付近の色の感度が良くなり、より良好な画像を得ることができる。
　前記要件（Ｊ）における絶対値は、より好ましくは６０ｎｍ以下、さらに好ましくは５５ｎｍ以下、特に好ましくは４５ｎｍ以下である。該絶対値の下限は特に制限されないが、例えば、１ｎｍである。
　本フィルターは、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等で得られる画像における青色付近の色の面内分布により優れる等の点から、下記要件（Ｋ）を満たすことが好ましい。
　要件（Ｋ）：波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ０（ＵＶ）を有し、波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ３０（ＵＶ）を有し、かつ前記波長の差の絶対値｜λ０（ＵＶ）－λ３０（ＵＶ）｜が５ｎｍ以下である
　前記要件（Ｋ）における差の絶対値は、より好ましくは４ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以下である。前記絶対値は特に制限されないが、例えば、下限は０ｎｍである。
　また、青色付近の色の透過率が向上し、青色付近の色の色再現性が向上する等の点から、より好ましくは４００～４２５ｎｍの波長領域、さらに好ましくは４００～４２１ｎｍの波長領域に前記波長λ０（ＵＶ）を有することが望ましく、より好ましくは３９０～４２５ｎｍの波長領域、さらに好ましくは３９０～４２３ｎｍの波長領域に前記波長λ３０（ＵＶ）を有することが望ましい。
　本フィルターは、下記要件（Ｌ）を満たすことが好ましい。
　要件（Ｌ）：波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ０（ＵＶ）を有し、波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ３０（ＵＶ）を有し、かつ前記波長の差λ３０（ＵＶ）－λ０（ＵＶ）が０ｎｍを超える
　要件（Ｌ）を満たすことにより、垂直方向よりも高入射角で入射した光の方が、青色付近の同じ波長における透過率が低下する。誘電体多層膜を有する光学フィルターでは、垂直方向よりも高入射角ほど緑色、赤色ともに透過率が下がる傾向にあり、透過した光の色味としては変化が少なくなるため、高入射角で光が入射しても、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等で得られる画像における色味の面内分布が少ない、より良好な画像を得ることができる。
　λ３０（ＵＶ）－λ０（ＵＶ）は、より好ましくは１ｎｍ超であり、特に好ましくは２ｎｍ以上であり、より好ましくは２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、特に好ましくは２ｎｍ以上５ｎｍ以下である。
　λ３０（ＵＶ）－λ０（ＵＶ）が前記範囲にあると、青色付近の同じ波長における過度な透過率低下を抑制することができる。
　本フィルターは、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等で得られる画像における緑色付近の色の面内分布により優れる等の点から、以下の要件（Ｍ）を満たすことが好ましい。
　要件（Ｍ）：波長４８５～５６０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値Ｔ０と、波長４８５～５６０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値Ｔ３０が下記式（３）を満たす
　０．９５≦Ｔ０／Ｔ３０≦１．０５　　　（３）
　要件（Ｍ）を満たすことにより、光学フィルターに垂直方向で入射された光と、３０°の角度で入射された光の緑色付近の色の透過率差が少なくなり、本フィルターを近赤外線に感度を有する固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、得られる画像の緑色付近の色の面内分布がより良好な画像が得られる。
　青色の透過率低下と整合し、色味変化がより抑えられる等の点から、Ｔ０／Ｔ３０は、より好ましくは０．９６≦Ｔ０／Ｔ３０≦１．０４、さらに好ましくは０．９７≦Ｔ０／Ｔ３０≦１．０３、特に好ましくは０．９９≦Ｔ０／Ｔ３０≦１．０３、最も好ましくは１．００＜Ｔ０／Ｔ３０≦１．０３を満たす。
　本フィルターの厚みは、好ましくは０．２ｍｍ以下、より好ましくは０．１２ｍｍ以下、さらに好ましくは０．１１６ｍｍ以下、特に好ましくは０．０１ｍｍ以上０．０８ｍｍ以下である。
　本フィルターの厚みが前記範囲にあると、該フィルターを用いた固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等を薄くすることができ、より小型化が可能となる。本フィルターの厚みが０．０１ｍｍ未満の場合、誘電体多層膜の応力による反りが増大しやすく、取扱いが困難となる傾向にある。
＜基板＞
　前記基板は、本発明の効果を損なわない限り、材質、形状等は特に制限されないが、例えば、透明無機材、樹脂などからなる基板、好ましくは板状体を挙げることができる。基板は、図１（Ａ）または（Ｂ）のように単層であっても、図１（Ｃ）または（Ｄ）のように多層であってもよいが、赤外線吸収剤等の添加剤を含む層を有することが好ましい。
　前記基板の具体例としては、赤外線吸収剤を含まない、１層の透明無機材や樹脂などからなる基板（以下「支持基板」ともいう。）；赤外線吸収剤を含む、１層の透明無機材や樹脂などからなる基板（以下「吸収板」ともいう。）；少なくとも１層の、赤外線吸収剤を含まない樹脂などからなる層（以下「樹脂層」ともいう。）と、少なくとも１層の支持基板との積層体（以下「積層体１」ともいう。）；少なくとも１層の、赤外線吸収剤を含む樹脂などからなる層（以下「吸収層」ともいう。）と、少なくとも１層の支持基板との積層体（以下「積層体２」ともいう。）；少なくとも１層の吸収層と、少なくとも１層の樹脂層との積層体（以下「積層体３」ともいう。）；少なくとも１層の樹脂層と、少なくとも１層の吸収層と、少なくとも１層の支持基板との積層体（以下「積層体４」ともいう。）が挙げられ、これらの中でも、吸収板および積層体２～４が好ましい。
　なお、前記吸収板と前記吸収層とは同様の板（層）であってもよい。また、前記支持基板が樹脂製である場合、該支持基板と前記樹脂層とは同様の板（層）であってもよい。
　前記基板の厚みは特に制限されず、所望の用途に応じて適宜選択すればよいが、好ましくは０．０１～０．２ｍｍ、より好ましくは０．０１～０．１２ｍｍ、特に好ましくは０．０１５～０．１１ｍｍである。
　基板の厚みが前記範囲にあると、取り扱い容易性に優れる光学フィルターが得られ、得られたフィルターを用いた固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等を薄くすることができ、より小型化が可能となる。
〈透明無機材〉
　前記透明無機材としては特に限定されないが、例えば、石英、ホウケイ酸塩系ガラス、ケイ酸塩系ガラス、化学強化ガラス、物理強化ガラス、ソーダガラス、リン酸塩系ガラス、フツリン酸塩系ガラス、アルミナガラス、サファイアガラスが挙げられる。
〈樹脂〉
　前記樹脂としては、本発明の効果を損なわない限り特に制限されないが、例えば、熱安定性および板状体への成形性等を確保し、かつ、１００℃以上の蒸着温度で行う高温蒸着により誘電体多層膜を形成しうる基板とするため、ガラス転移温度（Ｔｇ）が、好ましくは１１０～３８０℃、より好ましくは１１０～３７０℃、さらに好ましくは１２０～３６０℃である樹脂が挙げられる。また、前記樹脂のガラス転移温度が１４０℃以上であると、樹脂に化合物を高濃度に添加することでガラス転移温度が低下した場合においても、誘電体多層膜を高温で蒸着形成し得る基板となるため、特に好ましい。
　樹脂としては、当該樹脂からなる厚さ０．０５ｍｍの樹脂板を形成した場合に、この樹脂板の全光線透過率（ＪＩＳ　Ｋ７１０５）が、好ましくは７５～９５％、さらに好ましくは７８～９５％、特に好ましくは８０～９５％となる樹脂を用いることができる。全光線透過率がこのような範囲となる樹脂を用いると、得られる基板は光学フィルムとして良好な透明性を示す。
　樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常１５，０００～３５０，０００、好ましくは３０，０００～２５０，０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は、通常１０，０００～１５０，０００、好ましくは２０，０００～１００，０００である。
　樹脂としては、例えば、環状（ポリ）オレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド（アラミド）系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、マレイミド系樹脂、脂環エポキシ熱硬化型樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリアリレート系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂、ビニル系紫外線硬化型樹脂およびゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂を挙げることができる。これらの内、環状（ポリ）オレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアリレート系樹脂を用いることが、透明性（光学特性）、耐熱性、耐リフロー性等のバランスにより優れる光学フィルターが得られる等の点で好ましい。
　樹脂は、１種単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
［環状（ポリ）オレフィン系樹脂］
　環状（ポリ）オレフィン系樹脂としては、下記式（Ｘ0）で表される単量体および下記式（Ｙ0）で表される単量体からなる群より選ばれる少なくとも１種の単量体を用いて得られる樹脂、および、当該樹脂を水素添加することで得られる樹脂が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　式（Ｘ0）中、Ｒx1～Ｒx4はそれぞれ独立に、下記（ｉ'）～（ｉｘ'）より選ばれる原子または基を表し、ｋx、ｍxおよびｐxはそれぞれ独立に、０～４の整数を表す。
（ｉ'）水素原子
（ｉｉ'）ハロゲン原子
（ｉｉｉ'）トリアルキルシリル基
（ｉｖ'）酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはケイ素原子を含む連結基を有する、置換または非置換の炭素数１～３０の炭化水素基
（ｖ'）置換または非置換の炭素数１～３０の炭化水素基
（ｖｉ'）極性基（但し、（ｉｉ'）および（ｉｖ'）を除く。）
（ｖｉｉ'）Ｒx1とＲx2またはＲx3とＲx4とが、相互に結合して形成されたアルキリデン基（但し、前記結合に関与しないＲx1～Ｒx4は、それぞれ独立に前記（ｉ'）～（ｖｉ'）より選ばれる原子または基を表す。）
（ｖｉｉｉ'）Ｒx1とＲx2またはＲx3とＲx4とが、相互に結合して形成された単環もしくは多環の炭化水素環または複素環（但し、前記結合に関与しないＲx1～Ｒx4は、それぞれ独立に前記（ｉ'）～（ｖｉ'）より選ばれる原子または基を表す。）
（ｉｘ'）Ｒx2とＲx3とが、相互に結合して形成された単環の炭化水素環または複素環（但し、前記結合に関与しないＲx1とＲx4は、それぞれ独立に前記（ｉ'）～（ｖｉ'）より選ばれる原子または基を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　式（Ｙ0）中、Ｒy1およびＲy2はそれぞれ独立に、前記（ｉ'）～（ｖｉ'）より選ばれる原子または基を表すか、Ｒy1とＲy2とが、相互に結合して形成された単環もしくは多環の脂環式炭化水素、芳香族炭化水素または複素環を表し、ｋyおよびｐyはそれぞれ独立に、０～４の整数を表す。
［芳香族ポリエーテル系樹脂］
　芳香族ポリエーテル系樹脂は、下記式（１）で表される構造単位および下記式（２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位を有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （式（１）中、Ｒ1～Ｒ4はそれぞれ独立に、炭素数１～１２の１価の有機基を示し、ａ～ｄはそれぞれ独立に、０～４の整数を示す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （式（２）中、Ｒ1～Ｒ4およびａ～ｄはそれぞれ独立に、前記式（１）中のＲ1～Ｒ4およびａ～ｄと同義であり、Ｙは、単結合、－ＳＯ2－または－ＣＯ－を示し、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１～１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈはそれぞれ独立に、０～４の整数を示し、ｍは０または１を示す。但し、ｍが０のとき、Ｒ7はシアノ基ではない。）
　また、前記芳香族ポリエーテル系樹脂は、さらに下記式（３）で表される構造単位および下記式（４）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位を有していてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 （式（３）中、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立に、炭素数１～１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ2－、－ＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＣＯＯ－または炭素数１～１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆはそれぞれ独立に、０～４の整数を示し、ｎは０または１を示す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 （式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈはそれぞれ独立に、前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆはそれぞれ独立に、前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。）
［ポリカーボネート系樹脂］
　ポリカーボネート系樹脂としては特に制限されず、例えば、特開２００８－１６３１９４号公報に記載されている方法で合成することができる。
［ポリエステル系樹脂］
　ポリエステル系樹脂としては特に制限されず、例えば、特開２０１０－２８５５０５号公報や特開２０１１－１９７４５０号公報に記載されている方法で合成することができる。
［ポリイミド系樹脂］
　ポリイミド系樹脂としては特に制限されず、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子化合物であればよく、例えば、特開２００６－１９９９４５号公報や特開２００８－１６３１０７号公報に記載されている方法で合成することができる。
［フッ素化芳香族ポリマー系樹脂］
　フッ素化芳香族ポリマー系樹脂としては特に制限されないが、フッ素原子を少なくとも１つ有する芳香族環と、エーテル結合、ケトン結合、スルホン結合、アミド結合、イミド結合およびエステル結合からなる群より選ばれる少なくとも１つの結合を含む繰り返し単位とを含有するポリマーであることが好ましく、例えば特開２００８－１８１１２１号公報に記載されている方法で合成することができる。
［アクリル系紫外線硬化型樹脂］
　アクリル系紫外線硬化型樹脂としては特に制限されないが、分子内に一つ以上のアクリル基もしくはメタクリル基を有する化合物と、紫外線によって分解して活性ラジカルを発生させる化合物を含有する樹脂組成物から合成されるものを挙げることができる。アクリル系紫外線硬化型樹脂は、前記樹脂層や吸収層として、硬化性樹脂を用いる場合、該硬化性樹脂として特に好適に使用することができる。
［ゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂］
　ゾルゲル法によるシリカを主成分とする樹脂としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメトキシジエトキシラン、メトキシトリエトキシシランなどのテトラアルコキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどのフェニルアルコキシシラン等から選ばれる１種以上のシラン類の加水分解によるゾルゲル反応により得られる化合物を樹脂として使用することができる。
［市販品］
　前記樹脂としては、以下の市販品等を用いることができる。
　環状（ポリ）オレフィン系樹脂の市販品としては、例えば、ＪＳＲ（株）製ＡＲＴＯＮ、日本ゼオン（株）製ＺＥＯＮＯＲ、三井化学（株）製ＡＰＥＬ、ポリプラスチックス（株）製ＴＯＰＡＳが挙げられる。ポリエーテルサルホン系樹脂の市販品としては、例えば、住友化学（株）製スミカエクセルＰＥＳが挙げられる。ポリイミド系樹脂の市販品としては、例えば、三菱ガス化学（株）製ネオプリムＬが挙げられる。ポリカーボネート系樹脂の市販品としては、例えば、帝人（株）製ピュアエース、三菱ガス化学（株）製ユピゼータＥＰ－５０００が挙げられる。ポリエステル系樹脂の市販品としては、例えば、大阪ガスケミカル（株）製ＯＫＰ４ＨＴが挙げられる。アクリル系樹脂の市販品としては、例えば、（株）日本触媒製アクリビュアが挙げられる。シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂の市販品としては、例えば、新日鐵化学（株）製シルプラスが挙げられる。
〈基板の製造方法〉
　前記樹脂製の支持基板、吸収板、樹脂層および吸収層（以下これらを併せて「樹脂板」ともいう。）は、例えば、溶融成形またはキャスト成形により形成することができる。さらに、必要により、これらを成形後に、反射防止剤、ハードコート剤および／または帯電防止剤等のコーティング剤をコーティングすることで、樹脂層（オーバーコート層）が積層された基板を製造することができる。
　前記基板が、積層体２である場合、例えば、支持基板に赤外線吸収剤を含む樹脂溶液を溶融成形またはキャスト成形することで、好ましくはスピンコート、スリットコート、インクジェットなどの方法にて塗工した後に溶媒を乾燥除去し、必要に応じてさらに光照射や加熱を行うことで、支持基板上に吸収層が形成された基板（積層体２）を製造することができる。
［溶融成形］
　前記溶融成形としては、具体的には、樹脂と添加剤とを溶融混練りして得られたペレットを溶融成形する方法；樹脂と添加剤とを含有する樹脂組成物を溶融成形する方法；または、添加剤、樹脂および溶剤を含む樹脂組成物から溶剤を除去して得られたペレットを溶融成形する方法などが挙げられる。溶融成形方法としては、射出成形、溶融押出成形またはブロー成形などを挙げることができる。
［キャスト成形］
　前記キャスト成形としては、添加剤、樹脂および溶剤を含む樹脂組成物を適当な支持体の上にキャスティングして溶剤を除去する方法；または添加剤と、光硬化性樹脂および／または熱硬化性樹脂とを含む硬化性組成物を適当な支持体の上にキャスティングして溶媒を除去した後、紫外線照射や加熱などの適切な手法により硬化させる方法などが挙げられる。
　前記基板が、樹脂製の支持基板や吸収板である場合には、該基板は、キャスト成形後、支持体から塗膜を剥離することにより得ることができ、また、前記基板が、積層体１や２である場合には、該基板は、例えば、キャスト成形後、塗膜を剥離しないことで得ることができる。つまりこの場合、前記支持体は支持基板となる。
　前記支持体としては、例えば、透明無機材、スチールベルト、スチールドラムおよび樹脂（例えば、ポリエステルフィルム、環状オレフィン系樹脂フィルム）製支持体が挙げられる。
　さらに、透明無機材または樹脂等の光学部品に、前記樹脂組成物をコーティングして溶剤を乾燥させる方法、または、前記硬化性組成物をコーティングして硬化および乾燥させる方法などにより、光学部品上に樹脂層や吸収層を形成することもできる。
　前記方法で得られた樹脂板中の残留溶剤量は可能な限り少ない方がよい。具体的には、前記残留溶剤量は、樹脂板１００質量％に対して、好ましくは３質量％以下、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下である。残留溶剤量が前記範囲にあると、変形や特性が変化しにくい、所望の機能を容易に発揮できる樹脂板を容易に得ることができる。
［添加剤］
　前記基板は、本発明の効果を損なわない範囲において、酸化防止剤、蛍光消光剤、吸収剤（例：赤外線吸収剤、紫外線吸収剤）等の添加剤を含有してもよい。これらその他成分は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
　前記添加剤は、前記吸収層や吸収板を製造する際に、樹脂などとともに混合してもよいし、樹脂を合成する際に添加してもよい。
　前記添加剤の添加量は、所望の特性に応じて適宜選択すればよいが、前記樹脂１００質量部に対して、通常０．０００１～５０質量部、好ましくは０．０００３～４０質量部である。
〈酸化防止剤〉
　前記酸化防止剤としては、例えば、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，２'－ジオキシ－３，３'－ジ－ｔ－ブチル－５，５'－ジメチルジフェニルメタン、テトラキス［メチレン－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、トリス（２，４－ジ－ｔ－ブチルフェニル）ホスファイトが挙げられる。
〈赤外線吸収剤〉
　前記赤外線吸収剤としては、例えば、スクアリリウム系化合物、クロコニウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポリメチン系化合物、シアニン系化合物、テトラアザポルフィリン系化合物、ジイモニウム系化合物、ポルフィリン系化合物、トリアリールメタン系化合物、サブフタロシアニン系化合物、ペリレン系化合物、セミスクアリリウム系化合物、スチリル系化合物、フェナジン系化合物、ピリドメテン－ホウ素錯体系化合物、ピラジン－ホウ素錯体系化合物、ピリドンアゾ系化合物、キサンテン系化合物、ジピロメテン系化合物、環拡張ジピロメテン系化合物、ピロロピロール系化合物、ヘテロ環共役系化合物、ヘキサフィリン系化合物、金属ジチオラート系化合物、環拡張ＢＯＤＩＰＹ（ボロンジピロメテン）系化合物、イッテルビウム錯体系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、スクアリリウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ポリメチン系化合物、シアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ピロロピロール系化合物、ジイモニウム系化合物、クロコニウム系化合物、ヘキサフィリン系化合物、金属ジチオラート系化合物、環拡張ＢＯＤＩＰＹ（ボロンジピロメテン）系化合物、ペリレン系化合物、ヘテロ環共役系化合物、イッテルビウム錯体系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種であることがより好ましい。
　前記赤外線吸収剤は、好ましくは６７０～９５０ｎｍ、より好ましくは６８０～９００ｎｍ、さらに好ましくは６８５～８００ｎｍ、特に好ましくは６８５～７６５ｎｍの範囲に吸収極大波長を有することが望ましい。
　前記範囲に吸収極大波長を有する赤外線吸収剤を含有する吸収層や吸収板を含むことで、赤色付近の色の入射角依存性が改良され、視感度補正により優れる光学フィルターを容易に得ることができる。
　前記吸収極大波長は、赤外線吸収剤をジクロロメタン中に溶解させた溶液を用いて測定することができる。
　前記赤外線吸収剤の含有量は、前記基板として、吸収板を用いる場合、樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０００１～２０．０質量部、より好ましくは０．０００２～１５質量部、特に好ましくは０．０００３～１０質量部であり、前記基板として、吸収層を含む基板を用いる場合、具体的には、積層体２～４を用いる場合には、該吸収層に含まれる樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０００１～５０質量部、より好ましくは０．０００５～４０質量部、特に好ましくは０．００１～３０質量部である。
　赤外線吸収剤の含有量が前記範囲にあると、良好な赤外線吸収特性を有する基板を容易に得ることができる。
［スクアリリウム系化合物］
　前記スクアリリウム系化合物としては特に制限されないが、吸収極大波長を前記範囲に有する化合物が好ましい。このようなスクアリリウム系化合物としては、例えば、下記式（Ｚ）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　式（Ｚ）中、ユニットＡおよびＢはそれぞれ独立に、下記式（Ｉ）～（ＩＶ）で表されるユニットのいずれかを表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　式（Ｉ）～（ＩＶ）中、波線で表した部分は前記式（Ｚ）の中央の四員環との結合部位を表し、
　Ｘ、Ｘ1およびＸ2はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子または－ＮＲ8－、－Ｃ（Ｒ8）2－を表し、
　Ｒ1～Ｒ7はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＮＲgＲh基、－ＳＲi基、－ＳＯ2Ｒi基、－ＯＳＯ2Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかを表し、Ｒ8は独立に、水素原子またはＬa～Ｌhのいずれかを表し、ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌeのいずれかを表し、Ｒiは、下記Ｌa～Ｌeのいずれかを表し、
（Ｌa）炭素数１～１２の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）炭素数１～１２のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）炭素数３～１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）炭素数６～１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）炭素数３～１４の複素環基
（Ｌf）炭素数１～１２のアルコキシ基
（Ｌg）置換基Ｌを有してもよい炭素数１～１２のアシル基
（Ｌh）置換基Ｌを有してもよい炭素数２～１２のアルコキシカルボニル基
　置換基Ｌは、前記Ｌa～Ｌeより選ばれる少なくとも１種である。
　前記Ｒ1としては、好ましくは、水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基、ニトロ基であり、より好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、水酸基である。
　前記Ｒ2～Ｒ7としてはそれぞれ独立に、好ましくは、水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、Ｎ－メチルアセチルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、ｔｅｒｔ－ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基、ｎ－ブチルスルホニル基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ－プロピルチオ基、ｎ－ブチルチオ基であり、より好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、水酸基、ジメチルアミノ基、メトキシ基、エトキシ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、ｔｅｒｔ－ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基、メチルチオ基、エチルチオ基である。
　前記Ｒ8としては独立に、好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロヘキシル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、フェニル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－デシル基である。
　前記Ｒ2～Ｒ7は、１つのベンゼン環上の２つまたは３つのＲが結合して、新たな構成原子数５以上の脂環基または芳香環を形成してもよく、該脂環基または芳香環は、前記置換基Ｌを有してもよい。また、前記Ｒ2～Ｒ7は、１つのベンゼン環上の２つまたは３つのＲが結合して、新たな、酸素原子、窒素原子または硫黄原子を少なくとも１つ含む構成原子数５以上の複素環を形成してもよく、該複素環は、前記置換基Ｌを有してもよい。
　前記Ｘ、Ｘ1およびＸ2としてはそれぞれ独立に、好ましくは、酸素原子、硫黄原子、－ＮＲ8－、－Ｃ（Ｒ8）2－であり、式（Ｉ）のＸとしては、特に好ましくは、酸素原子、硫黄原子であり、式（ＩＩ）のＸとしては、特に好ましくは、－ＮＲ8－である。
　スクアリリウム系化合物は、下記式（Ｚ１）のように表すことができるし、下記式（Ｚ２）のような共鳴構造として表すこともできる。つまり、下記式（Ｚ１）と下記式（Ｚ２）との違いは構造の記載方法のみであり、どちらも同一の化合物を表す。本明細書中では特に断りのない限り、下記式（Ｚ１）のような記載方法にてスクアリリウム系化合物の構造を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　さらに、例えば、下記式（Ｚ１）で表される化合物と下記式（Ｚ３）で表される化合物は、同一の化合物であると見なすことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　式（Ｚ）で表される化合物において、中央の四員環に結合している左右のユニットは、それぞれ式（Ｉ）～（ＩＶ）で表される構造であれば同一であっても異なっていてもよいが、ユニット中の置換基も含めて同一であった方が合成上容易であるため好ましい。
　例えば、式（Ｚ）で表される化合物としては、下記式（Ｚ－Ａ）～式（Ｚ－Ｊ）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　式（Ｚ－Ａ）～（Ｚ－Ｂ）中の各符号は、それぞれ、式（Ｉ）～（ＩＩ）中の符号に対応する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　式（Ｚ－Ｃ）～（Ｚ－Ｆ）中の各符号は、それぞれ、式（ＩＩＩ）中の符号に対応する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　式（Ｚ－Ｇ）～（Ｚ－Ｈ）中の各符号は、それぞれ、式（ＩＩＩ）中の符号に対応する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　式（Ｚ－Ｉ）～（Ｚ－Ｊ）中の各符号は、それぞれ、式（ＩＶ）中の符号に対応する。
　式（Ｚ）で表される化合物の具体例としては、例えば、下記表１～５に記載の化合物（ｚ－１）～（ｚ－９４）を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000020
［フタロシアニン系化合物］
　前記フタロシアニン系化合物としては特に制限されないが、吸収極大波長を前記範囲に有する化合物が好ましい。このようなフタロシアニン系化合物としては、例えば、下記式（Ｖ）で表される化合物（以下「化合物（Ｖ）」ともいう。）が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　式（Ｖ）中、Ｍは、２個の水素原子、２個の１価の金属原子、２価の金属原子、または３価もしくは４価の金属原子を含む置換金属原子を表し、
　複数あるＲa、Ｒb、ＲcおよびＲdはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｌ1、－Ｓ－Ｌ2、－ＳＳ－Ｌ2、－ＳＯ2－Ｌ3、－Ｎ＝Ｎ－Ｌ4、または、ＲaとＲb、ＲbとＲcおよびＲcとＲdのうち少なくとも１つの組み合わせが結合した、下記式（Ａ）～（Ｈ）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を表し、同じ芳香環に結合したＲa、Ｒb、ＲcおよびＲdのうち少なくとも１つが水素原子ではない。
　前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、前記置換基Ｌを有してもよく、
　Ｌ2は、水素原子または下記Ｌa'～Ｌe'のいずれかを表し、
　Ｌ3は、水酸基または下記Ｌa'～Ｌe'のいずれかを表し、
　Ｌ4は、下記Ｌa'～Ｌe'のいずれかを表し、
　Ｌ1は、
（Ｌa'）置換基Ｌ''を有してもよい炭素数１～９の脂肪族炭化水素基、
（Ｌb'）置換基Ｌ''を有してもよい炭素数１～９のハロゲン置換アルキル基、
（Ｌc'）置換基Ｌ''を有してもよい炭素数３～１４の脂環式炭化水素基、
（Ｌd'）置換基Ｌ''を有してもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、
（Ｌe'）置換基Ｌ''を有してもよい炭素数３～１４の複素環基、
（Ｌf'）置換基Ｌ''を有してもよい炭素数１～９のアルコキシ基、
（Ｌg'）置換基Ｌ''を有してもよい炭素数１～９のアシル基、または
（Ｌh'）置換基Ｌ''を有してもよい炭素数２～９のアルコキシカルボニル基
を表し、置換基Ｌ''は、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、アミノ基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基、炭素数１～９のハロゲン置換アルキル基、炭素数３～１４の脂環式炭化水素基、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基および炭素数３～１４の複素環基からなる群より選ばれる少なくとも１種である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　式（Ａ）～（Ｈ）中、ＲxおよびＲyは、炭素原子であり、
　複数あるＲA～ＲLはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｌ1、－Ｓ－Ｌ2、－ＳＳ－Ｌ2、－ＳＯ2－Ｌ3、－Ｎ＝Ｎ－Ｌ4を表し、
　前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、前記置換基Ｌを有してもよく、Ｌ1～Ｌ4は前記式（Ｖ）において定義したＬ1～Ｌ4と同義である。
　前記Ｒa～ＲdおよびＲA～ＲLにおいて、置換基Ｌを有してもよいアミノ基としては、例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基が挙げられる。
　前記Ｒa～ＲdおよびＲA～ＲLにおいて、置換基Ｌを有してもよいアミド基としては、例えば、アミド基、メチルアミド基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジプロピルアミド基、ジイソプロピルアミド基、ジブチルアミド基、α－ラクタム基、β－ラクタム基、γ－ラクタム基、δ－ラクタム基が挙げられる。
　前記Ｒa～ＲdおよびＲA～ＲLにおいて、置換基Ｌを有してもよいイミド基としては、例えば、イミド基、メチルイミド基、エチルイミド基、ジエチルイミド基、ジプロピルイミド基、ジイソプロピルイミド基、ジブチルイミド基が挙げられる。
　前記Ｒa～ＲdおよびＲA～ＲLにおいて、置換基Ｌを有してもよいシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリエチルシリル基が挙げられる。
　前記Ｒa～ＲdおよびＲA～ＲLにおいて、－Ｓ－Ｌ2としては、例えば、チオール基、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、イソブチルスルフィド基、ｓｅｃ－ブチルスルフィド基、ｔｅｒｔ－ブチルスルフィド基、フェニルスルフィド基、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルスルフィド基、２，６－ジフェニルフェニルスルフィド基、４－クミルフェニルスルフィド基が挙げられる。
　前記Ｒa～ＲdおよびＲA～ＲLにおいて、－ＳＳ－Ｌ2としては、例えば、ジスルフィド基、メチルジスルフィド基、エチルジスルフィド基、プロピルジスルフィド基、ブチルジスルフィド基、イソブチルジスルフィド基、ｓｅｃ－ブチルジスルフィド基、ｔｅｒｔ－ブチルジスルフィド基、フェニルジスルフィド基、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルジスルフィド基、２，６－ジフェニルフェニルジスルフィド基、４－クミルフェニルジスルフィド基が挙げられる。
　前記Ｒa～ＲdおよびＲA～ＲLにおいて、－ＳＯ2－Ｌ3としては、例えば、スルホ基、メシル基、エチルスルホニル基、ｎ－ブチルスルホニル基、ｐ－トルエンスルホニル基が挙げられる。
　前記Ｒa～ＲdおよびＲA～ＲLにおいて、－Ｎ＝Ｎ－Ｌ4としては、例えば、メチルアゾ基、フェニルアゾ基、ｐ－メチルフェニルアゾ基、ｐ－ジメチルアミノフェニルアゾ基が挙げられる。
　前記Ｍにおいて、１価の金属原子としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられる。
　前記Ｍにおいて、２価の金属原子としては、例えば、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｐｂが挙げられる。
　前記Ｍにおいて、３価の金属原子を含む置換金属原子としては、例えば、Ａｌ－Ｆ、Ａｌ－Ｃｌ、Ａｌ－Ｂｒ、Ａｌ－Ｉ、Ｇａ－Ｆ、Ｇａ－Ｃｌ、Ｇａ－Ｂｒ、Ｇａ－Ｉ、Ｉｎ－Ｆ、Ｉｎ－Ｃｌ、Ｉｎ－Ｂｒ、Ｉｎ－Ｉ、Ｔｌ－Ｆ、Ｔｌ－Ｃｌ、Ｔｌ－Ｂｒ、Ｔｌ－Ｉ、Ｆｅ－Ｃｌ、Ｒｕ－Ｃｌ、Ｍｎ－ＯＨが挙げられる。
　前記Ｍにおいて、４価の金属原子を含む置換金属原子としては、例えば、ＴｉＦ2、ＴｉＣｌ2、ＴｉＢｒ2、ＴｉＩ2、ＺｒＣｌ2、ＨｆＣｌ2、ＣｒＣｌ2、ＳｉＦ2、ＳｉＣｌ2、ＳｉＢｒ2、ＳｉＩ2、ＧｅＦ2、ＧｅＣｌ2、ＧｅＢｒ2、ＧｅＩ2、ＳｎＦ2、ＳｎＣｌ2、ＳｎＢｒ2、ＳｎＩ2、Ｚｒ（ＯＨ）2、Ｈｆ（ＯＨ）2、Ｍｎ（ＯＨ）2、Ｓｉ（ＯＨ）2、Ｇｅ（ＯＨ）2、Ｓｎ（ＯＨ）2、ＴｉＲ2、ＣｒＲ2、ＳｉＲ2、ＧｅＲ2、ＳｎＲ2、Ｔｉ（ＯＲ）2、Ｃｒ（ＯＲ）2、Ｓｉ（ＯＲ）2、Ｇｅ（ＯＲ）2、Ｓｎ（ＯＲ）2（Ｒは脂肪族基または芳香族基を表す。）、ＴｉＯ、ＶＯ、ＭｎＯが挙げられる
　前記Ｍとしては、周期表５族～１１族、かつ、第４周期～第５周期に属する、２価の遷移金属、３価もしくは４価の金属ハロゲン化物または４価の金属酸化物であることが好ましく、その中でも、高い可視光透過率や安定性を達成することができることから、Ｃｕ、Ｎｉ、ＣｏおよびＶＯが特に好ましい。
　前記フタロシアニン系化合物は、下記式（ＶＩ）のようなフタロニトリル誘導体の環化反応により合成する方法が一般的に知られているが、得られるフタロシアニン系化合物は下記式（ＶＩＩ－１）～（ＶＩＩ－４）のような４種の異性体の混合物となっている。本明細書では、特に断りのない限り、１種のフタロシアニン系化合物につき１種の異性体のみを例示しているが、他の３種の異性体についても同様に用いることができる。なお、これらの異性体は必要に応じて分離して用いることも可能であるが、本明細書では異性体混合物を一括して取り扱っている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
　前記化合物（Ｖ）の具体例としては、下記式（Ｖ－Ａ）～（Ｖ－Ｊ）で表される基本骨格を有する、下記表６～９に記載の（ｖ－１）～（ｖ－６２）が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000029
［ポリメチン系化合物］
　前記ポリメチン系化合物としては特に制限されないが、吸収極大波長を前記範囲に有する化合物が好ましい。このようなポリメチン系化合物としては、例えば、下記式（Ｓ－ａ）～（Ｓ－ｃ）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
　前記Ａ-は１価の陰イオンを表す。該１価の陰イオンとしては特に限定されないが、例えば、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＰＦ6 -、ＣｌＯ4 -、ＮＯ3 -、ＢＦ4 -、ＳＣＮ-、ＣＨ3ＣＯＯ-、ＣＨ3ＣＨ2ＣＯＯ-、メチルスルホン酸イオン、テトラフルオロメチルスルホン酸イオン、ナフタレンスルホン酸イオン、アントラセンスルホン酸イオン、Ｎ（ＳＯ2ＣＦ3）2 -、Ｂ（Ｃ6Ｆ5）4 -、Ｃ6Ｈ5ＳＯ3 -、トルエンスルホン酸イオン、ＣＦ3ＣＯＯ-、ＣＦ3ＣＦ2ＣＯＯ-、ニッケルジチオラート系錯体イオン、銅ジチオラート系錯体イオンが挙げられる。
　前記複数あるＤはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表す。
　複数あるＲa～Ｒiはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｌ1、－Ｓ－Ｌ2、－ＳＳ－Ｌ2、－ＳＯ2－Ｌ3、－ＮＲgＲh基（ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、下記Ｌ2または－Ｃ（Ｏ）Ｒi基を表し、Ｒiは、下記Ｌ2を表す。）、－Ｎ＝Ｎ－Ｌ4、または、ＲbとＲc、ＲdとＲe、ＲeとＲf、ＲfとＲg、ＲgとＲhおよびＲhとＲiのうち少なくとも１つの組み合わせが結合した、下記式（ａ）～（ｈ）で表される基から選ばれる基を表す。
　なお、前記式（Ｓ－ａ）～（Ｓ－ｃ）中のＤ－（Ｒb）（Ｒc）は、便宜的にこのように記載しているのであり、必ずしもＤにＲbおよびＲcが結合しているわけではない。例えば、Ｄが窒素原子の場合、ＲbおよびＲcの一方は存在せず、Ｄが酸素原子場合、ＲbおよびＲcは両方とも存在せず、Ｄが硫黄原子場合、ＲbおよびＲcは両方とも存在しないか、または、ＲbおよびＲcの合計が４個となる。
　前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、炭素数１～１２の脂肪族炭化水素基、炭素数１～１２のハロゲン置換アルキル基、炭素数３～１４の脂環式炭化水素基、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、炭素数３～１４の複素環基、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基およびアミノ基からなる群より選ばれる少なくとも１種の置換基Ｌ'を有してもよい。
　前記Ｌ1は、下記Ｌa～Ｌiのいずれかである。
（Ｌa）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１～１２の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１～１２のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数３～１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数３～１４の複素環基
（Ｌf）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１～９のアルコキシ基
（Ｌg）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１～９のアシル基
（Ｌh）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数２～９のアルコキシカルボニル基
（Ｌi）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１～１２のスルフィド基またはジスルフィド基
　前記Ｌ2は、水素原子または前記Ｌ1におけるＬa～Ｌeのいずれかを表し、
　前記Ｌ3は、水素原子または前記Ｌ1におけるＬa～Ｌeのいずれかを表し、
　前記Ｌ4は、前記Ｌ1におけるＬa～Ｌeのいずれかを表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
　式（ａ）～（ｈ）中、ＲxおよびＲyは炭素原子を表し、
　複数あるＲA～ＲLはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｌ1、－Ｓ－Ｌ2、－ＳＳ－Ｌ2、－ＳＯ2－Ｌ3、－ＮＲgＲh基（ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、Ｌ2または－Ｃ（Ｏ）Ｒi基を表し、Ｒiは、Ｌ2を表す。）または－Ｎ＝Ｎ－Ｌ4（Ｌ1～Ｌ4は、前記Ｒa～ＲiにおけるＬ1～Ｌ4と同義である。）を表し、前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、前記置換基Ｌ'を有してもよい。
　Ｚa～ＺcおよびＹa～Ｙdはそれぞれ独立に、水素原子；ハロゲン原子；水酸基；カルボキシ基；ニトロ基；アミノ基；アミド基；イミド基；シアノ基；シリル基；－Ｌ1；－Ｓ－Ｌ2；－ＳＳ－Ｌ2；－ＳＯ2－Ｌ3；－ＮＲgＲh基（ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、Ｌ2または－Ｃ（Ｏ）Ｒi基を表し、Ｒiは、Ｌ2を表す。）；－Ｎ＝Ｎ－Ｌ4（Ｌ1～Ｌ4は、前記Ｒa～ＲiにおけるＬ1～Ｌ4と同義である。）；Ｚ同士もしくはＹ同士のうち隣接した二つが相互に結合して形成される、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基；Ｚ同士もしくはＹ同士のうち隣接した二つが相互に結合して形成される、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも１つ含んでいてもよい５～６員環の脂環式炭化水素基；または、Ｚ同士もしくはＹ同士のうち隣接した二つが相互に結合して形成される、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも１つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族炭化水素基；を表し、これらの芳香族炭化水素基、脂環式炭化水素基および複素芳香族炭化水素基は、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、前記置換基Ｌ'を有していてもよい。
　前記Ｚa～ＺcおよびＹa～Ｙdにおける、Ｚ同士もしくはＹ同士が相互に結合して形成される、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、アセナフチル基、フェナレニル基、テトラヒドロナフチル基、インダニル基、ビフェニリル基が挙げられる。
　前記Ｚa～ＺcおよびＹa～Ｙdにおける、Ｚ同士もしくはＹ同士が相互に結合して形成される、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも１つ含んでもよい５～６員環の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基およびシクロオクチル基等のシクロアルキル基；ノルボルナン基およびアダマンタン基等の多環脂環式基；テトラヒドロフラン、ピロリン、ピロリジン、イミダゾリン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリンからなる基等の複素環が挙げられる。
　前記Ｚa～ＺcおよびＹa～Ｙdにおける、Ｚ同士もしくはＹ同士が相互に結合して形成される、炭素数３～１４の複素芳香族炭化水素基としては、例えば、フラン、チオフェン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、チアジアゾール、インドール、インドリン、インドレニン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、アクリジンまたはフェナジンからなる基が挙げられる。
　前記置換基Ｌ'を有してもよいアミノ基としては、例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基が挙げられる。
　前記置換基Ｌ'を有してもよいアミド基としては、例えば、アミド基、メチルアミド基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジプロピルアミド基、プロピルトリフルオロメチルアミド基、ジイソプロピルアミド基、ジブチルアミド基、α－ラクタム基、β－ラクタム基、γ－ラクタム基、δ－ラクタム基が挙げられる。
　前記置換基Ｌ'を有してもよいイミド基としては、例えば、イミド基、メチルイミド基、エチルイミド基、ジエチルイミド基、ジプロピルイミド基、ジイソプロピルイミド基、ジブチルイミド基が挙げられる。
　前記置換基Ｌ'を有してもよいシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリエチルシリル基が挙げられる。
　前記－Ｓ－Ｌ2としては、例えば、チオール基、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、イソブチルスルフィド基、ｓｅｃ－ブチルスルフィド基、ｔｅｒｔ－ブチルスルフィド基、フェニルスルフィド基、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルスルフィド基、２，６－ジフェニルフェニルスルフィド基、４－クミルフェニルスルフィド基が挙げられる。
　前記－ＳＳ－Ｌ2としては、例えば、ジスルフィド基、メチルジスルフィド基、エチルジスルフィド基、プロピルジスルフィド基、ブチルジスルフィド基、イソブチルジスルフィド基、ｓｅｃ－ブチルジスルフィド基、ｔｅｒｔ－ブチルジスルフィド基、フェニルジスルフィド基、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルジスルフィド基、２，６－ジフェニルフェニルジスルフィド基、４－クミルフェニルジスルフィド基が挙げられる。
　前記－ＳＯ2－Ｌ3としては、例えば、スルホ基、メシル基、エチルスルホニル基、ｎ－ブチルスルホニル基、ｐ－トルエンスルホニル基が挙げられる。
　前記－Ｎ＝Ｎ－Ｌ4としては、例えば、メチルアゾ基、フェニルアゾ基、ｐ－メチルフェニルアゾ基、ｐ－ジメチルアミノフェニルアゾ基が挙げられる。
前記ポリメチン系化合物の具体例としては、前記式（Ｓ－ａ）～（Ｓ－ｃ）で表される基本骨格を有する、下記表１０に記載の（ｓ－１）～（ｓ－２４）が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000032
　例えば、表１０の化合物（ｓ－８）において、ＹbおよびＹcの欄にまたがって記載の「ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅ」は、ＹbおよびＹcが結合して、トリメチレン基を形成し、前記式（ｓ－ｂ）において、Ｚbに結合している炭素、Ｙbに結合している炭素、および、Ｙcに結合している炭素とともに、６員環を形成していることを意味する。
　表１０中の同様の記載は同様の意味を有する。
　赤外線吸収剤は、一般的に知られている方法で合成すればよく、例えば、特許第３３６６６９７号公報、特許第２８４６０９１号公報、特許第２８６４４７５号公報、特許第３７０３８６９号公報、特開昭６０－２２８４４８号公報、特開平１－１４６８４６号公報、特開平１－２２８９６０号公報、特許第４０８１１４９号公報、特開昭６３－１２４０５４号公報、「フタロシアニン－化学と機能－」（アイピーシー、１９９７年）、特開２００７－１６９３１５号公報、特開２００９－１０８２６７号公報、特開２０１０－２４１８７３号公報、特許第３６９９４６４号公報、特許第４７４０６３１号公報、国際公開第２０１３／０５４８６４号、国際公開第２０１５／０２５７７９号、国際公開第２０１７／０５１８６７号等に記載されに記載されている方法を参照して得ることができる。
〈紫外線吸収剤〉
　前記紫外線吸収剤としては、例えば、アゾメチン系化合物、インドール系化合物、トリアゾール系化合物、トリアジン系化合物、オキサゾール系化合物、メロシアニン系化合物、シアニン系化合物、ナフタルイミド系化合物、オキサジアゾール系化合物、オキサジン系化合物、オキサゾリジン系化合物、ナフタル酸系化合物、スチリル系化合物、アントラセン系化合物、環状カルボニル系化合物が挙げられる。
　前記紫外線吸収剤は、好ましくは３５０～４１０ｎｍ、より好ましくは３６０～４０５ｎｍ、さらに好ましくは３７０～４００ｎｍの範囲に吸収極大波長を有する。前記範囲に吸収極大波長を有する紫外線吸収剤を用いることで、要件（Ｋ）を満たす光学フィルターを容易に得ることができる。
　前記吸収極大波長は、紫外線吸収剤をジクロロメタン中に溶解させた溶液を用いて測定することができる。
〈吸収層〉
　前記基板は、前記吸収層を有することがより好ましい。該吸収層は、基板に１層含まれていてもよく、２層以上含まれていてもよい。２層以上含まれる場合、該吸収層は連続していてもよく、他の層を介していてもよく、例えば、前記支持基板の一方の面側のみに存在していてもよく、前記支持基板の両面に存在していてもよい。
　前記基板は、前記要件（Ｈ）および（Ｊ）を満たす光学フィルターを容易に得ることができる等の点から、好ましくは波長６７０～９５０ｎｍ、より好ましくは波長６８０～９００ｎｍ、さらに好ましくは波長６８５～８００ｎｍ、特に好ましくは６９０～７６５ｎｍに吸収極大波長を有する。
　前記基板が前記赤外線吸収剤を含有する場合、吸収極大波長が異なる二種以上の赤外線吸収剤を用いることが好ましい。これにより赤色付近の色の入射角依存性がより改良され、視感度補正により優れる光学フィルターを容易に得ることができる。
　赤外線吸収剤は消衰係数ｋの波長依存性が固有であり、可視光で高透過率を維持し、吸収作用によって優れた視感度補正を有する吸収帯域を確保するために、ジクロロメタン中に溶解させた際に、波長６８５～７１０ｎｍに吸収極大波長λ（ＤＡ＿Ｔｍｉｎ）を有する第１の赤外線吸収剤（ＤＡ）と、波長７１０～７６５ｎｍに吸収極大波長λ（ＤＢ＿Ｔｍｉｎ）を有する第２の赤外線吸収剤（ＤＢ）とを含むことがより好ましい。これにより、可視光での高い透過率を維持しつつ、視感度補正に優れる光学フィルターを容易に得ることができる。
　赤外吸収剤（ＤＡ）および赤外吸収剤（ＤＢ）は、前記赤外線吸収剤より波長が所定の範囲にある赤外線吸収剤を適宜選択すればよく、特に限定されないが、特許第３３６６６９７号公報、特許第２８４６０９１号公報、特許第２８６４４７５号公報、特許第３７０３８６９号公報、特開昭６０－２２８４４８号公報、特開平１－１４６８４６号公報、特開平１－２２８９６０号公報、特許第４０８１１４９号公報、特開昭６３－１２４０５４号公報、「フタロシアニン－化学と機能－」（アイピーシー、１９９７年）、特開２００７－１６９３１５号公報、特開２００９－１０８２６７号公報、特開２０１０－２４１８７３号公報、特許第３６９９４６４号公報、特許第４７４０６３１号公報、国際公開第２０１３／０５４８６４号、国際公開第２０１５／０２５７７９号、国際公開第２０１７／０５１８６７号等に記載されている色素を選択すればよい。
　前記基板は、下記要件（Ｎ）または（Ｏ）を満たすことが好ましく、下記要件（Ｎ）および（Ｏ）を満たすことが好ましい。
　要件（Ｎ）：基板の垂直方向から測定した場合の、波長７７０ｎｍの無偏光光線の透過率が６０％以下
　要件（Ｏ）：基板の垂直方向から測定した場合の波長７８０～８００ｎｍの無偏光光線の平均透過率が６０％以上
　要件（Ｎ）における、波長７７０ｎｍの無偏光光線の透過率は、より好ましくは５０％以下、さらに好ましくは４６％以下である。基板が前記透過率を有していると、人間の目には見えにくい７７０ｎｍの光による赤みの画像不良を低減でき、視感度補正に優れる光学フィルターを容易に得ることができる。
　要件（Ｏ）における、波長７８０～８００ｎｍの無偏光光線の平均透過率は、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは７５％以上、より好ましくは７７％以上、特に好ましくは９０％以上である。基板が前記透過率を有していると、光学フィルターが不要な近赤外線を吸収することによる、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等の温度上昇をより低減することができる。
　前記基板は、赤外線に対して吸収特性が低いことが好ましく、下記要件（Ｒ）を満たすことが好ましい。
　要件（Ｒ）：波長８２０～１６００ｎｍにおいて、基板の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が７０％以上
　基板が前記平均透過率を有していると、光学フィルターが不要な赤外線を吸収することによる、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等の温度上昇をより低減することができる。
　前記平均透過率は、より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは８５％以上、特に好ましくは８９％以上である。
　前記基板は、前記紫外線吸収剤を有し、３９０～４３０ｎｍの波長範囲において、基板の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となることが好ましい。この範囲に透過率５０％となる光学特性を有することで、青色付近の色の入射角依存性が改良され、視感度補正により優れる光学フィルターを容易に得ることができる。また、紫外線吸収剤を有することにより、要件（Ｋ）および（Ｌ）を満たす光学フィルターを容易に得ることができるため好ましい。
＜誘電体多層膜＞
　本フィルターは、図１（Ａ）のように、前記基板の一方の面に誘電体多層膜を有してもよく、図１（Ｂ）～（Ｄ）のように、複数の誘電体多層膜を有してもよい。
　誘電体多層膜としては、高屈折率材料層と中屈折率材料層と低屈折率材料層から適宜選ばれる複数種の層を積層した誘電体多層膜、連続的に屈折率を変化させた構造を有する層などが挙げられる。
　高屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が２．０以上の材料を用いることができ、通常、屈折率が２．０～３．６である材料が選択される。なお、本発明において、屈折率は５５０ｎｍにおける値を表す。
　前記高屈折率材料層を構成する材料としては、例えば、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ランタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛、チタン酸バリウム、ケイ素等を主成分とし、水素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化錫および／または酸化セリウム等を少量（例えば、主成分に対して０～１０質量％）含有させたもの；環状（ポリ）オレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド（アラミド）系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、マレイミド系樹脂、脂環エポキシ熱硬化型樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリアリレート系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂、ビニル系紫外線硬化型樹脂およびゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂等の樹脂に前記酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化インジウム、チタン酸バリウム等を分散させたものが挙げられる。
　低屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．６未満の材料を用いることができ、通常、屈折率が１．２～１．６未満である材料が選択される。このような材料としては、例えば、シリカ、フッ化ランタン、フッ化マグネシウム、六フッ化アルミニウムナトリウム；環状（ポリ）オレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド（アラミド）系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、マレイミド系樹脂、脂環エポキシ熱硬化型樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリアリレート系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂、ビニル系紫外線硬化型樹脂およびゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂等の樹脂；シリカ、アルミナ、フッ化ランタン、フッ化マグネシウムおよび／または六フッ化アルミニウムナトリウムを前記樹脂に分散させたものが挙げられる。
　中屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．６以上２．０未満の材料を用いることができる。このような材料としては、例えば、アルミナ、酸化ビスマス、酸化ユーロピウム、酸化イッテリウム、酸化イッテルビウム、酸化サマリウム、酸化インジウム、酸化マグネシウム、酸化モリブデン；これらの材料と前記高屈折率材料層の材料および／または前記低屈折率材料層の材料とを混合したもの；前記高屈折率材料層の材料と前記低屈折率材料層の材料を混合したものが挙げられる。
　前記誘電体多層膜は、１～１００ｎｍ程度の金属層および／または半導体層を有してもよい。これらの層を構成する材料としては、屈折率が０．１～５．０の材料を用いることができる。このような材料としては、金、銀、銅、亜鉛、アルミニウム、タングステン、チタン、マグネシウム、ニッケル、シリコン、水素化シリコン、ゲルマニウムが挙げられる。これら金属層および半導体層は、可視光領域の波長の消衰係数が高い傾向にあるため、これらの層を設ける場合には、厚みが１～２０ｎｍ程度の薄い層であることが好ましい。
　高屈折率材料層、中屈折率材料層および／または低屈折率材料層を積層する方法については、これらの材料層を積層した誘電体多層膜が形成される限り特に制限はない。例えば、基板上に、直接、ＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法またはイオンプレーティング法等により、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した誘電体多層膜を形成することができる。樹脂を含む層を積層する場合、前述の基板の成形方法と同様に溶融成形またはキャスト成形などにより、好ましくはスピンコート、ディップコート、スリットコート、グラビアコートなどにより形成することができる。
　前記誘電体多層膜は、各層を構成する材料種、各層の厚さ、積層の順番、ならびに積層数等を適切に選択することで、その光学特性を調整することができる。
　前記誘電体多層膜は、波長１２００～１６００ｎｍ以下の赤外線に高い反射率を有することが好ましく、下記要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たすことがより好ましい。
　要件（Ｐ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、誘電体多層膜の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が１０％以下である
　要件（Ｐ）を満たすことにより、本フィルターを固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、人間の目に見えにくい、または見えない近赤外線を遮蔽することができ、良好な画像や、距離情報等を容易に得ることができる。また、誘電体多層膜によれば、光を吸収するのではなく反射することにより遮蔽できるため、撮像装置やモジュール等の温度上昇を抑制でき、暗電流を抑制することができる。
　前記平均透過率は、好ましくは６％以下、より好ましくは２％以下である。前記平均透過率は、低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０％である。
　要件（Ｑ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、誘電体多層膜の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が１０％以下である
　要件（Ｑ）を満たすことにより、本フィルターを固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等に使用した場合、外光による撮像装置やモジュール等の温度上昇を抑制でき、暗電流を抑制することができる。
　また、要件（Ｑ）を満たすフィルターを用いることで、波長１２００～１６００ｎｍを用いるＬＩＤＡＲを備えた被写体を撮像した場合であっても、該被写体が発する光によって、固体撮像装置、センサーモジュール、カメラモジュール等が破壊される現象を抑制することができる。
　前記平均透過率は、好ましくは６％以下、より好ましくは２％以下である。前記平均透過率は、低ければ低い方が好ましく、例えば、下限は０％である。
　光学フィルターに含まれる多数の誘電体多層膜のうち、一つの誘電体多層膜のみが、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たしてもよいが、より好ましくは光学フィルターが有する全ての誘電体多層膜を併せた特性として要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たすことが好ましい。
　前記要件（Ｐ）や（Ｑ）を満たす誘電体多層膜は、高屈折率材料層、中屈折率材料層および低屈折率材料層を構成する材料種、これら各層の厚さ、積層の順番、ならびに、積層数を、基板を含めた誘電体多層膜の等価アドミタンスＹEを元に適切に選択することで形成することができる。
　光学フィルターの入射側に設けたＬ層からなる反射防止層の等価アドミタンスＹEは以下の式で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000033
　前記式中、Ｍjは、光が入射する最初の膜を１番目とし、基板側に向かってｊ番目に位置する層の特性マトリクスであり、ｎmは基板の屈折率である。Ｍjは以下の式で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000034
　前記式中、ｎjはｊ番目の層の屈折率であり、ｄjはｊ番目の層の物理膜厚であり、λは光の波長であり、ｉは複素数を表す。
　光学フィルターの出射側に設けたｑ層からなる反射防止層の等価アドミタンスＹ'Eは、入射側の等価アドミタンスと同様に、以下の式で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000035
　前記式中、Ｍj'は、光が出射する最後の層（出射側最外層）を１番目とし、基板側に向かって第ｊ層目に位置する層の特性マトリクスであり、ｎmは基板の屈折率である。Ｍj'は以下の式で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000036
　前記式中、ｎjはj番目の層の屈折率であり、ｄjはj番目の層の物理膜厚であり、λは光の波長であり、iは複素数を表す。
　前記条件を最適化するには、例えば、光学薄膜設計ソフト（例えば、Ｅｓｓｅｎｔｉａｌ　Ｍａｃｌｅｏｄ、Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｃｅｎｔｅｒ社製）を用い、反射防止機能を発現したい可視光領域の等価アドミタンスを低く、かつ赤外線領域の等価アドミタンスを高く得られるようにパラメーターを設定すればよい。ここで、光学フィルターが有する光の入射面側および出射面側の誘電体多層膜の設計に関し、以下の式で表される、基板を含めた誘電体多層膜の等価アドミタンスと空気の屈折率との差の絶対値（Δｎ）は、反射防止機能を発現したい波長において、好ましくは０．４以下、より好ましくは０．３以下、さらに好ましくは０．２以下である。また反射機能を発現したい波長においては、好ましくは２．０以上、より好ましくは１０以上、さらに好ましくは２０以上である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000037
　また、波長４４０～５８０ｎｍの可視光透過率が高く、かつ、波長１２００～１６００ｎｍの赤外線透過率が低い等価アドミタンスを両立する誘電体多層膜を得るために、光学膜厚５～８０ｎｍの薄膜層を、好ましくは４層以上、より好ましくは１０層以上、特に好ましくは１４層以上有することが望ましい。前記光学膜厚とは、（層の物理膜厚）×（層の屈折率の実部）で表される物理量である。光学膜厚５～８０ｎｍの薄膜層を有することで、反射帯域の波長の１／３の波長の透過率の低下を抑制することができ、波長４４０～５８０ｎｍの可視光透過率が高い誘電体多層膜が得られる。また、波長１２００～１６００ｎｍの赤外線透過率が低い等価アドミタンスを有する誘電体多層膜を得るために、光学膜厚２５０～４００ｎｍの層を好ましくは１４層以上、より好ましくは１６層以上、さらに好ましくは１８層以上有することが望ましい。
　また、波長４４０～５８０ｎｍの可視光透過率が高く、かつ、波長７２０～１１００ｎｍの赤外線透過率が低い等価アドミタンスを両立する誘電体多層膜を得るために、波長７２０～１１００ｎｍの１／４の波長に相当する光学膜厚１８０～２７５ｎｍの層を好ましくは１４層以上、より好ましくは１６層以上、さらに好ましくは１８層以上有することが望ましい。
　例えば、波長４４０～５８０ｎｍの可視光透過率が高く、かつ、波長１２００～１６００ｎｍの近赤外線透過率が低い等価アドミタンスを両立する誘電体多層膜と、４４０～５８０ｎｍの可視光透過率が高く、かつ、波長７２０～１１００ｎｍの赤外線透過率が低い等価アドミタンスを両立する誘電体多層膜と、基板を適切に組み合わせることで、要件（Ａ）、要件（Ｂ）、要件（Ｃ）を満たすことができる。
　ここで、誘電体多層膜と反射率Ｒは以下の式で表される関係にある。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000038
　前記式中、ｎ0は入射媒質の屈折率、（　　）*は(    )内の複素共役を表す。
　前記式より、光学フィルターの空気中の反射率Ｒを測定することにより、光学フィルターが有する基板を含めた誘電体多層膜の等価アドミタンスを求めることができる。求められる等価アドミタンスは共役解であるが、どちらの共役解もΔｎが前記範囲であることが好ましい。
＜その他の機能膜＞
　本フィルターは、本発明の効果を損なわない範囲において、基板と誘電体多層膜との間、基板の誘電体多層膜が設けられた面と反対側の面、または誘電体多層膜の基板が設けられた面と反対側の面に、基板や誘電体多層膜の表面硬度の向上、耐薬品性の向上、帯電防止、傷消しなどの目的で、反射防止層、ハードコート膜、帯電防止膜などの機能膜を適宜設けることができる。
　本フィルターは、前記機能膜を１層含んでもよく、２層以上含んでもよい。本フィルターが前記機能膜を２層以上含む場合には、同様の層を２層以上含んでもよいし、異なる層を２層以上含んでもよい。
　機能膜を積層する方法としては特に制限されないが、反射防止剤、ハードコート剤および／または帯電防止剤等のコーティング剤などを基板や誘電体多層膜に、前記と同様に溶融成形またはキャスト成形する方法等を挙げることができる。
　また、前記コーティング剤などを含む硬化性組成物をバーコーター等で基板や誘電体多層膜上に塗布した後、紫外線照射等により硬化することによっても製造することができる。
　前記コーティング剤としては、紫外線（ＵＶ）／電子線（ＥＢ）硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などが挙げられ、具体的には、ビニル化合物類や、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系樹脂などが挙げられる。これらのコーティング剤を含む前記硬化性組成物としては、ビニル系、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系硬化性組成物などが挙げられる。
　前記硬化性組成物は重合開始剤を含んでいてもよい。該重合開始剤としては、公知の光重合開始剤や熱重合開始剤を用いることができ、光重合開始剤と熱重合開始剤を併用してもよい。
　重合開始剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
　前記硬化性組成物中、重合開始剤の配合割合は、硬化性組成物の全量を１００質量％とした場合、好ましくは０．１～１０質量％、より好ましくは０．５～１０質量％、さらに好ましくは１～５質量％である。重合開始剤の配合割合が前記範囲にあると、硬化性組成物の硬化特性および取り扱い性に優れ、所望の硬度を有する反射防止層、ハードコート膜、帯電防止膜などの機能膜を容易に得ることができる。
　前記硬化性組成物には有機溶剤を加えてもよく、有機溶剤としては、公知の溶剤を使用することができる。有機溶剤の具体例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド類を挙げることができる。
　これら溶剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
　前記機能膜の厚さは、好ましくは０．９～３０μｍ、さらに好ましくは０．９～２０μｍ、特に好ましくは０．９～５μｍである。
　また、基板と機能膜および／または誘電他多層膜との密着性や、機能膜と誘電体多層膜との密着性を上げる目的で、基板、機能膜または誘電体多層膜の表面にコロナ処理やプラズマ処理等の表面処理をしてもよい。
＜光学フィルターの用途＞
　本フィルターは、薄く、優れた視感度補正特性を有し、かつ中赤外線領域にわたるカット特性を有し、暗電流抑制効果を有する。したがって、カメラモジュール等の固体撮像素子の視感度補正用として有用である。特に、ブラックシリコンや有機光電変換素子を有する撮像素子に有用であり、デジタルスチルカメラ、携帯電話用カメラ、スマートフォン用カメラ、デジタルビデオカメラ、ＰＣカメラ、監視カメラ、自動車用カメラ、テレビ、カーナビ、携帯情報端末、パソコン、ビデオゲーム、携帯ゲーム機、指紋認証システム、環境光センサー、距離測定センサー、虹彩認証システム、顔認証システム、距離測定カメラ、デジタルミュージックプレーヤー等に有用である。
　本フィルターを撮像装置や各種モジュールに用いる場合の各部材の配置の一例を図５に示す。この図５では、本フィルター１は、レンズ３２、撮像素子（イメージセンサー）２４と共に構成される。光学フィルター１は図５（Ａ）のようにレンズの前方に位置しても、図５（Ｂ）のようにレンズの後方に位置してもよい。また、本フィルターは、図６（Ａ）のようにフレネルゾーンプレート、フレネルレンズなどのレンズとしての役割を有する光学素子３３を用いたレンズレスの固体撮像装置やモジュールに用いてもよい。
　前記カメラモジュールやセンサーモジュールとしては、例えば、本フィルターを具備し、イメージセンサーや焦点調整機構、位相検出機構、距離測定機構、虹彩認証機構、静脈認証機構、顔認証機構、血流量計、酸化型または還元型ヘモグロビン量計、植生指数計等を備え、画像や情報を電気信号として出力する装置が挙げられる。このようなモジュールとしては、図５のようにレンズを有する構成でもよいし、図６のようにレンズを有さない構成でもよい。
　前記固体撮像素子を構成する部材としては、シリコン、ブラックシリコン、有機光電変換膜などの特定の波長の光を電荷に変換する光電変換素子が使用される。本フィルターは、ブラックシリコンや有機光電変換膜などの暗電流の抑制が難しい固体撮像素子を用いる用途に好適に用いられる。
［ブラックシリコン］
　本フィルターを用いた撮像装置の受光部にはブラックシリコンを用いてもよい。ブラックシリコンは、例えば、シリコンウエハに、特定の雰囲気下でレーザー照射することにより、シリコン表面に微小スパイクを形成することで得ることができる。ブラックシリコンを用いた場合、シリコンフォトダイオードを用いた場合に比べ、近赤外線領域の受光感度が高くなる等のため、ブラックシリコンは、近赤外線を用いた撮像素子により好適に用いられる。
　ブラックシリコン用いたＣＭＯＳの市販品としては、ＳｉＯｎｙｘ社ＸＱＥシリーズ等が挙げられる。
［有機光電変換膜］
　本フィルターを用いた撮像装置の受光部には、有機光電変換膜を用いてもよい。有機光電変換膜とは、特定の波長の光を吸収し、電流または電圧を生じる有機製の膜である。シリコンフォトダイオードを用いた撮像素子では、可視域または近赤外線領域に吸収を持つため、画素ごとにカラーフィルターを用いて光を減衰する必要があるが、有機光電変換膜では、特定の波長毎に感度を持つ画素を作製することができることから、光を減衰する必要が不要となり、色再現性向上等の点でより好ましい。有機光電変換膜を用いた撮像素子は、国際公開第２０１６／１１７３８１号、国際公開第２０１７／０７７７９０号等に記載の方法で得ることができる。
［暗電流］
　暗電流とは、撮像素子に全く光が当たっていない状態でも撮像素子に生じる電流であり、ランダムな電気信号として出力される。そのため、ノイズとして画像不良を招く。光電変換素子のギャップが小さい場合、価電子帯の電子が熱的に励起されて伝導帯に分布しやすいことが暗電流発生の原因となる。暗電流は撮像装置や各種モジュールの構造、材料によって異なるが、例えば次式のように近似できる場合がある。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000039
 　Ｉ（ｔ）:暗電流、Ｃ:ピクセルの受講面積に関する定数、Ｔ:絶対温度、Ｅｇ:光電変換素子のエネルギーバンドギャップ、ｋ:ボルツマン定数
　式（１４）のとおり、暗電流は通常、温度が上昇するにつれ増加する傾向にある。そのため、温度上昇を抑制することは暗電流抑制の一手段となる。本フィルターは、視感度補正に優れることに加え、赤外線領域の広い範囲に高い反射特性を有し、外光による温度上昇を抑制することができるため、暗電流抑制効果を有すると考えられる。
　以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されない。なお、「部」は、特に断りのない限り「質量部」を意味する。また、各物性値の測定方法および物性の評価方法は以下のとおりである。
　＜分子量＞
　樹脂の分子量は、東ソー（株）製ＧＰＣ装置（ＨＬＣ－８２２０型、カラム：ＴＳＫｇｅｌα－Ｍ、展開溶剤：ＴＨＦ）を用い、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定した。
　＜ガラス転移温度（Ｔｇ）＞
　エスアイアイ・ナノテクノロジーズ（株）製の示差走査熱量計（ＤＳＣ６２００）を用いて、昇温速度：毎分２０℃、窒素気流下で測定した。
　＜分光透過率＞
　光学フィルターの各波長域における透過率は、（株）日立ハイテクノロジーズ製の分光光度計（Ｕ－４１００）を用いて測定した。
　ここで、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率は、図２（Ａ）のように、光学フィルター１の面に対して垂直方向から光５を入射し、垂直方向に透過した光１を分光光度計６で測定し、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の透過率は、図２（Ｂ）のように、光学フィルター１の面の垂直方向に対して３０°の角度から光５’を入射し、垂直方向に対して３０°の角度で透過した光５’を分光光度計６で測定した。
　なお、波長Ａ～Ｂｎｍの平均透過率は、Ａｎｍ以上Ｂｎｍ以下の、１ｎｍ刻みの各波長における透過率を測定し、その透過率の合計を、測定した透過率の数（波長範囲、Ｂ－Ａ＋１）で除した値により算出した。
　誘電体多層膜が有する分光透過率は、光学薄膜設計ソフトＥｓｓｅｎｔｉａｌ　Ｍａｃｌｅｏｄを用いて、基板の屈折率、誘電体多層膜の各層の屈折率、消衰係数および各層の膜厚を元に計算した。無偏光光線の透過率は、Ｓ偏光透過率とＰ偏光透過率の平均より算出した値を用いた。
　＜分光反射率＞
　光学フィルターの各波長域における反射率は、（株）日立ハイテクノロジーズ製の分光光度計（Ｕ－４１００）を用いて測定した。
　ここで、光学フィルターの垂直方向に対して５°の角度から入射する光の反射率は、図３のように光学フィルター１の垂直方向に対して５°の角度で入射する光が反射した光１１を分光光度計６で測定した。
　なお、波長Ａ～Ｂｎｍの平均反射率は、Ａｎｍ以上Ｂｎｍ以下の、１ｎｍ刻みの各波長における反射率を測定し、その反射率の合計を、測定した反射率の数（波長範囲、Ｂ－Ａ＋１）で除した値により算出した。無偏光光線の反射率は、Ｓ偏光反射率とＰ偏光反射率の平均より算出した値を用いた。
　＜暗電流抑制効果＞
　暗電流抑制効果の指標として、光学フィルターを介して透過した光によるセンサーの温度上昇量を測定した。
　ここで、光源は林時計工業（株）製ルミナーエースＬＡ－１５０ＴＸとライトガイドＱＬＧＣ１－８Ｌ１０００－Ｒ１８を用い、光源（ライトガイドの先）をイメージセンサーより２ｃｍの距離の位置に固定し、イメージセンサーとして、ソニー（株）製ＤＳＣ－ＷＸ１０に内蔵の撮像素子を用い、温度計には横河計測（株）製ディジタル温度計ＴＸ－１０を用い、図４の位置関係で、１０分間光を照射後の温度を測定した。評価は室温２３℃湿度６０％の環境下において、光学フィルターをセットしていない状態で測定した温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られたものを○、４．５℃未満のものを×とした。
　下記実施例で用いた赤外線吸収色素は、一般的に知られている方法で合成した。当該合成方法としては、例えば、特許第３３６６６９７号公報、特許第２８４６０９１号公報、特許第２８６４４７５号公報、特許第３７０３８６９号公報、特開昭６０－２２８４４８号公報、特開平１－１４６８４６号公報、特開平１－２２８９６０号公報、特許第４０８１１４９号公報、特開昭６３－１２４０５４号公報、「フタロシアニン－化学と機能―」（アイピーシー、１９９７年）、特開２００７－１６９３１５号公報、特開２００９－１０８２６７号公報、特開２０１０－２４１８７３号公報、特許第３６９９４６４号公報、特許第４７４０６３１号公報に記載されている方法を挙げることができる。
　＜樹脂合成例１＞
　下記式（８）で表される８－メチル－８－メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ－３－エン（以下「ＤＮＭ」ともいう。）１００部、１－ヘキセン（分子量調節剤）１８部およびトルエン（開環重合反応用溶媒）３００部を、窒素置換した反応容器に仕込み、この溶液を８０℃に加熱した。次いで、反応容器内の溶液に、重合触媒として、トリエチルアルミニウムのトルエン溶液（０．６ｍｏｌ／リットル）０．２部と、メタノール変性の六塩化タングステンのトルエン溶液（濃度０．０２５ｍｏｌ／リットル）０．９部とを添加し、この溶液を８０℃で３時間加熱撹拌することにより開環重合反応させて、開環重合体溶液を得た。この重合反応における重合転化率は９７％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
　このようにして得られた開環重合体溶液１，０００部をオートクレーブに仕込み、この開環重合体溶液に、ＲｕＨＣｌ（ＣＯ）［Ｐ（Ｃ6Ｈ5）3］3を０．１２部添加し、水素ガス圧１００ｋｇ／ｃｍ2、反応温度１６５℃の条件下で、３時間加熱撹拌して水素添加反応を行った。得られた反応溶液（水素添加重合体溶液）を冷却した後、水素ガスを放圧した。この反応溶液を大量のメタノール中に注いで凝固物を分離回収し、これを乾燥して、水素添加重合体（以下「樹脂Ａ」ともいう。）を得た。得られた樹脂Ａは、Ｍｎが３２，０００、Ｍｗが１３７，０００であり、Ｔｇが１６５℃であった。
［実施例１］
　実施例１では、ガラス製支持基板を基板とする光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
　ホウケイ酸塩系ガラス製支持基板（ショット日本（株）製Ｄ２６３、厚み０．１ｍｍ、基板の光学特性は表１６に記載）の両面にイオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１１に記載の設計１の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．１１ｍｍの光学フィルター１を得た。
　なお、表１１に記載の設計１における膜厚は物理膜厚を表す。また、表１６の要件（Ｐ）および（Ｑ）の結果は、光学フィルターに含まれる誘電体多層膜全ての合計の光学特性を示す。以下同様。
　得られた光学フィルター１の光学特性を表１６に示す。光学フィルター１は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｊ）および（Ｍ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の緑色の色味変化が少ない良好な特性、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。また、光学フィルター１は、要件（Ｂ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。
［実施例２］
　実施例２では、赤外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する基板を含む光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
　下記硬化性組成物溶液（１）をホウケイ酸塩系ガラス支持基板（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．１ｍｍ）上にスピンコートで塗布した後、ホットプレート上にて、８０℃で２分間加熱することで溶剤を揮発除去し、後述する吸収層との接着層として機能する樹脂層を形成した。この際、該樹脂層の膜厚が０．８μｍ程度となるようにスピンコーターの塗布条件を調整した。
　硬化性組成物溶液（１）：イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性トリアクリレート（商品名：アロニックスＭ－３１５、東亜合成（株）製）３０質量部、１，９－ノナンジオールジアクリレート２０質量部、メタクリル酸２０質量部、メタクリル酸グリシジル３０質量部、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン５質量部、１－ヒドロキシシクロヘキシルベンゾフェノン（商品名：ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）製）５質量部、および、サンエイドＳＩ－１１０主剤（三新化学工業（株）製）１質量部を混合し、固形分濃度が５０質量％になるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解した後、孔径０．２μｍのミリポアフィルタでろ過した溶液
　容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ　１００部、化合物（Ａ）０．４８０部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が８質量％の溶液（Ａ２）を調製した。次に、前記樹脂層上に、アプリケーターを用いて前記溶液（Ａ２）を乾燥後の膜厚が１０μｍとなるような条件で塗布し、ホットプレート上にて、８０℃で５分間加熱し、さらに減圧下１００℃で２時間溶剤を揮発除去後、コンベア式露光機を用いて露光（露光量：１Ｊ／ｃｍ2、照度：２００ｍＷ）した後、オーブン中１８０℃で５分間焼成し、赤外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する厚み０．１１ｍｍの基板を形成した。なお、前記化合物（Ａ）の濃度および吸収層の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の特性となるように設定した値である。
　得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１１に記載の設計２の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．１２ｍｍの光学フィルター２を得た。
　なお、表１１に記載の設計２における膜厚は物理膜厚を表す。
　得られた光学フィルター２の光学特性を表１６に示す。光学フィルター２は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｈ）、（Ｊ）および（Ｍ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。また、光学フィルター２は、要件（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。
［実施例３］
　実施例３では、２種の赤外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収板を基板とする光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
　容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ　１００部、化合物（Ｂ）０．０３４部、化合物（Ｃ）０．０９５部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。得られた溶液をホウケイ酸塩系ガラス支持体（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．１ｍｍ）上にキャストし、６０℃で８時間乾燥し、さらに減圧下１４０℃で８時間乾燥した後、該支持体から剥離することで、赤外線吸収剤を含有する厚み０．１ｍｍの樹脂製の吸収板（基板）を得た。なお、前記化合物（Ｂ）および（Ｃ）の濃度ならびに吸収板の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の要件（Ｎ）、（Ｏ）および（Ｒ）を満たすように設定した値である。
　得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１１に記載の設計３の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．１０８ｍｍの光学フィルター３を得た。
　なお、表１１に記載の設計３における膜厚は物理膜厚を表す。
　得られた光学フィルター３の光学特性を表１６および図７に示す。光学フィルター３は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｍ）、（Ｋ）および（Ｌ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。特に基板は前記赤外線吸収剤（ＤＡ）および（ＤＢ）を含み、赤色の入射角依存性が非常に少ない光学フィルターであった。また、光学フィルター３は、要件（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。
［実施例４］
　実施例４では、２種の赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収板を基板とする光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
　容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ　１００部、化合物（Ｂ）０．０３４部、化合物（Ｃ）０．０９５部、化合物（Ｆ）０．０４５部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。得られた溶液をホウケイ酸塩系ガラス支持体（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．１ｍｍ）上にキャストし、６０℃で８時間乾燥し、さらに減圧下１４０℃で４時間乾燥した後、該支持体から剥離することで、赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する厚み０．１ｍｍの樹脂製の吸収板（基板）を得た。なお、前記化合物（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｆ）の濃度ならびに吸収板の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の要件（Ｎ）、（Ｏ）および（Ｒ）を満たすように設定した値である。
　得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１２に記載の設計４の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの、図１１に記載の設計光学特性］を形成し、厚さ０．１１ｍｍの光学フィルター４を得た。
　なお、表１２に記載の設計４における膜厚は物理膜厚を表す。
　得られた光学フィルター４の光学特性を表１６に示す。光学フィルター４は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｍ）、（Ｋ）および（Ｌ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。特に要件（Ｋ）および（Ｌ）において、λ０（ＵＶ）が４２１ｎｍ以下であり、高い青色透過率特性と、λ３０（ＵＶ）－λ０（ＵＶ）が３．４ｎｍであり、青色の入射角依存性は高入射角では透過率が下がる特性を有しており、緑色、赤色の入射角依存性と整合し、色味の入射角依存性が非常に少ない光学フィルターであった。また、光学フィルター４は、要件（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。
［実施例５］
　実施例５では、赤外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収板を基板とする光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
　容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ　１００部、化合物（Ｂ）０．１４７部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。得られた溶液をホウケイ酸塩系ガラス支持体（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．１ｍｍ）上にキャストし、６０℃で８時間乾燥し、さらに減圧下１４０℃で４時間乾燥した後、該支持体から剥離することで、赤外線吸収剤を含有する厚み０．０５ｍｍの樹脂製の吸収板（基板）を得た。なお、前記化合物（Ｂ）の濃度および吸収板の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の特性となるように設定した値である。
　得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１２に記載の設計５の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．０５８ｍｍの光学フィルター５を得た。
　なお、表１２に記載の設計５における膜厚は物理膜厚を表す。
　得られた光学フィルター５の光学特性を表１６に示す。光学フィルター５は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｈ）、（Ｊ）および（Ｍ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。また、光学フィルター５は、要件（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。
［実施例６］
　実施例６では、２種の赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する基板を含み、近赤外線７５０～１０００ｎｍに透過帯を有する光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
　前記硬化性組成物溶液（１）をホウケイ酸塩系ガラス支持基板（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．０５ｍｍ）上にスピンコートで塗布した後、ホットプレート上にて、８０℃で２分間加熱することで溶剤を揮発除去し、後述する吸収層との接着層として機能する樹脂層を形成した。この際、該樹脂層の膜厚が０．８μｍ程度となるようにスピンコーターの塗布条件を調整した。
　容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ　１００部、化合物（Ｂ）０．３３８部、化合物（Ｃ）０．９４５部、化合物（Ｆ）０．７５０部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液（Ａ６）を調製した。次に、前記樹脂層上に、アプリケーターを用いて前記溶液（Ａ６）を乾燥後の膜厚が１０μｍとなるような条件で塗布し、ホットプレート上にて、８０℃で５分間加熱し、さらに減圧下１００℃で２時間溶剤を揮発除去後、コンベア式露光機を用いて露光（露光量：１Ｊ／ｃｍ2、照度：２００ｍＷ）した後、オーブン中１８０℃で５分間焼成することで、赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する厚み０．０６ｍｍの基板を得た。なお、前記化合物（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｆ）の濃度ならびに吸収層の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の要件（Ｎ）、（Ｏ）および（Ｒ）を満たすように設定した値である。
　得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１２に記載の設計６の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層と酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5：５５０ｎｍの光の屈折率２．１４）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．０７１ｍｍの光学フィルター６を得た。
　なお、表１２に記載の設計６における膜厚は物理膜厚を表す。
　得られた光学フィルター６の光学特性を表１６および図８に示す。光学フィルター６は、要件（Ａ）を満たし、高い可視光透過率を有し、要件（Ｂ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、要件（Ａ）、（Ｄ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｍ）、（Ｋ）および（Ｌ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。特に要件（Ｄ）において、波長７５０～１０００ｎｍにおいて透過率が５０％以上となる透過帯域が波長９３０～９４７ｎｍの１８ｎｍであり、近赤外線センサーとして波長９３０～９４７ｎｍに高い感度と、該透過帯域以外の波長７２０～１１００ｎｍの近赤外線における遮蔽性を両立した光学フィルターであった。また、光学フィルター６は、要件（Ｂ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。
［実施例７］
　実施例６と同様の手順より赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する厚み０．０６ｍｍの基板を得た。
　得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１３に記載の設計７の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層と酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5：５５０ｎｍの光の屈折率２．１４）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．０７６ｍｍの光学フィルター７を得た。
　なお、表１３に記載の設計７における膜厚は物理膜厚を表す。
　得られた光学フィルター７の光学特性を表１６および図９に示す。光学フィルター７は、要件（Ａ）を満たし、高い可視光透過率を有し、要件（Ｂ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、要件（Ａ）、（Ｄ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｍ）、（Ｋ）および（Ｌ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。特に要件（Ｄ）において、波長７５０～１０００ｎｍにおいて透過率が５０％以上となる透過帯域が波長９３０～９３１ｎｍの２ｎｍであり、近赤外線センサーとして波長９３０～９３１ｎｍに高い感度と、該透過帯域以外の波長７２０～１１００ｎｍの近赤外線における遮蔽性を両立した光学フィルターであった。また、光学フィルター７は、要件（Ｂ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。
［実施例８］
　実施例８では、４種の赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する基板を含み、誘電体多層膜に中屈折率材料層を有する光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
　前記硬化性組成物溶液（１）をホウケイ酸塩系ガラス支持基板（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．０５ｍｍ）上にスピンコートで塗布した後、ホットプレート上にて、８０℃で２分間加熱することで溶剤を揮発除去し、後述する吸収層との接着層として機能する樹脂層を形成した。この際、該樹脂層の膜厚が０．８μｍ程度となるようにスピンコーターの塗布条件を調整した。
　容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ　１００部、化合物（Ａ）０．０４０部、化合物（Ｂ）０．１８４部、化合物（Ｃ）０．９４５部、化合物（Ｄ）０．２１０部、化合物（Ｆ）０．７５０部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液（Ａ８）を調製した。次に、前記樹脂層上に、アプリケーターを用いて前記溶液（Ａ８）を乾燥後の膜厚が１０μｍとなるような条件で塗布し、ホットプレート上にて、８０℃で５分間加熱し、さらに減圧下１００℃で２時間溶剤を揮発除去後、コンベア式露光機を用いて露光（露光量：１Ｊ／ｃｍ2、照度：２００ｍＷ）した後、オーブン中１８０℃で５分間焼成することで、赤外線吸収剤および紫外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収層を有する厚み０．０６ｍｍの基板を得た。なお、前記化合物（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）および（Ｆ）の濃度ならびに吸収層の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の要件（Ｎ）、（Ｏ）および（Ｒ）を満たすように設定した値である。
　得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１３に記載の設計８の、要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの、シリカ（ＳｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層と酸化イッテルビウム（Ｙｂ2Ｏ3：５５０ｎｍの光の屈折率１．８３）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．０６９ｍｍの光学フィルター８を得た。
　なお、表１３に記載の設計８における膜厚は物理膜厚を表す。
　得られた光学フィルター８の光学特性を表１６に示す。光学フィルター８は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｍ）、（Ｋ）および（Ｌ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。特に中屈折率材料層を含む誘電体多層膜を有することから、積層数が少ないにもかかわらず、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性と近赤外線の遮蔽特性を有していた。また、光学フィルター８は、要件（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。
［実施例９］
　実施例３における化合物（Ｃ）０．０９５部の代わりに、化合物（Ｃ）を０．０４１部、化合物（Ｅ）を０．０１部、化合物（Ｆ）を０．０４５部用いた他は同様の手順・条件にて厚さ０．１０８ｍｍの光学フィルター９を得た。
　得られた光学フィルター９の光学特性を表１６に示す。光学フィルター９は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｍ）、（Ｋ）および（Ｌ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の青色、緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性を有し、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。特に吸収板は前記赤外線吸収剤（ＤＡ）および（ＤＢ）を含み、赤色の入射角依存性が非常に少ない光学フィルターであった。また、光学フィルター９は、要件（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）および（Ｇ）を満たし、赤外線遮蔽性能を有し、かつ低い吸収特性を有し、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上温度抑制効果が得られた。
［比較例１］
　比較例１では、赤外線吸収剤を含有する樹脂製の吸収板を基板とする要件（Ｂ）を満たさない従来の光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
　容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ　１００部、化合物（Ｂ）０．０３４部、化合物（Ｃ）０．０９５部およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。得られた溶液をガラス支持体（ショット日本（株）製、Ｄ２６３、厚み０．１ｍｍ）上にキャストし、６０℃で８時間乾燥し、さらに減圧下１４０℃で４時間乾燥した後、該支持体から剥離することで、赤外線吸収剤を含有する厚み０．１０ｍｍの樹脂製の吸収板（基板）を得た。なお、前記化合物（Ｂ）および（Ｃ）の濃度ならびに吸収板の膜厚は、基板の光学特性が表１６に記載の特性となるように設定した値である。
　得られた基板を、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１４に記載の設計９の、要件（Ｑ）を満たさない誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの、図１２に記載の設計光学特性］を形成し、厚み０．１０６ｍｍの光学フィルター９を得た。
　なお、表１４に記載の設計９における膜厚は物理膜厚を表す。
　得られた光学フィルター９の光学特性を表１６および図１０に示す。光学フィルター９は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｈ）、（Ｊ）および（Ｍ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。しかし、光学フィルター９は、要件（Ｇ）は満たすが、要件（Ｂ）、（Ｅ）および（Ｆ）を満たしておらず、暗電流抑制効果が得られる赤外線遮蔽性能を有しておらず、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上の温度抑制効果が得られなかった。
［比較例２］
　比較例２では、リン酸銅塩ガラスからなる吸収板を基板とする要件（Ｂ）を満たさない従来の光学フィルターを以下の手順および条件で作製した。
　松浪硝子工業（株）製赤外カットフィルター（ＢＳ１１を厚み０．０９ｍｍに調整したもの）に、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、蒸着温度１２０℃で、表１４に記載の設計１０の、要件（Ｑ）を満たさない誘電体多層膜［シリカ（ＳｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率１．４５）層とチタニア（ＴｉＯ2：５５０ｎｍの光の屈折率２．４５）層とが交互に積層されてなるもの］を形成し、厚さ０．０９５ｍｍの光学フィルター１０を得た。
　なお、表１４に記載の設計１０における膜厚は物理膜厚を表す。
　得られた光学フィルター１０の光学特性を表１６に示す。光学フィルター１０は、要件（Ａ）、（Ｃ）、（Ｈ）および（Ｍ）を満たし、高い可視光透過率、斜め入射時の緑色、赤色の色味変化が少ない良好な特性、近赤外線の遮光特性を有し、撮像装置と人間の目の視感度を補正する特性を有していた。しかし、要件（Ｆ）は満たすが、要件（Ｂ）、（Ｅ）および（Ｇ）を満たしておらず、暗電流抑制効果が得られる赤外線遮蔽性能を有しておらず、暗電流抑制効果評価の結果、光学フィルターをセットしていない状態の温度上昇よりも４．５℃以上の温度抑制効果が得られなかった。
＜赤外線吸収剤＞
　化合物（Ａ）：式（ｚ－７４）、ジクロロメタン中に溶解させた際の吸収極大波長６９８ｎｍ
　化合物（Ｂ）：式（ｚ－７５）、ジクロロメタン中に溶解させた際の吸収極大波長７０４ｎｍ
　化合物（Ｃ）：式（ｖ－３）、ジクロロメタン中に溶解させた際の吸収極大波長７３３ｎｍ
　化合物（Ｄ）：式（ｖ－４０）、ジクロロメタン中に溶解させた際の吸収極大波長７３８ｎｍ
　化合物（Ｅ）：式（ｓ－６）、ジクロロメタン中に溶解させた際の吸収極大波長７６０ｎｍ
<紫外線吸収剤>
　化合物（Ｆ）：オリエント化学工業（株）製「ＢＯＮＡＳＯＲＢ　ＵＡ－３９１１」
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000041
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000042
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000043
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000044
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000045
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000046
１・・・光学フィルター
２・・・基板
３，３’・・・誘電体多層膜
４，４’・・・機能膜、吸収層または樹脂層
５，５’・・・光
６・・・分光光度計
１１・・・反射光
２１・・・光源
２２・・・ライトガイド
２３・・・温度計
２４・・・イメージセンサー
２５・・・イメージセンサーフレーム
２６・・・フレーム
３１・・・筐体
３２・・・レンズ
３３・・・フレネルゾーンプレートやフレネルレンズ等のレンズ代替光学素子

Claims (18)

  1. 　基板と、基板の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有し、下記要件（Ａ）～（Ｃ）を満たす光学フィルター。
    　要件（Ａ）：波長４４０～５８０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が７５％以上
    　要件（Ｂ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射率の平均値が６０％以上
    　要件（Ｃ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が３％以下
  2. 　基板と、基板の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有し、下記要件（Ａ）、（Ｂ）および（Ｄ）を満たす光学フィルター。
    　要件（Ａ）：波長４４０～５８０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が７５％以上
    　要件（Ｂ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射率の平均値が６０％以上
    　要件（Ｄ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が１０％以下であり、波長７５０～１０００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％以上となる透過帯域の波長幅が１ｎｍ以上である
  3. 　下記要件（Ｅ）を満たす、請求項１に記載の光学フィルター。
    　要件（Ｅ）：波長７２０～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の最大値が３０％以下である
  4. 　下記要件（Ｆ）を満たす、請求項１～３のいずれか１項に記載の光学フィルター。
    　要件（Ｆ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値が２０％以下
  5. 　下記要件（Ｇ）を満たす、請求項１～４のいずれか１項に記載の光学フィルター。
    　要件（Ｇ）：下記式（１）および（２）で表される吸収率Ａ１および吸収率Ａ２の値がそれぞれ２０％以下
    　　Ａ１＝１００－Ｔ１－Ｒ１　　　（１）
    　　Ａ２＝１００－Ｔ２－Ｒ２　　　（２）
    　Ｔ１およびＴ２：波長１２００～１６００ｎｍにおける、光学フィルターの一方の面Ｘの垂直方向から入射した入射光（無偏光光線）の平均透過率Ｔ１（％）、および、光学フィルターの他方の面Ｙの垂直方向から入射した入射光（無偏光光線）の平均透過率Ｔ２（％）
    　Ｒ１およびＲ２：波長１２００～１６００ｎｍにおける、光学フィルターの一方の面Ｘの垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率Ｒ１（％）、および、光学フィルターの他方の面Ｙの垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率Ｒ２（％）
  6. 　下記要件（Ｈ）を満たす、請求項１～５のいずれか１項に記載の光学フィルター。
    　要件（Ｈ）：波長５６０～８００ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙａ）と、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる最も長い波長（Ｙｂ）の差の絶対値が１５ｎｍ以下
  7. 　下記要件（Ｊ）を満たす、請求項１～６のいずれか１項に記載の光学フィルター。
    　要件（Ｊ）：波長８００ｎｍ以下において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が７０％となる最も長い波長（Ｘａ）と、波長５８０ｎｍ以上の波長領域において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が３０％となる最も短い波長（Ｘｂ）との差の絶対値が６５ｎｍ以下
  8. 　下記要件（Ｋ）を満たす、請求項１～７のいずれか１項に記載の光学フィルター。
    　要件（Ｋ）：波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ０（ＵＶ）を有し、波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ３０（ＵＶ）を有し、かつ前記波長の差の絶対値｜λ０（ＵＶ）－λ３０（ＵＶ）｜が５ｎｍ以下である
  9. 　下記要件（Ｌ）を満たす、請求項１～８のいずれか１項に記載の光学フィルター。
    　要件（Ｌ）：波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ０（ＵＶ）を有し、波長３９０～４３０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率が５０％となる波長λ３０（ＵＶ）を有し、かつ前記波長の差λ３０（ＵＶ）－λ０（ＵＶ）が０ｎｍを超える
  10. 　下記要件（Ｍ）を満たす、請求項１～９のいずれか１項に記載の光学フィルター。
    　要件（Ｍ）：波長４８５～５６０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値Ｔ０と、波長４８５～５６０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向から３０°の角度から測定した場合の無偏光光線の透過率の平均値Ｔ３０が下記式（３）を満たす
    　０．９５≦Ｔ０／Ｔ３０≦１．０５　　　（３）
  11. 　前記基板が波長６７０～９５０ｎｍに吸収極大波長を有する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の光学フィルター。
  12. 　前記基板が、波長６８５～７１０ｎｍに吸収極大波長λ（ＤＡ＿Ｔｍｉｎ）を有する第１の赤外線吸収剤（ＤＡ）と、波長７１０～７６５ｎｍに吸収極大波長λ（ＤＢ＿Ｔｍｉｎ）を有する第２の赤外線吸収剤（ＤＢ）とを含む、請求項１１に記載の光学フィルター。
  13. 　前記基板が下記要件（Ｎ）または（Ｏ）を満たす、請求項１～１２のいずれか１項に記載の光学フィルター。
    　要件（Ｎ）：基板の垂直方向から測定した場合の、波長７７０ｎｍの無偏光光線の透過率が６０％以下
    　要件（Ｏ）：基板の垂直方向から測定した場合の波長７８０～８００ｎｍの無偏光光線の平均透過率が６０％以上
  14. 　前記誘電体多層膜が下記要件（Ｐ）および（Ｑ）を満たす、請求項１～１３のいずれか１項に記載の光学フィルター。
    　要件（Ｐ）：波長７２０～１１００ｎｍにおいて、誘電体多層膜の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が１０％以下である
    　要件（Ｑ）：波長１２００～１６００ｎｍにおいて、誘電体多層膜の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が１０％以下である
  15. 　前記基板が下記要件（Ｒ）を満たす、請求項１～１４のいずれか１項に記載の光学フィルター。
    　要件（Ｒ）：波長８２０～１６００ｎｍにおいて、基板の垂直方向から測定した場合の無偏光光線の平均透過率が７０％以上
  16. 　請求項１～１５のいずれか１項に記載の光学フィルターを含む固体撮像装置。
  17. 　請求項１～１５のいずれか１項に記載の光学フィルターを含むカメラモジュール。
  18. 　請求項１～１５のいずれか１項に記載の光学フィルターを含むセンサーモジュール。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021081878A (ja) * 2019-11-15 2021-05-27 Ａｇｃ株式会社 光学素子及び指紋検出装置
WO2021131520A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 株式会社小糸製作所 センサユニット

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5179468A (en) * 1991-11-05 1993-01-12 Gte Products Corporation Interleaving of similar thin-film stacks for producing optical interference coatings
US5337191A (en) * 1993-04-13 1994-08-09 Photran Corporation Broad band pass filter including metal layers and dielectric layers of alternating refractive index
US6391400B1 (en) * 1998-04-08 2002-05-21 Thomas A. Russell Thermal control films suitable for use in glazing
US20070097691A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Kuohua Wu Cool light source
WO2008152887A1 (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology 可視光透過日射熱反射膜
JP2012137650A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Canon Electronics Inc 光学フィルタ
JP2014235258A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 京セラクリスタルデバイス株式会社 可視光透過フィルタ
US9581741B1 (en) * 2013-05-31 2017-02-28 Itn Energy Systems, Inc. Infrared control coating of thin film devices
JP2018025732A (ja) * 2016-07-27 2018-02-15 京セラ株式会社 光学フィルタ部材および撮像装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3632757B2 (ja) * 2001-01-31 2005-03-23 古河電気工業株式会社 光学フィルタの製造方法
JP5169032B2 (ja) 2007-06-11 2013-03-27 旭硝子株式会社 撮像装置用近赤外線カットフィルタおよび撮像装置
JP4598102B2 (ja) * 2008-05-28 2010-12-15 富士フイルム株式会社 撮像装置
JP5489669B2 (ja) 2008-11-28 2014-05-14 Ｊｓｒ株式会社 近赤外線カットフィルターおよび近赤外線カットフィルターを用いた装置
WO2011033984A1 (ja) 2009-09-15 2011-03-24 株式会社大真空 光学フィルタ
WO2011071157A1 (ja) 2009-12-11 2011-06-16 旭硝子株式会社 近赤外線カットフィルタガラス
JP2013156460A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Konica Minolta Inc 携帯情報端末用カバー部材
JP6183048B2 (ja) 2012-08-27 2017-08-23 旭硝子株式会社 光学フィルタおよび固体撮像装置
JP6317875B2 (ja) 2012-09-06 2018-04-25 日本板硝子株式会社 赤外線カットフィルタ、撮像装置および赤外線カットフィルタの製造方法
JP5597780B1 (ja) 2014-02-26 2014-10-01 セラテックジャパン株式会社 近赤外線カットフィルタ及びその製造方法並びにそれを備えた眼鏡
JP6202229B2 (ja) * 2015-04-23 2017-09-27 旭硝子株式会社 光学フィルタおよび撮像装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5179468A (en) * 1991-11-05 1993-01-12 Gte Products Corporation Interleaving of similar thin-film stacks for producing optical interference coatings
US5337191A (en) * 1993-04-13 1994-08-09 Photran Corporation Broad band pass filter including metal layers and dielectric layers of alternating refractive index
US6391400B1 (en) * 1998-04-08 2002-05-21 Thomas A. Russell Thermal control films suitable for use in glazing
US20070097691A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Kuohua Wu Cool light source
WO2008152887A1 (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology 可視光透過日射熱反射膜
JP2012137650A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Canon Electronics Inc 光学フィルタ
JP2014235258A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 京セラクリスタルデバイス株式会社 可視光透過フィルタ
US9581741B1 (en) * 2013-05-31 2017-02-28 Itn Energy Systems, Inc. Infrared control coating of thin film devices
JP2018025732A (ja) * 2016-07-27 2018-02-15 京セラ株式会社 光学フィルタ部材および撮像装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021081878A (ja) * 2019-11-15 2021-05-27 Ａｇｃ株式会社 光学素子及び指紋検出装置
JP7347145B2 (ja) 2019-11-15 2023-09-20 Ａｇｃ株式会社 光学素子及び指紋検出装置
WO2021131520A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 株式会社小糸製作所 センサユニット

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