WO2019130806A1 - ワイヤソー装置およびウェーハの製造方法 - Google Patents

ワイヤソー装置およびウェーハの製造方法 Download PDF

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水島 一寿
敏昭 大高
辰男 榎本
裕一 清水
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Definitions

  • the present invention relates to a wire saw device and a method of manufacturing a wafer.
  • a semiconductor wafer such as a silicon wafer is cut out of a workpiece such as a silicon ingot by a cutting device such as a wire saw device 101 as shown in FIG.
  • the wire saw device 101 includes a wire row 104 formed by a plurality of wire guides 103, which are reciprocated in an axial direction.
  • the wire saw device 101 includes a nozzle 108 for supplying the slurry 109 to the wire 102, a workpiece holding portion 107 for suspending and holding the workpiece plate 106 to which the workpiece W is adhered via the beam 105, and the workpiece W relatively.
  • a work feed mechanism 110 for pressing down on the wire row 104.
  • the workpiece W can be sliced into a wafer shape by pressing the workpiece W against the wire row 104 by such a wire saw device 101.
  • warping occurs in the work after cutting due to slicing by the wire saw.
  • the warp generated due to the wire source rice is determined by the change with time of the relative position of the workpiece (ingot) and the wire during cutting.
  • a warp in the cutting direction is formed due to the thermal expansion of the ingot during cutting from the beginning of cutting to the end of cutting, the main roller on which the wire is wound, and the thermal deformation of the device casing. ing. Therefore, it is disclosed that the warp in the cutting direction can be improved by controlling the temperature of the main roller spindle cooling water and the slurry (Patent Documents 1 to 3).
  • the present invention has been made in view of the above problems, and a wire saw device and a wafer manufacturing method capable of controlling a wire traveling direction warp of a work after cutting by a wire saw device and manufacturing a wafer having an arbitrary warp shape. Intended to provide.
  • a wire row formed by a plurality of wire guides, a wire wound around the plurality of wire guides and axially reciprocated, and a coolant or a slurry are supplied to the wires
  • a wire saw apparatus having a nozzle for moving, a work holding portion for suspending and holding a work plate to which a work is adhered via a beam, and a work feeding mechanism for pressing the work against the wire row
  • a wire saw device is provided that has a mechanism for adjusting the parallelism of the axes of the plurality of wire guides to be formed.
  • the parallelism of the axes of the plurality of wire guides forming the wire row is adjusted by using the above-mentioned wire saw device, and the workpiece is cut, thereby Provided is a method of manufacturing a wafer characterized by controlling a warp.
  • the wire saw device of the present invention can be suitably used for a method of manufacturing a wafer for controlling the unevenness of the wire traveling direction warp of the work after cutting.
  • a wire row is formed by axially reciprocating wires wound around a plurality of wire guides, and coolant or slurry is supplied from the nozzle to the wire, and the work holding mechanism is provided to the work holding portion.
  • the present invention provides a method of manufacturing a wafer characterized by controlling the warp in the wire traveling direction of a work after cutting by cutting the work.
  • the wire saw device and the wafer manufacturing method of the present invention it is possible to control the traveling direction warp of the wire, and to manufacture a wafer having an arbitrary warp shape.
  • parallel degree means the amount of inclination of the axis in the horizontal direction.
  • the amount of inclination will be described in more detail using FIGS. 3 and 5.
  • the wire saw device 1 of the present invention comprises a plurality of wire guides 3 and a wire row 4 formed of a plurality of wire guides 3 wound around the wire guides 3 and reciprocated in the wire axial direction And 2 a nozzle 8 for supplying a coolant or slurry 9.
  • a slurry containing free abrasive grains such as silicon carbide can be used.
  • the work holding portion 7 for suspending and holding the work plate 6 to which the work W is adhered via the beam 5 and the work for pressing the work W relatively against the wire row 4
  • a feed mechanism 10 is provided. That is, the workpiece W is adhered to the workpiece plate 6 by the epoxy adhesive or the like through the beam 5, and the workpiece plate 6 is held by the workpiece holding unit 7, whereby the workpiece W is held by the workpiece holding unit 7. . After the start of cutting, the work W is cut and fed to the wire row 4.
  • a parallel wire row 4 is formed by winding the wire 2 in parallel to the left and right wire guides 3.
  • the pitch, depth and the like of the grooves are not particularly limited, and can be set as appropriate.
  • the normal wire 2 is stretched in parallel in the grooves on the surface of the left and right wire guides 3. Since the wire traveling direction warp of the work after cutting is determined by the relative position of the wire row 4 formed by the wire guide 3 with respect to the work W, when the wire row 4 is parallel to the traveling direction of the wire, after cutting The wire travel direction warp of the workpiece becomes straight. In order to control the traveling direction warp, it is necessary to bend the wire in the longitudinal direction of the wire saw device by changing the relative position of the wire row 4 to the work W, that is, adjusting the parallelism of the wire guide axis. is there.
  • the wire saw device 1 of the present invention further includes a mechanism (hereinafter referred to as a parallelism adjusting mechanism) for adjusting the parallelism of the axes of a plurality of wire guides 3 forming a wire row described later.
  • a parallelism adjusting mechanism for adjusting the parallelism of the axes of a plurality of wire guides 3 forming a wire row described later.
  • FIG. 4 is a schematic view showing an example of the parallelism adjusting mechanism 11 in the wire saw device of the present invention.
  • the wire guide 3 is held by a front block 12 on the front of the wire saw device 1.
  • the outer ring 13 is fixed to the front block 12, and the inner ring 14 is fixed to the wire guide 3.
  • the parallelism of the axis of the wire guide can be adjusted arbitrarily using the left and right spindle axes (axes of the wire guide) using the adjusting bolts 15. Thereby, the traveling direction warp of the wire of the work after cutting can be controlled, and a wafer having an arbitrary warp shape can be manufactured.
  • shaft it is preferable to adjust the spindle axis
  • the parallelism of the spindle axis can be adjusted without restriction on the structure of the wire saw device.
  • FIG. 5 is a schematic view of the groove of the wire guide 3 and the wire 2 viewed from above when the wire guide 3 on the front side of the wire saw device is spread (that is, when the parallelism of the axis of the wire guide 3 is increased).
  • the wire 2 is parallel to the groove up to the center of the groove of the wire guide 3 but is deformed so as to be pushed up to the back side of the wire saw device inside the groove.
  • the wire traveling direction warp of the work after cutting is created in a convex direction by the wire 2 deformed to the back side of the wire saw device.
  • the wire guide 3 on the front side of the wire saw device is narrowed (that is, when the parallelism of the axis of the wire guide 3 is increased to the opposite side), the wire 2 is deformed to be pushed to the front side of the device.
  • the wire travel direction warp of the work after cutting is made in the concave direction.
  • the present invention also provides a method of manufacturing a wafer.
  • This method can be performed using the wire saw device 1 as described above. That is, the wire row 4 is formed by the axially reciprocating wires 2 wound around the plurality of wire guides 3, and the work feed mechanism 10 holds the work while supplying coolant or slurry to the wire 2 from the nozzle 8.
  • the parallelism of the axis of the wire guide 3 is adjusted. Thereby, the traveling direction warp of the wire can be controlled, and a wafer having an arbitrary warp shape can be manufactured.
  • the silicon ingot (workpiece) with a diameter of 300 mm is adjusted to the axis parallelism of the wire guide from -400 ⁇ m to 200 ⁇ m And cut.
  • the shape comparison of the wire traveling direction warp of the work after cutting was performed. The results are shown in FIG.
  • FIG. 7 shows the correlation between the adjustment amount of parallelism of the axis of the wire guide and the PV value (peak to valley) of the traveling direction warp shown in FIG.
  • data of warp data of three wafers at the back of the apparatus, at the block center, and at the front of the apparatus of the ingot were used.
  • FIG. 7 there is a correlation between the parallelism adjustment amount of the axis of the wire guide 3 and the unevenness amount of the wire travel direction warp.
  • the wire travel direction warp has a dent direction It changed into a convex direction when it became wide.
  • it became clear by adjusting the parallelism of the axis of wire guide 3 that the amount of unevenness of the warp in the wire traveling direction can be controlled.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has the substantially same constitution as the technical idea described in the claims of the present invention, and the same effects can be exhibited by any invention. It is included in the technical scope of

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Abstract

本発明は、複数のワイヤガイドと、前記複数のワイヤガイドに巻回され軸方向に往復走行するワイヤによって形成されたワイヤ列と、前記ワイヤにクーラント又はスラリを供給するノズルと、ビームを介してワークが接着されたワークプレートを吊り下げ保持するワーク保持部と、前記ワークを前記ワイヤ列に押圧するワーク送り機構を具備するワイヤソー装置であって、前記ワイヤ列を形成する前記複数のワイヤガイドの軸の平行度を調整する機構を具備するものであることを特徴とするワイヤソー装置である。これにより、切断後のワークのワイヤ走行方向ワープを制御し、任意のワープ形状を有するウェーハの製造が可能なワイヤソー装置およびウェーハの製造方法が提供される。

Description

ワイヤソー装置およびウェーハの製造方法
 本発明は、ワイヤソー装置およびウェーハの製造方法に関する。
 シリコンウェーハなどの半導体ウェーハは、図8に示すようなワイヤソー装置101などの切断装置によって、シリコンインゴットなどのワークから切り出される。一般的に、ワイヤソー装置101は複数のワイヤガイド103に巻回され、軸方向に往復走行するワイヤ102によって形成されたワイヤ列104を具備している。さらに、ワイヤソー装置101は、ワイヤ102にスラリ109を供給するノズル108と、ビーム105を介してワークWが接着されたワークプレート106を吊り下げ保持するワーク保持部107と、ワークWを相対的に押し下げてワイヤ列104に押圧するワーク送り機構110とを具備する。このようなワイヤソー装置101によって、ワイヤ列104にワークWを押圧して、ワークWをウェーハ状にスライスすることができる。
 また、切断後のワークには、ワイヤソーによるスライス起因でワープが発生する。このワイヤソースライス起因で発生するワープは、切断中のワーク(インゴット)とワイヤの相対位置の経時変化により決定される。一般的に切り初めから、切り終わりまでの切断中のインゴットおよび、ワイヤが巻きつけてあるメインローラーの熱膨張、装置筐体の熱変形の影響により、切断方向のワープが形成されると考えられている。そのため、メインローラースピンドル冷却水、スラリ温度を制御する事で、切断方向のワープを改善できる事が開示されている(特許文献1~3)。
特開平7-1442号公報 特開2009-29078号公報 特開2016-135529号公報
 最先端品デバイスでは、低抵抗ベースウェーハにエピ成長を施したエピタキシャルウェーハが使用されているが、ベースウェーハとエピ層の抵抗率の違いから、エピ成長後にウェーハが凸形状に変化し、ワープが悪化してしまう。図9に示すようにベースウェーハのBowの値とエピ後のワープには相関があり、Bowがマイナスのウェーハほど、エピ後のワープが良くなる傾向が見られる。そのため、ワイヤソー切断時の切断方向、走行方向ワープを凹み方向に制御できれば、エピ後のワープが改善されるが、特許文献1~3では、切断開始から終了までの切断方向ワープの制御に関するものであり、ワイヤ走行方向ワープに関しては、制御する方法が確立されていない。
 本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、ワイヤソー装置による切断後のワークのワイヤ走行方向ワープを制御し、任意のワープ形状を有するウェーハの製造が可能なワイヤソー装置およびウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
 上記課題を達成するために、本発明では、複数のワイヤガイドと、前記複数のワイヤガイドに巻回され軸方向に往復走行するワイヤによって形成されたワイヤ列と、前記ワイヤにクーラント又はスラリを供給するノズルと、ビームを介してワークが接着されたワークプレートを吊り下げ保持するワーク保持部と、前記ワークを前記ワイヤ列に押圧するワーク送り機構を具備するワイヤソー装置であって、前記ワイヤ列を形成する前記複数のワイヤガイドの軸の平行度を調整する機構を具備するワイヤソー装置を提供する。
 このようなワイヤソー装置であれば、切断後のワークのワイヤ走行方向ワープを制御し、任意のワープ形状を有するウェーハの製造が可能なものとなる。
 また、本発明は、上記ワイヤソー装置を用いて、前記ワイヤ列を形成する前記複数のワイヤガイドの軸の平行度を調整して、ワークを切断することで、切断後のワークのワイヤ走行方向のワープを制御することを特徴とするウェーハの製造方法を提供する。
 このように、本発明のワイヤソー装置は、切断後のワークのワイヤ走行方向ワープの凹凸を制御するウェーハの製造方法に好適に用いることができる。
 また、本発明は、複数のワイヤガイドに巻回された軸方向に往復走行するワイヤによってワイヤ列を形成し、前記ワイヤにクーラント又はスラリをノズルから供給しつつ、ワーク送り機構によりワーク保持部に保持されたワークを前記ワイヤ列に押圧することで、前記ワークを切断してウェーハを製造する方法であって、前記ワイヤ列を形成する前記複数のワイヤガイドの軸の平行度を調整して、前記ワークを切断することで、切断後のワークのワイヤ走行方向のワープを制御することを特徴とするウェーハの製造方法を提供する。
 このようなウェーハの製造方法であれば、切断後のワークのワイヤの走行方向ワープを制御でき、任意のワープ形状を有するウェーハを製造することができる。
 以上のように、本発明のワイヤソー装置およびウェーハの製造方法によれば、ワイヤの走行方向ワープを制御することができ、任意のワープ形状を有するウェーハを製造することができる。
本発明のワイヤソー装置の一例を示す概略図である。 本発明のワイヤソー装置における、ワイヤガイドの表面に形成された溝の一例を示す概略図である。 本発明のワイヤソー装置における、複数のワイヤガイドの軸が平行であるときの、ワイヤガイド表面の溝とワイヤを上部からみた概略図である。 本発明のワイヤソー装置における、複数のワイヤガイドの軸を調整する機構の一例を示す概略図である。 本発明のワイヤソー装置における、複数のワイヤガイドの軸の平行度を調整したときの、ワイヤガイド表面の溝とワイヤを上部からみた概略図である。 実施例における、複数のワイヤガイドの軸の平行度を調整したときの、切断後のワークのワイヤの走行方向ワープ形状を示すグラフである。 複数のワイヤガイドの軸の平行度調整量とワイヤの走行方向ワープのPV値の相関を示すグラフである。 従来のワイヤソー装置の一例を示す概略図である。 ベースウェーハのBowの値とエピ後のワープの相関を示すグラフである。
 上述のように、従来では、ワイヤソー装置における切断後のワークのワイヤ走行方向ワープを制御する方法が確立されていなかった。
 本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、ワイヤガイドの軸の平行度を調整することで、ワーク切断中のワイヤをワイヤソー装置の前後方向に撓ませることができることを見出した。また、これにより、切断後のワークのワイヤ走行方向ワープを制御できることを見出し、本発明を完成させた。
 以下、本発明のワイヤソー装置及びウェーハの製造方法について、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、本願において、「平行度(平行度調整量)」とは水平方向の軸の傾斜量を意味する。ここで、傾斜量について図3及び5を用いてより詳細に説明する。傾斜量は、図3の左側に示したような複数のワイヤガイド3の軸が平行であるべき位置から、図5の左側のように複数のワイヤガイド3の軸を水平方向に傾けた場合の、軸同士のひらき量をいう。
 図1に示すように、本発明のワイヤソー装置1は、複数のワイヤガイド3と、複数のワイヤガイド3に巻回されワイヤ軸方向に往復走行するワイヤ2によって形成されたワイヤ列4と、ワイヤ2にクーラント又はスラリ9を供給するノズル8とを具備する。スラリ9としては、炭化ケイ素などの遊離砥粒を含むスラリを用いることができる。
 また、本発明のワイヤソー装置1は、ビーム5を介してワークWが接着されたワークプレート6を吊り下げ保持するワーク保持部7と、ワークWを相対的に押し下げてワイヤ列4に押圧するワーク送り機構10とを具備する。即ち、ワークWはビーム5を介してワークプレート6にエポキシ接着材などにより接着されており、ワークプレート6はワーク保持部7に保持され、これによりワークWがワーク保持部7に保持されている。切断開始後、ワークWはワイヤ列4に対して切り込み送りされ切断される。
 図2に示すように、ワイヤソー装置1のワイヤガイド3の表面には、ワイヤ2を巻きつける為の溝が多数ある。左右のワイヤガイド3に平行にワイヤ2を巻きつけることで、平行なワイヤ列4を形成している。本発明において、溝のピッチや深さなどは特に限定されず、適宜設定することができる。
 図3のワイヤガイドの上面視に示すように、通常ワイヤ2は、左右のワイヤガイド3表面の溝の中で平行に張られている。切断後のワークのワイヤ走行方向ワープは、ワークWに対するワイヤガイド3により形成されたワイヤ列4の相対位置で決定されるため、ワイヤ列4がワイヤの走行方向に対して平行な場合、切断後のワークのワイヤ走行方向ワープは、真っ直ぐになる。走行方向ワープを制御するためには、ワイヤ列4のワークWに対する相対位置を変化させる、つまり、ワイヤガイドの軸の平行度を調整することで、ワイヤをワイヤソー装置の前後方向に撓ませる必要がある。
 本発明のワイヤソー装置1は、更に、後述するワイヤ列を形成する複数のワイヤガイド3の軸の平行度を調整する機構(以下、平行度調整機構という)を具備している。
 図4は、本発明のワイヤソー装置における平行度調整機構11の一例を示す概略図である。ワイヤガイド3は、ワイヤソー装置1の前面部の前面ブロック12により保持されている。外輪リング13は前面ブロック12に、内輪リング14は、ワイヤガイド3にそれぞれ固定されている。本発明のワイヤソー装置では、左右のスピンドル軸(ワイヤガイドの軸)を調整ボルト15を用いて、任意にワイヤガイドの軸の平行度を調整できる。これにより、切断後のワークのワイヤの走行方向ワープを制御でき、任意のワープ形状を有するウェーハを製造することができる。
 なお、軸の調整範囲としては、左右のスピンドル軸をそれぞれ±2mmまでの範囲で調整することが好ましい。この範囲であれば、ワイヤソー装置の構造上の制限を受けずに、スピンドル軸の平行度を調整することができる。
 図5は、ワイヤソー装置の手前側のワイヤガイド3を広げたとき(つまり、ワイヤガイド3の軸の平行度を大きくしたとき)のワイヤガイド3の溝とワイヤ2を上部からみた概略図である。図5に示したように、ワイヤガイド3の溝の中心部までは、ワイヤ2は溝に対して平行であるが、溝の内側では、ワイヤソー装置奥側に押し上げられるように変形する。ワイヤソー装置奥側に変形したワイヤ2により、切断後のワークのワイヤ走行方向ワープが凸方向に作りこまれる。
 一方、ワイヤソー装置手前側のワイヤガイド3を狭めたとき(つまり、ワイヤガイド3の軸の平行度を反対側に大きくしたとき)は、ワイヤ2は装置手前側に押し下げられるように変形するため、切断後のワークのワイヤ走行方向ワープが凹方向に作りこまれる。
 また、本発明は、ウェーハの製造方法を提供する。この方法は、上記のようなワイヤソー装置1を用いて行うことができる。すなわち、複数のワイヤガイド3に巻回された軸方向に往復走行するワイヤ2によってワイヤ列4を形成し、前記ワイヤ2にクーラント又はスラリをノズル8から供給しつつ、ワーク送り機構10によりワーク保持部7に保持されたワークWを前記ワイヤ列に押圧することで、前記ワークを切断してウェーハを製造する方法であって、前記ワイヤ列4を形成する前記複数のワイヤガイド3の軸の平行度を調整して、前記ワークWを切断することで、切断後のワークのワイヤ走行方向のワープを制御するウェーハの製造方法である。
 上記のように、本発明では、ワイヤガイド3の軸の平行度を調整する。これにより、ワイヤの走行方向ワープを制御することができ、任意のワープ形状を有するウェーハを製造することができる。
 以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
 図1及び図4に示したような、平行度調整機構11を具備するワイヤソー装置1を用いて、直径300mmのシリコンインゴット(ワーク)を、ワイヤガイドの軸の平行度を-400μmから200μmまで調整して切断した。切断後のワークのワイヤ走行方向ワープの形状比較を行った。結果を図6に示す。
 図6に示したように、ワイヤガイドの軸を、ワイヤソー装置の手前側について200μm、400μmと狭くすると、切断後のワークのワイヤ走行方向ワープは、凹み形状に変化していく事が確認された。また、200μm広くすると切断後のワークの走行方向ワープは、凸形状に変化した。
 図7にワイヤガイドの軸の平行度調整量と図6に示した走行方向ワープのPV値(Peak to Valley)との相関を示した。ワープのデータは、インゴットの装置奥側、ブロック中心、装置手前側3枚のウェーハのデータを用いた。図7に示すように、ワイヤガイド3の軸の平行度調整量とワイヤ走行方向ワープの凹凸量には相関が見られ、装置手前側のワイヤガイド3を狭くするとワイヤ走行方向ワープは、凹み方向に変化し、広くすると凸方向に変化した。以上より、ワイヤガイド3の軸の平行度を調整する事で、ワイヤ走行方向のワープの凹凸量を制御できる事が明らかになった。
 なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (3)

  1.  複数のワイヤガイドと、前記複数のワイヤガイドに巻回され軸方向に往復走行するワイヤによって形成されたワイヤ列と、前記ワイヤにクーラント又はスラリを供給するノズルと、ビームを介してワークが接着されたワークプレートを吊り下げ保持するワーク保持部と、前記ワークを前記ワイヤ列に押圧するワーク送り機構を具備するワイヤソー装置であって、
     前記ワイヤ列を形成する前記複数のワイヤガイドの軸の平行度を調整する機構を具備するものであることを特徴とするワイヤソー装置。
  2.  請求項1に記載のワイヤソー装置を用いて、前記ワイヤ列を形成する前記複数のワイヤガイドの軸の平行度を調整して、ワークを切断することで、切断後のワークのワイヤ走行方向のワープを制御することを特徴とするウェーハの製造方法。
  3.  複数のワイヤガイドに巻回された軸方向に往復走行するワイヤによってワイヤ列を形成し、前記ワイヤにクーラント又はスラリをノズルから供給しつつ、ワーク送り機構によりワーク保持部に保持されたワークを前記ワイヤ列に押圧することで、前記ワークを切断してウェーハを製造する方法であって、
     前記ワイヤ列を形成する前記複数のワイヤガイドの軸の平行度を調整して、前記ワークを切断することで、切断後のワークのワイヤ走行方向のワープを制御することを特徴とするウェーハの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4029670A1 (en) 2021-01-15 2022-07-20 Lapmaster Wolters GmbH Device and method for cutting a solid substrate

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018221922A1 (de) * 2018-12-17 2020-06-18 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000108012A (ja) * 1998-10-02 2000-04-18 Ebara Corp ワイヤソー
JP2003001624A (ja) * 2001-05-10 2003-01-08 Wacker Siltronic Ag 被加工物から基板を切り離す方法
JP2010110866A (ja) * 2008-11-07 2010-05-20 Kanai Hiroaki ワイヤーソーマシン
JP2014133272A (ja) * 2013-01-09 2014-07-24 Komatsu Ntc Ltd 加工用ワイヤ工具ホルダ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2967896B2 (ja) 1993-06-18 1999-10-25 信越化学工業株式会社 ウエーハの製造方法
JPH09192940A (ja) 1996-01-22 1997-07-29 Koganei Corp ワーク搬送装置
JP4816511B2 (ja) * 2007-03-06 2011-11-16 信越半導体株式会社 切断方法およびワイヤソー装置
JP2009029078A (ja) 2007-07-30 2009-02-12 Toyo Advanced Technologies Co Ltd ワイヤーソー装置
US20130139800A1 (en) 2011-12-02 2013-06-06 Memc Electronic Materials, Spa Methods For Controlling Surface Profiles Of Wafers Sliced In A Wire Saw
US20130144420A1 (en) 2011-12-01 2013-06-06 Memc Electronic Materials, Spa Systems For Controlling Surface Profiles Of Wafers Sliced In A Wire Saw
US20130139801A1 (en) 2011-12-01 2013-06-06 Memc Electronic Materials, Spa Methods For Controlling Displacement Of Bearings In A Wire Saw
TWI567812B (zh) 2011-12-01 2017-01-21 Memc電子材料公司 用於控制在一線鋸中經切片之晶圓之表面輪廓之系統及方法
US20130144421A1 (en) 2011-12-01 2013-06-06 Memc Electronic Materials, Spa Systems For Controlling Temperature Of Bearings In A Wire Saw
KR20150099656A (ko) 2014-02-21 2015-09-01 웅진에너지 주식회사 와이어 쏘 장치용 가이드 롤러 평행도 조정장치
JP2016135529A (ja) 2015-01-23 2016-07-28 信越半導体株式会社 ワークの切断方法
DE102018221922A1 (de) * 2018-12-17 2020-06-18 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium
WO2021013238A1 (zh) * 2019-07-24 2021-01-28 徐州鑫晶半导体科技有限公司 切割硅棒的方法和金刚石多线切割装置
TWI786740B (zh) * 2020-07-27 2022-12-11 環球晶圓股份有限公司 晶碇切割裝置及晶碇切割方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000108012A (ja) * 1998-10-02 2000-04-18 Ebara Corp ワイヤソー
JP2003001624A (ja) * 2001-05-10 2003-01-08 Wacker Siltronic Ag 被加工物から基板を切り離す方法
JP2010110866A (ja) * 2008-11-07 2010-05-20 Kanai Hiroaki ワイヤーソーマシン
JP2014133272A (ja) * 2013-01-09 2014-07-24 Komatsu Ntc Ltd 加工用ワイヤ工具ホルダ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4029670A1 (en) 2021-01-15 2022-07-20 Lapmaster Wolters GmbH Device and method for cutting a solid substrate
WO2022152606A1 (en) 2021-01-15 2022-07-21 Lapmaster Wolters Gmbh Device and method for cutting a solid substrate

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