WO2019065669A1 - 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 - Google Patents

弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2019065669A1
WO2019065669A1 PCT/JP2018/035555 JP2018035555W WO2019065669A1 WO 2019065669 A1 WO2019065669 A1 WO 2019065669A1 JP 2018035555 W JP2018035555 W JP 2018035555W WO 2019065669 A1 WO2019065669 A1 WO 2019065669A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
acoustic impedance
layer
layers
impedance layer
elastic wave
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/035555
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
大村　正志
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to CN201880062801.7A priority Critical patent/CN111149295B/zh
Priority to JP2019545528A priority patent/JP6725083B2/ja
Priority to DE112018005526.4T priority patent/DE112018005526B4/de
Priority to KR1020207008611A priority patent/KR102374795B1/ko
Publication of WO2019065669A1 publication Critical patent/WO2019065669A1/ja
Priority to US16/822,066 priority patent/US11309866B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02228—Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/175—Acoustic mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/566—Electric coupling means therefor
    • H03H9/568—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/60—Electric coupling means therefor
    • H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates generally to an elastic wave device and a method of manufacturing an elastic wave device, and more particularly to an elastic wave device used for a resonator or a filter, and a method of manufacturing an elastic wave device.
  • an elastic wave device using an acoustic reflection layer (acoustic impedance layer) is known (see, for example, Patent Document 1).
  • the elastic wave device described in Patent Document 1 has a piezoelectric layer.
  • An IDT (Interdigital Transducer) electrode is provided on the second main surface of the piezoelectric layer.
  • the acoustic reflection layer is laminated
  • a support layer is laminated on the reinforcing substrate. The support layer is provided with a recess that is open towards the top. An acoustic reflection layer is filled in the recess. The acoustic reflection layer is provided at a position overlapping the IDT electrode in plan view.
  • the inventor attempted to form a capacitor integrally with the elastic wave device.
  • the present invention is an invention made in view of the above-mentioned point, and an object of the present invention is to provide an elastic wave device and a method of manufacturing the elastic wave device which can achieve miniaturization while suppressing characteristic deterioration. .
  • An elastic wave device includes a substrate, a first acoustic impedance layer and a second acoustic impedance layer, a piezoelectric layer, an IDT electrode, and at least one electrode.
  • the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer are formed on the substrate.
  • the piezoelectric layer is formed on the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer.
  • the IDT electrode is formed on the piezoelectric layer. At least a part of the IDT electrode overlaps the first acoustic impedance layer in a plan view from the thickness direction of the piezoelectric layer.
  • the electrode is formed on the piezoelectric layer.
  • each of the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer has at least one high acoustic impedance layer and at least one first low acoustic impedance layer.
  • the low acoustic impedance layer has lower acoustic impedance than the high acoustic impedance layer.
  • the high acoustic impedance layer or the low acoustic impedance layer is a conductive layer.
  • a capacitor is formed by the conductive layer and the electrode in the second acoustic impedance layer.
  • the conductive layer in the first acoustic impedance layer is electrically isolated from the conductive layer in the second acoustic impedance layer.
  • a method of manufacturing an elastic wave device includes the steps of preparing a substrate and a piezoelectric layer.
  • the method of manufacturing the elastic wave device has a step of forming a first acoustic impedance layer and a second acoustic impedance layer between the substrate and the piezoelectric layer.
  • the first acoustic impedance layer includes at least one conductive layer.
  • the second acoustic impedance layer includes at least one conductive layer.
  • the method of manufacturing the elastic wave device includes the steps of forming an IDT electrode and forming at least one electrode.
  • the IDT electrode is formed on the piezoelectric layer, and at least a part of which overlaps the first acoustic impedance layer in a plan view from the thickness direction of the substrate. At least one electrode is formed on the piezoelectric layer, and at least a part of which overlaps the second acoustic impedance layer in a plan view from the thickness direction of the substrate.
  • the step of forming the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer the step of forming the high acoustic impedance layer and the step of forming the low acoustic impedance layer are repeated at least once.
  • the low acoustic impedance layer has lower acoustic impedance than the high acoustic impedance layer.
  • the conductive layer in the first acoustic impedance layer and the conductive layer in the second acoustic impedance layer are electrically insulated from each other.
  • a capacitor is formed by the conductive layer in the second acoustic impedance layer and the electrode.
  • the elastic wave device and the method of manufacturing the elastic wave device according to the above aspect of the present invention downsizing of the elastic wave device can be achieved while suppressing characteristic deterioration.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a front view of the above elastic wave device.
  • FIG. 3 is a circuit diagram of the ladder type filter according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4A to FIG. 4G are process drawings showing manufacturing steps of the elastic wave device of the same.
  • 5A to 5D are process drawings showing the manufacturing steps of the elastic wave device of the same.
  • FIG. 6 is a front view of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the above elastic wave device.
  • FIG. 8 is a circuit diagram of a ladder type filter according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line X1-X1 of FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line X2-X2 of FIG.
  • the elastic wave device 1 includes a substrate 2, an intermediate layer 3, a piezoelectric layer 4, and an IDT (Interdigital Transducer). An electrode 5 and a plurality of (two in the illustrated example) electrodes 61 and 62 are provided.
  • the elastic wave device 1 is an elastic wave device using a plate wave.
  • the middle layer 3 has a first acoustic impedance layer 31 and a plurality of second acoustic impedance layers 32 and 33.
  • the first acoustic impedance layer 31 has a laminated structure of a plurality of first high acoustic impedance layers 311, 313 and a plurality of first low acoustic impedance layers 312, 314, 315, and the thickness direction of the substrate 2 (first It faces the IDT electrode 5 in the direction D1).
  • the second acoustic impedance layer 32 has a laminated structure of a plurality of second high acoustic impedance layers 321 and 323 and a plurality of second low acoustic impedance layers 322, 324 and 325, and the electrodes 61 in the thickness direction of the substrate 2.
  • the second acoustic impedance layer 33 has a laminated structure of a plurality of second high acoustic impedance layers 331 and 333 and a plurality of second low acoustic impedance layers 332, 334 and 335, and the electrodes 62 in the thickness direction of the substrate 2.
  • the plurality of first high acoustic impedance layers 311 and 313 are first conductive layers having conductivity
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 321, 323, 331 and 333 are It is a second conductive layer having conductivity.
  • capacitors 71 and 72 which make the above-mentioned 2nd conductive layer and electrodes 61 and 62 a pair of electrodes are formed, and the above-mentioned 1st conductive layer is electrically independent of the above-mentioned 2nd conductive layer Insulated.
  • the elastic wave device according to the first embodiment may be, for example, a filter such as a ladder type filter 9 (see FIG. 3).
  • the substrate 2 is a support substrate that supports the intermediate layer 3 and the piezoelectric layer 4. More specifically, the substrate 2 is formed in a flat plate shape and has a main surface.
  • the substrate 2 is made of, for example, Si.
  • the substrate 2 is not limited to Si, and may be made of ceramic such as LiNbO 3 or LiTaO 3 , quartz, glass or the like.
  • the first acoustic impedance layer 31 has a function of suppressing the elastic wave excited by the IDT electrode 5 from leaking to the substrate 2.
  • the intermediate layer 3 includes the first acoustic impedance layer 31, a plurality of (two in the illustrated example) second acoustic impedance layers 32, 33, and an insulating layer. And 34.
  • the intermediate layer 3 is a layer interposed between the substrate 2 and the piezoelectric layer 4.
  • the intermediate layer 3 is formed on the substrate 2.
  • the first acoustic impedance layer 31 includes a plurality of (2 layers in the illustrated example) first high acoustic impedance layers 311 and 313, and a plurality (3 layers in the illustrated example) first low acoustic impedance layers 312, 314 and 315 Including.
  • the impedance layer 313 and the first low acoustic impedance layer 314 are stacked in this order from the substrate 2 side.
  • the first high acoustic impedance layers 311 and 313 are layers having relatively high acoustic impedance.
  • the first low acoustic impedance layers 312, 314, 315 are layers having relatively low acoustic impedance. That is, the first high acoustic impedance layers 311 and 313 have higher acoustic impedance than the first low acoustic impedance layers 312, 314 and 315.
  • the second acoustic impedance layer 32 includes a plurality of (two in the illustrated example) second high acoustic impedance layers 321 and 323, and a plurality of (in the illustrated example) second low acoustic And impedance layers 322, 324, and 325.
  • the second low acoustic impedance layer 325, the second high acoustic impedance layer 321, the second low acoustic impedance layer 322, the second high acoustic The impedance layer 323 and the second low acoustic impedance layer 324 are stacked in this order from the substrate 2 side.
  • the second high acoustic impedance layers 321 and 323 are layers having relatively high acoustic impedance.
  • the second low acoustic impedance layers 322, 324, 325 are layers having relatively low acoustic impedance. That is, the second high acoustic impedance layers 321 and 323 have higher acoustic impedance than the second low acoustic impedance layers 322, 324 and 325. In other words, the second low acoustic impedance layers 322, 324, 325 have lower acoustic impedance than the second high acoustic impedance layers 321, 323.
  • the second acoustic impedance layer 33 includes a plurality of (two in the illustrated example) second high acoustic impedance layers 331 and 333 and a plurality of (in the illustrated example) second low acoustic And impedance layers 332, 334, and 335.
  • the second low acoustic impedance layer 335, the second high acoustic impedance layer 331, the second low acoustic impedance layer 332, and the second high acoustic The impedance layer 333 and the second low acoustic impedance layer 334 are stacked in this order from the substrate 2 side.
  • the second high acoustic impedance layers 331 and 333 are layers having relatively high acoustic impedance.
  • the second low acoustic impedance layers 332, 334, and 335 are layers having relatively low acoustic impedance. That is, the second high acoustic impedance layers 331 and 333 have higher acoustic impedance than the second low acoustic impedance layers 332, 334 and 335. In other words, the second low acoustic impedance layers 332, 334, 335 have lower acoustic impedance than the second high acoustic impedance layers 331, 333.
  • the insulating layer 34 is provided between the first acoustic impedance layer 31 and the second acoustic impedance layer 32 in a second direction D2 orthogonal to the first direction D1.
  • the insulating layer 34 is formed of an electrically insulating material such as SiO 2 .
  • the piezoelectric layer 4 is formed on the intermediate layer 3. More specifically, the piezoelectric layer 4 is formed on the intermediate layer 3 by a piezoelectric material such as LiNbO 3. Piezoelectric layer 4 is not limited to LiNbO 3, LiTaO 3 or the like, may be formed of other piezoelectric materials.
  • the thickness of the piezoelectric layer 4 is smaller than the wavelength of the elastic wave determined by the electrode finger pitch P1 described later of the IDT electrode 5, as shown in FIG.
  • the thickness of the piezoelectric layer 4 is, for example, 340 nm.
  • the IDT electrode 5 is formed on the piezoelectric layer 4 as shown in FIGS. 1 and 2. At least a part of the IDT electrode 5 overlaps the first acoustic impedance layer 31 in a plan view from the first direction D1 which is the thickness direction of the substrate 2.
  • a reflector is formed in the vicinity of the IDT electrode 5.
  • the IDT electrode 5 and the reflector are formed of a metal such as Al.
  • the IDT electrode 5 and the reflector are not limited to Al, and may be formed of another metal or alloy such as Cu, Pt, Au, Ti, Ni or the like.
  • the IDT electrode 5 has a first electrode 51 and a second electrode 52.
  • the first electrode 51 has a plurality of first electrode fingers 53 parallel to each other, and a first bus bar 54 connecting the plurality of first electrode fingers 53.
  • the second electrode 52 has a plurality of second electrode fingers 55 parallel to each other, and a second bus bar 56 connecting the plurality of second electrode fingers 55.
  • the first electrode finger 53 of the first electrode 51 and the second electrode finger 55 of the second electrode 52 are mutually inserted.
  • the thickness of the piezoelectric layer 4 is It is 1 ⁇ or less.
  • the electrode finger pitch P1 is a direction (elastic wave propagation direction) orthogonal to the direction in which the first electrode finger 53 and the second electrode finger 55 extend (the length direction of the first electrode finger 53 and the second electrode finger 55)
  • the distance between the first electrode finger 53 and the second electrode finger 55 adjacent to each other has a different potential.
  • the electrode finger pitch P1 corresponds to the mutually corresponding sides of the first electrode finger 53 and the second electrode finger 55 (in FIG. 2, the first electrode finger 53 and the second electrode finger 55 is the distance between the upper side parallel to the center line).
  • Electrodes The plurality of electrodes 61 and 62 are formed on the piezoelectric layer 4. More specifically, the plurality of electrodes 61 and 62 are formed on the piezoelectric layer 4 at different positions from the IDT electrode 5. Further, at least a part of the electrode 61 overlaps the second acoustic impedance layer 32 in a plan view from the first direction D1 which is the thickness direction of the substrate 2. Similarly, at least a part of the electrode 62 overlaps the second acoustic impedance layer 33 in plan view from the first direction D1 which is the thickness direction of the substrate 2. The plurality of electrodes 61 and 62 are provided adjacent to each other on the piezoelectric layer 4.
  • Each of the electrodes 61 and 62 is formed in, for example, a rectangular flat plate shape.
  • the electrodes 61 and 62 are formed of a metal such as Al.
  • the electrodes 61 and 62 are not limited to Al, and may be formed of another metal or alloy such as Cu, Pt, Au, Ti, or Ni.
  • the electrodes 61 and 62 may be formed of the same metal or alloy as the IDT electrode 5 or may be formed of a metal or alloy different from the IDT electrode 5.
  • the electrodes 61 and 62 may be formed of the same metal or alloy, or may be formed of different metals or alloys.
  • the intermediate layer 3 includes the first acoustic impedance layer 31 and a plurality of (two in the illustrated example) second acoustic impedance layers 32, And 33.
  • the first acoustic impedance layer 31 includes a plurality of (two in the illustrated example) first high acoustic impedance layers 311 and 313 and a plurality of (in the illustrated example) first low acoustic impedance layers 312 and 314. , And 315 have a laminated structure.
  • the first high acoustic impedance layers 311 and 313 and the first low acoustic impedance layers 312, 314 and 315 are alternately arranged in the thickness direction of the substrate 2 (first direction D1).
  • the first acoustic impedance layer 31 faces the IDT electrode 5 in the thickness direction of the substrate 2 (first direction D1).
  • Each of the first high acoustic impedance layers 311 and 313 is formed as a conductive first conductive layer.
  • the first high acoustic impedance layers 311 and 313 are formed of a metal such as W.
  • the first high acoustic impedance layers 311 and 313 are not limited to W, and may be formed of another metal such as Pt.
  • the first low acoustic impedance layers 312, 314, 315 are formed of an insulator such as SiO 2 . Also, the acoustic impedances of the first low acoustic impedance layers 312, 314, 315 are lower than the acoustic impedances of the first high acoustic impedance layers 311, 313.
  • the first high acoustic impedance layers 311, 313 and the first low acoustic impedance layers 312, 314, 315 are alternately stacked. Therefore, the plate wave propagated from the piezoelectric layer 4 is the interface between the first low acoustic impedance layer 314 and the first high acoustic impedance layer 313, and the first low acoustic impedance layer 312 and the first high acoustic impedance layer. It is reflected at the interface with 311.
  • the second acoustic impedance layer 32 includes a plurality of (two in the illustrated example) second high acoustic impedance layers 321 and 323 and a plurality of (two in the illustrated example) second low acoustic impedance layers 322 and 324. , 325 have a laminated structure.
  • the second high acoustic impedance layers 321 and 323 and the second low acoustic impedance layers 322, 324 and 325 are alternately arranged in the thickness direction of the substrate 2 (first direction D1).
  • the second acoustic impedance layer 32 is provided corresponding to the electrode 61.
  • the second acoustic impedance layer 32 faces the electrode 61 in the thickness direction of the substrate 2 (first direction D1).
  • the second acoustic impedance layer 32 is disposed side by side with the first acoustic impedance layer 31 in the second direction D2 orthogonal to the thickness direction of the substrate 2.
  • the second high acoustic impedance layers 321 and 323 are each formed as a conductive second conductive layer.
  • the second high acoustic impedance layers 321 and 323 are formed of a metal such as W.
  • the second high acoustic impedance layers 321 and 323 are not limited to W, and may be formed of another metal such as Pt.
  • the second low acoustic impedance layers 322, 324, 325 are formed of an insulator such as SiO 2 . Also, the acoustic impedance of the second low acoustic impedance layers 322, 324, 325 is lower than the acoustic impedance of the second high acoustic impedance layers 321, 323.
  • the second acoustic impedance layer 33 includes a plurality of (two in the illustrated example) second high acoustic impedance layers 331 and 333 and a plurality of (in the illustrated example) second low acoustic impedance It has a stacked structure of layers 332, 334, and 335.
  • the second high acoustic impedance layers 331 and 333 and the second low acoustic impedance layers 332, 334 and 335 are alternately arranged in the thickness direction of the substrate 2 (first direction D1).
  • the second acoustic impedance layer 33 is provided corresponding to the electrode 62.
  • the second acoustic impedance layer 33 faces the electrode 62 in the thickness direction of the substrate 2 (first direction D1).
  • the second acoustic impedance layer 33 is disposed side by side with the first acoustic impedance layer 31 in the second direction D2 orthogonal to the thickness direction of the substrate 2.
  • Each of the second high acoustic impedance layers 331 and 333 is formed as a conductive second conductive layer.
  • the second high acoustic impedance layers 331 and 333 are formed of a metal such as W.
  • the second high acoustic impedance layers 331 and 333 are not limited to W, and may be formed of another metal such as Pt.
  • the second low acoustic impedance layers 332, 334, and 335 are formed of an insulator such as SiO 2 similarly to the second low acoustic impedance layers 322, 324, and 325. Also in the second acoustic impedance layer 33, as in the second acoustic impedance layer 32, the acoustic impedance of the second low acoustic impedance layers 332, 334, 335 is higher than the acoustic impedance of the second high acoustic impedance layers 331, 333. Low.
  • the second acoustic impedance layer 32 is formed to face the electrode 61 via the piezoelectric layer 4 in the thickness direction of the substrate 2 (the first direction D1).
  • a capacitor having the second high acoustic impedance layer 323 and the electrode 61 as a pair of electrodes between the second high acoustic impedance layer 323 of the second acoustic impedance layer 32 and the electrode 61. 71 is formed. That is, the capacitor 71 is formed by the second high acoustic impedance layer 323 of the second acoustic impedance layer 32 and the electrode 61.
  • the second acoustic impedance layer 33 is formed to face the electrode 62 via the piezoelectric layer 4 in the thickness direction of the substrate 2 (the first direction D1).
  • a capacitor 72 having the second high acoustic impedance layer 333 and the electrode 62 as a pair of electrodes is formed between the second high acoustic impedance layer 333 of the second acoustic impedance layer 33 and the electrode 62. That is, the capacitor 72 is formed by the second high acoustic impedance layer 333 of the second acoustic impedance layer 33 and the electrode 62.
  • the second high acoustic impedance layer 323 of the second acoustic impedance layer 32 and the second high acoustic impedance layer 333 of the second acoustic impedance layer 33 are electrically connected to each other.
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 323 and 333 are formed of the same material. That is, the second high acoustic impedance layer 323 and the second high acoustic impedance layer 333 are integrated.
  • a plurality of (two in the illustrated example) capacitors 71 and 72 are connected in series between the electrode 61 and the electrode 62.
  • the second high acoustic impedance layer 321 of the second acoustic impedance layer 32 and the second high acoustic impedance layer 331 of the second acoustic impedance layer 33 are also electrically connected to each other.
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 321 and 331 are formed of the same material.
  • the first high acoustic impedance layer 313 is electrically insulated from the second high acoustic impedance layer 323 and the second high acoustic impedance layer 333 via the insulating layer 34.
  • the first high acoustic impedance layer 311 is electrically insulated from the second high acoustic impedance layer 321 and the second high acoustic impedance layer 331 through the insulating layer 34, respectively.
  • the first high acoustic impedance layer 313 of the first acoustic impedance layer 31 is formed of the same material as the second high acoustic impedance layers 323 and 333 of the second acoustic impedance layers 32 and 33.
  • the first high acoustic impedance layer 311 of the first acoustic impedance layer 31 is formed of the same material as the second high acoustic impedance layers 321 and 331 of the second acoustic impedance layers 32 and 33.
  • the substrate 2 is prepared.
  • the substrate 2 is, for example, a Si substrate.
  • a second structure having a stacked structure of a plurality of second high acoustic impedance layers 321 and 323 and a plurality of second low acoustic impedance layers 322, 324 and 325 on the substrate 2 is provided.
  • An acoustic impedance layer 32 is formed.
  • a second acoustic wave having a laminated structure of a plurality of second high acoustic impedance layers 331 and 333 and a plurality of second low acoustic impedance layers 332, 334 and 335 on the substrate 2
  • the impedance layer 33 is formed.
  • the first low acoustic impedance layer 315, the second low acoustic impedance layers 325 and 335, and a portion 343 of the insulating layer 34 are formed. That is, in the second step, the insulating film is formed on the substrate 2.
  • the material of the insulating film is, for example, SiO 2 .
  • the insulating film is formed by the CVD method. Thereby, the first low acoustic impedance layer 315 and the second low acoustic impedance layers 325 and 335 can be simultaneously formed. That is, in the second step, the first low acoustic impedance layer 315 and the second low acoustic impedance layers 325 and 335 are simultaneously formed in one step using the same material.
  • the conductive film 301 which is the source of the first high acoustic impedance layer 311 and the second high acoustic impedance layers 321 and 331 is formed. More specifically, in the third step, the conductive film 301 is formed on the insulating film formed in the second step by a thin film formation method such as CVD, sputtering, or evaporation.
  • the material of the conductive film 301 is, for example, W.
  • the first high acoustic impedance layer 311 and the second high acoustic impedance layers 321 and 331 are formed. More specifically, in the fourth step, the conductive film is partially removed by etching to electrically insulate the first high acoustic impedance layer 311 and the second high acoustic impedance layers 321 and 331 from each other. Do.
  • the first low acoustic impedance layer 312, the second low acoustic impedance layers 322 and 332, and a part 341 of the insulating layer 34 are formed. More specifically, in the fourth step, an insulating film is formed to cover the first high acoustic impedance layer 311 and the second high acoustic impedance layers 321 and 331.
  • the material of the insulating film is, for example, SiO 2 .
  • the insulating film is formed by the CVD method. Thereby, the first low acoustic impedance layer 312 and the second low acoustic impedance layers 322 and 332 can be simultaneously formed. That is, in the fifth step, the first low acoustic impedance layer 312 and the second low acoustic impedance layers 322 and 332 are simultaneously formed in one step using the same material.
  • the conductive film 303 which is the source of the first high acoustic impedance layer 313 and the second high acoustic impedance layers 323 and 333 is formed. More specifically, in the sixth step, the conductive film 303 is formed over the insulating film.
  • the material of the conductive film 303 is, for example, W.
  • the conductive film 303 is formed on the insulating film by a thin film formation method such as CVD, sputtering, or evaporation.
  • the first high acoustic impedance layer 313 and the second high acoustic impedance layers 323 and 333 are formed. More specifically, in the seventh step, a portion of the conductive film 303 is removed by etching to electrically insulate the first high acoustic impedance layer 313 and the second high acoustic impedance layers 323 and 333 from each other. Form.
  • a portion overlapping with the portion from which the conductive film 301 is removed is removed by etching in a plan view from the thickness direction of the substrate 2.
  • the first high acoustic impedance layer 313 is formed on the laminated structure of the first high acoustic impedance layer 311 and the first low acoustic impedance layer 312.
  • the second high acoustic impedance layers 323 and 333 are formed on the laminated structure of the second high acoustic impedance layers 321 and 331 and the second low acoustic impedance layers 322 and 332.
  • the first low acoustic impedance layer 314, the second low acoustic impedance layers 324 and 334, and a part 342 of the insulating layer 34 are formed. More specifically, in the eighth step, the insulating film is formed so as to cover the first high acoustic impedance layer 313, the second high acoustic impedance layers 323 and 333 and the exposed portion of the part 341 of the insulating layer 34.
  • the material of the insulating film in the eighth step is, for example, SiO 2 .
  • the insulating film in the eighth step is preferably formed of the same material as the insulating film in the fifth step.
  • the insulating film in the eighth step is not limited to be formed of the same material as the insulating film in the fifth step, and may be formed of a material different from the insulating film in the fifth step.
  • the first low acoustic impedance layer 314 and the second low acoustic impedance layers 324 and 334 are simultaneously formed in one step using the same material.
  • the piezoelectric layer 4 is formed on the intermediate layer 3.
  • the IDT electrode 5 and the plurality of electrodes 61 and 62 are formed on the piezoelectric layer 4 at mutually different positions.
  • a conductive film 501 which is the basis of the IDT electrode 5, the plurality of electrodes 61 and 62, and the plurality of wirings 60, is formed on the piezoelectric layer 4. More specifically, in the tenth step, the conductive film 501 is formed on the piezoelectric layer 4 by a thin film formation method such as sputtering or vapor deposition.
  • the material of the conductive film 501 is, for example, Al.
  • the IDT electrode 5, the plurality of electrodes 61 and 62, and the plurality of wirings 60 are formed on the piezoelectric layer 4 by photolithography and etching. More specifically, in the eleventh step, in a plan view from the thickness direction (first direction D1) of the substrate 2, the first high acoustic impedance layers 311, 313 and the first low acoustic impedance layers 312, 314, 315 and The IDT electrode 5 is formed at a position facing the laminated structure of Further, the electrode 61 is formed at a position facing the laminated structure of the second high acoustic impedance layers 321 and 323 and the second low acoustic impedance layers 322, 324 and 325 in plan view from the thickness direction of the substrate 2.
  • the electrode 62 is formed at a position facing the laminated structure of the second high acoustic impedance layers 331, 333 and the second low acoustic impedance layers 332, 334, 335.
  • the IDT electrode 5, the plurality of electrodes 61 and 62, and the plurality of wires 60 are not limited to being formed on the piezoelectric layer 4 by photolithography and etching. It is also good.
  • the IDT electrode 5, the plurality of electrodes 61 and 62, and the plurality of wirings 60 are formed by lift-off, the tenth step can be omitted.
  • the elastic wave device 1 according to the first embodiment constitutes an elastic wave resonator and a capacitor. A part of the elastic wave device 1 according to the first embodiment operates as an elastic wave resonator. As described above, since the thickness of the piezoelectric layer 4 is thinner than the wavelength of the elastic wave determined by the electrode finger pitch P1 of the IDT electrode 5, the plate which is an elastic wave when an alternating electric field is applied to the IDT electrode 5 The wave is efficiently excited and propagates through the piezoelectric layer 4.
  • the plate wave leaked to the intermediate layer 3 side becomes the first high acoustic impedance layer 313 and the first low acoustic impedance layer 314.
  • the elastic wave device according to the first embodiment may be a ladder type filter 9 as shown in FIG.
  • the ladder type filter 9 according to the first embodiment will be described.
  • the ladder type filter 9 includes a series arm circuit 97 and a plurality of (two in the illustrated example) parallel arm circuits 981 and 982.
  • the series arm circuit 97 is connected in series on a first path (series arm) connecting the input terminal 961 and the output terminal 962.
  • the plurality of parallel arm circuits 981 and 982 are respectively provided on a second path connecting a node on the first path and the ground.
  • the series arm circuit 97 has a plurality of (three in the illustrated example) series arm resonators 91 to 93.
  • the parallel arm circuit 981 has a parallel arm resonator 94. One end of the parallel arm resonator 94 is connected to a connection point (a node on the first path) of the series arm resonator 91 and the series arm resonator 92, and the other end of the parallel arm resonator 94 is connected to the ground. It is connected.
  • the parallel arm circuit 982 has a parallel arm resonator 95.
  • One end of the parallel arm resonator 95 is connected to the connection point (node on the first path) of the series arm resonator 92 and the series arm resonator 93, and the other end of the parallel arm resonator 95 is connected to the ground. It is connected.
  • the elastic wave device is connected to the series arm resonator 93 connected closest to the output terminal 962 on the first path among the plurality of series arm resonators 91 to 93.
  • a configuration of 1 (see FIG. 1) is used.
  • a resonator using the piezoelectric layer 4 and the IDT electrode 5 in the elastic wave device 1 is a series arm resonator 93.
  • the series arm resonator 93 connected closest to the output terminal 962 is electrically connected closest to the output terminal 962 among the plurality of series arm resonators 91 to 93. It is a resonator.
  • a plurality of capacitors 71 and 72 are connected between the series arm resonator 93 and the output terminal 962.
  • the plurality of capacitors 71 and 72 are connected in series.
  • the capacitors 71 and 72 are provided on the first path between the output terminal 962 and the series arm resonator 93 connected closest to the output terminal 962 on the first path.
  • a matching circuit, an anti-surge circuit, or a filter circuit can be configured.
  • the inductor 73 is not limited to being connected between the capacitor 72 and the output terminal 962, and may be connected between the capacitor 71 and the series arm resonator 93.
  • the ladder type filter 9 when the ladder type filter 9 is provided with a matching circuit, a surge countermeasure circuit or a filter circuit, a small and low loss circuit is required.
  • an element constituting the above-described circuit can be provided between the series arm resonator 93 and the output terminal 962. Since these elements can be produced in the thickness direction of the substrate 2 (first direction D1), they can be produced with small size and low loss, for example, in the case of using a comb-like electrode. That is, since the capacitors 71 and 72 can be formed in the thickness direction of the substrate 2, a large capacity and low resistance element can be formed.
  • capacitors 71 and 72 can be formed in the substrate 2, it is possible to miniaturize and reduce additional elements (for example, discrete elements).
  • capacitors 71 and 72 can be formed in the same process as the resonator, cost can be reduced as compared with the case where the resonator and the capacitor are formed in separate processes.
  • the second high acoustic impedance layers 321, 323, 331, 333 of the opposing second acoustic impedance layers 32, 33 are electrically insulated.
  • the size of the entire elastic wave device 1 can be reduced while suppressing the characteristic deterioration as compared with the case where the capacitor is a discrete element or the capacitor is formed on the wiring substrate.
  • the second acoustic impedance layers 32, 33 overlap at least a part of the electrodes 61, 62 in the thickness direction of the substrate 2 (first direction D1), and the second acoustic impedance layer
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 321, 323, 331, 333 of the impedance layers 32, 33 include a second conductive layer.
  • the second conductive layer can be used as the other electrode different from the electrodes 61 and 62 in the capacitors 71 and 72.
  • the capacitors 71 and 72 can be miniaturized in the thickness direction of the substrate 2 (the first direction D1).
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 323 and 333 in the plurality of second acoustic impedance layers 32 and 33 corresponding to the plurality of electrodes 61 and 62 are electrically connected to each other. There is. Thereby, the plurality of capacitors 71 and 72 can be easily formed.
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 323 and 333 are formed of the same material.
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 321 and 331 are also formed of the same material. Thereby, the plurality of second acoustic impedance layers 32 and 33 can be easily formed.
  • the first high acoustic impedance layer 313 of the first acoustic impedance layer 31 and the second high acoustic impedance layers 323 and 333 of the second acoustic impedance layers 32 and 33 are formed of the same material. It is done.
  • the first high acoustic impedance layer 311 of the first acoustic impedance layer 31 and the second high acoustic impedance layers 321 and 331 of the second acoustic impedance layers 32 and 33 are formed of the same material. Thereby, the first acoustic impedance layer 31 and the second acoustic impedance layers 32 and 33 can be easily formed.
  • the thickness direction of the substrate 2 (first direction D1).
  • the elastic wave device 1 includes the two electrodes 61 and 62. However, as a modification of the first embodiment, the elastic wave device 1 may include only one electrode, or three or more electrodes. An electrode may be provided. In short, the elastic wave device 1 may be provided with at least one electrode.
  • the elastic wave device 1 includes the two second acoustic impedance layers 32 and 33. However, as a modification of the first embodiment, the elastic wave device 1 has only one second acoustic impedance layer. It may have three or more second acoustic impedance layers. In short, the elastic wave device 1 may have at least one second acoustic impedance layer.
  • the number of laminated first acoustic impedance layers 31 (the total number of first high acoustic impedance layers and first low acoustic impedance layers) is not limited to five, and may be three or seven or more. May be Further, in the first acoustic impedance layer 31, the first high acoustic impedance layer and the first low acoustic impedance layer may have the same number. That is, the number of laminated layers of the first acoustic impedance layer 31 may be an even number layer such as two layers, four layers, or six layers.
  • the number of laminated layers of each of the second acoustic impedance layers 32 and 33 (the total number of the second high acoustic impedance layer and the second low acoustic impedance layer) is also the same as that of the first acoustic impedance layer 31 and is not limited to 5 layers. There may be three layers or seven or more layers. In each of the second acoustic impedance layers 32 and 33, the number of the second high acoustic impedance layers and the number of the second low acoustic impedance layers may be the same. That is, the lamination number of each of the second acoustic impedance layers 32 and 33 may be an even number layer such as two layers, four layers, or six layers.
  • all of the plurality of first high acoustic impedance layers 311 and 313 in the first acoustic impedance layer 31 are the first conductive layers having conductivity, but the plurality of first high acoustic impedance layers 311 and 313 Only one of them may be the first conductive layer.
  • the plurality of first high acoustic impedance layers 311 and 313 may include at least one first conductive layer.
  • all of the plurality of second high acoustic impedance layers 321 and 323 in the second acoustic impedance layer 32 are the second conductive layers having conductivity, but the plurality of second high acoustic impedance layers 321 and 323 Or the second conductive layer may be the second conductive layer.
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 321 and 323 may include at least one second conductive layer.
  • all of the plurality of second high acoustic impedance layers 331 and 333 in the second acoustic impedance layer 33 are the second conductive layer having conductivity, any of the plurality of second high acoustic impedance layers 331 and 333. The only one may be the second conductive layer.
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 331 and 333 may include at least one second conductive layer.
  • the plurality of first high acoustic impedance layers 311 and 313 in the first acoustic impedance layer 31 are not limited to being formed of the same material, and may be formed of different materials.
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 321 and 323 in the second acoustic impedance layer 32 are not limited to being formed of the same material, and may be formed of different materials.
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 331 and 333 in the second acoustic impedance layer 33 are not limited to being formed of the same material, and may be formed of different materials.
  • the plurality of first low acoustic impedance layers 312, 314, and 315 in the first acoustic impedance layer 31 are not limited to being formed of the same material, and may be formed of different materials.
  • the plurality of second low acoustic impedance layers 322, 324, and 325 in the second acoustic impedance layer 32 are not limited to being formed of the same material, and may be formed of different materials.
  • the plurality of second low acoustic impedance layers 332, 334, and 335 in the second acoustic impedance layer 33 are not limited to being formed of the same material, and may be formed of different materials.
  • the first acoustic impedance layer 31 is not limited to the example in which the first high acoustic impedance layers 311 and 313 are the first conductive layers, and the first low acoustic impedance layers 312, 314 and 315 may be the first conductive layers.
  • the second acoustic impedance layers 32, 33 are not limited to the example in which the second high acoustic impedance layers 321, 323, 331, 333 are the second conductive layers, and second low acoustic impedance layers 322, 324, 325, 332, 334, and 335 may be the second conductive layer.
  • a capacitor having the second conductive layer and the electrode as a pair of electrodes may be formed, and the first conductive layer may be electrically insulated from the second conductive layer.
  • the resonator using the piezoelectric layer 4 and the IDT electrode 5 in the elastic wave device 1 is the series arm resonator 93 in the example of FIG. 3, but is the series arm resonator 91 or the series arm resonator 92 It may be a parallel arm resonator 94 or a parallel arm resonator 95.
  • at least one of the plurality of series arm resonators 91 to 93 and the plurality of parallel arm resonators 94 and 95 is a resonator using the piezoelectric layer 4 and the IDT electrode 5 of the elastic wave device 1. If it is
  • the capacitors 71 and 72 are provided on the output side (between the series arm resonator 93 and the output terminal 962) of the ladder type filter 9, and the second conductive film constituting the capacitors 71 and 72 is They are electrically connected to each other.
  • at least two capacitors may be provided not on the output side of the ladder type filter 9 but on the input side of the ladder type filter 9 (for example, between the input terminal 961 and the series arm resonator 91).
  • at least two second conductive films constituting at least two capacitors are electrically connected to each other.
  • at least two capacitors may be provided on each of the input side and the output side of the ladder type filter 9. In this case, the electrode of the capacitor provided on the input side of the ladder type filter 9 and the electrode of the capacitor provided on the output side of the ladder type filter 9 are not electrically connected.
  • the first acoustic impedance layer 31 and the second acoustic impedance layers 32 and 33 are formed on the substrate 2 in the first embodiment, the first acoustic impedance layer 31 and the second acoustic impedance layers 32 and 33 are formed on the piezoelectric layer 4 as a modification of the first embodiment.
  • One acoustic impedance layer 31 and second acoustic impedance layers 32 and 33 may be formed.
  • the first acoustic impedance layer 31 and the second acoustic impedance layers 32 and 33 may be formed between the substrate 2 and the piezoelectric layer 4.
  • the first acoustic impedance layer 31 and the second acoustic impedance layers 32 and 33 are formed on the piezoelectric substrate that is the origin of the piezoelectric layer 4, and then the first acoustic impedance layer 31 and the second acoustic impedance layer 32 are formed.
  • the substrate 2 is laminated so as to sandwich the acoustic impedance layers 32 and 33 with the piezoelectric layer 4.
  • capacitors 71 and 72 are formed between the substrate 2 and the piezoelectric layer 4 by the first acoustic impedance layer 31 overlapping at least a part of the IDT electrode 5 and the electrodes 61 and 62.
  • the elastic wave device 1a according to the second embodiment is, as shown in FIG. 6, the elastic wave device 1 according to the first embodiment (see FIG. 2) in that the inductor 8 (third acoustic impedance layer 37) is included together with the IDT electrode 5. It differs from). About the component similar to elastic wave device 1 concerning Embodiment 1, the same numerals are attached and explanation is omitted. 7 is a cross-sectional view taken along line X2-X2 of FIG.
  • the elastic wave device 1a includes a substrate 2, an intermediate layer 3a, a piezoelectric layer 4, an IDT electrode 5, and a plurality of (two in the illustrated example) Electrodes 63 and 64 are provided.
  • the substrate 2, the piezoelectric layer 4 and the IDT electrode 5 of the second embodiment are the same components as the substrate 2, the piezoelectric layer 4 and the IDT electrode 5 (see FIGS. 1 and 2) of the first embodiment.
  • the same reference numerals are given and the description is omitted.
  • the plurality of electrodes 63 and 64 are formed on the piezoelectric layer 4. More specifically, the plurality of electrodes 63 and 64 are formed on the piezoelectric layer 4 and at positions different from the IDT electrode 5. The plurality of electrodes 63 and 64 are provided adjacent to each other on the piezoelectric layer 4. Each of the electrodes 63 and 64 is formed in, for example, a rectangular flat plate shape.
  • the electrodes 63 and 64 are formed of a metal such as Al.
  • the electrodes 63 and 64 are not limited to Al, and may be formed of another metal or alloy such as Cu, Pt, Au, Ti, or Ni.
  • the electrodes 63 and 64 may be formed of the same metal or alloy as the IDT electrode 5 or may be formed of a metal or alloy different from the IDT electrode 5. Furthermore, the electrodes 63 and 64 may be formed of the same metal or alloy, or may be formed of different metals or alloys.
  • the middle layer 3a includes a first acoustic impedance layer 31 (see FIG. 1), a plurality of (two in the illustrated example) second acoustic impedance layers 35 and 36, and a third acoustic impedance layer 37.
  • the intermediate layer 3 a is formed on the substrate 2.
  • the 1st acoustic impedance layer 31 of Embodiment 2 is the structure and function similar to the 1st acoustic impedance layer 31 of Embodiment 1, description is abbreviate
  • the second acoustic impedance layer 35 is a laminate of a plurality of (two in the illustrated example) second high acoustic impedance layers 351 and 353 and a plurality of (three in the illustrated example) second low acoustic impedance layers 352, 354, and 355. It has a structure.
  • the second acoustic impedance layer 35 faces the electrode 63 in the thickness direction of the substrate 2 (first direction D1).
  • Each of the second high acoustic impedance layers 351 and 353 is formed as a conductive second conductive layer.
  • the second high acoustic impedance layers 351 and 353 are formed of a metal such as W.
  • the second high acoustic impedance layers 351 and 353 are not limited to W, and may be formed of another metal such as Pt.
  • the second low acoustic impedance layers 352, 354, and 355 are formed of an insulator such as SiO 2 .
  • the acoustic impedance of the second low acoustic impedance layers 352, 354, 355 is lower than the acoustic impedance of the second high acoustic impedance layers 351, 353.
  • the second acoustic impedance layer 36 includes a plurality of (two in the illustrated example) second high acoustic impedance layers 361 and 363 and a plurality of (in the illustrated example) second low acoustic impedance It has a laminated structure with the layers 362, 364, and 365.
  • the second acoustic impedance layer 36 faces the electrode 64 in the thickness direction of the substrate 2 (first direction D1).
  • the second high acoustic impedance layers 361 and 363 are each formed as a conductive second conductive layer.
  • the second high acoustic impedance layers 361 and 363 are formed of a metal such as W, similarly to the second high acoustic impedance layers 351 and 353.
  • the second high acoustic impedance layers 361 and 363 are not limited to W, and may be formed of another metal such as Pt.
  • the second low acoustic impedance layers 362, 364, and 365 are formed of an insulator such as SiO 2 similarly to the second low acoustic impedance layers 352, 354, and 355. Also in the second acoustic impedance layer 36, as in the second acoustic impedance layer 35, the acoustic impedance of the second low acoustic impedance layers 362, 364, 365 is higher than the acoustic impedance of the second high acoustic impedance layers 361, 363. high.
  • the second acoustic impedance layer 35 is formed to face the electrode 63 via the piezoelectric layer 4 in the thickness direction of the substrate 2 (the first direction D1).
  • a capacitor having the second high acoustic impedance layer 353 and the electrode 63 as a pair of electrodes between the second high acoustic impedance layer 353 and the electrode 63 of the second acoustic impedance layer 35 74 are formed.
  • the second acoustic impedance layer 36 is formed to face the electrode 64 via the piezoelectric layer 4 in the thickness direction of the substrate 2 (first direction D1).
  • a capacitor 75 having the second high acoustic impedance layer 363 and the electrode 64 as a pair of electrodes is formed between the second high acoustic impedance layer 363 of the second acoustic impedance layer 36 and the electrode 64.
  • the third acoustic impedance layer 37 is a second acoustic impedance layer in the third direction D3 orthogonal to the thickness direction (first direction D1) of the substrate 2 and the second direction D2 in which the electrode 63 and the IDT electrode 5 are arranged. It is provided between 35 and the second acoustic impedance layer 36.
  • the third acoustic impedance layer 37 is a laminate of a plurality of (two in the illustrated example) third high acoustic impedance layers 371, 373 and a plurality of (three in the illustrated example) third low acoustic impedance layers 372, 374, 375. It has a structure.
  • the third high acoustic impedance layers 371 and 373 are each formed as a conductive third conductive layer.
  • the third high acoustic impedance layers 371 and 373 are formed of a metal such as W.
  • the third high acoustic impedance layers 371 and 373 are each formed in a meandering shape in plan view from the thickness direction of the substrate 2 (first direction D1).
  • the third high acoustic impedance layers 371 and 373 overlap in the first direction D1.
  • the inductor 8 is interposed between the second high acoustic impedance layer 353 of the second acoustic impedance layer 35 and the second high acoustic impedance layer 363 of the second acoustic impedance layer 36.
  • a third high acoustic impedance layer 373 is provided.
  • the third high acoustic impedance layer 373 of the third acoustic impedance layer 37 is electrically connected to the second high acoustic impedance layers 353 and 363 of the second acoustic impedance layers 35 and 36. Further, the third high acoustic impedance layer 373 is formed of the same material as the second high acoustic impedance layers 353 and 363. That is, the third high acoustic impedance layer 373 and the second high acoustic impedance layers 353 and 363 are integrated. Thereby, in the elastic wave device 1a of the second embodiment, the plurality of capacitors 74 and 75 and the inductor 8 are connected in series between the electrode 63 and the electrode 64.
  • the third high acoustic impedance layer 371 of the third acoustic impedance layer 37 is electrically connected to the second high acoustic impedance layers 351 and 361.
  • the third high acoustic impedance layer 371 is formed of the same material as the second high acoustic impedance layers 351 and 361.
  • the elastic wave device 1a according to the second embodiment is used for a ladder type filter 9a as shown in FIG.
  • the ladder type filter 9a provided with the elastic wave apparatus 1a which concerns on Embodiment 2 is demonstrated.
  • the ladder type filter 9a includes a series arm circuit 97 and a plurality of (two in the illustrated example) parallel arm circuits 981 and 982.
  • the series arm circuit 97 is connected in series on a first path (series arm) connecting the input terminal 961 and the output terminal 962.
  • the plurality of parallel arm circuits 981 and 982 are respectively provided on a second path connecting a node on the first path and the ground.
  • the elastic wave device 1a is used for the series arm resonator 93 closest to the output terminal 962.
  • a resonator using the piezoelectric layer 4 and the IDT electrode 5 in the elastic wave device 1 a is a series arm resonator 93.
  • the elastic wave device 1a when used for the series arm resonator 93, a plurality (two in the illustrated example) are provided between the connection point between the series arm resonator 93 and the output terminal 962 and the ground.
  • Capacitors 74 and 75 and the inductor 8 are connected in series. Thereby, a circuit having a function like a short stub at the resonance frequency of the capacitors 74 and 75 and the inductor 8 can be configured.
  • the third high acoustic impedance layer 373 is provided between the plurality of second high acoustic impedance layers 353 and 363 of the plurality of second acoustic impedance layers 35 and 36. It is done.
  • a third high acoustic impedance layer 371 is provided between the plurality of second high acoustic impedance layers 351 and 361.
  • the inductor 8 can be formed integrally with the IDT electrode 5 together with the capacitors 74 and 75. In other words, the inductor 8 can be formed integrally with the resonator as well as the capacitors 74 and 75.
  • the number of laminated layers of the second acoustic impedance layers 35 and 36 (the total number of the second high acoustic impedance layers and the second low acoustic impedance layers) is not limited to five. There may be three layers or seven or more layers. In each of the second acoustic impedance layers 35 and 36, the second high acoustic impedance layer and the second low acoustic impedance layer may have the same number. That is, the number of laminated layers of the second acoustic impedance layers 35 and 36 may be even layers such as two layers, four layers, or six layers.
  • all of the plurality of second high acoustic impedance layers 351 and 353 in the second acoustic impedance layer 35 are the second conductive layers having conductivity, but the plurality of second high acoustic impedance layers 351 and 353.
  • the second conductive layer may be the second conductive layer.
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 351 and 353 may include at least one second conductive layer.
  • any one of the plurality of second high acoustic impedance layers 361 and 363 in the second acoustic impedance layer 36 are the second conductive layer having conductivity, any one of the plurality of second high acoustic impedance layers 361 and 363 The only one may be the second conductive layer.
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 361 and 363 may include at least one second conductive layer.
  • all of the plurality of third high acoustic impedance layers 371 and 373 in the third acoustic impedance layer 37 are the third conductive layers having conductivity, but the plurality of third high acoustic impedance layers 371 and 373.
  • the third conductive layer may be the only one of them.
  • the plurality of third high acoustic impedance layers 371 and 373 may include at least one third conductive layer.
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 351 and 353 in the second acoustic impedance layer 35 are not limited to being formed of the same material, and may be formed of different materials.
  • the plurality of second high acoustic impedance layers 361 and 363 in the second acoustic impedance layer 36 are not limited to being formed of the same material, and may be formed of different materials.
  • the plurality of third high acoustic impedance layers 371 and 373 in the third acoustic impedance layer 37 are not limited to being formed of the same material, and may be formed of different materials.
  • the plurality of second low acoustic impedance layers 352, 354, and 355 in the second acoustic impedance layer 35 are not limited to being formed of the same material, and may be formed of different materials.
  • the plurality of second low acoustic impedance layers 362, 364, and 365 in the second acoustic impedance layer 36 are not limited to being formed of the same material, and may be formed of different materials.
  • the plurality of third low acoustic impedance layers 372, 374 and 375 in the third acoustic impedance layer 37 are not limited to being formed of the same material, and may be formed of different materials.
  • the second acoustic impedance layers 35, 36 are not limited to the example in which the second high acoustic impedance layers 351, 353, 361, and 363 are the second conductive layers, and the second low acoustic impedance layers 352, 354, 355, 362, 364 , 365 may be the second conductive layer.
  • the third acoustic impedance layer 37 is not limited to the example in which the third high acoustic impedance layers 371 and 373 are the third conductive layers, and the third low acoustic impedance layers 372, 374 and 375 are the third conductive layers. May be
  • the capacitors 74 and 75 are provided on the output side (between the series arm resonator 93 and the output terminal 962) of the ladder type filter 9a, and the second conductive film constituting the capacitors 74 and 75 is They are electrically connected to each other.
  • at least two capacitors may be provided not on the output side of the ladder type filter 9a but on the input side of the ladder type filter 9a (for example, between the input terminal 961 and the series arm resonator 91).
  • at least two second conductive films constituting at least two capacitors are electrically connected to each other.
  • at least two capacitors may be provided on both the input side and the output side of the ladder type filter 9a. In this case, the electrode of the capacitor provided on the input side of the ladder filter 9a and the electrode of the capacitor provided on the output side of the ladder filter 9a are not electrically connected.
  • the first acoustic impedance layer 31, the second acoustic impedance layers 35 and 36, and the third acoustic impedance layer 37 are formed on the substrate 2, but as a modification of the second embodiment, The first acoustic impedance layer 31, the second acoustic impedance layers 35 and 36, and the third acoustic impedance layer 37 may be formed on the piezoelectric layer 4. In short, the first acoustic impedance layer 31, the second acoustic impedance layers 35 and 36, and the third acoustic impedance layer 37 may be formed between the substrate 2 and the piezoelectric layer 4.
  • the first acoustic impedance layer 31, the second acoustic impedance layers 35 and 36, and the third acoustic impedance layer 37 are formed on the piezoelectric substrate which is the origin of the piezoelectric layer 4, and then the third acoustic impedance layer is formed.
  • the substrate 2 is laminated such that the first acoustic impedance layer 31, the second acoustic impedance layers 35 and 36, and the third acoustic impedance layer 37 are sandwiched by the piezoelectric layer 4.
  • capacitors 74 and 75 are formed between the substrate 2 and the piezoelectric layer 4 by the first acoustic impedance layer 31 overlapping at least a part of the IDT electrode 5 and the electrodes 63 and 64.
  • the second acoustic impedance layers 35 and 36 including the conductive layer (second high acoustic impedance layers 353 and 363) and the third acoustic impedance layer 37 forming the inductor 8 can be simultaneously formed.
  • An elastic wave device (1; 1a) includes a substrate (2), a first acoustic impedance layer (31) and a second acoustic impedance layer (32), a piezoelectric layer (4), and an IDT.
  • An electrode (5) and at least one electrode (61, 62; 63, 64) are provided.
  • the first acoustic impedance layer (31) and the second acoustic impedance layer (32) are formed on the substrate (2).
  • the piezoelectric layer (4) is formed on the first acoustic impedance layer (31) and the second acoustic impedance layer (32).
  • the IDT electrode (5) is formed on the piezoelectric layer (4).
  • At least a part of the IDT electrode (5) overlaps the first acoustic impedance layer (31) in plan view from the thickness direction (first direction D1) of the piezoelectric layer (4).
  • the electrodes (61, 62; 63, 64) are formed on the piezoelectric layer (4). At least a part of the electrodes (61, 62; 63, 64) overlaps the second acoustic impedance layer (32) in plan view from the thickness direction.
  • Each of the first acoustic impedance layer (31) and the second acoustic impedance layer (32, 33; 34, 35) comprises at least one high acoustic impedance layer (first high acoustic impedance layer 311, 313) and at least one And low acoustic impedance layers (first low acoustic impedance layers 312, 314, 315) of the layers.
  • the low acoustic impedance layer has lower acoustic impedance than the high acoustic impedance layer.
  • the high acoustic impedance layer or the low acoustic impedance layer is conductive.
  • a capacitor (71, 72; 74, 85) is formed by the conductive layer and the electrodes (61, 62; 63, 64) in the second acoustic impedance layer (32, 33; 34, 35).
  • the conductive layer in the first acoustic impedance layer (31) is electrically isolated from the conductive layer in the second acoustic impedance layer (32, 33; 34, 35).
  • the second acoustic impedance layer (32, 33; 35, 36) is an electrode (61, 61) in the thickness direction (first direction D1) of the substrate (2). 62; 64, 65), and a plurality of high acoustic impedance layers (second high acoustic impedance layers 321, 323, 331,) of the second acoustic impedance layer (32, 33; 35, 36) 333; 351, 353, 361, 363) includes a conductive layer.
  • the conductive layer in the second acoustic impedance layer (32, 33; 34, 35) is used as the other electrode different from the electrode (61, 62; 63, 64) in the capacitor (71, 72; 74, 75) It can be used.
  • the thickness direction of the substrate (2) (first direction D1) as compared to the case where the other electrode of the capacitor is provided separately from the conductive layer in the second acoustic impedance layer (32, 33; 34, 35)
  • the capacitors (71, 72; 74, 75) can be miniaturized.
  • a plurality of high acoustic impedance layers (first high acoustic impedance layers 311, 313) of the first acoustic impedance layer (31) are provided ing.
  • a plurality of low acoustic impedance layers (first low acoustic impedance layers 312, 314, 315) of the first acoustic impedance layer (31) are provided.
  • a plurality of high acoustic impedance layers of the first acoustic impedance layer (31) and a plurality of low acoustic impedance layers of the first acoustic impedance layer (31) are alternately arranged in layers in the thickness direction (first direction D1) There is.
  • the high acoustic impedance layer (second high acoustic impedance layers 321, 323, 331,) of the second acoustic impedance layer (32) 333; 351, 353, 361, 363) are provided.
  • a plurality of low acoustic impedance layers (second low acoustic impedance layers 322, 324, 325, 332, 334, 335; 352, 354, 355, 362, 364, 365) of the second acoustic impedance layer (32) are provided .
  • the plurality of high acoustic impedance layers of the second acoustic impedance layer (32, 33; 35, 36) and the plurality of low acoustic impedance layers of the second acoustic impedance layer (32, 33; 35, 36) are alternately arranged in one direction D1).
  • the first acoustic impedance layer (31) is a high acoustic impedance layer (first high acoustic impedance layer 311, 313) include a conductive layer.
  • the second acoustic impedance layer (32, 33; 35, 36) includes a conductive layer as a high acoustic impedance layer (second high acoustic impedance layers 321, 323, 331, 333; 351, 353; 361, 363).
  • An elastic wave device (1; 1a) includes a plurality of electrodes (61, 62; 63, 64) in any one of the first to fourth aspects.
  • a plurality of second acoustic impedance layers (32, 33; 35, 36) are provided in one-to-one correspondence with a plurality of electrodes (61, 62; 63, 64).
  • the plurality of conductive layers the plurality of second high acoustic impedance layers 321, 323, 331, 333; 351, 353, 361, 363 included in the plurality of second acoustic impedance layers (32, 33; 35, 36) At least two are electrically connected to each other.
  • At least two of the conductive layers are electrically connected to each other.
  • at least two capacitors 71, 72; 74, 75
  • the conductive layer (third high acoustic impedance layer 371, 373) constituting the inductor (8) is provided between at least two of 361, 363).
  • the plurality of conductive layers (the plurality of second high acoustic impedance layers 351, 353, 361, 363) of the plurality of second acoustic impedance layers (35, 36)
  • the conductor layer (third high acoustic impedance layer 371, 373) is provided between at least two of the two.
  • the inductor (8) can be formed integrally with the IDT electrode (5) together with the capacitor (74, 75).
  • the inductor (8) can be formed integrally with the resonator as well as the capacitor (74, 75).
  • the plurality of conductive layers (second plurality of second acoustic impedance layers (32, 33; 35, 36)
  • the high acoustic impedance layers 321, 323, 331, 333; 351, 353, 361, 363) are formed of the same material.
  • the plurality of conductive layers are formed of the same material It is done. Thereby, a plurality of second acoustic impedance layers (32, 33; 35, 36) can be easily formed.
  • the conductive layer (first high acoustic impedance layers 311, 313) of the first acoustic impedance layer (31) Is formed of the same material as the conductive layer (the plurality of second high acoustic impedance layers 321, 323, 331, 333; 351, 353, 361, 363) of the second acoustic impedance layer (32, 33; 35, 36) It is done.
  • the conductive layer (first high acoustic impedance layers 311, 313) of the first acoustic impedance layer (31) and the second acoustic impedance layer (32, 33; 35) , 36) (the plurality of second high acoustic impedance layers 321, 323, 331, 333; 351, 353, 361, 363) are formed of the same material. Thereby, the first acoustic impedance layer (31) and the second acoustic impedance layer (32, 33; 35, 36) can be easily formed.
  • the wavelength of the elastic wave determined by the electrode finger pitch (P1) of the IDT electrode (5) is ⁇ .
  • the thickness of the piezoelectric layer (4) is 1 ⁇ or less.
  • the elastic wave is a plate wave.
  • An elastic wave device (ladder type filter 9; 9a) includes a series arm circuit (97) and parallel arm circuits (981, 982).
  • the series arm circuit (97) is provided on a first path connecting the input terminal (961) and the output terminal (962).
  • the parallel arm circuit (981, 982) is provided on a second path connecting a node on the first path and the ground.
  • the series arm circuit (97) has a plurality of series arm resonators (91 to 93).
  • the parallel arm circuit (981, 982) has parallel arm resonators (94, 95). At least one of the plurality of series arm resonators (91 to 93) and the parallel arm resonators (94, 95) includes a piezoelectric layer (4) and an IDT electrode (5).
  • the resonator including the piezoelectric layer (4) and the IDT electrode (5) is a plurality of series arm resonators (91
  • the series arm resonator (93) is connected closest to the output terminal (962) on the first path among the (1) to (93).
  • the capacitors (71, 72) are provided between the output terminal (962) and the series arm resonator (93) connected closest to the output terminal (962) in the first path on the first path. It is done.
  • the method of manufacturing an elastic wave device (1; 1a) according to the thirteenth aspect has a step of preparing a substrate (2) and a piezoelectric layer (4).
  • a first acoustic impedance layer (31) and a second acoustic impedance layer (32, 33; 35) are provided between a substrate (2) and a piezoelectric layer (4). , 36).
  • the first acoustic impedance layer (31) includes at least one conductive layer (first high acoustic impedance layers 311 and 313).
  • the second acoustic impedance layer (32, 33; 35, 36) includes at least one conductive layer (second high acoustic impedance layers 321, 323, 331, 333; 351, 353, 361, 363).
  • at least a portion of the elastic wave device (1; 1a) is at least partially formed in a plan view from the thickness direction (first direction D1) of the substrate (2).
  • first acoustic impedance layers first high acoustic impedance layers 311, 313, second high acoustic impedance layers 321, 323, 331, 333; 351, 353, 361, 363, and a low acoustic impedance layer (the first low acoustic impedance layer 312, 314, 315, the second low acoustic impedance layer 322 having an acoustic impedance lower than that of the high acoustic impedance layer).
  • the conductive layer (31) of the first acoustic impedance layer (31) is electrically insulated from each other.
  • First high acoustic impedance layers 311 and 313) and conductive layers second high acoustic impedance layers 321, 323, 331, 333; 351, 353, 361, and the like in the second acoustic impedance layers (32, 33; 35, 36) 363).
  • the thickness direction of the substrate (2) (first A conductive layer is formed at a position facing the electrodes (61, 62; 63, 64) in the direction D1).

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

特性劣化を抑制しつつ小型化を図る。弾性波装置（１）は、第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２，３３）と、ＩＤＴ電極（５）と、電極（６１，６２）とを有する。ＩＤＴ電極（５）の少なくとも一部は、第１音響インピーダンス層（３１）と重複する。電極（６１，６２）の少なくとも一部は、第２音響インピーダンス層（３２，３３）と重複する。第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２，３３）の各々において、高音響インピーダンス層又は低音響インピーダンス層が導電層である。第２音響インピーダンス層（３２，３３）の導電層と電極（６１，６２）とによって、キャパシタ（７１，７２）が形成されている。第１音響インピーダンス層（３１）のおける導電層は、第２音響インピーダンス層（３２，３３）における導電層と電気的に絶縁している。

Description

弾性波装置及び弾性波装置の製造方法
　本発明は、一般に、弾性波装置及び弾性波装置の製造方法に関し、特に、共振子又はフィルタに用いられる弾性波装置、及び弾性波装置の製造方法に関する。
　従来、音響反射層（音響インピーダンス層）を用いた弾性波装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
　特許文献１に記載された弾性波装置は、圧電体層を有する。圧電体層の第２の主面上には、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極が設けられている。また、圧電体層の第１の主面側には、音響反射層が積層されている。補強基板上には、支持層が積層されている。この支持層において、上面に向かって開いた凹部が設けられている。この凹部内に、音響反射層が充填されている。音響反射層は、平面視した場合、ＩＤＴ電極と重なる位置に設けられている。
国際公開第２０１６／１４７６８８号
　ところで、特許文献１に記載された従来の弾性波装置と共にキャパシタを用いる場合、ディスクリート素子であるキャパシタを用いたり、基板表面上（圧電体層の第２の主面上）にキャパシタを形成したりすると、大型になるという問題があった。
　上記問題を解決するために、発明者は、キャパシタを弾性波装置と一体に形成することを試みた。
　しかしながら、キャパシタを弾性波装置と一体に形成する場合、上記キャパシタの影響により、不要な容量成分が弾性波装置のＩＤＴ電極に影響するという問題があった。これにより、弾性波装置の特性が劣化してしまうことになる。
　本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、特性劣化を抑制しつつ小型化を図ることができる弾性波装置及び弾性波装置の製造方法を提供することにある。
　本発明の一態様に係る弾性波装置は、基板と、第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層と、圧電体層と、ＩＤＴ電極と、少なくとも１つの電極とを備える。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層は、前記基板上に形成されている。前記圧電体層は、前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層上に形成されている。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に形成されている。前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視において、前記第１音響インピーダンス層と重複する。前記電極は、前記圧電体層上に形成されている。前記電極の少なくとも一部は、前記厚さ方向からの平面視において、前記第２音響インピーダンス層と重複する。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々は、少なくとも１層の高音響インピーダンス層と、少なくとも１層の第１低音響インピーダンス層と、を有する。前記低音響インピーダンス層は、前記高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々において、前記高音響インピーダンス層又は前記低音響インピーダンス層が導電層である。前記第２音響インピーダンス層における前記導電層と前記電極とによって、キャパシタが形成されている。前記第１音響インピーダンス層における前記導電層は、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層と電気的に絶縁している。
　本発明の一態様に係る弾性波装置の製造方法は、基板及び圧電体層を準備する工程を有する。前記弾性波装置の製造方法は、前記基板と前記圧電体層との間に、第１音響インピーダンス層と、第２音響インピーダンス層とを形成する工程を有する。前記第１音響インピーダンス層は、少なくとも１層の導電層を含む。前記第２音響インピーダンス層は、少なくとも１層の導電層を含む。前記弾性波装置の製造方法は、ＩＤＴ電極を形成し、少なくとも１つの電極を形成する工程を有する。この工程では、前記圧電体層上であって、前記基板の厚さ方向からの平面視において、少なくとも一部が前記第１音響インピーダンス層と重複する前記ＩＤＴ電極を形成する。前記圧電体層上であって、前記基板の厚さ方向からの平面視において、少なくとも一部が前記第２音響インピーダンス層と重複する少なくとも１つの電極を形成する。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層を形成する工程では、高音響インピーダンス層を形成する工程と、低音響インピーダンス層を形成する工程と、を少なくとも１回ずつ繰り返す。前記低音響インピーダンス層は、前記高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い。前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層を形成する工程では、互いに電気的に絶縁するように、前記第１音響インピーダンス層における前記導電層と、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層とを形成する。前記電極を形成する工程では、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層と前記電極とによって、キャパシタを形成する。
　本発明の上記態様に係る弾性波装置及び弾性波装置の製造方法によれば、弾性波装置について特性劣化を抑制しつつ小型化を図ることができる。
図１は、本発明の実施形態１に係る弾性波装置の断面図である。 図２は、同上の弾性波装置の正面図である。 図３は、本発明の実施形態１に係るラダー型フィルタの回路図である。 図４Ａ～図４Ｇは、同上の弾性波装置の製造工程を示す工程図である。 図５Ａ～図５Ｄは、同上の弾性波装置の製造工程を示す工程図である。 図６は、本発明の実施形態２に係る弾性波装置の正面図である。 図７は、同上の弾性波装置の断面図である。 図８は、本発明の実施形態２に係るラダー型フィルタの回路図である。
　以下、実施形態１，２に係る弾性波装置１，１ａ及びラダー型フィルタ９，９ａについて、図面を参照して説明する。なお、明細書及び図面に記載された構成要素について、明細書及び図面に記載された大きさ及び厚さ、並びにそれらの寸法関係は例示であり、これらの構成要素は、明細書及び図面に記載された例示には限定されない。また、図１は、図２のＸ１－Ｘ１線断面図である。図７は、図６のＸ２－Ｘ２線断面図である。
　（実施形態１）
　（１）弾性波装置の全体構成
　実施形態１に係る弾性波装置１は、図１及び図２に示すように、基板２と、中間層３と、圧電体層４と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極５と、複数（図示例では２つ）の電極６１，６２とを備える。弾性波装置１は、板波を利用した弾性波装置である。
　中間層３は、第１音響インピーダンス層３１と、複数の第２音響インピーダンス層３２，３３とを有する。第１音響インピーダンス層３１は、複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と複数の第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５との積層構造を有し、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）においてＩＤＴ電極５と対向する。第２音響インピーダンス層３２は、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と複数の第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５との積層構造を有し、基板２の厚さ方向において電極６１と対向する。第２音響インピーダンス層３３は、複数の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３と複数の第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５との積層構造を有し、基板２の厚さ方向において電極６２と対向する。
　このような弾性波装置１において、複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、導電性を有する第１導電層であり、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３は、導電性を有する第２導電層である。
　そして、弾性波装置１では、上記第２導電層と電極６１，６２とを一対の電極とするキャパシタ７１，７２が形成されており、上記第１導電層は、上記第２導電層と電気的に絶縁している。
　実施形態１に係る弾性波装置は、例えば、ラダー型フィルタ９（図３参照）のようなフィルタであってもよい。
　（２）弾性波装置の各構成要素
　次に、実施形態１に係る弾性波装置の各構成要素について、図面を参照して説明する。
　（２．１）基板
　基板２は、中間層３及び圧電体層４を支持する支持基板である。より詳細には、基板２は、平板状に形成されており、主面を有する。基板２は、例えばＳｉによって形成されている。なお、基板２は、Ｓｉには限定されず、ＬｉＮｂＯ３若しくはＬｉＴａＯ３のようなセラミック、水晶、又はガラス等によって形成されてもよい。第１音響インピーダンス層３１は、ＩＤＴ電極５で励振された弾性波が基板２に漏洩するのを抑制する機能を有する。
　（２．２）第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層
　中間層３は、第１音響インピーダンス層３１と、複数（図示例では２つ）の第２音響インピーダンス層３２，３３と、絶縁層３４とを有する。中間層３は、基板２と圧電体層４との間に介在する層である。中間層３は、基板２上に形成されている。
　第１音響インピーダンス層３１は、複数（図示例では２層）の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と、複数（図示例では３層）の第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５とを含む。第１音響インピーダンス層３１では、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において、第１低音響インピーダンス層３１５、第１高音響インピーダンス層３１１、第１低音響インピーダンス層３１２、第１高音響インピーダンス層３１３、第１低音響インピーダンス層３１４が、基板２側からこの順に積層されている。
　第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、音響インピーダンスが相対的に高い層である。第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５は、音響インピーダンスが相対的に低い層である。つまり、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５よりも音響インピーダンスが高い。
　第２音響インピーダンス層３２は、第１音響インピーダンス層３１と同様、複数（図示例では２層）の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と、複数（図示例では３層）の第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５とを含む。第２音響インピーダンス層３２では、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において、第２低音響インピーダンス層３２５、第２高音響インピーダンス層３２１、第２低音響インピーダンス層３２２、第２高音響インピーダンス層３２３、第２低音響インピーダンス層３２４が、基板２側からこの順に積層されている。
　第２高音響インピーダンス層３２１，３２３は、音響インピーダンスが相対的に高い層である。第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５は、音響インピーダンスが相対的に低い層である。つまり、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３は、第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５よりも音響インピーダンスが高い。言い換えると、第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５は、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３よりも音響インピーダンスが低い。
　第２音響インピーダンス層３３は、第２音響インピーダンス層３２と同様、複数（図示例では２層）の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３と、複数（図示例では３層）の第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５とを含む。第２音響インピーダンス層３３では、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において、第２低音響インピーダンス層３３５、第２高音響インピーダンス層３３１、第２低音響インピーダンス層３３２、第２高音響インピーダンス層３３３、第２低音響インピーダンス層３３４が、基板２側からこの順に積層されている。
　第２高音響インピーダンス層３３１，３３３は、音響インピーダンスが相対的に高い層である。第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５は、音響インピーダンスが相対的に低い層である。つまり、第２高音響インピーダンス層３３１，３３３は、第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５よりも音響インピーダンスが高い。言い換えると、第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５は、第２高音響インピーダンス層３３１，３３３よりも音響インピーダンスが低い。
　絶縁層３４は、第１方向Ｄ１と直交する第２方向Ｄ２において、第１音響インピーダンス層３１と第２音響インピーダンス層３２との間に設けられている。絶縁層３４は、ＳｉＯ２のような電気絶縁性を有する材料によって形成されている。
　（２．３）圧電体層
　圧電体層４は、中間層３上に形成されている。より詳細には、圧電体層４は、ＬｉＮｂＯ３のような圧電材料によって中間層３上に形成されている。圧電体層４は、ＬｉＮｂＯ３に限定されず、ＬｉＴａＯ３等、他の圧電材料によって形成されてもよい。
　圧電体層４の厚さは、図２に示すように、ＩＤＴ電極５の後述の電極指ピッチＰ１で定まる弾性波の波長よりも小さい。圧電体層４の厚さは例えば３４０ｎｍである。
　（２．４）ＩＤＴ電極
　ＩＤＴ電極５は、図１及び図２に示すように、圧電体層４上に形成されている。ＩＤＴ電極５の少なくとも一部は、基板２の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第１音響インピーダンス層３１と重複する。また、図示しないが、ＩＤＴ電極５の近傍には、反射器が形成されている。ＩＤＴ電極５及び反射器は、Ａｌのような金属によって形成されている。なお、ＩＤＴ電極５及び反射器は、Ａｌには限定されず、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ等の他の金属又は合金によって形成されてもよい。
　ＩＤＴ電極５は、第１電極５１と、第２電極５２とを有する。第１電極５１は、互いに平行である複数の第１電極指５３と、複数の第１電極指５３を繋げる第１バスバー５４とを有する。第２電極５２は、互いに平行である複数の第２電極指５５と、複数の第２電極指５５を繋げる第２バスバー５６とを有する。第１電極５１の第１電極指５３と第２電極５２の第２電極指５５とは互いに間挿し合っている。上述したように、圧電体層４の厚さは、ＩＤＴ電極５の電極指ピッチＰ１（第１電極指５３、第２電極指５５の周期）で定まる弾性波の波長をλとしたときに、１λ以下である。電極指ピッチＰ１とは、第１電極指５３及び第２電極指５５が延びている方向（第１電極指５３及び第２電極指５５の長さ方向）と直交する方向（弾性波伝搬方向）において互いに異なる電位を有して隣接する第１電極指５３と第２電極指５５との間隔をいう。言い換えると、電極指ピッチＰ１とは、図２に示すように、隣り合う第１電極指５３と第２電極指５５との互いに対応する辺（図２では第１電極指５３及び第２電極指５５それぞれにおいて中心線に平行な上側の辺）間の距離である。
　（２．５）電極
　複数の電極６１，６２は、圧電体層４上に形成されている。より詳細には、複数の電極６１，６２は、圧電体層４上であってＩＤＴ電極５とは異なる位置に形成されている。また、電極６１の少なくとも一部は、基板２の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第２音響インピーダンス層３２と重複する。同様に、電極６２の少なくとも一部は、基板２の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第２音響インピーダンス層３３と重複する。複数の電極６１，６２は、圧電体層４上において、隣接して設けられている。電極６１，６２の各々は、例えば四角形の平板状に形成されている。電極６１，６２は、Ａｌのような金属によって形成されている。なお、電極６１，６２は、Ａｌには限定されず、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ等の他の金属又は合金によって形成されてもよい。また、電極６１，６２は、ＩＤＴ電極５と同じ金属又は合金によって形成されていてもよいし、ＩＤＴ電極５と異なる金属又は合金によって形成されていてもよい。さらに、電極６１，６２は、同じ金属又は合金によって形成されていてもよいし、互いに異なる金属又は合金によって形成されていてもよい。
　（２．６）第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層
　上述したように、中間層３は、第１音響インピーダンス層３１と、複数（図示例では２つ）の第２音響インピーダンス層３２，３３とを有する。
　第１音響インピーダンス層３１は、上述したように、複数（図示例では２層）の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と複数（図示例では３層）の第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５との積層構造を有する。第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５とは、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において交互に配置されている。第１音響インピーダンス層３１は、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）においてＩＤＴ電極５と対向する。
　第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、それぞれ、導電性を有する第１導電層として形成されている。例えば、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、Ｗのような金属によって形成されている。なお、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、Ｗには限定されず、Ｐｔのような他の金属によって形成されてもよい。
　第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５は、ＳｉＯ２のような絶縁体によって形成されている。また、第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５の音響インピーダンスは、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３の音響インピーダンスよりも低い。
　第１音響インピーダンス層３１では、上述したように、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５とが交互に積層されている。このため、圧電体層４から伝搬してきた板波は、第１低音響インピーダンス層３１４と第１高音響インピーダンス層３１３との界面、及び、第１低音響インピーダンス層３１２と第１高音響インピーダンス層３１１との界面で反射される。
　第２音響インピーダンス層３２は、上述したように、複数（図示例では２層）の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と複数（図示例では３層）の第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５との積層構造を有する。第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５とは、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において交互に配置されている。第２音響インピーダンス層３２は、電極６１に対応して設けられている。第２音響インピーダンス層３２は、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において電極６１と対向する。また、第２音響インピーダンス層３２は、基板２の厚さ方向と直交する第２方向Ｄ２において第１音響インピーダンス層３１と並んで配置されている。
　第２高音響インピーダンス層３２１，３２３は、それぞれ、導電性を有する第２導電層として形成されている。例えば、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３は、Ｗのような金属によって形成されている。なお、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３は、Ｗには限定されず、Ｐｔのような他の金属によって形成されてもよい。
　第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５は、ＳｉＯ２のような絶縁体によって形成されている。また、第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５の音響インピーダンスは、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３の音響インピーダンスよりも低い。
　第２音響インピーダンス層３３は、第２音響インピーダンス層３２と同様、複数（図示例では２層）の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３と複数（図示例では３層）の第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５との積層構造を有する。第２高音響インピーダンス層３３１，３３３と第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５とは、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において交互に配置されている。第２音響インピーダンス層３３は、電極６２に対応して設けられている。第２音響インピーダンス層３３は、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において電極６２と対向する。また、第２音響インピーダンス層３３は、基板２の厚さ方向と直交する第２方向Ｄ２において第１音響インピーダンス層３１と並んで配置されている。
　第２高音響インピーダンス層３３１，３３３は、それぞれ、導電性を有する第２導電層として形成されている。例えば、第２高音響インピーダンス層３３１，３３３は、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と同様、Ｗのような金属によって形成されている。なお、第２高音響インピーダンス層３３１，３３３は、Ｗには限定されず、Ｐｔのような他の金属によって形成されてもよい。
　第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５は、第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５と同様、ＳｉＯ２のような絶縁体によって形成されている。また、第２音響インピーダンス層３３においても、第２音響インピーダンス層３２と同様、第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５の音響インピーダンスは、第２高音響インピーダンス層３３１，３３３の音響インピーダンスよりも低い。
　上記のように基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において第２音響インピーダンス層３２が圧電体層４を介して電極６１と対向して形成されている。これにより、弾性波装置１には、第２音響インピーダンス層３２の第２高音響インピーダンス層３２３と電極６１との間に、第２高音響インピーダンス層３２３と電極６１とを一対の電極とするキャパシタ７１が形成されている。つまり、第２音響インピーダンス層３２の第２高音響インピーダンス層３２３と電極６１とによって、キャパシタ７１が形成されている。
　同様に、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において第２音響インピーダンス層３３が圧電体層４を介して電極６２と対向して形成されている。これにより、第２音響インピーダンス層３３の第２高音響インピーダンス層３３３と電極６２との間に、第２高音響インピーダンス層３３３と電極６２とを一対の電極とするキャパシタ７２が形成されている。つまり、第２音響インピーダンス層３３の第２高音響インピーダンス層３３３と電極６２とによって、キャパシタ７２が形成されている。
　第２音響インピーダンス層３２の第２高音響インピーダンス層３２３と第２音響インピーダンス層３３の第２高音響インピーダンス層３３３とは、互いに電気的に接続されている。また、複数の第２高音響インピーダンス層３２３，３３３は、同じ材料で形成されている。つまり、第２高音響インピーダンス層３２３と第２高音響インピーダンス層３３３とが一体化されている。これにより、実施形態１の弾性波装置１では、電極６１と電極６２との間には、複数（図示例では２つ）のキャパシタ７１，７２が直列に接続されている。なお、第２音響インピーダンス層３２の第２高音響インピーダンス層３２１と第２音響インピーダンス層３３の第２高音響インピーダンス層３３１とにおいても、互いに電気的に接続されている。また、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３３１は、同じ材料で形成されている。
　ここで、第１高音響インピーダンス層３１３は、絶縁層３４を介して、第２高音響インピーダンス層３２３及び第２高音響インピーダンス層３３３とそれぞれ電気的に絶縁している。同様に、第１高音響インピーダンス層３１１は、絶縁層３４を介して、第２高音響インピーダンス層３２１及び第２高音響インピーダンス層３３１とそれぞれ電気的に絶縁している。
　一方、第１音響インピーダンス層３１の第１高音響インピーダンス層３１３は、第２音響インピーダンス層３２，３３の第２高音響インピーダンス層３２３，３３３と同じ材料で形成されている。同様に、第１音響インピーダンス層３１の第１高音響インピーダンス層３１１は、第２音響インピーダンス層３２，３３の第２高音響インピーダンス層３２１，３３１と同じ材料で形成されている。
　（３）弾性波装置の製造方法
　次に、実施形態１に係る弾性波装置１の製造方法について、図４Ａ～図４Ｇ及び図５Ａ～図５Ｄを参照して説明する。弾性波装置１の製造方法では、第１工程～第１１工程を順次行う。
　第１工程では、図４Ａに示すように、基板２を準備する。基板２は、例えばＳｉ基板である。
　第２工程～第７工程では、基板２上に、複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と複数の第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５との積層構造を有する第１音響インピーダンス層３１を形成する。同様に、第２工程～第７工程では、基板２上に、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と複数の第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５との積層構造を有する第２音響インピーダンス層３２を形成する。さらに、第２工程～第７工程では、基板２上に、複数の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３と複数の第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５との積層構造を有する第２音響インピーダンス層３３を形成する。
　第２工程では、図４Ｂに示すように、第１低音響インピーダンス層３１５、第２低音響インピーダンス層３２５，３３５、及び絶縁層３４の一部３４３を形成する。つまり、第２工程では、基板２上に絶縁膜を形成する。絶縁膜の材料は、例えばＳｉＯ２である。第２工程では、ＣＶＤ法によって絶縁膜を形成する。これにより、第１低音響インピーダンス層３１５と第２低音響インピーダンス層３２５，３３５とを同時に形成することができる。つまり、第２工程では、第１低音響インピーダンス層３１５と第２低音響インピーダンス層３２５，３３５とを、同一の材料を用いて１つの工程で同時に形成する。
　第３工程では、図４Ｃに示すように、第１高音響インピーダンス層３１１及び第２高音響インピーダンス層３２１，３３１の元になる導電膜３０１を形成する。より詳細には、第３工程では、ＣＶＤ、スパッタ、又は蒸着のような薄膜形成法により、第２工程で形成した絶縁膜上に導電膜３０１を形成する。導電膜３０１の材料は、例えばＷである。
　第４工程では、図４Ｄに示すように、第１高音響インピーダンス層３１１及び第２高音響インピーダンス層３２１，３３１を形成する。より詳細には、第４工程では、エッチングによって導電膜の一部を除去して、第１高音響インピーダンス層３１１と第２高音響インピーダンス層３２１，３３１とを互いに電気的に絶縁するように形成する。
　第５工程では、図４Ｅに示すように、第１低音響インピーダンス層３１２、第２低音響インピーダンス層３２２，３３２、及び絶縁層３４の一部３４１を形成する。より詳細には、第４工程では、第１高音響インピーダンス層３１１と第２高音響インピーダンス層３２１，３３１を覆うように絶縁膜を形成する。絶縁膜の材料は、例えばＳｉＯ２である。第５工程では、ＣＶＤ法によって絶縁膜を形成する。これにより、第１低音響インピーダンス層３１２と第２低音響インピーダンス層３２２，３３２とを同時に形成することができる。つまり、第５工程では、第１低音響インピーダンス層３１２と第２低音響インピーダンス層３２２，３３２とを、同一の材料を用いて１つの工程で同時に形成する。
　第６工程では、図４Ｆに示すように、第１高音響インピーダンス層３１３及び第２高音響インピーダンス層３２３，３３３の元になる導電膜３０３を形成する。より詳細には、第６工程では、絶縁膜上に導電膜３０３を形成する。導電膜３０３の材料は、例えばＷである。第６工程では、ＣＶＤ、スパッタ、又は蒸着のような薄膜形成法により、絶縁膜上に導電膜３０３を形成する。
　第７工程では、図４Ｇに示すように、第１高音響インピーダンス層３１３及び第２高音響インピーダンス層３２３，３３３を形成する。より詳細には、第７工程では、エッチングによって導電膜３０３の一部を除去して、第１高音響インピーダンス層３１３と第２高音響インピーダンス層３２３，３３３とを互いに電気的に絶縁するように形成する。ここで、導電膜３０３のうち、基板２の厚さ方向からの平面視で、導電膜３０１が除去された部分と重なる部分をエッチングによって除去する。これにより、第１高音響インピーダンス層３１１及び第１低音響インピーダンス層３１２の積層構造上に第１高音響インピーダンス層３１３が形成される。また、第２高音響インピーダンス層３２１，３３１及び第２低音響インピーダンス層３２２，３３２の積層構造上に第２高音響インピーダンス層３２３，３３３が形成される。
　第８工程では、図５Ａに示すように、第１低音響インピーダンス層３１４、第２低音響インピーダンス層３２４，３３４、及び絶縁層３４の一部３４２を形成する。より詳細には、第８工程では、第１高音響インピーダンス層３１３と第２高音響インピーダンス層３２３，３３３と絶縁層３４の一部３４１の露出部位とを覆うように絶縁膜を形成する。第８工程の絶縁膜の材料は、例えばＳｉＯ２である。第８工程の絶縁膜は、第５工程の絶縁膜と同じ材料によって形成されることが好ましい。ただし、第８工程の絶縁膜は、第５工程の絶縁膜と同じ材料によって形成されることには限定されず、第５工程の絶縁膜と異なる材料によって形成されてもよい。第８工程では、第１低音響インピーダンス層３１４と第２低音響インピーダンス層３２４，３３４とを、同一の材料を用いて１つの工程で同時に形成する。
　第９工程では、図５Ｂに示すように、中間層３上に圧電体層４を形成する。
　第１０工程及び第１１工程では、圧電体層４上においてＩＤＴ電極５と複数の電極６１，６２とを互いに異なる位置に形成する。
　第１０工程では、図５Ｃに示すように、ＩＤＴ電極５と複数の電極６１，６２と複数の配線６０との元になる導電膜５０１を圧電体層４上に形成する。より詳細には、第１０工程では、スパッタ又は蒸着のような薄膜形成法により、圧電体層４上に導電膜５０１を形成する。導電膜５０１の材料は、例えばＡｌである。
　第１１工程では、図５Ｄに示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、圧電体層４上にＩＤＴ電極５と複数の電極６１，６２と複数の配線６０とを形成する。より詳細には、第１１工程では、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）からの平面視において、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５との積層構造に対向する位置に、ＩＤＴ電極５を形成する。また、基板２の厚さ方向からの平面視において、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３と第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５との積層構造に対向する位置に、電極６１を形成する。同様に、基板２の厚さ方向からの平面視において、第２高音響インピーダンス層３３１，３３３と第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５との積層構造に対向する位置に、電極６２を形成する。なお、第１１工程では、ＩＤＴ電極５と複数の電極６１，６２と複数の配線６０とを圧電体層４上に、フォトリソグラフィ及びエッチングによって形成することに限定されず、例えばリフトオフによって形成してもよい。リフトオフによってＩＤＴ電極５と複数の電極６１，６２と複数の配線６０とを形成する場合、第１０工程を省略することができる。
　（４）共振子の動作
　実施形態１に係る弾性波装置１は、弾性波共振子とキャパシタとを構成する。実施形態１に係る弾性波装置１のうちの一部は、弾性波共振子として動作する。上述したように、ＩＤＴ電極５の電極指ピッチＰ１で定められる弾性波の波長よりも圧電体層４の厚さが薄いため、ＩＤＴ電極５に交番電界が印加された場合、弾性波である板波が効率よく励振され、かつ圧電体層４を伝搬する。弾性波装置１では、中間層３に第１音響インピーダンス層３１が形成されているから、中間層３側に漏洩した板波が、第１高音響インピーダンス層３１３と第１低音響インピーダンス層３１４との界面、及び、第１高音響インピーダンス層３１１と第１低音響インピーダンス層３１２との界面で反射される。したがって、板波が高いエネルギー強度を有する状態で圧電体層４を伝搬することができる。
　（５）ラダー型フィルタ
　実施形態１に係る弾性波装置は、図３に示すようなラダー型フィルタ９であってもよい。以下、実施形態１に係るラダー型フィルタ９について説明する。
　ラダー型フィルタ９は、直列腕回路９７と、複数（図示例では２つ）の並列腕回路９８１，９８２とを備える。直列腕回路９７は、入力端子９６１と出力端子９６２とを結ぶ第１経路（直列腕）上に直列に接続されている。複数の並列腕回路９８１，９８２は、それぞれ、第１経路上のノードとグランドとを結ぶ第２経路上に設けられている。
　直列腕回路９７は、複数（図示例では３つ）の直列腕共振子９１～９３を有する。並列腕回路９８１は、並列腕共振子９４を有する。並列腕共振子９４の一端は、直列腕共振子９１と直列腕共振子９２との接続点（第１経路上のノード）に接続されており、並列腕共振子９４の他端は、グランドに接続されている。並列腕回路９８２は、並列腕共振子９５を有する。並列腕共振子９５の一端は、直列腕共振子９２と直列腕共振子９３との接続点（第１経路上のノード）に接続されており、並列腕共振子９５の他端は、グランドに接続されている。
　上記のようなラダー型フィルタ９において、例えば、複数の直列腕共振子９１～９３のうち上記第１経路上において出力端子９６２に最も近くに接続されている直列腕共振子９３に、弾性波装置１（図１参照）の構成が用いられている。言い換えると、弾性波装置１のうちの圧電体層４及びＩＤＴ電極５を用いた共振子は、直列腕共振子９３である。なお、出力端子９６２に最も近くに接続されている直列腕共振子９３とは、複数の直列腕共振子９１～９３の中で、出力端子９６２に対して電気的に最も近くに接続されている共振子である。
　上記のように、直列腕共振子９３に弾性波装置１の構成が用いられると、直列腕共振子９３と出力端子９６２との間には、複数のキャパシタ７１，７２が接続されている。複数のキャパシタ７１，７２は、直列に接続されている。言い換えると、キャパシタ７１，７２は、上記第１経路上において、出力端子９６２と第１経路上において出力端子９６２に最も近くに接続されている直列腕共振子９３との間に設けられている。キャパシタ７２と出力端子９６２との間にインダクタ７３が接続されることによって、整合回路、サージ対策回路、又はフィルタ回路を構成することができる。なお、インダクタ７３は、キャパシタ７２と出力端子９６２との間に接続されていることには限定されず、キャパシタ７１と直列腕共振子９３との間に接続されていてもよい。
　上述のように、ラダー型フィルタ９に整合回路、サージ対策回路、又はフィルタ回路が設けられる場合、小型かつ低損失な回路が要求される。図３の例では、直列腕共振子９３と出力端子９６２との間に上記回路を構成する素子を設けることができる。これらの素子を基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において作成することができるので、例えば櫛型電極を用いる場合において、小型かつ低損失で作成することができる。つまり、基板２の厚さ方向にキャパシタ７１，７２を作成することができるので、大容量かつ低抵抗の素子を作成することができる。
　また、キャパシタ７１，７２を基板２内に作成することができるので、小型化かつ付加素子（例えばディスクリート素子）の低減化を図ることができる。
　さらに、共振子と同じ工程でキャパシタ７１，７２を作成することができるので、共振子とキャパシタとを別工程で作成する場合に比べて、コストを低減させることができる。
　（６）効果
　以上説明したように、実施形態１に係る弾性波装置１では、ＩＤＴ電極５と対向する第１音響インピーダンス層３１の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３と、電極６１，６２と対向する第２音響インピーダンス層３２，３３の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３とが電気的に絶縁している。これにより、キャパシタがディスクリート素子である場合又はキャパシタが配線基板上に形成される場合に比べて、特性劣化を抑制しつつ、弾性波装置１全体のサイズを小型にすることができる。
　実施形態１に係る弾性波装置１では、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において第２音響インピーダンス層３２，３３が電極６１，６２の少なくとも一部と重複し、かつ、第２音響インピーダンス層３２，３３の複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３が第２導電層を含む。これにより、上記第２導電層を、キャパシタ７１，７２において電極６１，６２とは異なる他方の電極として用いることができる。その結果、第２導電層とは別にキャパシタの他方の電極が設けられる場合に比べて、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）においてキャパシタ７１，７２を小型にすることができる。
　実施形態１に係る弾性波装置１では、複数の電極６１，６２に対応する複数の第２音響インピーダンス層３２，３３における複数の第２高音響インピーダンス層３２３，３３３が互いに電気的に接続されている。これにより、複数のキャパシタ７１，７２を容易に形成することができる。
　実施形態１に係る弾性波装置１では、複数の第２高音響インピーダンス層３２３，３３３が同じ材料で形成されている。同様に、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３３１も同じ材料で形成されている。これにより、複数の第２音響インピーダンス層３２，３３を容易に形成することができる。
　実施形態１に係る弾性波装置１では、第１音響インピーダンス層３１の第１高音響インピーダンス層３１３と第２音響インピーダンス層３２，３３の第２高音響インピーダンス層３２３，３３３とが同じ材料で形成されている。同様に、第１音響インピーダンス層３１の第１高音響インピーダンス層３１１と第２音響インピーダンス層３２，３３の第２高音響インピーダンス層３２１，３３１とが同じ材料で形成されている。これにより、第１音響インピーダンス層３１と第２音響インピーダンス層３２，３３とを容易に形成することができる。
　実施形態１に係る弾性波装置１の製造方法では、高音響インピーダンス層（第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３）を形成する工程において、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において電極６１，６２と対向する位置に第２導電層を形成する。これにより、共振子と同じ工程でキャパシタ７１，７２を製造することができるので、共振子とキャパシタとを別々に製造する場合に比べて、弾性波装置１の製造工程を簡略にすることができる。
　（７）変形例
　以下、実施形態１の変形例について説明する。
　実施形態１に係る弾性波装置１は、２つの電極６１，６２を備えるが、実施形態１の変形例として、弾性波装置１は、１つの電極のみを備えてもよいし、３つ以上の電極を備えてもよい。要するに、弾性波装置１は、少なくとも１つの電極を備えていればよい。
　実施形態１では、弾性波装置１は、２つの第２音響インピーダンス層３２，３３を備えるが、実施形態１の変形例として、弾性波装置１は、１つの第２音響インピーダンス層のみを有してもよいし、３つ以上の第２音響インピーダンス層を有してもよい。要するに、弾性波装置１は、少なくとも１つの第２音響インピーダンス層を有してもよい。
　第１音響インピーダンス層３１の積層数（第１高音響インピーダンス層及び第１低音響インピーダンス層の総数）は、５層には限定されず、３層であってもよいし、７層以上であってもよい。また、第１音響インピーダンス層３１において、第１高音響インピーダンス層と第１低音響インピーダンス層とは同じ数であってもよい。つまり、第１音響インピーダンス層３１の積層数は、２層、４層、又は６層などの偶数層であってもよい。
　第２音響インピーダンス層３２，３３の各々の積層数（第２高音響インピーダンス層及び第２低音響インピーダンス層の総数）も、第１音響インピーダンス層３１と同様であり、５層には限定されず、３層であってもよいし、７層以上であってもよい。また、第２音響インピーダンス層３２，３３の各々において、第２高音響インピーダンス層と第２低音響インピーダンス層とは同じ数であってもよい。つまり、第２音響インピーダンス層３２，３３の各々の積層数は、２層、４層、又は６層などの偶数層であってもよい。
　実施形態１では、第１音響インピーダンス層３１における複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３の全てが、導電性を有する第１導電層であるが、複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３のいずれかのみが、第１導電層であってもよい。要するに、複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、少なくとも１層の第１導電層を含んでいればよい。
　実施形態１では、第２音響インピーダンス層３２における複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３の全てが、導電性を有する第２導電層であるが、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３のいずれかのみが、第２導電層であってもよい。要するに、複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３は、少なくとも１層の第２導電層を含んでいればよい。同様に、第２音響インピーダンス層３３における複数の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３の全てが、導電性を有する第２導電層であるが、複数の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３のいずれかのみが、第２導電層であってもよい。要するに、複数の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３は、少なくとも１層の第２導電層を含んでいればよい。
　第１音響インピーダンス層３１における複数の第１高音響インピーダンス層３１１，３１３は、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第２音響インピーダンス層３２における複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第２音響インピーダンス層３３における複数の第２高音響インピーダンス層３３１，３３３も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。
　第１音響インピーダンス層３１における複数の第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５は、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第２音響インピーダンス層３２における複数の第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第２音響インピーダンス層３３における複数の第２低音響インピーダンス層３３２，３３４，３３５も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。
　第１音響インピーダンス層３１は、第１高音響インピーダンス層３１１，３１３が第１導電層である例に限らず、第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５が第１導電層であってもよい。同様に、第２音響インピーダンス層３２，３３も、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３が第２導電層である例に限らず、第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５，３３２，３３４，３３５が第２導電層であってもよい。いずれにおいても、第２導電層と電極とを一対の電極とするキャパシタが形成されており、第１導電層が第２導電層と電気的に絶縁していればよい。
　弾性波装置１のうちの圧電体層４及びＩＤＴ電極５を用いた共振子は、図３の例では直列腕共振子９３であるが、直列腕共振子９１又は直列腕共振子９２であってもよいし、並列腕共振子９４又は並列腕共振子９５であってもよい。要するに、複数の直列腕共振子９１～９３及び複数の並列腕共振子９４，９５のうち少なくとも１つの共振子が、弾性波装置１のうちの圧電体層４及びＩＤＴ電極５を用いた共振子であればよい。
　図３の例では、キャパシタ７１，７２がラダー型フィルタ９の出力側（直列腕共振子９３と出力端子９６２との間）に設けられており、キャパシタ７１，７２を構成する第２導電膜が互いに電気的に接続されている。しかしながら、ラダー型フィルタ９の出力側ではなく、ラダー型フィルタ９の入力側（例えば入力端子９６１と直列腕共振子９１との間）に少なくとも２つのキャパシタが設けられていてもよい。この場合、少なくとも２つのキャパシタを構成する少なくとも２つの第２導電膜は、互いに電気的に接続されている。あるいは、ラダー型フィルタ９の入力側と出力側との両方に、それぞれ少なくとも２つのキャパシタが設けられていてもよい。この場合、ラダー型フィルタ９の入力側に設けられているキャパシタの電極と、ラダー型フィルタ９の出力側に設けられているキャパシタの電極とは、電気的に接続されていない。
　実施形態１では、基板２上に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３２，３３とを形成しているが、実施形態１の変形例として、圧電体層４上に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３２，３３とを形成してもよい。要するに、基板２と圧電体層４との間に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３２，３３とを形成すればよい。
　本変形例では、圧電体層４の元になる圧電基板上に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３２，３３とを形成し、その後、第１音響インピーダンス層３１及び第２音響インピーダンス層３２，３３を圧電体層４とで挟むように、基板２を積層する。本変形例であっても、基板２と圧電体層４との間に、ＩＤＴ電極５の少なくとも一部と重複する第１音響インピーダンス層３１と、電極６１，６２とによってキャパシタ７１，７２を形成する導電層（第２高音響インピーダンス層３２３，３３３）を含む第２音響インピーダンス層３２，３３とを同時に形成することができる。
　（実施形態２）
　実施形態２に係る弾性波装置１ａは、図６に示すように、ＩＤＴ電極５と共にインダクタ８（第３音響インピーダンス層３７）を有する点で、実施形態１に係る弾性波装置１（図２参照）と相違する。なお、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。また、図７は、図６のＸ２－Ｘ２線断面図である。
　実施形態２に係る弾性波装置１ａは、図６及び図７に示すように、基板２と、中間層３ａと、圧電体層４と、ＩＤＴ電極５と、複数（図示例では２つ）の電極６３，６４とを備える。なお、実施形態２の基板２、圧電体層４、及びＩＤＴ電極５は、実施形態１の基板２、圧電体層４、及びＩＤＴ電極５（図１及び図２参照）と同様の構成要素なので、同一の符号を付して説明を省略する。
　複数の電極６３，６４は、圧電体層４上に形成されている。より詳細には、複数の電極６３，６４は、圧電体層４上であってＩＤＴ電極５とは異なる位置に形成されている。複数の電極６３，６４は、圧電体層４上において、隣接して設けられている。電極６３，６４の各々は、例えば四角形の平板状に形成されている。電極６３，６４は、Ａｌのような金属によって形成されている。なお、電極６３，６４は、Ａｌには限定されず、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ等の他の金属又は合金によって形成されてもよい。また、電極６３，６４は、ＩＤＴ電極５と同じ金属又は合金によって形成されていてもよいし、ＩＤＴ電極５と異なる金属又は合金によって形成されていてもよい。さらに、電極６３，６４は、同じ金属又は合金によって形成されていてもよいし、互いに異なる金属又は合金によって形成されていてもよい。
　中間層３ａは、第１音響インピーダンス層３１（図１参照）と、複数（図示例では２つ）の第２音響インピーダンス層３５，３６と、第３音響インピーダンス層３７とを有する。中間層３ａは、基板２上に形成されている。なお、実施形態２の第１音響インピーダンス層３１は、実施形態１の第１音響インピーダンス層３１と同様の構成及び機能であるので、説明を省略する。
　第２音響インピーダンス層３５は、複数（図示例では２層）の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３と複数（図示例では３層）の第２低音響インピーダンス層３５２，３５４，３５５との積層構造を有する。第２音響インピーダンス層３５は、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において電極６３と対向する。
　第２高音響インピーダンス層３５１，３５３は、それぞれ、導電性を有する第２導電層として形成されている。例えば、第２高音響インピーダンス層３５１，３５３は、Ｗのような金属によって形成されている。なお、第２高音響インピーダンス層３５１，３５３は、Ｗには限定されず、Ｐｔのような他の金属によって形成されてもよい。
　第２低音響インピーダンス層３５２，３５４，３５５は、ＳｉＯ２のような絶縁体によって形成されている。また、第２低音響インピーダンス層３５２，３５４，３５５の音響インピーダンスは、第２高音響インピーダンス層３５１，３５３の音響インピーダンスよりも低い。
　第２音響インピーダンス層３６は、第２音響インピーダンス層３５と同様、複数（図示例では２層）の第２高音響インピーダンス層３６１，３６３と複数（図示例では３層）の第２低音響インピーダンス層３６２，３６４，３６５との積層構造を有する。第２音響インピーダンス層３６は、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において電極６４と対向する。
　第２高音響インピーダンス層３６１，３６３は、それぞれ、導電性を有する第２導電層として形成されている。例えば、第２高音響インピーダンス層３６１，３６３は、第２高音響インピーダンス層３５１，３５３と同様、Ｗのような金属によって形成されている。なお、第２高音響インピーダンス層３６１，３６３は、Ｗには限定されず、Ｐｔのような他の金属によって形成されてもよい。
　第２低音響インピーダンス層３６２，３６４，３６５は、第２低音響インピーダンス層３５２，３５４，３５５と同様、ＳｉＯ２のような絶縁体によって形成されている。また、第２音響インピーダンス層３６においても、第２音響インピーダンス層３５と同様、第２低音響インピーダンス層３６２，３６４，３６５の音響インピーダンスは、第２高音響インピーダンス層３６１，３６３の音響インピーダンスよりも高い。
　上記のように基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において第２音響インピーダンス層３５が圧電体層４を介して電極６３と対向して形成されている。これにより、弾性波装置１ａには、第２音響インピーダンス層３５の第２高音響インピーダンス層３５３と電極６３との間に、第２高音響インピーダンス層３５３と電極６３とを一対の電極とするキャパシタ７４が形成されている。
　同様に、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において第２音響インピーダンス層３６が圧電体層４を介して電極６４と対向して形成されている。これにより、第２音響インピーダンス層３６の第２高音響インピーダンス層３６３と電極６４との間に、第２高音響インピーダンス層３６３と電極６４とを一対の電極とするキャパシタ７５が形成されている。
　第３音響インピーダンス層３７は、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）及び電極６３とＩＤＴ電極５とが並んでいる第２方向Ｄ２と直交する第３方向Ｄ３において、第２音響インピーダンス層３５と第２音響インピーダンス層３６との間に設けられている。第３音響インピーダンス層３７は、複数（図示例では２層）の第３高音響インピーダンス層３７１，３７３と複数（図示例では３層）の第３低音響インピーダンス層３７２，３７４，３７５との積層構造を有する。
　第３高音響インピーダンス層３７１，３７３は、それぞれ、導電性を有する第３導電層として形成されている。例えば、第３高音響インピーダンス層３７１，３７３は、Ｗのような金属によって形成されている。そして、第３高音響インピーダンス層３７１，３７３は、それぞれ、基板２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）からの平面視でミアンダ状に形成されている。第３高音響インピーダンス層３７１，３７３は、第１方向Ｄ１において、重なっている。
　上記より、実施形態２に係る弾性波装置１ａでは、第２音響インピーダンス層３５の第２高音響インピーダンス層３５３と第２音響インピーダンス層３６の第２高音響インピーダンス層３６３との間に、インダクタ８を構成する第３高音響インピーダンス層３７３が設けられている。
　第３音響インピーダンス層３７の第３高音響インピーダンス層３７３は、第２音響インピーダンス層３５，３６の第２高音響インピーダンス層３５３，３６３と電気的に接続されている。また、第３高音響インピーダンス層３７３は、第２高音響インピーダンス層３５３，３６３と同じ材料で形成されている。つまり、第３高音響インピーダンス層３７３と第２高音響インピーダンス層３５３，３６３とが一体化されている。これにより、実施形態２の弾性波装置１ａでは、電極６３と電極６４との間には、複数のキャパシタ７４，７５とインダクタ８とが直列に接続されている。なお、第３音響インピーダンス層３７の第３高音響インピーダンス層３７１においても、第３高音響インピーダンス層３７１は、第２高音響インピーダンス層３５１，３６１と電気的に接続されている。また、第３高音響インピーダンス層３７１は、第２高音響インピーダンス層３５１，３６１と同じ材料で形成されている。
　実施形態２に係る弾性波装置１ａは、図８に示すようなラダー型フィルタ９ａに用いられる。以下、実施形態２に係る弾性波装置１ａを備えるラダー型フィルタ９ａについて説明する。
　ラダー型フィルタ９ａは、実施形態１に係るラダー型フィルタ９（図３参照）と同様、直列腕回路９７と、複数（図示例では２つ）の並列腕回路９８１，９８２とを備える。直列腕回路９７は、入力端子９６１と出力端子９６２とを結ぶ第１経路（直列腕）上に直列に接続されている。複数の並列腕回路９８１，９８２は、それぞれ、第１経路上のノードとグランドとを結ぶ第２経路上に設けられている。
　上記のようなラダー型フィルタ９ａにおいて、例えば、出力端子９６２に最も近い直列腕共振子９３に、弾性波装置１ａが用いられている。言い換えると、弾性波装置１ａのうちの圧電体層４及びＩＤＴ電極５を用いた共振子は、直列腕共振子９３である。
　上記のように、直列腕共振子９３に弾性波装置１ａが用いられると、直列腕共振子９３と出力端子９６２との間の接続点とグランドとの間には、複数（図示例では２つ）のキャパシタ７４，７５とインダクタ８とが直列に接続されている。これにより、キャパシタ７４，７５及びインダクタ８の共振周波数においてショートスタブのような機能を有する回路を構成することができる。
　以上説明したように、実施形態２に係る弾性波装置１ａでは、複数の第２音響インピーダンス層３５，３６の複数の第２高音響インピーダンス層３５３，３６３間に第３高音響インピーダンス層３７３が設けられている。同様に、複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３６１間に第３高音響インピーダンス層３７１が設けられている。これにより、キャパシタ７４，７５と共にインダクタ８もＩＤＴ電極５と一体に形成することができる。言い換えると、キャパシタ７４，７５と共にインダクタ８も共振子と一体に形成することができる。
　なお、実施形態２の変形例として、第２音響インピーダンス層３５，３６の各々の積層数（第２高音響インピーダンス層及び第２低音響インピーダンス層の総数）は、５層には限定されず、３層であってもよいし、７層以上であってもよい。また、第２音響インピーダンス層３５，３６の各々において、第２高音響インピーダンス層と第２低音響インピーダンス層とは同じ数であってもよい。つまり、第２音響インピーダンス層３５，３６の各々の積層数は、２層、４層、又は６層などの偶数層であってもよい。
　実施形態２では、第２音響インピーダンス層３５における複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３の全てが、導電性を有する第２導電層であるが、複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３のいずれかのみが、第２導電層であってもよい。要するに、複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３は、少なくとも１層の第２導電層を含んでいればよい。同様に、第２音響インピーダンス層３６における複数の第２高音響インピーダンス層３６１，３６３の全てが、導電性を有する第２導電層であるが、複数の第２高音響インピーダンス層３６１，３６３のいずれかのみが、第２導電層であってもよい。要するに、複数の第２高音響インピーダンス層３６１，３６３は、少なくとも１層の第２導電層を含んでいればよい。
　実施形態２では、第３音響インピーダンス層３７における複数の第３高音響インピーダンス層３７１，３７３の全てが、導電性を有する第３導電層であるが、複数の第３高音響インピーダンス層３７１，３７３のいずれかのみが、第３導電層であってもよい。要するに、複数の第３高音響インピーダンス層３７１，３７３は、少なくとも１層の第３導電層を含んでいればよい。
　第２音響インピーダンス層３５における複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３は、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第２音響インピーダンス層３６における複数の第２高音響インピーダンス層３６１，３６３も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第３音響インピーダンス層３７における複数の第３高音響インピーダンス層３７１，３７３も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。
　第２音響インピーダンス層３５における複数の第２低音響インピーダンス層３５２，３５４，３５５は、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第２音響インピーダンス層３６における複数の第２低音響インピーダンス層３６２，３６４，３６５も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。第３音響インピーダンス層３７における複数の第３低音響インピーダンス層３７２，３７４，３７５も、同じ材料によって形成されていることには限定されず、異なる材料によって形成されていてもよい。
　第２音響インピーダンス層３５，３６は、第２高音響インピーダンス層３５１，３５３，３６１，３６３が第２導電層である例に限らず、第２低音響インピーダンス層３５２，３５４，３５５，３６２，３６４，３６５が第２導電層であってもよい。同様に、第３音響インピーダンス層３７も、第３高音響インピーダンス層３７１，３７３が第３導電層である例に限らず、第３低音響インピーダンス層３７２，３７４，３７５が第３導電層であってもよい。
　図８の例では、キャパシタ７４，７５がラダー型フィルタ９ａの出力側（直列腕共振子９３と出力端子９６２との間）に設けられており、キャパシタ７４，７５を構成する第２導電膜が互いに電気的に接続されている。しかしながら、ラダー型フィルタ９ａの出力側ではなく、ラダー型フィルタ９ａの入力側（例えば入力端子９６１と直列腕共振子９１との間）に少なくとも２つのキャパシタが設けられていてもよい。この場合、少なくとも２つのキャパシタを構成する少なくとも２つの第２導電膜は、互いに電気的に接続されている。あるいは、ラダー型フィルタ９ａの入力側と出力側との両方に、それぞれ少なくとも２つのキャパシタが設けられていてもよい。この場合、ラダー型フィルタ９ａの入力側に設けられているキャパシタの電極と、ラダー型フィルタ９ａの出力側に設けられているキャパシタの電極とは、電気的に接続されていない。
　実施形態１では、基板２上に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３５，３６と、第３音響インピーダンス層３７とを形成しているが、実施形態２の変形例として、圧電体層４上に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３５，３６と、第３音響インピーダンス層３７とを形成してもよい。要するに、基板２と圧電体層４との間に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３５，３６と、第３音響インピーダンス層３７とを形成すればよい。
　本変形例では、圧電体層４の元になる圧電基板上に、第１音響インピーダンス層３１と、第２音響インピーダンス層３５，３６と、第３音響インピーダンス層３７とを形成し、その後、第１音響インピーダンス層３１、第２音響インピーダンス層３５，３６及び第３音響インピーダンス層３７を圧電体層４とで挟むように、基板２を積層する。本変形例であっても、基板２と圧電体層４との間に、ＩＤＴ電極５の少なくとも一部と重複する第１音響インピーダンス層３１と、電極６３，６４とによってキャパシタ７４，７５を形成する導電層（第２高音響インピーダンス層３５３，３６３）を含む第２音響インピーダンス層３５，３６と、インダクタ８を形成する第３音響インピーダンス層３７とを同時に形成することができる。
　以上説明した実施形態１，２は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。実施形態１，２は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　（まとめ）
　以上説明した実施形態１，２及び変形例から以下の態様が開示されていることは明らかである。
　第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）は、基板（２）と、第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２）と、圧電体層（４）と、ＩＤＴ電極（５）と、少なくとも１つの電極（６１，６２；６３，６４）とを備える。第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２）は、基板（２）上に形成されている。圧電体層（４）は、第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２）上に形成されている。ＩＤＴ電極（５）は、圧電体層（４）上に形成されている。ＩＤＴ電極（５）の少なくとも一部は、圧電体層（４）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）からの平面視において、第１音響インピーダンス層（３１）と重複する。電極（６１，６２；６３，６４）は、圧電体層（４）上に形成されている。電極（６１，６２；６３，６４）の少なくとも一部は、上記厚さ方向からの平面視において、第２音響インピーダンス層（３２）と重複する。第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）の各々は、少なくとも１層の高音響インピーダンス層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）と、少なくとも１層の低音響インピーダンス層（第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５）と、を有する。低音響インピーダンス層は、高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い。第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２，３３）の各々において、高音響インピーダンス層又は低音響インピーダンス層が導電性である。第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）における導電層と電極（６１，６２；６３，６４）とによって、キャパシタ（７１，７２；７４，８５）が形成されている。第１音響インピーダンス層（３１）における導電層は、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）における導電層と電気的に絶縁している。
　第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、ＩＤＴ電極（５）の少なくとも一部が重複する第１音響インピーダンス層（３１）の導電層と、電極（６１，６２；６３，６４）の少なくとも一部が重複する第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の導電層とが電気的に絶縁している。これにより、キャパシタがディスクリート素子である場合又はキャパシタが配線基板上に形成される場合に比べて、特性劣化を抑制しつつ、弾性波装置（１；１ａ）全体のサイズを小型にすることができる。
　第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、基板（２）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）が電極（６１，６２；６４，６５）の少なくとも一部と重複し、かつ、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の複数の高音響インピーダンス層（第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）が導電層を含む。これにより、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）における導電層を、キャパシタ（７１，７２；７４，７５）において電極（６１，６２；６３，６４）とは異なる他方の電極として用いることができる。その結果、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）における導電層とは別にキャパシタの他方の電極が設けられる場合に比べて、基板（２）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）においてキャパシタ（７１，７２；７４，７５）を小型にすることができる。
　第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１の態様において、第１音響インピーダンス層（３１）の高音響インピーダンス層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）が複数設けられている。第１音響インピーダンス層（３１）の低音響インピーダンス層（第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５）が複数設けられている。第１音響インピーダンス層（３１）の複数の高音響インピーダンス層と第１音響インピーダンス層（３１）の複数の低音響インピーダンス層とが厚さ方向（第１方向Ｄ１）において一層ごとに交互に並んでいる。
　第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１又は２の態様において、第２音響インピーダンス層（３２）の高音響インピーダンス層（第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）が複数設けられている。第２音響インピーダンス層（３２）の低音響インピーダンス層（第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５，３３２，３３４，３３５；３５２，３５４，３５５，３６２，３６４，３６５）が複数設けられている。第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の複数の高音響インピーダンス層と第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の複数の低音響インピーダンス層とが厚さ方向（第１方向Ｄ１）において一層ごとに交互に並んでいる。
　第４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１～３の態様のいずれか１つにおいて、第１音響インピーダンス層（３１）は、高音響インピーダンス層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）として、導電層を含む。第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）は、高音響インピーダンス層（第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３；３６１，３６３）として、導電層を含む。
　第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）は、第１～４の態様のいずれか１つにおいて、電極（６１，６２；６３，６４）を複数備える。第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）は、複数の電極（６１，６２；６３，６４）と一対一に対応して複数設けられている。複数の第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）に含まれる複数の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）のうち少なくとも２つは、互いに電気的に接続されている。
　第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、複数の電極（６１，６２；６３，６４）に対応する複数の第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）における複数の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）のうち少なくとも２つが互いに電気的に接続されている。これにより、少なくとも２つのキャパシタ（７１，７２；７４，７５）を容易に形成することができる。
　第６の態様に係る弾性波装置（１ａ）では、第５の態様において、複数の第２音響インピーダンス層（３５，３６）の複数の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３，３６１，３６３）のうちの少なくとも２つの間に、インダクタ（８）を構成する導電層（第３高音響インピーダンス層３７１，３７３）が設けられている。
　第６の態様に係る弾性波装置（１ａ）では、複数の第２音響インピーダンス層（３５，３６）の複数の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３５１，３５３，３６１，３６３）のうちの少なくとも２つの間に導体層（第３高音響インピーダンス層３７１，３７３）が設けられている。これにより、キャパシタ（７４，７５）と共にインダクタ（８）もＩＤＴ電極（５）と一体に形成することができる。言い換えると、キャパシタ（７４，７５）と共にインダクタ（８）も共振子と一体に形成することができる。
　第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第５又は６の態様において、複数の第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の複数の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）は、同じ材料で形成されている。
　第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、複数の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）が同じ材料で形成されている。これにより、複数の第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）を容易に形成することができる。
　第８の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１～７の態様のいずれか１つにおいて、第１音響インピーダンス層（３１）の導電層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）は、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）と同じ材料で形成されている。
　第８の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１音響インピーダンス層（３１）の導電層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）と第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）の導電層（複数の第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）とが同じ材料で形成されている。これにより、第１音響インピーダンス層（３１）と第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）とを容易に形成することができる。
　第９の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１～８の態様のいずれか１つにおいて、ＩＤＴ電極（５）の電極指ピッチ（Ｐ１）により定まる弾性波の波長をλとしたときに、圧電体層（４）の厚さが、１λ以下である。
　第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第９の態様において、弾性波が板波である。
　第１１の態様に係る弾性波装置（ラダー型フィルタ９；９ａ）は、直列腕回路（９７）と、並列腕回路（９８１，９８２）と、を備える。直列腕回路（９７）は、入力端子（９６１）と出力端子（９６２）とを結ぶ第１経路上に設けられている。並列腕回路（９８１，９８２）は、第１経路上のノードとグランドとを結ぶ第２経路上に設けられている。直列腕回路（９７）は、複数の直列腕共振子（９１～９３）を有する。並列腕回路（９８１，９８２）は、並列腕共振子（９４，９５）を有する。複数の直列腕共振子（９１～９３）及び並列腕共振子（９４，９５）のうち少なくとも１つの共振子は、圧電体層（４）及びＩＤＴ電極（５）を含む。
　第１２の態様に係る弾性波装置（ラダー型フィルタ９）では、第１１の態様において、圧電体層（４）及びＩＤＴ電極（５）を含む上記共振子は、複数の直列腕共振子（９１～９３）のうち第１経路上において出力端子（９６２）に最も近くに接続されている直列腕共振子（９３）である。キャパシタ（７１，７２）は、第１経路上において、出力端子（９６２）と第１経路上において出力端子（９６２）に最も近くに接続されている直列腕共振子（９３）との間に設けられている。
　第１３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）の製造方法は、基板（２）及び圧電体層（４）を準備する工程を有する。弾性波装置（１；１ａ）の製造方法は、基板（２）と圧電体層（４）との間に、第１音響インピーダンス層（３１）と、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）とを形成する工程を有する。第１音響インピーダンス層（３１）は、少なくとも１層の導電層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）を含む。第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）は、少なくとも１層の導電層（第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）を含む。弾性波装置（１；１ａ）の製造方法は、圧電体層（４）上であって、基板（２）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）からの平面視において、少なくとも一部が第１音響インピーダンス層（３１）と重複するＩＤＴ電極（５）を形成し、少なくとも一部が第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）と重複する少なくとも１つの電極（６１，６２；６３，６４）を形成する工程を有する。第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２）を形成する工程では、高音響インピーダンス層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３、第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）を形成する工程と、高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層（第１低音響インピーダンス層３１２，３１４，３１５、第２低音響インピーダンス層３２２，３２４，３２５，３３２，３３４，３３５；３５２，３５４，３５５，３６２，３６４，３６５）を形成する工程と、を少なくとも１回ずつ繰り返す。第１音響インピーダンス層（３１）及び第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）を形成する工程において、互いに電気的に絶縁するように、第１音響インピーダンス層（３１）における導電層（第１高音響インピーダンス層３１１，３１３）と、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３５，３６）における導電層（第２高音響インピーダンス層３２１，３２３，３３１，３３３；３５１，３５３，３６１，３６３）とを形成する。電極６１，６２；６３，６４）を形成する工程では、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）における導電層と電極（６１，６２；６３，６４）とによって、キャパシタ（７１，７２；７４，８５）を形成する。
　第１３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）の製造方法では、第２音響インピーダンス層（３２，３３；３４，３５）を形成する工程において、基板（２）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において電極（６１，６２；６３，６４）と対向する位置に導電層を形成する。これにより、共振子と同じ工程でキャパシタ（７１，７２；７４，７５）を製造することができるので、共振子とキャパシタとを別々に製造する場合に比べて、弾性波装置（１；１ａ）の製造工程を簡略にすることができる。
　１，１ａ　弾性波装置
　２　基板
　３，３ａ　中間層
　３０１　導電膜
　３０３　導電膜
　３１　第１音響インピーダンス層
　３１１，３１３　第１高音響インピーダンス層（導電層）
　３１２，３１４，３１５　第１低音響インピーダンス層
　３２　第２音響インピーダンス層
　３３１，３３３　第２高音響インピーダンス層（導電層）
　３３２，３３４，３３５　第２低音響インピーダンス層
　３４　絶縁層
　３４１，３４２，３４３　絶縁層の一部
　３５　第２音響インピーダンス層
　３５１，３５３　第２高音響インピーダンス層（導電層）
　３５２，３５４，３５５　第２低音響インピーダンス層
　３６　第２音響インピーダンス層
　３６１，３６３　第２高音響インピーダンス層（導電層）
　３６２，３６４，３６５　第２低音響インピーダンス層
　３７　第３音響インピーダンス層
　３７１，３７３　第３高音響インピーダンス層（導電層）
　３７２，３７４，３７５　第３低音響インピーダンス層
　４　圧電体層
　５　ＩＤＴ電極
　５０１　導電膜
　５１　第１電極
　５２　第２電極
　５３　第１電極指
　５４　第１バスバー
　５５　第２電極指
　５６　第２バスバー
　６０　配線
　６１～６４　電極
　７１，７２　キャパシタ
　７３　インダクタ
　７４，７５　キャパシタ
　８　インダクタ
　９，９ａ　ラダー型フィルタ（弾性波装置）
　９１～９３　直列腕共振子
　９４，９５　並列腕共振子
　９６１　入力端子
　９６２　出力端子
　９７　直列腕回路
　９８１，９８２　並列腕回路
　Ｄ１　第１方向（厚さ方向）
　Ｄ２　第２方向
　Ｄ３　第３方向
　Ｐ１　電極指ピッチ

Claims (13)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に形成されている第１音響インピーダンス層及び第２音響インピーダンス層と、
    　前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層上に形成されている圧電体層と、
    　前記圧電体層上に形成されており、前記圧電体層の厚さ方向からの平面視において、少なくとも一部が前記第１音響インピーダンス層と重複するＩＤＴ電極と、
    　前記圧電体層上に形成されており、前記厚さ方向からの平面視において、少なくとも一部が前記第２音響インピーダンス層と重複する少なくとも１つの電極と、を備え、
    　前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々は、
    　　少なくとも１層の高音響インピーダンス層と、
    　　前記高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い少なくとも１層の低音響インピーダンス層と、を有し、
    　前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層の各々において、前記高音響インピーダンス層又は前記低音響インピーダンス層が導電層であり、
    　前記第２音響インピーダンス層における前記導電層と前記電極とによって、キャパシタが形成されており、
    　前記第１音響インピーダンス層における前記導電層は、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層と電気的に絶縁している、
    　弾性波装置。
  2. 　前記第１音響インピーダンス層の前記高音響インピーダンス層が複数設けられており、
    　前記第１音響インピーダンス層の前記低音響インピーダンス層が複数設けられており、
    　前記第１音響インピーダンス層の前記複数の高音響インピーダンス層と前記第１音響インピーダンス層の前記複数の低音響インピーダンス層とが前記厚さ方向において一層ごとに交互に並んでいる、
    　請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第２音響インピーダンス層の前記高音響インピーダンス層が複数設けられており、
    　前記第２音響インピーダンス層の前記低音響インピーダンス層が複数設けられており、
    　前記第２音響インピーダンス層の前記複数の高音響インピーダンス層と前記第２音響インピーダンス層の前記複数の低音響インピーダンス層とが前記厚さ方向において一層ごとに交互に並んでいる、
    　請求項１又は２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第１音響インピーダンス層は、前記高音響インピーダンス層として、前記導電層を含み、
    　前記第２音響インピーダンス層は、前記高音響インピーダンス層として、前記導電層を含む、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記電極を複数備え、
    　前記第２音響インピーダンス層は、前記複数の電極と一対一に対応して複数設けられており、
    　前記複数の第２音響インピーダンス層に含まれる複数の導電層のうちの少なくとも２つは、互いに電気的に接続されている、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記複数の第２音響インピーダンス層の前記複数の導電層のうちの前記少なくとも２つの間に、インダクタを構成する導電層が設けられている、
    　請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記複数の第２音響インピーダンス層の前記複数の導電層は、同じ材料で形成されている、
    　請求項５又は６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記第１音響インピーダンス層の前記導電層は、前記第２音響インピーダンス層の前記導電層と同じ材料で形成されている、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより定まる弾性波の波長をλとしたときに、前記圧電体層の厚さが、１λ以下である、
    　請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記弾性波が板波である、
    　請求項９に記載の弾性波装置。
  11. 　入力端子と出力端子とを結ぶ第１経路上に設けられた直列腕回路と、
    　前記第１経路上のノードとグランドとを結ぶ第２経路上に設けられた並列腕回路と、を備え、
    　前記直列腕回路は、複数の直列腕共振子を有し、
    　前記並列腕回路は、並列腕共振子を有し、
    　前記複数の直列腕共振子及び前記並列腕共振子のうち少なくとも１つの共振子は、
    　　前記圧電体層及び前記ＩＤＴ電極を含む、
    　請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　前記圧電体層及び前記ＩＤＴ電極を含む前記共振子は、前記複数の直列腕共振子のうち前記第１経路上において前記出力端子に最も近くに接続されている直列腕共振子であり、
    　前記キャパシタは、前記第１経路上において、前記出力端子と前記第１経路上において前記出力端子に最も近くに接続されている前記直列腕共振子との間に設けられている、
    　請求項１１に記載の弾性波装置。
  13. 　基板及び圧電体層を準備する工程と、
    　前記基板と前記圧電体層との間に、少なくとも１層の導電層を含む第１音響インピーダンス層と、少なくとも１層の導電層を含む第２音響インピーダンス層とを形成する工程と、
    　前記圧電体層上であって、前記基板の厚さ方向からの平面視において、少なくとも一部が前記第１音響インピーダンス層と重複するＩＤＴ電極を形成し、少なくとも一部が前記第２音響インピーダンス層と重複する少なくとも１つの電極を形成する工程と、を有し、
    　前記第１音響インピーダンス層及び前記第２音響インピーダンス層を形成する工程では、
    　　高音響インピーダンス層を形成する工程と、
    　　前記高音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層を形成する工程と、
    　を少なくとも１回ずつ繰り返し、
    　　互いに電気的に絶縁するように、前記第１音響インピーダンス層における前記導電層と、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層とを形成し、
    　前記電極を形成する工程では、前記第２音響インピーダンス層における前記導電層と前記電極とによって、キャパシタを形成する、
    　弾性波装置の製造方法。
PCT/JP2018/035555 2017-09-27 2018-09-26 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 WO2019065669A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201880062801.7A CN111149295B (zh) 2017-09-27 2018-09-26 弹性波装置以及弹性波装置的制造方法
JP2019545528A JP6725083B2 (ja) 2017-09-27 2018-09-26 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法
DE112018005526.4T DE112018005526B4 (de) 2017-09-27 2018-09-26 Schallwellenvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Schallwellenvorrichtung
KR1020207008611A KR102374795B1 (ko) 2017-09-27 2018-09-26 탄성파 장치 및 탄성파 장치의 제조 방법
US16/822,066 US11309866B2 (en) 2017-09-27 2020-03-18 Acoustic wave device and method for manufacturing acoustic wave device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017186736 2017-09-27
JP2017-186736 2017-09-27

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/822,066 Continuation US11309866B2 (en) 2017-09-27 2020-03-18 Acoustic wave device and method for manufacturing acoustic wave device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019065669A1 true WO2019065669A1 (ja) 2019-04-04

Family

ID=65900993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/035555 WO2019065669A1 (ja) 2017-09-27 2018-09-26 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11309866B2 (ja)
JP (1) JP6725083B2 (ja)
KR (1) KR102374795B1 (ja)
CN (1) CN111149295B (ja)
DE (1) DE112018005526B4 (ja)
WO (1) WO2019065669A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021200677A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07 株式会社村田製作所 弾性波装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012519447A (ja) * 2009-03-04 2012-08-23 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 急峻なエッジを有するリアクタンスフィルタ
JP2013223025A (ja) * 2012-04-13 2013-10-28 Taiyo Yuden Co Ltd フィルタ装置、フィルタ装置の製造方法及びデュプレクサ
WO2016147986A1 (ja) * 2015-03-16 2016-09-22 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4665768B2 (ja) * 2006-01-10 2011-04-06 エプソントヨコム株式会社 気密封止構造および圧電デバイスとその製造方法
JP2008211394A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Matsushita Electric Works Ltd 共振装置
KR101623099B1 (ko) * 2010-12-24 2016-05-20 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치 및 그 제조 방법
CN103283147B (zh) * 2010-12-24 2016-09-21 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法
FI124732B (en) * 2011-11-11 2014-12-31 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Laterally connected bulk wave filter with improved passband characteristics
JP6464735B2 (ja) * 2014-12-25 2019-02-06 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
WO2016147688A1 (ja) 2015-03-16 2016-09-22 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP6519655B2 (ja) * 2015-06-25 2019-05-29 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN108028636A (zh) * 2015-10-23 2018-05-11 株式会社村田制作所 弹性波装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012519447A (ja) * 2009-03-04 2012-08-23 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 急峻なエッジを有するリアクタンスフィルタ
JP2013223025A (ja) * 2012-04-13 2013-10-28 Taiyo Yuden Co Ltd フィルタ装置、フィルタ装置の製造方法及びデュプレクサ
WO2016147986A1 (ja) * 2015-03-16 2016-09-22 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021200677A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07 株式会社村田製作所 弾性波装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE112018005526B4 (de) 2023-06-29
KR102374795B1 (ko) 2022-03-16
DE112018005526T5 (de) 2020-07-09
US11309866B2 (en) 2022-04-19
US20200220521A1 (en) 2020-07-09
CN111149295A (zh) 2020-05-12
JPWO2019065669A1 (ja) 2020-07-09
KR20200043455A (ko) 2020-04-27
JP6725083B2 (ja) 2020-07-15
CN111149295B (zh) 2023-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111149294B (zh) 弹性波装置
CN112673569B (zh) 双级横向体声波滤波器
JP6380558B2 (ja) 弾性波装置
JP2008172711A (ja) 薄膜バルク弾性波共振器およびフィルタおよびそれを用いた高周波モジュール
JP2005057332A (ja) フィルタ装置およびそれを用いた分波器
US20220216846A1 (en) Acoustic wave device
JP2004120494A (ja) 薄膜圧電共振子、それを用いたフィルタ及びデュプレクサ並びに薄膜圧電共振子の製造方法
US11799443B2 (en) Acoustic wave device
US20200212889A1 (en) Acoustic wave filter device
JP5418645B2 (ja) ラダー型フィルタ装置
US10177740B2 (en) Ladder filter and duplexer
CN114424458A (zh) 弹性波装置
JP6725083B2 (ja) 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法
WO2023248558A1 (ja) 弾性波装置
US20240171152A1 (en) Acoustic wave device
WO2024043343A1 (ja) 弾性波装置
CN118157614A (zh) 横向电场激励的薄膜体声波谐振器和滤波器

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18861996

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20207008611

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019545528

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18861996

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1