CN108028636A - 弹性波装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种难以产生压电基板的翘曲、且难以产生特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备支撑基板(2)、被设置于支撑基板(2)上的声多层膜(3)、被设置于声多层膜(3)上的压电基板(4)、和被设置于压电基板(4)上的IDT电极(5)，压电基板(4)的热膨胀系数的绝对值大于支撑基板(2)的热膨胀系数的绝对值，声多层膜(3)具有至少4层的声阻抗层，还具备接合层，该接合层被设置在从压电基板(4)侧向支撑基板(2)侧的第1层的声阻抗层(3g)中至第3层的声阻抗层(3e)与第4层的声阻抗层(3d)的界面为止的任意的位置。

Description

弹性波装置
技术领域
本发明涉及被用于谐振器、频带滤波器等的弹性波装置。
背景技术
以往，作为谐振器或频带滤波器，广泛使用弹性波装置。在这种弹性波装置中，利用瑞利波或SH波等各种的弹性波。
在下述的专利文献1中公开了利用板波的弹性波装置。专利文献1的弹性波装置中，在支撑基板上，声反射层、压电体层以及IDT电极依次被层叠。专利文献1中，在制造弹性波装置时，在层叠有声反射层的支撑基板接合压电体。
在下述的专利文献2中公开了在支撑基板上，高声速膜、低声速膜以及压电膜依次被层叠而得到的弹性波装置。专利文献2中，在制造弹性波装置时，在层叠有压电膜、低声速膜以及高声速膜的层叠体接合支撑基板。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：WO2012/086441 A1
专利文献2：WO2012/086639 A1
发明内容
-发明要解决的课题-
但是，如专利文献1那样，通过在层叠有声反射层的支撑基板接合压电体的方法而得到的弹性波装置中，有时产生特性的劣化。
另一方面，在通过专利文献2的接合方法将支撑基板与其他部分接合的情况下，在压电膜侧会形成较多的膜。若在压电膜侧形成较多的膜，则所形成的膜产生应力，有时在压电膜产生翘曲。因此，在专利文献2的弹性波装置中，也存在产生特性劣化的情况。
本发明的目的在于，提供一种难以产生压电基板的翘曲、且难以产生特性的劣化的弹性波装置。
-解决课题的手段-
本发明所涉及的弹性波装置具备支撑基板、被设置于所述支撑基板上的声多层膜、被设置于所述声多层膜上的压电基板、和被设置于所述压电基板上的IDT电极，所述压电基板的热膨胀系数的绝对值大于所述支撑基板的热膨胀系数的绝对值，所述声多层膜具有至少4层的声阻抗层，所述至少4层的声阻抗层包含至少1层的低声阻抗层、和声阻抗高于该低声阻抗层的至少1层的高声阻抗层，该弹性波装置还具备接合层，该接合层被设置于从所述压电基板侧向所述支撑基板侧的第1层的所述声阻抗层中至第3层的所述声阻抗层与第4层的所述声阻抗层的界面为止的任意位置。
在本发明所涉及的弹性波装置的某个特定的方面，所述接合层被设置在从所述压电基板侧向所述支撑基板侧的第1层至第3层的所述声阻抗层之中的任意的声阻抗层中。
在本发明所涉及的弹性波装置的另一特定的方面，所述接合层被没置在从所述压电基板侧向所述支撑基板侧的第1层至第4层的所述声阻抗层之中的相邻的任意2层的声阻抗层间的界面。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，作为传播的弹性波，利用S0模式、A0模式、A1模式、SH0模式或者SH1模式的板波。
在本发明所涉及的弹性波装置的其他特定的方面，所述接合层的厚度为5nm以下。该情况下，更进一步难以产生特性的劣化。
在本发明所涉及的弹性波装置的其他特定的方面，所述接合层兼作绝缘层。该情况下，更进一步难以产生特性的劣化。
在本发明所涉及的弹性波装置的其他特定的方面，所述支撑基板包含玻璃或者Si，且所述压电基板包含LiNbO3或者LiTaO3。该情况下，更进一步难以产生压电基板的翘曲。
在本发明所涉及的弹性波装置的其他特定的方面，所述低声阻抗层包含氧化硅。该情况下，能够更加有效地将板波封闭。
在本发明所涉及的弹性波装置的其他特定的方面，所述高声阻抗层包含钨、铂、钽、氮化硅或者氮化铝。该情况下，能够更加有效地将板波封闭。
-发明效果-
根据本发明，能够提供一种难以产生压电基板的翘曲、且难以产生特性的劣化的弹性波装置。
附图说明
图1(a)是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的示意性正面剖视图，图1(b)是表示其电极构造的示意性俯视图。
图2是将本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的主要部分放大表示的部分欠缺示意性剖视图。
图3是表示在实验例1中使构成声多层膜的声阻抗层的层叠数变化时的、压电基板的厚度与阻抗比(Za/Zr)的关系的图。
图4(a)～图4(d)是用于说明本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的制造方法的各简略的正面剖视图。
图5是表示在实验例2中压电基板使用了X切割-LiNbO3基板的情况下的、声阻抗层的层叠数与压电基板的翘曲量的关系的图。
图6是表示在实验例3中接合层的接合位置与阻抗比(Za/Zr)的关系的图。
图7是表示在实验例3中在从压电基板侧起第1层的声阻抗层上设置有接合层时的谐振特性的图。
图8是将本发明的第2实施方式所涉及的弹性波装置的主要部分放大表示的部分欠缺示意性剖视图。
具体实施方式
以下，通过参照附图来说明本发明的具体实施方式，使得本发明变得明确。
另外，提前指出的是，本说明书中记载的各实施方式仅仅是示例，在不同的实施方式之间能够进行结构的部分置换或者组合。
(第1实施方式)
图1(a)是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的示意性正面剖视图，图1(b)是表示其电极构造的示意性俯视图。此外、图2是将本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的主要部分放大表示的部分欠缺示意性剖视图。
弹性波装置1是利用了S0模式、A0模式、A1模式、SH0模式、或者SH1模式等的板波的弹性波装置。弹性波装置1具有支撑基板2。在支撑基板2上层叠有声多层膜3。在声多层膜3上层叠有压电基板4。在压电基板4上层叠有IDT电极5以及电极连接盘6a、6b。电极连接盘6a、6b被设置为与IDT电极5电连接。
支撑基板2包含Si。作为构成支撑基板2的材料，没有特别限定，能够使用蓝宝石、LiTaO3、LiNbO3、水晶等的压电体、氧化铝、氧化镁、氮化硅、氮化铝、氧化硅、氧化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等的各种陶瓷或者玻璃等的电介质、或者硅、氮化镓等的半导体、或者树脂等。
在本实施方式中，声多层膜3具有低声阻抗层3a、3c、3e、3g、高声阻抗层3b、3d、3f。高声阻抗层3b、3d、3f的声阻抗比低声阻抗层3a、3c、3e、3g的声阻抗高。在本实施方式中，低声阻抗层3a、3c、3e、3g和高声阻抗层3b、3d、3f在层叠方向被交替配置。因此，从压电基板4传播来的板波在低声阻抗层3a、3c、3e、3g的上方表面、即低声阻抗层3a、3c、3e、3g以及高声阻抗层3b、3d、3f的界面被反射。由此，能够有效地将板波的能量封闭。
另外，在本发明中，也可以低声阻抗层3a、3c、3e、3g和高声阻抗层3b、3d、3f在层叠方向不被交替配置。不过，从更进一步提高板波的封闭效率的观点出发，优选低声阻抗层3a、3c、3e、3g之中的至少1层被设置在比高声阻抗层3b、3d、3f之中的至少1层更靠压电基板4侧。更为优选低声阻抗层3a、3c、3e、3g以及高声阻抗层3b、3d、3f在层叠方向被交替配置。
此外，低声阻抗层3a、3c、3e、3g以及高声阻抗层3b、3d、3f的彼此的声阻抗的值满足高声阻抗层>低声阻抗层的关系即可，只要满足上述关系，材质可以是任意的。
在本实施方式中，声多层膜3包含7层的声阻抗层。不过，在本发明中，声阻抗层的层叠数为至少4层以上即可。另外，声阻抗层的层叠数的上限没有特别限定，但期望设为20层左右。由于本发明的弹性波装置的声多层膜具有至少4层的声阻抗层，因此能够有效地封闭板波。以下，参照实验例1对此进行详细说明。
在实验例1中，通过下述的条件制作1端口型的弹性波谐振器即弹性波装置1，例如激励S0模式的板波。
支撑基板2...Si基板
声多层膜3...层叠数：2层、4层或者6层、低声阻抗层：SiO2、高声阻抗层：Pt、各层的膜厚：SiO2...240nm、Pt...150nm
压电基板4...X切割-LiNbO3{欧拉角(90°、90°、40°)}
IDT电极5...AlCu(Cul％)/Ti、占空比：0.5、电极指的对数：100对、交叉宽度：25μm、由电极指间距决定的波长(λ)：1.7μm
图3是表示使构成声多层膜的声阻抗层的层叠数变化时的、压电基板4(LiNbO3)的厚度与阻抗比(Za/Zr)的关系的图。
由图3可知，在声阻抗层的层叠数为4层以及6层的弹性波装置1中，与层叠数为2层的情况相比，可获得良好的阻抗特性。基于此可知，为了有效地封闭板波，获得良好的阻抗特性，需要至少4层的声阻抗层。
这样，在本发明中，声多层膜具有至少4层的声阻抗层即可。由此，能够有效地封闭板波。另外，上述声多层膜只要具有至少4层的声阻抗层，还可以具有包含TiO2等的其他层。
此外，从更进一步有效地封闭板波的能量的观点出发，优选构成声多层膜3的声阻抗层的各层的厚度分别为压电基板4的厚度的1/4～10倍左右的范围。不过，多个声阻抗层的各层的厚度没有特别限定。
低声阻抗层3a、3c、3e、3g包含SiO2。不过，低声阻抗层3a、3c、3e、3g也可以包含Al、Ti等。
高声阻抗层3b、3d、3f包含Pt。不过，高声阻抗层3b、3d、3f也可以包含AlN、W、LiTaO3、A12O3、LiNbO3、Ta、SiN、或者ZnO等。
如图2中放大表示那样，本实施方式中，在低声阻抗层3e与高声阻抗层3d的界面设有接合层9。也就是说，从压电基板4侧向支撑基板2侧，在第3层的声阻抗层3e与第4层的声阻抗层3d的界面设有接合层9。因此，本实施方式中，接合层9并未设置在压电基板4的正下方。
接合层9包含Ti氧化物。因此，在本实施方式中，接合层9是绝缘层。另外，接合层9并不限定于Ti氧化物，也可以是Al等其他金属的氧化物。此外，也可以不是金属的氧化物，而包含Ti、Al等金属。不过，优选为了能够实现电绝缘，而优选金属氧化物或者金属氮化物。特别地，为了接合力较高，优选Ti的氧化物或者氮化物。
接合层9的厚度没有特别限定，优选5nm以下。如本实施方式那样，接合层9为绝缘层，并且将接合层9的厚度设为上述范围内，由此能够更进一步难以产生弹性波装置1的特性劣化。
压电基板4是包含LiNbO3的基板。因此，压电基板4的热膨胀系数的绝对值大于包含Si的支撑基板2的热膨胀系数的绝对值。作为压电基板4，只要热膨胀系数的绝对值大于支撑基板2，就没有特别限定。作为压电基板4，也可以使用包含LiTaO3等其他的压电单晶的基板，还可以使用包含压电陶瓷的基板。
另外，如本实施方式那样，作为支撑基板2优选使用包含玻璃或者Si的基板，作为压电基板4优选使用包含LiNbO3或者LiTaO3的基板。该情况下，由于热膨胀系数的绝对值的差变小，因此能够更进一步抑制压电基板4的翘曲。
图1(a)中简略地示出，在压电基板4上形成有图1(b)所示的电极构造。也就是说，形成有IDT电极5、和在IDT电极5的弹性波传播方向两侧所配置的反射器7、8。由此，构成1端口型弹性波谐振器。另外，也可以不设置反射器7、8。
如图1(b)所示，IDT电极5具有第1汇流条、第2汇流条、多根第1电极指、第2电极指。多根第1电极指与多根第2电极指相互***。此外，多根第1电极指与第1汇流条连接，多根第2电极指与第2汇流条连接。
若对IDT电极5施加交变电压，则形成有IDT电极5的压电基板4部分被激励。弹性波装置1作为如上述那样IDT电极5被激励所产生的弹性波而利用板波。
另外，在本实施方式中省略了图示，但是在本发明中也可以设置作为温度调整膜的SiO2膜、SiN膜，使得覆盖IDT电极5。
本实施方式中，IDT电极5以及电极连接盘6a、6b包含Al。不过，IDT电极5以及电极连接盘6a、6b分别能够包含Al、Cu、Pt、Au、Ag、Ti、Ni、Cr、Mo、W或者以这些金属为主体的合金等的适当的金属。此外，IDT电极5以及电极连接盘6a、6b也可以包含将多个金属膜层叠而成的层叠金属膜。
本实施方式的弹性波装置1中，由于声阻抗层的层叠数为至少4层以上，能够有效地封闭板波。此外，在弹性波装置1中，从压电基板4侧向支撑基板2侧，接合层9位于第3层的声阻抗层3e与第4层的声阻抗层3d的界面。因此，在制造时，在将压电基板4与支撑基板2贴合时难以产生压电基板4的翘曲。此外，在最终得到的弹性波装置1中，也难以产生压电基板4的翘曲。由此，难以产生特性的劣化。通过说明以下的制造方法，对此更为具体地进行说明。
(制造方法)
弹性波装置1的制造方法没有特别限定，参照图4(a)～图4(d)来说明一例。
首先，如图4(a)所示，准备压电基板4A和支撑基板2。在压电基板4A的一侧的主面上，形成包含SiO2的低声阻抗层3g。接下来，在低声阻抗层3g上依次层叠包含SiN的高声阻抗层3f和包含SiO2的低声阻抗层3e。由此，在压电基板4A上形成层叠膜。
另一方面，在支撑基板2的一侧的主面上，将包含SiO2的2层的低声阻抗层3a、3c和包含SiN的2层的高声阻抗层3b、3d，从包含SiO2的低声阻抗层3a起依次交替层叠。由此，在支撑基板2上形成层叠膜。
另外，在支撑基板2上，只要在层叠膜的最上层设置至少包含SiN的高声阻抗层3d即可。该情况下，通过与压电基板4A上的3层的声阻抗层组合，能够得到具有4层的声阻抗层的弹性波装置1。在支撑基板2与高声阻抗层3d之间，可以如本实施方式那样设置声阻抗层，也可以设置其他层。作为其他层，例如能够设置包含TiO2的层。
作为压电基板4A，使用包含LiNbO3的板。不过，作为压电基板4A，也可以使用包含LiTaO3等的其他压电单晶的板，还可以使用包含压电陶瓷的板。
作为支撑基板2，使用Si。不过，作为支撑基板2，能够使用蓝宝石、LiTaO3、LiNbO3、水晶等压电体、氧化铝、氧化镁、氮化硅、氮化铝、氧化硅、氧化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等各种陶瓷或者玻璃等的电介质、或者硅、氮化镓等的半导体、或者树脂等。
低声阻抗层3a、3c、3e、3g以及高声阻抗层3b、3d、3f能够通过溅射法、蒸镀或者CVD法等的方法来形成。低声阻抗层3a、3c、3e、3g以及高声阻抗层3b、3d、3f的各层的厚度没有特别限，能够分别设为50nm～2000nm左右。声阻抗层可以实施适当的图案化。
接下来，对作为在压电基板4A上所层叠的层叠膜的接合面的低声阻抗层3e的表面、和作为在支撑基板2上所层叠的层叠膜的接合面的高声阻抗层3d的表面进行研磨。研磨后，如图4(b)所示那样，将分别设有层叠膜的压电基板4A以及支撑基板2接合。在压电基板4A与支撑基板2接合时，在压电基板4A上的层叠膜的最表层的低声阻抗层3e与支撑基板2上的层叠膜的最表层的高声阻抗层3d之间，夹入用于形成未图示的接合层9的包含Ti的接合膜，通过扩散接合进行接合。另外，接合方法既可以是亲水化接合，也可以是活性化接合。
接着，如图4(c)所示，使压电基板4A薄板化直到能够激励板波的程度，得到压电基板4。从板波的激励效率的观点出发，压电基板4的厚度优选为1μm以下。
在压电基板4A的薄板化后，以300℃左右的温度进行热处理，使得上述包含Ti的接合膜氧化，从而绝缘化。
最后，如图4(d)所示，在压电基板4的与声多层膜3相反的一侧的主面上，形成IDT电极5以及电极连接盘6a、6b，得到弹性波装置1。
IDT电极5以及电极连接盘6a、6b能够例如通过蒸镀剥离法来形成。IDT电极5的厚度没有特别限定，但能够设为10～2000nm。此外，电极连接盘6a、6b的厚度没有特别限定，但能够设为100～2000nm。
另外，在本实施方式中，IDT电极5由将Ti以及AlCu(Cul％)依次层叠而得到的层叠金属膜来形成。此外，电极连接盘6a、6b由将Ti以及Al依次层叠而得到的层叠金属膜来形成。
在本实施方式的制造方法中，由于在压电基板4A上仅层叠3层的声阻抗层，因此对压电基板4A不会施加较大的膜应力。因此，在与支撑基板2接合时，难以产生压电基板4A的翘曲。对于这一点，基于具体的实验例2来进行说明。
在实验例2中通过上述的制造方法制作弹性波装置1时，使压电基板4A上所层叠的声阻抗层的层叠数从1层变化至6层。
图5表示在压电基板使用了X切割-LiNbO3基板的情况下、声阻抗层的层叠数与压电基板的翘曲量的关系的图。另外，图5中，声阻抗层的层叠数是与支撑基板2进行接合之前的压电基板4A上所层叠的声阻抗层的层叠数。此外，上述翘曲量是与支撑基板2进行接合时的直径4英寸的压电基板4A的翘曲量。
如图5所示，可知在压电基板4A上层叠的声阻抗层的层叠数越少，则翘曲量越小。特别地，在声阻抗层的层叠数为3层以下时，在压电基板4A(LiNbO3基板)的Y轴方向、以及压电基板4A(LiNbO3基板)的Z轴方向的任意方向，压电基板4A的翘曲量都成为基板贴合中难以产生问题的范围内即150μm以下。另一方面，在层叠数为4层以上时，Y轴方向的翘曲量大于150μm。基于此，在将压电基板4A与支撑基板2之间的声阻抗层的层叠数设为4层以上时，只要在压电基板4A侧层叠到第3层，对于其他层在支撑基板2侧进行层叠即可。
这样，在本发明中，在将压电基板4A与支撑基板2接合时，将在压电基板4A侧所层叠的声阻抗层的层叠数设为3层以下即可。也就是说，在制作的弹性波装置1中，从压电基板4侧向支撑基板2侧，在直到第3层以及第4层的声阻抗层3e、3d的界面的任意的位置设置接合层9即可。该情况下，由于对压电基板4A没有施加较大的膜应力，因此能够难以产生将压电基板4A与支撑基板2贴合时的压电基板4A的翘曲。由此，能够将压电基板4A与支撑基板2容易地接合。此外，由于对压电基板4A没有施加大的膜应力，因此对薄板化后的压电基板4施加的应力也较小，也能够难以产生薄板化后的压电基板4的翘曲。因此，在本发明中，不需要压电基板4的翘曲返回工序。从更进一步抑制压电基板4的翘曲的观点出发，接合层9的位置越靠近压电基板4越好。
此外，在弹性波装置1中，接合层9并未设置在压电基板4的正下方。也就是说，在弹性波装置1中，在压电基板4与低声阻抗层3g的界面未设置接合层9。因此，在弹性波装置1中，难以产生特性的劣化。以下，基于实验例3对此进行说明。
在实验例3中，通过下述条件来制作1端口型的弹性波谐振器即弹性波装置1，激励S0模式的板波。
支撑基板2...Si基板
低声阻抗层3a...SiO2、膜厚：0.4λ
高声阻抗层3b...SiN、膜厚：0.11λ
低声阻抗层3c...SiO2、膜厚：0.1λ
高声阻抗层3d...SiN、膜厚：0.11λ
低声阻抗层3e...SiO2、膜厚：0.1λ
高声阻抗层3f...SiN、膜厚：0.11λ
低声阻抗层3g...SiO2、膜厚：0.1λ
接合层9...环氧树脂、膜厚：0.05λ
压电基板4...LiNbO3{欧拉角(90°、90°、40°)}、膜厚：0.2λ
IDT电极5...Al、膜厚：0.07λ、占空比：0.5、由电极指间距决定的波长(λ)：1.0μm
图6是表示接合层的接合位置与阻抗比(Za/Zr)的关系的图。图中，接合层9的接合位置表示从压电基板4向支撑基板2在第几层的声阻抗层上设置接合层9。例如，在第0层的情况下，表示接合层9位于压电基板4与低声阻抗层3g的界面。
如图6所示，可知通过将接合位置设为从压电基板4侧起比第1层更靠支撑基板2侧(换句话说，将接合位置形成在从压电基板4侧起第2层以后)，与接合位置为第0层的情况相比，可提高特性。
此外，图7是表示在从压电基板侧起第1层的声阻抗层上设置接合层时的谐振特性的图。图中，实线表示在从压电基板4侧起第1层的声阻抗层3g上设置接合层9时的结果。此外，作为比较例，虚线表示在第0层的声阻抗层上设置接合层9时的结果。也就是说，表示在压电基板4与第1层的声阻抗层3g的界面设置接合层9时的结果。
如图7所示，可知在从压电基板4侧起第1层的声阻抗层3g上设置接合层9时，比较例的由箭头B1所示的主要波近旁的无用波的响应被抑制。此外，比较例的由箭头B2所示的无用波的响应所对应的、箭头A的无用波的响应与主要波分离。基于此可知，通过使接合层9位于比压电基板4与第1层的声阻抗层3g的界面更靠支撑基板2侧，从而可得到良好的特性。
因此，可知将接合位置设为从压电基板4侧起第1层、第1层与第2层的界面、或者比第第1层更靠支撑基板2侧，从而较之接合位置是从压电基板4侧起第0层的情况，可提高特性。
进而，如上述，在本发明中，在将压电基板4A与支撑基板2接合时，通过将压电基板4A侧所层叠的声阻抗层的层叠数设为3层以下，从而降低压电基板4A的翘曲量。
基于以上，在本发明中，通过将接合位置形成在从由压电基板起第1层的声阻抗层中到第3层的声阻抗层与第4层的声阻抗层的边界面之间，能够改善特性面与压电基板的翘曲量的双方。
(第2实施方式)
图8是将本发明的第2实施方式所涉及的弹性波装置的主要部分放大表示的部分欠缺示意性剖视图。如图8所示，在第2实施方式中，低声阻抗层3g具有由接合层9将低声阻抗层部分3g1与低声阻抗层部分3g2接合的构造。因此，接合层9位于低声阻抗层3g中。低声阻抗层部分3g1与低声阻抗层部分3g2能够包含与低声阻抗层3a、3c、3e相同的材料。其他的方面与第1实施方式相同。
在制造第2实施方式的弹性波装置时，也能够以与第1实施方式的制造方法相同的方法进行制造。具体而言，在压电基板4A上层叠低声阻抗层部分3g2，将其他的部分层叠于支撑基板2上。接着，将压电基板4A上的低声阻抗层部分3g2与支撑基板2上的层叠膜的最上层即低声阻抗层部分3g1利用与第1实施方式相同的方法进行接合，由此能够制造。
在第2实施方式中，由于从压电基板侧向支撑基板侧在第1层的声阻抗层中设置有接合层，因此难以产生压电基板的翘曲，并且难以产生特性的劣化。
如第2实施方式的弹性波装置那样，接合层9可以设置在从压电基板4侧向支撑基板2侧的第1层至第3层的声阻抗层之中任意的声阻抗层中。此外，如第1实施方式的弹性波装置1那样，接合层9可以设置在从压电基板4侧向支撑基板2侧的第1层至第4层的声阻抗层之中的相邻的任意2层的声阻抗层间的界面。这样，在本发明中，在从压电基板侧向支撑基板侧的第1层的声阻抗层中到第3层以及第4层的声阻抗层的界面为止的任意位置设置接合层，因此难以产生压电基板的翘曲，并且难以产生特性的劣化。
本发明的弹性波装置被广泛用于各种各样的电子设备、通信设备。作为电子设备，例如有传感器。作为通信设备，例如有包含本发明的弹性波装置的双工器双工器、包含本发明的弹性波装置和PA(Power Amplifier：功率放大器)以及/或者LNA(Low NoiseAmplifier：低噪声放大器)以及/或者SW(Switch：开关)的通信模块设备、包含该通信模块设备的移动通信设备、健康通信设备等。作为移动通信设备，有便携电话、手机、导航仪等。作为健康通信没备，有体重计、体脂计等。健康通信设备、移动通信没备具备天线、RF模块、LSI、显示器、输入部、电源等。
符号说明
1...弹性波装置
2...支撑基板
3...声多层膜
3a、3c、3e、3g...低声阻抗层
3g1、3g2...低声阻抗层部分
3b、3d、3f...高声阻抗层
4、4A...压电基板
5...IDT电极
6a、6b...电极连接盘
7、8...反射器
9...接合层

Claims (9)

1.一种弹性波装置，具备：
支撑基板；
声多层膜，被设置于所述支撑基板上；
压电基板，被设置于所述声多层膜上；和
IDT电极，被设置于所述压电基板上，
所述压电基板的热膨胀系数的绝对值大于所述支撑基板的热膨胀系数的绝对值，
所述声多层膜具有至少4层的声阻抗层，
所述至少4层的声阻抗层包含至少1层的低声阻抗层、声阻抗高于该低声阻抗层的至少1层的高声阻抗层，
所述弹性波装置还具备接合层，所述接合层被设置在从所述压电基板侧向所述支撑基板侧的第1层的所述声阻抗层中到第3层的所述声阻抗层与第4层的所述声阻抗层的界面为止的任意位置。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述接合层被设置在从所述压电基板侧向所述支撑基板侧的第1层至第3层的所述声阻抗层之中的任意的声阻抗层中。
3.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述接合层被设置在从所述压电基板侧向所述支撑基板侧的第1层至第4层的所述声阻抗层之中的相邻的任意2层的声阻抗层间的界面。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的弹性波装置，其中，
作为传播的弹性波，利用S0模式、A0模式、A1模式、SH0模式或者SH1模式的板波。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述接合层的厚度为5nm以下。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述接合层兼作绝缘层。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述支撑基板包含玻璃或者Si，且所述压电基板包含LiNbO3或者LiTaO3。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述低声阻抗层包含氧化硅。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述高声阻抗层包含钨、铂、钽、氮化硅或者氮化铝。
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