CN118157614A - 横向电场激励的薄膜体声波谐振器和滤波器 - Google Patents

Abstract

本申请涉及半导体器件领域且提供一种横向电场激励的薄膜体声波谐振器和滤波器。所述薄膜体声波谐振器包括在第一方向上层叠的衬底和压电薄膜，形成于衬底与压电薄膜之间的声反射层；以及形成于薄膜的至少一侧的表面的第一叉指电极和第二叉指电极；第一叉指电极和第二叉指电极分别包括沿第二方向排列的多个第一指和多个第二指；多个第一指与多个第二指在第二方向上交替排列；至少一个第一指和/或至少一个第二指的第三方向上的至少一部分在第二方向上包括至少两层电极。由此，通过构造声学阻抗失配微结构，从而通过提高阻抗失配的显著性来对声波进行充分反射，减少进入电极下方的声能，从而提高谐振器的Q值，减少寄生模式，提升谐振器的性能。

Description

横向电场激励的薄膜体声波谐振器和滤波器

技术领域

本申请涉及半导体器件领域，尤其涉及一种横向电场激励的薄膜体声波谐振器和滤波器。

背景技术

在第五代移动通信(5G)技术标准下，以n77、n78、n79为代表的新频段，其频率范围在3GHz至5GHz，相对带宽在12％至24％之间，而传统射频前端滤波器多采用基于块体铌酸锂或钽酸锂衬底的表面声波(SAW)、基于AlN或Sc掺杂AlN薄膜的体声波(BAW)谐振器技术实现，其相对带宽大多数在10％以下，甚至不超过5％，这使得面向5G应用的射频前端滤波器面临着频率提升和带宽拓展的双重困难。

近年来，随着离子切片技术的成熟，使得在硅衬底或其他复合衬底上能够实现百纳米到几微米厚度的铌酸锂(LiNbO3，简称LN)或钽酸锂(LiTaO3，简称LT)单晶压电薄膜，这类单晶压电薄膜具有优良的压电特性，现有技术出现了利用这类单晶压电薄膜制作的高频、大带宽滤波器。

在一些现有技术中，通过对LN或者LT单晶压电薄膜衬底进行加工，在其表面形成叉指状电极，利用叉指电极在压电薄膜中形成的横向电场分量(平行于压电薄膜方向)激励出谐振波。

图1是现有技术的横向电场激励的薄膜体声波谐振器在理想工作状态下的振幅的一个示意图。

如图1所示，谐振器1包括第一叉指电极105和第二叉指电极106，在将第一叉指电极105和第二叉指电极106分别与极性相反的电压连接时，在理想工作状态下，横向电场分量激励出的谐振波的振幅A(t)呈现驻波分布，每个电极中心下方如M1和M2处形成振幅A(t)＝0的波节点，振幅A(t)最大的波腹则位于M1和M2之间。由波动学的能量振幅关系可知，在理想工作状态下，振动能量(声能)主要集中在波腹处，而在M1和M2处声能为零。

本部分旨在为权利要求书中陈述的本申请实施例提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。

发明内容

发明人发现，在实际工作状态下，不存在理想的驻波分布。图2是图1所示的薄膜体声波谐振器在实际工作状态下的声能传播的一个示意图。如图2所示，在实际工作状态下，由于电极与压电薄膜接触，电极附近的阻抗区域被分为区域a和区域c，在区域a和区域c之间形成了阻抗失配边界ac，当声能Ei从区域a向区域c传播时，部分能量E1从边界ac处被反射回区域a侧的压电薄膜，剩余能量ΔE进入电极下方区域，也就是说，位于M1和M2等位置处的声能并不为零。而这部分能量会由压电薄膜流入电极叉指中，不仅造成能量泄漏使谐振器Q值下降，同时这部分声能还会形成寄生模式振动，恶化谐振器的性能。

为了解决上述问题中的至少一个或其他类似的问题，本申请实施例提供一种横向电场激励的薄膜体声波谐振器和滤波器。

根据本申请实施例的第一方面，提供一种横向电场激励的薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器包括在第一方向上层叠的衬底和压电薄膜，所述薄膜体声波谐振器还包括：形成于所述衬底与所述压电薄膜之间的声反射层；以及形成于所述压电薄膜的覆盖所述声反射层的区域的至少一侧的表面的第一叉指电极和第二叉指电极；所述第一叉指电极包括沿第二方向排列的多个第一指，所述多个第一指与第一极性电压连接，所述第二叉指电极包括沿所述第二方向排列的多个第二指，所述多个第二指与第二极性电压连接，所述第二极性电压与所述第一极性电压的极性相反，所述第二方向与所述第一方向垂直；所述多个第一指与所述多个第二指在所述第二方向上交替排列；至少一个第一指和/或至少一个第二指的第三方向上的至少一部分在所述第二方向上包括至少两层电极，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向垂直。

根据本申请实施例的第二方面，提供一种滤波器，所述滤波器包括第一方面的实施例所述的横向电场激励的薄膜体声波谐振器。

本申请实施例的有益效果之一在于，通过使叉指电极的指在压电薄膜表面形成多层电极，构造声学阻抗失配微结构，从而通过提高阻抗失配的显著性来对声波进行充分反射，减少进入电极下方的声能，从而提高谐振器的Q值，减少寄生模式，提升谐振器的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术的横向电场激励的薄膜体声波谐振器在理想工作状态下的振幅的一个示意图。

图2是图1所示的薄膜体声波谐振器在实际工作状态下的声能传播的一个示意图。

图3是本申请第一方面的实施例的薄膜体声波谐振器的一个实施方式的俯视图。

图4是图3所示的薄膜体声波谐振器沿A-A方向的一个剖面图。

图5是图4所示的薄膜体声波谐振器的一个实施方式的局部B的放大图.

图6是图5所示的薄膜体声波谐振器在实际工作状态下的声能传播的一个示意图。

图7图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图8是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图9是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图10是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图11是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图12是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图13是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图14是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图15是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图16是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图17是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图18是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图19是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图20是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图21是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图22是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图23是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图24是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图25是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图26是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图27是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图28是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图29是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图30是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图31是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图32是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图33是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图34是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图35是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图36是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图37是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图38是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图39是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图40是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图41是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图42是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图43是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图44是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图45是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图46是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图47是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图48是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图49是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图50是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

图51是本申请第一方面的实施例的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的俯视图。

图52是本申请第一方面的实施例的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的俯视图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合附图对本申请实施例做进一步详细说明。在此，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，但并不作为对本申请的限定。

在本申请实施例中，术语“第一”、“第二”、“上”、“下”等用于对不同元素从称谓上进行区分，但并不表示这些元素的空间排列或时间顺序等，这些元素不应被这些术语所限制。术语“和/或”包括相关联列出的术语的一种或多个中的任何一个和所有组合。术语“包含”、“包括”、“具有”等是指所陈述的特征、元素、元件或组件的存在，但并不排除存在或添加一个或多个其他特征、元素、元件或组件。

在本申请实施例中，单数形式“一”、“该”等包括复数形式，应广义地理解为“一种”或“一类”而并不是限定为“一个”的含义；此外术语“所述”应理解为既包括单数形式也包括复数形式，除非上下文另外明确指出。此外术语“根据”应理解为“至少部分根据……”，术语“基于”应理解为“至少部分基于……”，除非上下文另外明确指出。

第一方面的实施例

本申请第一方面的实施例提供一种横向电场激励的薄膜体声波谐振器。图3是本申请第一方面的实施例的薄膜体声波谐振器的一个俯视图。图4是图3所示的薄膜体声波谐振器沿A-A方向的一个剖面图。

如图4所示，薄膜体声波谐振器3包括在第一方向z层叠的衬底304和压电薄膜301，还包括形成于衬底304与压电薄膜301之间的声反射层。在本申请实施例中，第一方向z、第二方向x和第三方向y相互垂直，另外，将各部分在第二方向x上的尺寸记作“宽度”，将各部分在第三方向y上的尺寸记作“长度”。

在至少一个实施例中，声反射层可以是空腔，也可以是布拉格反射层，还可以是其他的等效声阻抗特性与空腔的声阻抗特性或者布拉格反射层的声阻抗特性接近或相似的声反射结构。本申请实施例对选择何种声反射结构作为薄膜体声波谐振器3的声反射层不做限制，可以根据实际需要进行设计，例如，在对谐振器的Q值要求较高的情况下，可以选择空腔作为声反射层；在对谐振器的散热性能或功率要求较高的情况下，可以选择布拉格反射层作为声反射层。

下面以空腔作为声反射层为例进行说明，但本领域技术人员应知晓，下面的描述不应解释为对本申请实施例的限制。

如图4所示，空腔302形成于衬底304，压电薄膜301覆盖空腔302。

在至少一个实施例中，衬底304可由半导体材料形成，本申请实施例对形成衬底304的具体材料不作限制。例如，衬底304可以仅包括基底341，空腔302形成于基底341，基底341例如可由单晶硅形成，例如，由高阻硅材料形成，硅材料电阻率例如大于1000Ω·cm，例如，电阻率>5000Ω·cm，另外，基底341也可以由铌酸锂、钽酸锂、碳化硅(SiC)、蓝宝石(sapphire)、石英(Quartz)等材料形成。另外，衬底304还可以包括基底341和辅助键合层342，辅助键合层342形成于基底341的表面，辅助键合层342例如可由二氧化硅、氮化硅、多晶硅、不定型硅等半导体材料形成或者二氧化硅、氮化硅、多晶硅、不定型硅等构成的复合材料形成。此外，衬底304也可以为多层材料复合形成的衬底，不局限于某种单一材料。另外，形成空腔的方式也不局限于本实施例图中所示，例如：空腔302也可以为贯穿衬底304(即贯穿键合层342以及基底341)的通孔结构，或者空腔302也可以是通过键合层342合围形成的从而位于基底341与压电薄膜301之间，即，不是位于基底341内部，而是位于基底341的表面。

本申请实施例对形成压电薄膜301的材料不作限制，可以根据实际需要或性能要求进行选择，例如，可以选择压电材料形成压电薄膜301，例如，选择具有较大横向电场激励对应压电耦合系数的材料，例如，选择铌酸锂或钽酸锂等单晶压电材料。本申请实施例可以通过选择合适切型、以及面内叉指电极与晶轴夹角，使铌酸锂或钽酸锂具有较大的d11、d15、d16压电耦合系数，由此，分别可以使得声波谐振器激发出零阶对称兰姆波(SymmetricLamb Wave)模式，简称S0模式，一阶反对称兰姆波(First antisymmetric Lamb Wave)模式，简称A1模式，零阶水平剪切(shear horizontal)模式，简称SH0模式，及上述模式的高阶或低阶模式。

如图3所示，薄膜体声波谐振器3还包括第一叉指电极35和第二叉指电极36。

在至少一个实施例中，第一叉指电极35和第二叉指电极36形成于压电薄膜301的覆盖空腔302的区域的至少一侧的表面，例如，如图4所示，第一叉指电极35和第二叉指电极36形成于压电薄膜301的远离空腔302的一侧的表面。但本申请实施例不限于此，第一叉指电极35和第二叉指电极36还可以形成于压电薄膜301的朝向空腔302的一侧的表面，或者，还可以压电薄膜301的两侧的表面均形成第一叉指电极35和第二叉指电极36。

如图3所示，第一叉指电极35包括沿第二方向x排列的多个第一指305，第二叉指电极36包括沿第二方向x排列的多个第二指306，多个第一指305与多个第二指306在第二方向x上交替排列；第一指305与第一极性电压连接，第二指306与第二极性电压连接，第二极性电压与第一极性电压的极性相反。

在至少一个实施例中，如图3所示，第一叉指电极35还可以包括第一总线部315，沿第二方向x排列的多个第一指305可以被第一总线部315连接，从而通过第一总线部315与第一极性电压连接；第二叉指电极36还可以包括第二总线部316，沿第二方向x排列的多个第二指306可以被第二总线部316连接，从而通过第二总线部316与第二极性电压连接。

为了方便描述，下面以图3和图4所示的薄膜体声波谐振器3为例进行说明，本领域技术人员应知晓，下面的描述不应解释为对本申请实施例的薄膜体声波谐振器的限制。

在至少一个实施例中，至少一个第一指305和/或至少一个第二指306的第三方向y上的至少一部分在第二方向x上包括至少两层电极。

图5是图4所示的薄膜体声波谐振器的一个实施方式的局部B的放大图，图6是图5所示的薄膜体声波谐振器在实际工作状态下的声能传播的一个示意图。

在至少一个实施例中，如图5所示，在第二方向x上，第一指305包括第一电极351和第二电极352，第一电极351和第二电极352在第二方向x上层叠。

如图6所示，由于电极与薄膜接触，电极附近的阻抗区域被分为区域a、区域b和区域c，区域a、区域b和区域c的声阻抗Ra、Rb、Rc不同，例如Ra>Rb>Rc、Ra>Rb<Rc、Ra<Rb<Rc或Ra<Rb>Rc等，从而，在区域a和区域b之间形成阻抗失配边界ab，在区域b和区域c之间形成阻抗失配边界bc，即，在第一指305附近构造了声学阻抗失配微结构。如图6所示，当声能Ei从右侧向电极方向传播时，除了一部分能量E1在边界ab附近被反射之外，还有一部分能量E2在边界bc处被反射，因此，相比于现有技术的薄膜体声波谐振器，在本申请实施例的薄膜体声波谐振器中，进入电极下方区域的能量ΔE＇小于图2中的ΔE。由此，通过构造声学阻抗失配微结构，从而通过提高阻抗失配的显著性来对声波进行充分反射，减少进入电极下方的声能，从而提高谐振器的Q值，减少寄生模式，提升谐振器的性能。

另外，上面以第一指305为例进行了说明，但本申请实施例不限于此，也可以是第二指306形成声学阻抗失配微结构，或者，第一指305和第二指306均形成声学阻抗失配微结构，由此，能够进一步减少进入电极下方的声能，从而进一步提高谐振器的Q值，减少寄生模式，提升谐振器的性能。

在至少一个实施例中，所述至少两层电极包括单种金属材料、复合材料和合金材料中的至少两种不同材料。金属材料例如包括铝、铜、钼、钨、钌等，复合材料例如为复合金属材料。

例如，可以由两种不同的金属材料或者两种不同的复合材料或者两种不同的合金材料形成第一指305的第一电极351和第二电极352，例如，第一电极351可以由铝或铜等形成，或者，也可以是含铝合金或含铜合金形成，例如，以铝或铜作为主成分的合金，铝或铜在合金中占比大于50％；第二电极352例如可以由钼、钨、钌等形成，或者，也可以是含钼合金或含钨合金或含钌合金形成，例如，以钼或钨或钌作为主成分的合金，钼或钨或钌在合金中占比大于50％。另外，也可以由一种金属材料和一种复合材料形成第一指305的第一电极351和第二电极352，或者可以由一种金属材料和一种合金材料形成第一指305的第一电极351和第二电极352，或者可以由一种复合材料和一种合金材料形成第一指305的第一电极351和第二电极352。本申请实施例对形成第一电极351和第二电极352的具体材料不做限制，可以根据实际需要进行选择。

另外，上面以两层电极为例进行了说明，但本申请实施例不限于此，具体的层数可以根据实际需要进行选择，例如，第一指305和/或第二指306还可以包括三层及三层以上的电极，例如，在第一指305和/或第二指306包括三层电极的情况下，可以由铜或铝或含铜合金或含铝合金等形成三层电极中的中间层电极，可以由钼或钨或钌或含钼合金或含钨合金或含钌合金形成三层电极中的最内层电极和最外层电极。

此外，在采用钼或钨或钌等耐氢氟酸刻蚀的材料形成外层电极时，还可以增加工艺兼容性。例如，采用有预埋牺牲层的方式制造具有空腔的LFE型谐振器时，当电极采用铝等不耐氢氟酸刻蚀的材料时，通常需要选择特殊材料作为牺牲层，原因是，牺牲层的常用材料是二氧化硅，并且，通常采用氢氟酸释放二氧化硅，然而，铝会被氢氟酸刻蚀，因此，当使用铝电极时，不能采用常用的二氧化硅材料作为牺牲层，导致工艺上不兼容，增加了制造难度，提高了制造成本。但是，在采用钼或钨或钌等耐氢氟酸刻蚀的材料形成外层电极，从而把铝等不耐氢氟酸刻蚀的材料包裹住，由于外层电极耐氢氟酸刻蚀，因此可以采用二氧化硅做为牺牲层材料，从而增加了工艺兼容性，并且，能够降低制造成本。另外，二氧化硅也经常被用来作为介质层或质量负载层，由此，方便对二氧化硅材料进行选择性刻蚀，增加了材料使用的灵活性。

在至少一个实施例中，所述至少一个第一指的所述第三方向上的至少一部分和与所述至少一个第一指相邻的至少一个第二指的所述第三方向上对应的至少一部分在所述第二方向上包括至少两层电极。

图7是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

在至少有一个实施例中，如图7所示，第一指305包括第一电极351和第二电极352，第一电极351被第二电极352包覆，也就是说，第二电极352在第一方向z和第二方向x上覆盖第一电极351；由此，可以通过位于外层的第二电极352对位于内层的第一电极351进行保护。

另外，与第一指305相邻的第二指306可以具有与该第一指305相同的结构，例如，如图7所示，第二指306包括第三电极361和第四电极362，第三电极361被第四电极362包覆。由此，通过将两个叉指电极的指均构造为声学阻抗失配微结构，能够进一步减少进入电极下方的声能，从而进一步提高谐振器的Q值，减少寄生模式，提升谐振器的性能。另外，为了方便说明，以下有时也将第一电极351和第三电极361称为“内层电极”，将第二电极352和第四电极362称为“外层电极”。

在至少一个实施例中，所述第一指和/或所述第二指沿与第三方向垂直的面的截面形状为三角形、梯形、矩形、凸字形、几字形中的一种，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向垂直。

在实际应用中，可以根据图形化工艺的不同或者根据实际需要而设计第一指和/或第二指的沿与第三方向y垂直的面的截面的形状，例如，该形状可以是沿与第一方向z平行的轴线对称的任意形状。例如，如图7所示，第一指305和第二指306沿与第三方向y垂直的面的截面形状为矩形。

图8是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图，图9是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图，图10是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

如图8所示，第一指305和第二指306沿与第三方向y垂直的面的截面形状为梯形，例如为等腰梯形。另外，在内层电极的宽度m1较小时，第一指305和第二指306沿与第三方向y垂直的面的截面形状也可以为三角形，例如为等腰三角形。

如图9所示，第一指305和第二指306沿与第三方向y垂直的面的截面形状为几字形。另外，在内层电极的宽度m1较小时，第一指305和第二指306的截面形状的中央部分也可以为三角形。

如图10所示，第一指305和第二指306沿与第三方向y垂直的面的截面形状为凸字形。

另外，如图9和图10所示，第二电极352和第四电极362的一部分与第一电极351和第三电极361对应的接触，第二电极352和第四电极362的另一部分向第一电极351和第三电极361的两侧延伸并与压电薄膜301接触，延伸的宽度为m3，两侧延伸宽度可以相等，但本申请实施例对此不做限制，由于工艺误差或设计需要，两侧延伸宽度也可以不同。

在至少一个实施例中，所述第一指和/或所述第二指的至少两层电极中的最外层电极包围的内层的截面形状与所述第一指和/或所述第二指的截面形状不相似。最外层电极包围的内层可以是第一指和/或第二指的除了最外层电极的部分，例如，如图9所示，第一指305的最外层电极为第二电极352，第二电极352包围的内层为第一电极351，第一电极351的截面形状为梯形，与第一指305的几字形截面不相似；如图10所示，第一指305的第一电极351的截面形状为矩形，与第一指305的凸字形截面不相似。另外，如后述图50所示，在保护层308由导电材料形成而成为第一指305和/或第二指306的电极层时，第一指305的最外层电极为第二电极352，第二电极352包围的内层为第一电极351和保护层308，第一电极351和保护层308共同构成的内层的截面形状为矩形，与第一指305的凸字形截面不相似。

在至少一个实施例中，所述第一指和/或所述第二指的至少两层电极中的最外层电极包围的内层的截面形状与所述第一指和/或所述第二指的截面形状相似。最外层电极包围的内层可以是第一指和/或第二指的除了最外层电极的部分，例如，如图7所示，第一指305的最外层电极为第二电极352，第二电极352包围的内层为第一电极351，第一电极351的截面形状为矩形，与第一指305的矩形截面相似；如图8所示，第一指305的第一电极351的截面形状为梯形，与第一指305的梯形截面相似。另外，如后述图35所示，在保护层308由导电材料形成而成为第一指305和/或第二指306的电极层时，第一指305的最外层电极为保护层308，保护层308包围的内层包括第二电极352和第一电极351，第二电极352和第一电极351共同构成的内层的截面形状为梯形，与第一指305的梯形截面相似。另外，如后述图40所示，在保护层308由导电材料形成而成为第一指305和/或第二指306的电极层时，第一指305的最外层电极为第二电极352和保护层308，被第二电极352和保护层308包围的内层为第一电极351，第一电极351的截面形状为矩形，与第一指305的矩形截面相似。

在至少一个实施例中，如图7至图10所示，在第一指305中，第一电极351的宽度为m1，第二电极352在第二方向x上延伸的宽度为m2，也就是说，第一指305的宽度为m2，m1和m2的取值范围例如为0.1微米至3微米，取值范围包括0.1微米和3微米。

在至少一个实施例中，如图7至图10所示，在第一指305中，第一电极351的中心和第二电极352的中心在第二方向x上重合，由此，能够进一步提高谐振器的Q值。

另外，第一电极351的中心和第二电极352的中心也可以不重合，例如，由于工艺误差或者实际需要，可以将第一电极351的中心和第二电极352的中心设计为偏移预定偏移量Δm，Δm<1/2(m2-m1)，由此保证第一电极351的第二方向x的两侧被第二电极352包覆。

另外，上面对第一指305的结构进行了说明，在本申请实施例中，第二指306的结构可以与第一指305的结构相同或类似，具体实施可以参考上面对第一指305的描述，此处不再赘述。

在至少一个实施例中，所述薄膜体声波谐振器还包括介质层，所述介质层与所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的第三方向上的所述至少一部分的至少一部分接触。

图11至图34分别是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

如图11至图34所示，薄膜体声波谐振器3还可以包括介质层307。

在至少一个实施例中，所述介质层可以在所述第二方向上与所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少两层电极中的至少一层电极接触。例如，如图11至图34所示，介质层307可以在第二方向x上与第一指305的第一电极351和/或第二电极352以及第二指306的第三电极361和/或第四电极362接触。

在至少一个实施例，所述介质层覆盖所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少两层电极中的最外层电极。例如，如图11至图14所示，介质层307覆盖第一指305的第二电极352以及第二指306的第四电极362。

在至少一个实施例中，所述至少一个第一指的所述第三方向上的至少一部分和与所述至少一个第一指相邻的至少一个第二指的所述第三方向上对应的至少一部分在所述第二方向上包括至少两层电极，所述介质层还与所述压电薄膜的位于所述至少一个第一指的至少一部分和与所述至少一个第一指相邻的所述至少一个第二指对应的至少一部分之间的部分接触。

例如，如图11至图34所示，介质层307与第一指305和第二指306接触，并且还与第一指305和第二指306之间的压电薄膜301接触。

在至少一个实施例中，介质层307在第二方向x上与第一指305和/或第二指306接触。例如，在图11至图14，介质层307覆盖了第一指305和第二指306的外层电极的全部外侧面；在图15至图18中，介质层307仅覆盖了第一指305和第二指306的外层电极的与第二方向x交叉的部分侧面；在图19至图34中，介质层307沿第二方向x延伸到第一指305和第二指306内部。

其中，在图19至图22中，介质层307在第一指305和第二指306中延伸的宽度小于第二电极352和第四电极362的宽度，也就是说，介质层307只与第一指305和第二指306中的第二电极352和第四电极362接触；在图23至图26中，介质层307在第一指305和第二指306中延伸的宽度与第二电极352和第四电极362的宽度相等；在图27至图30中，介质层307在第一指305和第二指306中延伸的宽度大于第二电极352和第四电极362的宽度且小于第一指305和第二指306的宽度，也就是说，介质层307从第一指305和第二指306的外部穿入内部而与第一电极351和第三电极361接触；在图31和图32中，介质层307在第一方向z上将第一指305和第二指306的内层电极和外层电极完全隔开，也就是说，在第一方向z上，介质层307位于第一指305的第一电极351与第二电极352之间，介质层307位于第二指306的第三电极361与第四电极362之间；在图33和图34中，介质层307在第一方向z上将第一指305和第二指306的内层电极和外层电极部分隔开，也就是说，在第一方向z上，第一指305的第一电极351的一部分与第二电极352接触，第一电极351的其他部分与介质层307接触，在第一方向z上，第二指306的第三电极361的一部分与第四电极362接触，第三电极361的其他部分与介质层307接触。

另外，如图15至图18所示，介质层307的一部分位于第一指305与第二指306之间，介质层307的另一部分覆盖在第一指305和第二指306的在第一方向z上远离压电薄膜301的表面(以下有时也将该表面称为“上表面”)的两侧，覆盖在第一指305和第二指306的上表面两侧的介质层307的宽度可以相同，也可以不同，本申请实施例对此不作限制，可以根据实际需要进行设置。

另外，如图19至图22所示，介质层307位于第一指305和第二指306之间，介质层307的第二方向x的两侧的边界分别位于第一指305和第二指306中的两层电极(内层电极和外层电极)间的界面与外层电极的外侧面之间，介质层307的两侧的边界分别到第一指305和第二指30的两层电极间的界面的距离可以相同，也可以不同，本申请实施例对此不作限制，可以根据实际需要进行设置。

另外，如图23至图26所示，介质层307位于第一指305和第二指306之间，介质层307的第二方向x的两侧的边界分别位于第一指305和第二指306中的两层电极(内层电极和外层电极)间的界面处。

另外，如图27至图30所示，介质层307位于第一指305和第二指306之间，介质层307的第二方向x的两侧的边界分别位于第一指305和第二指306中的内层电极内，介质层307的两侧的边界分别超出第一指305和第二指306中的两层电极(内层电极和外层电极)间的界面的距离可以相同，也可以不同，本申请实施例对此不作限制，可以根据实际需要进行设置。

另外，如图31和图32所示，在压电薄膜301上表面覆盖有介质层307，在介质层307的上表面和下表面分别覆盖有图形化的第一叉指电极和第二叉指电极的外层电极和内层电极，介质层307在第一指305和第二指306之间的部分为连续的。另外，介质层307在第一指305和第二指306之间的部分也可以是不连续的。另外，外层电极在包裹内层电极上方凸起的介质层后可沿第二方向x向两侧延伸，两侧延伸宽度可以相等，也可以不同。

另外，如图33和图34所示，在压电薄膜301上表面覆盖有图形化的介质层307和图形化的第一叉指电极35和第二叉指电极36。在介质层307的上表面和下表面分别覆盖有图形化的第一叉指电极35和第二叉指电极36的外层电极和内层电极，介质层307的一部分位于压电薄膜301上，另一部分位于内层电极上；介质层307的第二方向x的边界位于内层电极的上表面，例如图33所示的梯形的第一电极351和第三电极361的上边所示的位置，或者图34所示的矩形的第一电极351和第三电极361的上边所示的位置。在同一指中，介质层307的第二方向x的边界到内层电极中心的距离可以相同也可以不同。另外，外层电极的一部分位于内层电极的与介质层307的窗口对应的上表面，外层电极的另一部分位于介质层307的窗口两侧的表面上，例如，在第一指305中，位于第一电极351(即“内层电极”)内的介质层307不连续，在第一电极351内存在缺口，该缺口可以称为“介质层307的窗口”，第二电极352(即“外层电极”)覆盖介质层307的窗口两侧的上表面以及第一电极351的与介质层307的窗口对应的部分的上表面。另外，外层电极在包裹内层电极上方凸起的介质层后可沿第二方向x向两侧延伸，两侧延伸宽度可以相等，也可以不同。另外，介质层307在第一指305和第二指306之间的部分也可以是不连续的。另外，对于例如图33所示的梯形的电极，介质层307的边界也可以位于电极的倾斜侧面上。

由此，通过添加介质层改变电极附近的各声阻分区的材料成分和厚度，从而对声阻抗以及阻抗失配进行调节，以调节谐振频率。并且，通过增加介质层使得声阻分区增加，从而增加了声阻失配界面，使得声能进入电极下方区域的能量进一步减少，能够进一步提高Q值。

在至少一个实施例中，介质层307在第二方向x上可以包括至少一层介质材料。例如，介质层的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝中的至少一种，例如，可以由单一材料形成单层的介质层，也可以由多种单一材料形成的复合材料形成单层的介质层，还可以由单一材料和/或复合材料层状堆叠形成多层介质层。

图35至图50分别是图4所示的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的局部C的放大图。

如图35至图50所示，薄膜体声波谐振器3还可以包括保护层308。如图35至图38所示，保护层308覆盖在第一指305的第二电极352和第二指306的第四电极362的外侧；如图39至图50所示，保护层308位于第一电极351或第三电极361与压电薄膜301之间。

在至少一个实施例中，保护层308可以由导电材料构成，从而使得第一指305和第二指306实际上包括3层电极层，该导电材料例如为钼、钨、钌，或者，含钼合金、含钨合金、含钌合金等。

在至少一个实施例中，保护层308可以由介质材料形成，在第二方向x上可以包括至少一层介质材料。例如，介质层的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝中的至少一种，例如，可以由单一材料形成单层的介质层，也可以由多种单一材料形成的复合材料形成单层的介质层，还可以由单一材料和/或复合材料层状堆叠形成多层介质层。

由此，通过添加介质层改变电极附近的各声阻分区的材料成分和厚度，从而对声阻抗以及阻抗失配进行调节，以调节谐振频率。并且，通过增加介质层使得声阻分区增加，从而增加了声阻失配界面，使得声能进入电极下方区域的能量进一步减少，能够进一步提高Q值。

另外，如图35至图38所示，保护层308的中心可以与第二电极352和/或第四电极362的中心在第二方向x上处于同一位置，也可以处于不同位置，中心的偏移量可以控制在预定范围，例如，该预定范围使得介质层完全包裹第二电极352和/或第四电极362。

另外，如图35至图38所示，保护层308的一部分位于第一指305和第二指306的上表面，保护层308的另一部分位于第一指305和第二指306的第二方向x的两侧的压电薄膜301上，由此，保护层308与压电薄膜301共同包裹了第一指305和第二指306。另外，保护层308与压电薄膜301接触的部分还可以沿着第二方向x向两侧延伸，两侧可延伸相同宽度，也可延伸不同宽度，另外，也可以不延伸，本申请实施例对此不作限制，可以根据实际需要进行设置。

在至少一个实施例中，所述介质层位于所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少两层电极中的最内层电极与所述压电薄膜之间。

例如，如图39至图50所示，保护层308可以是介质层，在第一指305中，保护层308位于第一电极351与压电薄膜301之间，在第二指306中，保护层308位于第三电极361与压电薄膜301之间，其中，如图47至图50所示，在第一指305中，保护层308被第一电极351与压电薄膜301包裹，在第二指306中，保护层308被第三电极361与压电薄膜301包裹。

在至少一个实施例中，所述介质层从所述最内层电极沿所述第二方向延伸至与所述至少两层电极中的最外层电极接触。例如，如图39至图46所示，保护层308可以是介质层，保护层308从第一指305的第一电极351内沿着第二方向x向外延伸至与第二电极352接触，从第二指306的第三电极361内沿着第二方向x向外延伸至与第四电极362接触。其中，如图39至图42所示，在第一指305中，第一电极351被保护层308与第二电极352包裹，在第二指306中，第三电极361被保护层308与第四电极362包裹。

另外，在图39至图42中，保护层308的宽度可以与第一指305和第二指306的外层电极的宽度m2相同，在图43至图46中，保护层308的宽度可以在第一指305和第二指306的内层电极的宽度m1与外层电极的宽度m2之间，在图47至图50中，保护层308的宽度可以小于第一指305和第二指306的内层电极的宽度m1。另外，保护层308的宽度也可以比第一指305和第二指306的宽度m2大。

另外，如图39至图42所示，保护层308的宽度也可以大于第一指305和第二指306的宽度，也就是说，保护层308可以沿第二方向x向第一指305和第二指306的两侧延伸，两侧延伸宽度可以相同也可以不同，例如，保护层308可向两侧延伸至完全覆盖第一指305和第二指306之间的压电薄膜301的表面。

另外，如图43至图46所示，在第一指305或第二指306中，保护层308的第二方向x的两侧的边界均位于第一指305或第二指306的两层电极(内层电极和外层电极)间的界面与外层电极的第二方向x上的远离内层电极的侧面(以下有时将该侧面称为“外侧面”)之间，保护层308的两侧的边界超出两层电极间的界面的宽度可以相同，也可以不同，本申请实施例对此不作限制，可以根据实际需要进行设置。

另外，如图47至图50所示，保护层308的第二方向x的两侧的边界均位于内层电极内，保护层308的两侧边界到两层电极间的界面的距离可以相同，也可以不同，本申请实施例对此不作限制，可以根据实际需要进行设置。

图51是本申请第一方面的实施例的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的俯视图。图52是本申请第一方面的实施例的薄膜体声波谐振器的另一个实施方式的俯视图。

在至少一个实施例中，所述第一叉指电极与所述第二叉指电极在所述第二方向上的投影存在重叠区域，所述至少一个第一指和/或至少一个第二指的在第二方向x上包括至少两层电极的所述至少一部分在第三方向y上位于第一叉指电极与第二叉指电极重叠的区域在第三方向y上的范围内。

如图51所示，第一叉指电极35的第一指305在第三方向y上延伸，第二叉指电极36的第二指306在第三方向y上延伸，第一指305与第二指306在第二方向x上的投影有一部分重叠，该重叠部分在第三方向y上延伸了预定范围，即，重叠区域的长度为D，通常将该重叠部分称为“孔径”。第一指305上的至少一部分，即，第一部分3051例如在第二方向x上包括至少两层电极，第一部分3051位于第一指305与第二指306的重叠区域内，第一部分3051的长度为d1。

在至少一个实施例中，所述至少一部分的长度为所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的位于所述重叠区域内的长度的60％以上。例如，如图51所示，长度d1例如占长度D的60％及以上。例如，第一部分3051的长度d1还可以与长度D相等，即，第一指305与第二指306重叠的部分都包括至少两层电极。

另外，如图51所示，第二指306也可以具有与第一指305类似的结构，即，第二指306的第二部分3061例如在第二方向x上包括至少两层电极，第二部分3061位于第一指305与第二指306的重叠部分，第二部分3061的长度也可以占长度D的60％及以上。例如，第二部分3061的长度也可以与长度D相等，即，第二指306与第一指305重叠的部分都包括至少两层电极。

在至少一个实施例中，所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少一部分在所述第三方向上不连续。

例如，如图52所示，第一部分3051包括在第三方向y上间隔分布的三部分，该三部分均位于第一指305与第二指306的重叠区域，长度分别为d1、d2、d3，d1、d2和d3的和例如占长度D的60％及以上。

另外，如图52所示，第二指306也可以具有与第一指305类似的结构，即，第二指306的第二部分3061例如包括在第三方向y上间隔分布的三部分，该三部分均位于第一指305与第二指306的重叠区域，该三部分的和例如占长度D的60％及以上。

另外，图52中以第一部分3051和第二部分3061分别包括三部分为例进行了说明，但本申请实施例不限于此，第一部分3051和第二部分3061还可以包括两部分或三部分以上，具体数量可以根据实际需要进行选择。另外，第一部分3051和第二部分3061的分段数量可以相同，也可以不同，对应的分段的部分可以在第三方向y上重叠，也可以不重叠，具体可以根据实际需要进行设置，本申请实施例对此不作限制。

另外，图51和图52中示出的第一部分3051和第二部分3061分别位于相邻的一个第一指305和一个第二指306中，但本申请实施例不限于此，例如，可以仅在至少一个第一指305上形成第一部分3051，也可以仅在至少一个第二指306上形成第二部分3061，也可以在至少一个第一指305和至少一个第二指306上分别形成，另外，该至少一个第一指305与至少一个第二指306可以相邻，也可以不相邻，可以部分相邻，也可以全部相邻。

另外，上面以第一指305和/或第二指306包括两层电极为例进行了说明，但本申请实施例不限于此，第一指305和/或第二指306还可以包括三层及三层以上的电极，在第一指305和/或第二指306包括三层及三层以上的电极的情况下，本领域技术人员能够根据实际需要对本申请的上述实施例进行适当变形。

另外，上面以第一指305和第二指306对应的部分是相同结构为例进行了说明，但本申请实施例不限于此，第一指305和第二指306对应的部分也可以是不同的结构，可以根据实际需要进行设计，例如，可以将图7至图10中任意一个图中的第一指305与图7至图10中另外一个图中的第二指306结合起来形成另一种实施方式的薄膜体声波谐振器3；或者也可以将图11至图34中任意一个图中的第一指305侧的结构与图11至图34中另外一个图中的第二指306侧的结构结合起来形成另一种实施方式的薄膜体声波谐振器3。

根据本申请第一方面的实施例，通过使叉指电极的指在压电薄膜表面形成多层电极，构造声学阻抗失配微结构，从而通过提高阻抗失配的显著性来对声波进行充分反射，减少进入电极下方的声能，从而提高谐振器的Q值，减少寄生模式，提升谐振器的性能。

第二方面的实施例

本申请第二方面的实施例提供一种滤波器，所述滤波器包括第一方面的实施例所述的薄膜体声波谐振器，由于在第一方面的实施例中，已经对薄膜体声波谐振器的结构和特征进行了详细说明，其内容被合并于此，此处省略说明。

此外，本申请实施例的滤波器还可以根据需要包括其他电子器件，例如，电容、电感、电阻等，这些电子器件的选择可以参考相关技术，本申请实施例对此不作限制。

另外，本申请实施例的滤波器可以应用于遵循第五代移动通信标准的通信设备中，例如，可以作为射频前端滤波器进行应用。

根据本申请第二方面的实施例，通过使叉指电极的指在压电薄膜表面形成多层电极，构造声学阻抗失配微结构，从而通过提高阻抗失配的显著性来对声波进行充分反射，减少进入电极下方的声能，从而提高谐振器的Q值，减少寄生模式，提升谐振器的性能，从而实现高频、大带宽的滤波器。

以上所述的具体实施例，对本申请的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本申请的具体实施例而已，并不用于0限定本申请的保护范围，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (22)

1.一种横向电场激励的薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器包括在第一方向上层叠的衬底和压电薄膜，其特征在于，

所述薄膜体声波谐振器还包括：

形成于所述衬底与所述压电薄膜之间的声反射层；以及

形成于所述压电薄膜的覆盖所述声反射层的区域的至少一侧的表面的第一叉指电极和第二叉指电极；

所述第一叉指电极包括沿第二方向排列的多个第一指，所述多个第一指与第一极性电压连接，

所述第二叉指电极包括沿所述第二方向排列的多个第二指，所述多个第二指与第二极性电压连接，所述第二极性电压与所述第一极性电压的极性相反，所述第二方向与所述第一方向垂直；

所述多个第一指与所述多个第二指在所述第二方向上交替排列；

至少一个第一指和/或至少一个第二指的第三方向上的至少一部分在所述第二方向上包括至少两层电极，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向垂直。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少一部分在所述第一方向上包括所述至少两层电极。

3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少一部分沿与所述第三方向垂直的面的截面形状为三角形、梯形、矩形、凸字形、几字形中的一种。

4.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的由所述至少两层电极中的最外层电极包围的内层的截面形状与所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少一部分的截面形状不相似。

5.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的由所述至少两层电极中的最外层电极包围的内层的截面形状与所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少一部分的截面形状相似。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述薄膜体声波谐振器还包括介质层，所述介质层与所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少一部分的至少一部分接触。

7.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述介质层在所述第二方向上与所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少两层电极中的至少一层电极接触。

8.根据权利要求7所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述介质层覆盖所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少两层电极中的最外层电极。

9.根据权利要求7所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述介质层位于所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少两层电极中的最内层电极与所述压电薄膜之间。

10.根据权利要求9所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述介质层从所述最内层电极沿所述第二方向延伸至与所述至少两层电极中的最外层电极接触。

11.根据权利要求6至10中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述至少一个第一指的所述第三方向上的至少一部分和与所述至少一个第一指相邻的至少一个第二指的所述第三方向上对应的至少一部分在所述第二方向上包括至少两层电极，

所述介质层还与所述压电薄膜的位于所述至少一个第一指的至少一部分和与所述至少一个第一指相邻的所述至少一个第二指对应的至少一部分之间的部分接触。

12.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述压电薄膜由单晶压电材料形成。

13.根据权利要求12所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述单晶压电材料为铌酸锂或者钽酸锂。

14.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述介质层在所述第二方向上包括至少一层介质材料。

15.根据权利要求1或2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述至少两层电极包括单种金属材料、复合金属材料和合金材料中的至少两种不同材料。

16.根据权利要求15所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少一部分包含两层电极，所述两层电极中的外层电极由钼或钨或钌或含钼合金或含钨合金或含钌合金形成；所述两层电极中的内层电极由铜或铝或含铜合金或含铝合金形成。

17.根据权利要求15所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少一部分包含三层电极，所述三层电极中的中间层电极由铜或铝或含铜合金或含铝合金形成，所述三层电极中的最内层电极和最外层电极由钼或钨或钌或含钼合金或含钨合金或含钌合金形成。

18.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述声反射层为空腔或布拉格反射层。

19.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述至少一个第一指的所述第三方向上的至少一部分和与所述至少一个第一指相邻的至少一个第二指的所述第三方向上对应的至少一部分在所述第二方向上包括至少两层电极。

20.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述第一叉指电极与所述第二叉指电极在所述第二方向上的投影存在重叠区域，

所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少一部分在所述第三方向上的位置位于所述重叠区域在所述第三方向上的范围内，所述至少一部分的长度为所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的位于所述重叠区域内的长度的60％以上。

21.根据权利要求20所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述至少一个第一指和/或所述至少一个第二指的所述至少一部分在所述第三方向上不连续。

22.一种滤波器，其特征在于，所述滤波器包括权利要求1至21中任一项所述的薄膜体声波谐振器。