WO2023248558A1 - 弾性波装置 - Google Patents
弾性波装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2023248558A1 WO2023248558A1 PCT/JP2023/010082 JP2023010082W WO2023248558A1 WO 2023248558 A1 WO2023248558 A1 WO 2023248558A1 JP 2023010082 W JP2023010082 W JP 2023010082W WO 2023248558 A1 WO2023248558 A1 WO 2023248558A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- electrode
- excitation electrode
- excitation
- elastic wave
- acoustic
- Prior art date
Links
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 360
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 213
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
Definitions
- the present invention relates to an elastic wave device.
- Patent Document 1 listed below discloses an example of a thin film piezoelectric device as an acoustic wave device.
- This thin film piezoelectric device has a plurality of thin film piezoelectric resonators.
- metal electrodes are provided on both sides of the piezoelectric film.
- One of each pair of metal electrodes in the thin film piezoelectric resonators adjacent to each other is provided integrally. Thereby, adjacent thin film piezoelectric resonators are electrically connected to each other.
- An object of the present invention is to provide an elastic wave device that can suppress unnecessary waves and thermal stress.
- the elastic wave device includes a piezoelectric substrate including a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other, and a piezoelectric substrate provided on the first main surface of the piezoelectric layer.
- a first elastic wave resonator having a first excitation electrode provided on the second main surface, and a second excitation electrode provided on the second main surface; a third excitation electrode provided on the first main surface of the piezoelectric layer, and a fourth excitation electrode provided on the second main surface of the piezoelectric layer; and a wiring electrode provided on the first main surface of the piezoelectric layer, the first excitation electrode and the second excitation electrode sandwiching the piezoelectric layer.
- the region facing each other and sandwiched between the first excitation electrode and the second excitation electrode in the piezoelectric layer is the first excitation region
- the region between the third excitation electrode and the fourth excitation electrode is the first excitation region.
- excitation electrodes are opposed to each other with the piezoelectric layer in between, and a region of the piezoelectric layer sandwiched between the third excitation electrode and the fourth excitation electrode is a second excitation region.
- the piezoelectric substrate is provided with at least one acoustic reflection section that overlaps the first excitation region and the second excitation region in a plan view, and the first excitation electrode and the third excitation electrodes are individually provided, and the wiring electrode connects the first excitation electrode and the third excitation electrode.
- FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II in FIG.
- FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
- FIG. 4 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
- FIG. 5 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
- FIG. 6 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention.
- FIG. 7 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
- FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II in FIG.
- FIG. 3 is a schematic cross-section
- FIG. 8 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
- FIG. 9 is a schematic front sectional view showing a cross section passing through each excitation electrode of an elastic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
- FIG. 10 is a schematic front sectional view showing a cross section passing through a wiring electrode of an acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
- FIG. 11 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a sixth embodiment of the present invention.
- FIG. 12 is a circuit diagram of an elastic wave device according to a seventh embodiment of the present invention.
- FIG. 13 is a circuit diagram of an elastic wave device according to a modification of the seventh embodiment of the present invention.
- FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II in FIG.
- FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG. Note that in FIG. 1, one of the wiring electrodes described later is indicated by hatching.
- the elastic wave device 10 of this embodiment includes a first elastic wave resonator 1A and a second elastic wave resonator 1B.
- the elastic wave device 10 is an elastic wave device that constitutes a filter device.
- the filter device may be, for example, a ladder type filter, or a filter device including a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
- Each elastic wave resonator of the elastic wave device 10 may be, for example, a series arm resonator of a ladder type filter or a parallel arm resonator.
- each elastic wave resonator of the elastic wave device 10 may be an elastic wave resonator connected directly or indirectly to a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
- the piezoelectric substrate 11 has a support substrate 2, an insulating layer 3, and a piezoelectric layer 4.
- An insulating layer 3 is provided on the support substrate 2.
- a piezoelectric layer 4 is provided on the insulating layer 3.
- the piezoelectric layer 4 has a first main surface 4a and a second main surface 4b.
- the first main surface 4a and the second main surface 4b are opposed to each other.
- the first main surface 4a is located on the insulating layer 3 side.
- the second main surface 4b may be located on the insulating layer 3 side.
- the material of the support substrate 2 for example, semiconductors such as silicon, ceramics such as aluminum oxide, etc. can be used.
- the material of the insulating layer 3 an appropriate dielectric material such as silicon oxide or tantalum pentoxide can be used.
- a material for the piezoelectric layer 4 for example, lithium niobate, lithium tantalate, zinc oxide, aluminum nitride, crystal, PZT (lead zirconate titanate), or the like can be used. Note that as the material for the piezoelectric layer 4, it is preferable to use lithium tantalate, lithium niobate, aluminum nitride, or the like.
- the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are BAW (Bulk Acoustic Wave) elements. More specifically, the first elastic wave resonator 1A has a first excitation electrode 5 and a second excitation electrode 6.
- the first excitation electrode 5 is provided on the first main surface 4a of the piezoelectric layer 4.
- the second excitation electrode 6 is provided on the second main surface 4b of the piezoelectric layer 4.
- the first excitation electrode 5 and the second excitation electrode 6 face each other with the piezoelectric layer 4 in between.
- the region sandwiched between the first excitation electrode 5 and the second excitation electrode 6 in the piezoelectric layer 4 is the first excitation region A1.
- elastic waves are excited in the first excitation region A1.
- the second elastic wave resonator 1B has a third excitation electrode 7 and a fourth excitation electrode 8.
- the third excitation electrode 7 is provided on the first main surface 4a of the piezoelectric layer 4.
- the fourth excitation electrode 8 is provided on the second main surface 4b of the piezoelectric layer 4.
- the third excitation electrode 7 and the fourth excitation electrode 8 are opposed to each other with the piezoelectric layer 4 in between.
- the region sandwiched between the third excitation electrode 7 and the fourth excitation electrode 8 in the piezoelectric layer 4 is the second excitation region A2.
- the shapes of the first excitation area A1 and the second excitation area A2 in plan view are approximately circular.
- the shapes of the first excitation area A1 and the second excitation area A2 in plan view are not limited to the above, and may be, for example, circular, elliptical, semi-elliptical, or polygonal.
- planar view refers to viewing from a direction corresponding to the upper side in FIG. 2 .
- the piezoelectric layer 4 side is the upper side.
- the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are provided separately.
- two electrodes are separately provided, including a case where the two electrodes are connected to each other by an electrode made of a material different from the two electrodes.
- the two electrodes have a plurality of electrode layers, even if the material of the electrode connecting the two electrodes and the material of the electrode layer connected in the two electrodes are different from each other, Assume that the electrodes are provided individually.
- the term "a certain member is made of a certain material” includes the case where the material contains a trace amount of impurity that does not significantly deteriorate the electrical characteristics of the acoustic wave device.
- a wiring electrode 9 is provided on the first main surface 4a of the piezoelectric layer 4.
- the wiring electrode 9 connects the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7.
- the material of the wiring electrode 9 is different from the material of the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7.
- the phrase "an electrode is provided on the main surface” includes both the case where the electrode is provided on the main surface and the case where the electrode is provided on the main surface side. In other words, an electrode is provided on the main surface when an electrode is provided directly on the main surface, and when an electrode is provided indirectly on the main surface via another layer. Including both.
- the wiring electrode 9 when it is described that the wiring electrode 9 is provided on the first main surface 4a, the wiring electrode 9 may be provided directly on the first main surface 4a, and the wiring electrode 9 may be provided directly on the first main surface 4a. This means that another layer may be provided between the wiring electrode 9 and the wiring electrode 9.
- the first excitation electrode 5, the third excitation electrode 7, and the wiring electrode 9 are embedded in the insulating layer 3.
- the insulating layer 3 covers at least a portion of the first excitation electrode 5, the third excitation electrode 7, and the wiring electrode 9. It is sufficient if it is set up like this.
- the second main surface 4b of the piezoelectric layer 4 may be the main surface located on the insulating layer 3 side. Note that the insulating layer 3 does not necessarily have to be provided.
- the piezoelectric substrate 11 is provided with a first acoustic reflecting section and a second acoustic reflecting section. More specifically, in this embodiment, a first acoustic reflection section and a second acoustic reflection section are provided within the insulating layer 3.
- the first acoustic reflecting section is the first cavity 12A.
- the second acoustic reflecting section is the second cavity 12B.
- the first cavity 12A and the second cavity 12B may be provided over the insulating layer 3 and the support substrate 2, or may be provided only on the support substrate 2.
- the first cavity part 12A and the second cavity part 12B are not limited to hollow parts, and may be, for example, through holes provided in the insulating layer 3 and the support substrate 2.
- the piezoelectric layer 4 may be provided with a recess, thereby providing the first cavity 12A.
- the second cavity 12B may be provided by providing a recess in the piezoelectric layer 4.
- the recessed portion of the piezoelectric layer 4 is sealed by the insulating layer 3 or the support substrate 2.
- each of the first acoustic reflection section and the second acoustic reflection section may be an acoustic reflection film, which will be described later.
- the first cavity 12A overlaps with the first excitation region A1 in plan view.
- the second cavity portion 12B overlaps with the second excitation region A2 in plan view.
- first acoustic reflection section may extend to a portion that does not overlap with the second excitation electrode 6 in plan view.
- the second acoustic reflecting portion may extend to a portion that does not overlap with the fourth excitation electrode 8 in plan view.
- the piezoelectric substrate 11 is provided with at least one acoustic reflection section.
- the first excitation area A1 and the second excitation area A2 shown in FIG. 2 may overlap with the same acoustic reflection section.
- the feature of this embodiment is that the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are provided separately, and the wiring electrode 9 connects the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7. It is in the fact that Thereby, unnecessary waves can be suppressed and thermal stress can be suppressed. This will be explained below.
- the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are provided as one unit, an electrode is also provided between the first excitation area A1 and the second excitation area A2 shown in FIG. This means that In this case, the area of the electrode provided on the first main surface 4a of the piezoelectric layer 4 becomes large. Therefore, the thermal stress applied from the electrode to the piezoelectric layer 4 increases. In contrast, in this embodiment, the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are provided separately. Therefore, the area of the electrode provided on the first main surface 4a can be reduced, and thermal stress applied to the piezoelectric layer 4 from the electrode can be suppressed. Therefore, the piezoelectric layer 4 is less likely to be damaged.
- the material of the wiring electrode 9 is different from the material of the first excitation electrode 5. This makes it difficult for unnecessary waves generated in the first elastic wave resonator 1A to propagate from the first excitation electrode 5 to the wiring electrode 9.
- the material of the wiring electrode 9 is different from the material of the third excitation electrode 7. This makes it difficult for unnecessary waves generated in the second elastic wave resonator 1B to propagate from the third excitation electrode 7 to the wiring electrode 9. Therefore, coupling of unnecessary waves occurring in the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B can be suppressed. Therefore, unnecessary waves can be suppressed. Furthermore, it is also possible to suppress unnecessary waves generated in the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B from influencing each other.
- the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are made of laminated metal films.
- the first excitation electrode 5 has a first layer 5a and a second layer 5b as a plurality of electrode layers. A first layer 5a and a second layer 5b are laminated in this order from the piezoelectric layer 4 side.
- the third excitation electrode 7 has a first layer 7a and a second layer 7b as a plurality of electrode layers. A first layer 7a and a second layer 7b are laminated in this order from the piezoelectric layer 4 side.
- the second excitation electrode 6 also has a first layer 6a and a second layer 6b as a plurality of electrode layers.
- the fourth excitation electrode 8 also has a first layer 8a and a second layer 8b as a plurality of electrode layers.
- a metal or an alloy containing at least one selected from the group consisting of Al, Au, Cu, Cr, Ru, W, Mo, and Pt can be used.
- the number of layers of the first excitation electrode 5, second excitation electrode 6, third excitation electrode 7, and fourth excitation electrode 8 is not limited to two layers, and may be three or more layers, for example.
- the first excitation electrode 5, the second excitation electrode 6, the third excitation electrode 7, and the fourth excitation electrode 8 may be made of a single layer metal film.
- the wiring electrode 9 is made of a single layer metal film.
- a material for the wiring electrode 9 for example, a metal or an alloy containing at least one selected from the group consisting of Al, Au, Cu, Cr, Ru, W, Mo, and Pt can be used. It is only necessary that the material of the wiring electrode 9 and the material of the electrode layers connected by the wiring electrode 9 in the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are different from each other.
- the wiring electrode 9 may be made of a laminated metal film. In this case, it is preferable that the materials of all the layers of the wiring electrode 9 and the materials of all the electrode layers of the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are different from each other.
- the thickness of the wiring electrode 9 is thicker than the thickness of the first excitation electrode 5 and thicker than the thickness of the third excitation electrode 7.
- the wiring electrode 9 connects all the electrode layers of the first excitation electrode 5 and all the electrode layers of the third excitation electrode 7.
- the wiring electrode 9 reaches the surface of the first excitation electrode 5 on the first cavity 12A side and the surface of the third excitation electrode 7 on the second cavity 12B side. Thereby, the wiring resistance in the acoustic wave device 10 can be effectively lowered.
- the thickness of the wiring electrode 9 may be less than or equal to the thickness of the first excitation electrode 5 or may be less than or equal to the thickness of the third excitation electrode 7. Even in this case, the wiring electrode 9 may connect all the electrode layers of the first excitation electrode 5 and all the electrode layers of the third excitation electrode 7. Note that the wiring electrode 9 only needs to connect at least one electrode layer of the first excitation electrode 5 and at least one electrode layer of the third excitation electrode 7.
- the thickness of the first excitation electrode 5 and the thickness of the third excitation electrode 7 are the same. Note that the thickness of the first excitation electrode 5 and the thickness of the third excitation electrode 7 may be different from each other.
- the wiring electrode 9 is connected to the surface of the first excitation electrode 5 on the first cavity 12A side and the surface of the third excitation electrode 7 on the second cavity 12B side. It has reached this point. Thereby, the area of the portion of the wiring electrode 9 that is in contact with the insulating layer 3 can be increased. Therefore, the heat propagated from the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 to the wiring electrode 9 can be efficiently propagated to the insulating layer 3. Therefore, heat dissipation can be improved.
- the support substrate 2 is laminated on the insulating layer 3. Therefore, heat can be propagated from the insulating layer 3 to the support substrate 2. This facilitates heat dissipation to the outside. Therefore, heat dissipation can be effectively improved.
- the piezoelectric substrate 11 does not necessarily need to have the support substrate 2 or the insulating layer 3. The piezoelectric substrate 11 only needs to have the piezoelectric layer 4 .
- any one of lithium tantalate, lithium niobate, and aluminum nitride be used as the material for the piezoelectric layer 4.
- Lithium tantalate and lithium niobate are piezoelectric materials with high dielectric constants. Therefore, when the acoustic wave device 10 is used as a broadband filter, lithium tantalate or lithium niobate can be suitably used for the piezoelectric layer 4. Since the elastic wave device 10 has the above configuration, it has high heat dissipation.
- aluminum nitride has excellent thermal conductivity. Therefore, when aluminum nitride is used for the piezoelectric layer 4, heat dissipation can be further improved.
- the thermal conductivity of the supporting substrate 2 is higher than that of the piezoelectric layer 4 and the insulating layer 3. Thereby, heat dissipation can be improved more reliably and effectively.
- the support substrate 2 does not necessarily have to be provided.
- the insulating layer 3 covers the first excitation electrode 5, the third excitation electrode 7, and the wiring electrode 9. Therefore, a part of the insulating layer 3 is provided between the first cavity part 12A as the first acoustic reflection part and the first excitation electrode 5. Similarly, a part of the insulating layer 3 is also provided between the second cavity part 12B serving as the second acoustic reflection part and the third excitation electrode 7. However, it is not limited to this. For example, in the first modification of the first embodiment shown in FIG. 4, the first cavity 12A serving as the first acoustic reflection section is in contact with the first excitation electrode 5. That is, the insulating layer 3 is not provided between the first acoustic reflection section and the first excitation electrode 5.
- the second cavity portion 12B serving as the second acoustic reflection portion is in contact with the third excitation electrode 7. That is, the insulating layer 3 is not provided between the second acoustic reflection section and the third excitation electrode 7. Also in this modification, as in the first embodiment, unnecessary waves can be suppressed and thermal stress can be suppressed.
- the wiring electrode 9 is provided so as not to overlap the first cavity 12A and the second cavity 12B in plan view.
- the first cavity 12A and the second cavity 12B are each provided separately. More specifically, the first cavity 12A and the second cavity 12B are separated by the insulating layer 3.
- the wiring electrode 9 is located between the first cavity 12A and the second cavity 12B in plan view.
- the first cavity 12A, the second cavity 12B, and the wiring electrode 9 face each other with the gap G in between.
- the first cavity part 12A and the second cavity part 12B and the wiring electrode 9 can be more reliably prevented from overlapping in plan view. Therefore, variations in stress from position to position in the elastic wave device 10 can be suppressed more reliably.
- the second excitation electrode 6 and the fourth excitation electrode 8 are also provided separately.
- a wiring electrode 19 is provided on the second main surface 4b of the piezoelectric layer 4.
- the wiring electrode 19 connects the second excitation electrode 6 and the fourth excitation electrode 8.
- the material of the wiring electrode 19 is different from the material of the second excitation electrode 6 and the fourth excitation electrode 8.
- unnecessary waves generated in the first elastic wave resonator 1A are difficult to propagate from the second excitation electrode 6 to the wiring electrode 19.
- unnecessary waves generated in the second elastic wave resonator 1B are difficult to propagate from the fourth excitation electrode 8 to the wiring electrode 19. Therefore, the coupling of unnecessary waves occurring in the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B can be effectively suppressed. Therefore, unnecessary waves can be effectively suppressed.
- the second excitation electrode 6 and the fourth excitation electrode 8 are provided individually, the area of the electrodes provided on the second main surface 4b of the piezoelectric layer 4 can be reduced. Thereby, thermal stress applied to the piezoelectric layer 4 from the electrodes can be suppressed. Therefore, the piezoelectric layer 4 can be made more difficult to damage.
- second excitation electrode 6 and the fourth excitation electrode 8 do not necessarily have to be provided individually.
- the second excitation electrode 6 and the fourth excitation electrode 8 may be integrally configured.
- the first main surface 4a of the piezoelectric layer 4 does not need to be located on the insulating layer 3 side.
- the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are individually provided on the first main surface 4a, and the wiring electrode 9 is connected to the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7.
- An excitation electrode 7 is connected thereto.
- the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are provided individually on the first main surface 4a of the piezoelectric layer 4, and the wiring An electrode 9 connects the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7.
- the second excitation electrode 6 and the fourth excitation electrode 8 do not necessarily have to be provided individually on the second main surface 4b.
- the second main surface 4b may be located on the insulating layer 3 side.
- the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are provided individually on the first main surface 4a, and the wiring electrode 9 is connected to the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7.
- the electrode 7 may be connected.
- the second excitation electrode 6 and the fourth excitation electrode 8 do not necessarily have to be provided individually on the first main surface 4a.
- each excitation electrode is provided individually on both the first main surface 4a and the second main surface 4b, and the excitation electrodes are connected to each other by a wiring electrode. It is preferable that Thereby, unnecessary waves can be further suppressed, and thermal stress can be further suppressed.
- the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are connected in parallel to each other.
- the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B may be connected in series with each other.
- FIG. 6 is a schematic front sectional view of the elastic wave device according to the second embodiment.
- This embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the first layer 25a of the first excitation electrode 25 and the configuration of the first layer 27a of the third excitation electrode 27.
- the wiring electrode 29 connects only some of the electrode layers of the first excitation electrode 25 and the third excitation electrode 27, and the thickness of the wiring electrode 29 also differs from the first one.
- the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
- the thickness of the wiring electrode 29 is the same as the thickness of the first excitation electrode 25 and the thickness of the third excitation electrode 27.
- the wiring electrode 29 connects the electrode layer of the first excitation electrode 25 closest to the piezoelectric layer 4 and the electrode layer of the third excitation electrode 27 closest to the piezoelectric layer 4 . More specifically, the wiring electrode 29 connects the first layer 25a of the first excitation electrode 25 and the first layer 27a of the third excitation electrode 27. On the other hand, the wiring electrode 29 does not contact any electrode layer other than the first layer 25a of the first excitation electrode 25 or any electrode layer other than the first layer 27a of the third excitation electrode 27.
- the first layer 25a is drawn out to the third excitation electrode 27 side.
- the edge portion of the first layer 25a on the third excitation electrode 27 side is smaller than the edge portion of the other electrode layer on the third excitation electrode 27 side. , located on the third excitation electrode 27 side.
- the first layer 27a is drawn out to the first excitation electrode 25 side.
- the edge of the first layer 27a on the first excitation electrode 25 side is smaller than the edge of the other electrode layer on the first excitation electrode 25 side. , located on the first excitation electrode 25 side.
- a wiring electrode 29 connects a portion of the first excitation electrode 25 from which the first layer 25a is drawn out and a portion of the third excitation electrode 27 from which the first layer 27a is drawn out.
- the first excitation electrode 25 and the third excitation electrode 27 are provided individually, and the wiring electrode 29 is connected to the first excitation electrode 25 and the third excitation electrode 27. No. 3 excitation electrodes 27 are connected. Thereby, unnecessary waves can be suppressed and thermal stress can be suppressed.
- the thickness of the wiring electrode 29 may be thinner or thicker than the thickness of the first excitation electrode 25 and the third excitation electrode 27.
- the material of the wiring electrode 29 and the materials of all the electrode layers of the first excitation electrode 25 and all the electrode layers of the third excitation electrode 27 are different from each other.
- the first excitation electrode 25, the third excitation electrode 27, and the wiring electrode 29 may be misaligned, and unintended electrode layers may be connected to each other by the wiring electrode 29. Even in such a case, the material of the electrode layer connected by the wiring electrode 29 and the material of the wiring electrode 29 can be made different.
- FIG. 7 is a schematic front sectional view of the elastic wave device according to the third embodiment.
- This embodiment differs from the first embodiment in that the thickness of the first excitation electrode 5 and the thickness of the third excitation electrode 7 are different from each other, and that the wiring electrode 39 has a stepped portion 39d.
- the distance between the first excitation electrode 5 and the first cavity 12A is the same as the distance between the third excitation electrode 7 and the second cavity 12B. Therefore, this embodiment differs from the first embodiment in that the positions of the first cavity 12A and the second cavity 12B in the thickness direction of the insulating layer 3 are different from each other.
- the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
- the thickness of the first excitation electrode 5 is thicker than the thickness of the third excitation electrode 7. However, the thickness of the first excitation electrode 5 may be less than or equal to the thickness of the third excitation electrode 7.
- the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are provided individually, and the wiring electrode 39 is connected to the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7. 3 excitation electrodes 7 are connected. Thereby, unnecessary waves can be suppressed and thermal stress can be suppressed.
- the wiring electrode 39 has a plurality of step portions 39d. More specifically, each stepped portion 39d is provided in a portion of the wiring electrode 39 that overlaps with a portion between the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 in plan view. The thicknesses of the portions of the wiring electrode 39 connected by the step portion 39d are different from each other. As a result, in the wiring electrode 39, the manner in which unnecessary waves propagate is not uniform. Therefore, it is possible to suppress the intensity of unnecessary waves from increasing. Furthermore, by providing the stepped portion 39d, the area of the portion of the wiring electrode 39 that is in contact with the insulating layer 3 can be increased. Thereby, the heat propagated from the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 to the wiring electrode 39 can be efficiently propagated to the insulating layer 3. Therefore, heat dissipation can be improved.
- FIG. 8 is a schematic front sectional view of the elastic wave device according to the fourth embodiment.
- This embodiment differs from the third embodiment in that the wiring electrode 49 has a plurality of wiring electrode parts.
- the plurality of wiring electrode parts are made of different materials.
- the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device of the third embodiment.
- the plurality of wiring electrode parts of the wiring electrode 49 are a first wiring electrode part 49a and a second wiring electrode part 49b.
- the first wiring electrode section 49a is connected to the first excitation electrode 5.
- the first wiring electrode section 49a is provided over the first main surface 4a of the piezoelectric layer 4 and the surface of the first excitation electrode 5 on the first cavity section 12A side.
- the first wiring electrode section 49a is not connected to the third excitation electrode 7.
- the second wiring electrode section 49b is connected to the third excitation electrode 7.
- the second wiring electrode section 49b is provided over the first main surface 4a of the piezoelectric layer 4, the surface of the third excitation electrode 7 on the second cavity 12B side, and the first wiring electrode section 49a. ing.
- the second wiring electrode portion 49b is not connected to the first excitation electrode 5.
- the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are provided individually, and the wiring electrode 49 is connected to the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7. 3 excitation electrodes 7 are connected. Thereby, unnecessary waves can be suppressed and thermal stress can be suppressed.
- first wiring electrode part 49a and the second wiring electrode part 49b are made of different materials, and the material of the first wiring electrode part 49a and the second wiring electrode part 49b is different from that of the first excitation electrode. 5 and the material of the third excitation electrode 7. Therefore, unnecessary waves are difficult to propagate from the first excitation electrode 5 to the first wiring electrode section 49a, and unnecessary waves are difficult to propagate from the first wiring electrode section 49a to the second wiring electrode section 49b. Similarly, unnecessary waves are difficult to propagate from the third excitation electrode 7 to the second wiring electrode section 49b, and unnecessary waves are difficult to propagate from the second wiring electrode section 49b to the first wiring electrode section 49a. Therefore, coupling of unnecessary waves occurring in the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B can be suppressed.
- the wiring electrode 49 has a plurality of step portions 49d. More specifically, in this embodiment, a stepped portion 49d is provided in each of the first wiring electrode portion 49a and the second wiring electrode portion 49b. A step portion 49d is also provided between the first wiring electrode portion 49a and the second wiring electrode portion 49b. The thicknesses of the portions of the wiring electrode 49 connected by the step portion 49d are different from each other. As a result, in the wiring electrode 49, the manner in which unnecessary waves propagate is not uniform. Therefore, unnecessary waves can be effectively suppressed. The area of the portion of the wiring electrode 49 that is in contact with the insulating layer 3 can also be increased, and heat dissipation can be improved.
- FIG. 9 is a schematic front sectional view showing a cross section passing through each excitation electrode of the elastic wave device according to the fifth embodiment.
- FIG. 10 is a schematic front sectional view showing a cross section passing through a wiring electrode of an acoustic wave device according to a fifth embodiment.
- this embodiment differs from the first embodiment in the configuration of a cavity 52 as an acoustic reflection section. More specifically, both the first excitation area A1 and the second excitation area A2 overlap with one and the same cavity 52 in plan view.
- the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
- the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are provided individually, and the wiring electrode 9 is connected to the third excitation electrode 7.
- the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are connected. Thereby, unnecessary waves can be suppressed and thermal stress can be suppressed.
- the elastic wave device can be miniaturized without deteriorating the electrical characteristics.
- FIG. 11 is a schematic front sectional view of the elastic wave device according to the sixth embodiment.
- the acoustic reflection section is an acoustic reflection film provided on the piezoelectric substrate 11. More specifically, in this embodiment, the first acoustic reflection section is the first acoustic reflection film 62A. The second acoustic reflection section is the second acoustic reflection film 62B. A first acoustic reflective film 62A and a second acoustic reflective film 62B are provided within the insulating layer 3. Other than the above points, the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 10 of the first embodiment.
- the first acoustic reflection film 62A and the second acoustic reflection film 62B are a laminate of a plurality of acoustic impedance layers. More specifically, the first acoustic reflection film 62A includes a plurality of low acoustic impedance layers and a plurality of high acoustic impedance layers. The low acoustic impedance layer is a layer with relatively low acoustic impedance. The plurality of low acoustic impedance layers of the first acoustic reflection film 62A are a low acoustic impedance layer 63a and a low acoustic impedance layer 63b.
- the high acoustic impedance layer is a layer with relatively high acoustic impedance.
- the plurality of high acoustic impedance layers of the first acoustic reflective film 62A are a high acoustic impedance layer 64a and a high acoustic impedance layer 64b.
- the low acoustic impedance layers and the high acoustic impedance layers are alternately stacked.
- the high acoustic impedance layer 64a is the layer located closest to the piezoelectric layer 4 in the first acoustic reflection film 62A.
- a part of the insulating layer 3 is located between the high acoustic impedance layer 64a and the piezoelectric layer 4.
- the second acoustic reflective film 62B is also configured in the same manner as the first acoustic reflective film 62A.
- the acoustic impedance of the insulating layer 3 is lower than the acoustic impedance of each high acoustic impedance layer. Therefore, the portion of the insulating layer 3 that is laminated with the high acoustic impedance layer 64a of the first acoustic reflection film 62A functions as a low acoustic impedance layer. Therefore, the first excitation electrode 5 is substantially in contact with the acoustic reflection film. Similarly, the third excitation electrode 7 is substantially in contact with the acoustic reflection film.
- the low acoustic impedance layer 63a may be the layer located closest to the piezoelectric layer 4 side.
- the insulating layer 3 is not provided between the first acoustic reflection film 62A and the first excitation electrode 5. The same applies to the second acoustic reflection film 62B.
- the first acoustic reflective film 62A and the second acoustic reflective film 62B each have two low acoustic impedance layers and two high acoustic impedance layers. Note that the first acoustic reflection film 62A and the second acoustic reflection film 62B only need to each have at least one low acoustic impedance layer and one high acoustic impedance layer.
- the number of acoustic impedance layers in the first acoustic reflection film 62A and the number of acoustic impedance layers in the second acoustic reflection film 62B may each be an odd number.
- each outermost high acoustic impedance layer is an insulating layer that functions as a low acoustic impedance layer. may be stacked. The same applies to the second acoustic reflection film 62B.
- silicon oxide or aluminum can be used as the material for the low acoustic impedance layer.
- the insulating layer 3 functions as a low acoustic impedance layer, the insulating layer 3 is made of silicon oxide, for example.
- a metal such as platinum or tungsten, or a dielectric material such as aluminum nitride or silicon nitride can be used.
- the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are provided individually, and the wiring electrode 9 is connected to the first excitation electrode. 5 and the third excitation electrode 7 are connected to each other. Thereby, unnecessary waves can be suppressed and thermal stress can be suppressed. Note that both the first excitation area A1 and the second excitation area A2 may overlap with the same acoustic reflection film in plan view.
- the elastic wave device according to the present invention may be, for example, a filter device. An example of this is shown below.
- FIG. 12 is a circuit diagram of an elastic wave device according to the seventh embodiment.
- the elastic wave device 70 is a ladder type filter.
- the elastic wave device 70 includes a first signal terminal 72 and a second signal terminal 73, and a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators as a plurality of resonators.
- the plurality of resonators include a first elastic wave resonator 1A, a second elastic wave resonator 1B, and a plurality of resonators other than the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B. including.
- the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B have the same configuration as in the first embodiment.
- the configurations of the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are not limited to the above, and even if they have the configuration of the present invention such as an embodiment other than the first embodiment. good.
- the elastic wave device 70 is a transmission filter. A signal is input from the first signal terminal 72. A signal is output from the second signal terminal 73.
- the second signal terminal 73 is an antenna terminal in this embodiment. The antenna terminal is connected to the antenna.
- the first signal terminal 72 and the second signal terminal 73 may be configured as electrode lands, or may be configured as wiring, for example.
- the elastic wave device 70 may be a reception filter. In this case, the first signal terminal 72 may be an antenna terminal or the like.
- the plurality of series arm resonators of this embodiment are a first elastic wave resonator 1A, a second elastic wave resonator 1B, a series arm resonator S3, and a series arm resonator S4.
- a series arm resonator S3 and a series arm resonator S4 are connected in series between the first signal terminal 72 and the second signal terminal 73.
- a first elastic wave resonator 1A and a second elastic wave resonator 1B are connected in parallel to each other between the first signal terminal 72 and the series arm resonator S3.
- the plurality of parallel arm resonators of this embodiment are specifically a parallel arm resonator P1 and a parallel arm resonator P2.
- a parallel arm resonator P1 is connected between the ground potential and a connection point between the first elastic wave resonator 1A, the second elastic wave resonator 1B, and the series arm resonator S3.
- a parallel arm resonator P2 is connected between the connection point between the series arm resonator S3 and the series arm resonator S4 and the ground potential.
- each parallel arm resonator is connected to a ground terminal.
- a ground terminal is connected to ground potential.
- the first excitation electrode 5 of the first elastic wave resonator 1A and the third excitation electrode of the second elastic wave resonator 1B 7 are provided individually, and a wiring electrode 9 connects the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7.
- a wiring electrode 9 connects the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7.
- the wiring electrode 9 is connected to resonators other than the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B. Specifically, the wiring electrode 9 is connected to the series arm resonator S3 and the parallel arm resonator P1 shown in FIG. As described above, since the coupling of unnecessary waves can be suppressed in the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B, unnecessary waves will not be generated in the series arm resonator S3 and the parallel arm resonator P1. Propagation can be suppressed. Therefore, deterioration of the filter characteristics of the elastic wave device 70 can be suppressed.
- the elastic wave device 70 includes a first elastic wave resonator 1A, a second elastic wave resonator 1B, and at least one resonator other than the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B. It is sufficient if it has the following.
- the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B may be parallel arm resonators.
- the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are connected in parallel to each other. In this case, coupling of unnecessary waves can be suitably suppressed.
- the output side ends of the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B do not necessarily need to be connected to other resonators.
- the output side ends of the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are connected to the first signal terminal 72 or the second signal terminal 73 as a signal terminal by the wiring electrode 9. may be connected to.
- the end portion may be connected to a ground terminal via the wiring electrode 9.
- the output side ends of the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B may be connected to other resonators through the wiring electrodes 9. preferable. In this case, as described above, propagation of unnecessary waves to the other resonators can be suppressed. Therefore, a configuration in which the first excitation electrode 5 and the third excitation electrode 7 are connected to the wiring electrode 9 is particularly suitable.
- the elastic wave device 70 may include a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter as a resonator.
- the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are series arm resonators or parallel arm resonators connected directly or indirectly to a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter. That's fine.
- the elastic wave device 70 is not limited to a configuration in which the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are connected in parallel.
- the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are connected in series to each other without using other elements.
- the second excitation electrode 6 shown in FIG. 1 is connected to the first signal terminal 72 shown in FIG. 13.
- a fourth excitation electrode 8 is connected to the series arm resonator S3 and the parallel arm resonator P1.
- a wiring electrode 9 connects the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B.
- unnecessary waves can be suppressed and thermal stress can be suppressed.
- a piezoelectric substrate including a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other, and a first piezoelectric substrate provided on the first main surface of the piezoelectric layer.
- a first elastic wave resonator having an excitation electrode and a second excitation electrode provided on the second main surface; the piezoelectric substrate is shared with the first elastic wave resonator; a second elastic wave resonator having a third excitation electrode provided on the first main surface of the piezoelectric layer and a fourth excitation electrode provided on the second main surface.
- a wiring electrode provided on the first main surface of the piezoelectric layer, the first excitation electrode and the second excitation electrode facing each other with the piezoelectric layer in between.
- a region of the piezoelectric layer sandwiched between the first excitation electrode and the second excitation electrode is a first excitation region
- the third excitation electrode and the fourth excitation electrode are , facing each other with the piezoelectric layer in between
- a region of the piezoelectric layer sandwiched between the third excitation electrode and the fourth excitation electrode is a second excitation region
- the substrate is provided with at least one acoustic reflection section that overlaps the first excitation region and the second excitation region in a plan view, and the first excitation electrode and the third excitation electrode
- the piezoelectric substrate includes an insulating layer, and of the first main surface and the second main surface of the piezoelectric layer, the first main surface is located on the insulating layer side. , the elastic wave device according to ⁇ 1>.
- ⁇ 3> The elastic wave device according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the thickness of the wiring electrode is thicker than the thickness of the first excitation electrode and thicker than the thickness of the third excitation electrode.
- ⁇ 4> The acoustic wave device according to ⁇ 3>, wherein the wiring electrode reaches a surface of the first excitation electrode on the acoustic reflection section side and a surface of the third excitation electrode on the acoustic reflection section side. .
- ⁇ 5> The elastic wave device according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the thickness of the wiring electrode is equal to or less than the thickness of the first excitation electrode and equal to or less than the thickness of the third excitation electrode.
- the first excitation electrode and the third excitation electrode each have a plurality of electrode layers, and the wiring electrode is at least the electrode closest to the piezoelectric layer of the first excitation electrode.
- ⁇ 7> Any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, wherein a stepped portion is provided in a portion of the wiring electrode that overlaps a portion between the first excitation electrode and the third excitation electrode in plan view.
- the elastic wave device according to any one of the above.
- ⁇ 8> The acoustic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 7>, wherein the wiring electrode has a plurality of wiring electrode parts made of different materials.
- the acoustic reflection section includes a first acoustic reflection section that overlaps with the first excitation region in plan view, and a second acoustic reflection section that overlaps with the second excitation region in plan view.
- the elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8>, wherein the first acoustic reflecting section and the second acoustic reflecting section are each provided separately.
- ⁇ 11> The acoustic reflection unit according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8>, wherein the one acoustic reflection section overlaps both the first excitation region and the second excitation region in a plan view.
- Elastic wave device
- ⁇ 12> The acoustic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 11>, wherein the acoustic reflection section is a cavity provided in the piezoelectric substrate.
- acoustic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 11>, wherein the acoustic reflection section is an acoustic reflection film provided on the piezoelectric substrate.
- ⁇ 14> The acoustic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 13>, wherein any one of lithium tantalate, lithium niobate, and aluminum nitride is used as a material for the piezoelectric layer.
- ⁇ 15> Further comprising at least one resonator other than the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator, a signal terminal, and a ground terminal, the first elastic wave resonator and The second elastic wave resonators are connected in parallel to each other, and the wiring electrodes are connected to the resonators other than the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator, the signal terminal, and the signal terminal.
- the elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 14>, which is connected to any one of the ground terminals.
- ⁇ 16> Further comprising at least one resonator other than the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator, wherein the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator are mutually
- Cavity parts 62A, 62B ...first and second acoustic reflection films 63a, 63b...low acoustic impedance layers 64a, 64b...high acoustic impedance layer 70...acoustic wave devices 72, 73...first and second signal terminals A1, A2...First and second excitation regions P1, P2...Parallel arm resonators S3, S4...Series arm resonators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
不要波を抑制することができ、かつ熱応力を抑制することができる、弾性波装置を提供する。 弾性波装置10は、互いに対向している第1の主面4a及び第2の主面4bを有する圧電体層4を含む圧電性基板11と、圧電体層4の第1の主面4aに設けられている第1の励振電極5、及び第2の主面4bに設けられている第2の励振電極6とを有する第1の弾性波共振子1Aと、圧電性基板11を第1の弾性波共振子1Aと共有しており、圧電体層4の第1の主面4aに設けられている第3の励振電極7、及び第2の主面4bに設けられている第4の励振電極8を有する第2の弾性波共振子1Bと、圧電体層4の第1の主面4aに設けられている配線電極9とを備える。第1の励振電極5及び第2の励振電極6は、圧電体層4を挟み互いに対向している。圧電体層4における、第1の励振電極5及び第2の励振電極6に挟まれている領域が第1の励振領域である。第3の励振電極7及び第4の励振電極8は、圧電体層4を挟み互いに対向している。圧電体層4における、第3の励振電極7及び第4の励振電極8に挟まれている領域が第2の励振領域である。圧電性基板11に、平面視において第1の励振領域及び第2の励振領域と重なっている、少なくとも1つの音響反射部が設けられている。第1の励振電極5及び第3の励振電極7がそれぞれ個別に設けられており、かつ配線電極9が第1の励振電極5及び第3の励振電極7を接続している。
Description
本発明は、弾性波装置に関する。
従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献1には、弾性波装置としての、薄膜圧電デバイスの一例が開示されている。この薄膜圧電デバイスは複数の薄膜圧電共振器を有する。各薄膜圧電共振器においては、圧電体膜の両面に金属電極が設けられている。互いに隣接する薄膜圧電共振器における、それぞれの1対の金属電極のうち一方同士が、一体として設けられている。これにより、互いに隣接する薄膜圧電共振器が電気的に接続されている。
しかしながら、特許文献1に記載された薄膜圧電デバイスにおいては、互いに隣接する薄膜圧電共振器間において、不要波が結合されがちである。そのため、不要波の強度が大きくなるおそれがある。さらに、双方の薄膜圧電共振器の金属電極が一体として設けられるため、金属電極の面積が大きくなる。そのため、金属電極から圧電体膜に加えられる熱応力が大きくなり易い。よって、圧電体膜が破損したり、電気的特性が劣化したりするおそれがある。
本発明の目的は、不要波を抑制することができ、かつ熱応力を抑制することができる、弾性波装置を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置は、互いに対向している第1の主面及び第2の主面を有する圧電体層を含む圧電性基板と、前記圧電体層の前記第1の主面に設けられている第1の励振電極、及び前記第2の主面に設けられている第2の励振電極とを有する第1の弾性波共振子と、前記圧電性基板を前記第1の弾性波共振子と共有しており、前記圧電体層の前記第1の主面に設けられている第3の励振電極、及び前記第2の主面に設けられている第4の励振電極を有する第2の弾性波共振子と、前記圧電体層の前記第1の主面に設けられている配線電極とを備え、前記第1の励振電極及び前記第2の励振電極が、前記圧電体層を挟み互いに対向しており、前記圧電体層における、前記第1の励振電極及び前記第2の励振電極に挟まれている領域が第1の励振領域であり、前記第3の励振電極及び前記第4の励振電極が、前記圧電体層を挟み互いに対向しており、前記圧電体層における、前記第3の励振電極及び前記第4の励振電極に挟まれている領域が第2の励振領域であり、前記圧電性基板に、平面視において前記第1の励振領域及び前記第2の励振領域と重なっている、少なくとも1つの音響反射部が設けられており、前記第1の励振電極及び前記第3の励振電極がそれぞれ個別に設けられており、かつ前記配線電極が前記第1の励振電極及び前記第3の励振電極を接続している。
本発明に係る弾性波装置によれば、不要波を抑制することができ、かつ熱応力を抑制することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図2は、図1中のI-I線に沿う模式的断面図である。図3は、図1中のII-II線に沿う模式的断面図である。なお、図1においては、後述する配線電極のうち1つを、ハッチングにより示す。
図1に示すように、本実施形態の弾性波装置10は、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bを有する。弾性波装置10は、フィルタ装置を構成する弾性波装置である。該フィルタ装置は、より具体的には、例えば、ラダー型フィルタであってもよく、縦結合共振子型弾性波フィルタを含むフィルタ装置であってもよい。弾性波装置10の各弾性波共振子は、例えば、ラダー型フィルタの直列腕共振子であってもよく、並列腕共振子であってもよい。あるいは、弾性波装置10の各弾性波共振子は、縦結合共振子型弾性波フィルタに直接的または間接的に接続される弾性波共振子であってもよい。
図2に示すように、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bは、圧電性基板11を共有している。圧電性基板11は、支持基板2と、絶縁層3と、圧電体層4とを有する。支持基板2上に絶縁層3が設けられている。絶縁層3上に圧電体層4が設けられている。圧電体層4は第1の主面4a及び第2の主面4bを有する。第1の主面4a及び第2の主面4bは互いに対向している。第1の主面4a及び第2の主面4bのうち、第1の主面4aが絶縁層3側に位置している。なお、第1の主面4a及び第2の主面4bのうち、第2の主面4bが絶縁層3側に位置していてもよい。
支持基板2の材料としては、例えば、シリコンなどの半導体や、酸化アルミニウムなどのセラミックスなどを用いることができる。絶縁層3の材料としては、酸化ケイ素または五酸化タンタルなどの、適宜の誘電体を用いることができる。圧電体層4の材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)などを用いることができる。なお、圧電体層4の材料としては、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは窒化アルミニウムなどを用いることが好ましい。
第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1BはBAW(Bulk Acoustic Wave)素子である。より具体的には、第1の弾性波共振子1Aは、第1の励振電極5及び第2の励振電極6を有する。第1の励振電極5は圧電体層4の第1の主面4aに設けられている。第2の励振電極6は圧電体層4の第2の主面4bに設けられている。第1の励振電極5及び第2の励振電極6は、圧電体層4を挟み互いに対向している。圧電体層4における、第1の励振電極5及び第2の励振電極6により挟まれた領域が第1の励振領域A1である。第1の励振電極5及び第2の励振電極6の間に交流電界を印加することにより、第1の励振領域A1において弾性波が励振される。
同様に、第2の弾性波共振子1Bは、第3の励振電極7及び第4の励振電極8を有する。第3の励振電極7は、圧電体層4の第1の主面4aに設けられている。第4の励振電極8は圧電体層4の第2の主面4bに設けられている。第3の励振電極7及び第4の励振電極8は圧電体層4を挟み互いに対向している。圧電体層4における、第3の励振電極7及び第4の励振電極8により挟まれた領域が第2の励振領域A2である。第3の励振電極7及び第4の励振電極8の間に交流電界を印加することにより、第2の励振領域A2において弾性波が励振される。
本実施形態においては、第1の励振領域A1及び第2の励振領域A2の平面視における形状は、略円形である。もっとも、第1の励振領域A1及び第2の励振領域A2の平面視における形状は上記に限定されず、例えば、円形、楕円形、半楕円形または多角形などであってもよい。本明細書において平面視とは、図2における上方に相当する方向から見ることをいう。例えば、図2においては、圧電体層4側及び支持基板2側のうち、圧電体層4側が上方である。
第1の励振電極5及び第3の励振電極7は個別に設けられている。なお、本明細書において、2つの電極が個別に設けられているとは、該2つの電極と異なる材料からなる電極により、該2つの電極同士が接続されている場合を含む。該2つの電極が複数の電極層を有する場合、該2つの電極を接続している電極の材料と、該2つの電極において接続されている電極層の材料とが互いに異なる場合も、該2つの電極が個別に設けられているとする。本明細書において、ある部材がある材料からなるとは、弾性波装置の電気的特性が大きく劣化しない程度の微量な不純物が含まれる場合を含む。
図3に示すように、圧電体層4の第1の主面4aには配線電極9が設けられている。配線電極9は、第1の励振電極5及び第3の励振電極7を接続している。配線電極9の材料は、第1の励振電極5及び第3の励振電極7の材料とは異なる。なお、本明細書において、主面に電極が設けられているとは、主面上に電極が設けられている場合、及び主面側に電極が設けられている場合の双方を含む。言い換えれば、主面に電極が設けられているとは、主面に直接的に電極が設けられている場合、及び主面に他の層を介して間接的に電極が設けられている場合の双方を含む。例えば、第1の主面4aに配線電極9が設けられていると記載する場合、第1の主面4aに直接的に配線電極9が設けられていてもよく、第1の主面4aと配線電極9との間に他の層が設けられていてもよいことを意味する。
本実施形態では、第1の励振電極5、第3の励振電極7及び配線電極9は、絶縁層3に埋め込まれている。絶縁層3が圧電体層4の第1の主面4aに設けられている場合、絶縁層3は、第1の励振電極5、第3の励振電極7及び配線電極9の少なくとも一部を覆うように設けられていればよい。もっとも、上記のように、圧電体層4の第2の主面4bが、絶縁層3側に位置する主面であってもよい。なお、絶縁層3は必ずしも設けられていなくともよい。
図2に示すように、圧電性基板11に、第1の音響反射部及び第2の音響反射部が設けられている。より具体的には、本実施形態では、絶縁層3内に第1の音響反射部及び第2の音響反射部が設けられている。第1の音響反射部は第1の空洞部12Aである。第2の音響反射部は第2の空洞部12Bである。もっとも、第1の空洞部12A及び第2の空洞部12Bは、絶縁層3及び支持基板2にわたり設けられていてもよく、支持基板2のみに設けられていてもよい。第1の空洞部12A及び第2の空洞部12Bは、中空部には限られず、例えば、絶縁層3及び支持基板2に設けられた貫通孔であってもよい。あるいは、例えば、圧電体層4に凹部が設けられていることにより、第1の空洞部12Aが設けられていてもよい。同様に、圧電体層4に凹部が設けられていることにより、第2の空洞部12Bが設けられていてもよい。この場合、圧電体層4の凹部が、絶縁層3または支持基板2により封止されていることが好ましい。なお、第1の音響反射部及び第2の音響反射部はそれぞれ、後述する音響反射膜であってもよい。
第1の空洞部12Aは、平面視において、第1の励振領域A1と重なっている。第2の空洞部12Bは、平面視において、第2の励振領域A2と重なってる。それによって、弾性波のエネルギーを、圧電体層4側に好適に閉じ込めることができる。
なお、第1の音響反射部は、平面視において、第2の励振電極6と重ならない部分に至っていてもよい。第2の音響反射部は、平面視において、第4の励振電極8と重ならない部分に至っていてもよい。
圧電性基板11には、少なくとも1つの音響反射部が設けられていればよい。例えば、図2に示す第1の励振領域A1及び第2の励振領域A2は、同じ音響反射部と重なっていてもよい。
本実施形態の特徴は、第1の励振電極5及び第3の励振電極7がそれぞれ個別に設けられており、かつ配線電極9が第1の励振電極5及び第3の励振電極7を接続していることにある。それによって、不要波を抑制することができ、かつ熱応力を抑制することができる。これを以下において説明する。
例えば、第1の励振電極5及び第3の励振電極7が一体として設けられている場合、図2に示す第1の励振領域A1及び第2の励振領域A2の間にも、電極が設けられていることとなる。この場合、圧電体層4の第1の主面4aに設けられた電極の面積が大きくなる。そのため、電極から圧電体層4に加わる熱応力は大きくなる。これに対して、本実施形態においては、第1の励振電極5及び第3の励振電極7が個別に設けられている。よって、第1の主面4aに設けられた電極の面積を小さくすることができ、電極から圧電体層4に加えられる熱応力を抑制することができる。従って、圧電体層4が破損し難い。
加えて、配線電極9の材料は、第1の励振電極5の材料とは異なる。これにより、第1の弾性波共振子1Aにおいて生じる不要波が、第1の励振電極5から配線電極9に伝搬し難い。同様に、配線電極9の材料は、第3の励振電極7の材料とは異なる。これにより、第2の弾性波共振子1Bにおいて生じる不要波が、第3の励振電極7から配線電極9に伝搬し難い。よって、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bにおいて生じる不要波の結合を抑制することができる。従って、不要波を抑制することができる。さらに、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bにおいて生じた不要波が、互いに影響を与え合うことも抑制できる。
ところで、第1の励振電極5及び第3の励振電極7は、本実施形態では、積層金属膜からなる。第1の励振電極5は、複数の電極層としての、第1の層5a及び第2の層5bを有する。圧電体層4側から、第1の層5a及び第2の層5bがこの順序において積層されている。同様に、第3の励振電極7は、複数の電極層としての、第1の層7a及び第2の層7bを有する。圧電体層4側から、第1の層7a及び第2の層7bがこの順序において積層されている。さらに、第2の励振電極6も、複数の電極層としての、第1の層6a及び第2の層6bを有する。第4の励振電極8も、複数の電極層としての、第1の層8a及び第2の層8bを有する。それぞれの電極層の材料としては、例えば、Al、Au、Cu、Cr、Ru、W、Mo及びPtからなる群から選択される少なくとも1種を含む金属または合金を用いることができる。
第1の励振電極5、第2の励振電極6、第3の励振電極7及び第4の励振電極8の層数はそれぞれ2層に限定されず、例えば3層以上であってもよい。あるいは、第1の励振電極5、第2の励振電極6、第3の励振電極7及び第4の励振電極8は単層の金属膜からなっていてもよい。
配線電極9は単層の金属膜からなる。配線電極9の材料としては、例えば、Al、Au、Cu、Cr、Ru、W、Mo及びPtからなる群から選択される少なくとも1種を含む金属または合金を用いることができる。配線電極9の材料と、第1の励振電極5及び第3の励振電極7における、配線電極9により接続された電極層の材料とが、互いに異なっていればよい。なお、配線電極9は、積層金属膜からなっていてもよい。この場合、配線電極9の全ての層の材料と、第1の励振電極5及び第3の励振電極7の全ての電極層の材料とが互いに異なることが好ましい。
本実施形態では、配線電極9の厚みは、第1の励振電極5の厚みよりも厚く、かつ第3の励振電極7の厚みよりも厚い。配線電極9は、第1の励振電極5の全ての電極層、及び第3の励振電極7の全ての電極層を接続している。そして、配線電極9は、第1の励振電極5における第1の空洞部12A側の面、及び第3の励振電極7における第2の空洞部12B側の面に至っている。これにより、弾性波装置10における配線抵抗を効果的に低くすることができる。
もっとも、配線電極9の厚みは、第1の励振電極5の厚み以下であってもよく、第3の励振電極7の厚み以下であってもよい。この場合においても、配線電極9が、第1の励振電極5の全ての電極層、及び第3の励振電極7の全ての電極層を接続していてもよい。なお、配線電極9は、第1の励振電極5の少なくとも1層の電極層、及び第3の励振電極7の少なくとも1層の電極層を接続していればよい。
第1の励振電極5の厚み及び第3の励振電極7の厚みは同じである。なお、第1の励振電極5の厚み及び第3の励振電極7の厚みは互いに異なっていてもよい。
弾性波装置10では、弾性波が励振されるに際し、第1の励振領域A1及び第2の励振領域A2において熱が生じる。本実施形態においては、上記のように、配線電極9が、第1の励振電極5における第1の空洞部12A側の面、及び第3の励振電極7における第2の空洞部12B側の面に至っている。これにより、配線電極9における、絶縁層3に接触している部分の面積を大きくすることができる。よって、第1の励振電極5及び第3の励振電極7から配線電極9に伝搬した熱を、絶縁層3に効率的に伝搬させることができる。従って、放熱性を高めることができる。
加えて、本実施形態においては、絶縁層3には支持基板2が積層されている。よって、絶縁層3から支持基板2に熱を伝搬させることができる。これにより、外部に放熱し易い。従って、放熱性を効果的に高めることができる。なお、圧電性基板11は、支持基板2を必ずしも有していなくともよく、あるいは、絶縁層3を必ずしも有していなくともよい。圧電性基板11は、圧電体層4を有していればよい。
圧電体層4の材料として、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム及び窒化アルミニウムのうちいずれかが用いられていることが好ましい。タンタル酸リチウム及びニオブ酸リチウムは、誘電率が高い圧電材料である。よって、弾性波装置10を広帯域フィルタに用いる場合に、圧電体層4にタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムを好適に用いることができる。そして、弾性波装置10は上記の構成を有するため、放熱性が高い。一方で、窒化アルミニウムは熱伝導性において優れている。よって、圧電体層4に窒化アルミニウムを用いる場合には、放熱性をより一層高めることができる。
支持基板2の熱伝導率が、圧電体層4及び絶縁層3の熱伝導率よりも高いことが好ましい。それによって、放熱性をより確実に、効果的に高めることができる。なお、支持基板2は必ずしも設けられていなくともよい。
絶縁層3は、第1の励振電極5、第3の励振電極7及び配線電極9を覆っている。よって、第1の音響反射部としての第1の空洞部12Aと、第1の励振電極5との間には、絶縁層3の一部が設けられている。同様に、第2の音響反射部としての第2の空洞部12Bと、第3の励振電極7のとの間にも、絶縁層3の一部が設けられている。もっとも、これに限定されるものではない。例えば、図4に示す第1の実施形態の第1の変形例においては、第1の音響反射部としての第1の空洞部12Aは、第1の励振電極5に接している。すなわち、第1の音響反射部と、第1の励振電極5との間には、絶縁層3は設けられていない。第2の音響反射部としての第2の空洞部12Bは、第3の励振電極7に接している。すなわち、第2の音響反射部と、第3の励振電極7との間には、絶縁層3は設けられていない。本変形例においても、第1の実施形態と同様に、不要波を抑制することができ、かつ熱応力を抑制することができる。
図3に示すように、本実施形態では、配線電極9は、平面視において、第1の空洞部12A及び第2の空洞部12Bと重ならないように設けられている。具体的には、第1の空洞部12A及び第2の空洞部12Bは、それぞれ個別に設けられている。より具体的には、第1の空洞部12A及び第2の空洞部12Bは、絶縁層3により隔てられている。配線電極9は、平面視において、第1の空洞部12A及び第2の空洞部12Bの間に位置している。それによって、弾性波装置10における、平面視において第1の空洞部12A及び第2の空洞部12Bと重なる部分と、第1の空洞部12A及び第2の空洞部12Bと重ならない部分とにおける応力の差を小さくすることができる。
さらに、本実施形態では、平面視において、第1の空洞部12A及び第2の空洞部12Bと、配線電極9とが、ギャップGを隔てて互いに対向している。それによって、弾性波装置10の製造に際し、第1の空洞部12A、第2の空洞部12B及び配線電極9に位置ずれが生じたとしても、第1の空洞部12A及び第2の空洞部12Bと、配線電極9とを、平面視においてより確実に重ならないようにすることができる。従って、弾性波装置10における位置毎の応力のばらつきを、より確実に抑制することができる。
ところで、本実施形態においては、第1の励振電極5及び第3の励振電極7と同様に、第2の励振電極6及び第4の励振電極8も個別に設けられている。そして、図1に示すように、圧電体層4の第2の主面4bには配線電極19が設けられている。配線電極19は、第2の励振電極6及び第4の励振電極8を接続している。配線電極19の材料は、第2の励振電極6及び第4の励振電極8の材料とは異なる。これにより、第1の励振電極5及び第3の励振電極7が、配線電極9により接続されている構成による効果と同様の効果を得ることができる。
より具体的には、第1の弾性波共振子1Aにおいて生じる不要波が、第2の励振電極6から配線電極19に伝搬し難い。同様に、第2の弾性波共振子1Bにおいて生じる不要波が、第4の励振電極8から配線電極19に伝搬し難い。よって、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bにおいて生じる不要波の結合を効果的に抑制することができる。従って、不要波を効果的に抑制することができる。さらに、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bにおいて生じた不要波が、互いに影響を与え合うことも効果的に抑制できる。
加えて、第2の励振電極6及び第4の励振電極8が個別に設けられているため、圧電体層4の第2の主面4bに設けられた電極の面積を小さくすることができる。これにより、電極から圧電体層4に加えられる熱応力を抑制することができる。従って、圧電体層4をより確実に破損し難くすることができる。
なお、第2の励振電極6及び第4の励振電極8は、必ずしも個別に設けられていなくともよい。第2の励振電極6及び第4の励振電極8は一体として構成されていてもよい。
上記のように、圧電体層4の第1の主面4aは、絶縁層3側には位置していなくともよい。図5に示す第1の実施形態の第2の変形例においては、圧電体層4の第1の主面4a及び第2の主面4bのうち第2の主面4bが絶縁層3側に位置している。本変形例においても、第1の主面4aに第1の励振電極5及び第3の励振電極7がそれぞれ個別に設けられており、かつ配線電極9が第1の励振電極5及び第3の励振電極7を接続している。それによって、第1の実施形態と同様に、不要波を抑制することができ、かつ熱応力を抑制することができる。
上記のように、第1の実施形態においては、圧電体層4の第1の主面4aにおいて、第1の励振電極5及び第3の励振電極7がそれぞれ個別に設けられており、かつ配線電極9が第1の励振電極5及び第3の励振電極7を接続している。この場合、第2の主面4bにおいては、第2の励振電極6及び第4の励振電極8は、必ずしも、それぞれ個別に設けられていなくともよい。一方で、第1の実施形態の第2の変形例のように、第2の主面4bが絶縁層3側に位置していてもよい。この場合に、第1の主面4aにおいて、第1の励振電極5及び第3の励振電極7がそれぞれ個別に設けられており、かつ配線電極9が第1の励振電極5及び第3の励振電極7を接続していてもよい。そしてこの場合にも、第1の主面4aにおいては、第2の励振電極6及び第4の励振電極8は、必ずしも、それぞれ個別に設けられていなくともよい。
もっとも、第1の実施形態のように、第1の主面4a及び第2の主面4bの双方において、各励振電極がそれぞれ個別に設けられており、かつ配線電極により励振電極同士が接続されていることが好ましい。それによって、不要波をより一層抑制することができ、かつ熱応力をより一層抑制することができる。
弾性波装置10がフィルタ装置に用いられた場合においては、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bは、互いに並列に接続される。もっとも、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bは、互いに直列に接続されてもよい。
図6は、第2の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
本実施形態は、第1の励振電極25の第1の層25aの構成、及び第3の励振電極27の第1の層27aの構成が第1の実施形態と異なる。本実施形態は、配線電極29が、第1の励振電極25及び第3の励振電極27の一部の電極層同士のみを接続している点、及び配線電極29の厚みにおいても、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様の構成を有する。
配線電極29の厚みは、第1の励振電極25の厚み及び第3の励振電極27の厚みと同じである。配線電極29は、第1の励振電極25の最も圧電体層4側の電極層、及び第3の励振電極27の最も圧電体層4側の電極層を接続している。より具体的には、配線電極29は、第1の励振電極25の第1の層25a及び第3の励振電極27の第1の層27aを接続している。他方、配線電極29は、第1の励振電極25における第1の層25a以外の電極層、及び第3の励振電極27における第1の層27a以外の電極層には接触していない。
より詳細には、第1の励振電極25においては、第1の層25aが第3の励振電極27側に引き出されている。具体的には、第1の励振電極25において、第1の層25aにおける第3の励振電極27側の端縁部が、他の電極層における第3の励振電極27側の端縁部よりも、第3の励振電極27側に位置している。同様に、第3の励振電極27においては、第1の層27aが第1の励振電極25側に引き出されている。具体的には、第3の励振電極27において、第1の層27aにおける第1の励振電極25側の端縁部が、他の電極層における第1の励振電極25側の端縁部よりも、第1の励振電極25側に位置している。第1の励振電極25における第1の層25aが引き出された部分と、第3の励振電極27における第1の層27aが引き出された部分とを、配線電極29が接続している。
本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、第1の励振電極25及び第3の励振電極27がそれぞれ個別に設けられており、かつ配線電極29が第1の励振電極25及び第3の励振電極27を接続している。それによって、不要波を抑制することができ、かつ熱応力を抑制することができる。
なお、配線電極29の厚みは、第1の励振電極25の厚み及び第3の励振電極27の厚みよりも薄くてもよく、厚くてもよい。
配線電極29の材料と、第1の励振電極25の全ての電極層、及び第3の励振電極27の全ての電極層の材料とが互いに異なることが好ましい。例えば、弾性波装置の製造に際し、第1の励振電極25、第3の励振電極27及び配線電極29に位置ずれが生じ、意図しない電極層同士が配線電極29により接続される可能性もある。このような場合においても、配線電極29により接続される電極層の材料と、配線電極29の材料とを異ならせることができる。
図7は、第3の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
本実施形態は、第1の励振電極5の厚み及び第3の励振電極7の厚みが互いに異なる点、並びに配線電極39が段差部39dを有する点において第1の実施形態と異なる。なお、第1の励振電極5及び第1の空洞部12Aの間の距離と、第3の励振電極7及び第2の空洞部12Bの間の距離とは同じである。そのため、本実施形態は、第1の空洞部12A及び第2の空洞部12Bの、絶縁層3の厚み方向における位置が互いに異なる点においても、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様の構成を有する。
第1の励振電極5の厚みは第3の励振電極7の厚みよりも厚い。もっとも、第1の励振電極5の厚みは第3の励振電極7の厚み以下であってもよい。
本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、第1の励振電極5及び第3の励振電極7がそれぞれ個別に設けられており、かつ配線電極39が第1の励振電極5及び第3の励振電極7を接続している。それによって、不要波を抑制することができ、かつ熱応力を抑制することができる。
加えて、配線電極39は複数の段差部39dを有する。より具体的には、配線電極39における、平面視において第1の励振電極5及び第3の励振電極7の間の部分と重なる部分に、各段差部39dが設けられている。配線電極39における、段差部39dによって接続された部分同士の厚みは、互いに異なる。これにより、配線電極39においては、不要波の伝搬の態様が一様ではない。よって、不要波の強度が大きくなることを抑制できる。さらに、段差部39dが設けられていることにより、配線電極39における、絶縁層3に接触している部分の面積を大きくすることができる。それによって、第1の励振電極5及び第3の励振電極7から配線電極39に伝搬した熱を、絶縁層3に効率的に伝搬させることができる。従って、放熱性を高めることができる。
図8は、第4の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
本実施形態は、配線電極49が、複数の配線電極部を有する点において第3の実施形態と異なる。複数の配線電極部は、互いに異なる材料からなる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第3の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
配線電極49の複数の配線電極部は、具体的には、第1の配線電極部49a及び第2の配線電極部49bである。第1の配線電極部49aは、第1の励振電極5に接続されている。第1の配線電極部49aは、圧電体層4の第1の主面4a、及び第1の励振電極5の第1の空洞部12A側の面にわたり設けられている。第1の配線電極部49aは第3の励振電極7には接続されていない。
第2の配線電極部49bは第3の励振電極7に接続されている。第2の配線電極部49bは、圧電体層4の第1の主面4a、第3の励振電極7の第2の空洞部12B側の面、及び第1の配線電極部49a上にわたり設けられている。第2の配線電極部49bは第1の励振電極5には接続されていない。
本実施形態においても、第3の実施形態と同様に、第1の励振電極5及び第3の励振電極7がそれぞれ個別に設けられており、かつ配線電極49が第1の励振電極5及び第3の励振電極7を接続している。それによって、不要波を抑制することができ、かつ熱応力を抑制することができる。
加えて、第1の配線電極部49a及び第2の配線電極部49bは互いに異なる材料からなり、かつ第1の配線電極部49a及び第2の配線電極部49bの材料は、第1の励振電極5及び第3の励振電極7の材料と異なる。そのため、第1の励振電極5から第1の配線電極部49aに不要波が伝搬し難く、かつ第1の配線電極部49aから第2の配線電極部49bに不要波が伝搬し難い。同様に、第3の励振電極7から第2の配線電極部49bに不要波が伝搬し難く、かつ第2の配線電極部49bから第1の配線電極部49aに不要波が伝搬し難い。よって、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bにおいて生じる不要波の結合を抑制することができる。
さらに、第3の実施形態と同様に、配線電極49は複数の段差部49dを有する。より具体的には、本実施形態では、第1の配線電極部49a及び第2の配線電極部49bのそれぞれに段差部49dが設けられている。第1の配線電極部49a上及び第2の配線電極部49b上の間にも段差部49dが設けられている。配線電極49における、段差部49dによって接続された部分同士の厚みは、互いに異なる。これにより、配線電極49においては、不要波の伝搬の態様が一様ではない。従って、不要波を効果的に抑制することができる。配線電極49における、絶縁層3に接触している部分の面積を大きくすることもでき、放熱性を高めることができる。
図9は、第5の実施形態に係る弾性波装置の、各励振電極を通る断面を示す模式的正面断面図である。図10は、第5の実施形態に係る弾性波装置の、配線電極を通る断面を示す模式的正面断面図である。
図9に示すように、本実施形態は、音響反射部としての空洞部52の構成が第1の実施形態と異なる。より具体的には、第1の励振領域A1及び第2の励振領域A2の双方が、平面視において、同じ1つの空洞部52と重なっている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様の構成を有する。
図10に示すように、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、第1の励振電極5及び第3の励振電極7がそれぞれ個別に設けられており、かつ配線電極9が第1の励振電極5及び第3の励振電極7を接続している。それによって、不要波を抑制することができ、かつ熱応力を抑制することができる。
加えて、空洞部52が1つであるため、複数の空洞部間の部分を設けることを要しない。よって、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bの間の距離を近づけることができる。さらに、第1の励振電極5及び第3の励振電極7は、配線電極9により接続されている。これにより、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bの間の距離を近づけても、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bにおいて生じた不要波が、互いに影響を与え合うことを抑制できる。従って、電気的特性の劣化を招かずして、弾性波装置の小型化を進めることができる。
図11は、第6の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
本実施形態は、音響反射部が、圧電性基板11に設けられた音響反射膜である点において第1の実施形態と異なる。より具体的には、本実施形態では、第1の音響反射部は第1の音響反射膜62Aである。第2の音響反射部は第2の音響反射膜62Bである。絶縁層3内に、第1の音響反射膜62A及び第2の音響反射膜62Bが設けられている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置10と同様の構成を有する。
第1の音響反射膜62A及び第2の音響反射膜62Bは、複数の音響インピーダンス層の積層体である。より具体的には、第1の音響反射膜62Aは、複数の低音響インピーダンス層と、複数の高音響インピーダンス層とを有する。低音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが低い層である。第1の音響反射膜62Aの複数の低音響インピーダンス層は、低音響インピーダンス層63a及び低音響インピーダンス層63bである。一方で、高音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが高い層である。第1の音響反射膜62Aの複数の高音響インピーダンス層は、高音響インピーダンス層64a及び高音響インピーダンス層64bである。低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層は交互に積層されている。
本実施形態においては、高音響インピーダンス層64aが、第1の音響反射膜62Aにおいて最も圧電体層4側に位置する層である。高音響インピーダンス層64a及び圧電体層4の間には、絶縁層3の一部が位置している。第2の音響反射膜62Bも、第1の音響反射膜62Aと同様に構成されている。
本実施形態では、絶縁層3の音響インピーダンスは、各高音響インピーダンス層の音響インピーダンスよりも低い。そのため、絶縁層3における、第1の音響反射膜62Aの高音響インピーダンス層64aと積層されている部分は、低音響インピーダンス層としての機能を果たす。よって、第1の励振電極5は、実質的には、音響反射膜に接している。同様に、第3の励振電極7は、実質的には、音響反射膜に接している。
なお、例えば第1の音響反射膜62Aにおいて、低音響インピーダンス層63aが、最も圧電体層4側に位置する層であってもよい。この場合には、第1の音響反射膜62A及び第1の励振電極5の間に、絶縁層3が設けられていないことが好ましい。第2の音響反射膜62Bにおいても同様である。
第1の音響反射膜62A及び第2の音響反射膜62Bは、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ2層ずつ有する。なお、第1の音響反射膜62A及び第2の音響反射膜62Bは、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ少なくとも1層ずつ有していればよい。第1の音響反射膜62Aにおける音響インピーダンス層の層数、及び第2の音響反射膜62Bにおける音響インピーダンス層の層数はそれぞれ、奇数層であってもよい。例えば、第1の音響反射膜62Aにおいて、2層の高音響インピーダンス層がそれぞれ最も外側の層であり、かつ最も外側の各高音響インピーダンス層と、低音響インピーダンス層としての機能を果たす絶縁層とが積層されていてもよい。第2の音響反射膜62Bにおいても同様である。
低音響インピーダンス層の材料としては、例えば、酸化ケイ素またはアルミニウムなどを用いることができる。絶縁層3が低音響インピーダンス層としての機能を果たす場合には、絶縁層3は、例えば酸化ケイ素からなる。高音響インピーダンス層の材料としては、例えば、白金またはタングステンなどの金属や、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素などの誘電体を用いることができる。
第1の音響反射膜62A及び第2の音響反射膜62Bが設けられていることにより、弾性波のエネルギーを圧電体層4側に効果的に閉じ込めることができる。加えて、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、第1の励振電極5及び第3の励振電極7がそれぞれ個別に設けられており、かつ配線電極9が第1の励振電極5及び第3の励振電極7を接続している。それによって、不要波を抑制することができ、かつ熱応力を抑制することができる。なお、第1の励振領域A1及び第2の励振領域A2の双方が、平面視において、同じ1つの音響反射膜と重なっていてもよい。
本発明に係る弾性波装置は、例えば、フィルタ装置であってもよい。この例を以下において示す。
図12は、第7の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。
弾性波装置70はラダー型フィルタである。弾性波装置70は、第1の信号端子72及び第2の信号端子73と、複数の共振子としての、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子とを有する。複数の共振子は、第1の弾性波共振子1Aと、第2の弾性波共振子1Bと、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1B以外の複数の共振子とを含む。本実施形態においては、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bは、第1の実施形態と同様の構成を有する。もっとも、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bの構成は上記に限定されず、第1の実施形態以外の実施形態などの、本発明における構成を有していてもよい。
弾性波装置70は送信フィルタである。第1の信号端子72から信号が入力される。第2の信号端子73から信号が出力される。第2の信号端子73は、本実施形態ではアンテナ端子である。アンテナ端子はアンテナに接続される。第1の信号端子72及び第2の信号端子73は、例えば、電極ランドとして構成されていてもよく、あるいは、配線として構成されていてもよい。なお、弾性波装置70は受信フィルタであってもよい。この場合、第1の信号端子72がアンテナ端子などであってもよい。
本実施形態の複数の直列腕共振子は、具体的には、第1の弾性波共振子1A、第2の弾性波共振子1B、直列腕共振子S3及び直列腕共振子S4である。第1の信号端子72及び第2の信号端子73の間に、直列腕共振子S3及び直列腕共振子S4が互いに直列に接続されている。第1の信号端子72及び直列腕共振子S3の間に、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bが互いに並列に接続されている。
一方で、本実施形態の複数の並列腕共振子は、具体的には、並列腕共振子P1及び並列腕共振子P2である。第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1B、並びに直列腕共振子S3の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子P1が接続されている。直列腕共振子S3及び直列腕共振子S4の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子P2が接続されている。なお、各並列腕共振子は、グラウンド端子に接続されている。グラウンド端子がグラウンド電位に接続される。
図3を援用して示すように、第1の実施形態と同様に、第1の弾性波共振子1Aの第1の励振電極5、及び第2の弾性波共振子1Bの第3の励振電極7はそれぞれ個別に設けられており、かつ配線電極9が第1の励振電極5及び第3の励振電極7を接続している。それによって、熱応力を抑制することができる。加えて、並列に接続された第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bにおいて生じる不要波の結合を抑制することができる。なお、配線電極9は、本実施形態においては、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bの出力側に接続されている。この場合、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bに入力された信号における不要波が、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bを通って結合されることも抑制することができる。
配線電極9は、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1B以外の共振子に接続されている。具体的には、配線電極9は、図12に示す直列腕共振子S3及び並列腕共振子P1に接続されている。上記のように、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bにおいて不要波の結合を抑制することができるため、直列腕共振子S3及び並列腕共振子P1に不要波が伝搬されることを抑制できる。従って、弾性波装置70のフィルタ特性の劣化を抑制することができる。
なお、弾性波装置70がフィルタ装置である場合の回路構成は上記に限定されない。弾性波装置70は、第1の弾性波共振子1Aと、第2の弾性波共振子1Bと、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1B以外の少なくとも1つの共振子とを有していればよい。例えば、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bは、並列腕共振子であってもよい。もっとも、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bが互いに並列に接続されていることが好ましい。この場合には、不要波の結合を好適に抑制することができる。
第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bの出力側の端部は、必ずしも他の共振子に接続されていなくともよい。例えば、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bの出力側の端部が、配線電極9により、信号端子としての、第1の信号端子72または第2の信号端子73に接続されていてもよい。あるいは、上記端部が、配線電極9により、グラウンド端子に接続されていてもよい。もっとも、本実施形態のように、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bの出力側の端部が、配線電極9により、他の共振子に接続されていることが好ましい。この場合には、上記のように、該他の共振子に不要波が伝搬されることを抑制できる。そのため、第1の励振電極5及び第3の励振電極7が配線電極9に接続された構成が特に好適である。
弾性波装置70は、共振子としての、縦結合共振子型弾性波フィルタを有していてもよい。この場合、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bは、縦結合共振子型弾性波フィルタに直接的または間接的に接続された、直列腕共振子または並列腕共振子であればよい。
なお、弾性波装置70においては、第1の弾性波共振子1Aと、第2の弾性波共振子1Bとが互いに並列に接続されている構成には限定されない。例えば、図13に示す第7の実施形態の変形例においては、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bは、他の素子を介さずに互いに直列に接続されている。なお、本変形例では、図1に示す第2の励振電極6が図13に示す第1の信号端子72に接続されている。第4の励振電極8が直列腕共振子S3及び並列腕共振子P1に接続されている。配線電極9が、第1の弾性波共振子1A及び第2の弾性波共振子1Bを接続している。本変形例においても、不要波を抑制することができ、かつ熱応力を抑制することができる。
以下において、本発明に係る弾性波装置の形態の例をまとめて記載する。
<1>互いに対向している第1の主面及び第2の主面を有する圧電体層を含む圧電性基板と、前記圧電体層の前記第1の主面に設けられている第1の励振電極、及び前記第2の主面に設けられている第2の励振電極と、を有する第1の弾性波共振子と、前記圧電性基板を前記第1の弾性波共振子と共有しており、前記圧電体層の前記第1の主面に設けられている第3の励振電極、及び前記第2の主面に設けられている第4の励振電極を有する第2の弾性波共振子と、前記圧電体層の前記第1の主面に設けられている配線電極と、を備え、前記第1の励振電極及び前記第2の励振電極が、前記圧電体層を挟み互いに対向しており、前記圧電体層における、前記第1の励振電極及び前記第2の励振電極に挟まれている領域が第1の励振領域であり、前記第3の励振電極及び前記第4の励振電極が、前記圧電体層を挟み互いに対向しており、前記圧電体層における、前記第3の励振電極及び前記第4の励振電極に挟まれている領域が第2の励振領域であり、前記圧電性基板に、平面視において前記第1の励振領域及び前記第2の励振領域と重なっている、少なくとも1つの音響反射部が設けられており、前記第1の励振電極及び前記第3の励振電極がそれぞれ個別に設けられており、かつ前記配線電極が前記第1の励振電極及び前記第3の励振電極を接続している、弾性波装置。
<2>前記圧電性基板が絶縁層を含み、前記圧電体層の前記第1の主面及び前記第2の主面のうち、前記第1の主面が前記絶縁層側に位置している、<1>に記載の弾性波装置。
<3>前記配線電極の厚みが、前記第1の励振電極の厚みより厚く、かつ前記第3の励振電極の厚みよりも厚い、<1>または<2>に記載の弾性波装置。
<4>前記配線電極が、前記第1の励振電極の前記音響反射部側の面及び前記第3の励振電極の前記音響反射部側の面に至っている、<3>に記載の弾性波装置。
<5>前記配線電極の厚みが、前記第1の励振電極の厚み以下であり、かつ前記第3の励振電極の厚み以下である、<1>または<2>に記載の弾性波装置。
<6>前記第1の励振電極及び前記第3の励振電極がそれぞれ、複数の電極層を有し、前記配線電極が、少なくとも、前記第1の励振電極の最も前記圧電体層側の前記電極層、及び前記第3の励振電極の最も前記圧電体層側の前記電極層を接続している、<5>に記載の弾性波装置。
<7>前記配線電極における、平面視において前記第1の励振電極及び前記第3の励振電極の間の部分と重なる部分に、段差部が設けられている、<1>~<6>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<8>前記配線電極が、互いに異なる材料からなる複数の配線電極部を有する、<1>~<7>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<9>前記音響反射部が、平面視において前記第1の励振領域と重なっている第1の音響反射部と、平面視において前記第2の励振領域と重なっている第2の音響反射部と、を有し、前記第1の音響反射部及び前記第2の音響反射部が、それぞれ個別に設けられている、<1>~<8>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<10>平面視において、前記配線電極と、前記第1の音響反射部及び前記第2の音響反射部とが重なっていない、<9>に記載の弾性波装置。
<11>1つの前記音響反射部が、平面視において、前記第1の励振領域及び前記第2の励振領域の双方と重なっている、<1>~<8>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<12>前記音響反射部が、前記圧電性基板に設けられている空洞部である、<1>~<11>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<13>前記音響反射部が、前記圧電性基板に設けられている音響反射膜である、<1>~<11>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<14>前記圧電体層の材料として、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム及び窒化アルミニウムのうちいずれかが用いられている、<1>~<13>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<15>前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子以外の少なくとも1つの共振子と、信号端子と、グラウンド端子と、をさらに備え、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子が互いに並列に接続されており、前記配線電極が、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子以外の前記共振子、前記信号端子並びに前記グラウンド端子のうちいずれかに接続されている、<1>~<14>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<16>前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子以外の少なくとも1つの共振子をさらに備え、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子が互いに直列に接続されている、<1>~<14>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
1A,1B…第1,第2の弾性波共振子
2…支持基板
3…絶縁層
4…圧電体層
4a,4b…第1,第2の主面
5~8…第1~第4の励振電極
5a~8a…第1の層
5b~8b…第2の層
9…配線電極
10…弾性波装置
11…圧電性基板
12A,12B…第1,第2の空洞部
19…配線電極
25,27…第1,第3の励振電極
25a,27a…第1の層
29,39…配線電極
39d…段差部
49…配線電極
49a,49b…第1,第2の配線電極部
49d…段差部
52…空洞部
62A,62B…第1,第2の音響反射膜
63a,63b…低音響インピーダンス層
64a,64b…高音響インピーダンス層
70…弾性波装置
72,73…第1,第2の信号端子
A1,A2…第1,第2の励振領域
P1,P2…並列腕共振子
S3,S4…直列腕共振子
2…支持基板
3…絶縁層
4…圧電体層
4a,4b…第1,第2の主面
5~8…第1~第4の励振電極
5a~8a…第1の層
5b~8b…第2の層
9…配線電極
10…弾性波装置
11…圧電性基板
12A,12B…第1,第2の空洞部
19…配線電極
25,27…第1,第3の励振電極
25a,27a…第1の層
29,39…配線電極
39d…段差部
49…配線電極
49a,49b…第1,第2の配線電極部
49d…段差部
52…空洞部
62A,62B…第1,第2の音響反射膜
63a,63b…低音響インピーダンス層
64a,64b…高音響インピーダンス層
70…弾性波装置
72,73…第1,第2の信号端子
A1,A2…第1,第2の励振領域
P1,P2…並列腕共振子
S3,S4…直列腕共振子
Claims (16)
- 互いに対向している第1の主面及び第2の主面を有する圧電体層を含む圧電性基板と、前記圧電体層の前記第1の主面に設けられている第1の励振電極、及び前記第2の主面に設けられている第2の励振電極と、を有する第1の弾性波共振子と、
前記圧電性基板を前記第1の弾性波共振子と共有しており、前記圧電体層の前記第1の主面に設けられている第3の励振電極、及び前記第2の主面に設けられている第4の励振電極を有する第2の弾性波共振子と、
前記圧電体層の前記第1の主面に設けられている配線電極と、
を備え、
前記第1の励振電極及び前記第2の励振電極が、前記圧電体層を挟み互いに対向しており、前記圧電体層における、前記第1の励振電極及び前記第2の励振電極に挟まれている領域が第1の励振領域であり、前記第3の励振電極及び前記第4の励振電極が、前記圧電体層を挟み互いに対向しており、前記圧電体層における、前記第3の励振電極及び前記第4の励振電極に挟まれている領域が第2の励振領域であり、
前記圧電性基板に、平面視において前記第1の励振領域及び前記第2の励振領域と重なっている、少なくとも1つの音響反射部が設けられており、
前記第1の励振電極及び前記第3の励振電極がそれぞれ個別に設けられており、かつ前記配線電極が前記第1の励振電極及び前記第3の励振電極を接続している、弾性波装置。 - 前記圧電性基板が絶縁層を含み、
前記圧電体層の前記第1の主面及び前記第2の主面のうち、前記第1の主面が前記絶縁層側に位置している、請求項1に記載の弾性波装置。 - 前記配線電極の厚みが、前記第1の励振電極の厚みより厚く、かつ前記第3の励振電極の厚みよりも厚い、請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 前記配線電極が、前記第1の励振電極の前記音響反射部側の面及び前記第3の励振電極の前記音響反射部側の面に至っている、請求項3に記載の弾性波装置。
- 前記配線電極の厚みが、前記第1の励振電極の厚み以下であり、かつ前記第3の励振電極の厚み以下である、請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 前記第1の励振電極及び前記第3の励振電極がそれぞれ、複数の電極層を有し、
前記配線電極が、少なくとも、前記第1の励振電極の最も前記圧電体層側の前記電極層、及び前記第3の励振電極の最も前記圧電体層側の前記電極層を接続している、請求項5に記載の弾性波装置。 - 前記配線電極における、平面視において前記第1の励振電極及び前記第3の励振電極の間の部分と重なる部分に、段差部が設けられている、請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記配線電極が、互いに異なる材料からなる複数の配線電極部を有する、請求項1~7のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記音響反射部が、平面視において前記第1の励振領域と重なっている第1の音響反射部と、平面視において前記第2の励振領域と重なっている第2の音響反射部と、を有し、
前記第1の音響反射部及び前記第2の音響反射部が、それぞれ個別に設けられている、請求項1~8のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 平面視において、前記配線電極と、前記第1の音響反射部及び前記第2の音響反射部とが重なっていない、請求項9に記載の弾性波装置。
- 1つの前記音響反射部が、平面視において、前記第1の励振領域及び前記第2の励振領域の双方と重なっている、請求項1~8のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記音響反射部が、前記圧電性基板に設けられている空洞部である、請求項1~11のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記音響反射部が、前記圧電性基板に設けられている音響反射膜である、請求項1~11のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電体層の材料として、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム及び窒化アルミニウムのうちいずれかが用いられている、請求項1~13のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子以外の少なくとも1つの共振子と、
信号端子と、
グラウンド端子と、
をさらに備え、
前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子が互いに並列に接続されており、
前記配線電極が、前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子以外の前記共振子、前記信号端子並びに前記グラウンド端子のうちいずれかに接続されている、請求項1~14のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子以外の少なくとも1つの共振子をさらに備え、
前記第1の弾性波共振子及び前記第2の弾性波共振子が互いに直列に接続されている、請求項1~14のいずれか1項に記載の弾性波装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022-100350 | 2022-06-22 | ||
JP2022100350 | 2022-06-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2023248558A1 true WO2023248558A1 (ja) | 2023-12-28 |
Family
ID=89379459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2023/010082 WO2023248558A1 (ja) | 2022-06-22 | 2023-03-15 | 弾性波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
WO (1) | WO2023248558A1 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005110230A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜バルク音響共振器、その製造方法、フィルタ、複合電子部品および通信機器 |
JP2005333619A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-12-02 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器及びその製造方法 |
JP2006246451A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-09-14 | Kyocera Corp | 薄膜バルク音響波共振子およびフィルタならびに通信装置 |
JP2007235304A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品とその製造方法およびそれを用いた通信機器 |
JP2007306210A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Ngk Insulators Ltd | 圧電薄膜デバイス |
JP2008066792A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電薄膜共振器および圧電フィルタ装置 |
WO2013031650A1 (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
WO2021200677A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
-
2023
- 2023-03-15 WO PCT/JP2023/010082 patent/WO2023248558A1/ja unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005110230A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜バルク音響共振器、その製造方法、フィルタ、複合電子部品および通信機器 |
JP2005333619A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-12-02 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器及びその製造方法 |
JP2006246451A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-09-14 | Kyocera Corp | 薄膜バルク音響波共振子およびフィルタならびに通信装置 |
JP2007235304A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品とその製造方法およびそれを用いた通信機器 |
JP2007306210A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Ngk Insulators Ltd | 圧電薄膜デバイス |
JP2008066792A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電薄膜共振器および圧電フィルタ装置 |
WO2013031650A1 (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
WO2021200677A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11509281B2 (en) | Acoustic wave device | |
JP7037336B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
CN100474766C (zh) | 压电薄膜谐振器以及使用其的滤波器 | |
JP2005057332A (ja) | フィルタ装置およびそれを用いた分波器 | |
US20220216846A1 (en) | Acoustic wave device | |
US11799443B2 (en) | Acoustic wave device | |
JP2018006919A (ja) | 弾性波デバイス | |
US20230336143A1 (en) | Acoustic wave device | |
US10177740B2 (en) | Ladder filter and duplexer | |
US20230143242A1 (en) | Filter | |
WO2023248558A1 (ja) | 弾性波装置 | |
JP2018101964A (ja) | 弾性波デバイス | |
US20220416757A1 (en) | Acoustic wave device, filter and multiplexer | |
US11309866B2 (en) | Acoustic wave device and method for manufacturing acoustic wave device | |
JP2014099779A (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
WO2023238473A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
WO2024043343A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2022209860A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2022210941A1 (ja) | 弾性波装置 | |
US20240171152A1 (en) | Acoustic wave device | |
US20240154601A1 (en) | Acoustic wave device and method of manufacturing the same | |
US20230170878A1 (en) | Filter | |
WO2023100670A1 (ja) | フィルタ装置 | |
US11751480B2 (en) | Electronic device | |
WO2022211029A1 (ja) | 弾性波装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 23826747 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |