WO2018154879A1 - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents

電子装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018154879A1
WO2018154879A1 PCT/JP2017/041269 JP2017041269W WO2018154879A1 WO 2018154879 A1 WO2018154879 A1 WO 2018154879A1 JP 2017041269 W JP2017041269 W JP 2017041269W WO 2018154879 A1 WO2018154879 A1 WO 2018154879A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
resin
electronic component
molded body
resin member
resin molded
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/041269
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
若浩 川井
Original Assignee
オムロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by オムロン株式会社 filed Critical オムロン株式会社
Priority to US16/464,704 priority Critical patent/US10618206B2/en
Priority to EP17897410.1A priority patent/EP3589089B1/en
Priority to CN201780072787.4A priority patent/CN110024493B/zh
Publication of WO2018154879A1 publication Critical patent/WO2018154879A1/ja

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14647—Making flat card-like articles with an incorporated IC or chip module, e.g. IC or chip cards
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14827—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles using a transfer foil detachable from the insert
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
    • H01C1/034—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the housing or enclosure being formed as coating or mould without outer sheath
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/006—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
    • H01G13/003—Apparatus or processes for encapsulating capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/10—Housing; Encapsulation
    • H01G2/103—Sealings, e.g. for lead-in wires; Covers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3185—Partial encapsulation or coating the coating covering also the sidewalls of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/0053—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping
    • B29C2045/0079—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping applying a coating or covering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C2045/1486—Details, accessories and auxiliary operations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/0053—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0231—Manufacturing methods of the redistribution layers
    • H01L2224/02311—Additive methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0235—Shape of the redistribution layers
    • H01L2224/02351—Shape of the redistribution layers comprising interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
    • H01L2224/02379—Fan-out arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Definitions

  • This technology relates to an electronic device in which an electronic component is embedded in a resin molded body and a manufacturing method thereof.
  • Such electronic devices include passive components (resistors, capacitors, etc.), active components (LSI (Large-Scale Integration), IC (Integrated Circuit), etc.), power supply devices (batteries, etc.), display devices (LED (Light Emitting Diode) etc.) and other electronic components (sensors, switches, etc.) are built on the printed circuit board.
  • a printed circuit board is obtained by etching a copper foil laminated on an epoxy resin board (glass epoxy board) reinforced with glass fibers or on a polyimide sheet (flexible printed board). It is manufactured by a method of forming a wiring circuit.
  • an electronic component is mounted on the wiring circuit on the substrate by using solder, a conductive adhesive, a metal wire or the like.
  • a conventional printed circuit board in which a wiring circuit is formed by etching a copper foil laminated on a glass epoxy board or a flexible printed board has high costs such as material costs and processing costs.
  • the environmental impact of the waste liquid from the etching process is also large.
  • JP-A-7-66570 (Patent Document 1), JP-A-2004-111502 (Patent Document 2) and JP-A-2010-272756 (Patent Document 3) do not require such a printed circuit board.
  • a technique for realizing an electronic device is disclosed. Specifically, a technique is disclosed in which an electronic component is embedded in a resin molded body so that the electrode is exposed, and a wiring connected to the electrode is formed in the resin molded body.
  • the metal constituting the electrode and the resin molded body generally have different coefficients of thermal expansion. For this reason, when the shape change of expansion or contraction occurs in the resin molded body, a crack may occur between the resin molded body and the metal electrode, and a break may occur at a location overlapping the crack in the wiring.
  • Patent Document 4 discloses a technique in which a groove is formed around an electronic component in a resin molded body and wiring is provided so as to pass through the groove. Is disclosed.
  • FIG. 5A is a plan view showing a circuit structure 100 disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2016-201521.
  • FIG. 5B shows an arrow cross-sectional view along the line XX of FIG. 5A.
  • the circuit structure 100 includes an electronic component 110, a resin molded body 120 in which the electronic component 110 is embedded, and wirings 140 and 141 connected to the electrodes 111 and 112 of the electronic component 110, respectively.
  • a groove 130 is formed around the electronic component 110 in the resin molded body 120.
  • the wirings 140 and 141 are formed by applying liquid conductive ink so as to pass through the groove 130. Thereby, even if expansion
  • FIG. 6A is a plan view showing the circuit structure 100 in which a groove 130 larger than an appropriate size is formed.
  • FIG. 6B shows a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 6A.
  • the present invention has been made paying attention to the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide an electronic device in which the wiring connected to the electronic component embedded in the resin molded body is unlikely to break, and a manufacturing method thereof.
  • the electronic device is exposed from the resin molded body, interposed between the resin molded body and the electronic component, an electronic component having an electrode, a resin molded body in which the electronic component is embedded so that the electrode is exposed And a wiring formed on the resin molded body and the resin member and connected to the electrode.
  • the thermal expansion coefficient of the resin member is smaller than the thermal expansion coefficient of the resin molded body and larger than the thermal expansion coefficient of the electrode.
  • the bending elastic modulus of the resin member is 1300 MPa or less.
  • the resin member has a void inside.
  • the electronic device further includes a conductive path formed in the gap and connected to the wiring and the electrode.
  • the method for manufacturing an electronic device described above includes disposing an electronic component on a sheet having an adhesive liquid layer applied on the surface, and wetting the liquid layer along the side surface of the electronic component, A first step of forming a wet-up portion around the part, a second step of curing the wet-up portion to form a resin member, and after forming the resin member, a resin material is applied to the arrangement surface of the electronic component on the sheet A third step of injecting and molding the resin molded body; a fourth step of peeling the sheet from the resin molded body so that the resin member remains between the resin molded body and the electronic component; and the resin molded body and the resin And a fifth step of forming wiring on the member.
  • the liquid layer contains a volatile substance
  • the volatile substance is volatilized to form a void inside the resin member.
  • a conductive path connected to the wiring and the electrode is formed inside the resin member by infiltrating the conductive material constituting the wiring into the gap.
  • the method for manufacturing an electronic device described above includes disposing an electronic component on a sheet having an adhesive liquid layer applied on the surface, and wetting the liquid layer along the side surface of the electronic component, A first step of forming a wet-up portion around the component, a second step of curing the wet-up portion, and a resin in which the electronic component is embedded by injecting the first resin material onto the electronic component placement surface of the sheet A third step of molding the molded body, and a fourth step of forming a groove according to the shape of the wetted portion around the electronic component in the resin molded body by peeling the sheet and the wetted portion from the resin molded body.
  • the fifth step of supplying the second resin material so as to fill the groove and curing the second resin material to form the resin member, and the sixth step of forming the wiring on the resin molded body and the resin member Prepare.
  • the second resin material contains a volatile substance, and when the second resin material is cured in the fifth step, the volatile substance is volatilized to form a void inside the resin member.
  • a conductive path connecting the wiring and the electrode is formed inside the resin member by infiltrating the conductive material constituting the wiring into the gap.
  • FIG. 1 is a plan view illustrating a schematic configuration of an electronic device according to a first embodiment.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. 1A.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing the electronic device according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an electronic device according to a second embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the manufacturing method of the electronic device according to the third embodiment. It is a top view which shows the conventional circuit structure.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. 5A. It is a top view which shows the circuit structure in which the groove
  • FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. 6A.
  • FIG. 1A is a plan view showing a schematic configuration of electronic apparatus 1 according to Embodiment 1.
  • FIG. 1B shows a cross-sectional view taken along line XX in FIG. 1A.
  • 1A and 1B show a part of the electronic apparatus 1 that shows the periphery of one electronic component 10.
  • the electronic device 1 includes an electronic component 10, a resin molded body 20, a resin member 30, and wirings 40 and 41.
  • the electronic component 10 is a component selected from passive components (such as resistors and capacitors), active components (such as LSI and IC), power supply devices (such as batteries), display devices (such as LEDs), sensors, and switches.
  • passive components such as resistors and capacitors
  • active components such as LSI and IC
  • power supply devices such as batteries
  • display devices such as LEDs
  • switches a chip-type electronic component 10 having the electrodes 11 and 12 will be described as an example.
  • the number of electronic components 10 included in the electronic device 1 is not limited to one, and may be plural.
  • the type of the electronic component 10 is not limited to a specific type.
  • the electrodes 11 and 12 of the electronic component 10 are mainly composed of, for example, copper (thermal expansion coefficient 1.7 ⁇ 10 ⁇ 5 / K) or silver (thermal expansion coefficient 1.9 ⁇ 10 ⁇ 5 / K), nickel plating and Constructed with tin plating.
  • the resin molded body 20 is plate-shaped, and is polycarbonate (PC) (thermal expansion coefficient 5.6 ⁇ 10 ⁇ 5 / K) or acrylonitrile butadiene styrene (ABS) (thermal expansion coefficient 6 to 13 ⁇ 10 ⁇ 5 / K). It consists of resin.
  • PC polycarbonate
  • ABS acrylonitrile butadiene styrene
  • the shape of the resin molding 20 is not specifically limited.
  • the material of the resin molded body 20 may be another type of resin.
  • the resin molded body 20 embeds and fixes the electronic component 10 at a position away from the end of the upper surface 21 by a predetermined distance (a distance larger than the width of the resin member 30 described later).
  • the resin molded body 20 embeds the electronic component 10 so that the electrodes 11 and 12 are exposed from the upper surface 21.
  • the resin member 30 is formed around the electronic component 10 and is interposed between the electronic component 10 and the resin molded body 20.
  • the resin member 30 is exposed from the upper surface 21 of the resin molded body 20.
  • the upper surface 31 of the resin member 30 is substantially flush with the surfaces of the electrodes 11 and 12 exposed from the resin molded body 20 in the electronic component 10 and the upper surface 21 of the resin molded body 20.
  • the upper surface 31, the surfaces of the electrodes 11 and 12, and the upper surface 21 are substantially in the same plane, the step between the upper surface 31 and the surfaces of the electrodes 11 and 12, and the upper surface 31 and the upper surface 21. This means that the level difference with the surface 21 is smaller than a predetermined value so that the wirings 40 and 41 formed thereon are not cut.
  • the resin material constituting the resin member 30 is not particularly limited, and is made of a material appropriately selected according to the product to which the electronic device 1 is applied and the environment around the electronic device 1. For example, when the electronic device 1 is used in an environment where the temperature change is severe, the resin member 30 has a heat smaller than the thermal expansion coefficient of the resin molded body 20 and larger than the thermal expansion coefficient of the electrodes 11 and 12. It is preferable to be comprised with the resin material which has an expansion coefficient.
  • the resin member 30 is made of an epoxy-based or melamine-based resin material having a large thermal expansion coefficient of 3 to 5 ⁇ 10 ⁇ 5 / K.
  • the resin member 30 is an elastomer having a flexural modulus of 20 to 1300 MPa (for example, a polyester-based, styrene-based, olefin-based elastomer) or It is preferably composed of urethane acrylate or the like.
  • the flexural modulus is measured according to JIS K7171.
  • the wirings 40 and 41 are formed on the upper surface 21 of the resin molded body 20 and the upper surface 31 of the resin member 30, and are connected to the electrodes 11 and 12 of the electronic component 10, respectively.
  • the wiring 40 is connected to the electrode 11 in a form that passes through the upper surface 31 of the resin member 30, and the wiring 41 is connected to the electrode 12 in a form that passes through the upper surface 31 of the resin member 30.
  • the other ends of the wirings 40 and 41 are connected to electrodes of other electronic components (not shown) in the electronic device 1, for example. Thereby, the electronic component 10 is electrically and functionally connected to other electronic components.
  • Wirings 40 and 41 can be easily formed by ejecting liquid conductive ink (for example, silver (Ag) nano ink) using, for example, an ink jet printing method.
  • the ink jet printing method is a printing method in which liquid ink is ejected from nozzles and ink is deposited on the ejection target surface.
  • the wirings 40 and 41 may be made of a material other than Ag, or may be formed by other methods, and the thickness and thickness are not particularly limited.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining an example of a method of manufacturing the electronic device 1 according to the first embodiment.
  • seat 50 for temporarily fixing the electronic component 10 is prepared as FIG. 2 (a) shows.
  • the sheet 50 is preferably made of a material having transparency capable of transmitting ultraviolet rays and flexibility to ensure a process at the time of peeling described later.
  • a material having transparency capable of transmitting ultraviolet rays and flexibility to ensure a process at the time of peeling described later for example, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate Phthalate (PEN), polyphenylene sulfide (PPS), or the like can be used.
  • the sheet 50 is, for example, a PET sheet having a thickness of 50 ⁇ m.
  • the adhesive liquid layer 60 is applied to one side of the sheet 50.
  • the liquid layer 60 preferably has a short curing time.
  • an ultraviolet curable adhesive can be used.
  • the ultraviolet curable adhesive is cured when irradiated with ultraviolet rays, and bonds the sheet 50 and the electronic component 10 together. Therefore, when ultraviolet rays are irradiated from the surface on which the adhesive is applied, the electronic component 10 itself becomes a barrier that prevents the adhesive from being irradiated with ultraviolet rays, and curing (adhesion) may be insufficient. There is sex.
  • the sheet 50 is made of a material that transmits ultraviolet rays, and the adhesive is sufficiently cured by irradiating ultraviolet rays from the surface of the sheet 50 where the adhesive is not applied, so that the electronic component 10 can be reliably secured in a short time. Fix to 50.
  • the liquid layer 60 in this embodiment is, for example, urethane acrylate having a flexural modulus of 47 MPa.
  • the electronic component 10 is positioned and arranged on the surface of the sheet 50 on which the liquid layer 60 is applied. Specifically, the electronic component 10 is disposed at a position corresponding to a position away from the end of the upper surface 21 of the resin molded body 20 on the sheet 50 by a predetermined distance. At this time, the liquid layer 60 wets the side surface of the electronic component 10 by its surface tension. Thereby, the wet-up portion 61 is formed around the electronic component 10.
  • the shape (width and height) of the wet-up portion 61 is determined according to the shape, size, and material of the electronic component 10, the material of the liquid layer 60, and the surface tension. If the surface tension of the liquid layer 60 is adjusted, the wet-up portion 61 having a desired height can be formed.
  • (Iii) Injection molding process After the electronic component 10 is temporarily fixed to the sheet 50, the sheet 50 is placed inside the mold.
  • This mold is a mold for injection molding the resin molded body 20 in which the electronic component 10 is embedded.
  • the sheet 50 is placed inside the mold so that the back surface of the sheet 50 on which the electronic component 10 is temporarily fixed comes in contact with the inner surface of the mold.
  • a resin material such as ABS is injected under conditions of a mold temperature of 80 ° C., an injection resin temperature of 180 ° C., and an injection pressure of 20 kg / cm 2 .
  • FIG. 2C the resin molded body 20 in which the electronic component 10 and the wet-up portion 61 are embedded is molded.
  • wirings 40 and 41 connected to the electrodes 11 and 12 exposed from the surface of the resin molded body 20 are connected to the upper surface 21 of the resin molded body 20. And formed on the upper surface 31 of the resin member 30.
  • the wirings 40 and 41 are formed by using a method (for example, an ink jet printing method) of ejecting liquid conductive ink (for example, silver nano ink) that is a material of the wirings 40 and 41.
  • the inkjet head is moved so that the jet port of the inkjet head passes over the resin member 30. Thereby, the wirings 40 and 41 are formed so as to pass through the resin member 30.
  • the wirings 40 and 41 are formed so as to continuously cover the upper surface 21 of the resin molded body 20 and the upper surface 31 of the resin member 30.
  • the electronic device 1 in which the electronic component 10 is embedded in the resin molded body 20 is completed.
  • the wirings 40 and 41 may be formed using a screen printing method or a dispenser method instead of the ink jet printing method. Further, in the electronic device 1, a resist layer that covers the wirings 40 and 41 may be formed.
  • the electronic device 1 includes the electronic component 10 having the electrodes 11 and 12, the resin molded body 20 in which the electronic component 10 is embedded so that the electrodes 11 and 12 are exposed, and the resin molding.
  • a resin member 30 interposed between the body 20 and the electronic component 10 and exposed from the resin molded body 20, and wirings 40 formed on the resin molded body 20 and the resin member 30 and connected to the electrodes 11 and 12, respectively. 41.
  • the wires 40 and 41 pass through the resin member 30 and are connected to the electrodes 11 and 12. Due to the presence of the resin member 30, disconnection of the wirings 40 and 41 can be suppressed as compared with a case where a large groove is formed between the resin molded body 20 and the electronic component 10.
  • the thermal expansion coefficient of the resin member 30 is smaller than the thermal expansion coefficient of the resin molded body 20 and larger than the thermal expansion coefficient of the electrodes 11 and 12.
  • the wiring 40 is formed by the resin member 30 interposed between the resin molded body 20 and the electronic component 10. , 41 is dispersed. As a result, occurrence of disconnection of the wirings 40 and 41 can be made difficult to occur.
  • the bending elastic modulus of the resin member 30 is preferably 1300 MPa or less. Even when a mechanical load is applied to the electronic apparatus 1 to widen the space between the resin molded body 20 and the electronic component 10 because the bending elastic modulus is 1300 MPa or less, the resin member 30 is formed of the resin molded body 20. And the stress applied to the wirings 40 and 41 is dispersed. As a result, occurrence of disconnection of the wirings 40 and 41 can be made difficult to occur. Furthermore, it is preferable that the bending elastic modulus of the resin member 30 is 20 MPa or more.
  • the flexural modulus is less than 20 MPa, the hardness (hardness) of the resin member 30 becomes too small, and defects such as cracks are likely to occur in the wirings 40 and 41 formed on the surface. However, the occurrence of such defects can be suppressed by setting the flexural modulus of the resin member 30 to 20 MPa or more.
  • the manufacturing method of the electronic device 1 according to the first embodiment includes a wet-up portion forming step (first step), a wet-up portion curing step (second step), an injection molding step (third step), and a peeling step. (Fourth step) and a wiring formation step (fifth step).
  • first step a wet-up portion forming step
  • second step a wet-up portion curing step
  • third step an injection molding step
  • a peeling step a peeling step.
  • a wiring formation step a wiring formation step
  • the wet-up portion forming step the electronic component 10 having the electrodes 11 and 12 is disposed on the sheet 50 having the adhesive liquid layer 60 applied on the surface, and the liquid layer 60 is wetted along the side surface of the electronic component 10.
  • the wet-up portion 61 is formed around the electronic component 10.
  • the wetting-up portion curing step the wetting-up portion 61 is cured to form the resin member 30.
  • a resin material is injected onto the arrangement surface of the electronic component 10 in the sheet 50 to mold the resin molded body 20 in which the electronic component 10 is embedded.
  • the peeling step the sheet 50 is peeled from the resin molded body 20 so that the resin member 30 remains between the resin molded body 20 and the electronic component 10.
  • wiring formation step wirings 40 and 41 connected to the electrodes 11 and 12 are formed on the resin molded body 20 and the resin member 30.
  • the electronic device 1 in which the resin member 30 is interposed between the resin molded body 20 and the electronic component 10 is easily manufactured.
  • the wirings 40 and 41 pass through the resin member 30 and are connected to the electrodes 11 and 12. Due to the presence of the resin member 30, disconnection of the wirings 40 and 41 can be suppressed as compared with a case where a large groove is formed between the resin molded body 20 and the electronic component 10.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an electronic device 1a according to the second embodiment.
  • the electronic device 1 a includes a resin member 32 instead of the resin member 30 and also includes a large number of conductive paths 42 and 43 formed in the voids inside the resin member 32. This is different from the electronic device 1 according to the first embodiment.
  • the resin member 32 is a porous resin body having a large number of voids inside.
  • the void includes a hole and a crack in the resin member 32.
  • the formation method of the resin member 32 is the same as the formation method of the resin member 30 in the first embodiment (see FIGS. 2A to 2C).
  • an adhesive material containing a volatile liquid is used as the liquid layer applied to the sheet 50, and heat treatment is performed when the liquid layer is photocured to volatilize the volatile liquid.
  • a liquid that volatilizes by the heat treatment for example, vinyl ether
  • liquid layer for example, an ink material blended so as to be 30% by mass of an epoxy resin, 50% by mass of a vinyl ether compound, 10% by mass of an ionic liquid, and the remaining 10% by mass is used.
  • the balance includes a cationic photopolymerization initiator and a stabilizer.
  • An ionic liquid is a non-polymeric substance which consists of an anion and a cation and is a liquid at normal temperature (for example, 25 degreeC).
  • the cation include cyclic amidine ions such as imidazolium ions, pyridinium ions, ammonium ions, sulfonium ions, and phosphonium ions.
  • Anions include C n H 2n + 1 COO ⁇ , C n F 2n + 1 COO ⁇ , NO 3 ⁇ , C n F 2n + 1 SO 3 ⁇ , (C n F 2n + 1 SO 2 ) 2 N ⁇ , (C n F 2n + 1 SO 2 ) 3 C -, PO 4 2- , AlCl 4 -, Al 2 Cl 7 -, ClO 4 -, BF 4 -, PF 6 -, AsF 6 -, SbF 6 - , and the like.
  • cationic photopolymerization initiator known materials can be used.
  • sulfonium salt salt of sulfonium ion and anion
  • iodonium salt salt of iodonium ion and anion
  • selenium salt selenium salt
  • an ammonium salt a salt of an ammonium ion and an anion
  • a phosphonium salt a salt of a phosphonium ion and an anion
  • a salt of a transition metal complex ion and an anion and the like.
  • Resin member 32 is formed in raised portion 61 and has a large number of voids.
  • the conductive paths 42 and 43 are formed in the gaps in the resin member 32.
  • the conductive path 42 is connected to the wiring 40 and the electrode 11.
  • the conductive path 43 is connected to the wiring 41 and the electrode 12.
  • the conductive paths 42 and 43 are formed simultaneously with the wirings 40 and 41. Specifically, in a process similar to the (v) wiring formation process of the first embodiment, liquid conductive ink is ejected onto the resin member 32 to form the wirings 40 and 41. At this time, a part of the conductive ink penetrates into the gap in the resin member 32 due to the capillary phenomenon, and reaches the electrode 11 or the electrode 12. Thereby, a conductive path 42 connected to the wiring 40 and the electrode 11 and a conductive path 43 connected to the wiring 41 and the electrode 12 are formed in the gap of the resin member 32.
  • the resin molded body 20 may undergo expansion or contraction due to some cause (thermal shock, change in ambient temperature, mechanical load, etc.), and cracks may occur in the wirings 40 and 41. At this time, even if the crack has progressed to a part of the resin member 32, the wiring 40 is formed by the conductive paths 42 and 43 that pass through the portion where the crack is not generated among the many conductive paths 42 and 43 in the resin member 32. , 41 and the electrodes 11, 12 are maintained. Thereby, the connection reliability of each of the wirings 40 and 41 and the electrodes 11 and 12 can be improved.
  • Embodiment 3 In Embodiment 1 described above, the resin interposed between the electronic component 10 and the resin molded body 20 by peeling the sheet 50 from the resin molded body 20 so as to leave the wet-up portion 61 on the resin molded body 20 side. Member 30 was formed. On the other hand, in the third embodiment, the resin member 30 is formed so as to fill the groove around the electronic component 10 formed by peeling the sheet 50 from the resin molded body 20 together with the wet-up portion 61.
  • the electronic device according to the third embodiment has the same configuration as the electronic device 1 according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing the electronic device according to the third embodiment.
  • the electronic component 10 and the wet-up portion are obtained by performing the (i) wet-up portion forming step to (iii) injection molding step of the first embodiment.
  • a resin molded body 20 in which 61 is embedded is molded.
  • the adhesive force with the sheet 50 is stronger than the material of the first embodiment, and the adhesive force with the resin molded body 20 is the embodiment.
  • a material weaker than one material is selected.
  • the resin material of the resin member 30 the material of the liquid layer 60 of the first embodiment can be used.
  • the resin material is supplied to the groove 70 using an ink jet printing method in the same manner as in the (iv) wiring forming process of the first embodiment, and is cured by ultraviolet irradiation or heat treatment.
  • the resin member 30 may be formed so as to protrude from the groove 70, but is formed so as not to cover the entire electrodes 11 and 12.
  • the wirings 40 and 41 connected to the electrodes 11 and 12 exposed from the surface of the resin molded body 20 are connected to the upper surface 21 of the resin molded body 20 and the resin member 30. Form on top. Since this step is the same as the (v) wiring formation step of the first embodiment, detailed description thereof is omitted.
  • the manufacturing method of the electronic device includes the peeling in addition to the (i) wet-up portion forming step to (iii) injection molding step and (v) wiring forming step of the first embodiment.
  • a process and a resin member forming process In the peeling step, the sheet 50 and the wet-up portion 61 are peeled from the resin molded body 20, thereby forming a groove 70 corresponding to the shape of the wet-up portion 61 around the electronic component 10 in the resin molded body 20.
  • the resin member forming step the resin member 30 is formed so as to fill the groove 70. Thereby, the resin member 30 is interposed between the resin molded body 20 and the electronic component 10, and an electronic device including the wirings 40 and 41 formed so as to pass through the resin member 30 can be easily manufactured.
  • a material containing a volatile substance may be used as the resin material supplied to the groove 70 around the electronic component 10 as in the liquid layer of the second embodiment.
  • the resin member 32 which has a space
  • the conductive material constituting the wirings 40 and 41 is infiltrated into the gap, so that the conductive path 42 connected to the wiring 40 and the electrode 11, the wiring 41 and the electrode inside the resin member 32. 12 can be formed.
  • 1, 1a electronic device 10 110 electronic parts 11, 12, 111, 112 electrodes, 20, 120 resin molded body, 21, 31 upper surface, 30, 32 resin members, 40, 41, 140, 140a, 140b, 141, 141a, 141b wiring, 42, 43 conductive path, 44, 45, 142, 143 recess, 50 sheet, 60 liquid layer, 61 wetting part, 70, 130 groove, 100 circuit structure, 144, 145 thin wire part, 146 Short circuit.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

電子装置（１）は、電極（１１，１２）を有する電子部品（１０）と、電極（１１，１２）が露出するように電子部品（１０）を埋設する樹脂成形体（２０）と、樹脂成形体（２０）と電子部品（１０）との間に介在し、樹脂成形体（２０）から露出する樹脂部材（３０）と、樹脂成形体（２０）および樹脂部材（３０）の上に形成され、電極（１１，１２）とそれぞれ接続する配線（４０，４１）とを備える。これにより、樹脂成形体に埋設された電子部品に接続する配線の断線が生じ難くなる。

Description

電子装置およびその製造方法
　本技術は、電子部品が樹脂成形体に埋設された電子装置およびその製造方法に関する。
　近年、携帯用電子機器、小型センサ、または健康機器（電子体温計、血圧計など）を、薄型、軽量、小型、かつ高耐水性のウエアラブルな製品として低コストで実現する需要が高まっている。
　通常、このような電子機器は、受動部品（抵抗、コンデンサ等）、能動部品（ＬＳＩ（Large-Scale　Integration）、ＩＣ（Integrated　Circuit）等）、電源装置（電池等）、表示装置（ＬＥＤ（Light　Emitting　Diode）等）、その他の電子部品（センサ、スイッチ等）を、プリント回路基板上に実装することによって構築されている。従来、このようなプリント回路基板は、ガラス繊維によって強化されたエポキシ樹脂製の板（ガラスエポキシ基板）上、またはポリイミド製のシート（フレキシブルプリント基板）上に積層された銅箔をエッチングすることによって配線回路を形成する方法によって製造される。さらに、この基板上の配線回路に、はんだ、導電性接着剤、または金属ワイヤ等を用いることによって、電子部品が実装される。
　しかし、ガラスエポキシ基板またはフレキシブルプリント基板に積層された銅箔をエッチングすることによって配線回路が形成される従来のプリント回路基板は、材料費および加工費等のコストが高い。エッチング加工による廃液が環境に与える負荷も大きい。さらに、はんだ、導電性接着剤、または金属ワイヤ等を用いた電子部品の実装にもコストがかかる。
　このようなプリント回路基板上に複数の電子部品を実装するためには、各電子部品間に一定距離以上のスペースを設ける必要があるので、基板自体が大型化する課題がある。さらに、プリント基板を樹脂製筐体などの構造部品に取り付ける際、基板－構造部品間にある程度のスペースを要するので、製品の厚みが増したり、あるいは製品の小型化に限界が生じたりする。
　以上のように、電子機器の薄型、小型化、および低コスト化を実現するためには、従来の常用されていたプリント回路基板を使わずに済む電子部品の組み立て方法が必要である。
　特開平７－６６５７０号公報（特許文献１）、特開２００４－１１１５０２号公報（特許文献２）および特開２０１０－２７２７５６号公報（特許文献３）には、このようなプリント回路基板を不要とする電子機器を実現するための技術が開示されている。具体的には、電子部品を電極が露出するように樹脂成形体に埋設し、電極に接続する配線を樹脂成形体に形成する技術が開示されている。しかしながら、電極を構成する金属と樹脂成形体とは一般に互いに異なる熱膨張率を有する。そのため、膨張または収縮の形状変化が樹脂成形体に生じると、樹脂成形体と金属製の電極との間に亀裂が生じ、配線における当該亀裂に重畳する箇所に断線が生じる可能性がある。
　こうした従来の課題を解決する方法として、特開２０１６－２０１５２１号公報（特許文献４）には、樹脂成形体における電子部品の周囲に溝を形成し、溝内を通過するように配線を設ける技術が開示されている。
　図５Ａは、特開２０１６－２０１５２１号公報に開示されている回路構造体１００を示す平面図である。図５Ｂは、図５ＡのＸ－Ｘ線に沿った矢視断面図が示される。回路構造体１００は、電子部品１１０と、電子部品１１０を埋設する樹脂成形体１２０と、電子部品１１０の電極１１１，１１２にそれぞれ接続された配線１４０，１４１とを備える。樹脂成形体１２０における電子部品１１０の周囲に溝１３０が形成される。配線１４０，１４１は、溝１３０内を通過するように液体状の導電インクを塗布して形成される。これにより、樹脂成形体１２０における配線１４０，１４１の下部に膨張が生じても、それに追随して溝１３０が広がる。このとき、配線１４０，１４１に形成された凹部１４２，１４３が広がる。これにより配線の断線発生を生じ難くすることができる。
特開平７－６６５７０号公報 特開２００４－１１１５０２号公報 特開２０１０－２７２７５６号公報 特開２０１６－２０１５２１号公報
　しかしながら、特開２０１６－２０１５２１号公報に開示されている回路構造体１００では、溝１３０が適正なサイズより大きくなってしまうと、以下の問題が生じる。
　図６Ａは、適正なサイズよりも大きい溝１３０が形成された回路構造体１００を示す平面図である。図６Ｂは、図６ＡのＸ－Ｘ線に沿った矢視断面図が示される。溝１３０が大きくなると、溝１３０の底面と電子部品１１０の電極１１１，１１２との間の段差が大きくなり、溝１３０内の配線１４０ａと電極１１１上の配線１４０ｂとが断線する。同様に、溝１３０内の配線１４１ａと電極１１２上の配線１４１ｂとが断線する。さらに、溝１３０内の導電インクの流動によって、溝１３０を通過する配線１４０ａ，１４１ａに細線部１４４，１４５がそれぞれ生じ、断線が起こりやすくなる。これらの問題は、溝１３０に供給される導電インクの塗布量を多くすれば解消できるが、大量の導電インクが電子部品１１０周囲に沿って流れ、配線１４０，１４１を短絡させる短絡回路１４６が形成される可能性がある。
　本発明は、上記の問題点に着目してなされたもので、樹脂成形体に埋設された電子部品に接続する配線の断線が生じ難い電子装置およびその製造方法を提供することを目的としている。
　ある局面に従うと、電子装置は、電極を有する電子部品と、電極が露出するように電子部品を埋設する樹脂成形体と、樹脂成形体と電子部品との間に介在し、樹脂成形体から露出する樹脂部材と、樹脂成形体および樹脂部材の上に形成され、電極と接続する配線とを備える。
　好ましくは、樹脂部材の熱膨張率は、樹脂成形体の熱膨張率よりも小さく、かつ、電極の熱膨張率よりも大きい。
　好ましくは、樹脂部材の曲げ弾性率は、１３００ＭＰａ以下である。
　好ましくは、樹脂部材は、内部に空隙を有する。電子装置は、空隙内に形成され、配線と電極とに接続する導電路をさらに備える。
　別の局面に従うと、上記の電子装置の製造方法は、接着性の液状層が表面に塗布されたシート上に電子部品を配置し、電子部品の側面に沿った液状層の濡れ上がりによって、電子部品の周囲に濡れ上がり部を形成する第１工程と、濡れ上がり部を硬化させて樹脂部材を形成する第２工程と、樹脂部材を形成した後に、シートにおける電子部品の配置面に樹脂材料を射出して、樹脂成形体を成形する第３工程と、樹脂成形体と電子部品との間に樹脂部材が残るように、シートを樹脂成形体から剥離する第４工程と、樹脂成形体および樹脂部材の上に配線を形成する第５工程とを備える。
　好ましくは、液状層は揮発性物質を含み、第２工程において濡れ上がり部を硬化させるときに揮発性物質を揮発させることにより、樹脂部材の内部に空隙を形成する。第５工程において、配線を構成する導電材料を空隙内に浸透させることにより、樹脂部材の内部に配線と電極とに接続する導電路を形成する。
　別の局面に従うと、上記の電子装置の製造方法は、接着性の液状層が表面に塗布されたシート上に電子部品を配置し、電子部品の側面に沿った液状層の濡れ上がりによって、電子部品の周囲に濡れ上がり部を形成する第１工程と、濡れ上がり部を硬化させる第２工程と、シートにおける電子部品の配置面に第１樹脂材料を射出することにより、電子部品を埋設した樹脂成形体を成形する第３工程と、シートおよび濡れ上がり部を樹脂成形体から剥離することにより、樹脂成形体における電子部品の周囲に濡れ上がり部の形状に応じた溝を形成する第４工程と、溝を埋めるように第２樹脂材料を供給し、第２樹脂材料を硬化させて樹脂部材を形成する第５工程と、樹脂成形体および樹脂部材の上に配線を形成する第６工程とを備える。
　好ましくは、第２樹脂材料は揮発性物質を含み、第５工程において第２樹脂材料を硬化させるときに揮発性物質を揮発させることにより、樹脂部材の内部に空隙を形成する。第６工程において、配線を構成する導電材料を空隙内に浸透させることにより、樹脂部材の内部に配線と電極とに接続する導電路を形成する。
　本開示によれば、樹脂成形体に埋設された電子部品に接続する配線の断線が生じ難い。
実施の形態１に係る電子装置の概略的な構成を示す平面図である。 図１ＡのＸ－Ｘ線に沿った矢視断面図である。 実施の形態１に係る電子装置の製造方法の一例を説明する図である。 実施の形態２に係る電子装置を示す断面図である。 実施の形態３に係る電子装置の製造方法を説明するための図である。 従来の回路構造体を示す平面図である。 図５ＡのＸ－Ｘ線に沿った矢視断面図である。 適正なサイズよりも大きい溝が形成された回路構造体を示す平面図である。 図６ＡのＸ－Ｘ線に沿った矢視断面図である。
　本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中の同一または相当部分については、同一符号を付してその説明は繰返さない。また、以下で説明する各実施の形態または変形例は、適宜選択的に組み合わされてもよい。
　＜実施の形態１＞
　（電子装置の構造）
　図１Ａは、実施の形態１に係る電子装置１の概略的な構成を示す平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ－Ｘ線に沿った矢視断面図が示される。図１Ａ、図１Ｂには、電子装置１における、１つの電子部品１０の周辺を示す一部分が示される。
　図１Ａ、図１Ｂに示されるように、電子装置１は、電子部品１０と、樹脂成形体２０と、樹脂部材３０と、配線４０，４１とを備えている。
　電子部品１０は、受動部品（抵抗、コンデンサ等）、能動部品（ＬＳＩ、ＩＣ等）、電源装置（電池等）、表示装置（ＬＥＤ等）、センサ、スイッチ等から選択される部品である。以下では、電極１１，１２を有するチップ型の電子部品１０を例として説明する。図１Ａ、図１Ｂには、１つの電子部品１０のみが示されているが、電子装置１が備える電子部品１０の個数は、１個に限定されず、複数であってもよい。さらに、電子部品１０の種類も特定に限定されない。
　電子部品１０の電極１１，１２は、たとえば銅（熱膨張率１．７×１０－５／Ｋ）または銀（熱膨張率１．９×１０－５／Ｋ）を主成分とし、ニッケルメッキおよび錫メッキが施されて構成される。
　樹脂成形体２０は、板状であり、ポリカーボネイト（ＰＣ）（熱膨張率５．６×１０－５／Ｋ）またはアクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）（熱膨張率６～１３×１０－５／Ｋ）等の樹脂からなる。なお、樹脂成形体２０の形状は、特に限定されるものではない。樹脂成形体２０の材質は、他の種類の樹脂であってもよい。
　樹脂成形体２０は、その上表面２１の端部から所定距離（後述する樹脂部材３０の幅よりも大きい距離）だけ離れた位置に、電子部品１０を埋設して固定する。樹脂成形体２０は、上表面２１から電極１１，１２が露出するように電子部品１０を埋設する。
　樹脂部材３０は、電子部品１０の周囲に形成され、電子部品１０と樹脂成形体２０との間に介在する。樹脂部材３０は、樹脂成形体２０の上表面２１から露出する。樹脂部材３０の上表面３１は、電子部品１０における樹脂成形体２０から露出した電極１１，１２の表面と、樹脂成形体２０の上表面２１と、略同一平面上にある。ここで、上表面３１と電極１１，１２の表面と上表面２１とが略同一平面上にあるとは、上表面３１と電極１１，１２の表面との間の段差、および上表面３１と上表面２１との間の段差が、その上に形成される配線４０，４１が切断しない程度に所定値より小さいことを意味する。
　樹脂部材３０を構成する樹脂材については特に限定されるものではなく、電子装置１が適用される製品および電子装置１の周囲の環境などに応じて適宜選択された材料によって構成される。たとえば、温度変化が激しい環境下で使用される電子装置１である場合、樹脂部材３０は、樹脂成形体２０の熱膨張率よりも小さく、かつ、電極１１，１２の熱膨張率よりも大きい熱膨張率を有する樹脂材で構成されることが好ましい。たとえば、ＡＢＳの熱膨張率６～１３×１０－５／Ｋよりも小さく、かつ、電極１１，１２を構成する銅または銀の熱膨張率１．７～１．９×１０－５／Ｋよりも大きい熱膨張率３～５×１０－５／Ｋのエポキシ系、メラミン系の樹脂材により樹脂部材３０が構成される。
　あるいは、機械的な負荷を受ける可能性が高い電子装置１である場合、樹脂部材３０は、曲げ弾性率２０～１３００ＭＰａの弾性を有するエラストマー（たとえば、ポリエステル系、スチレン系、オレフィン系のエラストマー）またはウレタンアクリレート等により構成されることが好ましい。曲げ弾性率は、ＪＩＳ　Ｋ７１７１に従って測定される。
　配線４０，４１は、樹脂成形体２０の上表面２１および樹脂部材３０の上表面３１の上に形成され、電子部品１０の電極１１，１２にそれぞれ接続される。配線４０は、樹脂部材３０の上表面３１を通過する形態で電極１１に接続され、配線４１は、樹脂部材３０の上表面３１を通過する形態で電極１２に接続される。配線４０，４１の他端は、たとえば電子装置１における図示しない他の電子部品の電極に接続される。これにより、電子部品１０は、他の電子部品と電気的かつ機能的に接続される。
　配線４０，４１は、たとえばインクジェット印刷法を用いて液状の導電性インク（たとえば、銀（Ａｇ）ナノインク）を噴射することにより、容易に形成することができる。インクジェット印刷法は、液状のインクをノズルから噴射し、インクを噴射対象面上に堆積させる印刷方式である。配線４０，４１は、Ａｇ以外の材質からなっていてもよいし、他の方法で形成されてもよく、太さおよび厚み等は特に限定されるものではない。
　（電子装置の製造方法）
　図２を参照して、実施の形態１の電子装置１の製造方法について説明する。図２は、実施の形態１の電子装置１の製造方法の一例を説明する図である。
　　（ｉ）濡れ上がり部形成工程
　図２の（ａ）に示されるように、まず、電子部品１０を仮固定するためのシート５０を用意する。シート５０としては、紫外線を透過できる透明性と、後で説明する剥離時の工程を確実にできるようにする柔軟性とを有している材料が好ましく、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等を用いることができる。本実施形態ではシート５０はたとえば５０μｍの厚さのＰＥＴシートである。
　シート５０の片面に、接着性の液状層６０が塗布されている。液状層６０としては、硬化時間が短いものが好ましく、たとえば、紫外線硬化型の接着剤を用いることができる。紫外線硬化型の接着剤は、紫外線が照射されると硬化し、シート５０と電子部品１０とを接着する。そのため、紫外線を接着剤が塗布されている表面から照射した場合は、電子部品１０自身が接着剤に紫外線が照射されるのを阻害する障壁となり、硬化（接着）が不十分となってしまう可能性がある。そのため、シート５０に紫外線を透過する材料を用い、シート５０の接着剤が塗布されていない表面から紫外線を照射することで、接着剤を十分に硬化させ、電子部品１０を短時間で確実にシート５０に固定する。本実施形態での液状層６０は、たとえば曲げ弾性率４７ＭＰａのウレタンアクリレートである。
　図２の（ｂ）に示されるように、シート５０における液状層６０が塗布された表面に、電子部品１０を位置合わせして配置する。具体的には、電子部品１０を、シート５０における、樹脂成形体２０の上表面２１の端部から所定距離だけ離れた位置に対応する位置に配置する。このとき、液状層６０は、その表面張力によって電子部品１０の側面を濡れ上がる。これにより、電子部品１０の周囲に濡れ上がり部６１が形成される。
　濡れ上がり部６１の形状（幅および高さ）は、電子部品１０の形状、大きさ、材質、および液状層６０の材質、表面張力に応じて決まる。液状層６０の表面張力を調整すれば、所望の高さの濡れ上がり部６１を形成することができる。
　　（ｉｉ）濡れ上がり部硬化工程
　濡れ上がり部６１の形成後、シート５０における電子部品１０配置面の反対側の面から１０００～３０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射する。この結果、液状層６０が硬化することによって、電子部品１０がシート５０に接着固定される。このとき濡れ上がり部６１も硬化され、紫外線の照射後もその形状を維持する。濡れ上がり部６１は、後の工程を経て電子部品１０周辺部の樹脂部材３０として使用される。
　　（ｉｉｉ）射出成形工程
　シート５０に電子部品１０を仮固定した後、成形型の内部にシート５０を配置する。この成形型は、電子部品１０が埋設された樹脂成形体２０を射出成形するための金型である。シート５０における電子部品１０が仮固定された面の裏面が、成形型の内面に接するように、シート５０を成形型の内部に配置する。この状態で、ＡＢＳ等の樹脂材料を、成形型温度８０℃、射出樹脂温度１８０℃、かつ射出圧力２０ｋｇ／ｃｍ２の条件で射出する。これにより、図２の（ｃ）に示されるように、電子部品１０および濡れ上がり部６１を埋設した樹脂成形体２０が成形される。
　　（ｉｖ）剥離工程
　次に図２の（ｄ）に示されるように、射出成形工程によって得られた樹脂成形体２０からシート５０を剥離することによって、樹脂成形体２０におけるシート５０に対向していた上表面２１から電子部品１０の電極１１，１２を露出させる。このとき、仮固定工程において形成された濡れ上がり部６１は、シート５０から分離し、樹脂成形体２０と電子部品１０との間に残され、樹脂部材３０となる。濡れ上がり部６１をシート５０から分離するには、電子部品１０あるいは樹脂成形体２０の材料と接着特性の良好な材料を液状層６０として選択することで容易に実現可能である。この結果、電子部品１０と電子部品１０の周囲に配置された樹脂部材３０とを埋設した樹脂成形体２０が形成される。
　　（ｖ）配線形成工程
　最後に図２の（ｅ）に示されるように、樹脂成形体２０の表面から露出する電極１１，１２と接続する配線４０，４１を、樹脂成形体２０の上表面２１および樹脂部材３０の上表面３１の上に形成する。たとえば、配線４０，４１の材料である液状の導電性インク（たとえば、銀ナノインク）を噴射する方法（たとえばインクジェット印刷法）を用いて配線４０，４１が形成される。このとき、インクジェットヘッドの噴出口が樹脂部材３０上を通過するようにインクジェットヘッドを移動する。これにより、配線４０，４１は、樹脂部材３０を通過するように形成される。より詳細には、配線４０，４１は、樹脂成形体２０における上表面２１および樹脂部材３０における上表面３１を連続的に覆うように形成される。本工程により、電子部品１０が樹脂成形体２０に埋設された電子装置１が完成する。
　配線４０，４１は、インクジェット印刷法の代わりに、スクリーン印刷法またはディスペンサによる方法を用いて形成されてもよい。さらに、電子装置１において、配線４０，４１を覆うレジスト層が形成されてもよい。
　（利点）
　以上のように、本実施の形態１の電子装置１は、電極１１，１２を有する電子部品１０と、電極１１，１２が露出するように電子部品１０を埋設する樹脂成形体２０と、樹脂成形体２０と電子部品１０との間に介在し、樹脂成形体２０から露出する樹脂部材３０と、樹脂成形体２０および樹脂部材３０の上に形成され、電極１１，１２とそれぞれ接続する配線４０，４１とを備える。
　上記の構成によれば、配線４０，４１は、樹脂部材３０を通過して電極１１，１２に接続する。樹脂部材３０が存在することにより、樹脂成形体２０と電子部品１０との間に大きな溝が形成されている場合と比較して、配線４０，４１の断線を抑制することができる。
　樹脂部材３０の熱膨張率は、樹脂成形体２０の熱膨張率よりも小さく、かつ、電極１１，１２の熱膨張率よりも大きいことが好ましい。これにより、電子装置１の周囲の温度変化によって樹脂成形体２０に膨張または収縮の形状変化が生じたとしても、樹脂成形体２０と電子部品１０との間に介在する樹脂部材３０によって、配線４０，４１にかかる応力が分散される。その結果、配線４０，４１の断線の発生を生じ難くすることができる。
　樹脂部材３０の曲げ弾性率は、１３００ＭＰａ以下であることが好ましい。曲げ弾性率が１３００ＭＰａ以下であることにより、樹脂成形体２０と電子部品１０との間を広げるような機械的負荷が電子装置１に加わった場合であっても、樹脂部材３０が樹脂成形体２０に追従して伸び、配線４０，４１にかかる応力が分散される。その結果、配線４０，４１の断線の発生を生じ難くすることができる。さらに、樹脂部材３０の曲げ弾性率は、２０ＭＰａ以上であることが好ましい。曲げ弾性率が２０ＭＰａ未満であると樹脂部材３０の硬度（硬さ）が小さくなりすぎて、表面に形成される配線４０，４１にクラック等の欠陥が生じやすくなる。しかしながら、樹脂部材３０の曲げ弾性率を２０ＭＰａ以上とすることにより、このような欠陥の発生を抑制することができる。
　本実施の形態１の電子装置１の製造方法は、濡れ上がり部形成工程（第１工程）と、濡れ上がり部硬化工程（第２工程）と、射出成形工程（第３工程）と、剥離工程（第４工程）と、配線形成工程（第５工程）とを備える。濡れ上がり部形成工程では、接着性の液状層６０が表面に塗布されたシート５０上に電極１１，１２を有する電子部品１０を配置し、電子部品１０の側面に沿った液状層６０の濡れ上がりによって、電子部品１０の周囲に濡れ上がり部６１を形成する。濡れ上がり部硬化工程では、濡れ上がり部６１を硬化させて樹脂部材３０を形成する。射出成形工程では、樹脂部材３０を形成した後に、シート５０における電子部品１０の配置面に樹脂材料を射出して、電子部品１０を埋設した樹脂成形体２０を成形する。剥離工程では、樹脂成形体２０と電子部品１０との間に樹脂部材３０が残るように、シート５０を樹脂成形体２０から剥離する。配線形成工程では、樹脂成形体２０および樹脂部材３０の上に、電極１１，１２とそれぞれ接続する配線４０，４１を形成する。
　上記の構成によれば、樹脂成形体２０と電子部品１０との間に樹脂部材３０が介在した電子装置１が容易に製造される。配線４０，４１は、樹脂部材３０を通過して電極１１，１２に接続する。樹脂部材３０が存在することにより、樹脂成形体２０と電子部品１０との間に大きな溝が形成されている場合と比較して、配線４０，４１の断線を抑制することができる。
　＜実施の形態２＞
　実施の形態２に係る電子装置について以下に説明する。図３は、実施の形態２に係る電子装置１ａを示す断面図である。図３に示されるように、電子装置１ａは、樹脂部材３０の代わりに樹脂部材３２を備えるとともに、樹脂部材３２の内部の空隙内に形成された多数の導電路４２，４３を備える点で、実施の形態１の電子装置１と相違する。
　樹脂部材３２は、内部に多数の空隙を有する多孔質の樹脂体である。空隙には、樹脂部材３２内の孔および亀裂が含まれる。樹脂部材３２の形成方法は、実施の形態１における樹脂部材３０の形成方法（図２の（ａ）～（ｃ）参照）と同様である。ただし、シート５０に塗布される液状層として、揮発性液体を含む接着性の材料を用い、液状層を光硬化させる際に熱処理を行なって、揮発性液体を揮発させる。揮発性液体としては、当該熱処理によって揮発する液体（たとえば、ビニルエーテルなど）が用いられる。
　液状層としては、たとえば、エポキシ樹脂３０質量％、ビニルエーテル化合物５０質量％、イオン液体１０質量％、残部１０質量％になるように配合されたインク材を用いる。残部には、光カチオン重合開始剤および安定化剤などが含まれる。
　イオン液体は、陰イオンと陽イオンとからなり、常温（たとえば２５℃）で液体である非高分子物質である。陽イオンとしては、イミダゾリウムイオンなどの環状アミジンイオン、ピリジニウムイオン、アンモニウムイオン、スルホニウムイオン、ホスホニウムイオン等が挙げられる。陰イオンとしては、ＣｎＨ２ｎ＋１ＣＯＯ－、ＣｎＦ２ｎ＋１ＣＯＯ－、ＮＯ３ －、ＣｎＦ２ｎ＋１ＳＯ３ －、（ＣｎＦ２ｎ＋１ＳＯ２）２Ｎ－、（ＣｎＦ２ｎ＋１ＳＯ２）３Ｃ－、ＰＯ４ ２－、ＡｌＣｌ４ －、Ａｌ２Ｃｌ７ －、ＣｌＯ４ －、ＢＦ４ －、ＰＦ６ －、ＡｓＦ６ －、ＳｂＦ６ －等が挙げられる。
　光カチオン重合開始剤としては、公知の材料を使用することができ、たとえば、スルホニウム塩（スルホニウムイオンとアニオンとの塩）、ヨードニウム塩（ヨードニウムイオンとアニオンとの塩）、セレニウム塩（セレニウムイオンとアニオンとの塩）、アンモニウム塩（アンモニウムイオンとアニオンとの塩）、ホスホニウム塩（ホスホニウムイオンとアニオンとの塩）、遷移金属錯体イオンとアニオンとの塩等を用いることができる。
　上記の液状層を光硬化させ、かつ、熱処理する際に、内部の揮発性液体（ビニルエーテル化合物）が揮発し、当該揮発性液体の体積に相当する孔、あるいは、体積収縮による多数の亀裂が濡れ上がり部６１に生じ、多数の空隙を有する樹脂部材３２が形成される。
　導電路４２，４３は、樹脂部材３２内の空隙内に形成される。導電路４２は、配線４０と電極１１とに接続される。導電路４３は、配線４１と電極１２とに接続される。
　導電路４２，４３は、配線４０，４１と同時に形成される。具体的には、実施の形態１の（ｖ）配線形成工程と同様の工程において、樹脂部材３２上に液状の導電性インクを噴射して、配線４０，４１を形成する。このとき、毛細管現象によって導電性インクの一部が樹脂部材３２内の空隙に浸透し、電極１１または電極１２に到達する。これにより、樹脂部材３２の空隙内に、配線４０と電極１１とに接続された導電路４２と、配線４１と電極１２とに接続された導電路４３とが形成される。
　導電性インクの一部は、網目状に形成された樹脂部材３２内の空隙に浸透する。そのため、配線４０と電極１１とは多数の経路によって接続される。当該多数の経路の各々が導電路４２を構成する。よって、配線４０と電極１１とに間には多数の導電路４２が形成される。同様に、配線４１と電極１２とに間には多数の導電路４３が形成される。
　配線４０，４１における樹脂部材３２上の部分には、樹脂部材３２に浸透した導電性インクの体積に相当する凹部４４，４５が形成される。凹部４４，４５による抵抗上昇の影響が許容できない場合には、樹脂部材３２上への導電性インクの供給量を適宜増加すればよい。
　樹脂成形体２０に何らかの原因（熱衝撃、周囲温度の変化、機械的負荷等）によって膨張または収縮の形状変化が生じ、配線４０，４１に亀裂が発生する可能性がある。このとき、樹脂部材３２の一部にまで亀裂が進行したとしても、樹脂部材３２内の多数の導電路４２，４３のうち、亀裂が生じていない部分を通る導電路４２，４３によって、配線４０，４１と電極１１，１２との間のそれぞれの電気的接続が維持される。これにより、配線４０，４１と電極１１，１２とのそれぞれの接続信頼性を向上させることができる。
　＜実施の形態３＞
　上記の実施の形態１では、濡れ上がり部６１を樹脂成形体２０側に残すようにシート５０を樹脂成形体２０から剥離することにより、電子部品１０と樹脂成形体２０との間に介在する樹脂部材３０を形成した。これに対し、本実施の形態３では、濡れ上がり部６１とともにシート５０を樹脂成形体２０から剥離することにより形成された電子部品１０の周囲の溝を埋めるように樹脂部材３０を形成する。本実施の形態３に係る電子装置は、実施の形態１に係る電子装置１と同様の構成を有する。
　図２および図４を参照して、実施の形態３に係る電子装置の製造方法について説明する。図４は、実施の形態３に係る電子装置の製造方法を説明するための図である。
　まず、図２の（ａ）～（ｃ）に示されるように、実施の形態１の（ｉ）濡れ上がり部形成工程～（ｉｉｉ）射出成形工程を行なうことにより、電子部品１０および濡れ上がり部６１を埋設した樹脂成形体２０が成形される。ただし、濡れ上がり部６１を構成する接着性の液状層６０の材料として、シート５０との接着力が実施の形態１の材料よりも強く、かつ、樹脂成形体２０との接着力が実施の形態１の材料よりも弱い材料が選択される。
　（ｉｖ）剥離工程
　次に、射出成形工程によって得られた樹脂成形体２０からシート５０を剥離することによって、樹脂成形体２０におけるシート５０に対向していた上表面２１から電子部品１０の電極１１，１２を露出させる。このとき、図４の（ａ）に示されるように、仮固定工程において形成された濡れ上がり部６１は、シート５０とともに、樹脂成形体２０から剥離する。これにより、樹脂成形体２０における電子部品１０の周囲に、濡れ上がり部６１の形状に応じた溝７０が形成される。
　（ｖ）樹脂部材形成工程
　次に、図４の（ｂ）に示されるように、電子部品１０の周囲の溝７０を埋めるように樹脂材を供給して、溝７０の形状に沿った樹脂部材３０を形成する。樹脂部材３０の樹脂材料としては、実施の形態１の液状層６０の材料を用いることができる。樹脂材は、実施の形態１の（ｉｖ）配線形成工程と同様にインクジェット印刷法を用いて溝７０に供給され、紫外線照射または熱処理によって硬化される。
　樹脂部材３０は、溝７０からはみ出して形成されてもよいが、電極１１，１２の全体を覆うことがないように形成される。
　最後に、図４の（ｃ）に示されるように、樹脂成形体２０の表面から露出する電極１１，１２と接続する配線４０，４１を、樹脂成形体２０の上表面２１および樹脂部材３０の上に形成する。この工程は、実施の形態１の（ｖ）配線形成工程と同様であるため、詳細な説明を省略する。
　以上のように、本実施の形態３の電子装置の製造方法は、実施の形態１の（ｉ）濡れ上がり部形成工程～（ｉｉｉ）射出成形工程および（ｖ）配線形成工程に加えて、剥離工程と、樹脂部材形成工程とを備える。剥離工程では、シート５０および濡れ上がり部６１を樹脂成形体２０から剥離することにより、樹脂成形体２０における電子部品１０の周囲に濡れ上がり部６１の形状に応じた溝７０を形成する。樹脂部材形成工程では、溝７０を埋めるように樹脂部材３０を形成する。これにより、樹脂成形体２０と電子部品１０との間に樹脂部材３０が介在し、樹脂部材３０を通過するように形成された配線４０，４１を備える電子装置を容易に製造することができる。
　樹脂部材形成工程において、電子部品１０の周囲の溝７０に供給される樹脂材料として、実施の形態２の液状層と同様に、揮発性物質を含む材料を用いてもよい。これにより、実施の形態２と同様に、内部に空隙を有する樹脂部材３２を形成することができる。その後、配線形成工程において、配線４０，４１を構成する導電材料を空隙内に浸透させることにより、樹脂部材３２の内部に、配線４０と電極１１とに接続する導電路４２と、配線４１と電極１２とに接続する導電路４３とを形成することができる。
　今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１，１ａ　電子装置、１０，１１０　電子部品、１１，１２，１１１，１１２　電極、２０，１２０　樹脂成形体、２１，３１　上表面、３０，３２　樹脂部材、４０，４１，１４０，１４０ａ，１４０ｂ，１４１，１４１ａ，１４１ｂ　配線、４２，４３　導電路、４４，４５，１４２，１４３　凹部、５０　シート、６０　液状層、６１　濡れ上がり部、７０，１３０　溝、１００　回路構造体、１４４，１４５　細線部、１４６　短絡回路。

Claims (8)

  1. 　電極を有する電子部品と、
    　前記電極が露出するように前記電子部品を埋設する樹脂成形体と、
    　前記樹脂成形体と前記電子部品との間に介在し、前記樹脂成形体から露出する樹脂部材と、
    　前記樹脂成形体および前記樹脂部材の上に形成され、前記電極と接続する配線とを備える、電子装置。
  2. 　前記樹脂部材の熱膨張率は、前記樹脂成形体の熱膨張率よりも小さく、かつ、前記電極の熱膨張率よりも大きい、請求項１に記載の電子装置。
  3. 　前記樹脂部材の曲げ弾性率は、１３００ＭＰａ以下である、請求項１に記載の電子装置。
  4. 　前記樹脂部材は、内部に空隙を有し、
    　前記電子装置は、前記空隙内に形成され、前記配線と前記電極とに接続する導電路をさらに備える、請求項１から３のいずれか１項に記載の電子装置。
  5. 　請求項１に記載の電子装置の製造方法であって、
    　接着性の液状層が表面に塗布されたシート上に前記電子部品を配置し、前記電子部品の側面に沿った前記液状層の濡れ上がりによって、前記電子部品の周囲に濡れ上がり部を形成する第１工程と、
    　前記濡れ上がり部を硬化させて前記樹脂部材を形成する第２工程と、
    　前記樹脂部材を形成した後に、前記シートにおける前記電子部品の配置面に樹脂材料を射出して、前記樹脂成形体を成形する第３工程と、
    　前記樹脂成形体と前記電子部品との間に前記樹脂部材が残るように、前記シートを前記樹脂成形体から剥離する第４工程と、
    　前記樹脂成形体および前記樹脂部材の上に前記配線を形成する第５工程とを備える、電子装置の製造方法。
  6. 　前記液状層は揮発性物質を含み、
    　前記第２工程において前記濡れ上がり部を硬化させるときに前記揮発性物質を揮発させることにより、前記樹脂部材の内部に空隙を形成し、
    　前記第５工程において、前記配線を構成する導電材料を前記空隙内に浸透させることにより、前記樹脂部材の内部に前記配線と前記電極とに接続する導電路を形成する、請求項５に記載の電子装置の製造方法。
  7. 　請求項１に記載の電子装置の製造方法であって、
    　接着性の液状層が表面に塗布されたシート上に前記電子部品を配置し、前記電子部品の側面に沿った前記液状層の濡れ上がりによって、前記電子部品の周囲に濡れ上がり部を形成する第１工程と、
    　前記濡れ上がり部を硬化させる第２工程と、
    　前記シートにおける前記電子部品の配置面に第１樹脂材料を射出することにより、前記電子部品を埋設した樹脂成形体を成形する第３工程と、
    　前記シートおよび前記濡れ上がり部を前記樹脂成形体から剥離することにより、前記樹脂成形体における前記電子部品の周囲に前記濡れ上がり部の形状に応じた溝を形成する第４工程と、
    　前記溝を埋めるように第２樹脂材料を供給し、前記第２樹脂材料を硬化させて前記樹脂部材を形成する第５工程と、
    　前記樹脂成形体および前記樹脂部材の上に前記配線を形成する第６工程とを備える、電子装置の製造方法。
  8. 　前記第２樹脂材料は揮発性物質を含み、
    　前記第５工程において前記第２樹脂材料を硬化させるときに前記揮発性物質を揮発させることにより、前記樹脂部材の内部に空隙を形成し、
    　前記第６工程において、前記配線を構成する導電材料を前記空隙内に浸透させることにより、前記樹脂部材の内部に前記配線と前記電極とに接続する導電路を形成する、請求項７に記載の電子装置の製造方法。
PCT/JP2017/041269 2017-02-27 2017-11-16 電子装置およびその製造方法 WO2018154879A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/464,704 US10618206B2 (en) 2017-02-27 2017-11-16 Resin-molded electronic device with disconnect prevention
EP17897410.1A EP3589089B1 (en) 2017-02-27 2017-11-16 Electronic device and method for manufacturing same
CN201780072787.4A CN110024493B (zh) 2017-02-27 2017-11-16 电子装置及其制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017034684A JP6693441B2 (ja) 2017-02-27 2017-02-27 電子装置およびその製造方法
JP2017-034684 2017-02-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018154879A1 true WO2018154879A1 (ja) 2018-08-30

Family

ID=63254260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/041269 WO2018154879A1 (ja) 2017-02-27 2017-11-16 電子装置およびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10618206B2 (ja)
EP (1) EP3589089B1 (ja)
JP (1) JP6693441B2 (ja)
CN (1) CN110024493B (ja)
TW (1) TWI657723B (ja)
WO (1) WO2018154879A1 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766570A (ja) 1993-08-30 1995-03-10 Kokusai Electric Co Ltd 電子回路パッケージ及びその製造方法
JP2002246722A (ja) * 2000-12-15 2002-08-30 Ibiden Co Ltd プリント配線板
JP2004111502A (ja) 2002-09-17 2004-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 外装部品および携帯型電子機器
JP2007150275A (ja) * 2005-11-02 2007-06-14 Canon Inc 半導体内臓基板およびその製造方法
JP2010272756A (ja) 2009-05-22 2010-12-02 Omron Corp 電子部品実装装置及びその製造方法
JP2011077230A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Seiko Instruments Inc 電子回路部品および電子機器
JP2014107431A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Ibiden Co Ltd 電子部品内蔵配線板、及び、電子部品内蔵配線板の製造方法
WO2016167081A1 (ja) * 2015-04-14 2016-10-20 オムロン株式会社 回路構造体

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2133499B (en) * 1982-11-16 1985-10-09 Honda Motor Co Ltd Shafts incorporating fibre-reinforced plastics
JPS60257546A (ja) * 1984-06-04 1985-12-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0752762B2 (ja) * 1985-01-07 1995-06-05 株式会社日立製作所 半導体樹脂パッケージ
JPS6331149A (ja) * 1986-07-25 1988-02-09 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4993895A (en) * 1990-01-08 1991-02-19 Edward Nordstrom Apparatus for retaining a tile in a secure position to prevent rotation while an opening is drilled through the tile
JP2973792B2 (ja) * 1993-09-21 1999-11-08 富士電機株式会社 樹脂封止形半導体装置
JP2848357B2 (ja) * 1996-10-02 1999-01-20 日本電気株式会社 半導体装置の実装方法およびその実装構造
JP3509507B2 (ja) * 1997-11-10 2004-03-22 松下電器産業株式会社 バンプ付電子部品の実装構造および実装方法
JP2000012744A (ja) * 1998-06-19 2000-01-14 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6258191B1 (en) * 1998-09-16 2001-07-10 International Business Machines Corporation Method and materials for increasing the strength of crystalline ceramic
JP3844936B2 (ja) * 1999-03-26 2006-11-15 富士通株式会社 半導体装置
EP1172215B1 (en) * 2000-07-10 2017-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Ink jet recording head and recording apparatus
JP2002151551A (ja) * 2000-11-10 2002-05-24 Hitachi Ltd フリップチップ実装構造、その実装構造を有する半導体装置及び実装方法
JP2002170853A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Nec Corp フリップチップ実装方法
US6835592B2 (en) * 2002-05-24 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Methods for molding a semiconductor die package with enhanced thermal conductivity
JP2003347741A (ja) * 2002-05-30 2003-12-05 Taiyo Yuden Co Ltd 複合多層基板およびそれを用いたモジュール
JP3906767B2 (ja) * 2002-09-03 2007-04-18 株式会社日立製作所 自動車用電子制御装置
JP2005064479A (ja) * 2003-07-31 2005-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 回路モジュール
JP2005056916A (ja) * 2003-08-05 2005-03-03 Toyota Industries Corp 回路基板
KR100510556B1 (ko) * 2003-11-11 2005-08-26 삼성전자주식회사 초박형 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2006100752A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
JP2006165252A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Shinko Electric Ind Co Ltd チップ内蔵基板の製造方法
US7442581B2 (en) * 2004-12-10 2008-10-28 Freescale Semiconductor, Inc. Flexible carrier and release method for high volume electronic package fabrication
US7426117B2 (en) * 2005-12-21 2008-09-16 Xerox Corporation Chip on a board
TWI325644B (en) * 2007-01-03 2010-06-01 Chipmos Technologies Inc Chip package and manufacturing thereof
JP5543086B2 (ja) * 2008-06-25 2014-07-09 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置及びその製造方法
DE102008054104A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-06 Herbert Kannegiesser Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Aufbereiten der Abluft von beheizten Wäschereimaschinen
JP2010114221A (ja) 2008-11-05 2010-05-20 Seiko Epson Corp 電子装置、及び電子装置の製造方法
US8525041B2 (en) * 2009-02-20 2013-09-03 Ibiden Co., Ltd. Multilayer wiring board and method for manufacturing the same
JP5250524B2 (ja) * 2009-10-14 2013-07-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE102009058764A1 (de) * 2009-12-15 2011-06-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe und elektronische Baugruppe
JP2012094592A (ja) * 2010-10-25 2012-05-17 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
DE112011103926B4 (de) * 2010-11-25 2018-03-08 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
US8735739B2 (en) * 2011-01-13 2014-05-27 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method for manufacturing the same
JP2012204831A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Ibiden Co Ltd 電子部品内蔵配線板及びその製造方法
JP5441956B2 (ja) * 2011-05-26 2014-03-12 三菱電機株式会社 樹脂封止形電子制御装置及びその製造方法
JP5853106B2 (ja) * 2012-11-09 2016-02-09 株式会社日立製作所 接合構造体とその製造方法
JP6334962B2 (ja) * 2014-03-05 2018-05-30 新光電気工業株式会社 配線基板、及び、配線基板の製造方法
JP6354285B2 (ja) * 2014-04-22 2018-07-11 オムロン株式会社 電子部品を埋設した樹脂構造体およびその製造方法
KR102494332B1 (ko) * 2015-07-15 2023-02-02 삼성전기주식회사 전자소자 패키지
JP6711098B2 (ja) * 2016-04-15 2020-06-17 オムロン株式会社 半導体装置の放熱構造
JP6648626B2 (ja) * 2016-04-27 2020-02-14 オムロン株式会社 電子装置およびその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766570A (ja) 1993-08-30 1995-03-10 Kokusai Electric Co Ltd 電子回路パッケージ及びその製造方法
JP2002246722A (ja) * 2000-12-15 2002-08-30 Ibiden Co Ltd プリント配線板
JP2004111502A (ja) 2002-09-17 2004-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 外装部品および携帯型電子機器
JP2007150275A (ja) * 2005-11-02 2007-06-14 Canon Inc 半導体内臓基板およびその製造方法
JP2010272756A (ja) 2009-05-22 2010-12-02 Omron Corp 電子部品実装装置及びその製造方法
JP2011077230A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Seiko Instruments Inc 電子回路部品および電子機器
JP2014107431A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Ibiden Co Ltd 電子部品内蔵配線板、及び、電子部品内蔵配線板の製造方法
WO2016167081A1 (ja) * 2015-04-14 2016-10-20 オムロン株式会社 回路構造体
JP2016201521A (ja) 2015-04-14 2016-12-01 オムロン株式会社 回路構造体

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3589089A4

Also Published As

Publication number Publication date
TW201832626A (zh) 2018-09-01
CN110024493B (zh) 2022-02-18
TWI657723B (zh) 2019-04-21
JP6693441B2 (ja) 2020-05-13
JP2018142573A (ja) 2018-09-13
EP3589089A1 (en) 2020-01-01
EP3589089B1 (en) 2022-03-09
CN110024493A (zh) 2019-07-16
US10618206B2 (en) 2020-04-14
US20190322015A1 (en) 2019-10-24
EP3589089A4 (en) 2020-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9922932B2 (en) Resin structure having electronic component embedded therein, and method for manufacturing said structure
CN106257965B (zh) 柔性印刷电路板
KR20150035251A (ko) 외부접속단자부와 외부접속단자부를 갖는 반도체 패키지 및 그들의 제조방법
JP2016058509A (ja) 補強板付きフレキシブルプリント配線板の製造方法およびフレキシブルプリント配線板中間体
TWI677266B (zh) 電路結構體以及其製造方法
WO2018154879A1 (ja) 電子装置およびその製造方法
US10631415B2 (en) Electronic device and manufacturing method thereof
TWI735166B (zh) 電子模組、電子裝置以及該些的製造方法
TWI683405B (zh) 電子裝置及其製造方法
KR20130033851A (ko) 다층 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP6658935B2 (ja) 回路構造体
KR102570727B1 (ko) 인쇄회로기판, 이를 포함하는 패키지 기판
WO2018092407A1 (ja) 電子装置およびその製造方法
WO2018092408A1 (ja) 電子装置およびその製造方法
JP2014007324A (ja) 部品内蔵基板
KR20090060551A (ko) 반도체 소자 내장형 인쇄회로기판의 제조 방법
JP2009192997A (ja) 表示パネル、表示パネルの製造方法、及び表示パネル装置
JP2012186401A (ja) 部品内蔵基板

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17897410

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2017897410

Country of ref document: EP