WO2016031482A1 - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents

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薫 菱木
靖生 豊吉
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Definitions

  • the present invention relates to a lead frame and a method for manufacturing the same, and particularly to a lead frame having excellent adhesion to a resin.
  • the semiconductor package mainly uses a metal lead frame and a sealing resin.
  • the lead frame is often made of a copper alloy, and the sealing resin is mainly an epoxy resin.
  • a copper plate or a copper alloy plate may be used as a component material called a heat spreader for heat dissipation of the semiconductor package, and the lead frame and the heat spreader are fixed with a sealing resin.
  • connection terminal is exposed on the lower surface of the sealing resin, and the resin material is roughened when the lower surface of the metal material is roughened. Leakage may be induced, and the leaked resin has the dilemma that it becomes difficult to peel off due to roughening. For this reason, methods of partially roughening have been proposed in the past, but these methods have the problem of increasing costs.
  • the copper material is roughened by heating the copper material at a high temperature, so that the copper oxidation of the roughened surface proceeds and the oxide film is easily peeled off, and the resin adhesion is lower than before the heating.
  • sufficient reliability as a semiconductor package has not been obtained.
  • Patent Document 1 Patent Document 1
  • Patent Document 2 Patent Document 2
  • Patent Document 3 Conventionally, the techniques shown in Patent Document 1, Patent Document 2, and Patent Document 3 have been disclosed as alternatives to these roughening treatments.
  • Patent Document 1 as a method for improving the adhesion between a heat dissipation plate and a resin adhesive in a heat dissipation plate of an electronic component such as a semiconductor device, Ni or Ni in a solution containing 0.001% or more of an aminosilane compound is disclosed. It has been disclosed that an aminosilane compound film is formed on the outermost surface of a portion where a metal plate or strip with alloy plating is immersed and bonded to a resin with an adhesive.
  • Patent Document 2 a nickel plating layer is formed using a copper plate as a substrate, and a silane coupling agent coating layer or a polyacrylic acid film is formed thereon to form a semiconductor heat dissipation plate. It is disclosed that a semiconductor element is sealed with a transfer mold resin to obtain a semiconductor heat sink having excellent adhesion to the adhesive resin.
  • Patent Document 3 discloses a copper or copper alloy plate in which a silane compound film having a Si equivalent deposition amount of 0.5 mg / m 2 or more is formed on the outermost surface, and an oxide film having a thickness of 1000 to 2000 mm is formed on the lower layer.
  • a strip material, an aqueous solution of a silane coupling agent at 40 ° C. to 60 ° C. is applied to the surface of a copper or copper alloy plate or strip to form a silane compound film on the surface, which is then heat-treated, It is disclosed that the copper or copper alloy plate or strip-shaped oxide film is formed with a thickness of 1000 to 2000 mm below the silane compound film to obtain a copper alloy plate or strip having excellent adhesion to the resin. Has been.
  • Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-342580 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-270740 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-226096
  • the surface of the copper material as the material with Sn or its alloy plating, or Zn or its alloy plating.
  • the entire surface of the material is subjected to various alloy plating treatments including Sn, Zn, or a metal thereof, and then a desired lead frame is manufactured by performing etching after masking the plated surface with DFR.
  • a desired lead frame is manufactured by performing etching after masking the plated surface with DFR.
  • the material surface that is not melted by etching is plated with various alloys containing Sn, Zn or their metals, and the etched molten surface is made of various alloys containing Sn, Zn or their metals.
  • An unplated lead frame is formed.
  • the lead frame formed by etching or pressing is subjected to various alloy plating treatments including Sn, Zn or their metals, and the entire frame is subjected to various alloy plating treatments including Sn, Zn or their metals.
  • the etching dissolution surface and the cut surface of the press are all subjected to various alloy plating treatments including Sn, Zn or their metals.
  • the original material surface is plated with Sn, Zn, or various alloys containing these metals, so that the material surface needs to be glossy, such as LEDs for lighting applications.
  • light diffusion occurs on the material surface by plating the surface of the material with various kinds of alloys including Sn, Zn, or a metal thereof, so that the required glossiness cannot be ensured.
  • the resin adhesion of the lead frame is improved by various alloy plating treatments including Sn, Zn or their metals, but compared with the material surface of the lead frame which is not subjected to various alloy plating treatments including Sn, Zn or their metals.
  • the wire bonding property is significantly reduced.
  • the present invention for example, in the case of a lead frame for an LED application that requires gloss on the surface of the material, does not impair the surface gloss even if various alloy plating processes including Sn, Zn or their metals are performed. And it aims at providing the lead frame which can improve adhesiveness with resin, and its manufacturing method, without reducing wire bonding property.
  • various alloy plating layers such as ZnNi, SnBi, SnCu or SnB containing Sn, Zn or their metals are formed only on the side surface and half-etched surface of the lead frame. It is characterized by.
  • the thickness of the various alloy plating layers containing Sn, Zn or their metals is 0.02 to 2.0 ⁇ m.
  • the noble metal plating layer is formed on the surface of the lead frame on which the semiconductor element or the LED element is mounted, and the metal plate is exposed on the other surface. To do.
  • the noble metal plating layer is Ni (or Ni alloy) / Pd (or Pd alloy), Ni (or Ni alloy) / Pd (or Pd alloy) / Au (or Au alloy), Ni (or Ni alloy) / Pd (or Pd alloy) / Au (or Au alloy) / Ag (or Ag alloy), Ni (or Ni alloy) / Pd (or Pd alloy) / Ag (or Ag alloy) / Au (or Au alloy), Cu (Or Cu alloy) / Ag (or Ag alloy).
  • the lead frame manufacturing method includes a step of forming a plating mask with a resist on a metal plate as a lead frame material, and a step of forming plating on a metal plate portion exposed from the plating mask. , A step of forming a mask for etching to cover the formed plated portion with a resist and obtaining a required lead frame shape, a step of performing a penetrating process and a half-etching process on a metal plate by an etching process, and an etching process And a step of applying various alloy platings containing Sn, Zn, or a metal thereof to the penetrating surface and the half-etched surface.
  • Sn, Zn plating or various alloy plating containing Sn, Zn is preferably electroplating, but any other plating that can form a film such as chemical plating or vacuum deposition may be used.
  • the plating thickness is suitably about 0.02 to 2.0 ⁇ m. This is because the effect is insufficient when the plating thickness is 0.02 ⁇ m or less, and conversely, when the thickness is 2.0 ⁇ m or more, the plating effect does not increase.
  • the lead frame is formed by performing various plating treatments with Sn, Zn, or various alloys containing these metals, limited to only the etching dissolution surface (product side surface and half-etched portion).
  • the adhesion between the resin and the resin can be further improved.
  • a mask for various alloy platings containing Sn, Zn or their metals is required. Since the mask is used as it is as a mask for plating various alloys containing Sn, Zn or their metals, it is possible to continuously perform various alloy plating treatments containing Sn, Zn or their metals from the etching process using the same apparatus. Therefore, even in the case of a lead frame that is subjected to various alloy plating processes including Sn, Zn, or these metals partially, it can be produced at low cost.
  • FIG. 1 is a diagram showing the steps of Example 1 of the lead frame manufacturing method according to the present invention, (1) is a diagram in which a resist layer is formed on a metal plate, (2) is a diagram in which a plating mask is formed, 3) is a diagram showing a plated layer, (4) is a diagram showing a plating mask removed, (5) is a diagram showing a resist layer formed on both sides of a metal plate on which plating is formed, and (6) is an etching mask. (7) is a diagram after etching, (8) is a diagram in which various etching processes using Sn, Zn or their metal are partially performed using an etching mask, and (9) is an etching mask. It is the figure which peeled.
  • FIG. 2 is a table showing the evaluation results of the resin adhesion strength of the test pieces prepared in Examples and Comparative Examples.
  • a photoresist is laminated on the front and back surfaces of the metal plate 1 to be a lead frame material, a photoresist layer 2 is provided, and a plating mask 3 on which a plating pattern is formed is placed thereon, and a photolithography step ( It is a process of drawing a plating pattern by transferring to a resist by exposure and development.
  • a photoresist for example, a dry film resist
  • a glass mask on which a plating pattern is formed is transferred to the resist in a photolithography process (exposure and development), and a plating pattern is obtained.
  • the plating mask 3 formed on both surfaces of the metal plate 1 is peeled off with an aqueous sodium hydroxide solution (4), and then a photoresist is laminated on the metal plate 1 again (5) to form a lead frame pattern.
  • the resulting glass mask is transferred to a resist by a photolithography process (6), and an excess metal portion is removed by etching using a ferric chloride solution to form a lead frame shape (7).
  • Sn or Zn plating is performed by electrolytic plating (8). Thereby, Sn or Zn plating is performed with a thickness of 0.02 to 2.0 ⁇ m only on the etching melted surface (side surface of metal plate 1 and half-etched portion).
  • the etching mask formed on both surfaces of the metal plate 1 is peeled off with a sodium hydroxide aqueous solution, whereby the lead frame (9) according to the present invention is formed.
  • the material of the metal plate 1 is preferably a copper-based material, but is not limited thereto.
  • a dry film resist (Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd .: AQ-2058) was pasted on both sides to form a resist layer.
  • a dry film resist (Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd .: AQ-2058) was pasted on both sides to form a resist layer.
  • exposure and development are performed to remove the resist in the portion where the plating is to be formed.
  • a plating mask with the metal plate surface exposed was formed.
  • plating was performed to form a plating on the exposed portion of the metal plate surface.
  • three layers of plating were formed by performing Ni plating with a set value of 1.0 ⁇ m, Pd plating with a set value of 0.02 ⁇ m, and Au plating with a set value of 0.007 ⁇ m in order from the metal plate side.
  • the plating mask formed on both surfaces of the metal plate was peeled off with a 3% aqueous sodium hydroxide solution, and further washed with 3% sulfuric acid.
  • a dry film resist (Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd .: AQ-44096) is pasted on both surfaces of the metal plate on which the plating is formed to form a resist layer, and a glass mask in which the shape of the lead frame is formed is used. Both surfaces were exposed and developed to form an etching mask.
  • Zn plating treatment was performed by an electrolytic plating method.
  • This electric Zn plating bath is composed of NaOH 5 g / l, NaCN 35 g / l, and Zn (CN) 230 g / l, and is electroplated with a current density of 3 A / dm 2 to form a Zn plating with a film thickness of 1 ⁇ m. A layer was obtained.
  • the residue of the Zn plating solution adhering to the Zn plating surface was removed by washing with hydrochloric acid by spraying, and then the etching mask was peeled off using an aqueous sodium hydroxide solution. Thereafter, acid treatment with sulfuric acid was performed to dry the surface, and the lead frame of Example 1 in which the product side surface and the etching-dissolved surface were partially plated with Zn was obtained.
  • a lead frame of Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the electro-Zn plating was changed to 0.2 ⁇ m.
  • Example 3 A lead frame of Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that Sn plating was applied instead of Zn.
  • This electric Sn plating bath is composed of stannous sulfate 55 g / l, sulfuric acid 100 g / l, cresol sulfonic acid 60 g / l, gelatin 2 g / l, and ⁇ -naphthol 1 g / l, and the current density is 2 A / dm 2.
  • the Sn plating layer having a film thickness of 1 ⁇ m was obtained by electroplating with the electrode.
  • Example 4 The lead frame of Example 4 was formed in the same manner as in Example 1 except that Zn plating was applied to Jinny ST AF210 zinc-nickel alloy (Ni eutectoid rate of 12-15 wt%) manufactured by Atotech. Obtained.
  • This ginny ST AF210 zinc-nickel alloy plating was carried out in a basic solution of 213 g / l potassium chloride, 42 g / l zinc chloride and 121 g / l nickel chloride hexahydrate, 10 ml / l ginny ACAF211 as an additive, and ginny ACAF212.
  • Example 5 A lead frame of Example 5 was obtained in the same manner as in Example 1 except that NiP plating was applied instead of Ni.
  • This electric NiP plating bath is composed of nickel sulfate 250 g / l, nickel chloride 50 g / l, boric acid 50 g / l, and Novoplate HS (Atotech Japan K.K.) 30 ml / l, with a current density of 2 A / dm. Then , electroplating with Sn was performed to obtain a 1 ⁇ m thick NiP plating layer.
  • a lead frame of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that Zn plating was not applied after etching.
  • a lead frame of Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that copper roughening treatment was performed instead of Zn plating after etching.
  • the copper roughening treatment was performed by spraying a roughening treatment liquid (MEC Co., Ltd .: CZ8100).
  • This roughening treatment liquid was prepared at a liquid temperature of 35 ° C., a specific gravity of 1.145, and a copper concentration of 35 g / L, and the roughening treatment was performed by spraying.
  • the surface roughness of the roughened surface was SRa 0.2 to 0.4.
  • a lead frame of Comparative Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that Ag plating was applied instead of Zn plating.
  • the Ag plating bath is composed of KCN 40 g / l, AgCN 35 g / l, K 2 CO 3 22 g / l, and electroplated with a current density of 3 A / dm 2 to obtain an Ag plating layer having a thickness of 0.2 ⁇ m. .
  • the resin adhesion strength was evaluated by the following method. That is, four resins each having a diameter of 2 mm were formed on a metal base material under the conditions of a mold injection pressure of 100 kg / cm 2 and a mold temperature of 175 ° C. ⁇ 90 seconds, and were placed in an oven at 175 ° C. for 8 Curing treatment was performed over time to form four evaluation resin samples. Each of these evaluation resin samples was pushed from the side to measure the load when the resin was peeled off, and this value was divided by the adhesion area of the resin and converted into a load per unit area. The average of the four loads thus obtained was taken as the resin adhesion strength.
  • the resin adhesion strength is 23 MPa in the lead frame of Example 1.
  • the lead frame of Example 2 is 23 MPa
  • the lead frame of Example 3 is 19 MPa
  • the lead frame of Example 4 is 19 MPa
  • the lead frame of Example 5 is 19 MPa
  • Comparative Example 1 The lead frame was 10 MPa
  • the lead frame of Comparative Example 2 was 13 MPa
  • the lead frame of Comparative Example 3 was 12 MPa.

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Abstract

　リードフレームとなる金属板１は、その側面及びハーフエッチング面６にのみ、Ｓｎ，Ｚｎめっき又はそれら金属を含む各種合金めっきが形成されており、半導体素子が搭載される面となる表面には、貴金属めっき層が形成されている。

Description

リードフレーム及びその製造方法
　本発明は、リードフレーム及びその製造方法に関し、特に樹脂との密着性に優れたリードフレームに関するものである。
　半導体パッケージは、金属製のリードフレームと封止用樹脂が主に使用されており、リードフレームは、銅合金が多用され、封止用樹脂は、エポキシ樹脂等が主流を占めている。
　また、半導体パッケージの放熱用として、ヒートスプレッダと呼ばれる部品の材料は、銅板あるいは銅合金板が使用される場合があり、リードフレームとヒートスプレッダは封止用樹脂で固定されている。
  このように、銅及び銅合金を用いた金属材料と樹脂とが接合している製品では、その密着性がしばしば問題になり、樹脂密着性を良好にする方策として、アンカー効果を得る為にリードフレーム及びヒートスプレッダの表面を粗化処理する方法が採用されている。
　しかし、これらの方法の問題点としては、例えばＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ－Ｌｅａｄ）タイプの半導体パッケージでは、封止用樹脂の下面に接続端子が露出しており、金属材料の下面を粗化すると樹脂漏れを誘発する場合があり、その漏れた樹脂は、粗化によって剥離が難しくなるというジレンマを持っている。そのため、従来、部分的に粗化処理をする方法が提案されているが、これらの処理方法はコストアップにつながるという問題点をもっている。
　また、銅材の粗化処理は、銅材を高温加熱することで粗化面の銅酸化が進み酸化膜の剥離が起こりやすくなり、そして加熱前よりも樹脂密着性が低下することになるため、半導体パッケージとしての充分な信頼性を得るには至っていない。
　これらの粗化処理に代わる方策として、従来、特許文献1、特許文献2及び特許文献3に示す技術が開示されている。
　特許文献１には、半導体装置等の電子部品の放熱板において、放熱板と樹脂系接着剤との接着性を向上させる方法として、アミノシラン化合物を０．００１％以上含む溶液中に、Ｎｉ又はＮｉ合金メッキ付き金属板又は条材を浸漬し、接着剤にて樹脂と接着する部分の最表面にアミノシラン化合物皮膜を形成することが開示されている。
　特許文献２には、銅板を基板として、ニッケルめっき層を形成させ、その上にシランカップリング剤塗布層またはポリアクリル酸の皮膜を形成させて半導体用放熱板とし、これに半導体素子およびプリント基板を接着し、トランスファーモールド樹脂で半導体素子を封止し、接着樹脂との密着性に優れた半導体用放熱板を得ることが開示されている。
　特許文献３には、最表面にＳｉ換算付着量で０．５ｍｇ／ｍ２以上のシラン化合物被膜が形成され、その下層に厚さ１０００～２０００Åの酸化皮膜が形成された銅又は銅合金板又は条材であり、４０℃～６０℃のシランカップリング剤水溶液を、銅又は銅合金板又は条材の表面に塗布して該表面にシラン化合物被膜を形成した後、これを加熱処理し、前記シラン化合物皮膜の下層に前記銅又は銅合金板又は条状の酸化皮膜を厚さ１０００～２０００Åの厚さで形成し、樹脂との密着性に優れた銅合金板又は条材を得ることが開示されている。
　これら従来の銅及び銅合金条材の化学的方法による表面処理では、樹脂との密着性を十分に向上させることは困難であり、依然としてリードフレームと樹脂との密着性を向上させる技術が求められている。
日本国特開２００１－３４２５８０号公報 日本国特開２００２－２７０７４０号公報 日本国特開２００５－２２６０９６号公報
　ところで、樹脂との密着性を向上させるためのその他の方策として、素材となる銅材料表面をＳｎまたはその合金めっき、Znまたはその合金めっき処理する方法がある。
　その場合、まず材料表面全体を、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれら金属を含む各種の合金めっき処理をし、その後、めっき面をＤＦＲによってマスキングした後に、エッチングを行うことにより所望のリードフレームを製造する。そして、結果的に、エッチング溶解されない材料面は、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金のめっき処理がなされ、エッチングされた溶解面については、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金のめっき処理されていないリードフレームが成形される。
　或いは、エッチング、もしくはプレスにて成形されたリードフレームに、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種の合金めっき処理を施し、フレーム全体をＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理する方法もある。この場合は、エッチング溶解面やプレスの切断面についても、全てＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種の合金めっき処理がされることになる。
　このように、どちらの方法においても、元々の材料表面は、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金のめっきがなされるので、例えば材料表面に光沢が必要になるＬＥＤ等の照明用途のリードフレームの場合は、材料表面をＳｎ，Ｚｎ又はそれら金属を含む各種合金めっきをすることによって、材料表面に光の拡散が起きてしまうために、必要な光沢度を確保することができなくなる。
　このためＬＥＤ等の照明用途のリードフレームの場合は、樹脂の密着性を向上させたくとも、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金のめっき処理を行うことはできなかった。
　また、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理によって、リードフレームの樹脂密着性は向上するが、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれら金属を含む各種合金めっき処理していないリードフレームの材料表面と比べて、ワイヤーボンディング性が格段に低下してしまう。
　そのため、本来はＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理を行った方が望ましいリードフレームであっても、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理することの出来ないリードフレームも存在している。
　上記実情に鑑み、本発明は、例えば素材面の光沢が必要なＬＥＤ用途のリードフレームの場合において、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき加工を行っても、表面光沢を損なうこと無く、且つ、ワイヤーボンディング性を低下させること無く、樹脂との密着性を向上させることができるリードフレームと、その製造方法を提供することを目的としている。
　上記目的を達成するため、本発明のリードフレームは、リードフレームの側面及びハーフエッチング面にのみ、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含むＺｎＮｉ，ＳｎＢｉ，ＳｎＣｕ又はＳｎＢの如き各種合金めっき層が形成されていることを特徴とする。
　その場合、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき層の厚さは、０．０２～２．０μｍであることを特徴とする。
　また、本発明によれば、半導体素子またはＬＥＤ素子が搭載される面となるリードフレームの表面には貴金属めっき層が形成され、それ以外の面には金属板が露出していることを特徴とする。
　その場合、貴金属めっき層は、Ｎｉ（又はＮｉ合金）／Ｐｄ（又はＰｄ合金）、Ｎｉ（又はＮｉ合金）／Ｐｄ（又はＰｄ合金）／Ａｕ（又はＡｕ合金）、Ｎｉ（又はＮｉ合金）／Ｐｄ（又はＰｄ合金）／Ａｕ（又はＡｕ合金）/Ａｇ(又はＡｇ合金)、Ｎｉ（又はＮｉ合金）／Ｐｄ（又はＰｄ合金）／Ａｇ（又はＡｇ合金）/Ａｕ(又はＡｕ合金)、Ｃｕ（又はＣｕ合金）/Ａｇ（又はＡｇ合金）の順に積層されていることを特徴とする。
　また、本発明に係るリードフレームの製造方法は、リードフレーム材料である金属板にレジストによるめっき用マスクを形成する工程と、めっき用マスクから露出している金属板部分にめっきを形成する工程と、レジストにより、形成されためっき部分を覆い、要求されるリードフレーム形状を得るためのエッチング用マスクを形成する工程と、エッチング加工により金属板に貫通加工およびハーフエッチング加工を施す工程と、エッチング加工をした貫通面およびハーフエッチング面にＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきを施す工程と、を有することを特徴とする。
　更に、本発明によれば、Ｓｎ，Ｚｎめっき又はＳｎ，Ｚｎを含む各種合金めっきは、電気めっきが好ましいが、その他に、化学めっきや真空蒸着などの皮膜ができるめっきであれば如何なるめっきでもよく、また、本発明のリードフレームにおいては、めっき厚は、０．０２～２．０μｍ程度が適当である。めっきの厚さが０．０２μｍ以下の場合には効果が不十分であり、逆に、２．０μｍ以上の場合にはめっきの効果が増大しないからである。
　本発明によれば、エッチング溶解面（製品側面、及びハーフエッチング部分）のみに限定して、部分的にＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金によるめっき処理を行うようにしたから、リードフレームと樹脂との密着性を一段と向上させることができる。
　即ち、従来、表面光沢が必要なリードフレームにおいては、材料表面の全面にＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきを行った場合は、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金をめっきしたことによる影響で、めっき後の表面光沢度を確保できないため、また、ワイヤーボンディング性が格段に低下するため、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金のめっき処理を行うことはできなかったが、本発明による部分的Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき法を適用することで、ＬＥＤ等の照明用途のリードフレームであっても、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれら金属を含む各種合金めっきされるのはエッチング溶解面だけになるので、めっき後の光沢度に影響を及ぼすことなく、リードフレームとリフレクタ樹脂との密着性を向上させることが可能となる。
　加えて、ＱＦＮタイプのリードフレームやその他ＩＣ用リードフレームにおいても、部分的なＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきによる樹脂密着性の向上は可能であり、エッチング溶解面である製品側面へのＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっきはもちろんのこと、表面にハーフエッチング面を追加したり、既存のハーフエッチング面の面積を増やすことで、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき面積は増加し樹脂密着性を向上させることができる。テープレスＱＦＮについても、端子側面がＳｎ，Ｚｎ又はそれら金属を含む各種合金めっき処理されるため、樹脂密着性を向上させることができる。
　また、従来、銅面の粗化処理等によって樹脂密着性の向上を図った場合には、経時変化やアッセンブリによる加熱処理等により、粗化面の銅酸化が進み酸化膜剥離が起こりやすくなり、樹脂密着性が劣化するケースが少なくないが、本発明方法による場合は、経時変化や加熱処理等により形成されるＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金酸化膜が樹脂との密着性を向上させ、また、これらの酸化膜は加熱等で樹脂密着性が劣化することはない。
　更に、部分的なＳｎ，Ｚｎ又はそれら金属を含む各種合金めっきを行うためには、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき用のマスクが必要になるが、本発明では、エッチング用のマスクをそのままＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき用のマスクとして使用するので、エッチング加工からＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理を同一装置により連続的に行うことが可能となり、部分的にＳｎ，Ｚｎ又はそれら金属を含む各種合金めっき処理をするリードフレームの場合でも低コストで生産することが可能となる。
　又、本発明方法により、リードフレームの形状やデザインにおいて、その用途（ＬＥＤ用、ＩＣ用）にかかわらず、部分的にハーフエッチング部分を追加したり、既存のハーフエッチング面積を増やしたりすることによって、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれら金属を含む各種合金めっき処理面積は増大し、更に樹脂密着性を向上させることが可能となる。
図１は本発明に係るリードフレームの製造方法の実施例１の工程を示した図で、（１）は金属板にレジスト層を形成した図、（２）はめっきマスクを形成した図、（３）はめっき層を形成した図、（４）はめっきマスクを剥離した図、（５）はめっきが形成された金属板の両面にレジスト層を形成した図、（６）はエッチングマスクを形成した図、（７）はエッチング後の図、（８）はエッチングマスクを利用して部分的にＳｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含む各種合金めっき処理を行った図、（９）はエッチングマスクを剥離した図である。 図２は実施例および比較例で作製した試験片の樹脂密着強度の評価結果を示す表である。
　以下、図1を参照して本発明に係るリードフレームの製造方法を説明する。
　最初の工程は、リードフレーム素材となるべき金属板１の表裏面にフォトレジストをラミネートしてフォトレジスト層２を設け、その上にめっきパターンの形成されためっきマスク３を被せ、フォトリソグラフィ工程（露光及び現像）でレジストに転写し、めっきパターンを描画する工程である。
　その工程は、金属板１上にフォトレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト）をラミネートし（１）、めっきパターンの形成されたガラスマスクをフォトリソグラフィ工程（露光及び現像）でレジストに転写し、めっきパターンを金属板１上に描画し(２）、次に、電解めっき法によってＮｉ/Ｐｄ/ＡｕあるいはＡｇめっき４を施し、Ｎｉ/Ｐｄ/ＡｕあるいはＡｇ被膜を形成する(３）。
　次に、金属板１の両面に形成されているめっきマスク３を水酸化ナトリウム水溶液により剥離し(４）、その後再度、金属板１上にフォトレジストをラミネートし(５）、リードフレームパターンの形成されたガラスマスクをフォトリソグラフィ工程でレジストに転写し(６）、塩化第二鉄液を用いたエッチングで余分な金属部分を除去してリードフレーム形状を形成する(７）。
　次に、電解めっき法によって、ＳｎまたはＺｎめっき処理を行う(８）。それにより、エッチング溶解面（金属板１の側面、及びハーフエッチング部分）のみに限定して、ＳｎまたはＺｎめっきが０．０２～２．０μｍの厚みで施される。
　最後に、金属板１の両面に形成されているエッチングマスクを水酸化ナトリウム水溶液により剥離することにより、本発明によるリードフレーム(９）が形成される。
　かくして、本発明によれば、封止樹脂との密着性が向上し、さらに、ワイヤーボンディング性も従来と同等のリードフレームを提供することができる。なお、本発明では、金属板１の材料としては、銅系の材料が好適であるが、これに限定されるものではない。
　金属板１として厚さが０.１５０ｍｍの銅材を用いて、両面にドライフィルムレジスト(旭化成イーマテリアルズ株式会社：ＡＱ-２０５８)を貼り付け、レジスト層を形成した。次に、めっきを形成するためのパターンが形成された上面側用と裏面側用のガラスマスクを用いて、露光及び現像を行うことで、めっきを形成する部分のレジストを除去し、部分的に金属板表面を露出させためっきマスクを形成した。
　次に、めっき加工を行なって金属板表面の露出部分にめっきを形成した。本実施例では、金属板側から順に、設定値１.０μｍのＮｉめっき、設定値０.０２μｍのＰｄめっき、設定値０.００７μｍのＡｕめっきを施して、３層のめっきを形成した。
　次に、金属板の両面に形成されているめっきマスクを３％の水酸化ナトリウム水溶液により剥離し、更に３％の硫酸による洗浄処理も行なった。
　次に、めっきが形成された金属板の両面にドライフィルムレジスト(旭化成イーマテリアルズ株式会社：ＡＱ-4４０９６)を貼り付けてレジスト層を形成し、リードフレームの形状が形成されたガラスマスクを用いて両面を露光し現像を行ってエッチングマスクを形成した。
　次に、塩化第二鉄液を用いてスプレーエッチング加工を行い、リードフレームの形成を行った。　エッチング加工は、液温７０℃、比重１.４７の塩化第二鉄液を用い、搖動するスプレーノズルによって０.３ＭＰaの設定圧力で噴射させ、約１６０秒間の処理を行なった。
　次に、エッチング溶解面に付着した銅結晶をスプレー噴射による硫酸洗浄にて除去した後、電解めっき法によって、Ｚｎめっき処理を行った。この電気Ｚｎめっき浴は、ＮａＯＨ ５ｇ／ｌ、ＮａＣＮ ３５ｇ／ｌ、および、Ｚｎ(ＣＮ）２３０ｇ／ｌから構成され、電流密度を３Ａ／ｄｍ２で電気Ｚｎめっきして、膜厚１μｍのＺｎめっき層を得た。
　次に、Ｚｎめっき面に付着したＺｎめっき処理液の残渣物をスプレー噴射による塩酸洗浄にて除去し、その後、水酸化ナトリウム水溶液を用いてエッチングマスクを剥離した。その後、硫酸による酸処理を行い表面を乾燥させ、製品側面およびエッチング溶解面が部分的にＺｎめっきされた、実施例1のリードフレームを得た。
　電気Ｚｎめっきの膜厚を０.２μｍにしたことを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で実施例２のリードフレームを得た。
　Ｚｎの代わりにＳｎめっきを適用することを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で実施例３のリードフレームを得た。この電気Ｓｎめっき浴は、硫酸第一スズ５５ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ／ｌ、クレゾールスルホン酸６０ｇ／ｌ、ゼラチン２ｇ／ｌ、および、βナフトール１ｇ／ｌから構成され、電流密度を２Ａ／ｄｍ２で電気Ｓｎめっきして、膜厚１μｍのＳｎめっき層を得た。
　ＺｎめっきをAtotech社製ジンニーST AF210亜鉛ニッケル合金（Ni共析率12-15wt％）めっきを適用することを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で実施例４のリードフレームを得た。このジンニーST AF210亜鉛ニッケル合金めっきは、塩化カリウム２１３ｇ／ｌ、塩化亜鉛４２ｇ／ｌ、および、塩化ニッケル６水和物１２１ｇ／ｌの基本液に、添加剤としてジンニーＡＣＡＦ２１１を１０ｍｌ/ｌ、ジンニーＡＣＡＦ２１２を２０ｍｌ/ｌ、ジンニーＡＣＡＦ２１４を２０ｍｌ/ｌ、ジンニーＡＣＡＦ２１６を７０ｍｌ/ｌを添加しためっき液から構成され、電流密度を２Ａ／ｄｍ２で電気めっきして、膜厚１μｍのＺｎＮｉ合金めっき層を得た。
　Ｎｉの代わりにＮｉＰめっきを適用することを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で実施例５のリードフレームを得た。この電気ＮｉＰめっき浴は、硫酸ニッケル２５０ｇ／ｌ、塩化ニッケル５０ｇ／ｌ、ホウ酸５０ｇ／ｌ、および、ノボプレートＨＳ（アトテックジャパン(株)）３０ｍｌ／ｌから構成され、電流密度を２Ａ／ｄｍ２で電気Ｓｎめっきして、膜厚１μｍのＮｉＰめっき層を得た。
　以上、実施例を説明したが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
比較例１
　エッチング後にＺｎめっきを適用しなかったことを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で比較例1のリードフレームを得た。
比較例２
　エッチング後にＺｎめっきの代わりに、銅粗化処理を行なったことを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で比較例２のリードフレームを得た。銅粗化処理は粗化処理液（メック株式会社：ＣＺ８１００）をスプレー噴射することにより行った。この粗化処理液は液温３５℃、比重１．１４５、銅濃度３５ｇ／Ｌに調液し、スプレー噴射にて粗化処理を行った。粗化面の表面粗さはＳＲａ０．２～０．４となった。
比較例３
　Ｚｎめっきの代わりにＡｇめっきを適用することを除いて、実施例1で行ったのと同様の方法で比較例３のリードフレームを得た。Ａｇめっき浴は、ＫＣＮ ４０ｇ／ｌ、ＡｇＣＮ ３５ｇ／ｌ、Ｋ２ＣＯ３ ２２ｇ／ｌから構成され、電流密度３Ａ／ｄｍ２で電気Ａｇめっきして膜厚０．２μｍのＡｇめっき層を得た。
　このようにして形成されたリードフレームから樹脂密着性評価試験のための試験片を切り出し、
　これら試験片の樹脂密着性を判断するために、下記の方法により樹脂密着強度を評価した。即ち、金属製基材の上に、金型注入圧力１００ｋｇ／ｃｍ２、金型温度１７５℃×９０秒の条件で直径２ｍｍの大きさの樹脂を４つ形成し、１７５℃のオーブン中で８時間に亘って硬化処理して、４点の評価用樹脂見本を形成した。これら評価用樹脂見本をそれぞれ真横から押して樹脂が剥離したときの荷重を測定し、この値を樹脂の接着面積で割って単位面積あたりの荷重に換算した。このようにして得られた４点の荷重の平均をとって樹脂密着強度とした。
　上記のようにして、実施例および比較例で作製したリードフレームのそれぞれに対して樹脂密着強度を評価した結果、図２に示したように、樹脂密着強度は、実施例1のリードフレームでは２３ＭＰａであり、実施例２のリードフレームでも２３ＭＰａであり、実施例３のリードフレームでは１９ＭＰａであり、実施例４のリードフレームでは１９ＭＰａであり、実施例５のリードフレームでは１９ＭＰａであり、比較例1のリードフレームでは１０ＭＰａであり、比較例２のリードフレームでは１３ＭＰａであり、比較例３のリードフレームでは１２ＭＰａであった。
　これらの結果から、製品側面およびハーフエッチ面のみを薄くＳｎまたはＺｎめっきした場合には、ＳｎまたはＺｎめっきしない場合の２倍程度の密着強度が得られることが確認された。また、Ｚｎのめっき厚は０．２～１μｍの範囲では密着強度に変化はなく十分に高いレベルにあった。また、ＳｎまたはＺｎめっきの代わりに、銅粗化処理を行った場合や、Ａｇめっきを行った場合には、ＳｎまたはＺｎめっきのような高い密着強度が得られないことがわかった。
　一方、ＺｎＮｉめっきやＮｉＰめっきを行った場合にも、ＳｎまたはＺｎめっきと同等レベルの高い密着強度が得られることがわかった。
符号の説明　
　　１・・・金属板
　　２・・・レジスト層
　　３・・・めっきマスク
　　４・・・めっき
　　５・・・エッチングマスク
　　６・・・ＳｎまたはＺｎめっき処理面

Claims (6)

  1. 　金属板より形成されていて、側面及びハーフエッチング面にのみ、Ｓｎ，Ｚｎ又はそれらの金属を含むＺｎＮｉ，ＳｎＢｉ，ＳｎＣｕ又はＳｎＢの如き各種合金めっきが形成されていることを特徴とするリードフレーム。
  2. 　前記各種合金めっきの厚さが、０．０２～２．０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
  3. 　半導体素子又はＬＥＤ素子が搭載される面となるリードフレームの表面には、貴金属めっき層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
  4. 　前記貴金属めっき層は、Ｎｉ（又はＮｉ合金）／Ｐｄ（又はＰｄ合金）、Ｎｉ（又はＮｉ合金）／Ｐｄ（又はＰｄ合金）／Ａｕ（又はＡｕ合金）、Ｎｉ（又はＮｉ合金）／Ｐｄ（又はＰｄ合金）／Ａｕ（又はＡｕ合金）/Ａｇ(又はＡｇ合金)、Ｎｉ（又はＮｉ合金）／Ｐｄ（又はＰｄ合金）／Ａｇ（又はＡｇ合金）/Ａｕ(又はＡｕ合金)、Ｃｕ（又はＣｕ合金）/Ａｇ（又はＡｇ合金）の順に積層されていることを特徴とする請求項３に記載のリードフレーム。
  5. 　前記貴金属めっき層を形成したリードフレームの表面以外の表面には、金属板が露出していることを特徴とする請求項３に記載のリードフレーム。
  6. 　リードフレーム材料の金属板にレジストによるめっき用マスクを形成する工程と、
    　前記めっき用マスクから露出している前記金属板にめっきを形成する工程と、
    　レジストにより、形成された前記めっき部分を覆い、要求されるリードフレーム形状を得るためのエッチング用マスクを形成する工程と、
    　エッチングにより金属板に貫通加工およびハーフエッチング加工を施す工程と、
    　エッチング加工をした貫通面およびハーフエッチング面にＳｎ，Ｚｎめっき又はそれら金属を含む各種合金めっきを施す工程と、
    を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。
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