JP5813335B2 - リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、リードフレーム部材とその製造方法に関するものである。

近年、電子機器の小型化、高密度化に対応するために、半導体部品の高密度化、高機能化が要求され、半導体パッケージの小型化、軽量化が急速に進んでいる。このような流れの中で、ＢＧＡ（Ball Grid Array）やＬＧＡ（Land Grid Array）等のエリアアレイタイプ、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプやＣＳＰ（Chip Size Package）タイプの樹脂封止型半導体装置が実用化されている。

この種の半導体装置の製造方法としては、リードフレームのダイパッド部に半導体素子を搭載する処理（ダイ・ボンディング）と、半導体素子の電極とリードフレームのリードとをボンディングワイヤにより電気的に接続する処理（ワイヤ・ボンディング）が含まれる。さらに、半導体素子やボンディングワイヤ等を封止樹脂により封止する処理（モールディング）と、リードフレームを各パッケージ（半導体装置）単位に分割する処理（ダイシング）などが含まれる。上記モールディングの形態としては、個々の半導体素子毎に封止樹脂を行う個別モールディング方式、複数個の半導体素子単位で樹脂封止を行う一括モールディング方式などがある。但し、最近では、コストダウンの要求から、一括モールディング方式が主流となっている。

ところが、このような一括モールディング方式では、封止樹脂のリードフレーム裏面への漏れ出しを防止するために、リードフレーム裏面全体に接着テープを貼り付けた状態でモールディングを行う必要がある。このため、接着テープを貼り付ける分だけ生産性が低下し、コストが増大するという問題があった。

そこで、上記接着テープを不要とする方法として、リードフレームのフレーム構造を形成する際に形成される当該リードフレームの表裏面間を貫通する開口部に、封止樹脂の流れ防止用の絶縁性の樹脂を埋め込む方法が提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。

特開２００３−３０９２４１号公報 特開２００３−３０９２４２号公報

しかしながら、リードフレームの厚みは１００〜５００μｍ程度と薄いため、貫通孔に埋め込んだ樹脂とリードフレームとが接する面積が少ない。このため、樹脂埋め込み後の工程（例えば、めっき工程や実装工程）において、リードフレームに若干の曲げ変形が生じたり、リードフレームに熱や力がかかったりすると、上記埋め込んだ樹脂がリードフレームから容易に剥離するという問題がある。

本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、開口部に埋め込まれた樹脂の剥離を抑制することのできるリードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明の一観点によれば、セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードを有する単位リードフレームが複数個連設されたリードフレームであって、前記セクションバー及び前記ダイパッド及び前記リードを画定する開口部と、前記セクションバーの下面に形成された凹部と、前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部及び前記凹部の内壁面のみに形成される、表面が粗面化された粗面めっき層と、前記粗面めっき層に接するように前記開口部の少なくとも一部と前記凹部とに埋め込まれた絶縁性の樹脂層と、を有する。

この構成によれば、開口部の内壁面に粗面めっき層が形成されることにより、その内壁面（粗面めっき層）と樹脂層との接触面積が、内壁面が平滑面の場合よりも増大される。これにより、開口部の内壁面（粗面めっき層）と樹脂層との密着性を向上させることができる。したがって、開口部からの樹脂層の剥離等の発生を好適に抑制することができる。

本発明の一観点によれば、セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードを有する単位リードフレームが複数個連設されるリードフレームの製造方法であって、前記セクションバー及び前記ダイパッド及び前記リードを画定するための開口部を導電性基板に形成するとともに、前記セクションバーとなる前記導電性基板の下面に凹部を形成して基板フレームを形成する基板形成工程と、前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部及び前記凹部の内壁面のみに、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、前記粗面めっき層に接するように絶縁性の樹脂を、前記開口部の少なくとも一部と前記凹部とに埋め込む樹脂埋め込み工程と、を有する。

この構成によれば、開口部の内壁面に粗面めっき層が形成されることにより、その内壁面（粗面めっき層）とその粗面めっき層に接するように開口部に埋め込まれる樹脂との接触面積が、内壁面が平滑面の場合よりも増大される。このため、開口部の内壁面（粗面めっき層）と樹脂層との密着性を向上させることができる。したがって、開口部からの樹脂層の剥離等の発生を好適に抑制することができる。

本発明の一観点によれば、開口部に埋め込まれた樹脂の剥離を抑制することができるという効果を奏する。

（ａ）は、第１実施形態のリードフレームを示す概略平面図、（ｂ）は、図１（ａ）に示す領域Ｒの拡大平面図、（ｃ）は、図１（ｂ）に示すリードフレームのＡ−Ａ概略断面図である。 （ａ）〜（ｇ）は、第１実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略断面図である。 めっき処理装置の概略構成を示す斜視図である。 めっき層の表面粗さとカップ剪断強さとの関係を示すグラフである。 変形例のリードフレームを示す概略断面図である。 第２実施形態のリードフレームを示す概略平面図である。 （ａ）〜（ｈ）は、第２実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略断面図である。 （ａ）は、第３実施形態のリードフレームを示す拡大平面図、（ｂ）は、図８（ａ）に示すリードフレームのＢ−Ｂ概略断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、第３実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、第３実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略断面図である。 変形例のリードフレームを示す概略断面図である。 第４実施形態の半導体装置を示す概略断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第４実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、変形例の半導体装置を示す概略断面図である。

以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。尚、添付図面は、構造の概略を説明するためのものであり、実際の大きさを表していない。
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図４に従って説明する。

図１に示すリードフレーム１は、基本的には、ＱＦＮの基板として用いられる基板フレーム２から構成されている。基板フレーム２の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）、Ｃｕをベースにした合金、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金等を用いることができる。

図１（ａ）に示すように、基板フレーム２の一方の面には、複数（図では、３つ）のモールドキャビティ３が分離して画定されている。各モールドキャビティ３には、単位リードフレーム１０がマトリクス状（図では、５×５）に複数個連設して形成されている。この単位リードフレーム１０は、最終的に半導体素子が搭載されて個々の半導体装置（パッケージ）として切り出されるものである。なお、半導体装置の組み立てを行う際には、各単位リードフレーム１０に半導体素子が搭載された後、各モールドキャビティ３毎に一括モールディング方式により樹脂封止が行われる。

図１（ｂ）に示すように、単位リードフレーム１０は、格子状に形成された内フレーム（以下、セクションバーともいう。）１１と、そのセクションバー１１から延在する４本のサポートバー１２によって支持されているダイパッド１３と、セクションバー１１からダイパッド１３に向かって延在されている櫛歯状の複数のリード１４とを有している。リード１４は、ダイパッド１３の周囲に設けられている。このリード１４は、図１（ｃ）に示すように、搭載する半導体素子の電極端子に電気的に接続されるインナーリード１４Ａと、マザーボード等の実装用基板の配線に電気的に接続されるアウターリード（外部接続端子）１４Ｂとを有している。このアウターリード１４Ｂは、断面視において、インナーリード１４Ａよりも幅が狭くなっている。また、上記ダイパッド１３は、その裏面（図１（ｃ）では下面）が表面（図１（ｃ）では上面）よりも幅が狭くなっている。なお、図示は省略しているが、平面視において、ダイパッド１３の裏面は表面よりも面積が小さくなっている。

また、単位リードフレーム１０には、これらセクションバー１１、サポートバー１２、ダイパッド１３及びリード１４を画定する開口部１５が形成されている。この開口部１５は、基板フレーム２の厚み方向に貫通して形成されている。このため、この開口部１５の内壁面１５Ａは、基板フレーム２の厚み方向の面、つまりダイパッド１３の側面又はリード１４の側面になる。また、セクションバー１１の裏面（図中の下面）には、凹部１６が形成されている。

開口部１５の内壁面１５Ａ及び凹部１６の内壁面１６Ａには、表面が粗面化された粗面めっき層１７が形成されている。また、上記粗面めっき層１７は、例えばＮｉ、クロム（Ｃｒ）、Ｆｅ又はそれらの合金のうちのいずれか一つ、又はこれらのうちの２つ以上からなる積層体から構成することができる。この粗面めっき層１７の粗化面（表面）１７Ａは、微細な凹凸形状に形成されている。この粗化面１７Ａの粗度は、当該めっき層１７を電解めっき法にて形成する際に使用するめっき液の組成や電流密度等を調整することにより、例えば表面粗さＲａ値で１００ｎｍ以上になるように設定されている。ここで、表面粗さＲａとは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。

また、上記開口部１５内及び凹部１６内には、粗面めっき層１７の粗化面１７Ａに接するように、絶縁性の樹脂層１８が形成されている。この樹脂層１８の材料としては、例えばビルドアップ樹脂（フィラー入りのエポキシ樹脂など）や封止用樹脂などを用いることができる。

次に、このような構造を採用したリードフレーム１の作用を説明する。
リードフレーム１の開口部１５の内壁面１５Ａに、表面が粗面化された粗面めっき層１７が形成される。そして、この粗面めっき層１７の粗化面１７Ａに接するように、開口部１５内に絶縁性の樹脂層１８が形成される。これにより、その粗面めっき層１７の粗化面１７Ａと樹脂層１８との接触面積が、開口部１５の内壁面１５Ａが平滑面である場合よりも増大され、粗面めっき層１７（基板フレーム２）と樹脂層１８との密着性を向上させることができる。したがって、基板フレーム２からの樹脂層１８の剥離等の発生を好適に抑制することができる。

次に、このように構成されたリードフレーム１の製造方法について説明する。
まず、図２（ａ）に示す導電性基板３０を準備する。この導電性基板３０としては、例えばＣｕ、Ｃｕをベースにした合金、Ｆｅ−Ｎｉ又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金等の金属板を用いることができる。また、この導電性基板３０の厚さは、例えば１００〜５００μｍである。

次に、図２（ｂ）に示すように、上記導電性基板３０の両面に、開口部１５及び凹部１６の形状に対応した開口部３１Ａを有するレジスト層３１を形成する。このレジスト層３１は、例えばフォトリソグラフィ法によって形成される。また、このレジスト層３１の材料としては、所望の解像性があり、耐エッチング性及び耐めっき性がある材料であれば、特に限定されない。

続いて、図２（ｃ）に示すように、レジスト層３１をエッチングマスクとして、導電性基板３０を両面からエッチングして上記基板フレーム２を形成する（基板形成工程）。具体的には、レジスト層３１の開口部３１Ａから露出された導電性基板３０を両面からエッチングし、導電性基板３０に上記開口部１５及び凹部１６を形成して基板フレーム２を形成する。これら開口部１５及び凹部１６の形成により、搭載される複数個の半導体素子の各個に対応してセクションバー１１、サポートバー１２（図１（ｂ）参照）、ダイパッド１３及びリード１４が画定される。なお、この工程で使用されるエッチング液は、導電性基板３０の材質に応じて適宜選択することができる。例えば導電性基板３０として銅を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液を使用することができ、導電性基板３０の両面からスプレーエッチングにて上記基板形成工程を実施することができる。

次に、図２（ｄ）に示すように、上記レジスト層３１をめっきマスクとして、基板フレーム２に電解めっきを施す。具体的には、レジスト層３１から露出された導電性基板３０の面、つまり開口部１５及び凹部１６の内壁面１５Ａ，１６Ａに、表面が粗化面１７Ａである粗面めっき層１７を形成する（粗化工程）。これにより、開口部１５及び凹部１６の内壁面１５Ａ，１６Ａに粗化面が形成されたことになる。ここで、粗面めっき層１７の厚さは、例えば１〜１０μｍとすることができる。また、粗化面１７Ａの表面粗度としては、表面粗さＲａ値で１００〜５００ｎｍの範囲であることが上記樹脂層１８との密着性の点で好ましい。但し、このような粗度に設定するためには、上述もしたように、使用するめっき液の組成や電流密度を適切に調整する必要がある。

以下に、電解めっきの方法の一例を説明する。まず、めっき処理装置４０の構成を説明する。
図３に示すように、めっき処理装置４０は、処理槽４１とめっき液４２とを有している。処理槽４１に処理対象である上記基板形成工程後の基板フレーム２が浸漬される。処理槽４１は、付属の案内ローラ（図示略）によって上記基板フレーム２が矢印方向に搬送可能なように構成されている。また、処理槽４１は、電解めっきのため、整流器４３に接続された２枚の白金電極板（＋）４４，４５を備えている。整流器４３は、基板フレーム２にも給電している。

このように構成されためっき処理装置４０を利用してＮｉから構成される粗面めっき層１７を形成する際の条件の一例を説明する。すなわち、めっき液として塩化ニッケルめっき浴を使用する場合のめっき浴の組成及びめっき条件は、次の通りである（条件１）。

塩化ニッケルめっき浴：
塩化ニッケル ７５ｇ／Ｌ
チオシアン酸ナトリウム １５ｇ／Ｌ
塩化アンモニウム ３０ｇ／Ｌ
ｐＨ： 約４．５〜５．５
浴温： 常温（約２５℃）
陰極電流密度： 約１〜３Ａ／ｃｍ^２
このように、予め使用するめっき液の組成や電流密度等を適切に調整することにより、粗面めっき層１７の表面が粗面化され、その粗化面１７Ａの粗度を所望の表面粗度に設定させることができる。なお、上述しためっき液の組成やめっき条件は一例であり、粗面めっき層１７の粗化面１７Ａが所望の表面粗度になるように調整されるのであれば、その組成や条件は特に限定されない。

そして、このような電解めっき後、図２（ｅ）に示すように両面のレジスト層３１を剥離する。
次に、図２（ｆ）に示すように、粗化後の基板フレーム２の一側面（ここでは、下面）側に、半硬化状態とされた樹脂シート３３を配置する。ここで、樹脂シート３３の材料としては、例えばビルドアップ樹脂（フィラー入りのエポキシ樹脂など）や封止用樹脂などを使用することができる。

続いて、基板フレーム２及び樹脂シート３３を、下側の板材３４と上側の板材３５との間に配置し、プレス装置などによって上下両面から加圧及び加熱する。これにより、樹脂シート３３が溶融し、図２（ｇ）に示すように、その溶融した樹脂が上記樹脂層１８として上記開口部１５及び凹部１６内に埋め込まれる（樹脂埋め込み工程）。ここで、上記板材３４，３５の材料としては、耐熱性及び剛性が高い材料が好ましく、さらに樹脂層１８との剥離性に優れた材料がより好ましく、例えばポリテトラフルオロエチレンなどを使用することができる。

そして、樹脂埋め込み後の基板フレーム２の両面を研磨してダイパッド１３の端面及びリード１４（インナーリード１４Ａ及びアウターリード１４Ｂ）の端面を露出させる。この研磨は、例えばサンドブラストやバフ研磨などにより実行することができる。

以上説明した製造工程により、搭載する各半導体素子毎にそれぞれ割り当てられた単位リードフレーム１０がマトリクス状に複数個連結された構造、つまり図１に示す構造のリードフレーム１が製造される。なお、このリードフレーム１は、露出されているダイパッド１３の端面及びリード１４の端面にめっき処理が施された後、そのめっき処理されたダイパッド１３に半導体素子が搭載され、半導体素子とインナーリード１４Ａとがワイヤボンディングされ、一括モールディングに供される。
（粗面めっき層の密着性評価）
次に、上述した条件１にて製造された粗面めっき層の密着性についての評価を行った結果について説明する。

まず、評価用のサンプルを作製した。具体的には、微量のＦｅを含有する銅合金材（商品名「ＣＤＡ１９４」）をサンプルとして用意し、その片面にＮｉからなる粗面めっき層を異なる膜厚で電解めっきし、下記の４種類のサンプルを作製した。

サンプルＡ１：膜厚０．５μｍ
サンプルＢ１：膜厚１．０μｍ
サンプルＣ１：膜厚３．０μｍ
サンプルＤ１：膜厚５．０μｍ
この評価用サンプルＡ１〜Ｄ１の作製に使用した電解めっき浴の組成及びめっき条件は、上述した条件１である。

また、上記評価用サンプルＡ１〜Ｄ１に対する比較用のサンプルも作製した。具体的には、微量のＦｅを含有する銅合金材（商品名「ＣＤＡ１９４」）をサンプルとして用意し、その片面に、表面が平滑面であるＮｉめっき層を異なる膜厚で電解めっきし、下記の４種類の比較用サンプルを作製した。

サンプルＡ２：膜厚０．５μｍ
サンプルＢ２：膜厚１．０μｍ
サンプルＣ２：膜厚３．０μｍ
サンプルＤ２：膜厚５．０μｍ
この比較用サンプルＡ２〜Ｄ２の作製に使用した電解めっき浴の組成及びめっき条件は、次の通りである（条件２）。

スルファミン酸ニッケルめっき浴：
スルファミン酸ニッケル ３２０ｇ／Ｌ
硼酸 ３０ｇ／Ｌ
臭化ニッケル １０ｇ／Ｌ
ｐＨ： 約３．０〜４．０
浴温： 約３０〜５０℃
陰極電流密度： 約３〜３０Ａ／ｃｍ^２
このように作製された全てのサンプル、すなわち評価用サンプルＡ１〜Ｄ１及び比較用サンプルＡ２〜Ｄ２のそれぞれについて、表面粗さＲａを求めた。その結果を表１に示す。

また、全てのサンプルＡ１〜Ｄ１，Ａ２〜Ｄ２について、ＳＥＭＩ標準規格Ｇ６９−０９９６に規定される手順に従ってカップせん断強さを測定し、Ｎｉからなる粗面めっき層に対する樹脂の密着性を評価した。その結果を図４に示す。この図４は、めっき層の表面粗さＲａとカップ剪断強さとの関係を例示するグラフである。この図において、評価用サンプルの結果は、表面粗さＲａが異なる評価用サンプルＡ１〜Ｄ１についてそれぞれ測定された剪断強さをグラフ化したものであり、比較用サンプルの結果は、表面粗さＲａが異なる比較用サンプルＡ２〜Ｄ２についてそれぞれ測定された剪断強さをグラフ化したものである。この結果から明らかなように、表面粗さＲａが高くなるほど剪断強さを強くなり、樹脂との密着性が高くなる。さらに、粗面めっき層の表面粗さＲａが１００ｎｍ以上になると、カップ剪断強さが、表面が平滑面である場合のカップ剪断強さよりも４倍程度強くなることが分かる。したがって、めっき層の表面粗さＲａが１００ｎｍ以上になると、そのめっき層と樹脂との密着性が良好となる。

以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）基板フレーム２の開口部１５の内壁面１５Ａに、表面が粗化面１７Ａである粗面めっき層１７を形成し、その粗化面１７Ａに接するように樹脂層１８を開口部１５内に埋め込むようにした。この粗化面１７Ａにより、開口部１５の内壁面と樹脂層１８との接触面積が増大されるため、粗面めっき層１７（基板フレーム２）と樹脂層１８との密着性を向上させることができる。したがって、基板フレーム２からの樹脂層１８の剥離等の発生を好適に抑制することができる。

（２）開口部１５の内壁面１５Ａへの粗化を電解めっきにより行うようにした。これにより、粗化をエッチングで行う場合に比べて、処理液（めっき液）の寿命を延ばすことができ、そのめっき液を継続的に使用することができる。このため、コスト削減に貢献することができる。

（３）樹脂層１８と接する粗面めっき層１７の粗化面１７Ａの粗度を、表面粗さＲａで１００ｎｍ以上になるようにした。これにより、粗面めっき層１７と樹脂層１８との間で良好な密着性を得ることができる。

（４）レジスト層３１をエッチングマスク及びめっきマスクとして利用するようにした。これにより、エッチング工程（基板形成工程）とめっき工程（粗化工程）のそれぞれで別個のマスクを形成する必要がなくなるため、製造工程を減らすことができ、コストを削減することができる。

なお、上記第１実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記第１実施形態では、ダイパッド１３の端面及びリード１４の端面を露出させるようにしたが、図５に示すように、ダイパッド１３の端面及びリード１４の端面の各々にめっき層１３Ｃ，１４Ｃを形成するようにしてもよい。このめっき層１３Ｃ，１４Ｃは、例えば図２（ｇ）に示す研磨工程後の基板フレーム２にめっき処理を施すことにより形成することができる。めっき処理としては、順にＮｉめっき、Ａｕめっきを施すめっき処理や、Ａｇめっきを施すめっき処理などが挙げられるが、これに限定されない。

・上記第１実施形態では、エッチング加工により導電性基板３０から基板フレーム２を形成するようにしたが、例えばプレス加工により導電性基板３０から基板フレーム２を形成するようにしてもよい。

（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図６及び図７に従って説明する。先の図１〜図５に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。

図６に示すように、本実施形態のリードフレーム１Ａの基板フレーム２Ａは、製品となる単位リードフレーム１０よりも外側の領域に、樹脂を充填するための注入口であるゲート部４が複数設けられている。このゲート部４は、各モールドキャビティ３に対応して設けられている。

次に、このゲート部４を利用したリードフレーム１Ａの製造方法を説明する。
まず、図７（ａ）に示す導電性基板５０を準備する。この導電性基板５０としては、例えばＣｕ、Ｃｕをベースにした合金、Ｆｅ−Ｎｉ又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金等の金属板を用いることができる。また、この導電性基板５０の厚さは、例えば１００〜５００μｍである。

次に、図７（ｂ）に示すように、上記導電性基板５０の両面に、開口部１５、凹部１６及びゲート部４の形状に対応した開口部５１Ａを有するレジスト層５１を形成する。このレジスト層５１は、例えばフォトリソグラフィ法によって形成される。また、このレジスト層５１の材料としては、所望の解像性があり、耐エッチング性及び耐めっき性がある材料であれば、特に限定されない。

続いて、図７（ｃ）に示すように、レジスト層５１の開口部５１Ａから露出された導電性基板５０を両面からエッチングし、導電性基板５０に上記開口部１５、凹部１６及びゲート部４を形成して基板フレーム２Ａを形成する。これら開口部１５及び凹部１６の形成により、搭載される複数個の半導体素子の各個に対応してセクションバー１１、サポートバー１２（図１（ｂ）参照）、ダイパッド１３及びリード１４が画定される。このとき、本工程では、上記開口部１５が空間的に連続して形成されるように導電性基板５０がエッチングされる。

次に、図７（ｄ）に示すように、上記第１実施形態と同様に、レジスト層５１から露出された導電性基板５０の面、つまり開口部１５及び凹部１６の内壁面１５Ａ，１６Ａに、表面が粗化面１７Ａである粗面めっき層１７を形成する。なお、この粗化工程では、ゲート部４にも粗面めっき層１７が形成される。ここで、粗面めっき層１７の厚さは、例えば１〜１０μｍとすることができる。また、粗化面１７Ａの表面粗度としては、表面粗さＲａ値で１００〜５００ｎｍの範囲である。このようなめっき処理後、図７（ｅ）に示すように両面のレジスト層５１を剥離する。

次に、図７（ｆ）に示すように、粗化後の基板フレーム２Ａの両面に該基板フレーム２Ａの表面を保護するための樹脂フィルム５２，５３を配置し、これら基板フレーム２Ａ及び樹脂フィルム５２，５３をモールディング金型（１組の上型５４及び下型５５）により固定する。続いて、上記ゲート部４から絶縁性の樹脂５６を加熱及び加圧しながら注入する（樹脂埋め込み工程）。これにより、図７（ｇ）に示すように、基板フレーム２Ａと樹脂フィルム５２，５３とによって空間が形成されている開口部１５及び凹部１６に樹脂５６が充填されて樹脂層１８が形成される。このとき、樹脂５６を全体に行き渡らせるためには、樹脂５６を注入する空間が連続している必要がある。このため、本来のリードフレームのパターンだけでは樹脂５６を注入する空間が連続していない場合には、上述した図７（ｂ）、（ｃ）の工程において、本来のリードフレームのパターンに加えて、本工程において樹脂５６の通り道となるパターンを導電性基板５０に加工することで、開口部１５及び凹部１６が空間的に連続するように形成されている。

ここで、上記樹脂フィルム５２，５３の材料としては、耐熱性及び柔軟性が高い材料が好ましく、上記金型５４，５５で固定した際に、当該樹脂フィルム５２，５３と基板フレーム２Ａとの間に樹脂５６が入らないように基板フレーム２Ａに密着させることも可能な材料がより好ましく、さらに樹脂５６との剥離性に優れた材料が好ましい。例えば樹脂フィルム５２，５３の材料としては、フッ素樹脂などを用いることができる。この樹脂フィルム５２，５３の厚さは、例えば５０〜１００μｍである。一方、樹脂５６の材料としては、流動性の高い材料が好ましい。例えば樹脂５６の材料としては、例えばビルドアップ樹脂（フィラー入りのエポキシ樹脂など）や封止用樹脂などを用いることができる。

次に、図７（ｇ）に示すように、樹脂層１８が形成された基板フレーム２Ａを金型５４，５５から取り出し、基板フレーム２Ａから樹脂フィルム５２，５３を剥離する。これにより、ゲート部４以外の構造が図１に示す構造と略同様であるリードフレーム１Ａを製造することができる。

続いて、図７（ｈ）に示すように、ダイパッド１３の端面及びリード１４の端面にめっき処理を施し、ダイパッド１３の端面及びリード１４の端面の各々にめっき層１３Ｃ，１４Ｃを形成する。以上の製造工程により、ゲート部４以外の構造が図５に示す構造と略同様であるリードフレーム１Ａを製造することができる。なお、このリードフレーム１Ａは、めっき処理されたダイパッド１３に半導体素子が搭載され、半導体素子とリード１４とがワイヤボンディングされ、一括モールディングに供される。また、リードフレーム１Ａは、製品部分よりも外側領域に設けられた上記ゲート部４を切断した上で、半導体素子を搭載する工程に供することもできる。

以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（４）の効果に加えて以下の効果を奏する。
（５）樹脂５６を加圧及び加熱しながら注入することにより、開口部１５及び凹部１６内に樹脂層１８を形成するようにした。これにより、リードフレーム１Ａ（基板フレーム２Ａ）の外表面が樹脂５６で汚染されることを好適に抑制することができる。

なお、上記第２実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記第２実施形態におけるゲート部４を設ける位置は、製品となる単位リードフレーム１０よりも外側の領域であれば、特に限定されない。

・上記第２実施形態の樹脂埋め込み工程（図７（ｆ）参照）において、基板フレーム２Ａの上面側に配置する樹脂フィルム５２と下面側に配置する樹脂フィルム５３とを異なる材料としてもよい。例えば、基板フレーム２Ａの一方の面に別な素材の樹脂フィルムを予め貼り付けておくこともできる。

・あるいは、樹脂フィルム５２，５３を省略するようにしてもよい。
（第３実施形態）
以下、第３実施形態を図８〜図１０に従って説明する。先の図１〜図７に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。

図８（ａ）に示すように、各単位リードフレーム１０Ｂには、セクションバー１１、サポートバー１２、ダイパッド１３及びリード１４を画定する開口部１５が形成されている。この開口部１５は、図８（ｂ）に示すように、基板フレーム２Ｂの第１主面Ｒ１から第２主面Ｒ２までを貫通するように形成されている。具体的には、開口部１５は、第１主面Ｒ１側に形成された第１凹部２１と第２主面Ｒ２側に形成された第２凹部２２とが連通することにより形成されている。また、セクションバー１１の裏面（図中の下面）には、凹部１６が形成されている。

開口部１５の一部の内壁面、具体的には第１凹部２１の内壁面２１Ａには、表面が粗面化された粗面めっき層２３が形成されている。ここで、第１凹部２１の内壁面２１Ａは、ダイパッド１３の側面の一部の面又はリード１４の側面の一部の面である。また、凹部１６の内壁面１６Ａにも同様に、粗面めっき層２３が形成されている。粗面めっき層２３は、例えばＮｉ、Ｃｒ、Ｆｅ又はそれらの合金のうちのいずれか一つ、又はこれらのうちの２つ以上からなる積層体から構成することができる。この粗面めっき層２３の粗化面（表面）２３Ａは、微細な凹凸形状に形成されている。この粗化面２３Ａの粗度は、当該粗面めっき層２３を電解めっき法にて形成する際に使用するめっき液の組成や電流密度等を調整することにより、例えば表面粗さＲａ値で１００〜５００ｎｍの範囲になるように設定されている。

また、第１凹部２１及び凹部１６には、粗面めっき層２３の粗化面２３Ａに接するように、絶縁性の樹脂層２４が形成されている。この樹脂層２４の材料としては、例えばビルドアップ樹脂（フィラー入りのエポキシ樹脂など）や封止用樹脂などを用いることができる。

次に、このように構成されたリードフレーム１Ｂの製造方法を説明する。
まず、図９（ａ）に示す導電性基板６０を準備する。この導電性基板６０としては、例えばＣｕ、Ｃｕをベースにした合金、Ｆｅ−Ｎｉ又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金等の金属板を用いることができる。また、この導電性基板６０の厚さは、例えば１００〜５００μｍである。

次に、図９（ｂ）に示すように、上記導電性基板６０の両面に、所定パターンのレジスト層６１，６２を形成する。具体的には、導電性基板６０の下面には上記凹部１６，２１の形状に対応する開口部６１Ａを有するレジスト層６１が形成され、導電性基板６０の上面には上記凹部２２の形状に対応するレジスト層６２が形成される。このレジスト層６１，６２は、例えばフォトリソグラフィ法によって形成される。また、このレジスト層６１，６２の材料としては、所望の解像性があり、耐エッチング性及び耐めっき性がある材料であれば、特に限定されない。

続いて、図９（ｃ）に示すように、上記第２主面Ｒ２となる導電性基板６０の上面をカバーシート６３で覆い、第１主面Ｒ１となる導電性基板６０の下面に形成されたレジスト層６１から露出された導電性基板６０を、所定の量だけエッチングして凹部１６，２１を形成する（第１基板加工工程）。ここで、カバーシート６３としては、例えばポリオレフィン系粘着フィルムなどを用いることができる。また、ここで使用されるエッチング液は、導電性基板６０の材質に応じて適宜選択することができる。例えば導電性基板６０として銅を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液を使用することができる。

次に、図９（ｄ）に示すように、上記第１実施形態と同様に、レジスト層６１及びカバーシート６３から露出された導電性基板６０の面、つまり凹部１６，２１の内壁面１６Ａ，２１Ａに、表面が粗化面２３Ａである粗面めっき層２３を形成する。これにより、第１凹部２１の内壁面２１Ａ及び凹部１６の内壁面１６Ａに粗化面が形成されたことになる。ここで、粗面めっき層２３の厚さは、例えば１〜１０μｍとすることができる。また、粗化面２３Ａの表面粗度としては、表面粗さＲａ値で１００〜５００ｎｍの範囲である。

このようなめっき処理後、図９（ｅ）に示すように、導電性基板６０の下面側に形成されたレジスト層６１を剥離し、カバーシート６３を除去する。その後、導電性基板６０とその導電性基板６０の下面側に配置された樹脂シート６４とを、下側の板材６５と上側の板材６６との間に配置し、プレス装置などによって上下両面から加圧及び加熱する。これにより、樹脂シート６４が溶融し、図１０（ａ）に示すように、その溶融した樹脂６４が上記樹脂層２４として第１凹部２１内及び凹部１６内に埋め込まれる。ここで、樹脂シート６４の材料としては、例えばビルドアップ樹脂（フィラー入りのエポキシ樹脂など）や封止用樹脂などを使用することができる。また、上記板材６５，６６の材料としては、耐熱性及び剛性が高い材料が好ましく、さらに樹脂層２４との剥離性に優れた材料がより好ましく、例えばポリテトラフルオロエチレンなどを使用することができる。

なお、この樹脂埋め込み工程は、上記カバーシート６３（図９（ｄ）参照）を除去せずに行うようにしてもよい。すなわち、カバーシート６３と導電性基板６０と樹脂シート６４とを、板材６５，６６で挟むようにしてもよい。この場合には、カバーシート６３の材料としては、耐熱性の高い材料であることが好ましい。

次に、導電性基板６０の上記樹脂層２４が埋め込まれた側の面（図中の下面）を研磨してダイパッド１３の端面及びアウターリード１４Ｂの端面を露出させる。この研磨は、例えばサンドブラストやバフ研磨などにより実行することができる。

次に、図１０（ｂ）に示すように、導電性基板６０の両面にめっき処理を施し、ダイパッド１３の端面及びリード１４の端面の各々にめっき層１３Ｃ，１４Ｃを形成する。このとき、導電性基板６０の上面側ではレジスト層６２がめっきマスクとして機能し、導電性基板６０の下面側では上記樹脂層２４がめっきマスクとして機能する。なお、めっき処理としては、めっき処理としては、順にＮｉめっき、Ａｕめっきを施すめっき処理や、Ａｇめっきを施すめっき処理などが挙げられるが、これに限定されない。

続いて、図１０（ｃ）に示すようにレジスト層６２を剥離した後、めっき層１３Ｃをエッチングマスクとして、導電性基板６０を上面側からエッチングする（第２基板加工工程）。すなわち、図１０（ｄ）に示すように、上記第２主面Ｒ２となる導電性基板６０の上面に形成されためっき層１３Ｃから露出された導電性基板６０を所定の量だけエッチングして、樹脂層２４の上面に形成された粗面めっき層２３を露出させる。さらに、その露出された粗面めっき層２３をエッチングして、上記第１凹部２１と連通する第２凹部２２を形成して上記開口部１５を形成する。これにより、セクションバー１１、サポートバー１２（図８（ａ）参照）、ダイパッド１３及びリード１４が画定された基板フレーム２Ｂが形成される。

以上の製造工程により、搭載する各半導体素子毎にそれぞれ割り当てられた単位リードフレーム１０Ｂがマトリクス状に複数個連結された構造、つまり図８に示す構造のリードフレーム１Ｂが製造される。なお、このリードフレーム１Ｂは、めっき処理されたダイパッド１３上に半導体素子が搭載され、半導体素子とリード１４とがワイヤボンディングされ、一括モールディングに供される。

以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（４）と同様の効果を奏する。
なお、上記第３実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。

・上記実施形態では、樹脂埋め込み工程を上記第１実施形態と同様の方法で行うようにした。これに限らず、例えば樹脂埋め込み工程を上記第２実施形態と同様の方法で行うようにしてもよい。すなわち、単位リードフレーム１０Ｂよりも外側領域に設けられるゲート部を利用して絶縁性の樹脂を加圧及び加熱しながら注入するようにしてもよい。具体的には、粗化後の導電性基板６０とその導電性基板６０の両面に配置された樹脂フィルムとを金型で固定し、上記ゲート部から絶縁性の樹脂を加熱及び加圧しながら注入することにより、第１凹部２１内及び凹部１６内に樹脂層２４を形成するようにしてもよい。この場合、注入する樹脂を全体に行き渡らせるためには、樹脂を注入する空間が連続している必要があるため、図９（ｂ）、（ｃ）の工程では、第１凹部２１が空間的に連続するように導電性基板６０が加工される。

・あるいは、上記樹脂埋め込み工程を、例えば真空印刷などにより行うようにしてもよい。
・上記実施形態では、開口部１５のうち第１凹部２１の内壁面２１Ａに粗面めっき層２３を形成し、その第１凹部２１に樹脂層２４を形成するようにした。これに限らず、例えば図１１に示すように、開口部１５のうち第２凹部２２の内壁面２２Ａに粗面めっき層２３を形成し、その第２凹部２２に樹脂層２４を形成するようにしてもよい。なお、このリードフレーム１Ｃを製造する方法は、図９及び図１０に示したリードフレーム１Ｂの製造工程と略同様であるため、その説明を省略する。

（第４実施形態）
以下、第４実施形態を図１２及び図１３に従って説明する。先の図１〜図１１に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。

図１２に示すように、本実施形態の半導体装置７０は、上記第１実施形態のリードフレーム１を用いて作製されたＱＦＮのパッケージ構造を有している。この半導体装置７０は、上記リードフレーム１の単位リードフレーム１０を有している。この単位リードフレーム１０のダイパッド１３上、具体的にはめっき層１３Ｃを有するダイパッド１３上には、半導体素子７１が搭載されている。この半導体素子７１の電極（図示略）は、ボンディングワイヤ７２を介してめっき層１４Ｃ（インナーリード１４Ａ）に接続されている。これら半導体素子７１及びボンディングワイヤ７２は、封止樹脂７３によって封止されている。そして、この半導体装置７０では、アウターリード１４Ｂ（めっき層１４Ｃ）が外部接続端子として封止樹脂７３から露出されている。

なお、半導体素子７１は、例えばＩＣチップやＬＳＩチップなどである。また、ボンディングワイヤ７２としては、例えば金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などの細線を用いることができる。封止樹脂７３の材料としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂や塩化ビニル樹脂などを用いることができる。

次に、このように構成された半導体装置７０の製造方法を説明する。
まず、先の図２で説明した製造方法によりリードフレーム１を製造し、図１３（ａ）に示すように、ダイパッド１３の端面及びリード１４の端面の各々にめっき層１３Ｃ，１４Ｃを形成した後、そのめっき層１３Ｃが形成された各ダイパッド１３上に半導体素子７１を搭載する。その後、各半導体素子７１の電極とインナーリード１４Ａとをボンディングワイヤ７２により電気的に接続する。これにより、半導体素子７１が単位リードフレーム１０に実装されたことになる。

続いて、図１３（ｂ）に示すように、一括モールディング方式により、モールドキャビティ３（図１（ａ）参照）毎に、リードフレーム１の半導体素子７１が搭載されている側の面（図中、上面）を封止樹脂７３で封止する。これにより、半導体素子７１及びボンディングワイヤ７２が封止樹脂７３で封止される。この封止工程は、図示は省略するが、モールディング金型（１組の上側及び下型）の下型の上にリードフレーム１を載せ、そのリードフレーム１を上方から上型で挟み込むようにして、封止樹脂７３を充填しながら加熱及び加圧処理することにより行われる。この封止の手法としては、例えばトランスファモールドを用いることができる。なお、この封止工程において、開口部１５に充填された樹脂層１８は封止樹脂７３の流れを防止する部材として機能する。

次に、図１３（ｃ）に示すように、ダイシングソーにより、矢印の位置のセクションバー１１及び封止樹脂７３を切断し、個別の半導体装置７０に個片化する。このような工程により、図１３（ｄ）に示す個別の半導体装置７０が製造される。

以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏する。
なお、上記第４実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。

・上記第４実施形態では、ダイパッド１３の端面及びリード１４の端面の各々にめっき層１３Ｃ，１４Ｃを形成するようにした。これに限らず、例えば図１４（ａ）に示すように、めっき層１３Ｃ，１４Ｃを形成せずに、単位リードフレーム１０に半導体素子７１を実装した半導体装置８０に具体化してもよい。また、めっき層１３Ｃ，１４Ｃのうちいずれか一方を省略するようにしてもよい。

・上記第４実施形態では、第１実施形態のリードフレーム１を用いて作製された半導体装置７０に具体化した。これに限らず、例えば第２実施形態のリードフレーム１Ａの単位リードフレーム１０を用いて作製された半導体装置に具体化してもよい。また、図１４（ｂ）に示すように、第３実施形態のリードフレーム１Ｂの単位リードフレーム１０Ｂを用いて作製される半導体装置８１に具体化してもよい。また、図１４（ｃ）に示すように、第３実施形態の変形例のリードフレーム１Ｃ（図１１参照）の単位リードフレーム１０Ｃを用いて作製される半導体装置８２に具体化してもよい。なお、これらの半導体装置８１，８２を製造する方法は、図１３に示した半導体装置８０の製造工程と略同じであるため、ここでは説明を省略する。

（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記各実施形態において、図３に示しためっき処理装置４０の白金電極板４４，４５の代わりに、ニッケルチップを使用するようにしてもよい。

・上記各実施形態において、開口部１５の少なくとも一部の内壁面に、表面が平滑面のめっき層を形成した後に、そのめっき層の上に粗面めっき層を形成するようにしてもよい。

・上記各実施形態では、電解めっきにより開口部１５や凹部１６，２１，２２の内壁面を粗化するようにしたが、粗化の方法はこれに限定されない。
・上記各実施形態のリードフレーム１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃの形状に特に制限はない。すなわち、ダイパッド１３及びリード１４を画定する開口部１５の内壁面１５Ａの少なくとも一部が粗化され、その粗化した面と接するように樹脂が開口部１５の少なくとも一部に埋め込まれた構成を有するリードフレームであれば、その形状は特に制限されない。

・上記各実施形態では、単位リードフレーム１０，１０Ｂ，１０Ｃがマトリクス状に複数個連設されたリードフレームに具体化したが、例えば単位リードフレーム１０，１０Ｂ，１０Ｃが帯状に複数個連設されたリードフレームに具体化してもよい。すなわち、単位リードフレームが複数個連設されたリードフレームであれば、その単位リードフレームの配列は特に限定されない。

・上記第１〜第３実施形態では、ＱＦＮに用いられるリードフレームに具体化したが、これに限定されない。例えばＢＧＡ、ＬＧＡ、ＣＳＰやＳＯＮ（Small Out line Non-Leaded Package）等のようなパッケージの一面に外部接続用の端子を複数露出させたタイプの表面実装型パッケージに用いられるリードフレームに具体化してもよい。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ リードフレーム
２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ 基板フレーム
４ ゲート部
１０，１０Ｂ，１０Ｃ 単位リードフレーム
１３ ダイパッド
１４ リード
１５ 開口部
１７ 粗面めっき層
１８ 樹脂層
２１ 第１凹部
２２ 第２凹部
２３ 粗面めっき層
２４ 樹脂層
３０，５０，６０ 導電性基板
３１，５１ レジスト層
５４，５５ 金型
５６ 樹脂
７０，８０〜８２ 半導体装置
７１ 半導体素子
７２ ボンディングワイヤ
７３ 封止樹脂

Claims (16)

1. セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードを有する単位リードフレームが複数個連設されたリードフレームであって、
   前記セクションバー及び前記ダイパッド及び前記リードを画定する開口部と、
   前記セクションバーの下面に形成された凹部と、
   前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部及び前記凹部の内壁面のみに形成される、表面が粗面化された粗面めっき層と、
   前記粗面めっき層に接するように前記開口部の少なくとも一部と前記凹部とに埋め込まれた絶縁性の樹脂層と、
   を有することを特徴とするリードフレーム。
2. 前記開口部は、前記ダイパッドの下面側に形成された第１凹部と、前記ダイパッドの上面側に形成された第２凹部とが連通して形成されてなり、
   前記樹脂層は、前記第１凹部及び前記第２凹部及び前記凹部を充填するように埋め込まれていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記開口部は、前記ダイパッドの下面側に形成された第１凹部と、前記ダイパッドの上面側に形成された第２凹部とが連通して形成されてなり、
   前記樹脂層は、前記凹部と前記第１凹部を充填するように埋め込まれ、
   前記第２凹部の内壁面は、前記樹脂層から露出されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
4. 前記粗面めっき層の表面粗さＲａが１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のリードフレーム。
5. 前記ダイパッドの下面は前記ダイパッドの上面よりも幅が狭いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のリードフレーム。
6. 請求項１〜３のいずれか一項に記載のリードフレームの前記単位リードフレームと、
   前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
   前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続するボンディングワイヤと、
   前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、を有し、
   前記リードの外側面と、前記凹部に充填された前記樹脂層の外側面とが面一に形成されていることを特徴とする半導体装置。
7. セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードとを画定するとともに、前記ダイパッドの下面側に形成された第１凹部と、前記ダイパッドの上面側に形成された第２凹部とが連通して形成されてなる開口部と、
   前記セクションバーの下面に形成された第３凹部と、
   前記第１凹部の内壁面及び前記第２凹部の内壁面及び前記第３凹部の内壁面のみに形成される、表面が粗面化された粗面めっき層と、
   前記粗面めっき層に接するように、且つ前記第１凹部及び前記第２凹部及び前記第３凹部のみを充填するように埋め込まれた絶縁性の樹脂層と、を有する単位リードフレームと、
   前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
   前記セクションバーの上面と前記ダイパッドの上面と前記リードの上面と前記樹脂層の上面と接し、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、
   を有することを特徴とする半導体装置。
8. セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードとを画定するとともに、前記ダイパッドの下面側に形成された第１凹部と、前記ダイパッドの上面側に形成された第２凹部とが連通して形成されてなる開口部と、
   前記セクションバーの下面に形成された第３凹部と、
   前記第１凹部の内壁面及び前記第３凹部の内壁面のみに形成される、表面が粗面化された粗面めっき層と、
   前記粗面めっき層に接するように、且つ前記第１凹部及び前記第３凹部のみを充填するように埋め込まれた絶縁性の樹脂層と、を有する単位リードフレームと、
   前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
   前記セクションバーの上面と前記ダイパッドの上面と前記リードの上面と前記樹脂層の上面と接し、前記第２凹部を充填し、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、
   を有することを特徴とする半導体装置。
9. セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードを有する単位リードフレームが複数個連設されるリードフレームの製造方法であって、
   前記セクションバー及び前記ダイパッド及び前記リードを画定するための開口部を導電性基板に形成するとともに、前記セクションバーとなる前記導電性基板の下面に凹部を形成して基板フレームを形成する基板形成工程と、
   前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部及び前記凹部の内壁面のみに、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、
   前記粗面めっき層に接するように絶縁性の樹脂を、前記開口部の少なくとも一部と前記凹部とに埋め込む樹脂埋め込み工程と、
   を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。
10. 前記基板形成工程は、前記開口部が空間的に連続して形成されるように前記基板フレームを形成し、
    前記樹脂埋め込み工程は、
    前記粗化工程後の基板フレームを金型で固定し、前記単位リードフレームよりも外側に設けられたゲート部から絶縁性の前記樹脂を加熱及び加圧しながら注入することにより、前記樹脂を前記開口部に充填することを特徴とする請求項９に記載のリードフレームの製造方法。
11. 前記基板形成工程は、
    前記導電性基板の両面に前記開口部及び前記凹部の形状に対応する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
    前記レジスト層をエッチングマスクとして、前記導電性基板を両面からエッチングする工程と、を含み、
    前記粗面めっき層を形成する工程は、前記レジスト層をマスクとした電解めっきにより前記粗面めっき層を形成し、
    前記樹脂埋め込み工程は、前記開口部及び前記凹部を充填するように、前記樹脂を前記開口部及び前記凹部に埋め込むことを特徴とする請求項９又は１０に記載のリードフレームの製造方法。
12. セクションバーと、前記セクションバーによって支持されたダイパッド及びリードを有する単位リードフレームが複数個連設されるリードフレームの製造方法であって、
    前記セクションバー及び前記ダイパッド及び前記リードを画定する開口部を構成する第１凹部を導電性基板の下面に形成するとともに、前記セクションバーとなる前記導電性基板の下面に凹部を形成する第１基板加工工程と、
    前記第１凹部の内壁面及び前記凹部の内壁面のみに、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、
    前記粗面めっき層に接するように、且つ前記第１凹部及び前記凹部を充填するように、絶縁性の樹脂を前記第１凹部及び前記凹部に埋め込む樹脂埋め込み工程と、
    前記導電性基板の上面に、前記第１凹部と連通する第２凹部を形成して前記開口部を形成する第２基板加工工程と、
    を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。
13. 前記第１基板加工工程は、前記第１凹部が空間的に連続して形成されるように前記導電性基板を加工し、
    前記樹脂埋め込み工程は、
    前記粗化工程後の導電性基板を金型で固定し、前記単位リードフレームよりも外側に設けられたゲート部から絶縁性の樹脂を加熱及び加圧しながら注入することにより、前記樹脂を前記第１凹部に充填することを特徴とする請求項１２に記載のリードフレームの製造方法。
14. 請求項９〜１３のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法によって製造されたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法であって、
    前記リードフレームの各ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、
    前記半導体素子の電極と前記リードとをボンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、
    前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止樹脂により封止する工程と、
    所定の位置における前記封止樹脂と、前記セクションバーと、前記凹部に充填された樹脂を切断して、各半導体装置単位に分割する工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
15. セクションバー及びダイパッド及びリードを画定する開口部を構成する第１凹部を導電
    性基板の下面に形成するとともに、前記第１凹部と連通する第２凹部を前記導電性基板の上面に形成して前記開口部を形成し、前記セクションバーとなる前記導電性基板の下面に第３凹部を形成して基板フレームを形成する基板形成工程と、
    前記第１凹部の内壁面及び前記第２凹部の内壁面及び前記第３凹部の内壁面のみに、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、
    前記粗面めっき層に接するように、且つ前記第１凹部及び前記第２凹部及び前記第３凹部のみを充填するように絶縁性の樹脂を埋め込む樹脂埋め込み工程と、
    前記ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、
    前記セクションバーの上面と前記ダイパッドの上面と前記リードの上面と前記樹脂の上面と接し、前記半導体素子を封止する封止樹脂を形成する工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
16. セクションバー及びダイパッド及びリードを画定する開口部を構成する第１凹部を導電性基板の下面に形成するとともに、前記セクションバーとなる前記導電性基板の下面に第３凹部を形成する第１基板加工工程と、
    前記第１凹部の内壁面及び前記第３凹部の内壁面のみに、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、
    前記粗面めっき層に接するように、且つ前記第１凹部及び前記第３凹部のみを充填するように絶縁性の樹脂を埋め込む樹脂埋め込み工程と、
    前記第１凹部と連通する第２凹部を前記導電性基板の上面に形成して前記開口部を形成する第２基板加工工程と、
    前記ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、
    前記セクションバーの上面と前記ダイパッドの上面と前記リードの上面と前記樹脂の上面と接し、前記第２凹部を充填し、前記半導体素子を封止する封止樹脂を形成する工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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