WO2015037839A1

WO2015037839A1 - 전해수 공급시스템

Info

Publication number: WO2015037839A1
Application number: PCT/KR2014/007886
Authority: WO
Inventors: 안종호; 김복수; 박성환; 배정완
Original assignee: 솔브레인나노텍 주식회사
Priority date: 2013-09-10
Filing date: 2014-08-25
Publication date: 2015-03-19

Abstract

본 발명의 일 측면에 따르면, 순수를 사용하여 산성수 또는 알카리수를 생성하는 전해조와, 상기 전해조에서 생성되는 산성수 또는 알카리수를 반도체 공정 상에 공급하도록 하는 전해수 공급시스템에 있어서, 복수개의 구획벽과 통로에 의해 유로가 형성되는 알카리수생성챔버와 산성수생성챔버를 포함하여 구성되는 전해조; 상기 알카리수생성챔버에서 생성되는 알카리수와 상기 산성수생성챔버에서 생성되는 산성수를 반도체 공정 상에 직접 공급하도록 하는 공급라인; 및 상기 전해조의 상기 알카리수생성챔버, 상기 산성수생성챔버와 상기 공급라인을 각각 연결하는 유체라인 상에 각각 설치되는 유량조절수단;을 포함하여 형성되는 전해수 공급시스템이 제공된다.

Description

전해수 공급시스템

본 발명은 전해수 공급시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 공정에 전해수를 공급하기 위해 사용되는 전해수 공급시스템에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 디바이스나 디스플레이 디바이스 등을 제조하는 공정에 있어서, 기판 상의 오염물인 파티클을 제거하고, 기판 표면을 고도로 청정화하기 위해 기판 표면의 세정이 필요하며, 이러한 기판 표면의 세정을 위해 세정액으로 전해수를 사용하고 있다.

이러한 전해수는 순수를 전기분해하여 알카리수 또는 산성수를 생성하도록 하는데, 순수는 H+와 OH-로 이온으로 구성되며 이를 전기분해하면 음극(-)에는 알칼리성 이온이, 양극(+)에는 산성 이온이 생성된다. 물이 전기분해가 되면 산화, 환원을 하는데 이때 전위수치를 ORP(Oxidation Reduction Potential; 산화환원 전위)로 표시한다. 상기 ORP는 물이 산화수인지, 환원수인지 알아보는 기준치라 할 수 있다. 상기 ORP 수치가 +값이면 산화수이고, ORP 수치가 - 값이면 환원수가 된다.

한편, 전해수를 생성하기 위해 사용되는 통상의 전해조는 그 내부에 이온 투과성 격막으로 분할되는 음극실과 양극실에 음극전극과 양극전극을 충전시키고 순수를 상기 전해조에 넣은 상태로 상기 양 전극에 전류를 부가하면 상기 격막을 사이에 두고 전기분해되어, 음극실 내의 물은 pH 수치가 높아져서 알카리수가 되고, 양극실 내의 물은 pH 수치가 낮아져 산성수를 형성하게 된다. 그러나, 이와 같은 전해조는 수압에 따라 전류량이 다르기 때문에 수압이 높은 부분에서는 전류가 적게 흐르고, 수압이 낮은 부분에서는 전류가 많이 흐르는 관계로 인하여, 수압이 높은 부분에서는 전해효율이 낮고 수압이 낮은 부분은 전해효율은 높으나 과전기분해가 된다는 문제가 있다.

따라서, 상술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 장치로, 한국등록특허 제10-1130795호(다단계 전극을 구비한 전해조)가 개시된다. 상기 특허는 상술한 바와 같은 문제 즉, 높이에 따라 전해효율이 달라지는 문제를 해결하기 위해, 전해조 내에 설치되는 전극을 다단계로 형성하되 직렬연결을 행하도록 함으로써, 상술한 바와 같은 문제를 해결하고 있다. 즉, 전해조 하부에서부터 제 1 캐소드 전극, 제 2 캐소드 전극, 제 3 캐소드 전극 등 다수개의 전극을 소정 간격을 두고 직렬로 형성하고, 또한, 제 1 애노드 전극, 제 2 애노드 전극, 제 3 애노드 전극 등도 소정 간격을 두고 직렬로 형성하여 설치한다. 상기와 같이 전해조 내부에 다단계의 전극을 형성한 후, 상기 제 1 애노드 전극과 제 2 캐소드 전극, 상기 제 2 애노드 전극과 제 3 캐소드 전극, 상기 제 3 애노드 전극과 제 4 캐소드 전극을 전선으로 연결하고, 상기 제 4 애노드 전극과 상기 제 1 캐소드 전극에는 최종적으로 직류 전압을 가하도록 형성한다.

상술한 바와 같이 다단계의 전극을 형성하는 경우, 상기 제 1 애노드 전극과 제 2 캐소드 전극이 연결되는 최하단 전해조는 수압이 높지만 전류가 일정하게 되어 전해효율이 높아지게 되고, 제 3 애노드 전극과 제 4 캐소드 전극이 연결되는 최상단 전해조는 수압은 낮지만 전류가 일정하게 되어 전해효율이 일정하게 높아지는 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 상기와 같이 다단계 전극을 형성하는 경우, 높이에 상관없이 일정한 전류가 흐르게 되어 수압에 영향을 받지 않고 전해효율을 안정적으로 향상시키는 것이 가능하다.

따라서, 본 발명의 출원인은 상술한 바와 같은 다단계 전극을 구비한 전해조를 사용하여, 보다 단순하면서도 효율적인 전해수 공급시스템을 발명하게 되었다.

본 발명의 실시예들은 상술한 바와 같은 문제를 해소하기 위해, 반도체 공정에 전해수를 공급하기 위해 보다 단순한 구성으로 설치가 가능한 전해수 공급시스템을 제공하도록 한다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 순수를 사용하여 산성수 또는 알카리수를 생성하는 전해조와, 상기 전해조에서 생성되는 산성수 또는 알카리수를 반도체 공정 상에 공급하도록 하는 전해수 공급시스템에 있어서, 복수개의 구획벽과 통로에 의해 유로가 형성되는 복수개의 알카리수생성챔버와 복수개의 산성수생성챔버를 포함하여 구성되는 전해조; 상기 알카리수생성챔버에서 생성되는 알카리수와 상기 산성수생성챔버에서 생성되는 산성수를 반도체 공정 상에 직접 공급하도록 하는 공급라인; 및 상기 전해조의 상기 알카리수생성챔버, 상기 산성수생성챔버와 상기 공급라인을 각각 연결하는 유체라인 상에 각각 설치되는 유량조절수단;을 포함하여 형성되는 전해수 공급시스템이 제공될 수 있다.

상기 전해조 내의 복수개의 알카리수생성챔버와 복수개의 산성수생성챔버는 상기 복수개의 구획벽과 통로에 의해 유로가 지그재그 방식으로 형성하는 것이 가능하다.

상기 유량조절수단은 유량조절밸브 또느 오리피스를 사용하는 것이 가능하며, 상기 유량조절밸브 또는 오리피스와 상기 공급라인을 각각 연결하는 유체라인 상에 각각 삼방밸브가 설치될 수 있다. 또한, 상기 삼방밸브와 연결되며, 외부로 유체를 배출하도록 하는 토출라인이 설치될 수 있다.

상기 전해조 내의 알카리수생성챔버와 산성수생성챔버 내에 형성되는 상기 통로의 크기는 상기 전해조 내의 내부 압력 부하가 0.01 MPa 이하가 되도록 형성하는 것이 가능하다. 또한, 상기 전해조 하단에 형성되는 복수개의 순수유입구와 유입라인 상에 부스터펌프를 설치하는 것이 가능하다. 상기 공급라인 상에 산성수 또는 알카리수에 포함되는 기포를 제거하기 위한 탈기필터가 설치될 수 있다.

상기 전해조는 하부에서부터 수직한 방향으로 서로 분리되는 형태로 직렬로 다단계 전극으로 형성되는 복수개의 애노드 전극과, 상기 직렬로 다단계 전극으로 형성되는 복수개의 애노드 전극과 각각 대응되는 위치에 전해조 하부에서부터 수직한 방향으로 서로 분리되는 형태로 직렬로 다단계 전극으로 형성되는 복수개의 캐소드 전극을 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 애노드 전극은 붕소 도핑 다이아몬드 전극(BDD, Boron Doped Diamond electrode)으로 형성하는 것이 가능하다.

본 발명의 실시예들에 따른 전해수 공급시스템은 다단계 전극을 구비한 전해조를 사용하여 높이에 상관없이 일정한 전류가 흐르게 되어 수압에 영향을 받지 않고 전해효율을 안정적으로 향상한 전해수를 공급할 수 있도록 한다.

또한, 전해조 내부에서 순수가 유동하는 경우 챔버 내의 유로를 길게 형성하도록 하는 것에 의해, 전해조 내부의 내부 압력부하가 거의 발생하지 않도록 하는 것을 기술적 특징으로 한다. 이를 통해, 전해수를 저장하기 위한 저장탱크 및 펌프의 사용을 하지 않도록 할 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예들에 따른 전해수 공급시스템은 전해수 공급라인 상에 기포를 제거하기 위한 탈기필터를 설치한 기술을 특징으로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전해조를 사용하여 반도체 공정 상에 전해수를 공급하도록 하는 전해수 공급시스템을 도시한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전해수 공급시스템을 도시한다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전해수 공급시스템을 도시한다.

이하, 도면을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 개선된 전해조 공급시스템을 설명한다. 한편, 본 발명의 상세한 설명에서 기술되는 “반도체공정”은 반도체 또는 LED공정에 있어 클리닝(cleaning) 공정으로 증착(CVD), 확산(Diffusion), 노광(Expose), 현상(Develop), 식각(Etch), 연마(CMP)를 포함하며, 스크러빙(scrubbing) 공정에 있어서는 MEGASONIC, Brushing, Jet을 포함하도록 한다. 또한,“반도체공정”은 FPD Cleaning, LCD Cleaning, Photo Mask Cleaning을 포함한다.

본 발명의 출원인은 반도체 공정에 세정액으로 전해수를 공급하기 위한 시스템에서 종래기술에서 설명한 바와 같은 다단계 전극을 구비한 전해조를 사용하여 전해수를 생성하여 이를 공급하고 있는 바, 이에 대한 보다 구체적인 도면이 도 1에 도시되어 있다.

도 1을 참조하면, 전해수 공급시스템(100)은 전해조(110)와 상기 전해조(110) 전단에 필터부(10)와 유입라인(20)에 의해 연결되고, 전해조(110)로부터 배출되는 전해수는 유량조절수단인 유량조절밸브(61)가 구성된 배출라인(60)을 통해 배출되도록 구성되며, 상기 배출라인(60)은 공급라인(30) 및 토출라인(40)이 삼방밸브(50)에 의해 연결되도록 구성되어 있다. 또한, 상기 공급라인(30) 상에는 전해수를 저장하기 위한 저장탱크(31)가 설치되며, 상기 저장탱크(31)에 저장되는 전해수는 펌프(70)를 통해 일정 압력으로 반도체 공정에 공급되도록 구성되어 있다. 보다 상세하게는, 상기 필터부(10)와 유입라인(20)을 통해 순수가 상기 전해조(110) 하단에 형성되는 순수유입구(121,131) 및 전해질용액유입구(161)를 통해 전해조(110)로 유입되도록 구성된다. 이렇게 유입되는 순수는 알카리수생성챔버(120)를 통과하면서 알카리수로 생성되어 알카리수 배출구(122)를 통해 배출되도록 구성되고, 산성수생성챔버(130)를 통과하면서 산성수로 생성되어 산성수 배출구(132)를 통해 배출되도록 형성될 수 있다. 또한, 전해질용액유입구(161)를 통해 유입되는 순수는 격벽(160)을 통해 흐르며, 이는 전해질용액배출구(162)를 통해 배출되도록 형성되어 있다. 한편, 상기 알카리수 배출구(122), 산성수 배출구(132) 및 전해질용액배출구(162)에 연결되는 배출라인(60) 상에는 각각 유량조절밸브(61)가 설치될 수 있는 바, 상기 유량조절밸브(61)의 조정을 통해 상기 알카리수생성챔버(120)와 산성수생성챔버(130)의 수압을 조정하도록 하는 것이 가능하며, 이를 통해, 상기 알카리수 또는 산성수에 적정의 용존산소, 용존수소, ORP를 갖도록 하는 것이 가능하다. 한편, 상기 전해조(110)의 내부 압력이 높은 경우, 유량조절밸브(61)를 사용하지 않고, 오리피스를 사용하는 것도 가능하다.

한편, 상기 전해조(110)를 통해 배출되는 알카리수 또는 산성수는 용도에 따라 삼방밸브(50)의 제어를 통해 공급라인(30)을 통해 저장탱크(31)에 저장되거나, 또는 토출라인(40)을 통해 외부로 배출되도록 구성될 수 있다. 예시적으로, 반도체 공정에 알카리수를 세정액으로 사용하는 경우, 상기 알카리수 배출구(122)와 연결되는 삼방밸브(50-1)를 개방하여 알카리수를 상기 저장탱크(31)에 저장하도록 하고, 다른 삼방밸브(50-2, 50-3)는 닫은 상태에서 상기 산성수와 전해질용액배출구(162)를 통해 배출되는 처리수는 외부로 배출하도록 구성될 수 있다. 이와 같이, 반도체 공정에 세정액으로 알카리수 또는 산성수를 선택적으로 사용하는 것이 가능하다.

도 1에 도시되어 있는 상기 전해조(110)는 내부에 이온교환수지에 의한 격벽(160)을 기준으로 알카리수생성챔버(120), 산성수생성챔버(130)로 구성되고, 각각의 알카리수생성챔버(120), 산성수생성챔버(130)는 복수의 구획벽(124, 134)에 의해 상,하로 복수의 챔버(C1, C2 등, A1, A2 등)가 형성되며, 상기 복수의 챔버(C1, C2 등, A1, A2 등)에는 각각 캐소드 전극(140), 애노드 전극(150)이 직렬로 다단으로 형성되어 있다. 한편, 본 발명의 경우, 상기 애노드 전극(150)은 붕소 도핑 다이아몬드 전극(BDD, Boron Doped Diamond electrode)으로 형성하는 것이 가능하다. 붕소 도핑 다이아몬드 전극은 양극 안정성이 높아 내구성이 우수하고 석출이 매우 감소한다는 장점이 있다. 상기 알카리수생성챔버(120)와 산성수생성챔버(130)의 내부에 형성되는 복수의 구획벽(124,134)에는 각각 통로(123,133)를 형성하여 순수유입구(121,131)로 유입되는 순수가 상기 통로(123,133)를 따라 이동할 수 있도록 형성되어 있다. 한편, 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 통로(123,133)는 복수의 구획벽(124,134)의 중심에 매우 작게 형성되어 있다.

상술한 바와 같이 상기 알카리수생성챔버(120)와 산성수생성챔버(130)의 내부에 통로(123,133)가 형성되는 전해조(110)의 경우, 상당히 큰 내부 압력부하가 발생하게 된다. 도 1에 도시되어 있는 전해조(110)의 경우 약 0.05 MPa의 압력부하가 발생하게 된다. 따라서, 상기 순수유입구(121,131)를 통해 유입되는 순수의 유입수압이 약 0.2 MPa인 경우, 상기 전해조(110)를 통해 배출되는 산성수 또는 알카리수의 배출수압은 약 0.15 MPa이 된다. 한편, 상기 전해조(110)를 통해 배출되는 산성수 또는 알카리수를 직접 반도체 공정에 사용하기 위해서는 약 0.2 MPa의 수압이 요구되나, 상술한 바와 같이, 상기 전해조(110)를 통과하는 동안 압력부하에 의해 수압이 낮아지게 되어, 상기 전해조(110)를 통해 배출되는 산성수 또는 알카리수를 직접 반도체 공정에 사용하는 것은 어렵다. 따라서, 이와 같은 문제를 해결하기 위해, 상기 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 전해조(110)를 통해 배출되는 산성수 또는 알카리수를 저장탱크(31)에 저장할 필요가 있으며, 필요에 따라 상기 펌프(70)를 통해 일정수압을 갖도록 한 후 반도체 공정에 사용하고 있다. 즉, 도 1에 도시되어 있는 바와 같은 구획벽(124,134)과 통로(123,133)가 형성되는 경우, 별도의 저장탱크(31)와 펌프(70)가 추가적으로 설치될 필요가 있다.

한편, 도 1에 도시되어 있는 전해수 공급시스템(100)의 경우, 상기 알카리수 배출구(122), 산성수 배출구(132)에 연결되는 배출라인(60) 상에 각각 유량조절밸브(61)를 설치하여, 상기 유량조절밸브(61)의 조정을 통해 상기 알카리수생성챔버(120)와 산성수생성챔버(130)의 수압을 어느 정도 조정하도록 하고 있으나, 상기 유량조절밸브(61)의 조정만으로, 상기 산성수 또는 알카리수를 반도체 공정에 직접 사용하기 위해 요구되는 수압을 갖도록 하는 것은 어렵다.

따라서, 본 발명의 출원인은 다른 실시예로 상기 전해조(110) 내부의 유로를 조정하도록 하는 것에 의해, 상기 전해조(110) 내부의 압력 부하가 거의 발생하지 않도록 하는 방안을 강구하게 되었다. 보다 상세하게는, 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 알카리수생성챔버(120)와 산성수생성챔버(130) 내의 구획벽(124',134')을 지그재그로 설치하여 전체 유로를 보다 길게 형성하도록 하고, 또한, 상기 구획벽(124',134')에 의해 형성되는 통로(123'133')를 보다 크게 형성하도록 하는 것에 의해, 상기 전해조(110') 내부의 압력 부하가 거의 발생하지 않도록 형성할 수 있다. 보다 상세하게는 상기 알카리수생성챔버(120)와 산성수생성챔버(130) 내의 공간을 보다 크게 형성하고, 또한, 상기 구획벽(124',134')에 의해 형성되는 통로(123'133')를 10mm 이상 크기로 크게 형성하도록 하는 것에 의해, 상기 전해조(110') 내부의 압력 부하를 0.01 MPa 이하로 형성하는 것이 가능하다. 한편, 상기 구획벽(124',134')에 의해 형성되는 통로(123'133')의 크기는 다양하게 형성하는 것이 가능하며, 상기 전해조(110) 내부의 압력 부하를 0.01 MPa 이하로 줄일 수 있다면 그 크기를 다양하게 조절하는 것이 가능하다.

따라서, 본 발명에 따른 전해수 공급시스템(100')을 도 2에 도시한 바와 같이 구성하는 경우, 상기 전해조(100') 내부에서의 압력 부하가 0.01 MPa 이하로 형성되므로, 상기 도면에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 순수유입구(121,131)를 통해 유입되는 순수의 유입수압이 약 0.2 MPa인 경우, 상기 전해조(110')를 통해 배출되는 산성수 또는 알카리수의 배출수압은 약 0.19 MPa이 되고, 이러한 수압은 상기 반도체 공정 상에 직접적으로 공급이 가능한 정도의 수압이다. 따라서, 상기 전해조(110')를 통과한 산성수 또는 알카리수는 추가적인 펌프의 사용 없이 상기 공급라인(30')을 통해 반도체 공정 상에 직접적으로 공급하는 것이 가능하다. 또한, 상기 유량조절밸브(61)의 조정을 통해 반도체 공정에서 요구되는 압력으로 조정하는 것도 가능하다. 따라서, 도 2에 따른 전해수 공급시스템(100')을 사용하는 경우, 추가적인 저장탱크(31)와 펌프(70)를 사용하지 않고, 상기 전해수 공급시스템(100')을 직접적으로 반도체 공정 상에 연결할 수 있어, 그 구성을 단순하게 형성할 수 있다는 기술적 장점이 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에서는 다단계의 전극을 구비한 전해조를 대상으로 설명하였으나, 본 발명의 기술적 특징이 이에 한정되는 것은 아니며, 단일의 전극을 사용한 경우에도 적용하는 것이 가능하다.

도 3에는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전해수 공급시스템(100'')이 개시되어 있는 바, 상기 시스템(100'')은 상기 유입라인(20)과 상기 전해조(110') 하단에 형성되는 순수유입구(121,131) 및 전해질용액유입구(161)와 연결되는 각각의 라인 상에 부스터펌프(80)를 설치하여, 상기 순수유입구(121,131) 및 전해질용액유입구(161)로 유입되는 순수의 유입수압을 상당한 정도로 높이는 것이 가능하다. 이를 통해, 상기 전해조(110')를 통해 배출되는 산성수 또는 알카리수의 배출수압을 높이도록 함으로써, 도 2 및 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 전해조(110')의 내부유로의 변경 없이도, 상기 배출되는 산성수 또는 알카리수의 배출수압을 상당히 높이는 것이 가능하며, 이를 통해 추가적인 펌프(70)의 사용을 하지 않도록 시스템을 설계하는 것이 가능하다. 한편, 부스터펌프(80)는 일반적으로 물을 가압하기 위한 수단으로 사용되는 부품이다. 또한, 상기 공급라인(30') 상에는 탈기필터(90)를 설치하여 반도체 공정 상에 공급되는 산성수 또는 알카리수에 포함되어 있는 기포를 제거하도록 할 수 있다.

따라서, 상술한 바와 같은 구성 상의 변화 또는 부스터펌프(80)의 추가 등을 통해 추가적인 저장탱크(31) 및 펌프(70)를 사용하는 것 없이, 보다 단순한 구성으로 효율적인 전해수 공급시스템을 설계하는 것이 가능하다.

한편, 하기 표는 기존 전해조에 발생하는 압력 부하에 의해 배출압력이 떨어져서 배출되는 경우, 전해수의 ORP와 용존수소농도와, 본 발명의 일 실시예에 따른 전해조에 의해 압력 부하가 거의 발생하지 않는 경우, 전해수의 ORP와 용존수소농도를 측정한 값을 도시하고 있는 바, 상기 전해조에서 배출되는 배출수압이 높은 경우, ORP와 용존수소농도가 상당히 높게 나타나고 있음을 확인할 수 있다.

표 1

	전해조전류	전해조입력압력	전해조출력압력	출력측유량	pH	ORP	용존수소
초순수(기존 전해조)	10[A]	0.1 Mpa	0.05 Mpa	5 LPM	7.5	-350 mV	400 ppb
초순수	10[A]	0.1 Mpa	0.09 Mpa	5 LPM	7.5	-510 mV	970 ppb
초순수	10[A]	0.2 Mpa	0.19 Mpa	5 LPM	7.5	-540 mV	1,580 ppb
초순수	10[A]	0.3 Mpa	0.29 Mpa	5 LPM	7.5	-550 mV	1,950 ppb

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.

본 발명에 따른 전해수 공급시스템은 전해수를 저장하기 위한 저장탱크 및 펌프를 사용하지 않아 보다 단순한 구성으로 구성될 수 있으며, 전해효율이 향상된 전해수를 공급하도록 하는 것이 가능하다.

10 : 필터 20 : 유입라인

30 : 공급라인 31 : 저장탱크

70 : 펌프 80 : 부스터펌프

90 : 탈기필터 100 : 전해수 공급시스템

110 : 전해조 123,133 : 통로

124,134 : 구획벽

Claims

순수를 사용하여 산성수 또는 알카리수를 생성하는 전해조와, 상기 전해조에서 생성되는 산성수 또는 알카리수를 반도체 공정 상에 공급하도록 하는 전해수 공급시스템에 있어서,

복수개의 구획벽과 통로에 의해 유로가 형성되는 복수개의 알카리수생성챔버와 복수개의 산성수생성챔버를 포함하여 구성되는 전해조;

상기 알카리수생성챔버에서 생성되는 알카리수와 상기 산성수생성챔버에서 생성되는 산성수를 반도체 공정 상에 직접 공급하도록 하는 공급라인; 및

상기 전해조의 상기 알카리수생성챔버, 상기 산성수생성챔버와 상기 공급라인을 각각 연결하는 유체라인 상에 각각 설치되는 유량조절수단;을 포함하여 형성되는 전해수 공급시스템.
제1항에 있어서,

상기 전해조 내의 복수개의 알카리수생성챔버와 복수개의 산성수생성챔버는 상기 복수개의 구획벽과 통로에 의해 유로가 지그재그 방식으로 형성되는 전해수 공급시스템.
제1항에 있어서,

상기 유량조절수단은 유량조절밸브인 것을 특징으로 하는 전해수 공급시스템.
제1항에 있어서,

상기 유량조절수단은 오리피스인 것을 특징으로 하는 전해수 공급시스템.
제3항 또는 제4항에 있어서,

상기 유량조절밸브 또는 오리피스와 상기 공급라인을 각각 연결하는 유체라인 상에 각각 삼방밸브가 설치되는 것을 특징으로 하는 전해수 공급시스템.
제5항에 있어서,

상기 삼방밸브와 연결되며, 외부로 유체를 배출하도록 하는 토출라인이 설치되는 것을 특징으로 하는 전해수 공급시스템.
제1항에 있어서,

상기 전해조 내의 알카리수생성챔버와 산성수생성챔버 내에 형성되는 상기 통로의 크기는 상기 전해조 내의 내부 압력 부하가 0.01 MPa 이하가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전해수 공급시스템.
제1항에 있어서,

상기 전해조 하단에 형성되는 복수개의 순수유입구와 유입라인 상에 부스터펌프가 설치되는 것을 특징으로 하는 전해수 공급시스템.
제1항에 있어서,

상기 공급라인 상에 산성수 또는 알카리수에 포함되는 기포를 제거하기 위한 탈기필터가 설치되는 것을 특징으로 하는 전해수 공급시스템.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 전해조는 하부에서부터 수직한 방향으로 서로 분리되는 형태로 직렬로 다단계 전극으로 형성되는 복수개의 애노드 전극과,

상기 직렬로 다단계 전극으로 형성되는 복수개의 애노드 전극과 각각 대응되는 위치에 전해조 하부에서부터 수직한 방향으로 서로 분리되는 형태로 직렬로 다단계 전극으로 형성되는 복수개의 캐소드 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전해수 공급시스템.
제10항에 있어서,

상기 애노드 전극은 붕소 도핑 다이아몬드 전극(BDD, Boron Doped Diamond electrode)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전해수 공급시스템.