TW202335972A - 純水製造裝置及純水製造裝置的運轉方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種純水製造裝置及其運轉方法，其中即便具有逆滲透膜裝置以及電去離子裝置、且向逆滲透膜裝置以高pH值供給處理水的純水製造裝置中的逆滲透膜裝置的處理水水質發生變動，亦能夠以穩定的水質製造純水。一次純水製造裝置具有：逆滲透膜裝置、紫外線氧化裝置、電去離子裝置8、以及向該電去離子裝置8供給供水的供水泵。於所述一次純水製造裝置中，將利用紫外線氧化裝置進行處理後的被處理水W4通水至電去離子裝置8的脫鹽室25來製造脫鹽水W5。此時，作為電去離子裝置8的濃縮室26及電極室（陽極室27、陰極室28）的供給水（電極水），分取脫鹽水W5並向與脫鹽室25的通水方向相反的方向供給。此時，以若逆滲透膜裝置5的處理水的導電率成為0.3 mS/m以上則使向脫鹽室25的被處理水W4的流量減少至50%～小於100%的方式進行控制。
Description
本發明是有關於一種純水製造裝置的運轉方法，尤其是有關於一種構成超純水製造系統的純水製造裝置及其運轉方法，所述超純水製造系統製造在半導體、液晶等電子產業領域中所利用的超純水。
先前，半導體等電子產業領域中所使用的超純水是藉由如下方式而製造：利用由預處理系統、一次純水製造裝置以及對一次純水進行處理的子系統（二次純水製造裝置）構成的超純水製造系統對原水進行處理。
例如，如圖1所示，超純水製造系統1由預處理裝置2、一次純水製造裝置（純水製造裝置）3以及子系統4等三段裝置構成。於此種超純水製造系統1的預處理裝置2中，實施原水W的過濾、凝聚沈澱、利用微濾膜等進行的預處理，主要去除懸浮物質。
一次純水製造裝置3具有：對預處理水W1進行處理的逆滲透膜裝置5、紫外線氧化裝置6、電去離子裝置8、以及向該電去離子裝置8供給供水的供水泵7。於該一次純水製造裝置3中，進行預處理水W1中的大半的電解質、微粒子、活菌等的去除並且分解有機物，從而獲得一次純水（純水）W2。
而且，子系統4具有子罐10、供給泵11、紫外線氧化裝置6、非再生型混床式離子交換裝置13以及超濾膜（UF膜）14，且構成為自超濾膜（UF膜）14經由使用點（use point）15向子罐10回流。於該子系統4中，對利用一次純水製造裝置3而製造的一次純水W2中所含的微量的有機物（總有機碳（Total Organic Carbon，TOC）成分）進行氧化分解，去除碳酸根離子、有機酸類、陰離子性物質，進而去除金屬離子或陽離子性物質，最後利用超濾膜（UF膜）14去除微粒子而製成超純水W3，將其供給至使用點15，未使用的超純水W3回流至子系統4的前段。
於如所述般的超純水製造系統1的一次純水製造裝置3中，出於提高逆滲透膜裝置5的處理性能的目的而進行如下操作：向逆滲透膜裝置的供水中注入NaOH等鹼而將pH值設為8.5以上，從而促進各種成分的離子化來進行處理。
[發明所欲解決之課題]
但是，當向逆滲透膜裝置5的供水注入鹼時，存在如下問題：向後段的電去離子裝置8的供水的水質（電導率等）增加，對電去離子裝置8的負荷變大。尤其是存在如下問題：於因原水水質的變動或逆滲透膜裝置5的回收率的變更等而逆滲透膜裝置5的處理水水質進一步降低的情況下，電去離子裝置8中的處理水（脫鹽水）的水質亦降低，有可能因此無法獲得所期望的水質的純水W2。
本發明是鑒於所述課題而成者，其目的在於提供一種純水製造裝置及其運轉方法，其中即便具有逆滲透膜裝置與電去離子裝置、且向逆滲透膜裝置以高pH值供給被處理水的純水製造裝置中的逆滲透膜裝置的處理水水質發生變動，亦能夠以穩定的水質製造純水。
[解決課題之手段]
鑒於所述目的，本發明的第一方面提供一種純水製造裝置，其依次包括逆滲透膜裝置以及電去離子裝置，且向所述電去離子裝置的脫鹽室通水該逆滲透膜裝置的處理水並且將通過了該脫鹽室的處理水的一部分向與所述脫鹽室相反的方向通水至濃縮室，所述純水製造裝置具有：測量部件，對所述逆滲透膜裝置的處理水的導電率或比電阻值進行測定；以及控制部件，基於所述測量部件的測定值對向所述電去離子裝置的脫鹽室供給的水量進行控制，於將基於所述測量部件的測定值的逆滲透膜裝置的處理水的導電率小於0.3 mS/m時的向所述脫鹽室的流量設為100%的情況下，所述控制部件以若該逆滲透膜裝置的處理水的導電率成為0.3 mS/m以上則使該脫鹽室流量減少至50%～小於100%的方式進行控制（發明1）。
根據所述發明（發明1），可抑制電去離子裝置的處理水的水質的降低。認為該情況是緣於以下般的理由。即，於逆滲透膜裝置的處理水的水質降低的情況下，對電去離子裝置施加負荷，容易導致電去離子裝置的處理水（脫鹽水）的水質的降低，因此考慮以若逆滲透膜裝置的處理水的導電率成為0.3 mS/m以上則減少脫鹽室流量的方式進行控制以便降低電去離子裝置的負荷，但若如此則吸附於脫鹽室的離子交換樹脂的離子移動至濃縮室，濃縮室的離子濃度增加，藉此離子自濃縮室向脫鹽室的逆擴散增加，處理水的水質降低。因此，藉由將通過了電去離子裝置的脫鹽室的處理水的一部分向與所述脫鹽室相反的方向通水至濃縮室，可將濃縮室下部的離子濃度維持得低，因此可抑制電去離子裝置的處理水的水質的降低。
於所述發明（發明1）中，較佳為於所述逆滲透膜裝置與所述電去離子裝置之間具有紫外線氧化裝置（發明2）。
根據所述發明（發明2），藉由利用紫外線氧化裝置使逆滲透膜處理水中殘存的TOC分解，可進一步提高所獲得的純水的水質。
於所述發明（發明1、發明2）中，較佳為所述電去離子裝置將脫鹽室的處理水的一部分通水至該電去離子裝置的電極室（發明3）。
根據所述發明（發明3），當將利用逆滲透膜裝置、或者紫外線氧化裝置進行處理後的處理水流通至電去離子裝置的電極室時，加劇電去離子裝置的電極及電極室內的離子交換體的劣化或水垢生成。因此，藉由將電去離子裝置的脫鹽室的處理水的一部分通水至電去離子裝置的電極室，可抑制電去離子裝置的電極及電極室內的離子交換體的劣化或水垢生成，可使電去離子裝置長期穩定地運轉。
另外，本發明的第二方面提供一種純水製造裝置的運轉方法，所述純水製造裝置依次包括逆滲透膜裝置以及電去離子裝置，且向所述逆滲透膜裝置供給pH值8.5以上的供水，向所述電去離子裝置的脫鹽室通水該逆滲透膜裝置的處理水並且將通過了該脫鹽室的處理水的一部分向與所述脫鹽室相反的方向通水至濃縮室，所述運轉方法中，於將所述逆滲透膜裝置的處理水的導電率小於0.3 mS/m時的向所述脫鹽室的流量設為100%的情況下，以若所述逆滲透膜裝置的處理水的導電率成為0.3 mS/m以上則使該脫鹽室流量減少至50%～小於100%的方式進行控制（發明4）。
根據所述發明（發明4），於逆滲透膜裝置的處理水的水質降低的情況下，對電去離子裝置施加負荷，容易導致電去離子裝置的處理水的水質的降低，因此以若逆滲透膜裝置的處理水的導電率成為0.3 mS/m以上則使脫鹽室流量減少至50%～小於100%的方式進行控制，並且將通過了電去離子裝置的脫鹽室的處理水的一部分向與所述脫鹽室相反的方向通水至濃縮室，藉此可抑制電去離子裝置的處理水的水質的降低。
於所述發明（發明4）中，所述純水製造裝置較佳為於所述逆滲透膜裝置與所述電去離子裝置之間具有紫外線氧化裝置（發明5）。
根據所述發明（發明5），藉由利用紫外線氧化裝置使逆滲透膜處理水中殘存的TOC分解，可進一步提高所獲得的純水的水質。
於所述發明（發明4、發明5）中，較佳為將所述電去離子裝置的脫鹽室的處理水的一部分通水至該電去離子裝置的電極室（發明6）。
根據所述發明（發明6），當使利用逆滲透膜裝置、或者紫外線氧化裝置進行處理後的處理水流通至電去離子裝置的電極室時，加劇電去離子裝置的電極及電極室內的離子交換體的劣化或水垢生成。因此，藉由將電去離子裝置的脫鹽室的處理水的一部分通水至電去離子裝置的電極室，可抑制電去離子裝置的電極及電極室內的離子交換體的劣化或水垢生成，可使電去離子裝置長期穩定地運轉。
[發明的效果]
根據本發明的純水製造裝置，可將通過了電去離子裝置的脫鹽室的處理水的一部分向與所述脫鹽室相反的方向通水至濃縮室，並且能夠以若逆滲透膜裝置的處理水的導電率成為0.3 mS/m以上則使脫鹽室流量減少至50%～小於100%的方式進行控制，因此能夠抑制水質的降低，穩定地製造規定水質的純水。
以下，參照隨附圖式對本發明的一實施形態的純水製造裝置的運轉方法進行說明。
[純水製造裝置]
圖1是表示能夠應用本實施形態的純水製造裝置的運轉方法的超純水製造系統的流程圖，除了具有對逆滲透膜裝置5的處理水的導電率進行測定的測量部件（未圖示）、以及基於該測量部件的測定值對向電去離子裝置8的脫鹽室供給的水量進行控制的控制部件（未圖示）以外，與所述現有例相同，因此省略其詳細的說明。於作為該超純水製造系統1的純水製造裝置的一次純水製造裝置3中，將紫外線氧化裝置6的處理水通水至電去離子裝置8。
（電去離子裝置）
於圖2中，電去離子裝置8是於電極（陽極21、陰極22）之間交替排列多個陰離子交換膜23及陽離子交換膜24而交替形成脫鹽室25與濃縮室26，並於兩側形成陽極室27與陰極室28的裝置，於脫鹽室25中混合或以複層狀填充有包含離子交換樹脂、離子交換纖維或者接枝交換體等的離子交換體（陰離子交換體及陽離子交換體）。另外，濃縮室26、陽極室27及陰極室28中亦同樣地填充有離子交換體。
而且，於該電去離子裝置8中設置有濃縮室通水部件（未圖示），所述濃縮室通水部件向脫鹽室25通水利用紫外線氧化裝置6進行處理後的被處理水W4並取出脫鹽水W5，並且分取該脫鹽水W5進而將其通水至濃縮室26，所述電去離子裝置8構成為將脫鹽水W5自靠近脫鹽室25的脫鹽水W5的取出口的一側導入至濃縮室26內並且自靠近脫鹽室25的處理原水（被處理水W4）的入口的一側流出、即構成為自與脫鹽室25中的被處理水W4的流通方向相反的方向將脫鹽水W5導入至濃縮室26並噴出濃縮水W6。另一方面，構成為於陽極室27及陰極室28中亦分取脫鹽水W5並使其作為電極水流通，進而分別作為陽極排出水W7、陰極排出水W8排出。
[純水製造裝置的運轉方法]
參照圖1及圖2對具有所述般的結構的一次純水製造裝置3的運轉方法進行說明。首先，將利用預處理裝置2對原水W實施預處理後的預處理水W1供給至一次純水製造裝置3，自未圖示的鹼添加部件向逆滲透膜（RO）裝置5的供水中注入NaOH等鹼而將pH值設為8.5以上。於逆滲透膜（RO）裝置5中，去除鹽類及其以外的離子性、膠體性的TOC並且將碳酸氣體離子化並予以去除。然後，於紫外線氧化裝置6中分解殘存的有機物。將利用該紫外線氧化裝置6進行處理後的被處理水W4通水至電去離子裝置8，去除因紫外線（ultraviolet，UV）氧化而分解的有機物所引起的離子性雜質，製造一次純水W2。
具體而言，如圖2所示，向電去離子裝置8的脫鹽室25供給紫外線氧化裝置6的處理水作為被處理水W4。然後，分取透過了該脫鹽室25的脫鹽水W5並供給至濃縮室26及電極室（陽極室27、陰極室28）。當如先前般將紫外線氧化裝置6的處理水（被處理水W4）流通至電去離子裝置8的濃縮室26及電極室（陽極室27、陰極室28）時，被處理水W4中亦包含過氧化氫等，因此加劇電去離子裝置8的電極21、電極22或濃縮室26或陽極室27或陰極室28內的離子交換體的劣化。因此，藉由向濃縮室26與陽極室27及陰極室28供給脫鹽水W5，可抑制電去離子裝置8的電極21、電極22或濃縮室26或陽極室27或者陰極室28內的離子交換體的劣化，可抑制電去離子裝置8的運轉電壓的上升，延長耐用期限。
尤其是，作為電去離子裝置8，將通過了脫鹽室25的脫鹽水W5的一部分作為被濃縮水向與脫鹽室25的通水方向相反的方向以逆流單通式通水至濃縮室26，並自濃縮室26向體系外排出濃縮水W6，因此，越靠近脫鹽室25的取出側，濃縮室26的被濃縮水中的離子濃度越低，由濃度擴散所致的對脫鹽室25的影響變小，因此硼等的弱離子的去除率提高。
於本實施形態中，在所述般的一次純水W2的製造製程中，利用未圖示的測量部件對逆滲透膜裝置5的處理水的導電率進行測定，並將逆滲透膜裝置5的處理水的導電率小於0.3 mS/m的情況設為通常狀態，將此時的向電去離子裝置8的脫鹽室25的供水量設定為100%。而且，以若逆滲透膜裝置5的處理水的導電率成為0.3 mS/m以上則使向脫鹽室25的被處理水W4的流量減少至50%～小於100%的方式進行控制。即便將被處理水W4的流量設為50%以下，不僅無法獲得進一步的脫鹽水W5的水質的穩定，而且一次純水W2的製造量降低。關於向該脫鹽室25的被處理水W4的流量的控制，一般是使其與逆滲透膜裝置5的被處理水W4的導電率的值相對應地連續或階段性地變動，但亦可設定為固定值。關於所述般的被處理水W4向脫鹽室25的供給量，例如只要藉由在向電去離子裝置8的脫鹽室25的被處理水W4的供給路徑上設置分支管，並增減向該分支管的被處理水W4的流量，來控制向脫鹽室25的被處理水W4的供給量即可。
進行此種控制是緣於以下般的理由。即，於逆滲透膜裝置8的處理水的水質降低的情況下，對其進行處理的電去離子裝置8被施加負荷，有可能導致電去離子裝置8的脫鹽室25的處理水（脫鹽水）W5的水質的降低。因此，以若逆滲透膜裝置的處理水的導電率成為0.3 mS/m以上則減少脫鹽室25的流量的方式進行控制以便降低電去離子裝置8的負荷。該情況下，若將向脫鹽室25供給的被處理水W4、與向濃縮室26供給的濃縮水向相同方向通水，則吸附於脫鹽室25的離子交換樹脂的離子移動至濃縮室26，濃縮室26的離子濃度增加，藉此離子自濃縮室26向脫鹽室25的逆擴散增加，處理水（脫鹽水）W5的水質降低。相對於此，於本實施形態中，藉由將通過了電去離子裝置8的脫鹽室25的處理水（脫鹽水）W5的一部分向與該脫鹽室25相反的方向通水至濃縮室26，可將濃縮室26的下部的離子濃度維持得低，因此可抑制電去離子裝置8的處理水（脫鹽水）W5的水質的降低。
於如此製造一次純水W2後，貯存於子罐10中，利用供給泵11供給該一次純水W2並進行處理。於子系統4中，進行利用紫外線氧化裝置6、非再生型混床式離子交換裝置13以及超濾膜14進行的處理。於紫外線氧化裝置6中，利用由UV燈發出的波長185 nm的紫外線將TOC分解成有機酸進而分解至CO
2水準。所分解的有機酸及CO
2於後段的非再生型混床式離子交換裝置13中被去除。於超濾膜14中，微小粒子被去除，非再生型混床式離子交換裝置13的流出粒子亦被去除，可製造二次純水（超純水）W3。然後，於將該超純水W3供給至使用點15後，將未使用的部分返送至子罐10，藉此可使超純水製造系統1運轉。
以上，基於所述實施形態對本發明進行了說明，但本發明並不限定於所述實施形態，能夠實施各種變更。例如，作為本發明中能夠應用的超純水製造系統1，若為一次純水製造裝置3利用電去離子裝置8對逆滲透膜裝置5的處理水進行處理的結構，則未必需要具有紫外線氧化裝置6，能夠應用於其他各種結構者。另外，子系統4的結構亦無特別限制，能夠應用各種通用的結構。
[實施例]
基於以下的具體實施例來更詳細地說明本發明。
〔實施例1〕
於圖3及表1中所示的結構的試驗用電去離子裝置中在表2所示的通水條件下將表3所示的供水（被處理水）通水至脫鹽室25，電去離子裝置進行恆電流運轉。然後，向供水（被處理水）中添加NaOH，測定將pH值設為10.5後的處理水的電阻率。將結果示於圖4中。再者，供水的初始導電率為0.25 mS/m，添加NaOH後的供水的導電率為6.8 mS/m。
[表1]
電去離子裝置的結構
| 構成要素 | 室數量 |
| 脫鹽室 | 1 |
| 濃縮室 | 2 |
| 電極室（陽極） | 1 |
| 電極室（陰極） | 1 |
[表2]
通水條件
| 脫鹽室流量 | 200 mL/分鐘 |
| 濃縮室流量 | 30 mL/分鐘 |
| 電極室流量 | 50 mL/分鐘 |
| 電流值 | 0.85 A |
| 通水方式 | 處理水逆向流 |
[表3]
供水條件
| 添加成分 | 濃度 |
| B(OH) 3 | 56.2 μg/L |
| Na 2SiO 3·9H 2O | 473 μg/L |
| CaCl 2·2H 2O | 14.7 μg/L |
| MgCl 2·6H 2O | 20.3 μg/L |
| NaHCO 3 | 1.91 mg/L |
〔比較例1〕
於實施例1中，作為試驗用的電去離子裝置，如圖5所示般設為將被處理水W4並行地供給至脫鹽室25及濃縮室26的結構，除此以外，同樣地測定添加NaOH後的處理水的電阻率。將結果示於圖6中。
如根據圖4及圖6而明確般，於實施例1中，幾乎沒有因添加NaOH所致的電去離子裝置的處理水（脫鹽水）的電阻率的變化。認為其原因在於：藉由將處理水（脫鹽水）通水至濃縮室26，而防止了離子自濃縮室26向脫鹽室25的擴散。相對於此，於比較例1中，因添加NaOH而電去離子裝置的處理水（脫鹽水）的電阻率大幅降低。認為其原因在於：因濃縮室26的Na濃度增加，而引起了離子自濃縮室26向脫鹽室的擴散。
〔實施例2〕
準備圖7所示的電去離子裝置的控制用的試驗裝置。該試驗裝置51具有超純水（UPW）流路52、電去離子裝置53、脫鹽水流路54、濃縮水流路55、以及超純水（UPW）流路52的分支管56，於脫鹽水流路54分別連接有流量計58A與比電阻值計59。另外，於濃縮水流路55分別連接有流量計58B與導電率計57A。進而，於分支管56分別連接有流量計58C與導電率計57B。而且，具有如下結構：於超純水流路52分別經由藥液泵61A、藥液泵62A、藥液泵63A而連接有作為二氧化矽（SiO
2）源的矽酸鈉（Na
2SiO
3）溶液罐61、碳酸鈉（NaHCO
3）溶液罐62、以及作為硼源的氫氧化硼（B(OH)
3）溶液罐63。再者，作為電去離子裝置53，構成為使用IP-LXMX4-4（懿華（Evoqua）公司製造），向濃縮室逆向地通水脫鹽室的處理水（脫鹽水）。
於所述般的試驗裝置中，在電去離子裝置53中，於表4所示的通水條件及表5所示的供水條件下，使電去離子裝置53恆電流運轉，使脫鹽室流量自100%（4.7 L/分鐘）減少至60%（2.4 L/分鐘），並再次變化成100%（4.7 L/分鐘），對此時的處理水（脫鹽水）的電阻率進行測定。將結果示於圖8中。
[表4]
通水條件
| 通水方式 | 處理水逆向流 |
| 電流值 | 4 A |
| 脫鹽室供水量 | 100%：5.7 L/分鐘，60%：3.4 L/分鐘 |
| 濃縮水量 | 1.0 L/分鐘 |
| 處理水量 | 100%：4.7 L/分鐘，60%：2.4 L/分鐘 |
| 回收率 | 100%：0.82，60%：0.70 |
[表5]
供水條件
| 添加成分 | 濃度 |
| B(OH) 3 | 5.62 μg/L |
| Na 2SiO 3·9H 2O | 197 μg/L |
| NaHCO 3 | 11.4 mg/L |
| 導電率 | 1.3 mS/m |
〔比較例2〕
準備圖9所示的電去離子裝置的控制用的試驗裝置。該試驗裝置51A除了具有於所述實施例2的試驗裝置中，向電去離子裝置53的脫鹽室與濃縮室以並行方向供給供水的結構以外，具有基本相同的結構。
於所述試驗裝置中，在電去離子裝置53中，於表4所示的通水條件及表5所示的供水條件下，使電去離子裝置53恆電流運轉，使脫鹽室流量自100%（4.7 L/分鐘）減少至60%（2.4 L/分鐘），並再次變化成100%（4.7 L/分鐘），對此時的處理水（脫鹽水）的電阻率進行測定。將結果示於圖10中。
[表6]
通水條件
| 通水方式 | 平行流 |
| 電流值 | 4 A |
| 脫鹽室供水量 | 100%：4.7 L/分鐘，60%：2.4 L/分鐘 |
| 濃縮水量 | 1.0 L/分鐘 |
| 處理水量 | 100%：4.7 L/分鐘，60%：2.4 L/分鐘 |
| 回收率 | 100%：0.82，60%：0.70 |
如根據圖8及圖10而明確般，得知，根據實施例2，當使向脫鹽室的流量減少至60%時，處理水的電阻率增加，水質提高，即便再次增加流量，亦幾乎不會引起水質的降低。相對於此，得知，於比較例2中，藉由降低向脫鹽室的流量，不僅處理水的電阻率沒有增加，而且流量減少後不久電阻率暫時性減少，發生水質降低。
認為其原因在於：於比較例2中，當脫鹽室流量減少時，脫鹽室的吸附帶縮短。若如此，則吸附於脫鹽室的離子交換樹脂的離子移動至濃縮室。因此，濃縮室的離子濃度增加。藉此，離子自濃縮室向脫鹽室的逆擴散增加，處理水的電阻率減少。相對於此，於實施例2中，由於設為處理水逆向流，因此藉由將處理水通水至濃縮室，而濃縮室下部的離子濃度被保持得低，因此不會引起比較例2般的現象。
1:超純水製造系統
2:預處理裝置
3:一次純水製造裝置（純水製造裝置）
4:子系統
5:逆滲透膜裝置
6:紫外線氧化裝置
7:供水泵
8:電去離子裝置
10:子罐
11:供給泵
12:紫外線氧化裝置
13:非再生型混床式離子交換裝置
14:超濾膜（UF膜）
15:使用點
21:陽極（電極）
22:陰極（電極）
23:陰離子交換膜
24:陽離子交換膜
25:脫鹽室
26:濃縮室
27:陽極室
28:陰極室
51、51A:試驗裝置
52:超純水（UPW）流路
53:電去離子裝置
54:脫鹽水流路
55:濃縮水流路
56:分支管
57A、57B:導電率計
58A、58B、58C:流量計
59:比電阻值計
61:矽酸鈉（Na
2SiO
3）溶液罐
61A、62A、63A:藥液泵
62:碳酸鈉（NaHCO
3）溶液罐
63:氫氧化硼（B(OH)
3）溶液罐
UPW:超純水
W:原水
W1:預處理水
W2:一次純水（純水）
W3:超純水/二次純水
W4:被處理水
W5:脫鹽水/處理水
W6:濃縮水
W7:陽極排出水
W8:陰極排出水
圖1是表示能夠應用本發明的一實施形態的純水製造裝置的運轉方法的包括一次純水製造裝置的超純水製造系統的流程圖。
圖2是表示基於所述實施形態的純水製造裝置的運轉方法中的電去離子裝置的結構的一例的概略圖。
圖3是表示實施例1中使用的電去離子裝置的結構的概略圖。
圖4是表示實施例1的純水製造裝置的運轉方法中的電去離子裝置的處理水的電阻率的變化的圖表。
圖5是表示比較例1中使用的電去離子裝置的構造的概略圖。
圖6是表示比較例1的純水製造裝置的運轉方法中的電去離子裝置的處理水的電阻率的變化的圖表。
圖7是表示使用實施例2的電去離子裝置的試驗裝置的概略圖。
圖8是表示實施例2中的電去離子裝置的處理水的電阻率的變化的圖表。
圖9是表示使用比較例2的電去離子裝置的試驗裝置的概略圖。
圖10是表示比較例2中的電去離子裝置的處理水的電阻率的變化的圖表。
8:電去離子裝置
21:陽極(電極)
22:陰極(電極)
23:陰離子交換膜
24:陽離子交換膜
25:脫鹽室
26:濃縮室
27:陽極室
28:陰極室
W4:被處理水
W5:脫鹽水/處理水
W6:濃縮水
W7:陽極排出水
W8:陰極排出水
Claims (6)
- 一種純水製造裝置，依次包括逆滲透膜裝置以及電去離子裝置，且向所述電去離子裝置的脫鹽室通水所述逆滲透膜裝置的處理水並且將通過了所述脫鹽室的處理水的一部分向與所述脫鹽室相反的方向通水至濃縮室， 所述純水製造裝置具有：測量部件，對所述逆滲透膜裝置的處理水的導電率或比電阻值進行測定；以及控制部件，基於所述測量部件的測定值對向所述電去離子裝置的脫鹽室供給的水量進行控制， 於將基於所述測量部件的測定值的逆滲透膜裝置的處理水的導電率小於0.3 mS/m時的向所述脫鹽室的流量設為100%的情況下，所述控制部件以若所述逆滲透膜裝置的處理水的導電率成為0.3 mS/m以上則使所述脫鹽室的流量減少至50%～小於100%的方式進行控制。
- 如請求項1所述的純水製造裝置，其中於所述逆滲透膜裝置與所述電去離子裝置之間具有紫外線氧化裝置。
- 如請求項1或請求項2所述的純水製造裝置，其中所述電去離子裝置將脫鹽室的處理水的一部分通水至所述電去離子裝置的電極室。
- 一種純水製造裝置的運轉方法，所述純水製造裝置依次包括逆滲透膜裝置以及電去離子裝置，且向所述逆滲透膜裝置供給pH值8.5以上的供水，向所述電去離子裝置的脫鹽室通水所述逆滲透膜裝置的處理水並且將通過了所述脫鹽室的處理水的一部分向與所述脫鹽室相反的方向通水至濃縮室，所述運轉方法中， 於將所述逆滲透膜裝置的處理水的導電率小於0.3 mS/m時的向所述脫鹽室的流量設為100%的情況下，以若所述逆滲透膜裝置的處理水的導電率成為0.3 mS/m以上則使所述脫鹽室的流量減少至50%～小於100%的方式進行控制。
- 如請求項4所述的純水製造裝置的運轉方法，其中所述純水製造裝置於所述逆滲透膜裝置與所述電去離子裝置之間具有紫外線氧化裝置。
- 如請求項4或請求項5所述的純水製造裝置的運轉方法，其中將所述電去離子裝置的脫鹽室的處理水的一部分通水至所述電去離子裝置的電極室。
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