WO2014103953A1 - ラダー型フィルタ - Google Patents

ラダー型フィルタ Download PDF

Info

Publication number
WO2014103953A1
WO2014103953A1 PCT/JP2013/084315 JP2013084315W WO2014103953A1 WO 2014103953 A1 WO2014103953 A1 WO 2014103953A1 JP 2013084315 W JP2013084315 W JP 2013084315W WO 2014103953 A1 WO2014103953 A1 WO 2014103953A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
elastic wave
electrode
resonator
series arm
excitation area
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/084315
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
真理 佐治
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Publication of WO2014103953A1 publication Critical patent/WO2014103953A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14573—Arrow type transducers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14517—Means for weighting
    • H03H9/1452—Means for weighting by finger overlap length, apodisation

Definitions

  • the present invention relates to a ladder type filter having a series arm resonator and a parallel arm resonator, and more specifically, a ladder type filter in which the series arm resonator is formed of an elastic wave resonator having a cross-weighted IDT electrode. About.
  • Patent Document 1 discloses a ladder type filter including a plurality of surface acoustic wave resonators.
  • the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators in the ladder filter are each formed of a surface acoustic wave resonator.
  • the IDT electrodes are weighted in the cross width. That is, 30% to 80% of the number of electrode fingers of the surface acoustic wave resonator constituting the series arm resonator is weighted.
  • reflectors having about 50 to 80 electrode fingers are arranged on both sides of the IDT electrode.
  • An object of the present invention is to provide a ladder type filter that can reduce the size of a series arm resonator composed of an acoustic wave resonator.
  • the ladder filter of the present invention has a serial arm connecting the input terminal and the output terminal, and a parallel arm connecting the serial arm and the ground potential.
  • the ladder type filter of the present invention is provided on the series arm, and includes a series arm resonator formed of an acoustic wave resonator and a parallel arm resonator provided on the parallel arm.
  • at least one series arm resonator has a cross-weighted IDT electrode and no reflector.
  • the elastic wave excitation area in the IDT electrode is 2000 ⁇ or less.
  • the elastic wave excitation area is preferably 1500 ⁇ or less.
  • the elastic wave excitation area is preferably 500 ⁇ or more.
  • the cross-weighted IDT electrode is cross-weighted so that the envelope has a rhombus shape, and the apodization ratio X is 0.8 or more. It is in the range of 1.0 or less.
  • the series arm resonator having the IDT electrode weighted with the cross width includes a boundary acoustic wave resonator.
  • the present invention since at least one series arm resonator does not have a reflector and the elastic wave excitation area is 2000 ⁇ or less, series arm resonance is suppressed while suppressing generation of ripples near the resonance frequency.
  • the child can be downsized. Therefore, it is possible to reduce the size of the ladder filter.
  • FIG. 1A is a circuit diagram of a ladder type filter according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1B shows an electrode structure of a surface acoustic wave resonator used in the ladder type filter of the embodiment. It is a top view shown typically.
  • FIG. 2 is a plan view showing an electrode structure of an acoustic wave resonator with a reflector for explaining the apodization ratio.
  • FIG. 3 is a plan view showing an electrode structure of an acoustic wave resonator with a reflector for explaining the apodization ratio.
  • 4A is a schematic plan view of an elastic wave resonator having an apodization ratio of 1
  • FIG. 4B is an apodization ratio of 0.5
  • FIG. 3 is a schematic plan view of an acoustic wave resonator having the same excitation area as a child.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an example of a boundary acoustic wave resonator.
  • 6 is a diagram illustrating impedance characteristics of the acoustic wave resonators of Example 1 and Comparative Example 1.
  • FIG. 7 is a diagram showing impedance Smith charts of the acoustic wave resonators of Example 1 and Comparative Example 1.
  • FIG. 8 is a diagram showing impedance Smith charts of the elastic wave resonator of Example 2 and the elastic wave resonator of Comparative Example 2 in which the elastic wave excitation area is 415.8 ⁇ .
  • FIG. 8 is a diagram showing impedance Smith charts of the elastic wave resonator of Example 2 and the elastic wave resonator of Comparative Example 2 in which the elastic wave excitation area is 415.8 ⁇ .
  • FIG. 9 is a diagram showing impedance Smith charts of the elastic wave resonator of Example 3 and the elastic wave resonator of Comparative Example 3 having an elastic wave excitation area of 871.25 ⁇ .
  • FIG. 10 is a diagram showing impedance Smith charts of the elastic wave resonator of Comparative Example 4 and the elastic wave resonator of Comparative Example 5 in which the elastic wave excitation area is 253.5 ⁇ .
  • FIG. 11 shows the attenuation frequency characteristics of the ladder type filter according to one embodiment of the present invention provided as a series arm resonator of the elastic wave resonator of Example 1, and the attenuation of the ladder type filter having the elastic wave resonator of the comparative example. It is a figure which shows quantity frequency characteristic.
  • FIG. 10 is a diagram showing impedance Smith charts of the elastic wave resonator of Example 4 and the elastic wave resonator of Comparative Example 5 in which the elastic wave excitation area is 253.5 ⁇ .
  • FIG. 11 shows the attenuation frequency characteristics of
  • FIG. 12 is a diagram showing impedance Smith charts of the acoustic wave resonators of Example 4 and Comparative Example 6.
  • FIG. 13 is a diagram showing impedance Smith charts of the acoustic wave resonators of Example 5 and Comparative Example 7.
  • FIG. 14 is a diagram showing impedance Smith charts of the acoustic wave resonators of Example 6 and Comparative Example 8.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating impedance Smith charts of a plurality of types of elastic wave resonators having different elastic wave excitation areas.
  • FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the elastic wave excitation area and the resonance resistance.
  • FIG. 1A is a circuit diagram of a ladder type filter according to an embodiment of the present invention.
  • the ladder filter 1 has an input terminal 2 and an output terminal 3.
  • a serial arm 4 connecting the input terminal 2 and the output terminal 3 and first and second parallel arms 5 and 6 connecting the serial arm 4 and the ground potential are provided.
  • the series arm 4 is provided with first and second series arm resonators S1 and S2.
  • the first and second series arm resonators S1 and S2 are connected in series.
  • the first parallel arm 5 is provided with a first parallel arm resonator P1.
  • the second parallel arm 6 is provided with a second parallel arm resonator P2.
  • the circuit configuration of the ladder filter is not limited to the circuit diagram shown in FIG. That is, the number of series arm resonators and parallel arm resonators is not particularly limited.
  • the feature of the ladder filter 1 of the present embodiment is that the series arm resonators S1 and S2 are made of boundary acoustic wave resonators having no reflector and having an elastic wave excitation area of 2000 ⁇ or less.
  • FIG. 1B is a schematic plan view showing the electrode structure of the first series arm resonator S1.
  • the first series arm resonator S ⁇ b> 1 has an IDT electrode 11.
  • the IDT electrode 11 includes a first comb electrode 12 and a second comb electrode 13.
  • the first comb electrode 12 has a first bus bar 12a. One end of each of the plurality of first electrode fingers 12b and the first dummy electrodes 12c is connected to the first bus bar 12a.
  • the second comb-tooth electrode 13 has a second bus bar 13a. One end of each of a plurality of second electrode fingers 13b and a plurality of second dummy electrodes 13c is connected to the second bus bar 13a.
  • the plurality of first electrode fingers 12b and the first dummy electrodes 12c extend in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • the second electrode finger 13b and the second dummy electrode 13c also extend in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • the plurality of first electrode fingers 12b and the plurality of second electrode fingers 13b are interleaved with each other.
  • the tip of the first dummy electrode 12c is opposed to the tip of the second electrode finger 13b with a gap.
  • the tip of the second dummy electrode 13c is opposed to the tip of the first electrode finger 12b with a gap.
  • the first series arm resonator S1 includes the IDT electrode 11, but no reflector is provided on both sides of the IDT electrode 11. Therefore, the size of the first series arm resonator S1 can be reduced by the amount that the reflector is not provided. Further, the IDT electrode 11 is subjected to cross width weighting as illustrated. In the IDT electrode 11 subjected to the cross width weighting, the elastic wave excitation area is set to 2000 ⁇ or less. Thereby, the area of the IDT electrode 11 is reduced. This elastic wave excitation area will be described in detail later.
  • the first series arm resonator S1 since the first series arm resonator S1 does not have a reflector and the elastic wave excitation area is 2000 ⁇ or less, the first series arm resonator S1 can be downsized. Can do.
  • the second series arm resonator S2 is configured in the same manner as the first series arm resonator S1. Therefore, in the ladder type filter 1, since the first and second series arm resonators S1 and S2 can be reduced in size, the entire ladder type filter device can be reduced in size.
  • the first and second series arm resonators S1 and S2 are boundary acoustic wave resonators.
  • the specific structure of the boundary acoustic wave resonator is not particularly limited.
  • a so-called three-medium structure boundary acoustic wave resonator shown in FIG. 5 can be used.
  • the IDT electrode 11 described above is provided between the piezoelectric body 14 as the first medium and the dielectric body 15 as the second medium.
  • a third medium 16 is laminated on the dielectric 15.
  • Not only such a boundary acoustic wave resonator having three media but also a boundary acoustic wave resonator having a so-called two-medium structure may be used.
  • the boundary acoustic wave resonator but also the surface acoustic wave resonator may be a surface acoustic wave resonator.
  • FIG. 2 is a plan view schematically showing an electrode structure of an acoustic wave resonator with a reflector as a reference example.
  • reflectors 102 and 103 are provided on both sides of the IDT electrode 101.
  • a plurality of first electrode fingers 104 and a plurality of second electrode fingers 105 are interleaved.
  • a second dummy electrode 106 is disposed with a gap from the tip of the first electrode finger 104.
  • a first dummy electrode 107 is provided with a gap from the tip of the second electrode finger 105.
  • the IDT electrode 101 is weighted with cross width. That is, the region where the first electrode finger 104 and the second electrode finger 105 intersect changes along the elastic wave propagation direction.
  • the elastic wave is excited at a portion where the first electrode finger 104 and the second electrode finger 105 connected to different potentials intersect, that is, a portion where they overlap in the elastic wave propagation direction. Since the intersection width is weighted, the size of the portion that excites the elastic wave changes in the elastic wave propagation direction.
  • the region where the plurality of first electrode fingers 104 and the second electrode finger 105 intersect, that is, the elastic wave excitation region A has a rhombus shape.
  • the elastic wave excitation area refers to the area of the elastic wave excitation area A.
  • the IDT electrode 101 can naturally be reduced in size.
  • the first bus bar 108 and the second bus bar 109 are extended in parallel. Therefore, as the intersection width changes, the lengths of the first and second dummy electrodes 106 and 107 also change.
  • the first and second bus bars 118 and 119 are provided so that both approach each other from the maximum cross width portion toward the end portion in the elastic wave propagation direction. That is, the elastic wave excitation area A constituted by the first and second electrode fingers 104 and 105 is the same as that in FIG. 2, but the area where the first and second dummy electrodes 106 and 107 are provided. Has been made smaller. Also in this case, the elastic wave excitation region A is the same as the IDT electrode 101 shown in FIG.
  • the elastic wave excitation area is Number of pairs of electrode fingers in IDT electrode [pair] ⁇ intersection width [ ⁇ ] ⁇ (1 ⁇ X / 2) (1) It is represented by Here, X represents the apodization ratio, and ⁇ represents the wavelength of the propagating elastic wave.
  • the apodization ratio X is represented by (ab / a).
  • a indicates the maximum crossing width [ ⁇ ] of the IDT electrode, and b indicates the opening length [ ⁇ ].
  • FIG. 4A the IDT electrode 121 is subjected to cross width weighting so that a portion surrounded by a broken line is the elastic wave excitation region A.
  • the maximum intersection width is a [ ⁇ ].
  • the elastic wave at the IDT electrode to which the intersection width is weighted can express the excitation area by the above-described equation (1).
  • the number of electrode finger pairs is 63
  • the electrode finger cross width, that is, the maximum cross width is 13.2 ⁇
  • the apodization ratio X is 0.9
  • the first and second series arm resonators S1 and S2 do not have reflectors, and the elastic wave excitation area defined as described above is large. Since it is 2000 ⁇ or less, it is possible to reduce the size. Moreover, in the ladder filter 1 of the present embodiment, even if the first and second series arm resonators S1 and S2 are downsized as described above, generation of ripples in the vicinity of the resonance frequency can be suppressed. it can. This will be described more specifically with reference to FIGS.
  • FIG. 6 shows impedance characteristics of the elastic wave resonator of Example 1 which is a specific example of the first series arm resonator S1 and Comparative Example 1 prepared for comparison
  • FIG. 7 shows impedance Smith. A chart is shown.
  • Example 1 The configuration of Example 1 is as follows.
  • a structure was used in which silicon oxide having a thickness of 0.8 ⁇ was stacked as a second medium layer and silicon nitride having a thickness of 1 ⁇ was stacked as a third medium layer on a LiNbO 3 substrate.
  • the electrode structure was provided at the boundary between LiNbO 3 and the second medium.
  • the IDT electrode was the same as in Example 1. However, a pair of reflectors each having 32 electrode fingers were provided on both sides of the IDT electrode.
  • FIG. 8 to 10 are diagrams showing impedance Smith charts of Examples 2 and 3, Comparative Example 4, and Comparative Examples 2, 3, and 5.
  • FIG. The configurations of Examples 2 and 3, Comparative Example 4, and Comparative Examples 2, 3, and 5 are as follows.
  • Elastic wave excitation area 415.8 ⁇ .
  • Comparative Example 3 a pair of reflectors having 24 electrode fingers was provided. In Example 3, no reflector was provided.
  • Comparative Example 5 a pair of reflectors having 24 electrode fingers was provided. In Comparative Example 4, no reflector was provided.
  • Example 2 Comparative Example 4 and Comparative Examples 2, 3 and 5, the boundary acoustic wave device was formed by stacking the LiNbO 3 substrate and the second and third media in the same manner as in Example 1.
  • the elastic wave excitation area is not too large, and if it is 2000 ⁇ or less as shown in the first to third embodiments, it is possible to reduce the size according to the present invention without causing deterioration of characteristics in the vicinity of the resonance frequency. You can see that you can proceed.
  • a pair of reflectors each having 15 electrode fingers are provided on the series arm resonators S1 and S2.
  • the resonator has a three-medium structure in which a 0.8 ⁇ -thick silicon oxide and a 1 ⁇ -thick silicon nitride are stacked on a LiNbO 3 substrate.
  • the attenuation amount was large at the frequency position corresponding to the resonance frequency of the series arm resonator in the center of the passband.
  • the embodiment shown by the solid line it is possible to improve the loss in the frequency range.
  • FIG. 15 is a diagram showing an impedance Smith chart of a plurality of types of elastic wave resonators having different elastic wave excitation areas.
  • the solid line in FIG. 15 shows the results when the elastic wave excitation area is 141 ⁇ , the broken line is 353 ⁇ , the alternate long and short dash line is 705 ⁇ , the alternate long and two short dashes line is 1058 ⁇ , and the thin line is 1763 ⁇ .
  • FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the elastic wave excitation area and the resonance resistance. The relationship between the elastic wave excitation area and the resonance resistance Rr in this case is shown in Table 1 below.
  • the resonance resistance is deteriorated.
  • the resonance resistance required for the series arm resonator of the ladder filter is desirably 2 ⁇ or less
  • the elastic wave excitation area is desirably 500 ⁇ or more from FIG. Therefore, the resonator of the ladder filter in this embodiment preferably has an elastic wave excitation area of 500 ⁇ or more.
  • FIGS. 12 to 14 are diagrams showing impedance Smith charts of the acoustic wave resonators of Examples 4 to 6 and Comparative Examples 6 to 8.
  • FIGS. The specifications of Examples 4 to 6 and Comparative Examples 6 to 8 are as follows.
  • Comparative Examples 6 to 8 were the same as Examples 4 to 6 except that the reflector was provided. From Examples 4 to 6, Comparative Examples 6 to 8 were boundary acoustic wave elements having a three-medium structure similar to Example 1.
  • the resonance is higher in the examples 4 to 6 than in the comparative examples 6 to 8. It can be seen that the return loss near the frequency can be improved. Further, it can be seen that even if the apodization ratio is made smaller than 1.0 and close to the normal type IDT, the characteristics near the resonance frequency can be improved.
  • the apodization ratio X is desirably 0.8 or more.
  • the apodization ratio X is desirably 0.8 or more and 1.0 or less as described above.
  • the elastic wave resonator in the present embodiment is not limited to the series arm resonator of the ladder type filter.
  • the present invention may be applied to a series arm resonator for traps connected to a longitudinally coupled resonator type filter.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

　交差幅重み付けが施されたＩＤＴ電極を有する直列腕共振子を備えるラダー型フィルタの小型化を図る。　直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２と並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２とを備え、少なくとも１つの直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２が、交差幅重み付けされたＩＤＴ電極１１を有し、かつ反射器を有せず、ＩＤＴ電極１１における最大交差幅をａ、開口長をｂとし、アポダイズ比Ｘ＝（ａ－ｂ）／ａ、伝搬する弾性波の波長をλとしたときに、弾性波励振面積＝ＩＤＴ電極の対数［対］×交差幅［λ］×（１－Ｘ／２）は２０００λ以下とされている、ラダー型フィルタ１。

Description

ラダー型フィルタ
　本発明は、直列腕共振子及び並列腕共振子を有するラダー型フィルタに関し、より詳細には、直列腕共振子が、交差幅重み付けされたＩＤＴ電極を有する弾性波共振子からなる、ラダー型フィルタに関する。
　従来、携帯電話機の帯域フィルタなどにラダー型フィルタが用いられている。下記の特許文献１には、複数の弾性表面波共振子からなるラダー型フィルタが開示されている。特許文献１では、当該ラダー型フィルタにおける複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子が、それぞれ、弾性表面波共振子からなる。直列腕共振子に用いられている弾性表面波共振子では、ＩＤＴ電極が交差幅重み付けされている。すなわち、直列腕共振子を構成している弾性表面波共振子の電極指の対数の３０％～８０％が重み付けされている。弾性表面波の漏洩を防止するために、ＩＤＴ電極の両側に、電極指本数が５０本～８０本程度の反射器が配置されている。
特開平０９－２４６９１１号公報
　弾性表面波共振子を用いたラダー型フィルタにおいても、他の電子部品と同様に、小型化が強く求められている。従って、弾性表面波共振子が構成される部分の面積を小さくすることが求められている。しかしながら、特許文献１に記載のラダー型フィルタの直列腕共振子では、ＩＤＴ電極の両側に電極指本数が５０本～８０本の反射器が配置されている。従って、小型化が困難であった。
　また、小型化のためには、ＩＤＴ電極を小さくすることも考えられる。しかしながら、ＩＤＴ電極の面積を小さくしすぎると、共振周波数付近にリップルが発生するという問題があった。
　本発明の目的は、弾性波共振子からなる直列腕共振子の小型化を図ることができる、ラダー型フィルタを提供することにある。
　本発明のラダー型フィルタは、入力端子と、出力端子とを結ぶ直列腕と、直列腕とグラウンド電位とを結ぶ並列腕とを有する。本発明のラダー型フィルタは、前記直列腕に設けられており、弾性波共振子からなる直列腕共振子と、前記並列腕に設けられている並列腕共振子とを備える。本発明では、少なくとも１つの直列腕共振子が、交差幅重み付けされたＩＤＴ電極を有し、かつ反射器を有しない。そして、このＩＤＴ電極における弾性波励振面積が２０００λ以下とされている。
　なお、弾性波励振面積とは、伝搬する弾性波の波長をλとしたとき、弾性波励振面積＝ＩＤＴ電極の電極指の対数［対］×交差幅［λ］×（１－Ｘ／２）で表わされる。ここで、ＸはＩＤＴ電極の重み付けの程度を示すアポダイズ比である。このアポダイズ比は、ＩＤＴ電極における最大交差幅をａ、開口長をｂとしたときに、Ｘ＝（ａ－ｂ）／ａで表わされる。
　本発明に係るラダー型フィルタでは、好ましくは、上記弾性波励振面積が１５００λ以下とされている。
　本発明に係るラダー型フィルタでは、好ましくは、上記弾性波励振面積が５００λ以上とされている。
　本発明に係るラダー型フィルタは、好ましくは、前記交差幅重み付けされているＩＤＴ電極が、包絡線が菱形の形状であるように交差幅重み付けされており、かつアポダイズ比Ｘが０．８以上、１．０以下の範囲にある。
　本発明に係るラダー型フィルタの他の特定の局面では、前記交差幅重み付けされたＩＤＴ電極を有する直列腕共振子が弾性境界波共振子からなる。
　本発明によれば、少なくとも１つの直列腕共振子が反射器を有せず、かつ弾性波励振面積が２０００λ以下とされているため、共振周波数付近におけるリップルの発生を抑制しつつ、直列腕共振子の小型化を図ることができる。そのため、ラダー型フィルタの小型化を進めることが可能となる。
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係るラダー型フィルタの回路図であり、図１（ｂ）は実施形態のラダー型フィルタで用いられている弾性表面波共振子の電極構造を模式的に示す平面図である。 図２は、アポダイズ比を説明するための反射器付きの弾性波共振子の電極構造を示す平面図である。 図３は、アポダイズ比を説明するための反射器付きの弾性波共振子の電極構造を示す平面図である。 図４（ａ）は、アポダイズ比が１である弾性波共振子の模式的平面図であり、図４（ｂ）は、アポダイズ比が０．５であり、図４（ａ）の弾性波共振子と同じ励振面積を有する弾性波共振子の模式的平面図である。 図５は、弾性境界波共振子の一例を示す断面図である。 図６は、実施例１及び比較例１の弾性波共振子のインピーダンス特性を示す図である。 図７は、実施例１及び比較例１の弾性波共振子のインピーダンススミスチャートを示す図である。 図８は、弾性波励振面積が４１５．８λである実施例２の弾性波共振子及び比較例２の弾性波共振子のインピーダンススミスチャートを示す図である。 図９は、弾性波励振面積が８７１．２５λである実施例３の弾性波共振子及び比較例３の弾性波共振子のインピーダンススミスチャートを示す図である。 図１０は、弾性波励振面積が２５３．５λである比較例４の弾性波共振子及び比較例５の弾性波共振子のインピーダンススミスチャートを示す図である。 図１１は、実施例１の弾性波共振子の直列腕共振子として備える本発明の一実施形態に係るラダー型フィルタの減衰量周波数特性及び比較例の弾性波共振子を有するラダー型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図１２は、実施例４及び比較例６の弾性波共振子のインピーダンススミスチャートを示す図である。 図１３は、実施例５及び比較例７の弾性波共振子のインピーダンススミスチャートを示す図である。 図１４は、実施例６及び比較例８の弾性波共振子のインピーダンススミスチャートを示す図である。 図１５は、弾性波励振面積を異ならせた複数種の弾性波共振子のインピーダンススミスチャートを表す図である。 図１６は、弾性波励振面積と共振抵抗の関係を示す図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係るラダー型フィルタの回路図である。ラダー型フィルタ１は、入力端子２と出力端子３とを有する。入力端子２と出力端子３とを結ぶ直列腕４と、直列腕４とグラウンド電位とを結ぶ第１，第２の並列腕５，６とが備えられている。直列腕４には、第１，第２の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２が設けられている。第１，第２の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２は直列に接続されている。第１の並列腕５には、第１の並列腕共振子Ｐ１が設けられている。第２の並列腕６には第２の並列腕共振子Ｐ２が設けられている。
　なお、本発明においては、ラダー型フィルタの回路構成は図１（ａ）に示した回路図の構成に限定されるものではない。すなわち、直列腕共振子及び並列腕共振子の数は特に限定されるものではない。
　本実施形態のラダー型フィルタ１の特徴は、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２が、反射器を有せず、弾性波励振面積が２０００λ以下とされている弾性境界波共振子からなることにある。
　図１（ｂ）は、第１の直列腕共振子Ｓ１の電極構造を示す模式的平面図である。第１の直列腕共振子Ｓ１は、ＩＤＴ電極１１を有する。ＩＤＴ電極１１は、第１の櫛歯電極１２と第２の櫛歯電極１３とを有する。
　第１の櫛歯電極１２は、第１のバスバー１２ａを有する。第１のバスバー１２ａに複数本の第１の電極指１２ｂ及び第１のダミー電極１２ｃの各一端が接続されている。第２の櫛歯電極１３は、第２のバスバー１３ａを有する。第２のバスバー１３ａに、複数本の第２の電極指１３ｂと、複数本の第２のダミー電極１３ｃとの各一端が接続されている。
　複数本の第１の電極指１２ｂ及び第１のダミー電極１２ｃは、弾性波伝搬方向と直交する方向に延びている。同様に、第２の電極指１３ｂ及び第２のダミー電極１３ｃも弾性波伝搬方向と直交する方向に延びている。
　複数本の第１の電極指１２ｂと、複数本の第２の電極指１３ｂとが互いに間挿し合っている。また、第１のダミー電極１２ｃの先端は、第２の電極指１３ｂの先端とギャップを隔てて対向されている。同様に、第２のダミー電極１３ｃの先端は、第１の電極指１２ｂの先端とギャップを隔てて対向されている。
　図１（ｂ）に示すように、第１の直列腕共振子Ｓ１は、ＩＤＴ電極１１を有するが、ＩＤＴ電極１１の両側に反射器は設けられていない。従って、反射器が設けられていない分だけ、第１の直列腕共振子Ｓ１の小型化を図ることができる。また、ＩＤＴ電極１１は、図示のように、交差幅重み付けが施されている。この交差幅重み付けが施されているＩＤＴ電極１１において、弾性波励振面積は２０００λ以下とされている。それによって、ＩＤＴ電極１１の面積が小さくされている。この弾性波励振面積については後ほど詳述する。
　本実施形態では、第１の直列腕共振子Ｓ１が、反射器を有せず、かつ弾性波励振面積が２０００λ以下とされているため、第１の直列腕共振子Ｓ１の小型化を図ることができる。
　なお、第２の直列腕共振子Ｓ２も第１の直列腕共振子Ｓ１と同様に構成されている。よって、ラダー型フィルタ１では、第１，第２の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２の小型化を図り得るため、ラダー型フィルタ装置全体の小型化を進めることが可能となる。
　第１，第２の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２は弾性境界波共振子からなる。弾性境界波共振子の具体的構造は特に限定されない。例えば、図５に示すいわゆる三媒質構造の弾性境界波共振子を用いることができる。第１の媒質として圧電体１４と第２の媒質として誘電体１５との間に、前述したＩＤＴ電極１１が設けられている。誘電体１５に第３の媒質１６が積層されている。このような三媒質の弾性境界波共振子に限らず、いわゆる二媒質構造の弾性境界波共振子を用いてもよい。さらに、弾性境界波共振子に限らず、弾性波共振子は、弾性表面波共振子であってもよい。
　ここで、上記弾性波励振面積を図２～図４を参照して説明する。
　図２は、参考例としての反射器付きの弾性波共振子の電極構造を模式的に示す平面図である。図２に示す電極構造では、ＩＤＴ電極１０１の両側に反射器１０２，１０３が設けられている。ＩＤＴ電極１０１では、複数本の第１の電極指１０４と、複数本の第２の電極指１０５とが間挿し合っている。また、第１の電極指１０４の先端とギャップを隔てて第２のダミー電極１０６が配置されている。第２の電極指１０５の先端とギャップを隔てて第１のダミー電極１０７が設けられている。
　ＩＤＴ電極１０１では交差幅重み付けが施されている。すなわち、第１の電極指１０４と第２の電極指１０５とが交差している領域が、弾性波伝搬方向に沿って変化している。弾性波は、異なる電位に接続される第１の電極指１０４と、第２の電極指１０５とが交差している部分すなわち弾性波伝搬方向において両者が重なり合っている部分において励振される。交差幅重み付けが施されているため、この弾性波を励振する部分は弾性波伝搬方向において大きさが変化している。ＩＤＴ電極１０１では、上記複数本の第１の電極指１０４と第２の電極指１０５とが交差している領域、すなわち弾性波励振領域Ａは菱形の形状を有している。
　上記弾性波励振面積とは、弾性波励振領域Ａの面積を言う。弾性波励振面積が小さくなると、当然のことながら、ＩＤＴ電極１０１の小型化を図り得る。
　なお、図２に示すＩＤＴ電極１０１では、第１のバスバー１０８と第２のバスバー１０９とが平行に延ばされていた。従って、上記交差幅が変化するにつれ、第１，第２のダミー電極１０６，１０７の長さも変化している。
　他方、図３に示すＩＤＴ電極１１１では、第１，第２のバスバー１１８，１１９は、最大交差幅部分から弾性波伝搬方向端部に向かうにつれ、両者が近づくように設けられている。すなわち、第１，第２の電極指１０４，１０５により構成される弾性波励振領域Ａは図２の場合と同様であるが、第１，第２のダミー電極１０６，１０７が設けられている領域が小さくされている。この場合においても、弾性波励振領域Ａは、図２に示したＩＤＴ電極１０１と同一となる。すなわち弾性波励振面積は、
ＩＤＴ電極における電極指の対数［対］×交差幅［λ］×（１－Ｘ／２）…式（１）
で表わされる。ここで、Ｘはアポダイズ比、λは伝搬する弾性波の波長を示す。アポダイズ比Ｘは、（ａ－ｂ／ａ）で表わされる。ここで、ａはＩＤＴ電極の最大交差幅［λ］を示し、ｂは開口長［λ］を示す。
　上記弾性波励振面積の計算例を図４（ａ）及び（ｂ）を参照して説明する。図４（ａ）では、ＩＤＴ電極１２１は、破線で囲まれた部分が弾性波励振領域Ａであるように交差幅重み付けが施されている。ここで、最大交差幅はａ［λ］である。この場合、ＩＤＴ電極１２１の弾性波伝搬方向端部では、交差幅は０、すなわち開口長は０とされている。従って、アポダイズ比Ｘ＝ａ／ａ＝１となる。よって、弾性波励振面積は、ＩＤＴ電極１２１における電極指の対数［対］×ａ［λ］×（１－１／２）＝（対数×ａ）×０．５λとなる。
　これに対して、図４（ｂ）に示すＩＤＴ電極１３１では、アポダイズ比が０．５である。すなわち、（ａ－ｂ）／ａ＝０．５、アポダイズ割合が５０％とされている。この場合には、弾性波励振面積は電極指の対数［対］×ａ［λ］×（１－０．５／２）＝（対数×ａ）×０．７５λとなる。
　上記のように交差幅重み付けが施されているＩＤＴ電極における弾性波が励振面積を上述した式（１）により表わすことができる。たとえば、図３に示したＩＤＴ電極１１１において、電極指の対数が６３対、電極指交差幅すなわち最大交差幅は１３．２λ、アポダイズ比Ｘが０．９であり、反射器１０２，１０３の電極指の本数が３２本とすると、弾性波励振面積は６３×１３．２λ×（１－０．９／２）＝４５７．３８λとなる。
　前述したように、図１に示したラダー型フィルタ１では、第１，第２の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２が反射器を有せず、かつ上記のように定義される弾性波励振面積が２０００λ以下であるため、小型化を図ることが可能とされている。しかも、本実施形態のラダー型フィルタ１では、上記のように第１，第２の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２の小型化を図ったとしても、共振周波数近傍におけるリップルの発生を抑制することができる。これを、図６～図１４を参照してより具体的に説明する。
　図６は、第１の直列腕共振子Ｓ１の具体的な実施例である実施例１と、比較のために用意した比較例１の弾性波共振子のインピーダンス特性を示し、図７はインピーダンススミスチャートを示す。
　実施例１の構成は以下の通りである。
　ＬｉＮｂＯ３基板上に、第２の媒質層として０．８λの厚みの酸化ケイ素、第３の媒質層として１λの厚みの窒化ケイ素を積層した構造を用いた。電極構造は、ＬｉＮｂＯ３と第２の媒質との間の境界に設けた。ＩＤＴ電極：電極指の対数＝６３対、最大交差幅ａ＝１３．２λ、アポダイズ比＝０．９。比較例１では、ＩＤＴ電極は実施例１と同様とした。但し、ＩＤＴ電極の両側に電極指の本数が各３２本の一対の反射器を設けた。
　上記実施例１及び比較例１における弾性波励振面積は、６３×１３．２λ×（１－０．９／２）＝４５７．３８λとなる。
　図６及び図７の実線が実施例１の結果を、破線が比較例１の結果を示す。
　図６及び図７から明らかなように、同じ弾性波励振面積を有するにも関わらず、反射器が設けられている比較例１では、共振周波数付近に大きなリップルが表れていることがわかる。すなわち、図６における比較例１のインピーダンス特性では、共振周波数付近において下向きのピークの先端が鋭くなっていない。これは、共振周波数付近に大きなリップルが表れていることによる。同様に、図７のインピーダンススミスチャートにおいても、矢印Ｂで示す共振周波数付近においてリップルが表れていることがわかる。これに対して、実施例１では、共振周波数付近におけるリップルがほとんど生じていないことがわかる。図６及び図７から明らかなように、実施例１では、反射器を設けなかったことにより、上記リップルを抑圧し得たことがわかる。
　図８～図１０は、実施例２，３、比較例４及び比較例２，３，５のインピーダンススミスチャートを示す図である。実施例２，３、比較例４及び比較例２，３，５の構成は以下の通りである。
　（実施例２及び比較例２）
　ＩＤＴ電極の電極指の対数＝６３対、最大交差幅ａ＝１３．２λ、アポダイズ比＝１．０。弾性波励振面積＝４１５．８λ。
　比較例２では、電極指本数が２４本の一対の反射器を設けた。実施例２では反射器は設けなかった。すなわち、反射器の電極指の本数＝０である。
　（実施例３及び比較例３）
　電極指の対数＝８５対、最大交差幅ａ＝２０．５λ、アポダイズ比＝１．０。弾性波励振面積＝８７１．２５λ。
　比較例３では、電極指本数が２４本の一対の反射器を設けた。実施例３では反射器は設けなかった。
　（比較例４及び比較例５）
　電極指の対数＝１６２対、最大交差幅ａ＝４３．５λ、アポダイズ比＝１．０。弾性波励振面積＝３２５３．５λ。
　比較例５では、電極指本数が２４本の一対の反射器を設けた。比較例４では反射器は設けなかった。
　なお、実施例２，３、比較例４及び比較例２，３，５においても、実施例１と同様にＬｉＮｂＯ３基板と、第２，第３の媒質を積層した弾性境界波素子とした。
　図８及び図９に矢印Ｃ，Ｄで示すように、比較例２，３では、共振周波数付近におけるリップルによるリターンロスの劣化が見られたが、これに対して実施例２，３では、このリターンロスが改善されていることがわかる。
　もっとも、図１０では、実線の特性と破線の特性にさほど変化がない。すなわち、弾性波励振面積が３２５３．５λである比較例４では、比較例５に比べ、特性がさほど変化していない。従って、弾性波励振面積が２０００λを超え、３２５３．５λと大きいＩＤＴ電極では、反射器を設けなかったとしても共振特性を改善する効果が得られないことがわかる。
　よって、本発明では、弾性波励振面積は、大き過ぎず、上記実施例１～３に示したように２０００λ以下であれば、本発明に従って共振周波数近傍における特性の劣化を招くことなく小型化を進め得ることがわかる。
　図１１の実線は上記実施形態のラダー型フィルタのフィルタ特性を示し、破線は比較例のラダー型フィルタのフィルタ特性を示す図である。なお、上記実施形態のラダー型フィルタにおける直列腕共振子の仕様は以下の通りである。
　直列腕共振子Ｓ１：電極指の対数＝１１７対、最大交差幅ａ＝２３．３９λ、アポダイズ比＝１００％。弾性波励振面積＝１１７×２３．３９λ×（１－１／２）＝１３６８．３λ。三媒質構造で上記実施例と同様の材料を得る構造を用いた。
　比較例のラダー型フィルタでは、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２に、電極指本数が１５本の一対の反射器をそれぞれ設けた。
　共振子の構成としては、ＬｉＮｂＯ３基板上に、０．８λの厚みの酸化ケイ素及び１λの厚みの窒化ケイ素を積層した三媒質構造とした。
　図１１から明らかなように、比較例のラダー型フィルタでは、通過帯域中央において、直列腕共振子の共振周波数に相当する周波数位置において減衰量が大きかった。これに対して、実線で示す上記実施形態によれば、該周波数域における損失を改善することが可能となった。
　図１５は弾性波励振面積を異ならせた複数種の弾性波共振子のインピーダンススミスチャートを表す図である。図１５中の実線は弾性波励振面積が１４１λ、破線は３５３λ、一点鎖線は７０５λ、二点鎖線は１０５８λ、細線は１７６３λの場合の結果を示す。図１６は弾性波励振面積と共振抵抗の関係を示す図である。この場合の弾性波励振面積と共振抵抗Ｒｒの関係を下記の表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　図１６及び表１に示されるように、弾性波励振面積が小さくなると、共振抵抗が劣化する。ラダー型フィルタにおいては、直列腕共振子の共振抵抗が劣化すると、フィルタ帯域内の伝搬損失が劣化する。従って、共振抵抗があまり大きくならないように設定することが望ましい。ここで、ラダー型フィルタの直列腕共振子に求められる共振抵抗は２Ω以下であることが望ましいので、図１６から、弾性波励振面積は５００λ以上とすることが望ましい。したがって、本実施形態におけるラダー型フィルタの共振子としては、弾性波励振面積が５００λ以上であることが好ましい。
　図１２～図１４は、実施例４～６及び比較例６～８の弾性波共振子のインピーダンススミスチャートを示す図である。実施例４～６及び比較例６～８の仕様は以下の通りである。
　ＩＤＴ電極の電極指の対数＝６３対、最大交差幅ａ＝１３．２λ。実施例４～６では反射器を設けなかった。比較例６～８では、電極指の本数が８本の一対の反射器をＩＤＴ電極の両側に設けた。弾性波励振面積が菱形となるように交差幅重み付けを施した。アポダイズ比は以下の通りとした。
　実施例４のアポダイズ比＝１．０、実施例５のアポダイズ比＝０．９、実施例６のアポダイズ比＝０．８。
　比較例６～８は、上記反射器を設けたことを除いては実施例４～６と同様とした。また、実施例４～６より比較例６～８は、実施例１と同様の三媒質構造の弾性境界波素子とした。
　図１２～図１４から明らかなように、アポダイズ比が１．０、０．９及び０．８のいずれの場合においても、比較例６～８に比べ、実施例４～６によれば、共振周波数付近におけるリターンロスを改善し得ることがわかる。また、アポダイズ比を１．０より小さくし、正規型のＩＤＴに近付けていったとしても、共振周波数近傍における特性を良好とし得ることがわかる。
　もっとも、アポダイズ比が大きいほど、すなわちアポダイズ比Ｘが１．０に近い程本発明による効果が大きいことがわかる。従って、本発明の効果を十分に得るには、アポダイズ比Ｘは０．８以上であることが望ましい。なお、アポダイズ比の上限１．０であるため、アポダイズ比Ｘは上記のように０．８以上、１．０以下であることが望ましい。
　また、本実施形態における弾性波共振子は、ラダー型フィルタの直列腕共振子に限られるものではない。たとえば、縦結合共振子型フィルタに接続される、トラップ用の直列腕共振子に適用してもよい。
１…ラダー型フィルタ
２…入力端子
３…出力端子
４…直列腕
５，６…第１，第２の並列腕
１１…ＩＤＴ電極
１２…第１の櫛歯電極
１２ａ…第１のバスバー
１２ｂ…第１の電極指
１２ｃ…第１のダミー電極
１３…第２の櫛歯電極
１３ａ…第２のバスバー
１３ｂ…第２の電極指
１３ｃ…第２のダミー電極
１４…圧電体
１５…誘電体
１６…第３の媒質
Ｐ１，Ｐ２…並列腕共振子
Ｓ１，Ｓ２…直列腕共振子

Claims (5)

  1. 　入力端子と、出力端子とを結ぶ直列腕と、直列腕とグラウンド電位とを結ぶ並列腕とを有するラダー型フィルタであって、
    　前記直列腕に設けられており、弾性波共振子からなる直列腕共振子と、
    　前記並列腕に設けられている並列腕共振子とを備え、
    　少なくとも１つの前記直列腕共振子が、交差幅重み付けされたＩＤＴ電極を有し、反射器を有せず、前記ＩＤＴ電極における最大交差幅をａ、開口長をｂとしたときにアポダイズ比＝（ａ－ｂ）／ａで表わされるアポダイズ比をＸ、伝搬する弾性波の波長をλとしたとき、弾性波励振面積＝ＩＤＴ電極の電極指の対数［対］×交差幅［λ］×（１－Ｘ／２）で表わされる弾性波励振面積が２０００λ以下とされている、ラダー型フィルタ。
  2. 　前記弾性波励振面積が１５００λ以下である、請求項１に記載のラダー型フィルタ。
  3. 　前記弾性波励振面積が５００λ以上である、請求項１または２に記載のラダー型フィルタ。
  4. 　前記交差幅重み付けされているＩＤＴ電極が、包絡線が菱形の形状であるように交差幅重み付けされており、かつアポダイズ比Ｘが０．８以上、１．０以下の範囲にある、請求項１～３のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
  5. 　前記交差幅重み付けされたＩＤＴ電極を有する直列腕共振子が弾性境界波共振子からなる、請求項１～４のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
PCT/JP2013/084315 2012-12-26 2013-12-20 ラダー型フィルタ WO2014103953A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012282558 2012-12-26
JP2012-282558 2012-12-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014103953A1 true WO2014103953A1 (ja) 2014-07-03

Family

ID=51021036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/084315 WO2014103953A1 (ja) 2012-12-26 2013-12-20 ラダー型フィルタ

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2014103953A1 (ja)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09121136A (ja) * 1995-04-12 1997-05-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 共振器梯子型弾性表面波フィルタ
JPH09246913A (ja) * 1996-03-14 1997-09-19 Oki Electric Ind Co Ltd 共振器型弾性表面波フィルタ
JP2001298348A (ja) * 2000-02-07 2001-10-26 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
WO2005011117A1 (ja) * 2003-07-29 2005-02-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. １ポート型弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ
JP2006013576A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Epson Toyocom Corp Ｓａｗデバイスとこれを用いた装置
WO2007138840A1 (ja) * 2006-05-30 2007-12-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置
WO2008078573A1 (ja) * 2006-12-27 2008-07-03 Panasonic Corporation 弾性表面波共振器並びにそれを用いた弾性表面波フィルタ及びアンテナ共用器
WO2011105316A1 (ja) * 2010-02-26 2011-09-01 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
WO2011115014A1 (ja) * 2010-03-19 2011-09-22 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ及びデュプレクサ
WO2011161987A1 (ja) * 2010-06-22 2011-12-29 株式会社村田製作所 ラダー型弾性波フィルタ装置及び分波器

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09121136A (ja) * 1995-04-12 1997-05-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 共振器梯子型弾性表面波フィルタ
JPH09246913A (ja) * 1996-03-14 1997-09-19 Oki Electric Ind Co Ltd 共振器型弾性表面波フィルタ
JP2001298348A (ja) * 2000-02-07 2001-10-26 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
WO2005011117A1 (ja) * 2003-07-29 2005-02-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. １ポート型弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ
JP2006013576A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Epson Toyocom Corp Ｓａｗデバイスとこれを用いた装置
WO2007138840A1 (ja) * 2006-05-30 2007-12-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置
WO2008078573A1 (ja) * 2006-12-27 2008-07-03 Panasonic Corporation 弾性表面波共振器並びにそれを用いた弾性表面波フィルタ及びアンテナ共用器
WO2011105316A1 (ja) * 2010-02-26 2011-09-01 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
WO2011115014A1 (ja) * 2010-03-19 2011-09-22 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ及びデュプレクサ
WO2011161987A1 (ja) * 2010-06-22 2011-12-29 株式会社村田製作所 ラダー型弾性波フィルタ装置及び分波器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6274223B2 (ja) 弾性波装置及びフィルタ装置
JP6711377B2 (ja) 弾性波装置
JP6494447B2 (ja) 弾性波デバイス
JP5942740B2 (ja) ラダー型フィルタ及び分波器
JP5105026B2 (ja) 弾性波共振子及びラダー型フィルタ
JP4798319B1 (ja) 弾性波装置
JP6103146B2 (ja) ラダー型フィルタ
JP2014187568A (ja) 弾性波装置
JP6573836B2 (ja) 弾性波共振器、フィルタ、及びデュプレクサ
WO2019131530A1 (ja) 弾性波フィルタ
JPWO2008038481A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
JP5397477B2 (ja) ラダー型弾性波フィルタ装置及び分波器
JP2011087282A (ja) 弾性境界波フィルタ及びそれを備える分波器
CN114268294B (zh) 包含混合加权型反射栅的saw器件及混合加权型反射栅
JP5614461B2 (ja) ラダー型フィルタ装置及び弾性波共振子
WO2019065667A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
JP5273247B2 (ja) ラダー型フィルタ
JP2015056746A (ja) 弾性波装置
KR101974830B1 (ko) 탄성파 공진자, 탄성파 필터 및 듀플렉서
JP5141776B2 (ja) 弾性波共振子、ラダー型フィルタ及びデュプレクサ
WO2014103953A1 (ja) ラダー型フィルタ
WO2012160730A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
JP2011041082A (ja) 一ポート型弾性波共振子及び弾性波フィルタ装置
JP7132841B2 (ja) 弾性表面波素子、分波器および通信装置
JP2013229641A (ja) 弾性波フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13869280

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13869280

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP