WO2012172792A1

WO2012172792A1 - プリント配線板および製造方法

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Publication number: WO2012172792A1
Application number: PCT/JP2012/003844
Authority: WO
Inventors: 木村　道生; 保明三井; 大東　範行; 忠相遠藤
Original assignee: 住友ベークライト株式会社
Priority date: 2011-06-17
Filing date: 2012-06-13
Publication date: 2012-12-20
Also published as: JP2016219848A; JP6383519B2; TW201309129A; TWI565374B; JP2013021306A

Abstract

　プリント配線板（１００）は、樹脂層（１０６）と、樹脂層（１０６）内に位置する繊維基材（１０８）とを備える。樹脂層（１０６）には、第１面から第２面に向かって開口径が小さくなる領域を有し、樹脂層（１０６）を貫通する開口部（１１６）が形成されている。プリント配線板（１００）は、開口部（１１６）を埋め込む導体（１２４）と、導体（１２４）に電気的に接続された内部回路（１０４）とを有する。内部回路（１０４）は、樹脂層（１０６）の第２面に当接するとともに、前記第２面側から前記開口部１１６の第２面側の開口面を被覆する。内部回路（１０４）は、導体（１２４）とは別体をなす。繊維基材（１０８）は、開口部（１１６）の側壁から突出した突出部（１０９）を有し、突出部（１０９）が、導体（１２４）内部に位置している。

Description

プリント配線板および製造方法

　本発明は、プリント配線板および製造方法に関する。

　近年、電子機器の高機能化および軽薄短小化の要求にともなって、電子部品の高密度集積化と高密度実装化が進んでいる。こうした要求に応じて、配線密度がより高く、配線層が複数積層されたプリント配線板が用いられている。プリント配線板は、コア層及びコア層上に複数積層されたビルドアップ層から構成される。このようなプリント配線板としては、例えば、特許文献１に記載されたものがある。

　特許文献１に記載のプリント配線板のコア層の製造方法は次の通りである。まず、基材が下方に偏在した基材含有絶縁層を作成し、基材含有絶縁層の片面に金属箔を形成する。金属箔が形成されていない基材含有絶縁層の表面に炭素ガスレーザを照射する。特許文献１では、金属箔からのレーザーの反射光を利用して、ビア下部の側壁から突出する基材を完全に除去する。これにより、ビアの内壁の全面をなめらかにすることができるので、めっき付き回り性を大幅に高めることができると記載されている。

特開２００１－２７７４２６号公報国際公開第２０１０／０７６８７５号パンフレット特開２００３－１６３４６１号公報

　しかしながら、特許文献１に記載のプリント配線板は接続信頼性の向上の点に改善の余地を有していた。

　本発明によれば、樹脂層と、前記樹脂層内に位置する繊維基材とを備え、前記樹脂層には、前記樹脂層の第１面から第２面に向かって開口径が小さくなる領域を有し、前記樹脂層を貫通する開口部が形成されており、前記開口部を埋め込む導体と、前記樹脂層の第２面に当接するとともに、前記第２面側から前記開口部の第２面側の開口面を被覆する端子とを有し、前記端子は、前記導体に電気的に接続されるとともに、前記導体とは別体をなし、前記繊維基材は、前記開口部の側壁から突出した突出部を有し、前記突出部が、前記導体内部に位置している、プリント配線板が提供される。

　ここで、端子は、導体に電気的に接続され、導体と別体をなすものであればよい。たとえば、樹脂層の第二面側に配置された回路や配線層であってもよく、また、パッド等であってもよい。
　本発明によれば、繊維基材が開口部の側壁から突出し、この突出部が導体内部に位置している。一方で、繊維基材は、樹脂層内に位置している。これにより、繊維基材により、樹脂層と導体との相対位置のズレを抑制することができる。また、たとえば、第２面から第１面に向かって樹脂層が応力を受けたときでも、繊維基材が導体の位置を固定しているので、導体が開口部から脱離したり、位置ずれしたりすることが抑制される。従って、プリント配線板の接続信頼性を高めることができる。

　さらには、本発明によれば、上述したプリント配線板の製造方法も提供できる。すなわち、本発明によれば、第１面および第２面を有する樹脂層と、前記樹脂層内に位置する繊維基材と、前記樹脂層の第２面側に配置された端子とを備える積層体を用意する工程と、
　前記繊維基材を貫通し、かつ、前記樹脂層の第１面から第２面に向かって開口径が小さくなる領域を有するとともに前記樹脂層を貫通する開口部を形成する工程と、前記開口部内を導体で埋め込む工程とを含み、開口部を形成する前記工程では、前記第１面から前記第２面に至るまで前記第１面側から前記樹脂層を除去するとともに、前記開口部の第２面側の開口面から前記端子が露出するように、前記開口部を形成し、前記繊維基材の端部が前記開口部の側壁から突出するように、前記開口部を形成し、前記開口部内を導体で埋め込む前記工程では、前記開口部の側壁から突出した前記繊維基材の突出部が前記導体内部に位置するように、前記開口部内を前記導体で埋め込み、前記導体と前記開口部の第２面側の開口面から露出する前記端子とを電気的に接続する前記プリント配線板の製造方法も提供できる。

　本発明によれば、接続信頼性に優れたプリント配線板および製造方法が提供される。

　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

第１実施形態に係るプリント配線板の構成を示す断面図である。第１実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。第１実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第１実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第１実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第１実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第１実施形態におけるプリント配線板の変形例を示す断面図である。第１実施形態におけるプリント配線板の変形例を示す断面図である。プリプレグを製造する工程の一例を示す工程断面図である。図１２（ｃ）に示すプリント配線板の構成を示す断面拡大図である。第２実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第２実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第２実施形態の変形例を示す断面図である。第３実施形態に係るプリント配線板の構成を示す断面図である。第３実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。第３実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第３実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第３実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第３実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第３実施形態におけるプリント配線板の変形例を示す断面図である。第３実施形態におけるプリント配線板の変形例を示す断面図である。第４実施形態に係るプリント配線板の構成を示す断面図である。第４実施形態に係るプリント配線板の要部を示す断面図である。第４実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。第４実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第４実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第４実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第４実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第４実施形態におけるプリント配線板の変形例を示す断面図である。第４実施形態におけるプリント配線板の変形例を示す断面図である。第５実施形態に係るプリント配線板の構成を示す断面図である。第５実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。第５実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第５実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第５実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第４実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。第４実施形態におけるプリント配線板の変形例を示す断面図である。第４実施形態におけるプリント配線板の変形例を示す断面図である。第４実施形態におけるプリント配線板に用いる積層体の変形例を示す断面図である。第４実施形態におけるプリント配線板に用いる積層体の変形例を示す断面図である。第４実施形態におけるプリント配線板の製造手順を示す工程断面図である。

　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
　はじめに、本実施形態のプリント配線板の概要について説明する。
　プリント配線板は、図１、１０、１４、２２、３１に示すように、
　樹脂層１０６（あるいは１０６'）と、樹脂層１０６（あるいは１０６'）内に位置する繊維基材１０８とを備える。
　樹脂層１０６（あるいは１０６'）には、第１面１０から第２面２０に向かって開口径が小さくなる領域を有し、樹脂層１０６（あるいは１０６'）を貫通する開口部１１６が形成されている。
　プリント配線板は、開口部１１６を埋め込む導体１２４と、導体１２４に電気的に接続された端子（内部回路）１０４とを有する。端子１０４は、樹脂層１０６（あるいは１０６'）の第２面に当接するとともに、前記第２面側から前記開口部１１６の第２面側の開口面を被覆して閉鎖する。端子１０４は、導体１２４とは一体的に構成されておらず、導体１２４とは別体をなす。繊維基材１０８は、開口部１１６の側壁から突出した突出部１０９を有し、突出部１０９が、導体１２４内部に位置している。
　なお、以下の実施形態において、端子は内部回路であるが、端子は配線層であってもよく、また、パッドであってもよい。
　プリント配線板の実施形態について、以下に詳細に説明する。

（第１実施形態）
［プリント配線板１００］
　図１は、第１実施形態に係るプリント配線板１００の構成を示す断面図である。
　第１実施形態のプリント配線板１００は、樹脂層１０６、繊維基材１０８及び導体（ビア１２４）を有する。図１に示すように、樹脂層１０６は、基板１０２上に形成される。繊維基材１０８は、樹脂層１０６の中央部（厚みの中心位置）よりも第１面１０側に偏在している。本実施形態では、繊維基材は、樹脂層１０６の中央部（厚みの中心位置）よりも第２面２０側には配置されていない。また、ビア１２４（導体）は、図示された開口部１１６の内部に埋設されている。開口部１１６は、樹脂層１０６の厚さ方向に沿った断面において、樹脂層１０６の第１面１０から第２面２０に向かって開口径が小さくなるように構成されている。
　また、このようなプリント配線板１００において、繊維基材１０８の一部は、樹脂層１０６中央部よりも第１面１０側における開口部１１６の側壁から突出している。突出した繊維基材１０８の端部が導体（ビア１２４）内部に位置している。すなわち、繊維基材１０８は、ビア１２４の内部に埋め込まれている突出部１０９を有する。

　また、図１に示すＭ１、Ｍ２、Ｄ１～Ｄ４及びＬ１～Ｌ３は次のように定義される。Ｍ１は繊維基材１０８の中心線を示す。Ｍ２は樹脂層１０６の中心線を示す。Ｄ１は第１面１０から繊維基材１０８の中心線Ｍ１までの距離を示す。Ｄ２は第２面２０から繊維基材１０８の中心線Ｍ１までの距離を示す。Ｄ３は第１面１０から第２面２０までの距離、すなわち樹脂層１０６の膜厚を示す。Ｄ４は第２面２０から樹脂層１０６の中心線Ｍ２までの距離を示す。Ｌ１は断面視（樹脂層１０６の厚さ方向に沿った断面）において開口部の最大の開口径を示す（以下、トップ径と呼称することもある）。Ｌ２は断面視（樹脂層１０６の厚さ方向に沿った断面）において開口部の最小の開口径を示す（以下、ボトム径と呼称することもある）。Ｌ３は開口部１１６の側壁から突出部１０９の先端までの平均長さを示す。突出部１０９の長さＬ３は、例えば、ビア１２４の断面視におけるＳＥＭ画像から算出することができる。

　以下、プリント配線板１００の各構成について詳細に説明する。

　本実施形態のプリント配線板１００は、コア層及びコア層上に形成されたビルドアップ層から構成される。本実施形態では、コア層は基板１０２に相当する。一方、ビルドアップ層は、基板１０２上に形成された第１ビルドアップ層１２８に相当する。第１ビルドアップ層１２８は、基板１０２の片面のみに形成されていてもよいが、基板１０２の両面にそれぞれ形成されていてもよい。また、基板１０２上の第１ビルドアップ層１２８の積層数は、１つ以上であれば特に限定されず、２つ以上でもよい。

　第１ビルドアップ層１２８は、樹脂層１０６、繊維基材１０８及びビア１２４を少なくとも有する。樹脂層１０６の全体の膜厚Ｄ３は特に限定されないが、好ましくは２０μｍ以上１００μｍ以下であり、より好ましくは３０μｍ以上８０μｍ以下である。微細化した半導体装置を得るためにビルドアップ層の膜厚を低減することがある。このような構造ではビアが開口部から脱離し易くなる。これに対して、本実施形態によれば、このように膜厚Ｄ３が薄い場合でも、繊維基材１０８の一部（突出部１０９）がビア１２４の内部に埋設されているので、ビア１２４の脱離が防止されている。

　繊維基材１０８は、樹脂層１０６の厚みの中心線から、樹脂層１０６の第１面１０側に偏在している。膜厚Ｄ３の一部は、第１面１０から繊維基材１０８の中心線Ｍ１までの距離Ｄ１で構成されており、膜厚Ｄ３の残りは、繊維基材１０８の中心線Ｍ１から第２面２０までの距離Ｄ２で構成される。繊維基材１０８が偏在するとは、繊維基材１０８の全体が樹脂層１０６の中心線Ｍ２と第１面１０との間に埋設されていること、すなわち距離Ｄ１が距離Ｄ２より小さいことを意味する。例えば、Ｄ２／Ｄ１が、好ましくは６／４以上９／１以下であり、より好ましくは７／３以上８／２以下であり、Ｄ２／Ｄ１が大きいほうがとくに好ましい。また、Ｄ２／Ｄ１を６／４以上とすることで、樹脂層１０６の表面における線膨張率を低減できるので、その表面での反りが低減できる。一方で、Ｄ２／Ｄ１を９／１以下とすることで、開口部１１６内部へのめっき液の回り込み性を高めることができる。

　ビア１２４は下地膜（金属膜）１１８及びめっき層（金属層）１２２から構成されている。本実施形態では、ビア１２４は、開口部１１６内部を充填する中実のフィルドビアである。ビア１２４の上部の周囲には導電回路１２６が形成されている。面内方向において、ビア１２４は導電回路１２６と電気的に接続するように構成されていても良いし、離間して電気的に接続しないように構成されていてもよい。一方、ビア１２４の下部は、基板１０２の一面上に設けられた内部回路１０４の一部と接するように設けられている。本実施形態では、ビア１２４は、内部回路１０４と不図示の半導体素子とを電気的に接続する外部端子として働く。例えば、第１ビルドアップ層１２８が複数積層されていた場合には、最下層のビア１２４は内部回路１０４と上層回路パターンとを接続する接続ビアとして機能する。ビア１２４は、単層又は多層の金属膜のいずれで構成されていてもよいが、少なくとも一部の積層金属膜がめっき膜で構成されていることが好ましい。

　また、導電回路１２６は、樹脂層１０６上に形成されており、金属箔層１１４、下地膜１１８及びめっき層１２２から構成される。金属箔層１１４は、樹脂層１０６の第１面１０に接するように形成されている。導電回路１２６は、上面視において、矩形形状でもよく、所定方向に延在する回路パターンであってもよい。

　下地膜１１８は、堆積金属膜又は無電解めっき膜で構成されている。下地膜１１８は、開口部１１６の側壁及び開口部１１６から露出する内部回路１０４の表面に沿って膜状に延在し、開口部１１６の側壁及び内部回路１０４表面を一体的に被覆している。本実施形態では、下地膜１１８は開口部１１６の側壁上及び開口部１１６から露出する内部回路１０４表面の全面に形成されている。さらに、下地膜１１８は金属箔層１１４の側壁上及び上面上に形成されている。下地膜１１８は、突出部１０９の先端部まで覆うように形成されていてもよいし、突出部１０９の一部（ただし、突出部１０９の先端部は覆わない）のみを覆うように形成されていてもよい。

　めっき層１２２は、開口部１１６の内部全体に埋設された、中実状の導電体である。本実施形態では、開口部１１６の内面を被覆する下地膜１１８の内側にめっき層１２２が充填されている。すなわち、開口部１１６の内部は下地膜１１８及びめっき層１２２のみで構成されている（ただし、下地膜１１８は必須ではない）。このめっき層１２２は単層でも多層でもよい。また、めっき層１２２は、樹脂層１０６を第１面１０側から平面視した際に、開口部１１６の外側に位置する金属箔層１１４の上面上に形成されていてもよい。

　開口部１１６とは、樹脂層１０６の第１面１０から第２面２０に亘って貫通するように形成された空間である。開口部１１６は、断面視において、第１面１０から第２面２０に向かって開口径が連続的又は不連続的に小さくなるように構成されており、より好ましくは連続的に小さくなるように構成されている。開口部１１６は、第１面１０から第２面２０側に至るまで縮径している。例えば、開口部１１６の断面形状は、第１面１０から第２面２０に向かって先細りしたテーパ形状でもよく、複数の段差を側壁に有するシリンダ形状でもよい（ただし、開口部１１６を構成する樹脂層１０６の側壁であって第２面２０近傍における部分は、ソフトエッチングにより切り欠かれた切り欠き領域を有していてもよい。ここで、ソフトエッチングは、後述する開口部１１６を形成する手法とは、種類及び工程が異なるものである）。

　開口部１１６の一方の開口面は、樹脂層１０６第１面１０と同一面に位置しており、開口部１１６における最大の開口径Ｌ１を有する。一方、開口部１１６の他方の開口面は、開口部１１６における最小の開口径Ｌ２を有する。本実施形態においては、開口径Ｌ１が開口径Ｌ２より大きい限りとくに限定されないが、例えば、開口径Ｌ１は、開口径Ｌ２の１．１倍以上Ｌ２の３倍以下が好ましく、１．５倍以上Ｌ２の２倍以下がより好ましい。ビアの抵抗値又はビルドアップ層の膜厚を低減するために、開口径Ｌ１を開口径Ｌ２に比して大きくする構造を採用することがある。このような構造はビアが開口部から脱離し易くなる。これに対して、本実施形態では、ビア１２４に突出部１０９が埋設されているので、このような構造においてもビア１２４の脱離が抑制されている。
　開口径Ｌ１、開口径Ｌ２の大きさは、後述する実施形態も同様である。
　このような開口部１１６の製造方法については、詳しくは後述するが、樹脂層１０６の第１面１０から第２面２０に至るまで、第１面１０側からのみ樹脂層１０６を除去して得られたものである。すなわち、開口部１１６は、第１面１０側から第２面２０側に向かって樹脂層１０６の一部を除去することで形成されたものであり、第２面２０側から第１面１０側に向かって樹脂層１０６の一部を除去して得られたものではない。この点は後述する実施形態においても同様である。

　繊維基材１０８の突出部１０９は、プリント配線板の厚さ方向に沿った断面において、第１面１０と中心線Ｍ２との間に位置しており、ビア１２４の内部に位置するように構成されている。突出部１０９はビア１２４と結合している（換言すると、ビア１２４内に突出部１０９が嵌入している）。
　プリント配線板の厚さ方向に沿った断面において、ビア１２４を介して対向する突出部１０９同士は、離間している。上面視において、開口部１１６内部における突出部１０９は、リング状に構成されていてもよく、円の外縁に沿って点在するように構成されていてもよい。また、開口内壁の周縁方向において、突出部１０９の長さの最大値は、全体が均一でも不均一でもよい。例えば、開口内壁の周縁方向において、突出部１０９が内壁から突出している第１領域と突出部１０９が内壁から突出していない第２領域とが併設されてもよい。また、第１領域と第２領域とは交互に隣設してもよい。そして、第１領域のうちいずれかの領域の突出部１０９の長さの最大値が後述の範囲内であることが好ましい。突出部１０９は、めっき層１２２に直接接するようにビア１２４内に埋設されていてもよいが、先端全体が下地膜１１８に覆われた状態でビア１２４に埋設されていてもよい。
　なお、開口部１１６の最小径となる部分からは、繊維基材は突出していない。このような構造を採用することで、めっき液の回りこみ性が低下することが防止できる。この構成は、後述する実施形態においても同様である。

　繊維基材１０８は、第１面１０から中心線Ｍ２の間であれば（すなわち、第１面１０側に偏在していれば）、複数積層方向に離間して配置されていてもよい。プリント配線板の厚さ方向に沿った断面において、開口部１１６の１つの側壁面からは、複数の突出部１０９が突出していてもよいが、接続信頼性とめっき液回り込み性とのバランスに優れるため、１つの突出部１０９のみが突出しているのが好ましい。

　突出部１０９の長さＬ３／開口部１１６の最大の開口径Ｌ１は、好ましくは１／１００以上１／５以下であり、より好ましくは１／２０以上１／６以下である。また、突出部１０９の長さＬ３は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３０μｍ以下であり、より好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下であり、さらに好ましくは３μｍ以上１５μｍ以下である。突出部１０９の長さＬ３を上記範囲内で特定することにより、めっき回り込み性及び接続信頼性のバランスに優れたプリント配線板１００を得ることができる。突出部１０９の長さＬ３は、平均値でも最大値でもよいが、最大値で特定されることが好ましい。
　なお、突出部１０９の長さとは、突出部１０９が突出する開口部側壁から突出部１０９先端までの長さである。

　また、突出部１０９の長さＬ３は、突出部１０９が開口部１１６内部のビア１２４に埋設されている限り特に限定されないが、好ましくは（開口径Ｌ１－開口径Ｌ２）／２以下であり、より好ましくは（開口径Ｌ１－開口径Ｌ２）／１０以上（開口径Ｌ１－開口径Ｌ２）／３以下である。長さＬ３を上記範囲内とすることにより、長さＬ３が適度であるために、めっき液の回り込み性とともにビア１２４の接続信頼性を向上させることができる。
　これらの突出部１０９の長さＬ３、突出部１０９の長さＬ３／開口部１１６の最大の開口径Ｌ１、については後述する実施形態も同様である。

　内部回路１０４は、銅等の金属層であり、ビア１２４に電気的に接続される領域を有する。内部回路１０４は基板１０２上に配置されている。また、内部回路１０４は、樹脂層１０６の第２面２０に直接接触しており、内部回路１０４の一部は、開口部１１６の開口面を第２面２０側から被覆し、内部回路１０４の開口面から露出する部分に、ビア１２４が接続される。

　次に、第１実施形態のプリント配線板の製造方法について説明する。図３～６は、プリント配線板１００の製造工程の手順を示す工程断面図である。
　第１実施形態のプリント配線板１００の製造方法は、次の工程を含む。コア層（基板１０２）を形成する工程、非対称プリプレグから構成される積層体１１０形成工程、及びビア１２４を形成する工程。以下、各工程について説明する。

<コア層形成工程>
　まず、一面上に金属箔が張り付けられた基板１０２を準備する。基板１０２は、絶縁性の材料により構成されていれば特に限定されないが、たとえば、エポキシ樹脂、ガラス基材－エポキシ樹脂積層板、ガラス基材－ポリイミド樹脂積層板、ガラス基材－テフロン（登録商標）樹脂積層板、ガラス基材－ビスマレイミド・トリアジン樹脂積層板、ガラス基材－シアネート樹脂積層板、ガラス基材－ポリフェニレンエーテル樹脂積層板、ポリエステル樹脂、セラミック、樹脂含浸セラミックのいずれか等により構成することができる。また、基板１０２として、後述の積層体１１０を構成するプリプレグを用いても良い。一方、金属箔は、銅、アルミニウム、ニッケルなどの少なくともいずれかの金属元素を含有する金属箔を用いることができる。この中でも、低抵抗な銅箔が好ましい。金属箔は、基板１０２の両面に形成されていてもよいし、片面のみに形成されていてもよい。

　次いで、金属箔上に不図示の保護膜を形成する。続いて、保護膜を所定形状にパターニングする。この保護膜を用いて、金属箔を選択的にエッチングする。これにより、図３（ａ）に示すように、基板１０２の上に所定のパターン形状を有する内部回路１０４を形成する。本工程で、保護膜としてはエッチングレジストや感光性レジストなどを用いることができる。

<積層体形成工程>
　次いで、図３（ｂ）に示すように、積層体１１０を用意する。積層体１１０は、特に限定されないが、例えば、繊維基材１０８入りの樹脂層１０６の少なくとも一面に金属箔層１１２が積層されたものを用いることができる。すなわち、積層体１１０は、繊維基材に樹脂組成物を含浸したプリプレグに金属箔を形成することにより形成される。金属箔としては、例えば、銅箔を用いることが好ましい。積層体１１０は、単層でもよいが多層構造を有していてもよい。積層体１１０は、例えば、プリプレグを複数枚重ね合わせたもの等を用いることができる。積層体としては、少なくとも片面にキャリア箔付き極薄金属箔を重ね合わせて加熱加圧成形したもの等を用いることができる。なお、ビルドアップ層は、コア層（基板１０２）と同じ材料のものを用いてもよいが、繊維基材または樹脂組成物が異なっていてもよい。

（プリプレグ）
　ここで、プリプレグ（繊維基材１０８入りの樹脂層１０６）の製造方法を詳述する。
　プリプレグは、繊維基材１０８に一または二以上の樹脂組成物を含浸させ、その後、半硬化させて得られる、繊維基材１０８と樹脂層１０６を備えるシート状の材料である。このような構造のシート状材料は、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れ、回路基板用の積層板の製造に適しており、好ましい。

　本実施形態で用いられる樹脂組成物を繊維基材に含浸させる方法としては、とくに限定されないが、例えば、樹脂組成物を溶剤に溶かして樹脂ワニスを調製し、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより塗布する方法、スプレーによる吹き付ける方法、支持基材付き樹脂層をラミネートする方法等が挙げられる。この中でも、繊維基材の両面からフィルム状の樹脂層でラミネートする方法が好ましい。これにより、繊維基材に対する樹脂組成物の含浸量を自在に調節でき、プリプレグの成形性をさらに向上できる。なお、フィルム状の樹脂層をラミネートする場合、真空のラミネート装置等を用いることがより好ましい。

　ラミネート方法を用いた製造工程について、図９を用いて説明する。図９は、プリプレグの製造工程の一例を示す工程断面図である。

　まず、材料として、キャリア材料５ａ、キャリア材料５ｂ、シート状基材４を用意する。また、装置として、真空ラミネート装置、及び熱風乾燥装置２を用意する。キャリア材料５ａは、第１樹脂組成物から得られた樹脂層１０６ａで構成される。キャリア材料５ｂは、第２樹脂組成物から得られた樹脂層１０６ｂで構成される。キャリア材料５ａ、５ｂは、例えばキャリアフィルムに第１樹脂組成物、第２樹脂組成物の樹脂ワニスを塗工する方法等により得ることができる。シート状基材４としては、例えば、単層又は複数枚重ね合わせた繊維基材を用いることができる。

　樹脂ワニスに用いられる溶剤は、樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが好ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。なお、第１樹脂組成物、及び第２樹脂組成物の詳細は後述する。

　次いで、真空ラミネート装置１を用いてキャリア材料５ａ、シート状基材４及びキャリア材料５ｂをこの順で接合した接合体を形成する。真空ラミネート装置１は、キャリア材料５ａを巻き取ったロール、キャリア材料５ｂを巻き取ったロール、シート状基材４を巻き取ったロール及び、ラミネートロール７を備える。減圧下で、各ロールから送り出されたシートを、シート状基材４の両面にキャリア材料５ａ、及びキャリア材料５ｂを重ね合わせる。重ね合わせた積層体をラミネートロール７で接合する。これにより、キャリア材料５ａ、シート状基材４及びキャリア材料５ｂから構成される接合体が得られる。

　減圧下で接合することにより、シート状基材４の内部または各キャリア材料５ａ、５ｂとシート状基材４との接合部位に非充填部分が存在しても、これを減圧ボイドあるいは実質的な真空ボイドとすることができる。ゆえに、最終的に得られるプリプレグ３はボイド等の発生がなく、良好な成形状態にすることができる。なぜなら、減圧ボイドまたは真空ボイドは、後述する加熱処理で消し去ることができるからである。このような接合工程には、例えば真空ボックス装置等の他の装置を用いることができる。

　次いで、熱風乾燥装置２を用いて、接合体を構成する各キャリア材料５ａ、５ｂを構成する樹脂組成物の溶融温度以上の温度で加熱処理する。これにより、減圧下での接合工程で発生していた減圧ボイド等を消し去ることができる。熱処理する他の方法は、例えば赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤プレス装置等を用いて実施することができる。

　以上により非対称なプリプレグ３（図３（ｂ）の樹脂層１０６および繊維基材１０８に該当）が得られる。図３（ｂ）に示すように、繊維基材１０８が樹脂層１０６の厚さの中心位置から、厚さ方向に偏在している。このようなプリプレグを非対称プリプレグと呼称する。

（樹脂組成物）
　次いで、プリプレグの製造に用いられる第１樹脂組成物、第２樹脂組成物（これらは異種でも同種でもよいが、同種であることが好ましい。これらを総称して、以下樹脂組成物と称する）を詳述する。樹脂組成物は、例えば、熱硬化性樹脂、硬化剤、及び充填剤を含有する。以下、各成分について説明する。

　熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用してもよい。

　これらの中から、たとえば、シアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）を用いてもよい。シアネート樹脂を用いることにより、樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、シアネート樹脂は、電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度等にも優れる。

　ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式（Ｉ）で示されるものを使用することができる。

　一般式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは任意の整数であり、とくに限定されないが、１以上１０以下が好ましく、とくに２以上７以下が好ましい。平均繰り返し単位ｎを下限値以上とすることにより、ノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が低下し、加熱時に低量体が脱離、揮発することを抑制できる。また、平均繰り返し単位ｎを上限値以下とすることにより、溶融粘度が高くなりすぎ、樹脂層の成形性が低下することを抑制できる。

　熱硬化性樹脂の含有量は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体の合計値に対して、５質量％以上５０質量％以下が好ましく、とくに２０質量％以上４０質量％以下が好ましい。熱硬化性樹脂の含有量を下限値以上とすることにより、樹脂層の製造安定性が向上し、一方、上限値以下とすることにより、強度に優れた樹脂層が得られる。

　また、樹脂組成物は無機充填材を含むことが好ましい。これにより、積層板を薄型化しても優れた強度を付与することができる。さらに、積層板の低熱膨張化を向上させることができる。

　無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。

　無機充填材の含有量は、とくに限定されないが、樹脂組成物全体の合計値に対して、２０質量％以上８０質量％以下が好ましく、とくに３０質量％以上７０質量％以下が好ましい。含有量が上記範囲内であると、とくに低熱膨張、低吸水とすることができる。

　また、熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（とくにノボラック型シアネート樹脂）を用いる場合、さらにエポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を添加することが好ましい。エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。これらの中でも、とくにアリールアルキレン型エポキシ樹脂またはナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性をさらに向上させることができる。

　熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（とくにノボラック型シアネート樹脂）を用いる場合、さらにフェノール樹脂を添加することができる。フェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノール樹脂等が挙げられる。フェノール樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いてよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。これらの中でも、とくにアリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに吸湿半田耐熱性を向上させることができる。

　このほか、必要に応じて、樹脂組成物にはカップリング剤、硬化促進剤、硬化剤、熱可塑性樹脂、有機充填材などの添加剤を適宜配合することができる。本実施形態で用いられる樹脂組成物は、上記成分を有機溶剤等により溶解および／又は分散させた液状形態で好適に用いることができる。

　さらに、樹脂組成物には、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の上記成分以外の添加物を添加してもよい。

（繊維基材）
　本実施形態に用いられる繊維基材としては、とくに限定されないが、ガラスクロス等のガラス繊維基材、ポリベンゾオキサゾール樹脂繊維、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等から選択されるポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等から選択されるポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維の少なくともいずれか１種から構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等のいずれか１種以上を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等が挙げられる。これらの中でも、強度、吸水率の点からガラス繊維基材がとくに好ましい。また、ガラスクロスを用いることにより、樹脂層の熱膨張係数をさらに小さくすることができる。

　ガラス繊維基材を構成するガラスとしては、例えばＥガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、Ｈガラス等のいずれか１種以上が挙げられる。これらの中でもＳガラス、または、Ｔガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の熱膨張係数を小さくすることができ、それによってプリプレグの熱膨張係数を小さくすることができる。

　繊維基材の厚みは、通常、繊維基材１０８の厚みになるといえる。繊維基材１０８の厚みは、特に限定されないが、５μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ以上３５μｍ以下、さらに好ましくは１４μｍ以上２０μｍ以下である。繊維基材１０８は、単独の繊維基材から構成されていてもよいが、複数積層された繊維基材から構成されていてもよい。なお、繊維基材を複数枚重ねて使用する場合は、その合計の厚みが上記の範囲を満たせばよい。このような厚みを有する繊維基材を用いることにより、プリプレグ製造時のハンドリング性がさらに向上し、とくに反り低減効果が顕著である。

　また、本実施形態で用いる繊維基材は、１ＭＨｚでの誘電率が３．８以上７．０以下であることが好ましく、より好ましくは４．７以上７．０以下、さらに好ましくは５．４以上６．８以下である。このような誘電率を有するガラス繊維基材を用いることにより、積層板の誘電率をさらに低減でき、高速信号を用いた半導体パッケージに好適である。上記のような線膨張係数、ヤング率及び誘電率を有するガラス繊維基材として、例えば、Ｅガラス、Ｓガラス、ＮＥガラス、またはＴガラスなどが好適に用いられる。

（積層体１１０）
　次いで、得られた非対称プリプレグの片面又は両面（ここでは、樹脂層１０６の片面又は両面）に、金属箔層１１２を配置した構成で加熱加圧して積層する。これにより積層体１１０を得る。金属箔層１１２の表面にはキャリア箔が付与されていてもよい。

　金属箔層１１２の厚みは、好ましくは１μｍ以上１８μｍ以下であり、さらに好ましくは２μｍ以上１２μｍ以下である。金属箔層１１２の厚みが上記範囲内であると、微細パターンが形成可能であり、目ずれ度を制御することで反りをより低減できる。

　金属箔層１１２を構成する金属としては、例えば銅及び銅系合金、アルミ及びアルミ系合金、銀及び銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金、鉄および鉄系合金等の少なくともいずれか１種以上が挙げられる。また、金属箔層１１２として、キャリア付電解銅箔等を使用してもよい。

<ビア形成工程>
　次いで、図３（ｃ）に示すように、基板１０２の一面上に積層体１１０を配置する。例えば、加熱加圧により基板１０２上に積層体１１０を形成する。本実施形態では、基板１０２の片面上のみの積層体１１０を形成しているが、これに限定されず、基板１０２の両面上に積層体１１０を形成しても良い。また、本実施形態では、金属箔層１１２が形成された非対称プリプレグを基板１０２上に形成しているが、これに限定されず、基板１０２上に非対称プリプレグを形成した後、この非対称プリプレグ上に金属箔層を形成してもよい。

　次いで、金属箔層１１２上に不図示のレジストを形成する。続いて、図４（ａ）に示すように、レジストをマスクとして、金属箔層１１２の選択的エッチングを行う。これにより、所定のパターンを有する金属箔層１１４を形成する。金属箔層１１４は、例えば、平面視において、所定方向に延在する回路パターンや矩形状のパッドとして機能する。

　次いで、図４（ｂ）に示すように、レーザー等を用いて、樹脂層１０６を選択的に除去する。これにより、樹脂層１０６に開口部１１６を形成する。本工程において、開口部１１６は、樹脂層１０６の第１面１０から第２面２０まで貫通する貫通孔となるように形成される。開口部１１６は、第１面１０側から一方向に樹脂層１０６を除去することで形成される。すなわち、第２面２０側からは樹脂層１０６を除去しない。
　開口部１１６の底面（開口面）からは、内部回路１０４の上面の一部が露出している。また、開口部１１６の側壁には、繊維基材１０８の一部（突出部１０９）が突出している。

　従来の技術では、めっき液の回りこみ特性を向上させることが望まれていた。また、開口部内部のビアが脱離する課題も知られていなかった。このため、従来では、通常、開口部の側壁はなめらかに形成していた。

　これに対して、本実施形態のプリント配線板は、繊維基材を、ビアホール上部の側壁から突出させてビア内部に埋設させることにより、開口部内部のビアが脱離することを抑制できるものである。
　そこで、本発明者らが検討した結果、樹脂層及び繊維基材の材料やレーザー条件を適切に選択することにより、繊維基材を、ビアホール（開口部）上部側の側壁から突出させることが可能であることが判明した。たとえば、（ｉ）樹脂層中の無機充填材の含有量を低くする、（ｉｉ）繊維基材の融点を高くする、又は（ｉｉｉ）樹脂の硬度を低くすることに加えて、（ｉｖ）パルス幅を長くする、及び／又は（ｖ）基準エネルギーを高くかつショット数を少なくする等の条件を用いることにより、本実施形態の開口部の上部の側壁から突出する繊維基材の長さを長くすることができる。反対に、たとえば、（ｉ）樹脂層中の無機充填材の含有量を高くする、（ｉｉ）繊維基材の融点を低くする、又は（ｉｉｉ）樹脂の硬度を高くすることに加えて、（ｉｖ）パルス幅を短くする、及び／又は（ｖ）基準エネルギーを低くかつショット数を多くする等の条件を用いることにより、本実施形態の開口部の上部の側壁から突出する繊維基材の長さを短くすることができる。
　その他、レーザーの照射エネルギー、パルス幅、照射回数などを適切に選択することにより、開口部の開口径Ｌ１及び開口径Ｌ２の大きさを調節することができる。

　次いで、樹脂層１０６の開口部１１６の内部に対して、デスミア処理を行う。デスミア処理は、スミア等を除去して表面を清浄するものである。デスミア処理としては、特に限定されず、有機物分解作用を有する酸化剤溶液等を使用した湿式法、及び対象物となるものに直接酸化作用の強い活性種（プラズマ、ラジカル等）を照射して有機物残渣を除去するプラズマ法等の乾式法等の公知の方法を用いることができる。

　例えば、薬液によるデスミア処理としては、具体的には、樹脂表面の膨潤処理を施した後、アルカリ処理によりエッチングを行い、続いて中和処理を行う方法等が挙げられる。また、例えば、プラズマ処理によるデスミア処理としては、たとえば数ｍＴｏｒｒ～数Ｔｏｒｒのガス雰囲気下において数ｋＨｚ～数十ＭＨｚ程度の高周波電源にて放電することにより行われる。なお、使用ガスとしては、たとえば酸素等の反応性ガス、または窒素やアルゴン等の不活性ガスを用いることができる。プラズマにより活性化されたガス成分は、圧力と使用ガスの種類によって、化学的反応、ガス分子そのものの衝突（ボンバリング）による物理的反応、またはこれら両方が生じることによって、ビアホール中の残渣や低分子による表面汚れを除去することができる。プラズマ処理によるクリーニングは、例えば、平行平板方式により行うことができる。

　プラズマを用いたデスミア処理により、薬液によるクリーニングでは除去しきれないような強固な樹脂組成物の残滓を除去することができる。また、薬液を使用しなくてもよい。薬液を使用しないことにより、たとえば、内部回路１０４等の配線層や繊維基材１０８の界面への薬液の染みこみやイオンの入り込みを確実に防ぐことができる。さらに、プラズマを露出した樹脂層１０６の表面に発生させて、樹脂層１０６の第１面１０の改質を行うことができる。これにより、第１面１０と導体膜との密着性を向上することができる。このように樹脂層１０６の第１面１０又は開口部１１６の内壁の表面の状態に応じて、各種のデスミア処理の手法を適切に採用する。

　デスミア処理後、図４（ｃ）に示すように、金属箔層１１４上及び開口部１１６の底面（開口部１１６から露出する内部回路１０４）上及び側壁上に下地膜１１８を形成する。下地膜１１８は、イオンプレーティング、スパッタリング、真空蒸着、ＰＶＤ法（ｐｈｙｓｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、又はＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて形成してもよい。また、下地膜１１８は無電解めっき法を用いて形成してもよい。無電解めっき法の例を説明する。例えば、まず、少なくとも開口部１１６の底面（内部回路１０４の上面）及び側壁上に触媒核を付与する。この触媒核としては、特に限定されないが、例えば、貴金属イオンやパラジウムコロイドを用いることができる。引き続き、この触媒核を核として、無電解めっき処理により薄層の無電解めっき層を形成する。無電解めっきには、例えば、硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウム等を含むものを用いる事ができる。なお、無電解めっき後に、１００～２５０℃の加熱処理を施し、めっき被膜を安定化させることが好ましい。１２０～１８０℃の加熱処理が酸化を抑制できる被膜を形成できる点で、特に好ましい。また、無電解めっき層の平均厚さは、次の電気めっきが行うことができる厚さであればよく、例えば、０．１～１μｍ程度で十分である。
　ここで、前述したように、本実施形態では、突出部１０９の先端は、下地膜１１８に被覆されず、下地膜１１８から突出している。突出部１０９の先端に下地膜１１８を形成しないことで、樹脂層１０６の厚さ方向に沿った断面において、対向する突出部１０９間が下地膜１１８で埋め込まれてしまうことを防止できる。

　次いで、図５（ａ）に示すように、下地膜１１８上に所定の開口パターンを有するレジスト層１２０を形成する。この開口パターンは、例えば回路パターンに相当する。レジスト層１２０としては、特に限定されず、公知の材料を用いることができるが、液状およびドライフィルムを用いることができる。微細配線形成の場合には、レジスト層１２０としては、感光性ドライフィルム等を用いることが好ましい。感光性ドライフィルムを用いた一例を説明する。例えば、下地膜１１８上に感光性ドライフィルムを積層し、非回路形成領域を露光して光硬化させ、未露光部を現像液で溶解、除去する。硬化した感光性ドライフィルムを残存させることにより、レジスト層１２０を形成する。

　次いで、図５（ｂ）に示すように、少なくともレジスト層１２０の開口パターン内部かつ無電解めっき層上に、電気めっき処理により、めっき層１２２を形成する。めっき処理中、下地膜１１８は給電層として働く。この下地膜１１８は開口部１１６の内壁に形成されている。このため、開口部１１６の内部にめっき層１２２が埋設される。電気めっきとしては、特に限定されないが、通常のプリント配線板で用いられる公知の方法を使用することができ、例えば、硫酸銅等のめっき液中に浸漬させた状態で、めっき液に電流を流す等の方法を使用することができる。めっき層１２２は単層でもよく多層構造を有していてもよい。めっき層１２２の材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、銅合金、４２合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田のいずれか１種以上を用いることができる。

　次いで、図５（ｃ）に示すように、アルカリ性剥離液や硫酸又は市販のレジスト剥離液等を用いてレジスト層１２０を除去する。

　次いで、図６に示すように、めっき層１２２が形成されている（めっき層１２２で被覆されている）領域以外の下地膜１１８および金属箔層１１４を除去する。例えば、ソフトエッチング（フラッシュエッチング）等を用いることにより、下地膜１１８および金属箔層１１４を除去することができる。ここで、ソフトエッチング処理は、たとえば硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングにより行うことができる。これにより、ビア１２４及び導電回路１２６を形成することができる。ビア１２４は下地膜１１８及びめっき層１２２で構成されることになる。一方、導電回路１２６は、金属箔層１１４及び金属層（無電解めっき層の下地膜１１８及びめっき層１２２）が積層して構成されることになる。このようにして、積層体１１０にビア１２４を形成することにより、第１ビルドアップ層１２８を形成することができる。

　以上により、本実施形態のプリント配線板１００が得られる。また、第１実施形態で得られたプリント配線板１００を内層回路基板として用い、この内層回路基板上にビルドアップ層をさらに形成してもよい。

［半導体装置１５０］
　図２は、半導体装置１５０の構造を示す断面図である。
　第１実施形態のプリント配線板１００上に不図示の半導体チップを実装して、半導体装置１５０を得ることができる。図２に示すように、半導体装置１５０は、プリント配線板１００、プリント配線板１００上に実装された半導体素子１３８、及びプリント配線板１００と半導体素子１３８とを電気的に接続するバンプ１３４を有する。これらのプリント配線板１００と半導体素子１３８との間にはソルダーレジスト層１３０が形成されている。ソルダーレジスト層１３０内において、ビア１２４は配線層１３２及びバンプ１３４を介して半導体素子１３８と電気的に接続している。すなわち、ビア１２４の上部、配線層１３２及びバンプ１３４の周囲にはソルダーレジスト層１３０が形成されている。一方、半導体素子１３８は、その周囲にアンダーフィル１３６が形成されて、パッケージングされている。

　配線層１３２は、例えば、サブトラクティブ工法により作製する。また、任意のビルドアップ層を積層して、アディティブ工法により層間接続及び回路形成する工程を繰り返し、プリント配線板を形成してもよい。ソルダーレジスト層１３０の積層方法としては、とくに限定されないが、積層体１１０または第１ビルドアップ層１２８の積層方法と同様の方法であってもよいし、別の方法であってもよい。ソルダーレジスト層１３０に使用される材料は、とくに限定されないが、積層体１１０または第１ビルドアップ層１２８に使われる材料を適宜使用してもよいし、別の材料を使用してもよい。例えば、ソルダーレジスト材料は繊維基材を樹脂組成物に含ませてなるものであることが好ましい。ソルダーレジスト層１３０の作製方法は、とくに限定されないが、本実施形態における樹脂層１０６と同様の作製方法であってもよいし、別の作製方法であってもよい。

　第１実施形態の作用効果について説明する。
　本実施形態のプリント配線板１００によれば、樹脂層１０６の第１面１０から第２面２０に向かって徐々に開口径が小さくなる開口部１１６にビア１２４が埋設されている。本発明者らが検討した結果、このような開口部に埋設されたビアは、第２面から第１面方向に向かって樹脂層に加えられた負荷により、樹脂層から抜け出しやすいことが判明した。そこで、さらに検討したところ、ビア１２４の上部に、繊維基材１０８の一部（突出部１０９）が樹脂層１０６から突出してビア１２４の内部に食い込むような構造を採用することにより、ビア１２４の脱離が防止されることを見出した。本実施形態では、繊維基材１０８が樹脂層１０６に埋め込まれるとともにビア１２４の内部に埋設されている。このため、繊維基材１０８は樹脂層１０６とビア１２４との相対位置のズレを抑制することができる。これにより、樹脂層１０６の膜厚方向に応力が加えられたとしても、繊維基材１０８がビア１２４の位置を固定しているので、ビア１２４が開口部１１６から脱離することが抑制される。従って、接続信頼性に優れたプリント配線板１００が得られる。

　図１に示されるように、開口部１１６の断面形状は、下方から上方に向かって裾広がりの構造である。このような構造において下方から上方への応力を受けた場合、次のことが、本発明者らにより明らかとなった。第１に、開口部１１６の高さが小さくなるほど、開口部１１６内面とビア１２４との接触面積が小さくなり、開口部１１６に埋設されたビア１２４は脱離し易くなる（第１の場合）。第２に、開口部１１６の裾の広さ（開口径Ｌ２に対する開口径Ｌ１の比率）が大きくなるほど、力学的に開口部１１６に埋設されたビア１２４は脱離し易くなる（第２の場合）。本実施形態によれば、以上のような第１及び第２の場合においても、突出部１０９がビア１２４の位置を固定しているので、ビア１２４が開口部１１６から脱離することが抑制される。

　従来の特許文献２のプリント配線板の製造方法は次の通りである。まず、コア層として、補強材を中間層に有する樹脂層を用意する。樹脂層の上面から中央部に向かってレーザー照射するとともに、下面から中央部に向かってレーザー照射する。これにより、両側から２つの開口部を形成して、両面テーパを有するビアホールを形成する。ビアホールにおいて、これらの開口部が交差する中央部に、補強材が突出している。次いで、このようなビアホールにデスミア処理を行い、めっきにより金属膜を埋設する。

　しかしながら、本発明者らが検討した結果、上記の従来技術には、次の点に改善の余地があることを見出した。まず、特許文献２では、ビアホールの最小の開口径である部分に、補強材が突出している。この部分において、補強材はビアホールの開口を塞いでしまう。このため、ビアホールの下部へのめっき液の回り込み性が低下したり、ビアホールの下部におけるデスミア処理が不十分になり得る。このため、従来のプリント配線板においては、歩留まりが低下していた。また、断面視において、２つの開口部の公差位置と補強材との位置を正確に制御することは困難である。また、平面視において、第１開口部の最小径の開口位置と、第２開口部の最小径の開口位置との位置ズレがおこることがあった。このため、従来のプリント配線板においては、製造マージンが低下するとともに、作業性も低下していた。

　これに対して、本実施形態によれば、開口部１１６の側壁のうち、最小の開口径よりも大きい開口径を構成する部分に繊維基材１０８の突出部１０９が形成されている。言い換えると、開口径が比較的大きい開口部１１６の上部に突出部１０９が形成されている。このため、開口部１１６の下部へのめっき液が流入することを妨げないし、開口部１１６の底部に対するデスミア処理も妨げない。従って、歩留まりに優れたプリント配線板１００を得ることができる。

　また、本実施形態によれば、開口部１１６は第１面１０側から第２面２０側に向かって一方向から形成されている。開口部１１６は、対向する２方向から形成された開口部よりも、簡単な構造となる。また、２つの開口の位置合わせも不要である。また、開口部１１６の上部側のいずれかの位置で突出部１０９が偏在していればよいので、製造マージンが高い。従って、本実施形態によれば、製造マージンが高く、製造安定性も高いプリント配線板１００を得ることができる。
　また、繊維基材１０８は、プリント配線板の半導体チップ搭載面側に偏在しているため、プリント配線板の半導体チップ側の部分と、半導体チップとの線膨張係数差を小さくすることができる。これにより、半導体チップの剥離等を防止することができる。

　第１実施形態の変形例について説明する。図７及び図８は、第１実施形態のプリント配線板１００の変形例を示す。
　図７に示すように、基板１０２の両面にビルドアップ層が形成されていてもよい。すなわち、基板１０２の一面上に第１ビルドアップ層１２８が形成されており、基板１０２の他面上に第２ビルドアップ層１２８が形成されていてもよい。各ビルドアップ層は、同種の材料を用いてもよいが、異種の材料を用いても良い。各層において、ビア数や配線数等は適切に設定できる。

　また、図８に示すように、基板１０２に貫通孔１４２が形成されていてもよい。貫通孔１４２の内壁にはめっき膜１４４が形成されている。このめっき膜１４４は、基板１０２の一面上に形成された配線と他面上に形成された配線とを電気的に接続することができる。例えば、図３（ｃ）に示す工程の後、基板１０２に貫通孔１４２を形成する。この後、貫通孔１４２上にめっき膜１４４を形成する。この後、図４（ａ）に示す工程以後と同様にする。これにより、図８に示すプリント配線板が得られる。

　他の変形例としては、積層体１１０としては、ビルドアップ層に用いるだけではなく、コア層に用いてもよい。また、第１ビルドアップ層１２８の面内方向において、少なくとも１つのビア１２４において突出部１０９が埋入していればよいが、全てのビア１２４に突出部１０９が埋入していることが好ましい。また、ビルドアップ層が多層の場合には、少なくとも１層において、ビア１２４に突出部１０９が埋入されていればよいが、各層において、ビア１２４に突出部１０９が埋入している事が好ましい。
　また、図６に示す導電回路１２６を形成する工程は、各工程を入れ替えてもよく、例えば、金属箔層１１４上にレジスト層１２０を形成し、めっき層１２２を形成した後、レジスト層１２０を除去する工程でもよいが、金属箔層１１４上にめっき層１２２を形成し、めっき層１２２上にレジスト層１２０を形成してエッチングした後、レジスト層１２０を除去する工程でもよい。

（第２実施形態）
　図１０は、プリント配線板２００の一部を拡大した拡大断面図を示す。
　第２実施形態のプリント配線板２００には、開口部２０８Ａおよび間隙２０８からなる開口部２０４Ａが形成されており、この開口部２０４Ａに導体（ビア１２４）が埋め込まれている点を除いて、第１実施形態と同様である。

　プリント配線板２００において、開口部１１６の最小径となる部分よりも第２面２０側の領域において、樹脂層１０６と内部回路１０４との間に位置する間隙２０８が形成されている。この間隙２０８は、樹脂層１０６および内部回路１０４のうち少なくともいずれか一方に形成され、開口部２０８Ａを介して開口部１１６に連通している。開口部１１６の周壁あるいは内部回路１０４の表面を、欠損することで、間隙２０８が形成される。
　そして、第１面１０側からの平面視において、間隙２０８は、開口部１１６の最小の開口径となる部分を構成する側壁よりも、開口部１１６外側に位置し、間隙２０８および開口部１１６にビア１２４が充填されている。

　内部回路１０４は、樹脂層１０６の第２面２０に直接接触して設けられており、ビア１２４と電気的に接続するものである。ここで、ビア１２４上部は、開口部１１６の最大の開口径Ｌ１を有する開口端よりも上部に位置している。ビア１２４中部は、開口部１１６の最大の開口径Ｌ１を有する開口端から最小の開口径Ｌ２を形成する部分までの間に位置している。また、ビア１２４下部は、開口部１１６の最小の開口径Ｌ２を有する部分より下方に位置している。これらのビア１２４の上部、中部及び下部は、連続かつ一体に形成されている。この中で、ビア１２４の下部は脱落防止機能を有している。

　ビア１２４は、開口部１１６の最小の開口径Ｌ２を有する部分より下方に、開口径Ｌ２よりも大きい横幅（プリント配線板の厚さ方向と直交する方向の幅寸法）の領域を有する。この領域は、開口部２０４Ａ内に充填された部分で構成されている。すなわち、第１面１０側からの平面視において、開口部２０４Ａの側壁は、開口部１１６の最小の開口径となる部分を構成する側壁よりも、開口部１１６外側に位置している。
　ビア１２４の下部は、ビア１２４の上部とは対称ではなく、異なる構造を有する。すなわち、断面視において、ビア１２４は、最小の開口径Ｌ２を有する開口より下方の横幅は、最大の開口径Ｌ１を有する開口より上方の横幅より小さいことが好ましい。

　ビア１２４は、開口部２０２の側壁から第２面２０に沿って形成されている。ビア１２４の中部と下部との間には、くびれが形成されている。樹脂層１０６の側壁は、ビア１２４のくびれに沿って形成されている。この樹脂層１０６の断面形状は、鋭角形状である（ここで、鋭角とは、ビア１２４に沿って形成された開口部２０２の側壁と第２面２０との成す角が鋭角であればよく、その先端の一部が丸みを帯びていてもよい）。

　開口部２０２は、開口部１１６、この開口部１１６に連通する開口部２０４Ａを含む。開口部２０２は、断面視において、第１面１０から第２面２０に向かって開口径が連続的又は不連続的に小さくなるように構成されており、より好ましくは連続的に小さくなるように構成されている。本実施形態では、開口部２０２の下部の一部において（繊維基材１０８が形成された位置よりも下方）、開口部１１６の最小の開口径Ｌ２よりも幅広の開口部２０４Ａを有している。
　ただし、開口部１１６の最小開口径となる部分からは、繊維基材は突出しない。

　開口部２０４Ａは、開口部１１６から露出する内部回路１０４の表面を欠くことで形成された開口部２０８Ａと、この開口部２０８Ａに連通し、プリント配線板の厚さ方向と直交する方向に延在する間隙２０８とを備える。開口部２０８Ａは開口部１１６側から、内部回路１０４側にいたるまで径が等しく、円柱形状となっている。
　間隙２０８は、内部回路１０４の底面２０４、側壁２０６及び樹脂層１０６の第２面２０で囲まれて構成されている。本実施形態では、内部回路１０４の表面を欠くことで、間隙２０８が形成されている。
　間隙２０８の断面形状は、特に限定されないが、コの字状、Ｕ字状等が挙げられる。間隙２０８は、平面視において、開口部１１６の最小の開口径Ｌ２を有する部分より外側に形成されていればよい。間隙２０８は、開口部２０８Ａの周縁の一部に形成されていてもよく、開口部２０８Ａの全周囲にリング状に形成されていてもよい。
　開口部２０８Ａおよび間隙２０８内には、ビア１２４が埋設されている。
　間隙２０８には、ビア１２４が埋設されていれば特に限定されず、下地膜１１８及びめっき層１２２の両方が埋設されていてもよく、下地膜１１８又はめっき層１２２のいずれか一方のみが埋設されていてもよい。このようなビア１２４は、例えば、樹脂層１０６の第２面２０、内部回路１０４の底面２０４及び側壁２０６のそれぞれに接していることが好ましい。このように、第２実施形態においては、ビア１２４と内部回路１０４との接触面積が第１実施形態と比較して向上するので、プリント配線板２００の耐衝撃性及び耐熱衝撃性を向上させることができる。

　第２実施形態では、最小の開口径Ｌ２よりも幅広の開口部２０４Ａの内部までビア１２４が埋設されている。このビア１２４の下部（開口部２０４Ａに埋設された導体の埋設部）は、開口径Ｌ２よりも幅広の横幅を有する。このため、ビア１２４の下部は、ビア１２４全体が開口径Ｌ２の開口を通過して開口径Ｌ１の開口から脱離することを制止する。したがって、ビア１２４が開口部２０２から脱離することが抑制される。従って、接続信頼性に優れたプリント配線板２００が得られる。
　また、ビア１２４と内部回路１０４との接触面積は、ビア１２４が間隙２０８に埋設されていない場合と比較して増加している。このため、ビア１２４と内部回路１０４との接続不良が低減される。従って、本実施形態では、耐ヒートサイクル特性が向上する。

　次に、第２実施形態のプリント配線板２００の製造方法について説明する。
　図１１～図１２は、第２実施形態のプリント配線板２００の製造方法の工程手順を説明する工程断面図である。第２実施形態のプリント配線板２００の製造方法は、開口部を形成後、開口部にソフトエッチングする点を除いて、第１実施形態と同じである。第１実施形態と共通する製法は適宜説明を省く。

　まず、図１１（ａ）に示すように、第１実施形態の図３（ａ）～図４（ｂ）の工程を経ることにより、図示された構造体を得る。この構造体において、開口部１１６の底面（第２面側の開口端）において内部回路１０４の表面が露出している。次いで、図１１（ｂ）に示すように、導電層（内部回路１０４）の表面をソフトエッチングする。例えば、膜厚０．２～２μｍ程度が除去されるようにソフトエッチングする。内部回路１０４には、深さ方向及び横方向（内部回路１０４の厚さ方向および厚さ方向に直交する横方向）にえぐられたような開口部２０４Ａが形成されている。ソフトエッチングには、例えば、硫酸と過酸化水素水との混合液からなる薬液を用いることができる。ここで、開口部１１６と開口部２０４Ａとが連続して構成された空隙部を開口部２０２とする。また、ソフトエッチングにより、開口部２０２の内部の樹脂層１０６の一部が側壁方向にサイドエッチングされていてもよい。
　たとえば、図１３に示すように、開口部１１６の第２面２０側の領域に、最小開口径となる部分よりも幅広となる部分が形成されていてもよい。この場合、開口部１１６は、第１面側から第２面側に向かって縮径する開口部１１６Ａと、この開口部１１６Ａに連通する開口部１１６Ｂとで構成される。
　また、開口部１１６Ｂは、開口部１１６Ａ側から開口部２０８Ａ側まで径が等しく、開口部１１６Ｂは円柱形状となっている。この場合には、開口部１１６Ｂの開口部１１６Ａの最小径部分よりも外側に形成された部分が間隙に該当する。
　開口部１１６、間隙２０８には、ビアが充填されている。
　なお、図１３に示すような開口部１１６を形成する場合にも、樹脂層１０６の第１面から第２面に至るまで、第１面側から樹脂層１０６を除去する。
　さらには、図１３において、開口部２０４Ａが形成されていなくてもよい。

　引き続き、図１１（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様に、開口部２０２の底面（内部回路１０４上）及び側壁上、樹脂層１０６の第１面１０上に下地膜１１８を形成する。次いで、第１実施形態と同様に、図１２（ａ）に示すように、第１面１０上に配置された下地膜１１８上に、所定のパターンを有するレジスト層１２０を形成する。次いで、図１２（ｂ）に示すように、開口部２０２の内部及びレジスト層１２０の離間部を埋め込むようにめっき層１２２を形成する。次いで、このレジスト層１２０を除去した後、めっき層１２２が形成されている領域以外の下地膜１１８および金属箔層１１４を除去する。以上により、図１２（ｃ）に示すようなプリント配線板２００を得ることができる。第２実施形態のプリント配線板２００は、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。

（第３実施形態）
　図１４～図１９を参照して、本発明の第３実施形態について説明する。

［プリント配線板３００］
　図１４は、第３実施形態に係るプリント配線板３００の構成を示す断面である。
　本実施形態のプリント配線板３００は、繊維基材１０８が樹脂層１０６の中央部よりも第２面２０側に偏在している点で第１実施形態と異なっている。本実施形態では、繊維基材は、樹脂層１０６の中央部（厚みの中心位置）よりも第１面１０側には配置されていない。そして、繊維基材１０８の一部（突出部１０９）は、樹脂層１０６中央部よりも第２面２０側における開口部１１６の側壁から突出している。他の点は第１実施形態と同様である。

　また、図１４に示すＬ４は、プリント配線板の厚さ方向に沿った断面において、突出部１０９の先端部から他の突出部１０９の先端部までの離間距離を示す。

　以下、プリント配線板３００の各構成について詳細に説明する。

　繊維基材１０８は、樹脂層１０６の第２面２０側に偏在している。繊維基材１０８が偏在するとは、繊維基材１０８の全体が樹脂層１０６の中心線Ｍ２と第２面２０との間に埋設されていること、すなわち距離Ｄ１が距離Ｄ２より大きいことを意味する。例えば、Ｄ１／Ｄ２が、好ましくは６／４以上９／１以下であり、より好ましくは７／３以上８／２以下である。Ｄ１／Ｄ２を下限値以上とすることにより、開口部１１６内部へのめっき液の回り込み性を高めることができる。これにより、製造安定性に優れたプリント配線板が得られる。Ｄ１／Ｄ２の範囲は後述する実施形態も同様である。

　繊維基材１０８の突出部１０９は、断面視において、第２面２０から中心線Ｍ２までの間に位置しており、ビア１２４の内部に食い込んでいる。言い換えると、突出部１０９は、第１面１０から中心線Ｍ２までの間には、配置されていない。突出部１０９はビア１２４と結合している（換言すると、ビア１２４内に突出部１０９が嵌入している）。

　また、プリント配線板の厚さ方向に沿った断面において、対向する突出部１０９の先端間の距離Ｌ４／開口径Ｌ２が、好ましくは１／５以上９／１０以下であり、より好ましくは１／２以上４／５以下である。突出部１０９の長さＬ３、突出部１０９が開口部１１６内部のビア１２４に埋設されている限り特に限定されないが、距離Ｌ４／開口径Ｌ２が上記範囲内となるように特定されていることが好ましい。距離Ｌ４／開口径Ｌ２を上記範囲内とすることにより、長さＬ３が適度であるために、めっき液の回り込み性とともにビア１２４の接続信頼性を向上させることができる。

　次に、本実施形態のプリント配線板の製造方法について説明する。図１６～１９は、プリント配線板３００の製造工程の手順を示す工程断面図である。
　本実施形態のプリント配線板３００の製造方法は、次の工程を含む。コア層（基板１０２）を形成する工程、非対称プリプレグから構成される積層体１１０Ａ形成工程、及びビア１２４を形成する工程。以下、各工程について説明する。

<コア層形成工程>
　まず、第一実施形態と同様、一面上に金属箔が張り付けられた基板１０２を準備する。

　次いで、第一実施形態と同様、金属箔上に不図示の保護膜を形成する。続いて、保護膜を所定形状にパターニングする。この保護膜を用いて、金属箔を選択的にエッチングする。これにより、図１６（ａ）に示すように、基板１０２の上に所定のパターン形状を有する内部回路１０４を形成する。本工程で、保護膜としてはエッチングレジストや感光性レジストなどを用いることができる。

<積層体形成工程>
　次いで、図１６（ｂ）に示すように、積層体１１０Ａを用意する。積層体１１０Ａは繊維基材１０８の位置が樹脂層１０６の第２面２０側に偏在している点のみ、第一実施形態の積層体１１０と異なる。他の点は、同様である。積層体１１０Ａは、特に限定されないが、例えば、繊維基材入りの樹脂層１０６の少なくとも一面に金属箔層１１２が積層されたものを用いることができる。すなわち、積層体１１０は、基材を含浸したプリプレグに金属箔を形成することにより形成される。金属箔としては、例えば、銅箔を用いることが好ましい。積層体１１０は、例えば、プリプレグを複数枚重ね合わせたもの等を用いることができる。積層体としては、少なくとも片面にキャリア箔付き極薄金属箔を重ね合わせて加熱加圧成形したもの等を用いることができる。なお、ビルドアップ層の層間絶縁層には、コア層と同じ材料のものを用いてもよいが、基材または樹脂組成物が異なっていてもよい。

（プリプレグ）
　プリプレグの製造方法は第１実施形態と同様であり、非対称なプリプレグ３が得られる。図１６（ｂ）に示すように、樹脂層１０６は、繊維基材１０８が樹脂層１０６の厚さ方向に対して偏在している。このようなプリプレグを非対称プリプレグと呼称する。

（積層体１１０Ａ）
　得られた非対称プリプレグ（樹脂層１０６）の片面又は両面に、金属箔層１１２を配置した構成で加熱加圧して積層する。これにより積層体１１０Ａを得る。金属箔層１１２の表面にはキャリア箔が付与されていてもよい。

<ビア形成工程>
　次いで、図１６（ｃ）に示すように、基板１０２の一面上に積層体１１０Ａを配置する。例えば、加熱加圧により基板１０２上に積層体１１０Ａを形成する。本実施形態では、基板１０２の片面上のみの積層体１１０Ａを形成しているが、これに限定されず、基板１０２の両面上に積層体１１０Ａを形成しても良い。また、本実施形態では、金属箔層１１２が形成された非対称プリプレグを基板１０２上に形成しているが、これに限定されず、基板１０２上に非対称プリプレグを形成した後、この非対称プリプレグ上に金属箔層を形成してもよい。

　次いで、金属箔層１１２上に不図示のレジストを形成する。続いて、図１７（ａ）に示すように、レジストをマスクとして、選択的エッチングを行う。これにより、所定のパターンを有する金属箔層１１４を形成する。

　次いで、第１実施形態と同様、図１７（ｂ）に示すように、レーザー等を用いて、樹脂層１０６を選択的に除去する。これにより、樹脂層１０６に開口部１１６を形成する。本工程において、開口部１１６は、樹脂層１０６の第１面１０から第２面２０まで貫通する貫通孔となるように形成される。開口部１１６の側壁には、繊維基材１０８の一部（突出部１０９）が突出している。

　次いで、樹脂層１０６の開口部１１６の内部に対して、デスミア処理を行う。

　デスミア処理後、図１７（ｃ）に示すように、金属箔層１１４上及び開口部１１６の底面上及び側壁上に下地膜１１８を形成する。下地膜１１８は、イオンプレーティング、スパッタリング、真空蒸着、ＰＶＤ法（ｐｈｙｓｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、又はＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて形成してもよい。ここでは、第１実施形態と同様、下地膜１１８は無電解めっき法を用いて形成する。

　次いで、図１８（ａ）に示すように、下地膜１１８上に所定の開口パターンを有するレジスト層１２０を形成する。

　次いで、図１８（ｂ）に示すように、少なくともレジスト層１２０の開口パターン内部かつ無電解めっき層上に、電気めっき処理により、めっき層１２２を形成する。めっき処理中、下地膜１１８は給電層として働く。この下地膜１１８は開口部１１６の内壁に形成された薄膜である。一方、めっき層１２２は、開口部１１６の内部に埋設された埋設体である。電気めっきとしては、特に限定されないが、通常のプリント配線板で用いられる公知の方法を使用することができ、例えば、硫酸銅等のめっき液中に浸漬させた状態で、めっき液に電流を流す等の方法を使用することができる。めっき層１２２は単層でもよく多層構造を有していてもよい。めっき層１２２の材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、銅合金、４２合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田などを用いることができる。

　次いで、図１８（ｃ）に示すように、アルカリ性剥離液や硫酸又は市販のレジスト剥離液等を用いてレジスト層１２０を除去する。

　次いで、図１９に示すように、めっき層１２２が形成されている領域以外の下地膜１１８および金属箔層１１４を除去する。例えば、ソフトエッチング（フラッシュエッチング）等を用いることにより、下地膜１１８および金属箔層１１４を除去することができる。ここで、ソフトエッチング処理は、たとえば硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングにより行うことができる。これにより、ビア１２４及び導電回路１２６を形成することができる。ビア１２４は下地膜１１８及びめっき層１２２で構成されることになる。一方、導電回路１２６は、金属箔層１１４及び金属層（無電解めっき層の下地膜１１８及びめっき層１２２）が積層して構成されることになる。このようにして、積層体１１０にビア１２４を形成することにより、第１ビルドアップ層１２８を形成することができる。

　以上により、本実施形態のプリント配線板３００が得られる。また、第１実施形態で得られたプリント配線板３００を内層回路基板として用い、この内層回路基板上にビルドアップ層をさらに形成してもよい。

［半導体装置１５０］
　図１５は、プリント配線板３００を有する半導体装置の構造を示す断面図である。
　本実施形態のプリント配線板３００上に不図示の半導体チップを実装して、半導体装置１５０を得ることができる。図１５に示すように、半導体装置は、プリント配線板３００、プリント配線板３００上に実装された半導体素子１３８、及びプリント配線板３００と半導体素子１３８とを電気的に接続するバンプ１３４を有する。これらのプリント配線板３００と半導体素子１３８との間にはソルダーレジスト層１３０が形成されている。ソルダーレジスト層１３０内において、ビア１２４は配線層１３２及びバンプ１３４を介して半導体素子１３８と電気的に接続している。すなわち、ビア１２４の上部、配線層１３２及びバンプ１３４の周囲にはソルダーレジスト層１３０が形成されている。一方、半導体素子１３８は、その周囲にアンダーフィル１３６が形成されて、パッケージングされている。

　本実施形態の作用効果について説明する。
　本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏することができるうえ、以下の効果を奏することができる。
　繊維基材１０８は、基板１０２側に偏在しているため、樹脂層１０６の基板１０２側の領域と基板１０２との間の線膨張係数の差分を小さくすることができる。これにより、樹脂層１０６と基板１０２との接合面近傍での膜剥がれが起きにくくなり、歩留まりに優れたプリント配線板３００が得られる。

　さらに、本実施形態によれば、上面の開口近傍に繊維基材１０８の突出部１０９が形成されていない。このため、開口部１１６の上面開口からめっき液が流入することを妨げない。従って、歩留まりに優れたプリント配線板３００を得ることができる。

　本実施形態の変形例について説明する。図２０及び図２１は、本実施形態のプリント配線板３００の変形例を示す。
　図２０に示すように、基板１０２の両面にビルドアップ層が形成されていてもよい。すなわち、基板１０２の一面上に第１ビルドアップ層１２８が形成されており、基板１０２の他面上に第２ビルドアップ層１２８が形成されていてもよい。各ビルドアップ層は、同種の材料を用いてもよいが、異種の材料を用いても良い。各層において、ビア数や配線数等は適切に設定できる。

　また、図２１に示すように、基板１０２に貫通孔１４２が形成されていてもよい。貫通孔１４２の内壁にはめっき膜１４４が形成されている。このめっき膜１４４は、基板１０２の一面上に形成された配線と他面上に形成された配線とを電気的に接続することができる。例えば、図１６（ｃ）に示す工程の後、基板１０２に貫通孔１４２を形成する。この後、貫通孔１４２上にめっき膜１４４を形成する。この後、図１７（ａ）に示す工程以後と同様にする。これにより、図２１に示すプリント配線板が得られる。

　他の変形例としては、積層体１１０Ａとしては、ビルドアップ層に用いるだけではなく、コア層に用いてもよい。また、第１ビルドアップ層１２８の面内方向において、少なくとも１つのビア１２４において突出部１０９が埋入していればよく、全てのビア１２４に突出部１０９が埋入していることが好ましい。また、ビルドアップ層が多層の場合には、少なくとも各層に１以上のビア１２４に突出部１０９が埋入されていればよく、全層に亘って全てのビア１２４に突出部１０９が埋入している事が好ましい。また、図１８に示す導電回路１２６を形成する工程は、各工程を入れ替えてもよく、例えば、金属箔層１１４上にレジスト層１２０を形成し、めっき層１２２を形成した後、レジスト層１２０を除去する工程でもよいが、金属箔層１１４上にめっき層１２２を形成し、めっき層１２２上にレジスト層１２０を形成してエッチングした後、レジスト層１２０を除去する工程でもよい。

（第４実施形態）
　図２２～図２８を参照して、本実施形態のプリント配線板４００について説明する。
　図２２、２３は、第４の実施形態に係るプリント配線板４００の構成を示す断面である。
　本実施形態のプリント配線板４００は、繊維基材１０８が樹脂層１０６の中央部よりも第２面２０側に偏在している点で第２実施形態と異なっている。そして、繊維基材１０８の一部（突出部１０９）は、樹脂層１０６中央部よりも第２面２０側における開口部１１６の側壁から突出している。他の点は第２実施形態と同様である。

　また、図２２に示すＭ１、Ｍ２、Ｄ１～Ｄ４及びＬ１～Ｌ４は第三実施形態と同様である。
　繊維基材１０８の突出部１０９は、断面視において、第２面２０から中心線Ｍ２までの間に位置しており、ビア１２４の内部に食い込むように構成されている。言い換えると、突出部１０９は、第１面１０から中心線Ｍ２までの間であってビア１２４の内部には形成されない。突出部１０９はビア１２４と結合している。突出部１０９の先端部は、プリント配線板の厚さ方向に沿った断面において、対向する先端部と連続しておらず、離間して構成されている。

　繊維基材１０８は、第２面２０から中心線Ｍ２の間であれば（すなわち、第２面２０側に偏在していれば）、複数積層方向に離間して配置されていてもよい。断面視において、開口部１１６の１つの側壁面からは、複数の突出部１０９が突出していてもよいが、接続信頼性とめっき液回り込み性とのバランスに優れるため、１つの突出部１０９のみが突出しているのが好ましい。

　また、断面視における突出部１０９の先端部から対向する先端部までのＬ４／開口径Ｌ２が、好ましくは１／５以上９／１０以下であり、より好ましくは１／２以上４／５以下である。突出部１０９の長さＬ３、突出部１０９が開口部１１６内部のビア１２４に埋設されている限り特に限定されないが、距離Ｌ４／開口径Ｌ２が上記範囲内となるように特定されていることが好ましい。距離Ｌ４／開口径Ｌ２を上記範囲内とすることにより、長さＬ３が適度であるために、めっき液の回り込み性とともにビア１２４の接続信頼性を向上させることができる。

　次に、本実施形態のプリント配線板の製造方法について説明する。図２５～２８は、プリント配線板４００の製造工程の手順を示す工程断面図である。
　本実施形態のプリント配線板４００の製造方法は、次の工程を含む。コア層（基板１０２）を形成する工程、非対称プリプレグから構成される積層体１１０形成工程、及びビア１２４を形成する工程。以下、各工程について説明する。

　次いで、金属箔上に不図示の保護膜を形成する。続いて、保護膜を所定形状にパターニングする。この保護膜を用いて、金属箔を選択的にエッチングする。これにより、図２５（ａ）に示すように、基板１０２の上に所定のパターン形状を有する内部回路１０４を形成する。本工程で、保護膜としてはエッチングレジストや感光性レジストなどを用いることができる。

<積層体形成工程>
　次いで、第３実施形態と同様、図２５（ｂ）に示すように、積層体１１０Ａを用意する。　

<ビア形成工程>
　次いで、図２５（ｃ）に示すように、基板１０２の一面上に積層体１１０Ａを配置する。　

　次いで、金属箔層１１２上に不図示のレジストを形成する。続いて、レジストをマスクとして、選択的エッチングを行う。これにより、所定のパターンを有する金属箔層１１４を形成する。

　次いで、図２６（ａ）に示すように、レーザー等を用いて、樹脂層１０６を選択的に除去する。これにより、樹脂層１０６に開口部１１６を形成する。本工程において、開口部１１６は、樹脂層１０６の第１面１０から第２面２０まで貫通する貫通孔となるように形成される。開口部１１６の底面には、内部回路１０４の上面の一部が露出している。また、開口部１１６の側壁には、繊維基材１０８の一部（突出部１０９）が突出している。
　開口部１１６は、第１実施形態と同様、第１面１０から第２面２０にいたるまで、第１面１０側から樹脂層を除去することで形成される。

　次いで、図２６（ｂ）に示すように、第２実施形態と同様、内部回路１０４の表面をソフトエッチングする。例えば、膜厚０．２～２μｍ程度が除去されるようにソフトエッチングする。内部回路１０４には、深さ方向及び横方向にえぐられたような開口部２０４Ａが形成されている。ソフトエッチングには、例えば、硫酸と過酸化水素水との混合液からなる薬液を用いることができる。ここで、開口部１１６と開口部２０４Ａとが連続して構成された空隙部を開口部２０２とする。また、ソフトエッチングにより、開口部２０２の内部の樹脂層１０６の一部が側壁方向にサイドエッチングされていてもよい。
　たとえば、本実施形態においても、第２実施形態と同様、図１３に示すような、開口部１１６の第２面側に、最小開口径となる部分よりも幅広となる部分が形成されていてもよい。この場合、開口部１１６は、第１面側から第２面側に向かって縮径する開口部１１６Ａと、この開口部１１６Ａに連通する開口部１１６Ｂとで構成される。
　また、開口部１１６Ｂは、開口部１１６Ａ側から開口部２０８Ａ側まで径が等しく、開口部１１６Ｂは円柱形状となっている。さらには、第２実施形態と同様、図１３において、開口部２０４Ａが形成されていなくてもよい。

　次いで、樹脂層１０６の開口部２０２の内部に対して、デスミア処理を行う。

　デスミア処理後、図２６（ｃ）に示すように、金属箔層１１４上及び開口部２０２の底面（内部回路１０４）上及び側壁上に下地膜１１８を形成する。

　次いで、図２７（ａ）に示すように、下地膜１１８上に所定の開口パターンを有するレジスト層１２０を形成する。

　次いで、図２７（ｂ）に示すように、少なくともレジスト層１２０の開口パターン内部かつ無電解めっき層上に、電気めっき処理により、めっき層１２２を形成する。

　次いで、図２７（ｃ）に示すように、アルカリ性剥離液や硫酸又は市販のレジスト剥離液等を用いてレジスト層１２０を除去する。

　次いで、図２８に示すように、めっき層１２２が形成されている領域以外の下地膜１１８および金属箔層１１４を除去する。例えば、ソフトエッチング（フラッシュエッチング）等を用いることにより、下地膜１１８および金属箔層１１４を除去することができる。このようにして、積層体１１０にビア１２４を形成することにより、第１ビルドアップ層１２８を形成することができる。

　以上により、本実施形態のプリント配線板４００が得られる。また、プリント配線板４００を内層回路基板として用い、この内層回路基板上にビルドアップ層をさらに形成してもよい。

［半導体装置１５０］
　図２４は、プリント配線板４００を有する半導体装置の構造を示す断面図である。
　本実施形態のプリント配線板４００上に不図示の半導体チップを実装して、半導体装置を得ることができる。図２４に示すように、半導体装置は、プリント配線板４００、プリント配線板４００上に実装された半導体素子１３８、及びプリント配線板１００と半導体素子１３８とを電気的に接続するバンプ１３４を有する。これらのプリント配線板４００と半導体素子１３８との間にはソルダーレジスト層１３０が形成されている。ソルダーレジスト層１３０内において、ビア１２４は配線層１３２及びバンプ１３４を介して半導体素子１３８と電気的に接続している。すなわち、ビア１２４の上部、配線層１３２及びバンプ１３４の周囲にはソルダーレジスト層１３０が形成されている。一方、半導体素子１３８は、その周囲にアンダーフィル１３６が形成されて、パッケージングされている。

　配線層１３２は、例えば、サブトラクティブ工法により作製する。また、任意のビルドアップ層を積層して、アディティブ工法により層間接続及び回路形成する工程を繰り返し、プリント配線板を形成してもよい。ソルダーレジスト層１３０の積層方法としては、とくに限定されないが、積層体１１０Ａまたは第１ビルドアップ層１２８の積層方法と同様の方法であってもよいし、別の方法であってもよい。ソルダーレジスト層１３０に使用される材料は、とくに限定されないが、積層体１１０Ａまたは第１ビルドアップ層１２８に使われる材料を適宜使用してもよいし、別の材料を使用してもよい。例えば、ソルダーレジスト材料は繊維基材を樹脂組成物に含ませてなるものであることが好ましい。ソルダーレジスト層１３０の作製方法は、とくに限定されないが、本実施形態における樹脂層１０６と同様の作製方法であってもよいし、別の作製方法であってもよい。

　本実施形態の作用効果について説明する。
　このような本実施形態によれば、第３実施形態および第２実施形態と同様の効果を奏することができる。

　また、第２実施形態と同様に、図１３に示したように、ソフトエッチングにより樹脂層１０６がサイドエッチングされていてもよい。この場合、開口部２０２の最下部において（繊維基材１０８の位置よりも下部において）、相対的に線膨張係数が大きい樹脂層１０６の体積が減少し、相対的に線膨張係数が小さいビア１２４の体積が増大する。
従って、耐ヒートサイクル特性が向上することになる。

　本実施形態の変形例について説明する。図２９及び図３０は、本実施形態のプリント配線板４００の変形例を示す。
　図２９に示すように、基板１０２の両面にビルドアップ層が形成されていてもよい。すなわち、基板１０２の一面上に第１ビルドアップ層１２８が形成されており、基板１０２の他面上に第２ビルドアップ層１２８が形成されていてもよい。各ビルドアップ層は、同種の材料を用いてもよいが、異種の材料を用いても良い。各層において、ビア数や配線数等は適切に設定できる。

　また、図３０に示すように、基板１０２に貫通孔１４２が形成されていてもよい。貫通孔１４２の内壁にはめっき膜１４４が形成されている。このめっき膜１４４は、基板１０２の一面上に形成された配線と他面上に形成された配線とを電気的に接続することができる。例えば、図２５（ａ）に示す工程の後、基板１０２に貫通孔１４２を形成する。この後、貫通孔１４２上にめっき膜１４４を形成する。この後、図２５（ｂ）に示す工程以後と同様にする。これにより、図３０に示すプリント配線板が得られる。

　他の変形例としては、積層体１１０Ａとしては、ビルドアップ層に用いるだけではなく、コア層に用いてもよい。また、第１ビルドアップ層１２８の面内方向において、少なくとも１つのビア１２４において突出部１０９が埋入していればよく、全てのビア１２４に突出部１０９が埋入していることが好ましい。また、ビルドアップ層が多層の場合には、少なくとも各層に１以上のビア１２４に突出部１０９が埋入されていればよく、全層に亘って全てのビア１２４に突出部１０９が埋入している事が好ましい。また、図２６に示す導電回路１２６を形成する工程は、各工程を入れ替えてもよく、例えば、金属箔層１１４上にレジスト層１２０を形成し、めっき層１２２を形成した後、レジスト層１２０を除去する工程でもよいが、金属箔層１１４上にめっき層１２２を形成し、めっき層１２２上にレジスト層１２０を形成してエッチングした後、レジスト層１２０を除去する工程でもよい。　

（第５実施形態）
　図３１～図４１を参照して、本実施形態のプリント配線板５００について説明する。
　図３１は、第５実施形態に係るプリント配線板５００の構成を示す断面である。
　本実施形態のプリント配線板５００の第１ビルドアップ層１２８は、密着層（第二樹脂層）１４６を有している。他の点は、第３実施形態と同様である。
　より詳細に説明すると、プリント配線板５００は、樹脂層（第一樹脂層）１０６、繊維基材１０８、導体（ビア１２４）、端子（内部回路１０４）、及び密着層１４６を有する。繊維基材１０８は、樹脂層１０６の内部に位置している。第３実施形態と同様、ビア１２４（導体）は、図示された開口部１１６の内部に埋設されている。本実施形態では、樹脂層１０６'は、第一樹脂層である樹脂層１０６と、第二樹脂層である密着層１４６とで構成され、開口部１１６は、樹脂層１０６に形成された開口部１１６Ａと、密着層１４６に形成された開口部１４６Ａとで構成される。この開口部１４６Ａと開口部１１６Ａとは連通している。開口部１１６Ａおよび開口部１４６Ａとで一つの開口部１１６を形成しており、この開口部１１６は、樹脂層１０６の第一面側から、密着層１４６の内部回路１０４側の面に向けて縮径している。そして、詳しくは、後述するが、この開口部１１６は、樹脂層１０６の第１面１０側から、密着層１４６の内部回路１０４側の面に至るまで、樹脂層１０６の第１面１０側から樹脂層１０６、密着層１４６を除去することで得られたものである。
　ビア１２４は、開口部１１６Ａおよび開口部１４６Ａ内部を一体的に埋め込み、開口部１４６Ａから露出する内部回路１０４に電気的に接続されている。換言すると、ビア１２４は、開口部１１６Ａおよび開口部１４６Ａを貫通している。
　開口部１１６は、プリント配線板５００の厚さ方向に沿った断面視において、樹脂層１０６の第１面１０から第２面２０に向かって開口径が小さくなるように構成されている。導電部（内部回路１０４）は、樹脂層１０６の第２面２０上に設けられており、導体（ビア１２４）と電気的に接続する。
　密着層１４６は、繊維基材１０８と内部回路１０４との間に設けられていて、熱可塑性成分である熱可塑性樹脂を含有する。密着層１４６内部には繊維基材は配置されておらず、繊維基材１０８と内部回路１０４との間に他の繊維基材は存在しない。また、密着層１４６は、繊維基材１０８に含浸されていない。
　また、このようなプリント配線板５００において、繊維基材１０８は、開口部１１６の側壁から突出している。突出した繊維基材１０８の末端は、導体（ビア１２４）内部に位置する。すなわち、この繊維基材１０８は、ビア１２４の内部に埋め込まれた突出部１０９を有する。
　本実施形態では、上に形成されるとは、直接接した状態で上に形成される態様及び第三部材を介して間接的に上に形成される態様のいずれも含む。また、図３１に示すように、繊維基材１０８は、樹脂層１０６の内部において、樹脂層１０６の中央部よりも第２面側に偏在しており、かつ中央部よりも第２面側における開口部の側壁から突出していてもよいが、この態様に限定されずに、樹脂層１０６の中央部又は第１面１０側に偏在してもよい。この中でも、繊維基材１０８は、樹脂層１０６の中央部よりも第２面側に偏在していることが好ましい。

　また、図３１に示すＭ１、Ｍ２、Ｄ１～Ｄ４及びＬ１～Ｌ４は前記実施形態と同様であり、これらの好ましい範囲も第３実施形態と同様である。

　以下、プリント配線板５００の構成について詳細に説明する。本実施形態のプリント配線板５００は、密着層１４６を有する点以外は、第３実施形態と同様である。

　密着層１４６は、ビア１２４及び内部回路１０４の接合領域を除く、繊維基材１０８と内部回路１０４との間に形成されている。
　密着層１４６は、突出部の下面を除く繊維基材１０８の下面全体を覆うように形成されていてもよいが、内部回路１０４に対応する領域のみにパターン形成されていてもよい。密着層１４６の膜厚は、たとえば以下のようである。密着層１４６の膜厚の下限値は、特に限定されないが、例えば、好ましくは２μｍ以上であり、より好ましくは５μｍ以上である。一方、密着層１４６の膜厚の上限値は、特に限定されないが、例えば、２０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以下である。密着層１４６の膜厚を上記範囲内とすることにより、ビア間の接続信頼性と歩留まりのバランスに優れる。

　密着層１４６は、熱可塑性成分として熱可塑性樹脂を含有する。この熱可塑性樹脂の重量平均分子量は１万以上である。また、熱可塑性樹脂の重量平均分子量の上限値はたとえば、１００万以下である。
　なお、詳しくは後述するが繊維基材１０８と内部回路１０４との接触を防止するという観点から、熱可塑性樹脂の重量平均分子量は３万以上であることが好ましく、さらには、９万以上であることが特に好ましい。
　例えば、熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂などの樹脂、スチレン－ブタジエン共重合体、スチレン－イソプレン共重合体などのポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどの熱可塑性エラストマ－、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエンなどのジエン系エラストマーからなる群のうち、いずれか１種以上を用いることができる。
　本実施形態では、密着層１４６は、熱可塑性成分を含有することにより、プリント配線板の積層工程の中の加熱加圧工程において、熱時変形が容易となる。密着層１４６は、ベースポリマーとして熱可塑性樹脂を含有していることが好ましく、例えば、全樹脂組成成分の合計値に対して、熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは２０質量％以上であり、より好ましくは３０質量％以上であり、さらに好ましくは５０質量％以上である。熱可塑性樹脂の含有量の上限値は特に限定されないが、樹脂成分が前記熱可塑性樹脂のみからなるものであってもよく、樹脂組成成分の合計値に対して９０質量％以下であってもよい。
　また、密着層１４６の樹脂組成物成分全体に対する前記熱可塑性樹脂の含有率は、樹脂層１０６より高く、たとえば、樹脂層１０６の当該含有率の２倍以上とすることもできる。
　このように、密着層１４６の重量平均分子量が１万以上の熱可塑性樹脂の含有量を樹脂層１０６よりも高くすることで、密着層１４６が繊維基材１０８内部に含浸されにくくなる。このような密着層１４６が、繊維基材１０８と内部回路１０４との間に存在することで、繊維基材１０８が内部回路１０４に接触しにくくなる。
　さらに、密着層１４６に含まれる前記熱可塑性樹脂は、ガラス転移点（Ｔｇ）が２５℃以上、３２０℃以下であることが好ましい。このような剛直な熱可塑性樹脂を使用することで、密着層１４６が繊維基材内部に含浸されにくくなる。このような熱可塑性樹脂としては、繰り返し単位中に、芳香環あるいは脂環式炭化水素を有する樹脂が好ましく、たとえば、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、フェノキシ樹脂からなる群から１種以上を選択して使用することができる。これらを用いることにより、耐熱性や耐薬品性をさらに高めることができる。

　次に、本実施形態のプリント配線板の製造方法について説明する。図３３～３６は、プリント配線板５００の製造工程の手順を示す工程断面図である。
　本実施形態のプリント配線板５００の製造方法は、次の工程を含む。コア層（基板１０２）を形成する工程、非対称プリプレグから構成される積層体１１０形成工程、及びビア１２４を形成する工程。以下、各工程について説明する。

<コア層形成工程>
　まず、第３実施形態と同様、一面上に金属箔が張り付けられた基板１０２を準備する。　

　次いで、第３実施形態と同様、金属箔上に不図示の保護膜を形成する。続いて、保護膜を所定形状にパターニングする。この保護膜を用いて、金属箔を選択的にエッチングする。これにより、図３３（ａ）に示すように、基板１０２の上に所定のパターン形状を有する内部回路１０４を形成する。本工程で、保護膜としてはエッチングレジストや感光性レジストなどを用いることができる。

<積層体形成工程>
　次いで、図３３（ｂ）に示すように、積層体１１０Ｂを用意する。積層体１１０Ｂは、第三実施形態の積層体１１０Ａに、密着層１４６を加えたものである。他の点は、積層体１１０Ａと同様である。すなわち、積層体１１０Ｂは、樹脂層１０６、繊維基材１０８、密着層１４６及び金属箔層１１２を有する。積層体１１０Ｂにおいては、樹脂層１０６の第１面１０上に金属箔層１１２が積層される。上記金属箔としては、例えば、銅箔を用いることが好ましい。積層体１１０は、プリプレグを１層有していてもよく、複数層有していてもよい。積層体１１０Ｂのビルドアップ層には、コア層と同じ材料のものを用いてもよいが、繊維基材または樹脂組成物が異なっていてもよい。

　積層体１１０Ｂは以下のようにして製造できる。
　たとえば、繊維基材１０８を含浸させた樹脂層１０６（第１樹脂層１０６ａ及び第２樹脂層１０６ｂ）上に密着層１４６を直接積層形成する。あるいは、次の手法を採用してもよい。図４１に示すように、剥離フィルムＳ１上に熱可塑性成分を含む密着層１４６を形成する。例えば、剥離フィルム上に、密着層１４６を構成する樹脂組成物を含む溶液を塗工して成膜する。次いで、剥離フィルムＳ２上に樹脂層を形成する。例えば、剥離フィルム上に、樹脂層１０６を構成する樹脂組成物を含む溶液を塗工して成膜する。これらの密着層１４６と樹脂層１０６との間に繊維基材１０８を配置して剥離フィルム付の密着層１４６と剥離フィルム付の樹脂層１０６とを重ねて圧着する。このとき、圧着力等の条件を適宜調整することで樹脂層１０６内部に繊維基材１０８を配置し、第１樹脂層１０６ａに密着層１４６を圧着させることができる。例えば、第１及び第２剥離フィルムとしては、ＰＥＴ等を用いることができるが、これに限定されない。これにより、一括して構造体を形成することができる。
　その後、構造体に対して、金属箔層１１２を配置した構成で加熱加圧して積層する。これにより積層体１１０Ｂを得る。
　次に、図３３（ｃ）に示すように、内部回路１０４が設けられた基板１０２と、積層体１１０Ｂとを圧着する。
　図３９は、積層体１１０Ｂの一部（金属箔層１１２を省略した）と、内部回路１０４と、基板１０２との積層構造を示す。
　本実施形態では、図３３（ｃ）に示す積層構造としては、図３９（ａ）に示す積層構造を用いることができる。図３９（ａ）に示す積層構造は、樹脂層１０６ａ、繊維基材１０８、樹脂層１０６ｂ及び金属箔層１１４の順で積層した構造を有する。樹脂層１０６ａ、１０６ｂにより、樹脂層１０６が構成される。密着層１４６の膜厚は、図３９（ａ）に示すように、内部回路１０４の膜厚よりも厚くてもよい。この密着層１４６の膜厚は、繊維基材１０８の下層の樹脂層１０６ｂの膜厚より厚くてもよい。
　なお、図３９（ａ）に示す積層構造において、密着層１４６の樹脂層１０６側の表面が平坦であったが、図３９（ｂ）、（ｃ）に示すように、密着層１４６の樹脂層１０６側の表面が平坦でなくてもよい。
　図３９（ｂ）及び図３９（ｃ）に示す積層構造では、密着層１４６の膜厚は、内部回路１０４の膜厚と同一又は薄くなっている。この密着層１４６の膜厚は、繊維基材１０８の下層の樹脂層１０６ｂの膜厚よりも薄くてもよい。図３９（ｂ）及び図３９（ｃ）に示す積層構造においては、密着層１４６は、回路１０４のパターンに応じた凹凸が形成されることとなる。密着層１４６は、内部回路１０４の形状に沿っており、その外表面の形状が、例えば、階段型でもよいし、釣鐘型でもよい。

　なお、積層体１１０Ｂの一部（金属箔層１１２を省略した）と、基板１０２と、内部回路１０４との積層構造としては、図４０に示すものも採用できる。
　図４０（ａ）に示す積層構造は、樹脂層１０６ａ、繊維基材１０８、密着層１４６及び樹脂層１０６ｂの順番で積層された構造である。樹脂層１０６ａ、１０６ｂにより、樹脂層１０６が構成される。
　図４０（ｂ）に示す積層構造は、樹脂層１０６ａ、繊維基材１０８、樹脂層１０６ｂ、密着層１４６及び樹脂層１０６ｃの順番で積層された構造である。樹脂層１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃにより、樹脂層１０６が構成される。
　図４０（ｃ）に示す積層構造は、樹脂層１０６、繊維基材１０８及び密着層１４６の順番で積層された構造である。例えば、図４０（ａ）及び図４０（ｃ）に示すように、密着層１４６は、繊維基材１０８に接してもよいが、繊維基材１０８を含浸していないことが好ましい。
　このような密着層１４６は、繊維基材１０８の下側の全面に形成されることが好ましいが、内部回路１０４の形成位置に対応する部分に選択的に形成されていてもよい。言い換えると、後述の工程において、積層体１１０と基板１０２とを圧着させる工程において、内部回路１０４と繊維基材１０８との間に密着層１４６が配置されていればよい。

　なお、本実施形態では、基板１０２の片面上のみの積層体１１０Ｂを形成しているが、これに限定されず、基板１０２の両面上に積層体１１０Ｂを形成しても良い。この場合、積層体１１０Ｂと基板１０２との間には、両側ともに密着層１４６が配置されていることが好ましいが、一面のみに配置されてもよい。また、本実施形態では、密着層１４６は、積層体１１０Ｂの下部に形成していたが、この態様に限定されず、基板１０２の上面上に形成した状態で、この基板１０２上に銅箔付きプリプレグを積層してもよい。また、基板１０２上に、密着層１４６を有する樹脂層１０６を配置した後に、この樹脂層１０６上に金属箔層１１２を形成してもよい。また、本実施形態では、金属箔層１１２が形成された非対称プリプレグを基板１０２上に形成しているが、これに限定されず、基板１０２上に非対称プリプレグを形成した後、この非対称プリプレグ上に金属箔層を形成してもよい。

<ビア形成工程>
　次いで、金属箔層１１２上に不図示のレジストを形成する。続いて、図３４（ａ）に示すように、レジストをマスクとして、選択的エッチングを行う。これにより、所定のパターンを有する金属箔層１１４を形成する。

　次いで、図３４（ｂ）に示すように、レーザー等を用いて樹脂層１０６及び密着層１４６を選択的に除去する。これにより、樹脂層１０６に開口部１１６Ａを形成するとともに、密着層１４６に開口部１４６Ａを形成して、開口部１１６を形成する。本工程において、樹脂層１０６の第１面１０から、密着層１４６の内部回路１０４側の面に至るまで第１面１０側から、樹脂層１０６及び密着層１４６を選択的に除去する。密着層１４６側から、樹脂層１０６側に向けて、密着層１４６や、樹脂層１０６を除去することはない。
　開口部１１６Ａは、樹脂層１０６の第１面１０から第２面２０まで貫通する。開口部１４６Ａは、密着層１４６を貫通する。開口部１４６Ａからは、内部回路１０４の上面の一部が露出している。また、開口部１１６の側壁には、繊維基材１０８の一部（突出部１０９）が突出している。

　次いで、第３実施形態と同様、開口部１１６の内部に対して、デスミア処理を行う。

　デスミア処理後、第３実施形態と同様、図３４（ｃ）に示すように、金属箔層１１４上、開口部１１６Ａの側壁上、開口部１４６Ａの側壁上、および開口部１４６Ａから露出する内部回路１０４上に下地膜１１８を形成する。下地膜１１８は無電解めっき膜である。

　次いで、図３５（ａ）に示すように、第三実施形態と同様、下地膜１１８上に所定の開口パターンを有するレジスト層１２０を形成する。この開口パターンは、例えば回路パターンに相当する。

　次いで、図３５（ｂ）に示すように、第三実施形態と同様、少なくともレジスト層１２０の開口パターン内部かつ下地膜１１８上に、電気めっき処理により、めっき層１２２を形成する。

　次いで、図３５（ｃ）に示すように、第三実施形態と同様、アルカリ性剥離液や硫酸又は市販のレジスト剥離液等を用いてレジスト層１２０を除去する。

　次いで、図３６に示すように、第三実施形態と同様、めっき層１２２が形成されている領域以外の下地膜１１８および金属箔層１１４を除去する。

　以上により、本実施形態のプリント配線板５００が得られる。また、第５実施形態で得られたプリント配線板５００を内層回路基板として用い、この内層回路基板上にビルドアップ層をさらに形成してもよい。

［半導体装置１５０］
　図３２は、プリント配線板５００を有する半導体装置の構造を示す断面図である。
　本実施形態のプリント配線板５００上に不図示の半導体チップを実装して、半導体装置１５０を得ることができる。図３２に示すように、半導体装置は、プリント配線板５００、プリント配線板５００上に実装された半導体素子１３８、及びプリント配線板５００と半導体素子１３８とを電気的に接続するバンプ１３４を有する。これらのプリント配線板５００と半導体素子１３８との間にはソルダーレジスト層１３０が形成されている。ソルダーレジスト層１３０内において、ビア１２４は配線層１３２及びバンプ１３４を介して半導体素子１３８と電気的に接続している。すなわち、ビア１２４の上部、配線層１３２及びバンプ１３４の周囲にはソルダーレジスト層１３０が形成されている。一方、半導体素子１３８は、その周囲にアンダーフィル１３６が形成されて、パッケージングされている。

　配線層１３２は、例えば、サブトラクティブ工法により作製する。また、任意のビルドアップ層を積層して、アディティブ工法により層間接続及び回路形成する工程を繰り返し、プリント配線板を形成してもよい。ソルダーレジスト層１３０の積層方法としては、とくに限定されないが、積層体１１０Ｂまたは第１ビルドアップ層１２８の積層方法と同様の方法であってもよいし、別の方法であってもよい。ソルダーレジスト層１３０に使用される材料は、とくに限定されないが、積層体１１０Ｂまたは第１ビルドアップ層１２８に使われる材料を適宜使用してもよいし、別の材料を使用してもよい。例えば、ソルダーレジスト材料は繊維基材を樹脂組成物に含ませてなるものであることが好ましい。ソルダーレジスト層１３０の作製方法は、とくに限定されないが、本実施形態における樹脂層１０６と同様の作製方法であってもよいし、別の作製方法であってもよい。

　本実施形態によれは、第３実施形態と同様の効果を奏することができるうえ、以下の効果を奏することができる。
　本実施形態では、密着層１４６は、重量平均分子量が１万以上の熱可塑性樹脂の含有量が樹脂層１０６よりも高く、樹脂層１０６に比べて、繊維基材１０８内部に含浸されにくい特性を有するものである。重量平均分子量が１万以上の熱可塑性樹脂は、分子鎖が長くなり、かつ、分子鎖間の絡まりが生じやすくなるため、繊維基材１０８内部に含浸しにくい傾向にある。また、重量平均分子量が１万以上の熱可塑性樹脂は、分子が動きにくいため、加熱された場合であっても、粘度が低くなりにくい。そのため、加熱状態においても、繊維基材１０８内部に含浸しにくい。このような密着層１４６が、繊維基材１０８と内部回路１０４との間に存在することで、繊維基材１０８が内部回路１０４に接触しにくくなる。これにより、プリント配線板５００の信頼性を高めることができる。
　特に、密着層１４６の重量平均分子量が１万以上の熱可塑性樹脂の含有量を、樹脂成分全体の２０質量％以上とすることで、密着層１４６が繊維基材１０８内部に含浸されにくくなる。
　通常、内部回路１０４の厚みは、面内方向においてばらついている。そのため、密着層１４６が設けられていない場合には、内部回路１０４に対して、繊維基材１０８入りの樹脂層を加熱圧着する工程等において、内部回路１０４の厚みが厚い部分と、繊維基材１０８とが接触する可能性がある。この場合、内部回路１０４の金属元素が繊維基材１０８にマイグレートしてビア間の絶縁信頼性に影響を及ぼすことが懸念される。
　これに対して、密着層１４６を設けることで、繊維基材１０８が内部回路１０４に接触しにくくなり、ビア間の絶縁信頼性を確実に確保することができる。

　本実施形態の変形例について説明する。図３７及び図３８は、本実施形態のプリント配線板５００の変形例を示す。
　図３７に示すように、基板１０２の両面にビルドアップ層が形成されていてもよい。すなわち、基板１０２の一面上に第１ビルドアップ層１２８が形成されており、基板１０２の他面上に第２ビルドアップ層１２８が形成されていてもよい。各ビルドアップ層は、同種の材料を用いてもよいが、異種の材料を用いても良い。各層において、ビア数や配線数等は適切に設定できる。

　また、図３８に示すように、基板１０２に貫通孔１４２が形成されていてもよい。貫通孔１４２の内壁にはめっき膜１４４が形成されている。このめっき膜１４４は、基板１０２の一面上に形成された配線と他面上に形成された配線とを電気的に接続することができる。例えば、図３４（ａ）に示す工程の後、基板１０２に貫通孔１４２を形成する。この後、貫通孔１４２上にめっき膜１４４を形成する。この後、図３４（ｂ）に示す工程以後と同様にする。これにより、図３８に示すプリント配線板が得られる。
　他の変形例としては、積層体１１０Ｂとしては、ビルドアップ層に用いるだけではなく、コア層に用いてもよい。また、第１ビルドアップ層１２８の面内方向において、少なくとも１つのビア１２４において突出部１０９が埋入していればよく、全てのビア１２４に突出部１０９が埋入していることが好ましい。また、ビルドアップ層が多層の場合には、少なくとも各層に１以上のビア１２４に突出部１０９が埋入されていればよく、全層に亘って全てのビア１２４に突出部１０９が埋入している事が好ましい。また、図３５に示す導電回路１２６を形成する工程は、各工程を入れ替えてもよく、例えば、金属箔層１１４上にレジスト層１２０を形成し、めっき層１２２を形成した後、レジスト層１２０を除去する工程でもよいが、金属箔層１１４上にめっき層１２２を形成し、めっき層１２２上にレジスト層１２０を形成してエッチングした後、レジスト層１２０を除去する工程でもよい。

　なお、当然ながら、上述した実施形態および複数の変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施形態および変形例では、各部の構造などを具体的に説明したが、その構造などは本願発明を満足する範囲で各種に変更することができる。

　なお、本発明は、以下の態様を含むものである。
（１）樹脂層と、前記樹脂層の内部において、前記樹脂層の中央部よりも第１面側に偏在している、繊維基材と、前記樹脂層の第１面から第２面に向かって開口径が小さくなる開口部が設けられており、前記開口部に埋め込まれた導体と、を備え、前記繊維基材が、前記中央部よりも前記第１面側における前記開口部の側壁から突出しており、突出した前記繊維基材の端部が、前記導体内部に位置している、プリント配線板。
（２）（１）に記載のプリント配線板であって、断面視において、突出した前記繊維基材の長さは０．１μｍ以上３０μｍ以下である、プリント配線板。
（３）（１）または（２）に記載のプリント配線板であって、断面視において、前記開口部の前記側壁から先端までの前記突出部の長さ／最大の開口径は１／１００以上１／５以下である、プリント配線板。
（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、断面視において、前記第１面から前記繊維基材の中心線までの距離をＤ１とし、断面視において、前記第２面から前記繊維基材の中心線までの距離をＤ２とし、Ｄ１／Ｄ２が６／４以上９／１以下である、プリント配線板。
（５）（１）から（４）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、断面視において、前記開口部の最大の開口径をＬ１、前記開口部の最小の開口径をＬ２としたとき、Ｌ１は、Ｌ２の１．１倍以上Ｌ２の３倍以下である、プリント配線板。
（６）（１）から（５）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記導体は、少なくとも無電解めっき膜及び電解めっき膜で構成される金属膜である、プリント配線板。
（７）（１）から（６）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記樹脂層がビルドアップ層である、プリント配線板。
（８）（１）から（７）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記樹脂層の前記第２面上に設けられており、前記導体と電気的に接続する導電部と、を備え、前記樹脂層と前記導電部との間に形成されており、かつ、断面視において最小の開口径となる前記開口部の前記側壁から外側に向かって形成された間隙に、前記導体が埋め込まれている、プリント配線板。
（９）（８）に記載のプリント配線板であって、前記間隙が、前記導電層の表面をソフトエッチングすることにより形成されている、プリント配線板。
（１０）（８）または（９）に記載のプリント配線板であって、前記間隙が、前記開口部の内部の前記樹脂層を側壁方向にサイドエッチングすることにより形成されている、プリント配線板。
（１１）（１）から（１０）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記繊維基材がＴガラスまたはＳガラスである、プリント配線板。
（１２）樹脂層と、前記樹脂層の内部において、前記樹脂層の中央部よりも第２面側に偏在している、繊維基材と、前記樹脂層の第１面から第２面に向かって開口径が小さくなる開口部が設けられており、前記開口部に埋め込まれた導体と、を備え、前記繊維基材は、前記中央部よりも前記第２面側における前記開口部の側壁から突出しており、突出した前記繊維基材の端部が、前記導体内部に位置する、プリント配線板。
（１３）（１２）に記載のプリント配線板であって、断面視において、前記開口部の前記側壁から先端までの前記突出部の長さ／最大の開口径は１／１００以上１／５以下である、プリント配線板。
（１４）（１２）または（１３）に記載のプリント配線板であって、断面視において、突出した前記繊維基材の長さは０．１μｍ以上３０μｍ以下である、プリント配線板。
（１５）（１２）から（１４）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、断面視において、前記第１面から前記繊維基材の中心線までの距離をＤ１とし、断面視において、前記第２面から前記繊維基材の中心線までの距離をＤ２とし、Ｄ１／Ｄ２が６／４以上９／１以下である、プリント配線板。
（１６）（１２）から（１５）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、断面視において、前記開口部の最大の開口径をＬ１、前記開口部の最小の開口径をＬ２としたとき、
　Ｌ１は、Ｌ２の１．１倍以上Ｌ２の３倍以下である、プリント配線板。
（１７）（１２）から（１６）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記導体内部には２つの前記突出部が離間して設けられており、２つの前記突出部の距離をＬ４とし、前記開口部の最小の開口径をＬ２としたとき、Ｌ４／Ｌ２が１／５以上９／１０以下である、プリント配線板。
（１８）（１２）から（１７）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記導体は、少なくとも無電解めっき膜及び電解めっき膜で構成される金属膜である、プリント配線板。
（１９）（１２）から（１８）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記樹脂層がビルドアップ層である、プリント配線板。
（２０）（１２）から（１９）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記繊維基材がＴガラスまたはＳガラスである、プリント配線板。
（２１）樹脂層と、前記樹脂層の内部において、前記樹脂層の中央部よりも第２面側に偏在している、繊維基材と、前記樹脂層の第１面から第２面に向かって開口径が小さくなる開口部が設けられており、前記開口部に埋め込まれた導体と、前記樹脂層の前記第２面上に設けられており、前記導体と電気的に接続する導電部と、を備え、前記繊維基材は、前記中央部よりも前記第２面側における前記開口部の側壁から突出しており、突出した前記繊維基材の端部が、前記導体内部に位置しており、前記樹脂層と前記導電部との間に形成されており、かつ、断面視において最小の開口径となる前記開口部の前記側壁から外側に向かって形成された間隙に、前記導体が埋め込まれている、プリント配線板。
（２２）（２１）に記載のプリント配線板であって、前記間隙が、前記導電層の表面をソフトエッチングすることにより形成されている、プリント配線板。
（２３）（２１）または（２２）に記載のプリント配線板であって、前記間隙が、前記開口部の内部の前記樹脂層を側壁方向にサイドエッチングすることにより形成されている、プリント配線板。
（２４）（２１）から（２３）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、断面視において、前記開口部の前記側壁から先端までの前記突出部の長さ／最大の開口径は１／１００以上１／５以下である、プリント配線板。
（２５）（２１）から（２４）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、断面視において、突出した前記繊維基材の長さは０．１μｍ以上３０μｍ以下である、プリント配線板。
（２６）（２１）から（２５）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、断面視において、前記第１面から前記繊維基材の中心線までの距離をＤ１とし、断面視において、前記第２面から前記繊維基材の中心線までの距離をＤ２とし、Ｄ１／Ｄ２が６／４以上９／１以下である、プリント配線板。
（２７）（２１）から（２６）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、断面視において、前記開口部の最大の開口径をＬ１、前記開口部の最小の開口径をＬ２としたとき、Ｌ１は、Ｌ２の１．１倍以上Ｌ２の３倍以下である、プリント配線板。
（２８）（２１）から（２７）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記導体内部には２つの前記突出部が離間して設けられており、２つの前記突出部の距離をＬ４とし、前記開口部の最小の開口径をＬ２としたとき、Ｌ４／Ｌ２が１／５以上９／１０以下である、プリント配線板。
（２９）（２１）から（２８）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記導体は、少なくとも無電解めっき膜及び電解めっき膜で構成される金属膜である、プリント配線板。
（３０）（２１）から（２９）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記樹脂層がビルドアップ層である、プリント配線板。
（３１）（２１）から（３０）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記繊維基材がＴガラスまたはＳガラスである、プリント配線板。
（３２）樹脂層と、前記樹脂層の内部に位置する繊維基材と、前記樹脂層の第１面から第２面に向かって開口径が小さくなる開口部が設けられており、前記開口部に埋め込まれた導体と、前記樹脂層の前記第２面上に設けられており、前記導体と電気的に接続する導電部と、前記繊維基材と前記導電部との間に設けられていて、熱可塑性成分を含む密着層と、を備え、前記繊維基材は、前記開口部の側壁から突出しており、突出した前記繊維基材の端部が、前記導体内部に位置する、プリント配線板。
（３３）（３２）に記載のプリント配線板であって、断面視において、前記開口部の前記側壁から先端までの前記突出部の長さ／最大の開口径は１／１００以上１／５以下である、プリント配線板。
（３４）（３２）または（３３）に記載のプリント配線板であって、断面視において、突出した前記繊維基材の長さは０．１μｍ以上３０μｍ以下である、プリント配線板。
（３５）（３２）から（３４）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、断面視において、前記第１面から前記繊維基材の中心線までの距離をＤ１とし、断面視において、前記第２面から前記繊維基材の中心線までの距離をＤ２とし、Ｄ１／Ｄ２が６／４以上９／１以下である、プリント配線板。
（３６）（３２）から（３５）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、断面視において、前記開口部の最大の開口径をＬ１、前記開口部の最小の開口径をＬ２としたとき、Ｌ１は、Ｌ２の１．１倍以上Ｌ２の３倍以下である、プリント配線板。
（３７）（３２）から（３６）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記導体内部には２つの前記突出部が離間して設けられており、２つの前記突出部の距離をＬ４とし、前記開口部の最小の開口径をＬ２としたとき、Ｌ４／Ｌ２が１／５以上９／１０以下である、プリント配線板。
（３８）（３２）から（３７）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記導体は、少なくとも無電解めっき膜及び電解めっき膜で構成される金属膜である、プリント配線板。
（３９）（３２）から（３８）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記樹脂層がビルドアップ層である、プリント配線板。
（４０）（３２）から（３９）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記繊維基材がＴガラスまたはＳガラスである、プリント配線板。
（４１）（３２）から（４０）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記密着層は、前記樹脂層よりも、樹脂成分全体に対する前記熱可塑性成分の含有率が高い、プリント配線板。
（４２）（３２）から（４１）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記密着層は、前記繊維基材を含浸しない、プリント配線板。
（４３）（３２）から（４２）のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、前記繊維基材は、前記樹脂層の内部において、前記樹脂層の中央部よりも第２面側に偏在しており、かつ前記中央部よりも前記第２面側における前記開口部の側壁から突出している、プリント配線板。
（４４）第１剥離フィルム上に熱可塑性成分を含む密着層を形成する工程と、第２剥離フィルム上に樹脂層を形成する工程と、前記密着層と前記樹脂層との間に前記繊維基材を配置して前記第１剥離フィルムと前記第２剥離フィルムとを重ねて圧着する工程と、を有する、プリント配線板の製造方法。
　この出願は、２０１１年６月１７日に出願された日本特許出願２０１１－１３５４２１、２０１１－１３５４３０、２０１１－１３５４３１、２０１１－１３５４３３を基礎とする優先権を主張し、その開示をすべてここに取り込む。

Claims

　樹脂層と、
　前記樹脂層内に位置する繊維基材とを備え、
　前記樹脂層には、前記樹脂層の第１面から第２面に向かって開口径が小さくなる領域を有し、前記樹脂層を貫通する開口部が形成されており、
　前記開口部を埋め込む導体と、
　前記樹脂層の前記第２面に当接するとともに、前記第２面側から前記開口部の第２面側の開口面を被覆する端子とを有し、
　前記端子は、前記導体に電気的に接続されるとともに、前記導体とは別体をなし、
　前記繊維基材は、前記開口部の側壁から突出した突出部を有し、
　前記突出部が、前記導体内部に位置している、プリント配線板。
　請求項１に記載のプリント配線板において、
　前記導体は、中実であるプリント配線板。
　請求項１または２に記載のプリント配線板において、
　前記開口部は、前記樹脂層の第１面および第２面間を貫通しており、
　前記開口部は、前記第１面から前記第２面に至るまで前記第１面側から前記樹脂層を除去して得られたものであるプリント配線板。
　請求項１乃至３のいずれかに記載のプリント配線板において、
　前記開口部の最小径となる部分を構成する側壁からは、繊維基材が突出していないプリント配線板。
　請求項１から４のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、
　前記導体は、中実であり、
　前記導体は、前記開口部の前記第２面側の開口面から露出する前記端子表面および前記開口部の側壁を一体的に被覆する金属膜と、
　前記金属膜の内側に充填された金属層とを備えるプリント配線板。
　請求項５に記載のプリント配線板において、
　前記金属膜は無電解めっき膜であり、
　前記金属層は、電解めっき膜であるプリント配線板。
　請求項１乃至６のいずれかに記載のプリント配線板において、
　前記繊維基材は、前記樹脂層の中央部よりも第１面側に偏在しているプリント配線板。
　請求項１乃至６のいずれかに記載のプリント配線板において、
　前記繊維基材は、前記樹脂層の中央部よりも第２面側に偏在している、プリント配線板。
　請求項１乃至８のいずれかに記載のプリント配線板において、
　前記開口部の最小径となる部分よりも前記第２面側の領域において、前記樹脂層および前記端子のうち少なくともいずれか一方に、前記開口部に連通する間隙が形成され、
　前記第１面側からの平面視において、前記間隙は、前記開口部の最小の開口径となる部分を構成する側壁よりも、前記開口部外側に位置し、
　前記間隙および前記開口部に前記導体が充填されたプリント配線板。
　請求項９に記載のプリント配線板であって、
　前記間隙が、前記端子の表面を厚さ方向および厚さ方向に直交する横方向にエッチングするソフトエッチングを行うことにより、形成されている、プリント配線板。
　請求項９または１０に記載のプリント配線板であって、
　前記間隙が、前記開口部を取り囲む前記樹脂層の側壁をサイドエッチングすることにより形成されている、プリント配線板。
　請求項１乃至８のいずれかに記載のプリント配線板であって、
　前記樹脂層は、前記繊維基材が内部に配置された第一樹脂層と、前記端子と前記繊維基材との間に設けられ、熱可塑性樹脂を含む第二樹脂層とを備え、
　前記第二樹脂層は、重量平均分子量が１万以上である前記熱可塑性樹脂を、前記第一樹脂層よりも多く含むプリント配線板。
　請求項１２に記載のプリント配線板において、
　前記第二樹脂層は、重量平均分子量が１万以上である前記熱可塑性樹脂を、前記第二樹脂層の樹脂成分全体の２０質量％以上含むプリント配線板。
　請求項１２または１３に記載のプリント配線板において、
　前記熱可塑性樹脂は、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホンおよびフェノキシ樹脂からなる群から選択される１以上の樹脂で構成されるプリント配線板。
　請求項１２乃至１４のいずれかに記載のプリント配線板において、
　前記第二樹脂層は、前記繊維基材に含浸されていないプリント配線板。
　請求項１乃至１５のいずれかに記載のプリント配線板であって、
　前記繊維基材の前記突出部の長さは０．１μｍ以上３０μｍ以下である、プリント配線板。
　請求項１乃至１６のいずれかに記載のプリント配線板であって、
　前記開口部の前記側壁から先端までの前記突出部の長さ／前記開口部の最大の開口径は１／１００以上１／５以下である、プリント配線板。
　請求項８に記載のプリント配線板であって、
　前記樹脂層の厚み方向に沿った断面視において、前記第１面から前記繊維基材の中心線までの距離をＤ１とし、
　前記樹脂層の厚み方向に沿った断面視において、前記第２面から前記繊維基材の中心線までの距離をＤ２とし、
　Ｄ１／Ｄ２が６／４以上９／１以下である、プリント配線板。
　請求項１乃至１８のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、
　前記開口部の最大の開口径をＬ１、前記開口部の最小の開口径をＬ２としたとき、
　Ｌ１は、Ｌ２の１．１倍以上Ｌ２の３倍以下である、プリント配線板。
　請求項１から１９のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、
　前記樹脂層がビルドアップ層である、プリント配線板。
　請求項１から２０のいずれか１項に記載のプリント配線板であって、
　前記繊維基材がＴガラスまたはＳガラスである、プリント配線板。
　第１面および第２面を有する樹脂層と、前記樹脂層内に位置する繊維基材と、前記樹脂層の第２面側に配置された端子とを備える積層体を用意する工程と、
　前記繊維基材を貫通し、かつ、前記樹脂層の第１面から第２面に向かって開口径が小さくなる領域を有するとともに前記樹脂層を貫通する開口部を形成する工程と、
　前記開口部内を導体で埋め込む工程とを含み、
　開口部を形成する前記工程では、前記第１面から前記第２面に至るまで前記第１面側から前記樹脂層を除去するとともに、前記開口部の第２面側の開口面から前記端子が露出するように、前記開口部を形成し、
　前記繊維基材の端部が前記開口部の側壁から突出するように、前記開口部を形成し、
　前記開口部内を導体で埋め込む前記工程では、
　前記開口部の側壁から突出した前記繊維基材の突出部が前記導体内部に位置するように、前記開口部内を前記導体で埋め込み、前記導体と前記開口部の第２面側の開口面から露出する前記端子とを電気的に接続するプリント配線板の製造方法。
　請求項２２に記載のプリント配線板の製造方法において、
　積層体を用意する前記工程では、
　第１剥離フィルム上に第一樹脂層を形成する工程と、
　重量平均分子量が１万以上である熱可塑性樹脂を、第一樹脂層よりも多く含む第二樹脂層を第２剥離フィルム上に形成する工程と、
　前記第二樹脂層と前記第一樹脂層との間に前記繊維基材を配置して前記第１剥離フィルム付の第一樹脂層と前記第２剥離フィルム付の第二樹脂層とを重ねて圧着する工程と、
　前記第１剥離フィルムを前記第一樹脂層から剥離し、前記第２剥離フィルムを前記二樹脂層から剥離して、前記第一樹脂層、前記繊維基材、前記第二樹脂層で構成される構造体を得る工程と、
　前記構造体の前記第二樹脂層に当接する前記端子を設け、前記積層体を得る工程とを含み、
　開口部を形成する前記工程では、前記第一樹脂層、前記繊維基材および前記第二樹脂層を貫通する開口部を形成するプリント配線板の製造方法。