WO2012015088A1 - 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 - Google Patents

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WO2012015088A1
WO2012015088A1 PCT/KR2010/005019 KR2010005019W WO2012015088A1 WO 2012015088 A1 WO2012015088 A1 WO 2012015088A1 KR 2010005019 W KR2010005019 W KR 2010005019W WO 2012015088 A1 WO2012015088 A1 WO 2012015088A1
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copper
weight
metal film
based metal
etching
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이석
최용석
윤영진
이우람
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동우 화인켐 주식회사
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    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device.
  • the process of forming a metal wiring on a substrate in a semiconductor device is composed of a metal film forming process, a photoresist forming process and an etching process in a selective region by photoresist coating, exposure and development.
  • the process of forming the said metal wiring includes the washing
  • the etching process refers to a process of leaving a metal film in a selective region using a photoresist as a mask.
  • a dry etching using a plasma or the like or a wet etching using an etchant composition is usually used.
  • An object of the present invention is to provide an etching liquid composition for a copper-based metal film in which a tapered profile excellent in linearity is formed upon etching the copper-based metal film and no residue is left.
  • an object of the present invention is to provide an etching liquid composition for a copper-based metal film which can be collectively etched with respect to a gate electrode and a gate wiring, a source / drain electrode and a data wiring.
  • the etchant composition in steps 1) and 5) comprises: a) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) 5 based on the total weight of the composition; To 25 weight percent; b) 0.1 to 5% by weight sulfuric acid; c) 0.01 to 1.0 wt% of a fluorine-containing compound; d) 0.1 to 5% by weight of azole compounds; e) 0.1 to 5%
  • the present invention comprises the steps of: a) forming a copper-based metal film on the substrate; B) selectively leaving a photoreactive material on the copper-based metal film; And c) etching the copper-based metal film using an etchant composition, wherein the etchant composition comprises: a) 5 to 25 weight percent hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) based on the total weight of the composition; b) 0.1 to 5% by weight sulfuric acid; c) 0.01 to 1.0 wt% of a fluorine-containing compound; d) 0.1 to 5% by weight of azole compounds; e) 0.1 to 5% by weight of imidazole compounds; And f) provides an etching method of the copper-based metal film comprising a residual amount of water.
  • the etchant composition comprises: a) 5 to 25 weight percent hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) based on the total weight of the composition; b) 0.1 to 5% by weight sulfuric acid; c)
  • the present invention relates to a composition
  • a composition comprising a) 5 to 25 weight percent hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), based on the total weight of the composition; b) 0.1 to 5% by weight sulfuric acid; c) 0.01 to 1.0 wt% of a fluorine-containing compound; d) 0.1 to 5% by weight of azole compounds; e) 0.1 to 5% by weight of imidazole compounds; And f) provides a copper-based metal film etching liquid composition comprising a residual amount of water.
  • H 2 O 2 hydrogen peroxide
  • the etching liquid composition according to the present invention may implement a taper profile excellent in linearity when etching the copper-based metal film.
  • etching the copper-based metal film with the etchant composition according to the present invention no residue is generated, thereby preventing problems such as electrical shorts, wiring defects, and reduced luminance.
  • etchant composition according to the present invention it is possible to collectively etch the gate electrode and gate wiring, the source / drain electrode and the data wiring, so that the process is very simplified to maximize the process yield have.
  • the etchant composition according to the present invention is used for etching low-resistance copper or copper alloy wirings, a large screen, high brightness circuit can be realized, and an environmentally friendly array substrate for a liquid crystal display device can be manufactured.
  • Example 1 is a scanning electron micrograph of the etching cross-section after etching the Cu / Mo-Ti double layer using the etchant composition according to Example 1 of the present invention
  • FIG. 2 is a scanning electron micrograph of etching Cu / Mo-Ti double layer using an etchant composition according to Example 1 of the present invention and then observing an overall etching profile;
  • Example 3 is an electron scanning microscope photograph of a copper wiring peripheral surface to confirm that no etching residue remains after etching the Cu / Mo-Ti double layer using the etchant composition according to Example 1 of the present invention.
  • FIG. 4 is a scanning electron micrograph of etching Cu / Mo-Ti double layer using an etchant composition according to Comparative Example 1 of the present invention and then observing an overall etching profile;
  • FIG. 5 is a scanning electron micrograph of etching Cu / Mo-Ti double layer using an etchant composition according to Comparative Example 2 of the present invention, and then observing an overall etching profile.
  • FIG. 5 is a scanning electron micrograph of etching Cu / Mo-Ti double layer using an etchant composition according to Comparative Example 2 of the present invention, and then observing an overall etching profile.
  • the present invention provides a composition
  • a composition comprising a) 5 to 25 weight percent hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), based on the total weight of the composition; b) 0.1 to 5% by weight sulfuric acid; c) 0.01 to 1.0 wt% of a fluorine-containing compound; d) 0.1 to 5% by weight of azole compounds; e) 0.1 to 5% by weight of imidazole compounds; And f) provides an etchant composition of the copper-based metal film comprising a residual amount of water.
  • H 2 O 2 hydrogen peroxide
  • the copper-based metal film includes copper as a constituent of the film, and is a concept including a multilayer film such as a single film and a double film.
  • a copper molybdenum film, a copper molybdenum alloy film, etc. are contained as a single film
  • the copper molybdenum film may include a molybdenum film and a copper film formed on the molybdenum film
  • the copper molybdenum alloy film may include a molybdenum alloy film and a copper film formed on the molybdenum alloy film.
  • the molybdenum alloy film is an alloy of molybdenum and at least one selected from the group consisting of titanium (Ti), tantalum (Ta), chromium (Cr), nickel (Ni), neodymium (Nd), indium (In) and the like. Means.
  • A) Hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) included in the etchant composition of the present invention is a main component for etching the copper-based metal film.
  • the a) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) is preferably included in 5 to 25% by weight, 10 to 20% by weight relative to the total weight of the composition. If it is less than the above-mentioned range, a copper metal film will not be etched or an etching speed will become very slow. In addition, when the above range is exceeded, the etching rate is generally increased, so that it is difficult to control the process.
  • B) sulfuric acid contained in the etchant composition of the present invention serves to create an environment in which the copper-based metal film can be etched by adjusting the pH, and lowers the pH to inhibit decomposition of hydrogen peroxide.
  • B) Sulfuric acid is included in an amount of 0.1 to 5% by weight, and 0.5 to 3% by weight based on the total weight of the composition. When included below the above range, the effect of adjusting the pH is insufficient, so that the etching rate of copper is too slow, and at the same time there is a problem that hydrogen peroxide decomposition is accelerated. If it exceeds the above-mentioned range, there is a disadvantage that the etching rate of copper is faster.
  • the etching rate of the molybdenum or molybdenum alloy is lowered, thereby increasing CD loss.
  • the probability of occurrence of molybdenum or molybdenum alloy residues increases.
  • the fluorine-containing compound included in the etchant composition of the present invention refers to a compound capable of dissociating in water to give F ions.
  • the c) fluorine-containing compound serves to remove the residue that is inevitably generated in the solution for etching the copper molybdenum film or copper molybdenum alloy film.
  • the c) fluorine-containing compound is preferably included in an amount of 0.01 to 1.0% by weight, and 0.1 to 0.5% by weight, based on the total weight of the composition. When included in less than the above-described range, an etching residue may occur. When included beyond the above range, there is a disadvantage that the glass substrate etching rate is increased.
  • the fluorine-containing compound is a substance used in the art, and is not particularly limited as long as it is a compound capable of dissociating into fluorine ions or polyatomic fluoride ions in a solution, ammonium fluoride (NH 4 F), sodium fluoride (sodium fluoride: NaF), potassium fluoride (KF), ammonium bifluoride (NH 4 FHF), sodium bifluoride (NaFHF), and potassium bifluoride (KFHF) It is preferable that it is 1 type, or 2 or more types chosen from.
  • D) azole compounds included in the etchant composition of the present invention controls the etching rate of the copper film or copper alloy film and serves to increase the process margin by reducing the CD loss of the pattern.
  • the content of the d) azole compounds is included in 0.1 to 5% by weight, and 0.5 to 3% by weight based on the total weight of the composition. If it is included below the above range, the etching speed may be high, and the cisidross may be generated too large.
  • the molybdenum or molybdenum alloy film may be over-etched to generate undercuts.
  • the d) azole compound is one or two selected from the group consisting of aminotetrazole, benzotriazole, tolytriazole, pyrazole and pyrrole It is preferable that it is above.
  • the e) imidazole compound included in the etchant composition of the present invention chelates the copper surface when etching copper, thereby uniformly etching the entire surface of the copper substrate, and controlling the etching rate of copper.
  • the e) imidazole compound is contained in 0.1 to 5% by weight, preferably 1 to 4% by weight. When included in the above-described range, the copper etching uniformity is lowered, the CDOS is uneven, and the copper etching speed is too high.
  • the etching speed of copper is lowered, and the etching rate with respect to the molybdenum or molybdenum alloy film is faster, so that the taper angle is increased when applied to the copper molybdenum film or copper molybdenum alloy film.
  • the e) imidazole compounds are imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-propylimidazole, 2-aminoimidazole, 4-methylimidazole, 4-ethylimidazole. It is preferable that it is 1 type, or 2 or more types chosen from the group which consists of a sol and 4-propylimidazole.
  • the remaining amount of f) water contained in the etchant composition of the present invention is included, and the kind thereof is not particularly limited, but deionized water is preferable. More preferably, deionized water having a specific resistance value of the water (that is, the degree to which ions are removed in the water) is 18 kV / cm or more is preferably used.
  • the etchant composition of the present invention is characterized in that it does not contain a separate carboxylic acid and phosphate.
  • the phosphate salt serves to increase the pH since the alkali cation is included. Therefore, the etchant composition of the present invention is characterized in that it does not contain the phosphate.
  • the etchant composition of the present invention may further include a surfactant.
  • the surfactant serves to decrease the surface tension to increase the uniformity of the etching.
  • the surfactant is not particularly limited as long as it can withstand the etching liquid composition of the present invention and is compatible, but is not limited to anionic surfactants, cationic surfactants, zwitterionic surfactants, nonionic surfactants, and polyhydric alcohol type surfactants. It is preferably one or two or more selected from the group consisting of.
  • a conventional additive may be further added, and as the additive, a metal ion blocking agent, a corrosion inhibitor, or the like may be used.
  • the a) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), the b) sulfuric acid, the c) fluorine-containing compound, d) azole compounds, e) imidazole compounds used in the present invention can be prepared by conventionally known methods And it is preferable to have the purity for a semiconductor process.
  • the gate electrode, the gate wiring, the source / drain electrode and the data wiring of the liquid crystal display device made of the copper-based metal may be collectively etched.
  • the present invention (a) forming a copper-based metal film on the substrate; B) selectively leaving a photoreactive material on the copper-based metal film; And c) etching the copper-based metal film using the etchant composition of the present invention.
  • the photoreactive material is preferably a conventional photoresist material, and may be selectively left by conventional exposure and development processes.
  • the present invention comprises the steps of: 1) etching the copper-based metal film located on the substrate with an etching liquid composition to form a gate electrode; 2) forming a gate insulating layer that insulates the gate electrode; 3) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer; 4) forming an insulating layer to insulate the semiconductor layer; 5) forming a copper-based metal film on the insulating layer to insulate the semiconductor layer and etching the copper-based metal film with an etchant composition to form source / drain electrodes; And 6) forming a pixel electrode electrically connected to the drain electrode, wherein the etchant composition in steps 1) and 5) is an etchant composition of the present invention. It provides a manufacturing method.
  • the array substrate for a liquid crystal display device may be a thin film transistor (TFT) array substrate.
  • TFT thin film transistor
  • An etching process of the copper-based metal film (Cu single layer and Cu / Mo-Ti double layer) was performed using the etching solution compositions of Examples 1 to 6.
  • the temperature of the etchant composition was about 30 ° C., but the proper temperature may be changed as needed by other process conditions and other factors.
  • the etching time may vary depending on the etching temperature, but usually proceeds about 30 to 180 seconds.
  • the profile of the copper-based metal film etched in the etching process was examined using a cross-sectional SEM (Model S-4700, manufactured by Hitachi), and the results are shown in Table 2.
  • the etching rate of the copper-based metal film using the etching solution composition of Examples 1 to 6 was found to be appropriate.
  • the copper-based metal film etched with the etchant composition of Example 1 showed a good etching profile. 3, when the copper film-based metal film was etched with the etching solution composition according to Example 1, no etching residues remained.
  • the etchant composition of the present invention provides excellent tapered profile of the copper-based metal film, the linearity of the pattern, and an appropriate etching rate, in particular, it can be seen that it has a characteristic that no residue remains after etching.

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Abstract

본 발명은 조성물 총 중량에 대하여 a) 과산화수소(H2O2) 5 내지 25 중량%; b) 황산 0.1 내지 5 중량%; c) 함불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%; d) 아졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; e) 이미다졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; 및 f) 물 잔량을 포함하는 식각액 조성물을 이용하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.

Description

액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
본 발명은 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 장치에서 기판 위에 금속 배선을 형성하는 공정은 금속막 형성공정, 포토레지스트 도포, 노광 및 현상에 의한 선택적인 영역에서의 포토레지스트 형성공정 및 식각공정에 의한 단계로 구성된다. 또한, 상기 금속 배선을 형성하는 공정은 개별적인 단위 공정 전후의 세정 공정 등을 포함한다. 상기 식각공정은 포토레지스트를 마스크로 하여 선택적인 영역에 금속막을 남기는 공정을 의미한다. 상기 식각공정으로는 통상적으로 플라즈마 등을 이용한 건식식각 또는 식각액 조성물을 이용하는 습식식각이 사용된다.
이러한 반도체 장치에서, 최근 금속배선의 저항이 주요한 관심사로 떠오르고 있다. 왜냐하면 저항이 RC 신호지연을 유발하는 주요한 인자이므로, 특히 TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display)의 경우 패널크기 증가와 고해상도 실현이 기술개발에 관건이 되고 있기 때문이다. 따라서, TFT-LCD의 대형화에 필수적으로 요구되는 RC 신호지연의 감소를 실현하기 위해서는, 저저항의 물질개발이 필수적이다. 따라서, 종래에 주로 사용되었던 크롬(Cr, 비저항: 12.7X10-8Ωm), 몰리브덴(Mo, 비저항: 5X10-8Ωm), 알루미늄(Al, 비저항: 2.65X10-8Ωm) 및 이들의 합금은 대형 TFT LCD에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 이용하기 어려운 실정이다.
본 발명의 목적은, 구리계 금속막의 식각시 직선성이 우수한 테이퍼 프로파일이 형성되고 잔사가 남지 않는 구리계 금속막용 식각액 조성물을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은, 게이트 전극 및 게이트 배선, 소스/드레인 전극 및 데이터 배선에 대하여 일괄 식각이 가능한 구리계 금속막용 식각액 조성물을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은, 상기 식각액 조성물을 사용하는 구리계 금속막의 식각방법 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 1) 기판 상에 위치한 구리계 금속막을 식각액 조성물로 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 2) 상기 게이트 전극을 절연하는 게이트 절연층을 형성하는 단계; 3) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계; 4) 상기 반도체층을 절연하는 절연층을 형성하는 단계; 5) 상기 반도체층을 절연하는 절연층 상에 구리계 금속막을 형성하고 상기 구리계 금속막을 식각액 조성물로 식각하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및 6) 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 1) 단계 및 상기 5) 단계에서 상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여 a) 과산화수소(H2O2) 5 내지 25 중량%; b) 황산 0.1 내지 5 중량%; c) 함불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%; d) 아졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; e) 이미다졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; 및 f) 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 가) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계; 나) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및 다) 식각액 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계를 포함하며, 상기 식각액 조성물은, 조성물의 총 중량에 대하여 a) 과산화수소(H2O2) 5 내지 25 중량%; b) 황산 0.1 내지 5 중량%; c) 함불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%; d) 아졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; e) 이미다졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; 및 f) 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각방법을 제공한다.
본 발명은 조성물의 총 중량에 대해 a) 과산화수소(H2O2) 5 내지 25 중량%; b) 황산 0.1 내지 5 중량%; c) 함불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%; d) 아졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; e) 이미다졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; 및 f) 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막용 식각액 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은, 구리계 금속막을 식각시, 직선성이 우수한 테이퍼프로파일을 구현할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 식각액 조성물로 구리계 금속막을 식각시, 잔사가 발생하지 않아 전기적인 쇼트나 배선의 불량, 휘도의 감소 등의 문제발생을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 식각액 조성물로 액정표시장치용 어레이 기판을 제조시, 게이트 전극 및 게이트 배선, 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 일괄 식각할 수 있어, 공정이 매우 단순화되어 공정수율을 극대화 할 수 있다. 더욱이, 본 발명에 따른 식각액 조성물을 저항이 낮은 구리 또는 구리 합금 배선의 식각에 이용하면, 대화면, 고휘도의 회로를 구현함과 더불어 환경친화적인 액정표시장치용 어레이 기판을 제작할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 Cu/Mo-Ti 이중막을 식각한 후, 식각 단면을 관찰한 주사전자현미경 사진이고,
도 2는 본 발명의 실시예1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 Cu/Mo-Ti 이중막을 식각한 후, 전체적인 식각 프로파일을 관찰한 주사전자현미경 사진이고,
도 3은 본 발명의 실시예1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 Cu/Mo-Ti 이중막을 식각한 후, 식각 잔사가 남지 않음을 확인하기 위해 구리 배선 주변 표면을 관찰한 전자주사현미경 사진이고,
도 4는 본 발명의 비교예1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 Cu/Mo-Ti 이중막을 식각한 후, 전체적인 식각 프로파일을 관찰한 주사전자현미경 사진이고,
도 5는 본 발명의 비교예2에 따른 식각액 조성물을 이용하여 Cu/Mo-Ti 이중막을 식각한 후, 전체적인 식각 프로파일을 관찰한 주사전자현미경 사진이다.
이하 본 발명을 구체적으로 설명한다.
본 발명은, 조성물의 총 중량에 대해 a) 과산화수소(H2O2) 5 내지 25 중량%; b) 황산 0.1 내지 5 중량%; c) 함불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%; d) 아졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; e) 이미다졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; 및 f) 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각액 조성물을 제공한다.
본 발명에서 구리계 금속막은 막의 구성성분 중에 구리가 포함되는 것으로서, 단일막 및 이중막 등의 다층막을 포함하는 개념이다. 예컨대, 구리 또는 구리 합금의 단일막, 다층막으로서 구리 몰리브덴막, 구리 몰리브덴 합금막 등이 포함된다. 상기 구리 몰리브덴막은 몰리브덴막과 상기 몰리브덴막 상에 형성된 구리막을 포함하는 것을 의미하며, 상기 구리 몰리브덴 합금막은 몰리브덴 합금막과 상기 몰리브덴 합금막 상에 형성된 구리막을 포함하는 것을 의미한다. 또한, 상기 몰리브덴 합금막은 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 네오디늄(Nd), 및 인듐(In) 등으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상과 몰리브덴의 합금을 의미한다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 a) 과산화수소(H2O2)는 구리계 금속막을 식각하는 주성분이다. 상기 a) 과산화수소(H2O2)는 조성물 총 중량에 대하여, 5 내지 25중량%로 포함되고, 10 내지 20중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위 미만이면, 구리계 금속막이 식각되지 않거나 식각속도가 아주 느려지게 된다. 또한, 상술한 범위를 초과하면, 식각속도가 전체적으로 빨라지기 때문에 공정을 제어하는 것이 어려워진다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 b) 황산은 pH를 조절하여 구리계 금속막이 식각될 수 있는 환경을 만드는 역할을 하고, pH를 낮추어 과산화수소의 분해를 억제한다. 상기 b) 황산은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5중량%로 포함되고, 0.5 내지 3중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, pH를 조절하는 영향력이 부족하여 구리의 식각 속도가 너무 느려지게 되고, 동시에 과산화수소 분해가 가속화되는 문제점이 발생한다. 상술한 범위를 초과하면, 구리의 식각속도가 빨라지는 단점이 있다. 또한, 본 발명의 식각액 조성물이 구리 몰리브덴막 또는 구리 몰리브덴 합금막에 적용될 경우, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금의 식각속도가 느려지게 되고, 이에 따라 씨디로스(CD Loss)가 커지게 된다. 또한, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금의 잔사가 발생할 확률이 높아진다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 c) 함불소 화합물은 물에 해리되어 F 이온을 낼 수 있는 화합물을 의미한다. 상기 c) 함불소 화합물은 구리 몰리브덴막 또는 구리 몰리브덴 합금막을 식각하는 용액에서 필연적으로 발생하게 되는 잔사를 제거해 주는 역할을 한다. 상기 c) 함불소 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.01 내지 1.0 중량%로 포함되고, 0.1 내지 0.5 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 식각 잔사가 발생될 수 있다. 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 유리 기판 식각율이 커지는 단점이 있다.
상기 c) 함불소 화합물은 당 업계에서 사용되는 물질이고, 용액 내에서 플루오르 이온 혹은 다원자 플루오르 이온으로 해리될 수 있는 화합물이면 특별히 한정하지 않으나, 불화암모늄(ammonium fluoride: NH4F), 불화나트륨(sodium fluoride: NaF), 불화칼륨(potassium fluoride: KF), 중불화암모늄(ammonium bifluoride: NH4FHF), 중불화나트륨(sodium bifluoride: NaFHF) 및 중불화칼륨(potassium bifluoride: KFHF)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 d) 아졸류 화합물은 구리막 또는 구리 합금막의 식각 속도를 조절하며 패턴의 시디로스(CD Loss)를 줄여주어 공정상의 마진을 높이는 역할을 한다. 상기 d) 아졸류 화합물의 함량은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 5중량%로 포함되고, 0.5 내지 3중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 식각 속도가 빠르게 되어 시디로스가 너무 크게 발생될 수 있다. 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 구리의 식각속도가 느려지고 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막의 식각 속도가 빨라지기 때문에 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금막이 과식각되어 언더컷이 발생될 수 있다.
상기 d) 아졸류 화합물은 아미노테트라졸(aminotetrazole), 벤조트리아졸 (benzotriazole), 톨리트리아졸(tolytriazole), 피라졸(pyrazole) 및 피롤(pyrrole)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 e) 이미다졸류 화합물은 구리를 식각할 때에 구리 표면을 킬레이팅하여 구리 기판 전면이 균일하게 식각하고, 구리의 식각 속도를 조절한다. 상기 e) 이미다졸류 화합물은 0.1 내지 5중량%로 포함되고, 1 내지 4중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 구리식각 균일성이 떨어져 씨디로스가 불균일해지고, 구리 식각속도가 너무 빨라지게 된다. 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 구리의 식각속도가 느려지고, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금막에 대한 식각속도가 빨라지므로 구리 몰리브덴막 또는 구리 몰리브덴 합금막에 적용될 경우 테이퍼 각도가 커지게 된다.
상기 e) 이미다졸류 화합물은 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-프로필이미다졸, 2-아미노이미다졸, 4-메틸이미다졸, 4-에틸이미다졸 및 4-프로필이미다졸로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 f) 물은 잔량 포함되고, 이의 종류는 특별히 한정되는 것은 아니나, 탈이온수가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 물의 비저항 값(즉, 물속에 이온이 제거된 정도)이 18㏁/㎝이상인 탈이온수를 사용하는 것이 좋다.
본 발명의 식각액 조성물은 별도의 카르복실산과 인산염을 포함하지 않는 것을 특징으로 한다. 상기 인산염은 알칼리 양이온이 포함되므로 pH 를 높여주는 역할을 하게 된다. 따라서, 본 발명의 식각액 조성물은 상기 인산염을 포함하지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 식각액 조성물은 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 상기 계면활성제는 표면장력을 저하시켜 식각의 균일성을 증가시키는 역할을 한다. 상기 계면활성제는 본 발명의 식각액 조성물에 견딜 수 있고, 상용성이 있는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 양쪽 이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제 및 다가알코올형 계면활성제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
또한, 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 첨가할 수 있으며, 첨가제로는 금속 이온 봉쇄제, 및 부식 방지제 등을 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 상기 a) 과산화수소(H2O2), 상기 b) 황산, 상기 c) 함불소 화합물, d) 아졸류 화합물, e) 이미다졸류 화합물은 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조 가능하고, 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 구리계 금속막의 식각액 조성물은 구리계 금속으로 이루어진 액정표시장치의 게이트 전극 및 게이트 배선, 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 일괄 식각할 수 있다.
또한, 본 발명은, 가) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계; 나) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및 다) 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각방법을 제공한다.
본 발명의 식각방법에서, 상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.
또한, 본 발명은, 1) 기판 상에 위치한 구리계 금속막을 식각액 조성물로 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 2) 상기 게이트 전극을 절연하는 게이트 절연층을 형성하는 단계; 3) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계; 4) 상기 반도체층을 절연하는 절연층을 형성하는 단계; 5) 상기 반도체층을 절연하는 절연층 상에 구리계 금속막을 형성하고 상기 구리계 금속막을 식각액 조성물로 식각하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및 6) 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 1) 단계 및 상기 5) 단계에서 식각액 조성물은 본 발명의 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다.
이하에서 본 발명을 실시예를 통하여 더욱 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기의 실시예에 의하여 본 발명의 범위가 제한되는 것은 아니다.
실시예1 내지 실시예6, 비교예1 및 비교예2: 구리계 금속막의 식각액 조성물의 제조
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라 실시예1 내지 6의 식각액 조성물을 제조하였다.
표 1
H2O2(중량%) 황산(중량%) 불화암모늄(중량%) 아미노테트라졸(중량%) 이미다졸(중량%) 탈이온수(중량%)
실시예1 5 2 0.05 0.5 2 잔량
실시예2 15 3 0.1 0.6 3 잔량
실시예3 18 1 0.2 0.4 4 잔량
실시예4 20 4 0.5 1.0 2 잔량
실시예5 22 0.5 0.2 0.5 1 잔량
실시예6 25 4 0.1 1.0 5 잔량
비교예1 25 4 0.1 - 5 잔량
비교예2 25 4 0.1 1.0 - 잔량
시험예: 식각액 조성물의 특성평가
실시예1 내지 실시예6의 식각액 조성물을 이용하여 구리계 금속막(Cu 단일막 및 Cu/Mo-Ti 이중막)의 식각공정을 수행하였다. 식각공정 시 식각액 조성물의 온도는 약 30 ℃ 내외로 하였으나, 적정온도는 다른 공정조건과 기타 요인에 의해 필요에 따라 변경할 수 있다. 식각 시간은 식각 온도에 따라서 다를 수 있으나, 통상 30 내지 180초 정도로 진행한다. 상기 식각공정에서 식각된 구리계 금속막의 프로파일을 단면 SEM (Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 검사하였고, 결과를 표 2에 기재하였다.
표 2
식각속도(Å/sec)
Cu 단일막 Cu/Mo-Ti 이중막
Cu Mo
실시예1 40 ~ 60 40 ~ 60 6 ~ 8
실시예2 60 ~ 90 60 ~ 90 5 ~ 8
실시예3 20 ~ 40 20 ~ 40 4 ~ 6
실시예4 40 ~ 60 40 ~ 60 6 ~ 8
실시예5 50 ~ 80 50 ~ 80 6 ~ 8
실시예6 70 ~ 90 70 ~ 90 6 ~ 8
표 2를 참조하면, 실시예1 내지 실시예6의 식각액 조성물을 이용한 구리계 금속막의 식각속도는 적당한 것으로 확인되었다. 또한, 도 1 및 2에서 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예1의 식각액 조성물로 식각한 구리계 금속막은 양호한 식각 프로파일을 나타내었다. 또한, 도 3에서 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예1에 따른 식각액 조성물로 구리막계 금속막을 식각 한 경우, 식각 잔사가 남지 않았다.
하지만, 도 4에 나타난 바와 같이, 아졸류 화합물이 들어가지 않은 비교예 1의 경우 구리막이 과에칭되는 현상이 발생하게 된다. 도 5에 나타난 바와 같이, 이미다졸류 화합물이 들어가지 않은 비교예 2의 경우는 하부 막과의 계면에서 구리막의 언더컷이 발생하게 된다. 한편, 비교예1 및 비교예2는 식각이 제대로 되지 않아 식각속도를 측정하지 않았다.
따라서, 본 발명의 식각액 조성물은 구리계 금속막의 우수한 테이퍼프로파일, 패턴의 직선성, 적당한 식각 속도를 제공하며, 특히, 식각 후 잔사가 전혀 남지 않는 특성을 가짐을 알 수 있다.

Claims (9)

1) 기판 상에 위치한 구리계 금속막을 식각액 조성물로 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계;
2) 상기 게이트 전극을 절연하는 게이트 절연층을 형성하는 단계;
3) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
4) 상기 반도체층을 절연하는 절연층을 형성하는 단계;
5) 상기 반도체층을 절연하는 절연층 상에 구리계 금속막을 형성하고 상기 구리계 금속막을 식각액 조성물로 식각하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및
6) 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 1) 단계 및 상기 5) 단계에서 상기 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여 a) 과산화수소(H2O2) 5 내지 25 중량%; b) 황산 0.1 내지 5 중량%; c) 함불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%; d) 아졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; e) 이미다졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; 및 f) 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
가) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
나) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
다) 식각액 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은, 조성물의 총 중량에 대하여 a) 과산화수소(H2O2) 5 내지 25 중량%; b) 황산 0.1 내지 5 중량%; c) 함불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%; d) 아졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; e) 이미다졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; 및 f) 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각방법.
조성물의 총 중량에 대하여
a) 과산화수소(H2O2) 5 내지 25 중량%;
b) 황산 0.1 내지 5 중량%;
c) 함불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%;
d) 아졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%;
e) 이미다졸류 화합물 0.1 내지 5 중량%; 및
f) 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막용 식각액 조성물.
청구항 4에 있어서,
상기 c) 함불소 화합물은, NH4FHF, KFHF, NaFHF, NH4F, KF, 및 NaF 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막용 식각액 조성물.
청구항 4에 있어서,
상기 d) 아졸류 화합물은 아미노테트라졸(aminotetrazole), 벤조트리아졸(benzotriazole), 톨리트리아졸(tolytriazole), 피라졸(pyrazole) 및 피롤(pyrrole) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막용 식각액 조성물.
청구항 4에 있어서,
상기 e) 이미다졸류 화합물은 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-프로필이미다졸, 2-아미노이미다졸, 4-메틸이미다졸, 4-에틸이미다졸 및 4-프로필이미다졸 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막용 식각액 조성물.
청구항 4에 있어서,
카르복실산과 인산염을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막용 식각액 조성물.
청구항 4에 있어서,
상기 구리계 금속막은, 구리 또는 구리 합금의 단일막, 몰리브덴층과 상기 몰리브덴층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리 몰리브덴막, 또는 몰리브덴합금층과 상기 몰리브덴합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 구리 몰리브덴합금막인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막용 식각액 조성물.
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