WO2012005471A2 - 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법 및 그 방법으로 제조된 임플란트 유닛 및 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치 - Google Patents

플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법 및 그 방법으로 제조된 임플란트 유닛 및 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치 Download PDF

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    • A61L2430/00—Materials or treatment for tissue regeneration
    • A61L2430/12—Materials or treatment for tissue regeneration for dental implants or prostheses

Definitions

  • the present invention relates to an implant unit, and more particularly, by improving the hydrophilicity of the surface of the implant unit through plasma surface treatment to attract blood and proteins to induce rapid bone fusion, there is no side effect due to the immune response of the human body, artificial As the treatment site recovers quickly after implantation, the healing period can be shortened, the pain and discomfort of the operator can be minimized, and the fusion of bone tissue is dense, so that the life of the artificial tooth can be maintained for a long time.
  • the present invention relates to a surface treatment method of an implant unit used, and a plasma surface treatment apparatus of an implant unit and an implant unit manufactured by the method.
  • artificial teeth are artificially created teeth that are almost identical to human natural teeth in appearance and function, and these artificial teeth are used to replace natural teeth when they are defective by various factors.
  • the method of implanting the artificial tooth directly into the alveolar bone is widely used.
  • the method of implanting the artificial tooth into the alveolar bone is performed after the completion of the implantation without damaging other natural teeth nearby. Its appearance and function are hard to distinguish from teeth, and its lifespan is semipermanent depending on the condition of management.
  • an implant unit as shown in FIGS. 1 and 2 is used as a structure for embedding such an artificial tooth in the alveolar bone.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing a conventional implant unit
  • Figure 2 is a cross-sectional view showing the internal structure of a conventional implant unit
  • a conventional implant unit as shown in the figure is largely a fixture (fixture, 10) It consists of an abutment (20) and a screw (screw, 30).
  • the fixture 10 is directly embedded in the alveolar bone (jawbone) to perform a kind of pillar role, the outer diameter surface of the body is formed with a screw thread 11 for screwing into the alveolar bone, the top of the hexagon head 13 ) Is formed, and the fastening hole 15 is formed in the vertical direction to the inner side of the center of the head 13.
  • the screw 30 is fastened to the fastening hole 15 at the upper end of the fixture 10 in a manner of fixing the abutment 20 to the fixture 10.
  • the abutment 20 serves as a support for mounting an artificial tooth, and at the bottom, a hexagonal guide groove 21 is formed to face the hexagon head 13 of the fixture 10. And, the upper end is formed with a hollow hole 23 for guiding the screw 30 through the shaft.
  • the screw 30 is formed in the upper head of the driver slot groove of the straight or cross-shaped or hexagonal wrench seat groove is formed.
  • the screw 30 is penetrated into the hollow hole 23 of the abutment 20 so that the thread of the screw 30 is fastened to the fastening hole 15 of the fixture 10, thereby fixing the fixture 10. ) And the abutment 20 are prevented.
  • the abutment 20 After fixing the implant consisting of the fixture 10, the abutment 20, and the screw 30 to the alveolar bone in this manner, the abutment 20 is covered with an artificial tooth, thereby artificially damaging the patient's permanent tooth. It will be fed with teeth.
  • titanium (Ti) and titanium alloy materials which are high strength materials, are used.
  • the titanium surface is hydrophobic and, due to its water repelling property, slows the fusion of bone tissue (alveolar bone) containing blood and protein after implantation of artificial teeth, or inflammation by an immune response of the human body. There was a problem caused.
  • the implant unit of the prior art has a problem that the healing process takes a long time after the artificial tooth is placed, and the life of the artificial tooth is shortened because the fusion of bone tissue is not dense.
  • An object of the present invention devised to solve the above problems of the prior art is to improve the hydrophilicity by modifying the surface by plasma treatment of the implant unit.
  • Another object of the present invention is to improve the hydrophilicity to attract blood and protein to induce rapid bone fusion, there is no side effect due to the immune response of the human body, it is possible to shorten the healing period as the treatment site is quickly recovered after implantation of artificial teeth In addition, the pain and discomfort of the operator is minimized, as well as because the fusion of bone tissue is dense, the service life of artificial teeth is maintained for a long time.
  • An object of the present invention as described above is the step of mounting an implant unit on the object receiving shelf; Inputting the object receiving shelf into a plasma generating device; And plasma treatment of the surface of the implant unit by operating the plasma generator.
  • the plasma treatment apparatus may be achieved by a surface treatment method of an implant unit using plasma.
  • the plasma generating apparatus is a vacuum plasma generating apparatus having a vacuum chamber, the step of inserting the workpiece receiving shelf in which the implant unit is accommodated in the vacuum chamber; Depressurizing the inside of the vacuum chamber; Operating the plasma generator so that the surface of the implant unit is plasma treated; And after releasing the vacuum pressure inside the vacuum chamber, taking out the implant unit; may further comprise a.
  • the plasma generating apparatus is an atmospheric pressure plasma generating apparatus having a workpiece conveying conveyor, comprising: mounting a workpiece receiving shelf containing an implant unit on the workpiece conveying conveyor; Allowing the surface of the implant unit to be plasma surface treated while the object receiving shelf mounted on the object conveying conveyor passes through the plasma generating unit; And taking out the plasma surface treated implant unit.
  • the implant unit is mounted on the receiving shelf for the workpiece; Inputting the object receiving shelf into a plasma generating device; Operating the plasma generator so that the surface of the implant unit is plasma surface treated; Extracting and sterilizing the plasma surface-treated implant unit; Sealing and packaging the implant unit in the sterilized state can be achieved through the surface treatment method of the implant unit using a plasma comprising a.
  • the plasma generating apparatus is a vacuum plasma generating apparatus having a vacuum chamber, the step of inserting the workpiece receiving shelf in which the implant unit is accommodated in the vacuum chamber; Depressurizing the inside of the vacuum chamber; Operating the plasma generator so that the surface of the implant unit is plasma treated; And after releasing the vacuum pressure inside the vacuum chamber, taking out the implant unit; may further comprise a.
  • the plasma generating apparatus is an atmospheric pressure plasma generating apparatus having a workpiece conveying conveyor, comprising: mounting a workpiece receiving shelf containing an implant unit on the workpiece conveying conveyor; Allowing the surface of the implant unit to be plasma surface treated while the object receiving shelf mounted on the object conveying conveyor passes through the plasma generating unit; And taking out the plasma surface treated implant unit.
  • the implant unit may be made of a material including any one of titanium (Ti), titanium alloys, anodized titanium and HYDROXYAPATITE (HA) coated titanium.
  • an object of the present invention is an accommodating shelf for receiving an implant unit; Mounting jig for mounting the implant unit on the receiving shelf; And a plasma generating apparatus in which the receiving shelf is inserted and the implant unit is subjected to a plasma surface treatment.
  • the plasma generator may be a vacuum plasma generator having a vacuum chamber.
  • the plasma generating apparatus may be an atmospheric pressure plasma generating apparatus configured to pass through the plasma generating unit in a state where the workpiece receiving shelf in which the implant unit is accommodated is mounted on the workpiece conveying conveyor.
  • the plasma generating apparatus may further include a sterilization unit for extracting and sterilizing the plasma surface-treated implant unit and a packing book for sealing and packing the sterilized implant unit.
  • the present invention by implanting the plasma surface treatment of the implant unit, to improve the hydrophilicity by modifying the surface, it has the effect of inducing rapid bone fusion by attracting blood and protein as the hydrophilicity is improved.
  • the implant unit of the present invention has no side effects due to the immune response of the human body, and can be shortened in the healing period as the treatment site is rapidly recovered after the implantation of artificial teeth, and minimizes pain and discomfort of the operator. Dense fusion of bone tissue has the effect of maintaining the service life of artificial teeth for a long time.
  • the present invention is sterilized in the plasma surface treatment process has an effect that does not have to go through a separate sterilization process.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing a conventional implant unit.
  • Figure 2 is a cross-sectional view showing the internal structure of a conventional implant unit.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating a surface treatment method of an implant unit using plasma according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating a surface treatment method of an implant unit using plasma according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating a surface treatment method of an implant unit using plasma according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating a surface treatment method of an implant unit using plasma according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a flowchart illustrating a surface treatment method of an implant unit using plasma according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a flowchart illustrating a surface treatment method of an implant unit using plasma according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic view showing a plasma surface treatment apparatus of an implant unit according to the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic view showing a modified embodiment of the mounting jig of the plasma surface treatment apparatus of the implant unit according to the present invention.
  • FIG 11 is a schematic diagram showing an embodiment of the plasma surface treatment apparatus of the implant unit to which the atmospheric pressure plasma generator of the present invention is applied.
  • Figure 12 is a schematic diagram showing a modified embodiment of the mounting jig and transfer conveyor applied to the atmospheric pressure plasma generating apparatus of the present invention.
  • Figure 13 is a schematic diagram showing another embodiment of the plasma surface treatment apparatus of the implant unit to which the atmospheric pressure plasma generating apparatus of the present invention is applied.
  • FIG. 9 is a schematic view showing the plasma surface treatment apparatus of the implant unit according to the present invention, the plasma surface treatment apparatus of the implant unit of the present invention as shown in the figure is a receiving shelf for the workpiece to accommodate the implant unit 200 A 114 is provided, a mounting jig 115 for mounting the implant unit 200 is formed on the receiving shelf 114, and the receiving shelf 114 in which the implant unit 200 is accommodated generates plasma. It is composed of a structure that is injected into the device 100 and the plasma surface treatment.
  • the implant unit 200 is a fixture that is directly implanted into the alveolar bone, a material of any one of titanium (Ti), titanium alloy, anodized titanium, and HYDROXYAPATITE (HA) (Hydroxy Apatite) coated titanium It can be made of a material including.
  • the mounting jig 115 has a structure for mounting the implant unit 200 on the receiving shelf 114, as shown in Figure 9 in a state where the implant unit 200 in the air in the horizontal direction
  • a structure can be used that allows both ends to be in pin contact support.
  • the mounting jig 115 may be made of a material having elasticity, such that the implant unit 200 may be elastically pressed in both directions.
  • the mounting jig 115 is manufactured in a pin shape perpendicular to the upper surface of the receiving shelf 114 as shown in Figure 10 so that the lower end of the implant unit 200 is supported in the air floating state You may.
  • the present invention having the configuration as described above has an important feature to make the surface of the implant unit 200 is hydrophilic (hydrophilic) by making the surface treatment of the implant unit 200 by plasma treatment.
  • the hydrophilic means that the surface like water, in the case of the implant unit 200 serves to promote the bone adhesion process after the placement of artificial teeth.
  • the implant unit 200 having hydrophilicity draws blood and proteins to increase bone cell adhesion.
  • Active chemical properties due to the high electron temperature in the plasma can provide extreme environments to change the properties of the surface of the metal or polymer to have different physical and chemical properties from the main body, thereby making the surface of the implant unit 200 It can be modified to have hydrophilicity.
  • the lower electrode 113 and the upper electrode 112 are provided in the chamber 110 for plasma induction.
  • the plasma voltage V is applied between the lower electrode 113 and the upper electrode 112, thereby accelerating the induced ions.
  • One or more actuator gas inlets 111 may be coupled to the chamber 110 to serve as a passage through which an actuator gas for forming a plasma atmosphere is supplied.
  • the gas flowing into the chamber 110 through the working gas inlet 111 may use an inert gas such as argon (Ar) or helium (He) to facilitate plasma discharge.
  • a separate vacuum system (not shown) may be connected with the interior of the chamber 110.
  • the object receiving shelf 114 for receiving the implant unit 200 is detachably installed on the lower electrode 113.
  • the workpiece receiving shelf 114 is not limited to a predetermined shape, and may be coupled to the lower electrode 113 in various shapes in some cases. Furthermore, the workpiece receiving shelf 114 is provided on the workpiece receiving shelf 114 to fix the plurality of implant units 200 in order to increase the efficiency of the surface treatment process of the implant unit 200.
  • the mounting jig 115 can be installed.
  • the workpiece receiving shelf 114 may be installed to rotate the implant unit 200 in three dimensions such that the surface of the implant unit 200 is uniformly surface treated.
  • the plasma voltage V When the plasma voltage V is applied between the lower electrode 113 and the upper electrode 112, the ions included in the inert gas flowing into the chamber 110 are disposed between the lower electrode 113 and the upper electrode 112.
  • the plasma is ionized by the plasma voltage V applied thereto and accelerated toward the lower electrode 113 or the upper electrode 112.
  • the accelerated plasma ions collide with the inert gas particles, and the inert gas particles emit electrons and induce a plasma ion state.
  • electrons emitted from the inert gas particles during collision between the plasma ions and the inert gas particles may collide with surrounding particles to induce the plasma.
  • FIG. 11 is a schematic view showing an embodiment of a plasma surface treatment apparatus of an implant unit to which an atmospheric pressure plasma generator of the present invention is applied.
  • the plasma generator 100 of the present invention does not use a vacuum chamber.
  • An atmospheric pressure plasma generating device provided in an exposed form in the atmosphere may be used.
  • the principle of the atmospheric pressure plasma generating device is a well-known technique, the description thereof will be omitted.
  • the implant unit 200 by passing through the plasma generating unit 130 in the state in which the workpiece receiving shelf 114 in which the implant unit 200 is accommodated is mounted in the workpiece conveying conveyor 120, the implant unit 200 ) Is to make plasma surface treatment.
  • the plasma generating apparatus 100 may be disposed in the vertical direction of the workpiece, that is, the implant unit 200, or may be disposed in the horizontal direction of the implant unit 200 as shown in FIG. 13.
  • FIG. 13 is a schematic view showing another embodiment of the plasma surface treatment apparatus of an implant unit to which the atmospheric pressure plasma generator of the present invention is applied, and as shown in the figure, the plasma generating apparatus 100 on both left and right sides of the transfer conveyor 120. By installing and passing the implant unit 200 therebetween, plasma surface treatment can be made.
  • FIG. 12 is a schematic view showing a modified embodiment of the mounting jig and the transfer conveyor applied to the atmospheric pressure plasma generating device of the present invention, as shown in the same figure, the mounting jig 115 is integrally coupled to the transfer conveyor 120. You may.
  • the mounting jig 115 is integrally formed on the conveying conveyor 120, a separate object receiving shelf 114 is provided or the implant unit 200 is disposed on the object receiving shelf 114. It will be possible to omit the series of steps or to mount it on the conveying conveyor (120).
  • the present invention as described above is to insert the implant unit 200 into the plasma generating apparatus 100 to treat the plasma surface, such plasma surface treatment is to improve the hydrophilicity by modifying the surface of the implant unit 200 In addition, since the sterilization is made in the plasma surface treatment process, it does not have to go through a separate sterilization process.
  • the plasma surface treatment of the implant unit 200 may be added to the sterilization treatment unit (not shown) to make the enhanced sterilization treatment.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating a surface treatment method of an implant unit using plasma according to a first embodiment of the present invention, in which an implant unit is mounted on an object receiving shelf (s111) and the object receiving object A shelf is introduced into the plasma generator (S112), and the surface of the implant unit is plasma-treated by operating the plasma generator (S113).
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating a surface treatment method of an implant unit using plasma according to a second embodiment of the present invention, wherein the plasma generator of the first embodiment is a vacuum plasma generator having a vacuum chamber, and the vacuum chamber A step (s121) of injecting a workpiece receiving shelf into which an implant unit is accommodated (s121), depressurizing the inside of the vacuum chamber (s122), and operating the plasma generator to cause the surface of the implant unit to be plasma surface treated; (S123) and after releasing the vacuum pressure inside the vacuum chamber, the method may further include extracting the implant unit (S124).
  • the plasma generator of the first embodiment is a vacuum plasma generator having a vacuum chamber, and the vacuum chamber
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating a surface treatment method of an implant unit using plasma according to a third embodiment of the present invention, wherein the plasma generator of the first embodiment is an atmospheric pressure plasma generator having a workpiece conveying conveyor.
  • the method may further include a step of allowing the surface of the plasma surface treatment to be performed (S132), and taking out the plasma surface treated implant unit (S133).
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating a surface treatment method of an implant unit using plasma according to a fourth embodiment of the present invention, in which an implant unit is mounted on a receiving shelf for a workpiece (s211), and the workpiece is accommodated. (S212) the shelf is put into the plasma generating device, and the surface of the implant unit is operated by operating the plasma generating device (s213), and taking out and sterilizing the plasma surface treated implant unit (s214) and sealing the implant unit in the sterilized state (s215).
  • FIG. 7 is a flowchart illustrating a surface treatment method of an implant unit using plasma according to a fifth embodiment of the present invention, wherein the plasma generator of the fourth embodiment is a vacuum plasma generator having a vacuum chamber, and the vacuum chamber A step (s221) of injecting a workpiece receiving shelf into which an implant unit is accommodated (s221), depressurizing the inside of the vacuum chamber (s222), and operating the plasma generator to cause the surface of the implant unit to be plasma surface treated; (S223), and after releasing the vacuum pressure inside the vacuum chamber, it may further include a step (s224) for taking out the implant unit.
  • the plasma generator of the fourth embodiment is a vacuum plasma generator having a vacuum chamber, and the vacuum chamber
  • FIG. 8 is a flowchart illustrating a surface treatment method of an implant unit using plasma according to a sixth embodiment of the present invention.
  • the plasma generator of the fourth embodiment is an atmospheric pressure plasma generator having a workpiece conveying conveyor.
  • step S231 a workpiece receiving shelf on which the implant unit is accommodated is mounted on the workpiece conveying conveyor, and an object receiving shelf mounted on the workpiece conveying conveyor passes through a plasma generating unit.
  • the method may further include a step of allowing the surface to be plasma surface-treated (s232), and taking out the plasma-surfaced implant unit (s233).
  • the present invention has the advantage of improving the hydrophilicity by modifying the surface by plasma surface treatment of the implant unit, and by attracting blood and protein as the hydrophilicity is improved, there is an advantage of inducing rapid bone fusion,
  • the implant unit of the present invention has no side effects due to the immune response of the human body, and can be shortened as the treatment site recovers rapidly after implantation of artificial teeth, minimizing the pain and discomfort of the operator, as well as fusion of bone tissue. Due to its compactness, the service life of artificial teeth can be maintained for a long time.
  • the present invention has the advantage that the sterilization is made in the plasma surface treatment process does not have to go through a separate sterilization process.

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Abstract

본 발명의 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법은 피처리물 수용선반에 임플란트 유닛이 탑재되는 단계; 상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계; 및 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계;를 포함하고, 본 발명의 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치는 임플란트 유닛을 수용하는 피처리물용 수용선반; 상기 수용선반 상에 임플란트 유닛을 거치하는 거치용 지그; 및 상기 수용선반이 투입되어 임플란트 유닛이 플라즈마 표면처리되는 플라즈마발생장치;를 포함한다. 상기한 구성에 따른 본 발명은 임플란트 유닛을 플라즈마 표면처리 함으로써, 표면을 개질시켜 친수성을 향상시키게 되며, 친수성이 향상됨에 따라 혈액 및 단백질을 끌어당겨 빠른 골융합을 유도하게 되는 효과를 갖는다.

Description

플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법 및 그 방법으로 제조된 임플란트 유닛 및 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치
본 발명은 임플란트 유닛에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 임플란트 유닛의 표면을 플라즈마 표면처리를 통해 친수성을 향상시켜 혈액 및 단백질을 끌어당겨 빠른 골융합을 유도함으로써, 인체의 면역반응에 따른 부작용이 없고, 인공치아의 식립 후 시술 부위가 빠르게 회복됨에 따라 치유기간의 단축이 가능하고, 시술자의 고통과 불편함을 최소화 하는 것은 물론, 골조직의 융합이 치밀하기 때문에 인공치아의 사용수명을 오랫동안 유지되도록 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법 및 그 방법으로 제조된 임플란트 유닛 및 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 인공치아는 사람의 자연치아와 외형 및 기능면에서 거의 동일한 상태가 되도록 인위적으로 만들어낸 치아로서, 이러한 인공치아는 여러 가지 요인에 의해 자연치아가 결손 되었을 경우 이를 대체하는 용도로 사용된다.
근래에는 상기한 인공치아를 치조골에 직접 매식하는 시술방법이 널리 이용되고 있는데, 이와 같이 인공치아를 치조골에 매식하는 시술방법은 주변의 다른 자연 치아에 손상을 주지 않으면서도, 매식이 완료된 후에는 자연치아와 구별하기 어려울 정도로 외형과 기능이 뛰어나고, 수명도 관리 상태에 따라서는 반영구적이어서 대중적으로 이용되고 있다. 이러한 인공치아를 치조골에 매식하기 위한 구조체로서는 도1, 2에서 도시된 바와 같은 임플란트 유닛이 사용되고 있다.
도 1은 종래의 임플란트 유닛을 도시한 분해사시도이고, 도 2는 종래의 임플란트 유닛의 내부구조를 도시한 결합단면도로서, 동 도면에서 보여지는 바와 같은 종래의 임플란트 유닛은 크게 픽스처(fixture,10), 어뷰트먼트(abutment,20) 및 스크류(screw,30)로 구성되고 있다.
상기 픽스처(10)는 치조골(턱뼈)에 직접 매식되어 일종의 기둥역할을 수행하는 것으로서, 몸체의 외경면에는 치조골 내부로 나사 결합되기 위한 나사산(11)이 형성되고, 그 상단에는 육각형의 헤드(13)가 형성되며, 상기 헤드(13)의 중심 내측으로 체결공(15)이 수직방향으로 형성된다.
이때, 상기 픽스처(10) 상단의 체결공(15)에는 스크류(30)가 어뷰트먼트(20)를 픽스처(10)에 고정시키는 형태로 체결된다.
다음, 상기 어뷰트먼트(20)는 인공치아가 장착되기 위한 지지체로서의 역할을 수행하게 되는데, 하단에는 상기 픽스처(10)의 육각형 헤드(13)와 대향 정합되는 육각형의 안내홈(21)을 형성하고, 상단에는 스크류(30)가 축 관통될 수 있도록 안내하는 중공홀(23)이 형성된다.
그리고, 상기 스크류(30)는 상단 헤드에 일자 또는 십자형의 드라이버 자리홈을 형성하거나 육각형의 렌치 자리홈이 형성된다.
상기한 구조의 임플란트 유닛이 매식되는 과정에 대해 설명하면, 픽스처(10)를 치조골(턱뼈) 내에 나사 결합한 후, 상기 픽스처(10)의 상부에 어뷰트먼트(20)를 위치시키도록 한다.
다음, 상기 어뷰트먼트(20)의 중공홀(23) 내부로 스크류(30)를 관통시켜, 스크류(30)의 나사산이 픽스처(10)의 체결공(15)에 체결되도록 함으로써, 픽스처(10)와 어뷰트먼트(20)의 분리가 방지된다.
이와 같은 방법으로 픽스처(10), 어뷰트먼트(20) 및 스크류(30)로 구성된 임플란트를 치조골에 고정시키고 나면 상기 어뷰트먼트(20)에 인공치아를 씌워서 결합함으로써, 환자의 손상된 영구치를 인공치아로 매식하게 되는 것이다.
이와 같은 임플란트 유닛의 주재료로는 고강도 재질인 티타늄(Ti)및 티타늄 합금 재질이 사용되고 있다.
그러나, 티타늄 표면은 소수성(hydrophobic)을 갖는 것으로서, 수분을 밀어내는 성질로 인해 인공치아의 식립 후에 혈액 및 단백질을 포함하는 골조직(치조골)이 융합되는 것을 더디게 하거나, 인체의 면역반응에 의해 염증을 유발하게 되는 문제가 있었다.
이와 같은 종래기술의 임플란트 유닛은 인공치아의 식립 후 치유과정이 오래 걸리는 것은 물론, 골조직의 융합이 치밀하지 못해 식립된 인공치아의 수명이 단축되는 문제점이 있었다.
따라서, 골융합에 유리한 친수성(hydrophilic)을 갖는 임플란트 유닛의 개발이시급히 요구되고 있다.
상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 목적은, 임플란트 유닛을 플라즈마 표면처리 함으로써, 표면을 개질시켜 친수성을 향상시키도록 하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 친수성을 향상시켜 혈액 및 단백질을 끌어당겨 빠른 골융합을 유도함으로써, 인체의 면역반응에 따른 부작용이 없고, 인공치아의 식립 후 시술 부위가 빠르게 회복됨에 따라 치유기간의 단축이 가능하고, 시술자의 고통과 불편함을 최소화 하는 것은 물론, 골조직의 융합이 치밀하기 때문에 인공치아의 사용수명을 오랫동안 유지되도록 하는데 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 피처리물 수용선반에 임플란트 유닛이 탑재되는 단계; 상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계; 및 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계;를 포함하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 통해 달성될 수 있다.
여기서, 상기 플라즈마발생장치는 진공챔버를 갖는 진공플라즈마발생장치로서, 상기 진공챔버 내에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 투입되는 단계; 상기 진공챔버 내부를 감압시키는 단계; 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계; 및 상기 진공챔버 내부의 진공압을 해제한 후, 임플란트 유닛을 취출하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 플라즈마발생장치는 피처리물 이송컨베이어를 갖는 상압 플라즈마발생장치로서, 상기 피처리물 이송컨베이어 상에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 탑재되는 단계; 상기 피처리물 이송컨베이어에 탑재된 피처리물 수용선반이 플라즈마 발생부를 통과하면서, 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계; 및 상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 목적은, 피처리물용 수용선반에 임플란트 유닛이 탑재되는 단계; 상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계; 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계; 상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하여 멸균처리하는 단계; 및 상기 멸균처리된 상태의 임플란트 유닛을 밀봉포장하는 단계;를 포함하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 통해 달성될 수 있다.
여기서, 상기 플라즈마발생장치는 진공챔버를 갖는 진공플라즈마발생장치로서, 상기 진공챔버 내에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 투입되는 단계; 상기 진공챔버 내부를 감압시키는 단계; 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계; 및 상기 진공챔버 내부의 진공압을 해제한 후, 임플란트 유닛을 취출하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 플라즈마발생장치는 피처리물 이송컨베이어를 갖는 상압 플라즈마발생장치로서, 상기 피처리물 이송컨베이어 상에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 탑재되는 단계; 상기 피처리물 이송컨베이어에 탑재된 피처리물 수용선반이 플라즈마 발생부를 통과하면서, 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계; 및 상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 임플란트 유닛은 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 아노다이징 처리된 티타늄 및 HYDROXYAPATITE(HA) 코팅된 티타늄중 어느 한 물질을 포함한 재질로 이루어질 수 있다.
그리고, 본 발명의 목적은 임플란트 유닛을 수용하는 피처리물용 수용선반; 상기 수용선반 상에 임플란트 유닛을 거치하는 거치용 지그; 및 상기 수용선반이 투입되어 임플란트 유닛이 플라즈마 표면처리되는 플라즈마발생장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치를 통해 달성될 수 있다.
여기서, 상기 플라즈마발생장치는 진공챔버가 구비되는 진공플라즈마발생장치일수 있다.
또한, 상기 플라즈마발생장치는 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 피처리물 이송컨베이어에 탑재된 상태로 플라즈마 발생부를 통과하도록 된 상압 플라즈마발생장치일 수 있다.
그리고, 상기 플라즈마발생장치는, 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하여 멸균처리하는 멸균처리부와, 상기 멸균처리된 상태의 임플란트 유닛을 밀봉포장하는 포장장부가 더 구비되도록 할 수 있다.
상기한 구성에 따른 본 발명에 따르면, 임플란트 유닛을 플라즈마 표면처리 함으로써, 표면을 개질시켜 친수성을 향상시키게 되며, 친수성이 향상됨에 따라 혈액 및 단백질을 끌어당겨 빠른 골융합을 유도하게 되는 효과를 갖는다.
이와 같은 본 발명의 임플란트 유닛은 인체의 면역반응에 따른 부작용이 없고, 인공치아의 식립 후 시술 부위가 빠르게 회복됨에 따라 치유기간의 단축이 가능하고, 시술자의 고통과 불편함을 최소화 하는 것은 물론, 골조직의 융합이 치밀하기 때문에 인공치아의 사용수명을 오랫동안 유지하게 되는 효과를 갖는다.
본 발명은 플라즈마 표면처리 과정에서 멸균이 이루어져 별도의 멸균과정을 거치지 않아도 되는 효과를 갖는다.
도 1은 종래의 임플란트 유닛을 도시한 분해사시도.
도 2는 종래의 임플란트 유닛을 내부구조를 도시한 결합단면도.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 7은 본 발명의 제5실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 8은 본 발명의 제6실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 9는 본 발명에 따른 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치를 도시한 개략도.
도 10은 본 발명에 따른 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치의 거치용지그의 변형 실시예를 도시한 개략도.
도 11은 본 발명의 상압플라즈마발생장치가 적용된 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치의 실시 예를 도시한 개략도.
도 12는 본 발명의 상압플라즈마발생장치에 적용된 거치용지그와 이송컨베이어의 변형 실시예를 도시한 개략도.
도 13은 본 발명의 상압플라즈마발생장치가 적용된 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치의 다른 실시 예를 도시한 개략도.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 9는 본 발명에 따른 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치를 도시한 개략도로서, 동 도면에서 보는 바와 같은 본 발명의 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치는 임플란트 유닛(200)을 수용하는 피처리물용 수용선반(114)가 구비되고, 상기 수용선반(114) 상에 임플란트 유닛(200)을 거치하는 거치용 지그(115)가 형성되며, 상기 임플란트 유닛(200)이 수용된 상기 수용선반(114)은 플라즈마발생장치(100)에 투입되어 플라즈마 표면처리 되는 구조로 이루어져 있다.
이때, 상기 임플란트 유닛(200)은 치조골에 직접 이식되는 구조물인 픽스처(fixture)로서, 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 아노다이징 처리된 티타늄 및 HYDROXYAPATITE(HA) (Hydroxy Apatite)코팅된 티타늄 중 어느 한 물질을 포함한 재질로 제작될 수 있다.
그리고, 상기 거치용 지그(115)는 수용선반(114) 상에 임플란트 유닛(200)을 거치하는 구조를 갖게 되는데, 도 9에서 보는 바와 같이 임플란트 유닛(200)을 수평방향으로 공중에 띄운 상태에서 양측단을 핀 접촉 지지되도록 하는 구조가 이용될 수 있다.
이때, 상기 거치용 지그(115)를 탄성을 갖는 재질로 제작함으로써, 임플란트 유닛(200)을 양측방향에서 탄성 가압지지되도록 할 수 있다.
또한, 상기 거치용 지그(115)는 도 10에서 보는 바와 같이 수용선반(114)의 상면에 수직방향으로 세워지는 핀 형상으로 제작되어 공중에 띄워진 상태에서 임플란트 유닛(200)의 하단이 지지되도록 할 수도 있다.
상기한 바와 같은 구성을 갖는 본 발명은 임플란트 유닛(200)을 플라즈마 표면처리되도록 함으로써, 임플란트 유닛(200)의 표면 개질이 이루어져 친수성(hydrophilic)을 갖도록 하는데 중요한 특징을 갖는 것이다.
여기서, 친수성이라 함은 표면이 물을 좋아한다는 의미로서, 임플란트 유닛(200)의 경우 인공치아의 식립 후 골 유착 과정을 촉진 시키는 역할을 하게 된다.
즉, 친수성을 갖는 임플란트 유닛(200)은 혈액 및 단백질을 끌어당겨 골세포 부착이 증가되도록 하는 것이다.
플라즈마 내의 높은 전자온도에 의한 활발한 화학적 성질은 극한의 환경을 제공하여 금속이나 고분자의 표면의 성질을 바꾸어 본체와는 다른 물리적, 화학적 성질을 갖도록 할 수 있는데, 이를 통해 임플란트 유닛(200)의 표면을 개질시켜 친수성을 갖도록 할 수 있는 것이다.
상기한 바와 같은 본 발명의 플라즈마발생장치(100)의 작동 원리에 대해 간략히 설명하면 다음과 같다.
우선 플라즈마 유도를 위해 챔버(110) 내에 하부전극(113)과 상부전극(112)이 구비된다. 상기 하부전극(113)과 상부전극(112) 사이에 플라즈마 전압(V)을 인가하게 되는데, 이로써, 에너지를 전달받은 이온들이 가속화 유도된다.
상기 챔버(110)에는 한 개 이상의 작동기체 유입구(111)가 결합되어 플라즈마 분위기를 형성하기 위한 작동기체가 공급되는 통로 역할을 할 수 있다. 작동기체 유입구(111)를 통하여 챔버(110)에 유입되는 기체는 아르곤(Ar), 헬륨(He)과 같은 비활성 기체를 사용함으로써, 플라즈마 방전을 용이하게 할 수 있다.
별도의 진공 시스템(미도시)이 챔버(110)의 내부와 연결될 수 있다.
상기 하부전극(113) 상부에는 임플란트 유닛(200)을 수용하는 피처리물 수용선반(114)이 착탈 가능하게 설치되도록 한다.
이때, 상기 피처리물 수용선반(114)은 일정한 형상에 국한되지 않으며, 경우에 따라 다양한 형상으로 하부전극(113)에 결합될 수 있다. 더 나아가, 피처리물 수용선반(114)은 임플란트 유닛(200)의 표면처리 공정의 효율성을 높이기 위해, 다수의 임플란트 유닛(200)을 고정시킬 수 있도록 피처리물 수용선반(114) 상에 다수의 거치용 지그(115)를 설치할 수 있다.
또한, 피처리물 수용선반(114)은 임플란트 유닛(200)의 표면이 균일하게 표면처리 되도록 임플란트 유닛(200)을 3차원적으로 회전시킬 수 있게 설치될 수도 있다.
상기 하부전극(113)과 상부전극(112) 사이에 플라즈마 전압(V)을 인가하게 되면, 챔버(110)로 유입되는 비활성 기체 내에 포함된 이온들은 하부전극(113)과 상부전극(112) 사이에 인가된 플라즈마 전압(V)에 의하여 플라즈마 이온화 되어 하부전극(113) 또는 상부전극(112) 방향을 향해 가속된다.
이때, 가속되는 플라즈마 이온들은 비활성 기체 입자들과 충돌하면서 비활성기체 입자들이 전자를 방출시키고 플라즈마 이온 상태를 유도하게 된다.
또한, 플라즈마 이온과 비활성 기체 입자의 충돌과정에서 비활성 기체 입자로부터 방출된 전자는 주위의 입자들과 충돌을 일으켜 플라즈마를 유도할 수 있다.
한편, 플라즈마 이온들과 비활성 기체 입자들과의 충돌이 연속적으로 일어나면서, 비활성 기체의 이온들은 피처리물 수용선반(114)에 고정된 임플란트 유닛(200)의 표면에 충돌함으로써, 표면처리가 이루어지게 된다.
이때, 플라즈마 전압(V)의 크기를 조절함으로써, 피처리물 수용선반(114)에 고정된 임플란트 유닛(200)의 표면처리의 강도를 조절할 수 있다.
도 11은 본 발명의 상압플라즈마발생장치가 적용된 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치의 실시 예를 도시한 개략도로서, 동 도면에서 보는 바와 같은 본 발명의 플라즈마발생장치(100)는 진공챔버를 사용하지 않고 대기중에 노출된 형태로 제공되는 상압플라즈마발생장치가 이용될 수 있다. 이때, 상압플라즈마발생장치의 원리는 널리 주지된 공지의 기술로서, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
상기한 바와 같은 본 발명은 임플란트 유닛(200)이 수용된 피처리물 수용선반(114)이 피처리물 이송컨베이어(120)에 탑재된 상태로 플라즈마 발생부(130)를 통과함으로써, 임플란트 유닛(200)이 플라즈마 표면처리되도록 하는 것이다.
상기한 바와 같은 구조의 이송컨베이어(120)를 이용하는 경우, 임플란트 유닛(200)의 대량 표면처리가 가능하게 된다.
이때, 플라즈마발생장치(100)는 피처리물 즉, 임플란트 유닛(200)의 수직방향에 위치하거나, 도 13에서와 같이 임플란트 유닛(200)의 수평방향에 배치되도록 할 수 있다.
도 13은 본 발명의 상압플라즈마발생장치가 적용된 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치의 다른 실시 예를 도시한 개략도로서, 동 도면에서 보는 바와 같이 이송컨베이어(120)의 좌우 양측에 플라즈마발생장치(100)를 설치하고, 그 사이를 임플란트 유닛(200)이 통과하도록 함으로써, 플라즈마 표면처리가 이루어지도록 할 수 있다.
도 12는 본 발명의 상압플라즈마발생장치에 적용된 거치용지그와 이송컨베이어의 변형 실시예를 도시한 개략도로서, 동 도면에서 보는 바와 같이 거치용지그(115)를 이송컨베이어(120)에 일체형으로 결합할 수도 있다.
즉, 이송컨베이어(120)에 거치용지그(115)를 일체형으로 형성할 경우, 별도의 피처리물 수용선반(114)를 구비하거나, 상기 피처리물 수용선반(114)에 임플란트 유닛(200)을 거치시키거나 이를 이송컨베이어(120)에 탑재시키는 일련의 공정을 생략하는 것이 가능해지게 된다.
앞서 살펴본 바와 같은 본 발명은 임플란트 유닛(200)을 플라즈마발생장치(100)에 투입시켜 플라즈마 표면처리하게 되는데, 이와 같은 플라즈마 표면처리는 임플란트 유닛(200)의 표면을 개질시켜 친수성이 향상되도록 하는 것과 더불어 플라즈마 표면처리 과정에서 멸균이 이루어져 별도의 멸균과정을 거치지 않아도 되는 이점을 갖는다.
물론, 임플란트 유닛(200)의 플라즈마 표면처리 전/후에 멸균처리부(미도시)에투입시켜 보다 강화된 멸균처리가 이루어지도록 할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법의 다양한 실시예를 설명한다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 피처리물 수용선반에 임플란트 유닛이 탑재되는 단계(s111)와, 상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계(s112)와, 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계(s113)를 포함하게 된다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 상기 제1실시예의 플라즈마발생장치는 진공챔버를 갖는 진공플라즈마발생장치로서, 상기 진공챔버 내에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 투입되는 단계(s121)와, 상기 진공챔버 내부를 감압시키는 단계(s122)와, 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계(s123)와, 상기 진공챔버 내부의 진공압을 해제한 후, 임플란트 유닛을 취출하는 단계(s124)를 더 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 상기 제1실시예의 플라즈마발생장치는 피처리물 이송컨베이어를 갖는 상압 플라즈마발생장치로서, 상기 피처리물 이송컨베이어 상에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 탑재되는 단계(s131)와, 상기 피처리물 이송컨베이어에 탑재된 피처리물 수용선반이 플라즈마 발생부를 통과하면서, 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계(s132)와, 상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하는 단계(s133)를 더 포함할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 피처리물용 수용선반에 임플란트 유닛이 탑재되는 단계(s211)와, 상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계(s212)와, 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계(s213)와, 상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하여 멸균처리하는 단계(s214)와, 상기 멸균처리된 상태의 임플란트 유닛을 밀봉포장하는 단계(s215)를 포함한다.
도 7은 본 발명의 제5실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 상기 제4실시예의 플라즈마발생장치는 진공챔버를 갖는 진공플라즈마발생장치로서, 상기 진공챔버 내에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 투입되는 단계(s221)와, 상기 진공챔버 내부를 감압시키는 단계(s222)와, 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계(s223)와, 상기 진공챔버 내부의 진공압을 해제한 후, 임플란트 유닛을 취출하는 단계(s224)를 더 포함할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제6실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 상기 제4실시예의 플라즈마발생장치는 피처리물 이송컨베이어를 갖는 상압 플라즈마발생장치로서, 상기 피처리물 이송컨베이어 상에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 탑재되는 단계(s231)와, 상기 피처리물 이송컨베이어에 탑재된 피처리물 수용선반이 플라즈마 발생부를 통과하면서, 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계(s232)와, 상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하는 단계(s233)를 더 포함할 수 있다.
상기한 구성에 따른 본 발명은 임플란트 유닛을 플라즈마 표면처리 함으로써, 표면을 개질시켜 친수성을 향상시키게 되며, 친수성이 향상됨에 따라 혈액 및 단백질을 끌어당겨 빠른 골융합을 유도하게 되는 이점이 있고, 이와 같은 본 발명의 임플란트 유닛은 인체의 면역반응에 따른 부작용이 없고, 인공치아의 식립 후 시술 부위가 빠르게 회복됨에 따라 치유기간의 단축이 가능하고, 시술자의 고통과 불편함을 최소화 하는 것은 물론, 골조직의 융합이 치밀하기 때문에 인공치아의 사용수명을 오랫동안 유지할 수 있게 된다. 또한, 본 발명은 플라즈마 표면처리 과정에서 멸균이 이루어져 별도의 멸균과정을 거치지 않아도 되는 이점을 갖는다.
이상, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 발명청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 수 있다.

Claims (19)

  1. 피처리물 수용선반에 임플란트 유닛이 탑재되는 단계;
    상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계; 및
    상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마발생장치는 진공챔버를 갖는 진공플라즈마발생장치로서,
    상기 진공챔버 내에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 투입되는 단계;
    상기 진공챔버 내부를 감압시키는 단계;
    상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계; 및
    상기 진공챔버 내부의 진공압을 해제한 후, 임플란트 유닛을 취출하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마발생장치는 피처리물 이송컨베이어를 갖는 상압 플라즈마발생장치로서,
    상기 피처리물 이송컨베이어 상에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 탑재되는 단계;
    상기 피처리물 이송컨베이어에 탑재된 피처리물 수용선반이 플라즈마 발생부를 통과하면서, 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계; 및
    상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 임플란트 유닛은 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 아노다이징 처리된 티타늄 및 HYDROXYAPATITE(HA) 코팅된 티타늄중 어느 한 물질을 포함한 재질인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법.
  5. 제 1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 제조방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛.
  6. 피처리물용 수용선반에 임플란트 유닛이 탑재되는 단계;
    상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계;
    상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계; 및
    상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하여 멸균처리하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법.
  7. 임플란트 유닛을 멸균처리하는 단계;
    상기 멸균처리된 임플란트 유닛이 피처리물용 수용선반에 탑재되는 단계;
    상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계; 및
    상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법.
  8. 제6항 또는 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마발생장치는 진공챔버를 갖는 진공플라즈마발생장치로서,
    상기 진공챔버 내에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 투입되는 단계;
    상기 진공챔버 내부를 감압시키는 단계;
    상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계; 및
    상기 진공챔버 내부의 진공압을 해제한 후, 임플란트 유닛을 취출하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법.
  9. 제6항 또는 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마발생장치는 피처리물 이송컨베이어를 갖는 상압 플라즈마발생장치로서,
    상기 피처리물 이송컨베이어 상에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 탑재되는 단계;
    상기 피처리물 이송컨베이어에 탑재된 피처리물 수용선반이 플라즈마 발생부를 통과하면서, 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계; 및
    상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법.
  10. 제 6항 또는 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 임플란트 유닛은 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 아노다이징 처리된 티타늄 및 HYDROXYAPATITE(HA) 코팅된 티타늄중 어느 한 물질을 포함한 재질인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법.
  11. 제 6항 또는 7항 중 어느 한 항의 제조방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛.
  12. 임플란트 유닛을 수용하는 피처리물용 수용선반;
    상기 수용선반 상에 임플란트 유닛을 거치하는 거치용 지그; 및
    상기 수용선반이 투입되어 임플란트 유닛이 플라즈마 표면처리되는 플라즈마발생장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 플라즈마발생장치는 진공챔버가 구비되는 진공플라즈마발생장치인 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 플라즈마발생장치는 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 피처리물 이송컨베이어에 탑재된 상태로 플라즈마 발생부를 통과하도록 된 상압 플라즈마발생장치 인 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치.
  15. 제12항 내지 14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마발생장치는, 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하여 멸균처리하는 멸균처리부와, 상기 멸균처리된 상태의 임플란트 유닛을 밀봉포장하는 포장장부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치.
  16. 제12항 내지 14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거치용 지그(115)는 수용선반(114) 상에 임플란트 유닛(200)을 수평방향으로 공중에 띄운 상태에서 양측단을 핀 접촉 지지하는 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 거치용 지그(115)를 탄성을 갖는 재질로 제작하는 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치.
  18. 제12항 내지 14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거치용 지그(115)는 수용선반(114)의 상면에 수직방향으로 세워지는 핀 형상으로 제작되어 공중에 띄워진 상태에서 임플란트 유닛(200)의 하단이 지지되도록 하는 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 거치용지그(115)를 이송컨베이어(120)에 일체형으로 결합하는 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치.
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