KR101252767B1 - 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법 및 그 방법으로 제조된 임플란트 유닛 및 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법은 피처리물 수용선반에 임플란트 유닛이 탑재되는 단계; 상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계; 및 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계;를 포함하고, 본 발명의 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치는 임플란트 유닛을 수용하는 피처리물용 수용선반; 상기 수용선반 상에 임플란트 유닛을 거치하는 거치용 지그; 및 상기 수용선반이 투입되어 임플란트 유닛이 플라즈마 표면처리되는 플라즈마발생장치;를 포함한다.
상기한 구성에 따른 본 발명은 임플란트 유닛을 플라즈마 표면처리 함으로써, 표면을 개질시켜 친수성을 향상시키게 되며, 친수성이 향상됨에 따라 혈액 및 단백질을 끌어당겨 빠른 골융합을 유도하게 되는 효과를 갖는다.

Description

플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법 및 그 방법으로 제조된 임플란트 유닛 및 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치{A Method of surface treatment for dental implant}

본 발명은 임플란트 유닛에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 임플란트 유닛의 표면을 플라즈마 표면처리를 통해 친수성을 향상시켜 혈액 및 단백질을 끌어당겨 빠른 골융합을 유도함으로써, 인체의 면역반응에 따른 부작용이 없고, 인공치아의 식립 후 시술 부위가 빠르게 회복됨에 따라 치유기간의 단축이 가능하고, 시술자의 고통과 불편함을 최소화 하는 것은 물론, 골조직의 융합이 치밀하기 때문에 인공치아의 사용수명을 오랫동안 유지되도록 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법 및 그 방법으로 제조된 임플란트 유닛 및 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치에 관한 것이다.

일반적으로 인공치아는 사람의 자연치아와 외형 및 기능면에서 거의 동일한 상태가 되도록 인위적으로 만들어낸 치아로서, 이러한 인공치아는 여러 가지 요인에 의해 자연치아가 결손 되었을 경우 이를 대체하는 용도로 사용된다.

근래에는 상기한 인공치아를 치조골에 직접 매식하는 시술방법이 널리 이용되고 있는데, 이와 같이 인공치아를 치조골에 매식하는 시술방법은 주변의 다른 자연 치아에 손상을 주지 않으면서도, 매식이 완료된 후에는 자연치아와 구별하기 어려울 정도로 외형과 기능이 뛰어나고, 수명도 관리 상태에 따라서는 반영구적이어서 대중적으로 이용되고 있다. 이러한 인공치아를 치조골에 매식하기 위한 구조체로서는 도1, 2에서 도시된 바와 같은 임플란트 유닛이 사용되고 있다.

도 1은 종래의 임플란트 유닛을 도시한 분해사시도이고, 도 2는 종래의 임플란트 유닛의 내부구조를 도시한 결합단면도로서, 동 도면에서 보여지는 바와 같은 종래의 임플란트 유닛은 크게 픽스처(fixture,10), 어뷰트먼트(abutment,20) 및 스크류(screw,30)로 구성되고 있다.

상기 픽스처(10)는 치조골(턱뼈)에 직접 매식되어 일종의 기둥역할을 수행하는 것으로서, 몸체의 외경면에는 치조골 내부로 나사 결합되기 위한 나사산(11)이 형성되고, 그 상단에는 육각형의 헤드(13)가 형성되며, 상기 헤드(13)의 중심 내측으로 체결공(15)이 수직방향으로 형성된다.

이때, 상기 픽스처(10) 상단의 체결공(15)에는 스크류(30)가 어뷰트먼트(20)를 픽스처(10)에 고정시키는 형태로 체결된다.

다음, 상기 어뷰트먼트(20)는 인공치아가 장착되기 위한 지지체로서의 역할을 수행하게 되는데, 하단에는 상기 픽스처(10)의 육각형 헤드(13)와 대향 정합되는 육각형의 안내홈(21)을 형성하고, 상단에는 스크류(30)가 축 관통될 수 있도록 안내하는 중공홀(23)이 형성된다.

그리고, 상기 스크류(30)는 상단 헤드에 일자 또는 십자형의 드라이버 자리홈을 형성하거나 육각형의 렌치 자리홈이 형성된다.

상기한 구조의 임플란트 유닛이 매식되는 과정에 대해 설명하면, 픽스처(10)를 치조골(턱뼈) 내에 나사 결합한 후, 상기 픽스처(10)의 상부에 어뷰트먼트(20)를 위치시키도록 한다.

다음, 상기 어뷰트먼트(20)의 중공홀(23) 내부로 스크류(30)를 관통시켜, 스크류(30)의 나사산이 픽스처(10)의 체결공(15)에 체결되도록 함으로써, 픽스처(10)와 어뷰트먼트(20)의 분리가 방지된다.

이와 같은 방법으로 픽스처(10), 어뷰트먼트(20) 및 스크류(30)로 구성된 임플란트를 치조골에 고정시키고 나면 상기 어뷰트먼트(20)에 인공치아를 씌워서 결합함으로써, 환자의 손상된 영구치를 인공치아로 매식하게 되는 것이다.

이와 같은 임플란트 유닛의 주재료로는 고강도 재질인 티타늄(Ti)및 티타늄 합금 재질이 사용되고 있다.

그러나, 티타늄 표면은 소수성(hydrophobic)을 갖는 것으로서, 수분을 밀어내는 성질로 인해 인공치아의 식립 후에 혈액 및 단백질을 포함하는 골조직(치조골)이 융합되는 것을 더디게 하거나, 인체의 면역반응에 의해 염증을 유발하게 되는 문제가 있었다.

이와 같은 종래기술의 임플란트 유닛은 인공치아의 식립 후 치유과정이 오래 걸리는 것은 물론, 골조직의 융합이 치밀하지 못해 식립된 인공치아의 수명이 단축되는 문제점이 있었다.

따라서, 골융합에 유리한 친수성(hydrophilic)을 갖는 임플란트 유닛의 개발이시급히 요구되고 있다.

상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 목적은, 임플란트 유닛을 플라즈마 표면처리 함으로써, 표면을 개질시켜 친수성을 향상시키도록 하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 친수성을 향상시켜 혈액 및 단백질을 끌어당겨 빠른 골융합을 유도함으로써, 인체의 면역반응에 따른 부작용이 없고, 인공치아의 식립 후 시술 부위가 빠르게 회복됨에 따라 치유기간의 단축이 가능하고, 시술자의 고통과 불편함을 최소화 하는 것은 물론, 골조직의 융합이 치밀하기 때문에 인공치아의 사용수명을 오랫동안 유지되도록 하는데 있다.

상기와 같은 본 발명의 목적은 피처리물 수용선반에 임플란트 유닛이 탑재되는 단계; 상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계; 및 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계;를 포함하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 통해 달성될 수 있다.

여기서, 상기 플라즈마발생장치는 진공챔버를 갖는 진공플라즈마발생장치로서, 상기 진공챔버 내에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 투입되는 단계; 상기 진공챔버 내부를 감압시키는 단계; 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계; 및 상기 진공챔버 내부의 진공압을 해제한 후, 임플란트 유닛을 취출하는 단계;를 더 포함할 수 있다.

그리고, 상기 플라즈마발생장치는 피처리물 이송컨베이어를 갖는 상압 플라즈마발생장치로서, 상기 피처리물 이송컨베이어 상에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 탑재되는 단계; 상기 피처리물 이송컨베이어에 탑재된 피처리물 수용선반이 플라즈마 발생부를 통과하면서, 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계; 및 상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하는 단계;를 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 목적은, 피처리물용 수용선반에 임플란트 유닛이 탑재되는 단계; 상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계; 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계; 상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하여 멸균처리하는 단계; 및 상기 멸균처리된 상태의 임플란트 유닛을 밀봉포장하는 단계;를 포함하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 통해 달성될 수 있다.

여기서, 상기 플라즈마발생장치는 진공챔버를 갖는 진공플라즈마발생장치로서, 상기 진공챔버 내에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 투입되는 단계; 상기 진공챔버 내부를 감압시키는 단계; 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계; 및 상기 진공챔버 내부의 진공압을 해제한 후, 임플란트 유닛을 취출하는 단계;를 더 포함할 수 있다.

그리고, 상기 플라즈마발생장치는 피처리물 이송컨베이어를 갖는 상압 플라즈마발생장치로서, 상기 피처리물 이송컨베이어 상에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 탑재되는 단계; 상기 피처리물 이송컨베이어에 탑재된 피처리물 수용선반이 플라즈마 발생부를 통과하면서, 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계; 및 상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하는 단계;를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 임플란트 유닛은 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 아노다이징 처리된 티타늄 및 HYDROXYAPATITE(HA) 코팅된 티타늄중 어느 한 물질을 포함한 재질로 이루어질 수 있다.

그리고, 본 발명의 목적은 임플란트 유닛을 수용하는 피처리물용 수용선반; 상기 수용선반 상에 임플란트 유닛을 거치하는 거치용 지그; 및 상기 수용선반이 투입되어 임플란트 유닛이 플라즈마 표면처리되는 플라즈마발생장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치를 통해 달성될 수 있다.

여기서, 상기 플라즈마발생장치는 진공챔버가 구비되는 진공플라즈마발생장치일수 있다.

또한, 상기 플라즈마발생장치는 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 피처리물 이송컨베이어에 탑재된 상태로 플라즈마 발생부를 통과하도록 된 상압 플라즈마발생장치일 수 있다.

그리고, 상기 플라즈마발생장치는, 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하여 멸균처리하는 멸균처리부와, 상기 멸균처리된 상태의 임플란트 유닛을 밀봉포장하는 포장장부가 더 구비되도록 할 수 있다.

상기한 구성에 따른 본 발명에 따르면, 임플란트 유닛을 플라즈마 표면처리 함으로써, 표면을 개질시켜 친수성을 향상시키게 되며, 친수성이 향상됨에 따라 혈액 및 단백질을 끌어당겨 빠른 골융합을 유도하게 되는 효과를 갖는다.

이와 같은 본 발명의 임플란트 유닛은 인체의 면역반응에 따른 부작용이 없고, 인공치아의 식립 후 시술 부위가 빠르게 회복됨에 따라 치유기간의 단축이 가능하고, 시술자의 고통과 불편함을 최소화 하는 것은 물론, 골조직의 융합이 치밀하기 때문에 인공치아의 사용수명을 오랫동안 유지하게 되는 효과를 갖는다.

본 발명은 플라즈마 표면처리 과정에서 멸균이 이루어져 별도의 멸균과정을 거치지 않아도 되는 효과를 갖는다.

도 1은 종래의 임플란트 유닛을 도시한 분해사시도.
도 2는 종래의 임플란트 유닛을 내부구조를 도시한 결합단면도.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 7은 본 발명의 제5실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 8은 본 발명의 제6실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 9는 본 발명에 따른 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치를 도시한 개략도.
도 10은 본 발명에 따른 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치의 거치용지그의 변형 실시예를 도시한 개략도.
도 11은 본 발명의 상압플라즈마발생장치가 적용된 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치의 실시 예를 도시한 개략도.
도 12는 본 발명의 상압플라즈마발생장치에 적용된 거치용지그와 이송컨베이어의 변형 실시예를 도시한 개략도.
도 13은 본 발명의 상압플라즈마발생장치가 적용된 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치의 다른 실시 예를 도시한 개략도.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

도 9는 본 발명에 따른 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치를 도시한 개략도로서, 동 도면에서 보는 바와 같은 본 발명의 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치는 임플란트 유닛(200)을 수용하는 피처리물용 수용선반(114)가 구비되고, 상기 수용선반(114) 상에 임플란트 유닛(200)을 거치하는 거치용 지그(115)가 형성되며, 상기 임플란트 유닛(200)이 수용된 상기 수용선반(114)은 플라즈마발생장치(100)에 투입되어 플라즈마 표면처리 되는 구조로 이루어져 있다.

이때, 상기 임플란트 유닛(200)은 치조골에 직접 이식되는 구조물인 픽스처(fixture)로서, 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 아노다이징 처리된 티타늄 및 HYDROXYAPATITE(HA) (Hydroxy Apatite)코팅된 티타늄 중 어느 한 물질을 포함한 재질로 제작될 수 있다.

그리고, 상기 거치용 지그(115)는 수용선반(114) 상에 임플란트 유닛(200)을 거치하는 구조를 갖게 되는데, 도 9에서 보는 바와 같이 임플란트 유닛(200)을 수평방향으로 공중에 띄운 상태에서 양측단을 핀 접촉 지지되도록 하는 구조가 이용될 수 있다.

이때, 상기 거치용 지그(115)를 탄성을 갖는 재질로 제작함으로써, 임플란트 유닛(200)을 양측방향에서 탄성 가압지지되도록 할 수 있다.

또한, 상기 거치용 지그(115)는 도 10에서 보는 바와 같이 수용선반(114)의 상면에 수직방향으로 세워지는 핀 형상으로 제작되어 공중에 띄워진 상태에서 임플란트 유닛(200)의 하단이 지지되도록 할 수도 있다.

상기한 바와 같은 구성을 갖는 본 발명은 임플란트 유닛(200)을 플라즈마 표면처리되도록 함으로써, 임플란트 유닛(200)의 표면 개질이 이루어져 친수성(hydrophilic)을 갖도록 하는데 중요한 특징을 갖는 것이다.

여기서, 친수성이라 함은 표면이 물을 좋아한다는 의미로서, 임플란트 유닛(200)의 경우 인공치아의 식립 후 골 유착 과정을 촉진 시키는 역할을 하게 된다.

즉, 친수성을 갖는 임플란트 유닛(200)은 혈액 및 단백질을 끌어당겨 골세포 부착이 증가되도록 하는 것이다.

플라즈마 내의 높은 전자온도에 의한 활발한 화학적 성질은 극한의 환경을 제공하여 금속이나 고분자의 표면의 성질을 바꾸어 본체와는 다른 물리적, 화학적 성질을 갖도록 할 수 있는데, 이를 통해 임플란트 유닛(200)의 표면을 개질시켜 친수성을 갖도록 할 수 있는 것이다.

상기한 바와 같은 본 발명의 플라즈마발생장치(100)의 작동 원리에 대해 간략히 설명하면 다음과 같다.

우선 플라즈마 유도를 위해 챔버(110) 내에 하부전극(113)과 상부전극(112)이 구비된다. 상기 하부전극(113)과 상부전극(112) 사이에 플라즈마 전압(V)을 인가하게 되는데, 이로써, 에너지를 전달받은 이온들이 가속화 유도된다.

상기 챔버(110)에는 한 개 이상의 작동기체 유입구(111)가 결합되어 플라즈마 분위기를 형성하기 위한 작동기체가 공급되는 통로 역할을 할 수 있다. 작동기체 유입구(111)를 통하여 챔버(110)에 유입되는 기체는 아르곤(Ar), 헬륨(He)과 같은 비활성 기체를 사용함으로써, 플라즈마 방전을 용이하게 할 수 있다.

별도의 진공 시스템(미도시)이 챔버(110)의 내부와 연결될 수 있다.

상기 하부전극(113) 상부에는 임플란트 유닛(200)을 수용하는 피처리물 수용선반(114)이 착탈 가능하게 설치되도록 한다.

이때, 상기 피처리물 수용선반(114)은 일정한 형상에 국한되지 않으며, 경우에 따라 다양한 형상으로 하부전극(113)에 결합될 수 있다. 더 나아가, 피처리물 수용선반(114)은 임플란트 유닛(200)의 표면처리 공정의 효율성을 높이기 위해, 다수의 임플란트 유닛(200)을 고정시킬 수 있도록 피처리물 수용선반(114) 상에 다수의 거치용 지그(115)를 설치할 수 있다.

또한, 피처리물 수용선반(114)은 임플란트 유닛(200)의 표면이 균일하게 표면처리 되도록 임플란트 유닛(200)을 3차원적으로 회전시킬 수 있게 설치될 수도 있다.

상기 하부전극(113)과 상부전극(112) 사이에 플라즈마 전압(V)을 인가하게 되면, 챔버(110)로 유입되는 비활성 기체 내에 포함된 이온들은 하부전극(113)과 상부전극(112) 사이에 인가된 플라즈마 전압(V)에 의하여 플라즈마 이온화 되어 하부전극(113) 또는 상부전극(112) 방향을 향해 가속된다.

이때, 가속되는 플라즈마 이온들은 비활성 기체 입자들과 충돌하면서 비활성기체 입자들이 전자를 방출시키고 플라즈마 이온 상태를 유도하게 된다.

또한, 플라즈마 이온과 비활성 기체 입자의 충돌과정에서 비활성 기체 입자로부터 방출된 전자는 주위의 입자들과 충돌을 일으켜 플라즈마를 유도할 수 있다.

한편, 플라즈마 이온들과 비활성 기체 입자들과의 충돌이 연속적으로 일어나면서, 비활성 기체의 이온들은 피처리물 수용선반(114)에 고정된 임플란트 유닛(200)의 표면에 충돌함으로써, 표면처리가 이루어지게 된다.

이때, 플라즈마 전압(V)의 크기를 조절함으로써, 피처리물 수용선반(114)에 고정된 임플란트 유닛(200)의 표면처리의 강도를 조절할 수 있다.

도 11은 본 발명의 상압플라즈마발생장치가 적용된 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치의 실시 예를 도시한 개략도로서, 동 도면에서 보는 바와 같은 본 발명의 플라즈마발생장치(100)는 진공챔버를 사용하지 않고 대기중에 노출된 형태로 제공되는 상압플라즈마발생장치가 이용될 수 있다. 이때, 상압플라즈마발생장치의 원리는 널리 주지된 공지의 기술로서, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.

상기한 바와 같은 본 발명은 임플란트 유닛(200)이 수용된 피처리물 수용선반(114)이 피처리물 이송컨베이어(120)에 탑재된 상태로 플라즈마 발생부(130)를 통과함으로써, 임플란트 유닛(200)이 플라즈마 표면처리되도록 하는 것이다.

상기한 바와 같은 구조의 이송컨베이어(120)를 이용하는 경우, 임플란트 유닛(200)의 대량 표면처리가 가능하게 된다.

이때, 플라즈마발생장치(100)는 피처리물 즉, 임플란트 유닛(200)의 수직방향에 위치하거나, 도 13에서와 같이 임플란트 유닛(200)의 수평방향에 배치되도록 할 수 있다.

도 13은 본 발명의 상압플라즈마발생장치가 적용된 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치의 다른 실시 예를 도시한 개략도로서, 동 도면에서 보는 바와 같이 이송컨베이어(120)의 좌우 양측에 플라즈마발생장치(100)를 설치하고, 그 사이를 임플란트 유닛(200)이 통과하도록 함으로써, 플라즈마 표면처리가 이루어지도록 할 수 있다.

도 12는 본 발명의 상압플라즈마발생장치에 적용된 거치용지그와 이송컨베이어의 변형 실시예를 도시한 개략도로서, 동 도면에서 보는 바와 같이 거치용지그(115)를 이송컨베이어(120)에 일체형으로 결합할 수도 있다.

즉, 이송컨베이어(120)에 거치용지그(115)를 일체형으로 형성할 경우, 별도의 피처리물 수용선반(114)를 구비하거나, 상기 피처리물 수용선반(114)에 임플란트 유닛(200)을 거치시키거나 이를 이송컨베이어(120)에 탑재시키는 일련의 공정을 생략하는 것이 가능해지게 된다.

앞서 살펴본 바와 같은 본 발명은 임플란트 유닛(200)을 플라즈마발생장치(100)에 투입시켜 플라즈마 표면처리하게 되는데, 이와 같은 플라즈마 표면처리는 임플란트 유닛(200)의 표면을 개질시켜 친수성이 향상되도록 하는 것과 더불어 플라즈마 표면처리 과정에서 멸균이 이루어져 별도의 멸균과정을 거치지 않아도 되는 이점을 갖는다.

물론, 임플란트 유닛(200)의 플라즈마 표면처리 전/후에 멸균처리부(미도시)에투입시켜 보다 강화된 멸균처리가 이루어지도록 할 수도 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법의 다양한 실시예를 설명한다.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 피처리물 수용선반에 임플란트 유닛이 탑재되는 단계(s111)와, 상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계(s112)와, 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계(s113)를 포함하게 된다.

도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 상기 제1실시예의 플라즈마발생장치는 진공챔버를 갖는 진공플라즈마발생장치로서, 상기 진공챔버 내에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 투입되는 단계(s121)와, 상기 진공챔버 내부를 감압시키는 단계(s122)와, 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계(s123)와, 상기 진공챔버 내부의 진공압을 해제한 후, 임플란트 유닛을 취출하는 단계(s124)를 더 포함할 수 있다.

도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 상기 제1실시예의 플라즈마발생장치는 피처리물 이송컨베이어를 갖는 상압 플라즈마발생장치로서, 상기 피처리물 이송컨베이어 상에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 탑재되는 단계(s131)와, 상기 피처리물 이송컨베이어에 탑재된 피처리물 수용선반이 플라즈마 발생부를 통과하면서, 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계(s132)와, 상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하는 단계(s133)를 더 포함할 수 있다.

도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 피처리물용 수용선반에 임플란트 유닛이 탑재되는 단계(s211)와, 상기 피처리물 수용선반이 플라즈마발생장치에 투입되는 단계(s212)와, 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되는 단계(s213)와, 상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하여 멸균처리하는 단계(s214)와, 상기 멸균처리된 상태의 임플란트 유닛을 밀봉포장하는 단계(s215)를 포함한다.

도 7은 본 발명의 제5실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 상기 제4실시예의 플라즈마발생장치는 진공챔버를 갖는 진공플라즈마발생장치로서, 상기 진공챔버 내에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 투입되는 단계(s221)와, 상기 진공챔버 내부를 감압시키는 단계(s222)와, 상기 플라즈마발생장치를 작동시켜 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계(s223)와, 상기 진공챔버 내부의 진공압을 해제한 후, 임플란트 유닛을 취출하는 단계(s224)를 더 포함할 수 있다.

도 8은 본 발명의 제6실시예에 따른 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 상기 제4실시예의 플라즈마발생장치는 피처리물 이송컨베이어를 갖는 상압 플라즈마발생장치로서, 상기 피처리물 이송컨베이어 상에 임플란트 유닛이 수용된 피처리물 수용선반이 탑재되는 단계(s231)와, 상기 피처리물 이송컨베이어에 탑재된 피처리물 수용선반이 플라즈마 발생부를 통과하면서, 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계(s232)와, 상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하는 단계(s233)를 더 포함할 수 있다.

상기한 구성에 따른 본 발명은 임플란트 유닛을 플라즈마 표면처리 함으로써, 표면을 개질시켜 친수성을 향상시키게 되며, 친수성이 향상됨에 따라 혈액 및 단백질을 끌어당겨 빠른 골융합을 유도하게 되는 이점이 있고, 이와 같은 본 발명의 임플란트 유닛은 인체의 면역반응에 따른 부작용이 없고, 인공치아의 식립 후 시술 부위가 빠르게 회복됨에 따라 치유기간의 단축이 가능하고, 시술자의 고통과 불편함을 최소화 하는 것은 물론, 골조직의 융합이 치밀하기 때문에 인공치아의 사용수명을 오랫동안 유지할 수 있게 된다. 또한, 본 발명은 플라즈마 표면처리 과정에서 멸균이 이루어져 별도의 멸균과정을 거치지 않아도 되는 이점을 갖는다.

이상, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 발명청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 수 있다.

100: 플라즈마 발생장치
110: 챔버
111: 작동기체 유입구
112: 상부전극
113: 하부전극
114: 피처리물 수용선반
115: 거치용 지그
120: 피처리물 이송컨베이어
130: 플라즈마 발생부
200: 임플란트 유닛

Claims (19)

1. 피처리물 이송컨베이어에 일체형으로 형성된 거치용 지그에, 임플란트 유닛이 수용되는 단계;
   상기 피처리물 이송컨베이어에 일체형으로 형성된 거치용 지그가 상압 플라즈마 발생부를 통과하면서, 상기 임플란트 유닛의 표면이 플라즈마 표면처리되도록 하는 단계; 및
   상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하는 단계;
   를 포함하되,
   상기 임플란트 유닛은 픽스처, 어뷰트먼트, 스크류를 포함하고,
   상기 거치용 지그는 상기 피처리물 이송컨베이어의 표면에 수직방향으로 세워지는 핀 형상으로 복수 개가 형성되며,
   상기 거치용 지그는 상기 이송컨베이어의 동작에 따라 상향 및 하향인 상태에 교대로 놓이게 되고,
   상기 임플란트 유닛은, 핀 형상의 거치용 지그가 상향일 때, 공중에 띄워지고 하단이 지지 된 상태로 수용되며, 플라즈마 표면처리되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법.
   
2. 삭제
3. 삭제
4. 제1항에 있어서,
   상기 임플란트 유닛은 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 아노다이징 처리된 티타늄 및 HYDROXYAPATITE(HA) 코팅된 티타늄중 어느 한 물질을 포함한 재질인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법.
   
5. 삭제
6. 제1항에 있어서,
   상기 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출한 이후에, 취출된 임플란트 유닛을 멸균처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법.
   
7. 제1항에 있어서,
   상기 거치용 지그에, 상기 임플란트 유닛이 수용되기 이전에, 상기 임플란트 유닛을 멸균처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 임플란트 유닛의 표면처리방법.
   
8. 삭제
9. 삭제
10. 삭제
11. 삭제
12. 임플란트 유닛을 수용하는 거치용 지그; 및
    상기 거치용 지그에 수용된 임플란트 유닛의 표면을 플라즈마 처리하는 플라즈마발생장치;
    를 포함하되,
    상기 플라즈마발생장치는 플라즈마 발생부를 통과하는 이송 컨베이어가 구비된 상압 플라즈마발생장치이고,
    상기 임플란트 유닛은 픽스처, 어뷰트먼트, 스크류를 포함하며,
    상기 거치용 지그는 상기 피처리물 이송컨베이어의 표면에 수직방향으로 세워지는 핀 형상으로 복수 개가 형성되고,
    상기 거치용 지그는 상기 이송컨베이어의 동작에 따라 상향 및 하향인 상태에 교대로 놓이게 되며,
    상기 임플란트 유닛은, 핀 형상의 거치용 지그가 상향일 때 공중에 띄워지고 하단이 지지 된 상태로 수용되며, 플라즈마 표면처리되는 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치.
    
13. 삭제
14. 삭제
15. 제12항에 있어서,
    상기 플라즈마발생장치는, 플라즈마 표면처리된 임플란트 유닛을 취출하여 멸균처리하는 멸균처리부와, 상기 멸균처리된 상태의 임플란트 유닛을 밀봉포장하는 포장장부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 임플란트 유닛의 플라즈마 표면처리장치.
    
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