WO2011151998A1 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2011151998A1
WO2011151998A1 PCT/JP2011/002929 JP2011002929W WO2011151998A1 WO 2011151998 A1 WO2011151998 A1 WO 2011151998A1 JP 2011002929 W JP2011002929 W JP 2011002929W WO 2011151998 A1 WO2011151998 A1 WO 2011151998A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
frame portion
frame
emitting element
emitting device
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/002929
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
小屋賢一
池田忠昭
宮脇美智雄
宇辰博喜
Original Assignee
パナソニック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US13/695,752 priority Critical patent/US20130043502A1/en
Application filed by パナソニック株式会社 filed Critical パナソニック株式会社
Priority to JP2012518227A priority patent/JPWO2011151998A1/ja
Publication of WO2011151998A1 publication Critical patent/WO2011151998A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
    • B29C39/02—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C39/10—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. casting around inserts or for coating articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2011/00—Optical elements, e.g. lenses, prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4899—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids
    • H01L2224/48996—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/48997—Reinforcing structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/85951—Forming additional members, e.g. for reinforcing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Definitions

  • the present disclosure relates to a light emitting device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a light emitting device having a package for sealing a light emitting element.
  • the light emitting device not only to protect the light emitting element and the wire connected to the light emitting element, but also to form a lens part for converging or spreading the light from the light emitting element, resin sealing with resin is used. A stop is provided.
  • the following is known as a method for manufacturing a light emitting device provided with such a resin sealing portion (see, for example, Patent Document 1).
  • the light emitter housing member is filled with a liquid sealing resin material.
  • a lens having a convex surface which is a condensing surface molded in advance by a molding die is placed with the convex surface facing the sealing resin material side.
  • the lens is molded in advance with a mold and sealed after resin sealing.
  • the sealing resin is filled in the housing portion, the lens can be molded integrally with the sealing resin if the surface can be filled so as to be convex.
  • a transfer molding method, a screen printing method, or the like is used as a general method for molding the resin sealing portion.
  • a liquid resin is injected
  • the amount of liquid resin to be dropped tends to vary. If the liquid resin is dropped such that the surface of the resin sealing portion is convex or concave in anticipation of surface tension, the liquid resin may overflow to the outside of the housing portion due to variation in the amount of dripping. If the liquid resin overflows, the sealing resin may adhere to the electrode or the like provided on the outside of the housing portion, causing a contact failure, which may impair reliability.
  • the present disclosure makes it possible to realize a highly reliable light-emitting device and a method for manufacturing the same, in which a sealing material for sealing a light-emitting element is filled by a potting method so that the sealing material does not overflow from the housing portion. For the purpose.
  • a light-emitting device of the present disclosure includes a frame portion that surrounds the light-emitting element, and a sealing material that is filled in a region surrounded by the frame portion.
  • a protruding piece wall protruding upward is provided.
  • the illustrated light-emitting device includes a light-emitting element, a package that houses the light-emitting element, and a first sealing material that seals the light-emitting element, and the package includes a base that holds the light-emitting element and the light-emitting element
  • the first sealing material is embedded in a region surrounded by the frame portion, and the frame portion projects upward from the upper end surface of the frame.
  • the first protruding piece wall is provided so as to surround the light emitting element.
  • the example light emitting device is provided with the projecting piece wall on the upper end surface of the frame portion, it is possible to suppress the overflow of the sealing material and realize a highly reliable light emitting device.
  • the first protruding piece wall may be formed so as to extend the outer wall surface of the frame portion.
  • the first projecting piece wall may be a burr formed when a frame portion made of resin is formed.
  • the upper end surface of the frame portion may have a curved shape in which the height of the central portion in the direction connecting the inner wall surface and the outer wall surface of the frame portion is different from the heights of both end portions.
  • the upper surface of the first sealing material may be formed in a convex lens shape.
  • the illustrated light emitting device may further include a lead frame formed integrally with the package, and the light emitting element may be fixed on the main surface of the die pad portion of the lead frame.
  • the illustrated light emitting device is provided on both sides of the light emitting element so as to face each other, rises upward from the main surface of the die pad part, has a height lower than that of the frame part, and both ends are in contact with the inner wall surface of the frame part.
  • the second sealing portion may include a phosphor.
  • An exemplary method for manufacturing a light emitting device includes a step (a) of forming a package in which a lead frame is embedded between a base portion and a frame portion, a step (b) of fixing a light emitting element to a die pad portion of a lead frame, After the step (b), the method includes a step (c) of filling a region surrounded by the frame portion with a first sealing material, and in the step (a), a first forming an outer wall surface of the frame portion The first space surrounded by the molding surface, the second molding surface that forms the inner wall surface of the frame portion, and the third molding surface that forms the upper end surface of the frame portion are the first mold and the second mold.
  • the first parting line between the first mold and the second mold is located along the upper end surface of the frame portion, and is filled with resin in the first space.
  • the first protruding piece wall protruding upward from the upper end surface of the frame portion is formed by generating a burr at the position of the parting line. .
  • the light emitting elements are provided on both sides of the light emitting element so as to face each other, stand upward from the main surface of the die pad portion, and have a height lower than that of the frame portion.
  • the first sealing material is filled, and the second mold forms a space for forming a reflection plate by combining the first part and the second part, and the first part and the second part
  • the second parting line is positioned along the upper end surface of the reflector, and the second parting line protrudes upward from the upper end surface of the reflector by generating burrs at the position of the second parting line.
  • a protruding piece wall may be formed.
  • the light emitting device of the present disclosure can block the overflow of the sealing material by the protruding piece wall, it is possible to realize a highly reliable light emitting device in which the sealing material does not overflow.
  • (A)-(d) shows the light emitting device according to the first embodiment, (a) is a plan view, (b) is a front view, (c) is a bottom view, (d) Is a left side view, and (e) is a right side view. (A) And (b) shows the light-emitting device concerning 1st Embodiment, (a) is a top view, (b) is sectional drawing in the IIb-IIb line
  • the light emitting device 10 As shown in FIGS. 1 and 2, the light emitting device 10 according to the first embodiment is a side view type LED.
  • the light emitting device 10 includes a light emitting element 11, a lead frame 12, a package 13, and a sealing material 14.
  • the height of the light emitting device 10 (from the lower end of the lead frame 12 to the upper end of the package 13) is about 2 mm, the width (the width of the package 13) is about 3 mm, and the thickness (the thickness of the package 13) is about. It is formed to 1 mm.
  • the light emitting element 11 is, for example, a light emitting diode that functions as a point light source formed in a rectangular shape in plan view.
  • the light-emitting element 11 has an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer, and a p-type semiconductor layer sequentially stacked on an insulating substrate.
  • a p-side electrode is formed on the p-type semiconductor layer and is exposed by etching. What is necessary is just to set it as the structure by which the n side electrode was formed on the exposed part of an n-type semiconductor layer.
  • the substrate is die-bonded to the lead frame 12 with the n-side electrode and the p-side electrode facing upward.
  • the lead frame 12 may be a copper alloy plate patterned by laminating plating layers such as nickel or gold.
  • the lead frame 12 is formed of two parts, an anode frame 121 and a cathode frame 122.
  • the anode frame 121 is formed with a first wire bond portion 1211 to which a wire from the light emitting element 11 is bonded.
  • the cathode frame 122 is formed with a die bond part 1221 on which the light emitting element 11 is mounted and a second wire bond part 1222 to which a wire from the light emitting element 11 is bonded.
  • the light emitting element 11 is fixed on the first surface of the die bond portion 1221.
  • the package 13 is integrally formed so as to embed the lead frame 12.
  • the package 13 stands up from the base portion 13B so as to surround the light emitting element 11 and a base portion 13B that holds the lead frame 12 from the second surface side opposite to the first surface to which the light emitting element 11 is fixed. And a provided frame portion 13A.
  • the end portions of the anode frame 121 and the cathode frame 122 each protrude outward from the outer wall surface of the frame portion 13A.
  • the portions of the anode frame 121 and the cathode frame 122 that protrude from the package 13 are bent toward the base portion 13B.
  • the portions bent toward the base portion 13B of the anode frame 121 and the cathode frame 122 are each T-shaped. In the T-shaped portion, one of the end portions extends in the long side direction of the package 13 along the side surface of the base portion 13 ⁇ / b> B, and the other reaches the central portion in the short side direction of the package 13.
  • the recess (housing portion) 131 surrounded by the frame portion 13A in the package 13 is filled with a sealing material 14 made of resin or the like.
  • the sealing material 14 may be formed by filling the recess 131 with a thermosetting or thermoplastic liquid resin by a potting method and then thermosetting.
  • a thermosetting or thermoplastic liquid resin As the liquid resin, a silicon resin, an epoxy resin, a fluorine resin, or the like may be used. Further, the sealing material 14 may contain a phosphor that emits light when excited by light from the light emitting element 11.
  • the light-emitting element 11 is a blue light-emitting diode
  • a phosphor that absorbs blue light and is excited to emit yellow light that is a complementary color the blue light and the yellow light are mixed to obtain white light. Can do.
  • a protruding piece wall 15 protruding upward from the upper end surface 132a is formed on the upper end surface 132a of the frame portion 13A.
  • the projecting piece wall 15 has a height of about 5 ⁇ m to 20 ⁇ m, and is formed along the outer edge of the frame portion 13A in FIG.
  • the protruding piece wall 15 may be formed by a burr formed when the package 13 is formed.
  • the package 13 includes a first mold (lower mold) 21, a second mold (core pin) 22, and a third mold (upper mold) 23 combined with the lead frame 12 interposed therebetween. It forms using.
  • the first mold 21 has a molding surface S1 for molding the outer wall surface 132b of the frame portion 13A.
  • the second mold 22 has a molding surface S2 for molding the inner wall surface 132c of the frame portion 13A and a molding surface S3 for molding the upper end surface 132a.
  • the third mold 23 has a molding surface S5 for molding the outer wall surface of the base portion 13B.
  • the third mold 23 is provided with an inlet 23a for filling with a liquid resin.
  • the first to third molds 21 to 23 combined in this way are clamped with the lead frame 12 interposed therebetween, and the liquid resin is filled into the cavity from the injection port 23a, and then the filled liquid resin is cured.
  • the package 13 is formed.
  • the frame portion 13A is formed of resin filled in the space C1 surrounded by the molding surfaces S1 to S3.
  • the molding surface S1 of the first mold 21 is flat and integrated with the contact surface T1.
  • the contact surface T1 is in contact with the contact surface T2 of the third mold 23, and the contact surface T1 and the contact surface T2 are parting surfaces that are mating surfaces of the molds. Therefore, the parting line is located along the outer edge of the upper end surface 132a of the frame portion 13A.
  • the resin enters the gap A between the contact surface T1 of the first mold 21 and the contact surface T2 of the third mold 23, and the burrs are inserted at the parting line position. Occurs.
  • the protruding piece wall 15 can be formed at the outer end portion of the upper end surface 132a of the frame portion 13A.
  • the formation of the sealing material 14 will be described.
  • the light emitting element 11 is mounted on the die bond portion 1221. Wires are connected to the first wire bond portion 1211 and the second wire bond portion 1222, respectively. Thereafter, the recess 131 is filled with a liquid resin to be the sealing material 14 by a potting method.
  • the amount of the liquid resin is adjusted so that the edge reaches the upper end of the frame portion 13A in anticipation of the interface tension so that the upper surface of the sealing material 14 becomes a concave surface. adjust.
  • the liquid resin may get over the upper end surface 132a of the frame portion 13A and overflow to the outside of the recess 131.
  • the semiconductor device of the present embodiment has a protruding piece wall 15 on the upper end surface 132a of the frame portion 13A.
  • the liquid resin flowing along the upper end surface 132a can be blocked by the protruding piece wall 15 protruding upward from the upper end surface 132a, and the liquid resin can be prevented from overflowing.
  • the upper surface of the sealing material 14 has a convex lens shape, the amount of the liquid resin has to be increased, so that the effect of providing the projecting piece wall 15 is great.
  • the liquid resin R on the upper end surface 132a can flow longer than the flat surface. In this way, the liquid resin R is less likely to reach the protruding piece wall 15 than the case where the upper end surface 132a is a flat surface, and the liquid resin R can be more unlikely to overflow.
  • the upper end surface 132a is concaved by utilizing the shrinkage of the resin, but the upper end surface 132a may be concaved by making the molding surface S3 of the third mold 23 convex.
  • the molding surface S3 of the third mold 23 may be concave, and the upper end surface 132a may be a convex curved surface.
  • the liquid resin R which is a sealing material can be made more difficult to overflow.
  • the projecting piece wall 15 may be formed at the inner end portion.
  • the first mold 21 is provided with a molding surface S3 that forms the upper end surface 132a of the frame portion 13A, and the inner wall surface 132c.
  • the contact surface T1 of the first mold 21 and the contact surface T2 of the second mold 22 may be in contact with each other on the molding surface S2 side that forms the surface. That is, the parting line between the first mold 21 and the second mold 22 may be set along the inner end of the upper end surface 132a.
  • the contact surface T1 of the first mold 21 and the contact surface T2 of the second mold 22 are in contact with each other in the middle of the molding surface S3 forming the upper end surface 132a of the frame portion 13A. If the contour line is provided at the center of the upper end surface 132a, the projecting piece wall 15 can be provided at the center of the upper end surface 132a.
  • FIG. 6 shows a light emitting device according to the second embodiment.
  • the light emitting device 10 ⁇ / b> A of the second embodiment is different from the light emitting device 10 of the first embodiment in that it includes a reflector 16.
  • the reflectors 16 are provided upright from the first surface of the cathode frame 122 on both sides of the light emitting element 11 so as to face each other.
  • the height of the reflecting plate 16 is lower than the frame portion 13A, and the side end portion of the reflecting plate 16 is in contact with the inner wall surface of the frame portion 13A.
  • a concave portion 161 surrounded by the reflecting plate 16 and the frame portion 13A is filled with a sealing material 17 made of a sealing resin containing a phosphor.
  • a concave portion surrounded by the frame portion 13A is filled with a sealing material 14 made of a transparent sealing resin so as to cover the sealing material 17.
  • the wavelength of the emitted light of the light emitting element can be converted and emitted directly upward. it can. For this reason, it becomes possible to use it not as diffused light but as a point light source.
  • the liquid resin containing the phosphor flows outside the recess 161
  • the phosphor overflowing outside the recess 161 is excited by the reflected light from the transparent resin or the like, and light conversion occurs in an unintended place. There is a risk of unevenness.
  • the sealing material 17 overflowing to the outside of the recess 161 may cause peeling, which may induce peeling of the sealing material 14.
  • liquid resin adheres to the first wire bond portion 1211 and the second wire bond portion 1222, and the reliability of the light emitting device may be reduced.
  • a protruding piece wall 18 protruding upward along the outer wall of the reflecting plate 16 is formed on the upper end surface 16 a of the reflecting plate 16. Since the projecting piece walls 18 are provided on the upper end surfaces 16 a of the two reflecting plates 16 so as to face each other, the sealing resin containing the phosphor is formed from the recess 161 when the sealing material 17 is formed. Overflow can be prevented, and the light emission characteristics and reliability of the light emitting device can be improved.
  • the reflector 16 and the package 13 include a first mold (lower mold) 21, a second mold (core pin) 24, and a third mold (upper mold) that are combined with the lead frame 12 interposed therebetween. Mold) 23 is used.
  • the first mold 21 and the second mold 24 form a frame portion 13A having a projecting piece wall 15 as in the first embodiment.
  • the second mold 24 includes a pair of outer core pins 24a and a central core pin 24b sandwiched between the outer core pins 24a.
  • a space (cavity) C2 for forming the reflector 16 is formed by the outer core pin 24a and the central core pin 24b.
  • the projecting wall 18 similar to the projecting wall 15 of the frame portion 13 ⁇ / b> A is formed on the reflector 16. It can be formed on the upper end surface 16a.
  • the position of the parting line is the outer end of the upper end surface 16 a of the reflecting plate 16, but the position of the parting line may be the inner end or the center of the upper end surface 16 a of the reflecting plate 16. .
  • a liquid resin containing a phosphor is filled into the recess 161 formed by the reflector 16 and the frame portion 13A by a potting method. If the filling amount of the liquid resin becomes excessive, the liquid resin filled in the recess 161 may get over the upper end surface 16a of the reflector 16 and the liquid resin may overflow to the outside of the recess 161. However, in this embodiment, even if the filling amount of the liquid resin varies, the liquid resin that flows out beyond the upper end surface 16a of the reflecting plate 16 can be blocked by the protruding piece wall 18.
  • the sealing material 17 After filling the concave portion 161 with the sealing material 17 having a phosphor and curing it, if the transparent sealing material 14 is filled into the concave portion 131, the sealing material 17 and the sealing material 14 are not mixed. Further, the sealing material 14 may contain a phosphor different from that of the sealing material 17.
  • the liquid resin containing the phosphor is filled in the concave portion 161
  • the liquid resin not containing the phosphor may be filled.
  • the projecting piece wall 18 is formed on the outer end portion of the upper end surface 16a, but may be formed on the inner end portion. Moreover, you may form in a center part. Further, the protruding piece wall 15 may also be formed at the inner end portion or the center portion of the frame portion 13A.
  • liquid resin is filled
  • a liquid inorganic material may be filled.
  • the light-emitting device of the present disclosure can realize a highly reliable light-emitting device and a method for manufacturing the same, in which the sealing material does not overflow from the housing portion even when the sealing material for sealing the light-emitting element is filled by a potting method. It is useful as a light-emitting device in which a light-emitting element is sealed in a package, a manufacturing method thereof, and the like.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

　発光装置１０は、発光素子１１と、発光素子１１を収容するパッケージ１３と、発光素子１１を封止する封止材１４とを備えている。パッケージ１３は、発光素子１１を保持する基部１３Ｂ及び発光素子１１を囲むように基部１３Ｂから上方に起立して設けられた枠部１３Ａを有している。封止材１４は、枠部１３Ａに囲まれた領域に埋め込まれている。枠部１３Ａは、その上端面１３２ａから上方に突出し、発光素子１１を囲むように設けられた突片壁１５を有している。

Description

発光装置及びその製造方法
　本開示は、発光装置及びその製造方法に関し、特に、発光素子を封止するパッケージを有する発光装置に関する。
　発光装置には、発光素子や、発光素子に接続されたワイヤを保護するためだけでなく、発光素子からの光を収束させたり広げたりするためのレンズ部を形成するために、樹脂による樹脂封止部が設けられている。
　このような樹脂封止部が設けられた発光装置を製造する方法として、例えば次のようなものが知られている（例えば、特許文献１を参照。）。チップ状の半導体発光素子等を発光体収容部材に収容し、配線等を接続した後、発光体収容部材内に液状の封止樹脂材料を充填する。充填された封止樹脂材料の上に、予め成形型により成形した集光面となる凸面を有するレンズを、凸面を封止樹脂材料側に向けて載せる。封止樹脂材料を加熱等によって硬化させることにより、樹脂封止部の上にレンズが接合された発光装置を実現できる。
特開２００４－２７６３８３号公報
　しかしながら、従来の発光装置では、予めレンズを成形型により成形しておき、樹脂封止した後に接合するため、余分な工程が必要である。封止樹脂を収容部に充填する際に、表面が凸面となるように充填できれば、レンズを封止樹脂と一体に成形することができる。
　樹脂封止部を成形する一般的な方法としては、トランスファー成型法又はスクリーン印刷法等が用いられる。一方、カップ状に形成された反射体又は箱状に形成された筐体等により形成された収容部内に発光素子を配置する場合には、ポッティング法による液状樹脂の充填がよく用いられる。液状樹脂を注入するポッティング法の場合には、滴下する液状樹脂の量にばらつきが生じやすい。表面張力を期待して、樹脂封止部の表面が凸面又は凹面となるように液状樹脂を滴下すると、滴下量のばらつきにより液状樹脂が収容部の外側へ溢れることがある。液状樹脂が溢れると、収容部の外側に設けられた電極等に封止樹脂が付着して接点不良を発生させるおそれがあり、信頼性を損なう原因となる。
　本開示は、発光素子を封止するための封止材をポッティング法により充填する場合にも収容部から封止材が溢れ出しにくく信頼性が高い発光装置及びその製造方法を実現できるようにすることを目的とする。
　前記の目的を達成するため、本開示の発光装置は、発光素子を囲む枠部と、枠部に囲まれた領域に充填された封止材とを備え、枠部の上端面には、その上方に突出した突片壁が設けられている構成とする。
　具体的に、例示の発光装置は、発光素子と、発光素子を収容するパッケージと、発光素子を封止する第１の封止材とを備え、パッケージは、発光素子を保持する基部及び発光素子を囲むように基部から上方に起立して設けられた枠部を有し、第１の封止材は、枠部に囲まれた領域に埋め込まれ、枠部は、その上端面から上方に突出し、発光素子を囲むように設けられた第１の突片壁を有している。
　例示の発光装置は、枠部の上端面に突片壁が設けられているため、封止材の溢れ出しを抑え、信頼性が高い発光装置を実現できる。
　例示の発光装置において、第１の突片壁は、枠部の外壁面を延長するように形成されていてもよい。
　例示の発光装置において、第１の突片壁は、樹脂からなる枠部を成形する際にできたバリとすればよい。
　例示の発光装置において、枠部の上端面は、枠部の内壁面と外壁面とを結ぶ方向の中央部の高さが、両端部の高さと異なる曲面状としてもよい。
　例示の発光装置において、第１の封止材は、上面が凸レンズ状に形成されていてもよい。
　例示の発光装置は、パッケージと一体に形成されたリードフレームをさらに備え、発光素子は、リードフレームのダイパッド部の主面上に固定されていてもよい。
　例示の発光装置は、発光素子の両側方に互いに対向して設けられ、ダイパッド部の主面から上方に起立し、高さが枠部よりも低く、両端部が枠部の内壁面と接する反射板と、反射板及び枠部の内壁面に囲まれた領域に充填された第２の封止部とをさらに備え、反射板は、その上端面から上方に突出した第２の突片壁を有し、第２の封止部は蛍光体を含んでいてもよい。
　例示の発光装置の製造方法は、基部と枠部との間にリードフレームが埋め込まれたパッケージを形成する工程(ａ)と、リードフレームのダイパッド部に発光素子を固定する工程（ｂ）と、工程（ｂ）よりも後に、枠部に囲まれた領域に第１の封止材を充填する工程（ｃ）とを備え、工程(ａ)では、枠部の外壁面を形成する第１の成形面、枠部の内壁面を形成する第２の成型面及び枠部の上端面を形成する第３の成型面に囲まれた第１の空間を第１の金型及び第２の金型の組み合わせにより形成し、第１の空間に樹脂を充填し、第１の金型と第２の金型との第１のパーティングラインは、枠部の上端面に沿って位置し、第１のパーティングラインの位置にバリを発生させることにより、枠部の上端面から上方に突出する第１の突片壁を形成する。
　例示の発光装置の製造方法において、工程(ａ)では、発光素子の両側方に互いに対向して設けられ、ダイパッド部の主面から上方に起立し、高さが枠部よりも低く、両端部が枠部の内壁面と接する反射板を枠部と共に形成し、工程（ｃ）では、反射板及び枠部の内壁面に囲まれた領域に蛍光体を含む第２の封止材を充填した後、第１の封止材を充填し、第２の金型は、第１の部分及び第２の部分の組み合わせにより反射板を形成する空間を形成し、第１の部分と第２の部分との第２のパーティングラインは、反射板の上端面に沿って位置し、第２のパーティングラインの位置にバリを発生させることにより、反射板の上端面から上方に突出する第２の突片壁を形成してもよい。
　本開示の発光装置は、突片壁により、封止材の溢れ出しを堰き止めることができるので、封止材が溢れ出しにくく信頼性が高い発光装置を実現できる。
（ａ）～（ｄ）は第１の実施形態に係る発光装置を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は底面図であり、（ｄ）は左側面図であり、（ｅ）は右側面図である。 （ａ）及び（ｂ）は第１の実施形態に係る発光装置を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のIIｂ－IIｂ線における断面図である。 第１の実施形態に係る発光装置の製造に用いる金型の一例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る発光装置の枠部の上端部を拡大して示す断面図である。 第１の実施形態に係る発光装置の製造に用いる金型の変形例を示す断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は第２の実施形態に係る発光装置を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のVIｂ－VIｂ線における断面図である。 第７の実施形態に係る発光装置の製造に用いる金型の一例を示す断面図である。
　（第１の実施形態）
　図１及び図２に示すように、第１の実施形態に係る発光装置１０は、サイドビュータイプのＬＥＤである。発光装置１０は、発光素子１１と、リードフレーム１２と、パッケージ１３と、封止材１４とを備えている。
　本実施形態では、発光装置１０の高さ（リードフレーム１２の下端からパッケージ１３の上端まで）が約２ｍｍであり、幅（パッケージ１３の幅）が約３ｍｍ、厚み（パッケージ１３の厚み）が約１ｍｍに形成されている。
　発光素子１１は、例えば、平面視において長方形状に形成された点光源として機能する発光ダイオードである。発光素子１１は、絶縁性基板の上に順次積層されたｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を有し、ｐ型半導体層の上にｐ側電極が形成され、エッチングにより露出させたｎ型半導体層の露出部分の上にｎ側電極が形成された構成とすればよい。発光素子１１は、ｎ側電極及びｐ側電極を上方にして、基板がリードフレーム１２にダイボンドされている。
　リードフレーム１２は、ニッケル又は金等のめっき層を積層してパターニングした銅合金板とすればよい。リードフレーム１２は、アノードフレーム１２１とカソードフレーム１２２との２つから形成されている。アノードフレーム１２１には、発光素子１１からのワイヤがボンディングされる第１ワイヤボンド部１２１１が形成されている。カソードフレーム１２２には、発光素子１１が搭載されるダイボンド部１２２１と共に、発光素子１１からのワイヤがボンディングされる第２ワイヤボンド部１２２２が形成されている。ダイボンド部１２２１の第１の面の上に発光素子１１が固定されている。
　パッケージ１３は、リードフレーム１２を埋め込むように一体的に形成されている。パッケージ１３は、リードフレーム１２を発光素子１１が固定された第１の面と反対側の第２の面側から保持する基部１３Ｂと、発光素子１１を囲むように基部１３Ｂから上方に起立して設けられた枠部１３Ａとを有している。
　アノードフレーム１２１及びカソードフレーム１２２の端部はそれぞれ、枠部１３Ａの外壁面よりも外側に突出している。アノードフレーム１２１及びカソードフレーム１２２のパッケージ１３から突出した部分はそれぞれ、基部１３Ｂの側へ曲折している。アノードフレーム１２１及びカソードフレーム１２２の基部１３Ｂの側へ曲折した部分はそれぞれ、Ｔ字状となっている。Ｔ字状の部分は、基部１３Ｂの側面に沿って、端部の一方がパッケージ１３の長辺方向へ周り込み、他方がパッケージ１３の短辺方向の中央部に達している。
　パッケージ１３における枠部１３Ａにより囲まれた凹部（収容部）１３１には、樹脂等からなる封止材１４が充填されている。封止材１４は、熱硬化性又は熱可塑性の液状樹脂をポッティング法により凹部１３１に充填した後、熱硬化させて形成すればよい。液状樹脂は、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂又はフッ素系樹脂等を用いればよい。また、封止材１４に、発光素子１１からの光に励起されて発光する蛍光体を含有させてもよい。例えば、発光素子１１が青色発光ダイオードの場合に、青色光を吸収して励起され、補色となる黄色光を発光する蛍光体とすれば、青色光と黄色光とが混色され白色光を得ることができる。
　枠部１３Ａの上端面１３２ａには、上端面１３２ａから上方へ突出した突片壁１５（図１においては図示せず）が形成されている。突片壁１５は５μｍ～２０μｍ程度の高さを有しており、図２においては枠部１３Ａの外縁に沿って形成されている。突片壁１５は、パッケージ１３を成形する際にできるバリにより形成すればよい。
　突片壁１５を形成する方法について図３を用いて説明する。図３に示すように、パッケージ１３は、リードフレーム１２を挟んで組み合わせた第１の金型（下型）２１、第２の金型（コアピン）２２及び第３の金型（上型）２３を用いて形成する。第１の金型２１は、枠部１３Ａの外壁面１３２ｂを成形するための成形面Ｓ１を有する。第２の金型２２は、枠部１３Ａの内壁面１３２ｃを成形するための成形面Ｓ２、上端面１３２ａを成形するための成形面Ｓ３を有する。第３の金型２３は、基部１３Ｂの外壁面を成形するための成形面Ｓ５を有する。第３の金型２３には、液状樹脂を充填するための注入口２３ａが設けられている。
　このように組み合わされた第１～第３の金型２１～２３をリードフレーム１２を挟んで型締めして注入口２３ａからキャビティー内に液状樹脂を充填した後、充填した液状樹脂を硬化させて第１～第３の金型２１～２３を離型すると、パッケージ１３が成形される。成型面Ｓ１～Ｓ３に囲まれた空間Ｃ１に充填された樹脂により枠部１３Ａが形成される。
　第１の金型２１の成形面Ｓ１は平面に形成されており、当接面Ｔ１と一体となっている。当接面Ｔ１には、第３の金型２３の当接面Ｔ２が当接しており、当接面Ｔ１と当接面Ｔ２とは、金型同士の合わせ面であるパーティング面となる。従って、パーティングラインは、枠部１３Ａの上端面１３２ａの外縁に沿って位置する。キャビティー内に液状樹脂を充填すると、第１の金型２１の当接面Ｔ１と第３の金型２３の当接面Ｔ２との隙間Ａに樹脂が侵入し、パーティングラインの位置にバリが生じる。隙間Ａ１を調整することによりバリの高さ及び厚さ等を制御することにより、枠部１３Ａの上端面１３２ａの外端部に突片壁１５を形成することができる。
　次に、封止材１４の形成について説明する。図２に示すように、第１～第３の金型２１～２３を用いてリードフレーム１２と一体的にパッケージ１３を成形した後、発光素子１１をダイボンド部１２２１へ搭載し、発光素子１１から第１ワイヤボンド部１２１１及び第２ワイヤボンド部１２２２へそれぞれワイヤを接続する。この後、封止材１４となる液状樹脂をポッティング法により凹部１３１へ充填する。
　液状樹脂を凹部１３１へ充填する際には、通常は封止材１４の上面が凹面となるように、界面張力を期待して縁部が枠部１３Ａの上端に達するように液状樹脂の量を調整する。しかし、液状樹脂の滴下量のばらつきが大きいため、枠部１３Ａの上端面１３２ａを乗り越えて、液状樹脂が凹部１３１の外側へ溢れ出すおそれがある。本実施形態の半導体装置は、枠部１３Ａの上端面１３２ａに突片壁１５を有している。このため、上端面１３２ａを伝わって流れる液状樹脂を、上端面１３２ａから上方に突出した突片壁１５により阻止することができ、液状樹脂の溢れ出しを防ぐことが可能となる。特に、封止材１４の上面を凸レンズ状とする場合には、液状樹脂の量を多くしなければならないため、突片壁１５を設けることの効果が大きい。
　図４に示すように、枠部１３Ａの上端面１３２ａを内壁面１３２ｃと外壁面１３２ｂとを結ぶ方向の中央部が両端部よりも低い凹状の曲面とすれば、上端面１３２ａ上を液状樹脂Ｒが流動する距離を、平坦面より長くすることができる。このようにすれば、上端面１３２ａが平坦面である場合よりも液状樹脂Ｒが突片壁１５へ達しにくくなり、液状樹脂Ｒをより溢れにくくすることができる。
　なお、本実施形態では、樹脂の収縮を利用して上端面１３２ａを凹状としているが、第３の金型２３の成形面Ｓ３を凸状とすることにより、上端面１３２ａを凹状としてもよい。また、第３の金型２３の成形面Ｓ３を凹状とし、上端面１３２ａを凸状の曲面としてもよい。この場合にも、封止材である液状樹脂Ｒをより溢れにくくすることができる。
　突片壁１５を、枠部１３Ａの外端部に形成する例を示したが、内端部に形成してもよい。突片壁１５を内端部に形成する場合には、例えば、図５に示すように、第１の金型２１に枠部１３Ａの上端面１３２ａを形成する成型面Ｓ３を設け、内壁面１３２ｃを形成する成型面Ｓ２側において第１の金型２１の当接面Ｔ１と第２の金型２２の当接面Ｔ２とが、当接するようにすればよい。つまり、第１の金型２１と第２の金型２２とのパーティングラインが上端面１３２ａの内端に沿うようにすればよい。また、第１の金型２１の当接面Ｔ１と第２の金型２２の当接面Ｔ２とが、枠部１３Ａの上端面１３２ａを形成する成形面Ｓ３の中間において当接するようにし、パーティングラインを上端面１３２ａの中央部に設ければ、上端面１３２ａの中央部に突片壁１５を設けることができる。
　（第２の実施形態）
　図６は、第２の実施形態に係る発光装置を示している。第２の実施形態の発光装置１０Ａは反射板１６を有している点で第１の実施形態の発光装置１０と異なっている。
　図５に示すように、反射板１６は互いに対向するように発光素子１１の両側方にカソードフレーム１２２の第１の面から起立して設けられている。反射板１６の高さは枠部１３Ａよりも低く、反射板１６の側端部は枠部１３Ａの内壁面と接している。反射板１６と枠部１３Ａとに囲まれた凹部１６１には、蛍光体を含有する封止樹脂からなる封止材１７が充填されている。枠部１３Ａに囲まれた凹部には、封止材１７を覆うように、透明な封止樹脂からなる封止材１４が充填されている。
　反射板１６を設け、反射板１６に囲まれた凹部１６１にのみ蛍光体を含有する封止樹脂を充填することにより、発光素子の発光光の波長を変換すると共に、直上方向に出射することができる。このため、拡散光としてではなく、点光源として使用することが可能となる。しかし、凹部１６１の外側へ蛍光体を含有する液状樹脂が流れ出すと、凹部１６１の外側に溢れた蛍光体が透明樹脂等による反射光により励起され、意図しない所において光の変換が生じるため、色ムラが発生するおそれがある。また、凹部１６１の外側に溢れた封止材１７は剥離を起こす可能性があり、封止材１４の剥離を誘発するおそれがある。さらに、第１ワイヤボンド部１２１１及び第２ワイヤボンド部１２２２に液状樹脂が付着し、発光装置の信頼性が低下するおそれがある。
　しかし、本実施形態においては、反射板１６の上端面１６ａの上には、反射板１６の外壁に沿って上方に突出した突片壁１８が形成されている。２つの反射板１６の上端面１６ａのそれぞれに、突片壁１８が互いに対向して設けられているため、封止材１７を形成する際に、蛍光体を含有する封止樹脂が凹部１６１から溢れ出すことを防ぐことができ、発光装置の発光特性及び信頼性を向上させることができる。
　反射板１６及び突片壁１８を形成する方法について図７を用いて説明する。図６に示すように反射板１６及びパッケージ１３は、リードフレーム１２を挟んで組み合わせた第１の金型（下型）２１、第２の金型（コアピン）２４及び第３の金型（上型）２３を用いて形成する。第１の金型２１及び第２の金型２４により第１の実施形態と同様に突片壁１５を有する枠部１３Ａが形成される。また、本実施形態においては、第２の金型２４が、一対の外側コアピン２４ａと、外側コアピン２４ａに挟まれた中央コアピン２４ｂとにより構成されている。外側コアピン２４ａと中央コアピン２４ｂとにより、反射板１６を形成するための空間（キャビティー）Ｃ２が形成されている。外側コアピン２４ａと中央コアピン２４ｂとのパーティングラインが反射板１６の上端面１６ａの上に位置するようにすれば、枠部１３Ａの突片壁１５と同様の突片壁１８を反射板１６の上端面１６ａに形成することができる。図６においては、パーティングラインの位置が反射板１６の上端面１６ａの外端となっているが、パーティングラインの位置を、反射板１６の上端面１６ａの内端又は中央部としてもよい。
　反射板１６と枠部１３Ａとにより形成された凹部１６１内にポッティング法により蛍光体を含有した液状樹脂を充填する。液状樹脂の充填量が過剰となると、凹部１６１に充填した液状樹脂が、反射板１６の上端面１６ａを乗り越えて液状樹脂が凹部１６１の外側に溢れ出すおそれがある。しかし、本実施形態においては液状樹脂の充填量がばらついても、反射板１６の上端面１６ａを超えて外側へ流れ出ようとする液状樹脂を突片壁１８により堰き止めることができる。
　凹部１６１に蛍光体を有する封止材１７を充填し硬化させた後、透明な封止材１４を凹部１３１に充填すれば、封止材１７と封止材１４とが混合することがない。また、封止材１４は、封止材１７と異なる蛍光体を含んでいてもよい。
　凹部１６１に蛍光体を含有する液状樹脂を充填する例を説明したが、発光素子１１の出射光をそのまま利用する場合には、蛍光体を含まない液状樹脂を充填してもよい。
　本実施形態は突片壁１８を上端面１６ａの外端部に形成する例を示したが、内端部に形成してもよい。また、中央部に形成してもよい。また、突片壁１５についても、枠部１３Ａの内端部又は中央部に形成してもよい。
　第１の実施形態及び第２の実施形態において、液状樹脂を充填する例を示したが、液状の無機系材料を充填してもよい。
　本開示の発光装置は、発光素子を封止するための封止材をポッティング法により充填する場合にも収容部から封止材が溢れ出しにくく信頼性が高い発光装置及びその製造方法を実現でき、発光素子がパッケージ内に封止された発光装置及びその製造方法等として有用である。
１０　　　発光装置
１０Ａ　　発光装置
１１　　　発光素子
１２　　　リードフレーム
１３　　　パッケージ
１３Ａ　　枠部
１３Ｂ　　基部
１４　　　封止材
１５　　　突片壁
１６　　　反射板
１６ａ　　上端面
１７　　　封止材
１８　　　突片壁
２１　　　第１の金型
２２　　　第２の金型
２３　　　第３の金型
２３ａ　　注入口
２４　　　第２の金型
２４ａ　　外側コアピン
２４ｂ　　中央コアピン
１２１　　アノードフレーム
１２２　　カソードフレーム
１３１　　凹部
１３２ａ　上端面
１３２ｂ　外壁面
１３２ｃ　内壁面
１６１　　凹部
１２１１　第１ワイヤボンド部
１２２１　ダイボンド部
１２２２　第２ワイヤボンド部

Claims (9)

  1. 　発光素子と、
    　前記発光素子を収容するパッケージと、
    　前記発光素子を封止する第１の封止材とを備え、
    　前記パッケージは、前記発光素子を保持する基部及び前記発光素子を囲むように前記基部から上方に起立して設けられた枠部を有し、
    　前記第１の封止材は、前記枠部に囲まれた領域に埋め込まれ、
    　前記枠部は、その上端面から上方に突出し、前記発光素子を囲むように設けられた第１の突片壁を有している発光装置。
  2. 　前記第１の突片壁は、前記枠部の外壁面を延長するように形成されている請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記第１の突片壁は、樹脂からなる前記枠部を成形する際にできたバリである請求項１に記載の発光装置。
  4. 　前記枠部の上端面は、前記枠部の内壁面と外壁面とを結ぶ方向の中央部の高さが、両端部の高さと異なる曲面状である請求項１に記載の発光装置。
  5. 　前記第１の封止材は、上面が凸レンズ状に形成されている請求項１に記載の発光装置。
  6. 　前記パッケージと一体に形成されたリードフレームをさらに備え、
    　前記発光素子は、前記リードフレームのダイパッド部の主面上に固定されている請求項１に記載の発光装置。
  7. 　前記発光素子の両側方に互いに対向して設けられ、前記ダイパッド部の主面から上方に起立し、高さが前記枠部よりも低く、両端部が前記枠部の内壁面と接する反射板と、
    　前記反射板及び前記枠部の内壁面に囲まれた領域に充填された第２の封止部とをさらに備え、
    　前記反射板は、その上端面から上方に突出した第２の突片壁を有し、
    　前記第２の封止部は蛍光体を含む請求項６に記載の発光装置。
  8. 　基部と枠部との間にリードフレームが埋め込まれたパッケージを形成する工程(ａ)と、
    　前記リードフレームのダイパッド部に発光素子を固定する工程（ｂ）と、
    　前記工程（ｂ）よりも後に、前記枠部に囲まれた領域に第１の封止材を充填する工程（ｃ）とを備え、
    　前記工程(ａ)では、前記枠部の外壁面を形成する第１の成形面、前記枠部の内壁面を形成する第２の成型面及び前記枠部の上端面を形成する第３の成型面に囲まれた第１の空間を第１の金型及び第２の金型の組み合わせにより形成し、前記第１の空間に樹脂を充填し、
    　前記第１の金型と前記第２の金型との第１のパーティングラインは、前記枠部の上端面に沿って位置し、
    　前記第１のパーティングラインの位置にバリを発生させることにより、前記枠部の上端面から上方に突出する第１の突片壁を形成する発光装置の製造方法。
  9. 　前記工程(ａ)では、前記発光素子の両側方に互いに対向して設けられ、前記ダイパッド部の主面から上方に起立し、高さが前記枠部よりも低く、両端部が前記枠部の内壁面と接する反射板を前記枠部と共に形成し、
    　前記工程（ｃ）では、前記反射板及び前記枠部の内壁面に囲まれた領域に蛍光体を含む第２の封止材を充填した後、前記第１の封止材を充填し、
    　前記第２の金型は、第１の部分及び第２の部分の組み合わせにより前記反射板を形成する空間を形成し、前記第１の部分と前記第２の部分との第２のパーティングラインは、前記反射板の上端面に沿って位置し、
    　前記第２のパーティングラインの位置にバリを発生させることにより、前記反射板の上端面から上方に突出する第２の突片壁を形成する請求項８に記載の発光装置の製造方法。
PCT/JP2011/002929 2010-05-31 2011-05-26 発光装置及びその製造方法 WO2011151998A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/695,752 US20130043502A1 (en) 2010-05-31 2011-03-26 Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2012518227A JPWO2011151998A1 (ja) 2010-05-31 2011-05-26 発光装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-123981 2010-05-31
JP2010123981 2010-05-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011151998A1 true WO2011151998A1 (ja) 2011-12-08

Family

ID=45066391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/002929 WO2011151998A1 (ja) 2010-05-31 2011-05-26 発光装置及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130043502A1 (ja)
JP (1) JPWO2011151998A1 (ja)
WO (1) WO2011151998A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015012104A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 日立アプライアンス株式会社 半導体発光装置およびそれを用いた照明装置
JP2017117901A (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 日亜化学工業株式会社 発光装置、並びにパッケージ及びその製造方法
US10411169B2 (en) 2017-02-03 2019-09-10 Nichia Corporation Light emitting device having leads in resin package
JP2019212903A (ja) * 2018-05-30 2019-12-12 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 発光ダイオード及びそれを有する発光素子

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160106153A (ko) * 2014-01-08 2016-09-09 코닌클리케 필립스 엔.브이. 완전한 led 패키지로 사용되는 깊은 성형된 반사기 컵
JP6394649B2 (ja) * 2016-06-30 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11177422B2 (en) * 2018-08-16 2021-11-16 Savant Technologies Llc LED filament with colored off state masking
US11738482B2 (en) * 2020-11-16 2023-08-29 Jack Armstrong Method of potting electrical components into complex finished forms

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007116138A (ja) * 2005-09-22 2007-05-10 Lexedis Lighting Gmbh 発光装置
JP2007531317A (ja) * 2004-03-31 2007-11-01 クリー　インコーポレイテッド 発光変換要素を備える半導体発光デバイスおよびそのパッケージング方法
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2008091792A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置
JP2008198460A (ja) * 2007-02-13 2008-08-28 Omron Corp 発光素子及び面照明装置
JP2010109119A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュール及びその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6953891B2 (en) * 2003-09-16 2005-10-11 Micron Technology, Inc. Moisture-resistant electronic device package and methods of assembly
KR100637476B1 (ko) * 2005-11-09 2006-10-23 알티전자 주식회사 측면발광 다이오드 및 그 제조방법
KR100665375B1 (ko) * 2006-02-22 2007-01-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
KR100809210B1 (ko) * 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
US8044418B2 (en) * 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
TWM318795U (en) * 2006-12-18 2007-09-11 Lighthouse Technology Co Ltd Package structure
KR20080065451A (ko) * 2007-01-09 2008-07-14 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US7732234B2 (en) * 2007-02-15 2010-06-08 Hymite A/S Fabrication process for package with light emitting device on a sub-mount
US20080203412A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 E-Pin Optical Industry Co., Ltd. LED assembly with molded glass lens
KR100801621B1 (ko) * 2007-06-05 2008-02-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP2009141051A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Stanley Electric Co Ltd シリコーン樹脂を用いた発光ダイオード装置
KR100981214B1 (ko) * 2008-01-28 2010-09-10 알티전자 주식회사 발광다이오드 패키지
CN101621101A (zh) * 2008-06-30 2010-01-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
JP5368809B2 (ja) * 2009-01-19 2013-12-18 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュールの製造方法およびｌｅｄモジュール
TWI384659B (zh) * 2009-01-23 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構
US8338851B2 (en) * 2010-03-17 2012-12-25 GEM Weltronics TWN Corporation Multi-layer LED array engine

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007531317A (ja) * 2004-03-31 2007-11-01 クリー　インコーポレイテッド 発光変換要素を備える半導体発光デバイスおよびそのパッケージング方法
JP2007116138A (ja) * 2005-09-22 2007-05-10 Lexedis Lighting Gmbh 発光装置
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2008091792A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置
JP2008198460A (ja) * 2007-02-13 2008-08-28 Omron Corp 発光素子及び面照明装置
JP2010109119A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュール及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015012104A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 日立アプライアンス株式会社 半導体発光装置およびそれを用いた照明装置
JP2017117901A (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 日亜化学工業株式会社 発光装置、並びにパッケージ及びその製造方法
US10411169B2 (en) 2017-02-03 2019-09-10 Nichia Corporation Light emitting device having leads in resin package
JP2019212903A (ja) * 2018-05-30 2019-12-12 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 発光ダイオード及びそれを有する発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2011151998A1 (ja) 2013-07-25
US20130043502A1 (en) 2013-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011151998A1 (ja) 発光装置及びその製造方法
TWI481070B (zh) 薄型發光二極體封裝
US9159884B2 (en) Light emitting device having cavity side surfaces with recesses
TWI497746B (zh) 發光二極體封裝及其製造方法
KR100961493B1 (ko) 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광 다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지
EP1900040B1 (en) Light emitting diode and method of fabricating the same
JP6671116B2 (ja) 発光素子パッケージ
WO2011046084A1 (ja) 発光装置及びその製造方法
US8624280B2 (en) Light emitting device package and method for fabricating the same
TWI555227B (zh) 側向發光二極體及其封裝方法
JP6671117B2 (ja) 発光素子パッケージ
JP2009206370A (ja) Ｌｅｄパッケージ用基板、ｌｅｄパッケージ用基板の製造方法、ｌｅｄパッケージ用基板のモールド金型、ｌｅｄパッケージ、及び、ｌｅｄパッケージの製造方法
JP2007005722A (ja) 光半導体素子用外囲器およびそれを用いた光半導体装置
TW201501368A (zh) 發光二極體元件的製造方法
KR101778141B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
TW201349600A (zh) 發光二極體及其封裝方法
KR101863549B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101779084B1 (ko) 반도체 발광소자 구조물 및 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법
KR101872317B1 (ko) 반도체 발광소자
JP5511881B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ用基板、ｌｅｄパッケージ用基板の製造方法、ｌｅｄパッケージ用基板のモールド金型、ｌｅｄパッケージ、及び、ｌｅｄパッケージの製造方法
KR101946244B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101824589B1 (ko) 반도체 발광소자 구조물
KR20170058486A (ko) 반도체 발광소자
KR101968244B1 (ko) 반도체 발광소자
KR20170042454A (ko) 반도체 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11789412

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012518227

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13695752

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11789412

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1