WO2011007621A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2011007621A1
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electrode
substrate electrode
substrate
light emitting
outer peripheral
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鈴木　亮
林　忠雄
智也 月岡
嘉一 竹内
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日亜化学工業株式会社
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device in which an element such as a light emitting element is mounted on a mounting substrate such as a semiconductor insulating substrate.
  • a surface-mount type light emitting device in which a light emitting element such as a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD) is mounted on a substrate is known.
  • This light-emitting device is used in lighting fixtures, backlights for display screens, in-vehicle light sources, display light sources, video illumination auxiliary light sources, and other general consumer light sources.
  • a light emitting element having a positive electrode and a negative electrode on the same surface side is used.
  • a structure in which a light emitting device is joined by flip chip on an insulating substrate on which a wiring pattern is formed has been proposed.
  • the light emitting device melts the solder paste by applying solder paste to a predetermined position of a pair of electrodes formed on an insulating substrate, flip-chip mounting the LED element, joining, and then reflowing. It is comprised so that electrical continuity may be taken.
  • the pair of electrodes formed on the insulating substrate of the light emitting device is formed in the same shape as the electrode on the LED element side, it is applied onto the insulating substrate when the LED element is pressed against the electrode and mounted. A portion where the solder paste protrudes from the electrode may be detached from the electrode portion due to heat during reflow and deposited as a solder ball.
  • the light-emitting device has a configuration as described in Patent Document 1 in order to prevent the above-described solder balls from being generated in the manufacturing process. That is, in patent document 1, it was set as the structure which suppresses generation
  • the above-described conventional light emitting device has the following problems.
  • the shape of the redundant reflow pad is larger than the electrode portion of the element, it is not suitable for the shape for performing self-alignment. There was a problem that the position was not appropriate and self-alignment was not performed properly.
  • the molten solder on the first electrode side may concentrate on the second electrode side. Therefore, the molten solder concentrates, the connection thickness on the second electrode side becomes excessive, and the connection thickness of the second electrode increases, so that the first electrode side is pulled upward, and voids are formed in the molten solder on the first electrode side. It sometimes occurred. Therefore, it has been desired to suppress the generation of voids on the first electrode side in the light emitting device.
  • the present invention was devised in view of the above-described problems, and even if the substrate-side electrode is formed separately from one element to be mounted, self-alignment can be reliably performed. It is an object of the present invention to provide a light emitting device capable of suppressing generation of solder balls and suppressing generation of voids in molten solder under the electrodes.
  • the light emitting device is formed on the mounting substrate so as to face the first element electrode and the second element electrode formed inside the outer peripheral edge of the rectangular element.
  • the first substrate electrode and the second substrate electrode are the first element electrode and the second substrate electrode, respectively.
  • the device electrode is formed in a shape that matches at least a part of the outer periphery of the device electrode, and the first substrate electrode includes a notch recess formed by being recessed inwardly from the outer periphery of the first substrate electrode.
  • the two substrate electrodes are formed at positions spaced along the notch recesses of the first substrate electrode, and the first substrate electrode and the second substrate electrode have a part of the outer periphery thereof than the outer periphery of the element.
  • the first that extends outward And a first extending portion formed on at least one side of an outer peripheral edge of the rectangular element, and the first substrate electrode includes at least one of the edges on both sides of the notch recess.
  • the second extending portion is formed along the first extending portion of the second substrate electrode, and the second extending portion extends outward from the outer peripheral edge of the element.
  • the light emitting device when the element is mounted on the mounting substrate, the light emitting device has at least a part of the outer peripheral edge of the first substrate electrode and the second substrate electrode when the heat-melting connection material is reflowed and melted. Since the first element electrode and the second element electrode are formed in a shape that faces and coincides with each other, the element is self-aligned by the surface tension of the molten hot-melt connection material, and the element is placed at a predetermined mounting position. Fit. And since the light-emitting device is equipped with the 1st extension part in the 1st substrate electrode and the 2nd substrate electrode when it self-aligns, the fusion
  • the solder balls are not formed outside due to the surface tension. Furthermore, since the second extending portion is formed on the first substrate electrode along the first extending portion of the second substrate electrode, the second extending portion is formed of the heat-melting connecting material during reflow. Responsible for suppressing excessive concentration.
  • the light emitting device according to claim 2 is the light emitting device according to claim 1, wherein the second extending portion is formed to be equal to or smaller than a width of the first extending portion.
  • the total width of the extension part and the second extension part is formed in a range of 10 to 50% with respect to the length of one side when one end to the other end of the first substrate electrode is a straight line. It is convenient. According to such a configuration, the light-emitting device can perform more effective self-alignment of the element with respect to the first substrate electrode or the second substrate electrode, and more effectively suppress solder balls.
  • the light emitting device according to claim 3 is the light emitting device according to claim 1 or 2, wherein the first extending portion is symmetric with respect to the center of one side of the outer peripheral edge of the element. It was set as the structure arrange
  • the light-emitting device is the light-emitting device according to claim 1 or 2, wherein the first substrate electrode further includes a third extending portion extending in a diagonal direction at a corner thereof.
  • the third extension portion may extend outward from the outer peripheral edge of the element.
  • the light-emitting device has, for example, a large amount of application of the heat-melting connection material, and covers the heat-melting connection material along the third extending portion when covering the corner portion side of the first substrate electrode. Even if the application amount of the heating and melting connecting material is large, the height positions of the elements mounted on the first substrate electrode and the second substrate electrode are aligned with the heights of the other elements. be able to.
  • the light emitting device is a first substrate electrode formed on the mounting substrate so as to face the first element electrode and the second element electrode formed on the inner side of the outer peripheral edge of the rectangular element.
  • the first substrate electrode and the second substrate electrode are arranged at outer peripheral edges of the first element electrode and the second element electrode.
  • the first substrate electrode includes a cutout recess formed by cutting inwardly from the outer peripheral edge of the first substrate electrode, and the second substrate electrode includes the cutout recess.
  • the first substrate electrode and the second substrate electrode are formed at positions separated from each other along a notch recess of the first substrate electrode, and a part of the outer periphery of the first substrate electrode and the second substrate electrode extends outward from the outer periphery of the element.
  • 1 extension part said 1st The extension part is formed at least at one place with respect to one side of the outer peripheral edge of the rectangular element, and the second substrate electrode has a connection area larger than that of the second element electrode facing the first extension part.
  • the element or a part of the element that extends from the outer peripheral edge of the element to the outside, or the arrangement of the first substrate electrode with respect to the notch recess is arranged outside the element facing the second element electrode. It was set as the structure which is the part extended outside from the outer periphery.
  • the element electrode and the second element electrode are formed so as to face each other and coincide with each other, they are self-aligned by the surface tension of the melted hot-melt connection material, and the element is placed in a predetermined mounting position.
  • the light-emitting device is equipped with the 1st extension part in the 1st substrate electrode and the 2nd substrate electrode when self-aligning, a heating fusion connecting material follows the 1st extension part. Thus, no solder balls are formed outside due to surface tension.
  • the light-emitting device is a first substrate electrode formed on the mounting substrate so as to face the first element electrode and the second element electrode formed on the inner side of the outer peripheral edge of the rectangular element.
  • the first substrate electrode and the second substrate electrode are arranged at outer peripheral edges of the first element electrode and the second element electrode.
  • the first substrate electrode includes a cutout recess formed by cutting inwardly from the outer peripheral edge of the first substrate electrode, and the second substrate electrode includes the cutout recess.
  • the first substrate electrode is formed at a position spaced along the notch recess of the first substrate electrode, and the first substrate electrode includes an extension part (second extension part) on at least one of both sides of the notch recess.
  • the protruding portion (second extending portion) is the element It has a configuration that extends from the outer periphery to the outer.
  • the device when the element is mounted on the mounting substrate, at least a part of the outer peripheral edge of the first substrate electrode and the second substrate electrode is a part of the first element electrode and the second element electrode. Therefore, the device is self-aligned by the surface tension of the heated and melted connecting material that has been reflowed and melted, and the element is placed in a predetermined mounting position.
  • the extension portion (second extension portion) is formed on the first substrate electrode, so that the extension portion (second extension portion) is heated and melted during reflow. responsible for suppressing excessive concentration of connecting materials.
  • the light emitting device has excellent effects as described below. Since the light emitting device includes the first extending portion and the second extending portion, the heat-melting connecting material is prevented from generating solder balls at the time of reflow, and the self-alignment property is also ensured. It is a high-quality product that is less affected by variations in position during assembly.
  • the light emitting device includes the second extending portion along the first extending portion, thereby preventing the concentrated flow to the second substrate electrode side at the time of reflow of the heated and melted connecting material, and the first substrate electrode. And the first element electrode are in a good connection state.
  • the light emitting device can further align the height after reflow of the elements connected by the heat-melting connection material by further including the third extending portion on the first substrate electrode. Since the light emitting device has the first extending portion, it is possible to suppress the generation of solder balls during reflow of the heat-melting connection material and to ensure self-alignment.
  • 1st Embodiment of the light-emitting device which concerns on this invention the structure and positional relationship with the 1st substrate electrode and 2nd substrate electrode of a mounting board
  • FIGS. 1 to (h) are a perspective view and a cross-sectional view schematically showing a state in which a light-emitting element is mounted on a mounting substrate according to the present invention via a heat-melting connection material.
  • 2nd Embodiment of the light-emitting device which concerns on this invention it is a top view which shows a mounting substrate typically.
  • (A), (b) is the bottom view and top view which show typically a mounting substrate and a light emitting element in 3rd Embodiment of the light-emitting device which concerns on this invention.
  • (A)-(f) is the bottom view of a light emitting element and the top view of the 1st board
  • (A), (b) is a top view which shows the state which formed the 3rd extension part in the 1st board
  • the light emitting device 1 includes a mounting substrate 20 having a concave center, and a light emitting element (element) 10 such as an LED chip mounted on the central concave portion of the mounting substrate 20. And.
  • a case C is formed around the central concave portion of the mounting substrate 20, and the wiring pattern Hp is formed on the upper surface 20 a of the substrate where the central light emitting element 10 is mounted.
  • the substrate electrode (first substrate electrode 2, substrate second electrode 3 and the like) continuous with the wiring pattern Hp is coated with a heat-melting connection material kh such as solder paste and electrically connected to the light emitting element 10 to emit light.
  • a heat-melting connection material kh such as solder paste
  • Light is irradiated through a resin P filled so as to cover the element 10.
  • the light emitting device 1 is used as a configuration in which a protective element (for example, a Zener diode) Zd that stably operates the light emitting element 10 is mounted on the mounting substrate 20 as necessary.
  • the light emitting element 10 is flip-chip mounted on the first substrate electrode 2 and the second substrate electrode 3 serving as a mounting portion provided on the upper surface 20 a of the mounting substrate 20.
  • the light emitting element 10 includes a light emitting portion 11 (light extraction portion) on one surface side, and a first element electrode 12 and a second element electrode 13 on the other surface side.
  • the light emitting element 10 includes, for example, a semiconductor stacked structure (not shown) that includes at least a light emitting layer, and a first conductive semiconductor, a light emitting layer, and a second conductive semiconductor are formed in this order on a substrate. It has a semiconductor light emitting element structure in which an electrode for supplying current is provided in the stacked structure.
  • the light emitting element 10 is not limited to these configurations, and may be configured using other semiconductor materials, and may be configured to include a protective layer, a reflective layer (not shown), and the like as appropriate. May be.
  • the light emitting element 10 when the light emitting element 10 emits white light, the outside of a semiconductor light emitting element structure that emits blue light (not shown) may be covered with a phosphor layer made of phosphor or a resin containing the phosphor.
  • a phosphor layer made of phosphor or a resin containing the phosphor.
  • a YAG (yttrium, aluminum, garnet) phosphor that emits yellow light or a silicate phosphor such as (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu
  • the light-emitting element 10 can emit white light.
  • the light emitting portion 11 of the light emitting element 10 is not particularly limited in its emission color or structure as long as it can irradiate light.
  • the 1st element electrode 12 and the 2nd element electrode 13 which were formed in the other surface side of the light emitting element 10 are formed in the position inside the outer periphery of the said light emitting element.
  • the first element electrode 12 is formed such that both sides facing each other are formed in a straight line, and further, notched recesses 12c and 12c are formed on both sides facing each other.
  • the second element electrode 13 is formed at a position separated along the notch recess 12 c of the first element electrode 12.
  • the second element electrode 13 is formed in a D shape surrounded by a curved line along the curve of the notch recess 12c and a straight line connecting both ends of the curved line.
  • the 2nd element electrode 13 is arrange
  • the material of the 1st element electrode 12 and the 2nd element electrode 13 is used as an element electrode, it will not specifically limit.
  • the mounting substrate 20 has a predetermined wiring pattern Hp (for example, a substrate electrode) formed thereon, and the light emitting element 10 is mounted via a heating and melting connection material kh such as solder paste.
  • the mounting substrate 20 is configured, for example, by laminating alumina ceramic sheets as a support substrate, and laminating a metal film or the like on the support substrate.
  • the mounting substrate 20 has a first substrate electrode 2 and a second substrate formed on the upper surface 20a formed in a predetermined position (in a concave shape) in a shape corresponding to the first element electrode 12 and the second element electrode 13 of the light emitting element 10.
  • the electrode 3 has an external connection electrode terminal (not shown) for electrical connection with an external drive circuit.
  • the first substrate electrode 2 of the mounting substrate 20 is the same as the first element electrode 12 serving as a P-type electrode of the light emitting element 10 except for the first extending portions 2 b and 2 b. It is formed so that the shape of the electrode body 2a matches when facing each other. In other words, the first substrate electrode 2 has a shape that coincides with the outer peripheral edge of the first element electrode 12 where the straight line portion and the curved portion of the portion excluding the first extending portion 2 b face the outer peripheral edge.
  • the first substrate electrode 2 includes first extending portions 2b and 2b formed on one opposing sides of the electrode body 2a, and a notch recess 2c formed on the other opposing sides of the electrode body 2a. , 2c.
  • the first extension portion 2b is for preventing generation of solder balls during reflow, similarly to the first extension portion 3b of the second substrate electrode 3 described later.
  • the first extending portion 2b is formed at the center of one side of the electrode body 2a, and is formed so as to protrude outward from the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10 to be mounted.
  • the first extending portion 2b has a width L with respect to the length of one side (when it is a straight line) of the electrode body (first substrate electrode 2) 2a, together with a second extending portion 2d described later. Thus, it is formed to be in the range of 10 to 50%.
  • the width L of the first extension portion 2b is formed to be in the range of 10 to 50% with respect to the length of one side (when straight) of the electrode body 2a, and more preferably 10 to It is in the range of 45%, more preferably in the range of 15 to 40%.
  • the extension length of the first extension portion 2b is not particularly limited, and it is sufficient that the first extension portion 2b extends outward from the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10.
  • the extension length of the 1st extension part 2b may be formed largely by relationship with another structure.
  • the first extending portion 2b is formed so that the end portion extending from the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10 is linear and the shape of the portion is a rectangle. It does not specifically limit about the shape after being taken out.
  • the notch recesses 2c and 2c form an area for installing a second substrate electrode 3 to be described later, and are recessed inwardly from the outer peripheral edge of the electrode body 2a at the center of both sides of the other side of the electrode body 2a. Notched and formed.
  • the position, shape, size, curvature, etc. of the notch recesses 2c, 2c are not particularly limited, and are formed corresponding to the shape of the first element electrode 12 of the light emitting element 10 to be mounted.
  • substrate electrode 2 is a linear part and curved part of the notch recessed part 2c except the position of the 1st extension part 2b in the linear part and curved part which form the outer periphery periphery. However, they coincide with each other when facing the straight line portion on the outer peripheral edge of the first element electrode 12 of the light emitting element 10 and the curved portion of the notch recess 12c.
  • the heating and melting connecting material kh after self-alignment in that portion is reversed in a cross-sectional view.
  • the trapezoidal shape is obtained, and the accuracy of preventing short circuit of the heat-melting connecting material kh between the electrodes can be improved.
  • the second substrate electrode 3 is formed on the mounting substrate 20 in a state where the second substrate electrode 3 is spaced apart from the first substrate electrode 2 by a predetermined interval Sp along the notch recesses 2c and 2c.
  • the second substrate electrode 3 corresponds to a linear portion formed along a straight portion (one side) of the second element electrode 13 of the light emitting element 10 and a curved portion of the first element electrode 12, and the first substrate electrode Here, it is formed so as to have a D shape surrounded by a curved portion formed along the two notch recesses 2c.
  • the second substrate electrode 3 has a first extending portion 3 b formed continuously from the connecting portion 3 a so as to be outside the outer peripheral edge of the light emitting element 10.
  • the first extending portion 3b is larger than the original area (the area of the second element electrode) so that the portion from the straight portion of the second substrate electrode 3 to a predetermined position is outside the outer peripheral edge of the light emitting element 10. Is formed.
  • connection portion 3 a of the second substrate electrode 3 is a portion facing the second element electrode 13.
  • first extending portion 3b of the second substrate electrode 3 is a portion that extends outward from the straight line of the electrode body 2a, and continues from the connecting portion 3a to a portion that extends outward from the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10. Is formed.
  • first extending portion 3b the same conditions as the first extending portion 2b of the first substrate electrode 2 already described and the extending length, formation width, shape, and the like are applied.
  • the first extending portion 3 b of the second substrate electrode 3 is formed to have a width L (area) larger than that of the first extending portion 2 b of the first substrate electrode 2.
  • the reason why the width L of the first extending portion 3b is formed large is that the heat-melting connection material kh is concentrated because the space Sp between the first substrate electrode 2 and the second substrate electrode 3 is provided. This is to prevent the solder balls from becoming solder balls.
  • the second substrate electrode 3 has a positional relationship facing the second element electrode 13 in a portion excluding the first extending portion 3b. Further, the second substrate electrode 3 has a first extending portion 3b that extends over the entire width along the straight portion parallel to the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10.
  • the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10 indicates the peripheral edge of the outer surface of the semiconductor multilayer structure on the surface on which the first element electrode 12 and the second element electrode 13 are formed.
  • substrate electrode shows the periphery used as the outer side of each electrode.
  • the light emitting device 1 has the mounting substrate 20 mounted with a protective element Zd and the like in addition to the light emitting element 10 at a predetermined position.
  • the mounting substrate 20 is formed by laminating a plurality of sheets that have been subjected to drilling such as through-holes as necessary, and a conductor pattern is printed, and the center is concave, It is formed in a state of a case C having a concave periphery as a side wall (for example, a ceramic package process).
  • the resin P is filled into the position which has mounted the light emitting element 10 as a sealing member.
  • an alumina ceramic or a conductor pattern is plated with a metal having high reflectivity with respect to light from the light emitting element 10 (Au or silver-white metal, particularly Ag or Ag with high reflectivity). It is not particularly limited as long as it is a form used as the case C of the light emitting device 1 such as a metal such as Al.
  • the resin P as a sealing member seals the entire light emitting element 10 and the upper portion of the concave portion of the mounting substrate 20 (the upper surface 20 a and a part of the inner side surface 20 b that becomes the case C).
  • the light extraction surface of the light emitting device 1 has a light extraction surface on the upper side from the concave portion.
  • the resin P prevents the light emitting element 10 from being deteriorated by the outside air.
  • the light emitting element 10 is arranged at substantially the center (outer shape) of the resin P in a plan view, light can be uniformly irradiated from the light emitting element 10 to the light extraction surface.
  • the light extraction surface of the resin P is a hemispherical surface, and the light emitting element 10 is arranged at substantially the center of the hemispherical surface in plan view, so that the incident angle of light incident on the hemispherical surface is greater than the critical angle of total reflection. It can be suppressed.
  • the light extraction surface of the resin P may have a desired shape such as a hemispherical surface, a convex curved surface flattened from a spherical surface, a shell shape, or a concave curved surface, and may function as a lens that collects and diffuses light.
  • the resin P is made of a transparent resin, glass or the like.
  • the resin P for example, a hard silicone resin, an epoxy resin, or the like can be used.
  • FIG. 5 a state when the light emitting element 10 is mounted on the mounting substrate 20 will be described with reference to FIG. Note that the state shown in FIG. 5 is illustrated with respect to the concave portion of the mounting substrate 20 formed in the case C state.
  • the first substrate electrode 2 and the second substrate electrode 3 are formed on the mounting substrate 20 in the electrode forming step.
  • the first substrate electrode 2 and the second substrate electrode 3 are formed together with other circuits on the mounting substrate 20 by an exposure operation or the like.
  • a heat-melting connection material kh such as solder paste is applied to the first substrate electrode 2 and the second substrate electrode 3 of the mounting substrate 20.
  • the light emitting element 10 is mounted on the heating and melting connecting material kh.
  • the heated and melted connecting material kh is in a state of protruding outward from the light emitting element 10.
  • the heated and melted connecting material kh is heated.
  • the heating and melting connecting material kh includes the position where the first element electrode 12 and the first substrate electrode 2 face each other, and the second element electrode 13 and the second element electrode 13 The position facing the two substrate electrodes 3 and the upper surfaces of the first extending portions 2b and 3b are located. That is, the light emitting element 10 does not generate solder balls when it is electrically and mechanically mounted on the first substrate electrode 2 and the second substrate electrode 3 of the mounting substrate 20 by flip chip mounting.
  • the light emitting element 10 moves to an appropriate position by moving so as to perform self-alignment by the surface tension of the heated and melted connecting material kh.
  • the mounting position of the light-emitting element 10 is intentionally shifted from the appropriate position of the first substrate electrode 2 and the second substrate electrode 3 by a predetermined angle in the rotation direction, and is heated during reflow to be self-aligned. It may be one installation judgment that alignment is generated and an appropriate position is obtained. That is, when there is a light emitting element 10 that does not cause self-alignment, it may be determined that there is a problem with the light emitting element 10 or the first substrate electrode 2 and the second substrate electrode 3.
  • the light emitting element 10 maintains the self-alignment operation, and the heating and melting connecting material kh suppresses the generation of solder balls.
  • the concave portion of the case C that is, the portion where the light emitting element 10 is mounted is used as a sealing member.
  • the light emitting device 1 is manufactured by filling the resin P. Therefore, in the manufacturing process, the light emitting device 1 does not generate solder balls by the first extending portions 2b and 3b and the second extending portion 2d, and is less affected by variations when assembling in mass production. Become a high quality product.
  • the light emitting device 1 when the light emitting device 1 is lit, the following operation is performed.
  • the light emitting device 1 is connected to an external drive circuit (not shown) at the electrode terminal for external connection, and the first substrate electrode 2 and the first substrate electrode 2 through a metal film that is a wiring pattern disposed on the upper surface 20a side of the mounting substrate 20 Electric power is supplied to the light emitting elements 10 electrically connected by the second substrate electrode 3.
  • the light emitting element 10 emits light upon receiving power supply, and emits light to the outside of the light emitting element 10 through the resin P.
  • the first substrate electrode 2 having a configuration as shown in FIG. 6 is desirable.
  • the same structure attaches
  • the first substrate electrode 2 and the second substrate electrode 3 are separated from each other with an interval Sp. Therefore, the heated and melted connecting material kh easily gathers on the second substrate electrode 3 side during reflow.
  • the second extending portion 2d is disposed along both sides which are the edges of the notch recess 2c of the first extending portion 3b so that the heated and melted connecting material kh is not collected on the second substrate electrode 3 more than necessary. Formed.
  • the second extending portions 2d and 2d are formed at a position where the curved portion is separated from the straight portion of the first substrate electrode 2 (an end portion on the second substrate electrode 3 side of the straight portion).
  • the second extending portion 2 d is outside the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10 so as to have the same extending length as the first extending portion 3 b of the second substrate electrode 3. Is formed. Moreover, the 2nd extension part 2d is formed so that it may become a width
  • the heated and melted connecting material kh is suppressed from flowing to the second substrate electrode 3 side more than necessary during reflow, and the first element electrode 12 of the light emitting element 10 is suppressed. It is possible to suppress defects such as voids in the heated and melted connecting material kh positioned between the first substrate electrode 2 and the first substrate electrode 2.
  • the second extending portion 2d is formed on the mounting substrate 20 in the same manner when the first substrate electrode 2 and the second substrate electrode 3 are formed.
  • the light emitting element 10 in a present Example becomes the same structure as what is shown in FIG.
  • first substrate electrode 2A and the second substrate electrode 3A may be configured as shown in FIG. 7B.
  • the configuration of the light emitting element 10A as shown in FIG. 7A is used.
  • the size relationship between the first extension 2b 1 and the second extension 2d 1 and the range of the ratio to one side are the same as those already described.
  • the light emitting element 10A has a light emitting portion (not shown) on one side (front side), and the first element electrode 12A and the second element electrode 13A on the other side.
  • the first element electrode 12A the entire surface consisting of an outer periphery and inside has a electrode, and the electrode recesses 12A 1 is formed with a plurality at predetermined intervals.
  • the first element electrode 12A one of sides A1, A2 facing is formed by a straight line, the other sides A3, cutout recess 12c 1 by cutting inwardly A4 facing is formed. Cutout recess 12c 1 is provided with a semicircular recess 12c 11, continuously from the semi-circular arc recess 12c 11, and a facing or adjacent groove portions 12c 12 extending sides to, 12c 13, 12c 14 Prefecture.
  • the concave groove portion 12c 13 is formed to be parallel to the adjacent sides A1 and A2, and is formed to have a notch depth of about 1/3 from the side A3 to the side A4. Further, the concave groove portions 12c 12 and 12c 14 are formed symmetrically with the concave groove portion 12c 13 as the center. Then, the groove 12c 12 is formed to be inclined at a predetermined angle so as to be directed substantially to the center of the side A2, and is formed to have substantially the same notch depth as the groove 12c 13 toward the opposite side A4. .
  • the concave groove portion 12c 14 is formed to be inclined at a predetermined angle so as to be directed substantially to the center of the side A1, and is formed to have substantially the same notch depth as the concave groove portion 12c 13 toward the opposite side A4. .
  • the second element electrode 13A is formed at a position spaced apart from the notch recesses 12c 1 and 12c 1 of the first element electrode 12A by a predetermined interval Sp.
  • the second element electrodes 13A are formed respectively on the shell-shaped consisting of each side A3, A4 and straight portion formed on the same straight line and the two ends formed along the cutout recess 12c 1 from the curved section of the linear portion ing. Note that the second element electrodes 13A, each of 13A, and includes recessed groove portion 12c 12, 12c 13, 12c 14 formed along the auxiliary electrode 13Aa, 13Ab, and 13Ac.
  • the first substrate electrode 2A and the second substrate electrode 3A are formed by applying a heat-melting connection material kh (see FIG. 5) to the first element electrode 12A and the second element electrode 13A of the light emitting element 10A.
  • the first substrate electrode 2A has first extending portions 2b 1 and 2b 1 formed on one opposing side B1 and B2, respectively, and the other opposing sides B3 and B4 are notched inwardly to form a notch recess.
  • 2c 1 and 2c 1 are formed.
  • the first extending portion 2b 1, 2b 1 is omitted already first extending portion 2b has been described, so the description of the same configuration as 2b.
  • cutout recess 2c 1, 2c 1 is formed into a shape having a curved portion substantially coincides when facing the cutout recess 12c 1 of the first element electrode 12A, respectively, the semicircular arc recess 2c 11, the semi-circular arc continuously from the recess 2c 11, and a groove portion 2c 12, 2c 13, 2c 14 extending cut away on opposing or adjacent sides.
  • the concave groove 2c 13 is formed so as to be parallel to the adjacent sides B1 and B2, and is formed so as to have a notch depth of about 1/3 from the side B3 to the side B4. Further, the recessed groove portions 2c 12 and 2c 14 are formed symmetrically with the recessed groove portion 2c 13 as the center.
  • the concave groove 2c 12 is formed to be inclined at a predetermined angle so as to be directed substantially to the center of the side B2, and is formed to have substantially the same notch depth as the concave groove 2c 13 toward the opposite side B4. .
  • the concave groove portion 2c 14 is formed so as to be inclined at a predetermined angle so as to be directed substantially to the center of the side B1, and is formed to have substantially the same notch depth as the concave groove portion 2c 13 toward the opposite side B4. .
  • second extending portions 2d 1 and 2d 1 are formed on both sides of the edges of the cutout recesses 2c 1 and 2c 1 , respectively.
  • the second extending portions 2d 1 and 2d 1 are formed so that the extending length is shorter than the first extending portion 3b 1 described later, as indicated by d1.
  • the second extending portions 2d 1 and 2d 1 are formed so that the width is smaller than the first extending portion 3b 1 described later.
  • Second substrate electrode 3A one end side of the rectangle is a shape formed in a circular arc shape along the cutout recess 2c 1 of the first substrate electrode 2A, the one end side is facing along a curved section of the second element electrodes 13A
  • the shape is sometimes consistent.
  • the second substrate electrode 3A, the first extending portion 3b 1 as on the outside is formed than the outer periphery gs of the linear portion side light-emitting element 10A that becomes the other end. That is, the second substrate electrode 3A is provided with a connecting part 3a 1 facing the second element electrode 13A, the first and the extending portion 3b 1 that is continuous with the connecting portion 3a 1.
  • the mounting substrate 20 see FIG.
  • the first extending portion 2b 1 is formed on the first substrate electrode 2A and the second substrate electrode 3A, and one opposing first extending portion 2b is formed.
  • 1 , 2 b 1 , the second extending portions 2 d 1 , 2 d 1 are formed so that the widths are in a specific range (ratio of widths on one side), so that heating and melting are performed while maintaining self-alignment It is possible to prevent the connection material kh from concentrating on the second substrate electrode 3 ⁇ / b> A side, and to prevent the connection material kh from becoming a solder ball of the heating and melting connection material kh.
  • the heating and melting connecting material kh hardly generates solder balls. It has a shape. Further, the recessed groove portions 2c 12 to 2c 14 are formed in the notched recessed portions 2c 1 and 2c 1 on the mounting substrate side, and the recessed groove portions 12c 12 to 12c 14 are formed in the notched recessed portions 12c 1 and 12c 1 on the light emitting element 10A side. Therefore, self-alignment can be improved.
  • the second substrate electrode has a structure opposite to the first substrate electrode.
  • the self-alignment can be maintained and the generation of solder balls can be prevented. That is, as shown in FIG. 8 (a), the first element electrode 12B of the light emitting element 10B is cutout recess 12c 2 which is notched inwardly on one of the rectangular long side is formed along the cutout recess 12c 2 Thus, the second arc-shaped second element electrode 13B is formed.
  • the first substrate electrode 2B is formed with first extending portions 2b 2 and 2b 2 on both opposing sides, and on the other opposing side. to form a first extending portion 2b 2, cutout recess 2c 2 on the other side, it is configured to form a second extending portion 2d 2, 2d 2.
  • the first substrate electrode 2B also formed to be greater in proportion the width of the first extending portion 2b 2 according to the length also the size of each side.
  • the second substrate electrode 3B is formed in a shape in which a short side which is one end side of the rectangle is formed in an arc shape.
  • the second substrate electrode 3B forms a first extending portion 3b 2 formed continuously from the connecting portion 3a 2 so as to be outside the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10B.
  • the light emitting device 10C is formed a cutout recess 12c 3 in one corner of the rectangle, the first element electrodes arranged second element electrode 13C along the cutout recess 12c 3 12C is provided.
  • cutout recess 12c 3 is formed concave groove 12c 31 until approximately half of the first element electrode 12C towards one short side of the first element electrode.
  • the first substrate electrode 2C is to form a cutout recess 2c 3 in one corner of the rectangle to form a first extending portion 2b 3 on each side.
  • the long side and one short side of the first substrate electrode 2C, the first extended portion 2b 3 has formed nearly in the center at its sides.
  • the first extended portion 2b 3 it is disposed so as to be continuously formed from the edge of the cutout recess 2c 3.
  • the second substrate electrode 3C is formed in a shape in which one corner has an arc shape on one end side of the rectangle.
  • the second substrate electrode 3C includes a first extension portion 3b 3 formed so as to be outside the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10C continuously from the connection portion 3a 3 .
  • the first extending portion 2b 3 formed on the second substrate electrode 3C is parallel to the first extending portion 3b 3 of the second substrate electrode 3C on one side of the four sides of the light emitting element 10C that are rectangular. It is formed in a state.
  • the first extending portion 3b 3 of the second substrate electrode 3C is configured to be longer than the position indicated by the solid line so as to be connected to other wiring as shown by the two-dot chain line. It doesn't matter.
  • the first extension 3b of the second substrate electrode 3C is used.
  • the first extension 2b 3 of the first substrate electrode 2 also serves as the second extension shown in FIG. That is, the second substrate electrode 3C, as one of the first extending portion 2b 3 of the first substrate electrode 2C becomes the outside of the outer periphery gs of the light emitting element 10C from one edge of the cutout recess 2c 3
  • the concentration of the heated and melted connecting material kh (see FIG. 5) on the second substrate electrode 3C is prevented depending on the formation position (first). 2 function of the extending portion 2d).
  • the configuration shown in FIGS. 8E and 8F may be used.
  • the light-emitting element 10D is formed a cutout recess 12c 4 at one corner of the square, the first element electrode 12D where the second element electrode 13D is arranged along the cutout recess 12c 4 I have.
  • cutout recess 12c 4 are formed to concave groove portions 12c 41 is toward the diagonal direction of the first element electrode 12D almost half of the first element electrode 12D (middle).
  • the first substrate electrode 2D is to form a cutout recess 2c 4 in a corner of the square, to form a first extending portion 2b 4 at the center of each side. Cutout in the recess 2c 4, the groove portion 2c 41 to approximately half of that toward the diagonal direction of the first substrate electrode 2D first substrate electrode 2D are formed.
  • the first extension 2b 4 of the first substrate electrode 2D is formed with the same width and the same edge length.
  • the first substrate electrode 2D is configured such that the first extending portions 2b 4 and 2b 4 are formed at positions on both sides which are the edges of the notch recess 2c 4 , respectively.
  • the second substrate electrode 3D is formed in a shape in which one corner has an arc shape on one end side of the rectangle.
  • the second substrate electrode 3D includes a first extending portion 3b 4 that is formed continuously from the connecting portion 3a 4 so as to be outside the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10D.
  • the second first extending portion 3b is formed on the substrate electrode 3D 4, in one side among the four sides the rectangular light emitting element 10D (square), the first extending portion 3b 4 of the second substrate electrode 3D Are formed in parallel.
  • the first extending portion 3b 4 of the second substrate electrode 3D is configured to be longer than the position indicated by the solid line so as to be connected to other wiring as shown by the two-dot chain line. It doesn't matter.
  • the first extension 3b 4 of the second substrate electrode 3D When the area is smaller than that of FIG. 3 and the length of each side is small like the first substrate electrode 2D, the first extension 3b 4 of the second substrate electrode 3D
  • the first extending portions 2b 4 and 2b 4 of the first substrate electrode 2D located on both sides also serve as the second extending portions shown in FIG. That is, with respect to the second substrate electrode 3D, the first extending portions 2b 4 and 2b 4 of the first substrate electrode 2D are formed so as to be outside the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10D from the edge of the notch recess 2c 4.
  • the concentration of the heated and melted connecting material kh (see FIG. 5) is prevented from being formed on the second substrate electrode 3D by the formation position during reflow. (The same function as the second extending portion 2d).
  • the first substrate electrode 2C, as 2D, the first extending section 2b 3 of the first substrate electrode, 2b 4 is a second substrate electrode 3C, with respect to 3D, cutout recess 2c 3, Since the first extension portions 2b 3 and 2b 4 are formed along one side or both sides of the 2c 4 , the first extension portions 2b 3 and 2b 4 have the function of the second extension portion of the first substrate electrode together with the original function. It may become.
  • the third extending portions 102a and 102b may be formed at the corners indicated by the first substrate electrodes 2 and 2A described above.
  • the components already described are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • substrate electrode 2 forms the 3rd extension part 102a in the four corner
  • the third extending portion 102 a is formed so as to be outside the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10.
  • the third extending portion 102a has a width of the first extending portion 2b or a total width of the first extending portion 2b and the second extending portion 2d so that one side of the first substrate electrode is straight. It is formed so as not to exceed 50%.
  • the shape of the 3rd extension part 102a is shown as a shape which connected the rectangle to the corner
  • the third extending portion 102a may be formed at the corner of the first substrate electrode 2A already described.
  • the third extending portion 102a is formed under the same conditions as already described.
  • the first substrate electrodes 2 and 2A are provided with the third extending portion 102a, so that the application amount of the heated and melted connecting material kh (see FIGS. 4 and 5) can be increased. Even if the coating is thick and thick, the heated and melted connecting material kh flows along the third extending portion 102a side during reflow, so that the height when the light emitting element 10 is mounted can be made uniform.
  • the third extending portion 102a does not function.
  • first substrate electrode 52 and the second substrate electrode 53 are arranged to be adjacent to each other with substantially the same size, the first substrate electrode 52 and the second substrate electrode 53 are connected to each other. If the first extending portions 52b and 53b are respectively formed, it is possible to prevent the generation of solder balls.
  • the light emitting element 10E to be used is also rectangular, and a first element electrode and a second element electrode (not shown) formed in parallel inside the outer peripheral edge gs. Is formed. Then, as in the configuration already described, the light emitting element is mounted by self-alignment via the heating and melting connecting material kh (see FIG. 5).
  • the first substrate electrode 52 and the second substrate electrode 53 are substantially the same size, here, in order not to misidentify the polarity of the electrodes, here, one electrode body 53a has a shape having a linear portion, and the other The electrode body 52a is formed in a curved shape.
  • the first extending portions 52b and 53b extending outward from the outer peripheral edge gs are arranged so as to extend two with respect to one side of the light emitting element 10E. Yes.
  • the ratio of the width of the 1st extension parts 52b and 53b to the long side is increased, and prevention of generation of a solder ball is aimed at.
  • the light emitting element 10E be symmetrical with respect to the center of the side.
  • the entire width of the linear portion along the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10 is set to be the first extending portion continuously from the connection portion.
  • the width portion of the portion may be the first extension portion.
  • the second substrate electrode forms a first extension part continuously from the connection part, and the part where the area of the part facing and joining the second element electrode is increased is shown as the first extension part. Without changing the area facing the second element electrode, the position of the second substrate electrode is moved, and the portion that is outside the outer peripheral edge gs of the light emitting element 10 as the first extension part is moved. You may comprise.
  • the light emitting device has been described as the configuration including the first extension portion and the second extension portion in FIGS. 1 to 10, it may be configured to include only the second extension portion. In other words, the light emitting device has the second extending portion (extending portion) even if the first extending portion is configured at the same position as the outer peripheral edge of the element. It is possible to reduce the formation of solder balls.
  • the light emitting device of the present invention includes a light source for illumination, a backlight light source such as an LED display and a liquid crystal display device, a traffic light, an illumination type switch, various sensors and various indicators, a moving image illumination auxiliary light source, a light source for other general consumer products, etc. Can be suitably used.

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Abstract

　発光装置１は、矩形状の素子１０に対面して加熱溶融接続材を介して実装基板上に実装されるものであり、第１基板電極２の切欠凹部２ｃに沿って第２基板電極３が形成され、第１基板電極及び第２基板電極の外側周縁の一部が、前記素子の外側周縁ｇｓより外側に延出する第１延出部２ｂを備え、前記第１延出部は、矩形状の前記素子の外側周縁における一辺に対して少なくとも一箇所以上形成され、前記第１基板電極は、前記切欠凹部の両側の縁の少なくとも一方に前記第２基板電極の第１延出部に沿って形成した第２延出部２ｄを備え、前記第２延出部は、前記素子の外側周縁より外側に延出する構成とした。

Description

発光装置
　本発明は、発光素子等の素子を半導体絶縁基板等の実装基板に実装した発光装置に関する。
　従来、発光ダイオード（ＬＥＤ）あるいはレーザダイオード（ＬＤ）などの発光素子を基板に実装した表面実装型の発光装置が知られている。この発光装置は、照明器具、表示画面のバックライト、車載用光源、ディスプレイ用光源、動画照明補助光源、その他の一般的な民生品用光源等に使用されており、発光素子の光取り出し効率を向上させることを目的として、正電極と負電極とを同一面側に有する構成の発光素子が使用されている。そして、発光装置は、配線パターンが形成された絶縁基板上にフリップチップで接合された構造が一般的に提案されている。
　その一例として、発光装置は、絶縁基板上に形成された一対の電極の所定位置にハンダペーストを塗布し、ＬＥＤ素子をフリップチップ実装して接合した後、リフローすることによりハンダペーストを溶融して電気的導通をとるように構成されている。この発光装置の絶縁基板上に形成された一対の電極が、ＬＥＤ素子側の電極と同一形状に形成されている場合、ＬＥＤ素子を電極に押し付けて搭載したときに、絶縁基板上に塗布されてハンダペーストが電極からはみ出している部分が、リフロー時の熱により電極部分から離脱してハンダボールとして堆積してしまうことがある。
　したがって、発光装置は、その製造過程において、前記したハンダボールが発生することを防ぐために、従来、特許文献１に記載されているような構成をとることが知られている。すなわち、特許文献１では、ＬＥＤ素子の外周に沿って冗長リフローパッドを設けることでハンダボールの発生を抑える構成としていた。
　また、発光装置において、発光ダイオードの矩形の縦横長さよりもダイパッド部の矩形の縦横の長さを０．５～１．５倍の範囲とすることで、セルフアライメントを確実に行わせる構成が特許文献２に記載されている。そして、特許文献２では、絶縁基板側のダイパッド部に発光ダイオードを実装したときにその発光ダイオードの四辺から突出する延長部を設け、この延長部があることで、ダイパッド部の表面における溶融ハンダの盛り上がり高さを、当該溶融ハンダの表面張力によるセルフアライメントを確保した状態のもとで、低くできる構成であることが記載されている。
特開平０６－１２０６４８号公報 特開２００３－２６４２６７号公報（段落番号００３３～００３５、図８、図９）
　しかし、前記した従来の発光装置の構成では、以下に示すような問題点が存在していた。
　特許文献１の発光装置の構成では、冗長リフローパッドの形状が素子の電極部分よりも大きく形成されていることで、セルフアライメントを行うための形状に適していないため、リフロー時に実装する発光素子の位置が適切にならず、セルフアライメントが適切に行われない問題が発生した。
　特許文献２の発光装置の構成では、リフロー時にセルフアライメントを行うことはできるが、ダイパッドの形状が一体であるときを想定しているため、発光ダイオード等の一つの素子に対して、ダイパッドが分離した状態、つまり、第１基板電極及び第２基板電極等、基板側電極が分離した構成に実装する場合において、セルフアライメントを行い、かつ、ハンダボールの発生を抑制するための構成としては不十分であった。
　特に、素子がフリップチップ実装されるときに、基板上の電極が素子のＰ型電極及びＮ型電極に対応して第１電極及び第２電極として互いに離間して形成されている場合、リフロー時に第１電極側の溶融ハンダが第２電極側に集中してしまうことがある。そのため、溶融ハンダが集中して第２電極側の接続厚みが過大となり、第２電極の接続厚みが大きくなることで、第１電極側が上方に引き上げられ、第１電極側の溶融ハンダにボイドが発生することがあった。したがって、発光装置において、第１電極側のボイドの発生を抑制することが望まれていた。
　本発明は、前記した問題点に鑑み創案されたものであり、基板側の電極が実装する一つの素子に対して分離して形成している場合であっても、確実にセルフアライメントを行うことができると共にハンダボールの発生を抑制し、また、電極下の溶融ハンダにボイドが発生するのを抑制することができる発光装置を提供することを課題とする。
　前記した課題を解決するために、請求項１に係る発光装置は、矩形状の素子の外側周縁より内側に形成された第１素子電極及び第２素子電極に対面するように実装基板上に形成された第１基板電極及び第２基板電極に、加熱溶融接続材を介して前記素子を実装する発光装置において、前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、前記第１素子電極及び第２素子電極における外側周縁のすくなくとも一部に一致する形状に形成され、前記第１基板電極は、当該第１基板電極の外側周縁から内側に凹状に切欠かれて形成された切欠凹部を備え、前記第２基板電極は、前記第１基板電極の切欠凹部に沿って離間した位置に形成され、前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、その外側周縁の一部が、前記素子の外側周縁より外側に延出する第１延出部を備え、前記第１延出部は、矩形状の前記素子の外側周縁における一辺に対して少なくとも一箇所以上形成され、前記第１基板電極は、前記切欠凹部の両側の縁の少なくとも一方に前記第２基板電極の第１延出部に沿って形成した第２延出部を備え、前記第２延出部は、前記素子の外側周縁より外側に延出する構成とした。
　かかる構成によれば、発光装置は、実装基板に素子が実装される場合、加熱溶融接続材がリフローされて溶融したときに、第１基板電極及び第２基板電極における外側周縁の少なくとも一部が、第１素子電極及び第２素子電極の一部に、対面して一致する形状に形成されているために、溶融した加熱溶融接続材の表面張力によりセルフアライメントされて所定の実装位置に素子が納まる。そして、発光装置は、セルフアライメントされるときに、第１基板電極及び第２基板電極に、第１延出部を備えていることから、溶融した加熱溶融接続材がその第１延出部に沿って流れることになり、表面張力により外部にハンダボールを形成することがない。さらに、発光装置は、第２基板電極の第１延出部に沿って、第１基板電極に第２延出部が形成されているので、第２延出部がリフロー時に加熱溶融接続材の過剰な集中を抑制する働きを担う。
　また、請求項２に記載の発光装置は、請求項１に記載の発光装置において、前記第２延出部が、前記第１延出部の幅と同等以下に形成されると共に、前記第１延出部及び前記第２延出部の合計の幅が、前記第１基板電極の一端から他端までを直線としたときの一辺の長さに対して１０～５０％の範囲で形成されると都合がよい。
　かかる構成によれば、発光装置は、素子が第１基板電極あるいは第２基板電極に対してより有効なセルフアライメントを行い、かつ、ハンダボールの抑制をより有効に行うことが可能となる。
　さらに、請求項３に記載の発光装置は、請求項１又は請求項２に記載の発光装置において、前記第１延出部が、前記素子の外側周縁における一辺の中央に対して対称となるように配置された構成とした。
　かかる構成によれば、発光装置は、第１延出部が中央に一箇所あるいは２箇所以上であっても、素子の一辺の中央に対して対称となる位置に配置されるので、加熱溶融接続材の塗布されたときの状態が、表面張力により上から見たときに素子の一辺の中央に出っ張っている場合が多いことから、リフロー時に加熱溶融接続材をバランスよく第１延出部により導いてハンダボールの発生をより効率的に抑制する。
　また、請求項４に記載の発光装置は、請求項１又は請求項２に記載の発光装置において、前記第１基板電極が、その角部に対角線方向に延びる第３延出部をさらに備え、前記第３延出部は、前記素子の外側周縁より外側に延出する構成としてもよい。
　かかる構成によれば、発光装置は、例えば、加熱溶融接続材の塗布量が多くなり、第１基板電極の角部側まで覆うような場合に、第３延出部に沿って加熱溶融接続材が流れて付着することになり、加熱溶融接続材の塗布量が多い場合であっても、第１基板電極及び第２基板電極に実装される素子の高さ位置を他の素子の高さと揃えることができる。
　そして、請求項５に記載の発光装置は、矩形状の素子の外側周縁より内側に形成された第１素子電極及び第２素子電極に対面するように実装基板上に形成された第１基板電極及び第２基板電極に、加熱溶融接続材を介して前記素子を実装する発光装置において、前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、前記第１素子電極及び第２素子電極における外側周縁のすくなくとも一部に一致する形状に形成され、前記第１基板電極は、当該第１基板電極の外側周縁から内側に凹状に切欠かれて形成された切欠凹部を備え、前記第２基板電極は、前記第１基板電極の切欠凹部に沿って離間した位置に形成され、前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、その外側周縁の一部が、前記素子の外側周縁より外側に延出する第１延出部を備え、前記第１延出部は、矩形状の前記素子の外側周縁における一辺に対して少なくとも一箇所以上形成され、前記第２基板電極は、その第１延出部が、対面する前記第２素子電極より接続面積を大きく形成して前記素子の外側周縁より外側に延出した部分であること、又は、前記第１基板電極の切欠凹部に対する配置を前記第２素子電極に対面する配置から外側にして前記素子の外側周縁より外側に延出した部分である構成とした。
　かかる構成によれば、発光装置は、実装基板に素子が実装されるときに、加熱溶融接続材がリフローされて溶融した場合、第１基板電極及び第２基板電極における少なくとも一部が、第１素子電極及び第２素子電極に、対面して一致する形状に形成されているために、溶融した加熱溶融接続材の表面張力によりセルフアライメントされて所定の実装位置に素子が納まる。そして、発光装置は、セルフアライメントされるときに、第１基板電極及び第２基板電極に、第１延出部を備えていることから、加熱溶融接続材がその第１延出部に沿うことになり、表面張力により外部にハンダボールを形成することがない。
　また、請求項６に記載の発光装置は、矩形状の素子の外側周縁より内側に形成された第１素子電極及び第２素子電極に対面するように実装基板上に形成された第１基板電極及び第２基板電極に、加熱溶融接続材を介して前記素子を実装する発光装置において、前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、前記第１素子電極及び第２素子電極における外側周縁のすくなくとも一部に一致する形状に形成され、前記第１基板電極は、当該第１基板電極の外側周縁から内側に凹状に切欠かれて形成された切欠凹部を備え、前記第２基板電極は、前記第１基板電極の切欠凹部に沿って離間した位置に形成され、前記第１基板電極は、前記切欠凹部の両側の縁の少なくとも一方に延出部（第２延出部）を備え、前記延出部（第２延出部）は、前記素子の外側周縁より外側に延出する構成とした。
　かかる構成によれば、発光装置は、実装基板に素子が実装される場合、第１基板電極及び第２基板電極の外側周縁の少なくとも一部が、第１素子電極及び第２素子電極の一部に、一致しているので、リフローされ溶融した加熱溶融接続材の表面張力によりセルフアライメントされて所定の実装位置に素子が納まる。そして、発光装置は、セルフアライメントされるときに、第１基板電極に延出部（第２延出部）が形成されているので、延出部（第２延出部）がリフロー時に加熱溶融接続材の過剰な集中を抑制する働きを担う。
　本発明に係る発光装置は、以下に示すように優れた効果を奏するものである。
　発光装置は、第１延出部及び第２延出部を備えることで、加熱溶融接続材がリフロー時にハンダボールを発生させることを抑制すると共に、セルフアライメント性も確保されるので、量産時の組み立てを行うときの位置のばらつきの影響が少なく高品質な製品になる。
　発光装置は、特に、第２延出部を第１延出部に沿って備えることで、加熱溶融接続材のリフロー時の第２基板電極側に集中して流れることを防ぎ、第１基板電極と第１素子電極との接続状態を良好とする。
　発光装置は、第１基板電極に第３延出部をさらに備えることで、加熱溶融接続材で接続される素子のリフロー後の高さをより揃えることができる。
　発光装置は、第１延出部があることで、加熱溶融接続材がリフロー時にハンダボールの発生することを抑制すると共に、セルフアライメント性も確保される。
本発明に係る発光装置の第１実施形態において、実装基板の第１基板電極及び第２基板電極と、発光素子の第１素子電極及び第２素子電極との構成及び位置関係を模式的に示す分解斜視図である。 本発明に係る発光装置の全体を模式的に示す斜視図である。 本発明に係る発光装置の第１基板電極及び第２基板電極を示す平面図である。 本発明に係る発光装置のリフロー後における加熱溶融接続材の状態を模式的に示す断面図である。 （ａ）～（ｈ）は、本発明に係る実装基板に加熱溶融接続材を介して発光素子を実装する状態を模式的に示す斜視図及び断面図である。 本発明に係る発光装置の第２実施形態において、実装基板を模式的に示す平面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明に係る発光装置の第３実施形態において、実装基板及び発光素子を模式的に示す底面図及び平面図である。 （ａ）～（ｆ）は、本発明に係る発光装置の第４～第６実施形態において、発光素子の底面図及び実装基板の第１基板電極及び第２基板電極の平面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明に係る発光装置の第７実施形態において、第１基板電極に第３延出部を形成した状態を示す平面図である。 本発明に係る発光装置の発光素子と第１基板電極及び第２基板電極との関係を模式的に示す平面図である。
　以下、本発明に係る発光装置の実施をするための形態について、図面を参照して説明する。
　図１及び図２に示すように、発光装置１は、中央が凹状に形成された実装基板２０と、この実装基板２０の中央の凹状部分に実装されるＬＥＤチップ等の発光素子（素子）１０とを備えている。なお、発光装置１は、例えば、実装基板２０の中央の凹状に形成した部分の回りをケースＣとし、中央の発光素子１０の実装位置となる基板の上面２０ａに配線パターンＨｐが形成されており、その配線パターンＨｐに連続する基板電極（第１基板電極２、基板第２電極３等）にハンダペースト等の加熱溶融接続材ｋｈを塗布して電気的に発光素子１０と接続し、その発光素子１０を覆うように充填された樹脂Ｐを介して光を照射するように構成されている。また、発光装置１は、必要に応じて発光素子１０を安定して動作させる保護素子（例えばツェナーダイオード）Ｚｄが実装基板２０に実装される構成として使用される。
　発光素子１０は、ここでは、実装基板２０の上面２０ａに設けられた実装部となる第１基板電極２及び第２基板電極３の上にフリップチップ実装される。この発光素子１０は、その一面側に、発光部１１（光取り出し部）を備え、その他面側に、第１素子電極１２及び第２素子電極１３を備えている。発光素子１０は、例えば、少なくとも発光層を有し、基板上に第１導電型半導体、発光層及び第２導電型半導体がこの順に形成される半導体積層構造を備え（図示せず）、この半導体積層構造に電流を供給する電極が設けられた半導体発光素子構造を有している。
　なお、発光素子１０は、これらの構成に限定されるものではなく、他の半導体材料を用いて構成するようにしてもよく、適宜保護層や反射層（図示せず）などを備えるように構成してもよい。
　また、発光素子１０は、例えば白色発光させる場合には、図示しない青色発光する半導体発光素子構造の外側を、蛍光体若しくは蛍光体を含む樹脂等からなる蛍光体層で覆う構成としてもよい。例えば、青色発光する半導体発光素子構造には、黄色発光する、セリウムで賦活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、又は（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ等のシリケート系蛍光体と組み合わせて白色発光の発光素子１０とすることができる。
　なお、発光素子１０の発光部１１は、光を照射することができればその発光色あるいは構造を、ここでは、特に限定されるものではない。
　図１に示すように、発光素子１０の他面側に形成された第１素子電極１２及び第２素子電極１３は、当該発光素子の外側周縁よりも内側となる位置に形成されている。
　そして、第１素子電極１２は、対向する一方の両辺が直線状に形成され、さらに、対向する他方の両辺に内側に凹状に切欠かれた切欠凹部１２ｃ，１２ｃが形成されている。
　また、第２素子電極１３は、第１素子電極１２の切欠凹部１２ｃに沿って離間した位置に形成されている。第２素子電極１３は、切欠凹部１２ｃの曲線に沿った形状の曲線とその曲線の両端をつなぐ直線とで囲まれたＤ字形状に形成されている。そして、第２素子電極１３は、外側周縁の直線部分が第１素子電極の外側周縁の直線部分と同一線上になるように配置されている。なお、第１素子電極１２及び第２素子電極１３の材質は、素子電極として使用されるものであれば、特に限定されるものではない。
　実装基板２０は、所定の配線パターンＨｐ（例えば、基板電極等）が形成されると共に、ハンダペースト等の加熱溶融接続材ｋｈを介して発光素子１０を実装するものである。この実装基板２０は、例えば、アルミナセラミックスのシートを積層して支持基板とし、その支持基板上に、金属膜等を積層して構成されている。実装基板２０は、その所定位置に（凹状に）形成した上面２０ａに発光素子１０の第１素子電極１２及び第２素子電極１３に対応する形状に形成された第１基板電極２及び第２基板電極３と、外部の駆動回路と電気的に接続するための外部接続用電極端子（図示せず）とを有している。
　図１及び図３に示すように、実装基板２０の第１基板電極２は、発光素子１０のＰ型電極となる第１素子電極１２に、第１延出部２ｂ，２ｂを除いて、その電極体２ａの形状が対面させたときに一致するように形成されている。つまり、第１基板電極２は、その外側周縁において第１延出部２ｂを除く部分の直線部分及び曲線部分が第１素子電極１２の外側周縁と対面したときに一致する形状となっている。この第１基板電極２は、ここでは、電極体２ａの一方の対向する両辺に形成された第１延出部２ｂ、２ｂと、電極体２ａの他方の対向する両辺に形成された切欠凹部２ｃ，２ｃと、を備えている。
　第１延出部２ｂは、後記する第２基板電極３の第１延出部３ｂと同様に、リフロー時にハンダボールを発生させないためのものである。この第１延出部２ｂは、電極体２ａの一方の両辺における中央に形成され、実装される発光素子１０の外側周縁ｇｓよりも外側に突出するように形成されている。また、第１延出部２ｂは、その幅Ｌが、後記する第２延出部２ｄと併せて、電極体（第１基板電極２）２ａの一辺（直線としたとき）の長さに対して１０～５０％の範囲になるように形成されている。この第１延出部２ｂが形成されていることにより、加熱溶融接続材ｋｈがリフロー時にその第１延出部２ｂに沿って流れるようになることで、表面張力によりボール状（ハンダボール）になることを防ぐようになっている（図４参照）。
　第１延出部２ｂは、その幅Ｌが、電極体２ａの一辺の長さの１０％より小さくなると、面積が小さくなりすぎて、ハンダボールの発生を防ぐことが困難になる。また、第１延出部２ｂの幅Ｌが、電極体２ａの一辺の長さの５０％を越えると、第１素子電極１２の外側周縁の直線部分との形状が一致する部分が少なくなることで、セルフアライメント性が低下してしまう。したがって、第１延出部２ｂの幅Ｌは、電極体２ａの一辺（直線としたとき）の長さに対して１０～５０％の範囲になるように形成され、さらに、好ましくは、１０～４５％の範囲、より好ましくは、１５～４０％の範囲である。
　第１延出部２ｂは、その延出長さについては、特に限定されるものではなく、発光素子１０の外側周縁ｇｓから外側に延出されていればよい。もちろん、他の構成との関係で、第１延出部２ｂの延出長さが大きく形成されても構わない。
　また、第１延出部２ｂは、発光素子１０の外側周縁ｇｓから延出されている端部は直線状として、その部分の形状が長方形となるように形成されているが、一定幅で延出された後の形状について特に限定されるものではない。
　切欠凹部２ｃ，２ｃは、後記する第２基板電極３を設置するためのエリアを形成しており、電極体２ａの他方における両辺のそれぞれの中央に当該電極体２ａの外側周縁より内側に凹状に切欠いて形成されている。なお、切欠凹部２ｃ，２ｃの位置、形状、大きさ、曲率等は、特に限定されるものではなく、実装される発光素子１０の第１素子電極１２の形状に対応して形成される。
　なお、第１基板電極２は、図３に示すように、外周周縁を形成している直線部分および曲線部分において、第１延出部２ｂの位置を除いた直線部分及び切欠凹部２ｃの曲線部分が、発光素子１０の第１素子電極１２の外側周縁における直線部分および切欠凹部１２ｃの曲線部分と対面したときに一致するようになっている。また、発光素子１０の切欠凹部１２ｃに対して第１基板電極２の切欠凹部２ｃの曲線部分が内側に位置することで、その部分でのセルフアライメント後の加熱溶融接続材ｋｈが断面視において逆台形状となり、電極間での加熱溶融接続材ｋｈのショート防止の精度を向上させることができる。
　第２基板電極３は、第１基板電極２の切欠凹部２ｃ，２ｃに沿って所定間隔Ｓｐをあけて離間した状態で実装基板２０に形成されている。この第２基板電極３は、発光素子１０の第２素子電極１３の直線部（一辺）に沿って形成された直線部と、第１素子電極１２の曲線部に対応すると共に、第１基板電極２の切欠凹部２ｃに沿って形成された曲線部とにより囲まれたＤ字形状となるようにここでは形成されている。そして、第２基板電極３は、発光素子１０の外側周縁より外側となるように接続部３ａから連続して第１延出部３ｂが形成されている。この第１延出部３ｂは、第２基板電極３の直線部分から所定位置までが発光素子１０の外側周縁よりも外側となるように本来の面積（第２素子電極の面積）より大きくして形成されている。
　図１及び図３で示すように、第２基板電極３の接続部３ａは、第２素子電極１３と対面する部分である。また、第２基板電極３の第１延出部３ｂは、電極体２ａの直線から外側となる部分であり、接続部３ａから連続して発光素子１０の外側周縁ｇｓから外側となる部分までとして形成されている。この第１延出部３ｂは、すでに説明した第１基板電極２の第１延出部２ｂと、その延出長さ、形成幅、及び形状等について同様の条件が適用されることになる。なお、第２基板電極３の第１延出部３ｂは、第１基板電極２の第１延出部２ｂよりも幅Ｌ（面積）を大きく形成している。第１延出部３ｂの幅Ｌを大きく形成しているのは、加熱溶融接続材ｋｈが第１基板電極２と第２基板電極３との間隔Ｓｐが有る分、加熱溶融接続材ｋｈが集中しやすく、その分をハンダボールにならないようにするためである。
　なお、第２基板電極３は、第１延出部３ｂを除く部分で第２素子電極１３と対面する位置関係となる。また、第２基板電極３は、発光素子１０の外側周縁ｇｓに平行な直線部分に沿った幅全部に亘る部分を第１延出部３ｂとしている。また、発光素子１０の外側周縁ｇｓとは、第１素子電極１２及び第２素子電極１３が形成されている面における半導体積層構造体の外側面の周縁を示す。また、第１基板電極２及び第２基板電極の外側周縁とは、それぞれの電極の外側となる周縁を示す。
　なお、発光装置１は、図２に示すように、実装基板２０に発光素子１０の他、保護素子Ｚｄ等を所定の位置に実装している。また、実装基板２０は、はじめに、必要に応じて貫通孔等の穴明が施され、かつ、導体パターンが印刷される等の工程を経た複数のシートを積層し、その中央を凹状とし、その凹状の周囲を側壁としたケースＣの状態で形成される（例えばセラミックパッケージの工程等）。そして、発光装置１では、凹状となる基板の上面２０ａに発光素子１０を実装すると共に、必要な部材を実施したら、発光素子１０を実装している位置に封止部材として樹脂Ｐが充填される。なお、ケースＣの状態とするときに、例えば、アルミナセラミックや導体パターンに、発光素子１０から光に対して反射率の高いに金属メッキ（Ａｕや銀白色の金属、特に反射率の高いＡｇやＡｌ等の金属を用いるのが好ましい）して形成される等、発光装置１のケースＣとして使用される形態であれば、特に限定されるものではない。
　図２に示すように、封止部材としての樹脂Ｐは、発光素子１０の全体及び実装基板２０の凹部分の上部（上面２０ａ及びケースＣとなる内側面２０ｂの一部）を封止するとともに、発光装置１の光取り出し方向である凹部分から上方側に光取り出し面を有する。これによって、樹脂Ｐは、発光素子１０の外気による劣化を防止する。また平面視において、樹脂Ｐの（外形の）ほぼ中心に発光素子１０を配置することで、光取り出し面に対して発光素子１０から光を均一に照射することができる。更に、樹脂Ｐにおける光取り出し面を半球面とし、平面視でこの半球面のほぼ中心に発光素子１０を配置することで、半球面に入射する光の入射角が、全反射の臨界角以上となることを抑制することができる。
　なお、このほか樹脂Ｐの光取り出し面は、半球面、球面から扁形された凸曲面、砲弾型、凹曲面などの所望の形状とし、光を集光、拡散させるレンズとして機能させることもできる。樹脂Ｐは、透明な樹脂、ガラスなどからなる。樹脂Ｐとしては、例えば、硬質シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。
　つぎに、図５を参照して実装基板２０に発光素子１０を実装するときの状態を説明する。なお、図５に示す状態は、ケースＣの状態に形成された実装基板２０における凹状の部分について図示したものとする。
　図５（ａ）、（ｂ）に示すように、電極形成工程において、実装基板２０に第１基板電極２及び第２基板電極３が形成されている。第１基板電極２及び第２基板電極３は、露光作業等により実装基板２０に他の回路と一緒に形成される。
　図５（ｃ）、（ｄ）に示すように、塗布工程において、実装基板２０の第１基板電極２及び第２基板電極３にハンダペースト等の加熱溶融接続材ｋｈを塗布する。
　図５（ｅ）、（ｆ）に示すように、素子載置工程において、発光素子１０を加熱溶融接続材ｋｈ上に載置する。このとき、図５（ｆ）に示すように、加熱溶融接続材ｋｈは、発光素子１０から外側にはみ出した状態となっている。
　図５（ｇ）、（ｈ）に示すように、リフロー工程において、加熱溶融接続材ｋｈを加熱する。このときに、第１基板電極２及び第２基板電極３にそれぞれ第１延出部２ｂ，３ｂが形成されているので、加熱溶融接続材ｋｈは、その第１延出部２ｂ，３ｂに沿ってなだらかに流れ、表面張力により外部に分離することがなくなる。したがって、図４及び図５（ｈ）に示すように、加熱溶融接続材ｋｈは、第１素子電極１２と第１基板電極２との対面している位置、及び、第２素子電極１３と第２基板電極３との対面している位置、ならびに、第１延出部２ｂ，３ｂの上面に位置することになる。つまり、発光素子１０は、フリップチップ実装によって電気的及び機械的に実装基板２０の第１基板電極２と第２基板電極３に実装されるときに、ハンダボールを発生させることがない。
　また、リフロー工程において、発光素子１０は、加熱溶融接続材ｋｈの表面張力によりセルフアライメントを行うように移動して適切な位置に移動することになる。なお、セルフアライメントの動作を発生させるように、発光素子１０の載置位置をあえて第１基板電極２及び第２基板電極３の適切な位置から回転方向に所定角度ずらし、リフロー時に加熱されてセルフアライメントを発生させて適切な位置になることを一つの設置判断としても構わない。つまり、セルフアライメントを起こさない発光素子１０があった場合には、その発光素子１０あるいは第１基板電極２及び第２基板電極３に何かの不具合があるとして判断するようにしても構わない。
　第１基板電極２及び第２基板電極３の構成により、リフロー工程において、発光素子１０がセルフアライメントの動作を維持し、かつ、加熱溶融接続材ｋｈがハンダボールの発生を抑制されることになる。
　実装基板２０に発光素子１０あるいはその他の必要な素子（保護素子Ｚｄ等）が実装されると、その後、ケースＣの凹部分、つまり、発光素子１０が実装されている部分に封止部材としての樹脂Ｐが充填されて発光装置１が製造される。
　したがって、発光装置１は、製造工程において、第１延出部２ｂ，３ｂ及び第２延出部２ｄにより、ハンダボールを発生させることがなく、量産時の組み立てを行うときのばらつきの影響が少なく高品質な製品になる。
　また、発光装置１は、点灯する場合には、つぎのような動作となる。発光装置１は、外部接続用電極端子において外部の駆動回路（不図示）に接続され、実装基板２０の上面２０ａ側に配設された配線パターンである金属膜を介して第１基板電極２及び第２基板電極３で電気的に接続された発光素子１０に電力を供給する。発光素子１０は電力の供給を受けて発光し、発光素子１０の外部に樹脂Ｐを介して光を出射する。
　また特に、発光素子１０をフリップチップ実装する場合には、例えば、図６に示すような構成の第１基板電極２の構成であることが望ましい。図６において、すでに説明した発光装置１の構成において同じ構成は同じ符号を付して説明を省略する。図６において、図３と異なる部分は、第２延出部２ｄがさらに形成されている点である。
　第１基板電極２と第２基板電極３とは、間隔Ｓｐをあけて離間している。そのため、リフロー時に加熱溶融接続材ｋｈが第２基板電極３側に集まり易くなっている。したがって、加熱溶融接続材ｋｈが必要以上に、第２基板電極３に集まらないように、ここでは、第２延出部２ｄを第１延出部３ｂの切欠凹部２ｃの縁となる両側に沿って形成している。第２延出部２ｄ，２ｄは、第１基板電極２の直線部分から曲線部分の区切りとなる位置（直線部分の第２基板電極３側となる端部）に形成されている。
　図６に示すように、第２延出部２ｄは、第２基板電極３の第１延出部３ｂと同じ延出長さとなるように、発光素子１０の外側周縁ｇｓよりも外側となるように形成されている。また、第２延出部２ｄは、第１延出部３ｂの幅Ｌよりも小さい幅となるように形成されている。そして、第２延出部２ｄは、図３の構成と同様に、その第１基板電極２の一辺を一端から他端まで直線としたときに、第１延出部２ｂと合計した幅が、５０％を超えないように形成されている。なお、第２延出部２ｄ及び第１延出部２ｂの合計の幅が、５０％を越えないようにしている理由は、すでに述べた第１延出部２ｂの構成と同じ理由である。
　この第２延出部２ｄが形成されていることにより、リフロー時に加熱溶融接続材ｋｈは、必要以上に第２基板電極３側に流れこむことが抑制され、発光素子１０の第１素子電極１２と第１基板電極２の間に位置する加熱溶融接続材ｋｈにボイド等の不具合を抑制することが可能となる。この第２延出部２ｄは、第１基板電極２および第２基板電極３が形成されるときに、同様にして実装基板２０に形成される。なお、本実施例における発光素子１０は、図２で示すものと同じ構成となる。
　また、図７（ｂ）に示すような構成の第１基板電極２Ａ及び第２基板電極３Ａとしてもかまわない。なお、第１基板電極２Ａ及び第２基板電極３Ａの構成では、図７（ａ）に示すような発光素子１０Ａの構成が使用されることになる。また、第１延出部２ｂ１及び第２延出部２ｄ１の大きさの関係および一辺に対する割合の範囲はすでに説明したものと同じである。
　図７（ａ）に示すように、発光素子１０Ａは、一面側（表面側）に発光部（図示せず）を有し、他面側に、第１素子電極１２Ａ及び第２素子電極１３Ａを備えている。
　第１素子電極１２Ａは、外側周縁より内側となる面の全体が電極となっており、かつ、電極凹部１２Ａ１が所定間隔で複数形成されている。そして、第１素子電極１２Ａは、対向する一方の両辺Ａ１，Ａ２は直線で形成され、対向する他方の両辺Ａ３，Ａ４に内側に切り欠いて切欠凹部１２ｃ１が形成されている。切欠凹部１２ｃ１は、半円弧凹部１２ｃ１１と、この半円弧凹部１２ｃ１１から連続して、対向あるいは隣接する辺側に延びる凹溝部１２ｃ１２、１２ｃ１３、１２ｃ１４とから構成されている。
　凹溝部１２ｃ１３は、隣接する辺Ａ１，Ａ２に平行となるように形成され、辺Ａ３から辺Ａ４に向かって１／３程度の切欠き深さとなるように形成されている。また、凹溝部１２ｃ１２、１２ｃ１４は、凹溝部１２ｃ１３を中央として左右対称に形成されている。そして、凹溝部１２ｃ１２は、辺Ａ２のほぼ中央に向かうように所定角度に傾斜して形成され、対向する辺Ａ４に向かって凹溝部１２ｃ１３とほぼ同じ切欠き深さとなるまで形成されている。また、凹溝部１２ｃ１４は、辺Ａ１のほぼ中央に向かうように所定角度に傾斜して形成され、対向する辺Ａ４に向かって凹溝部１２ｃ１３とほぼ同じ切欠き深さとなるまで形成されている。
　第２素子電極１３Ａは、第１素子電極１２Ａの切欠凹部１２ｃ１，１２ｃ１に所定間隔Ｓｐをあけた位置にそれぞれ形成されている。この第２素子電極１３Ａは、それぞれ辺Ａ３，Ａ４と同一直線上に形成した直線部分とその直線部分の両端から切欠凹部１２ｃ１に沿って形成された曲線部分とからなる砲弾形状にそれぞれ形成されている。なお、第２素子電極１３Ａ、１３Ａのそれぞれは、凹溝部１２ｃ１２、１２ｃ１３、１２ｃ１４に沿って形成された補助電極１３Ａａ，１３Ａｂ，１３Ａｃを備えている。そして、ここでは、切欠凹部１２ｃ１の部分、つまり、半円弧凹部１２ｃ１１と、この半円弧凹部１２ｃ１１から連続する凹溝部１２ｃ１２、１２ｃ１３、１２ｃ１４との部分に、絶縁保護膜（ハッチング縦線で示す部分）により覆われた状態になっている。したがって、第２素子電極１３Ａ、１３Ａの電極面は、第１素子電極１２Ａの電極面と絶縁保護膜で離間されており、絶縁保護膜に覆われることなく露出した状態となっている。
　図７（ｂ）に示すように、第１基板電極２Ａ及び第２基板電極３Ａは、発光素子１０Ａの第１素子電極１２Ａ及び第２素子電極１３Ａに加熱溶融接続材ｋｈ（図５参照）を介して接続（実装）される。第１基板電極２Ａは、一方の対向する辺Ｂ１，Ｂ２に第１延出部２ｂ１，２ｂ１がそれぞれ形成され、他方の対向する辺Ｂ３，Ｂ４には、内側に凹状に切欠いて切欠凹部２ｃ１，２ｃ１が形成されている。
　第１延出部２ｂ１，２ｂ１は、すでに説明した第１延出部２ｂ，２ｂと同じ構成であるので説明を省略する。
　また、切欠凹部２ｃ１，２ｃ１は、それぞれ第１素子電極１２Ａの切欠凹部１２ｃ１に対面したときにほぼ一致する曲線部分を備える形状に形成されおり、半円弧凹部２ｃ１１と、この半円弧凹部２ｃ１１から連続して、対向するあるいは隣接する辺側に切り欠いて延びる凹溝部２ｃ１２，２ｃ１３，２ｃ１４から構成されている。
　凹溝部２ｃ１３は、隣接する辺Ｂ１，Ｂ２に平行となるように形成され、辺Ｂ３から辺Ｂ４に向かって１／３程度の切欠き深さとなるように形成されている。また、凹溝部２ｃ１２、２ｃ１４は、凹溝部２ｃ１３を中央として左右対称に形成されている。そして、凹溝部２ｃ１２は、辺Ｂ２のほぼ中央に向かうように所定角度に傾斜して形成され、対向する辺Ｂ４に向かって凹溝部２ｃ１３とほぼ同じ切欠き深さとなるまで形成されている。また、凹溝部２ｃ１４は、辺Ｂ１のほぼ中央に向かうように所定角度に傾斜して形成され、対向する辺Ｂ４に向かって凹溝部２ｃ１３とほぼ同じ切欠き深さとなるまで形成されている。
　図７（ｂ）に示すように、切欠凹部２ｃ１，２ｃ１の縁の両側には、第２延出部２ｄ１，２ｄ１がそれぞれ形成されている。この第２延出部２ｄ１，２ｄ１は、その延出長さが後記する第１延出部３ｂ１よりもｄ１で示すように短くなるように形成されている。また、第２延出部２ｄ１，２ｄ１は、幅が後記する第１延出部３ｂ１よりも小さくなるように形成されている。
　第２基板電極３Ａは、長方形の一端側が第１基板電極２Ａの切欠凹部２ｃ１に沿って円弧状に形成された形状であり、当該一端側が第２素子電極１３Ａの曲線部分に沿って対面したときに一致する形状となっている。そして、第２基板電極３Ａは、他端側となる直線部分側が発光素子１０Ａの外側周縁ｇｓよりも外側になるようにして第１延出部３ｂ１が形成されている。つまり、第２基板電極３Ａは、第２素子電極１３Ａと対面する接続部３ａ１と、この接続部３ａ１に連続する第１延出部３ｂ１とを備えている。
　このように、実装基板２０（図１参照）では、第１基板電極２Ａ及び第２基板電極３Ａに第１延出部２ｂ１を形成していると共に、対向する一方の第１延出部２ｂ１，２ｂ１に沿って第２延出部２ｄ１，２ｄ１をそれぞれ幅が特定の範囲（一辺における幅の割合）となるように形成しているので、セルフアライメントを維持しながら、加熱溶融接続材ｋｈが第２基板電極３Ａ側に集中することを防ぐと共に、加熱溶融接続材ｋｈのハンダボールとなることを防ぐことができる。
　なお、この発光素子１０Ａの第１素子電極１２Ａ及び第２素子電極１３Ａと、第１基板電極２Ａ及び第２基板電極３Ａとの形状において、特に、加熱溶融接続材ｋｈがハンダボールを発生しにくい形状になっている。また、実装基板側の切欠凹部２ｃ１，２ｃ１に凹溝部２ｃ１２～２ｃ１４を形成し、かつ、発光素子１０Ａ側の切欠凹部１２ｃ１，１２ｃ１に凹溝部１２ｃ１２～１２ｃ１４を形成していることにより、セルフアライメント性を向上することができる。
　また、第２基板電極が第１基板電極に対して２つある構成について説明したが、例えば、図８（ａ）～（ｆ）に示すように、第２基板電極が第１基板電極に対して一つの構成であっても、すでに説明したように、セルフアライメントを維持してハンダボールの発生を防止することができる。
　すなわち、図８（ａ）に示すように、発光素子１０Ｂの第１素子電極１２Ｂは、長方形の長辺の一方に内側に切り欠いた切欠凹部１２ｃ２が形成され、その切欠凹部１２ｃ２に沿って半円弧形状の第２素子電極１３Ｂが形成されている。
　そして、図８（ｂ）に示すように、第１基板電極２Ｂは、一方の対向する両辺に第１延出部２ｂ２，２ｂ２を形成し、かつ、他方の対向する一方の辺に第１延出部２ｂ２を形成すると共に、他方の辺に切欠凹部２ｃ２、第２延出部２ｄ２，２ｄ２を形成する構成としている。第１基板電極２Ｂでは、各辺の長さに応じて第１延出部２ｂ２の幅も大きさも比例して大きくなるように形成されている。
　第２基板電極３Ｂは、長方形の一端側となる短辺を円弧状にした形状に形成されている。この第２基板電極３Ｂは、接続部３ａ２から連続して、発光素子１０Ｂの外側周縁ｇｓより外側になるように形成した第１延出部３ｂ２を形成している。
　このように、発光素子１０Ｂの電極構成により第２基板電極３Ｂが第１基板電極２Ｂの一方の辺にしか配置されない構成であっても、すでに説明した構成と同様に発明の効果を達成することができる。
　また、図８（ｃ）に示すように、発光素子１０Ｃは、長方形の一角に切欠凹部１２ｃ３を形成して、その切欠凹部１２ｃ３に沿って第２素子電極１３Ｃを配置した第１素子電極１２Ｃを備えている。なお、切欠凹部１２ｃ３は、凹溝部１２ｃ３１が第１素子電極の一方の短辺側に向かって当該第１素子電極１２Ｃのほぼ半分まで形成されている。
　そして、図８（ｄ）に示すように、第１基板電極２Ｃは、長方形の一角に切欠凹部２ｃ３を形成すると共に、各辺に第１延出部２ｂ３を形成している。切欠凹部２ｃ３には、第１基板電極２Ｃの一方の短辺側に向かって当該第１基板電極２Ｃのほぼ半分まで凹溝部２ｂ３１が形成されている。第１基板電極２Ｃの長辺側及び一方の短辺側では、第１延出部２ｂ３が、その辺においてほぼ中央に形成さている。また、切欠凹部２ｃ３に隣接する第１基板電極２Ｃの辺においては、第１延出部２ｂ３が、その切欠凹部２ｃ３の縁から連続して形成されるように配置されている。
　第２基板電極３Ｃは、長方形の一端側において一方の角を円弧状にした形状に形成されている。この第２基板電極３Ｃは、接続部３ａ３から連続して、発光素子１０Ｃの外側周縁ｇｓより外側になるように形成した第１延出部３ｂ３を備えている。この第２基板電極３Ｃに形成された第１延出部２ｂ３は、発光素子１０Ｃの矩形となる４辺のうちの一辺において、第２基板電極３Ｃの第１延出部３ｂ３と並列した状態で形成されている。また、第２基板電極３Ｃの第１延出部３ｂ３は、二点鎖線で示すように他の配線との接続を行うために実線で記載した位置よりも外部にさらに長く形成するように構成しても構わない。
　なお、第１基板電極２Ｃのように、面積の割合が図３のものと比較して小さく、かつ、各辺の長さが小さい場合には、第２基板電極３Ｃの第１延出部３ｂ３に対して、第１基板電極２の第１延出部２ｂ３は、図６で示す第２延出部の役割も兼ねることになる。つまり、第２基板電極３Ｃに対して、第１基板電極２Ｃの第１延出部２ｂ３の一つが、切欠凹部２ｃ３の縁の一方から発光素子１０Ｃの外側周縁ｇｓの外側になるように形成されていることで、当該第１延出部２ｂ３の本来の機能と併せて、その形成位置により第２基板電極３Ｃに加熱溶融接続材ｋｈ（図５参照）の集中を防止する（第２延出部２ｄの機能）ことができる。
　さらに、図８（ｅ）、（ｆ）で示す構成としても構わない。図８（ｅ）に示すように、発光素子１０Ｄは、正方形の一角に切欠凹部１２ｃ４を形成して、その切欠凹部１２ｃ４に沿って第２素子電極１３Ｄを配置した第１素子電極１２Ｄを備えている。なお、切欠凹部１２ｃ４は、凹溝部１２ｃ４１が第１素子電極１２Ｄの対角方向に向かって当該第１素子電極１２Ｄのほぼ半分（中央）まで形成されている。
　そして、図８（ｆ）に示すように、第１基板電極２Ｄは、正方形の一角に切欠凹部２ｃ４を形成すると共に、各辺の中央に第１延出部２ｂ４を形成している。切欠凹部２ｃ４には、第１基板電極２Ｄの対角方向に向かって当該第１基板電極２Ｄのほぼ半分まで凹溝部２ｃ４１が形成されている。第１基板電極２Ｄの第１延出部２ｂ４は、同じ幅で同じ縁出長さに形成されている。また、ここでは、第１基板電極２Ｄは、切欠凹部２ｃ４の縁となる両側の位置にそれぞれ第１延出部２ｂ４，２ｂ４が形成される構成としている。
　第２基板電極３Ｄは、長方形の一端側において一方の角を円弧状にした形状に形成されている。この第２基板電極３Ｄは、接続部３ａ４から連続して、発光素子１０Ｄの外側周縁ｇｓより外側になるように形成した第１延出部３ｂ４を備えている。この第２基板電極３Ｄに形成された第１延出部３ｂ４は、発光素子１０Ｄの矩形（正方形）となる４辺のうちの一辺において、第２基板電極３Ｄの第１延出部３ｂ４と並列した状態で形成されている。また、第２基板電極３Ｄの第１延出部３ｂ４は、二点鎖線で示すように他の配線との接続を行うために実線で記載した位置よりも外部にさらに長く形成するように構成しても構わない。
　なお、第１基板電極２Ｄのように、面積が図３のものと比較して小さく、かつ、各辺の長さが小さい場合には、第２基板電極３Ｄの第１延出部３ｂ４に対して両側に位置する第１基板電極２Ｄの第１延出部２ｂ４，２ｂ４は、図６で示す第２延出部の役割も兼ねることになる。つまり、第２基板電極３Ｄに対して、第１基板電極２Ｄの第１延出部２ｂ４，２ｂ４が、切欠凹部２ｃ４の縁から発光素子１０Ｄの外側周縁ｇｓの外側になるように形成されていることで、当該第１延出部２ｂ４の本来の機能と併せて、その形成位置により第２基板電極３Ｄに、リフロー時において加熱溶融接続材ｋｈ（図５参照）の集中を防止する（第２延出部２ｄと同じ機能）ことができる。
　以上説明したように、第１基板電極２Ｃ，２Ｄのように、第１基板電極の第１延出部２ｂ３，２ｂ４が、第２基板電極３Ｃ，３Ｄに対して、切欠凹部２ｃ３，２ｃ４の片側あるいは両側に沿って形成されることで、第１延出部２ｂ３，２ｂ４は、本来の機能と併せて、その第１基板電極の第２延出部の機能を兼ねる構成となる場合もある。
　また、すでに説明した第１基板電極２，２Ａ等で示す角部分に図９（ａ）、（ｂ）に示すように、第３延出部１０２ａ、１０２ｂを形成するようにしても構わない。なお、図９（ａ）、（ｂ）において、すでに説明した構成は同じ符号を付してその説明を省略する。
　図９（ａ）に示すように、第１基板電極２は、その４つの角部に第３延出部１０２ａを形成している。この第３延出部１０２ａは、発光素子１０の外側周縁ｇｓよりも外側となるように形成されている。また、この第３延出部１０２ａは、第１延出部２ｂの幅、又は、第１延出部２ｂ及び第２延出部２ｄとの合計の幅が、第１基板電極の一辺を直線としたときの５０％を超えることがないように形成されている。また、第３延出部１０２ａの形状は、図面では、角部に長方形を接続した形状として示しているが、その外側となる先端側は、円弧形状であっても構わない。
　また、図９（ｂ）に示すように、すでに説明した第１基板電極２Ａの角部に第３延出部１０２ａを形成しても構わない。この第３延出部１０２ａは、すでに説明したものと同じ条件で形成される。
　図９（ａ）、（ｂ）に示すように、第３延出部１０２ａを第１基板電極２，２Ａが備えることで、加熱溶融接続材ｋｈ（図４、図５参照）の塗布量が多くなり厚く塗られていても、リフロー時にその加熱溶融接続材ｋｈが第３延出部１０２ａ側に沿うように流れるので、発光素子１０を実装したときの高さを揃えることが可能となる。なお、加熱溶融接続材ｋｈの塗布量が多い場合には、第１基板電極２，２Ａの角部分を覆うように加熱溶融接続材ｋｈが塗布されることから、塗布量が多いときのみに、第３延出部１０２ａに沿って加熱溶融接続材ｋｈを流すことができ、塗布量が適量であるときには、第３延出部１０２ａは機能しないことになる。
　また、図１０に示すように、第１基板電極５２と第２基板電極５３がほぼ同じ大きさで隣接して配置された構成であっても、第１基板電極５２と第２基板電極５３にそれぞれ第１延出部５２ｂ、５３ｂが形成されていれば、ハンダボールの発生を防止することが可能となる。
　第１基板電極５２及び第２基板電極５３の構成では、使用する発光素子１０Ｅも矩形状であり外側周縁ｇｓより内側に並列に形成された第１素子電極及び第２素子電極（図示せず）が形成されている。そして、すでに説明した構成と同じように、加熱溶融接続材ｋｈ（図５参照）を介してセルフアライメントにより発光素子を実装するものとなる。なお、第１基板電極５２及び第２基板電極５３がほぼ同じ大きさである場合には、電極の正負を誤認しないように、ここでは、一方の電極体５３ａに直線部分を有する形状とし、他方の電極体５２ａには曲線を有する形状に形成している。そして、矩形の発光素子１０Ｅの長辺側において、外側周縁ｇｓから外側に延出する第１延出部５２ｂ，５３ｂが発光素子１０Ｅの一辺に対して２つ延出となるように配置している。このように、第１基板電極５２及び第２基板電極５３では、長辺に対する第１延出部５２ｂ，５３ｂの幅の割合を増やしてハンダボールの発生の防止を図っている。このように発光素子１０Ｅの一辺に対して２つ配置される場合には、当該辺の中央に対して対称となる位置であることが望ましい。
　以上説明したように、第１基板電極および第２基板電極に第１延出部あるいは第２延出部（さらに第３延出部）を形成することで、セルフアライメントの機能を維持して、ハンダボールの発生を防止することが可能となる。なお、第２基板電極は、発光素子１０の外側周縁ｇｓに沿う直線部分の全部幅を、接続部から連続して第１延出部とするようにしたが、その外側周縁の直線部分の一部の幅部分を第１延出部としても構わない。また、第２基板電極は、接続部から連続して第１延出部を形成し、第２素子電極と対面して接合する部分の面積を大きくした部分を第１延出部として示したが、第２素子電極と対面する面積を変えずに、第２基板電極の位置を移動させ、その移動したことで、発光素子１０の外側周縁ｇｓより外側となった部分を第１延出部として構成しても構わない。
　また、発光装置は、図１～図１０において、第１延出部と第２延出部とを備える構成として説明したが、第２延出部のみを備える構成としても構わない。つまり、発光装置は、第１延出部を素子の外側周縁と同等の位置として構成しても、第２延出部（延出部）があることで、加熱溶融接続材が表面張力により外部にハンダボールを形成することを軽減することができる。
　本発明の発光装置は、照明用光源、ＬＥＤディスプレイ、液晶表示装置などのバックライト光源、信号機、照明式スイッチ、各種センサ及び各種インジケータ、動画照明補助光源、その他の一般的な民生品用光源等に好適に利用できる。
　１　　　発光装置
　２　　　第１基板電極
　２Ａ　　第１基板電極
　２ａ　　電極体
　２ｂ　　第１延出部
　２ｃ　　凹部
　２ｄ　　第２延出部
　３　　　第２基板電極
　３ａ　　接続部
　３ｂ　　第１延出部
　１０　　発光素子（素子）
　１１　　発光部
　１２　　第１素子電極
　１２ｃ　凹部
　１３　　第２素子電極
　２０　　実装基板
　２０ａ　上面
　２０ｂ　側面
　Ｃ　　　ケース
　Ｈｐ　　配線パターン
　Ｐ　　　樹脂
　Ｓｐ　　間隔
　Ｚｄ　　保護素子
　ｇｓ　　外側周縁
　ｋｈ　　加熱溶融接続材

Claims (6)

  1. 　矩形状の素子の外側周縁より内側に形成された第１素子電極及び第２素子電極に対面するように実装基板上に形成された第１基板電極及び第２基板電極に、加熱溶融接続材を介して前記素子を実装する発光装置において、
    　前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、前記第１素子電極及び第２素子電極における外側周縁のすくなくとも一部に一致する形状に形成され、
    　前記第１基板電極は、当該第１基板電極の外側周縁から内側に凹状に切欠かれて形成された切欠凹部を備え、
    　前記第２基板電極は、前記第１基板電極の切欠凹部に沿って離間した位置に形成され、
    　前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、その外側周縁の一部が、前記素子の外側周縁より外側に延出する第１延出部を備え、
    　前記第１延出部は、矩形状の前記素子の外側周縁における一辺に対して少なくとも一箇所以上形成され、
    　前記第１基板電極は、前記切欠凹部の両側の縁の少なくとも一方に前記第２基板電極の第１延出部に沿って形成した第２延出部を備え、前記第２延出部は、前記素子の外側周縁より外側に延出することを特徴とする発光装置。
  2. 　前記第２延出部は、前記第１延出部の幅と同等以下に形成されると共に、前記第１延出部及び前記第２延出部の合計の幅が、前記第１基板電極の一端から他端までを直線としたときの一辺の長さに対して１０～５０％の範囲で形成されたことを特徴とする請求の範囲第１項に記載の発光装置。
  3. 　前記第１延出部は、前記第１基板電極の一辺の中央に対して対称となるように配置されたことを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載の発光装置。
  4. 　前記第１基板電極は、その角部に対角線方向に延びる第３延出部をさらに備え、前記第３延出部は、前記素子の外側周縁より外側に延出することを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載の発光装置。
  5. 　矩形状の素子の外側周縁より内側に形成された第１素子電極及び第２素子電極に対面するように実装基板上に形成された第１基板電極及び第２基板電極に、加熱溶融接続材を介して前記素子を実装する発光装置において、
    　前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、前記第１素子電極及び第２素子電極における外側周縁のすくなくとも一部に一致する形状に形成され、
    　前記第１基板電極は、当該第１基板電極の外側周縁から内側に凹状に切欠かれて形成された切欠凹部を備え、
    　前記第２基板電極は、前記第１基板電極の切欠凹部に沿って離間した位置に形成され、
    　前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、その外側周縁の一部が、前記素子の外側周縁より外側に延出する第１延出部を備え、
    　前記第１延出部は、矩形状の前記素子の外側周縁における一辺に対して少なくとも一箇所以上形成され、
    　前記第２基板電極は、その第１延出部が、対面する前記第２素子電極より接続面積を大きく形成して前記素子の外側周縁より外側に延出した部分であること、又は、前記第１基板電極の切欠凹部に対する配置を前記第２素子電極に対面する配置から外側にして前記素子の外側周縁より外側に延出した部分であることを特徴とする発光装置。
  6. 　矩形状の素子の外側周縁より内側に形成された第１素子電極及び第２素子電極に対面するように実装基板上に形成された第１基板電極及び第２基板電極に、加熱溶融接続材を介して前記素子を実装する発光装置において、
    　前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、前記第１素子電極及び第２素子電極における外側周縁のすくなくとも一部に一致する形状に形成され、
    　前記第１基板電極は、当該第１基板電極の外側周縁から内側に凹状に切欠かれて形成された切欠凹部を備え、
    　前記第２基板電極は、前記第１基板電極の切欠凹部に沿って離間した位置に形成され、
    　前記第１基板電極は、前記切欠凹部の両側の縁の少なくとも一方に延出部を備え、前記延出部は、前記素子の外側周縁より外側に延出することを特徴とする発光装置。
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