CN102473656A - 发光装置 - Google Patents
发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102473656A CN102473656A CN2010800318917A CN201080031891A CN102473656A CN 102473656 A CN102473656 A CN 102473656A CN 2010800318917 A CN2010800318917 A CN 2010800318917A CN 201080031891 A CN201080031891 A CN 201080031891A CN 102473656 A CN102473656 A CN 102473656A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- extension
- light
- outboard peripheries
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 276
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 59
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 59
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 59
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 48
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 55
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 23
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 5
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 235000006696 Catha edulis Nutrition 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000287680 Garcinia dulcis Species 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000004350 Strabismus Diseases 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0605—Shape
- H01L2224/06051—Bonding areas having different shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83194—Lateral distribution of the layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01038—Strontium [Sr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01056—Barium [Ba]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01063—Europium [Eu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12035—Zener diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
发光装置(1)是与其矩形状的元件(10)相向而经由加热熔融连接材料安装在安装基板上,且构成为:沿着第一基板电极(2)的缺口凹部(2c)形成着第二基板电极(3),第一基板电极及第二基板电极的外侧周缘的一部分包括向所述元件的外侧周缘(gs)的更外侧延伸的第一延伸部(2b),所述第一延伸部相对于矩形状的所述元件的外侧周缘的一边而形成在至少一个部位以上,所述第一基板电极包括第二延伸部(2d),该第二延伸部(2d)沿着所述第二基板电极的第一延伸部而形成在所述缺口凹部的两侧的边缘的至少一个边缘,所述第二延伸部自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸。
Description
技术领域
本发明涉及一种将发光元件等的元件安装在半导体绝缘基板等的安装基板上而成的发光装置。
背景技术
以前,众所周知一种表面安装型的发光装置,该发光装置是将发光二极管(LED,Light Emitting Diode)或者激光二极管(LD,Laser Diode)等的发光元件安装在基板上而成。该发光装置被用于照明器具、显示画面的背光、车载用光源、显示器用光源、动画照明辅助光源、及其他的普通的民用品光源等中,以提高发光元件的光出射效率为目的,使用在同一面侧具有正电极与负电极的构成的发光元件。而且,就发光装置而言,一般提出了利用倒装芯片而接合在形成着配线图案的绝缘基板上的构造。
作为所述构造的一例,发光装置构成为如下:对形成在绝缘基板上的一对电极的特定位置涂布焊锡膏,将LED元件进行倒装芯片安装而加以接合后,通过进行回流焊而将焊锡膏熔融并获得电性导通。于形成在该发光装置的绝缘基板上的一对电极形成为与LED元件侧的电极相同的形状的情况下,当将LED元件挤压至电极而进行搭载时,会发生如下情形:被涂布在绝缘基板上后焊锡膏从电极突出的部分会因回流焊时的热而从电极部分脱离,且作为焊球而堆积。
因此,众所周知,发光装置在其制造过程中,为了防止产生所述焊球,以前会采用如专利文献1所记载的构成。也就是,在专利文献1中,设为如下的构成:通过沿着LED元件的外周来设置多余的回流焊垫以抑制焊球的产生。
而且,专利文献2中记载了如下的构成:在发光装置中,将晶座部的矩形的纵横的长度设为发光二极管的矩形的纵横长度的0.5~1.5倍的范围,从而确实地进行自动对准。而且,专利文献2中记载了如下的构成:设置在将发光二极管安装到绝缘基板侧的晶座部时从该发光二极管的四边突出的延长部,因该延长部的存在,可在确保了由该熔融焊锡的表面张力所实现的自动对准的状态下,降低晶座部的表面的熔融焊锡的凸起高度。
背景技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开平06-120648号公报
专利文献2:日本专利特开2003-264267号公报(段落编号0033~0035,图8、图9)
发明内容
[发明所欲解决的问题]
然而,在所述以前的发光装置的构成中,存在以下所示的问题。
专利文献1的发光装置的构成中,使多余的回流焊垫的形状形成得比元件的电极部分大,由此不适合于用以进行自动对准的形状,因而回流焊时安装的发光元件的位置不恰当,从而产生无法恰当地进行自动对准的问题。
专利文献2的发光装置的构成中,能够在回流焊时进行自动对准是在设想了晶座的形状为一体时实现的,而在晶座相对于发光二极管等的一个元件为分离的状态,也就是,在第一基板电极及第二基板电极等基板侧电极分离的构成中进行安装的情况下,作为进行自动对准且用于抑制焊球的产生的构成则并不充分。
尤其在将元件进行倒装芯片安装时,在基板上的电极对应于元件的P型电极及N型电极而作为第一电极及第二电极相互隔开地形成的情况下,有时在回流焊时第一电极侧的熔融焊锡会向第二电极侧集中。因此,熔融焊锡集中而第二电极侧的连接厚度过大,因第二电极的连接厚度变大,第一电极侧被向上方提拉,从而第一电极侧的熔融焊锡中产生空隙。因此,业界期望在发光装置中抑制第一电极侧的空隙的产生。
本发明鉴于所述问题而完成,其课题在于提供一种发光装置,该发光装置即便在基板侧的电极相对于安装的一个元件分离地形成的情况下,也可确实地进行自动对准,并且可抑制焊球的产生,而且可抑制在电极下的熔融焊锡中产生空隙。
[解决问题的技术手段]
为了解决所述课题,技术方案1的发光装置是在以与形成在矩形状的元件的外侧周缘的更内侧的第一元件电极及第二元件电极相向的方式而形成在安装基板上的第一基板电极及第二基板电极,经由加热熔融连接材料安装着所述元件;且所述发光装置设为如下构成:所述第一基板电极及所述第二基板电极形成为与所述第一元件电极及第二元件电极的外侧周缘的至少一部分一致的形状;所述第一基板电极包括缺口凹部,该缺口凹部从该第一基板电极的外侧周缘向内侧呈凹状缺损而形成;所述第二基板电极形成在沿所述第一基板电极的缺口凹部隔开的位置上;所述第一基板电极及所述第二基板电极的外侧周缘的一部分包括第一延伸部,该第一延伸部自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸;所述第一延伸部相对于矩形状的所述元件的外侧周缘的一边而形成在至少一个部位以上;所述第一基板电极包括第二延伸部,该第二延伸部在所述缺口凹部的两侧的边缘的至少一个边缘沿所述第二基板电极的第一延伸部而形成,所述第二延伸部自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸。
根据所述构成,发光装置在将元件安装在安装基板的情况下,当加热熔融连接材料受到回流焊而发生熔融时,第一基板电极及第二基板电极中的外侧周缘的至少一部分形成为与第一元件电极及第二元件电极的一部分相向而一致的形状,因此利用熔融的加热熔融连接材料的表面张力而进行自动对准且将元件收纳在特定的安装位置。而且,发光装置在进行自动对准时,因第一基板电极及第二基板电极中包括第一延伸部,所以熔融的加热熔融连接材料沿着该第一延伸部流动,从而不会因表面张力而在外部形成焊球。此外,发光装置沿着第二基板电极的第一延伸部而在第一基板电极形成着第二延伸部,因而第二延伸部发挥抑制回流焊时加热熔融连接材料的过度集中的作用。
而且,技术方案2所述的发光装置在技术方案1所述的发光装置中,宜为所述第二延伸部形成为与所述第一延伸部的宽度同等的宽度以下,并且所述第一延伸部及所述第二延伸部的合计的宽度以相对于从所述第一基板电极的一端到另一端为止设为直线时的一边的长度为10~50%的范围而形成。
根据所述构成,发光装置中,元件相对于第一基板电极或者第二基板电极进行更有效的自动对准,且可更有效地抑制焊球。
此外,技术方案3所述的发光装置在技术方案1或技术方案2所述的发光装置中,设为如下构成:所述第一延伸部以相对于所述元件的外侧周缘的一边的中央为对称的方式配置。
根据所述构成,发光装置中,第一延伸部即便位于中央的一个部位或者两个部位以上,也可配置在相对于元件的一边的中央为对称的位置上,因而涂布了加热熔融连接材料时的状态下,从上方进行观察时,加热熔融连接材料因表面张力而向元件的一边的中央突出的情况较多,因此在回流焊时平衡性佳地利用第一延伸部来引导加热熔融连接材料,从而更有效地抑制焊球的产生。
而且,技术方案4所述的发光装置在技术方案1或技术方案2所述的发光装置中,也可设为如下构成:所述第一基板电极在其角部更包括沿对角线方向延伸的第三延伸部,所述第三延伸部自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸。
根据所述构成,发光装置例如在加热熔融连接材料的涂布量增多而覆盖到第一基板电极的角部侧为止的情况下,使加热熔融连接材料沿着第三延伸部流动并附着,从而即便在加热熔融连接材料的涂布量较多的情况下,也可使安装在第一基板电极及第二基板电极的元件的高度位置与其他元件的高度一致。
而且,技术方案5所述的发光装置是以与形成在矩形状的元件的外侧周缘的更内侧的第一元件电极及第二元件电极相向的方式而形成在安装基板上的第一基板电极及第二基板电极,经由加热熔融连接材料安装着所述元件;所述发光装置设为如下构成:所述第一基板电极及所述第二基板电极形成为与所述第一元件电极及第二元件电极的外侧周缘的至少一部分一致的形状;所述第一基板电极包括缺口凹部,该缺口凹部从该第一基板电极的外侧周缘向内侧呈凹状缺损而形成;所述第二基板电极形成在沿所述第一基板电极的缺口凹部隔开的位置上;所述第一基板电极及所述第二基板电极的外侧周缘的一部分包括第一延伸部,该第一延伸部自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸;所述第一延伸部相对于矩形状的所述元件的外侧周缘的一边而形成在至少一个部位以上;所述第二基板电极的第一延伸部为如下的部分,即,连接面积形成得比相向的所述第二元件电极大且自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸的部分,或者使相对于所述第一基板电极的缺口凹部的配置比与所述第二元件电极相向的配置更朝外侧且自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸的部分。
根据所述构成,发光装置在将元件安装在安装基板时,当加热熔融连接材料受到回流焊而发生熔融时,第一基板电极及第二基板电极中的至少一部分形成为与第一元件电极及第二元件电极相向而一致的形状,因此利用熔融的加热熔融连接材料的表面张力而进行自动对准且将元件收纳在特定的安装位置。而且,发光装置在进行自动对准时,因第一基板电极及第二基板电极中包括第一延伸部,所以加热熔融连接材料沿着该第一延伸部流动,从而不会因表面张力而在外部形成焊球。
而且,技术方案6所述的发光装置是在以与形成在矩形状的元件的外侧周缘的更内侧的第一元件电极及第二元件电极相向的方式而形成在安装基板上的第一基板电极及第二基板电极,经由加热熔融连接材料安装着所述元件;所述发光装置设为如下构成:所述第一基板电极及所述第二基板电极形成为与所述第一元件电极及第二元件电极的外侧周缘的至少一部分一致的形状;所述第一基板电极包括缺口凹部,该缺口凹部从该第一基板电极的外侧周缘向内侧呈凹状缺损而形成;所述第二基板电极形成在沿所述第一基板电极的缺口凹部隔开的位置上;所述第一基板电极在所述缺口凹部的两侧的边缘的至少一个边缘包括延伸部(第二延伸部),所述延伸部(第二延伸部)自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸。
根据所述构成,发光装置在将元件安装在安装基板的情况下,第一基板电极及第二基板电极的外侧周缘的至少一部分与第一元件电极及第二元件电极的一部分一致,因此利用受到回流焊而熔融的加热熔融连接材料的表面张力来进行自动对准从而将元件收纳在特定的安装位置。而且,发光装置在进行自动对准时,因在第一基板电极形成延伸部(第二延伸部),所以延伸部(第二延伸部)发挥抑制回流焊时加热熔融连接材料的过度集中的作用。
[发明的效果]
本发明的发光装置可实现以下所示的优异的效果。
发光装置通过具备第一延伸部及第二延伸部,而抑制加热熔融连接材料在回流焊时产生焊球,并且自动对准性也得以确保,因而成为进行量产时的组装时的位置差异的影响较少的高品质的制品。
发光装置尤其通过沿第一延伸部而具备第二延伸部,能够防止加热熔融连接材料在回流焊时集中地向第二基板电极侧流动,从而可使第一基板电极与第一元件电极的连接状态为良好。
发光装置通过在第一基板电极中更具备第三延伸部,能够使由加热熔融连接材料连接的元件的回流焊后的高度更一致。
发光装置因具有第一延伸部,而抑制加热熔融连接材料在回流焊时产生焊球,并且自动对准性也得以确保。
附图说明
图1是示意性地表示在本发明的发光装置的第一实施方式中,安装基板的第一基板电极及第二基板电极、与发光元件的第一元件电极及第二元件电极的构成及位置关系的分解立体图。
图2是示意性地表示本发明的发光装置的整体的立体图。
图3是表示本发明的发光装置的第一基板电极及第二基板电极的平面图。
图4是示意性地表示本发明的发光装置的回流焊后的加热熔融连接材料的状态的剖面图。
图5(a)~(h)是示意性地表示在本发明的安装基板上经由加热熔融连接材料而安装发光元件的状态的立体图及剖面图。
图6是示意性地表示本发明的发光装置的第二实施方式中的安装基板的平面图。
图7(a)、(b)是示意性地表示本发明的发光装置的第三实施方式中的安装基板及发光元件的底面图及平面图。
图8(a)~(f)是本发明的发光装置的第4~第6实施方式中的发光元件的底面图及安装基板的第一基板电极及第二基板电极的平面图。
图9(a)、(b)是表示在本发明的发光装置的第7实施方式中,在第一基板电极形成着第三延伸部的状态的平面图。
图10是示意性地表示本发明的发光装置的发光元件与第一基板电极及第二基板电极的关系的平面图。
[符号的说明]
1 发光装置
2 第一基板电极
2A 第一基板电极
2a 电极体
2b 第一延伸部
2c 凹部
2d 第二延伸部
3 第二基板电极
3a 连接部
3b 第一延伸部
10 发光元件(元件)
11 发光部
12 第一元件电极
12c 凹部
13 第二元件电极
20 安装基板
20a 上表面
20b 侧面
C 壳体
Hp 配线图案
P 树脂
Sp 间隔
Zd 保护元件
gs 外侧周缘
kh 加热熔融连接材料
具体实施方式
以下,参照附图对用以实施本发明的发光装置的形态进行说明。
如图1及图2所示,发光装置1包括:中央形成为凹状的安装基板20,及安装在该安装基板20的中央的凹状部分的LED芯片等的发光元件(元件)10。另外,发光装置1例如构成为如下:将安装基板20的中央的形成为凹状的部分的周围作为壳体C,在中央的成为发光元件10的安装位置的基板的上表面20a形成着配线图案Hp,对与该配线图案Hp连接的基板电极(第一基板电极2、基板第二电极3等)涂布焊锡膏等的加热熔融连接材料kh,而电性地与发光元件10连接,且隔着以覆盖该发光元件10的方式而填充的树脂P来照射光。而且,发光装置1作为如下构成而使用:视需要将使发光元件10稳定地动作的保护元件(例如齐纳二极管)Zd安装在安装基板20上。
此处,发光元件10倒装芯片安装在成为安装部的第一基板电极2及第二基板电极3上,该第一基板电极2及第二基板电极3设置在安装基板20的上表面20a。该发光元件10在其一面侧具备发光部11(光出射部),在另一面侧具备第一元件电极12及第二元件电极13。发光元件10例如至少具有发光层,且具备在基板上依序形成着第一导电型半导体、发光层及第二导电型半导体的半导体层叠构造(未图示),且具有设置着对该半导体层叠构造供给电流的电极的半导体发光元件构造。
另外,发光元件10并不限定于所述构成,也可使用其他半导体材料来构成,还可适当地具备保护层或反射层(未图示)等来构成。
而且,发光元件10在例如使白色发光的情况下,也可设为如下的构成:利用由荧光体或包含荧光体的树脂等构成的荧光体层来覆盖未图示的进行蓝色发光的半导体发光元件构造的外侧。例如,在进行蓝色发光的半导体发光元件构造中,可与进行黄色发光的由铈活化的YAG(钇-铝-石榴石)系荧光体、或(Sr,Ba)2SiO4:Eu等的硅酸盐系荧光体进行组合而形成白色发光的发光元件10。
另外,发光元件10的发光部11只要可照射光,则其发光色或者构造并不限定于此处所述的情况。
如图1所示,形成在发光元件10的另一面侧的第一元件电极12及第二元件电极13形成在该发光元件的外侧周缘的更内侧的位置上。
而且,第一元件电极12的对向的一方的两边形成为直线状,此外,在对向的另一方的两边形成着向内侧呈凹状缺损的缺口凹部12c、12c。
而且,第二元件电极13形成在沿第一元件电极12的缺口凹部12c隔开的位置上。第二元件电极13形成为D字形状,该D字形状由沿着缺口凹部12c的曲线的形状的曲线与连接该曲线的两端的直线所包围。而且,第二元件电极13以外侧周缘的直线部分与第一元件电极的外侧周缘的直线部分成为同一线上的方式而配置。另外,第一元件电极12及第二元件电极13的材质只要可作为元件电极使用,则不作特别限定。
安装基板20形成着特定的配线图案Hp(例如,基板电极等),并且经由焊锡膏等的加热熔融连接材料kh安装发光元件10。该安装基板20例如层叠氧化铝陶瓷的片材来作为支持基板,且在该支持基板上层叠金属膜等而构成。安装基板20包括:第一基板电极2及第二基板电极3,其以与发光元件10的第一元件电极12及第二元件电极13相对应的形状而形成在上表面20a,其中该上表面20a(凹状地)形成在所述安装基板20的特定位置;及用以与外部的驱动电路电性连接的外部连接用电极端子(未图示)。
如图1及图3所示,安装基板20的第一基板电极2形成为如下:在面向发光元件10的成为P型电极的第一元件电极12时,除第一延伸部2b、2b外,其电极体2a的形状与该第一元件电极12一致。也就是,第一基板电极2在其外侧周缘,除第一延伸部2b外的部分的直线部分及曲线部分在与第一元件电极12的外侧周缘相向时成为一致的形状。此处,该第一基板电极2包括:形成在电极体2a的一方的对向的两边的第一延伸部2b、2b,及形成在电极体2a的另一方的对向的两边的缺口凹部2c、2c。
第一延伸部2b与后述的第二基板电极3的第一延伸部3b相同,用于使回流焊时不产生焊球。该第一延伸部2b形成在电极体2a的一方的两边的中央处,且以向安装的发光元件10的外侧周缘gs的更外侧突出的方式而形成。而且,第一延伸部2b的宽度L与后述的第二延伸部2d的合计的宽度,以相对于电极体(第一基板电极2)2a的一边(设为直线时)的长度成为10~50%的范围的方式形成。通过形成该第一延伸部2b,加热熔融连接材料kh在回流焊时沿该第一延伸部2b流动,由此可防止因表面张力而成为球状(焊球)(参照图4)。
第一延伸部2b的宽度L如果小于电极体2a的一边的长度的10%,则面积过小,而难以防止焊球的产生。而且,第一延伸部2b的宽度L如果超过电极体2a的一边的长度的50%,则与第一元件电极12的外侧周缘的直线部分的形状一致的部分减少,由此自动对准性降低。因此,第一延伸部2b的宽度L以相对于电极体2a的一边(设为直线时)的长度成为10~50%的范围的方式而形成,此外,优选为10~45%的范围,更优选为15~40%的范围。
就第一延伸部2b而言,未对其延伸长度作特别限定,可从发光元件10的外侧周缘gs向外侧延伸。当然,就与其他的构成的关系而言,第一延伸部2b的延伸长度也可形成得较大。
而且,第一延伸部2b形成为从发光元件10的外侧周缘gs延伸出的端部为直线状,且该部分的形状为长方形,但以固定宽度延伸后的形状未作特别限定。
缺口凹部2c、2c形成用于设置后述的第二基板电极3的区域,在电极体2a的另一方的两边的各自的中央处,向该电极体2a的外侧周缘的更内侧呈凹状缺损而形成。另外,关于缺口凹部2c、2c的位置、形状、大小、曲率等未作特别限定,对应于安装的发光元件10的第一元件电极12的形状来形成。
另外,如图3所示,第一基板电极2在形成外周周缘的直线部分及曲线部分中,除第一延伸部2b的位置外的直线部分及缺口凹部2c的曲线部分在与发光元件10的第一元件电极12的外侧周缘中的直线部分及缺口凹部12c的曲线部分相向的时候成为一致。而且,相对于发光元件10的缺口凹部12c,第一基板电极2的缺口凹部2c的曲线部分位于内侧,由此该部分的自动对准后的加热熔融连接材料kh在剖面观察时成为倒梯形状,可提高电极间的加热熔融连接材料kh的短路防止的精度。
第二基板电极3是在沿第一基板电极2的缺口凹部2c、2c以特定间隔Sp而隔开的状态下形成在安装基板20上。该第二基板电极3在此处以成为D字形状的方式而形成,该D字形状是由沿发光元件10的第二元件电极13的直线部(一边)形成的直线部、及与第一元件电极12的曲线部相对应并且沿第一基板电极2的缺口凹部2c形成的曲线部所包围。而且,第二基板电极3以成为发光元件10的外侧周缘的更外侧的方式从连接部3a连续地形成着第一延伸部3b。该第一延伸部3b从第二基板电极3的直线部分到特定位置为止以成为发光元件10的外侧周缘更外侧的方式而形成为比本来的面积(第二元件电极的面积)大。
如图1及图3中所示,第二基板电极3的连接部3a是与第二元件电极13相向的部分。而且,第二基板电极3的第一延伸部3b是就电极体2a的直线而言为外侧的部分,且从连接部3a连续地形成到就发光元件10的外侧周缘gs而言为外侧的部分。该第一延伸部3b的延伸长度、形成宽度及形状等,适用与已说明的第一基板电极2的第一延伸部2b相同的条件。另外,第二基板电极3的第一延伸部3b的宽度L(面积)形成得比第一基板电极2的第一延伸部2b大。之所以使第一延伸部3b的宽度L形成得较大,是为了避免以下情况:由于第一基板电极2与第二基板电极3有间隔Sp,所以相应地加热熔融连接材料kh容易集中,从而会因该间隔Sp而形成焊球。
另外,第二基板电极3的除第一延伸部3b外的部分成为与第二元件电极13相向的位置关系。而且,第二基板电极3将跨越沿着与发光元件10的外侧周缘gs平行的直线部分的整个宽度的部分作为第一延伸部3b。而且,发光元件10的外侧周缘gs表示形成着第一元件电极12及第二元件电极13的面的半导体层叠构造体的外侧面的周缘。而且,第一基板电极2及第二基板电极的外侧周缘表示成为各电极的外侧的周缘。
另外,发光装置1如图2所示,在安装基板20上,除了发光元件10之外,还在特定的位置上安装着保护元件Zd等。而且,关于安装基板20,首先将视需要而施以贯通孔等的开孔且经过了印刷导体图案等的步骤的多个片材层叠,将其中央设为凹状,以该凹状的周围作为侧壁的壳体C的状态下形成(例如陶瓷封装的步骤等)。而且,发光装置1中,在成为凹状的基板的上表面20a安装发光元件10,并且设置必要的构件后,在安装着发光元件10的位置上填充作为密封构件的树脂P。另外,在采用壳体C的状态时,只要是下述等可作为发光装置1的壳体C而使用的形态,则不作特别限定,例如对于氧化铝陶瓷或导体图案进行金属电镀(优选使用Au或银白色的金属,尤其反射率高的Ag或Al等的金属)而形成,以使其相对于来自发光元件10的光的反射率高。
如图2所示,作为密封构件的树脂P将发光元件10的整体及安装基板20的凹部分的上部(上表面20a及成为壳体C的内侧面20b的一部分)密封,并且在发光装置1的光出射方向即从凹部分向上方侧具有光出射面。由此,树脂P防止发光元件10的因外部气体所导致的劣化。而且,俯视观察时,在树脂P的(外形的)大致中心处配置发光元件10,由此可从发光元件10对光出射面均一地照射光。此外,将树脂P中的光出射面设为半球面,俯视观察时在该半球面的大致中心处配置发光元件10,由此可抑制入射至半球面的光的入射角成为全反射的临界角以上。
另外,树脂P的光出射面还可设为半球面、使球面变得扁平而成的凸曲面、炮弹型、凹曲面等的所期望的形状,也可作为使光聚集、扩散的透镜来发挥功能。树脂P包含透明的树脂、玻璃等。作为树脂P,例如可使用硬质有机硅树脂、环氧树脂等。
其次,参照图5对在安装基板20安装发光元件10时的状态进行说明。另外,图5所示的状态中,图示了形成为壳体C的状态的安装基板20的凹状的部分。
如图5(a)、(b)所示,在电极形成步骤中,在安装基板20形成着第一基板电极2及第二基板电极3。第一基板电极2及第二基板电极3是利用曝光作业等而与其他电路一起形成在安装基板20上。
如图5(c)、(d)所示,在涂布步骤中,对安装基板20的第一基板电极2及第二基板电极3涂布焊锡膏等的加热熔融连接材料kh。
如图5(e)、(f)所示,在元件载置步骤中,将发光元件10载置在加热熔融连接材料kh上。此时,如图5(f)所示,加热熔融连接材料kh成为从发光元件10向外侧突出的状态。
如图5(g)、(h)所示,在回流焊步骤中,对加热熔融连接材料kh进行加热。此时,因分别在第一基板电极2及第二基板电极3形成着第一延伸部2b、3b,所以加热熔融连接材料kh会沿着该第一延伸部2b、3b流动,而不会因表面张力向外部分离。因此,如图4及图5(h)所示,加热熔融连接材料kh位于第一元件电极12与第一基板电极2的相向的位置、及第二元件电极13与第二基板电极3的相向的位置、以及第一延伸部2b、3b的上表面。也就是,在将发光元件10通过倒装芯片安装而电性及机械性地安装到安装基板20的第一基板电极2与第二基板电极3时,并不会产生焊球。
而且,在回流焊步骤中,发光元件10以利用加热熔融连接材料kh的表面张力来进行自动对准的方式进行移动,且移动到恰当的位置上。另外,为了产生自动对准的动作,面向发光元件10的载置位置而从第一基板电极2及第二基板电极3的恰当的位置向旋转方向偏移特定角度,可将在回流焊时受到加热而产生自动对准并成为恰当的位置作为一个设置判断。也就是,当存在未产生自动对准的发光元件10时,可判断为该发光元件10或者第一基板电极2及第二基板电极3中有某些异常。
通过第一基板电极2及第二基板电极3的构成,在回流焊步骤中,发光元件10维持自动对准的动作,且抑制加热熔融连接材料kh产生焊球。
如果在安装基板20上安装发光元件10或者其他必要的元件(保护元件Zd等),则之后在壳体C的凹部分,也就是安装着发光元件10的部分填充作为密封构件的树脂P,从而制造出发光装置1。
因此,发光装置1在制造步骤中,通过第一延伸部2b、3b及第二延伸部2d而不会产生焊球,成为进行量产时的组装时的差异的影响少的高品质的制品。
而且,发光装置1在点灯的情况下,会进行如下的动作。发光装置1的外部连接用电极端子连接到外部的驱动电路(未图式),经由配设在安装基板20的上表面20a侧的配线图案即金属膜而对由第一基板电极2及第二基板电极3电性连接的发光元件10供给电力。发光元件10接收电力的供给而进行发光,且经由树脂P向发光元件10的外部出射光。
而且,特别是在将发光元件10进行倒装芯片安装的情况下,理想的是成为例如图6所示般的构成的第一基板电极2的构成。图6中,在已说明的发光装置1的构成中,相同的构成附上相同的符号且省略说明。图6中,与图3不同的部分是另外形成着第二延伸部2d。
第一基板电极2与第二基板电极3以间隔Sp而隔开。因此,在回流焊时,加热熔融连接材料kh容易向第二基板电极3侧集中。因此,为了使加热熔融连接材料kh不会过度地集中在第二基板电极3,此处将第二延伸部2d沿着第一延伸部3b的成为缺口凹部2c的边缘的两侧而形成。第二延伸部2d、2d形成在成为从第一基板电极2的直线部分到曲线部分的区分的位置上(直线部分的第二基板电极3侧的端部)。
如图6所示,第二延伸部2d以成为与第二基板电极3的第一延伸部3b为相同的延伸长度的方式,且以成为发光元件10的外侧周缘gs的更外侧的方式来形成。而且,第二延伸部2d以成为比第一延伸部3b的宽度L小的宽度的方式形成。而且,与图3的构成同样地,第二延伸部2d形成为在将所述第一基板电极2的一边从一端到另一端设为直线时,与第一延伸部2b合计的宽度不超过50%。另外,第二延伸部2d及第一延伸部2b的合计的宽度不超过50%的理由与已叙述的第一延伸部2b的构成为相同的理由。
通过形成该第二延伸部2d,抑制在进行回流焊时加热熔融连接材料kh过度地向第二基板电极3侧流入,且可抑制位于发光元件10的第一元件电极12与第一基板电极2之间的加热熔融连接材料kh中出现空隙等的异常。在形成第一基板电极2及第二基板电极3时,该第二延伸部2d同样地形成在安装基板20。另外,本实施例中的发光元件10与图2所示为相同的构成。
而且,也可设为图7(b)所示的构成的第一基板电极2A及第二基板电极3A。另外,第一基板电极2A及第二基板电极3A的构成中,使用图7(a)所示的发光元件10A的构成。而且,第一延伸部2b1及第二延伸部2d1的大小的关系及相对于一边的比例的范围与已说明的情况相同。
如图7(a)所示,发光元件10A在一面侧(表面侧)具有发光部(未图示),在另一面侧具备第一元件电极12A及第二元件电极13A。
第一元件电极12A中,成为外侧周缘的更内侧的整个面为电极,且电极凹部12A1以特定间隔而形成着多个。而且,第一元件电极12A中,对向的一方的两边A1、A2以直线而形成,在对向的另一方的两边A3、A4向内侧缺损而形成着缺口凹部12c1。缺口凹部12c1包含:半圆弧凹部12c11,及从该半圆弧凹部12c11连续地向对向或者邻接的边侧延伸的凹槽部12c12、12c13、12c14。
凹槽部12c13以与邻接的边A1、A2平行的方式形成,且从边A3朝向边A4形成为1/3左右的缺口深度。而且,凹槽部12c12、12c14以凹槽部12c13为中央而左右对称地形成。并且,凹槽部12c12以朝向边A2的大致中央的方式倾斜特定角度而形成,且朝向对向的边A4形成至与凹槽部12c13大致相同的缺口深度为止。而且,凹槽部12c14以朝向边A1的大致中央的方式倾斜特定角度而形成,且朝向对向的边A4形成至与凹槽部12c13大致相同的缺口深度为止。
第二元件电极13A分别形成在与第一元件电极12A的缺口凹部12c1、12c1隔开特定间隔Sp的位置上。该第二元件电极13A分别形成为炮弹形状,该炮弹形状包含形成在与各边A3、A4为同一直线上的直线部分及从该直线部分的两端开始沿着缺口凹部12c1而形成的曲线部分。另外,第二元件电极13A、13A的各个具备沿着凹槽部12c12、12c13、12c14而形成的辅助电极13Aa、13Ab、13Ac。而且,此处,在缺口凹部12c1的部分,也就是,半圆弧凹部12c11与从该半圆弧凹部12c11连续的凹槽部12c12、12c13、12c14的部分,成为由绝缘保护膜(影线纵线所示的部分)覆盖的状态。因此,第二元件电极13A、13A的电极面利用绝缘保护膜而与第一元件电极12A的电极面隔开,且成为未被绝缘保护膜覆盖而露出的状态。
如图7(b)所示,第一基板电极2A及第二基板电极3A经由加热熔融连接材料kh(参照图5)而连接(安装)到发光元件10A的第一元件电极12A及第二元件电极13A。第一基板电极2A在一方的对向的边B1、B2分别形成着第一延伸部2b1、2b1,在另一方的对向的边B3、B4向内侧呈凹状缺损而形成着缺口凹部2c1、2c1。
第一延伸部2b1、2b1与已说明的第一延伸部2b、2b为相同的构成,因而省略说明。
而且,缺口凹部2c1、2c1分别形成为具备在与第一元件电极12A的缺口凹部12c1相向时大致一致的曲线部分的形状,且包含:半圆弧凹部2c11,及从该半圆弧凹部2c11连续地向对向或者邻接的边侧缺损而延伸的凹槽部2c12、2c13、2c14。
凹槽部2c13以与邻接的边B1、B2平行方式而形成,且从边B3朝向边B4形成为1/3左右的缺口深度。而且,凹槽部2c12、2c14以凹槽部2c13为中央而左右对称地形成。并且,凹槽部2c12以朝向边B2的大致中央的方式倾斜特定角度而形成,且朝向对向的边B4形成至与凹槽部2c13大致相同的缺口深度为止。而且,凹槽部2c14以朝向边B1的大致中央的方式倾斜特定角度而形成,且朝向对向的边B4形成至与凹槽部2c13大致相同的缺口深度为止。
如图7(b)所示,在缺口凹部2c1、2c1的边缘的两侧分别形成着第二延伸部2d1、2d1。该第二延伸部2d1、2d1以延伸长度比后述的第一延伸部3b1短了d1所示的长度的方式形成。而且,第二延伸部2d1、2d1以宽度比后述的第一延伸部3b1小的方式形成。
第二基板电极3A为如下的形状,即,长方形的一端侧为沿着第一基板电极2A的缺口凹部2c1而形成为圆弧状的形状,该一端侧在沿着第二元件电极13A的曲线部分而相向时与该曲线部分一致。而且,第二基板电极3A中,以成为另一端侧的直线部分侧成为发光元件10A的外侧周缘gs的更外侧的方式形成着第一延伸部3b1。也就是,第二基板电极3A包括与第二元件电极13A相向的连接部3a1及与该连接部3a1连续的第一延伸部3b1。
这样,安装基板20(参照图1)中,在第一基板电极2A及第二基板电极3A形成着第一延伸部2b1,并且沿着对向的一方的第一延伸部2b1、2b1将第二延伸部2d1、2d1以各自宽度成为特定的范围(一边的宽度的比例)的方式形成,因而可一边维持自动对准,一边防止加热熔融连接材料kh向第二基板电极3A侧集中,并且可防止加热熔融连接材料kh成为焊球。
另外,在该发光元件10A的第一元件电极12A及第二元件电极13A与第一基板电极2A及第二基板电极3A的形状中,特别成为加热熔融连接材料kh不易产生焊球的形状。而且,通过在安装基板侧的缺口凹部2c1、2c1形成凹槽部2c12~2c14,且在发光元件10A侧的缺口凹部12c1、12c1形成凹槽部12c12~12c14,可提高自动对准性。
而且,已对相对于第一基板电极而具有两个第二基板电极的构成进行了说明,但例如图8(a)~(f)所示,也可为第二基板电极相对于第一基板电极为一个的构成,且如已说明般,可维持自动对准且可防止焊球的产生。
即,如图8(a)所示,发光元件10B的第一元件电极12B在长方形的一个长边形成着向内侧缺损的缺口凹部12c2,且沿着该缺口凹部12c2形成着半圆弧形状的第二元件电极13B。
而且,如图8(b)所示,第一基板电极2B设为如下的构成:在一方的对向的两边形成第一延伸部2b2、2b2,且在另一方的对向的其中一边形成第一延伸部2b2,并且在另一边形成缺口凹部2c2及第二延伸部2d2、2d2。第一基板电极2B中,以第一延伸部2b2的宽度及大小均对应于各边的长度成比例地增大的方式形成。
第二基板电极3B形成为将成为长方形的一端侧的短边设为圆弧状的形状。该第二基板电极3B中,从连接部3a2连续地形成着第一延伸部3b2,该第一延伸部3b2是以成为发光元件10B的外侧周缘gs的更外侧的方式形成。
这样,即便是根据发光元件10B的电极构成而将第二基板电极3B仅配置在第一基板电极2B的一边的构成,也可与已说明的构成同样地达成发明的效果。
而且,如图8(c)所示,发光元件10C包括第一元件电极12C,该第一元件电极12C在长方形的一角形成缺口凹部12c3,且沿着该缺口凹部12c3配置着第二元件电极13C。另外,缺口凹部12c3中,凹槽部12c31朝向第一元件电极的其中一短边侧而形成至该第一元件电极12C的大致一半为止。
而且,如图8(d)所示,第一基板电极2C在长方形的一角形成着缺口凹部2c3,并且在各边形成第一延伸部2b3。缺口凹部2c3中,朝向第一基板电极2C的其中一短边侧而将凹槽部2b31形成至该第一基板电极2C的大致一半为止。在第一基板电极2C的长边侧及其中一短边侧,第一延伸部2b3形成在该边的大致中央处。而且,在与缺口凹部2c3邻接的第一基板电极2C的边,第一延伸部2b3以从该缺口凹部2c3的边缘连续地形成的方式而配置。
第二基板电极3C在长方形的一端侧形成为其中一角设为圆弧状的形状。该第二基板电极3C包括第一延伸部3b3,该第一延伸部3b3以成为发光元件10C的外侧周缘gs的更外侧的方式而从连接部3a3连续地形成。形成在该第二基板电极3C的第一延伸部2b3在成为发光元件10C的矩形的4边中的一边,以与第二基板电极3C的第一延伸部3b3并列的状态而形成。而且,第二基板电极3C的第一延伸部3b3也可构成为如下:如点划线所示,为了与其他配线进行连接而在由实线记载的位置的更外部形成得更长。
另外,在如第一基板电极2C那样,面积的比例比图3所示的比例小,且各边的长度较小的情况下,相对于第二基板电极3C的第一延伸部3b3,第一基板电极2的第一延伸部2b3兼发挥图6所示的第二延伸部的作用。也就是,相对于第二基板电极3C,第一基板电极2C的第一延伸部2b3中的一个,从缺口凹部2c3的边缘的其中一个边缘开始以成为发光元件10C的外侧周缘gs的外侧的方式形成,由此不但发挥该第一延伸部2b3的本来的功能,还可通过其形成位置来防止加热熔融连接材料kh(参照图5)集中在第二基板电极3C(第二延伸部2d的功能)。
此外,也可为如图8(e)、(f)所示的构成。如图8(e)所示,发光元件10D包括第一元件电极12D,该第一元件电极12D在正方形的一角形成缺口凹部12c4,且沿着该缺口凹部12c4配置着第二元件电极13D。另外,缺口凹部12c4中,凹槽部12c41朝向第一元件电极12D的对角方向而形成至该第一元件电极12D的大致一半(中央)为止。
而且,如图8(f)所示,第一基板电极2D在正方形的一角形成缺口凹部2c4,并且在各边的中央形成着第一延伸部2b4。在缺口凹部2c4,凹槽部2c41朝向第一基板电极2D的对角方向而形成至该第一基板电极2D的大致一半为止。第一基板电极2D的第一延伸部2b4形成为相同的宽度且相同的边缘伸出长度。而且,此处,第一基板电极2D设为如下的构成:在成为缺口凹部2c4的边缘的两侧的位置上分别形成着第一延伸部2b4、2b4。
第二基板电极3D在长方形的一端侧形成为其中一个角为圆弧状的形状。该第二基板电极3D包括第一延伸部3b4,该第一延伸部3b4以成为发光元件10D的外侧周缘gs的更外侧的方式而从连接部3a4连续地形成。形成在该第二基板电极3D的第一延伸部3b4在成为发光元件10D的矩形(正方形)的4边中的一边,以与第二基板电极3D的第一延伸部3b4并列的状态而形成。而且,第二基板电极3D的第一延伸部3b4也可构成为如下:如点划线所示,为了与其他配线进行连接而在实线记载的位置的更外部形成得更长。
另外,在如第一基板电极2D那样,面积比图3所示的面积比小,且各边的长度较小的情况下,相对于第二基板电极3D的第一延伸部3b4而位于两侧的第一基板电极2D的第一延伸部2b4、2b4,兼发挥图6所示的第二延伸部的作用。也就是,相对于第二基板电极3D,第一基板电极2D的第一延伸部2b4、2b4是从缺口凹部2c4的边缘开始以成为发光元件10D的外侧周缘gs的外侧的方式形成,由此不但发挥该第一延伸部2b4的本来的功能,还可通过其形成位置来防止回流焊时加热熔融连接材料kh(参照图5)集中在第二基板电极3D(与第二延伸部2d相同的功能)。
如以上说明,如第一基板电极2C、2D有时成为如下构成:第一基板电极的第一延伸部2b3、2b4相对于第二基板电极3C、3D而沿着缺口凹部2c3、2c4的一侧或者两侧形成,由此第一延伸部2b3、2b4发挥本来的功能,且兼发挥该第一基板电极的第二延伸部的功能。
而且,也可在已说明的第一基板电极2、2A等所示的角部分如图9(a)、(b)所示,形成第三延伸部102a,102b。另外,图9(a)、(b)中,对已说明的构成附上相同符号且省略其说明。
如图9(a)所示,第一基板电极2在其4个角部形成着第三延伸部102a。该第三延伸部102a以成为发光元件10的外侧周缘gs的更外侧的方式形成。而且,该第三延伸部102a形成为如下:第一延伸部2b的宽度或第一延伸部2b及第二延伸部2d的合计的宽度不超过将第一基板电极的一边设为直线时的50%。而且,第三延伸部102a的形状在附图中,表示为角部连接着长方形的形状,但成为其外侧的前端侧也可为圆弧形状。
而且,如图9(b)所示,也可在已说明的第一基板电极2A的角部形成第三延伸部102a。该第三延伸部102a在与已说明的第三延伸部为相同的条件下形成。
如图9(a)、(b)所示,第一基板电极2、2A包括第三延伸部102a,由此即便加热熔融连接材料kh(参照图4、图5)的涂布量多且涂得较厚,在回流焊时该加热熔融连接材料kh也会沿着第三延伸部102a侧流动,因而可使安装发光元件10时的高度一致。另外,在加热熔融连接材料kh的涂布量多的情况下,以覆盖第一基板电极2、2A的角部分的方式来涂布加热熔融连接材料kh,因而仅在涂布量多时,可使加热熔融连接材料kh沿着第三延伸部102a,从而在涂布量为适量时,第三延伸部102a不发挥功能。
而且,如图10所示,即便为第一基板电极52与第二基板电极53以大致相同的大小而邻接配置的构成,只要在第一基板电极52与第二基板电极53分别形成着第一延伸部52b、53b,则也可防止焊球的产生。
在第一基板电极52及第二基板电极53的构成中,所使用的发光元件10E中也形成着第一元件电极及第二元件电极(未图示),该第一元件电极及第二元件电极为矩形状且在外侧周缘gs的更内侧并列形成。而且,与已说明的构成相同,是经由加热熔融连接材料kh(参照图5)且利用自动对准来安装发光元件。另外,在第一基板电极52及第二基板电极53为大致相同的大小的情况下,为了不会误认电极的正负,而在此处将其中一个电极体53a设为具有直线部分的形状,而使另一个电极体52a形成为具有曲线的形状。而且,在矩形的发光元件10E的长边侧,从外侧周缘gs向外侧延伸的第一延伸部52b、53b配置成相对于发光元件10E的一边而延伸出两个。这样,在第一基板电极52及第二基板电极53中,增加第一延伸部52b、53b的宽度相对于长边的比例而防止产生焊球。这样,在相对于发光元件10E的一边配置两个第一延伸部的情况下,理想的是相对于该边的中央成为对称的位置。
如以上说明,通过在第一基板电极及第二基板电极形成第一延伸部或者第二延伸部(进而第三延伸部),而能够维持自动对准的功能,且可防止焊球的产生。另外,第二基板电极中,将沿着发光元件10的外侧周缘gs的直线部分的整个宽度,从连接部开始连续地作为第一延伸部,但也可将其外侧周缘的直线部分的一部分的宽度部分作为第一延伸部。而且,第二基板电极中,从连接部连续地形成第一延伸部,且将增大了与第二元件电极相向而接合的部分的面积的部分作为第一延伸部来表示,也可成为如下的构成:不改变与第二元件电极相向的面积而使第二基板电极的位置移动,通过该移动,将成为发光元件10的外侧周缘gs的更外侧的部分作为第一延伸部。
而且,在图1~图10中,对发光装置设为包括第一延伸部与第二延伸部的构成进行了说明,但也可设为仅包括第二延伸部的构成。也就是,发光装置即便设为使第一延伸部位于与元件的外侧周缘同等的位置的构成,因其具有第二延伸部(延伸部),也可减少加热熔融连接材料因表面张力而在外部形成焊球的情况。
[产业上的可利用性]
本发明的发光装置适合用于照明用光源、LED显示器、液晶显示装置等的背光光源、信号机、照明式开关,各种传感器及各种指示器、动画照明辅助光源、及其他普通的民用品光源等中。
Claims (6)
1.一种发光装置,在以与形成在矩形状的元件的外侧周缘的更内侧的第一元件电极及第二元件电极相向的方式而形成在安装基板上的第一基板电极及第二基板电极,经由加热熔融连接材料安装着所述元件;所述发光装置的特征在于:
所述第一基板电极及所述第二基板电极形成为与所述第一元件电极及第二元件电极的外侧周缘的至少一部分一致的形状;
所述第一基板电极包括缺口凹部,该缺口凹部从该第一基板电极的外侧周缘向内侧呈凹状缺损而形成;
所述第二基板电极形成在沿所述第一基板电极的缺口凹部隔开的位置上;
所述第一基板电极及所述第二基板电极的外侧周缘的一部分包括第一延伸部,该第一延伸部自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸;
所述第一延伸部相对于矩形状的所述元件的外侧周缘的一边而形成在至少一个部位以上;
所述第一基板电极包括第二延伸部,该第二延伸部在所述缺口凹部的两侧的边缘的至少一个边缘沿所述第二基板电极的第一延伸部而形成,所述第二延伸部自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:
所述第二延伸部形成为与所述第一延伸部的宽度同等的宽度以下,并且所述第一延伸部及所述第二延伸部的合计的宽度以相对于从所述第一基板电极的一端到另一端为止设为直线时的一边的长度为10~50%的范围而形成。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于:
所述第一延伸部以相对于所述第一基板电极的一边的中央为对称的方式配置。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于:
所述第一基板电极在其角部更包括沿对角线方向延伸的第三延伸部,所述第三延伸部自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸。
5.一种发光装置,以与形成在矩形状的元件的外侧周缘的更内侧的第一元件电极及第二元件电极相向的方式而形成在安装基板上的第一基板电极及第二基板电极,经由加热熔融连接材料安装着所述元件;所述发光装置的特征在于:
所述第一基板电极及所述第二基板电极形成为与所述第一元件电极及第二元件电极的外侧周缘的至少一部分一致的形状;
所述第一基板电极包括缺口凹部,该缺口凹部从该第一基板电极的外侧周缘向内侧呈凹状缺损而形成;
所述第二基板电极形成在沿所述第一基板电极的缺口凹部隔开的位置上;
所述第一基板电极及所述第二基板电极的外侧周缘的一部分包括第一延伸部,该第一延伸部自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸;
所述第一延伸部相对于矩形状的所述元件的外侧周缘的一边而形成在至少一个部位以上;
所述第二基板电极的第一延伸部为如下的部分,即,连接面积形成得比相向的所述第二元件电极大且自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸的部分,或者使相对于所述第一基板电极的缺口凹部的配置比与所述第二元件电极相向的配置更为外侧且自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸的部分。
6.一种发光装置,在以与形成在矩形状的元件的外侧周缘的更内侧的第一元件电极及第二元件电极相向的方式而形成在安装基板上的第一基板电极及第二基板电极,经由加热熔融连接材料安装着所述元件;所述发光装置的特征在于:
所述第一基板电极及所述第二基板电极形成为与所述第一元件电极及第二元件电极的外侧周缘的至少一部分一致的形状;
所述第一基板电极包括缺口凹部,该缺口凹部从该第一基板电极的外侧周缘向内侧呈凹状缺损而形成;
所述第二基板电极形成在沿所述第一基板电极的缺口凹部隔开的位置上;
所述第一基板电极在所述缺口凹部的两侧的边缘的至少一个边缘包括延伸部,所述延伸部自所述元件的外侧周缘向更外侧延伸。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009-166054 | 2009-07-14 | ||
JP2009166054A JP5585013B2 (ja) | 2009-07-14 | 2009-07-14 | 発光装置 |
PCT/JP2010/059109 WO2011007621A1 (ja) | 2009-07-14 | 2010-05-28 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102473656A true CN102473656A (zh) | 2012-05-23 |
CN102473656B CN102473656B (zh) | 2015-09-02 |
Family
ID=43449230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201080031891.7A Active CN102473656B (zh) | 2009-07-14 | 2010-05-28 | 发光装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8614544B2 (zh) |
EP (1) | EP2455966B1 (zh) |
JP (1) | JP5585013B2 (zh) |
KR (1) | KR101549720B1 (zh) |
CN (1) | CN102473656B (zh) |
TW (1) | TWI497778B (zh) |
WO (1) | WO2011007621A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106847796A (zh) * | 2015-11-19 | 2017-06-13 | 三星电子株式会社 | Led芯片、光源模块、led显示面板及包括其的led显示设备 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102834942B (zh) * | 2010-04-09 | 2016-04-13 | 罗姆股份有限公司 | Led模块 |
JP5753734B2 (ja) * | 2011-05-19 | 2015-07-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板、多数個取り配線基板、およびその製造方法 |
JP5706254B2 (ja) | 2011-07-05 | 2015-04-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN103222078A (zh) * | 2011-11-22 | 2013-07-24 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光器件 |
JP6107060B2 (ja) * | 2011-12-26 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
DE102012215705B4 (de) * | 2012-09-05 | 2021-09-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Gehäuse für ein optisches bauelement, baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer baugruppe |
JP6107136B2 (ja) | 2012-12-29 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
KR102037866B1 (ko) * | 2013-02-05 | 2019-10-29 | 삼성전자주식회사 | 전자장치 |
ITBO20130063A1 (it) * | 2013-02-14 | 2014-08-15 | Spal Automotive Srl | Macchina elettrica. |
US9548261B2 (en) * | 2013-03-05 | 2017-01-17 | Nichia Corporation | Lead frame and semiconductor device |
JP6286857B2 (ja) * | 2013-04-10 | 2018-03-07 | 三菱電機株式会社 | 照明ランプおよび照明装置 |
JP6484396B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP2015207754A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-11-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TW201543720A (zh) * | 2014-05-06 | 2015-11-16 | Genesis Photonics Inc | 封裝結構及其製備方法 |
JP6578735B2 (ja) | 2014-05-21 | 2019-09-25 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の実装構造、バックライト装置及び実装基板 |
JP6410083B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2018-10-24 | シーシーエス株式会社 | Led実装用基板、led |
AT516750B1 (de) * | 2014-12-18 | 2016-08-15 | Zizala Lichtsysteme Gmbh | Verfahren zur Voidreduktion in Lötstellen |
JP6572757B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2019-09-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6128267B2 (ja) * | 2016-06-10 | 2017-05-17 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子実装部材及び半導体装置 |
KR102654925B1 (ko) | 2016-06-21 | 2024-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2018032748A (ja) | 2016-08-24 | 2018-03-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、照明装置及び発光装置の製造方法 |
US10667396B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-05-26 | Tactotek Oy | Multilayer structure for hosting electronics and related method of manufacture |
JP6652117B2 (ja) | 2017-11-29 | 2020-02-19 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂パッケージおよび発光装置 |
JP7111957B2 (ja) | 2018-06-14 | 2022-08-03 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP7166818B2 (ja) * | 2018-07-13 | 2022-11-08 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体素子 |
JP7502659B2 (ja) | 2021-12-23 | 2024-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および基板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030189829A1 (en) * | 2001-08-09 | 2003-10-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | LED illumination apparatus and card-type LED illumination source |
CN1545730A (zh) * | 2002-03-08 | 2004-11-10 | 罗姆股份有限公司 | 使用半导体芯片的半导体装置 |
CN1759492A (zh) * | 2003-03-10 | 2006-04-12 | 丰田合成株式会社 | 固体元件装置及其制造方法 |
JP2007059781A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | サブマウント付発光素子および発光装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120648A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-04-28 | Murata Mfg Co Ltd | チップ状電子部品の半田付け方法 |
JP3326292B2 (ja) * | 1994-05-24 | 2002-09-17 | 株式会社東芝 | 通信機器及びその通信方法 |
JP3252605B2 (ja) * | 1994-07-04 | 2002-02-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
DE69740106D1 (de) * | 1996-05-29 | 2011-03-10 | Rohm Co Ltd | Verfahren zur montage von anschlusselementen auf einer leiterplatte und leiterplatten versehen mit anschlusselementen |
JP3860364B2 (ja) * | 1999-08-11 | 2006-12-20 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
TW472367B (en) * | 2000-12-12 | 2002-01-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Passive device pad design for avoiding solder pearls |
JP2007059930A (ja) * | 2001-08-09 | 2007-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led照明装置およびカード型led照明光源 |
JP3924481B2 (ja) * | 2002-03-08 | 2007-06-06 | ローム株式会社 | 半導体チップを使用した半導体装置 |
JP3877642B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2007-02-07 | ローム株式会社 | 半導体チップを使用した半導体装置 |
JP4029843B2 (ja) * | 2004-01-19 | 2008-01-09 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP4637160B2 (ja) | 2003-03-10 | 2011-02-23 | 豊田合成株式会社 | 固体素子デバイスの製造方法 |
WO2007072967A1 (en) * | 2005-12-19 | 2007-06-28 | Showa Denko K.K. | Flip-chip type semiconductor light-emitting device, method for manufacturing flip-chip type semiconductor light-emitting device, printed circuit board for flip-chip type semiconductor light-emitting device, mounting structure for flip-chip type semiconductor light-emitting device-and light-emitting diode lamp |
JP2007258605A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Toshiba Corp | 部品内蔵プリント配線板、部品内蔵プリント配線板の製造方法および電子機器 |
JP4962217B2 (ja) * | 2007-08-28 | 2012-06-27 | 富士通株式会社 | プリント配線基板及び電子装置製造方法 |
-
2009
- 2009-07-14 JP JP2009166054A patent/JP5585013B2/ja active Active
-
2010
- 2010-05-28 EP EP10799683.7A patent/EP2455966B1/en active Active
- 2010-05-28 KR KR1020117028955A patent/KR101549720B1/ko active IP Right Grant
- 2010-05-28 WO PCT/JP2010/059109 patent/WO2011007621A1/ja active Application Filing
- 2010-05-28 US US13/383,815 patent/US8614544B2/en active Active
- 2010-05-28 CN CN201080031891.7A patent/CN102473656B/zh active Active
- 2010-07-02 TW TW099121925A patent/TWI497778B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030189829A1 (en) * | 2001-08-09 | 2003-10-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | LED illumination apparatus and card-type LED illumination source |
CN1545730A (zh) * | 2002-03-08 | 2004-11-10 | 罗姆股份有限公司 | 使用半导体芯片的半导体装置 |
CN1759492A (zh) * | 2003-03-10 | 2006-04-12 | 丰田合成株式会社 | 固体元件装置及其制造方法 |
JP2007059781A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | サブマウント付発光素子および発光装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106847796A (zh) * | 2015-11-19 | 2017-06-13 | 三星电子株式会社 | Led芯片、光源模块、led显示面板及包括其的led显示设备 |
CN106847796B (zh) * | 2015-11-19 | 2019-06-11 | 三星电子株式会社 | Led芯片、光源模块、led显示面板及包括其的led显示设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2455966A4 (en) | 2014-11-26 |
US8614544B2 (en) | 2013-12-24 |
EP2455966B1 (en) | 2017-11-08 |
US20120112622A1 (en) | 2012-05-10 |
JP5585013B2 (ja) | 2014-09-10 |
WO2011007621A1 (ja) | 2011-01-20 |
TWI497778B (zh) | 2015-08-21 |
CN102473656B (zh) | 2015-09-02 |
KR20120048535A (ko) | 2012-05-15 |
KR101549720B1 (ko) | 2015-09-02 |
TW201130172A (en) | 2011-09-01 |
EP2455966A1 (en) | 2012-05-23 |
JP2011023484A (ja) | 2011-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102473656A (zh) | 发光装置 | |
CN107768358B (zh) | 光源模块和包括光源模块的背光组件 | |
CN109643724B (zh) | 高密度像素化的led和器件及其方法 | |
TWI249864B (en) | LED lamp | |
CN100529912C (zh) | 具有面光源的直下式背光单元 | |
KR101817807B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템 | |
JP5842813B2 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
US20100025722A1 (en) | Light emitting device, its manufacturing method and its mounted substrate | |
JP2008147605A (ja) | 発光装置及びその製造方法並びに実装基板 | |
JP4193905B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20150192281A1 (en) | Light emission device, and illumination device | |
TW201909451A (zh) | 發光裝置封裝 | |
WO2008059650A1 (fr) | Dispositif électroluminescent, son procédé de fabrication et son substrat monté | |
JP5697091B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
KR102469775B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
JP6842246B2 (ja) | Ledモジュール | |
JP4945416B2 (ja) | 発光モジュール及びその製造方法 | |
CN212033019U (zh) | 一种垂直集成控制芯片的发光器件 | |
JP2011082284A (ja) | 発光ダイオード | |
JP2007012765A (ja) | 発光ダイオード複合素子 | |
TWI748748B (zh) | Led光源模組 | |
EP3559990B1 (en) | Aligned arrangement of leds | |
KR20110125067A (ko) | 발광소자 패키지 | |
CN114765168A (zh) | 柔性电路板、灯条、cob灯条及其单元和制作方法 | |
TWM627244U (zh) | 發光封裝結構及背光模組 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |