WO2010146790A1 - 荷電粒子線装置 - Google Patents

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WO2010146790A1
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frame
particle beam
ion
vibration
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辻浩志
石黒浩二
立花一郎
鈴木直正
小貫勝則
Original Assignee
株式会社日立ハイテクノロジーズ
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    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16F—SPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
    • F16F9/00—Springs, vibration-dampers, shock-absorbers, or similarly-constructed movement-dampers using a fluid or the equivalent as damping medium
    • F16F9/30—Springs, vibration-dampers, shock-absorbers, or similarly-constructed movement-dampers using a fluid or the equivalent as damping medium with solid or semi-solid material, e.g. pasty masses, as damping medium
    • F16F9/306—Springs, vibration-dampers, shock-absorbers, or similarly-constructed movement-dampers using a fluid or the equivalent as damping medium with solid or semi-solid material, e.g. pasty masses, as damping medium of the constrained layer type, i.e. comprising one or more constrained viscoelastic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/16—Vessels; Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/0216—Means for avoiding or correcting vibration effects

Definitions

  • the present invention relates to a charged particle beam apparatus, and more particularly to a charged particle beam apparatus including an ion pump.
  • a sample is irradiated with a charged particle beam (electron beam) generated in an ultra-high vacuum environment inside an electron optical column.
  • the observation image of the sample is acquired by detecting secondary electrons, reflected electrons, or transmitted electrons emitted from the sample.
  • the electron optical column vibrates, the irradiation position of the electron beam on the sample fluctuates, distortion occurs in the observation image, the pattern edge appears to vibrate, or multiple observation images are added. The edges of the image are blurred. For this reason, the vibration of the electron optical column causes a reduction in the image quality of the observation image, and further causes a reduction in the resolution of the charged particle beam apparatus.
  • a semiconductor inspection apparatus is an apparatus that observes pattern defects of semiconductor devices exposed on a wafer and classifies them according to the type of defect.
  • semiconductor devices have been miniaturized, sample diameters increased, and throughput has increased. Yes.
  • the electron optical column may vibrate due to the vibration of the ion pump, which is an additional mass for the electron optical column, and the image quality may be degraded. Therefore, in order to further improve the throughput, it is necessary to quickly attenuate the natural vibration of the ion pump immediately after the stage is moved to a certain observation position.
  • Patent Documents 1 and 2 disclose a technique for attenuating and blocking vibration to an electron optical column using a damper made of a viscoelastic material.
  • dampers are interposed between the yoke and the case constituting the ion pump and between the case and the magnet. For this reason, the structure of an ion pump becomes complicated, and since the viscoelastic damper which hardens
  • a damper is interposed between a frame and a floor of a beam application apparatus (transmission electron microscope). For this reason, although the vibration from a floor can be interrupted
  • An ion pump is fastened to the electron optical column with a flange in order to create an ultra-high vacuum inside the electron optical column.
  • a reaction force at the time of driving or stopping acts on the sample chamber, and the natural vibration of the ion pump cantilevered by the electron optical column is excited.
  • the flange fastening portion between the ion pump and the electron optical column has almost no damping element, the vibration damping time is long.
  • FIG. 2 shows an installation example of an ion pump of a charged particle beam apparatus according to the prior art.
  • One of the ion pumps 2 a and 2 b is fastened to the electron optical column 1 by a flange 29, and the opposite side is fastened to the frame 16 by bolts.
  • the frame 16 is fixed to the sample chamber 4.
  • FIG. 2 also shows the measurement results of the vibration of the ion pump. This is a change in the vibration (acceleration) of the ion pump after the stage operation is stopped with respect to time. Since the frame 16 is fixed to the sample chamber 4, the amplitude of the vibrations of the ion pumps 2a and 2b is suppressed. However, as shown in the vibration measurement result of the ion pump, undulation occurs due to the difference in natural frequency of different vibration modes, and the attenuation is slow.
  • the electron optical column vibrates and the image quality of the observation image and the resolution of the charged particle beam apparatus are lowered. Although it is conceivable to wait for the vibration to be attenuated, it takes time for the vibration to attenuate to such an extent that the image quality is not affected.
  • the sample chamber, the electron optical column, and the frame are made of different materials, a force loop is formed by the sample chamber, the frame, the ion pump, and the electron optical column.
  • the force from the frame acts on the electron optical column by this force loop, and the irradiation position of the electron beam (charged particle beam) changes, which is not preferable.
  • a current loop circuit is also formed by the sample chamber, the frame, the ion pump, and the electron optical column.
  • the ground potential changes, which causes the irradiation position of the electron beam (charged particle beam) to change.
  • Fig. 3 shows a force loop and a current loop generated in the charged particle beam apparatus.
  • the force loop and the current loop are formed by the ion pumps 2a and 2b, the electron optical column 1, the sample chamber 4, and the frame 16, and cause the irradiation position of the electron beam (charged particle beam) to change. Due to the change in the irradiation position, the image quality of the observation image is lowered, and further, the resolution of the charged particle beam apparatus is lowered.
  • the problem to be solved by the present invention is to attenuate the natural vibration of the ion pump excited by the reaction force at the time of driving the stage in a short time and to prevent the occurrence of the above-described force loop and current loop.
  • An object of the present invention is to solve this problem and provide a charged particle beam apparatus with high resolution and high throughput.
  • the charged particle beam apparatus has the following configuration.
  • a charged particle beam apparatus comprising: a sample chamber in which a sample is disposed; a charged particle beam optical column for irradiating the sample with a charged particle beam; and an ion pump that exhausts the interior of the charged particle beam optical column
  • a frame is fixed opposite to one end of the ion pump, and a vibration absorber is provided between the frame and one end of the ion pump. It is composed of a laminated structure in which a viscoelastic sheet is sandwiched between metal plates.
  • the charged particle beam apparatus includes a plurality of the ion pumps, the frame is divided according to the number of the plurality of ion pumps, and each of the divided frames forms the sample chamber. Or you may make it the structure which is fixed to another flame
  • the charged particle beam apparatus according to the present invention can be configured as follows.
  • a sample chamber in which a sample is placed, a load plate that supports the sample chamber, a charged particle beam optical column for irradiating the sample with a charged particle beam, and an interior of the charged particle beam optical column are exhausted
  • a frame is fixed to the load plate so as to face one end of the ion pump, and a vibration absorber is provided between the frame and one end of the ion pump.
  • This vibration absorber is constituted by a laminated structure in which a viscoelastic sheet is sandwiched between metal plates.
  • a plurality of the ion pumps are provided, the frame is divided according to the number of the plurality of ion pumps, and each of the divided frames is the load plate or another frame. It may be configured to be fixed to (a frame other than the frame) and include the laminated structure between each of the plurality of ion pumps.
  • FIG. 1 is a schematic view of a semiconductor inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention. It is a figure which shows the example of attachment of the ion pump of the charged particle beam apparatus by a prior art. It is a figure which shows the force loop and electric current loop which arise in a charged particle beam apparatus. It is a figure which shows the natural vibration mode of an ion pump. It is a figure which shows the relationship between the shear strain and displacement of a viscoelastic body sheet
  • the charged particle beam applied to the sample is an electron beam or an ion beam.
  • a charged particle beam apparatus that irradiates a sample with an electron beam will be described as an example.
  • the present invention can also be applied to a charged particle beam apparatus that irradiates a sample with an ion beam.
  • FIG. 4 shows the natural vibration mode of the ion pump obtained by this measurement.
  • the ion pumps 2 a and 2 b are fastened to the electron optical column 1 by a flange 29 in the same manner as the ion pump mounting example of the charged particle beam apparatus shown in FIG. 2.
  • the illustration of the frame 16 is omitted for easy understanding.
  • the piping 30 connecting the ion pumps 2a, 2b and the electron optical column 1 and the direction perpendicular to the electron optical column 1 are in the x direction, and the ion pumps 2a, 2b and the electron optical column 1 are connected.
  • a direction parallel to the pipe 30 (direction perpendicular to the flange 29) is defined as the y direction, and a direction parallel to the electron optical column 1 (vertical direction) is defined as the z direction.
  • the rotation directions around the x, y, and z axes are represented by ⁇ x, ⁇ y, and ⁇ z, respectively.
  • the ion pumps 2a and 2b are treated as a hexahedron, and surfaces opposite to the surfaces fastened to the flange 29 are defined as mounting surfaces 17a and 17b (shaded portions in FIG. 4).
  • the mounting surfaces 17a and 17b are parallel to the xz plane.
  • the natural vibration mode of the ion pump is a mode in which the mounting surface moves in the xz plane. That is, it was found that the ion pump vibrates in the xz plane perpendicular to the pipe 30 connecting the ion pumps 2a and 2b and the electron optical column 1.
  • a vibration absorber that is, a laminated structure with a viscoelastic sheet sandwiched between metal plates, between the ion pump and the frame fixed to the sample chamber, the vibration energy of the ion pump can be reduced with the viscoelastic body. When absorbed, the vibration of the ion pump can be quickly attenuated. That is, the laminated structure that absorbs vibration is disposed in the xz plane in parallel with the vibration direction of the ion pump.
  • the laminated structure that absorbs vibration is arranged on only one surface (in the xz plane) of the ion pump. To do. Since the viscoelastic sheet is disposed in parallel with the vibration direction, it is possible to effectively absorb vibration energy and rapidly reduce large strain (vibration displacement) and strain rate (vibration speed).
  • the vibration energy E of the ion pump is obtained from the mass M of the ion pump and the vibration speed V, or from the spring constant K corresponding to the mounting rigidity of the ion pump and the displacement X of the vibration of the ion pump as follows: be able to.
  • the velocity V and displacement X may be obtained from the natural angular frequency ⁇ n of the ion pump and the absolute value A of acceleration.
  • the spring constant K can be calculated from the natural angular frequency ⁇ n and the mass M of the ion pump.
  • K ⁇ n 2 ⁇ M
  • FIGS. 5A to 5C show the absorption mechanism of vibration energy by the viscoelastic body.
  • FIG. 5 (a) is a diagram showing the relationship between shear strain and displacement, and shear stress and shear force for a laminated structure composed of a viscoelastic sheet and a metal plate.
  • the laminated structure is obtained by sandwiching a viscoelastic sheet 20 having a thickness T and an area S between two metal plates 18 and 21.
  • a case is considered where force (shearing force) F is applied to the metal plate 18 in a direction parallel to the contact surface between the metal plate 18 and the viscoelastic sheet 20.
  • force shearing force
  • the shear elastic modulus G * of the viscoelastic sheet 20 is represented by the sum of the shear stress G ′ (real part) corresponding to the strain and the shear stress G ′′ (imaginary part) corresponding to the strain rate (complex shear coefficient).
  • G * G ′ + G ′′ ⁇ j, j is an imaginary unit). That is, it can be considered that the material itself of the viscoelastic sheet 20 includes a spring element and a damping element.
  • the shear stress ⁇ is obtained by multiplying the complex shear elastic modulus G * by the shear strain ⁇ . Therefore, the shear stress ⁇ is expressed as follows. G ′′ / G ′ is referred to as a loss coefficient ⁇ .
  • G * complex shear modulus
  • G ′ real part of complex shear modulus (storage shear modulus)
  • ⁇ shear strain
  • 5B is a diagram showing the relationship between the shear strain ⁇ and the shear stress ⁇ of the viscoelastic body.
  • G * the complex shear elastic modulus
  • G * has an imaginary term, it is expressed by an ellipse instead of a straight line.
  • FIG. 5C is a diagram showing the relationship between the displacement X of the viscoelastic body and the shearing force F.
  • the displacement X is obtained by multiplying the shear strain ⁇ by the thickness T of the viscoelastic body
  • the shear force F is obtained by multiplying the shear stress ⁇ by the area S of the viscoelastic body.
  • the area of the ellipse indicates the energy absorbed by the viscoelastic body when a forced displacement is given to the viscoelastic body for one period. That is, during one period of vibration, an amount corresponding to the area of an ellipse among vibration energy E is absorbed by the viscoelastic body and converted into thermal energy W. This is the mechanism of absorption of vibration energy by the viscoelastic body.
  • the loss coefficient ⁇ may be in the range of 0.5 to 1.0, but is desirably as large as about 1.0.
  • the viscoelastic body should have a small area T to reduce the thickness T of the viscoelastic sheet and increase the damping force so that the shear strain ⁇ can be increased. It ’s fine. Therefore, the shape of the viscoelastic body for the purpose of damping minute vibrations is a thin sheet having a wide area, such as a sheet or strip. The values of the thickness T and area S of the viscoelastic body may be determined so that the absorption energy of the viscoelastic body is larger than the vibration energy E of the ion pump.
  • FIG. 1 is a schematic view of a semiconductor inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • the inside of the electron optical column 1 of the semiconductor inspection apparatus is evacuated by two ion pumps 2a and 2b, and an ultra-high vacuum state is maintained.
  • the stage 13 on which the sample 3 is mounted moves inside the sample chamber 4.
  • the inside of the sample chamber 4 is exhausted by a turbo molecular pump 6a and a roughing pump 7a.
  • the load lock chamber 5 for delivering the sample 3 to the outside of the apparatus is also evacuated by the turbo molecular pump 6b and the roughing pump 7b.
  • the vibration from the floor to the semiconductor inspection device is attenuated by the vibration isolation mount 8.
  • the electron beam 10 emitted from the electron gun 9 is converged by the objective lens 11 and scanned by the deflection lens 12 to irradiate the sample 3.
  • An observation image of the sample 3 is acquired by detecting secondary electrons and reflected electrons at this time.
  • the stage 13 is composed of movable bodies such as an X stage 14 and a Y stage 15.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a structure example of the stage 13. As shown in FIG. 6, the X stage 14 is movable in the x direction and the Y stage 15 is movable in the y direction. Thus, the stage 13 has a structure that can be driven two-dimensionally so that the entire surface of the sample 3 can be observed.
  • FIG. 7 is a mounting diagram of the viscoelastic sheet.
  • Metal plates 18a and 18b are respectively fixed to bolts 19 on mounting surfaces 17a and 17b of ion pumps 2a and 2b mounted on the electron optical column 1.
  • Viscoelastic sheets 20a and 20b are attached to the surfaces of the metal plates 18a and 18b opposite to the ion pumps 2a and 2b, respectively.
  • the metal plates 21a and 21b are bonded to the surfaces of the viscoelastic sheets 20a and 20b opposite to the metal plates 18a and 18b, respectively.
  • the metal plates 21 a and 21 b are fixed to the frame 16, and the frame 16 is fixed to the sample chamber 4 with bolts 22.
  • the laminated structure attached in this way can be removed during baking.
  • the ion pumps 2a and 2b are fastened to the electron optical column 1 by a flange 29 and connected by a pipe 30.
  • the pipe 30 is attached to the electron optical column 1 by welding.
  • the error of the attachment position with respect to the electron optical barrel 1 of the ion pumps 2a and 2b is about 1 mm.
  • the laminated structure can be mounted so as to cancel this error as follows.
  • the angle adjustment around the x axis and the y axis can be performed.
  • the angular deviation around the z axis is absorbed by the viscoelastic sheet 20.
  • the elastic modulus (200 kPa) of the viscoelastic sheet 20a, 20b is 100 compared with the elastic modulus (200 GPa) of stainless steel, which is the material of the metal plates 18a, 18b on the ion pump side and the metal plates 21a, 21b on the frame side. It is about 1 / 10,000. Therefore, even if the structure is thermally expanded in the direction of the arrow shown in FIG. 8, the repulsive force of the viscoelastic sheet 20a, 20b is small, so the sample chamber 4, the frame 16, the ion pumps 2a, 2b, and the electron optical mirror. It is considered that a force loop formed with the cylinder 1 hardly occurs. That is, the influence of deformation of the structure due to thermal expansion can be reduced, and the change of the irradiation position of the electron beam can be prevented.
  • a flame retardant material may be selected for safety.
  • FIG. 9 is a schematic view of a scanning electron microscope apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • the semiconductor inspection apparatus shown in FIG. 1 in Example 1 is an apparatus for observing a large-diameter sample
  • the scanning electron microscope apparatus shown in FIG. 9 is an apparatus for observing a small sample.
  • the sample chamber 24 is small and mounted on the load plate 23.
  • the load plate 23 is a plate-like member that supports the sample chamber 24 and is installed on a vibration isolation mount (not shown) that isolates vibrations from the floor.
  • the method of attaching the ion pumps 2a and 2b to the electron optical column 1, and the method of attaching the metal plates 18a and 18b, the viscoelastic sheets 20a and 20b, and the metal plates 21a and 21b are the same as in the first embodiment.
  • the metal plates 21a and 21b are fixed to the frame 25 as in the first embodiment, except that the frame 25 is fixed to the load plate 23 with bolts 26.
  • the vibration source for the ion pumps 2a and 2b may be a stage driving reaction force, a floor vibration transmitted to the load plate 23 without being attenuated from the floor, a rotational vibration of the roughing pump, and the like.
  • the vibration energy of the ion pumps 2a and 2b can be absorbed by the viscoelastic sheet 20a and 20b, and the vibration of the ion pumps 2a and 2b can be quickly attenuated. Further, similarly to the first embodiment, it is possible to prevent the occurrence of a force loop and a current loop.
  • FIG. 10 is a schematic view of a semiconductor inspection apparatus according to the third embodiment of the present invention.
  • the two ion pumps 2a and 2b are ideally mounted on the electron optical column 1 by welding as described above, although the mounting surfaces 17a and 17b are ideally parallel to the xz plane. For this reason, the positions and orientations are not exactly the same, and may be in different directions. That is, the attachment surfaces 17a and 17b may not be parallel to each other. In such a case, the viscoelastic sheets 20a and 20b are not parallel to each other.
  • the metal plate 21a and the viscoelastic sheet 20a be parallel, and at the same time, the metal plate 21b and the viscoelastic sheet 20b be also parallel. That is, it is desirable that the metal plates 21a and 21b can face different directions, and each can be individually adjusted to the direction of the ion pumps 2a and 2b.
  • the frame is divided into the upper frame 27 and the lower frame 28, and the upper frame 27 and the lower frame 28 are different from each other. I was able to face the direction.
  • the upper frame 27 fixes the metal plate 21a
  • the lower frame 28 fixes the metal plate 21b.
  • the upper frame 27 is fixed to the lower frame 28 with bolts 22, and the lower frame 28 is fixed to the sample chamber 4 with bolts 22.
  • the upper frame 27 is fixed by adjusting the angles ⁇ x1, ⁇ y1, and ⁇ z1 so that the mounting surface 17a of the ion pump 2a and the metal plate 21a are parallel to each other.
  • the lower frame 28 is fixed by adjusting the angles ⁇ x2, ⁇ y2, and ⁇ z2 so that the mounting surface 17b of the ion pump 2b and the metal plate 21b are parallel to each other.
  • the angles ⁇ x1 and ⁇ x2 are angles around the x axis
  • ⁇ y1 and ⁇ y2 are angles around the y axis
  • ⁇ z1 and ⁇ z2 are angles around the z axis.
  • the viscoelastic body sheets 20a and 20b are placed in the directions of the ion pumps 2a and 2b. It can be attached so as to be parallel to the attachment surfaces 17a and 17b. Therefore, the vibration energy of the ion pumps 2a and 2b can be absorbed by the viscoelastic sheet 20a and 20b, and the vibration of the ion pumps 2a and 2b can be quickly and reliably damped.
  • the lower frame 28 is fixed to the sample chamber 4.
  • the lower frame 28 is fixed to the load plate 23.
  • the natural vibration of the ion pump is attenuated in a short time, and the generation of a force loop and a current loop is prevented.
  • An apparatus can be provided.
  • the number of ion pumps is not limited to this.
  • a laminated structure in which viscoelastic sheet is sandwiched between metal plates according to the number of ion pumps may be prepared and mounted on each ion pump.
  • the frame is divided according to the number of ion pumps, and the laminated structure is attached to each of the divided frames and mounted on each ion pump.
  • Electro-optic lens barrel 2a, 2b ... Ion pump, 3 ... Sample, 4 ... Sample chamber, 5 ... Load lock chamber, 6a, 6b ... Turbo molecular pump, 7a, 7b ... Roughing pump, 8 ... Anti-vibration mount , 9 ... Electron gun, 10 ... Electron beam, 11 ... Objective lens, 12 ... Deflection lens, 13 ... Stage, 14 ... X stage, 15 ... Y stage, 16 ... Frame, 17a, 17b ... (Ion pump) mounting surface , 18, 18a, 18b, 21, 21a, 21b ... metal plate, 19, 22, 26 ... bolt, 20, 20a, 20b ... viscoelastic sheet, 23 ... load plate, 24 ... sample chamber, 25 ... frame, 27 ... upper frame, 28 ... lower frame, 29 ... flange, 30 ... piping.

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Abstract

　ステージ駆動時の反力で励起されるイオンポンプの固有振動を短時間で減衰させ、力のループと電流のループの発生を防ぎ、高分解能かつ高スループットの荷電粒子線装置を提供する。試料（３）を内部に配置する試料室（４）と、荷電粒子線（１０）を試料（３）に照射するための荷電粒子線光学鏡筒（１）と、荷電粒子線光学鏡筒（１）の内部を排気するイオンポンプ（２ａ、２ｂ）とを備える荷電粒子線装置において、試料室（４）に、イオンポンプ（２ａ、２ｂ）の一端に対向してフレーム（１６）が固定され、フレーム（１６）とイオンポンプ（２ａ、２ｂ）の一端との間に振動吸収体が設けられ、この振動吸収体は、粘弾性体シート（２０ａ、２０ｂ）を金属板（１８ａ、１８ｂ、２１ａ、２１ｂ）で挟んだ積層構造体によって構成される。

Description

荷電粒子線装置
　本発明は荷電粒子線装置に係わり、より詳細には、イオンポンプを備える荷電粒子線装置に関する。
　走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡、半導体検査装置等の荷電粒子線装置では、電子光学鏡筒の内部で、超高真空環境下で発生させた荷電粒子線（電子線）を試料に照射し、試料から放出された二次電子、反射電子、または透過電子を検出することによって試料の観察画像を取得している。電子光学鏡筒が振動すると、試料に対する電子線の照射位置が変動し、観察画像に歪が生じたり、パターンのエッジが振動して見えたり、複数の観察画像を加算する場合には加算後の画像のエッジが不鮮明になったりする。このため、電子光学鏡筒の振動は、観察画像の画質の低下を招き、さらには荷電粒子線装置の分解能の低下を引き起こす一因である。
　半導体検査装置は、ウェハに露光された半導体デバイスのパターン欠陥を観察し、欠陥の種類ごとに分類する装置であり、近年、半導体デバイスの微細化、試料の大口径化、高スループット化が進んでいる。試料を載置するステージの移動が停止した後に、電子光学鏡筒にとっては付加質量ともいえるイオンポンプの振動により電子光学鏡筒が振動し、画質を低下させる可能性がある。したがって、さらなるスループットの向上には、ステージをある観察位置へと移動させた直後のイオンポンプの固有振動を、速やかに減衰させる必要がある。
　一方で、近年の高分子制振材料に着目すると、損失係数や損失せん断弾性率が大きい粘弾性材料が開発されている。
　特許文献１及び特許文献２には、粘弾性材料からなるダンパーを用いて電子光学鏡筒への振動を減衰させて遮断する技術が開示されている。特許文献１に記載の技術では、イオンポンプを構成するヨークとケースとの間及びケースとマグネットとの間にダンパーを介在させる。このため、イオンポンプの構造が複雑になるとともに、加熱により硬化する粘弾性ダンパーをイオンポンプ内部に配置するために、ベーキングが困難になるという課題がある。特許文献２に記載の技術では、ビーム応用装置（透過型電子顕微鏡）の架台と床との間にダンパーを介在させる。このため、床からの振動を遮断することはできるが、ステージの移動により発生する振動など、装置自体から発生する振動には効果を期待できないという課題がある。
特開２００８－５２９４６号公報 特開２００８－５２９４７号公報
　電子光学鏡筒内部を超高真空にするために、イオンポンプが電子光学鏡筒にフランジで締結されている。ステージが移動すると、駆動時や停止時の反力が試料室に作用し、電子光学鏡筒に片持ち支持されているイオンポンプの固有振動が励起される。さらに、イオンポンプと電子光学鏡筒とのフランジ締結部には減衰要素がほとんどないため、振動の減衰時間が長い。
　図２に、従来技術による荷電粒子線装置のイオンポンプの取り付け例を示す。イオンポンプ２ａ、２ｂは、一方が電子光学鏡筒１にフランジ２９で締結され、反対側がフレーム１６にボルト締結されている。フレーム１６は、試料室４に固定されている。図２には、イオンポンプの振動の測定結果も示す。これは、ステージの動作停止後のイオンポンプの振動（加速度）の変化を、時間経過に対して求めたものである。フレーム１６が試料室４に固定されているため、イオンポンプ２ａ、２ｂの振動は、振幅が抑えられている。しかし、イオンポンプの振動測定結果に示したように、異なる振動モードの固有振動数の差でうねりが発生し、減衰は遅い。
　以上説明したイオンポンプの固有振動により、電子光学鏡筒が振動して観察画像の画質や荷電粒子線装置の分解能を低下させる。振動の減衰を待つことも考えられるが、画質に影響を及ぼさない程度に振動が減衰するのには時間がかかるため、スループットの低下を招く。
　さらに、試料室、電子光学鏡筒、フレームが異種材料で構成されると、試料室とフレームとイオンポンプと電子光学鏡筒とで力のループを形成してしまう。温度変化によって、これらの各部材に熱応力が発生すると、この力のループにより電子光学鏡筒にフレームからの力が作用し、電子線（荷電粒子線）の照射位置が変化するので好ましくない。
　また、試料室、電子光学鏡筒、フレームが導電性の材料で構成されると、試料室とフレームとイオンポンプと電子光学鏡筒とで電流のループ回路も形成されてしまう。この電流のループが発生すると、アース電位が変化してしまうので、電子線（荷電粒子線）の照射位置が変化する要因となる。
　図３に、荷電粒子線装置に生じる力のループと電流のループを示す。力のループと電流のループは、イオンポンプ２ａ、２ｂ、電子光学鏡筒１、試料室４、フレーム１６により形成され、電子線（荷電粒子線）の照射位置を変化させる原因となる。この照射位置の変化により、観察画像の画質が低下し、さらには荷電粒子線装置の分解能が低下する。
　本発明が解決しようとする課題は、ステージ駆動時の反力で励起されるイオンポンプの固有振動を短時間で減衰させるとともに、上記の力のループと電流のループの発生を防ぐことである。本発明は、この課題を解決し、高分解能かつ高スループットの荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、本発明による荷電粒子線装置は、次のような構成をとる。
　試料を内部に配置する試料室と、荷電粒子線を前記試料に照射するための荷電粒子線光学鏡筒と、前記荷電粒子線光学鏡筒の内部を排気するイオンポンプとを備える荷電粒子線装置において、前記試料室を形成する部材に、前記イオンポンプの一端に対向してフレームが固定され、前記フレームと前記イオンポンプの一端との間に振動吸収体が設けられ、この振動吸収体は、粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体によって構成される。
　また、上記の荷電粒子線装置において、前記イオンポンプを複数備え、前記フレームは、複数の前記イオンポンプの数に合わせて分割され、分割された前記フレームのそれぞれは、前記試料室を形成する部材または他のフレーム（当該フレーム以外のフレーム）に固定され、複数の前記イオンポンプのそれぞれとの間に前記積層構造体を備える構成にしてもよい。
　さらに、本発明による荷電粒子線装置は、次のような構成をとることもできる。
　試料を内部に配置する試料室と、前記試料室を支持する荷重板と、荷電粒子線を前記試料に照射するための荷電粒子線光学鏡筒と、前記荷電粒子線光学鏡筒の内部を排気するイオンポンプとを備える荷電粒子線装置において、前記荷重板に、前記イオンポンプの一端に対向してフレームが固定され、前記フレームと前記イオンポンプの一端との間に振動吸収体が設けられ、この振動吸収体は、粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体によって構成される。
　また、上記の荷電粒子線装置において、前記イオンポンプを複数備え、前記フレームは、複数の前記イオンポンプの数に合わせて分割され、分割された前記フレームのそれぞれは、前記荷重板または他のフレーム（当該フレーム以外のフレーム）に固定され、複数の前記イオンポンプのそれぞれとの間に前記積層構造体を備える構成にしてもよい。
　荷電粒子線装置において、ステージ動作後のイオンポンプの固有振動を短時間で減衰させ、電子光学鏡筒を通る力のループや電流のループの形成を防止することにより、高分解能の観察画像を高速に取得できる。
本発明の第１の実施例による半導体検査装置の概略図である。 従来技術による荷電粒子線装置のイオンポンプの取り付け例を示す図である。 荷電粒子線装置に生じる力のループと電流のループを示す図である。 イオンポンプの固有振動モードを示す図である。 粘弾性体シートのせん断歪と変位、せん断応力とせん断力との関係を示す図である。 粘弾性体のせん断歪とせん断応力との関係を示す図である。 粘弾性体の変位とせん断力との関係を示す図である。 ステージの構造例を示す図である。 本発明の第１の実施例における粘弾性体シートの実装図である。 半導体検査装置の構造体が熱膨張する方向を示す図である。 本発明の第２の実施例による走査型電子顕微鏡装置の概略図である。 本発明の第３の実施例による半導体検査装置の概略図である。
　本発明による荷電粒子線装置において、試料に照射する荷電粒子線は、電子線やイオンビームである。以下の実施例では、電子線を試料に照射する荷電粒子線装置を例にとって説明するが、イオンビームを試料に照射する荷電粒子線装置に対しても、本発明は適用可能である。
　本発明に先立ち、荷電粒子線装置におけるイオンポンプの固有振動モードを測定した。
図４に、この測定により得られたイオンポンプの固有振動モードを示す。図４では、図２に示した荷電粒子線装置のイオンポンプの取り付け例と同様に、イオンポンプ２ａ、２ｂが電子光学鏡筒１にフランジ２９で締結されている。図４では、説明を分かりやすくするために、フレーム１６の図示を省略している。
　以下の説明では、イオンポンプ２ａ、２ｂと電子光学鏡筒１とを接続する配管３０及び電子光学鏡筒１に垂直な方向をｘ方向、イオンポンプ２ａ、２ｂと電子光学鏡筒１とを接続する配管３０に平行な方向（フランジ２９に垂直な方向）をｙ方向、電子光学鏡筒１と平行な方向（鉛直方向）をｚ方向と定義する。また、ｘ、ｙ、ｚ軸の周りの回転方向を、それぞれθｘ、θｙ、θｚで表す。さらに、イオンポンプ２ａ、２ｂを６面体として扱い、フランジ２９と締結されている面とは反対の面を、取付面１７ａ、１７ｂ（図４の斜線部）と定義する。取付面１７ａ、１７ｂは、ｘ－ｚ面と平行である。
　固有振動モードの測定結果によると、固有振動は、イオンポンプ２ａ、２ｂのフランジ２９側を回転中心としたθｘ、θｙ、θｚ方向の回転振動が支配的であった。θｘとθｚ方向の振動の角度が微小であるので、イオンポンプの固有振動モードは、取付面がｘ－ｚ面内を移動するモードであることがわかった。すなわち、イオンポンプは、イオンポンプ２ａ、２ｂと電子光学鏡筒１とを接続する配管３０に垂直なｘ－ｚ面内で振動するということがわかった。
　そこで、イオンポンプと試料室に固定したフレームとの間に、振動吸収体、すなわち粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体を配置することによって、イオンポンプの振動エネルギーを粘弾性体で吸収すると、イオンポンプの振動を速やかに減衰させることができる。すなわち、振動を吸収する積層構造体は、イオンポンプの振動方向と平行に、ｘ－ｚ面内に配置する。
　以上説明したように、本発明は、イオンポンプの固有振動モードの測定結果から得られた知見を基に、振動を吸収する積層構造体をイオンポンプの一面のみ（ｘ－ｚ面内）に配置するものである。粘弾性体シートは、振動方向と平行に配置するので、振動エネルギーを効果的に吸収し、大きな歪（振動の変位）と歪速度（振動速度）を急速に小さくすることが可能である。
　ここからは、イオンポンプの振動と、粘弾性体による振動エネルギーの吸収メカニズムについて説明する。
　イオンポンプの振動エネルギーＥは、イオンポンプの質量Ｍと振動速度Ｖとから、またはイオンポンプの取付剛性に相当するバネ定数Ｋとイオンポンプの振動の変位Ｘとから、次式のようにして求めることができる。
Ｅ＝１／２・Ｍ・Ｖ２＝１／２・Ｋ・Ｘ２
　速度Ｖや変位Ｘは、イオンポンプの固有角振動数ωｎと加速度の絶対値Ａから求めても良い。バネ定数Ｋは、イオンポンプの固有角振動数ωｎと質量Ｍから算出可能である。
Ｖ＝Ａ／ωｎ
Ｘ＝Ａ／ωｎ２
Ｋ＝ωｎ２・Ｍ
　図５（ａ）～（ｃ）に、粘弾性体による振動エネルギーの吸収メカニズムを示す。
　図５（ａ）は、粘弾性体シートと金属板とからなる積層構造体について、せん断歪と変位、せん断応力とせん断力との関係を示す図である。積層構造体は、厚さＴで面積Ｓの粘弾性体シート２０を、２枚の金属板１８、２１で挟んだものである。
　図５（ａ）に示すように、金属板１８に、金属板１８と粘弾性体シート２０との接触面に平行な方向に力（せん断力）Ｆが加わった場合を考える。このとき、粘弾性体シート２０の上面が時間ｔとともにＸだけ変位すると、せん断歪γとせん断歪速度（ｄγ／ｄｔ）が変化し、せん断応力τが発生する。粘弾性体シート２０のせん断弾性係数Ｇ＊は、歪に応じたせん断応力Ｇ’（実数部）と、歪速度に応じたせん断応力Ｇ”（虚数部）の和で表される（複素せん断係数Ｇ＊＝Ｇ’＋Ｇ”・ｊ、ｊは虚数単位）。つまり、粘弾性体シート２０の材料自体がばね要素と減衰要素とを備えていると考えることもできる。
　せん断応力τは、複素せん断弾性係数Ｇ＊にせん断歪γを掛けた大きさになる。したがって、せん断応力τは次式のように表される。なお、Ｇ”／Ｇ’は損失係数ηといわれる。
τ＝Ｇ＊・γ
　＝（Ｇ’＋Ｇ”・ｊ）・γ
　＝Ｇ’・（１＋η・ｊ）・γ
τ：せん断応力
Ｇ＊：複素せん断弾性係数
Ｇ’：複素せん断弾性係数の実数部（貯蔵せん断弾性率）
Ｇ”：複素せん断弾性係数の虚数部（損失せん断弾性率）
γ：せん断歪
η：損失係数（＝Ｇ”／Ｇ’）
ｊ：虚数単位
　図５（ｂ）は、粘弾性体のせん断歪γとせん断応力τとの関係を示す図である。せん断歪γとせん断応力τとの関係は、τ＝Ｇ＊・γと表されるが、複素せん断弾性係数Ｇ＊に虚数項があるために、直線ではなく楕円で表される。
　図５（ｃ）は、粘弾性体の変位Ｘとせん断力Ｆとの関係を示す図である。せん断歪γに粘弾性体の厚さＴを掛けることにより変位Ｘを求め、せん断応力τに粘弾性体の面積Ｓを掛けてせん断力Ｆを求めている。楕円の面積は、粘弾性体に強制変位を１周期与えたときの、粘弾性体に吸収されるエネルギーを示している。すなわち、振動の１周期間で、振動エネルギーＥのうち楕円の面積に相当する量が粘弾性体に吸収され、熱エネルギーＷに変換される。これが粘弾性体による振動エネルギーの吸収メカニズムである。
　粘弾性体の素材は、温度特性や周波数特性を考慮しながら、損失係数ηの大きなものを選択する。具体的には、損失係数ηは、０．５～１．０の範囲であればよいが、１．０程度と大きいのが望ましい。
　粘弾性体の形状は、イオンポンプの振動振幅が微小なら、せん断歪γが大きくとれるように粘弾性体シートの厚さＴを薄くし、制振力を増やしたいときは、面積Ｓを広くとれば良い。したがって、微小振動の制振を目的とした粘弾性体の形状は、薄くて面積の広いシート状や短冊のような形状になる。粘弾性体の厚さＴと面積Ｓの値は、イオンポンプの振動エネルギーＥより、粘弾性体の吸収エネルギーが大きくなるように決めると良い。
　本発明による荷電粒子線装置の第１の実施例を、半導体検査装置を例に挙げて説明する。図１は、本発明の第１の実施例による半導体検査装置の概略図である。
　半導体検査装置の電子光学鏡筒１の内部は、２個のイオンポンプ２ａ、２ｂで排気され、超高真空の状態が維持されている。試料３を搭載したステージ１３は、試料室４の内部を移動する。試料室４の内部は、ターボ分子ポンプ６ａと粗引きポンプ７ａで排気されている。試料３を装置の外部へ受渡しするロードロック室５も、ターボ分子ポンプ６ｂと粗引きポンプ７ｂで排気されている。
　半導体検査装置に対する床からの振動は、除振マウント８で減衰される。
　電子銃９から放射された電子線１０は、対物レンズ１１で収束され、偏向レンズ１２で走査されて、試料３を照射する。このときの二次電子や反射電子を検出することによって、試料３の観察画像を取得する。
　ステージ１３は、Ｘステージ１４とＹステージ１５という可動体から構成されている。
図６は、ステージ１３の構造例を示す図である。図６に示すように、Ｘステージ１４はｘ方向に、Ｙステージ１５はｙ方向に可動である。このように、ステージ１３は、試料３の全面が観察できるように、二次元駆動ができる構造となっている。
　イオンポンプ２ａ、２ｂ、フレーム１６、及び粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体の実装については、図７を用いて説明する。
　図７は、粘弾性体シートの実装図である。電子光学鏡筒１に取り付けられているイオンポンプ２ａ、２ｂの取付面１７ａ、１７ｂに、金属板１８ａ、１８ｂをボルト１９でそれぞれ固定する。金属板１８ａ、１８ｂのイオンポンプ２ａ、２ｂと反対側の面に、粘弾性体シート２０ａ、２０ｂをそれぞれ貼り付ける。粘弾性体シート２０ａ、２０ｂの金属板１８ａ、１８ｂと反対側の面に、金属板２１ａ、２１ｂをそれぞれ貼り合わせる。金属板２１ａ、２１ｂは、フレーム１６に固定されており、フレーム１６は、試料室４にボルト２２で固定される。このようにして取り付けられた積層構造体は、ベーキング時には取り外すことができる。
　イオンポンプ２ａ、２ｂは電子光学鏡筒１にフランジ２９で締結されて配管３０により接続しているが、この配管３０は、電子光学鏡筒１に溶接で取り付けられている。このため、イオンポンプ２ａ、２ｂの電子光学鏡筒１に対する取付位置の誤差は、１ｍｍ程度ある。しかし、次のようにして、この誤差を打ち消すように積層構造体を実装することができる。ボルト１９が通る穴をネジ径より大きなキリ穴や長円穴とすることで、イオンポンプ側の金属板１８ａ、１８ｂの取り付け位置をｘ、ｙ、ｚ方向に微調整することができる。また、フレーム側の金属板２１ａ、２１ｂの取り付け角度を調整することにより、ｘ軸とｙ軸周りの角度調整ができる。ｚ軸周りの角度ずれは、粘弾性体シート２０で吸収する。
　粘弾性体シート２０ａ、２０ｂの弾性率（２００ｋＰａ）は、イオンポンプ側の金属板１８ａ、１８ｂやフレーム側の金属板２１ａ、２１ｂの材料であるステンレス鋼の弾性率（２００ＧＰａ）に比べて、１００万分の１程度である。したがって、図８に示した矢印の方向に構造体が熱膨張しても、粘弾性体シート２０ａ、２０ｂの反発力は小さいので、試料室４とフレーム１６とイオンポンプ２ａ、２ｂと電子光学鏡筒１とで形成される力のループは殆ど発生しないと考えられる。すなわち、熱膨張による構造体の変形の影響を低減でき、電子線の照射位置が変化するのを防止できる。
　また、粘弾性体シート２０ａ、２０ｂが絶縁性であれば、試料室４とフレーム１６とイオンポンプ２ａ、２ｂと電子光学鏡筒１とで形成されるループに電流は流れず、電流のループは発生しない。このため、アース電位の変化など電源に同期して発生する電子線の揺れを低減できる。
　粘弾性体シート２０ａ、２０ｂは、イオンポンプ２ａ、２ｂのベーキング温度には耐えられないので、ベーキング時には積層構造体を取り外しておく必要がある。粘弾性体シート２０ａ、２０ｂは、安全のために難燃性の材料を選択しても良い。
　本発明による荷電粒子線装置の第２の実施例を、走査型電子顕微鏡装置を例に挙げて説明する。図９は、本発明の第２の実施例による走査型電子顕微鏡装置の概略図である。
　実施例１で図１に示した半導体検査装置が大口径試料を観察する装置であるのに対し、図９に示した走査型電子顕微鏡装置は、小さな試料を観察する装置である。このため、試料室２４は小さく、荷重板２３上に搭載されている。荷重板２３は、試料室２４を支持する板状部材であり、床からの振動を除振する除振マウント（図示せず）上に設置されている。
　電子光学鏡筒１に対するイオンポンプ２ａ、２ｂの取り付け方や、金属板１８ａ、１８ｂ、粘弾性体シート２０ａ、２０ｂ、金属板２１ａ、２１ｂの取り付け方は、実施例１と同様である。金属板２１ａ、２１ｂがフレーム２５に固定されているのも実施例１と同様であるが、フレーム２５が荷重板２３にボルト２６で固定される点が異なる。
　このような構成において、イオンポンプ２ａ、２ｂに対する振動源としては、ステージ駆動反力、床から減衰されずに荷重板２３に伝達される床振動、粗引きポンプの回転振動等が考えられる。
　本実施例でも、実施例１と同様に、イオンポンプ２ａ、２ｂの振動エネルギーを粘弾性体シート２０ａ、２０ｂで吸収し、イオンポンプ２ａ、２ｂの振動を速やかに減衰させることができる。また、実施例１と同様に、力のループや電流のループの発生を防ぐこともできる。
　本発明による荷電粒子線装置の第３の実施例を、実施例１と同様の半導体検査装置を例に挙げて説明する。図１０は、本発明の第３の実施例による半導体検査装置の概略図である。
　実施例１で説明した半導体検査装置の構成でも、ｘ、ｙ、ｚそれぞれの軸周りの角度調整が可能である。しかし、２個のイオンポンプ２ａ、２ｂは、取付面１７ａ、１７ｂがｘ－ｚ面と平行であるのが理想的であるが、前述したように電子光学鏡筒１に溶接で取り付けられているため、位置や向きが正確にそろっているわけではなく、互いに異なる方向を向いている場合もある。すなわち、取付面１７ａ、１７ｂが互いに平行になっていない場合もある。このような場合には、粘弾性体シート２０ａ、２０ｂも互いに平行にはならない。
　互いに平行ではない２個の粘弾性体シート２０ａ、２０ｂを、１つのフレーム１６に取り付けられた金属板２１ａ、２１ｂ（図７参照）により固定すると、金属板２１ａ、２１ｂは同一面内にあり互いに平行であるため、粘弾性体シート２０ａ、２０ｂの厚さが不均一になってしまう。特に、粘弾性体シート２０ａ、２０ｂの厚さが１ｍｍ程度と薄い場合には、フレーム１６からの振動が粘弾性体シート２０ａ、２０ｂを介さないでイオンポンプ２ａ、２ｂへ伝達される場合もありうるなど、期待した制振効果が得られなくなる。
　したがって、金属板２１ａと粘弾性体シート２０ａとが平行になり、同時に金属板２１ｂと粘弾性体シート２０ｂも平行になるような構成が望ましい。すなわち、金属板２１ａ、２１ｂが互いに異なる方向を向くことができ、それぞれが個別にイオンポンプ２ａ、２ｂの向きに合わせることが可能であるのが望ましい。
　そこで、本実施例では、実施例１の半導体検査装置において、図１０に示すように、フレームを上部フレーム２７と下部フレーム２８の２個に分割し、上部フレーム２７と下部フレーム２８とが互いに異なる方向を向くことができるようにした。上部フレーム２７は、金属板２１ａを固定し、下部フレーム２８は金属板２１ｂを固定する。上部フレーム２７は、ボルト２２で下部フレーム２８に固定され、下部フレーム２８は、ボルト２２で試料室４に固定される。ボルト２２が通る穴をネジ径より大きなキリ穴や長円穴とすることで、上部フレーム２７と下部フレーム２８との取り付け角度を独立に調整できる。
　上部フレーム２７は、イオンポンプ２ａの取付面１７ａと金属板２１ａとが平行になるように、角度θｘ１、θｙ１、θｚ１を調整して固定する。下部フレーム２８は、イオンポンプ２ｂの取付面１７ｂと金属板２１ｂとが平行になるように、角度θｘ２、θｙ２、θｚ２を調整して固定する。ここで、角度θｘ１、θｘ２はｘ軸周りの角度、θｙ１、θｙ２はｙ軸周りの角度、θｚ１、θｚ２はｚ軸周りの角度である。
　このような構成により、２個のイオンポンプ２ａ、２ｂの向きが不一致であり、取付面１７ａ、１７ｂが互いに平行でなくても、粘弾性体シート２０ａ、２０ｂを、イオンポンプ２ａ、２ｂの向きに合わせて、それぞれが取付面１７ａ、１７ｂに平行になるように取り付けることができる。したがって、イオンポンプ２ａ、２ｂの振動エネルギーを粘弾性体シート２０ａ、２０ｂで吸収し、イオンポンプ２ａ、２ｂの振動を速やかに、かつ確実に減衰させることができる。
　なお、本実施例では、実施例１と同様に半導体検査装置を例に挙げて説明したため、下部フレーム２８は試料室４に固定されている。本実施例を、実施例２と同様に走査型電子顕微鏡装置に適用する場合は、下部フレーム２８は荷重板２３に固定される。
　以上の実施例で説明したように、本発明によれば、イオンポンプの固有振動を短時間で減衰させるとともに、力のループと電流のループの発生を防ぎ、高分解能かつ高スループットの荷電粒子線装置を提供することができる。
　以上の実施例では、荷電粒子線装置にイオンポンプが２個取り付けられている例について説明したが、イオンポンプの数はこれに限定されるものではない。イオンポンプの数に応じて粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体を用意し、それぞれのイオンポンプに実装すればよい。実施例３の場合でイオンポンプが３個以上のときも、イオンポンプの数に合わせてフレームを分割し、分割したフレームのそれぞれに積層構造体を取り付けて、それぞれのイオンポンプに実装する。
　１…電子光学鏡筒、２ａ，２ｂ…イオンポンプ、３…試料、４…試料室、５…ロードロック室、６ａ，６ｂ…ターボ分子ポンプ、７ａ，７ｂ…粗引きポンプ、８…除振マウント、９…電子銃、１０…電子線、１１…対物レンズ、１２…偏向レンズ、１３…ステージ、１４…Ｘステージ、１５…Ｙステージ、１６…フレーム、１７ａ，１７ｂ…（イオンポンプの）取付面、１８，１８ａ，１８ｂ，２１，２１ａ，２１ｂ…金属板、１９，２２，２６…ボルト、２０，２０ａ，２０ｂ…粘弾性体シート、２３…荷重板、２４…試料室、２５…フレーム、２７…上部フレーム、２８…下部フレーム、２９…フランジ、３０…配管。

Claims (4)

  1. 　試料を内部に配置する試料室と、荷電粒子線を前記試料に照射するための荷電粒子線光学鏡筒と、前記荷電粒子線光学鏡筒の内部を排気するイオンポンプとを備える荷電粒子線装置において、
    　前記試料室を形成する部材に、前記イオンポンプの一端に対向してフレームが固定され、
    　前記フレームと前記イオンポンプの一端との間に振動吸収体が設けられ、この振動吸収体は、粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体によって構成されることを特徴とする荷電粒子線装置。
  2. 　試料を内部に配置する試料室と、前記試料室を支持する荷重板と、荷電粒子線を前記試料に照射するための荷電粒子線光学鏡筒と、前記荷電粒子線光学鏡筒の内部を排気するイオンポンプとを備える荷電粒子線装置において、
    　前記荷重板に、前記イオンポンプの一端に対向してフレームが固定され、
    　前記フレームと前記イオンポンプの一端との間に振動吸収体が設けられ、この振動吸収体は、粘弾性体シートを金属板で挟んだ積層構造体によって構成されることを特徴とする荷電粒子線装置。
  3. 　請求項１記載の荷電粒子線装置において、
    　前記イオンポンプを複数備え、
    　前記フレームは、複数の前記イオンポンプの数に合わせて分割され、
    　分割された前記フレームのそれぞれは、前記試料室を形成する部材または他のフレームに固定され、複数の前記イオンポンプのそれぞれとの間に前記積層構造体を備える荷電粒子線装置。
  4. 　請求項２記載の荷電粒子線装置において、
    　前記イオンポンプを複数備え、
    　前記フレームは、複数の前記イオンポンプの数に合わせて分割され、
    　分割された前記フレームのそれぞれは、前記荷重板または他のフレームに固定され、複数の前記イオンポンプのそれぞれとの間に前記積層構造体を備える荷電粒子線装置。
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