WO2010013612A1 - 回路パターン検査装置、および回路パターンの検査方法 - Google Patents

Abstract

半導体装置のメモリマット部の最周辺部や、繰り返し性の無い周辺回路まで高感度に欠陥判定できる検査技術を提供する。 繰り返しパターンを有する複数のダイで構成された回路パターンの画像を取得する画像検出部、取得した検出画像について、繰り返しパターンの領域とそれ以外の領域とに応じて加算対象を切り替えて参照画像を合成し、検出画像と比較して欠陥を検出する欠陥判定部、検出された欠陥の画像を表示する表示装置を備える。

Description

明の

パタ ン 置、 および回路パタ ンの 査方法 術分野

本 、 半導体 置や 晶などの パタ ンを有する 置を 光 を利用して検査する 術に関する。

導体 置や 晶などの パタ ンの 、 電子 を 照射して得られた画像と基準 または 像を参照 像として比較 し、 差がある を抽出して 判断し、 その 標を出力する機能を 有している。

置の 象とする回路パタ ンは、 3 間に 4倍の勢いで単位 たりのパターン 度を増やしている。 これは、 バタ ンを す ることで実現しており、 欠陥 正常 との間の差 非常に小さ もの となってきている。 そこで、 欠陥の と正常 の 値の間にしき い値を設定し、 欠陥を正常部から弁別することで、 小さ 検出す る。 特に、 メモリ バイスの ッ ト部は、 メモ ビッ トに 個 のメモリ を割り当てる必要があるが、 個のメモリ に欠陥があ っても 術があり バイス 体としては正常に動作するため、 微細 にさらに拍車がかかって る。 方、 メモ ッ ト 外の 辺 回路は、 所でも不良があると バイスとして不良品になるため、 パ タ ン メモリ ト ほど微細 がすすんで な 。 方、 パタ ン の 所の 布をみると、 半導体 あたりメモリ 部の欠 生の 合が高くなっている。 特にメモリ ッ ト部の最 辺 では パタ ン 度が急激に変化することから、 オ ト リ クラフィエ 程における製造が極めて難しく、欠陥の 生率が極めて高くなっている。

メモリ ッ ト部のような パターン り返し性のない領域とを 別して検査する 術が知られている 。 しかし 方を 一度に高 度で欠陥 能な技術は知られて ない。

導体 置が形成される半導体ウ の 査では、 半導体 置、 す なわちダイ 士を 較するダイ 、 ひとつの の中の タ ンの り返し性のあるセル 域につ て セルの 士を 較する セル 式とがある。セル 、繰り返し性を利用して るために、 繰り返し性の無 辺回路や、 繰り返し 域の端の部分が検査できな い。

術文献 3 2 3 2 2 5 ０ 報 発明の

明が解決しようとする課題

、 半導体 置のメモリ ッ ト部の最 、 繰り返し性の 無 辺回路まで高感度に欠陥 定できる検査 術を提供するものであ る。 題を解決するための

上 題を解決するために、 明の 、 繰り返しパタ ン を有する複数の で構成された回路パターンの 像を取得する 、 取得した検出 像につ て、 繰り返しパタ ンの 域とそれ以外 の 域とに応じて 象を切り替えて参照 像を合成し、 検出 像と 比較して 検出する を備えたものである。 明の

明によれば、 半導体 置のメモリ ット部の最 繰り返 し性の無 辺回路まで高感度に欠陥 定できる検査 術を得ることが できる。 面の 単な説明

図は回路パタ ン 置の 体構成 。

2 の 。

3図は半導体ウ の 面図。

4図はレシピ および 順を示すフロ チヤ ト。

5図は試し 査における画像 理の 容を示す 。

6図はセル 査の 容を示すメモリ ッ ト部の平面図。

7図は画像の 例を示す画面図。

8 理の 容を示す 。

9 コンソ ルのディスプレイに表示される画面図。

０図は画 理の 容を示す 。

図は画 理の 容を示す 。

2図は画 理の 容を示す 。

3図は画 理の 容を示す 。 明を実施するための 下、本 明の 、図面を参照しながら 明する。 図は、 回路パタ ン 置の 体構成 であり、 主要部は縦断面図として記 載している。 実施 では、 試料に電子 を照射して画像を得る 子顕微鏡を応用した検査 置を説明する。 明の 要部は、 電子 のかわりに光を用いても同様であるので、 ここでは光学 置の の 省略する。

図にお て、 電子 から発生した電子2は、 試料である半導体 ウ 6に照射される。 2は、 対物レンズ4などで細く られて るため、偏向 3で されて、半導体ウ 6の 面を走査する。 導体ウ 6は、 電子2に照射されると、 材料 性や 造の いで 電子が 電する現象のため、 得られる画像が白くなったり、 逆に黒くな ったりする場合があり、 この 電を制御するための 5が設 けられている。

導体ウ 6は・ 9を介してXYステ ジ 7に置かれ、 X およびY 移動される。 XYステ ジ 7の 置が 定され、 全 体制御 8 送られ、 半導体ウ 6の 望の 置に電子2が 射 されるように、偏向 3 レンズ4 XYステ ジ 7が制御される。 導体ウ ー 6の 面の さは、 Zセンサ8で計測され、 全体制御 8 デ タが送られ、 電子2の 点が半導体ウ 6に結ぶよ うに制御される。

2の により発生した二次電子や 子の ０は・ エネルギ 方向を持っているので、 検出 3で検出できるよ うに収束させなければならない。 実施 では、 反射 収束光学 系 2で、 できるだけ多くの 号が検出できるようにして る。

3で検出されたアナログ 、 AD 換器 5でディジ 4 Z 換され、 欠陥 7で 理され、・ 6 が 出され、 全体制御 8 送られて、 コンソ ル 9のディスプレ イに 像が表示される。 コンソ ル 9は、 欠陥の の 報を表示するとともに、 ザの 示を全体制御 8に伝える機能 を有する。

9の 方には光学 微鏡 2 ０が設けられ、 半導体ウ 6の を撮 、 検査前の位 せが行われる。 XYステ ジ 7に 、 電子 件の 整をするための 2 が設けられ、 その さは半導体ウ 6 同じ高さになるように設定されている。

2図は、 欠陥 7の である。 7は、 ディ ジタル 4を二次元のディジタル 像と考えて画像 理する ニッ トであり、 ディジタル 4を記憶する画像メモ 3０、 画像メモ 3 ０に記憶されたディジタル 像を、 画像に関する 域の 報に従って 分配する画像 3 、 分配された部分 域の 像について、 部分 域に存在する 抽出する複数のP 3 2、 複数のP 3 2で処理さ れた部分 3 3を統合して 6とする情報 34で 構成される。 ここで、 P とは、 r rE ntの略である。

34 、 全部のP 3 2からの 3 3を集計し、 R R A Fu g nr r n g av r g ng 、 又はダイ の いずれかで欠陥 判定された の 報を欠陥 6として出力する 3図は、 半導体ウ ー の 面図であり、 ( a) は全体 、 は の 、 c は の中の の 置を示す 、 ) は の である。 導体ウ 6は、 3 a に示すように、 直径 2 ０ ０ から 3 ０ ０ 、 厚さ 度の 状であり、 その 面に数 百～ の バタ ンが形成される。 導体 とよばれ、 パタ ンが形成された後に切断され、 ずつパッケ ジングされ る。 般的なメモリ バイスの 合、 ダイ 4０は、 3 ) に示す ように、 メモリ ット 4 が4個で構成されている。 個のメモリ

4 は、 3 c に示すように、 ０ ０ ０ 度の数のメモリ ッ ト 42で構成されている。 メモリ ット 42は、 3 に示すように、 二次元 向に繰り返し性を持った数 ０ 個のメモリセル43で構成されている。

4図は、 レシピ および 順を示す・フロ チヤ トであ る。 査に先立って、検査 件を決め、 装置 録する必要があるため、 検査のレシピ 成が行われ、作成されたレシピに従って検査が行われる。

図に示したコンソ ル 9を用いて、 ザ レシピを作成する。 な条件の レシピが 記憶されて るので、 ザは レ シピを全体制御 8 込ませ、 次に実際に半導体ウ に電子を 照射してレシピの 容を補正するために、 半導体ウ を装置 ロ ドする ステッ 4０

次に光学系 件を設定するが、 標準レシピの 定値を確認するだけで もよい (ステッ 4０ 2 。 、 電子 から電子2を引き出す ための ラメ 、 対物レンズ4の 度を設定する ラメ タ、 偏向 3の パラメ タ、 帯電 5 される電圧などである。

2 に電子2を照射して、 その 像を生成し、 ザは 像を 見ながら光学 件の 定値に 正を加えて適正 に書き換え、 新たな 全体制御 8 込ませる。

次に、 口 した半導体ウ 6のアライメン ト用のパタ ンとそ の 標を登録して、 アライメン ト 件を設定する ステップ4０ 3)。 ア ライメン ト用のバタ ンは、ダイの4つの角などに 成され る。 次に、 検査対象とする検査 報を設定する ステップ4０4)。 込まれた半導体ウ 6のパターンレイアウトをコンソ ル 9 のディスプレイ 示させる。

セル 査の 、 メモリ ット 42を 位である繰り返し 域として指定する。 ディスプレイで、 例えば、 メモリ ッ ト 42を長 方形で囲み、 繰り返し 域であることを指定するボタンを押す等で、 指 定できるようにしておく 。 また、 メモ ッ ト 42の 査をどこか らどこまで行うかの 定も必要であり、 例えば、 3 に示 すような図で、 メモリ ッ ト 4 のひとつを指定する。

ダイ の 、 3 a に示すウ 体の図で、 任意の ひとつの 4０を 位である繰り返し 域として指定する。 て の を 査対象にする場合は、 ダイ 査というボタンを準 備しておく と である。 定の 置の のみを定点観察する場合に は、 その 査対象の を選択できるようにしておく。 えば、 画面上 で を直接ク リックしたり、 長方形で囲んで 域を指定したりするよ うに、 画面レイアウトを準備しておくとよい。

次に、 キヤ ブレ ショ ン 件を設定する ステッ 4０ 5 。 導体 ウ 6ごとの 出光量のばらつきを防止するため、 定の 件で検 査するように光量の ブレ ショ ンを行う。 導体ウ 6の 意の を指定し、 検出 3の ゲインを設定する。 次に、 画像 理の 件、 例えば、 フレ ム 数を選択あるいは指定 する。 これらの 定された検査 、全体制御 8 Z 定される ス テップ4０ 6

次に、 設定された検査 件が適性かどうかを確認するために、 実際に 電子を照射して画像を取得する 査を行う ステップ4０ 7 。 査の 、 5図で説明する。 査の 果に基づき、 ザは 検査 件が適性かどうかを判断する (ステップ4０ 9 。 正でなければ ステップ4０ 6 戻り、 適正であれば 件を新しいレシピとして、 全体制御 8 納し、 半導体ウ 6を装置から ンロ ドする ステップ4

5図は、 試し 査における画像 理の 容を示す である。 5 a お て、 ダイの 5 ０A 5 ０ 5 ０ Cのうち、 ひと つの の 5 ０ Bに、試し 査を行う 54を指定する。 そ して 査を実行すると、 指定された の 5 ０ Bの 個の ずつ、 合計 3個のダイ分の移 さと電子の とを有する 細長い長方形のス トライプ 5 に電子が 射され、 発生する二次 ０を検 3で検出する。 この 、 Zセンサ8で検出した半導体 ウ 6の さに基づいて、対物レンズ4の が制御されて、 電子の 置が補正される。 3で検出されたアナログ 、 AD 換器 5でディジタル 4に変換され、 画像化される。

5 ( は、 欠陥 7の しないメモリ 5 5A 5 5 B 5 5 Cにス トライプ 5 の ダイの端から X０のところ のチヤンネル 2に、 領域 5 2 A 5 2 B 5 2 Cの デ タ 5 3 A 5 3 B 5 3 Cが 納された状態を示している。 7は、 画 像デ タ 5 3 A デ タ 5 3 Bの 、 画像デ タ 5 3 B デ タ 5 3 Cの 行 、 どの デ タに欠陥が存在しているかを判 定し、 欠陥を含む デ タを全体制御 8 送る。 次に、 領域 5 2 A 5 2 B 5 2 Cの りの 域について、 同様に比較 査が行われる。 このようにして、 3個の のひとつのス トライプ 域につ て比較 査が実行され、 検査 件が適切かどうかが判断される。 2図を用いて、 画像デ タの 理を説明する。 7は、 以下の 順で動作する。 、 電子が 射されたス トライプ 5 の ディジタル を画像メモ 3 ０に 納する。 納されたディジタ ル 4のデ タは、 幅が 8 の 数のチヤンネルに分割され て る。 3 はチヤンネル内のダイ内の座標が一定値 (X

2 8ライン分の各 デ タを同一のP 3 2に分配し、 メモリ ット 42内の モリセル43の り返し性を利用したセル 理と ダイ 理とを行って 定し、 れかで欠陥 判定された座標 を欠陥 判断するものである。

4 a に示した試し 査により、 レシピが作成されたら、 次に、 4 ) に示すように、 実際の 査を実行させる。 ザは、 検査 対象の 導体ウ 6に適切なレシピを、コンソ ル 9で選択する。 体制御 8は、 選択されたレシピを読込み ステッ 4 、 半導 体ウ 6を口 ステップ4 、 試料 9に する。 学 系 件を設定し ステップ4 、 半導体ウ 6のアライメントを 行う ステップ4 。 な光学系 、 電子 の き出し電圧、 偏向 3の 流、 対物レンズ4の 、 帯電 5 する電圧、 反射 する電圧などである。 次に、 標準 2 の 像を取得し、 適正な画像になるように条件を補正する。 アライメ ン トの後で、 キヤ ブレーショ ン用の画像を取得し、 光量不足や光量 多などの 生しな 切な光量になるように、 検出 3のゲインなど の 得条件を設定する ステッ 4 5 。 次に、 定された検 査 域について画像を検出し、 欠陥を判定する ステッ 4 。

、 Zセンサ 8で検出した半導体ウ 6の さに基づいて、 対 物レンズ4の を制御する。 3で検出された二次 ０

であるアナログ 、 AD 換器 5でディジタル 4に変換さ れる 得した画像に基づいて、 レシピ 成時と同様な手順で欠陥 定 する。 果の 6 件などを含む 果を 納し ステップ4 、 半導体ウ 6を ンロ ドして ステップ4 8)、 検査が終了する。

6図は、セル 査の 容を示すメモリ ッ ト部の平面図である。 セル 査では、 R R A法で欠陥 定して る。 6 a にお て、 メモリ ッ ト 42を定義する長方形 域に対して 6 だけ 張した 6 2、 領域 6 2から 6 3だけ 小した 域を考 える。 6 は設定した 域がずれる可能性のある上限をしめし、

6 3 6 の 2 とする。 6 2の 3つの 域に分割 できる。 、 領域6 2の角からM 6 3内にある 64 6 4 64 c 64 、上下の辺から にある上下端 6 5 6 5 6 5 c 6 5 、 それ以外の 6 6である。 64は 域のずれを考慮するとメモリ ッ ト内の角が領域内の 意の 所に移動 する可能性があり、 繰り返し性が期待できな 領域であり、 上下端 6 5は少なくともX 向には繰り返し性が期待できる 域、 その他の領 6 6はY 向には繰り返し性が期待できる 域である。

PE 3 2に分配された 8 X 2 8ラインの 6 8が、 領域A 6 7の 合には、 分配された画像の ての Y 向に繰り返 し性を持っている。 そこで、 Y 向に繰り返しピッチ分の画像を加算 均した画像を一 成し、 加算 均した画像を再配置することで、 加算

6 9を生成するY A7 ０を行う。 様に、 P に分配さ れた 8 X 2 8ラインの 6 8が、 領域B 7 2の 合に は、 分配された画像の ての X 向に繰り返し性を持って る。 そこで、 X 向に繰り返しピッチ分の画像を加算 均した画像を 成し、 加算 均した画像を再配置することで加算 6 9を生成す るX R A 7 2を行う。 6 8 加算 6 9の とし て 7 3を演算する。 7 3の が設定された 定し きい より大きい領域を欠陥 74として判定する。

ここで、 の 算を、 7図を用いて捕捉 明する。 7図は、 画 像の 例を示す画面図で、 7 a は 、 7 は 7 a) のX からX 2の間の線分で示された個所の の 値の、 基準 像と比較したときの を示すクラフである。 7 ( a に示 すように、 一般的に、 7 3には欠陥 74 と・ ではないが の 値の差の大きい領域 74 とが含まれて る。 74 の 因としてほ、 画像のノイズ 分による 値のばらつきや、 半導体ウ が 電した場合の 値の 加などがある。 とそれ以外とを 別するために、 7 に示すように、 にはしきい 7 5が設 けられ、 これよ が大きい領域が欠陥 判定される。 この 7 6と、 対応する 74 の 標とが、 2図に示した部分 3 3である。 このようにして、 6 a) に示した 64 外の 、 欠陥 能である。

次に、 ダイ 査を、 8図を用いて説明する。 8図は、 画像 理の 容を示す である。 デ タ 5 3A 5 3 B 5 3 Cが、 2図に示した同 のP 3 2に分配されている。 デ タ 5 3A 5 3 B 5 3 Cは、それぞれがひとつの 接している であるとする。

デ タ 5 3A 5 3 B 5 3 Cは、 2 8 X 2 8ラインであ る。 ダイ では、 中央の の デ タ 5 3 Bに欠陥があるかどう かを判定することが目的であるので、 混乱を避けるために 称を再 2

義する。 デ タ 5 3 Bを検出 8 ０ Aとし、 画像デ タ 5 3 Aを参照 8 ０ Cとし、 画像デ タ 5 3 Cを参照 R 8 ０ B 呼 ぶ。

像の 、 あるいは切り出しのときに、 画像デ タ 士の 、 機械的 差などでずれることが多 。 したがって、 検 8 ０A に対して、 参照 8 ０ C、 参照 R 8 ０ Bのパタ ンは、 置が ずれている可能性があり、 そのまま 較することはできない。 そこで、 ずれ 算部 8 B 8 Cで相互 又は差の絶 のずれ量を演 算する手法を用いてずれ量を演算し、 演算したずれ量に応じて画像ずら し 8 2 B 8 2 Cで参照 R 8 ０ B、参照 8０ Cをずらして・ せ参照 8 3 B 8 3 Cを作成する。 せ参照 8 3

8 3 Cは、 検出 8 ０Aに対して同一の 置にパタ ンがあるように したので、 画像 84でこれら 像を加算 均することで、 ノイズ の ない合成 8 5を得ることができる。 次に、 算部8 6で検出 8 ０A 合成 8 5の を演算して 8 7を 得る。

9図は、コンソ ル 9のディスプレイに表示される画面図であり、 欠陥 報の 示の 例を示す。 、 前述のように、 の 値の がしきい値を超えた の 域を欠陥 判定しているので、 が大きくても真の欠 であるとは限らない。 そこで、 欠陥の 像 を画像表示 9 示させて、 ザが欠陥であるかどうかを判断 できるような機能を検査 置に持たせて る。 また、 7 b に示 したしきい 7 5を固定値でなく可変 とした表示しきい値で、 欠陥の 出の 子を画像で確認することができる。

面の 側には、 ス トライプ 上の欠 7 を模式的に記号 で表 3

するス トライプ ップ 9 ０が配置され、 右側には、 欠陥の 際の 像 を表示する画像表示 9 が配置されている。 ス トライプ ップ 9 ０ 像表示 9 は、ひとつの 面上に並 て表示されているが、 のディスプレイに表示されるようにしてもよい。 さらに、 画面には、 欠 陥 9 2 表示しきい ツ ルバ が表示されてい る。 9 2は、 欠陥 の

の 報、 ザが入力する分類コ ド等を表示する。 示しきい ツ ルバー は、 表示しきい値を調整するために使 用される。

ザは、 ストライプ ップ 9 ０上に表示された 74を、 ウス ポインタなどの 段で指定することで。 その 74の 報を 画像表示 9 に、 座標 報などを欠陥 9 2に表示する ことができる。 74のより 細な画像を再 得したり、 画像メモ J 3 ０ 納されている画像デ タを、 画像表示 9 に表示させる ことができるように、 画面に指示ホタ を追加してもよい。

9 2の コ ドとは、欠陥の 像を ザが見て、 欠陥の けを行うために設けられたものである。 類には、 異物 スクラッチ パタ ンの 線やショ ト等があり、 ザは分類 報を分類ポック に記入する。 ス トライプ 9 ０上に表示された 7 を、 分類ごとに色分け 示させることが可能である。 類を変更 するとス トライプ ップ 9 ０ の 74の 態が変化する。

の 示しきい値が高いほど、 ス トライプ ップ 9 ０上に表示され る 74の数が減り・ の 等の解析が容易になるが、 真の 欠 であるにもかかわらず 判定されないものが増える可能性があ る。 方、 表示しきい値が低いほど・ 74の数は増え、 見落としが 4

なくなるが、 真の欠 でないものが増える可能性がある。 ス トライプ ップ 9 ０上には、 表示しきい値以上の差 を持った のみが表示 されるので、 表示しき 値を表示しきい調整 ツ ルバ で変更す ることで、 欠陥の 像と見比 ながら・ 切な表示しき 値を設定する ことができる。

9 2 t は、 9 に示す 繰り返し ダイアロ 94や、 9 ( c に示す

ダイアロ 9 5を表示させることもでき、 これらのダイアロ で 件を設定することができる。

これらの 業により検査 件を確認し、 満足できるものであれば 業を終了し、 満足できない場合には検査 件を再度設定して 査 を行う。 足した場合にはレシピを保存し、 半導体ウ を ンロ ドする。

０図は、 画像 理の 容を示す である。 8図に示した画 像デ タ中の欠 の 出では、 検査対象の の他に、 その 後の を参照 像として 3個の画 デ タを使用する。 実施 、 5個の画 データを使用する例である。 デ タが多いほど、 画像 ノイズ を低減することができる。

０ a) に示す ダイの ０ Aの 後の ０ B から ０ までの4個のダイ分の画 デ タを用 て、 参照 像 を演算し、 ０ Sを演算する。 ダイの ０ Aにつ ての 理が完了したら、 検出ダイの ０ 2Aの 後の ０ 2 B から ０ 2 Eまでの4個のダイ分の画 デ タを用いて、 参照 像 を演算し、 ０ 2 Sを演算する。これが検出ダイの 像につ て、 りに実施される。 5

０ は、 像がどのように使用されるかを示しており、 記号Rはずれ の 、 記号Aは合成された参照 、 記号 Sは検 出ダイの 像と参照 像とを 算された 像を示す。 はじめに、 画像 ０ Bから ０ までの4個の画像につ て、 互 のずれ 正を行う。次にこの4個の画像を加算 均して合成 像を生成し、 検出ダイの ０ A 比較して、 ０ Sを得る。

０2Aについても、 同様の 法で実行し、 ０ 2 Sを得る。

図は、 ０ と同じく 理の 容を示す である。 ０図の例では、 検 ダイの ０ Aを使用しないで合成 像を生成し、 生成した 像と ダイの ０ Aとを 較 し、 個の差 ０ Sを得ており、 検出ダイの ０ Aに隣接 する次の検 ダイの ０2Aに関する ０ 2 Sを生成するた めに、 画像 ０ Cを画像 ０ 2 Bとして、 画像 ０ Aを画像 ０ 2 Cとして、 画像 ０ を画像 ０ 2 として再度 用して、

０2 Sを 成する。 したがって、 個の検 ダイの 像につき 回 の演算により 個の差 像が生成される。 これに対して、 本実施 、 複数個の 像につき 回の演算により複数個の 像が生成でき、 演算 の 間が短縮できる大きな効果を得ることができる。

a に示すように、 例えば7個のダイ ての A から Gについて比較を行い、 像を生成する例を考える。

( に示すように、 画像 Aに対してずれ 正を行って、 記 号Rの 像を生成し、 加算 均して記号Aの 像を得る。 次に 記号Aの 像と Aから Gまでの 7個の画像と の差をそれぞれ演算し、 7個の記 Sの 像を得る。

2図は、 ０ と同じく 、画像 理の 容を示す である。 6 2 a に示すように、 7個の画 2 Aから 2 Gに ついて、 2 b) Z すように、 画像 2 Aに対するずれ 正を行う。 次に、 図のように、 7 分の 像を単純に加算 均す るのではなく 、 加算前の画像をまとめたシ ケンス S 2 2を作 成し、 画像 2 Aから 2 G シ ケンス S 22を 較す ることで、 を演算するものである。 なる平均 像ではな ので、 平均値の わりにメディアン、 はずれ値を除去した 、 最大 小の 均等を用いることもできる。 更に、 平均値と分散を演算し、 分散の 3 以上大きい をもつものを欠陥 判定する等の演算が可能である。 ま た、 画像シ ケンスで めると説明したが、 合成 像に加えてこれ らの値を演算するように構成することもできる。 形によれば、 能な演算により高感度な 定が可能である特徴がある。

3図は、 ０ と同じく 、画像 理の 容を示す である。 導体ウ の 部と では、 画像デ タの 値が異なる場合 がある。 えば 3 a に示す7個の の 端の 2 A を含む が・ 導体ウ の 部を含み、 右端の 2 Gを 含む が、 半導体ウ の を含むように 像を取得し、 画像 2 A 2 B 2 2 2 2 2 Gについて比較 査を行う。 ダイの の 、 導体ウ の とで さが異なるため、 像の 一様ではな い。 えば、 画像 2 の 像の 値のヒス トグラムは、 3 に示すヒス トグラム 3 Dに、 画像 2 Gの 像の 値の ヒス トグラムは、 3 c に示すヒス トグラム 3 Gになる。

値が異なる場合には、 平均値をとっても画像 士の差が大きく 、 欠陥 出ができない。 この 策として、 入力に対してバンドパスフィル 7

をかけて所望の 波数 分だけにし、 化の 響を除外するよ うにする。 または、 2 ０ 度の 値を 致させる補正処理 を行う。 または、 3 に示すように、 半導体ウ の の 2 Gのヒス トグラムが、 異なる場合には、 画像 2 G を除外し、 残りの 像で内 間により、 検出 像の 値を推定する。

上により、 R R A法によれば、 メモリ ッ ト部の欠 高感 度に検出でき、 メモリ ット メモリ ット 辺回路を含 むダイ 面を高感度に欠陥 定できる回路パタ ン 置、 および回 路パタ ン 査方法を提供することができる。 なお、 上記 では、 試料に電子 を照射して画像を生成する回路パタ ンの 置を用い て説明したが、 試料に光を照射して画像を生成する回路パタ ンの 置でも、 実施 に記載した発明を実施 能である。 号の

2

3

4 レンズ

5

6 導体ウ

7 XYステ ジ

8 Zセンサ

9

０ 8 束光学系 ディジタル

AD 換器

体制御

コンソ ル

微鏡 メモ P

メモリ ッ ト

メモリ ッ ト

メモリセル

ス トライプ

ス トライプ ップ

像表示 9

示しきい ツ ルバ

り返しパタ ン ダイアロ ダイアロ ０ 2

Claims

2０

求 の り返しパタ ンを有する複数の で構成された回路パタ ンの 像を取得する画像 、 得した検出 像について、 前記 り返し パタ ンの 域とそれ以外の 域とに応じて 象を切り替えて参照 像を合成し、 検出 像と比較して 検出する を備えた ことを特徴とする回路パタ ン 。

2 )

の において、 前記 出された の 像を表示する表示 置を備えたことを特徴とする回路パタ ン 。

3

の において、 前記 像を含まな 数の の 像であることを特徴とする回路 タ ン 。

( 4

の において、 前記 前記 像を含む 数の の 部の 像であることを特徴とする回路パタ ン 。

(

の において、 前記 成された参照 、 複数の 像の メディアン、 又は、 はずれ値を除外した 均値、 最大と最小の 均値などの 意の 計量 法で生成されることを特 徴とする回路 タ ン 。

6

の において、 前記 成された参照 、 前記 像 との 係に着目し、 合成 象である前記 ダイの 像の 、 により 成されることを特徴とする回路パタ ン 。 ( 7 )

の にお て、 前記 成された参照 、 前記 数の の 像を位置 せした画像を対象とすることを特徴とする回路パタ ン 。

8

り返しパタ ンを有する複数の で構成された回路パタ ンの 像を取得し、 得した検出 像につ て、 前記 り返しパタ ンの 域とそれ以外の 域とに応じて 象を切り替えて参照 像を合成し 像と比較して 検出することを特徴とする回路パタ ン 査 方法。

9

8の にお て、 前記 前記 像を含まない 数の の 像であることを特徴とする回路 タ ン 査方法。

０

8の にお て、 前記 検出 像を含む 回のステ ジ 査により得られた 数の の 部、 又は、 一部の 像であるこ とを特徴とする回路パタ ン 査方法。

(

8の において、 前記 繰り返しパタ ン、 又は複 数の のパタ ンを含むことを特徴とする回路パタ ン 査方法。

2

8の において、 前記 成された参照 、 複数の 像の メディアン、 又ははずれ値を除外した 均値、 最 大と最小の 均値などの 意の 計量 法で生成されることを特徴 とする回路パタ ン 査方法。

3

8の において、 前記 成された参照 、 前記 像 との 係に着目し、 合成 象の ダイの 像の 、 又は外 により合成 像を生成することを特徴とす 回路パタ ン 査方法。

4

8の において、 前記 成された参照 、 前記 数の の 像を位置 せした画像を対象とすることを特徴とする回路パタ ン 査方法。