WO2009157664A2 - 반도체 소자 패키지 - Google Patents

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Definitions

  • Embodiments relate to a semiconductor device package.
  • a light emitting diode may form a light emitting source using compound semiconductor materials such as GaAs series, AlGaAs series, GaN series, InGaN series, and InGaAlP series.
  • Such a light emitting diode is packaged and used as a light emitting device that emits various colors, and the light emitting device is used as a light source in various fields such as a lighting indicator for displaying colors, a character display, and an image display.
  • the embodiment provides a semiconductor device package including a paste member in which a reflective metal is mixed between a semiconductor device and an electrode.
  • the embodiment provides a semiconductor device package in which a semiconductor device is die bonded onto a paste member including a reflective metal and / or an inorganic filler.
  • the embodiment provides a semiconductor device package including a paste member including a reflective metal and / or an inorganic filler in a paste groove of an electrode, and an LED chip die-bonded on the paste member.
  • a semiconductor device package includes a package body; A plurality of electrodes including a first electrode on the package body; A paste member including at least one of an inorganic filler and a metal powder on the first electrode; And a semiconductor device die-bonded on the paste member.
  • a semiconductor device package may include a package body including a cavity; A plurality of electrodes including a first electrode in the cavity; A paste member including a white inorganic filler and a reflective metal on the first electrode; At least one LED chip die-bonded on the paste member; A wire electrically connecting the plurality of electrodes to the LED chip; Resin is contained in the said cavity.
  • the embodiment can improve heat dissipation of a semiconductor device such as an LED chip by using a paste member in which a reflective metal is mixed.
  • the embodiment can reflect the light emitted from the LED chip by using a paste member in which the reflective metal and / or the inorganic filler is mixed, thereby improving the amount of reflected light.
  • the embodiment can improve the yellowing problem of the resin by reducing the contact area between the paste member and the resin.
  • the embodiment can improve the reliability of the semiconductor device package in which the LED chip and / or the protection device is mounted.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device package according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of a first electrode on which the semiconductor device of FIG. 1 is mounted.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a heat radiation path of the paste member of FIG. 1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device package according to a second embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device package according to a third embodiment.
  • FIG. 6 is a perspective view illustrating a semiconductor device package according to a fourth embodiment.
  • FIG. 7 is a side cross-sectional view of FIG. 6.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device package according to a fifth embodiment.
  • FIG 9 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device package according to a sixth embodiment.
  • FIG. 1 is a side cross-sectional view of a semiconductor device package according to a first embodiment
  • FIG. 2 is a plan view of a first electrode on which the semiconductor device of FIG. 1 is mounted
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a heat radiation path of the paste member of FIG. 1. .
  • the semiconductor device package 100 includes a package body 110, a semiconductor device 120, a resin material 125, a plurality of electrodes 132 and 134, and a paste member 140.
  • the package body 110 is a polyphthalamide (PPA: Polyphthalamide), a liquid crystal polymer (Liquid crystal polymer), a resin series (eg SPS: Syndiotactic Polystyrene), MCPCB (Metal Core PCB), a substrate (PCB), a ceramic substrate, It may be formed using any one of flame retardant (FR) -4 and aluminum nitride (AlN).
  • the package body 110 may be implemented in the form of a chip on board (COB).
  • the upper part 112 of the package body 110 is formed with a cavity 115 having an open upper side, and the circumference of the cavity 115 may be formed perpendicular to the bottom surface or inclined by a predetermined angle.
  • the outer shape of the cavity 115 may be formed in a circular or polygonal shape, and may be formed in a single layer cavity structure or a multilayer cavity structure, but is not limited thereto.
  • a plurality of electrodes 132 and 134 are formed in the cavity 115 of the package body 110.
  • One end of the plurality of electrodes 132 and 134 may be disposed in the cavity 115, and the other end may be exposed to the outside of the package body 110 and used as the external electrodes P1 and P2.
  • the other ends of the plurality of electrodes 132 and 134 may extend to the side surface or the bottom surface of the package body 110, but is not limited thereto.
  • the plurality of electrodes 132 and 134 may be selectively formed using a lead frame type, a printed circuit board (PCB) type, a ceramic type, a plating type, a via hole type, or the like.
  • PCB printed circuit board
  • the first electrode 132 of the plurality of electrodes 132 and 134 may have a paste groove 136 having a predetermined depth in the first region, and the paste groove 136 may be formed by a punching process or an etching process. Can be.
  • the paste groove 136 may be formed in the first electrode 132 before or after the package body 110 is manufactured.
  • the paste groove 136 may be formed in the first electrode 132 to which the semiconductor device 120 is attached.
  • an exemplary embodiment will be described in which the paste groove 136 is formed above the first electrode 132.
  • the paste groove 136 may be formed in a region where the semiconductor device 120 is die bonded, and other shapes may be formed in a circular, polygonal, or random shape.
  • the depth of the paste groove 136 may be formed to about 1 ⁇ 100um from the top surface of the first electrode 132.
  • a paste member 140 is formed in the paste groove 136.
  • the paste member 140 may be formed by at least one of dotting, stamping, and dispensing.
  • the paste member 140 may be formed of an organic paste material to which a reflective metal is added.
  • the paste member 140 may be mixed with an organic resin inorganic filler or / and the reflective metal in a predetermined ratio.
  • the organic resin may include a silicone or epoxy resin
  • the inorganic filler may include a white inorganic filler or a reflective inorganic filler having excellent reflectivity, for example, TiO 2
  • the reflective metal may include Ag, Al, etc. having high reflectance and thermal conductivity. It may include a metal powder of.
  • the paste member 140 may be mixed with the organic resin in an amount of 0.1-30 wt% of the inorganic filler and / or 0.1-30 wt% of the metal powder.
  • the paste member 140 has higher thermal conductivity and reflective properties than a resin material such as epoxy and has insulating properties such as epoxy.
  • the bottom surface and the outer circumferential surface of the paste member 140 may be in surface contact with the first electrode 132.
  • the semiconductor device 120 is die bonded and bonded to the paste member 140.
  • the semiconductor device 120 may include, for example, a light emitting diode (LED) chip, and the LED chip may be a colored LED chip such as a red LED chip, a green LED chip, or a blue LED chip, or an ultraviolet (UV) LED. It may be a chip.
  • the package on which the LED chip is mounted may be defined as a light emitting diode package.
  • the semiconductor device 120 may include a protection device such as a zener diode.
  • At least one semiconductor device 120 may be die bonded to the paste member 140. This may vary depending on the size of the paste groove 136.
  • the first width D1 of the paste member 140 may be larger than the first width D2 of the semiconductor device 120. That is, the area of the paste member 140 may be larger than the bottom area of the semiconductor device 120.
  • the semiconductor device 120 is connected to the first and second electrodes 132 and 134 through wires 122 and 124.
  • the resin material 125 is formed in the cavity 115.
  • the resin material 125 may include a translucent silicone or epoxy resin, and a phosphor may be added.
  • a lens (not shown) of a predetermined shape may be attached or formed on the resin material 125.
  • the package body 110 may include a protection device (not shown) such as a zener diode to protect the semiconductor device 120.
  • a protection device such as a zener diode to protect the semiconductor device 120.
  • first and second electrodes 132 and 134 power is supplied to the semiconductor device package 100 through first and second electrodes 132 and 134.
  • the first electrode 132 supplies a first polarity power to the semiconductor device 120
  • the second electrode 134 supplies a second polarity power to the semiconductor device 120.
  • the semiconductor device 120 is an LED chip, light is emitted in all directions. In this case, heat is generated in the semiconductor device 120, and a part of the generated heat is conducted to the paste member 140 disposed under the semiconductor device 120, and is conducted to the paste member 140. Heat is radiated through the first electrode 132.
  • the paste member 140 is in surface contact with the paste groove 136 of the first electrode 132, thereby conducting heat conducted from the semiconductor device 120 through the first electrode 132.
  • the paste member 140 is formed in the paste groove 136 of the first electrode 132 and is disposed below the semiconductor device 120, the contact area with the resin material 125 is reduced.
  • the paste member 140 may protrude or not protrude above the first electrode 132.
  • the thermal conduction efficiency of the paste member 140 is high, the interface temperature with the semiconductor device 120 may be lowered. Accordingly, it is possible to reduce the discoloration of the resin material 125 to yellow by the heat.
  • the paste member 140 includes a reflective metal, the paste member 140 may reflect a part of the light emitted from the semiconductor device 120 or change a critical angle of the light. Accordingly, the amount of reflected light in the LED package can be improved.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device package according to a second embodiment.
  • the same parts as in the first embodiment will be referred to the first embodiment, and redundant description thereof will be omitted.
  • a paste groove 136A having a concave-convex structure is formed in the first electrode 132.
  • the paste member 140 may be formed in the paste groove 136A, and the paste member 140 may have an increase in contact area with the first electrode 132 due to the uneven structure. Accordingly, the heat generated from the semiconductor device 120 can be effectively dissipated, the critical angle of the light emitted from the LED chip can be changed, or the light can be reflected and refracted.
  • FIG. 5 is a side cross-sectional view illustrating a semiconductor device package according to a third embodiment.
  • the same parts as in the first embodiment are referred to the first embodiment, and redundant description thereof will be omitted.
  • the semiconductor device package 100A includes a cavity 115A having a multilayer structure and a paste member 140A on an upper surface of the first electrode 133.
  • the first electrode 133 and the second electrode 135 are disposed in the cavity 115A, and one end 133A of the first electrode 133 is disposed on the bottom bottom surface of the cavity 115A and is a semiconductor device. 120 is die bonded.
  • the semiconductor device 120 is die bonded by a paste member 140A formed on an upper surface of the first electrode 133, and the paste member 140A is an upper surface of one end 133A of the first electrode 133. To form. In this case, the heat radiation efficiency may be improved according to the area of the paste member 140A.
  • the paste member 140A will be referred to the first embodiment.
  • the middle end 133B of the first electrode 133 and the one end 135B of the second electrode 135 are inclined under the cavity 115A, so that light reflection can be efficiently performed.
  • the other end 133C of the first electrode 133 and the other end 135C of the second electrode 135 may be exposed to the outside through the middle or the top of the cavity 115A.
  • a translucent resin 125 may be formed in the cavity 115A, and a phosphor may be added to the resin 125.
  • the resin material 125 may form a phosphor layer in a lower cavity structure, and a light transmitting resin layer in an upper cavity structure, but is not limited thereto.
  • one end of the wires 122 and 124 may be connected to the semiconductor device 120, and the other end may be connected to the other end 133C of the first electrode 133 and the other end 135C of the second electrode 135. have. Accordingly, the heat dissipation path of the semiconductor device 120 may be dispersed.
  • the paste member 140A includes a reflective metal and an inorganic filler, and thus may conduct heat generated from the semiconductor device 120 through the first electrode 132.
  • FIG. 6 is a perspective view of a semiconductor device package according to a fourth embodiment
  • FIG. 7 is a side cross-sectional view of FIG. 6.
  • the same parts as those in the first embodiment are referred to the first embodiment, and redundant description thereof will be omitted.
  • the semiconductor device package 200 may include a package body 210, a cavity 215, a plurality of electrodes 232 and 234, a paste member 240, a semiconductor device 220, and a resin material ( 225).
  • the package body 210 is made of a silicon-based wafer level package (WLP) and has a polyhedron shape.
  • WLP wafer level package
  • a cavity 215 having a predetermined depth may be formed on an upper portion of the package body 210.
  • the circumference 214 of the cavity 215 may be formed to be inclined, but is not limited thereto.
  • the plurality of electrodes 232 and 234 may be formed on the surface of the package body 210.
  • the electrodes 232 and 234 may be formed on an upper surface (including a cavity area), a side surface, and a rear surface of the package body 210.
  • the plurality of electrodes 232 and 234 may be implemented in a plating type and / or a via hole type, and a reflective material may be coated on an upper surface thereof.
  • an insulating layer (not shown) may be formed between the package body 210 and the plurality of electrodes 232 and 234, but is not limited thereto.
  • One end of the plurality of electrodes 232 and 234 is disposed in the cavity 215 and spaced apart from each other.
  • a paste groove 236 is formed in the first electrode 232 of the plurality of electrodes 232 and 234, and the paste groove 236 is formed to a predetermined depth by a dry or wet etching method with respect to the first electrode 232.
  • Other shapes may be formed in a circular, polygonal or random shape.
  • the paste groove 236 may have a size greater than or equal to the bottom surface of the semiconductor device 220, and the semiconductor device 220 may use at least one LED chip.
  • the paste groove 236 may have a depth of about 1 ⁇ m to about 100 ⁇ m from an upper surface of the first electrode 232.
  • a paste member 240 is formed in the paste groove 236.
  • the paste member 240 may be formed by at least one of dotting, stamping, and dispensing.
  • the paste member 240 may be formed of an organic paste material to which metal powder is added.
  • an inorganic filler or / and a metal powder may be mixed with an organic resin in a predetermined ratio.
  • the organic resin may include a silicon or epoxy material
  • the inorganic filler may include a white inorganic filler having excellent reflectance, for example, TiO 2
  • the metal powder may include a reflective metal such as Ag and Al having high reflectance and thermal conductivity. It may include.
  • the inorganic resin may be mixed with 0.1 to 30 wt% of the inorganic filler and / or about 0.1 to 30 wt% of the metal powder.
  • the paste member 240 is applied to the paste groove 236 of the first electrode 232, and the semiconductor device 220 is die bonded on the paste member 240.
  • the semiconductor device 220 is connected to the plurality of electrodes 232 and 234 with a wire 222.
  • Heat generated by the semiconductor device 220 is conducted to the first electrode 232 by the paste member 240, thereby lowering the junction temperature between the semiconductor device 220 and the paste member 240. Can be.
  • the shape, size, and number of the paste members 240 in the cavity 215 may vary depending on the shape, size, and number of the semiconductor devices 220.
  • the paste member 240 may be formed in a large area or in plurality.
  • the resin 225 is formed in the cavity 215.
  • the resin 225 may include a transparent silicone or epoxy material, and a phosphor may be added.
  • a lens (not shown) for refracting the generated light in a predetermined direction may be disposed.
  • the package body 210 may include a protection device such as a zener diode to protect the light emitting device 220.
  • a protection device such as a zener diode to protect the light emitting device 220.
  • the semiconductor device 220 When power is supplied from the electrodes 232 and 234, the semiconductor device 220 operates and heat is generated. Heat generated in the semiconductor device 220 is conducted to the first electrode 232 through the paste member 240 to radiate heat. In addition, when the semiconductor device 220 is an LED chip, a part of light emitted from the LED chip may be reflected or refracted by the paste member 240.
  • Heat generated by the semiconductor device 220 is conducted to the first electrode 232 through the paste member 240 to be discharged, so that the resin material 225 in contact with the semiconductor device 220 turns yellow. The change can be prevented.
  • the paste member 240 reduces the contact area with the resin material 225 and the contact area with the first electrode 132 increases, thereby increasing the heat radiation efficiency of the paste member 240. Can be.
  • FIG. 8 is a side cross-sectional view of a semiconductor device package according to a fifth embodiment.
  • the same parts as in the first embodiment are referred to the first embodiment, and redundant description thereof will be omitted.
  • the semiconductor device package 300 includes a package body 310, a semiconductor device 320, a plurality of electrodes 332 and 334, wires 322 and 324, a resin 325, and a paste member 340. do.
  • the first electrode 332 and the second electrode 334 are formed on the package body 310, and the first and second electrodes 332 and 334 may be implemented using a lead frame type, a PCB type, a via type, or the like. Can be.
  • the first electrode 332 may extend to one side of the top surface, the left side surface, and a portion of the rear surface of the package body 310.
  • the second electrode 334 may extend to the other side of the top surface, the right side surface, and a portion of the rear surface of the package body 310.
  • the back electrode of the package body 310 may be used as external electrodes P5 and P6.
  • a paste groove 336 is formed on an upper surface of the first electrode 332, and a paste member 340 is formed in the paste groove 336.
  • the paste member 340 may be mixed with metal powder and / or white inorganic filler in a predetermined ratio.
  • the paste member 340 will be referred to in the first embodiment.
  • At least one semiconductor device 320 is die bonded on the paste member 340.
  • the semiconductor device 320 may be an LED chip and is electrically connected to the first and second electrodes 332 and 334 through a plurality of wires 322 and 324.
  • the resin material 325 may be formed in a lens shape using silicon or epoxy resin, and seals the semiconductor device 320 and the wires 322 and 324.
  • the resin 325 may refract the light emitted from the LED chip in a predetermined direction.
  • the semiconductor device 320 When the semiconductor device 320 operates, some heat generated from the semiconductor device 320 may be conducted to the first electrode 332 through the paste member 340 to radiate heat.
  • a via hole (not shown) penetrating to the bottom surface of the package body 310 may be formed in the first electrode 332, and the via hole may form the row below the package body 310. It can dissipate through.
  • FIG. 9 is a side cross-sectional view of a semiconductor device package according to a sixth embodiment.
  • the same parts as in the first embodiment will be referred to the first embodiment, and redundant description thereof will be omitted.
  • the semiconductor device package 300A includes a package body 310, a plurality of electrodes 332 and 334, a paste groove 336A, a paste member 340A, a semiconductor device 320A, and a resin 325. It includes.
  • Paste grooves 336A may be formed in the first electrode 332 of the package body 310, and the paste grooves 336A may be formed in a plurality of stripe shapes, or may have a ring shape or a donut shape.
  • a paste member 340A is formed in the paste groove 336A, a part of the first electrode 332 is exposed inside the paste groove 336A, and a portion of the first electrode 332 is a conductive adhesive. Can be applied.
  • the semiconductor device 320A may be die bonded by the paste member 340A and the conductive adhesive. That is, the die paste can use both an organic paste member and a conductive paste member.
  • the semiconductor device 320A may have a large area LED chip (for example, the bottom electrode of the LED chip may be electrically connected to a portion of the first electrode 332, and a wire () may be formed on the second electrode 334.
  • the bottom electrode of the LED chip may be an N-type electrode or a P-type electrode.
  • the semiconductor device package when a semiconductor device such as an LED chip is packaged, heat generated from the semiconductor device may be effectively radiated using a thermally conductive paste member.
  • a thermally conductive paste member In addition, it is possible to reflect light emitted from the LED chip by using a paste member having a metal powder.
  • the semiconductor device package using the LED chip may be used for a light source such as a front light and / or a back light of a liquid crystal display such as a portable terminal and a computer, an illumination field, and the like.
  • each layer (film), region, pattern or structure is formed to be “on” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern.
  • “on” and “under” include both the meanings of “directly” and “indirectly”.
  • the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.
  • the embodiment provides a semiconductor device package.
  • the embodiment provides a light emitting diode package.
  • the embodiment can provide a light emitting diode package used as a light source in various fields such as a lighting indicator, a character display, an illumination field, and an image display.

Landscapes

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Abstract

실시 예는 반도체 소자 패키지에 관한 것이다. 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는, 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 위에 제1전극을 포함하는 복수의 전극; 상기 제1전극 위에 무기물 필러 및 금속 파우더 중 적어도 하나를 포함하는 페이스트 부재; 및 상기 페이스트 부재 위에 다이 본딩되는 반도체 소자를 포함한다.

Description

반도체 소자 패키지
실시 예는 반도체 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성할 수 있다.
이러한 발광 다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광 장치로 이용되고 있으며, 상기 발광 장치는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.
실시 예는 반도체 소자와 전극 사이에 반사 금속이 혼합된 페이스트 부재를 포함하는 반도체 소자 패키지를 제공한다.
실시 예는 반사 금속 또는/및 무기물 필러를 포함한 페이스트 부재 위에 반도체 소자가 다이 본딩된 반도체 소자 패키지를 제공한다.
실시 예는 전극의 페이스트 홈에 반사 금속 또는/및 무기물 필러를 포함하는 페이스트 부재, 및 상기 페이스트 부재 위에 다이 본딩된 LED 칩을 포함하는 반도체 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는, 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 위에 제1전극을 포함하는 복수의 전극; 상기 제1전극 위에 무기물 필러 및 금속 파우더 중 적어도 하나를 포함하는 페이스트 부재; 및 상기 페이스트 부재 위에 다이 본딩되는 반도체 소자를 포함한다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는, 캐비티를 포함하는 패키지 몸체; 상기 캐비티 내에 제1전극을 포함하는 복수의 전극; 상기 제1전극 위에 백색 무기물 필러 및 반사 금속을 포함하는 페이스트 부재; 및 상기 페이스트 부재 위에 다이 본딩된 적어도 하나의 LED 칩; 상기 복수의 전극과 상기 LED 칩을 전기적으로 연결하는 와이어; 상기 캐비티에 수지물을 포함한다.
실시 예는 반사 금속이 혼합된 페이스트 부재를 이용하여 LED 칩과 같은 반도체 소자의 방열을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 반사 금속 및/또는 무기물 필러가 혼합된 페이스트 부재를 이용하여 LED 칩으로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있어, 반사 광량을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 페이스트 부재와 수지물의 접촉 면적을 줄여 상기 수지물의 황변 문제를 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 LED 칩 및/또는 보호 소자가 탑재된 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 제1실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 단면도이다.
도 2는 도 1의 반도체 소자가 탑재된 제1전극의 평면도이다.
도 3은 도 1의 페이스트 부재의 방열 경로를 나타낸 단면도이다.
도 4는 제2실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 5는 제3실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 6은 제4실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 7은 도 6의 측 단면도이다.
도 8은 제5실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 9는 제6실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 제1실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 측 단면도이며, 도 2는 도 1의 반도체 소자가 탑재된 제1전극의 평면도이며, 도 3은 도 1의 페이스트 부재의 방열 경로를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 소자 패키지(100)는 패키지 몸체(110), 반도체 소자(120), 수지물(125), 복수의 전극(132,134), 및 페이스트 부재(140)를 포함한다.
상기 패키지 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide), 액정폴리머(Liquid crystal polymer), 수지 계열(예: SPS: Syndiotactic Polystyrene), MCPCB(Metal core PCB), 기판(PCB), 세라믹 기판, FR(flame retardant)-4, 질화 알루미늄(AlN: aluminum nitride) 중 어느 하나의 재질을 이용하여 형성될 수 있다. 또한 패키지 몸체(110)는 COB(Chip on board) 형태로 구현될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)의 상부(112)에는 상측이 개방된 캐비티(115)가 형성되며, 상기 캐비티(115)의 둘레는 바닥면에 수직하거나, 소정 각도만큼 경사지게 형성될 수 있다.
상기 캐비티(115)의 외 형상은 원형 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 단층 캐비티 구조 또는 다층 캐비티 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 패키지 몸체(110)의 캐비티(115) 내에는 복수의 전극(132,134)이 형성된다. 상기 복수의 전극(132,134)의 일단은 상기 캐비티(115)에 배치되고, 타단은 상기 패키지 몸체(110)의 외측에 노출되며 외부 전극(P1,P2)으로 사용될 수 있다. 상기 복수의 전극(132,134)의 타단은 상기 패키지 몸체(110)의 측면 또는 바닥면으로 연장될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 복수의 전극(132,134)은 리드 프레임 타입, PCB(Print Circuit Board) 타입, 세라믹 타입, 도금 타입, 비아 홀 타입 등을 선택적으로 이용하여 형성될 수 있다.
상기 복수의 전극(132,134) 중 제1전극(132)은 제1영역에 소정 깊이의 페이스트 홈(136)이 형성되며, 상기 페이스트 홈(136)은 펀칭 공정(punching) 공정이나 에칭 공정으로 형성될 수 있다. 상기 페이스트 홈(136)은 상기 패키지 몸체(110)의 제조 전 또는 후에 상기 제1전극(132)에 형성될 수 있다.
상기 페이스트 홈(136)은 상기 반도체 소자(120)가 부착되는 제1전극(132)에 형성될 수 있다. 이하, 실시 예에는 상기 제1전극(132)의 상측에 상기 페이스트 홈(136)이 형성된 예로 설명하기로 한다.
상기 페이스트 홈(136)은 상기 반도체 소자(120)가 다이 본딩되는 영역에 형성될 수 있으며, 그 외 형상은 원형, 다각형 또는 랜덤한 형상으로 형성할 수 있다. 상기 페이스트 홈(136)의 깊이는 상기 제 1전극(132)의 상면부터 1~100um 정도로 형성될 수 있다.
또한 상기 페이스트 홈(136)에는 페이스트 부재(140)가 형성된다. 상기 페이스트 부재(140)는 도팅(dotting), 스템핑(stamping), 디스펜싱(dispensing) 중 적어도 한 방식으로 형성할 수 있다.
상기 페이스트 부재(140)는 반사 금속이 첨가된 유기 페이스트 물질로 구현될 수 있다. 또한 상기 페이스트 부재(140)는 유기물 수지에 무기물 필러 또는/및 반사 금속이 소정 비율로 혼합될 수 있다.
상기 유기물 수지는 실리콘 또는 에폭시 수지를 포함하며, 상기 무기물 필러는 반사율이 우수한 백색 무기물 필러 또는 반사 무기질 필러 예를 들면, TiO2을 포함하고, 상기 반사 금속은 반사율 및 열 전도가 높은 Ag, Al 등의 금속 파우더를 포함할 수 있다.
상기 페이스트 부재(140)는 상기 유기물 수지에 상기 무기물 필러가 0.1~30wt% 또는/및 상기 금속 파우더(metal powder)가 0.1~30wt% 정도로 혼합될 수 있다.
상기 페이스트 부재(140)는 열 전도성 및 반사 특성이 에폭시와 같은 수지 재료보다는 높고, 에폭시와 같은 절연 특성이 있다. 상기 페이스트 부재(140)의 바닥면 및 외주면은 상기 제1전극(132)과 면 접촉될 수 있다.
상기 페이스트 부재(140) 위에는 반도체 소자(120)가 다이 본딩되어 접착된다. 상기 반도체 소자(120)는 예를 들면, LED(Light emitting diode) 칩을 포함하며, 상기 LED 칩은 적색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 청색 LED 칩과 같은 유색의 LED 칩이거나, 자외선(UV) LED 칩일 수 있다. 상기 LED 칩이 탑재된 패키지는 발광 다이오드 패키지로 정의될 수 있다. 또한 상기 반도체 소자(120)는 제너 다이오드와 같은 보호 소자를 포함할 수 있다.
상기 페이스트 부재(140)는 적어도 하나의 반도체 소자(120)가 다이 본딩될 수 있다. 이는 상기 페이스트 홈(136)의 크기에 따라 달라질 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 페이스트 부재(140)의 제1폭(D1)은 상기 반도체 소자(120)의 제1폭(D2)보다 크게 형성될 수 있다. 즉, 상기 페이스트 부재(140)의 면적은 상기 반도체 소자(120)의 바닥 면적보다는 크게 형성될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 반도체 소자(120)는 상기 제1 및 제2전극(132,134)에 와이어(122,124)를 통해 연결된다.
상기 캐비티(115)에는 상기 수지물(125)이 형성된다. 상기 수지물(125)은 투광성 실리콘 또는 에폭시 수지를 포함하며, 형광체가 첨가될 수 있다. 상기 수지물(125) 위에는 소정 형상의 렌즈(미도시)가 부착되거나 형성될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)에는 상기 반도체 소자(120)의 보호를 위해 제너 다이오드와 같은 보호 소자(미도시)를 구비할 수 있다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 반도체 소자 패키지(100)에는 제1 및 제2전극(132,134)을 통해 전원이 공급된다. 상기 제1전극(132)은 제1극성의 전원을 상기 반도체 소자(120)에 공급하고, 상기 제2전극(134)은 제2극성의 전원을 상기 반도체 소자(120)에 공급하게 된다. 상기 반도체 소자(120)가 LED 칩인 경우, 전 방향으로 광을 방출하게 된다. 이 경우 상기 반도체 소자(120)에는 열이 발생되며, 상기 발생된 열의 일부는 상기 반도체 소자(120)의 아래에 배치된 상기 페이스트 부재(140)로 전도되고, 상기 페이스트 부재(140)로 전도된 열은 상기 제1전극(132)을 통해 방열된다.
여기서, 상기 페이스트 부재(140)는 상기 제1전극(132)의 페이스트 홈(136)을 통해 면 접촉됨으로써, 상기 반도체 소자(120)로부터 전도된 열을 상기 제1전극(132)을 통해 전도시켜 줄 수 있다.
또한 상기 페이스트 부재(140)에는 상기 제1전극(132)의 페이스트 홈(136)에 형성되고 상기 반도체 소자(120) 아래에 배치되므로, 상기 수지물(125)과의 접촉 면적은 줄어들게 된다. 여기서, 상기 페이스트 부재(140)는 상기 제1전극(132)의 위로 돌출되거나 돌출되지 않을 수 있다.
또한 상기 페이스트 부재(140)의 열 전도 효율이 높기 때문에 상기 반도체 소자(120)와의 계면 온도를 낮추어 줄 수 있다. 이에 따라 상기 열에 의해 상기 수지물(125)이 황색으로 변색되는 것을 줄일 수 있다.
상기 페이스트 부재(140)는 반사 금속을 포함하고 있어서, 상기 반도체 소자(120)로부터 방출된 광의 일부를 반사시켜주거나, 광의 임계각을 변화시켜 줄 수 있다. 이에 따라 발광 다이오드 패키지에서의 반사 광량을 개선시켜 줄 수 있다.
도 4는 제2실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 나타낸 단면도이다. 상기 제2실시 예를 설명함에 있어서, 상기 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 제1실시 예를 참조하며, 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 반도체 소자 패키지는 제1전극(132)에 요철 구조의 페이스트 홈(136A)이 형성된다.
상기 페이스트 홈(136A)에는 상기 페이스트 부재(140)가 형성되며, 상기 페이스트 부재(140)는 상기 요철 구조에 의해 상기 제1전극(132)과의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 이에 따라 상기 반도체 소자(120)로부터 발생된 열을 효과적으로 방열시켜 줄 수 있으며, LED 칩으로부터 방출된 광의 임계각을 변화시켜 주거나, 광을 반사 및 굴절시켜 줄 수 있다.
도 5는 제3실시 예에 따른 반도체 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다. 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 제1실시 예를 참조하며 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 반도체 소자 패키지(100A)는 다층 구조의 캐비티(115A), 및 제1전극(133)의 상면에 페이스트 부재(140A)를 포함한다. 상기 캐비티(115A)에는 제1전극(133) 및 제2전극(135)이 배치되며, 상기 제1전극(133)의 일단(133A)은 상기 캐비티(115A)의 하층 바닥면에 배치되고 반도체 소자(120)가 다이 본딩된다.
상기 반도체 소자(120)는 상기 제1전극(133)의 상면에 형성된 페이스트 부재(140A)에 의해 다이 본딩되며, 상기 페이스트 부재(140A)는 상기 제1전극(133)의 일단(133A)의 상면에 형성하게 된다. 이 경우 상기 페이스트 부재(140A)의 면적에 따라 방열 효율은 개선될 수 있다. 상기 페이스트 부재(140A)는 상기 제1실시 예를 참조하기로 한다.
상기 캐비티(115A)의 하층에는 상기 제1전극(133)의 미들단(133B) 및 상기 제2전극(135)의 일단(135B)이 경사지게 배치됨으로써, 광 반사를 효율적으로 수행할 수 있다.
상기 제1전극(133)의 타단(133C) 및 상기 제2전극(135)의 타단(135C)은 상기 캐비티(115A)의 중간 또는 상단을 통해 외부로 노출될 수 있다.
상기 캐비티(115A)에는 투광성 수지물(125)가 형성되며, 상기 수지물(125)에는 형광체가 첨가될 수 있다. 상기 수지물(125)은 하층 캐비티 구조에 형광체층을 형성하고, 상층 캐비티 구조에 투광성 수지층을 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 복수의 와이어(122,124)는 일단이 반도체 소자(120)에 연결되고, 타단이 상기 제1전극(133)의 타단(133C) 및 상기 제2전극(135)의 타단(135C)에 연결될 수 있다. 이에 따라 반도체 소자(120)의 방열 경로를 분산시켜 줄 수 있다.
상기 페이스트 부재(140A)는 반사 금속 및 무기질 필러를 포함하고 있어서, 상기 반도체 소자(120)로부터 발생된 열을 상기 제1전극(132)을 통해 전도할 수 있다.
도 6은 제4실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 사시도이고, 도 7은 도 6의 측 단면도이다. 제4실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 제1실시 예를 참조하며, 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 반도체 소자 패키지(200)는 패키지 몸체(210), 캐비티(215), 복수의 전극(232,234), 페이스트 부재(240), 반도체 소자(220), 및 수지물(225)을 포함한다.
상기 패키지 몸체(210)는 실리콘(silicon) 기반의 wafer level package(WLP)로 이루어지며, 다면체 형태로 이루어진다.
상기 패키지 몸체(210)의 상부에는 소정 깊이의 캐비티(215)가 형성될 수 있다. 상기 캐비티(215)의 둘레(214)는 경사지게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 복수의 전극(232,234)은 상기 패키지 몸체(210)의 표면에 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 패키지 몸체(210)의 상면(캐비티 영역 포함), 측면 및 배면에 형성될 수 있다.
상기 복수의 전극(232,234)은 도금 타입 또는/및 비아 홀 타입 등으로 구현될 수 있으며, 그 상면에는 반사 물질이 코팅될 수 있다. 여기서, 상기 패키지 몸체(210)와 상기 복수의 전극(232,234) 사이에는 절연층(미도시)이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 복수의 전극(232,234)의 일단은 상기 캐비티(215) 내에 배치되며, 서로 이격된다.
상기 복수의 전극(232,234) 중 제1전극(232)에는 페이스트 홈(236)이 형성되며, 상기 페이스트 홈(236)은 상기 제1전극(232)에 대해 건식 또는 습식 식각 방법으로 소정 깊이로 형성될 수 있으며, 그 외 형상은 원형, 다각형 또는 랜덤한 형상으로 형성할 수 있다.
상기 페이스트 홈(236)의 크기는 상기 반도체 소자(220)의 바닥면 크기 이상으로 형성될 수 있으며, 상기 반도체 소자(220)는 적어도 하나의 LED 칩을 이용할 수 있다.
상기 페이스트 홈(236)의 깊이는 상기 제 1전극(232)의 상면부터 1~100um 정도의 깊이로 형성될 수 있다.
또한 상기 페이스트 홈(236)에는 페이스트 부재(240)가 형성된다. 상기 페이스트 부재(240)는 도팅(dotting), 스템핑(stamping), 디스펜싱(dispensing) 중 적어도 한 방식으로 형성할 수 있다.
상기 페이스트 부재(240)는 금속 파우더가 첨가된 유기 페이스트 물질로 구현될 수 있다. 상기 페이스트 부재(240)는 유기물 수지에 무기물 필러 또는/및 금속 파우더가 소정 비율로 혼합될 수 있다.
상기 유기물 수지는 실리콘 또는 에폭시 재질을 포함하며, 상기 무기물 필러는 반사율이 우수한 백색 무기물 필러 예를 들면, TiO2을 포함하고, 상기 금속 파우더는 반사율 및 열 전도가 높은 Ag, Al 등의 반사 금속을 포함할 수 있다. 상기 유기물 수지에는 상기 무기물 필러가 0.1~30wt% 또는/및 상기 금속 파우더(metal powder)가 0.1~30wt% 정도로 혼합될 수 있다.
상기 제1전극(232)의 페이스트 홈(236)에 상기 페이스트 부재(240)가 도포되며, 상기 페이스트 부재(240) 위에 반도체 소자(220)가 다이 본딩된다. 상기 반도체 소자(220)는 와이어(222)로 상기 복수의 전극(232,234)에 연결된다.
상기 반도체 소자(220)에 의해 발생된 열은 상기 페이스트 부재(240)에 의해 제1전극(232)으로 전도됨으로써, 상기 반도체 소자(220)와 상기 페이스트 부재(240) 사이의 접합 온도를 낮추어 줄 수 있다.
여기서, 상기 캐비티(215) 내에서 상기 페이스트 부재(240)의 형상, 크기 및 개수는 상기 반도체 소자(220)의 형상, 크기 및 개수에 의해 달라질 수 있다. 예컨대, 상기 반도체 소자(220)가 복수개인 경우, 상기 페이스트 부재(240)는 대면적으로 형성되거나, 복수개로 형성될 수 있다.
상기 캐비티(215)에는 상기 수지물(225)이 형성된다. 상기 수지물(225)은 투광성 실리콘 또는 에폭시 재질을 포함하며, 형광체가 첨가될 수도 있다. 상기 수지물(225) 위에는 발생된 광들을 소정 방향으로 굴절시켜 주는 렌즈(미도시)가 배치될 수 있다.
또한 상기 패키지 몸체(210)에는 상기 발광 소자(220)의 보호를 위해 제너 다이오드와 같은 보호 소자를 구비할 수 있다.
상기 복수의 전극(232,234)으로부터 전원이 공급되면, 상기 반도체 소자(220)는 동작하며 열이 발생된다. 상기 반도체 소자(220)에서 발생된 열은 상기 페이스트 부재(240)를 통해 제1전극(232)으로 전도되어 방열된다. 또한 상기 반도체 소자(220)가 LED 칩인 경우, 상기 LED 칩으로부터 방출된 광의 일부는 상기 페이스트 부재(240)에 의해 반사되거나 굴절될 수 있다.
상기 반도체 소자(220)에 의해 발생된 열은 상기 페이스트 부재(240)를 통해 제1전극(232)으로 전도되어 방출됨으로써, 상기 반도체 소자(220)에 접촉된 상기 수지물(225)이 황색으로 변화되는 것을 방지할 수 있다. 또한 상기 페이스트 부재(240)는 상기 수지물(225)과의 접촉 면적은 감소하고 상기 제1전극(132)과의 접촉 면적은 증가하게 됨으로써, 상기 페이스트 부재(240)의 방열 효율을 증대시켜 줄 수 있다.
도 8은 제5실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 측 단면도이다. 제5실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 제1실시 예를 참조하며, 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 8을 참조하면, 반도체 소자 패키지(300)는 패키지 몸체(310), 반도체 소자(320), 복수의 전극(332,334), 와이어(322,324), 수지물(325), 페이스트 부재(340)를 포함한다.
상기 패키지 몸체(310) 위에는 제1전극(332) 및 제2전극(334)이 형성되며, 상기 제1 및 제2전극(332,334)는 리드 프레임 타입, PCB 타입, 비아 타입 등을 이용하여 구현될 수 있다.
상기 제1전극(332)은 상기 패키지 몸체(310)의 상면 일측, 좌측면 및 배면 일부까지 연장될 수 있다. 상기 제2전극(334)은 상기 패키지 몸체(310)의 상면 타측, 우측면 및 배면 일부까지 연장될 수 있다. 상기 패키지 몸체(310)의 배면 전극은 외부 전극(P5,P6)으로 사용될 수 있다.
상기 제1전극(332)의 상면에는 페이스트 홈(336)이 형성되며, 상기 페이스트 홈(336)에는 페이스트 부재(340)가 형성된다. 상기 페이스트 부재(340)는 금속 파우더 또는/및 백색 무기물 필러가 소정 비율로 혼합될 수 있다. 이러한 페이스트 부재(340)는 제1실시 예를 참조하기로 한다.
상기 페이스트 부재(340) 위에는 적어도 하나의 반도체 소자(320)가 다이 본딩된다. 상기 반도체 소자(320)는 LED 칩일 수 있으며, 복수의 와이어(322,324)를 통해 제1 및 제2전극(332,334)에 전기적으로 연결된다.
상기 수지물(325)은 실리콘 또는 에폭시 수지를 이용하여 렌즈 형상으로 형성될 수 있으며, 상기 반도체 소자(320) 및 와이어(322,324)를 밀봉하게 된다. 상기 수지물(325)은 LED 칩으로부터 방출된 광을 소정 방향으로 굴절시켜 줄 수 있다.
상기 반도체 소자(320)가 동작하면 상기 반도체 소자(320)로부터 발생된 일부 열은 상기 페이스트 부재(340)를 통해 상기 제1전극(332)으로 전도되어 방열될 수 있다. 여기서, 상기 제1전극(332)에는 상기 패키지 몸체(310)의 바닥면까지 관통되는 비아 홀(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 비아 홀은 상기 열을 상기 패키지 몸체(310)의 하부를 통해 방열시켜 줄 수 있다.
도 9는 제6실시 예에 따른 반도체 소자 패키지의 측 단면도이다. 제6실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 제1실시 예를 참조하며, 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 9를 참조하면, 반도체 소자 패키지(300A)는 패키지 몸체(310), 복수의 전극(332,334), 페이스트 홈(336A), 페이스트 부재(340A), 반도체 소자(320A), 및 수지물(325)를 포함한다.
상기 패키지 몸체(310)의 제1전극(332)에는 페이스트 홈(336A)이 형성되며, 상기 페이스트 홈(336A)은 복수개의 스트라이프 형상으로 형성되거나, 링 형상 또는 도넛 형상일 수 있다.
상기 페이스트 홈(336A)에는 페이스트 부재(340A)가 형성되며, 상기 페이스트 홈(336A)의 내측에는 제1전극(332)의 일부가 노출되며, 상기 제1전극(332)의 일부에는 전도성 접착제가 도포될 수 있다. 상기 반도체 소자(320A)는 상기 페이스트 부재(340A) 및 상기 전도성 접착제에 의해 다이 본딩될 수 있다. 즉, 다이 페이스트는 유기 페이스트 부재와 전도성 페이스트 부재를 모두 사용할 수 있다.
상기 반도체 소자(320A)는 대면적의 LED 칩(예 : 인 경우, 상기 LED 칩의 바텀 전극은 상기 제1전극(332)의 일부에 전기적으로 연결되고, 상기 제2전극(334)에는 와이어(324)를 통해 연결될 수 있다. 여기서, 상기 LED 칩의 바텀 전극은 N형 전극 또는 P형 전극일 수 있다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 LED 칩과 같은 반도체 소자를 패키징한 경우, 상기 반도체 소자로부터 발생된 열을 열 전도성 페이스트 부재를 이용하여 효과적으로 방열시켜 줄 수 있다. 또한 금속 파우더를 갖는 페이스트 부재를 이용하여 LED 칩으로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 LED 칩을 이용한 반도체 소자 패키지는 휴대 단말기, 컴퓨터 등의 액정 표시 장치의 프론트 라이트 또는/및 백 라이트 등의 광원, 조명 분야 등에 사용할 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "directly"와 "indirectly"의 의미를 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실시 예는 반도체 소자 패키지를 제공한다.
실시 예는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
실시 예는 점등 표시기, 문자 표시기, 조명분야 및 영상 표시기 등의 다양한 분야의 광원으로 사용되는 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다.

Claims (15)

  1. 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 위에 제1전극을 포함하는 복수의 전극;
    상기 제1전극 위에 무기물 필러 및 금속 파우더 중 적어도 하나를 포함하는 페이스트 부재; 및
    상기 페이스트 부재 위에 다이 본딩되는 반도체 소자를 포함하는 반도체 소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전극의 다이 본딩 영역은 상기 페이스트 부재가 형성된 소정 깊이의 페이스트 홈을 포함하는 반도체 소자 패키지
  3. 제2항에 있어서, 상기 페이스트 부재는 상기 무기물 필러와 상기 금속 파우더를 포함하는 유기물 수지인 반도체 소자 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 무기물 필러는 TiO2를 포함하며,
    상기 금속 파우더는 Al 및 Ag 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자 패키지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자는 적어도 하나의 LED 칩을 포함하는 반도체 소자 패키지.
  6. 제5항에 있어서, 상기 패키지 몸체 위에 상기 복수의 전극 및 상기 LED 칩이 배치되는 캐비티; 상기 LED 칩과 복수의 전극을 전기적으로 연결하는 와이어; 및 캐비티에 투광성 수지물을 포함하는 반도체 소자 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 전극 및 상기 반도체 소자를 밀봉하는 수지물을 포함하는 반도체 소자 패키지.
  8. 제1항에 있어서, 상기 페이스트 부재의 바닥면 및 외주면은 상기 제1전극에 접촉되는 반도체 소자 패키지.
  9. 캐비티를 포함하는 패키지 몸체;
    상기 캐비티 내에 제1전극을 포함하는 복수의 전극;
    상기 제1전극 위에 백색 무기물 필러 및 반사 금속을 포함하는 페이스트 부재; 및
    상기 페이스트 부재 위에 다이 본딩된 적어도 하나의 LED 칩;
    상기 복수의 전극과 상기 LED 칩을 전기적으로 연결하는 와이어;
    상기 캐비티에 수지물을 포함하는 반도체 소자 패키지.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1전극에 상기 페이스트 부재가 형성된 페이스트 홈을 포함하는 반도체 소자 패키지.
  11. 제10항에 있어서, 상기 페이스트 홈은 상기 제1전극의 상면을 기준으로 1~100um의 깊이로 형성되는 반도체 소자 패키지.
  12. 제11항에 있어서, 상기 페이스트 홈은 상기 LED 칩의 바닥 면적보다 크게 형성되며 요철 구조를 포함하는 반도체 소자 패키지.
  13. 제10항에 있어서, 상기 페이스트 홈은 복수의 스트라이프 형상, 원 형상, 링 형상 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자 패키지.
  14. 제9항에 있어서, 상기 복수의 전극은 리드 프레임 타입, 기판 타입, 세라믹 타입, 도금 타입, 및 비아 홀 타입 중 적어도 하나를 포함하며,
    상기 패키지 몸체는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide), 액정폴리머(Liquid crystal polymer), 수지 계열(예: SPS: Syndiotactic Polystyrene), MCPCB(Metal core PCB), 기판(PCB), 세라믹 기판, FR(flame retardant)-4, 질화 알루미늄(AlN: aluminum nitride) 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자 패키지.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 페이스트 부재에는 실리콘 또는 에폭시 수지이며,
    상기 백색 무기물 필러는 TiO2를 포함하며,
    상기 반사 금속은 Al 및 Ag 중 적어도 하나를 포함하며,
    상기 백색 무기물 필러 및 반사 금속 중 적어도 하나는 0.1~30wt%로 혼합되는 발광 소자 패키지.
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