WO2009125492A1 - 電力分配器 - Google Patents

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WO2009125492A1
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branch
conductor pattern
power divider
line
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Inventor
田原　志浩
健 湯浅
米田　尚史
Original Assignee
三菱電機株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
    • H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port

Definitions

  • the present invention mainly relates to a power distributor that distributes or synthesizes high frequency signals in the microwave band and millimeter wave band.
  • the power distributor is widely used to distribute / synthesize high-frequency signals.
  • a configuration of a power distributor using a planar circuit such as a microstrip line a configuration has been reported in which a strip conductor is branched into two and a stub is provided at the branched portion (for example, see Patent Document 1).
  • an isolation circuit including an isolation resistor and a connection line is provided between two branch lines, and an open-ended stub is further provided at the branch portion, thereby providing an isolation circuit.
  • the parasitic reactance is canceled with a stub, and a power divider with good reflection characteristics seen from the input terminal is realized.
  • the conventional power distributor described in Patent Document 1 has a problem in that the area occupied by the power distributor is increased because the stub is provided in the same plane as the strip conductors constituting the power distributor.
  • the arrangement is such that the branch line and the stub are close to each other, there is a problem that the reflection characteristics deteriorate.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to obtain a smaller-sized power distributor having a good reflection characteristic when a power distributor is configured using a multilayer substrate. .
  • a power distributor includes a dielectric substrate, a strip conductor pattern formed on one surface of the dielectric substrate, and a ground conductor pattern formed on the other surface of the dielectric substrate, A transmission line is formed from the dielectric substrate, the strip conductor pattern, and the ground conductor pattern, and one end of the transmission line is branched to form a plurality of branch lines, and an isolation resistor is provided between the branch lines.
  • a first capacitor forming portion including a first columnar conductor and a first capacitor forming conductor pattern provided in the dielectric substrate is provided at a branch point of the transmission line.
  • the parallel capacitance formed at the branch point, the susceptance of the branch line and the stub formed by the isolation resistance can be achieved by the above-described method, so that it is possible to realize a power distributor having good reflection characteristics.
  • the parallel capacitance is formed by the first columnar conductor and the first capacitance forming conductor pattern at the branch point, unnecessary coupling with the branch line compared to the conventional configuration in which the matching stub is provided at the branch point. Since the characteristic deterioration due to is small, there is an effect that it is easy to realize good characteristics.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ in FIG. 1.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view along B-B ′ in FIG. 1.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ in FIG. 5.
  • FIG. 6 is a B-B ′ sectional view in FIG. 5.
  • FIG. 1 is a perspective view from above showing a configuration of a power distributor according to Embodiment 1 of the present invention.
  • 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 1
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG.
  • the power distributor according to the first embodiment includes a multilayer dielectric substrate 1, strip conductor patterns 2a to 2c provided on the surface of the multilayer dielectric substrate 1, and a multilayer dielectric.
  • a ground conductor pattern 3 provided on the back surface of the substrate 1, and an input line 11 and branch lines 12 a and 12 b as transmission lines from the multilayer dielectric substrate 1, the strip conductor patterns 2 a, 2 b and 2 c and the ground conductor pattern 3.
  • the characteristic impedances of the input line 11 and the branch lines 12a and 12b are all equal.
  • a resistance film 4 is provided as an isolation resistance between the branch lines 12 a and 12 b on the surface layer of the multilayer dielectric substrate 1.
  • the resistance film 4 is connected to the strip conductor patterns 2b and 2c at both ends, and the length from the branch point 13 to the connection point of the resistance film 4 in the branch lines 12a and 12b is propagated through the branch lines 12a and 12b. It is longer than 1/8 times the wavelength and shorter than 1/4 times.
  • a first capacitor forming conductor pattern 5a is provided in the inner layer below the branch point 13 of the multilayer dielectric substrate 1, and the strip conductor patterns 2a, 2b and 2c and the capacitor forming conductor pattern are formed in the multilayer dielectric substrate 1.
  • the capacitor forming conductor via 6a as the first columnar conductor is provided at the branch point 13 so as to connect to the capacitor 5a, and the first capacitor forming portion is formed from the capacitor forming conductor pattern 5a and the capacitor forming conductor via 6a.
  • the ground conductor pattern 3 and the capacitance forming conductor pattern 5a face each other, so that a parallel capacitance is formed at the branch point 13.
  • the high-frequency signal input to the input line 11 is divided into branch lines 12 a and 12 b at the branch point 13 and propagates.
  • both ends of the resistance film 4 have the same potential due to the symmetry of the circuit, no current flows through the resistance film 4 ideally.
  • the resistive film 4 since the size of the resistive film 4 is not negligible with respect to the wavelength in the millimeter wave band, the resistive film 4 operates as an open-ended stub with respect to the branch lines 12a and 12b.
  • impedance matching between the input and output is achieved by using a parallel open capacitance formed by the open-ended stub by the resistive film 4, the branch lines 12a and 12b, and the capacitance forming conductor pattern 5a.
  • Fig. 4 shows an admittance chart as seen from the branch line side in this power distributor.
  • the admittance when the input line side is viewed from the branch line at the branch point 13 is located at the point A 21 in FIG.
  • the admittance moves to the point B 22 along the constant conductance circle by the parallel capacitance due to the capacitance forming conductor pattern 5 a formed at the branch point 13. Therefore, when the reference point is moved along the branch lines 12 a and 12 b to the connection point between the branch line and the resistance film 4, the admittance becomes the C point 23. Further, the point D at the center of the admittance chart is reached by the susceptance of the open end stub by the resistance film 4.
  • impedance matching between the input and output can be realized by the parallel capacitance by the capacitance forming conductor pattern 5a formed at the branch point 13, the susceptance of the branch lines 12a and 12b, and the open-ended stub by the resistance film 4. . Since the phase rotation angle from the point B 22 to the point C 23 is between 90 degrees and 180 degrees, the length from the branch point 13 of the branch lines 12a and 12b to the connection point of the resistive film 4 is It can be seen that it is between 1/8 wavelength and 1/4 wavelength.
  • the parallel capacitor configured at the branch point 13 and the branch line 12a. , 12b and the susceptance of the stub formed by the resistance film 4 as an isolation resistor the impedance matching is achieved, so that there is an effect that it is possible to realize a power distributor having good reflection characteristics.
  • the parallel capacitance is formed by the conductor via 6a and the capacitance forming conductor pattern 5a at the branch point 13, compared to the conventional configuration in which the matching stub is provided at the branch point, the characteristic deterioration due to unnecessary coupling with the branch line is caused. Since it is small, there is an effect that it is easy to realize good characteristics.
  • the length from the branch point 13 of the branch lines 12a and 12b to the connection point of the resistance film 4 as the isolation resistance is between 1/8 wavelength and 1/4 wavelength, the conventional 1/4 wavelength.
  • the characteristic impedance of the branch lines 12a and 12b may not be higher than that of the input line 11, and a high-impedance line is unnecessary and a thin dielectric substrate is used. But it also has the effect of being easy to configure.
  • both the input line 11 and the branch lines 12a and 12b are lines having the same characteristic impedance with the same line width. It is also good. In particular, when the characteristic impedances of the branch lines 12a and 12b are different, the input signal is distributed at a power ratio corresponding to the difference between the characteristic impedances.
  • the shape of the capacitance forming conductor pattern 5a is shown as a circle.
  • the shape is not limited to this, and any shape such as a polygon or an ellipse may be used. Good shape.
  • FIG. FIG. 5 is a perspective view from above showing the configuration of the power distributor according to Embodiment 2 of the present invention.
  • 6 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 5
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG.
  • 5b and 5c are second capacitance forming conductor patterns provided in the inner layers under the strip conductor patterns 2b and 2c of the multilayer dielectric substrate 1
  • 6b and 6c are strip conductors in the multilayer dielectric substrate 1. This is a capacitance forming conductor via as a second columnar conductor provided to connect the patterns 2b and 2c and the capacitance forming conductor patterns 5b and 5c.
  • the capacitance forming conductor vias 6b and 6c provided inside the dielectric substrate 1 and the capacitance are formed at the connection points between the branch lines 12a and 12b and the resistance film 4.
  • a second capacitance forming portion composed of the conductor patterns 5b and 5c is formed, and the ground conductor pattern 3 and the capacitor forming conductor patterns 5b and 5c are opposed to each other to form a parallel capacitor.
  • the resistance film 4 is provided in the inner layer of the multilayer dielectric substrate 1, and both ends thereof are connected to the capacitance forming conductor patterns 5b and 5c, respectively, and the branch lines 12a and 12b are further connected via the capacitance forming conductor vias 6b and 6c. It is connected to the.
  • the high-frequency signal input to the input line 11 is divided into branch lines 12 a and 12 b at the branch point 13 and propagates.
  • both ends of the resistance film 4 have the same potential due to the symmetry of the circuit, no current flows through the resistance film 4 ideally.
  • the resistive film 4 since the size of the resistive film 4 is not negligible with respect to the wavelength in the millimeter wave band, the resistive film 4 operates as an open-ended stub with respect to the branch lines 12a and 12b.
  • the resistance film 4 is connected to the strip conductor patterns 2b and 2c via the capacitance forming conductor patterns 5b and 5c, in addition to the susceptance due to the resistance film operating as a tip open stub.
  • the susceptance due to the parallel capacitance formed between the capacitance forming conductor patterns 5b and 5c and the ground conductor pattern 3 occurs. Therefore, a larger susceptance is obtained at the connection point between the branch lines 12b and 12c and the resistance film 4, and impedance matching can be achieved even when the impedance difference between the input and output is large.
  • the parallel capacitor configured at the branch point 13 and the branch line 12a. , 12b and the susceptor of the stub by the resistance film 4 as the isolation resistance and impedance matching is achieved by the parallel capacitance configured at the connection point between the branch lines 12a and 12b and the resistance film 4 as the isolation resistance.
  • the parallel capacitance is formed not only at the branch point 13 but also at the connection point between the branch lines 12a and 12b and the resistance film 4 as an isolation resistor, impedance matching is possible even when the impedance difference between input and output is large. It is easy to realize.
  • the susceptance value used for impedance matching can be increased by the parallel capacitance formed at the connection point between the branch lines 12a and 12b and the resistance film 4 as the isolation resistance, the branch lines 12a and 12b can be isolated from the branch point 13 in isolation. There is also an effect that the length up to the connection point of the resistance film 4 as the modulation resistance can be shortened.
  • the resistance film 4 is provided in the inner layer of the multilayer dielectric substrate 1, the reliability of the resistance film 4 is improved as compared with the case where it is provided in the surface layer. There is also.

Landscapes

  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

　多層基板を用いて電力分配器を構成する場合に、より小形で反射特性の良好な電力分配器を得る。 　この発明に係る電力分配器は、誘電体基板１と、誘電体基板１の一方の面に形成されたストリップ導体パターン２ａ～２ｃと、誘電体基板１の他方の面に形成された地導体パターン３とを備え、誘電体基板１とストリップ導体パターン２ａ～２ｃと地導体パターン３とから伝送線路を構成し、伝送線路の一端を分岐して複数の分岐線路１２ａ，１２ｂを形成し、分岐線路間にアイソレーション抵抗４を設けた電力分配器において、伝送線路の分岐点１３に、誘電体基板１内部に設けられた第１の柱状導体６ａと第１の容量形成用導体パターン５ａから成る第１の容量形成部を設けた。

Description

電力分配器
　この発明は、主として、マイクロ波帯およびミリ波帯の高周波信号を分配または合成する電力分配器に関するものである。
　電力分配器は、高周波信号を分配／合成するために広く用いられている。マイクロストリップ線路等の平面回路による電力分配器の構成として、ストリップ導体を２本に分岐するとともに、その分岐部にスタブを設ける構成が報告されている（例えば、特許文献１参照）。
　この特許文献１に記載された電力分配器は、２本の分岐線路の間にアイソレーション抵抗と接続線路から成るアイソレーション回路を設け、さらに分岐部に先端開放スタブを設けることにより、アイソレーション回路の寄生リアクタンスをスタブで打ち消し、入力端子からみた反射特性の良好な電力分配器を実現している。
特開平１１－３３０８１３号公報
　しかしながら、特許文献１に記載された従来の電力分配器においては、電力分配器を構成するストリップ導体と同じ平面内にスタブを設けるため、電力分配器の占有面積が大きくなるという問題があった。また、分岐線路とスタブが近接するような配置の場合には反射特性が劣化するという問題もあった。
　この発明は上述のような課題を解決するためになされたもので、多層基板を用いて電力分配器を構成する場合において、より小形で反射特性の良好な電力分配器を得ることを目的とする。
　この発明に係る電力分配器は、誘電体基板と、前記誘電体基板の一方の面に形成されたストリップ導体パターンと、前記誘電体基板の他方の面に形成された地導体パターンとを備え、前記誘電体基板と前記ストリップ導体パターンと前記地導体パターンとから伝送線路を構成し、前記伝送線路の一端を分岐して複数の分岐線路を形成し、前記分岐線路間にアイソレーション抵抗を設けた電力分配器において、前記伝送線路の分岐点に、前記誘電体基板内部に設けられた第１の柱状導体と第１の容量形成用導体パターンから成る第１の容量形成部を設けたことを特徴とする。
　この発明によれば、ミリ波帯などで波長に対してアイソレーション抵抗の大きさが無視できないような場合においても、分岐点に構成した並列容量と分岐線路とアイソレーション抵抗によるスタブが有するサセプタンスとによってインピーダンス整合を図ることができるので、良好な反射特性を有する電力分配器が実現できるという効果がある。また、分岐点において第１の柱状導体と第１の容量形成用導体パターンとにより並列容量を形成するので、分岐点に整合用スタブを設けた従来の構成に比べて、分岐線路との不要結合による特性劣化が小さいため、良好な特性を実現しやすいという効果もある。
この発明の実施の形態１における電力分配器の構成を示す上面からの透視図である。 図１におけるＡ－Ａ’断面図である。 図１におけるＢ－Ｂ’断面図である。 この発明の実施の形態１に係る電力分配器における分岐線路側から見たアドミタンスチャートを示す図である。 この発明の実施の形態２における電力分配器の構成を示す上面からの透視図である。 図５におけるＡ－Ａ’断面図である。 図５におけるＢ－Ｂ’断面図である。
　実施の形態１．
　図１は、この発明の実施の形態１に係る電力分配器の構成を示す上面からの透視図である。また、図２は、図１におけるＡ－Ａ’断面図、図３は図１におけるＢ－Ｂ’断面図である。
　図１ないし図３に示すように、実施の形態１に係る電力分配器は、多層誘電体基板１と、多層誘電体基板１の表面に設けられたストリップ導体パターン２ａ～２ｃと、多層誘電体基板１の裏面に設けられた地導体パターン３とを備え、多層誘電体基板１とストリップ導体パターン２ａ、２ｂ、２ｃと地導体パターン３とから、伝送線路として入力線路１１と分岐線路１２ａ、１２ｂを構成しており、互いに分岐点１３で接続されている。なお、入力線路１１および分岐線路１２ａ、１２ｂの特性インピーダンスはすべて等しくなっている。
　また、多層誘電体基板１の表層の分岐線路１２ａと１２ｂとの間にアイソレーション抵抗として抵抗膜４が設けられている。抵抗膜４は、両端がそれぞれストリップ導体パターン２ｂ、２ｃに接続されており、分岐線路１２ａ、１２ｂにおける分岐点１３から抵抗膜４の接続点までの長さは、分岐線路１２ａ、１２ｂでの伝搬波長の１／８倍より長く１／４倍より短くなっている。
　さらに、多層誘電体基板１の分岐点１３下の内層に、第１の容量形成用導体パターン５ａが設けられ、多層誘電体基板１内にストリップ導体パターン２ａ、２ｂ、２ｃと容量形成用導体パターン５ａとを接続するように、分岐点１３に第１の柱状導体としての容量形成用導体ヴィア６ａが設けられて、容量形成用導体パターン５ａと容量形成用導体ヴィア６ａから第１の容量形成部を形成し、地導体パターン３と容量形成用導体パターン５ａとが対向することで、分岐点１３において並列容量が構成されている。
　次に、本実施の形態１に係る電力分配器の動作について説明する。入力線路１１に入力された高周波信号は、分岐点１３で分岐線路１２ａ、１２ｂに分かれて伝搬する。この動作モードにおいては、回路の対称性から抵抗膜４の両端が同電位となるため、理想的には抵抗膜４に電流は流れない。しかし、ミリ波帯においては抵抗膜４の大きさが波長に対して無視できない大きさとなるため、分岐線路１２ａ、１２ｂに対して抵抗膜４が先端開放スタブとして動作する。そこで、本電力分配器では、抵抗膜４による先端開放スタブと、分岐線路１２ａ、１２ｂと、容量形成用導体パターン５ａによる並列容量を用いて入出力間のインピーダンス整合を図っている。
　図４に、本電力分配器における分岐線路側から見たアドミタンスチャートを示す。分岐点１３における分岐線路から入力線路側を見たアドミタンスは、図４におけるＡ点２１に位置する。分岐点１３に構成された容量形成用導体パターン５ａによる並列容量によってアドミタンスは定コンダクタンス円に沿ってＢ点２２まで移動する。そこで、分岐線路１２ａ、１２ｂに沿って基準点を分岐線路と抵抗膜４との接続点にまで移動させると、アドミタンスはＣ点２３となる。さらに、抵抗膜４による先端開放スタブのサセプタンスによりアドミタンスチャート中心のＤ点２４に到達する。
　すなわち、分岐点１３に構成された容量形成用導体パターン５ａによる並列容量と、分岐線路１２ａ、１２ｂと、抵抗膜４による先端開放スタブが有するサセプタンスによって、入出力間のインピーダンス整合を実現できることがわかる。なお、Ｂ点２２からＣ点２３までの位相の回転角度が９０度から１８０度の間であることから、分岐線路１２ａ、１２ｂの分岐点１３から抵抗膜４の接続点までの長さは、１／８波長から１／４波長の間であることがわかる。
　一方、分岐線路１２ａもしくは１２ｂに入力された高周波信号は、抵抗膜４によって吸収されるため、分岐線路間のアイソレーションが確保される。
　以上のように、本実施の形態１によれば、ミリ波帯などで波長に対してアイソレーション抵抗の大きさが無視できないような場合においても、分岐点１３に構成した並列容量と分岐線路１２ａ，１２ｂとアイソレーション抵抗としての抵抗膜４によるスタブが有するサセプタンスによってインピーダンス整合を図ったので、良好な反射特性を有する電力分配器が実現できるという効果がある。また、分岐点１３において導体ヴィア６ａと容量形成用導体パターン５ａにより並列容量を形成したので、従来の分岐点に整合用スタブを設けた構成に比べて、分岐線路との不要結合による特性劣化が小さいため、良好な特性を実現しやすいという効果もある。
　また、分岐線路１２ａ，１２ｂの分岐点１３からアイソレーション抵抗としての抵抗膜４の接続点までの長さが、１／８波長から１／４波長の間となるため、従来の１／４波長インピーダンス変成器を用いた電力分配器に比べて小形な電力分配器が得られるという効果もある。さらに、抵抗膜４と並列容量でインピーダンス整合を実現するので、分岐線路１２ａ，１２ｂの特性インピーダンスが入力線路１１より高くなくてもよく、高インピーダンスな線路が不要で薄い誘電体基板を用いた場合でも構成しやすいという効果もある。
　なお、本実施の形態１における図１～図３に示した例では、入力線路１１、分岐線路１２ａ，１２ｂともに同じ線路幅の同じ特性インピーダンスを持つ線路としたが、それぞれ異なる特性インピーダンスを持つ線路としても良い。特に、分岐線路１２ａ、１２ｂの特性インピーダンスが異なる場合には、その特性インピーダンスの差に応じた電力比で入力信号が分配される。
　また、本実施の形態１における図１～図３に示した例では、容量形成用導体パターン５ａの形状を円形として示しているが、これに限るものではなく、多角形や楕円形など任意の形状で良い。
　実施の形態２．
　図５は、この発明の実施の形態２に係る電力分配器の構成を示す上面からの透視図である。また、図６は、図５におけるＡ－Ａ’断面図、図７は図５におけるＢ－Ｂ’断面図である。
　図５～図７において、図１～図３に示す実施の形態１と同一部分は同一符号をしてその説明は省略する。新たな符号として、５ｂ、５ｃは多層誘電体基板１のストリップ導体パターン２ｂ、２ｃ下の内層に設けられた第２の容量形成用導体パターン、６ｂ、６ｃは多層誘電体基板１内にストリップ導体パターン２ｂ、２ｃと容量形成用導体パターン５ｂ、５ｃを接続するように設けられた第２の柱状導体としての容量形成用導体ヴィアである。
　すなわち、図５～図７に示す実施の形態２では、分岐線路１２ａ，１２ｂと抵抗膜４との接続点に、誘電体基板１内部に設けられた容量形成用導体ヴィア６ｂ，６ｃと容量形成用導体パターン５ｂ，５ｃから成る第２の容量形成部を形成し、地導体パターン３と容量形成用導体パターン５ｂ、５ｃが対向することでそれぞれ並列容量が構成されている。抵抗膜４は、多層誘電体基板１の内層に設けられ、両端がそれぞれ容量形成用導体パターン５ｂ、５ｃに接続されており、さらに容量形成用導体ヴィア６ｂ、６ｃを介して分岐線路１２ａ、１２ｂに接続されている。
　次に、本実施の形態２に係る電力分配器の動作について説明する。入力線路１１に入力された高周波信号は、分岐点１３で分岐線路１２ａ、１２ｂに分かれて伝搬する。この動作モードにおいては、回路の対称性から抵抗膜４の両端が同電位となるため、理想的には抵抗膜４に電流は流れない。しかし、ミリ波帯においては抵抗膜４の大きさが波長に対して無視できない大きさとなるため、分岐線路１２ａ、１２ｂに対して抵抗膜４が先端開放スタブとして動作する。
　さらに、図５においては、抵抗膜４が容量形成用導体パターン５ｂ、５ｃを介してストリップ導体パターン２ｂ、２ｃに接続されているため、抵抗膜が先端開放スタブとして動作することによるサセプタンスに加えて、容量形成用導体パターン５ｂ、５ｃと地導体パターン３との間に形成される並列容量によるサセプタンスが生じる。したがって、分岐線路１２ｂ、１２ｃと抵抗膜４の接続点においてより大きなサセプタンスが得られることとなり、入出力間のインピーダンスの差が大きいような場合でもインピーダンス整合を図ることができる。
　以上のように、本実施の形態２によれば、ミリ波帯などで波長に対してアイソレーション抵抗の大きさが無視できないような場合においても、分岐点１３に構成した並列容量と分岐線路１２ａ，１２ｂとアイソレーション抵抗としての抵抗膜４によるスタブが有するサセプタンスおよび分岐線路１２ａ，１２ｂとアイソレーション抵抗としての抵抗膜４との接続点に構成した並列容量によってインピーダンス整合を図ったので、良好な反射特性を有する電力分配器が実現できるという効果がある。また、分岐点１３だけでなく分岐線路１２ａ，１２ｂとアイソレーション抵抗としての抵抗膜４との接続点にも並列容量を構成したので、入出力間のインピーダンスの差が大きいような場合でもインピーダンス整合を実現しやすいという効果がある。
　また、分岐線路１２ａ，１２ｂとアイソレーション抵抗としての抵抗膜４との接続点に構成した並列容量によってインピーダンス整合に利用するサセプタンスの値が大きくできるため、分岐線路１２ａ，１２ｂにおいて分岐点１３からアイソレーション抵抗としての抵抗膜４の接続点までの長さを短くできるという効果もある。
　さらに、本実施の形態２では、図７に示すように、抵抗膜４を多層誘電体基板１の内層に設けたため、表層に設けた場合に比べて抵抗膜４の信頼性が向上するという効果もある。

Claims (5)

  1. 　誘電体基板と、前記誘電体基板の一方の面に形成されたストリップ導体パターンと、前記誘電体基板の他方の面に形成された地導体パターンとを備え、前記誘電体基板と前記ストリップ導体パターンと前記地導体パターンとから伝送線路を構成し、前記伝送線路の一端を分岐して複数の分岐線路を形成し、前記分岐線路間にアイソレーション抵抗を設けた電力分配器において、
    　前記伝送線路の分岐点に、前記誘電体基板内部に設けられた第１の柱状導体と第１の容量形成用導体パターンから成る第１の容量形成部を設けた
    　ことを特徴とする電力分配器。
  2. 　請求項１に記載の電力分配器において、
    　前記分岐線路と前記アイソレーション抵抗との接続点に、前記誘電体基板内部に設けられた第２の柱状導体と第２の容量形成用導体パターンから成る第２の容量形成部を設けた
    　ことを特徴とする電力分配器。
  3. 　請求項２に記載の電力分配器において、
    　前記アイソレーション抵抗は、前記誘電体基板の内部に設けられ、その両端が前記第２の柱状導体と前記第２の容量形成用導体パターンを介して前記分岐線路にそれぞれ接続された
    　ことを特徴とする電力分配器。
  4. 　請求項１から３までのいずれか１項に記載の電力分配器において、
    　前記アイソレーション抵抗は、抵抗膜で形成された
    　ことを特徴とする電力分配器。
  5. 　請求項１から４までのいずれか１項に記載の電力分配器において、
    　前記伝送線路は、入力線路と、前記分岐点で前記入力線路から分岐された複数の分岐線路とでなり、前記入力線路と前記分岐線路との特性インピーダンスが等しい
    　ことを特徴とする電力分配器。
PCT/JP2008/057177 2008-04-11 2008-04-11 電力分配器 WO2009125492A1 (ja)

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