WO2006001291A1

WO2006001291A1 - 投影光学系、露光装置および露光方法

Info

Publication number: WO2006001291A1
Application number: PCT/JP2005/011411
Authority: WO
Inventors: Hideki Komatsuda; Tomowaki Takahashi; Masayuki Suzuki
Original assignee: Nikon Corporation; Canon Kabushiki Kaisha
Priority date: 2004-06-23
Filing date: 2005-06-22
Publication date: 2006-01-05
Also published as: TW200604566A; JP4711437B2; EP1768172B1; CN1954406B; EP1768172A1; HK1105146A1; JPWO2006001291A1; CN1954406A; KR20070043979A; TWI372262B; KR100918335B1; EP1768172A4; DE602005019302D1; ATE457522T1

Abstract

　視野領域および結像領域が光軸から離れて位置する反射光学系であって、像面上の各点に達する光束の開口数が像高や方向に依らずほぼ均一な投影光学系。投影光学系の開口数を規定するための開口絞り（ＡＳ）を備え、開口絞りは、所定領域内の各点に達する光束の開口数を所定領域の全体に亘って方向に依らずほぼ均一にするための所要形状の開口部を有する。開口部の所要形状は、開口絞りと像面（Ｗ）との間に配置された部分光学系（Ｍ２～Ｍ６）が所望の射影関係を満足していないことが所定領域内の各点に達する光束の開口数の不均一性に及ぼす影響を補償するように規定されている。

Description

明細書

投影光学系、露光装置および露光方法

技術分野

[0001] 本発明は、投影光学系、露光装置および露光方法に関する。さらに詳細には、本発明は、 EUV光を用いて半導体素子などのデバイスをフォトリソグラフイエ程で製造するのに使用される露光装置に好適な投影光学系に関するものである。

背景技術

[0002] 従来、半導体素子などの製造に使用される露光装置では、マスク（レチクル)上に形成された回路パターンを、投影光学系を介して感光性基板 (たとえばウェハ）上に投影転写する。感光性基板にはレジストが塗布されており、投影光学系を介した投影露光によりレジストが感光し、マスクパターンに対応したレジストパターンが得られる。

[0003] ここで、露光装置の解像力 Wは、露光光の波長 λと投影光学系の開口数 ΝΑとに依存し、次の式 (a)で表される。

W=k' λ ΖΝΑ (k:定数）（a)

[0004] したがって、露光装置の解像力を向上させるためには、露光光の波長 λを短くするとともに、投影光学系の開口数 ΝΑを大きくすることが必要になる。一般に、投影光学系の開口数 ΝΑを所定値以上に大きくすることは光学設計の観点から困難であるため、露光光の短波長化が必要になる。

[0005] そこで、半導体パターニングの次世代の露光方法（露光装置）として、 EUVL (Extr eme UltraViolet Lithography:極紫外リソグラフィ）の手法が注目されている。 EUVL 露光装置では、波長が 248nmの KrFエキシマレーザ光や波長が 193nmの ArFェキシマレーザ光を用いる従来の露光方法と比較して、 5〜20nm程度の波長を有する EUV (Extreme UltraViolet：極紫外線）光を用いる。

[0006] 露光光として EUV光を用いる場合、使用可能な光透過性の光学材料が存在しなくなる。このため、 EUVL露光装置では、必然的に、反射型のマスクを用いるとともに、反射型の投影光学系を用いることになる。

発明の開示発明が解決しょうとする課題

[0007] 一般に、 EUVL露光装置に用いられる反射型の投影光学系では、物体面上の視野領域および像面上の結像領域が光軸上にない。これは、反射面が通過する光束を遮ることがないように光路分離を行うからである。これに対し、シュヴァルッシルト光学系では、視野領域および結像領域を光軸上に位置させるために、ミラーの中央に設けられた開口部を介して光を通過させて、る。

[0008] この場合、光学系の開口が輪帯状になり、ある特定の空間周波数に限って解像力が低下する特性になるため、リソグラフィには適しない。一般に、 EUVL露光装置に用いられる投影光学系では、後述するように、像面上の各点に達する光束の開口数が方向により異なる。像面上の各点に達する光束の開口数が方向により異なるということは、解像力に方向に起因するムラがあるということであり、投影光学系を介して感光性基板上に形成されるパターンの形状にばらつきが生じることになる。

[0009] 本発明は、視野領域および結像領域が光軸から離れて位置する反射光学系であつて、像面上の各点に達する光束の開口数が方向に依らずほぼ均一な投影光学系を提供することを目的とする。

[0010] また、本発明は、像面上の各点に達する光束の開口数が方向に依らずほぼ均一な反射型の投影光学系を用い、たとえば露光光として EUV光を用いて、マスクパターンを感光性基板上に大きな解像力で且つ忠実に形成することのできる露光装置および露光方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0011] 前記目的を達成するために、本発明の第 1形態では、第 1面の像を第 2面上において光軸から離れた所定領域に形成する反射型の投影光学系におヽて、

前記投影光学系の開口数を規定するための開口絞りを備え、

前記開口絞りは、直交する 2方向に関する寸法が互いに異なる開口部を有することを特徴とする投影光学系を提供する。

[0012] 本発明の第 2形態では、第 1面の像を第 2面上において光軸力も離れた所定領域に形成する反射型の投影光学系にお、て、

前記投影光学系の開口数を規定するための開口絞りを備え、前記開口絞りは、開口形状の異なる別の開口絞りと交換可能に構成されていることを特徴とする投影光学系を提供する。

[0013] 本発明の第 3形態では、前記第 1面に設定されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクに形成されたパターンの像を前記第 2面に設定された感光性基板上に形成するための第 1形態または第 2形態の投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置を提供する。

[0014] 本発明の第 4形態では、前記第 1面に設定されたマスクを照明する照明工程と、第 1形態または第 2形態の投影光学系を介して前記マスクに形成されたパターンの像を前記第 2面に設定された感光性基板上に投影露光する露光工程とを含むことを特徴とする露光方法を提供する。

[0015] 本発明の第 5形態では、第 1面に設定されるマスクを照明するための照明光学系と、前記マスクに形成されたパターンの像を第 2面に設定される感光性基板上において光軸から離れた円弧領域に形成するための反射型の投影光学系と、前記マスクと前記感光性基板とを相対的に走査移動可能に保持するステージとを有する投影露光装置において、

前記円弧領域は前記走査移動方向の幅が前記走査移動方向に対して垂直な方向の幅に対して相対的に狭ぐ

前記投影光学系は開口数を規定するための開口絞りを備え、該開口絞りの開口形状は前記走査移動方向に対応する方向の直径が該走査移動方向に垂直な方向に対応する方向の直径よりも大きい形状であることを特徴とする投影露光装置を提供する。

発明の効果

[0016] 本発明にかかる反射型の投影光学系では、開口絞りの開口部を円形形状以外の所要の形状 (例えば楕円形状）に設定しているので、像面上の各点に達する光束の開口数の方向による不均一性を小さく抑えられる。

[0017] すなわち、本発明では、視野領域および結像領域が光軸から離れて位置する反射光学系であって、像面上の各点に達する光束の開口数が方向に依らずほぼ均一な投影光学系を実現することができる。したがって、本発明の露光装置では、像面上の各点に達する光束の開口数が方向に依らずほぼ均一な反射型の投影光学系を用、、たとえば露光光として EUV光を用いて、マスクパターンを感光性基板上に大きな解像力で且つ忠実に形成することができる。

図面の簡単な説明

[0018] [図 1]光軸上の開口数および光軸外の開口数の定義をそれぞれ説明する図である。

[図 2]部分光学系が満足すべき広義の正弦条件および射影関係について説明する図である。

[図 3]本発明の実施形態に力かる露光装置の構成を概略的に示す図である。

[図 4]図 3の露光装置においてウェハ上に形成される円弧状の静止露光領域と光軸との位置関係を概略的に示す図である。

[図 5]走査露光によりウェハ上に 1つのショット領域が形成される様子を概略的に示す図である。

[図 6]本実施形態にかかる投影光学系の構成を概略的に示す図である。

[図 7]従来技術にしたがって開口部を円形形状にしたときの結像領域の各点における開口の歪み方向および歪み方を模式的に示す図である。

[図 8]本発明にしたがって開口部を楕円形状にしたときの結像領域の各点における開口の歪み方向および歪み方を模式的に示す図である。

[図 9]メリディォナル方向に長径を有する楕円形状の開口部を有する開口絞りを概略的に示す図である。

[図 10]開口の歪みが結像に与える影響についてのシミュレーション結果を示す図である。

[図 11]開口絞りの開口部が具体的に満たすことが好ましい条件を説明する図である。

[図 12]マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例について、そのフローチャートを示す図である。

発明を実施するための最良の形態

[0019] 以下、本発明の実施形態の説明に先立って、従来技術の不都合について具体的に説明する。視野領域および結像領域が光軸から離れて位置する反射型の投影光学系では、本来の意味での光軸上の開口数 NAは定義できない。そこで、光軸外の開口数 NAを、図 1に示すように定義する。

[0020] 図 1を参照すると、光軸上の開口数 NAoは、像面 IPに達する最外縁の光線（開口部の縁を通過して像面 IPに達する光線）が光軸 AXとなす角度、すなわち入射角度 Θを用いて次の式（1)により表される。一方、光軸外の開口数 NAを、像面 IPに達する最外縁の光線の入射角度 0 および 0 を用いて次の式（2)により定義する。

1 2

NAo = sin 0 (1)

NA= (sin 0 -sin 0 ) /2 (2)

1 2

[0021] 上述した光軸外の開口数 NAの定義は、光軸外の正弦条件より必然的に導かれる。光軸外の正弦条件については、例えば、鶴田匡夫著、「第 4光の鉛筆」、新技術コミュ-ケーシヨンズ、 p. 433などを参照することができる。一般に、投影光学系において、光軸外の開口数 NAは、光軸上の NAoと異なる。し力も、開口部が円形形状であるため、光軸外の開口数 NAは、メリディォナル方向とサジタル方向とで異なる。この現象は、様々な要因に起因して発生する。

[0022] 先ず、光軸上の NAoが光軸外の開口数 NAと同一になる条件について考える。少なくとも光学系が下記の 3つの条件を満足する場合、像面上の各点に達する光束の開口数 NAは像位置に依らず、方向に依らず、均一になる。

(1) 光学系がほぼ無収差であること。

[0023] (2) 開口絞りと像面との間に配置された部分光学系において、広義の正弦条件が成り立つこと。すなわち、図 2に示すように、像面 IP上の任意の像点に到達する光線が像面 IPの法線となす X方向の角度 (X方向入射角度）を αとし、 y方向の角度 (y方向入射角度）を j8とするとき、その光線が開口絞り ASを通過する際の光線の光軸 A Xからの X方向高さ ξ、および y方向高さ ζは、 ξ =Asin a +Β、および ζ =Asin j8 + Cでそれぞれ表されること。ここで、 A、 Bおよび Cは、像点毎に決まる定数である。

[0024] (3) 開口絞りと像面との間に配置された部分光学系において、 h=Fsin Θで示す射影関係を満足すること。すなわち、図 2に示すように、開口絞り ASを通過するときに主光線が光軸 AXとなす角度を Θとし、その主光線の像面 IPでの光軸 AXからの高さを hとし、上記部分光学系 GRの焦点距離を Fとするとき、 h=Fsin Θで示す射影関係が成り立つこと。 [0025] 露光装置に搭載される投影光学系において、光学系がほぼ無収差であるという第 1条件は問題なく満足される。しかしながら、第 1条件以外の条件、特に部分光学系 GRが所望の射影関係を満たすという第 3条件については、大きな誤差が発生しがちである。以下、部分光学系 GRが広義の正弦条件を満たすという第 2条件と第 1条件とを満足するが、第 3条件を満足しない場合、すなわち部分光学系 GRの射影関係が Θを変数とする関数 g ( Θ )を用いて h=F'g ( Θ )で表される場合について考察する。

[0026] このとき、光軸外の開口数 NA、すなわち像面上の光軸以外の各点に達する光束のメリディォナル方向の開口数 NAmおよびサジタル方向の開口数 NAsは、光軸上の開口数 NAoを用いて、次の式（3)および (4)でそれぞれ表される。

NAm=NAo -cos Θ / (dg ( θ ) /ά θ ) (3)

[0027] 式（3)および（4)を参照すると、 g ( 0 ) =sin Θであれば、 NAm=NAs=NAoとなり、像面上の各点に達する光束の開口数 NAが像高および方向に依らず均一になることは明らかである。一般には、 g ( 0 )≠sin Θであるため、像面上の各点に達する光束の開口数 ΝΑは均一にならない。ここで、射影関係が g( θ ) = 8ίη θから外れる場合、具体的にどのように外れるかを考えてみる。

[0028] 実際に露光装置に搭載される投影光学系においても収差の主成分は 3次収差であることから、 3次収差成分のみに着目すると、関数 g( 6 )を次の式 (5)で表すことができる。ここで、 δは、光学系が持つ射影関係の Fsin Θからの外れ量を表す定数である。

g( 0 )^sin 0 + δ -sin³ 0 (5)

[0029] 式（5)で表される関数 g( Θ )を上述の式（3)および (4)に代入すると、メリディォナル方向の開口数 NAmおよびサジタル方向の開口数 NAsは、次の式（6)および（7)でそれぞれ表される。

NAm=NAo/ (l + 3 δ -sin² 0 ) (6)

NAs=NAo/ (l + δ -sin θ ) (7)

[0030] 式 (6)および（7)を参照すると、像面上の各点に達する光束の開口数 ΝΑは像高により（ 0に依存して）異なり、光軸上の開口数 NAo力の誤差量はサジタル方向を 1とするとメリディォナル方向は 3になることがわかる。このように、一般に投影光学系において像面上の各点に達する光束の開口数 NAは像高により異なり、また方向により異なる。一方、前述したように、投影光学系の解像力は、 λ ΖΝΑ ( λは使用光の波長）に比例する。

[0031] したがって、光束の開口数 ΝΑが像高により異なるとともに方向により異なるということは、投影光学系の解像力に方向に起因するムラがあるということになる。投影光学系の解像力に方向に起因するムラがあると、半導体回路の焼付けに際して形成される微細パターンの形状が方向によって変動する。その結果、最終的に製造されるコンデンサやトランジスタが電気回路設計者の意図する所要の電気的特性 (コンダクタンス、インピーダンスなど)を持たなくなり、最悪の場合には集積回路が不良品になってしまう。

[0032] 以上の問題に対処するのに光学的に最も望ましい方法は、前述した第 1条件〜第 3条件をすベて満足する光学系を設計することである。しかしながら、第 1条件〜第 3 条件をすベて満足する光学系を設計することは理論的には可能であるが、そのために要求されるミラー構造の複雑さ、ミラー枚数の増カロ、組み立て精度の著しい高度化は、ひいては製品価格の高騰を招くことになり、実際には現実的ではない。特に、 Ε UVL露光装置においては、反射ミラーの枚数増加は、ミラーの反射率があまり高くないことから、露光光量の低下を招くことになり、ひいては製品の価値も低下させてしまうことになる。

[0033] 本願の発明者は、投影光学系の開口数を規定する開口絞りの開口部の形状を通常の円形状ではなく所要形状 (例えば楕円形状）に設定することにより、像面上の各点に達する光束の開口数 ΝΑを方向に依らずほぼ均一にするという技術的思想を得た。以下、本発明の実施形態を参照して、本発明の技術的思想の具体的な内容について説明する。

[0034] 本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図 3は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。また、図 4は、図 3の露光装置においてウェハ上に形成される円弧状の静止露光領域 (すなわち実効露光領域)と光軸との位置関係を示す図である。図 3において、感光性基板であるウェハ Wの法線方向に沿って Z軸を、ウェハ Wの面内において図 3の紙面に平行な方向に Y軸を、ゥェハ Wの面内にお!ヽて図 3の紙面に垂直な方向に X軸をそれぞれ設定して!/、る。

[0035] 図 3を参照すると、本実施形態の露光装置は、露光光を供給するための光源として、たとえばレーザプラズマ光源 1を備えている。光源 1から射出された光は、波長選択フィルタ 2を介して、照明光学系 3に入射する。ここで、波長選択フィルタ 2は、光源 1 が供給する光から、所定波長 (たとえば 13. 5nm)の EUV光 (X線)だけを選択的に透過させ、他の波長光の透過を遮る特性を有する。

[0036] 波長選択フィルタ 2を透過した EUV光は、複数の反射鏡力構成された照明光学系 3を介して、転写すべきパターンが形成された反射型のマスク Mを照明する。マスク Mは、そのパターン面が XY平面に沿って延びるように、 Y方向に沿って移動可能なマスクステージ MSによって保持されている。そして、マスクステージ MSの移動は、図示を省略したレーザー干渉計により計測されるように構成されている。こうして、マスク M上には、 Y軸に関して対称な円弧状の照明領域 (視野領域)が形成される。

[0037] 照明されたマスク Mのパターンからの光は、反射型の投影光学系 PLを介して、感光性基板であるウエノ、 W上にマスクパターンの像を形成する。すなわち、ウェハ W上には、図 4に示すように、 Y軸に関して対称な円弧状の静止露光領域 (実効露光領域：結像領域) ERが形成される。図 4を参照すると、光軸 AXを中心とした半径 φを有する円形状の領域 (イメージサークル) IF内にぉ、て、このイメージサークル IFに接するように X方向の長さが LXで Y方向の長さが LYの円弧状の静止露光領域 ERが設けられている。

[0038] ゥハ Wは、その露光面が XY平面に沿って延びるように、 X方向および Y方向に沿つて二次元的に移動可能なウェハステージ WSによって保持されている。なお、ゥェハステージ WSの移動は、マスクステージ MSと同様に、図示を省略したレーザー干渉計により計測されるように構成されている。こうして、マスクステージ MSおよびゥェハステージ WSを Y方向に沿って移動させながら、すなわち投影光学系 PLに対してマスク Mおよびウェハ Wを Y方向に沿って相対移動させながらスキャン露光（走査露光）を行うことにより、ウェハ W上の 1つのショット領域（露光領域）にマスク Mのパターンが転写される。 [0039] 図 5に示すように、 1つのショット領域 SRの X方向の長さは静止露光領域 ERの X方向の長さ LXに一致し、その Y方向の長さはウェハ Wの移動距離に依存した長さ LYo になる。なお、投影光学系 PLの投影倍率 (転写倍率）が 1Z4である場合、ウェハステージ WSの移動速度をマスクステージ MSの移動速度の 1Z4に設定して同期走査を行う。そして、ウェハステージ WSの X方向に沿ったステップ移動と Y方向に沿った走查移動を繰り返すことにより、ウェハ Wの各ショット領域にマスク Mのパターンが逐次転写される。

[0040] 図 6は、本実施形態に力かる投影光学系の構成を概略的に示す図である。図 6を参照すると、本実施形態の投影光学系 PLは、マスク Mのパターンの中間像を形成するための第 1反射結像光学系 G1と、マスクパターンの中間像の像 (マスク Mのパターンの二次像)をウェハ W上に形成するための第 2反射結像光学系 G2とにより構成されている。

[0041] 第 1反射結像光学系 G1は 4つの反射鏡 M1〜M4により構成され、第 2反射結像光学系 G2は 2つの反射鏡 M5および M6により構成されている。また、投影光学系 PL は、ウェハ側 (像側）にテレセントリックな光学系である。さらに、すべての反射鏡 Ml 〜M6の反射面が光軸に関して回転対称な非球面状に形成され、第 1反射鏡 Mlから第 2反射鏡 M2へ至る光路中には開口絞り ASが配置されて、る。

[0042] なお、非球面は、光軸に垂直な方向の高さを yとし、非球面の頂点における接平面力も高さ yにおける非球面上の位置までの光軸に沿った距離 (サグ量)を zとし、頂点曲率半径を rとし、円錐係数を κとし、 n次の非球面係数を C としたとき、以下の式 (b )で表される。

z = (yVr) Z[l + { 1—（l + κ ) · yVr } ^{1 2}]

+ C -y⁴+C -y⁶ + C -y⁸ + C -y¹⁰+ · · · (b)

4 6 8 10

[0043] 本実施形態の投影光学系 PLでは、マスク M (図 6では不図示)からの光は、第 1凹面反射鏡 Mlの反射面、第 2凹面反射鏡 M2の反射面、第 3凸面反射鏡 M3の反射面、および第 4凹面反射鏡 M4の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第 1反射結像光学系 G1を介して形成されたマスクパターン中間像からの光は、第 5凸面反射鏡 M5の反射面および第 6凹面反射鏡 M6の反射面で順次反射された後、ウェハ w上にマスクパターンの縮小像（二次像)を形成する。

[0044] 次の表（1)に、本実施形態に力かる投影光学系 PLの諸元の値を掲げる。表（1)において、 λは露光光 (EUV光）の波長を、 j8は投影倍率を、 ΝΑは像側（ウェハ側）開口数を、 HOはマスク M上における最大物体高を、 φはウェハ W上でのイメージサ一クル IFの半径 (最大像高）を、 LXは静止露光領域 ERの X方向に沿った寸法を、 L Yは静止露光領域 ERの Y方向に沿った寸法をそれぞれ表して、る。

[0045] また、面番号は物体面であるマスク面力像面であるウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側力の反射面の順序を、 rは各反射面の頂点曲率半径 (mm) を、 dは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔 (mm)をそれぞれ示している。なお、面間隔 dは、反射される度にその符号を変えるものとする。そして、光線の入射方向にかかわらずマスク側に向力つて凸面の曲率半径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。

[0046] 表（1)

(主要諸元）

λ = 13. 5nm

β = 1/4

NA=0. 26

HO = 124mm

φ = 31mm

LX= 26mm

LY= 2mm

(光学部材諸元）

面番号 r d

(マスク面） 652.352419

1 -790.73406 -209.979693 (第 1反射鏡 Ml)

2 oo -141.211064 (開口絞り AS)

3 3000.00000 262.342040 (第 2反射鏡 M2)

4 478.68563 -262.292922 (第 3反射鏡 M3) /〇.000000 =

C〇.7922 I 1〇X = 。gl

C

〇 C〇.38〇 610 o〇.21737lX x = =1 -∞—l

K〇. 000000 =

S

l〇 c〇.1〇 3 x =- -

C =-0. 380907X10 C =—0. 334201X10

4 6

C =0. 113527X10— ¹⁹ C =—0. 535935X10—

-29 _c

c = =— 0.416047X10 =0.881874X10— ³⁴

12 14

-39 _c

c = =— 0. 583757X10 =— 0. 780811X10

16 18

c = =0. 176571X10-⁴⁹

20

6面

K = 0.000000

C = — 0. 190330X10—⁸ C = 0. 134021 X10"¹¹

4 6

c = — 0.471080X10" ¹⁶ c = =— 0.968673X10— ^:

8 10

c = =0.284390 X10"²² C = — 0.

12 14 265057 X10"²⁵

c = =0.131472X10， C = — 0.341329 X10"³²

16 18

c 二 =0. 365714 X10"³⁶

20

7面

κ = 0.000000

C = 0.668635X10— ^1Q C =0 . 359674X10— ¹⁵

4 6

C = 0.468613X10 - - 0.440976 X10"²⁴

8 ， c =

10

C = =0.431536X10— ²⁸ C = — 0.257984 X10"³²

12 14

C = =0. 938415 X10"³⁷ c = — 0. 190247X10— "

16 18

c = =0. 165315 X10"⁴⁶

20

[0047] 本実施形態の投影光学系 PLでは、波長が 13. 5nmの EUV光に対して諸収差が良好に補正された結像領域として、 26mm(=LX) X2mm(=LY)の円弧状の静止露光領域がウェハ W上に確保される。したがって、ウェハ Wにおいて、たとえば 26m m( = LX) X33mm( = LYo)の大きさを有する各ショット領域に、マスク Mのパターンが走査露光により転写される。

[0048] すなわち、本実施形態の投影光学系 PLでは、図 4に示すように、有効な結像領域（静止露光領域) ERが 26mm X 2mmの円弧状の領域に限定され、ひいては有効な像高が 29mn！〜 3 lmm (有効な物体高が 116mn！〜 124mm)の相対的に狭 V、範囲に限定されている。これは、前述したように、本実施形態のような反射型の投影光学系 PLでは、反射面が通過する光束を遮ることがな!、ように光路分離を行わなければならないからである。

[0049] 本実施形態の投影光学系 PLでは、図 4に示すように有効な結像領域 (静止露光領域） ERが 26mm X 2mmの部分円弧状の領域に限定され、イメージフィールド IFの円周全体に対してかなり短い一部の円弧状の領域に過ぎない。したがって、開口絞り ASの開口部を円形形状にすると、図 7に示すように、メリディォナル方向の開口数 NAmとサジタル方向の開口数 NAsとの異なり方、すなわち開口の歪み方向および歪み方が、結像領域の全体に亘つてほぼ同一になる。図 7では、開口部を円形形状にしたときの開口の歪み度合いを楕円で表している。

[0050] 具体的に、本実施形態の投影光学系 PLにおいて、従来技術にしたがって開口絞り ASの開口部を直径が 68. 348mmの円形形状に設定すると、結像領域の各像高の点におけるメリディォナル方向の開口数 NAmおよびサジタル方向の開口数 NAs は、以下の表（2)に示す通りである。

[0051] 表（2)

像高 29mmの点での NAm: 0. 250765182507

像高 29mmの点での NAs : 0. 258042961396

像高 3 lmmの点での NAm: 0. 249217797699

像高 3 lmmの点での NAs : 0. 257476183744

[0052] そこで、本実施形態では、開口絞り ASの開口部を円形形状以外の所要の形状、たとえば楕円形状にすることにより、図 8に示すように、開口の歪みを結像領域の全体に亘つて良好に抑え、メリディォナル方向の開口数 NAmとサジタル方向の開口数 N Asとが結像領域の全体に亘つてほぼ均一になるように構成している。図 8では、開口部を楕円形状にしたときの開口の歪み度合いを太線の楕円で表している。また、図 8 における破線の楕円は、開口部を円形形状にしたときの開口の歪み度合いを表す図 7の楕円に対応している。具体的に図 8を参照すると、円弧の左右の端では XY方向とメリディォナル ·サジタル方向とが異なるので、厳密には NAが円にならずほぼ楕円形状になる。このように、中央ではほぼ均一な円形の NAになる力円弧の左右の端では厳密には不均一な非円形の NAになる。しかしながら、完全な円にならないとしても、メリディォナル方向とサジタル方向との NAの差（あるいは X方向と Y方向との N Aの差)を小さくすることができると!/、う効果が得られる。

[0053] 図 9は、楕円形状の開口絞りの開口部を示す一例である。同図において、開口絞り ASの開口部 10の Y方向の直径は a、 X方向の直径は bである。図 9で aの方がよりも大きいのは、 EUV露光装置は上述したように露光光量の低下を防ぐために、ミラー枚数を極力少なくする必要があり、この為、一般的には射影関係が h>Fsin Θとなる為、図 9に示すようにサジタル方向の開口数を相対的に小さくする形状とする事が好ましいからである。し力し、射影関係が hく Fsin Θとなる場合等は、図 9の aの値を bの値よりも小さくすることが好ましい。また、場合によっては、正弦条件等他の光学特性も考慮して開口絞りの形状を決めることが好ましい。

[0054] 露光に使用される有効な光線の像高が相対的に狭い範囲に限定すると、前述の式

(6)および (7)において所望の射影関係力の外れ量 δがある程度大きくても、像面上の各点に達する光束の開口数 ΝΑの像高による不均一性は無視し得ることがわかる。したがって、本実施の形態のように、露光に使用される有効な光線の像高を 29m m〜3 lmmと相対的に狭、範囲に限定すると像高による開口数 NAの不均一性も改善することが可能となる。

[0055] 具体的に、本実施形態の投影光学系 PLにおいて、図 9に示すように、本発明にしたがって開口絞り ASの開口部 10を長径 (メリディォナル方向）が 68. 348mmで短径 (サジタル方向）が 66. 254mmの楕円形状に設定すると、結像領域の各像高におけるメリディォナル方向の開口数 NAmおよびサジタル方向の開口数 NAsは、以下の表（3)に示す通りになる。なお、図 9において、補助開口部 11はマスク Mから第 1反射鏡 Mlに向力う所要の光束を通過させるための開口部であり、補助開口部 12 は第 2反射鏡 M2から第 3反射鏡 M3に向力所要の光束を通過させるための開口部である。

[0056] 表（3)

像高 29mmの点での NAm: 0. 250765272746

像高 29mmの点での NAs : 0. 250272182607

像高 3 lmmの点での NAm: 0. 249217758088 像高 3 lmmの点での NAs : 0. 24972074902

[0057] 表（2)に示すように像高 29mmの点で 0. 2507〜0. 2580と比較的大きくばらつ!/ヽていた開口数 NAが、本発明を適用することにより、表（3)に示すように 0. 2507-0 . 2502とばらつきが小さくなり、 1Z15程度にばらつきを抑えることが可能になった。同様に、像高 31mmの点で 0. 2492-0. 2574と比較的大きくばらついていた開口数 NA力本発明を適用することにより、 0. 2492〜0. 2497とばらつき力 S/J、さくなり、 1Z16程度にばらつきを抑えることが可能になった。

[0058] 以上のように、本実施形態の投影光学系 PLでは、有効な結像領域が相対的に細長い円弧状の領域に限定され、有効な像高が相対的に狭い範囲に限定されているので、像面上の各点に達する光束の開口数 NAの像高による不均一性が小さく抑えられる。また、本実施形態の投影光学系 PLでは、開口絞り ASの開口部を所要の楕円形状に設定しているので、像面上の各点に達する光束の開口数 NAの方向による不均一性も小さく抑えられる。

[0059] すなわち、本実施形態では、視野領域および結像領域が光軸から離れて位置する反射光学系であって、像面上の各点に達する光束の開口数が方向に依らずほぼ均一な投影光学系 PLを実現することができる。したがって、本実施形態の露光装置では、像面上の各点に達する光束の開口数が方向に依らずほぼ均一な反射型の投影光学系 PLを用い、露光光として EUV光を用いているので、マスク Mのパターンをゥェハ W上に大きな解像力で且つ忠実に形成することができる。

[0060] ちなみに、本実施形態の投影光学系 PLにおいて、開口絞り ASとウェハ W (像面）との間に配置された部分光学系 GR(M2〜M6)の焦点距離 F、および部分光学系 GR (M2〜M6)の射影関係を規定する関数 g ( Θ )は、以下の表 (4)に示す通りである。

[0061] 表 (4)

F=— 129. 186524007mm

g ( 0 ) = - 1.089581416414470 X 10"⁸ + 9.983031116454740 X 10— ¹ X θ

-2.608569671543950 Χ 10"⁴ Χ θ ² + 1.693133763108080 X 10"¹ X θ ³ + 3.272877426399590 X 10"¹ X θ ⁴- 1.064541314452320 X 10⁺¹ X θ ⁵ + 2.105681558275050 X 10+² X θ ⁶- 1.964921359054180 X 10⁺³ X θ ^? + 9.263250785150350 X 10⁺³ X Θ ⁸— 2.172610074916260 X 10⁺⁴ X Θ ⁹ + 2.026470680865160 X 10⁺⁴ X Θ ¹⁰

[0062] 表 (4)に示すパラメータ g ( θ )に基づ!/、て計算すると、像高 29mmの点でのサジタル方向の開口数 NAsとメリディォナル方向の開口数 NAmとの比、すなわち NAsZ NAmは、次の式（8)で示す値になる。

NAs/NAm= {sin Θ /g( Θ )}/{cos Θ / (dg ( Θ ) /d θ ) }

= 1. 034204511394000 (8)

[0063] 式（8)で示す値は、実際の NAsZNAmの値、すなわち 1. 029022286に極めて近ぐ結像領域の各像高における開口数 NAの方向による差異の発生については前述した第 3条件の要因が支配的であることが確認できる。また、式 (8)を参照すると、開口絞り ASの開口部を、長径と短径との比率力 ¾an Θ： g ( Θ ) Z (dg ( Θ ) Zd Θ )の楕円形状に設定することが望ま、ことがわかる。

[0064] 図 10は、開口の歪みが結像に与える影響についてのシミュレーション結果を示す図である。図 10において、横軸は N A歪み（すなわちメリディォナル方向の開口数 N Amとサジタル方向の開口数 NAsとの歪み度合い）を、縦軸は所定線幅からの誤差 Δ CDをそれぞれ示している。このシミュレーションでは、投影光学系の像側 NAを 0. 18とし、 σ (コヒーレンスファクタ：照明光学系の射出側開口数 Ζ投影光学系の入射側開口数）を 0. 8とし、光の波長えを 13. 5nmとし、線幅が 45nmの孤立線パターンマスクを用いて、オーバードーズにより線幅が 25nmパターンをウェハ上に焼き付けた。

[0065] したがって、図 10の縦軸 Δ CD (nm)は、所定線幅である 25nmからの線幅誤差を示していることになる。一般に、パターン線幅について 10% (このシミュレーションの場合には 25nm X O. 1 = 2. 5nm)の誤差が発生すると、半導体集積回路が不良品になると言われている。図 10を参照すると、数％の NA歪みが半導体集積回路の良否について深刻な影響を持つことがわかる。

[0066] 次いで、図 11を参照して、開口絞り ASの開口部が具体的に満たすことが好ましい条件について説明する。先ず、図 11 (a)に示すように、投影光学系 PLの像面 (第 2 面）の円弧状の結像領域 (所定領域) ER上の複数の像点を、 Al, A2, A3, · · · , A nとする。そして、複数の像点のうち任意の 1つを、 Aiと称する。ここで、これらの複数の像点は、像面の円弧状の結像領域 ER上において、ほぼ等間隔に多数サンプリングされる。図 11 (a)では、説明を簡略ィ匕するために、 6つの像点 A1〜A6だけを示している。

[0067] また、図 11 (b)に示すように、開口絞り ASを含む平面に平行な平面 (XY平面）において直交する 2つの座標 X, yを想定し、開口絞りエッジのうち、座標 Xが最大となる点を Pxuとし、座標 Xが最小となる点を Pxbとし、座標 yが最大となる点を Pyuとし、座標 yが最小となる点を Pybとする。さらに、像点 Aiを中心とする半径 1の球面 Siを想定し、点 Pxuを通過して像点 Aiに到達する光線が球面 Siと交差する座標を (Xixu, Yixu) とし、点 Pxbを通過して像点 Aiに到達する光線が球面 Siと交差する座標を (Xixb, Yi xb)とし、点 Pyuを通過して像点 Aiに到達する光線が球面 Siと交差する座標を (Xiyu , Yiyu)とし、点 Pybを通過して像点 Aiに到達する光線が球面 Siと交差する座標を (X iyb, Yiyb)とする。ここで、球面 Siでの X, Y座標の符号と、開口部における X, Y座標の符号とがー致するように、開口部における X, Y軸の方向を定義する。

[0068] そして、像点 Aiに対応する 2つの変数として、次の式（9)および（10)によりそれぞれ定義される変数 NAxiおよび NAyiを導入する。

NAxi= (Xixu-Xixb) /2 (9)

NAyi= (Yiyu- Yiyb) /2 (10)

[0069] こうして、像面の円弧状の結像領域 ER上の各点に達する光束の開口数を方向に依らずほぼ均一にするには、開口絞り ASの開口部の所要形状力次の式（11)をほぼ満足することが好ましい。ただし、式（11)において、∑ (1= 1〜11)は1= 1か = 11 までの総和記号である。

{∑NAxi (i= l〜n) }/n= {∑NAyi (i= l〜n) }/n (11)

[0070] 表（2)および（3)を参照して前述したように、図 6に示す投影光学系 PLにおいて、従来技術にしたがう従来例では開口絞り ASの開口部が直径 φ =68. 348mmの円形形状であり、本発明にしたがう本実施例では開口絞り ASの開口部が X方向直径 χ=66. 764mmで Υ方向直径 φ γ=68. 348mmの楕円形状であるものとする。以下、 6つの像点 A1〜A6のみに着目した評価例を示す力これは記述が煩雑となることを避けるためであり、本来は像面の円弧状の結像領域 ER上においてさらに多くの像点をサンプリングすることが望ましい。図 11 (a)に示す 6つの像点 A1〜A6の座標 (X座標， Y座標）は、以下の表（5)に示す通りである。

表 (5)

A1 = (0, 29)

A2 = (0, 31)

A3 = (13, 26. 037)

A4 = (13, 28. 037)

A5 = (- 13, 26. 037)

A6 = (- 13, 26. 037)

したがって、従来例の場合、各像点 A1〜A6に到達する光線が球面 Siと交差する座標、すなわち Xixu, Xixb, Yiyu, Yiybは、以下の表（6)に示す通りである。

表 (6)

Xlxu = 0. 258042943154

Xlxb = 0. 258042943154

Ylyu = 0. , 256357547338

Ylyb = 0. 245172818845

X2xu = 0. 257476143154

X2xb = 0. 257476143154

Y2yu = 0. , 255819520205

Y2yb = 0. 242616331396

X3xu = 0. 259312007332

X3xb = 0. 253769989674

Y3yu = 0. , 257306651069

Y3yb = 0. 246969026605

X4xu = 0. 259077265506

X4xb = 0. 252997085452

Y4yu = 0. , 256801648512 Y4yb = 0. 244661464593

X5xu = 0. 253769989674

X5xb = 0. 259312007332

Y5yu = 0. , 257306651069

Y5yb = 0. 246969026606

X6xu = 0. 252997085391

X6xb = 0. 259077265493

Y6yu = 0. , 256801650789

Y6yb = 0. 244661462094

一方、本実施例の場合、各像点 A1〜A6に到達する光線が球面 Siと交差する座標、すなわち Xixu, Xixb, Yiyu, Yiybは、以下の表（7)に示す通りである。

表 (7)

Xlxu = 0. 252165810353

Xixb = 0. 252165810353

Yiyu = 0. , 256357547323

Yiyb = 0. 245172893708

X2xu = 0. 25161071214

X2xb = 0. 25161071214

Y2yu = 0. , 255819520205

Y2yb = 0. 242616146657

X3xu = 0. 253346326274

X3xb = 0. 248029134343

Y3yu = 0. , 257306648643

Y3yb = 0. 246967652147

X4xu = 0. 253123286675

X4xb = 0. 247265493391

Y4yu = 0. , 256801637468

Y4yb = 0. 244660091297 X5xu = 0. 248029134344

X5xb = -0. 253346326274

Y5yu = 0. 257306648643

Y5yb = -0. 246967652148

X6xu = 0. 24726549333

X6xb = -0. 253123286663

Y6yu = 0. 256801639745

Y6yb = -0. 244660088798

[0076] こうして、従来例の場合、式（11)の左辺 {∑NAxi (i= l〜！ ιΜΖηおよび右辺 { Σ Ν Ayi (i= l〜n) }Znは以下の表（8)に示す通りである。また、本実施例の場合、式（1 1)の左辺 {∑ NAxi (i= l〜n) }Znおよび右辺 {∑ NAyi (i= l〜n) }Znは以下の表 (9)に示す通りである。

[0077] 表（8)

{∑NAxi (i= l~n) }/n = 0. 256779239

{∑NAyi (i= l~n) }/n = 0. 2509536499

[0078] 表（9)

{∑NAxi (i= l~n) }/n = 0. 2509234605

{∑NAyi (i= l~n) }/n = 0. 2509531806

[0079] 表 (8)および (9)を参照すると、従来例よりも本実施例の方が式（11)を良好に満足していることがわかる。その結果、本発明にしたがう本実施例では、開口絞り ASの開口部の所要形状が式（11)をほぼ満足するような楕円形状に設定されて、るので、像面の円弧状の結像領域 ER上の各点に達する光束の開口数を方向に依らずほぼ均一にすることができる。

[0080] ところで、半導体パターン露光装置に搭載される投影光学系では、開口絞りとして、例えばカメラの絞りと同様に開口径が可変の虹彩絞りを用いるのが通常である。しかしながら、本実施形態において例えば楕円形状の開口部のような変形開口部を用いる場合、開口絞りとして虹彩絞りを採用することはできない。そこで、本実施形態では、投影光学系 PLの開口数 NAの変化に際して、開口形状の異なる別の開口絞りと交換可能な構成を採用することが望ましい。なお、開口形状の異なる別の開口絞りは、相似形の開口絞りであってもよ、ことは言うまでもな、。

[0081] また、図 6を参照すると、一般に視野領域および結像領域が光軸から離れて形成される反射型の投影光学系では、有効光束を遮ることがな、ように非常に狭、空間に開口絞りを配置することになる。したがって、円形状の開口部を有する通常の開口絞りを用いる場合にも、開口絞りに開口径の可変のための比較的複雑な機構を設けるよりも、開口形状の異なる別の開口絞りと交換可能な構成を採用することが望ましい場合もある。なお、上述の実施形態では反射型の投影光学系を用いているが、これに限定されることなぐ反射屈折型の投影光学系を用いて、上述の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

[0082] 上述の実施形態に力かる露光装置では、照明系によってマスクを照明し (照明工程 )、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する（露光工程)ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例について、図 12のフローチャートを参照して説明する。

[0083] 先ず、図 12のステップ 301において、 1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ 302において、その 1ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ 303において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク（レチクル）上のパターンの像がその投影光学系を介して、その 1ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。

[0084] その後、ステップ 304において、その 1ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ 305において、その 1ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。

[0085] なお、上述の本実施形態では、 EUV光を供給するための光源としてレーザプラズマ光源を用いている。し力しながら、これに限定されることなぐ EUV光を供給する他の適当な光源、たとえばシンクロトロン放射（SOR)光源などを用いることもできる。

[0086] また、上述の本実施形態では、 EUV光 (X線)を供給するための光源を有する露光装置に本発明を適用している力これに限定されることなぐ EUV光以外の他の波長光を供給する光源を有する露光装置に対しても本発明を適用することができる。

[0087] また、上述の本実施形態では、露光装置の投影光学系に本発明を適用しているが、これに限定されることなぐ第 1面 (物体面)の像を第 2面 (像面)上において光軸から離れた所定領域に形成する一般的な反射型の投影光学系に対しても本発明を適用することができる。

符号の説明

[0088] 1 レーザプラズマ光源

2 波長選択フィルタ

3 照明光学系

M マスク

MS マスクステージ

PL 投影光学系

W ウェハ

WS ウェハステージ

M1〜M6 反射鏡

AS 開口絞り

Claims

請求の範囲

[1] 第 1面の像を第 2面上において光軸力離れた所定領域に形成する反射型の投影光学系において、

前記開口絞りは、直交する 2方向に関する寸法が互いに異なる開口部を有することを特徴とする投影光学系。

[2] 前記第 2面の前記所定領域上の複数の像点を、 Al, A2, A3, · · · , Anとし、

前記複数の像点は、前記第 2面の前記所定領域上において、ほぼ等間隔に多数サンプリングされるものとし、

前記複数の像点のうち任意の 1つを Aiと称するものとし、

前記開口絞りを含む平面に平行な平面において直交する 2つの座標 X, yを想定し、前記開口絞りエッジのうち、座標 Xが最大となる点を Pxuとし、座標 Xが最小となる点を Pxbとし、座標 yが最大となる点を Pyuとし、座標 yが最小となる点を Pybとし、前記像点 Aiを中心とする半径 1の球面 Siを想定し、前記点 Pxuを通過して前記像点 Aiに到達する光線が前記球面 Siと交差する座標を (Xixu, Yixu)とし、前記点 Pxb を通過して前記像点 Aiに到達する光線が前記球面 Siと交差する座標を (Xixb, Yixb )とし、前記点 Pyuを通過して前記像点 Aiに到達する光線が前記球面 Siと交差する座標を (Xiyu, Yiyu)とし、前記点 Pybを通過して前記像点 Aiに到達する光線が前記球面 Siと交差する座標を (Xiyb, Yiyb)とし、

前記像点 Aiに対応する 2つの変数 NAxiおよび NAyiをそれぞれ、

NAxi= (Xixu— Xixb) Z2

NAyi= (Yiyu- Yiyb) /2

と規定するとき、

前記開口部の所要形状は、

{∑ NAxi (i = 1〜n) }/n= {∑ NAyi (i = 1〜n) } /n

をほぼ満足することを特徴とする請求項 1に記載の投影光学系。

[3] 前記開口部の前記所要形状は、前記開口絞りと前記第 2面との間に配置された部分光学系が所望の射影関係を満足していないことが前記所定領域内の各点に達する光束の開口数の不均一性に及ぼす影響を補償するように規定されていることを特徴とする請求項 1または 2に記載の投影光学系。

[4] 前記開口絞りを通過する主光線が光軸となす角度を Θとし、該主光線が前記第 2面に達する点の前記光軸力ゝらの距離を hとし、前記部分光学系の焦点距離を Fとし、前記部分光学系の射影関係が Θを変数とする関数 g ( Θ )を用いて h=F'g ( Θ )で表されるとさ、

前記開口部の前記所要形状は、長径と短径との比率が、 tan Θ : g ( Θ ) Z (dg ( Θ )

/d θ )の楕円であることを特徴とする請求項 3に記載の投影光学系。

[5] 前記開口部の前記所要形状は、前記開口絞りと前記第 2面との間に配置された部分光学系が正弦条件を満足していないことが前記所定領域内の各点に達する光束の開口数の不均一性に及ぼす影響を補償するように規定されてヽることを特徴とする請求項 1乃至 4のいずれか 1項に記載の投影光学系。

[6] 前記開口部の前記所要形状は、ほぼ楕円形状であることを特徴とする請求項 1乃至

5の、ずれか 1項に記載の投影光学系。

[7] 前記開口部の前記所要形状は、メリディォナル方向に長径を有する楕円形状であることを特徴とする請求項 1乃至 6のいずれか 1項に記載の投影光学系。

[8] 前記開口絞りは、開口形状の異なる別の開口絞りと交換可能に構成されていることを特徴とする請求項 1乃至 7のいずれ力 1項に記載の投影光学系。

[9] 第 1面の像を第 2面上において光軸力離れた所定領域に形成する反射型の投影光学系において、

前記開口絞りは、開口形状の異なる別の開口絞りと交換可能に構成されていることを特徴とする投影光学系。

[10] 前記第 1面に設定されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクに形成されたパターンの像を前記第 2面に設定された感光性基板上に形成するための請求項 1乃至 9のいずれか 1項に記載の投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置。

[11] 前記照明系は、露光光として EUV光を供給するための光源を有し、

前記投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を相対移動させて、前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光することを特徴とする請求項 10 に記載の露光装置。

[12] 前記第 1面に設定されたマスクを照明する照明工程と、請求項 1乃至 9のいずれか 1 項に記載の投影光学系を介して前記マスクに形成されたパターンの像を前記第 2面に設定された感光性基板上に投影露光する露光工程とを含むことを特徴とする露光方法。

[13] 第 1面に設定されるマスクを照明するための照明光学系と、前記マスクに形成されたノターンの像を第 2面に設定される感光性基板上において光軸力離れた円弧領域に形成するための反射型の投影光学系と、前記マスクと前記感光性基板とを相対的に走査移動可能に保持するステージとを有する投影露光装置において、前記円弧領域は前記走査移動方向の幅が前記走査移動方向に対して垂直な方向の幅に対して相対的に狭ぐ

前記投影光学系は開口数を規定するための開口絞りを備え、該開口絞りの開口形状は前記走査移動方向に対応する方向の直径が該走査移動方向に垂直な方向に対応する方向の直径よりも大きい形状であることを特徴とする投影露光装置。

[14] 前記開口絞りの形状は、前記走査移動方向に対応する方向に長径を有する楕円形状であることを特徴とする請求項 13に記載の投影露光装置。

[15] 前記開口絞りは、開口形状または大きさの異なる別の開口絞りと交換可能に構成されていることを特徴とする請求項 14に記載の投影露光装置。