WO2012137699A1 - 光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents

光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2012137699A1
WO2012137699A1 PCT/JP2012/058817 JP2012058817W WO2012137699A1 WO 2012137699 A1 WO2012137699 A1 WO 2012137699A1 JP 2012058817 W JP2012058817 W JP 2012058817W WO 2012137699 A1 WO2012137699 A1 WO 2012137699A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
optical axis
optical
pupil
optical system
peripheral edge
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/058817
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
白石　雅之
Original Assignee
株式会社ニコン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ニコン filed Critical 株式会社ニコン
Publication of WO2012137699A1 publication Critical patent/WO2012137699A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • G02B17/0663—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems

Definitions

  • the present invention relates to an optical apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method. More specifically, the present invention relates to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern on a mask onto a photosensitive substrate by using a plurality of reflecting mirrors using, for example, EUV light.
  • an exposure apparatus When manufacturing a device such as a semiconductor element, an exposure apparatus is used that transfers a circuit pattern formed on a mask (reticle) onto a photosensitive substrate (for example, a wafer coated with a resist) via a projection optical system.
  • a projection optical system of an exposure apparatus is a refractive optical system composed of a plurality of light transmitting members (lenses and the like), and its pupil (exit pupil) and all optical elements are rotationally symmetric with respect to the optical axis. Therefore, the aperture stop is disposed at the position of the pupil in a posture parallel to the mask pattern surface and the wafer transfer surface, and the aperture stop (light transmission portion) of the aperture stop is formed in a circular shape centering on the optical axis. preferable.
  • EUV exposure apparatus an exposure apparatus using EUV (Extreme UltraViolet) light having a wavelength of about 5 to 40 nm
  • EUV exposure apparatus When EUV light is used as the exposure light, there is no transmissive optical material and refractive optical material that can be used. Therefore, a reflective mask is used, and a reflective optical system (an optical system composed only of a reflective member) is used as a projection optical system. Will be used.
  • a two-mirror type reflection optical system composed of a convex reflecting mirror having a central opening and a concave reflecting mirror having a central opening has been proposed.
  • this two-mirror projection optical system an effective imaging region having an outer shape centered on the optical axis can be obtained.
  • the mask pattern surface and the wafer transfer surface are inclined with respect to the surface orthogonal to the optical axis, the optical system is rotationally symmetric with respect to the optical axis. Therefore, the aperture stop and the central shielding plate have a circular shape centered on the optical axis, and are arranged along a plane orthogonal to the optical axis.
  • a six-mirror reflective optical system composed of six (or more) reflecting mirrors has been proposed.
  • the effective imaging region is formed away from the optical axis, and the optical system is rotationally asymmetric with respect to the optical axis.
  • the direction of the light beam passing through the pupil of the optical system is inclined with respect to the optical axis by the amount that the effective imaging region is away from the optical axis. Therefore, the optimum shape of the aperture of the aperture stop is not a circle parallel to the mask pattern surface and the wafer transfer surface, but a three-dimensional closed curve connecting the minimum circles of confusion of the light beam for each direction of the pupil (Patent Document 1). See).
  • a projection optical system having a large image-side numerical aperture is required in order to improve resolution.
  • a central shielding type that shields the center of the pupil is used.
  • a projection optical system is employed. In this case, if a simple planar circular or elliptical plate is used as the central shielding plate as in the prior art, the shapes of the pupils are different from each other at each point (each image height) in the effective imaging region. Good optical performance cannot be ensured.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and is an optical apparatus that includes a central shielding type projection optical system having a plurality of reflecting mirrors, and that can ensure good optical performance.
  • the purpose is to provide.
  • the optical system has a plurality of reflecting mirrors disposed between the first surface and the second surface, and the image of the first surface is converted into the first surface.
  • a diaphragm member that defines the outer shape of the luminous flux;
  • a shielding part for shielding a part of the luminous flux
  • the diaphragm member has an inner peripheral edge having a different height in the optical axis direction of the optical system,
  • the shielding unit has an outer peripheral edge having different heights in the optical axis direction.
  • an illumination system for illuminating a predetermined pattern installed on the first surface with light from a light source, and a photosensitive substrate installed on the second surface with the predetermined pattern.
  • An exposure apparatus comprising: an optical apparatus according to a first embodiment for projecting.
  • the exposure apparatus of the second embodiment exposing the predetermined pattern to the photosensitive substrate; Developing the photosensitive substrate having the predetermined pattern transferred thereon, and forming a mask layer having a shape corresponding to the predetermined pattern on the surface of the photosensitive substrate; And processing the surface of the photosensitive substrate through the mask layer.
  • a device manufacturing method is provided.
  • the optical apparatus according to the present invention is an optical apparatus having a central shielding type projection optical system having a plurality of reflecting mirrors, and has a substantially uniform pupil shape at each point in the effective imaging region, and has good optics. Performance can be ensured. Further, in the exposure apparatus of the present invention, an optical apparatus having good optical performance can be used and, for example, EUV light can be used as exposure light to perform good projection exposure with high resolution.
  • the central shielding type projection optical system that shields the center of the pupil is adopted as a projection optical system capable of improving the resolution.
  • the first mirror from the wafer side (the sixth reflecting mirror M6 of this embodiment to be described later) is considered when going back the optical path from the wafer to the mask side.
  • the diameter of the MU increases according to the numerical aperture (NA) of the light beam incident on the wafer, and the second mirror from the wafer side (corresponding to the fifth reflecting mirror M5 in this embodiment) MP avoids the large mirror MU.
  • NA numerical aperture
  • MP avoids the large mirror MU.
  • the central shielding type projection optical system is adopted to allow the central shielding of the pupil
  • the light beam received by the first mirror MU from the wafer side is reflected on the wafer side when considering the optical path back from the wafer to the mask side.
  • the light flux can be traced back so as to pass through the central opening of the mirror MU when tracing to the third mirror MM via the second mirror MP.
  • the central opening portion of the mirror MU corresponds to the central shielding region of the pupil.
  • an optical design is facilitated by forming a ring-shaped pupil by providing a shielding region at the center of the pupil.
  • the outer periphery of the pupil is large according to the numerical aperture on the image side, but there is an ineffective portion at the center of the pupil, so although the outer periphery of the pupil is large and the whole is effective, the large image A fine pattern can be accurately transferred with high resolution according to the side numerical aperture.
  • the shielding area at the center of the pupil is preferably as small as possible and should be kept to the minimum necessary size.
  • the shielding area at the center is irregular and the shape of the shielding area is different for each point in the effective imaging area.
  • the central shielding plate is a small circular flat plate.
  • a support bar for holding is attached to the central shielding plate, and is supported by members on the outer periphery.
  • the support bar is attached along an orientation having a small influence on the resolution (imaging).
  • imaging imaging
  • a part of the diffracted light is unintentionally shielded by the support bar, so the support bar that is as thin as possible is used.
  • a central shielding plate obtained by simply cutting a flat plate into a circle or an ellipse is merely arranged in the vicinity of the pupil.
  • the optical presence of the central shielding plate defines (forms) the inner periphery of the annular pupil. Therefore, it is preferable that the central shielding plate defines the inner periphery of the pupil in a shape corresponding to the predetermined NA so that the aperture stop defines the outer periphery of the pupil in a shape corresponding to the predetermined NA.
  • the projection optical system of the EUV exposure apparatus has an inner peripheral edge having a different height in the optical axis direction of the projection optical system, and a diaphragm member that defines the outer shape of the light beam, and the projection optical system And a shielding portion that shields a part of the light beam and has outer peripheral edges having different heights in the optical axis direction.
  • the inner peripheral edge of the diaphragm member has a height in the optical axis direction of the projection optical system that changes along the direction of the pupil, and the outer peripheral edge of the shielding portion is the height in the optical axis direction of the projection optical system.
  • the shape of the aperture of the aperture stop i.e., the inner peripheral edge of the aperture stop (aperture member) is the minimum confusion of the light flux having a predetermined NA (first numerical aperture greater than the second numerical aperture) for each direction of the pupil. It is the same as that defined by a three-dimensional closed curve connecting circles.
  • the curve that defines the outer peripheral edge of the shielding portion is defined by a three-dimensional closed curve as in the case of the inner peripheral edge of the aperture stop.
  • NA 0.6; first numerical aperture
  • a light beam having the same NA that is emitted from each point in the effective imaging region does not intersect at the same point in the vicinity of the pupil, but becomes a light beam having a certain minimum circle of confusion.
  • the height of this minimum circle of confusion varies depending on the orientation of the pupil, and is particularly greatly distorted in the sagittal direction and the meridional direction of NA. That is, instead of simply drawing an ellipse on a plane or drawing a curve on a plane that is not parallel to the mask pattern surface and the wafer transfer surface, each point in the effective imaging region has the same NA in each direction.
  • the closed curve that connects the height of the minimum circle of confusion of the luminous flux produced by the scattered light beam for each direction of the pupil is not on the same plane.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing how a light beam passes through a pupil of a projection optical system of an EUV exposure apparatus.
  • the projection optical system has, for example, a first reflecting mirror M1, a second reflecting mirror M2, a third reflecting mirror M3, a fourth reflecting mirror M4, and a fifth reflecting mirror in the optical order from the mask toward the wafer. It is assumed that it is composed of six mirrors, M5 and a sixth reflecting mirror M6. It is assumed that the first pupil is in the optical path from the first reflecting mirror M1 to the second reflecting mirror M2, and the second pupil is in the optical path from the fifth reflecting mirror M5 to the sixth reflecting mirror M6. is doing.
  • the light from the mask is reflected by the first reflecting mirror M1, and the light beam travels from the bottom (from the wafer side) to the top (to the mask side) from the first reflecting mirror M1 toward the second reflecting mirror M2. pass. Further, light from the fourth reflecting mirror M4 (corresponding to the third mirror MM from the wafer side) is reflected by the fifth reflecting mirror M5 (corresponding to the second mirror MP from the wafer side), and from the fifth reflecting mirror M5. The light beam passes from the bottom to the top toward the sixth reflecting mirror M6 (corresponding to the first mirror MU from the wafer side).
  • the Z axis is set parallel to the optical axis of the projection optical system
  • the Y axis is set parallel to the scanning direction (scanning direction) of the mask and wafer
  • the X axis is orthogonal to the scanning direction. It is set parallel to the scanning orthogonal direction (non-scanning direction).
  • the pupil is not necessarily in the optical path from the first reflecting mirror M1 to the second reflecting mirror M2 and in the optical path from the fifth reflecting mirror M5 to the sixth reflecting mirror M6.
  • the light beam passing through the pupil does not always go from the bottom to the top.
  • the principal ray 21 is a ray whose NA is equal to 0, and with the point 231 where the ray having 0 NA emitted from each point in the effective imaging region converges most in the vicinity of the pupil, A representative height in the optical axis direction of the pupil of the principal ray 21, that is, a reference height is used. Due to the characteristics of the optical system, light rays of the same NA that are emitted from each point in the effective imaging region do not converge to one point in the vicinity of the pupil, and a minimum circle of confusion is obtained.
  • rays of the same NA emitted from each point in the effective imaging region in each of the azimuths are near the pupil.
  • the heights are as shown by reference numerals 232, 233, 234, and 235, respectively.
  • a circle indicated by reference numeral 22 in FIG. 1 represents a predetermined NA at the reference height 231.
  • the projection optical system of a typical EUV exposure apparatus In the design example (an example in which the effective imaging region is separated from the optical axis and symmetric with respect to the Y axis), the height 232 of the minimum circle of confusion of a predetermined NA light flux passing through the + Y direction of the pupil in the optical axis direction was found to be on the ⁇ Z direction side with respect to the reference height 231.
  • the heights 233 and 234 in the optical axis direction of the minimum circle of confusion of a predetermined NA light beam passing through the ⁇ X direction and the + X direction of the pupil are on the + Z direction side of the reference height 231.
  • the difference between the height 232 and the heights 233 and 234 is the height 233 and 234. It should match the difference from height 235. However, in practice, the difference between the height 232 and the heights 233 and 234 is 4 mm, the difference between the heights 233 and 234 and the height 235 is 5 mm, and the difference between the two is different. This is because when a contour curve obtained by connecting the heights of the minimum circles of confusion of a light beam having a predetermined NA with respect to each direction of the pupil is projected from the X direction, the projection of the contour is not a straight line but a curved line.
  • the inner peripheral edge of the aperture stop is not on the same plane in order to improve the optical performance.
  • the aperture stop that defines the outer shape (outer periphery) of the light beam having the first numerical aperture that passes through the pupil, but also a part of the light beam that passes through the pupil, that is, the second numerical aperture smaller than the first numerical aperture. The same holds true for the shielding part that shields the luminous flux.
  • the line connecting the positions in the optical axis direction of the minimum circle of confusion formed by the light beams corresponding to “the same NA” in each direction of the pupil is a three-dimensional closed curve that is not on the same plane. It merely describes drawing, and does not limit whether the light beam corresponding to “the same NA” is a light beam that defines the outer periphery of the pupil or a light beam that defines the inner periphery of the pupil.
  • FIG. 2 is a drawing schematically showing a configuration of the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing the positional relationship between the arc-shaped effective imaging region formed on the wafer and the optical axis. 2, the Z axis along the optical axis AX direction of the projection optical system PO, that is, the normal direction of the exposure surface (transfer surface) of the wafer W that is a photosensitive substrate, and the paper surface of FIG.
  • the Y axis is set in the direction parallel to the X axis, and the X axis is set in the direction perpendicular to the paper surface of FIG.
  • the 2 includes, for example, a laser plasma X-ray source as a light source LS for supplying exposure light.
  • a laser plasma X-ray source as a light source LS for supplying exposure light.
  • a discharge plasma light source or another X-ray source can be used.
  • the light emitted from the light source LS enters the illumination optical system IL via a wavelength selection filter (not shown) arranged as necessary.
  • the wavelength selection filter has a characteristic of selectively transmitting only EUV light having a predetermined wavelength (for example, 13.5 nm) from light supplied from the light source LS and blocking transmission of other wavelength light.
  • the EUV light that has passed through the wavelength selection filter passes through the collimator optical system 1 having the shape of a concave reflecting mirror, becomes a substantially parallel light beam, and is guided to an optical integrator 2 that includes a pair of fly-eye mirrors 2a and 2b.
  • the first fly-eye mirror 2a is configured by, for example, arranging a large number of concave mirror elements having an arcuate outer shape vertically and horizontally and densely.
  • the second fly's eye mirror 2b is configured by, for example, arranging a large number of concave mirror elements having a rectangular shape close to a square shape vertically and horizontally and densely.
  • a substantial surface light source having a predetermined shape is formed in the vicinity of the exit surface of the optical integrator 2, that is, in the vicinity of the reflection surface of the second fly-eye mirror 2b (the position of the illumination pupil).
  • the light from the substantial surface light source passes through the condenser optical system 3 having a concave reflecting mirror shape and the deflecting member 4 having a planar reflecting surface, and is then emitted from the illumination optical system IL (1 to 4).
  • the position of the illumination pupil of the illumination optical system IL where a substantial surface light source is formed is the position of the entrance pupil of the projection optical system PO or a position optically conjugate with the entrance pupil of the projection optical system PO.
  • the light emitted from the illumination optical system IL passes through the arc-shaped opening (light transmitting portion) of a field stop (not shown) disposed substantially parallel to and in close proximity to the reflective mask M.
  • An arcuate illumination area is formed on the top.
  • the light source LS and the illumination optical system IL constitute an illumination system for Koehler illumination of the mask M provided with a predetermined pattern.
  • the mask M is held by a mask stage MS that can move along the Y direction so that the pattern surface extends along the XY plane.
  • the movement of the mask stage MS is measured by a laser interferometer (not shown).
  • a laser interferometer not shown.
  • an arcuate illumination region symmetric with respect to the Y axis is formed.
  • the light from the illuminated mask M forms a pattern image of the mask M on the wafer W, which is a photosensitive substrate, via the projection optical system PO.
  • an arc-shaped effective imaging region ER that is symmetric with respect to the Y axis is formed.
  • an arc-shaped effective imaging region ER is formed in contact with the image circle IF in a circular region (image circle) IF centered on the optical axis AX.
  • the arc-shaped effective imaging region ER is a part of a ring-shaped region centered on the optical axis AX.
  • an arcuate illumination area symmetric with respect to the Y axis is formed so as to optically correspond to the arcuate effective imaging area ER.
  • the wafer W is held by a wafer stage WS that can move two-dimensionally along the X and Y directions such that the exposure surface extends along the XY plane.
  • the movement of the wafer stage WS is measured by a laser interferometer (not shown) as in the mask stage MS.
  • scan exposure scan exposure
  • scan exposure is performed while moving the mask stage MS and the wafer stage WS along the Y direction, that is, while relatively moving the mask M and the wafer W along the Y direction with respect to the projection optical system PO.
  • the pattern of the mask M is transferred to one exposure region of the wafer W.
  • the moving speed of the wafer stage WS is set to 1/4 of the moving speed of the mask stage MS, and synchronous scanning is performed. Further, the pattern of the mask M is sequentially transferred to each exposure region of the wafer W by repeating the scanning exposure while moving the wafer stage WS two-dimensionally along the X direction and the Y direction.
  • the projection optical system PO forms a first intermediate image of a pattern at a position optically conjugate with the pattern surface of the mask M along a single optical axis AX extending linearly.
  • 1 reflective optical system G1 and a second reflective optical system G2 for forming a final reduced image (intermediate image) of the pattern of the mask M on the wafer W. That is, a surface optically conjugate with the pattern surface of the mask M is formed in the optical path between the first reflection optical system G1 and the second reflection optical system G2.
  • the first reflective optical system G1 includes a first reflecting mirror M1 having a concave reflecting surface, a second reflecting mirror M2 having a concave reflecting surface, and a convex reflecting surface in the order of incidence of light from the mask M. And a fourth reflecting mirror M4 having a concave reflecting surface.
  • the second reflecting optical system G2 is configured by a fifth reflecting mirror M5 having a convex reflecting surface and a sixth reflecting mirror M6 having a concave reflecting surface in the order of incidence of light from the fourth reflecting mirror M4. ing.
  • Openings M5a and M6a are provided at the centers of the reflecting surfaces of the fifth reflecting mirror M5 and the sixth reflecting mirror M6, respectively.
  • An aperture stop AS and a shielding part SH are provided in the vicinity of the pupil in the optical path from the first reflecting mirror M1 to the second reflecting mirror M2. There is no aperture stop other than the aperture stop AS in the optical path of the projection optical system PO, and the numerical aperture of the projection optical system PO is determined by the restriction of the light flux by the aperture stop AS.
  • the projection optical system PO light from the illumination area on the arc away from the optical axis AX on the pattern surface (first surface) of the mask M is reflected by the concave reflecting surface of the first reflecting mirror M1 and the second reflecting mirror M2. Are sequentially reflected by the concave reflecting surface, the convex reflecting surface of the third reflecting mirror M3, and the concave reflecting surface of the fourth reflecting mirror M4 to form an intermediate image of the mask pattern.
  • the light from the intermediate image formed through the first reflecting optical system G1 passes through the opening M6a of the sixth reflecting mirror M6 and is reflected by the convex reflecting surface of the fifth reflecting mirror M5. 6 is incident on the concave reflecting surface of the reflecting mirror M6.
  • the light reflected by the sixth reflecting mirror M6 passes through the opening M5a of the fifth reflecting mirror M5, and then, on the surface (second surface) of the wafer W, the arc-shaped effective imaging region ER separated from the optical axis AX. Then, a reduced image of the mask pattern is formed.
  • the reflecting surfaces of all the reflecting mirrors M1 to M6 are formed in a rotationally symmetric surface shape with respect to the optical axis AX.
  • the projection optical system PO is an optical system telecentric on the wafer side (image side). In other words, the chief ray reaching each point in the effective imaging region ER of the projection optical system PO is substantially perpendicular to the image plane. With this configuration, good image formation is possible even if the wafer W is uneven within the depth of focus of the projection optical system PO.
  • FIG. 4 and 5 are diagrams schematically showing a state in which the light beam passes through the pupil of the projection optical system of the exposure apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the aperture stop and the shielding unit arranged in the vicinity of the pupil of the projection optical system. 4 to 6, as in the case of FIG. 1, the Z axis of the XYZ orthogonal coordinate system is set parallel to the optical axis AX of the projection optical system PO, and the Y axis is parallel to the scanning directions of the mask M and the wafer W. And the X axis is set parallel to the scanning orthogonal direction. Further, it is assumed that the optical axis AX extends in the vertical direction, the XY plane is a horizontal plane, and the projection optical system PO is designed symmetrically with respect to the Y axis.
  • an aperture stop (aperture member) AS that defines the shape is provided. 4 and 5, reference numeral 12 indicates the principal ray of the light beam 11 passing through the pupil.
  • the aperture stop AS is formed by providing an opening portion Asa having a predetermined shape on a metal plate previously formed into a required curved shape.
  • the aperture stop AS is formed by forming a predetermined shape of an opening portion Asa on a flat metal plate and then forming the aperture stop ASa into a required curved surface.
  • the inner peripheral edge ASb of the aperture stop AS (that is, the contour of the aperture portion Asa) is defined by a three-dimensional closed curve connecting the minimum circles of confusion of the first numerical aperture NA1 with respect to each direction of the pupil, and is in the direction of the optical axis AX.
  • the height in the (Z direction) changes in a curved line along the direction of the pupil.
  • the first numerical aperture NA1 is an image-side numerical aperture corresponding to the outer shape of the light beam 11 to be defined by the aperture stop AS when passing through the pupil.
  • a region where a light beam corresponding to the first numerical aperture NA1 passes through the pupil is schematically indicated by a circle 13.
  • a shielding part SH that shields a part of the light beam 11 is provided.
  • the shielding part SH is formed by giving a predetermined outer shape (contour) to a metal plate that has been previously formed into a required curved surface shape.
  • shielding part SH is formed by shape
  • the outer peripheral edge SHa of the shielding part SH is defined by a three-dimensional closed curve connecting minimum circles of confusion formed by the light flux having the second numerical aperture NA2 smaller than the first numerical aperture NA1 in each direction of the pupil, and the direction of the optical axis AX The height of the curve changes along the direction of the pupil.
  • the second numerical aperture NA2 is an image-side numerical aperture corresponding to the outer shape of the central portion of the light beam 11 to be shielded by the shielding portion SH when passing through the pupil.
  • a region where a light beam corresponding to the second numerical aperture NA2 passes through the pupil is schematically indicated by a circle 14.
  • the shielding part SH is held at a required position from an outer peripheral member such as a lens barrel (not shown) by a support bar (not shown), for example.
  • the support bar of the shielding part SH is made of a thin member that minimizes the influence on the optical performance of the projection optical system PO, and the direction in which the main diffracted light will pass (X-axis direction, Y-axis direction, etc.) It is arranged along the direction avoiding.
  • the form of the support bar may be a cantilever system or a double-support system, and it is only necessary that the outer peripheral edge SHa of the supported shielding part SH is disposed at a required position (optically optimal position).
  • the light beam that has passed through the aperture stop AS and the shielding part SH has an annular shape. Further, as clearly shown in FIG. 6, the aperture stop AS and the shielding portion SH are arranged at different positions along the optical axis AX. Note that a curved line 15 indicated by a broken line in FIG. 6 indicates an envelope surface (three-dimensional curved surface) of pupils that collect equal NA lines (three-dimensional curve).
  • the positions of the pair of edge points facing the Y direction across the optical axis AX are different from each other, and the pair of the edge points facing the X direction across the optical axis AX are different.
  • the positions of the edge points in the optical axis AX direction are the same.
  • the inner peripheral edge ASb of the aperture stop AS provided in the vicinity of the pupil in the optical path from the first reflecting mirror M1 to the second reflecting mirror M2 of the projection optical system PO corresponds to each pupil. It is defined by a three-dimensional closed curve connecting the minimum circle of confusion of the light beam having the first numerical aperture NA1 with respect to the azimuth. Further, the outer peripheral edge SHa of the shielding portion SH provided in the vicinity of the pupil in the optical path from the first reflecting mirror M1 to the second reflecting mirror M2 has a light beam having a second numerical aperture NA2 smaller than the first numerical aperture NA1. It is specified by a three-dimensional closed curve connecting the minimum circles of confusion created in each direction.
  • the projection optical system PO of the present embodiment due to the cooperative action of the aperture stop AS and the shielding portion SH, the shape of the annular pupil is substantially uniform for each point in the effective imaging region ER, As a result, good optical performance can be ensured.
  • the projection optical system PO having good optical performance is used and EUV light is used as exposure light, it is possible to perform good projection exposure with high resolution.
  • the projection optical system PO is configured by the six reflecting mirrors M1 to M6, and the four reflecting mirrors M1 to M4 form the first imaging optical system (first reflecting optical system G1). Two reflecting mirrors M5 and M6 form a second imaging optical system (second reflecting optical system G2).
  • the present invention is not limited to this, and various forms are possible for the number of mirrors, the arrangement, the number of times of imaging, and the like.
  • the reflecting surfaces of the reflecting mirrors M1 to M6 of the projection optical system PO are formed in a rotationally symmetric surface shape.
  • the present invention is not limited to this, and the surface shape is not rotationally symmetric. May be.
  • both the aperture stop AS and the shielding part SH are provided in the vicinity of the pupil in the optical path from the first reflecting mirror M1 to the second reflecting mirror M2 of the projection optical system PO.
  • both the aperture stop AS and the shielding part SH may be provided in the vicinity of the pupil in the optical path from the fifth reflecting mirror M5 to the sixth reflecting mirror M6.
  • the aperture stop AS or the shielding part SH
  • the shielding part SH or the aperture stop AS
  • You may provide in the pupil vicinity in the optical path which leads to 6 reflector M6.
  • EUV light having a wavelength of 13.5 nm is used as an example.
  • the present invention is not limited to this.
  • EUV light having a wavelength of about 5 to 40 nm or other appropriate The present invention can be similarly applied to a projection optical system and an exposure apparatus that use light of various wavelengths.
  • variable pattern forming apparatus that forms a predetermined pattern based on predetermined electronic data can be used instead of a mask.
  • a spatial light modulation element including a plurality of reflection elements driven based on predetermined electronic data can be used.
  • An exposure apparatus using a spatial light modulator is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-304135, International Patent Publication No. 2006/080285, and US Patent Publication No. 2007/0296936 corresponding thereto.
  • a transmissive spatial light modulator may be used, or a self-luminous image display element may be used.
  • the exposure apparatus of the above-described embodiment is manufactured by assembling various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Is done.
  • various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy
  • various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy
  • various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy.
  • the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus.
  • the exposure apparatus may be manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
  • FIG. 7 is a flowchart showing a semiconductor device manufacturing process.
  • a metal film is vapor-deposited on a wafer W to be a substrate of the semiconductor device (step S40), and a photoresist, which is a photosensitive material, is applied on the vapor-deposited metal film.
  • the pattern formed on the mask (reticle) M is transferred to each shot area on the wafer W (step S44: exposure process), and the transfer of the wafer W after the transfer is completed.
  • Development that is, development of the photoresist to which the pattern has been transferred is performed (step S46: development process).
  • step S48 processing step.
  • the resist pattern is a photoresist layer in which unevenness having a shape corresponding to the pattern transferred by the exposure apparatus of the above-described embodiment is generated, and the recess penetrates the photoresist layer. is there.
  • step S48 the surface of the wafer W is processed through this resist pattern.
  • the processing performed in step S48 includes, for example, at least one of etching of the surface of the wafer W or film formation of a metal film or the like.
  • the exposure apparatus of the above-described embodiment performs pattern transfer using the wafer W coated with the photoresist as a photosensitive substrate.
  • a laser plasma X-ray source is used as a light source for supplying EUV light.
  • the present invention is not limited to this, and for example, synchrotron radiation (SOR) light is used as EUV light. You can also.
  • the present invention is applied to the projection optical system of the exposure apparatus.
  • the present invention is not limited to this, and a plurality of elements disposed between the first surface and the second surface are not limited thereto.
  • the present invention can be similarly applied to an optical device that includes an optical system having a reflecting mirror and forms an image of the first surface on the second surface.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

　複数の反射鏡を有する中心遮蔽タイプの投影光学系を備えた光学装置であって、有効結像領域内の各点について瞳の形状がほぼ一様で、良好な光学性能を確保することのできる光学装置。第１面と第２面との間に配置された複数の反射鏡を有する光学系を備え、第１面の像を第２面上に形成する光学装置は、光束の外形状を規定する絞り部材と、光束の一部を遮蔽する遮蔽部とを備えている。絞り部材は、光学系の光軸方向の高さが異なる内周エッジを有し、遮蔽部は、光軸方向の高さが異なる外周エッジを有する。

Description

光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
　本発明は、光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法に関する。さらに詳細には、本発明は、例えばＥＵＶ光を用いて、複数の反射ミラーによりマスク上の回路パターンを感光性基板上に転写する露光装置に関するものである。
　半導体素子などのデバイスの製造に際して、マスク（レチクル）上に形成された回路パターンを、投影光学系を介して感光性基板（たとえばレジストが塗布されたウェハ）上に転写する露光装置が使用される。従来、露光装置の投影光学系は、複数の光透過部材（レンズなど）からなる屈折光学系であり、その瞳（射出瞳）および全ての光学素子が光軸に関して回転対称である。したがって、開口絞りはマスクのパターン面およびウェハの転写面と平行な姿勢で瞳の位置に配置され、且つ開口絞りの開口部（光透過部）は光軸を中心とした円形状にすることが好ましい。
　近年、例えば５～４０ｎｍ程度の波長を有するＥＵＶ（Extreme UltraViolet：極紫外線）光を用いる露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」という）が注目されている。露光光としてＥＵＶ光を用いる場合、使用可能な透過光学材料および屈折光学材料がないため、反射型のマスクを用いるとともに、投影光学系として反射光学系（反射部材のみにより構成された光学系）を用いることになる。
　ＥＵＶ露光装置に適用可能な投影光学系として、中央開口部を有する凸面反射鏡と中央開口部を有する凹面反射鏡とからなる２枚ミラータイプの反射光学系が提案されている。この２枚ミラータイプの投影光学系では、光軸を中心とした外形形状の有効結像領域が得られる。また、マスクパターン面およびウェハ転写面は光軸と直交する面に対して傾いているものの、光学系は光軸に関して回転対称である。したがって、開口絞り及び中心遮蔽板は、光軸を中心とした円形状であり、光軸と直交する面に沿って配置される。
　また、光学性能の向上および露光領域の拡大を図るために、例えば６枚（またはそれ以上）の反射鏡からなる６枚ミラータイプの反射光学系が提案されている。６枚ミラータイプの反射光学系では、有効結像領域が光軸から離れて形成され、光軸に関して回転非対称な光学系になる。そして、光学系の瞳を通過する光束の方向は、有効結像領域が光軸から離れている分だけ光軸に対して傾く。したがって、開口絞りの開口部の最適形状は、マスクパターン面およびウェハ転写面に平行な円形ではなく、瞳の各方位に対する光束の最小錯乱円を結んだ三次元的な閉曲線になる（特許文献１を参照）。
米国特許出願公開第２０１０/０１４９５０９Ａ１号明細書
　ＥＵＶ露光装置では、解像度の向上を図るために像側開口数の大きい投影光学系が求められているが、像側開口数が例えば０．５を超えると瞳の中心を遮蔽する中心遮蔽タイプの投影光学系が採用される可能性がある。この場合、従来技術のように中心遮蔽板として単なる平面状の円形または楕円形の板を用いると、有効結像領域内の各点（各像高）について瞳の形状が互いに異なるものとなり、ひいては良好な光学性能を確保することができない。
　本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、複数の反射鏡を有する中心遮蔽タイプの投影光学系を備えた光学装置であって、良好な光学性能を確保することのできる光学装置を提供することを目的とする。また、良好な光学性能を有する光学装置を用いるとともに、例えば露光光としてＥＵＶ光を用いて、高解像度で良好な投影露光を行うことのできる露光装置を提供することを目的とする。
　前記課題を解決するために、本発明の第１形態では、第１面と第２面との間に配置された複数の反射鏡を有する光学系を備え、前記第１面の像を前記第２面上に形成する光学装置において、
　光束の外形状を規定する絞り部材と、
　前記光束の一部を遮蔽する遮蔽部とを備え、
　前記絞り部材は、前記光学系の光軸方向の高さが異なる内周エッジを有し、
　前記遮蔽部は、前記光軸方向の高さが異なる外周エッジを有することを特徴とする光学装置を提供する。
　本発明の第２形態では、光源からの光により前記第１面に設置された所定のパターンを照明するための照明系と、前記所定のパターンを前記第２面に設置された感光性基板に投影するための第１形態の光学装置とを備えていることを特徴とする露光装置を提供する。
　本発明の第３形態では、第２形態の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光することと、
　前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成することと、
　前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
　本発明の光学装置では、複数の反射鏡を有する中心遮蔽タイプの投影光学系を備えた光学装置であって、有効結像領域内の各点について瞳の形状がほぼ一様で、良好な光学性能を確保することができる。また、本発明の露光装置では、良好な光学性能を有する光学装置を用いるとともに、例えば露光光としてＥＵＶ光を用いて、高解像度で良好な投影露光を行うことができる。
ＥＵＶ露光装置の投影光学系の瞳を光束が通過する様子を概略的に示す図である。 本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。 ウェハ上に形成される円弧状の有効結像領域と光軸との位置関係を示す図である。 本実施形態にかかる露光装置の投影光学系の瞳を光束が通過する様子を概略的に示す第１の図である。 本実施形態にかかる露光装置の投影光学系の瞳を光束が通過する様子を概略的に示す第２の図である。 投影光学系の瞳近傍に配置された開口絞りおよび遮蔽部の断面図である。 半導体デバイスを得る際の手法の一例について、そのフローチャートを示す図である。
　以下、本発明の実施形態の具体的な説明に先立って、本発明の基本的な考え方を説明する。前述したように、ＥＵＶ露光装置では、解像度の向上を図ることのできる投影光学系として、瞳の中心を遮蔽する中心遮蔽タイプの光学系が採用される可能性がある。これは、仮に中心遮蔽タイプの投影光学系を採用しないとすると、ウェハからマスク側へ光路を遡って考えた場合、ウェハ側から１番目のミラー（後述する本実施形態の第６反射鏡Ｍ６に対応）ＭＵの直径はウェハに入射する光束の開口数（ＮＡ）に応じて大きくなり、ウェハ側から２番目のミラー（本実施形態の第５反射鏡Ｍ５に対応）ＭＰは大型ミラーＭＵを避けるように光軸に対して大きく角度を付けてウェハ側から３番目のミラー（本実施形態の第４反射鏡Ｍ４に対応）ＭＭへ光束を跳ね上げる必要があり、光学設計が困難になることが考えられる。
　一方、中心遮蔽タイプの投影光学系を採用して瞳の中心遮蔽を許容すると、ウェハからマスク側へ光路を遡って考えた場合、ウェハ側から１番目のミラーＭＵで受けた光束が、ウェハ側から２番目のミラーＭＰを経て３番目のミラーＭＭへ辿る際に、ミラーＭＵの中央開口部を通過するように光束を遡らせることが可能になる。ここで、ミラーＭＵの中央開口部の部分が、瞳の中心遮蔽領域に相当する。
　このように、像側開口数が例えば０．５以上の高ＮＡの投影光学系においては、その瞳の中心部に遮蔽領域を設けて輪帯状の瞳を形成することにより、光学設計が容易になる。もちろん、瞳の外周は像側開口数に応じて大きいが瞳の中心部に無効部分があるため、瞳の外周が大きく且つその全体が有効な場合に比して多少遜色があるものの、大きい像側開口数に応じた高い解像度で微細パターンを正確に転写することができる。
　瞳の中心部の遮蔽領域は、できるだけ小さいほうが好ましく、必要最小限の大きさに抑えるべきである。しかしながら、最小限の光束だけを遮蔽する構成では、中心部の遮蔽領域が異形になり且つ有効結像領域内の各点について遮蔽領域の形状が互いに異なるものとなるため、有効結像領域内での光強度分布の不均一性を招いてしまう。そのため、実際には、遮蔽される瞳の内径の最大値をもつ「等ＮＡ線」で全周遮蔽するのが一般的である。この等ＮＡ線は、瞳内ではほぼ円形をなす（瞳をＮＡ座標系で表現した場合には円形である）。したがって、所定の小さいＮＡに対応する瞳の中心領域を遮蔽するために、専用の中心遮蔽板を射出瞳面もしくはその共役面上に配置する。
　２枚ミラータイプの反射光学系では、中心遮蔽板は小さい円形状の平板である。この中心遮蔽板には、保持のための支持バーが取り付けられ、外周の部材から支持される。支持バーは、解像（結像）に対する影響の小さい方位に沿って取り付けられる。しかしながら、実際には、支持バーにより一部の回折光が意図に反して遮蔽されるため、可能な限り細い支持バーが用いられる。
　このように、従来技術では、単なる平板から円形または楕円形に切り抜いて得られる中心遮蔽板を瞳近傍に配置するだけのものであった。しかしながら、中心遮蔽板の光学的な存在意義は、輪帯状の瞳の内周を規定（形成）するものである。したがって、開口絞りが瞳の外周を所定のＮＡに対応する形状に規定するように、中心遮蔽板は瞳の内周を所定のＮＡに対応する形状に規定することが好ましい。
　そこで、本実施形態では、ＥＵＶ露光装置の投影光学系内に、投影光学系の光軸方向の高さが異なる内周エッジを有し、光束の外形状を規定する絞り部材と、投影光学系の光軸方向の高さが異なる外周エッジを有し、光束の一部を遮蔽する遮蔽部とを配置した。この絞り部材の内周エッジは、投影光学系の光軸方向の高さが瞳の方位に沿って曲線状に変化し、また、遮蔽部の外周エッジは、投影光学系の光軸方向の高さが瞳の方位に沿って曲線状に変化している。
　特に、ＥＵＶ露光装置において投影光学系の有効結像領域が光軸から離れている場合、瞳の内周を所定のＮＡに対応する形状に規定するための遮蔽部（中心遮蔽板）の外周エッジは、その所定のＮＡ（第２開口数）の光束が瞳の各方位に作る最小錯乱円を結んだ曲線で規定される。これは、開口絞りの開口部の形状、すなわち開口絞り（絞り部材）の内周エッジが、瞳の各方位に対する所定のＮＡ（第２開口数よりも大きい第１開口数）の光束の最小錯乱円を結んだ三次元的な閉曲線で規定されることと同様である。なお、遮蔽部の外周エッジを規定する曲線は、開口絞りの内周エッジの場合と同様に、三次元的な閉曲線で規定される。
　瞳近傍における所定のＮＡの光束の最小錯乱円の光軸方向の高さ（光軸方向の位置；以下、単に「高さ」ともいう）は、ＮＡの大きさに応じて異なる。従って、瞳の外周に対応するＮＡ（例えばＮＡ＝０．６；第１開口数）の光束の最小錯乱円で規定される開口絞りの光軸方向の高さと、瞳の内周に対応するＮＡ（例えばＮＡ＝０．０６；第２開口数）の光束の最小錯乱円で規定される遮蔽部の光軸方向の高さとは異なる可能性がある。これは、瞳近傍における等ＮＡ線が歪んだ三次元曲線を描いており、それらを包絡した三次元曲面が歪んでいることによる。
　次に、瞳の各方位に対する同一ＮＡの光束の最小錯乱円の光軸方向の高さが異なる点について説明する。ＥＵＶ露光装置の投影光学系では、それが共軸設計であっても非共軸設計であっても、ウェハ側で同じＮＡを持つ光線を有効結像領域内（フィールド内）の各点から逆追跡すると、瞳近傍において最適な瞳となる光軸方向の高さが瞳の方位毎に異なっていることが分かった。
　有効結像領域内の各点から出た同一ＮＡの光線は、瞳近傍において同一点では交わらず、ある最小錯乱円を持つ光束となる。この最小錯乱円の高さは、瞳の方位により異なっており、特にＮＡのサジタル方向とメリジオナル方向とで大きく歪んでいる。すなわち、単に平面上に楕円が描かれたり、マスクパターン面およびウェハ転写面に平行でない平面上に曲線が描かれたりするのではなく、有効結像領域内の各点について同一ＮＡの各方位に飛ばした光線が作る光束の最小錯乱円の高さを瞳の方位毎に結んだ閉曲線は、同一平面上にはない。この傾向は光学設計が共軸・非共軸に関わらず発生するが、非共軸の設計の方が共軸の設計よりもその非対称性は強くなり、像側開口数の大きい光学系の方が像側開口数の小さい光学系よりも非対称性は強くなる。
　図１は、ＥＵＶ露光装置の投影光学系の瞳を光束が通過する様子を概略的に示す図である。図１では、投影光学系が、例えばマスクからウェハに向かう光学的順序に沿って、第１反射鏡Ｍ１、第２反射鏡Ｍ２、第３反射鏡Ｍ３、第４反射鏡Ｍ４、第５反射鏡Ｍ５、および第６反射鏡Ｍ６という６枚のミラーにより構成されているものと想定している。そして、第１反射鏡Ｍ１から第２反射鏡Ｍ２へ至る光路中に第１の瞳があり、第５反射鏡Ｍ５から第６反射鏡Ｍ６へ至る光路中に第２の瞳があるものと想定している。
　この場合、マスクからの光が第１反射鏡Ｍ１で反射され、第１反射鏡Ｍ１から第２反射鏡Ｍ２へ向かって、瞳を光束が下から（ウェハ側から）上へ（マスク側へ）通過する。また、第４反射鏡Ｍ４（ウェハ側から３番目のミラーＭＭに対応）からの光が第５反射鏡Ｍ５（ウェハ側から２番目のミラーＭＰに対応）で反射され、第５反射鏡Ｍ５から第６反射鏡Ｍ６（ウェハ側から１番目のミラーＭＵに対応）へ向かって瞳を光束が下から上へ通過する。
　図１のＸＹＺ直交座標系において、Ｚ軸は投影光学系の光軸と平行に設定され、Ｙ軸はマスクおよびウェハの走査方向（スキャン方向）と平行に設定され、Ｘ軸は走査方向と直交する走査直交方向（非スキャン方向）と平行に設定されている。なお、上述の想定と異なる光学系においては、必ずしも第１反射鏡Ｍ１から第２反射鏡Ｍ２へ至る光路中および第５反射鏡Ｍ５から第６反射鏡Ｍ６へ至る光路中に瞳があるわけではなく、また瞳を通過する光束が下から上へ向かうとも限らない。
　図１を参照すると、主光線２１はＮＡが０に相当する光線であり、有効結像領域内の各点から出たＮＡが０の光線が瞳近傍で最も収斂する点２３１を以って、主光線２１の瞳の光軸方向の代表的な高さ、すなわち基準高さとする。光学系の特性から、有効結像領域内の各点から出た同一ＮＡの光線は瞳近傍において完全には１点に収斂することなく、最小錯乱円が得られる。従来、この最小錯乱円の高さの近傍に、所定のＮＡ（例えばＮＡ＝０．２５等）の光束に対応して、Ｚ軸と直交する水平面に円形もしくは楕円形の開口部を有する開口絞りを配置していた。
　しかしながら、例えば所定のＮＡの光束について、瞳内の各方位（瞳において±Ｘ方位、±Ｙ方位の４方向）でそれぞれ、有効結像領域内の各点から出た同一ＮＡの光線が瞳近傍で最も収斂する最小錯乱円の光軸方向の高さをプロットすると、それぞれ参照符号２３２，２３３，２３４，２３５に示すような高さとなる。なお、図１において参照符号２２で示す円は、基準高さ２３１における所定のＮＡを表している。
　例えば、図１のように瞳近傍で主光線２１が－Ｚ方向側から＋Ｚ方向側へ向かうときに＋Ｙ方向側から－Ｙ方向側へ傾いて進行すると、典型的なＥＵＶ露光装置の投影光学系の設計例（有効結像領域が光軸から離れており且つＹ軸に関して対称な例）においては、瞳の＋Ｙ方位を通過する所定のＮＡの光束の最小錯乱円の光軸方向の高さ２３２は、基準高さ２３１よりも－Ｚ方向側にあることが分かった。また、瞳の－Ｘ方位および＋Ｘ方位を通過する所定のＮＡの光束の最小錯乱円の光軸方向の高さ２３３および２３４は、基準高さ２３１よりも＋Ｚ方向側にあることが分かった。
　さらに、瞳の－Ｙ方位を通過する所定のＮＡの光束の最小錯乱円の高さ２３５は、基準高さ２３１よりも＋Ｚ方向側にあり、且つ高さ２３３および２３４よりも高い位置にあることが分かった。一例として、基準の高さ２３１をＺ＝０ｍｍとすると、高さ２３２はＺ＝－４ｍｍになり、高さ２３３及び２３４はＺ＝＋５ｍｍになり、高さ２３５はＺ＝＋１０ｍｍになる。
　仮に、所定のＮＡの光束の最小錯乱円の高さが瞳の各方位で同一平面上に並んでいるとすると、高さ２３２と高さ２３３及び２３４との差は、高さ２３３及び２３４と高さ２３５との差と一致するはずである。しかしながら、実際には、高さ２３２と高さ２３３及び２３４との差は４ｍｍであり、高さ２３３及び２３４と高さ２３５との差は５ｍｍであり、双方の差は互いに異なっている。このことは、瞳の各方位に対する所定のＮＡの光束の最小錯乱円の高さを結んで得られる輪郭の曲線をＸ方向から投影したとき、その輪郭の投影は直線ではなく曲線を描いていることを意味する。すなわち、例えばＮＡ＝０．２５の光束に対応する瞳の輪郭は、三次元的な閉曲線（曲面に穴を開けたときに穴の外周が描く曲線）であることを意味する。
　したがって、ＥＵＶ露光装置の投影光学系において、主光線が光軸に対して傾いて瞳近傍を通過する場合、光学性能の向上のためには、開口絞りの内周エッジが同一平面上に無いような上述の三次元閉曲線により規定される。上述の説明は、瞳を通過する第１開口数の光束の外形状（外周）を規定する開口絞りのみならず、瞳を通過する光束の一部すなわち第１開口数よりも小さい第２開口数の光束を遮蔽する遮蔽部に対しても同様に成り立つ。事実、上述の説明では、「同一のＮＡ」に対応した光線がなす最小錯乱円の光軸方向の位置を瞳の各方位で結んだ線が、同一平面上にはない三次元的な閉曲線を描くことを述べているに過ぎず、「同一のＮＡ」に対応した光線が瞳の外周を規定する光線であるか瞳の内周を規定する光線であるかの限定をしていない。
　本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図２は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。また、図３は、ウェハ上に形成される円弧状の有効結像領域と光軸との位置関係を示す図である。図２において、投影光学系ＰＯの光軸ＡＸ方向すなわち感光性基板であるウェハＷの露光面（転写面）の法線方向に沿ってＺ軸を、ウェハＷの露光面内において図２の紙面に平行な方向にＹ軸を、ウェハＷの露光面内において図２の紙面に垂直な方向にＸ軸をそれぞれ設定している。
　図２の露光装置は、露光光を供給するための光源ＬＳとして、たとえばレーザプラズマＸ線源を備えている。光源ＬＳとして、放電プラズマ光源や他のＸ線源を用いることができる。光源ＬＳから射出された光は、必要に応じて配置された波長選択フィルタ（不図示）を介して、照明光学系ＩＬに入射する。波長選択フィルタは、光源ＬＳが供給する光から、所定波長（例えば１３．５ｎｍ）のＥＵＶ光だけを選択的に透過させ、他の波長光の透過を遮る特性を有する。
　波長選択フィルタを経たＥＵＶ光は、凹面反射鏡の形態を有するコリメータ光学系１を経てほぼ平行光束となり、一対のフライアイミラー２ａおよび２ｂからなるオプティカルインテグレータ２へ導かれる。第１フライアイミラー２ａは、例えば円弧状の外形を有する多数の凹面鏡要素を縦横に且つ稠密に配列することにより構成されている。第２フライアイミラー２ｂは、例えば正方形状に近い矩形状の外形を有する多数の凹面鏡要素を縦横に且つ稠密に配列することにより構成されている。一対のフライアイミラー２ａおよび２ｂの詳細な構成および作用については、たとえば特開平１１－３１２６３８号公報を参照することができる。
　オプティカルインテグレータ２の射出面の近傍、すなわち第２フライアイミラー２ｂの反射面の近傍位置（照明瞳の位置）には、所定の形状を有する実質的な面光源が形成される。この実質的な面光源からの光は、凹面反射鏡の形態を有するコンデンサー光学系３および平面状の反射面を有する偏向部材４を経た後、照明光学系ＩＬ（１～４）から射出される。実質的な面光源が形成される照明光学系ＩＬの照明瞳の位置は、投影光学系ＰＯの入射瞳の位置、または投影光学系ＰＯの入射瞳と光学的に共役な位置である。
　照明光学系ＩＬから射出された光は、反射型のマスクＭにほぼ平行に且つ近接して配置された視野絞り（不図示）の円弧状の開口部（光透過部）を介して、マスクＭ上に円弧状の照明領域を形成する。このように、光源ＬＳおよび照明光学系ＩＬは、所定のパターンが設けられたマスクＭをケーラー照明するための照明系を構成している。
　マスクＭは、そのパターン面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｙ方向に沿って移動可能なマスクステージＭＳによって保持されている。マスクステージＭＳの移動は、図示を省略したレーザー干渉計により計測される。マスクＭ上には、Ｙ軸に関して対称な円弧状の照明領域が形成される。照明されたマスクＭからの光は、投影光学系ＰＯを介して、感光性基板であるウェハＷ上にマスクＭのパターン像を形成する。
　すなわち、ウェハＷ上には、図３に示すように、Ｙ軸に関して対称な円弧状の有効結像領域ＥＲが形成される。図３を参照すると、光軸ＡＸを中心とした円形状の領域（イメージサークル）ＩＦ内において、このイメージサークルＩＦに接するように円弧状の有効結像領域ＥＲが形成される。円弧状の有効結像領域ＥＲは光軸ＡＸを中心とする輪帯状の領域の一部である。マスクＭ上には、円弧状の有効結像領域ＥＲに光学的に対応するように、Ｙ軸に関して対称な円弧状の照明領域が形成される。
　ウェハＷは、その露光面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｘ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動可能なウェハステージＷＳによって保持されている。ウェハステージＷＳの移動は、マスクステージＭＳと同様に、図示を省略したレーザー干渉計により計測される。こうして、マスクステージＭＳおよびウェハステージＷＳをＹ方向に沿って移動させながら、すなわち投影光学系ＰＯに対してマスクＭおよびウェハＷをＹ方向に沿って相対移動させながらスキャン露光（走査露光）を行うことにより、ウェハＷの１つの露光領域にマスクＭのパターンが転写される。
　このとき、投影光学系ＰＯの投影倍率（転写倍率）が１／４である場合、ウェハステージＷＳの移動速度をマスクステージＭＳの移動速度の１／４に設定して同期走査を行う。また、ウェハステージＷＳをＸ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動させながら走査露光を繰り返すことにより、ウェハＷの各露光領域にマスクＭのパターンが逐次転写される。
　投影光学系ＰＯは、図２に示すように、直線状に延びる単一の光軸ＡＸに沿って、マスクＭのパターン面と光学的に共役な位置にパターンの中間像を形成するための第１反射光学系Ｇ１と、マスクＭのパターンの最終縮小像（中間像の像）をウェハＷ上に形成するための第２反射光学系Ｇ２とを備えている。すなわち、マスクＭのパターン面と光学的に共役な面が、第１反射光学系Ｇ１と第２反射光学系Ｇ２との間の光路中に形成される。
　第１反射光学系Ｇ１は、マスクＭからの光の入射順に、凹面状の反射面を有する第１反射鏡Ｍ１と、凹面状の反射面を有する第２反射鏡Ｍ２と、凸面状の反射面を有する第３反射鏡Ｍ３と、凹面状の反射面を有する第４反射鏡Ｍ４とにより構成されている。第２反射光学系Ｇ２は、第４反射鏡Ｍ４からの光の入射順に、凸面状の反射面を有する第５反射鏡Ｍ５と、凹面状の反射面を有する第６反射鏡Ｍ６とにより構成されている。
　第５反射鏡Ｍ５および第６反射鏡Ｍ６の反射面の中央には、開口部Ｍ５ａおよびＭ６ａがそれぞれ設けられている。第１反射鏡Ｍ１から第２反射鏡Ｍ２へ至る光路中の瞳近傍には、開口絞りＡＳおよび遮蔽部ＳＨが設けられている。投影光学系ＰＯの光路中には、この開口絞りＡＳ以外に開口絞りが配置されておらず、投影光学系ＰＯの開口数は開口絞りＡＳによる光束の制限によって決定される。
　投影光学系ＰＯでは、マスクＭのパターン面（第１面）において光軸ＡＸから離れた円弧上の照明領域からの光が、第１反射鏡Ｍ１の凹面状の反射面、第２反射鏡Ｍ２の凹面状の反射面、第３反射鏡Ｍ３の凸面状の反射面、および第４反射鏡Ｍ４の凹面状の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。第１反射光学系Ｇ１を介して形成された中間像からの光は、第６反射鏡Ｍ６の開口部Ｍ６ａを通過して第５反射鏡Ｍ５の凸面状の反射面で反射された後に、第６反射鏡Ｍ６の凹面状の反射面に入射する。第６反射鏡Ｍ６で反射された光は、第５反射鏡Ｍ５の開口部Ｍ５ａを通過した後、ウェハＷの表面（第２面）において光軸ＡＸから離れた円弧状の有効結像領域ＥＲにマスクパターンの縮小像を形成する。
　投影光学系ＰＯにおいて、すべての反射鏡Ｍ１～Ｍ６の反射面は、光軸ＡＸに関して回転対称な面形状に形成されている。また、投影光学系ＰＯは、ウェハ側（像側）にテレセントリックな光学系である。換言すれば、投影光学系ＰＯの有効結像領域ＥＲ内の各点に達する主光線は像面に対してほぼ垂直である。この構成により、投影光学系ＰＯの焦点深度内でウェハＷに凹凸があっても良好な結像が可能になっている。
　図４および図５は、本実施形態にかかる露光装置の投影光学系の瞳を光束が通過する様子を概略的に示す図である。図６は、投影光学系の瞳近傍に配置された開口絞りおよび遮蔽部の断面図である。図４～図６では、図１の場合と同様に、ＸＹＺ直交座標系のＺ軸は投影光学系ＰＯの光軸ＡＸと平行に設定され、Ｙ軸はマスクＭおよびウェハＷの走査方向と平行に設定され、Ｘ軸は走査直交方向と平行に設定されている。また、光軸ＡＸが鉛直方向に延びており、ＸＹ平面が水平面であり、投影光学系ＰＯはＹ軸に関して対称に設計されているものとする。
　図１、図４～図６を参照すると、本実施形態では、投影光学系ＰＯの第１反射鏡Ｍ１から第２反射鏡Ｍ２へ至る光路中の瞳近傍に、瞳を通過する光束１１の外形状を規定する開口絞り（絞り部材）ＡＳが設けられている。図４および図５において、参照符号１２は、瞳を通過する光束１１の主光線を示している。開口絞りＡＳは、予め所要の曲面状に成形された金属板に所定の形状の開口部ＡＳａを設けることにより形成されている。あるいは、開口絞りＡＳは、平面状の金属板に所定の形状の開口部ＡＳａを設けた後に、所要の曲面状に成形することにより形成されている。
　開口絞りＡＳの内周エッジＡＳｂ（すなわち開口部ＡＳａの輪郭）は、瞳の各方位に対する第１開口数ＮＡ１の光束の最小錯乱円を結んだ三次元的な閉曲線で規定され、光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）の高さが瞳の方位に沿って曲線状に変化している。第１開口数ＮＡ１は、瞳を通過する際に開口絞りＡＳにより規定されるべき光束１１の外形状に対応した像側開口数である。図４において、第１開口数ＮＡ１に対応する光束が瞳を通過する領域を円１３により模式的に示している。
　また、投影光学系ＰＯの第１反射鏡Ｍ１から第２反射鏡Ｍ２へ至る光路中の瞳近傍において開口部ＡＳａよりも－Ｚ方向の位置には、瞳を通過する光束１１の中央部分（すなわち光束１１の一部）を遮蔽する遮蔽部ＳＨが設けられている。遮蔽部ＳＨは、予め所要の曲面状に成形された金属板に所定の外形形状（輪郭）を付与することにより形成されている。あるいは、遮蔽部ＳＨは、所定の外形形状を有する平面状の金属板を所要の曲面状に成形することにより形成されている。
　遮蔽部ＳＨの外周エッジＳＨａは、第１開口数ＮＡ１よりも小さい第２開口数ＮＡ２の光束が瞳の各方位に作る最小錯乱円を結んだ三次元的な閉曲線で規定され、光軸ＡＸ方向の高さが瞳の方位に沿って曲線状に変化している。第２開口数ＮＡ２は、瞳を通過する際に遮蔽部ＳＨにより遮蔽されるべき光束１１の中央部分の外形状に対応した像側開口数である。図４において、第２開口数ＮＡ２に対応する光束が瞳を通過する領域を円１４により模式的に示している。
　遮蔽部ＳＨは、例えば支持バー（不図示）によって鏡筒（不図示）のような外周部の部材から所要の位置に保持されている。遮蔽部ＳＨの支持バーは、投影光学系ＰＯの光学性能に与える影響ができるだけ小さくなるような細い部材からなり、主要な回折光が通過するであろう方位（Ｘ軸方向やＹ軸方向など）を避けた方位に沿って配置される。支持バーの形態は片持ち方式でも両持ち方式でもよく、支持された遮蔽部ＳＨの外周エッジＳＨａが所要の位置（光学的に最適な位置）に配置されていればよい。
　本実施形態において、開口絞りＡＳ及び遮蔽部ＳＨを通過した光束は、輪帯形状を有する。また、図６に明瞭に示すように、開口絞りＡＳと遮蔽部ＳＨとは、光軸ＡＸに沿って互いに異なる位置に配置されている。なお、図６において破線で示す曲線１５は、等ＮＡ線（三次元曲線）を集めた瞳の包絡面（三次元曲面）を示している。
　また、図１を参照して説明したように、開口絞りＡＳの内周エッジにおいて、光軸ＡＸを挟んでＹ方向に対向する一対のエッジ点（図１の点２３２および２３５に対応）の光軸ＡＸ方向の位置は互いに異なる。一方、開口絞りＡＳの内周エッジにおいて、光軸ＡＸを挟んでＹ方向と直交するＸ方向に対向する一対のエッジ点（図１の点２３３および２３４に対応）の光軸ＡＸ方向の位置は互いに同じである。同様に、遮蔽部ＳＨの外周エッジにおいて、光軸ＡＸを挟んでＹ方向に対向する一対のエッジ点の光軸ＡＸ方向の位置は互いに異なり、光軸ＡＸを挟んでＸ方向に対向する一対のエッジ点の光軸ＡＸ方向の位置は互いに同じである。
　以上のように、本実施形態では、投影光学系ＰＯの第１反射鏡Ｍ１から第２反射鏡Ｍ２へ至る光路中の瞳近傍に設けられた開口絞りＡＳの内周エッジＡＳｂが、瞳の各方位に対する第１開口数ＮＡ１の光束の最小錯乱円を結んだ三次元的な閉曲線で規定されている。また、第１反射鏡Ｍ１から第２反射鏡Ｍ２へ至る光路中の瞳近傍に設けられた遮蔽部ＳＨの外周エッジＳＨａは、第１開口数ＮＡ１よりも小さい第２開口数ＮＡ２の光束が瞳の各方位に作る最小錯乱円を結んだ三次元的な閉曲線で規定されている。
　その結果、本実施形態の投影光学系ＰＯでは、開口絞りＡＳと遮蔽部ＳＨとの協働作用により、有効結像領域ＥＲ内の各点について輪帯状の瞳の形状がほぼ一様になり、ひいては良好な光学性能を確保することができる。また、本実施形態の露光装置では、良好な光学性能を有する投影光学系ＰＯを用いるとともに、露光光としてＥＵＶ光を用いているので、高解像度で良好な投影露光を行うことができる。
　なお、上述の実施形態では、投影光学系ＰＯが６つの反射鏡Ｍ１～Ｍ６により構成され、４つの反射鏡Ｍ１～Ｍ４が第１の結像光学系（第１反射光学系Ｇ１）を形成し、２つの反射鏡Ｍ５およびＭ６が第２の結像光学系（第２反射光学系Ｇ２）を形成している。しかしながら、これに限定されることなく、反射鏡の枚数、配置、結像回数などについては様々な形態が可能である。また、上述の実施形態では、投影光学系ＰＯの各反射鏡Ｍ１～Ｍ６の反射面が回転対称な面形状に形成されているが、これに限定されることなく、回転対称でない面形状であってもよい。
　また、上述の実施形態では、開口絞りＡＳおよび遮蔽部ＳＨの双方が、投影光学系ＰＯの第１反射鏡Ｍ１から第２反射鏡Ｍ２へ至る光路中の瞳近傍に設けられているが、これに限定されることなく、開口絞りおよび遮蔽部の配置については様々な形態が可能である。例えば、開口絞りＡＳおよび遮蔽部ＳＨの双方を、第５反射鏡Ｍ５から第６反射鏡Ｍ６へ至る光路中の瞳近傍に設けてもよい。あるいは、開口絞りＡＳ（または遮蔽部ＳＨ）を第１反射鏡Ｍ１から第２反射鏡Ｍ２へ至る光路中の瞳近傍に設け、遮蔽部ＳＨ（または開口絞りＡＳ）を第５反射鏡Ｍ５から第６反射鏡Ｍ６へ至る光路中の瞳近傍に設けてもよい。
　また、上述の実施形態では、１３．５ｎｍの波長を有するＥＵＶ光を例示的に用いているが、これに限定されることなく、例えば５～４０ｎｍ程度の波長を有するＥＵＶ光や、他の適当な波長の光を使用する投影光学系および露光装置に対しても同様に本発明を適用することができる。
　上述の実施形態では、マスクの代わりに、所定の電子データに基づいて所定パターンを形成する可変パターン形成装置を用いることができる。なお、可変パターン形成装置としては、たとえば所定の電子データに基づいて駆動される複数の反射素子を含む空間光変調素子を用いることができる。空間光変調素子を用いた露光装置は、たとえば特開２００４－３０４１３５号公報、国際特許公開第２００６／０８０２８５号パンフレットおよびこれに対応する米国特許公開第２００７／０２９６９３６号公報に開示されている。また、上述のような非発光型の反射型空間光変調器以外に、透過型空間光変調器を用いても良く、自発光型の画像表示素子を用いても良い。
　上述の実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行っても良い。
　次に、上述の実施形態にかかる露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。図７は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図７に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハＷに金属膜を蒸着し（ステップＳ４０）、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する（ステップＳ４２）。つづいて、上述の実施形態の露光装置を用い、マスク（レチクル）Ｍに形成されたパターンをウェハＷ上の各ショット領域に転写し（ステップＳ４４：露光工程）、この転写が終了したウェハＷの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行う（ステップＳ４６：現像工程）。
　その後、ステップＳ４６によってウェハＷの表面に生成されたレジストパターンをマスクとし、ウェハＷの表面に対してエッチング等の加工を行う（ステップＳ４８：加工工程）。ここで、レジストパターンとは、上述の実施形態の露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップＳ４８では、このレジストパターンを介してウェハＷの表面の加工を行う。ステップＳ４８で行われる加工には、例えばウェハＷの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップＳ４４では、上述の実施形態の露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハＷを感光性基板としてパターンの転写を行う。
　なお、上述の実施形態では、ＥＵＶ光を供給するための光源としてレーザプラズマＸ線源を用いているが、これに限定されることなく、ＥＵＶ光としてたとえばシンクロトロン放射（ＳＯＲ）光を用いることもできる。
　また、上述の実施形態では、露光装置の投影光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなく、第１面と第２面との間に配置された複数の反射鏡を有する光学系を備え、第１面の像を第２面上に形成する光学装置に対しても同様に本発明を適用することができる。
１　コリメータ光学系
２　オプティカルインテグレータ
２ａ，２ｂ　フライアイミラー
３　コンデンサー光学系
ＬＳ　光源
ＩＬ　照明光学系
Ｍ　マスク
ＭＳ　マスクステージ
ＰＯ　投影光学系
Ｍ１～Ｍ６　反射鏡
ＡＳ　開口絞り（絞り部材）
ＳＨ　遮蔽部
Ｗ　ウェハ
ＷＳ　ウェハステージ

Claims (15)

  1. 第１面と第２面との間に配置された複数の反射鏡を有する光学系を備え、前記第１面の像を前記第２面上に形成する光学装置において、
    　光束の外形状を規定する絞り部材と、
    　前記光束の一部を遮蔽する遮蔽部とを備え、
    　前記絞り部材は、前記光学系の光軸方向の高さが異なる内周エッジを有し、
    　前記遮蔽部は、前記光軸方向の高さが異なる外周エッジを有することを特徴とする光学装置。
  2. 前記第２面上の有効結像領域は、前記光軸から離れていることを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
  3. 前記絞り部材は、前記光学系の瞳を通過する前記光束の外形状を規定し、前記遮蔽部は、前記瞳を通過する前記光束の一部を規定し、
    　前記絞り部材及び前記遮蔽部を通過した前記光束は、輪帯形状を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光学装置。
  4. 前記絞り部材の内周エッジは、前記光学系の光軸方向の高さが前記瞳の方位に沿って曲線状に変化し、前記遮蔽部の外周エッジは、前記光軸方向の高さが前記瞳の方位に沿って曲線状に変化することを特徴とする請求項３に記載の光学装置。
  5. 前記絞り部材の前記内周エッジは、前記瞳の各方位に対する第１開口数の光束の最小錯乱円を結んだ三次元的な閉曲線で規定され、
    　前記遮蔽部の前記外周エッジは、前記第１開口数よりも小さい第２開口数の光束が前記瞳の各方位に作る最小錯乱円を結んだ三次元的な閉曲線で規定されていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の光学装置。
  6. 前記絞り部材と前記遮蔽部とは、前記光軸に沿って互いに異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学装置。
  7. 前記有効結像領域は、前記第２面上において前記光軸を通る第１方向に関して対称な外形形状を有し、
    　前記絞り部材の前記内周エッジにおいて、前記光軸を挟んで前記第１方向に対向する一対のエッジ点の前記光軸方向の位置は互いに異なり、
    　前記遮蔽部の前記外周エッジにおいて、前記光軸を挟んで前記第１方向に対向する一対のエッジ点の前記光軸方向の位置は互いに異なることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の光学装置。
  8. 前記絞り部材の前記内周エッジにおいて、前記光軸を挟んで前記第１方向と直交する第２方向に対向する一対のエッジ点の前記光軸方向の位置は互いに同じであり、
    　前記遮蔽部の前記外周エッジにおいて、前記光軸を挟んで前記第２方向に対向する一対のエッジ点の前記光軸方向の位置は互いに同じであることを特徴とする請求項７に記載の光学装置。
  9. 前記第１面の縮小像を前記第２面上に形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光学装置。
  10. 前記光学系は、前記第２面側にテレセントリックな光学系であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光学装置。
  11. 光源からの光により前記第１面に設置された所定のパターンを照明するための照明系と、前記所定のパターンを前記第２面に設置された感光性基板に投影するための請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光学装置とを備えていることを特徴とする露光装置。
  12. 前記光源から供給される光は波長が５ｎｍ乃至４０ｎｍのＥＵＶ光であり、
    　前記光学装置の前記光学系に対して前記所定のパターンおよび前記感光性基板を第１方向に相対移動させて、前記所定のパターンを前記感光性基板に投影露光することを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
  13. 前記絞り部材の前記内周エッジにおいて、前記光軸を挟んで前記第１方向に対向する一対のエッジ点の前記光軸方向の位置は互いに異なり、
    　前記遮蔽部の前記外周エッジにおいて、前記光軸を挟んで前記第１方向に対向する一対のエッジ点の前記光軸方向の位置は互いに異なることを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
  14. 前記絞り部材の前記内周エッジにおいて、前記光軸を挟んで前記第１方向と直交する第２方向に対向する一対のエッジ点の前記光軸方向の位置は互いに同じであり、
    　前記遮蔽部の前記外周エッジにおいて、前記光軸を挟んで前記第２方向に対向する一対のエッジ点の前記光軸方向の位置は互いに同じであることを特徴とする請求項１２または１３に記載の露光装置。
  15. 請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光することと、
    　前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成することと、
    　前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
PCT/JP2012/058817 2011-04-05 2012-04-02 光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 WO2012137699A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011083251 2011-04-05
JP2011-083251 2011-04-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012137699A1 true WO2012137699A1 (ja) 2012-10-11

Family

ID=46969099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/058817 WO2012137699A1 (ja) 2011-04-05 2012-04-02 光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2012137699A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014223811A1 (de) 2014-11-21 2016-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001185480A (ja) * 1999-10-15 2001-07-06 Nikon Corp 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置
JP2004246343A (ja) * 2003-01-21 2004-09-02 Nikon Corp 反射光学系及び露光装置
JP2005086148A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Nikon Corp 極端紫外線光学系及び露光装置
WO2006001291A1 (ja) * 2004-06-23 2006-01-05 Nikon Corporation 投影光学系、露光装置および露光方法
WO2009121541A1 (de) * 2008-04-04 2009-10-08 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur mikrolithographischen projektionsbelichtung sowie vorrichtung zur inspektion einer oberfläche eines substrats
WO2010032753A1 (ja) * 2008-09-18 2010-03-25 株式会社ニコン 開口絞り、光学系、露光装置及び電子デバイスの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001185480A (ja) * 1999-10-15 2001-07-06 Nikon Corp 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置
JP2004246343A (ja) * 2003-01-21 2004-09-02 Nikon Corp 反射光学系及び露光装置
JP2005086148A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Nikon Corp 極端紫外線光学系及び露光装置
WO2006001291A1 (ja) * 2004-06-23 2006-01-05 Nikon Corporation 投影光学系、露光装置および露光方法
WO2009121541A1 (de) * 2008-04-04 2009-10-08 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur mikrolithographischen projektionsbelichtung sowie vorrichtung zur inspektion einer oberfläche eines substrats
WO2010032753A1 (ja) * 2008-09-18 2010-03-25 株式会社ニコン 開口絞り、光学系、露光装置及び電子デバイスの製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014223811A1 (de) 2014-11-21 2016-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie
EP3023824A1 (en) 2014-11-21 2016-05-25 Carl Zeiss SMT GmbH Catoptric imaging system for euv projection lithography
US9625827B2 (en) 2014-11-21 2017-04-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit for EUV projection lithography
US9835953B2 (en) 2014-11-21 2017-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit for EUV projection lithography
US10191386B2 (en) 2014-11-21 2019-01-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit for EUV projection lithography

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11467501B2 (en) Image-forming optical system, exposure apparatus, and device producing method
JP2021193456A (ja) 露光装置、露光方法および高密度ラインのパターニングのためのｅｕｖリソグラフィシステム
JP5509933B2 (ja) オプティカルインテグレータ、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
KR101892766B1 (ko) 반사 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20170114976A (ko) 투영 노광 방법 및 투영 노광 장치
WO2012137699A1 (ja) 光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP6365723B2 (ja) 反射結像光学系、結像方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP4822417B2 (ja) 露光装置および露光方法
JP2017198759A (ja) 照明装置、照明方法、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2009258461A (ja) 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12767497

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12767497

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP