WO2006001282A1 - 位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 - Google Patents

位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2006001282A1
WO2006001282A1 PCT/JP2005/011377 JP2005011377W WO2006001282A1 WO 2006001282 A1 WO2006001282 A1 WO 2006001282A1 JP 2005011377 W JP2005011377 W JP 2005011377W WO 2006001282 A1 WO2006001282 A1 WO 2006001282A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
positioning
substrate
exposure
point
points
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/011377
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Dai Arai
Original Assignee
Nikon Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corporation filed Critical Nikon Corporation
Priority to JP2006528546A priority Critical patent/JPWO2006001282A1/ja
Priority to EP05753361A priority patent/EP1780771A1/en
Priority to US11/630,825 priority patent/US20090123853A1/en
Publication of WO2006001282A1 publication Critical patent/WO2006001282A1/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment

Definitions

  • Projection exposure devices such as steppers are equipped with stage devices that place reticles and wafers and precisely move in one or two dimensions within a plane (XY plane) under position servo control by a laser interferometer.
  • stage devices that place reticles and wafers and precisely move in one or two dimensions within a plane (XY plane) under position servo control by a laser interferometer.
  • high position control performance is required in addition to high acceleration and high speed of the stage device.
  • the positioning object when the drive unit driving force is applied to the table unit on which the positioning target is placed, the two points between the force point and the positioning target point, the measured point, the positioning target point, Since the relative positions of the two points and the two points of the force point and the measured point are kept constant, the positioning object can be positioned with high accuracy. Further, since the distortion hardly occurs between the two points when the table portion is moved, it is possible to prevent internal vibration of the table portion due to the release of the distortion.
  • the table section (43) is provided with an actuator (87) for maintaining the relative position of the two points of the predetermined member (82) and the force point (91) in the table section to be substantially constant.
  • the actuator (96, 97) for example, by using the piezoelectric actuator (86, 87), the above configuration can be easily realized.
  • the positioning object when the drive unit driving force is applied to the table unit on which the positioning target is placed, the two points between the force point and the positioning target point, the measured point, the positioning target point, Since the relative positions of the two points and the two points of the force point and the measured point are kept constant, the positioning object can be positioned with high accuracy. Further, since the distortion hardly occurs between the two points when the table portion is moved, it is possible to prevent internal vibration of the table portion due to the release of the distortion.
  • a positioning method is a positioning method in which an object (W) is placed on a table portion (43) and the table portion is moved by a driving device (46). While the table part is moving, the relative position between the force point (91) of the table part to which the driving force (F) of the drive device is applied and the positioning target point (92) on the object is substantially constant. To be maintained.
  • positioning of the mask or the substrate can be performed with high accuracy, and generation of internal vibration is prevented when the stage is accelerated or decelerated, so that the positioning of the mask and the substrate can be performed efficiently. It can be carried out.
  • the exposure method of the present invention is an exposure method for forming a predetermined pattern on the substrate (W), and the positioning method of the present invention is used for positioning the substrate.
  • FIG. 3C is a conceptual diagram showing an operation when a driving force F is added to the XY table 43.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing a modification of the XY table 43.
  • FIG. 7 is a flowchart showing an example of a microdevice manufacturing process.
  • the exposure apparatus EX includes an illumination optical system 10 that illuminates the reticle R with the exposure light EL, a reticle stage 20 that holds the reticle R, and a projection that projects the exposure light EL emitted from the reticle R onto the wafer W. It includes an optical system 30, a wafer stage 40 for holding the wafer W, a control device 50 for comprehensively controlling the exposure apparatus EX, and the like.
  • the exposure light EL emitted from the illumination optical system 10 includes far ultraviolet light (D-ray, wavelength 248nm), such as ultraviolet emission lines (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength 248nm). UV light), vacuum ultraviolet light (VUV light) such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used.
  • D-ray wavelength 248nm
  • ultraviolet emission lines g-line, h-line, i-line
  • KrF excimer laser light wavelength 248nm
  • UV light ultraviolet emission lines
  • VUV light vacuum ultraviolet light
  • ArF excimer laser light wavelength 193 nm
  • a movable mirror 21 is provided on the reticle stage 20.
  • a laser interferometer 22 is provided at a position facing the movable mirror 21.
  • the position and rotation angle of reticle R on reticle stage 20 are measured in real time by laser interferometer 22, and the measurement result is output to control device 50.
  • the control device 50 drives a linear motor or the like based on the measurement result of the laser interferometer 22 so that the reticle R is supported by the reticle stage 20 and positioned.
  • the sensor support base 35 is a member that supports sensors such as an autofocus sensor. Further, a kinematic mount (not shown) is provided between the first support plate 110 and the sensor support frame 35, and the tilt angle of the projection optical system 30 can be adjusted.
  • a wafer stage (positioning device, substrate stage) 40 performs two-dimensional movement in the XY plane and fine rotation in the 0Z direction while supporting the wafer W, and a wafer holder 41 for holding the wafer W 41
  • the wafer holder 41 is micro-driven in three degrees of freedom in the Z-axis direction, 0 X direction, and 0 Y direction.
  • XY table (table part) 43 that moves continuously in the direction and step moves in the X-axis direction.
  • Wafer surface plate 44, Z table 42, and XY table 43 that support XY table 43 movably in the XY plane. It is equipped with a drive unit 46 (see Fig. 2) that also has a linear motor equal force that translates integrally.
  • a movable mirror 47 is provided on the Z table 42, and a laser interferometer (position measuring unit) 48 force is provided at a position facing the movable mirror 47.
  • the two-dimensional position and rotation angle of the wafer W on the wafer stage 40 are measured in real time by the laser interferometer 48, and the measurement result is output to the controller 50. Then, based on the measurement result of the laser interferometer 48, the control device 50 drives the linear motor or the like, thereby positioning the wafer W supported by the wafer and the stage 40.
  • the control device 50 controls the exposure apparatus in an integrated manner, and includes a storage unit that records various information, an input / output unit, and the like in addition to a calculation unit that performs various calculations and controls.
  • the positions of the reticle R and wafer W are controlled based on the detection results of the laser interferometers 22 and 48, and the image of the pattern ⁇ ⁇ formed on the reticle R is placed on the wafer area on the wafer W.
  • the exposure operation for transferring is repeated.
  • FIG. 2 is an enlarged schematic diagram of the XY table 43.
  • the XY table 43 includes an upper member 81 on which the Z stage is placed, a lower member (predetermined member) 82 on which the air pad 45 is disposed on the lower surface, and a part of the mover 46a of the drive unit 46. It consists of a moving element fixing member 83 and the like.
  • the upper member 81 and the lower member 82 are flat plate members, and the upper member 81 and the lower member 82 are connected via a plurality of connecting members 85.
  • the mover fixing member 83 is disposed between the upper member 81 and the lower member 82 and connected to the lower surface of the upper member 81 via a plurality of connecting members 84. Then, on the lower surface of the upper member 81 and the upper surface of the mover fixing member 83, the mover 46a of the linear motor (drive unit 46) that moves the XY table 43 in the X-axis direction or the Y-direction is opposed to each other. It is done.
  • a stator 46b connected to the Ueno, the stage surface plate 44, or the support plate 210 is disposed between the pair of movers 46a.
  • Each of the connecting members 84 and 85 is a quadrangular columnar member extending in the Z direction. For this reason, as compared with the upper member 81, the lower member 82, and the mover fixing member 83, the rigidity in the X direction and the Y direction is low.
  • Piezoelectric actuators 86 and 87 are attached to the surfaces of the connecting members 84 and 85 in the X direction and the Y direction, respectively. Of the piezoelectric actuators 86 and 87 attached to the four surfaces, the pair of piezoelectric actuators 86 and 87 attached to the opposite surfaces is differentially expanded and contracted by a command from the control device 50 described later. To do.
  • the piezoelectric actuator 86 attached to the surface of the connecting member 84 in the + X direction extends, —The piezoelectric actuator 86 pasted on the X-direction surface shrinks by the same amount.
  • the piezoelectric actuators 86 and 87 attached to the opposite surfaces expand and contract differentially, so that the connecting members 84 and 85 can be slightly deformed so as to bend in the X direction.
  • the piezoelectric actuators 86 and 87 pasted on the opposite surfaces in the Y direction can also be operated in a differential manner so that the connecting members 84 and 85 can be slightly deformed to bend in the Y direction. It becomes.
  • the base frame 200 has a support plate 210 that supports the wafer stage 40 via the vibration isolation unit 70 on the upper surface thereof, and a main body frame 100 that is erected on the support plate 210 and that is supported via the vibration isolation unit 60.
  • a plurality of supporting columns 220 and forces are also configured.
  • the support plate 210 and the support column 220 may be connected to each other by fastening means or the like, or may be formed integrally.
  • the foundation frame 200 is installed substantially horizontally on the floor surface of the clean room via the foot 215.
  • the positioning target point 92 and the measurement target are measured.
  • the panel element 95 exists between the two points 93, and when a large driving force F is applied to the power point 91 of the heel table 43, the panel element 95 is compressed. Therefore, when the acceleration or deceleration is finished and the driving force F is no longer attached, the distortion generated in the panel element 95 is released as in the panel element 94, generating the internal vibration of the table 43. .
  • the actuator 96 is driven to oppose the direction of the force F2 between the force point 91 and the positioning target point 92 and has a force ( ⁇ F2) is generated.
  • the actuator 97 is driven to generate a force (one F3) having substantially the same magnitude, facing the direction of the force F3 applied between the positioning target point 92 and the measured point 93.
  • the actuators 96 and 97 generate the force F2 between the force point 91 and the positioning target point 92 and the force F3 between the positioning target point 92 and the measured point 93 ( F2 and F3 are the forces in the opposite direction to the driving force F, and are indicated by solid arrows in Fig. 3).
  • F2 and F3 are the forces in the opposite direction to the driving force F, and are indicated by solid arrows in Fig. 3.
  • the panel elements 94 and 95 and the actuating unit are respectively provided between two points of the force point 91 and the positioning target point 92 and between the positioning target point 92 and the measured point 92.
  • the force explained that 96 and 97 exist in parallel Only the actuators 96 and 97 may exist between these two points.
  • a member having low rigidity such as the connecting member 84 may be constituted by only a piezoelectric actuator.
  • the connecting members 84 and 85 forming a part of the structural material of the XY table 43 may be constituted by piezoelectric actuators (piezoelectric elements).
  • structural members other than the connecting members 84 and 85 may be replaced with piezoelectric actuators.
  • a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or a phase pattern 'dimming pattern') is formed on a light-transmitting base, or a predetermined reflection pattern light reflection on a light-reflecting substrate.
  • Power using a mold mask not limited to them.
  • an electronic mask (which is a kind of optical system) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed may be used. .
  • Such an electronic mask is disclosed in, for example, US Pat. No. 6,778,257.
  • a reticle or mask used in an optical exposure apparatus EUV exposure apparatus, X-ray exposure apparatus, electron beam exposure apparatus, etc.
  • EUV exposure apparatus X-ray exposure apparatus, electron beam exposure apparatus, etc.
  • a transmission type reticle is generally used.
  • quartz glass, fluorine-doped quartz glass, fluorite, Magnesium fluoride or quartz is used as a reticle substrate.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

　可動ステージの加速中に、ステージの位置決め制動の向上を図ると共に、ステージの内部振動の発生を抑えてスループットの向上させることができる位置決め装置等を提供する。位置決め対象物（Ｗ）を載置するとともに少なくとも一軸方向に移動可能なテーブル部（４３）と、テーブル部（４３）に一軸方向への駆動力（Ｆ）を付加する駆動部と、テーブル部の一軸方向における位置を計測する位置計測部（４８）と、を有する位置決め装置において、テーブル部（４３）は、駆動力（Ｆ）が付加される力点（９１）と位置決め対象物Ｗが載置される位置決め対象点（９２）との二点間、位置計測部による被計測点（９３）と位置決め対象点（９２）との二点間、及び力点（９１）と被計測点（９３）との二点間のうちの１つ以上に、それぞれの二点の相対位置を略一定に維持するアクチュエータ（９６，９７）を備える。

Description

明 細 書
位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製 造方法
技術分野
[0001] 本発明は、物体を保持しつつ高加速で移動する位置決め装置、及びこれを備える 露光装置等に関する。
本願は、 2004年 6月 25日に出願された特願 2004— 188113号に基づき優先権 を主張し、その内容をここに援用する。
背景技術
[0002] 半導体素子、液晶表示素子等を製造するためのリソグラフイエ程では、マスク又は レチクル (以下「レチクル」と総称する）に形成されたパターンを投影光学系を介して レジスト等が塗布されたウェハ又はガラスプレート等の感光物体（以下、「ウェハ」と総 称する）上に転写するステップ'アンド'リピート方式の縮小投影露光装置 (いわゆるス テツパ）や、このステツパに改良を加えたステップ ·アンド'スキャン方式の走査型投影 露光装置（ 、わゆるスキヤャユング'ステツノ などが主として用いられて！/、る。
ステツパなどの投影露光装置では、レチクルやウェハを載置してレーザ干渉計によ る位置サーボ制御の下で平面 (XY平面）内で精密に 1次元或いは 2次元移動するス テージ装置が設けられており、高スループットでかつ高精度な露光を実現する必要 から、ステージ装置の高加速度化及び高速化に加え、高い位置制御性能 (位置決め 性能を含む）が要求されて 、る。
このような要請に応じて、可動ステージを駆動する際に生じる運動エネルギーを力 ゥンターマスで吸収して反力や振動を抑える技術や、移動中の可動ステージに生じ る重心を中心とした左右方向の回転運動を気体静圧軸受（いわゆるョーベアリング） を用いて抑制する技術 (特許文献 1参照)が知られている。本国際出願で指定した指 定国 (又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、下記公報の開示 を援用して本明細書の一部とする。
特許文献 1：特開 2004— 80877号公報 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] し力しながら、上述した技術では、今後量産化が進むと予測されて 、る 1G〜4Gビ ットクラス (最小線幅で 0. 2 μ m以下）の電子デバイスチップを製造する走査型の露 光装置 (ステップ ·アンド ·スキャン方式の露光装置)への適用には必ずしも十分では ない。
すなわち、可動ステージに付加される加速度 (駆動力）が大きくなると、可動ステー ジ自体が変形してしまうという新たな問題が発生する。特に、可動ステージの加速中 に、駆動力が付加される領域 (力点)、レーザ干渉計による計測対象物 (被計測点)、 及びレチクルやウェハの載置領域 (位置決め対象点）の間に歪みが発生すると、これ らの部材（二点）の相対位置が変動してしま 、、可動ステージの位置決め制御を正確 に行うことが困難になると共に、加速終了後に可動ステージに発生した歪みが解放さ れて、内部振動が発生してしまうという問題が生じうる。このため、可動ステージの内 部振動が収まるまで露光処理を行うことができず、スループットの向上に悪影響を与 える可能性がある。
[0004] 本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、ステージの加速中に、ステージ の位置決め精度の向上を図ると共に、ステージの内部振動の発生を抑えてスループ ットの向上させることができる位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、 及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0005] 本発明に係る位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイス の製造方法では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
本発明の位置決め装置は、位置決め対象物 (W)を載置するとともに少なくとも一軸 方向に移動可能なテーブル部 (43)と、テーブル部に一軸方向への駆動力（F)を付 加する駆動部 (46)と、テーブル部の一軸方向における位置を計測する位置計測部 (48)と、を有する位置決め装置 (40)において、テーブル部は、駆動力が付加される 力点（91)と位置決め対象物が載置される位置決め対象点（92)との二点間、位置計 測部による被計測点 (93)と位置決め対象点との二点間、及び力点と被計測点との 二点間のうちの 1つ以上に、それぞれの二点の相対位置を略一定に維持するァクチ ユエータ（86, 96, 97)を備えるようにした。
この発明によれば、位置決め対象物を載置するテーブル部に対して駆動部力 駆 動力が付加された際に、力点と位置決め対象点との二点間、被計測点と位置決め対 象点との二点間、及び力点と被計測点との二点の相対位置がそれぞれ一定に保た れるので、位置決め対象物の位置決めを精度よく行うことができる。また、テーブル部 の移動時に二点間に歪みが殆ど発生しないので、歪みの解放に伴うテーブル部の 内部振動を防止することができる。
また、テーブル部 (43)は、テーブル部における所定部材 (82)と力点（91)の二点 の相対位置を略一定に維持するァクチユエータ（87)を備えるものでは、所定部材と 力点の二点の相対位置を一定に保つことにより、テーブル部内の歪みの発生を抑え ることができるので、内部振動の発生を防止することができる。
また、ァクチユエータ（86, 87, 96, 97)は、テーブル部（43)の加速時及び Z又は 減速時に駆動されるものでは、大きな駆動力が付加された場合であっても、テーブル 部の内部振動の発生を防止することができる。
また、ァクチユエータ（86, 87, 96, 97)は、それぞれの二点間の剛性を変化させる ものでは、テーブル部の二点間の剛性を高くすることにより、テーブル部内の歪みの 発生が抑えられるので、歪みの解放に伴うテーブル部の内部振動の発生を防止でき る。
また、ァクチユエータ（86, 87, 96, 97)は、それぞれの二点間に所定の力を作用 させるものでは、テーブル部の移動時に二点間に加わる駆動力に対向して略同一の 大きさの力を作用させることにより、テーブル部内の歪みの発生が防止されるので、 歪みの解放に伴うテーブル部の内部振動を抑えることができる。
ァクチユエータ（96, 97)としては、例えば、圧電ァクチユエータ（86, 87)を用いる ことにより、容易に上記構成を実現することができる。
また、本発明の異なる態様の位置決め装置は、物体 (W)を載置するテーブル部 (4 3)と、テーブル部を移動させる駆動装置 (46)とを備えた位置決め装置であって、駆 動装置の駆動力（F)が付加されるテーブル部の力点（91)と、物体における位置決 め対象点（92)との間の相対位置が略一定に維持されるようにした。
[0007] 本発明の位置決め方法は、位置決め対象物 (W)を少なくとも一軸方向に移動可能 なテーブル部 (43)に載置すると共に、テーブル部に一軸方向への駆動力（F)を付 加しつつ、テーブル部の一軸方向における位置を計測して、位置決め対象物を所定 の位置に移動させる位置決め方法にお!、て、テーブル部の加速時及び Z又は減速 時に、テーブル部における駆動力が付加される力点（91)と位置決め対象物が載置 される位置決め対象点（92)との二点間、テーブル部における位置計測部による被 計測点（93)と位置決め対象点との二点間、及び力点と被計測点との二点間のうち の 1つ以上の相対位置を略一定に維持するようにした。
この発明によれば、位置決め対象物を載置するテーブル部に対して駆動部力 駆 動力が付加された際に、力点と位置決め対象点との二点間、被計測点と位置決め対 象点との二点間、及び力点と被計測点との二点の相対位置がそれぞれ一定に保た れるので、位置決め対象物の位置決めを精度よく行うことができる。また、テーブル部 の移動時に二点間に歪みが殆ど発生しないので、歪みの解放に伴うテーブル部の 内部振動を防止することができる。
[0008] また、同時に、テーブル部 (43)における所定の部材 (82)と力点（91)との二点の 相対位置を略一定に維持するものでは、所定部材と力点の二点の相対位置を一定 に保つことにより、テーブル部内の歪みの発生を抑えることができるので、内部振動 の発生を防止することができる。
また、二点間の剛性を変化させるものでは、テーブル部の二点間の剛性を高くする ことにより、テーブル部内の歪みの発生が抑えられるので、歪みの解放に伴うテープ ル部の内部振動の発生を防止できる。
また、二点間に所定の力を作用させるものでは、テーブル部の移動時に二点間に 加わる駆動力に対向して略同一の大きさの力を作用させることにより、テーブル部内 の歪みの発生が防止されるので、歪みの解放に伴うテーブル部の内部振動を抑える ことができる。
また、本発明の異なる態様の位置決め方法は、物体 (W)をテーブル部 (43)に載 置して駆動装置 (46)によってテーブル部を移動させる位置決め方法であって、少な くともテーブル部が移動している間は、駆動装置の駆動力（F)が付加されるテーブル 部の力点（91)と、物体における位置決め対象点（92)との間の相対位置が略一定に 維持されるようにした。
[0009] 本発明の露光装置は、マスク (R)を保持するマスクステージ（20)と、基板 (W)を保 持する基板ステージ (40)とを有し、マスクに形成されたパターン (PA)を基板に露光 する露光装置 (EX)にお 、て、マスクステージ（20)と基板ステージ (40)の少なくとも 一方に、本発明の位置決め装置を用いるようにした。
この発明によれば、マスク或いは基板の位置決めを高精度に行うことができ、またス テージが加速或いは減速する際に内部振動の発生が防止されているので、マスクと 基板との位置決めを効率よく行うことができる。
また、本発明の露光装置は、基板 (W)上に所定のパターンを形成する露光装置（ EX)であって、基板の位置決めに本発明の位置決め装置を用いるようにした。
[0010] 本発明の露光方法は、マスクステージ（20)に載置したマスク (R)と基板ステージ (4 0)に載置した基板 (W)とをそれぞ; |1 ^立置決めしつつ、マスクに形成されたパターン（ PA)を基板に露光する露光方法において、マスクの位置決め方法と基板の位置決 め方法の少なくとも一方に、本発明の位置決め方法を用いるようにした。
この発明によれば、マスク或いは基板の位置決めを高精度に行うことができ、またス テージが加速或いは減速する際に内部振動の発生が防止されているので、マスクと 基板との位置決めを効率よく行うことができる。
[0011] また、本発明の露光方法は、基板 (W)上に所定のパターンを形成する露光方法で あって、基板の位置決めに本発明の位置決め方法を用いるようにした。
この発明によれば、微細なパターンを高精度にかつ高スループットに製造すること ができる。
本発明のデバイス製造方法は、上記露光装置 (EX)または露光方法を用いるように した。
発明の効果
[0012] 本発明によれば以下の効果を得ることができる。
本発明の位置決め装置及び位置決め方法では、テーブル部に駆動力が付加され た際に、力点と位置決め対象点との二点間、被計測点と位置決め対象点との二点間 、及び力点と被計測点との二点の相対位置がそれぞれ一定に保たれることにより、テ 一ブル部の位置決め精度を向上させることができるとともに、テーブル部の内部振動 を防止することができる。
本発明の露光装置及び露光方法では、マスク又は基板の位置決めを高精度に、ま た、無駄な待ち時間を必要とせずに行うことができるので、微細なパターンの露光処 理を高スループットに行うことができる。
本発明のデバイスの製造方法では、微細なパターンを高精度にかつ高スループッ トに製造することができるので、高性能かつ低価格なデバイスを得ることができる。 図面の簡単な説明
[図 1]露光装置 EXの一実施形態を示す概略構成図である。
[図 2]XYテーブル 43の拡大模式図である。
[図 3Α]ΧΥテーブル 43に駆動力 Fを付加した際の動作を示す概念図である。
[図 3Β]ΧΥテーブル 43に駆動力 Fを付加した際の動作を示す概念図である。
[図 3C]XYテーブル 43に駆動力 Fを付加した際の動作を示す概念図である。
[図 4A]従来の XYテーブル 43Ίこ駆動力 Fを付加した際の動作を示す模式図である
[図 4B]従来の XYテーブル 43Ίこ駆動力 Fを付加した際の動作を示す模式図である
[図 4C]従来の XYテーブル 43Ίこ駆動力 Fを付加した際の動作を示す模式図である
[図 5A]従来の XYテーブル 43Ίこ駆動力 Fを付加した際の動作を示す概念図である
[図 5B]従来の XYテーブル 43Ίこ駆動力 Fを付加した際の動作を示す概念図である
[図 5C]従来の XYテーブル 43Ίこ駆動力 Fを付加した際の動作を示す概念図である
[図 6]XYテーブル 43の変形例を示す模式図である。 [図 7]マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
[図 8]半導体デバイスの場合におけるステップ S13の詳細工程の一例を示す図であ る。
符号の説明
[0014] 20 レチクルステージ（マスクステージ） 40 ウェハステージ (位置決め装置、基板 ステージ） 43 XYテーブル (テーブル部） 46 駆動部 48 レーザ干渉計 (位置 計測部） 82 下側部材 (所定部材） 86, 87 圧電ァクチユエータ 91 力点 92 位置決め対象点 93 被計測点 96, 97 ァクチユエータ F 駆動力 PA パター ン R レチクル (マスク） W ウェハ (位置決め対象物、基板） EX 露光装置 発明を実施するための最良の形態
[0015] 以下、本発明の位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバィ スの製造方法の実施形態について図を参照して説明する。
図 1は、本発明の露光装置 EXの一実施形態を示す概略構成図である。 露光装置 EXは、レチクル (マスク) Rとウェハ (位置決め対象物、基板) Wとを一次 元方向に同期移動しつつ、レチクル Rに形成されたパターン PAを投影光学系 30を 介してウェハ W上の各ショット領域に転写するステップ'アンド'スキャン方式の走査 型露光装置、すなわちいわゆるスキャニング 'ステツパである。
そして、露光装置 EXは、露光光 ELによりレチクル Rを照明する照明光学系 10、レ チクル Rを保持するレチクルステージ 20、レチクル R力 射出される露光光 ELをゥェ ハ W上に投射する投影光学系 30、ウェハ Wを保持するウェハステージ 40、露光装 置 EXを統括的に制御する制御装置 50等を備える。
そして、これらの各装置は、本体フレーム 100或いは基礎フレーム 200上に防振ュ ニット 60, 70等を介して支持される。
なお、以下の説明において、投影光学系 30の光軸 AXと一致する方向を Z軸方向 、 Z軸方向に垂直な平面内でレチクル Rとウェハ Wとの同期移動方向（走査方向）を Y軸方向、 Z軸方向及び Y軸方向に垂直な方向（非走査方向）を X軸方向とする。更 に、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわり方向をそれぞれ、 0 X、 0 Y、及び 0 Z方向とする。
[0016] 照明光学系 10は、レチクルステージ 20に支持されているレチクル Rを露光光 ELで 照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化 するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光 ELを集 光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光 ELによるレチクル R上の照明領域 をスリット状に設定する可変視野絞り等 ( ヽずれ不図示)を有して!/ヽる。
照明光学系 10から射出される露光光 ELとしては、水銀ランプ力も射出される紫外 域の輝線 (g線、 h線、 i線）、 KrFエキシマレーザ光 (波長 248nm)等の遠紫外光 (D UV光）、 ArFエキシマレーザ光 (波長 193nm)等の真空紫外光 (VUV光）が用いら れる。
そして、光源 5から射出されたレーザビームは、照明光学系 10に入射され、レーザ ビームの断面形状がスリット状又は矩形状 (多角形）に整形されるとともに照度分布が ほぼ均一な照明光 (露光光) ELとなってレチクル R上に照射される。
そして、この照明光学系 10は、本体フレーム 100を構成する第 2支持盤 120の上 面に固定された照明系支持部材 12によって支持される。
レチクルステージ（マスクステージ） 20は、レチクル Rを支持しつつ、投影光学系 30 の光軸 AXに垂直な平面内、すなわち XY平面内の 2次元移動及び 0 Z方向の微小 回転を行うものであって、レチクル Rを保持するレチクル微動ステージと、レチクル微 動ステージと一体に走査方向である Y軸方向に所定ストロークで移動するレチクル粗 動ステージと、これらを移動させるリニアモータ等 (いずれも不図示）を備える。そして 、レチクル微動ステージには、矩形開口が形成されており、開口周辺部に設けられた レチクル吸着機構によりレチクルが真空吸着等により保持される。
レチクルステージ 20上には移動鏡 21が設けられ。また、移動鏡 21に対向する位置 にはレーザ干渉計 22が設けられる。そして、レチクルステージ 20上のレチクル Rの 2 次元方向の位置及び回転角は、レーザ干渉計 22によりリアルタイムで計測され、そ の計測結果は制御装置 50に出力される。そして、制御装置 50がレーザ干渉計 22の 計測結果に基づいてリニアモータ等を駆動することで、レチクルステージ 20に支持さ れて 、るレチクル Rの位置決め等が行われる。
このレチクルステージ 20は、本体フレーム 100を構成する第 2支持盤 120の上面に 不図示の非接触ベアリング (例えば気体静圧軸受）を介して浮上支持される。 [0018] 投影光学系 30は、レチクル Rのパターン PAを所定の投影倍率 13でウェハ Wに投 影露光するものであって、ウェハ W側の先端 (下端)部に設けられた光学素子 32を 含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒 31で支持される。本 実施形態において、投影光学系 30は、投影倍率 j8が例えば 1Z4あるいは 1Z5の 縮小系である。なお、投影光学系 30は等倍系及び拡大系のいずれでもよい。
そして、鏡筒 31の外壁にはフランジ 33が設けられ、フランジを有する円筒形のセン サ支持架台 35に挿入される。更に、鏡筒 31及びセンサ支持架台 35は、本体フレー ム 100を構成する第 1支持盤 110に設けられた穴部 113に挿入、支持される。そして 、第 1支持盤 110は、防振ユニット 60を介して、基礎フレーム 200上にほぼ水平に支 持される。
なお、センサ支持架台 35は、オートフォーカスセンサ等のセンサ類を支持する部材 である。また、第 1支持盤 110とセンサ支持架台 35との間には、不図示のキネマティ ックマウントが設けられ、投影光学系 30のあおり角を調整することが可能である。
[0019] ウェハステージ (位置決め装置、基板ステージ) 40は、ウェハ Wを支持しつつ、 XY 平面内の 2次元移動及び 0 Z方向の微小回転を行うものであって、ウェハ Wを保持 するウェハホルダ 41、ウェハ Wのレべリング及びフォーカシングを行うためにウェハ ホルダ 41を Z軸方向、 0 X方向、及び 0 Y方向の 3自由度方向に微小駆動する Zテ 一ブル 42、 Zテーブル 42を Y軸方向に連続移動するとともに X軸方向にステップ移 動する XYテーブル（テーブル部） 43、 XYテーブル 43を XY平面内で移動可能に支 持するウェハ定盤 44、 Zテーブル 42及び XYテーブル 43とを一体として平行移動さ せるリニアモータ等力もなる駆動部 46 (図 2参照)等を備える。
また、 Zテーブル 42上には移動鏡 47が設けられ、これに対向する位置にはレーザ 干渉計 (位置計測部） 48力設けられる。ウェハステージ 40上のウェハ Wの 2次元方 向の位置、及び回転角はレーザ干渉計 48によりリアルタイムで計測され、計測結果 は制御装置 50に出力される。そして、制御装置 50がレーザ干渉計 48の計測結果に 基づ 、てリニアモータ等を駆動することでウエノ、ステージ 40に支持されて 、るウェハ Wの位置決めを行う。
XYテーブル 43の底面には、非接触ベアリングである複数のエアパッド 45が固定さ れており、これらのエアパッド 45によって XYテーブル 43がウェハ定盤 44上に、例え ば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持される。また、ウェハ定盤 44は、基 礎フレーム 200の支持盤 210上に、防振ユニット 70を介してほぼ水平に支持されて いる。
[0020] 制御装置 50は、露光装置 ΕΧを統括的に制御するものであり、各種演算及び制御 を行う演算部の他、各種情報を記録する記憶部や入出力部等を備える。
そして、例えば、レーザ干渉計 22, 48の検出結果に基づいてレチクル R及びゥェ ハ Wの位置を制御して、レチクル Rに形成されたパターン Ρ Αの像をウェハ W上のシ ヨット領域に転写する露光動作を繰り返し行う。
[0021] 図 2は、 XYテーブル 43の拡大模式図である。
XYテーブル 43は、 Zステージを載置する上側部材 81と、下面にエアパッド 45が配 置される下側部材 (所定部材) 82と、駆動部 46の可動子 46aの一部が固定される可 動子固定部材 83等から構成される。
上側部材 81及び下側部材 82は、それぞれ平板形の部材であって、上側部材 81と 下側部材 82とは複数の連結部材 85を介して連結される。
また、可動子固定部材 83は、上側部材 81と下側部材 82との間に配置され、上側 部材 81の下面に複数の連結部材 84を介して連結される。そして、上側部材 81の下 面及び可動子固定部材 83の上面には、 XYテーブル 43を X軸方向或いは Y方向に 移動させるリニアモータ（駆動部 46)の可動子 46aが対向するようにそれぞれ配置さ れる。なお、一対の可動子 46aの間には、ウエノ、ステージ定盤 44又は支持盤 210に 連結された固定子 46bが配置される。
連結部材 84, 85は、それぞれ Z方向に延設された四角柱形の部材である。このた め、上側部材 81、下側部材 82、及び可動子固定部材 83に比べると、 X方向及び Y 方向の剛性が低くなつている。そして、連結部材 84, 85の X方向及び Y方向のそれ ぞれの面には、圧電ァクチユエータ 86, 87が貼り付けられる。四方の面に貼り付けら れた圧電ァクチユエータ 86, 87のうち、対向する面に貼り付けられた一対の圧電ァク チュエータ 86, 87は、後述する制御装置 50からの指令により差動的に伸縮する。例 えば、連結部材 84の +X方向の面に貼り付けた圧電ァクチユエータ 86が伸びると、 —X方向の面に貼り付けた圧電ァクチユエータ 86は同じ量だけ縮む。このように、対 向する面に貼り付けられた圧電ァクチユエータ 86, 87が差動的に伸縮することにより 、連結部材 84, 85を X方向に湾曲させるように微少変形させることが可能となってい る。同様に、 Y方向の対向する面に貼り付けた圧電ァクチユエータ 86, 87も同様に 互いに差動的に動作して、連結部材 84, 85を Y方向に湾曲させるように微少変形さ せることが可能となって 、る。
[0022] 本体フレーム 100は、投影光学系 30を支持する第 1支持盤 110と、投影光学系 30 の上方に配置されるレチクルステージ 20等を支持する第 2支持盤 120と、第 1支持盤 110と第 2支持盤 120との間に立設する複数の支柱 130とから構成される。第 1支持 盤 110は、上述したように、円筒状の投影光学系 30の外径よりもやや大きく形成され た穴部 113が形成される。なお、第 1支持盤 110或いは第 2支持盤 120と複数の支 柱 130とは、締結手段等で連結される構造としてもよいし、これらを一体に形成した 構造としてもよい。
そして、上述したように、本体フレーム 100は、防振ユニット 60を介して基礎フレー ム 200上に支持される。
[0023] 基礎フレーム 200は、その上面に防振ユニット 70を介してウェハステージ 40を支持 する支持盤 210と、支持盤 210上に立設するとともに防振ユニット 60を介して本体フ レーム 100を支持する複数の支柱 220と力も構成される。支持盤 210と支柱 220とは 、締結手段等で連結される構造であっても、一体に形成される構造であってもよい。 そして、基礎フレーム 200は、クリーンルームの床面上に足部 215を介して略水平 に設置される。
[0024] 続いて、上述した露光装置 EXを用いてレチクル Rのパターン P Aの像をウェハ Wに 露光する方法について説明する。図 3A〜Cは、 XYテーブル 43に駆動力 Fを付カロし た際の動作を示す模式図である。また、図 4A〜C及び図 5A〜Cは、従来の XYテー ブル 43,の場合の模式図及び概念図である。
まず、レチクル Rがレチクルステージ 20にロードされるとともに、ウェハ Wがウェハス テージ 40にロードされる。続いて、各種の露光条件が設定された後に、制御装置 50 の管理の下で、レチクル顕微鏡及びオファクシス ·ァライメントセンサ等（ともに不図示 )を用いたレチクルァライメント、ァライメントセンサのベースライン計測等の所定の準 備作業が行われる。その後、ァライメントセンサを用いたウエノ、 wのファインァライメン ト（ェンハンスト .グローバル .ァライメント（EGA)等）が終了し、ウェハ W上の複数の ショット領域の配列座標が求められる。
ウェハ Wの露光のための準備作業が終了すると、制御装置 50は、ァライメント結果 に基づ 、てウェハ W側のレーザ干渉計 48の計測値をモニタしつつ、ウェハ Wのファ 一ストショット (第 1番目のショット領域)の露光のための加速開始位置（走査開始位置 )にウェハステージ 40を移動させる。
次いで、制御装置 50は、レチクルステージ 20及びウェハステージ 40との Y軸方向 の走査を開始させ、レチクルステージ 20、ウェハステージ 40がそれぞれの目標走査 速度に達すると、露光光 ELによってレチクル Rのパターン領域が照射され、走査露 光が開始される。
そして、レチクル Rのパターン領域の異なる領域が露光光 ELで逐次照明され、パタ ーン領域全面に対する照明が完了することにより、ウェハ W上のファーストショット領 域に対する走査露光が終了する。これにより、レチクル Rのパターン PAが投影光学 系 30介してウェハ W上のファーストショット領域のレジスト層に縮小転写される。 このファーストショット領域に対する走査露光が終了すると、制御装置 50は、ウェハ ステージ 40を X, Y軸方向にステップ移動させて、セカンドショット領域の露光のため の加速開始位置に移動させる。すなわち、ショット間ステッピング動作が行われる。そ して、セカンドショット領域に対して上述したような走査露光を行う。
このようにして、ウェハ Wのショット領域の走査露光と次ショット領域の露光のための ステッピング動作とが繰り返し行われて、ウエノ、 W上の全ての露光対象ショット領域に レチクル Rのパターン PAが順次転写される。
そして、このような処理を繰り返し行うことにより、複数のウェハ Wの露光が行われる 上述したように、ウェハステージ 40は、露光処理の際に加速と減速を繰り返し行つ ているが、スループットを向上させるために加速度の絶対値は、年々大きくなつてきて いる。このため、 XYテーブル 43に付加される駆動力（加速度)も大きくなつてきてい る。
XYテーブル 43に大きな駆動力（加速度）を付加すると、従来の ΧΥテーブル 43,で は、剛性が低い（弱い）部分に歪みが発生していた。具体的には、図 4Α, 4Βに示す ように、紙面右方向に大きな駆動力 Fを付加すると、 ΧΥテーブル 43Ίこおける ΧΥ方 向の剛性が弱!、部位、すなわち連結部材 84に歪み (微少変形)が発生して 、た。 これを模式的に表すと、図 5Αに示すように、駆動力 Fが付加される部材 (力点） 91と ウェハ Wが載置される部材 (位置決め対象点） 92の二点間にパネ要素 94が存在し、 更に図 5Βに示すように、 ΧΥテーブル 43の力点 91に大きな駆動力 Fが付加されると このパネ要素 94が圧縮された状態となる。そして、加速或いは減速が終了し、駆動 力 Fの付カ卩がなくなると、パネ要素 94に発生した歪みが解放されるために、図 5Cに 示すように、 ΧΥテーブル 43内に振動（内部振動）が発生して 、た。
このため、露光を開始するために停止状態から加速させた際には、目標走査速度 に到達しても、露光不良を防止するために ΧΥテーブル 43'に発生した内部振動（図 4C参照）が収まるのを待って力も露光光の照射を開始する必要がある。したがって、 短時間ではあるが、露光処理中に無駄な待ち時間が存在しており、スループットを低 下させる原因となっていた。
同様に、ウェハ Wの位置計測に用いられる移動鏡 47が固定される部材 (被計測点 ) 93と位置決め対象点 92との間の部材が低剛性の場合には、位置決め対象点 92と 被計測点 93の二点間にパネ要素 95が存在し、 ΧΥテーブル 43の力点 91に大きな 駆動力 Fが付加された際には、パネ要素 95が圧縮された状態となる。したがって、加 速或いは減速が終了し、駆動力 Fの付カ卩がなくなると、パネ要素 94と同様に、パネ要 素 95に発生した歪みが解放されて、 ΧΥテーブル 43Ίこ内部振動を発生させる。 このように、位置決め対象点 92と被計測点 93との相対位置にずれが生じると、位 置決め対象物であるウェハ Wの位置決めが不正確となる。また、駆動力 Fが付加され る力点 91と被計測点 93との相対位置にずれが生じると、位置決めの制御系が不安 定になってしまう。したがって、上述した場合と同様に、露光不良を防止するために X Υテーブル 43Ίこ発生した内部振動が収まるのを待って力 露光処理を開始する必 要がある。 一方、本実施形態の XYテーブル 43では、図 3Αに示すように、力点 91と位置決め 対象点 92の二点間、及び位置決め対象点 92と被計測点 93の二点間には、それぞ れバネ要素 94, 95及びァクチユエータ 96, 97が並列に配置される。すなわち、連結 部材 84に圧電ァクチユエータ 86が貼り付けられた状態である。
そして、 ΧΥテーブル 43の力点 91に大きな駆動力 Fが付加された際には、駆動力 F の付加と同時にァクチユエータ 96, 97を駆動する。具体的には、連結部材 84におけ る移動方向に直交する面に貼り付けられた圧電ァクチユエータ 86を差動的に動作さ せて、駆動力 Fの付カ卩により湾曲した連結部材 84を元に戻すように微少変形させる。 これにより、大きな駆動力 Fが付加されても、連結部材 84の変形 (湾曲）を抑えること ができる。すなわち、図 3Βに示すように、ァクチユエータ 96を駆動して、力点 91と位 置決め対象点 92との間にカ卩わる力 F2の向きに対向し、略同一の大きさを持つ力（― F2)を発生させる。同様に、ァクチユエータ 97を駆動して、位置決め対象点 92と被計 測点 93の間に加わる力 F3の向きに対向し、略同一の大きさを持つ力（一 F3)を発生 させる。
なお、力点 91に付加される駆動力 Fは、力点 91,位置決め対象点 92,被計測点 9 3が存在する部材の質量をそれぞれ ml, m2, m3とし、加速度を αとすると、 F= (m l +m2+m3) X αである。また、力点 91と位置決め対象点 92の間には、駆動力 F2 = (m2+m3) X aが伝達される。更に、位置決め対象点 92と被計測点 93の間には 、駆動力 F3 =m3 X αが伝達される。したがって、上述したように、ァクチユエータ 96 , 97により、力点 91と位置決め対象点 92との間に— F2の力を、位置決め対象点 92 と被計測点 93の間に— F3の力を発生させる（一 F2, — F3は、駆動力 Fと反対方向 の力であり、図 3Βにおいては実線の矢印で示されている）。これにより、 ΧΥテーブル 43の加速時に力点 91と位置決め対象点 92との間及び位置決め対象点 92と被計測 点 93の間の見かけ上の剛性が強くなり、内部歪みの発生が抑えられる。つまり、それ ぞれの相対位置が変形する (歪む)ことなぐ一定に維持される。
そして、 ΧΥテーブル 43への駆動力 Fの付カ卩が終了する、すなわち、加速が終了す るのに連動して、ァクチユエータ 96, 97の駆動を停止する。これにより、図 3Cに示す ように、力点 91と位置決め対象点 92の二点間、及び位置決め対象点 92と被計測点 93の二点間が引き続き一定に維持されつづける。なお、力点 91と被計測点 93の二 点間の相対位置も間接的に一定に維持されつづけ、歪みの発生と内部振動の発生 が防止されている。
このように、 XYテーブル 43の歪みの発生が抑えることにより、位置決め対象点 92、 すなわちウェハ Wの位置決め制御を高精度に行うことができる。また、内部振動が防 止されているので、加速の終了と同時に露光光を照射して露光を開始することができ る。そして、この結果、無駄な待ち時間が解消されて、スループットを向上させること ができる。
なお、加速時に限らず、減速時にも同様の動作を行うができる。減速直後に再度加 速して次の露光処理を行う場合等は、内部振動が防止されているので、ウェハ Wの 位置決め精度を高精度に維持しつつ、露光を行うことができる。
また、本発明は、 XYテーブル 43だけでなぐレチクルステージ 20に対しても適用 可能である。
本発明では、 XYテーブル 43の加減速中においても、位置決め対象点 92と被計測 点 93の二点問が一定に維持されるので、ウェハ（基板) Wの位置決めを正確に行うこ とができる。したがって、前記スキャン方式で露光を行う場合は、ウェハ Wを保持した XYテーブル 43が等速で移動して 、るときだけでなく、加減速中にぉ 、てもウェハ W に対して露光動作が行われるようにしてもよい。つまり、走査露光において、 XYテー ブル 43ゃレチクルステージ 20が加速した後、目標走査速度に到達する前の段階で ウェハ Wに対する露光光の照射を開始する。そして、 XYテーブル 43ゃレチクルステ ージ 20がそれぞれの目標走査速度で等速移動している間と、その後の XYテーブル 43ゃレチクルステージ 20が減速して 、る間で任意に設定されたタイミングまで、露光 光 γのウェハ Wへの照射を維持する。これにより、さらなるスループットの向上が可能 となる。この場合、露光光のウェハ Wへの照射は、制御装置 50がァクチユエータ 96、 97を駆動している間に行うように設定することができる。また、基板 Wへの露光光の 照射は、基板 Wの加速中と等速移動中のみに行われるようにしてもよいし、等速移動 中と減速中のみに行われるようにしてもよい。なお、このようなウェハ（基板)の加減速 中に走査露光を行う露光方法は、例えば、米国特許 5, 995, 203号および特開平 7 — 57985号公報に開示されている。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選 択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記米国特許または公報における開示 を援用して本明細書の一部とする。
[0029] また、 XYテーブル 43において、力点 91と他の部材との間にァクチユエータを設置 し、この間の剛性を向上させることにより、内部振動の防止を図ってもよい。すなわち 、連結部材 85に圧電ァクチユエータ 87を貼り付け（図 2参照）、圧電ァクチユエータ 8 7を上述した説明と同様に動作させることにより、連結部材 85における歪みの発生を 抑えることができる。
このように、力点 91と他の部材 (連結部材 85)との間にァクチユエータ (圧電ァクチ ユエータ 87)を設けることにより、 XYテーブル 43に駆動力 Fが付加された際に、これ らのニ点間に伝達される力に対向する力を加えて見かけ上の剛性を向上させて、二 点間の相対位置を一定に維持することができる。これにより、二点間に歪みの発生を 抑えて、内部振動の発生を防止することができる。
[0030] なお、上述した実施形態では、力点 91と位置決め対象点 92の二点間、及び位置 決め対象点 92と被計測点 92の二点間に、それぞれパネ要素 94, 95とァクチユエ一 タ 96, 97が並列に存在するように説明した力 これら二点間をァクチユエータ 96, 97 のみが存在するようにしてもよい。すなわち、連結部材 84等の剛性が弱い部材を圧 電ァクチユエータのみで構成してもよい。例えば、図 2に示す XYテーブル 43におい て、この XYテーブル 43の構造材の一部をなす連結部材 84, 85自身を圧電ァクチュ エータ (圧電素子）によって構成してもよい。また、連結部材 84, 85以外の構造材を 圧電ァクチユエータによって置き換えるようにしてもよい。
[0031] なお、圧電ァクチユエータとしては、積層型、バイモルフ型の!/、ずれであってもよ!/ヽ また、ァクチユエータ 96, 97は、通常状態時においては、必ずしも剛性が高い必要 はない。二つの部材間（二点間）に加わる力に対向する大きな力を発生できれば見 かけ上の剛性を高くすることができる力もである。したがって、非接触式電磁ァクチュ エータ等であってもよい。
[0032] なお、上述した実施の形態にぉ 、て示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形 状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲においてプ ロセス条件や設計要求等に基づき種々変更可能である。本発明は、例えば以下のよ うな変更をも含むものとする。
[0033] 上述した実施形態では、力点 91と位置決め対象点 92の二点間、及び位置決め対 象点 92と被計測点 93の二点間の相対位置を一定に保つことにより、力点 91と被計 測点 93の二点間の相対位置を間接的に一定に保つ場合について説明したが、これ に限らない。力点 91と被計測点 93の二点間に、直接ァクチユエ一ターを配置しても よいことは、勿論である。
また、被計測点 93を設けずに、力点 91と位置決め対象点 92との二点間の相対位 置のみを一定に保つようにしてもよい。例えば、パルスモータのように駆動部 46自身 が位置決め対象点 92の目標位置に関する情報に基づいて駆動力を発生させる場 合は、パルスモータの駆動力が付加される力点 91と位置決め対象点 92との二点間 の相対位置が略一定であれば、位置決め対象点 92を正確に位置決めすることかで きる。
[0034] また、図 6に示すように、 XYテーブル 43に複数の駆動部 46の可動子 46aが連結 部材 84を介して連結される場合であっても、各連結部材 84にそれぞれ複数の圧電 ァクチユエータ 86を固定すればよい。そして、 XYテーブル 43にカ卩えられる駆動力 F の方向に応じて、選択的に圧電ァクチユエータ 86を駆動することにより、各移動方向 に対して内部振動の発生を防止することができる。
[0035] 本発明は、例えば、特開平 10— 163099号公報、特開平 10— 214783号公報及 びこれらに対応する米国特許 6, 400, 441号と、特表 2000— 505958号公報及び これに対応する米国特許 5, 969, 441号及び米国特許 6, 262, 796号に記載され ているツインステージ型の露光装置にも適用できる。本国際出願で指定した指定国（ 又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報または米国特 許における開示を援用して本明細書の一部とする。
また、本発明は、特開平 11— 135400号に開示されているように、ウェハ等の被処 理基板を保持して移動可能な露光ステージと、各種の計測部材ゃセンサを備えた計 測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。本国際出願で指定した指 定国 (又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報及び対 応する米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
上述の実施形態においては、光透過性の基根上に所定の遮光パターン (または位 相パターン '減光パターン)を形成した光透過型マスク、あるいは光反射性の基板上 に所定の反射パターン光反射型マスクを用いた力、それらに限定されるものではな 、 。例えば、そのようなマスクに代えて、露光すべきパターンの電子データに基づいて 透過パターンまたは反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク (光 学系の一種とする）を用いるようにしても良い。このような電子マスクは、例えば米国 特許第 6, 778, 257号公報に開示されている。本国際出願で指定した指定国 (又は 選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記各米国特許における開 示を援用して本明細書の記載の一部とする。なお、上述の電子マスクとは、非発光型 画像表示素子と自発光型画像表示素子との双方を含む概念である。
また、例えば、 2光束干渉露光と呼ばれているような、複数の光束の干渉によって生 じる干渉縞を基板に露光するような露光装置にも適用することかできる。そのような露 光方法及び露光装置は、例えば、国際公開第 01Z35168号パンフレットに開示さ れている。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国)の国内法令で許さ れる限りにおいて、上記パンフレットにおける開示を援用して本明細書の記載の一部 とする。
また、上述の実施形態においては、投影光学系とウェハとの間が気体 (空気ゃ窒 素）で満たされて 、る露光装置につ 、て説明して 、るが、液浸式の露光装置に本発 明を適用することができる。
そのような液浸露光装置としては、例えば、投影光学系 30と基板 Wとの間を局所的 に液体で満たす方式として、国際公開第 2004Z053958号パンフレットに開示され て!、るものが知られて 、る。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選択国）の 国内法令で許される限りにおいて、上記パンフレットにおける開示を援用して本明細 書の記載の一部とする。
また、露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置 や、ステージ上に所定深さの液体槽を形成しその中に基板を保持する液浸露光装 置にも本発明を適用可能である。露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で 移動させる液浸露光装置の構造及び露光動作については、例えば、特開平 6— 12 4873号公報に、ステージ上に所定深さの液体槽を形成してその中に基板を保持す る液浸露光装置にっ 、ては、例えば特開平 10— 303114考公報や米国特許第 5, 825, 043号にそれぞれ開示されている。本国際出願で指定した指定国 (又は選択 した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報または米国特許におけ る開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
また、投影光学系 30の終端光学部材の射出側の光路空間を液体 (純水)で満たし て基板 W (ウェハ）を露光する構成に限るものではなぐ国際公開第 2004Z01912 8号パンフレットに開示されているように、投影光学系の終端光学部材の入射側の光 路空間も液体 (純水)で満たすようにしてもよ!、。本国際出願で指定した指定国 (又は 選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記パンフレットにおける開 示を援用して本明細書の記載の一部とする。
また、前述した実施形態ではステップ 'アンド'スキャン方式の露光装置を例に挙げ て説明したが、ステップ 'アンド'リピート方式の露光装置にも本発明を適用することが できる。更に、本発明は半導体素子の製造に用いられる露光装置だけではなぐ液 晶表示素子 (LCD)等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガ ラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパ ターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及び CCD等の撮像素子の製造に 用いられる露光装置等にも適用することができる。更には、光露光装置、 EUV露光 装置、 X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを 製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハなどに回路パターンを転写する露光 装置にも本発明を適用できる。ここで、 DUV (遠紫外)光や VUV (真空紫外)光など を用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては 石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶 などが用いられる。また、プロキシミティ方式の X線露光装置、又は電子線露光装置 などでは透過型マスク (ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板 としてはシリコンウェハなどが用いられる。 [0038] 次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフイエ程で使用し たマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図 7は、マイクロデバ イス (ICや LSI等の半導体チップ、液晶パネル、 CCD,薄膜磁気ヘッド、マイクロマシ ン等）の製造例のフローチャートを示す図である。図 7に示すように、まず、ステップ S 10 (設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能 ·性能設計 (例えば、半導体デ バイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き 続き、ステップ S 11 (マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成し たマスク（レチクル)を製作する。一方、ステップ S 12 (ウェハ製造ステップ）において、 シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
[0039] 次に、ステップ S 13 (ウェハ処理ステップ）において、ステップ S 10〜ステップ S 12で 用意したマスクとウェハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってゥェ ハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップ S 14 (デバイス組立ステップ）に おいて、ステップ S 13で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。このステップ S14〖こは、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程 (チップ封入 )等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップ S 15 (検査ステップ）において 、ステップ S 14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検 查を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
[0040] 図 8は、半導体デバイスの場合におけるステップ S 13の詳細工程の一例を示す図 である。
ステップ S21 (酸化ステップ）おいては、ウェハの表面を酸化させる。ステップ S22 ( CVDステップ）においては、ウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ S23 (電極形 成ステップ）においては、ウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ S 24 (ィ オン打込みステップ）においては、ウェハにイオンを打ち込む。以上のステップ S21 〜ステップ S24のそれぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、 各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
[0041] ウェハプロセスの各段階にお 、て、上述の前処理工程が終了すると、以下のように して後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ S25 (レジスト形 成ステップ）において、ウエノ、に感光剤を塗布する。引き続き、ステップ S26 (露光ス テツプ）において、上で説明したリソグラフィシステム (露光装置)及び露光方法によつ てマスクの回路パターンをウェハに転写する。次に、ステップ S27 (現像ステップ）に おいては露光されたウェハを現像し、ステップ S28 (エッチングステップ）において、レ ジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして 、ステップ S29 (レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレ ジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ゥ ェハ上に多重に回路パターンが形成される。
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなぐ光露光装置、 EUV露光装置 、 X線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造す るために、マザーレチクルカ ガラス基板やシリコンウェハ等へ回路パターンを転写 する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、 DUV (深紫外)や VUV (真空紫外） 光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板と しては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又 は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式の X線露光装置や電子線露光装置 等では、透過型マスク (ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板と してはシリコンウェハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、国際公開第 99 Z34255号、国際公開第 99Z50712号、および国際公開第 99/66370号の各パ ンフレット、及び特開平 11— 194479号、特開 2000— 12453号、特開 2000— 292 02号の各公報に開示されている。本国際出願で指定した指定国 (又は選択した選 択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記パンフレット及び公報における開示 を援用して本明細書の一部とする。

Claims

請求の範囲
[1] 位置決め対象物を載置するとともに少なくとも一軸方向に移動可能なテーブル部と
、前記テーブル部に前記一軸方向への駆動力を付加する駆動部と、前記テーブル 部の前記一軸方向における位置を計測する位置計測部と、を有する位置決め装置 において、
前記テーブル部は、前記駆動力が付加される力点と前記位置決め対象物が載置さ れる位置決め対象点との二点間、前記位置計測部による被計測点と前記位置決め 対象点との二点間、及び前記力点と前記被計測点との二点間のうちの 1つ以上に、 それぞれの二点の相対位置を略一定に維持するァクチユエータを備えることを特徴 とする位置決め装置。
[2] 前記テーブル部は、前記テーブル部における所定部材と前記力点の二点の相対 位置を略一定に維持するァクチユエータを備えることを特徴とする請求項 1に記載の 位置決め装置。
[3] 前記ァクチユエータは、前記テーブル部の加速時及び Z又は減速時に駆動される ことを特徴とする請求項 1又は請求項 2に記載の位置決め装置。
[4] 前記ァクチユエータは、それぞれの前記二点間の剛性を変化させることを特徴とす る請求項 1から請求項 3のうちいずれか一項に記載の位置決め装置。
[5] 前記ァクチユエータは、それぞれの前記二点間に所定の力を作用させることを特徴 とする請求項 1から請求項 4のうちいずれか一項に記載の位置決め装置。
[6] 前記それぞれの二点間のうちの少なくとも 1つは、前記ァクチユエータ自身で構成さ れて 、ることを特徴とする請求項 1から請求項 4のうち 、ずれか一項に記載の位置決 め装置。
[7] 前記ァクチユエータは、圧電ァクチユエータであることを特徴とする請求項 1から請 求項 6のうちいずれか一項に記載の位置決め装置。
[8] 位置決め対象物を少なくとも一軸方向に移動可能なテーブル部に載置すると共に
、前記テーブル部に前記一軸方向への駆動力を付加しつつ、前記テーブル部の前 記一軸方向における位置を計測して、前記位置決め対象物を所定の位置に移動さ せる位置決め方法にぉ ヽて、 前記テーブル部の加速時及び Z又は減速時に、
前記テーブル部における前記駆動力が付加される力点と前記位置決め対象物が 載置される位置決め対象点との二点間、前記テーブル部における前記位置計測部 による被計測点と前記位置決め対象点との二点間、及び前記力点と前記被計測点と の二点間のうちの 1つ以上の相対位置を略一定に維持することを特徴とする位置決 め方法。
[9] 同時に、前記テーブル部における所定の部材と前記力点との二点の相対位置を略 一定に維持することを特徴とする請求項 8に記載の位置決め方法。
[10] 前記二点間の剛性を変化させることを特徴とする請求項 8又は請求項 9に記載の位 置決め方法。
[11] 前記二点間に所定の力を作用させることを特徴とする請求項 8から請求項 10のうち
V、ずれか一項に記載の位置決め方法。
[12] マスクを保持するマスクステージと、基板を保持する基板ステージとを有し、前記マ スクに形成されたパターンを前記基板に露光する露光装置であって、
前記マスクステージと前記基板ステージの少なくとも一方に、請求項 1から請求項 7 のうちいずれか一項に記載の位置決め装置を用いることを特徴とする露光装置。
[13] 基板上に所定のパターンを形成する露光装置であって、
前記基板の位置決めに請求項 1から請求項 7のうち 、ずれか一項に記載の位置決 め装置を用いることを特徴とする露光装置。
[14] 前記基板を移動しつつ該基板に露光光を照射する走査型の露光装置であって、 前記露光光が、前記基板の加速中または減速中の少なくとも一方にお!、て前記基 板に照射されることを特徴とする請求項 12または請求項 13記載の露光装置。
[15] マスクステージに載置したマスクと基板ステージに載置した基板とをそれぞれ位置 決めしつつ、前記マスクに形成されたパターンを前記基板に露光する露光方法であ つて、
前記マスクの位置決め方法と前記基板の位置決め方法の少なくとも一方に、請求 項 8から請求項 11のうちいずれか一項に記載の位置決め方法を用いることを特徴と する露光方法。
[16] 基板上に所定のパターンを形成する露光方法であって、
前記基板の位置決めに請求項 8から請求項 11のうち 、ずれか一項に記載の位置 決め方法を用いることを特徴とする露光方法。
[17] 前記基板を移動しつつ該基板に露光光を照射する走査型の露光方法であって、 前記露光光が、前記基板の加速中または減速中の少なくとも一方にお!、て前記基 板に照射されることを特徴とする請求項 15または請求項 16に記載の露光方法。
[18] リソグラフイエ程を含むデバイスの製造方法であって、前記リソグラフイエ程におい て請求項 12から請求項 14のいずれか一項に記載の露光装置、或いは請求項 15か ら請求項 17のいずれか一項に記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイスの 製造方法。
[19] 物体を載置するテーブル部と、該テーブル部を移動させる駆動装置とを備えた位 置決め装置であって、
前記駆動装置の駆動力が付加される前記テーブル部の力点と、前記物体における 位置決め対象点との間の相対位置が略一定に維持されることを特徴とする位置決め 装置。
[20] 前記駆動装置によって発生する駆動力に応じて前記力点と前記位置決め対象点と の間に所定の力を作用させるァクチユエータを備えたことを特徴とする請求項 19に 記載の位置決め装置。
[21] 基板上に所定のパターンを形成する露光装置であって、
前記基板の位置決めに請求項 19に記載の位置決め装置を用いることを特徴とす る露光装置。
[22] 物体をテーブル部に載置して駆動装置によって前記テーブル部を移動させる位置 決め方法であって、
少なくとも前記テーブル部が移動している間は、前記駆動装置の駆動力が付加さ れる前記テーブル部の力点と、前記物体における位置決め対象点との間の相対位 置を略一定に維持することを特徴とする位置決め方法。
[23] 前記駆動装置によって発生する駆動力に応じて、該駆動力とは別に前記力点と前 記位置決め対象点との間に所定の力を作用させることを特徴とする請求項 22に記載 の位置決め方法。
[24] 基板上に所定のパターンを形成する露光方法であって、
前記基板の位置決めに請求項 22に記載の位置決め方法を用いることを特徴とす る露光方法。
[25] リソグラフイエ程を含むデバイスの製造方法であって、前記リソグラフイエ程にぉ ヽ て請求項 21に記載の露光装置、或いは請求項 24に記載の露光方法を用いることを 特徴とするデバイスの製造方法。
PCT/JP2005/011377 2004-06-25 2005-06-21 位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 WO2006001282A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006528546A JPWO2006001282A1 (ja) 2004-06-25 2005-06-21 位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
EP05753361A EP1780771A1 (en) 2004-06-25 2005-06-21 Aligning apparatus, aligning method, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US11/630,825 US20090123853A1 (en) 2004-06-25 2005-06-21 Aligning apparatus, aligning method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004-188113 2004-06-25
JP2004188113 2004-06-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006001282A1 true WO2006001282A1 (ja) 2006-01-05

Family

ID=35781752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/011377 WO2006001282A1 (ja) 2004-06-25 2005-06-21 位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090123853A1 (ja)
EP (1) EP1780771A1 (ja)
JP (1) JPWO2006001282A1 (ja)
KR (1) KR20070027704A (ja)
TW (1) TW200606596A (ja)
WO (1) WO2006001282A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266187A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、デバイスの製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI533394B (zh) 2007-06-21 2016-05-11 尼康股份有限公司 Conveying method and conveying device
JP5205983B2 (ja) * 2008-01-18 2013-06-05 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置のデータ作成方法、および電子線露光システム
TWI475339B (zh) * 2012-12-22 2015-03-01 C Sun Mfg Ltd 待曝光基材及底片的對位方法及系統
WO2018153481A1 (en) * 2017-02-24 2018-08-30 Applied Materials, Inc. Apparatus for vacuum processing
CN111103772A (zh) * 2020-01-15 2020-05-05 江西沃格光电股份有限公司 曝光***

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05335200A (ja) * 1992-06-01 1993-12-17 Canon Inc 基板支持装置
JPH06254734A (ja) * 1993-03-02 1994-09-13 Canon Inc Ｘｙステージ装置およびこれに用いるリニアモータ
JPH09293773A (ja) * 1996-02-29 1997-11-11 Canon Inc 位置決め装置および露光装置
JPH10313567A (ja) * 1997-05-08 1998-11-24 Canon Inc リニアモータおよびステージ装置
JP2000092815A (ja) * 1998-09-10 2000-03-31 Canon Inc ステージ装置および該ステージ装置を用いた露光装置
JP2002118050A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Canon Inc ステージ装置、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および露光装置の保守方法
JP2003031646A (ja) * 2001-07-16 2003-01-31 Nikon Corp ステージ装置および露光装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09115825A (ja) * 1995-10-19 1997-05-02 Nikon Corp 走査型投影露光装置
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
DE69738910D1 (de) * 1996-11-28 2008-09-25 Nikon Corp Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren
US6151100A (en) * 1996-12-12 2000-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Positioning system
WO1998028665A1 (en) * 1996-12-24 1998-07-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
JP3626504B2 (ja) * 1997-03-10 2005-03-09 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ ２個の物品ホルダを有する位置決め装置
JP3720613B2 (ja) * 1999-02-03 2005-11-30 キヤノン株式会社 位置決め装置、露光装置およびデバイス製造方法ならびに位置決め方法
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
KR100522885B1 (ko) * 2002-06-07 2005-10-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05335200A (ja) * 1992-06-01 1993-12-17 Canon Inc 基板支持装置
JPH06254734A (ja) * 1993-03-02 1994-09-13 Canon Inc Ｘｙステージ装置およびこれに用いるリニアモータ
JPH09293773A (ja) * 1996-02-29 1997-11-11 Canon Inc 位置決め装置および露光装置
JPH10313567A (ja) * 1997-05-08 1998-11-24 Canon Inc リニアモータおよびステージ装置
JP2000092815A (ja) * 1998-09-10 2000-03-31 Canon Inc ステージ装置および該ステージ装置を用いた露光装置
JP2002118050A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Canon Inc ステージ装置、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および露光装置の保守方法
JP2003031646A (ja) * 2001-07-16 2003-01-31 Nikon Corp ステージ装置および露光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266187A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070027704A (ko) 2007-03-09
US20090123853A1 (en) 2009-05-14
JPWO2006001282A1 (ja) 2008-04-17
TW200606596A (en) 2006-02-16
EP1780771A1 (en) 2007-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100573669B1 (ko) 리소그래피 장치용 균형화 위치결정시스템
JP4695022B2 (ja) ステージ装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
EP1385034A1 (en) Adaptive lithography mirror with actuators
JP4710611B2 (ja) 露光装置及びデバイスの製造方法並びに露光方法
JP2000056483A (ja) 位置決め装置、およびその装置を含んで成る平板印刷投影装置
JP2009135507A (ja) リソグラフィ投影装置に使うための平衡位置決めシステム
WO2006009254A1 (ja) 支持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
US20070268476A1 (en) Kinematic chucks for reticles and other planar bodies
JPWO2008041575A1 (ja) ステージ装置および露光装置
TW548708B (en) Support table apparatus, exposure apparatus, and manufacturing method of device
JP2009088037A (ja) 露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置
US20060290915A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009130355A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2006001282A1 (ja) 位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
JPWO2005036620A1 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TW200302507A (en) Stage device and exposure device
WO2005048325A1 (ja) ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置
JP2004228473A (ja) 移動ステージ装置
JP4479911B2 (ja) 駆動方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP7472958B2 (ja) 移動体装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2009267406A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2006040927A (ja) 支持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
US20090097009A1 (en) Holding device and exposure apparatus
US20080137096A1 (en) Exposure apparatus and device-manufacturing method
JP4943345B2 (ja) リソグラフィ装置

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006528546

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005753361

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077001016

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020077001016

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005753361

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11630825

Country of ref document: US